KR101022948B1 - 단결정 냉각관 및 이를 이용한 단결정 제조장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 단결정 냉각관 및 이를 이용한 단결정 제조장치를 개시한다. 본 발명에 따른 단결정 냉각관은, 마주보는 내벽과 외벽에 의해 냉매 순환 유로가 정의된 실린더형 벽체; 및 상기 내벽에 접합된 복사열 흡수 코팅층을 구비하고, 상기 복사열 흡수 코팅층과 접하는 상기 내벽에 요철면이 형성되고, 상기 복사열 흡수 코팅층에는 질소가 함유된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 단결정 냉각관의 구조를 개선함으로써 단결정 잉곳에서 발산되는 복사열의 흡수율을 증가시켜 단결정 잉곳의 냉각 효율을 향상시킬 수 있다. 단결정 잉곳의 냉각 효율이 향상되면 단결정의 성장속도를 증대시킬 수 있어 단결정의 생산수율을 향상시킬 수 있는 효과도 기대할 수 있다. 또한, 냉각관의 수명을 증가시켜 단결정의 제조 비용을 줄일 수 있다.
쵸크랄스키 법, 실리콘, 단결정 잉곳, 냉각관, 질소, 복사열 흡수 코팅층

Description

단결정 냉각관 및 이를 이용한 단결정 제조장치{Cooling cylinder for single crystal and Manufacturing apparatus using the same}
본 발명은 단결정 냉각관 및 이를 이용한 단결정 제조장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 단결정의 냉각 효율을 향상시키기 위해 그 구조가 개선된 단결정 냉각관 및 이를 이용한 단결정 제조장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 등의 전자부품을 생산하기 위한 소재로 사용되는 실리콘 단결정 잉곳은 쵸크랄스키(Czochralski, 이하 'CZ'라 함) 법에 의해 제조된다. CZ 법에 의하여 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 방법은, 석영 도가니에 다결정 실리콘(poly silicon)과 불순물(dopant)을 적층시키고 석영 도가니 측벽 주변에 설치된 히터에서 복사되는 열을 이용해 다결정 실리콘과 불순물을 용융시켜 실리콘 융액(melt)을 형성하고, 실리콘 단결정 잉곳의 성장 소스인 시드(seed)를 실리콘 융액의 표면에 디핑(dipping) 시키고, 시드를 따라 성장하는 성장 결정의 직경을 3 ~ 5mm 정도로 작게 인상하는 넥킹(necking) 공정과, 성장 결정을 목적하는 결정직경까지 확장시키는 숄더링(shouldering) 공정을 거쳐, 몸체부 성장(body growth) 공정에서 결정을 천천히 인상시켜 단결정 잉곳을 원하는 길이로 성장시킨다.
종래의 단결정 제조장치는 단결정 잉곳의 생산성을 향상시키기 위해 챔버 내에 냉각관을 구비함으로써 단결정의 인상 과정과 냉각 과정을 동시에 진행할 수 있다. 즉 종래의 단결정 제조장치는, 단결정 성장 챔버의 상부에 실린더형의 냉각관을 구비한다. 따라서 냉각관을 통해 인상된 단결정을 통과시키면 단결정 성장이 이루어진 후 곧 바로 단결정을 냉각하는 것이 가능하다.
도 1은 종래의 단결정 냉각관을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래의 냉각관(1)은 CZ 법에 의해 성장된 단결정 잉곳(IG)이 통과할 수 있도록 잉곳 성장 챔버(핫존 : hot zone)의 상부에 설치된다. 상기 냉각관(1)은 냉매 순환 유로가 형성되고 상단과 하단이 개방된 실린더형 벽체(2)로 구성된다. 상기 냉각관(1)은 고액 계면으로부터 성장된 고온의 단결정 잉곳(IG)에서 발산되는 복사열을 냉매에 흡수시켜 외부로 발산함으로써 잉곳을 냉각시킨다.
