JPH11240790A - 単結晶製造装置 - Google Patents
単結晶製造装置Info
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- JPH11240790A JPH11240790A JP6198098A JP6198098A JPH11240790A JP H11240790 A JPH11240790 A JP H11240790A JP 6198098 A JP6198098 A JP 6198098A JP 6198098 A JP6198098 A JP 6198098A JP H11240790 A JPH11240790 A JP H11240790A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＺ法による単結晶の製造において、固液界
面近傍における単結晶の温度勾配を大きくして従来より
も高速の引き上げを可能とし、ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥密
度は従来と同程度に抑えられる単結晶製造装置を提供す
る。 【解決手段】 単結晶製造装置に設ける熱遮蔽板（１）
は、単結晶（２）に平行な円筒部（１ａ）と、この円筒
部の下方に接続され、融液面（３ａ）に近づくに従って
縮径されたテーパ部（１ｂ）とを内面側に備え、外面側
は融液面（３ａ）に向かって垂下する円筒部（１ｃ）を
備え、前記内面側と外面側とに挟まれた内部空間に断熱
材（４）を充填する。前記熱遮蔽板（１）の内面側は、
単結晶（２）の軸方向温度がｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥形成
温度領域となる部分を円筒部（１ａ）とする。
面近傍における単結晶の温度勾配を大きくして従来より
も高速の引き上げを可能とし、ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥密
度は従来と同程度に抑えられる単結晶製造装置を提供す
る。 【解決手段】 単結晶製造装置に設ける熱遮蔽板（１）
は、単結晶（２）に平行な円筒部（１ａ）と、この円筒
部の下方に接続され、融液面（３ａ）に近づくに従って
縮径されたテーパ部（１ｂ）とを内面側に備え、外面側
は融液面（３ａ）に向かって垂下する円筒部（１ｃ）を
備え、前記内面側と外面側とに挟まれた内部空間に断熱
材（４）を充填する。前記熱遮蔽板（１）の内面側は、
単結晶（２）の軸方向温度がｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥形成
温度領域となる部分を円筒部（１ａ）とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＺ法による単結
晶製造装置に関する。
晶製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】単結晶シリコンは一般にＣＺ法を用いて
製造されている。ＣＺ法による単結晶製造装置では、図
６に示すようにチャンバ３１の中心にるつぼ５が昇降な
らびに回転自在に設置されている。るつぼ５は、黒鉛る
つぼ５ａの中に石英るつぼ５ｂを収容したもので、石英
るつぼ５ｂに塊状の多結晶シリコンを装填し、前記るつ
ぼ５を取り囲むように設けられた円筒状のヒータ６によ
って原料を加熱溶解して融液３とする。そして、シード
ホルダ３２に取り付けた種結晶を融液３に浸漬し、シー
ドホルダ３２およびるつぼ５を互いに同方向または逆方
向に回転させながらシードホルダ３２を引き上げて単結
晶２を所定の直径および長さに成長させる。
製造されている。ＣＺ法による単結晶製造装置では、図
６に示すようにチャンバ３１の中心にるつぼ５が昇降な
らびに回転自在に設置されている。るつぼ５は、黒鉛る
つぼ５ａの中に石英るつぼ５ｂを収容したもので、石英
るつぼ５ｂに塊状の多結晶シリコンを装填し、前記るつ
ぼ５を取り囲むように設けられた円筒状のヒータ６によ
って原料を加熱溶解して融液３とする。そして、シード
ホルダ３２に取り付けた種結晶を融液３に浸漬し、シー
ドホルダ３２およびるつぼ５を互いに同方向または逆方
向に回転させながらシードホルダ３２を引き上げて単結
晶２を所定の直径および長さに成長させる。
【０００３】ヒータ６を取り囲む保温筒７の上端には環
状リム８ガ取着され、環状リム８の内縁部に熱遮蔽板３
３が掛止されている。熱遮蔽板３３は引き上げ中の単結
晶２を取り囲む逆円錐台形状の筒で、炭素繊維等からな
る断熱材３４を内蔵している。また、前記環状リム８の
外縁部には断熱材９が貼着されている。熱遮蔽板３３
は、単結晶２に対する融液３やるつぼ５、ヒータ６から
の直接的な輻射熱を遮断する機能を有し、特に固液界面
近傍における単結晶２の半径方向ならびに軸方向の温度
勾配を大きくして単結晶２の冷却を促進することによ
り、引き上げ速度の向上を図っている。また、熱遮蔽板
３３は、チャンバ３１の上方から導入される不活性ガス
を単結晶２の周囲に誘導し、融液３から蒸発するＳi
Ｏ、ＳiＯ2 、Ｓi やるつぼ５から発生する金属蒸気
等、単結晶化を阻害する各種ガスを効果的に排出して無
転位結晶化率を向上させる機能を備えている。
状リム８ガ取着され、環状リム８の内縁部に熱遮蔽板３
３が掛止されている。熱遮蔽板３３は引き上げ中の単結
