WO2001057293A1 - Single crystal growing device and production method of single crystal using the device and single crystal - Google Patents

Single crystal growing device and production method of single crystal using the device and single crystal Download PDF

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melt
crystal
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Koji Kitagawa
Izumi Fusegawa
Tomohiko Ohta
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Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
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    • Y10T117/1088Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone including heating or cooling details

Definitions

  • the present invention relates to a single crystal used in the production of single crystals such as silicon single crystals by the Chiral key method (hereinafter also referred to as the CZ method or the pull-up method). It relates to crystal growth equipment, manufacturing methods, and single crystals. Background art
  • a single crystal growing apparatus used for producing a silicon single crystal by the CZ method generally includes a vertically movable crucible containing a raw material melt, and a crucible.
  • a heater arranged so as to surround the bob is arranged in the main channel for growing a single crystal, and is disposed above the main channel.
  • the pulling speed of the constant diameter portion having a constant diameter of the single crystal rod was extremely slow, usually about 0.5 to lmm / min. If you try to pull it up too fast, the single crystal being grown will be deformed, and it will not be possible to obtain a columnar product with a constant diameter. This causes problems such as the occurrence of slip dislocations in the crystal rod, the separation of crystals from the melt and the loss of the product. There was a limit to increasing the crystal growth rate.
  • the pulling rate, or crystal growth rate is determined by the heat budget of the crystal during growth.
  • the amount of heat taken into the crystal includes the heat flowing into the crystal from the melt / heater and the solidification latent heat generated when the melt crystallizes.
  • the amount of heat that flows out and out of the crystal through the crystal surface and the seed crystal must be equal to the sum of the inflow heat and the solidification latent heat. is there .
  • the latent heat of solidification depends on the volume of the crystal growing per unit time, increasing the crystal growth rate requires an increase in the latent heat of solidification. Which must be offset by reducing the inflow heat or increasing the outflow heat, generally from the crystal surface. Methods are being used to efficiently remove the heat released and increase the heat output.
  • a cooling means is provided inside the main channel to surround the single crystal rod being pulled up, so that the single crystal rod being pulled up can be efficiently used.
  • There have been proposed devices that increase the pulling speed by cooling. For example There is an apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-211589. This device pulls the single crystal rod being pulled up so that it surrounds the concentric circle, and goes from the lower part of the channel to the inside of the main channel.
  • a rectifying cooling cylinder with a dual structure of a metal outer cooling cylinder and an internal cooling cylinder made of graphite, etc. is installed, and the heat generated in the inner cooling cylinder is transferred to the outside by the outer cooling cylinder. As a result, the temperature rise of the internal cooling cylinder was suppressed, and the cooling efficiency of the crystal was improved.
  • a cooling medium such as water to more effectively cool the growing single crystal.
  • a cooling duct for circulating a liquid refrigerant is used as a main body.
  • a cooling member made of a material with high thermal conductivity, such as silver, is installed underneath the chan- nel and the heat released from the crystal surface is quickly transferred to the outside.
  • a fluid such as water, which is generally used as a cooling medium, is heated to a high temperature exceeding 100 ° C. and is close to the melt surface. This is dangerous because it may cause a steam explosion, so this equipment secures the safety by separating the cooling duct from the melt surface. .
  • a metal cylinder is used in such a device.
  • the contact area can be increased by reducing the diameter downward, but this is not the case. In fact, it is actually a line contact, and perfect adhesion cannot be obtained. Therefore, in practice, there is a gap between the outer cooling cylinder and the inner cooling cylinder, and this acts as a heat insulating layer.
  • An object of the present invention is to provide a single crystal growing apparatus capable of safely producing a single crystal without leakage, a method of manufacturing a single crystal using the apparatus, and a single crystal.
  • the single crystal growing apparatus of the present invention contains at least a rutupo for accommodating a raw material melt and a heater for heating the raw material melt.
  • the cooling cylinder can be lifted from the raw material melt.
  • the extremely high temperature of the single crystal is gradually cooled by the radiation from the heater, which is blocked by the cooling auxiliary member, and moves further upward.
  • the cooling is more effectively performed by the cooling cylinder, and as a result, the crystal growth rate can be increased.
  • the cooling cylinder which extends from the ceiling of the main channel to the surface of the raw material melt, is forcibly cooled by a cooling medium.
  • the capacity has been improved, and the space above the main channel has been effectively used to cool the crystal, thus forcing the crystal to be forced. This makes it possible to lengthen the region where cooling can be performed specifically, and to obtain a higher crystal cooling effect.
  • the cooling cylinder is located far enough away from the very hot melt surface, so that the melt generated by the melting of the raw material or by the scattering of the melt generated due to earthquakes that occur in the meantime.
  • the melt does not come into contact with the cooling cylinder to cause damage, melting damage, etc., and the single crystal can be grown extremely safely.
  • the cooling cylinder may be made of iron, nickel, chromium, copper, titanium, molybdenum, tangsten, or An alloy containing these metals, or a metal or alloy coated with titanium, molybdenum, tungsten, or a platinum group metal And are preferred.
  • the above metals are excellent in heat resistance and heat conductivity. If these metals are used in the apparatus of the present invention, they absorb radiant heat from the heater and the melt surface, and are effective. It can be efficiently transmitted to a cooling medium such as water.
  • the cooling auxiliary member is made of graphite, molybdenum, or tungsten.
  • the above materials have extremely high heat resistance, they can effectively block the radiant heat from the melt and the heater, and can also be used immediately after being pulled up from the melt surface. Suitable for cooling very hot single crystal rods.
  • the cooling auxiliary member is made of such a material, it becomes a cooling auxiliary member having excellent durability, and is less likely to be deformed or distorted at a high temperature. At the same time as it can be used for a long time, its mechanical strength is also high, so it is easier to disassemble and clean the single crystal growing equipment and to improve workability. .
  • a heat shield member is provided on the cooling auxiliary member.
  • the heat-shielding member in the cooling auxiliary member in this way, the radiant heat from the heater and the melt can be more effectively blocked, and the crystal growth rate can be further reduced. It can be further improved.
  • the tip of the cooling cylinder be at least 10 cm away from the surface of the raw material melt filled in the crucible.
  • the cooling cylinder By arranging the cooling cylinder at a predetermined distance from the raw material melt surface in this way, there is almost no possibility that the melt adheres to the cooling cylinder. Thus, a single crystal can be grown more safely.
  • the distance between the melt surface and the lower end of the cooling cylinder at least 10 cm, the cooling cylinder can be easily illuminated without special processing, and the crystal growth part can be easily illuminated.
  • the observation window for controlling the crystal diameter can be used as a cooling auxiliary member that is easy to process. It is only necessary to install it, and the equipment will be simplified and stable operation will be possible.
  • a protective member made of graphite or metal is provided outside the cooling cylinder.
  • the inner surface of the cooling cylinder be blackened.
  • the efficiency of absorbing the heat radiated from the crystal is further increased. Can be improved. Since the heat absorption efficiency of the cooling cylinder has been improved by the blackening treatment, it is possible to realize a faster crystal growth.
  • a method for producing a single crystal characterized in that a single crystal is grown using the single crystal growing apparatus, and a method for producing a single crystal is provided.
  • a single crystal characterized by being grown using the single crystal growing apparatus is also provided.
  • the single crystal growing apparatus By using the single crystal growing apparatus according to the present invention, it is possible to safely grow a cylindrical silicon single crystal at a higher crystal growth rate without deformation. Can be obtained. Therefore, it is possible to reduce the production cost as a result.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of an example of a single crystal growing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a second embodiment of the single crystal growing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 3 is a sectional view showing a schematic configuration of a third embodiment of the single crystal growing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a fourth embodiment of the single crystal growing apparatus according to the present invention.
  • FIG. 5 is a graph showing the temperature distribution in the direction of the crystal growth axis obtained by the simulation.
  • the present invention is not limited to these embodiments.
  • the present invention is not limited to the growth of single crystal.
  • the apparatus of the present invention can be used for growing other single crystals such as a compound semiconductor.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a schematic configuration showing an example of a single crystal growing apparatus according to the present invention.
  • the single crystal growing apparatus shown in Fig. 1 heats and melts raw materials, for example, crucibles 5 and 6 containing a raw material melt 4 and polycrystalline silicon raw materials, similarly to a general single crystal growing apparatus.
  • Heater 7 etc. are stored in the main channel, '1', and the lifting channel connected to the main channel '1', '2'
  • a pulling mechanism (not shown) for pulling up the grown single crystal is provided.
  • a lifting wire 16 is wound out of a lifting mechanism attached to the upper part of the lifting channel 2, and a seed crystal 17 is attached to the tip of the lifting wire 16.
  • the seed holder 18 for attachment is connected, and the seed crystal 17 attached at the end of the seed holder 18 is immersed in the raw material melt 4 and pulled.
  • a single crystal rod 3 is formed below the seed crystal 17 by winding up the lifting wire 16 by a lifting mechanism.
  • the crucibles 5 and 6 are a stone crucible 5 for directly containing the raw material melt 4 inside and a graphite crucible for supporting the quartz crucible 5 on the outside. It is composed of B6.
  • the crucibles 5 and 6 are rotated by a rotation drive mechanism (not shown) attached to the lower part of the single crystal growing apparatus 20, and the crucibles are self-moving crucibles.