종래의 냉각관(1) 벽체(2)는 반사율이 높은 스테인리스 재질로 이루어진다. 따라서 단결정 잉곳(IG)으로부터 발산되는 복사열이 벽체(2) 표면에서 반사되어 열의 흡수율이 크지 않은 문제가 있다. 단결정 잉곳(IG)의 인상속도는 고액 계면의 온도 구배와 단결정 잉곳(IG)의 냉각 속도에 의존하는데, 무결함 공정 마진 내에서 단결정 잉곳(IG)의 냉각 속도를 증가시키면 그 만큼 단결정 잉곳(IG)의 인상속도를 증가시킬 수 있다. 하지만 종래의 냉각관(1)은 복사열의 흡수율이 높지 않아 단결정 잉곳(IG)의 냉각 속도 증가에 의해 단결정 잉곳(IG)의 인상속도를 증가시키는데 한계가 있다.
한편 대한민국 특허공개번호 제10-2003-19784호는 복사열의 흡수를 개선할 수 있는 코팅층이 구비된 냉각관을 개시하고 있다. 하지만 상기 코팅층의 기질(matrix)이 투과도가 높지 않은 실리카로 이루어져 있어 복사열이 코팅층에 100% 흡수되지 못한다. 또한 코팅층은 실리카에 흑연 분말이 분산된 구조를 가진다. 따라서 코팅층에 흡수된 복사열이 스테인리스 재질의 벽체에서 반사되어 단결정 잉곳 측으로 방사되는 현상을 효과적으로 방지할 수 없다. 아울러 단결정 잉곳의 생산(고온 상태)과 휴지(저온 상태)를 반복하는 과정에서 코팅층과 냉각관 벽체 사이에 열응력이 작용하여 코팅층이 냉각관 벽체로부터 박리되는 문제가 발생한다. 이러한 코팅층의 박리는 냉각관의 수명(life time)을 감소시키는 원인으로 작용한다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 단결정 잉곳에서 발산되는 복사열을 보다 더 효율적으로 흡수함으로써 단결정 잉곳의 냉각 속도를 향상시킬 수 있는 단결정 냉각관 및 이를 이용한 단결정 제조장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 단결정 냉각관은, 마주보는 내벽과 외벽에 의해 냉매 순환 유로가 정의된 실린더형 벽체; 및 상기 내벽에 접합된 복사열 흡수 코팅층을 구비하고, 상기 복사열 흡수 코팅층과 접하는 상기 내벽에 요철면이 형성되고, 상기 복사열 흡수 코팅층에는 질소가 함유된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 벽체는 스테인리스 스틸로 이루어진다.
바람직하게, 상기 요철면의 요철 형상은 직사각형, 삼각형, 반원형 또는 사다리꼴형일 수 있고, 일정한 주기로 반복된다.
바람직하게, 상기 복사열 흡수 코팅층은 실리카(SiO2)를 기저로 하여, 흑연 분말이 분산된 구조를 가지며, 상기 질소는 기저에 함유된다.