晶２を取り囲む逆円錐台形状の筒で、炭素繊維等からな
る断熱材３４を内蔵している。また、前記環状リム８の
外縁部には断熱材９が貼着されている。熱遮蔽板３３
は、単結晶２に対する融液３やるつぼ５、ヒータ６から
の直接的な輻射熱を遮断する機能を有し、特に固液界面
近傍における単結晶２の半径方向ならびに軸方向の温度
勾配を大きくして単結晶２の冷却を促進することによ
り、引き上げ速度の向上を図っている。また、熱遮蔽板
３３は、チャンバ３１の上方から導入される不活性ガス
を単結晶２の周囲に誘導し、融液３から蒸発するＳi
Ｏ、ＳiＯ2 、Ｓi やるつぼ５から発生する金属蒸気
等、単結晶化を阻害する各種ガスを効果的に排出して無
転位結晶化率を向上させる機能を備えている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６に
示した従来の熱遮蔽板では、融液３から放射される輻射
熱や、高温下にある熱遮蔽板３３の本体表面から放射さ
れる輻射熱によって単結晶２の冷却効果が低下するた
め、引き上げ速度が制約されてしまう。その対策とし
て、従来にあっては図７に示すように、引き上げ中の単
結晶２と対向する内面側を上端側から下端側に近づくに
つれて縮径された逆円錐台形状に形成し、外面側を円筒
状に形成した熱遮蔽板４１が提案されている。この熱遮
蔽板４１は下端側に近づくにつれて厚さを増し、内部空
間には断熱性に優れたフェルトが断熱材４２として充填
されているので、ヒータ、るつぼ及び融液等からの輻射
熱を効果的に遮断し、単結晶２にその引き上げ方向に適
当な温度勾配を与え、単結晶２の引き上げ速度を高め、
製造効率の向上を図ることができる。
示した従来の熱遮蔽板では、融液３から放射される輻射
熱や、高温下にある熱遮蔽板３３の本体表面から放射さ
れる輻射熱によって単結晶２の冷却効果が低下するた
め、引き上げ速度が制約されてしまう。その対策とし
て、従来にあっては図７に示すように、引き上げ中の単
結晶２と対向する内面側を上端側から下端側に近づくに
つれて縮径された逆円錐台形状に形成し、外面側を円筒
状に形成した熱遮蔽板４１が提案されている。この熱遮
蔽板４１は下端側に近づくにつれて厚さを増し、内部空
間には断熱性に優れたフェルトが断熱材４２として充填
されているので、ヒータ、るつぼ及び融液等からの輻射
熱を効果的に遮断し、単結晶２にその引き上げ方向に適
当な温度勾配を与え、単結晶２の引き上げ速度を高め、
製造効率の向上を図ることができる。
【０００５】しかしながら、図７に示した熱遮蔽板４１
は単結晶の全温度領域に対して冷却効果として作用する
ため、引き上げ速度は大きくなるがｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠
陥形成温度領域（１１５０〜１０００℃）付近の温度勾
配も大きくなってしまう。そのため、図６に示した製造
装置で引き上げた単結晶よりもｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥密
度が増加し、その結果、酸化膜耐圧特性の劣化を招き、
デバイスプロセス後の歩留り低下を引き起こす。
は単結晶の全温度領域に対して冷却効果として作用する
ため、引き上げ速度は大きくなるがｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠
陥形成温度領域（１１５０〜１０００℃）付近の温度勾
配も大きくなってしまう。そのため、図６に示した製造
装置で引き上げた単結晶よりもｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥密
度が増加し、その結果、酸化膜耐圧特性の劣化を招き、
デバイスプロセス後の歩留り低下を引き起こす。
【０００６】本発明は上記従来の問題点に着目してなさ
れたもので、固液界面近傍における単結晶の温度勾配を
大きくして従来よりも高速で単結晶を引き上げることが
できるようにするとともに、ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥密度
は従来と同程度に抑えられるような単結晶製造装置を提
供することを目的としている。
れたもので、固液界面近傍における単結晶の温度勾配を
大きくして従来よりも高速で単結晶を引き上げることが
できるようにするとともに、ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥密度
は従来と同程度に抑えられるような単結晶製造装置を提
供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る単結晶製造装置の第１は、引き上げ中
の単結晶を取り巻く熱遮蔽板であって、前記単結晶と対
向する内面側は、単結晶に平行な少なくとも１箇所以上
の円筒部と、この円筒部の下方に接続され、融液面に近
づくに従って縮径されたテーパ部とを備え、外面側は、
環状リムの内縁から融液面に向かって垂下する円筒部を
備え、前記内面側と外面側とに挟まれた内部空間に断熱
材を充填した熱遮蔽板を設けたことを特徴とする。単結
晶の高速引き上げを行う場合に最も重要な要素は、固液
界面近傍における単結晶の軸方向温度勾配であり、前記
温度勾配はヒータ、るつぼ及び融液等からの輻射熱の影
響が大きいことがわかっている。軸方向温度勾配と引き