  • the melt surface is supported by the spindle 19, and the melt surface is kept at a certain position so that the crystal quality does not change due to the change of the melt surface during the single crystal growing apparatus. Therefore, the crucible is raised only by the amount of the melt reduced in response to the lifting of the single crystal rod 3 while rotating in the opposite direction to the crystal. .
  • a heating heater 7 is arranged so as to surround the crucibles 5 and 6, and the heat from the heater 7 is outside the heating heater 7.
  • a heat insulating member 8 for preventing direct radiation to the main chamber is provided so as to surround the periphery.
  • the inside of the channel, 1 and 2 are installed above the lifting channel 2 for the purpose of discharging impurities generated in the furnace to the outside of the furnace.
  • Inert gas such as argon gas, is introduced from the gas inlet 10, and passes through the upper portion of the single crystal rod 3 and the melt 4 being lifted. It circulates through the insides 1 and 2 and is discharged from the gas outlet 9.
  • the main channel 1 and the lift channel 2 are made of a metal such as stainless steel which is excellent in heat resistance and heat conductivity. It is water-cooled through a cooling pipe (not shown).
  • the cooling cylinder 11 surrounds the single crystal rod 3 being pulled up.
  • the cooling cylinder 11 extends from the ceiling toward the surface of the raw material melt.
  • the upper end of the cooling cylinder may be extended up to the inside of the chan- nel according to the conditions of installation and the temperature distribution in the furnace.
  • a cooling medium is introduced into a cooling cylinder 11 of the single crystal growing apparatus 20 shown in FIG. 1 from a cooling medium inlet 12, and the cooling medium circulates through the cooling cylinder 11. After the cooling cylinder 11 is forcibly cooled, it is discharged to the outside.
  • a cooling medium a liquid or a gas that has been conventionally used as a cooling medium can be used.However, in addition to the cooling characteristics, It is preferable to use water from the viewpoint of properties and cost. Also, by adjusting the flow rate and temperature of the cooling medium flowing into the cooling cylinder 11 as necessary, the amount of heat removed from the cooling cylinder 11 can be changed. Thus, it is possible to create a desired cooling atmosphere that matches the single crystal growth rate.
  • the material of the cooling cylinder 11 is not particularly limited as long as it is heat-resistant and has excellent heat conductivity, but specifically, iron, nickel, and the like. It can be made from metal, chromium, copper, titanium, molybdenum, tungsten, or alloys containing these metals. Further, the metal or alloy may be coated with titanium, molybdenum, tungsten, or a platinum group metal.
  • the heat resistance of the cooling cylinder 11 is extremely excellent, and the heat conductivity is extremely high. After absorbing the heat radiated from the single crystal rod, the heat is efficiently transmitted to the cooling medium such as water circulating inside the cooling cylinder 11 to lower the temperature around the crystal. Thus, the cooling rate of the single crystal can be improved.
  • the cooling auxiliary has a shape that extends downward from the cooling cylinder and is shrunk toward a cylinder or downward. Have members.
  • a cylindrical cooling auxiliary member 13 extending from the lower end of the cooling cylinder 11 to the vicinity of the raw material melt surface is provided. .
  • the cooling auxiliary member 13 surrounds the periphery of the high-temperature single crystal 3 immediately after being lifted, and blocks radiant heat from the heater 7 or the melt 4 or the like. This has the effect of cooling the single crystal 3.
  • the cooling auxiliary member 13 made of a material having excellent heat resistance and high thermal conductivity as described above, the heat absorbed by the cooling auxiliary member 13 is improved. Is transmitted to the cooling cylinder 11, and is further discharged outside through a cooling medium circulating in the cooling cylinder 11.
  • the single crystal growing apparatus 20 is constructed by combining the cooling cylinder 11 and the cooling auxiliary member 13 as described above.
  • the very hot single crystal 3 immediately after growing from the liquid 4 is first cooled effectively by the radiant heat from the heater 7 etc. being blocked by the cooling auxiliary member 13.
  • the single crystal 3 is further pulled up, so as to be opposed to the cooling cylinder 11, and at least to the cooling cylinder 11 at least to the ceiling of the main channel 1. Because it is more cooled, it is efficiently cooled over a wide area of the crystal. Therefore, the amount of heat flowing out of the crystal is surely removed, and the cooling effect is maximized, so that the crystal can be pulled at a very high growth rate.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the schematic configuration showing another example of the single crystal growing apparatus according to the present invention.
  • the cooling auxiliary member 13 a extends downward from the ceiling of the main channel 1 so as to surround the periphery of the cooling cylinder 11, and cools down.
  • the tube 11 has a shape whose diameter is reduced from the vicinity of the lower end portion toward the lower side.
  • the tip of the cooling auxiliary member 13 a is close to the growth single crystal rod 3, and the melt 4 scattered when the raw material is melted adheres to the cooling cylinder 11. This also has the advantage of effectively preventing radiant heat from the surface of the melt 4 in addition to radiant heat from the heater 7 as well as radiant heat from the heater 7.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the schematic configuration showing still another example of the single crystal growing apparatus according to the present invention.
  • the cooling auxiliary has a shape that is reduced in diameter from the vicinity of the lower end of the cooling cylinder 11 downward.
  • a thick heat shield member 14 is provided at the tip of the member 13b.
  • a material having particularly excellent heat resistance and high heat conductivity can be used.
  • a material for the cooling auxiliary member 13 b may be used.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing still another example of the single crystal growing apparatus according to the present invention.
  • a cooling cylinder extending from the lower inside of the lifting channel 2 ′ into the main channel 1. 11 is Are located.
  • a cylindrical cooling auxiliary member 13 c is provided extending from the inside of the lower part of the cooling cylinder 11 to the vicinity of the surface of the raw material melt, and a heat shield is provided on the outer periphery of the tip of the cooling auxiliary member 13 c.
  • Member 14c is provided.
  • the cooling auxiliary member 13c and the heat shielding member 14c are slightly different in shape from those provided in the devices 20, 20a and 20b described above. However, similarly to the above, the cooling auxiliary member 13c grows by blocking the radiant heat from the heater 7 between the vicinity of the melt surface and the cooling cylinder 11. It has the effect of cooling the single crystal 3, and the heat shielding member 14 c has a surface facing the melt 4 and the fin 7, so that radiant heat can be more effectively exerted. Can be blocked.
  • the device 20c of FIG. 4 further includes a protection member 15 provided outside the cooling cylinder 11.
  • the protection member 15 extends from the ceiling of the main channel 1, and covers the outer peripheral surface including the lower end surface of the cooling cylinder 11 in the main channel 1. It is arranged.
  • the material of the protection member 15 graphite or a metal having heat resistance can be used.
  • the tip of the cooling cylinder 11 is preferably at least 10 cm away from the surface of the raw material melt.
  • the tip of the cylinder 11 is less than 10 cm from the melt surface, the cooling cylinder 11 itself is also heated to a very high temperature and deteriorates, which may cause damage. is there .
  • the distance between the cooling cylinder 11 and the melt surface is too short, the length will not be extremely short even if a cooling auxiliary member extending downward from the cooling cylinder 11 is installed. In other words, it can be worn or worn As a result, it becomes difficult to obtain the effect of protecting the cooling cylinder by the cooling auxiliary member. Therefore, it is preferable that the tip of the cooling cylinder 11 be separated from the melt surface by at least 10 cm.
  • the distance from the ceiling of the main channel, '1 to the melt surface varies depending on the equipment configuration and the conditions for growing single crystal rods.
  • the length of the cylinder 11 itself should be determined according to the length of the chamber of the crystal growing apparatus and the operating conditions. However, in order to obtain the effect of the cooling cylinder 11 of the present invention, it is necessary that the gap between the melt surface and the tip of the cooling cylinder 11 be 10 cm or more when the length of the cooling cylinder 11 is the longest. As described above, if the length is adjusted so that the distance from the ceiling of the main chamber to the tip of the cooling cylinder is at least 5 cm in the shortest case, the above-mentioned effect can be obtained. Can be obtained with certainty.
  • the cooling cylinder 11 By providing the cooling cylinder 11 in this manner, the rectifying effect of inert gas such as argon that passes through the inside of the cooling cylinder 11 from the upper side to the cooling cylinder 11 is provided. The results can be enhanced, and the cooling effect of the gas can be obtained.
  • the cooling auxiliary members 13, 13 a, 13 b, and 13 c have a detection window for diameter detection, and a visual check for the operator to understand the crystal growth status. It is possible to observe the crystal rod growing part without any trouble by just installing windows. As a result, the device can be simplified, and the cooling effect of the cooling cylinder can be obtained uniformly.
  • the position of the melt surface with respect to the cooling cylinder is changed by a driving mechanism, or is changed.
  • the thermal history of the grown single crystal can be controlled independently. For example, a quenching effect can be obtained by bringing the cooling cylinder close to the melt surface and bringing the cooling auxiliary member close to just above the melt surface.
  • a quenching effect can be obtained by bringing the cooling cylinder close to the melt surface and bringing the cooling auxiliary member close to just above the melt surface.
  • a slow cooling effect can be obtained.
  • the cooling cylinder is moved away from the melt surface and the cooling auxiliary member is brought close to just above the melt surface, it is called a grown-in defect. It is also possible to control the aggregation temperature zone of crystal defects and the temperature zone relating to oxygen precipitation in the crystal to a desired zone.