바람직하게, 상기 질소는 상기 복사열 흡수 코팅제 중량 대비 1% 내지 3% 중량부로 함유된다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 단결정 제조장치는, 단결정이 성장되는 밀폐 공간을 제공하는 단결정 성장 챔버, 상기 챔버 내부에 설치되어 융액을 수용하는 석영 도가니, 석영 도가니를 회전 및 승하강시키는 도가니 회전수단, 석영 도가니 주위에 설치된 히터, 시드에 의해 석영 도가니에 수용된 융액으로부터 고액 계면을 통해 단결정 잉곳을 인상하는 단결정 인상수단 및 상기 융액으로부터 인상되는 단결정 잉곳이 통과하는 단결정 냉각관을 포함하는 단결정 제조장치에 있어서, 상기 냉각관은 마주보는 내벽과 외벽에 의해 냉매 순환 유로가 정의된 실린더형 벽체; 및 상기 내벽에 접합된 복사열 흡수 코팅층을 구비하고, 상기 복사열 흡수 코팅층과 접하는 상기 내벽에 요철면이 형성되고, 상기 복사열 흡수 코팅층에는 질소가 함유된 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 단결정 냉각관의 구조를 개선함으로써 단결정 잉곳에서 발산되는 복사열의 흡수율을 증가시켜 단결정 잉곳의 냉각 효율을 향상시킬 수 있다. 단결정 잉곳의 냉각 효율이 향상되면 단결정의 성장속도를 증대시킬 수 있어 단결정의 생산수율을 향상시킬 수 있는 효과도 기대할 수 있다. 또한, 냉각관의 수명을 증가시켜 단결정의 제조 비용을 줄일 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자의 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 단결정 제조장치의 개략적인 구성을 도시한 장치 단면도이다.
도 2을 참조하면, 본 발명에 따른 단결정 제조장치는, 단결정 잉곳이 성장되는 밀폐 공간을 제공하는 성장 챔버(10), 상기 챔버(10) 내부에 설치되며 고온으로 용융된 융액(M)이 수용되는 석영 도가니(20), 상기 석영 도가니(20)의 외주면을 감싸며 석영 도가니(20)를 일정한 형태로 지지하는 도가니 하우징(30), 상기 도가니 하우징(30) 하단에 설치되어 하우징(30)과 함께 석영 도가니(20)를 회전시키면서 석영 도가니(20)를 상승 또는 하강시키는 도가니 회전수단(40), 상기 도가니 하우징(30)의 측벽으로부터 일정 거리 이격되어 석영 도가니(20)를 가열하는 히터(50), 상기 히터(50)의 외곽에 설치되어 히터(50)로부터 발생하는 열이 외부로 유출되는 것을 방지하는 단열수단(60), 종자결정인 시드(seed)를 이용하여 상기 석영 도가니(20)에 수용된 실리콘 융액(M)으로부터 실리콘 단결정 잉곳(IG)을 일정 방향으로 회전시키면서 인상하는 단결정 인상수단(미도시), 고액 계면의 온도 구배 제어를 위해 잉곳(IG)으로부터 방출되는 열의 외부 방출을 차폐하고 융액(M)과 멜트 갭을 형성하는 열실드 수단(70), 잉곳(IG)의 외주면을 따라 융액(M)의 상부 표면으로 불활성 가스(예컨대, Ar 가스)를 공급하는 불활성 가스 공급수단(미도시) 및 단결정 인상수단(미도시)에 의해 인상되는 단결정 잉곳(IG)을 냉각시키는 냉각관(80)을 포함한다. 여기서, 냉각관(80)을 제외한 나머지 구성 요소들은 본 발명이 속한 기술분야에서 잘 알려진 CZ 법을 이용한 단결정 제조장치의 통상적인 구성 요소이므로 각 구성 요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 실시예에서, 상기 융액(M)은 다결정 실리콘(poly silicon)과 불순물(dopant)을 융해시킨 실리콘 융액이다. 하지만, 본 발명은 융액(M)의 종류에 의해 한정되지 않는다. 따라서 CZ 법에 의해 성장시키는 단결정의 종류에 따라 융액(M)의 종류와 조성이 달라짐은 자명하다.
본 발명에 따른 단결정 제조장치는, 상술한 구성 요소에서 냉각관(80)의 구조를 개선하여 단결정 잉곳(IG)으로부터 발산되는 복사열을 보다 더 효과적으로 흡수함으로써 단결정 잉곳(IG)의 냉각 효율을 향상시키는 것에 특징이 있다. 이하, 본 발명의 실시예에 따른 냉각관(80)을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 단결정 냉각용 냉각관(80)의 구조를 도시한 단면도이고, 도 4는 도 3의 A 부분을 확대하여 도시한 확대 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 냉각관(80)은 스테인리스 스틸과 같은 불투명한 금속성 재질로 이루어지고 상부와 하부가 개방된 실린더 형상의 벽체(81)와, 벽체(81)의 내, 외부에 코팅된 복사열 흡수 코팅층(82)을 포함한다.