上げ速度とは正相関の関係にあり、軸方向温度勾配を大
きくすることにより引き上げ速度を上げることができ
る。上記構成によれば、熱遮蔽板の下端の厚さを最も厚
くしたので、輻射熱の断熱性が向上して引き上げ中の単
結晶が急冷され、固液界面近傍の結晶温度勾配が大きく
なって単結晶の形状が安定しやすくなる。これにより、
引き上げ速度を図７に示した従来例と同等に保つことが
できる。一方、熱遮蔽板の上部は内面側、外面側ともに
円筒状で厚さが薄いため、単結晶の温度勾配は小さくな
る。
め、本発明に係る単結晶製造装置の第１は、引き上げ中
の単結晶を取り巻く熱遮蔽板であって、前記単結晶と対
向する内面側は、単結晶に平行な少なくとも１箇所以上
の円筒部と、この円筒部の下方に接続され、融液面に近
づくに従って縮径されたテーパ部とを備え、外面側は、
環状リムの内縁から融液面に向かって垂下する円筒部を
備え、前記内面側と外面側とに挟まれた内部空間に断熱
材を充填した熱遮蔽板を設けたことを特徴とする。単結
晶の高速引き上げを行う場合に最も重要な要素は、固液
界面近傍における単結晶の軸方向温度勾配であり、前記
温度勾配はヒータ、るつぼ及び融液等からの輻射熱の影
響が大きいことがわかっている。軸方向温度勾配と引き
上げ速度とは正相関の関係にあり、軸方向温度勾配を大
きくすることにより引き上げ速度を上げることができ
る。上記構成によれば、熱遮蔽板の下端の厚さを最も厚
くしたので、輻射熱の断熱性が向上して引き上げ中の単
結晶が急冷され、固液界面近傍の結晶温度勾配が大きく
なって単結晶の形状が安定しやすくなる。これにより、
引き上げ速度を図７に示した従来例と同等に保つことが
できる。一方、熱遮蔽板の上部は内面側、外面側ともに
円筒状で厚さが薄いため、単結晶の温度勾配は小さくな
る。
【０００８】本発明に係る単結晶製造装置の第２は、上
記第１発明の単結晶製造装置に設けた熱遮蔽板の内面側
において、単結晶の軸方向温度がｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥
形成温度領域となる１１５０〜１０００℃付近の部分を
円筒部としたことを特徴とする。上記構成によれば、引
き上げ中の単結晶がｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥形成温度領域
となる部分に対して熱遮蔽板の内面側及び外面側がとも
に円筒状で、熱遮蔽板の厚さが下部に比べて著しく薄い
ため、ホットゾーンからの輻射熱が遮断されにくい。こ
の輻射熱は熱遮蔽板を介して単結晶に放射される。従っ
て、ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥形成温度領域は、前記厚さの
薄い円筒部分に囲まれて単結晶からの放熱が抑制され、
欠陥密度を低減させる。
記第１発明の単結晶製造装置に設けた熱遮蔽板の内面側
において、単結晶の軸方向温度がｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥
形成温度領域となる１１５０〜１０００℃付近の部分を
円筒部としたことを特徴とする。上記構成によれば、引
き上げ中の単結晶がｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥形成温度領域
となる部分に対して熱遮蔽板の内面側及び外面側がとも
に円筒状で、熱遮蔽板の厚さが下部に比べて著しく薄い
ため、ホットゾーンからの輻射熱が遮断されにくい。こ
の輻射熱は熱遮蔽板を介して単結晶に放射される。従っ
て、ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥形成温度領域は、前記厚さの
薄い円筒部分に囲まれて単結晶からの放熱が抑制され、
欠陥密度を低減させる。
【０００９】本発明に係る単結晶製造装置の第３は、上
記第１発明の単結晶製造装置に設けたヒータの上端位置
を、融液面の上方２００ｍｍから融液面の下方５０ｍｍ
までの間に設定したことを特徴とする。ヒータの上端位
置が融液面より２００ｍｍ以上高くなると、ヒータの輻
射熱の影響を受けて単結晶の軸方向温度勾配が小さくな
り過ぎてしまい、引き上げ速度を上げることができな
い。これとは逆にヒータの上端位置が融液面より５０ｍ
ｍ以上低くなると、横方向の温度勾配が小さくなり過ぎ
て石英るつぼから結晶が張り出すという不具合が発生す
る。上記構成によれば、ヒータの上端位置が前記数値の
間に収まるように設定したので、これらの不具合発生を
回避して結晶引き上げ速度を上げることができる。
記第１発明の単結晶製造装置に設けたヒータの上端位置
を、融液面の上方２００ｍｍから融液面の下方５０ｍｍ
までの間に設定したことを特徴とする。ヒータの上端位
置が融液面より２００ｍｍ以上高くなると、ヒータの輻
射熱の影響を受けて単結晶の軸方向温度勾配が小さくな
り過ぎてしまい、引き上げ速度を上げることができな
い。これとは逆にヒータの上端位置が融液面より５０ｍ
ｍ以上低くなると、横方向の温度勾配が小さくなり過ぎ
て石英るつぼから結晶が張り出すという不具合が発生す
る。上記構成によれば、ヒータの上端位置が前記数値の
間に収まるように設定したので、これらの不具合発生を
回避して結晶引き上げ速度を上げることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態および実施例】次に、本発明に係る
