JP2007246358A - 固形状原料のリチャージ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】結晶融液を貯留するルツボ101に供給する固形状原料155を充填する筒状の原料容器200と、筒状の原料容器200の底蓋203中心に一端が固定される原料容器200を吊り下げるワイヤ129とを有する固形状原料155のリチャージ装置であって、ワイヤ129が石英で形成される複数の楕円形状または略球状の玉401を貫通していることを特徴とする固形状原料155のリチャージ装置。
【選択図】図1
Description
もっとも、シリコン単結晶育成前にルツボに固形状のシリコン原料を隙間なく収容した場合でも、シリコン原料は溶融することで隙間がなくなり、必ずルツボの容積に若干の余裕が生ずる。一般にCZ法による結晶育成時に使用されるルツボは使い捨てであるため、ひとつのルツボで育成する結晶重量を増加させるほど、全体的なコスト削減につながることは以前からよく知られている。しかしながら、ルツボへ最初に固形状のシリコン原料を収容する際のシリコン原料を増加させることは既に限界に達している。そこで、最初に固形状のシリコン原料を一度溶融した後、シリコン融液に固形状のシリコン原料を追加供給することでルツボの容積を有効利用し、よって、育成する結晶重量を増加させる方法が提案されてきた。この技術はリチャージ技術と呼ばれる。
図9は従来技術のリチャージ管リチャージ法で用いられるシリコン単結晶製造装置を説明する模式的縦断面図である。図9に示すように、シリコン単結晶製造装置100にはリチャージ装置が設けられている。そして、このリチャージ装置は、固形状シリコン多結晶原料155が充填されるストレート型のリチャージ管201を構成要素とする筒状の原料容器200、この筒状の原料容器200を吊り下げるワイヤ129、ワイヤ129を巻き上げる引上げモータ141で構成されている。そして、ワイヤ129は原料容器200の中心を通り、原料容器200の底蓋203の中心で固定されている。原料容器200全体は、この底蓋203がリチャージ管201の下端を支えることによって、保持されている。
そして、リチャージ管201に充填された固形状シリコン多結晶原料155は、原料容器200が石英ルツボ101にむけて下降し、図10に示すようにストッパ205がサブチャンバ127の内壁に設けられたフリンジ128に掛け止めされた後、さらに底蓋203のみが下降し、隙間210が生ずることによって、石英ルツボ101のシリコン融液面へと供給される構成になっている。
また、ワイヤ129はタングステン等の金属で形成されているところ、ワイヤ129と固形状多結晶シリコン原料155との摩擦により固形状多結晶シリコン原料155に金属が付着し、金属汚染が生ずるという別の問題もあった。
結晶融液を貯留するルツボに供給する固形状原料を充填する筒状の原料容器と、前記筒状の原料容器の底蓋中心に一端が固定される前記筒状の原料容器を吊り下げるワイヤとを有する固形状原料のリチャージ装置であって、
前記ワイヤが石英で形成される複数の楕円形状または略球状の玉を貫通していることを特徴とする固形状原料のリチャージ装置である。
(リチャージ装置)
最初に、本実施の形態で用いられるリチャージ装置を備えるシリコン単結晶製造装置の構成について説明する。
図1は、本実施の形態で用いられるシリコン単結晶製造装置の模式的縦断面図である。
図1に示すシリコン単結晶製造装置は、原料となる多結晶シリコンが充填されるルツボ101、103、多結晶シリコンを加熱、溶融しシリコン融液105とするための主ヒータ107および、下部ヒータ109がチャンバ111内に格納されている。
ルツボ101、103を取り囲むように主ヒータ107および、下部ヒータ109が配置されており、主ヒータ107の外側には、主ヒータ107からの熱がチャンバ111に直接輻射されるのを防止するための第1の保温材115、第2の保温材117が主ヒータ107の周囲を取り囲むように設けられている。加えて、シリコン融液105やルツボ101、103からの熱がチャンバ111に直接輻射されるのを防止するための第3の保温材119、第4の保温材121が設けられている。そして、シリコン融液105やルツボ101、103からの熱が引上げシリコン単結晶の冷却を阻害しないように輻射シールド125が、シリコン融液105、ルツボ101、103とシリコン単結晶間に設けられている。