상기 벽체(81)는 외벽(84)과 내벽(85)으로 이루어져 냉매 순환 유로(86)를 정의하고, 냉매 유입구(83)와 냉매 유출구(87)를 구비한다. 상기 냉매 유입구(83)로 유입된 냉매(예컨대, 냉각수)는 상기 냉매 순환 유로(86)를 통해 흐르면서 복사열 흡수 코팅층(82)을 통해 유입되는 열을 흡수한 후 냉매 유출구(87)로 배출된다. 이러한 냉매의 유입과 배출은 냉매 순환 펌프(미도시)에 의해 이루어진다. 외부로 배출된 냉매는 열 방출기(미도시)에서 재 냉각된 후 다시 냉매 유입구(83)로 유입된다.
상기 벽체(81)의 외벽(84) 및 내벽(85)과 복사열 흡수 코팅층(82)이 접하는 표면에는 요철면(89)이 구비된다. 선택적으로, 상기 외벽(84)은 단결정 잉곳(IG)과 대향하지 않으므로 요철면(89)이 구비되지 않아도 무방하다. 상기 요철면(89)은 벽체(81)의 외부 표면적을 증가시켜 벽체(81)와 복사열 흡수 코팅층(82) 간의 접착력을 증대시킨다. 상기 요철면(89)의 패턴은 벽체(81)의 기계적 강도를 저하시키지 않으면서 표면적을 증가시킬 수 있다면 어떠한 형태라도 가능하다. 일 예로, 상기 요철면(89)의 패턴은 삼각형, 직사각형, 반원형, 사다리꼴형 등의 형상을 가질 수 있고, 각 패턴은 일정한 주파수를 가지고 반복되거나 불규칙하게 배열될 수 있다. 상기 요철면(89)의 패턴은 샌드 블러스트(sand-blast) 처리에 의해 형성 가능하다. 대안적으로, 상기 요철면(89)의 패턴은 적외선 레이저 가공이나, 에칭 가공에 의해 형성하는 것도 가능하다. 또 다른 대안으로, 상기 요철면(89)의 패턴은 상기한 방법들을 조합하여 형성할 수 있다. 일 예로, 에칭에 의해 조대한 요철 패턴을 형성한 후 샌드 블러스트 처리를 한번 더 시행하여 미세 요철 패턴을 더 형성할 수 있다. 하지만 본 발명은 요철면(89)의 구체적인 패턴 형성 방법에 의해 한정되지 않 는다.
상기 복사열 흡수 코팅층(82)은 단결정 잉곳(IG)으로부터 발생되는 고온의 복사열이 냉각관(80)의 벽체(81) 표면에서 반사되는 것을 최소화하고 흡수율을 증대시킨다. 이에 따라, 단결정 잉곳(IG)에서 발산되는 복사열이 냉매 순환 유로(86)를 유동하는 냉매에 효과적으로 전달되어 단결정 잉곳(IG)의 냉각 속도를 향상시킬 수 있다. 단결정 잉곳(IG)의 냉각 속도가 향상되면 무결함 공정 마진 내에서 단결정 잉곳(IG)의 인상속도를 향상시킬 수 있다.
상기 복사열 흡수 코팅층(82)은 실리카(SiO2), 흑연 및 이소프로필 알코올(IPA : Isopropyl alcohol)이 혼합된 조성을 갖는 복사열 흡수 코팅제로 이루어진다. 상기 복사열 흡수 코팅제는 실리카 10 ~ 15중량퍼센트, 흑연 5 ~10중량퍼센트, 이소프로필 알코올 75 ~85중량퍼센트를 혼합하여 제조한다.
