JP2005247629A - クーラー及びインゴット製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 引き上げ中の半導体インゴット28の引き上げ領域が熱遮蔽板29によって取り巻かれ、この熱遮蔽板29の内側に引き上げ中の半導体インゴット29の通過を許容するように平面視略円形若しくは放射状に配設されたステンレス鋼管からなるクーラー32を配設する。このクーラー32の表面には黒色化処理が施されていると共に、その黒色化処理を行う前に黒色化処理を施した際の熱吸収率が高くなるように表面処理が施されている。
【選択図】 図1
Description
これは、表面仕上げの相違を始めとしてクーラー11の素材であるステンレス鋼管の組織,粒界析出物,製造履歴等の影響を受け、ステンレス鋼管の表面に形成される皮膜が不均質になることに原因があると考えられる。
上記の発明によれば、クーラーの表面は輻射率の差の小さい黒色表面とすることができる。従って、結晶からの放熱を満遍なく吸熱して安定した結晶を得ることができる。また、装置ごとにクーラーが異なっても各クーラー間の輻射率の差が小さいため、装置ごとにおける結晶からの熱吸収性のばらつきを小さくすることができる。更に、熱吸収率の向上に伴って成長時間の短縮化をも実現することができる。
上記の発明によれば、黒色化処理前のクーラーの表面をミクロ単位で平滑化することが可能となる。従って、黒色化処理後のクーラーの表面ムラをより一層防止することができる。また、クーラーの表面輻射率をより一層高いものとすることができる。これにより、熱吸収率のさらなる向上を実現することができる。
上記の発明によれば、予めクーラーの表面を平滑化することによりマクロ単位での平滑化を行うことが可能となる。従って、黒色化処理後のクーラーの輻射率のばらつきを防止することができる。また、クーラーの表面黒色化をより一層促進することができ、これにより熱吸収率を大幅に向上させることができる。
上記の発明によれば、クーラーの形状に拘わらず、全体を満遍なく黒色化することができる。
上記の発明によれば、クーラーの表面処理後の平滑度が高くなるほど、表面の輻射率を高くすることが可能となる。
上記の発明によれば、クーラーの表面は輻射率の差の小さい黒色表面とすることができる。従って、結晶からの放熱を満遍なく吸熱して安定した結晶を得ることができる。また、装置ごとにクーラーが異なっても各クーラー間の輻射率の差が小さいため、装置ごとにおける結晶からの熱吸収性のばらつきを小さくすることができる。更に、熱吸収率の向上に伴って成長時間の短縮化をも実現することができる。
上記の発明によれば、黒色化処理前のクーラーの表面をミクロ単位で平滑化することが可能となる。従って、黒色化処理後のクーラーの表面ムラをより一層防止することができる。また、クーラーの表面輻射率をより一層高いものとすることができる。これにより、熱吸収率のさらなる向上を実現することができる。
尚、本発明の単結晶製造装置は、特に図示をしていないが、この種の単結晶製造装置に通常採用される不活性ガスの導入・排気システムを備えている。
図4において、単結晶製造装置20は、有底円筒形状のチャンバ21と、このチャンバ21の上部中央から立ち上がる筒状のプルチャンバ22とを備えている。
チャンバ21の炉内には、図1に示すように、上方に開放する有底円筒形状の坩堝23が設けられている。この坩堝23は、黒鉛坩堝23aと、その内側に位置する石英坩堝23bとを備えている。石英坩堝23bには素材となる多結晶シリコンが充填され、坩堝23の外周囲に設けた円筒状のヒータ24によって多結晶シリコンを加熱溶解してシリコン融液25とする。
また、熱遮蔽板29の内側には、ステンレス鋼管からなるクーラー32が設置されている。
クーラー32は、引き上げ中の半導体インゴット28を取り巻くように螺旋状に形成されたステンレス鋼管からなる冷却水管である。クーラー32は、例えば図2に示すフローチャートに沿って製造することができる。
まず、所定の内径及び外径のステンレス鋼管を製造する(STEP1)。次に、ステンレス鋼管を螺旋状に曲げ加工する(STEP2)。ステンレス鋼管の径や曲げ加工の曲率は、単結晶製造装置20の大きさや半導体インゴット28の大きさ等によって異なる。その表面を必要に応じてバフ研磨する(STEP3)。続いて、バフ研磨されたステンレス鋼管を更に電解研磨する(STEP4)。最後にステンレス鋼管に黒色化処理を施し(STEP5)、単結晶製造装置に組み付ける(STEP6)。
この際、電解研磨液には、ステンレス鋼管材料がプラスイオンとして溶け出して、その表面付近に金属イオンと電解研磨液とが絡み合った粘性の高い液層を形成し、その液層部分の電気抵抗が電解研磨液の電気抵抗よりも高くなる材料が用いられる。
さらに、電解研磨を行うことでステンレス鋼管の表面を溶解しているので、表面に付着した汚れや加工変質層等も除去することができ、表面に加工変質層のないクリーンな表面を得ることができる。
この結果から、電解研磨処理(グラフの●点)を施した場合では、黒色化処理前は表面処理なし(グラフの◆点)やサンドブラスト処理(グラフの▲点)を施した場合よりも低い熱吸収率であったものが、黒色化処理後ではこれらよりも高い熱吸収率となったことがわかる。
