JP2020138887A - 単結晶育成装置及び単結晶育成方法 - Google Patents
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また、冷却筒の下端を主チャンバーの天井部から原料融液の湯面の近くまで延伸させることで、当該単結晶が主チャンバーの天井部及び肩部に対して直接露出しないようにすることができる。これにより、単結晶からの輻射を吸収する対象がほぼ冷却筒となるため、主チャンバーによる輻射熱の吸収効果を期待しなくとも十分に結晶を冷却することが可能となる。すなわち、主チャンバー天井部や肩部、冷却筒外面や底面を断熱部材で覆っても、より近距離にある冷却筒内面で結晶を十分冷却可能になるので、単結晶の成長速度を向上できる。
更には、主チャンバー天井部や肩部、冷却筒外面や底面を断熱部材で覆ったことにより、結晶以外のメルトやヒーター、ルツボなどの冷却したくない部分から余分な熱を奪うことがなくなり、省エネが達成される。
これは以下の理由による。
また、冷却筒の下端を主チャンパーの天井部から原料融液の湯面の近くまで延伸させることで、当該単結晶が主チャンバーの天井部及び肩部に対して直接露出しないようにすることができる。これにより、単結晶からの輻射を吸収する対象がほぼ冷却筒となるため、主チャンバーによる輻射熱の吸収効果を期待しなくとも十分に結晶を冷却することが可能となる。すなわち、主チャンバー天井部や肩部、冷却筒外面や底面を断熱部材で覆っても、より近距離にある冷却筒内面で結晶を十分冷却可能になるので、単結晶の成長速度を向上できる。
更には、主チャンバー天井部や肩部、冷却筒外面や底面を断熱部材で覆ったことにより、結晶以外のメルトやヒーター、ルツボなどの冷却したくない部分から余分な熱を奪うことがなくなり、省エネが達成される。
そこで、本発明者らは、まず、原料融液表面に向かって延伸する冷却筒と冷却補助筒とを備える冷却構造と、ルツボ上部断熱部材、ルツボ外側断熱部材、ルツボ内側断熱部材、及び遮熱部材を有する断熱構造との組合せを検討した。
単結晶育成装置の主チャンバー1内に黒鉛ルツボ6で保持された石英ルツボ5が設置され、該黒鉛ルツボ6は底部中心で回転し、上下動するルツボ軸(支持軸)18により支持される。主チャンバー1の上方には、原料融液(例えば、シリコン融液)4から引き上げられた単結晶(例えば、シリコン単結晶)3を取り出しする開口扉が設けられたプルチャンバー2が設けられる。
冷却筒10及び冷却補助筒11は、図1の冷却筒10及び冷却補助筒11に対応する。冷却筒10及び冷却補助筒11は、単結晶3を同軸状に取り囲む。すなわち、単結晶3、冷却筒10、及び冷却補助筒11は、軸AXを中心として配置される。
冷却補助筒11は、図1の冷却補助筒11に対応する。冷却補助筒11は、当該冷却補助筒11を軸方向(軸AXに平行な方向)に貫く切れ目(スリット)SLを有する。
この単結晶育成方法は、図2の単結晶育成装置を用いて実行される。なお、後述するステップST2を省略すれば、図1の単結晶育成装置により本発明の単結晶育成方法を実行することも可能である。また、以下の説明において、各構成要素に付される符号は、図1又は図2に示される構成要素の符号に対応する。
安全装置21により異常が検知された場合には、直ちに、単結晶育成装置を停止し、単結晶3の育成動作を終了する。
単結晶3の育成が終了した場合には、単結晶育成装置を停止し、本フローを終了する。また、単結晶3の育成が終了していない場合には、ステップST2に戻り、単結晶3の育成動作を継続しつつ、安全装置21により異常が検知されたか否かを再び確認する。
図1に示す単結晶育成装置において、直径32インチ(約813mm)のルツボを装備して、磁場印加チョクラルスキー法(MCZ法)を用いて約直径12インチ(約305mm)の単結晶を育成した。この時、冷却筒10の外径(直径)を単結晶3の狙い直径より210mm(半径で105mm)大きくし、また、冷却筒10の下端及び冷却補助筒11の下端を原料融液4の液面から105mmの位置に設定した。また、冷却補助筒11の材質としては、等方性黒鉛材を用い、かつ冷却補助筒11に軸方向に貫く切れ目SL(図4)を設けた。また、冷却筒10及び冷却補助筒11には、結晶観察用の開口部OP(図3)を設けた。
図6に示す単結晶育成装置を用いて単結晶103の育成を行った。
ここで、101、102、103、104、105、106、107、108、109、110、111、112、113、114、115、116、117、及び118は、それぞれ図1における主チャンバー1、プルチャンバー2、単結晶3、原料融液4、石英ルツボ5、黒鉛ルツボ6、黒鉛ヒーター7、排ガス管8、導入管9、冷却筒10、冷却補助筒11、遮熱部材12、ヒーター外側断熱部材13、ルツボ下部断熱部材14、ルツボ上部断熱部材15、ルツボ外側断熱部材16、ルツボ内側断熱部材17、及びルツボ軸18に対応する。
