JP3533812B2 - チョクラルスキー法による結晶製造装置、結晶製造方法、およびこの方法から製造される結晶 - Google Patents

チョクラルスキー法による結晶製造装置、結晶製造方法、およびこの方法から製造される結晶

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チョクラルスキー
法（ＣＺ法）によって、結晶を育成する際に用いる装置
およびこの装置を用いて結晶を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化、高精
度化がますます進み、半導体結晶基板への品質要求も厳
しくなる一方である。半導体結晶は主にＣＺ法で製造さ
れており、更なる高純度化、低欠陥化、均一化を図るべ
く努力が続けられている。最近では、原料の高純度化や
使用部材の高純度化、装置の高精度化のみならず、成長
中の結晶の熱履歴が結晶欠陥等に大きく影響することが
判明してきている。例えば、シリコンにおいてはＯＳＦ
(Oxidation Induced Stacking Faults) 、酸素析出、Ｂ
ＭＤ(Bulk Micro-Defect) 、ＦＰＤ(Flow Pattern Defe
ct) 、ＬＳＴＤ(Laser Scattering Tomography Defec
t)、そして酸化膜耐圧等が熱履歴に影響され、またＧａ
Ｐ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の化合物半導体では転位密度や
ドナーあるいはアクセプターとして働く欠陥レベルが熱
履歴に大きく影響されることが解明されている。従っ
て、結晶成長中の熱履歴を調整することで結晶中の欠陥
を制御すべく、種々の炉内構造を持つ結晶製造装置が提
案されている( 例えば、H.Yamagishi,I.Fusegawa, K.Ta
kano,E.Iino,N.Fujimaki,T.Ohta and M.Sakurada : Pro
ceedings of the 17th international symposium on Si
licon Materials Scienceand Technology,SEMICONDUCTO
R SILICON 1994,p124〜135 参照）。
【０００３】しかし、これらの装置あるいは方法は、部
分的な特定の位置における温度を上げるかあるいは下げ
る事のみしかできず、炉内の温度分布全体の調整はでき
ないし、特定の位置の制御も成長結晶全体の温度を上げ
るか下げるかだけで、自由度がなく、精度が不完全であ
る。さらには、特定の温度領域のみの制御をすることは
きわめて困難である。また、新たな課題のため温度分布
を変更する必要がある場合には、装置全体の設計変更が
必要となり、一からやり直しになるという不利益があ
る。
【０００４】そこで、本発明者らはＣＺ法において用い
られるルツボおよびヒーターを囲繞する断熱筒の構造
を、鉛直方向に分割し、断裂部を有するものとすれば、
結晶の熱履歴および炉内の温度分布の制御が可能であ
り、上述の問題を解決する事ができる事を見いだし、先
に提案した（特願平７−１４３５８６号）。
【０００５】しかし、その後の本発明者らの追試の結
果、上記先行発明では、おおよその領域で精度よく結晶
の熱履歴あるいは炉内の温度分布を制御できるのである
が、特定の温度領域を充分に徐冷化する、といった成長
結晶の熱履歴としたい場合に、その保温性が不充分であ
るために、制御できる範囲が意外と狭いことがわかっ
た。最近では、結晶成長中に導入される結晶欠陥が、特
定の温度領域を充分に徐冷化する事により、消滅する事
も報告されてきており（「シリコン単結晶中の微小欠陥
が酸化膜に及ぼす影響」、藤巻他、ＵＳＣ半導体基盤技
術研究会、ウルトラクリーンテクノロジー第７巻第３
号、ｐ２６〜参照）、このような特定温度領域のみを高
精度でかつ充分に徐冷化できる、ＣＺ法による結晶製造
装置が望まれている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題点に鑑みなされたもので、ＣＺ法によって育成される
結晶の成長中の熱履歴を容易に、かつ精度よく制御でき
る結晶製造装置およびその製造方法を提供すること、特
に特定の温度領域を充分に徐冷化することができる、結
晶製造装置およびその製造方法を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に記載した発明は、原料を収容するルツボ