この際、クーラー32を構成する配管の内径は17mm以下であり、配管内を通過する冷却水の流通速度は15リットル/分以下に設定される。また、クーラー32の下端からシリコン融液25の融液面までの離間距離は150mm程度に設定される。尚、冷却水の流通速度は、炉内温度や半導体インゴット28の成長過程等に応じて流速(流量)制御することも可能である。
一方、図4に示すようにプルチャンバ22の上部には、ワイヤー33の巻取器34が設けられている。このワイヤー33の先端には、連結部材35を介してシードホルダ36が装着されている。
また、プルチャンバ22の下方寄りには、チャンバ21の炉内とプルチャンバ22の内部とを隔絶するためのゲートバルブ37が設けられている。プルチャンバ22内とチャンバ21内は連続した気密空間を形成しているが、半導体インゴット28の引上げ最中以外にはゲートバルブ37を閉めることにより、チャンバ21内ではシリコン融液25の融液状態を維持し、その状態でプルチャンバ22内にガスを封入する事により大気開放を可能とし、引き上げられた半導体インゴット28の取り出しや種結晶の取り付け等を可能としている。
このような構成において、坩堝23内に素材となる多結晶シリコンを投入し、坩堝23の外周囲に設けた円筒状のヒータ24によって多結晶シリコンを加熱する。
多結晶シリコンが完全に溶融してシリコン融液25となったら、図4(A)に示すように、ゲートバルブ37を開放して種結晶を坩堝23のシリコン融液25の液面に接触させる。
この際、半導体インゴット28は、クーラー32によって冷却されつつ引き上げられる。
このように本願のクーラー32によれば、従来品よりも熱吸収の性能が向上したため、従来品と同程度の熱吸収機能を望む場合には、クーラー32の小型化を実現することができ、また、クーラー32を従来品と同程度のサイズに構成した場合には、その熱吸収機能の向上から、半導体インゴット28の成長時間の短縮化を実現することができる。
クーラー32による冷却は、半導体インゴット28の成長過程において冷却効果を変化させるために、冷却水の流量制御を伴うこともできる。例えば、引き上げ中の半導体インゴット28の結晶欠陥のコントロールを行うためには、引き上げ速度Vと半導体インゴット28の温度勾配Gの比「V/G」の制御を適切に行うものとする。
このテール部は、直胴部の直径ぐらいの長さに形成するのが一般的である。その理由は、テール部の長さが短すぎると酸素の異常析出部分が直胴部にかかりその部分が製品化できなくなってしまい、テール部の長さが長すぎるとウェーハとして製品化できない部分が必要以上に増えてしまって不経済だからである。
従って、装置全体の大型化等の要因となる昇降機構を不要若しくは小型化(リチャージや追いチャージの際にクーラー32を坩堝23から一時的に退避させる機構として併用)することができ、安価な単結晶製造装置20を提供することが可能となる。
この際、本願のクーラー32では、その熱吸収率が高いため、坩堝23を含むホットゾーンの強制的冷却時間を短くすることができ、次の製造工程への移行時間を短縮して、全体としての製造サイクルの短縮化を実現することができる。尚、ホットゾーンの炉内部品の中でもっとも高い熱を持つ部品は坩堝23であるので、クーラー32を坩堝23にできるだけ近接させて、坩堝23の冷却を促進させても良い。
また、融液から固体インゴットを成長させる装置であれば、半導体に限らず適用することができる。
2…坩堝 2a…黒鉛坩堝 2b…石英坩堝
3…ヒータ
4…シリコン融液
5…シードホルダ
6…半導体インゴット
7…保温筒
8…熱遮蔽板
11…クーラー
20…単結晶製造装置
21…チャンバ
22…プルチャンバ
23…坩堝 23a…黒鉛坩堝 23b…石英坩堝
24…ヒータ
25…シリコン融液
26…回転軸
27…断熱材
28…半導体インゴット
29…熱遮蔽板
32…クーラー
33…ワイヤ
34…巻取器
35…連結部材
36…シードホルダ
37…ゲートバルブ
38…シール部品
39…回転伝達部品。
Claims (7)
- 引き上げ中のインゴットの外周を囲繞するように配設されたステンレス鋼管からなるクーラーを備えたインゴット製造装置において、
前記クーラーの表面には黒色化処理が施されていると共に、その黒色化処理を行う前に黒色化処理を施した際の熱吸収率が高くなるように表面処理が施されていることを特徴とするインゴット製造装置。 - 前記クーラーは、前記黒色化処理を行う前に電解研磨若しくは化学研磨によって表面処理が施されていることを特徴とする請求項1に記載のインゴット製造装置。
- 前記クーラーは、前記表面処理の前にバフ研磨処理が施されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のインゴット製造装置。
- 前記クーラーは、前記表面処理の後にインコ法若しくは電解発色法により黒色化処理されていることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1つに記載のインゴット製造装置。
- 前記黒色化処理は、前記表面処理の後にステンレス鋼管の表面に酸化皮膜を形成することによって行われ、