  • the apparatus of the present invention is configured such that an electromagnet 21 is disposed outside a main channel 1 for storing a melt 4 and a channel is provided. It can be used in a magnetic field pulling method (hereinafter referred to as MCZ method), which grows a single crystal 3 while applying a magnetic field to the melt 4 inside. It goes without saying that the same kind of effect can be obtained.
  • MCZ method magnetic field pulling method
  • the apparatus of the present invention is used for the MCZ single crystal growing apparatus for large-sized single crystal production, the crystal growth rate can be more effectively improved. Therefore, significant productivity improvement can be expected.
  • the average pulling speed of the constant diameter portion is 1.4 mm / min or less, and in a crystal having a diameter of 6 inches, the diameter of the constant diameter portion is smaller.
  • the average pulling speed was 1.8 mm / min or less, a substantially columnar single crystal without crystal deformation could be grown, but no more.
  • the rate of pulling up is that normal growth of a single crystal occurs due to problems such as deformation of crystals during crystal growth and slip dislocations. But could not .
  • the present invention is not limited to the above embodiment.
  • the above embodiment is merely an example, and has substantially the same configuration as the technical idea described in the scope of the claims of the present invention, and has the same operation and effect. Anything is included in the technical scope of the present invention.
  • the apparatus of the present invention grows a single crystal without applying a magnetic field to a CZ method single crystal growing apparatus, or grows a single crystal by applying a horizontal magnetic field to the melt.
  • the explanation has been made by taking the HMCZ method single crystal growing apparatus as an example, the same effect can be obtained with other single crystal growing apparatuses using a cubic magnetic field, a vertical magnetic field, or the like. That's not to say.

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Description

明 細 書 単結晶育成装置及 び そ の 装置 を 用 い た 単結晶の製造方 法
並び に 単結 晶
技術分野
本発 明 は、 チ ヨ ク ラ ル ス キー 法 ( 以下 C Z 法、 引上 げ法 と も 称 す る ) に よ る シ リ コ ン 単結晶 な ど の単 結晶 製造 に 用 い ら れ る 単結晶 育 成装置、 製造方 法 な ら び に 単結晶 に 関 す る 。 背景技術
以下、 本発 明 の 従来例 を シ リ コ ン 単結 晶 の 育成 を例 に と っ て 説 明 す る 。
C Z 法 で シ リ コ ン 単結晶 を製造す る 際 に使用 さ れ る 単結晶育成装 置は、 一般的 に 原料融液が 収容 さ れ た 昇 降動 可能 な ル ツ ボ と 、 該 ル ッ ボ を 取 り 囲 む よ う に 配置 さ れ た ヒ ー タ が 単結晶 を 育成 す る メ イ ン チ ャ ン ノ 内 に 配置 さ れて お り 、 該 メ イ ン チ ャ ン ノ の上部 に は 育成 し た単結 晶 を 収納 し 取 り 出 す た め の 引 上 げ チ ャ ン ノ が連設 さ れ て い る 。 こ の よ う な 単結晶育成装 置 を 用 い て 単 結晶 を製造す る 際 に は 、 種 結晶 を 原料融液 に 浸漬 し 、 回転 さ せ な が ら 静か に 上方 に 引 上 げ て 棒 状の 単結晶 を 成長 さ せ る 一 方 、 所望 の 結 晶 品 質 を 得 る た め 融液面 の 高 さ が常 に 一定 に 保 た れ る よ う に 結 晶 の 成長 に合 わ せル ツ ボ を 上昇 さ せて レ、 る 。
そ し て 、 単結 晶 を 育成す る 際 に は 、 種 ホ ル ダ に 取 り 付 け ら れ た 種 結晶 を 原料融液 に 浸漬 し た 後、 引 上 げ機構 に よ り 種結晶 を 所望 の 方 向 に 回 転 さ せ な が ら 静か に ワ イ ヤ を 巻 き 上 げ、 種結晶 先端部 に 単 結 晶棒 を 成長 さ せ て い る が、 種結 晶 を 融液 に 着液 さ せ た 際 に 生 じ る 転 位 を 消滅 さ せ る た め、 一旦 、 成長初期 の 結晶 を 3 〜 5 m m程度 ま で 細 く 絞 り 、 転位 が抜 け た と こ ろ で 径 を所 望 の 直径 ま で 拡大 し て 、 目 的 と す る 品 質 の 単結晶棒 を 成長 さ せ て い く 。
こ の と き 、 単結晶棒の 一定の 直径 を 有 す る 定径 部 の 引 上 げ速度 は 、 通常 0 . 5 〜 l m m / m i n 程度 の非 常 に ゆ っ く り と し た も の で あ り 、 無理 に 速 く 引 上 げ よ う と す る と 、 育成 中 の 単結 晶 が 変形 し て 定径 を 有 す る 円 柱状製 品 が 得 ら れな く な る 、 あ る い は 単結晶棒 に ス リ ッ ブ転位 が発生 す る 、 結 晶が 融液 か ら 切 り 離 さ れて 製品 と な ら な く な つ て し ま う な ど の 問題 が生 じ て し ま い 、 結晶成長速度 の 高速化 を 図 る に は 限界 があ っ た 。
し か し 、 前記 C Z 法 に よ り 単 結晶棒 を 製造 す る に お い て 、 生 産性 の 向上 を 図 り 、 コ ス ト を 低減 さ せ る た め に は 、 単 結晶成長速度 を 高 速化 す る こ と が一 つ の 大 き な手段で あ り 、 こ れ ま で に も 結晶成長速 度の高速化 を達成 さ せ る た め に 多 く の改良 が な さ れて き た 。
引 上 げ速度、 即 ち 結 晶成 長速度は 、 成 長 中 の結 晶の 熱収支 に よ つ て 決定 さ れ る 。 結晶 に 取 り 込 ま れ る 熱量 は、 融液 ゃ ヒ ー タ か ら 結 晶 へ入 る 流入熱量 と 、 融液 が 結晶 化 す る 際 に 発 生 す る 固化 潜熱 と が あ り 、 育成 中 の結晶 の 熱収支 を 考 え た 場合、 結 晶表 面 や種結 晶 を 通 し て 結晶 の 外へ放出 さ れ る 流 出熱量 が 、 流入熱量 と 固化 潜熱 と の 和 に 等 し い 必要 が あ る 。 固化潜熱は 、 単 位時 間 あ た り に成長す る 結晶 の 体積 に依存 し て い る た め、 結晶成長速度 を 高速化 す る に は 、 高速化 に よ り 増大す る 固化潜熱の増加 分 を 、 流入熱量 を 減少 し 相殺す る か 、 若 し く は流 出熱量 を 增加 さ せ る こ と に よ っ て 相 殺す る 必要 が あ る そ こ で 、 一般的 に は 結晶表面 か ら 放 出 さ れ る 熱 を 効率 的 に 除去 し 、 流出 熱量 を增加 さ せ る 方 法 が取 ら れて い る 。