と、原料を加熱溶融するヒーターと、これらを囲繞する
ように配置される断熱筒とを具備するチョクラルスキー
法による結晶製造装置であって、前記断熱筒のうちヒー
ター上端より上部に位置する部分の形状が、その下端部
では内径がヒーターの外径より大きく、上端部では内径
がヒーターの内径以下である、ことを特徴とする。この
ような断熱筒の上端部の形状とすれば、ヒーターからの
発熱が、鉛直上方に発散するのを有効に防止でき、特定
温度領域を充分に徐冷化することが可能となる。
【０００８】また、本発明に記載した発明は、原料を収
容するルツボと、原料を加熱溶融するヒーターと、これ
らを囲繞するように配置される断熱筒とを具備するチョ
クラルスキー法による結晶製造装置であって、前記断熱
筒のうちヒーター上端より上部に位置する部分の形状
が、その下端部では内径がヒーターの外径より大きく、
上端部では内径がヒーターの内径以下でかつ外径がヒー
ターの外径以上である、ことを特徴とする。このよう
に、上記の発明に対し断熱筒の上端での外径をヒーター
の外径以上と規定することによって、上端部での断熱筒
の肉厚が充分に確保されたものとなり、ヒーターからの
熱を鉛直上方に発散するのを有効に防止するとともに、
この部分での保温性を確保することができる。
【０００９】また、本発明に記載した発明は、前記に記
載したチョクラルスキー法による結晶製造装置におい
て、前記断熱筒のうちヒーター上端より上部に位置する
部分の内壁の形状が、鉛直上方に徐々に内径が減少する
テーパー形状である、ことを特徴とする。このように、
断熱筒の上端部での内壁形状をテーパー形状とすること
によって、ヒーターからの熱を鉛直上方に発散するのを
有効に防止するとともに、この部分の温度分布を変曲点
のないより均一化したものとすることができる。
【００１０】次に、本発明に記載した発明は、前記に記
載したチョクラルスキー法による結晶製造装置であっ
て、断熱筒の材質が炭素繊維成型材である、ことを特徴
とする。このように、本発明は特に断熱筒の形状に特徴
があるものであるが、その材質としては、一般にＣＺ法
において用いられる断熱筒の材質たる炭素繊維成型材を
そのまま用いることができ、加工も容易であるという有
利性がある。
【００１１】次に、本発明に記載した発明は、前記に記
載したチョクラルスキー法による結晶製造装置におい
て、前記断熱筒が鉛直方向に分割され、断裂部を有す
る、ことを特徴とする。このように、断裂部を設けるこ
とによって、特定位置で水平方向に熱を逃がす事がで
き、炉内の温度分布、結晶の熱履歴を制御することがで
きる。
【００１２】本発明に記載した発明は、上記に記載した
チョクラルスキー法による結晶製造装置において、前記
断熱筒の断裂部を複数設ける、ことを特徴とする。この
ように、断裂部を複数設けることによって、炉内の温度
分布、結晶の熱履歴をより自在に制御することができ
る。
【００１３】本発明に記載した発明は、前記に記載した
チョクラルスキー法による結晶製造装置を用いて、シリ
コンまたはゲルマニウム、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰの
結晶を製造する方法、チョクラルスキー法における結晶
製造装置内の温度分布を制御する方法、チョクラルスキ
ー法により製造される結晶の熱履歴を制御する方法であ
る。このように、前記の装置を用いれば、炉内の温度分
布を制御することができ、成長結晶の熱履歴を制御する
ことができる。従って、このような装置は、シリコンま
たはゲルマニウム、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰの結晶の
製造において、その熱履歴起因の結晶欠陥等の発生を抑
制、制御することができるので、その利用価値が高い。
【００１４】本発明に記載した発明は、前記に記載した
方法によって製造された、シリコンまたはゲルマニウ
ム、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ結晶である。 このよう
に、本発明の方法によって、精度よく成長中の熱履歴を
制御された、極めて高品質で、結晶欠陥等が制御された
結晶が得られる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれ
らに限定されるものではない。ここで、図１は、本発明