単結晶製造装置の実施例について図面を参照して説明す
る。なお、前記従来技術で説明した構成要素と同一の構
成要素については、同一の符号を付してその説明を省略
する。
単結晶製造装置の実施例について図面を参照して説明す
る。なお、前記従来技術で説明した構成要素と同一の構
成要素については、同一の符号を付してその説明を省略
する。
【００１１】図１に第１実施例の単結晶製造装置の下部
構造を示す。熱遮蔽板１の内面側は、引き上げ中の単結
晶２に平行な円筒部１ａと、この円筒部１ａの下端に段
差を介して接続され、融液面３ａに近づくに従って縮径
されるテーパ部１ｂとを備えている。前記内面側は、引
き上げ中の単結晶２がｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥形成温度す
なわち１１５０〜１０００℃付近となる領域に対して円
筒部１ａが対向するように設定されている。一方、熱遮
蔽板１の外面側は、引き上げ中の単結晶２に平行な円筒
部１ｃのみからなり、前記内面、外面及び底面によって
囲まれた空間には炭素繊維等からなる断熱材４が充填さ
れている。この熱遮蔽板１の上端は、るつぼ５、ヒータ
６、保温筒７の上方に設けられた環状リム８の内縁部に
掛止されている。熱遮蔽板１の下端と融液面３ａとの間
隔を小さくすると、単結晶２への融液３からの輻射熱を
低減させることができ、単結晶２の軸方向温度勾配が大
きくなるが、単結晶化率に影響すると考えられている不
活性ガスの流れを乱さないようするため、前記間隔を少
なくとも１０〜３０ｍｍ程度とすることが望ましい。
構造を示す。熱遮蔽板１の内面側は、引き上げ中の単結
晶２に平行な円筒部１ａと、この円筒部１ａの下端に段
差を介して接続され、融液面３ａに近づくに従って縮径
されるテーパ部１ｂとを備えている。前記内面側は、引
き上げ中の単結晶２がｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥形成温度す
なわち１１５０〜１０００℃付近となる領域に対して円
筒部１ａが対向するように設定されている。一方、熱遮
蔽板１の外面側は、引き上げ中の単結晶２に平行な円筒
部１ｃのみからなり、前記内面、外面及び底面によって
囲まれた空間には炭素繊維等からなる断熱材４が充填さ
れている。この熱遮蔽板１の上端は、るつぼ５、ヒータ
６、保温筒７の上方に設けられた環状リム８の内縁部に
掛止されている。熱遮蔽板１の下端と融液面３ａとの間
隔を小さくすると、単結晶２への融液３からの輻射熱を
低減させることができ、単結晶２の軸方向温度勾配が大
きくなるが、単結晶化率に影響すると考えられている不
活性ガスの流れを乱さないようするため、前記間隔を少
なくとも１０〜３０ｍｍ程度とすることが望ましい。
【００１２】ヒータ６の上端は、融液面３ａの上方２０
０ｍｍから融液面３ａの下方５０ｍｍまでの間に位置す
るように設定されている。ヒータ６の上端位置に対して
融液面３ａが低くなると単結晶２の軸方向温度勾配は徐
々に小さくなり、これとは逆に融液面３ａが高くなると
単結晶２の軸方向温度勾配は次第に大きくなる。そし
て、ヒータ６の上端が融液面３ａより２００ｍｍ以上高
い位置にある場合、ヒータ６から放射される輻射熱によ
り単結晶２の軸方向温度勾配が小さくなり過ぎてしま
い、高速引き上げが困難となる。また、ヒータ６の上端
が融液面３ａより５０ｍｍ以上低くなると、横方向の温
度勾配が小さくなり過ぎて石英るつぼから結晶が張り出
すという不具合が発生する。従って、前記数値の範囲内
にヒータ６の上端位置を設定することが望ましい。
０ｍｍから融液面３ａの下方５０ｍｍまでの間に位置す
るように設定されている。ヒータ６の上端位置に対して
融液面３ａが低くなると単結晶２の軸方向温度勾配は徐
々に小さくなり、これとは逆に融液面３ａが高くなると
単結晶２の軸方向温度勾配は次第に大きくなる。そし
て、ヒータ６の上端が融液面３ａより２００ｍｍ以上高
い位置にある場合、ヒータ６から放射される輻射熱によ
り単結晶２の軸方向温度勾配が小さくなり過ぎてしま
い、高速引き上げが困難となる。また、ヒータ６の上端
が融液面３ａより５０ｍｍ以上低くなると、横方向の温
度勾配が小さくなり過ぎて石英るつぼから結晶が張り出
すという不具合が発生する。従って、前記数値の範囲内
にヒータ６の上端位置を設定することが望ましい。
【００１３】上記第１実施例の単結晶製造装置に設置し
た熱遮蔽板１では、固液界面近傍（融点〜１３００℃）
の温度勾配Ｇ1 を、図７に示した第２従来例の単結晶製
造装置と同じ程度まで大きくすることができるため、結
晶引き上げ速度も従来と同程度まで上げることが可能で
ある。また、結晶欠陥形成温度領域（１１５０〜１０８
０℃付近）では単結晶の放熱が抑制されるため、前記温
度領域の温度勾配Ｇ2は第２従来例の単結晶製造装置使
用時より小さくなり、結晶欠陥密度が低減される。
た熱遮蔽板１では、固液界面近傍（融点〜１３００℃）
の温度勾配Ｇ1 を、図７に示した第２従来例の単結晶製
造装置と同じ程度まで大きくすることができるため、結
晶引き上げ速度も従来と同程度まで上げることが可能で
ある。また、結晶欠陥形成温度領域（１１５０〜１０８
０℃付近）では単結晶の放熱が抑制されるため、前記温
度領域の温度勾配Ｇ2は第２従来例の単結晶製造装置使