そ の 一つ に メ イ ン チ ャ ン ノ 内 部 に 引 上 げ 中 の単結晶棒 を 取 り 囲 む よ う に 冷却手段 を 設 け 、 引 き 上 げ 中 の単 結晶棒 を 効率 良 く 冷却 す る こ と に よ り 、 引 上 げ速度 を 速 く す る 装置 が提案 さ れて い る 。 例 え ば 、 特開平 6 — 2 1 1 5 8 9 号公報 に 開示 さ れ た 装 置 が あ る 。 こ の 装 置 は 、 引 き 上 げ 中 の単結晶棒 を 同心 円上 に取 り 囲 む よ う に 引 上 げ チ ャ ン ノ 下部 よ り メ ィ ン チ ヤ ン ノ 内部 に 向 か つ て 、 金属 製 の 外側 冷却 筒 と 黒鉛等 か ら な る 内部冷却筒 の 二重構造 を 有 す る 整流冷却筒 を 設 け、 外側 冷却筒 に よ り 内部 冷却筒 に 生 じ た 熱 を 外へ移送 す る こ と で 内部 冷却筒 の 温度上昇 を 抑 え 、 結晶 の 冷却効 率 を 向上 さ せ た も の で あ る 。
ま た 、 成長 し て い る 単結 晶 を よ り 効果 的 に 冷却 さ せ る た め に 水 等 の 冷却媒体 を 用 い る 装置 も 開示 さ れ て い る 。 例 え ば、 特開 平 8 — 2 3 9 2 9 1 号公報 に 開 示 さ れて い る 単結 晶育成装 置で は 、 液体冷媒 を 流通 さ せ る 冷却 ダ ク ト を メ イ ン チ ャ ン ノ 内 に 通 し 、 そ の 下 に 銀等 の高熱伝導率 を 有 す る 材質 か ら な る 冷却部材 を 設 け、 結晶表面 か ら 放出 さ れ る 熱 を 速や か に 外部へ移送 す る こ と で効果的 な 結 晶 冷却 を 行 っ て い る 。 し か し 、 一般 的 に 冷却媒体 と し て 用 い ら れ る 水 等 の 流 体が 1 0 0 0 °C を超 え る よ う な 高温 に加 熱 さ れて レヽ る 融液 面 に 近 づ く こ と は、 水蒸気爆発 の誘 因 と も な り 危 険で あ る た め 、 こ の 装置 で は、 冷却 ダ ク ト を 融液面 か ら 離 す こ と で 安全 を確保 し て い る 。
こ れ ら の 装置、 例 え ば前記特 開平 6 _ 2 1 1 5 8 9 号 公報 に 開 示 さ れ て い る 装置の よ う な 二 重構造の 冷却 筒 に お い て は 、 金属製の 外 側 冷却筒 と 、 黒鉛等 に よ る 内部 冷却筒 と の 間 に熱膨張率 の 差 が あ り 、 常 に 完全 に 密着 さ せ る こ と は 不可能で あ る 。 開 示 さ れて い る 装 置 で は 、 下 方 に 向 か っ て 縮径 さ せ る こ と に よ り 接触面積 を 多 く と る と あ る が、 こ の よ う な場合に お い て も 実際 に は 線接触 と な っ て し ま い 、 完全 な 密着は得 ら れ な い 。 従 っ て 、 実際 に は外側 冷却筒 と 内部 冷 却筒 と の 間 に隙間 が生 じ 、 こ れ が 断熱層 と し て 働 い て し ま う 。 さ ら に、 外側 冷却筒 内 面 と 内部 冷却 筒外 面 と の 間 に は接触熱抵抗が存在 す る 。 こ の接触熱抵抗は、 材質 や表面状態 に 依存 し 、 簡単 に 求 め る こ と が で き る 値 で は な い が 、 開 示 さ れて い る 装置 に あ る よ う な 構造 で は、 内部冷却筒 は 十分 に 冷却 さ れ る こ と は な く 、 高 い 結晶 冷却効 果 を 発揮す る に は至 ら な い と レゝ ぅ 問題が あ る 。
一方 、 前記特開 平 8 _ 2 3 9 2 9 1 号 公報 に 閧 示 さ れて い る 単結 晶育成装置 で は、 冷却 ダ ク ト と 融液面 が 離れ て お り 安全面 で の 配慮 がな さ れて い る が 、 こ の よ う な 構造で は メ イ ン チ ャ ン ノ 内 の 略 中 央 部 に 冷却 ダ ク ト 全体 が 配設 さ れ る こ と に な り 、 実用 上 の 作業性、 操 作性 に 問題が生 じ る 。 ま た 、 構造上、 ダ ク ト の強度 を 十分 に確保 す る こ と が難 し く 、 破損 に よ る 液体冷媒漏 れ等 の危 険性 が高 ま る こ と も 考え ら れ る 。
さ ら に 、 冷却 ダ ク 卜 と 引 上 げチ ャ ン ノ と の 間 に 結晶 が 冷却 さ れ な い部分 が あ り 、 必 ず し も 結 晶 か ら 放 出 さ れ る 前記流出 熱量 を 効率 的 に除去で き る も の で は な く 、 大 き な 冷却効果 を得 る に は 十分 な も の と は言 え な い 。 発明の 開示
上記問題点 に鑑み、 本発 明は 、 成長 し た単 結晶 に 対す る 冷却効果 を最大限 に 発揮 し 、 結 晶成長速度の 高速化 を 図 り 、 破損 、 溶損等 に よ る 冷却媒体の 漏れ が無 く 安全 に単結晶 を 製造で き る 単結晶育成装 置及 びそ の装置 を 用 い た 単結晶 の製造方 法 と 単結 晶 を 提供 す る こ と を 目 的 と す る 。
前記 目 的 を 達成す る た め 、 本発明 の単 結晶育成装置 は、 少 な く と も 原料融液 を 収容す る ル ツ ポ及 び原料融液 を 加熱 す る ヒ ー タ を 格納 す る メ イ ン チ ャ ン ノヽ' と 、 該 メ イ ン チ ャ ン ノヽ'の 上部 に連設 さ れ、 成長 し た 単結晶 が 引 上 げ ら れて 収納 さ れ る 引 上げ チ ャ ン ノ、' と を 有 す る 単 結晶育成装置 に お い て 、 引 上げ 中 の 単結 晶 を 取 り 囲む よ う に 前記 メ ィ ン チ ャ ン ノ の 少 な く と も 天井部か ら 原 料融液表面 に 向 か っ て 延伸 し、 冷却媒体で 強制 冷却 さ れ る 冷却筒 と 、 該 冷却筒 よ り 下 方 に 延伸 し、 円 筒 ま た は 下 方 に 向 か っ て 縮径 さ れ た形状の 冷却補助部材 を 有 す る こ と を 特徴 と す る 単結晶育成装置で あ る 。
こ の よ う に 、 冷却媒体で 強制 冷却 さ れ る 冷却筒 と 、 該冷却筒 よ り 下方 に延伸 す る 冷却補助部材 を 設 け る こ と に よ り 、 原料融液 か ら 引 上 げ ら れ た 非 常 に 高温の 単結晶 は、 ヒ ー タ か ら の 輻射 が 冷却補助 部 材 に よ り 遮 ら れて 徐 々 に 冷却 さ れ、 さ ら に 上 方 に 移動 し て い く に 従 つ て 冷却筒 に よ り 一層効果 的 に 冷却 さ れ る た め、 そ の 結果、 結 晶 の 成長速度 を 速 め る こ と が可能 と な る 。 特 に 、 メ イ ン チ ャ ン ノ の 天井 部か ら 原料 融液表面 に 向 か っ て 延伸 す る 冷却 筒 を 冷却媒体 に よ り 強 制的 に 冷却 す る 構造 と し た こ と で 冷却能 力 が 向上 し 、 さ ら に は メ イ ン チ ャ ン ノ 上方 の 空間 を 有 効 に 活用 し て 結晶 冷却 を 行 う こ と が で き る よ う に な っ た た め 、 結晶 を 強制的 に 冷却 で き る 領域 を 長 く と る こ と が可能 と な り 、 よ り 高い 結晶 冷却効果 を 得 る こ と がで き る 。
ま た 、 冷却筒 が非常 に高温の 融液面 と 十分離れ て い る た め、 原 料 溶融時 や、 ま れ に起 こ る 地震な どの 原 因 で 発 生 す る 融液 の 飛散 に よ り 、 冷却筒 に 融液 が触れて 破損 、 溶損等 が生 じ る こ と も 無 く 、 極 め て 安全 に単結晶 の育成 を 行 う こ と が で き る 。
本発明 に係 る 単結晶育成装置 で は 、 前記冷却筒 が、 鉄、 ニ ッ ケ ル 、 ク ロ ム 、 銅、 チ タ ン 、 モ リ ブデ ン 、 タ ン グ ス テ ン 、 若 し く は こ れ ら の金属 を 含む合金、 ま た は前記金属 若 し く は合金 を チ タ ン 、 モ リ ブデ ン 、 タ ン グス テ ン 、 若 し く は 白 金族金属 で 被覆 し て な る こ と が 好 ま し い 。
上記金属 は耐熱性、 熱伝 導性 に優れて お り 、 こ れ ら の金属 を 本 発 明の装置 に 用 い れば、 ヒ ー タ 及 び融液面 か ら の輻射熱 を 吸収 し て 効 率良 く 水等 の 冷却媒体に伝 え る こ と がで き る 。