여기서, 흑연은 5 ~ 10중량퍼센트를 사용하고 있는데, 이는 흑연의 복사열 흡수율을 상승시키기 위한 것으로 흑연이 5중량퍼센트 미만이면, 흡수율 상승을 위해 코팅층의 두께가 두꺼워져야 하며 이로 인해 단결정 제조장치 내부에서 고온과 저온 공정의 반복에 따른 열응력에 의해 표면박리 현상 등이 발생할 우려가 있다. 반면, 흑연이 10중량퍼센트 이상이면 그에 대응하여 실리카나 이소프로필 알코올의 비율이 낮아져야 하며, 이는 코팅층의 접착력 감소를 발생시켜 코팅층의 안정성을 떨어뜨리는 요인으로 작용하게 된다.
또한, 실리카는 10 내지 15중량퍼센트를 사용하고 있는데, 이는 코팅층의 접착력을 일정 이상으로 확보하기 위한 것이다. 또한, 이소프로필 알코올은 75 내지 85중량퍼센트를 사용하고 있는데, 이는 코팅층이 균일하게 도포되도록 코팅제의 점도를 적절하게 유지하기 위한 것이다.
상기 복사열 흡수 코팅층(82)은 다음과 같은 제조 공정을 거쳐 냉각관(80)의 외부 표면에 도포된다.
먼저, 실리카, 흑연 및 이소프로필 알코올이 혼합된 복사열 흡수 코팅제를 준비한다. 그런 다음, 상기 냉각관(80)의 외부 표면에 코팅제를 도포한다.
여기서, 복사열 흡수 코팅제에는 이소프로필 알코올이 첨가됨으로써 코팅을 실시할 수 있는 방법이 다양하게 적용될 수 있다. 즉, 붓을 이용한 칠, 분사기를 이용한 도포, 용기를 이용한 디핑(dipping)과 같은 모든 방법이 적용가능하며, 이러한 방법들은 코팅하고자 하는 부위 또는 부품의 크기에 따라 효율적으로 적용될 수 있다.
냉각관(80)의 외부 표면에 코팅제의 도포가 완료된 후에는 일정 시간동안 자연건조 과정을 거친다. 그러면 코팅제가 경화되어 냉각관(80)의 표면에 복사열 흡수 코팅층(82)이 형성된다. 이어서, 자연건조된 복사열 흡수 코팅층(82)을 질소가 첨가된 불활성 분위기에서 열처리한다. 열처리는 500℃ 내지 800℃의 온도에서 질소가 10 ~ 30% 첨가된 불활성 분위기에서 진행한다. 열처리가 시행되면 상기 복사열 흡수 코팅층(82)에 질소가 1 ~ 3%중량부로 첨가되어 코팅층의 강도가 증가되고, 복사열 흡수 코팅층(82)의 기질(matrix)인 실리카의 투명도를 저하시켜 단결정 잉곳(IG)에서 발산되는 복사열의 흡수율을 증가시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 냉각관(80)은 벽체(81) 표면에 요철 면(89)이 형성되어 있으므로 벽체(81)와 복사열 흡수 코팅층(82) 간의 접착력을 향상시킬 수 있고 열응력에 의한 복사열 흡수 코팅층(82)의 박리 현상을 억제하여 냉각관(80)의 사용 수명을 증대시킬 수 있다. 또한, 복사열 흡수 코팅층(82)에 질소가 첨가되어 있어 복사열 흡수 코팅층(82)의 투명도가 저하되어 복사열의 흡수율을 증가시켜 단결정 잉곳(IG)의 인상속도를 향상시키는 것이 가능하다. 또한, 복사열 흡수 코팅층(82)에 첨가된 질소는 복사열 흡수 코팅층(82)의 강도를 증대시켜 열응력에 대한 복사열 흡수 코팅층(82)의 내성을 강화시킨다. 복사열 흡수 코팅층(82)의 내성이 강화되면 그 만큼 냉각관(80)의 수명을 증가시킬 수 있다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술된 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1은 종래의 단결정 냉각관을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 단결정 제조장치의 개략적인 구성을 도시한 장치 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 단결정 냉각관)의 구조를 상세히 도시한 단면도이다.