の実施形態を示した図で、（ａ）は断熱筒のうちヒータ
ー上端より上部に位置する部分（本発明の上部断熱筒）
のみの断面形状の一例を示した図であり、（ｂ）は本発
明にかかる結晶製造装置の断面概略図を示した図であ
り、（ｃ）は本発明にかかる結晶製造装置の他の実施形
態を示した断面概略図であり、（ｄ）は本発明にかかる
結晶製造装置の他の実施形態を示した断面概略図で、断
熱筒に断裂部を設けた場合である。また、図３は、従来
の結晶製造装置を示した断面概略図で、（ａ）は急冷
型、（ｂ）は徐冷型の場合である。
【００１６】本発明者らは、ＣＺ法によって製造される
結晶の熱履歴を変更、調整する装置および方法として、
原料を収容するルツボと原料を加熱溶融するヒーター等
を囲繞し保温する断熱筒の構造に着目してみた。従来の
ＣＺ法による結晶の製造に用いられる結晶製造装置の例
を図３に示したが、断熱筒５は原料を収容するルツボ３
と原料を加熱溶融するヒーター４を囲繞するように配置
された筒状のもので、材質は一般に炭素繊維成型材が用
いられる。
【００１７】従来、この断熱筒の構造の変更によって結
晶の熱履歴あるいは炉内の温度分布を変更するには、図
３（ｂ）に示したごとく、断熱筒を上部に伸長し上部断
熱筒６を設置し、結晶製造炉内の上部空間７を保温し、
結晶２を保温することで行なわれるか、逆に断熱筒５を
短くし、結晶２を急冷却するか等で行なわれていた。し
かし、この方法では結晶を保温するか冷却するかしかで
きず、特定の温度帯のみの制御はできないし、精度も良
くない。すなわち、例え、結晶成長中に導入される結晶
欠陥が、特定の温度領域を充分に徐冷化する事により、
消滅する事がわかっても、上述のような方法ではこれを
実行することが不可能である。
【００１８】また、単に断熱筒を上部に伸長したのでは
結晶が保温され冷却されにくくなるので、結晶成長速度
が低下し、生産性が著しく低下してしまう。一方、単に
断熱筒を短くしたのでは製造炉の保温性が悪化し、電力
を消費するだけでなく炉をいため、結晶の製造効率も悪
化する。そこで、従来は前記文献のように、断熱筒によ
るのではなく、他の炉内部品を用い、種々の炉内構造を
もつ結晶製造装置を設計し、結晶の熱履歴を調整しよう
としたのである。
【００１９】すなわち、従来、断熱筒はその構造変更に
よる結晶熱履歴の調整には、自由度が小さいため変更、
研究対象になっておらず、せいぜい上部に延長あるいは
短縮する程度であった。
【００２０】しかし、本発明者らはＣＺ法における炉内
の温度分布に決定的な影響を与えるのは、ヒーター４
（例えば、カーボンヒーター、高周波コイル等）あるい
はルツボ３（例えば、石英、黒鉛、ＰＢＮ）を囲繞し、
水冷チャンバー１を保護する断熱筒５であることから、
この断熱筒の構造に工夫をこらしたのである。
【００２１】たとえば、従来の炉内構造をもつ結晶製造
装置図３（ａ）に対し、ある温度領域を保温するという
結晶の熱履歴の変更をしようと思えば、従来は図３
（ｂ）のように断熱筒を上部に伸長し結晶を保温するこ
とになる。しかし、これではすべての温度領域が保温さ
れる傾向となるものの、目標とする特定の温度領域のみ
保温するという熱履歴とはならないばかりか、ヒーター
４からの発熱が鉛直上方に発散され、結晶欠陥を消滅さ
せる特定温度領域を充分に徐冷化することもできない。
また、単に断熱筒をそのまま上部に充分長く伸長する
と、結晶成長界面の温度勾配がゆるくなり、結晶成長速
度の低下をきたし、結晶の生産性を著しく悪化してしま
う。
【００２２】そこで、目標とする特定の温度領域のみを
充分に保温することによって、結晶の熱履歴を変更し、
結晶欠陥の低減をはかり、かつ結晶成長速度に影響する
結晶成長界面近傍の高温域は何ら影響を受けないように
できれば、結晶欠陥の少ない良質の結晶が、高速度、高
生産性で得られることになる。
【００２３】そこで、本発明者らは、この点に鑑みて各
種炉内構造を持つ結晶製造装置における結晶温度を数値
計算により推定した。その結果、結晶の融点以下の特定
の温度領域を充分に保温させるためには、鉛直上方への
熱の発散を防止する必要があることがわかった。そこ
で、本発明では、図１（ｂ）（ｃ）（ｄ）のように、断
熱筒５のうちヒーター４上端より上部に位置する部分の
形状が、その下端部では内径がヒーター４の外径より大
きく、上端部では内径がヒーター４の内径以下の寸法と
することによって、ヒーター４からの熱の鉛直上方への