用時より小さくなり、結晶欠陥密度が低減される。
【００１４】上記第１実施例の単結晶製造装置を用いて
単結晶を引き上げたときの単結晶の温度勾配と、図６、
図７に示した従来の単結晶製造装置使用時の温度勾配と
の比較結果を図２に示す。図６に示した第１従来例では
熱遮蔽板による熱遮蔽効果が一様に低いため、単結晶の
軸方向温度勾配は全体的に小さい。特に固液界面近傍の
温度勾配Ｇ1 が小さいため、高速引き上げが困難である
ことがわかる。しかし、結晶欠陥形成温度領域の温度勾
配Ｇ2 が小さいので、結晶欠陥密度は低く抑えられる。
また、図７に示した第２従来例では熱遮蔽板の下部に近
づく程熱遮蔽効果が高くなるため、特に温度勾配Ｇ1 が
大きく、それに対応して温度勾配Ｇ2 も大きくなって高
密度の結晶欠陥が発生する。これに対し図１に示した第
１実施例の単結晶製造装置を用いると、固液界面近傍の
温度勾配Ｇ1 を図７に示した熱遮蔽板使用時と同じ程度
まで大きくすることができるため、結晶引き上げ速度も
図７の第２従来例と同程度まで上げることが可能であ
る。また、温度勾配Ｇ2 は図６の第１従来例よりも小さ
くなり、結晶欠陥形成温度領域が急冷されない。以上を
総合すると、本発明の単結晶製造装置に設置されている
熱遮蔽板を用いると、温度勾配Ｇ1 を第２従来例なみに
大きくし、温度勾配Ｇ2 を第１従来例よりも小さくする
ことが可能となる。
単結晶を引き上げたときの単結晶の温度勾配と、図６、
図７に示した従来の単結晶製造装置使用時の温度勾配と
の比較結果を図２に示す。図６に示した第１従来例では
熱遮蔽板による熱遮蔽効果が一様に低いため、単結晶の
軸方向温度勾配は全体的に小さい。特に固液界面近傍の
温度勾配Ｇ1 が小さいため、高速引き上げが困難である
ことがわかる。しかし、結晶欠陥形成温度領域の温度勾
配Ｇ2 が小さいので、結晶欠陥密度は低く抑えられる。
また、図７に示した第２従来例では熱遮蔽板の下部に近
づく程熱遮蔽効果が高くなるため、特に温度勾配Ｇ1 が
大きく、それに対応して温度勾配Ｇ2 も大きくなって高
密度の結晶欠陥が発生する。これに対し図１に示した第
１実施例の単結晶製造装置を用いると、固液界面近傍の
温度勾配Ｇ1 を図７に示した熱遮蔽板使用時と同じ程度
まで大きくすることができるため、結晶引き上げ速度も
図７の第２従来例と同程度まで上げることが可能であ
る。また、温度勾配Ｇ2 は図６の第１従来例よりも小さ
くなり、結晶欠陥形成温度領域が急冷されない。以上を
総合すると、本発明の単結晶製造装置に設置されている
熱遮蔽板を用いると、温度勾配Ｇ1 を第２従来例なみに
大きくし、温度勾配Ｇ2 を第１従来例よりも小さくする
ことが可能となる。
【００１５】上記第１実施例の単結晶製造装置を用いて
製造した単結晶の欠陥密度と、図６、図７に示した従来
の単結晶製造装置を用いて製造した単結晶の欠陥密度と
の比較結果を図３に示す。ただし、図３において第１実
施例（図１）及び第２従来例（図７）は、単結晶の平均
引き上げ速度を第１従来例（図６）よりも約２０％増加
したときのデータである。この図で明らかなように、図
７の第２従来例では結晶欠陥形成温度領域が急冷される
ため、ＬＳＴＤ密度が３×１０6 ／ｃｍ3 を超える値に
なっているが、第１実施例の単結晶製造装置を用いる
と、２×１０6 ／ｃｍ3 未満に低減させることができ
る。また、第１実施例の単結晶製造装置を用いて平均引
き上げ速度を第１従来例と同等に維持した場合は、ＬＳ
ＴＤ密度が更に低下する。
製造した単結晶の欠陥密度と、図６、図７に示した従来
の単結晶製造装置を用いて製造した単結晶の欠陥密度と
の比較結果を図３に示す。ただし、図３において第１実
施例（図１）及び第２従来例（図７）は、単結晶の平均
引き上げ速度を第１従来例（図６）よりも約２０％増加
したときのデータである。この図で明らかなように、図
７の第２従来例では結晶欠陥形成温度領域が急冷される
ため、ＬＳＴＤ密度が３×１０6 ／ｃｍ3 を超える値に
なっているが、第１実施例の単結晶製造装置を用いる
と、２×１０6 ／ｃｍ3 未満に低減させることができ
る。また、第１実施例の単結晶製造装置を用いて平均引
き上げ速度を第１従来例と同等に維持した場合は、ＬＳ
ＴＤ密度が更に低下する。
【００１６】図４に第２実施例の単結晶製造装置に設置
する熱遮蔽板を示す。この熱遮蔽板１１は図１に示した
熱遮蔽板１と同一形状であるが、上部を構成する円筒部
１１ａが内面側、外面側に共通の１層となっている。す
なわち、内面側は、引き上げ中の単結晶２に平行な円筒
部１１ａと、この円筒部１１ａの下端に段差を介して接
続され、融液面３ａに近づくに従って縮径されるテーパ
部１１ｂとを備え、外面側は前記円筒部１１ａのみから
なる。断熱材１２は、前記テーパ部１１ｂと外面側の円
筒部１１ａとに挟まれた部分に充填されている。
する熱遮蔽板を示す。この熱遮蔽板１１は図１に示した
熱遮蔽板１と同一形状であるが、上部を構成する円筒部
１１ａが内面側、外面側に共通の１層となっている。す
なわち、内面側は、引き上げ中の単結晶２に平行な円筒
部１１ａと、この円筒部１１ａの下端に段差を介して接
続され、融液面３ａに近づくに従って縮径されるテーパ
部１１ｂとを備え、外面側は前記円筒部１１ａのみから
なる。断熱材１２は、前記テーパ部１１ｂと外面側の円
筒部１１ａとに挟まれた部分に充填されている。
【００１７】上記熱遮蔽板１１を用いると、固液界面付