ま た 、 前記冷却補助部材 が、 黒鉛、 モ リ ブ デ ン 、 ま た は タ ン グ ス テ ン か ら な る こ と が 好 ま し レヽ 。
上記材料は 、 非常 に 耐熱性 に 優れ て い る の で 、 融液及び ヒ ー タ か ら の輻射熱 を 効果 的 に 遮 る と と も に 、 融液面 か ら 引 上 げ ら れ た 直 後 の非常 に 高温の 単結晶棒 を 冷却 す る の に 適 し て い る 。 ま た 、 こ の よ う な材料 で 冷却補助部材 を 構成 す れ ば耐 久性 に も 優れ た 冷却補助部 材 と な り 、 高温下 で 変形や 歪が 生 じ る こ と が 少な く 、 長時 間使用 す る こ と が で き る の と 同 時 に 、 機械的 強度 も 高 い の で 、 単結 晶育成装 置の解体や 清掃時の 取扱い が容易 と な り 作業性 も 向上 す る 。
さ ら に 、 前記冷却補助部材 に 遮熱部材 が設 け ら れて い る こ と が 好 ま し い 。
こ の よ う に 冷却補助部材 に遮熱部材 を 設け る こ と で 、 ヒ ー タ 及 び 融液 か ら の 輻射熱 を よ り 効果的 に遮 り 、 ひ い て は 結晶 の成長速度 を よ り 一層 向上 さ せ る こ と が で き る 。
前記冷却筒 の 先端 が、 ル ツ ボ 内 に 満 た さ れ た原 料融液の 表面 か ら 1 0 c m以上離れて レ、 る こ と が好 ま し い 。
こ の よ う に原料融液面 か ら 所定の 距離 を 設 け て 冷却筒 を 配置 す る こ と に よ り 、 融液 が 冷却筒 に付着 す る お そ れ が ほ と ん ど無 く な り 、 よ り 安全 に 単結晶 を 育成す る こ と が で き る 。 ま た 、 融液面 と 冷却筒 下端 の 距離 を 1 0 c m 以上 あ け る こ と で 、 冷却筒 に 特別 な 加 工 を 施 す こ と な く 、 容易 に 結 晶育成部 の照環 ( フ ュ ー ジ ョ ン リ ン グ ) を 単 結晶育成装置 の 外 か ら 観察 で き る よ う に な り 、 結 晶直径制御等 の た め の検出 窓 を 、 加 工 の簡単 な 冷却補助部材 に 設 け る だ け で よ く 、 装 置が簡略化 さ れ安定 し た操業 を 行 う こ と が で き る よ う に な る 。
前記冷却筒 の外側 に 、 黒鉛 ま た は金属 か ら な る 保護部材 が 設 け ら れて い る こ と が好 ま し い 。
冷却筒 の 外側 に 耐熱性の あ る 保護部材 を 設 け る こ と で 、 原料 溶融 時な ど に 飛散す る 融液 が冷却筒 へ付 着 し た り 、 あ る い は操業 中 に 原 料融液 か ら 蒸発 し た 蒸発物 が 冷却筒表面 に 析 出 す る の を 抑制 す る こ と が で き る 。 こ れ に よ り 、 長時 間 に わ た り 安定 し た操業 を 行 う こ と が可能 と な る 。 ま た 、 ヒ ー タ や 原料 融液 表面 か ら の輻射熱 が 直接 冷 却筒へ あ た る こ と も 防 ぐ こ と が で き る の で 、 よ り 一層 効率 的 な 冷却 効果 を得 ら れ る よ う に な る 。
そ し て 、 前記冷却筒 の 内 側表 面 を 、 黒化処理 し て あ る こ と が望 ま し い 。
冷却筒 の 内側 表面 に 黒鉛等 を 塗布 あ る い は 蒸着 す る な どの 表面 を 黒色化 す る 黒化処理 を 施す こ と で 、 結晶 か ら 輻射 さ れ る 熱の 吸収効 率 を さ ら に 向 上 さ せ る こ と が で き る 。 黒化処理 に よ り 冷却筒 の 熱 吸 収効率 が高 め ら れた こ と で 、 よ り 速 い 結 晶成 長 を 実現 す る こ と が 可 能 と な る 。
さ ら に 、 本発 明 に よ れば 、 前記単 結晶育成装置 を 用 い て 単結晶 を 育成す る こ と を 特徴 と す る 単結 晶の 製造方 法 が提供 さ れ、 ま た 、 前 記単結晶育成装置 を 用 い て 育成 し た こ と を 特徴 と す る 単結晶 も 提供 さ れ る 。
本発 明 に 係 る 単結晶育成装置 を 用 い る こ と で 、 変形す る こ と な く 円柱状の シ リ コ ン 単結 晶 を よ り 速い 結晶成長速度 で 安全 に 育成 す る こ と が で き る 。 し た が っ て 、 結果的 に製造 コ ス ト を 引 き 下 げ る こ と も 可能 と な る 。
以上説明 し た よ う に 、 本 発明 の単結晶育成装置 は 、 引 上 げ 中 の 単 結晶 を 取 り 囲む よ う に 前記 メ イ ン チ ャ ン ノ、'の 少な く と も 天井部 か ら 原料融液表面 に 向 か っ て 延伸 し 、 冷却媒体で 強制 冷却 さ れ る 冷却筒 と 、 該冷却筒 よ り 下方 に延伸 し 、 円 筒 ま た は 下方 に 向 か っ て 縮径 さ れた形状の 冷却補助部材 を 有 す る こ と を 特徴 と し て い る 。 こ の よ う な冷却筒 と 冷却補助部材 を 組み合わ せ る こ と で 冷却効果 を 最大限 に 発揮す る こ と が で き 、 引上速度 を 向 上 さ せ単 結晶 の生産性 を 飛躍 的 に高め る こ と が で き る 。 ま た 、 冷却筒 よ り 下 方 に 冷却媒体等 に よ つ て 直接冷却 さ れな い 冷却補助部材 を 配置 し た た め 、 冷却筒 が非 常 に 高温の 融液 に接触す る お そ れ も 無 く 保護 さ れ て お り 、 安全性 が 一層 確保 さ れ る 。 図面の簡単な説明
図 1 は、 本発明に係 る単結晶育成装置の一例の概略構成を示す断 面図で あ る 。
図 2 は、 本発明に係 る単結晶育成装置の第 2 の態様の概略構成を 示す断面図であ る 。
図 3 は、 本発明に係 る 単結晶育成装置の第 3 の態様の概略構成 を 示す断面図であ る 。
図 4 は、 本発明に係 る単結晶育成装置の第 4 の態様の概略構成 を 示す断面図であ る 。
図 5 は、 シ ミ ュ レ ー シ ョ ン に よ り 得 ら れた 結晶成長軸方向の温度 分布を 示すグラ フ で あ る 。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の実施の形態に つい て 図面を参照 しな が ら 、 シ リ コ ン単結晶の育成を例 に あ げて具体的 に説明す る が、 本発明は こ れ ら シ リ コ ン単結晶の成長のみ に限定さ れる も の ではない。 例えば、 本 発明の装置は化合物半導体等の他の単結晶育成に おいて も 利用可能 な も のであ る 。
図 1 は、 本発明に係 る単結晶育成装置の一例 を 示す概略構成の断 面図で あ る 。
図 1 に示 した単結晶育成装置は、 一般的な単結晶育成装置 と 同様 、 原料、 例えば原料融液 4 を収容す る ル ツボ 5 , 6 、 多結晶 シ リ コ ン原料を加熱、 溶融す る た めの ヒー タ 7 な どがメ イ ンチ ャ ンノ、' 1 内 に格納さ れ、 メ イ ン チ ャ ンノヽ' 1 上に連設 さ れた引上げチ ャ ンノ、' 2 の 上部には、 育成さ れた単結晶を 引上げる 引上げ機構 (図示せず) が 設け ら れて レ、 る 。
引上げチ ャ ンノ 2 の上部に取 り 付け ら れた 引上 げ機構か ら は引上 げワ イ ヤ 1 6 が巻 き 出 さ れてお り 、 その先端 には、 種結晶 1 7 を取 り 付 け る た め の 種 ホ ル ダ 1 8 が接続 さ れ 、 種 ホ ル ダ 1 8 の 先 に'取 り 付け ら れ た 種結 晶 1 7 を原料融液 4 に 浸 漬 し 、 引 上 げ ワ イ ヤ 1 6 を 引 上 げ機構 に よ っ て 巻 き 取 る こ と で 種結 晶 1 7 の 下方 に 単結 晶棒 3 を形成す る 。
な お 、 上記 ル ツ ボ 5 , 6 は、 内側 に原 料融液 4 を 直接収容 す る 石 英ル ツ ボ 5 と 、 外側 を 該石英ル ツ ボ 5 を 支持 す る た め の 黒鉛 ル ツ ボ 6 と か ら 構成 さ れて い る 。 ル ツ ボ 5 , 6 は 、 単結 晶育成装置 2 0 の 下部 に 取 り 付 け ら れ た 回 転駆動機構 ( 図 示せ ず ) に よ っ て 回 転昇 降 動 自 在 な ル ツ ボ 回 転軸 1 9 に 支持 さ れて お り 、 単結晶育成装 置 中 の 融液面 の 変化 に よ っ て 結晶 品質 が変 わ る こ と の な い よ う 、 融液面 を 一定位置 に 保 っ た め、 結晶 と 逆 方 向 に 回 転 さ せ な が ら 単結 晶棒 3 の 引 き 上 げ に 応 じ て 融液が減少 し た 分 だ け ル ツ ボ を 上昇 さ せ て い る 。