発散を適度に防止し、結晶表面からの輻射熱の散逸を減
少させ、特定温度領域を充分に徐冷化することにした。
【００２４】この場合、断熱筒（上部断熱筒１０）の上
端での外径をヒーター４の外径以上とするのが好まし
い。これは、上端部での断熱筒の肉厚が充分に確保さ
れ、ヒーターからの熱を鉛直上方に発散するのを有効に
防止するとともに、この部分での保温性を確保するため
である。また、図１（ｂ）のように、断熱筒のうちヒー
ター上端より上部に位置する部分（上部断熱筒１０）の
内壁の形状が、鉛直上方に徐々に内径が減少するテーパ
ー形状とすれば、ヒーター４からの熱を鉛直上方に発散
するのを有効に防止することができるとともに、この部
分の温度分布を変曲点のない、より均一化したものとす
ることができる。
【００２５】さらに、図１（ｄ）のように、ヒーター４
を取り巻く断熱筒のうち、一部を切り欠き断裂部８を設
け、上下に断熱筒を分割することによって、結晶成長速
度に影響する高温領域は更に急冷化させ得ることが判明
した。すなわち、特定温度領域のみを充分に徐冷化する
ことが可能となり、結晶欠陥の減少を図ることができる
上、その他の温度領域は従来通り、特に結晶成長速度に
影響する融点近傍は徐冷化しないため、結晶成長速度の
高速度化が可能となり、生産性を落とすこともない。
【００２６】これは、断熱筒の上端部では内径がヒータ
ー４の内径以下の寸法となっているので、ヒーターから
の熱の鉛直上方への発散が防止され、結晶表面からの輻
射熱の散逸が減少するために、特定温度領域を充分に徐
冷化することができるとともに、断裂部８では熱が水平
方向に放散し、その近傍での結晶表面からの輻射熱が増
加するために生じるものである。
【００２７】従って、この断裂部の位置や幅、個数は重
要であり、調整する温度領域に応じて適宜選択すること
ができる。例えば、この断裂部は２ケ所あるいはそれ以
上の複数設けてもよい。このように断熱筒を鉛直方向に
分割し断裂部を設けることによって、ＣＺ法による結晶
の成長中の熱履歴を制御するには、断裂部をルツボ内の
原料の融液面より上部に設ける方が、結晶に対しより直
接的に作用するので効果的である。但し、断裂部の位置
はこれに限られるものではなく、結晶製造効率に影響す
る炉内温度分布を変更、制御するために、種々の位置、
数、幅で設けることができる。
【００２８】断熱筒の材質は従来から炭素繊維成型材が
用いられるが、本発明にあっても、これをそのまま用い
ることができるし、その他の断熱材で実施することも可
能である。また、従来この断熱筒は、一体物で単一の材
質、同一の厚さであったが、本発明において断熱筒を鉛
直方向に分割する場合は、相互に材質を変更あるいは相
互に厚さを変更することも可能で、よりきめ細やかな温
度分布、結晶熱履歴の制御が可能となる。
【００２９】また、本発明にかかる断熱筒を作製するに
は、前記一般の断熱筒の材質が炭素繊維成型材等の繊維
質であるため、容易に加工が可能であり簡単に作製がで
きる。例えば、図１（ａ）に示したような、本発明の断
熱筒上端部形状を持つ上部断熱筒を作製し、これを従来
の断熱筒に載置すれば本発明の断熱筒を作製、実施する
ことができる。尚、図１（ｄ）の断裂部８は、断熱筒を
切り欠いたままにしてもよいし、黒鉛等の熱の良導体で
置換してもよい。
【００３０】このような断熱筒の構造に特徴を有する本
発明の結晶製造装置を用いれば、炉内の温度分布を制御
することができ、成長結晶の熱履歴を制御することがで
きる。従って、このような装置は、一般にＣＺ法で製造
される種々の結晶の製造に応用できる。特に、結晶の熱
履歴がＯＳＦ、酸素析出、ＢＭＤ、ＦＰＤ、ＬＳＴＤ、
そして酸化膜耐圧等に大きく影響されるシリコン、ある
いは結晶の熱履歴によって転位密度やドナーあるいはア
クセプターとして働く欠陥レベルが大きく影響されるＧ
ａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の化合物半導体の製造におい
て有用である。従って、本発明の方法によって製造され
るシリコンまたはゲルマニウム、ＧａＰ、ＧａＡｓ、Ｉ
ｎＰ結晶は、精度よく成長中の熱履歴を制御された、極
めて高品質で、結晶欠陥等が高度に制御されたものとな
る。
【００３１】
【実施例】次に、本発明の実施例をあげる。ＣＺ法で直
径１８インチの石英ルツボに、原料多結晶シリコン５０
Ｋｇをチャージし、直径６インチ、方位＜１００＞のシ
リコン単結晶を引き上げ、従来の断熱筒を用いたもの