近の温度勾配Ｇ1 が第１実施例の熱遮蔽板１とほぼ同一
になるため、結晶引き上げ速度も同じ程度まで上げるこ
とが可能である。また、結晶欠陥形成温度領域では熱遮
蔽板１１が１層となっているため、断熱性能が小さく、
ヒータから単結晶２に放射される熱量が大きくなる。従
って、第１実施例の熱遮蔽板よりも温度勾配Ｇ2 が更に
小さくなり、結晶欠陥密度が更に低減される。
近の温度勾配Ｇ1 が第１実施例の熱遮蔽板１とほぼ同一
になるため、結晶引き上げ速度も同じ程度まで上げるこ
とが可能である。また、結晶欠陥形成温度領域では熱遮
蔽板１１が１層となっているため、断熱性能が小さく、
ヒータから単結晶２に放射される熱量が大きくなる。従
って、第１実施例の熱遮蔽板よりも温度勾配Ｇ2 が更に
小さくなり、結晶欠陥密度が更に低減される。
【００１８】図５に第３実施例の単結晶製造装置に設置
する熱遮蔽板を示す。この熱遮蔽板２１の内面側は、引
き上げ中の単結晶２に平行な円筒部２１ａと、円筒部２
１ａの下端に接続され、融液面３ａに近づくに従って縮
径されるテーパ部２１ｂとを備えている。前記内面側
は、引き上げ中の単結晶２がｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥形成
温度すなわち１１５０〜１０００℃付近となる領域に対
して円筒部２１ａが対向するように設定されている。一
方、熱遮蔽板２１の外面側は、引き上げ中の単結晶２に
平行な円筒部２１ｃと、その下端に接続され、融液面３
ａに近づくに従って拡径されるテーパ部２１ｄと、これ
に続く円筒部２１ｅとを備えている。熱遮蔽板２１の底
面幅は図１に示した熱遮蔽板１、図４に示した熱遮蔽板
１１と同一であり、内面側の円筒部２１ａとテーパ部２
１ｂとの接続部に段差を設けていないため、前記円筒部
２１ａは図１、図４に示した熱遮蔽板よりも単結晶２に
近接した位置に設置されている。また、熱遮蔽板２１の
内部空間には炭素繊維等からなる断熱材２２が充填され
ている。
する熱遮蔽板を示す。この熱遮蔽板２１の内面側は、引
き上げ中の単結晶２に平行な円筒部２１ａと、円筒部２
１ａの下端に接続され、融液面３ａに近づくに従って縮
径されるテーパ部２１ｂとを備えている。前記内面側
は、引き上げ中の単結晶２がｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥形成
温度すなわち１１５０〜１０００℃付近となる領域に対
して円筒部２１ａが対向するように設定されている。一
方、熱遮蔽板２１の外面側は、引き上げ中の単結晶２に
平行な円筒部２１ｃと、その下端に接続され、融液面３
ａに近づくに従って拡径されるテーパ部２１ｄと、これ
に続く円筒部２１ｅとを備えている。熱遮蔽板２１の底
面幅は図１に示した熱遮蔽板１、図４に示した熱遮蔽板
１１と同一であり、内面側の円筒部２１ａとテーパ部２
１ｂとの接続部に段差を設けていないため、前記円筒部
２１ａは図１、図４に示した熱遮蔽板よりも単結晶２に
近接した位置に設置されている。また、熱遮蔽板２１の
内部空間には炭素繊維等からなる断熱材２２が充填され
ている。
【００１９】熱遮蔽板２１を用いると、固液界面近傍の
温度勾配Ｇ1 は第１実施例とほぼ同一になり、結晶引き
上げ速度も同じ程度まで上げることができる。また、結
晶欠陥形成温度領域では単結晶２と熱遮蔽板２１との間
隔が狭くなることにより、単結晶２からの熱放射が抑制
され、第１実施例よりも温度勾配Ｇ2 が更に小さくな
り、結晶欠陥密度が更に低減される。また、第２実施例
と同様に結晶欠陥形成温度領域にあたる部分の熱遮蔽板
を１層構造とすれば温度勾配Ｇ2 が更に小さくなるた
め、第２実施例よりも欠陥密度が低減される。
温度勾配Ｇ1 は第１実施例とほぼ同一になり、結晶引き
上げ速度も同じ程度まで上げることができる。また、結
晶欠陥形成温度領域では単結晶２と熱遮蔽板２１との間
隔が狭くなることにより、単結晶２からの熱放射が抑制
され、第１実施例よりも温度勾配Ｇ2 が更に小さくな
り、結晶欠陥密度が更に低減される。また、第２実施例
と同様に結晶欠陥形成温度領域にあたる部分の熱遮蔽板
を１層構造とすれば温度勾配Ｇ2 が更に小さくなるた
め、第２実施例よりも欠陥密度が低減される。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、次
の効果が得られる。 （１）固液界面近傍ではヒータ、るつぼ及び融液等から
の輻射熱を効果的に遮断し、単結晶の軸方向温度勾配を
大きくすることができるので、引き上げ速度を従来技術
（第２従来例）と同等以上のレベルに維持することが可
能で、単結晶の生産性向上に寄与する。 （２）その反面、結晶欠陥形成温度領域ではヒータ、る
つぼ及び融液等からの輻射熱を従来技術（第１従来例）
と同等以上に受けるとともに、単結晶からの放熱を抑制
するようにしたので、高速引き上げを行ってもｇｒｏｗ
ｎ−ｉｎ欠陥密度は従来技術（第１従来例）と同程度に
低減され、結晶品質を維持することができる。
の効果が得られる。 （１）固液界面近傍ではヒータ、るつぼ及び融液等から
の輻射熱を効果的に遮断し、単結晶の軸方向温度勾配を
大きくすることができるので、引き上げ速度を従来技術
（第２従来例）と同等以上のレベルに維持することが可
能で、単結晶の生産性向上に寄与する。 （２）その反面、結晶欠陥形成温度領域ではヒータ、る