ル ツ ボ 5 , 6 を 取 り 囲む よ う に加 熱 ヒ ー タ 7 が配置 さ れて お り 、 こ の力 Π熱 ヒ ー タ 7 の外側 に は、 ヒ ー タ 7 か ら の熱 が メ イ ン チ ャ ン バ に 直接輻射 さ れ る の を 防止 す る た め の 断熱部材 8 が周 囲 を 取 り 囲 む よ う に 設け ら れ て い る 。
ま た 、 チ ャ ン ノ、' 1 , 2 内 部 に は、 炉 内 に 発 生 し た 不純物 を 炉外 に 排出 す る 等 を 目 的 と し 、 引 上 げ チ ャ ン ノ 2 上部 に 設 け ら れ た ガ ス 導 入口 1 0 か ら ア ル ゴ ン ガス 等の 不活 性ガ ス が 導入 さ れ、 引 き 上 げ 中 の単結晶棒 3 、 融液 4 上部 を 通過 し て チ ャ ン ノ 1 , 2 内部 を 流通 し 、 ガス 流出 口 9 か ら 排出 さ れ る 。
な お 、 メ イ ン チ ャ ン ノ、' 1 及び 引上 げチ ャ ン ノ 2 は 、 ス テ ン レ ス 等 の耐熱性、 熱伝 導性 に 優れ た金属 に よ り 形成 さ れ て お り 、 冷却管 ( 図示せ ず) を 通 し て 水冷さ れて い る 。
本発明 に 係 る 単結 晶育成装置 で は 、 冷却筒 1 1 が、 引 上 げ 中 の 単 結晶棒 3 を 取 り 囲 む よ う に 前記 メ イ ン チ ャ ン ノ 1 の 少 な く と も 天井 部か ら 原料融液表 面 に 向 か っ て 延伸 し て い る こ と を 特徴の 一 つ と し て い る 。 こ の 時 、 冷却筒の 上端 は 、 取 り 付 け の 状況 ゃ炉 内 の 温度 分布 に よ つ て 引 上 げチ ャ ン ノ 内 ま で 延長 し て も 良 い 。
図 1 に 示 す単結晶育成装 置 2 0 の 冷却筒 1 1 内 に は 、 冷却媒体導 入 口 1 2 か ら 冷却媒体 が 導入 さ れ、 該冷却媒体は 、 冷却筒 1 1 内 を 循環 し て 冷却筒 1 1 を 強制 冷却 し た 後、 外部へ排 出 さ れ る 。
な お 、 冷却媒体 と し て は 、 従来冷却媒体 と し て 使用 さ れて い る 液 体あ る い は 気体 を 使用 す る こ と が で き る が、 冷却 特性の ほ か、 取 り 扱い 性、 コ ス ト 面等 か ら も 水 を 使用 す る の が 好適 で あ る 。 ま た 、 こ れ ら 冷却筒 1 1 内 に 流 す 冷却媒体の 流量 や温度 を 必要 に 応 じ て 調節 すれば、 冷却筒 1 1 の 除去熱量 を 変 化 さ せ る こ と が で き る の で 、 こ れ に よ り 単結晶成長速度 に 合わ せ た 所望 の 冷却雰 囲気 を 作 り 出 す こ と が可能で あ る 。
冷却筒 1 1 の材質 と し て は、 耐熱性が あ り 、 熱伝 導性 に 優れ た も の で あ れ ば特 に 限定 さ れな い が 、 具 体的 に は 、 鉄、 ニ ッ ケ ル、 ク ロ ム 、 銅、 チ タ ン 、 モ リ ブデ ン 、 タ ン グス テ ン 、 若 し く は こ れ ら の 金 属 を 含む合金か ら 作製 す る こ と が で き る 。 ま た、 前記金属 若 し く は 合金 を チ タ ン 、 モ リ ブデ ン 、 タ ン グ ス テ ン 、 若 し く は 白 金族金属 で 被覆 し て構成 さ せて も よ い 。
上記 の よ う な金属 あ る い は合金 を 使用 す る こ と に よ り 、 冷却筒 1 1 の耐熱性は非常 に優れて い る 上、 熱伝 導性 が非 常 に 高 い の で 、 単 結晶棒か ら 放射 さ れ た 熱 を 吸収 し た 後、 冷却筒 1 1 内 部 を 循環す る 水等 の 冷却媒体 に効率 良 く 伝 え 、 結 晶周 囲の 温度 を 低下 さ せ る の で 、 単結晶 の 冷却速度 を 向上 さ せ る こ と が で き る 。
本発 明 に係 る 単結晶育成装置 は 、 他の 特徴 と し て 、 前記冷却筒 よ り 下方 に延伸 し 、 円 筒 ま た は 下 方 に 向 か っ て 縮怪 さ れ た 形状の 冷却 補助部材 を 有 し て い る 。
図 1 の単結晶育成装置 2 0 で は 、 前記 冷却 筒 1 1 の 下端部 か ら 原 料融液面近傍 に延伸 す る 円 筒状 の 冷却補助部材 1 3 が 設 け ら れて い る 。 冷却補助部材 1 3 は 、 引 上 げ ら れ た 直後 の 高温の 単結 晶 3 の 周 囲 を 囲 ん で お り 、 ヒ ー タ 7 あ る い は 融液 4 等 か ら の 輻射熱 を 遮 っ て 単結晶 3 を 冷却 す る 効果 を 有 す る 。 ま た 、 冷却筒 1 1 が 融液面 の 直 上 ま で 近づ く こ と が 防 がれ安全性が確保 さ れ る と と も に 、 融液上 方 か ら 結晶近傍 を 下流す る 不活性 ガ ス の整流効果 が発揮 さ れ る 。
上記冷却補助部材 1 3 の 材質 と し て は 、 耐熱性 に 非常 に 優れ る と と も に 、 高 い 熱伝 導性 を 有 す る も の が好 ま し く 、 具体的 に は、 黒鉛 、 モ リ ブデ ン 、 ま た は タ ン グス テ ン と す る の が良 い 。 特 に 黒鉛は 、 ヒ ー タ ゃ融液等 か ら の 輻射熱 を 効率 良 く 遮蔽 し 、 熱伝導率 も 比較 的 高い の で 好適 で あ る 。 ま た 、 表面 を 炭化 ケ ィ 素 で 被覆 し た も の を 使 用 し て も 良 い 。 こ の よ う に すれ ば、 冷却補助 部材 か ら も た ら さ れ る 不純物汚染 を よ り 抑制 で き る 。
上記の よ う に 耐熱性 に優れ る と と も に 熱伝 導率 の 高 い 材質 か ら な る 冷却補助部材 1 3 を 使用 す る こ と で 、 冷却補助 部材 1 3 に 吸収 さ れた 熱は 冷却筒 1 1 へ と 伝 わ り 、 さ ら に 冷却筒 1 1 内 を 循環 す る 冷 却媒体 を 通 じ て 外部へ放 出 さ れ る 。
以上の よ う な 本発 明 に係 る 単結晶育成装置 2 0 は 、 前記 の よ う に 冷却筒 1 1 と 冷却補助部材 1 3 を 組み合 わ せ て 設 け る こ と に よ り 、 融液 4 か ら 成長 し た 直後の 非常 に高温の 単結 晶 3 が、 ま ず 冷却補助 部材 1 3 に よ っ て ヒ ー タ 7 等 か ら の 輻射熱 が 遮 ら れて 効果的 に 冷却 さ れ、 単結晶 3 は さ ら に 引 上 げ ら れ る こ と で 冷却筒 1 1 と 相 対 し 、 少な く と も メ イ ン チ ャ ン ノ、' 1 の 天井部 ま で 冷却筒 1 1 に よ り 冷却 さ れ る の で 、 結晶 の広範 囲 に わ た っ て 効率 良 く 冷却 さ れ る 。 そ の た め 、 結晶 か ら の 流 出 熱量 を確実 に 除去 し 、 冷却効果 を 最大限 に 発揮 す る の で 、 結晶 を 非常 に速い成長速度 で 引 上 げ る こ と が可能 に な る 。 本発 明 に 係 る 単結晶育成装置 の 冷却補助部材の 形状 は 、 前記 円 筒 状 に 限定 さ れず、 下方 に 向 か っ て縮径 さ れた 形状 と す る こ と も で き る 。 図 2 は、 本発 明 に係 る 単結晶 育成装置 の他 の 一例 を 示 す概略構成 の 断面 図 で あ る 。
こ の 装置 2 0 a で は 、 冷却補助部材 1 3 a が メ イ ン チ ャ ン ノ 1 の 天井部 か ら 冷却筒 1 1 の 周 り を 囲む よ う に し て 下 方 に 延伸 し 、 冷却 筒 1 1 の 下端部近傍か ら 、 下方 に 向 か っ て縮径 さ れ た形状 と な っ て い る 。 原料融液面近傍 で は 、 冷却補助部材 1 3 a の 先端部 が成長単 結晶棒 3 に 近接 し て お り 、 原料 溶融時 な ど に 飛散 す る 融液 4 が 冷却 筒 1 1 に付着 す る の を 防 ぎ 、 ま た 、 ヒ ー タ 7 か ら の輻射熱 の ほ か 、 融液 4 の表面か ら の輻射熱 も 効果的 に遮 る と い う 利点 も あ る 。
図 3 は、 本発 明 に 係 る 単結晶育成装置 の さ ら に 他の 一例 を 示 す概 略構成の 断面図 で あ る 。
こ の 装置 2 O b で は 、 前記図 2 の 装置 2 0 a と 同様、 冷却筒 1 1 の 下端部近傍か ら 下方 に 向 か っ て縮径 さ れた 形状 と な っ て い る 冷却 補助部材 1 3 b の 先端 に厚 みの あ る 遮熱部材 1 4 が設 け ら れて い る 。 こ の よ う に 冷却補助部材 1 3 b に 遮熱部材 1 4 を 設 け る こ と で 、 特に 高温の 融液面近傍 に お い て ヒ ー タ 7 及び 融液 4 か ら の 輻射熱 を よ り 効果的 に遮 り 、 ひ い て は成 長速度 を よ り 一層 向上 さ せ る こ と が で き る 。