水溶性染料を添加したアルカリ性を呈する水溶液中に前記ステンレス鋼管を浸し、陽極電解処理および陰極電解処理を交互に繰り返して行うことで黒色化されることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1つに記載のインゴット製造装置。 - 引き上げ中のインゴットの外周を囲繞するように配設される、ステンレス鋼管からなるクーラーにおいて、
前記クーラーの表面には黒色化処理が施されていると共に、その黒色化処理を行う前に黒色化処理を施した際の熱吸収率が高くなるように表面処理が施されていることを特徴とするクーラー。 - 前記クーラーは、前記黒色化処理を行う前に電解研磨若しくは化学研磨によって表面処理が施されていることを特徴とする請求項6に記載のクーラー。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008050524A1 (fr) * | 2006-10-24 | 2008-05-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Dispositif de production d'un cristal unique et procédé de production d'un cristal unique |
KR101022948B1 (ko) | 2008-11-27 | 2011-03-16 | 주식회사 엘지실트론 | 단결정 냉각관 및 이를 이용한 단결정 제조장치 |
KR101339148B1 (ko) | 2012-01-03 | 2013-12-09 | 주식회사 엘지실트론 | 실리콘 단결정 냉각장치 및 이를 이용한 실리콘 단결정 성장 장치 |
WO2018047527A1 (ja) * | 2016-09-08 | 2018-03-15 | 株式会社アサヒメッキ | 低光沢度の化学発色ステンレス鋼材および化学発色ステンレス鋼材加工品並びにその製造方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53112235A (en) * | 1977-03-14 | 1978-09-30 | Dipsol Chem | Method of coloring stainless steel |
JPS5811349A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-22 | Matsushita Electric Works Ltd | 太陽熱吸収体およびその製法 |
JPS58221283A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-22 | Nisshin Steel Co Ltd | ステンレス鋼着色前処理方法 |
JPH01205095A (ja) * | 1988-02-12 | 1989-08-17 | Kinki Yakuhin Kogyo Kk | ステンレスの電解発色法 |
JPH04218695A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-08-10 | Kawasaki Steel Corp | 発色むらの少ない発色用鏡面ステンレス鋼材の製造方法 |
JPH04317491A (ja) * | 1991-04-11 | 1992-11-09 | Kawasaki Steel Corp | 単結晶引上装置用冷却筒 |
JPH068129A (ja) * | 1992-06-24 | 1994-01-18 | Kawasaki Steel Corp | ステンレス鋼板の鏡面研磨装置 |
JPH11292684A (ja) * | 1998-04-08 | 1999-10-26 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 単結晶製造装置 |
WO2001057293A1 (en) * | 2000-01-31 | 2001-08-09 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Single crystal growing device and production method of single crystal using the device and single crystal |
-
2004
- 2004-03-04 JP JP2004059926A patent/JP4606753B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53112235A (en) * | 1977-03-14 | 1978-09-30 | Dipsol Chem | Method of coloring stainless steel |
JPS5811349A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-22 | Matsushita Electric Works Ltd | 太陽熱吸収体およびその製法 |
JPS58221283A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-22 | Nisshin Steel Co Ltd | ステンレス鋼着色前処理方法 |