図1に示す単結晶育成装置を用いて単結晶3の育成を行った。
ただし、比較例2では、図1の単結晶育成装置から、ルツボ上部断熱部材15、ルツボ外側断熱部材16、及びルツボ内側断熱部材17を外したことを除いては、実施例1と同じ方法で、無欠陥結晶を育成した。
Claims (11)
- 原料融液の入ったルツボと、前記ルツボを加熱するヒーターと、前記ヒーターの外側に配置される保温筒とを備えるCZ法単結晶育成装置であって、
前記原料融液から引き上げられる前記単結晶を同芯状に取り囲むように配置され、前記単結晶を冷却する冷却筒と、
前記冷却筒の内側に前記単結晶を同芯状に取り囲むように配置され、前記冷却筒の内面の下部を覆う冷却補助筒と、
前記ルツボの直胴部の上方に配置されるルツボ上部断熱部材と、
前記ルツボの直胴部よりも外側に配置されるルツボ外側断熱部材と、
前記ルツボの直胴部よりも内側に配置され、前記冷却筒の外面を覆うルツボ内側断熱部材と、
前記原料融液の液面の上方で前記冷却筒の底部との間に配置される遮熱部材とを備え、
前記冷却筒は、主チャンバーの天井部から前記原料融液の液面に向かって延伸し、かつ前記冷却筒の下端は、前記原料融液の液面からの高さが200mm以下の位置にあることを特徴とする単結晶育成装置。 - 前記冷却筒の外径は、前記単結晶の外径よりも140mm以上大きいことを特徴とする請求項1に記載の単結晶育成装置。
- 前記冷却補助筒の下端は、前記冷却筒の下端と同じ位置、又はそれよりも低い位置にあることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の単結晶育成装置。
- 前記冷却筒の下端及び前記冷却補助筒の下端は、それぞれ前記原料融液の液面からの高さが140mm以下の位置にあることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の単結晶育成装置。
- 前記冷却筒の下端及び前記冷却補助筒の下端は、それぞれ前記原料融液の液面からの高さが50mm以上の位置にあることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の単結晶育成装置。
- 前記ルツボ上部断熱部材、前記ルツボ外側断熱部材、前記ルツボ内側断熱部材、及び前記遮熱部材の表面は、黒鉛材又は石英材により覆われていることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の単結晶育成装置。
- 前記冷却筒、前記冷却補助筒、前記ルツボ内側断熱部材、及び前記遮熱部材の少なくとも1つの部材と、前記ルツボ軸との間に接続され、これらの部材と前記原料融液との接触を検知する安全装置をさらに備えることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の単結晶育成装置。
- 前記冷却筒及び前記冷却補助筒は、前記単結晶を観察するための開口部を有することを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の単結晶育成装置。
- 前記冷却補助筒は、当該冷却補助筒を軸方向に貫く切れ目を有することを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の単結晶育成装置。
- 前記冷却補助筒の材質は、黒鉛材又は炭素複合材であることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の単結晶育成装置。
- 請求項1乃至10のいずれか1項に記載の単結晶育成装置を用いた単結晶育成方法であって、
前記ヒーターにより前記原料融液を適温に保ちつつ、前記冷却筒により前記原料融液から引き上げられる前記単結晶を冷却し、
前記単結晶の引き上げにより減少した前記原料融液の液面の下降分を補うように前記ルツボを上昇させ、
前記冷却筒の下端と前記原料融液の液面との距離が200mm以下となる状態を維持した状態で前記単結晶の育成を行うことを特徴とする単結晶育成方法。
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CN114540940A (zh) * | 2022-02-15 | 2022-05-27 | 浙江晶阳机电股份有限公司 | 一种单晶炉液面自动测量补偿一体系统及方法 |
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