な お、 遮熱部材 1 4 の材 質 と し て は、 特 に 耐熱性 に優れ、 高 い 熱 伝導性 を 有 す る も の を 使用 で き 、 例 え ば、 冷却補助部材 1 3 b の 材 料 と し て 例示 し た 黒鉛、 モ リ ブデ ン 、 ま た は タ ン グス テ ン 、 あ る い は、 炭化 ケ ィ 素、 あ る い は 黒鉛 の表 面 を 炭化 ケ ィ 素 で 被覆 し た も の を使用 す る の が好 ま し い 。 こ の よ う な材料 を 用 い れば、 ヒ 一 夕 ゃ 融 液表面 か ら の輻射熱 を よ り 良 く 遮 る こ と が可能 と な る 。
図 4 は、 本発明 に係 る 単 結晶 育成装置 の さ ら に 他の 一例 を 示 す概 略構成の 断面図 で あ る 。
こ の装置 2 0 c で は 、 前記図 1 の 装置 2 0 と 同 様、 引 上 げチ ャ ン ノヽ' 2 の 内側下部 か ら メ イ ン チ ャ ン ノ 1 内 へ と 延伸 し た 冷却筒 1 1 が 配置 さ れ て い る 。 冷却筒 1 1 下 部 の 内側 か ら 原料融液面近傍 に 延伸 す る 円 筒状の 冷却補助部材 1 3 c が 設 け ら れ 、 該 冷却補助部材 1 3 c の 先端外周部 に は遮熱部材 1 4 c が設 け ら れて い る 。
上記冷却補助 部材 1 3 c と 遮熱部 材 1 4 c は、 前掲 し た 装置 2 0 , 2 0 a , 2 0 b に 設 け ら れた も の と そ れ そ れ形状は 多 少 異 な る も の の 、 前記 同様、 冷却補助 部材 1 3 c に 関 し て は 、 融液面近傍 と 冷 却筒 1 1 と の 間 に お け る ヒ ー タ 7 か ら の 輻射熱 を 遮 っ て 成長単結 晶 3 を 冷却 す る 効果 を 発揮 し 、 ま た 、 遮熱 部材 1 4 c は 、 融液 4 と ヒ — 夕 7 に 対向 す る 面 を 有 し 、 よ り 効 果的 に 輻 射熱 を 遮 る こ と が で き る 。
図 4 の 装置 2 0 c は 、 さ ら に 冷却 筒 1 1 の 外側 に 保護部材 1 5 が 設け ら れ て レ、 る 。 該保護部材 1 5 は 、 メ イ ン チ ャ ン ノ 1 の 天井部 か ら 延伸 し 、 メ イ ン チ ャ ン ノ 1 内 の 冷却筒 1 1 の 下端面 を 含む外周 面 を 覆 う よ う に し て 配置 さ れて い る 。
こ の よ う な 保護部材 1 5 を 設 け る こ と で 原 料溶 融時 な ど に 飛散 す る お そ れの あ る 融液 4 が冷却筒 1 1 に付 着 す る こ と を 防 ぐ こ と が で き る し 、 ま た 、 ヒ ー タ 等 か ら の 輻射熱が 、 直接冷却筒 1 1 に あ た る の を 軽減で き る た め 、 冷却筒 1 1 の 除熱効果 も 向上 す る 。
な お 、 保護部材 1 5 の材質 に 関 し て は 、 黒鉛 ま た は耐熱性 の あ る 金属 を 使用 で き る 。
前記 い ずれの 態様 に お い て も 、 冷却筒 1 1 の先端 は 、 原料融液 面 か ら 1 0 c m以上離れて い る こ と が 好 ま し い 。 冷却筒 1 1 が 融液 面 に近 い ほ ど結晶 を 急 冷す る 効果 は 向 上す る が 、 融液面近傍は 1 0 ◦ 0 °C を 超 え る 高温で あ る た め、 冷却筒 1 1 の 先端 が 融液面 か ら 1 0 c m未満で あ る と 、 冷却筒 1 1 自 体 も 非 常 に 高温 に加熱 さ れ て 劣 化 し、 破損等 が生 じ る お そ れ が あ る 。 ま た 、 冷却筒 1 1 と 融液面 と の 距離 が近過 ぎ る と 、 該 冷却筒 1 1 よ り 下 方 に 延伸 す る 冷却補助部材 を装着 し て も 長 さ が極端 に 短 く な つ た り 、 あ る い は装着 す る こ と が で き な く な る の で 、 冷却補助部 材 に よ る 冷却 筒 の 保護効果 を 得 難 く な る 。 従 っ て 、 冷却筒 1 1 の 先端 は 、 融液面 か ら 1 0 c m 以上 離 れ て レヽ る こ と が好 ま し い 。
そ し て 、 メ イ ン チ ャ ン ノ 1 の 天井部 か ら 原 料融液面 に 向 か っ て 延 伸 し た 冷却筒 1 1 の 長 さ は 、 5 c m 以上 で あ る の が望 ま し い 。 冷却 筒 1 1 の 長 さ が 5 c m未満 で は 、 所 望 の 冷却効果 を 得 る こ と が 難 し く 、 ま た 、 結晶 3 が 引 上 げ チ ャ ン ノ 2 内 に 入れば 引 上 げ チ ヤ ン バ 2 に よ る 除熱効果 が期待 で き る の で 、 冷却筒 1 1 は メ イ ン チ ャ ン ノ 1 の 天井部 か ら 原料 融液面 に 向 か っ て 5 c m以上、 原料融液表 面 に 延 伸 し て レ、 る の が 良 レ、 。
メ イ ン チ ャ ン ノ、' 1 の 天井部 か ら 融液表 面 ま で の 距離 は 、 装置 の 構 成や 単 結 晶棒の 育成条件 に よ り 変 わ る も の で あ り 、 冷却筒 1 1 そ の も の の 長 さ は、 結晶育成装置の チ ヤ ン バ の 長 さ や操業条件 に 応 じ て 決定 すべ き で あ る 。 し か し 、 本 発明 の 冷却筒 1 1 の 効果 を 得 る に は 、 冷却筒 1 1 の 長 さ が 一番長い 場合 で 融液面 と 冷却筒 1 1 の 先端 の 隙間 が 1 0 c m以上 と な る よ う に 、 最 も 短い 場合で は メ イ ン チ ャ ン バ天井 か ら 冷却筒 先端 ま で の距離が 5 c m以上 と な る よ う に 長 さ を 調整す れば、 前述 の 効果 を 確実 に 得 る こ と が で き る 。
そ し て 、 こ の よ う に 冷却 筒 1 1 を 設け る こ と で 、 冷却筒 1 1 上 部 側 よ り そ の 内側 を 通過 さ せ る ア ル ゴ ン 等 の不 活性 ガ ス の 整流効 果 を 高め、 ガ ス に よ る 冷却効果 を得 る こ と も で き る 。 さ ら に 、 冷却筒 1 1 の 先端部 と 融液表面 の 間 に 十 分 な 隙間 が確保 さ れ る こ と で 、 こ の 隙間 か ら 融液上 の 単結晶棒 3 の 育成部 を 観察可能 と な り 、 冷却補 助 部材 1 3 、 1 3 a 、 1 3 b 、 1 3 c に の み直径検 出用 の 検 出 窓 や 、 作業者 が 結晶 の 育成状況 を 把握 す る た め の視 き 窓 を 設 け る だ け で 支 障な く 結 晶棒育成部 を 観察 で き る 。 こ れ に よ り 、 装置 を 簡 素化 で き る と と も に 、 冷却筒 の 冷却効果 を 均 一 に得 ら れ る よ う に な る 。
ま た 、 冷却筒 1 1 の 内側 表 面 に 黒鉛 を 塗布 あ る い は 蒸着 す る な ど 表面 を 黒色化 す る 黒化処理 を施せば 、 冷却筒 1 1 の 熱吸収効 果 が 強 化 さ れ、 よ り 効果的 に 成長単結 晶 3 の輻 射熱 を 吸収 す る こ と が で き る よ う に な り 冷却効果 が 向 上 す る 。
そ し て 、 以上説明 し た 本発 明 に係 る 単結晶 育成 装 置 で は 、 冷却筒 に対す る 融液表面 の 位 置 を 駆動機構 に よ り 変 化 さ せ た り 、 あ る い は 冷却補助部材 の 長 さ を 適宜選択 す る こ と で成長単 結 晶 の 熱履歴 を 自 在 に コ ン ト ロ ー ル で き る 。 例 え ば、 冷却筒 と 融液 表 面 を 近づ け る と と も に 、 冷却補助部材 を 融液面 直上 ま で 近づ け れ ば急冷効果 が得 ら れ る 。 逆 に 、 冷却筒 と 融液 表面 を 遠 ざけ る と と も に 、 冷却補助部材 も 融液面 か ら 遠 ざ け れ ば、 徐冷効果 が得 ら れ る 。 さ ら に 、 冷却筒 と 融液面 を 遠 ざ け 、 か つ 冷却補助部材 を 融液面 直上 ま で 近 づ け れば、 グ ロ 一 ン イ ン ( g r o w n — i n ) 欠陥 と 呼 ばれ る 結 晶欠陥 の 凝集 温度帯や結晶 中 の酸素析 出 に係 わ る 温度 帯 を 所望 の 帯域 に コ ン ト 口 —ルす る こ と も 可能 で あ る 。
ま た 、 本発 明 の 装 置 は、 図 4 に 示 す よ う に 融液 4 を 収容す る メ イ ン チ ャ ン ノ 1 の 外側 に 電磁石 2 1 を 配設 し て 、 チ ャ ン ノ 内 の 融液 4 に磁場 を 印加 し な が ら 単結晶 3 を 育成す る 磁界下 引 上 げ法 ( 以 下、 M C Z 法 と 称す る ) の 育成装置 で使用 す る こ と も 当 然 可能で あ り 、 同種 の効果 が得 ら れ る こ と は言 う ま で も な い 。 特 に 、 大型 の単結 晶 製造 を 目 的 と し た M C Z 法 単結 晶育成装 置 に 本発 明 の 装置 を 用 い れ ば、 よ り 効果的 に 結晶成長速度 を 向 上 さ せ ら れ る の で 、 大幅 な 生産 性向上 が期待で き る 。