なお、保温材115、117の材質については、特に保温性に優れているものを使用することが望ましく、通常成形断熱材が用いられている。保温材119、121の材質については、例えば、成形断熱材、カーボン、あるいはカーボンの表面を炭化ケイ素で被覆したものが用いられている。輻射シールド125については、輻射熱を調整する役目を果たしているので、断熱性の高い材質、例えば、モリブデン、タングステン、タンタル等の金属や、カーボン、カーボンの表面を炭化ケイ素で被覆したもの及びこれらの内側に成形断熱材を設置したものが用いられる。
さらに、チャンバ111上部にはゲートバルブ135を介して、シリコン融液105から引上げられたシリコン単結晶や後述する筒状の原料容器200を保持して取り出すためのサブチャンバ127が設けられている。また、サブチャンバ127上端は天板147により封鎖されている。そして、引上げられたシリコン単結晶の取り出しや後述する原料容器200を取り出し可能にするサブチャンバの蓋(図示せず)がサブチャンバ上方側面に設けられている。
そして、サブチャンバ127上部には、引上げモータ141を設けている。引上げモータ141は、ワイヤ129を上下動自在に保持しており、ワイヤ129は天板を通して、サブチャンバ127の中心軸に沿って吊り下げられている。ワイヤ129の下端には、シリコン単結晶引上げ工程の際には図3に示すように種結晶131が吊り下げられ、リチャージ工程の際には図1に示すように、筒状の原料容器200が吊り下げられる。
ここで、ワイヤ129は、固形状多結晶シリコン原料155がリチャージ管201内を落下する時の衝撃を受けても自ら曲がって変形して衝撃を吸収できるという観点、および、原料容器200および内部に充填される固形状多結晶シリコン原料155の重量を保持するに十分な引っ張り強度を有するという観点から、例えばタングステン等の金属材料が用いられる。
また、リチャージ管201上部外周には、リチャージ管201をサブチャンバ127に設けられたフランジ128で掛け止めするためのストッパ205が設けられている。このストッパ205は、シリコン融液105への不純物汚染を避ける観点から、高純度石英ガラスで形成されていることが望ましい。
ここで、リチャージ管201および底蓋203は、シリコン融液105と接近するため、耐熱性に優れるほか、ウェーハを汚染しないものとすることが好ましく、加工性に優れ比較的安価な点から石英が好ましいが、炭化ケイ素、または窒化ケイ素等を用いることが出来る。
さらに、特許文献3のようにワイヤ129を一体の石英管でカバーする場合と異なり、本発明の場合は、リチャージ管内で落下する固形状多結晶シリコン原料155が偏在したとしても、ワイヤ129が変形することにより応力集中を緩和することが出来るため、石英からなる略球状の玉401が破損する恐れは少ない。そして、金属ワイヤ129と固形状多結晶シリコン原料155との接触を略球状の玉401が存在することにより防止できるので、金属汚染の問題も改善できる。また、金属ワイヤ129と固形状多結晶シリコン原料155との接触を最大限避ける観点から、図1に示すように、固形状多結晶シリコン原料155が充填される高さ以上の領域まで略球状の玉401を配置することが望ましい。
以上の観点から、保護部材は略球状の玉であることが望ましいが、十分な特性が得られれば、楕円形状の玉であっても構わない。
なお、ここで、保護部材である略球状の玉401を形成する石英は不透明石英であっても透明石英であっても構わない。もっとも、石英中に含まれる金属不純物によって、製造する単結晶が汚染され転位等の不良が発生することを抑制する観点からは、略球状の玉401は金属不純物含有量200ppm以下の高純度の石英ガラスで形成されていることが望ましい。
次に、上記のように構成されたシリコン単結晶製造装置を用いたリチャージ方法について図1、図3乃至図8を用いて説明する。
次に、チャンバ111およびサブチャンバ127の内部を不活性ガスで置換した後、Ar等の不活性ガスを流した状態で低圧に保つ。その後、ヒータ107,109を加熱することにより、予め石英ルツボ101の内部に投入されている固形状多結晶シリコン原料(図示せず)を溶融し、シリコン融液105とする。
