JP4569090B2 - 単結晶の製造方法及び単結晶、並びに単結晶の製造装置 - Google Patents
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Description
一般に、シリコン単結晶を成長させるときに、結晶成長速度(結晶引上げ速度)が比較的高速の場合には、空孔型の点欠陥が集合したボイド起因とされているFPD(Flow Pattern Defect)やCOP(Crystal Originated Particle)等のグローンイン欠陥が結晶径方向全域に高密度に存在する。これらのボイド起因の欠陥が存在する領域はV(Vacancy)領域と呼ばれている。
このように、強制冷却筒の冷却媒体の流通しない熱伝導部の厚さ及び/または長さを変更することによっても、強制冷却筒に発生する熱応力を強制冷却筒の降伏応力以下となるように容易に制御することが可能となるので、強制冷却筒を塑性変形させずに単結晶の製造を安定して行うことができる。
本発明の単結晶の製造方法では、単結晶引上げ中に強制冷却筒の原料融液側先端部の温度を200℃以下にすることができ、それによって、単結晶の育成を高速で行うことが可能となるので、生産性の向上による大幅なコスト低減を図ることができる。また、単結晶の引上げ中に強制冷却筒が塑性変形することはないし、単結晶に金属汚染が生じるのを確実に防止することができるので、高品質の単結晶を一層安定して製造することができる。
このように、強制冷却筒の熱伝導部の温度勾配を11℃/cm以下、さらには5.5℃/cm以下にすることにより、強制冷却筒に生じる熱応力を非常に小さくできるので、強制冷却筒に塑性変形を生じさせずに単結晶の育成を極めて安定に、高い安全性を維持して行うことができるし、また長時間の単結晶の製造にも十分に耐えることができる。
このように本発明により製造された単結晶は、高い生産性で製造された従来よりも低コストの単結晶であり、また所望の欠陥領域を有し、金属汚染のない非常に高品質の単結晶とすることができる。
このように表面の輻射率が0.2以上1.0以下となるように表面処理が施された強制冷却筒であれば、単結晶育成中に強制冷却筒に発生する熱応力を強制冷却筒の降伏応力以下となるようにすることができるので、強制冷却筒を塑性変形させずに単結晶の製造を安定して行うことができる装置となる。
このように、強制冷却筒がテーパー形状またはフィン形状を有するものであれば、強制冷却筒の先端部に広がる空間を大きくすることができるので、例えば強制冷却筒の先端部に断熱部材等を単結晶育成の障害とならずに容易に設置することができ、原料融液からの輻射熱等を効果的に遮蔽することが可能となる。
このように、強制冷却筒の熱伝導部の先端の厚さが、除熱部の厚さの50%以上であれば、高い冷却効果を維持することができるので、所望の欠陥領域で単結晶を育成できるような冷却雰囲気を容易に安定して形成することができる。
従来のCZ法による単結晶の製造では、例えば前記特許文献2等のような単結晶製造装置を用いた場合、単結晶を冷却する冷却手段(冷却筒)の下端部における冷却効果が不十分となってしまい、結晶成長速度の高速化が困難となって生産性の低下を招いたり、さらに、育成する単結晶に金属汚染が導入され易くなるという問題があった。また、前記特許文献3のような単結晶育成装置では、銅のような熱伝導率の大きい金属により形成された冷却筒を原料融液上に配置しているので、単結晶育成時の冷却効果は向上するものの、単結晶の育成中に冷却筒が熱応力で塑性変形する場合があり、単結晶を所望の欠陥領域で安定して育成することができず、歩留まりを低下させるという問題があった。
(実験1)
先ず、強制冷却筒における冷却筒表面の輻射率と強制冷却筒に発生する熱応力との関係を調べるために、図1に示した単結晶の製造装置20の強制冷却筒11として表面輻射率を変化させた数種の強制冷却筒を用いて単結晶の引上げを行って、強制冷却筒11における熱伝導部の先端部分の温度の変化と強制冷却筒内に発生する熱応力の変化を調べる実験を行った。
次に、強制冷却筒の熱伝導部の厚さと強制冷却筒に発生する熱応力との関係を調べるために、熱伝導部の厚さを変化させた数種の強制冷却筒を用いて単結晶の引上げを行って、熱伝導部の先端部分の温度の変化を調べる実験を行った。
単結晶の製造装置20の強制冷却筒11として、図2(c)に示すようなフィン形状を有しており、除熱部の厚さが33mm、熱伝導部の長さが10cmであり、また熱伝導部の厚さがそれぞれ10mm、19mm、33mmとなる3種類の強制冷却筒を準備した(熱伝導部の厚さが33mmのものは、図2(a)の形状を有するものとなる)。尚、実験2で準備したこれらの強制冷却筒には、何れにもクロミア溶射で表面処理を行って、表面輻射率が0.8となるようにした。このような強制冷却筒を用いて、直径200mmの単結晶の引上げを行い、そのときの熱伝導部の先端部分の温度を測定した。その測定結果を図5に示す。
実験3では、強制冷却筒の熱伝導部の長さと強制冷却筒に発生する熱応力との関係を調べる実験を行った。
単結晶の製造装置20の強制冷却筒11として、図2(a)に示すような熱伝導部が除熱部と同じ厚さ(60mm)で、熱伝導部の長さがそれぞれ0、5、10、15、20cmとなる5種類の強制冷却筒を準備した。尚、実験3で準備したこれらの強制冷却筒には、何れにもクロミア溶射で表面処理を行って、表面輻射率が0.8となるようにした。このような強制冷却筒を、強制冷却筒の除熱部と原料融液面との距離が一定の長さとなるように単結晶製造装置20に固定して直径300mmの単結晶の引上げを行い、そのときの熱伝導部の先端部分の温度を測定した。その測定結果を図6に示す。
(実施例)
図1に示した単結晶の製造装置20を用いて、CZ法によりシリコン単結晶の育成を行った。このとき、強制冷却筒を、無酸素銅からなり、図2(a)に示した形状を有するものとし、また単結晶引上げ中に強制冷却筒に発生する熱応力を強制冷却筒の降伏応力である4.5kgf/mm2以下となるように、強制冷却筒の表面にニッケルメッキを施して表面輻射率を0.4とし、また除熱部及び熱伝導部の厚さを共に33mm、熱伝導部の長さを10cmとなるようにした。
3…単結晶(シリコン単結晶)、
4…原料融液(シリコン融液)、 5…石英ルツボ、
6…黒鉛ルツボ、 7…ヒータ、 8…断熱部材、
9…ガス流出口、 10…ガス導入口、 11…強制冷却筒、