JPH01205095A (ja) * | 1988-02-12 | 1989-08-17 | Kinki Yakuhin Kogyo Kk | ステンレスの電解発色法 |
JPH04218695A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-08-10 | Kawasaki Steel Corp | 発色むらの少ない発色用鏡面ステンレス鋼材の製造方法 |
JPH04317491A (ja) * | 1991-04-11 | 1992-11-09 | Kawasaki Steel Corp | 単結晶引上装置用冷却筒 |
JPH068129A (ja) * | 1992-06-24 | 1994-01-18 | Kawasaki Steel Corp | ステンレス鋼板の鏡面研磨装置 |
JPH11292684A (ja) * | 1998-04-08 | 1999-10-26 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 単結晶製造装置 |
WO2001057293A1 (en) * | 2000-01-31 | 2001-08-09 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Single crystal growing device and production method of single crystal using the device and single crystal |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008050524A1 (fr) * | 2006-10-24 | 2008-05-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Dispositif de production d'un cristal unique et procédé de production d'un cristal unique |
JP2008105873A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 |
JP4513798B2 (ja) * | 2006-10-24 | 2010-07-28 | 信越半導体株式会社 | 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 |
KR101385997B1 (ko) | 2006-10-24 | 2014-04-16 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 단결정 제조장치 및 단결정 제조방법 |
US8764900B2 (en) | 2006-10-24 | 2014-07-01 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Apparatus and method for producing single crystals |
KR101022948B1 (ko) | 2008-11-27 | 2011-03-16 | 주식회사 엘지실트론 | 단결정 냉각관 및 이를 이용한 단결정 제조장치 |
KR101339148B1 (ko) | 2012-01-03 | 2013-12-09 | 주식회사 엘지실트론 | 실리콘 단결정 냉각장치 및 이를 이용한 실리콘 단결정 성장 장치 |
WO2018047527A1 (ja) * | 2016-09-08 | 2018-03-15 | 株式会社アサヒメッキ | 低光沢度の化学発色ステンレス鋼材および化学発色ステンレス鋼材加工品並びにその製造方法 |
JPWO2018047527A1 (ja) * | 2016-09-08 | 2018-09-13 | 株式会社アサヒメッキ | 低光沢度の化学発色ステンレス鋼材および化学発色ステンレス鋼材加工品並びにその製造方法 |
CN109312472A (zh) * | 2016-09-08 | 2019-02-05 | 株式会社旭鍍金 | 低光泽度的化学着色不锈钢材及化学着色不锈钢材加工品及其制造方法 |
US11008667B2 (en) | 2016-09-08 | 2021-05-18 | Asahimekki Corporation | Low-gloss chemically colored stainless steel, chemically colored stainless steel processed product, and method for manufacturing same |
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Publication number | Publication date |
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