以 下、 実施例及 び比較例 を 示 し て 本発 明 を よ り 具体的 に 説明 す る が、 本発明 は こ れ ら に 限定 さ れ る も の で は な い 。
(実施例 )
前記 図 4 に 示 し た 単結晶 育成装置 2 0 c を 用 い て 、 M C Z 法 を 用 い て シ リ コ ン 単 結晶棒の 育成 を 行 っ た 。 こ の と き 、 冷却筒 1 1 の 材 質 に は ス テ ン レ ス 、 冷却媒体 と し て は水 を 用 い た 。 ま た 、 冷却補 助 部材 1 3 c 、 遮熱部材 1 4 c 、 保護 部材 1 5 は黒鉛材 と し た 。 そ し て 、 冷却筒 1 1 ( 長 さ : 3 0 c m ) の 先端は 融液 面 か ら 2 5 c m離 し た 状態 と し 、 冷却補助部材 1 3 c は 融液面 直近 ま で 近づ け て 操業 を行 っ た 。 一 方 、 シ リ コ ン 融液 4 に は、 水平磁場 で 中 心 の 磁場強度 が 4 0 0 0 G と な る よ う に 磁場 を 印力□ し 、 ホ ッ ト ゾ ー ン は 直径 2 4 ィ ン チ の ル ツ ポ が収容で き る も の と し た 。
こ の 口 径 2 4 イ ン チ の ル ツ ボ に 1 5 0 k g の 多 結晶 シ リ コ ン 原 料 を 入れ、 直径 8 イ ン チ 、 定径部 の 長 さ が 約 1 0 0 c mの 単 結晶 を 育 成 し た 。 そ の 結果、 単結晶定径部の 平均 引 上 げ速度 が 2 . 0 m m / m i n で 変形す る こ と な く 略円 柱状 の シ リ コ ン 単 結晶 を 得 る こ と が で き た 。 次 に 、 同様 の 大 き さ の ル ツ ポ に 1 0 0 k g の原料 を 入れ、 直径 6 イ ン チ 、 定径部 の 長 さ が 約 1 0 0 c mの結 晶 を 育成 し た 。 そ の結果、 定径部 の 平 均 引上 げ速度 が 2 . 6 m mノ m i n の速度 で 変 形す る こ と な く 略円 柱状の シ リ コ ン 単結 晶 を 得 る こ と がで き た 。
(比較例 )
前記実施例 で 使用 し た 単結晶育成装置 の 冷却筒 に 替わ り 、 メ ィ ン チ ャ ン バ の 天井 か ら 黒鉛筒 を 吊 り 下 げた 単結 晶育成装置 を 用 い 、 そ れ以外の条件は、 実施例 と 同様 の条件下 で 単結晶 の育成 を 行 っ た 。 ま た 、 育成 し た 単結晶 の そ れそ れの 長 さ も 実施例 と 略 同等 の 長 さ と し た 。
そ の 結果、 定径部 の 直径 が 8 イ ン チ の 結晶 で は 、 定径部 の 平均 引 上 げ速度 が 1 . 4 m m / m i n 以下 、 6 イ ン チ の 結晶 で は 、 定径 部 の平均引 き 上 げ速度 が 1 . 8 m m / m i n以 下 の 引上 げ速度 で は 結 晶変形の な い 略 円柱状の 単結晶 を 育成 す る こ と は で き た が、 そ れ以 上の 引 上 げ速度 の も の は、 育成途 中 で 結 晶 に 変形 が生 じ た り 、 ス リ ッ プ転位 が入 る な ど の 問題 が起 こ り 正常 に 単 結晶 を 育成 す る こ と が で き な か っ た 。
こ の 理 由 を 調べ る た め、 F E M A G と 呼ば れ る 総合伝熱解析 ソ フ ト ( F . D u p r e t , P . N i c o d e m e , Y . R y c k m a n s , P . W o u t e r s , a n d M . J . C r o c h e , I n t - J . H e a t M a s s T r a n s f e r , 3 3 , 1 8 4 9 ( 1 9 9 0 ) ) を 用 レヽ て シ ミ ュ レ ー シ ョ ン を 行 っ た と こ ろ 、 図 5 に 示 す 結果 が得 ら れ た 。 図 5 か ら 、 冷却 筒 を 備 え た 実施例 の 装置 で は、 冷却筒 の 効果 に よ り 比較例 の 装 置 よ り も 急冷型 の 装置構造 と な つ て お り 、 成 長単 結晶 の熱 を 効率良 く 冷 や す こ と が で き た こ と が わ か る 。 確認の た め 実施例 と 比較例の 装置 の炉 内温度 分布 を 測 定 し た と こ ろ 、 シ ミ ュ レ ー シ ョ ン と ほ ぼ同様の 温度 分布 が得 ら れ た 。 従 つ て 、 本発 明 の 装置 を 用 い る こ と に よ り 、 単結 晶育成装置 の 炉 内 温度 分布 が急冷型 に 変化 し 、 結晶冷却速度 が増 し た こ と で 引 上 げ速度 の 高速化 が達成 さ れた も の で あ る 。
な お 、 本発 明 は 、 上記実施形態 に 限定 さ れ る も の で は な い 。 上記 実施形態 は 単 な る 例 示 で あ り 、 本発 明 の 特許請求 の 範 囲 に 記載 さ れ た 技術的思想 と 実 質 的 に 同 一 な 構成 を 有 し 、 同様 な 作用 効果 を 奏 す る も の は、 い か な る も の で あ っ て も 本発 明 の 技術 的範囲 に 包含 さ れ る 。
例 え ば、 本発 明 の 装 置 を 磁場 を 印加 し な い で 単 結晶 を 育成す る C Z 法単結晶育成装置、 あ る い は 融液 に水 平磁場 を 印加 し て 単結 晶 を 育成す る H M C Z 法単 結晶育成装置 を 例 に あ げて 説明 し た が 、 そ の 他の カ ス ブ磁場 や垂直磁場等 を 用 い た 単結晶育成装置 で も 同様 の 効 果 が得 ら れ る こ と は 言 う ま で も な レ、 。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 少 な く と も 原料融液 を収 容す る ル ツ ボ及び原料融液 を 加熱 す る ヒ ー タ を 格納 す る メ イ ン チ ヤ ン ノ と 、 該 メ イ ン チ ャ ン ノ の 上部 に 連設 さ れ、 成長 し た 単結晶 が 引 上 げ ら れ て 収納 さ れ る 引 上 げチ ヤ ン バ と を 有 す る 単結晶育成装 置 に お い て 、 引 上 げ中 の単結晶 を 取 り 囲 む よ う に 前記 メ イ ン チ ャ ン バ の 少 な く と も 天井部 か ら 原料融液表 面 に 向 か っ て 延伸 し 、 冷却媒体で 強制 冷却 さ れ る 冷却筒 と 、 該 冷却筒 よ り 下 方 に 延伸 し 、 円 筒 ま た は 下 方 に 向 か っ て縮径 さ れ た 形状 の 冷 却補助部材 を 有 す る こ と を 特徴 と す る 単結晶育成装置 。
2 . 前記冷却筒 が、 鉄、 ニ ッ ケ ル 、 ク ロ ム 、 銅、 チ タ ン 、 モ リ ブ デ ン 、 タ ン グス テ ン 、 若 し く は こ れ ら の 金属 を含 む合金、 ま た は 前 記金属 若 し く は合金 を チ タ ン 、 モ リ ブデ ン 、 タ ン グス テ ン 、 若 し く は 白 金族金属 で 被覆 し て な る こ と を 特徴 と す る 請求項 1 に 記載 の 単 結晶育成装置。
3 . 前記冷却補助部材 が 、 黒鉛、 モ リ ブデ ン 、 ま た は タ ン グ ス テ ン か ら な る こ と を 特徴 と す る 請 求項 1 ま た は 請求項 2 に 記載 の 単 結 晶育成装置 。
4 . 前記 冷却補助部材 に 遮熱 部材 が設 け ら れて い る こ と を 特徴 と す る 請求項 1 な い し 請求項 3 の い ず れか 1 項 に記載の 単結晶育成装
5 . 前記冷却筒 の 先端 が 、 ル ツ ボ 内 に 満 た さ れ た原料融液 の 表 面 か ら 1 0 c m以上離れ て い る こ と を 特徴 と す る 請求項 1 な い し 請 求 項 4 の い ずれか 1 項 に 記載 の単 結 晶育成装置 。
6 . 前記冷却筒 の 外側 に 、 黒鉛 ま た は金属 か ら な る 保護部材 が設 け ら れて い る こ と を 特徴 と す る 請求項 1 な い し 請 求項 5 の い ず れ か 1 項 に 記載の単 結晶育成装置。
7 . 前記冷却筒 の 内側表 面 を 、 黒化処理 し た こ と を 特徴 と す る 請 求項 1 な い し請求項 6 の い ずれ か 1 項 に 記載の 単結晶育成装置 。
8 . 請求項 1 な い し 請求項 7 の い ずれ か 1 項 に 記載 の 単結 晶育成 装置 を 用 い て 単 結晶 を 育成 す る こ と を 特徴 と す る 単結晶 の製造方 法
9 . 請求項 1 な い し 請求項 7 の い ずれ か 1 項 に 記載 の 単結晶育成 装置 を 用 い て 育成 し た こ と を 特徴 と す る 単結晶。
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