次に、図3に示すように、ゲートバルブ135を閉め、チャンバ111とサブチャンバ127と遮断する。これにより、チャンバ111内を不活性雰囲気に保持しシリコン融液105の酸化を防止した状態で、サブチャンバ127を常圧に戻す。その後、サブチャンバ127の蓋(図示せず)を開き、ワイヤ129の下端に種結晶131を吊り下げる。そして、ワイヤ129の下端に種結晶131を吊り下げた後、サブチャンバ127の蓋(図示せず)を閉じ、サブチャンバ127を密閉する。
次に、引上げモータ141を駆動し、ワイヤ129下端に吊り下げられた種結晶131を降下させ、種結晶131の少なくとも一部をシリコン融液105に浸す。種結晶131がシリコン融液105に浸されると、図4に示すように種結晶131下方に徐々にシリコン単結晶123が成長する。そして、シリコン単結晶123が成長するに従い、所定速度で種結晶131を引上げることにより、所望の直径および長さを有するシリコン単結晶インゴット150を引上げることが可能となる。
その後、成長したシリコン単結晶インゴット150を、図5に示すようにサブチャンバ127まで上昇させる。そして、ゲートバルブ135を閉じ、チャンバ111とサブチャンバ127とを遮断する。これにより、チャンバ111内を不活性雰囲気に保持し、シリコン融液105の酸化を防止した状態で、サブチャンバ127を常圧に戻す。その後、サブチャンバ127の蓋を開き、シリコン単結晶インゴット150を取り出す。このようにして、1本目のシリコン単結晶インゴット150の製造工程が終了する。
次に、サブチャンバ127の蓋を閉じサブチャンバ127を密閉する。その後、サブチャンバ127を減圧し、サブチャンバ127内部を不活性雰囲気で満たす。
次に、ゲートバルブ135を開き、チャンバ111とサブチャンバ127内を連通させる。この状態で引上げモータ141を駆動させ、ワイヤ129と共に原料容器200を下降させる。
原料容器200が下降していくと、図1に示すように、ストッパ205がフランジ128に接触する。これから更にワイヤ129を下降させると、フランジ128によりリチャージ管201の下降が阻止され、図7に示すように、底蓋203のみが更に下降する。そうすると、リチャージ管201と底蓋203の間に、隙間210が生じ、この隙間210から、固形状多結晶シリコン原料155が、自重により輻射シールドカバー301上に落下し、輻射シールド301表面の傾斜を滑って、石英ルツボ101内に落下する。
なお、リチャージ管127内部に装填されたすべての固形状多結晶シリコン原料155が、石英ルツボ101内に投入された後、シリコン融液105の表面固化のために、下げていたチャンバ111内温度を、ヒータ107,109を制御することによって上昇させ、石英ルツボ101内に投入した固形状多結晶シリコン原料155を溶融する。
そして、図8に示すように原料容器200が、サブチャンバ127まで完全に上昇した後に、ゲートバルブ135を閉め、チャンバ111とサブチャンバ127を遮断する。これにより、チャンバ111内を不活性雰囲気に保持し、シリコン融液105の酸化を防止した状態で、サブチャンバ127の蓋を開き、サブチャンバ127内を常圧に戻す。その後、原料容器200を単結晶製造装置100外部に取り出しリチャージ工程が完了する。
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての固形状原料のリチャージ装置は、本発明の範囲に包含される。
本実施例においては、図1に示した構成を有するシリコン単結晶製造装置およびリチャージ装置を用いた。
内径800mm(32インチ)の石英ルツボ101を使用した。そして、残余シリコン融液150kg〜300kgに対し、重量40kgの固形状多結晶シリコン原料155をリチャージした。リチャージ管201は内径φ270mmのストレート形状のものを用いた。リチャージ管201に使用したタングステンから形成されるワイヤ129は、透明石英製で略球状の玉401を貫通し、略球状の玉401が数珠状に連なる構造とした。底蓋の重量は2.2kgとした。
この条件で、従来の2倍の時間16分をかけリチャージ管を降下させた。10回のリチャージテストを行なった結果、ワイヤ129につるされた底蓋203が下降しなくなるトラブルは1度も発生せず、また、略球状の玉401のカケ、破損は観察されなかった。