と、本発明の断熱筒を用いた結晶製造装置とで、結晶の
熱履歴を測定した。ヒーターはカーボンヒーター（抵抗
加熱）とした。結果を図２に、各温度帯の通過時間とし
て示した。
【００３２】（比較例）まず、比較例として図３（ｂ）
に示した、従来の徐冷型の炉内構造によるもので引き上
げた。断熱筒の材質は炭素繊維成型材製とし、厚さは７
ｃｍ鉛直方向で一体物とした。結果を図２に曲線Ａとし
て示した。
【００３３】（実施例１）次に、実施例１として図１
（ｂ）に示したごとき本発明の結晶製造装置によるもの
で引き上げた。断熱筒のうちヒーター上端より上部に位
置する部分の形状は、内壁をテーパー状とし、その下端
部での内径がヒーターの外径より６０ｍｍ大きく、上端
部では内径がヒーターの内径より２０ｍｍ小さい物とし
た。測定結果を図２に曲線Ｂとして示した。
【００３４】この結果、従来に比し各温度領域で徐冷化
が図られ、保温が充分になされていることがわかる。し
たがって、結晶欠陥を消滅させる温度域を充分に徐冷化
することができるので、得られる結晶の品質を向上させ
ることができる。
【００３５】（実施例２）さらに、実施例２として図１
（ｄ）に示したごとき断熱筒に断裂部を有する本発明の
結晶製造装置によるもので引き上げた。断熱筒のうち断
裂部を有する他は、実施例１と同様にした。断裂部は、
断熱筒のテーパー領域の下端部に幅３ｃｍ設けた。測定
結果を図２に曲線Ｃとして示した。
【００３６】この結果を見ればわかる通り、１０５０℃
〜１２００℃付近の温度領域では、従来に比し徐冷化が
充分に図られているが、１２００℃以上の温度領域で
は、従来に比し急冷化がなされている。そして、比較例
における結晶成長速度の平均値が０．９ｍｍ／ｍｉｎで
あるのに対し、実施例２では１．２ｍｍ／ｍｉｎという
高速で結晶を引き上げることができた。
【００３７】したがって、結晶欠陥を消滅させる特定の
温度域（この場合は、１０５０℃〜１２００℃）を充分
に徐冷化するとともに、逆に結晶の成長速度に影響する
高温度領域は急冷化することができた。
【００３８】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００３９】
【発明の効果】以上のように本発明にかかる結晶製造装
置によって、ＣＺ法により製造される結晶の熱履歴を簡
単にかつ精度よく変更、制御することができる。したが
って、例えば、結晶欠陥を消滅させる特定の温度領域を
充分に徐冷化することによって、結晶欠陥を消滅させ、
成長結晶の品質を良好な物とすることができるととも
に、逆に結晶の成長速度に影響する高温度領域は急冷化
することによって、結晶の成長速度を高速化し、結晶の
生産性をアップすることができる。よって、ＣＺ法によ
り製造される、シリコンまたはゲルマニウム、ＧａＰ、
ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の結晶で発生する熱履歴起因の結晶
欠陥を低減化あるいは制御、均一化をはかることがで
き、結晶の高品質化および歩留、生産性の著しい向上が
可能であり、産業界でのその利用価値はすこぶる高い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる結晶製造装置を示した断面概略
図である。 （ａ） 断熱筒のうちヒーター上端より上部に位置する
部分（本発明の上部断熱筒）のみの断面形状の一例を示
した図である。 （ｂ） 本発明にかかる結晶製造装置の断面概略図を示
した図である。 （ｃ） 本発明にかかる結晶製造装置の他の実施形態を
示した断面概略図である。 （ｄ） 本発明にかかる結晶製造装置の他の実施形態を
示した断面概略図で、断熱筒に断裂部を設けた場合であ
る。
【図２】実施例、比較例の熱履歴を測定した結果を示し
た図である。
【図３】従来の結晶製造装置を示した断面概略図であ
る。 （ａ） 急冷型、（ｂ） 徐冷型。
【符号の説明】
１…チャンバー、 ２…成長結晶、３
…ルツボ、 ４…ヒーター、５…
断熱筒、 ６…従来の上部断熱
筒、７…上部空間、 ８…断裂部、
１０…本発明の上部断熱筒。ｄ1 …ヒーター内径、
ｄ2 …ヒーター外径、Ｄ1 …本発明の上部断熱筒