つぼ及び融液等からの輻射熱を従来技術（第１従来例）
と同等以上に受けるとともに、単結晶からの放熱を抑制
するようにしたので、高速引き上げを行ってもｇｒｏｗ
ｎ−ｉｎ欠陥密度は従来技術（第１従来例）と同程度に
低減され、結晶品質を維持することができる。
【図１】第１実施例の単結晶製造装置の下部構造を示す
模式的縦断面図である。
模式的縦断面図である。
【図２】単結晶の温度勾配を示す図である。
【図３】単結晶の欠陥密度の軸方向分布を示す図であ
る。
る。
【図４】第２実施例の単結晶製造装置の熱遮蔽板を示す
模式的縦断面図である。
模式的縦断面図である。
【図５】第３実施例の単結晶製造装置の熱遮蔽板を示す
模式的縦断面図である。
模式的縦断面図である。
【図６】第１従来例の単結晶製造装置の下部構造を示す
模式的縦断面図である。
模式的縦断面図である。
【図７】第２従来例の単結晶製造装置の熱遮蔽板を示す
模式的縦断面図である。
模式的縦断面図である。
１，１１，２１，３３，４１ 熱遮蔽板 １ａ，１ｃ，１１ａ，２１ａ，２１ｃ，２１ｅ 円筒部 １ｂ，１１ｂ，２１ｂ，２１ｄ テーパ部 ２ 単結晶 ３ａ 融液面 ４，９，１２，２２，３４，４２ 断熱材 ５ るつぼ ６ ヒータ ８ 環状リム
Claims (3)
- 【請求項１】 引き上げ中の単結晶(2) を取り巻く熱遮
蔽板(1) であって、前記単結晶(2) と対向する内面側
は、単結晶(2) に平行な少なくとも１箇所以上の円筒部
(1a)と、この円筒部(1a)の下方に接続され、融液面(3a)
に近づくに従って縮径されたテーパ部(1b)とを備え、外
面側は、環状リム(8) の内縁から融液面(3a)に向かって
垂下する円筒部(1c)を備え、前記内面側と外面側とに挟
まれた内部空間に断熱材(4) を充填した熱遮蔽板(1) を
設けたことを特徴とする単結晶製造装置。 - 【請求項２】 熱遮蔽板(1) の内面側において、単結晶
(2) の軸方向温度がｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥形成温度領域
となる１１５０〜１０００℃付近の部分を円筒部(1a)と
したことを特徴とする請求項１記載の単結晶製造装置。 - 【請求項３】 ヒータ(6) の上端位置を、融液面(3a)の
上方２００ｍｍから融液面(3a)の下方５０ｍｍまでの間
に設定したことを特徴とする請求項１記載の単結晶製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06198098A JP4166316B2 (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 単結晶製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06198098A JP4166316B2 (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 単結晶製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11240790A true JPH11240790A (ja) | 1999-09-07 |
| JP4166316B2 JP4166316B2 (ja) | 2008-10-15 |
Family
ID=13186847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06198098A Expired - Lifetime JP4166316B2 (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 単結晶製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4166316B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1182281A1 (en) * | 2000-01-31 | 2002-02-27 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Single crystal growing device and production method of single crystal using the device and single crystal |
| DE10040970A1 (de) * | 1999-02-26 | 2002-03-14 | Mitsubishi Material Silicon | Wärmeschutzvorrichtung und Kristallziehgerät unter Einsatz derselben |
| SG135030A1 (en) * | 2000-09-29 | 2007-09-28 | Samsung Electronics Co Ltd | Silicon wafers having controlled distribution of defects, methods of preparing the same, and czochralski pullers for manufacturing monocrystalline silicon ingots |