ワイヤ129に、略球状の玉401を有しない以外は実施例1と同様の条件で10回のリチャージテストを行なった。この結果、ワイヤ129につるされた底蓋203が下降しなくなるトラブルが4度発生した。
本実施例においては、図1に示した構成を有するシリコン単結晶製造装置およびリチャージ装置を用いた。
内径600mm(24インチ)の石英ルツボ101を使用した。そして、残余シリコン融液80kg〜120kgに対し、重量30kgの固形状多結晶シリコン原料155をリチャージした。リチャージ管201は内径φ200mmのストレート形状のものを用いた。リチャージ管201に使用したタングステンから形成されるワイヤ129には、透明石英製で略球状の玉401を貫通し、略球状の玉401が数珠状に連なる構造とした。底蓋203の重量は1.0kgとした。
この条件で、従来の2倍の12分をかけリチャージ管を降下させた。8回のリチャージテストを行なった結果、ワイヤ129につるされた底蓋203が下降しなくなるトラブルは1度も発生せず、また、略球状の玉401のカケ、破損は観察されなかった。
ワイヤ129に、略球状の玉401を有しないで底蓋重量が1.2kg以外は実施例1と同様の条件で10回のリチャージテストを行なった。この結果、ワイヤ129につるされた底蓋203が下降しなくなるトラブルが、4度発生した。これに対し底蓋重量を2.2kgとして、同様の条件で10回のリチャージテストを行なった結果2度に半減した。
(実験例4)
ワイヤ129に、略球状の玉401を有しないで底蓋重量が0.6kg以外は実施例2と同様の条件で10回のリチャージテストを行なった。この結果、ワイヤ129につるされた底蓋203が下降しなくなるトラブルが、4度発生した。これに対し底蓋重量を1.0kgとして、同様の条件で10回のリチャージテストを行なった結果2度に半減した。
これらの結果から、トラブルが半減した底蓋の重量を満足する関係を導き出すと、リチャージ管の内径を2R(cm)とした場合に底蓋の重量W(g)が、W≧3πR2の関係が得られた。
105 シリコン融液
106 固化面
111 チャンバ
125 輻射シールド
127 サブチャンバ
129 ワイヤ
135 ゲートバルブ
141 引上げモータ
155 固形状多結晶シリコン原料
200 原料容器
201 リチャージ管
203 底蓋
210 隙間
401 略球状の玉
Claims (4)
- 結晶融液を貯留するルツボに供給する固形状原料を充填する筒状の原料容器と、前記筒状の原料容器の底蓋中心に一端が固定される前記筒状の原料容器を吊り下げるワイヤとを有する固形状原料のリチャージ装置であって、
前記ワイヤが石英で形成される複数の楕円形状または略球状の玉を貫通していることを特徴とする固形状原料のリチャージ装置。 - 前記楕円形状または略球状の玉は金属不純物含有量200ppm以下の高純度の石英ガラスで形成されていることを特徴とする請求項1記載の固形状原料のリチャージ装置。
- 前記筒状の原料容器を構成するリチャージ管は、上端から下端までの内径が一定のストレート形状を有することを特徴とする請求項1または請求項2記載の固形状原料のリチャージ装置。
- 前記筒状の原料容器を構成するリチャージ管の内径を2R(cm)とした場合に、前記底蓋の重量W(g)が、W≧3πR2の関係を充足することを特徴とする請求項3記載の固形状原料のリチャージ装置。
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JP2008037745A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Siltron Inc | 単結晶成長装置に固体原料を供給する装置及び方法 |
KR101547733B1 (ko) * | 2013-10-11 | 2015-08-26 | 수성지엔 주식회사 | 단결정 실리콘 잉곳 성장장치용 원료공급장치 |
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JP2004244236A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | リチャージ装置、インゴット引上げ装置、及びインゴット製造方法 |
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