上端部内径、Ｄ2 …本発明の上部断熱筒下端部内径。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−70283（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−190298（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−77195（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−51492（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−41384（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−257990（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−277887（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−2993（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−26879（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−166795（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00 ＥＵＲＯＰＡＴ（ＱＵＥＳＴＥＬ)

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 原料を収容するルツボと、原料を加熱溶
    融するヒーターと、これらを囲繞するように配置される
    断熱筒とを具備するチョクラルスキー法による結晶製造
    装置であって、前記断熱筒のうちヒーター上端より上部
    に位置する部分の形状が、その下端部では内径がヒータ
    ーの外径より大きく、上端部では内径がヒーターの内径
    以下であり、該断熱筒が鉛直方向に分割され、断裂部を
    有する、ことを特徴とするチョクラルスキー法による結
    晶製造装置。
  2. 【請求項２】 原料を収容するルツボと、原料を加熱溶
    融するヒーターと、これらを囲繞するように配置される
    断熱筒とを具備するチョクラルスキー法による結晶製造
    装置であって、前記断熱筒のうちヒーター上端より上部
    に位置する部分の形状が、その下端部では内径がヒータ
    ーの外径より大きく、上端部では内径がヒーターの内径
    以下でかつ外径がヒーターの外径以上であり、該断熱筒
    が鉛直方向に分割され、断裂部を有する、ことを特徴と
    するチョクラルスキー法による結晶製造装置。
  3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載したチョ
    クラルスキー法による結晶製造装置において、前記断熱
    筒のうちヒーター上端より上部に位置する部分の内壁の
    形状が、鉛直上方に徐々に内径が減少するテーパー形状
    である、ことを特徴とするチョクラルスキー法による結
    晶製造装置。
  4. 【請求項４】 断熱筒の材質が炭素繊維成型材である、
    ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項
    に記載したチョクラルスキー法による結晶製造装置。
  5. 【請求項５】 請求項１乃至請求項４のいずれか１項に
    記載したチョクラルスキー法による結晶製造装置におい
    て、前記断熱筒の断裂部を複数設ける、ことを特徴とす
    るチョクラルスキー法による結晶製造装置。
  6. 【請求項６】 請求項１乃至請求項５のいずれか１項に
    記載したチョクラルスキー法による結晶製造装置を用い
    て、シリコンまたはゲルマニウム、ＧａＰ、ＧａＡｓ、
    ＩｎＰの結晶を製造する方法。
  7. 【請求項７】 請求項１乃至請求項５のいずれか１項に
    記載したチョクラルスキー法による結晶製造装置を用い
    て、チョクラルスキー法における結晶製造装置内の温度
    分布を制御する方法。
  8. 【請求項８】 請求項１乃至請求項５のいずれか１項に
    記載したチョクラルスキー法による結晶製造装置を用い
    て、チョクラルスキー法により製造される結晶の熱履歴
    を制御する方法。
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