| KR100847700B1 (ko) * | 2001-04-20 | 2008-07-23 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 실리콘 단결정의 제조장치 및 그것을 사용한 실리콘단결정의 제조방법 |
| JP2009040681A (ja) * | 1999-11-13 | 2009-02-26 | Samsung Electronics Co Ltd | 単結晶シリコンインゴットを製造するためのチョクラルスキープーラ |
| CN104213190A (zh) * | 2014-08-20 | 2014-12-17 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 一种用于单晶硅生长炉的挂接板组件 |
| CN109930198A (zh) * | 2017-12-18 | 2019-06-25 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 热屏及单晶硅生长炉结构 |
| CN111321458A (zh) * | 2018-12-13 | 2020-06-23 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 加热式导流筒 |
-
1998
- 1998-02-27 JP JP06198098A patent/JP4166316B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10040970A1 (de) * | 1999-02-26 | 2002-03-14 | Mitsubishi Material Silicon | Wärmeschutzvorrichtung und Kristallziehgerät unter Einsatz derselben |
| DE10040970B4 (de) * | 1999-02-26 | 2008-07-10 | Mitsubishi Materials Silicon Corp. | Wärmeschutzvorrichtung und Kristallziehgerät unter Einsatz derselben |
| JP2009040681A (ja) * | 1999-11-13 | 2009-02-26 | Samsung Electronics Co Ltd | 単結晶シリコンインゴットを製造するためのチョクラルスキープーラ |
| EP1182281A1 (en) * | 2000-01-31 | 2002-02-27 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Single crystal growing device and production method of single crystal using the device and single crystal |
| EP1182281A4 (en) * | 2000-01-31 | 2009-03-04 | Shinetsu Handotai Kk | SINGLE CRYSTAL DEVICE AND METHOD OF PRODUCING A CRYSTAL WITH THE SAID DEVICE AND CRYSTAL |
| SG135030A1 (en) * | 2000-09-29 | 2007-09-28 | Samsung Electronics Co Ltd | Silicon wafers having controlled distribution of defects, methods of preparing the same, and czochralski pullers for manufacturing monocrystalline silicon ingots |
| KR100847700B1 (ko) * | 2001-04-20 | 2008-07-23 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 실리콘 단결정의 제조장치 및 그것을 사용한 실리콘단결정의 제조방법 |
| CN104213190A (zh) * | 2014-08-20 | 2014-12-17 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 一种用于单晶硅生长炉的挂接板组件 |
| CN109930198A (zh) * | 2017-12-18 | 2019-06-25 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 热屏及单晶硅生长炉结构 |
| CN111321458A (zh) * | 2018-12-13 | 2020-06-23 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 加热式导流筒 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4166316B2 (ja) | 2008-10-15 |
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