12…冷却媒体導入口、 13…流路、 14…除熱部、
15…熱伝導部、 16…引上げワイヤ、
17…種結晶、 18…種ホルダー、 19…ルツボ回転軸、
20…単結晶の製造装置。
Claims (13)
- チョクラルスキー法により単結晶を原料融液から引上げて製造する方法において、前記原料融液上に引上げ中の単結晶を取り囲むようにして、熱伝導率が300W/m・K以上の無酸素銅、金及び銀のいずれかの材質からなる強制冷却筒を設置し、該強制冷却筒に冷却媒体を供給して前記単結晶を冷却しながら引上げる際に、あらかじめ求めた該強制冷却筒に発生する熱応力を、強制冷却筒の降伏応力以下となるように制御することを特徴とする単結晶の製造方法。
- 前記強制冷却筒を、無酸素銅からなるものとし、該強制冷却筒に発生する熱応力を無酸素銅の降伏応力4.5kgf/mm 2 以下となるように制御することを特徴とする請求項1に記載の単結晶の製造方法。
- 前記強制冷却筒に、該冷却筒表面の輻射率が0.2以上1.0以下となるように表面処理を施して、前記強制冷却筒に発生する熱応力を制御することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の単結晶の製造方法。
- 前記強制冷却筒に、ニッケルメッキ、ニッケル溶射、クロミア溶射、チタニア溶射、アルミナ溶射、またはイットリア溶射を用いて表面処理を施すことを特徴とする請求項3に記載の単結晶の製造方法。
- 前記強制冷却筒の冷却媒体の流通しない熱伝導部の厚さ及び/または長さを変更して、前記強制冷却筒に発生する熱応力を制御することを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の単結晶の製造方法。
- 前記強制冷却筒の原料融液側先端部の温度を200℃以下にすることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の単結晶の製造方法。
- 前記強制冷却筒の冷却媒体の流通しない熱伝導部の温度勾配を11℃/cm以下にすることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の単結晶の製造方法。
- チョクラルスキー法により単結晶を原料融液から引上げて製造する装置において、少なくとも、前記原料融液を収容するルツボと、前記原料融液を加熱するヒータと、前記引上げ中の単結晶を冷却する強制冷却筒と、前記ルツボ、ヒータ及び強制冷却筒を格納するメインチャンバと、前記原料融液から引上げた単結晶を収容する引上げチャンバとを具備し、前記強制冷却筒は、熱伝導率が300W/m・K以上の無酸素銅、金及び銀のいずれかの材質からなり、かつ前記単結晶を引上げる際に、あらかじめ求めた強制冷却筒に発生する熱応力が、該強制冷却筒の降伏応力以下となるようにしたものであることを特徴とする単結晶の製造装置。
- 前記強制冷却筒が、無酸素銅からなるものであり、該強制冷却筒に発生する熱応力を無酸素銅の降伏応力4.5kgf/mm 2 以下となるように制御したものであることを特徴とする請求項8に記載の単結晶の製造装置。
- 前記強制冷却筒が、表面の輻射率が0.2以上1.0以下となるように表面処理が施されたものであることを特徴とする請求項8または請求項9に記載の単結晶の製造装置。
- 前記強制冷却筒が、冷却媒体が流通する除熱部と、該除熱部より原料融液側に伸びており冷却媒体の流通しない熱伝導部とからなり、前記除熱部と熱伝導部とが一体で構成されているものであることを特徴とする請求項8ないし請求項10のいずれか一項に記載の単結晶の製造装置。
- 前記強制冷却筒は、前記熱伝導部の厚さが前記原料融液に向けて減少しているテーパー形状、または熱伝導部の厚さが均一でかつ除熱部の厚さよりも薄くなっているフィン形状を有するものであることを特徴とする請求項11に記載の単結晶の製造装置。
- 前記強制冷却筒の熱伝導部の先端の厚さが、前記除熱部の厚さの50%以上であることを特徴とする請求項11または請求項12に記載の単結晶の製造装置。
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DE102019107929A1 (de) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | Pva Tepla Ag | Kristallziehanlage mit einem Tiegel und einem Kühlkörper |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06211589A (ja) * | 1993-01-05 | 1994-08-02 | Nippon Steel Corp | 半導体単結晶棒製造装置 |
JPH0782084A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-03-28 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 単結晶成長方法及び単結晶成長装置 |
JPH08239291A (ja) * | 1995-02-02 | 1996-09-17 | Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Mbh | 単結晶製造装置 |
WO2001057293A1 (en) * | 2000-01-31 | 2001-08-09 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Single crystal growing device and production method of single crystal using the device and single crystal |
JP2002201090A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶育成方法および単結晶育成装置 |
JP2002255682A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体単結晶製造装置及びそれを用いた半導体単結晶の製造方法 |
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