도 4는 도 3의 A 부분을 확대하여 도시한 확대 단면도이다.
<도면의 주요 참조부호에 대한 설명>
M : 실리콘 융액 IG : 단결정 잉곳
10 : 챔버 20 : 석영 도가니
30 : 도가니 하우징 40 : 도가니 회전수단
50 : 히터 60 : 단열수단
70 : 단결정 인상수단 80 : 냉각관
81 : 벽체 82 : 복사열 흡수 코팅층
83 : 유입구 84 : 외벽
85 : 내벽 86 : 유로
87 : 유출구 88 : 공간
89 : 요철면

Claims (12)

  1. 마주보는 내벽과 외벽에 의해 냉매 순환 유로가 정의된 실린더형 벽체; 및
    상기 내벽에 접합된 복사열 흡수 코팅층을 구비하고,
    상기 복사열 흡수 코팅층과 접하는 상기 내벽의 표면에 요철면이 형성되고, 상기 복사열 흡수 코팅층에는 질소가 함유된 것을 특징으로 하는 단결정 냉각관.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 벽체는 스테인리스 스틸로 이루어진 것을 특징으로 하는 단결정 냉각관.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 요철면의 요철 형상은 직사각형, 삼각형, 반원형 또는 사다리꼴형인 것을 특징으로 하는 단결정 냉각관.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 요철 형상은 일정한 주기로 반복되는 것을 특징으로 하는 단결정 냉각관.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 복사열 흡수 코팅층은 실리카(SiO2)를 기저로 하여, 흑연 분말이 분산된 구조를 가지며, 상기 질소는 기저에 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 단결정 냉각관.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 질소는 상기 복사열 흡수 코팅제 중량 대비 1% 내지 3% 중량부로 함유된 것을 특징으로 하는 단결정 냉각관.
  7. 단결정이 성장되는 밀폐 공간을 제공하는 단결정 성장 챔버, 상기 챔버 내부에 설치되어 융액을 수용하는 석영 도가니, 석영 도가니를 회전 및 승하강시키는 도가니 회전수단, 석영 도가니 주위에 설치된 히터, 시드에 의해 석영 도가니에 수용된 융액으로부터 고액 계면을 통해 단결정 잉곳을 인상하는 단결정 인상수단 및 상기 융액으로부터 인상되는 단결정 잉곳이 통과하는 단결정 냉각관을 포함하는 단결정 제조장치에 있어서,
    상기 냉각관은 마주보는 내벽과 외벽에 의해 냉매 순환 유로가 정의된 실린더형 벽체; 및 상기 내벽에 접합된 복사열 흡수 코팅층을 구비하고,
    상기 복사열 흡수 코팅층과 접하는 상기 내벽의 표면에 요철면이 형성되고, 상기 복사열 흡수 코팅층에는 질소가 함유된 것을 특징으로 하는 단결정 제조장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 벽체는 스테인리스 스틸로 이루어진 것을 특징으로 하는 단결정 제조장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 요철면의 요철 형상은 직사각형, 삼각형, 반원형 또는 사다리꼴형인 것을 특징으로 하는 단결정 제조장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 요철 형상은 일정한 주기로 반복되는 것을 특징으로 하는 단결정 제조장치.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 복사열 흡수 코팅층은 실리카(SiO2)를 기저로 하여, 흑연 분말이 분산된 구조를 가지며, 상기 질소는 기저에 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 단결정 제조장치.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 질소는 상기 복사열 흡수 코팅제 중량 대비 1% 내지 3% 중량부로 함유된 것을 특징으로 하는 단결정 제조장치.
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