WO1999046961A1 - Procede de fabrication d'un dispositif organique electroluminescent - Google Patents

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Tatsuya Shimoda
Hiroshi Kiguchi
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Definitions

  • an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an organic EL display device, in which a method for patterning an electrode and a light emitting layer is extremely simple, and a method for manufacturing the organic EL display device in which all light is emitted in the viewing direction without waste. It is in. Means for Solving the Problem 1.
  • the method for manufacturing an organic EL display device according to the present invention is the same as the method for manufacturing an organic EL display device used for simple matrix driving, except that a light-to-heat conversion layer After the propagation layer is formed, the cathode layer is formed, the light-emitting layer is formed next, the hole-injecting adhesive layer is formed next, and then the film on which the multi-layer is formed is stored.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the organic EL display device of Example 4.
  • a chlorofilm solution of PPP was set to 60 nm (FIG. 11).
  • the film thus produced was attached to a transparent glass substrate with a cathode made of aluminum and lithium alloy, which had been subjected to laser and laser polishing of 256 stripes (Fig. 12).
  • the film was patterned into 64 stripes by a YAG laser 9 so as to intersect the stripe pattern of IT0 (Fig. 13).
  • an organic EL substrate of 256 ⁇ 64 pixels having the structure shown in FIG. 14 was completed.
  • Fig. 11 a chlorofilm solution of PPP
  • a drive driver and a controller are connected to this organic EL substrate, and a transparent protective substrate is attached with an epoxy-based thermosetting sealant. It was cured and sealed.
  • a driving power supply and a signal were input to the display device thus manufactured, a moving image could be displayed.
  • the luminous efficiency was 31 m / W.
  • the materials and methods used in this example can be those shown in Example 1.
  • the xylene solution was applied to an ink jet in the form of a strip and dried.
  • PVV was dissolved in a solvent and coated and dried to a thickness of 60 nm (FIG. 22).
  • the film produced in this way was laser-coated into 256 stripes on a transparent glass substrate with an aluminum-lithium alloy cathode 4 with a light-emitting layer in the cathode direction. It was pasted according to the direction (Fig. 23).
  • a pattern of 64 stripes was formed from the film side with a YAG laser 17 so as to cross the stripe pattern of the cathode 2 (Fig. 24).

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

明細書 有機 E L表示装置の製造方法 技術分野
本発明は、 自発光型単純マ ト リ クス駆動型中容量または大容量モ ノ クロまたはカラーディ スプレイあるいはカムコーダやデジ夕ルカ メ ラのビューファンダ一等に用いる有機 E L表示装置の製造方法に 関する。 背景技術
従来、 単純マ ト リ ックス有機 E L表示装置においてはその陰極の パターニングが難しいことが指摘されている。 これは陰極の下地に なる有機層が溶媒に侵されやすいことに起因する。 そこで今までこ のような問題を解決すべく、 陰極パターニング技術が開発されてい る。 例えば、 特開平 8— 2 2 7 2 7 6 に示されているようなフイ ジ カルマスクを用いて R G B 3色打ち分ける方法、 またアメ リ カ特許 5 2 9 4 8 6 9 に示されているように陰極分離隔壁をあらかじめ作 つておき、 陰極蒸着時に陰極を同時にパターニングする方法などで める。 また従来、 アプライ ドフ ィ ジッ クスレターズ 1 9 8 7年 9月 2 1 日号 5 1巻 9 1 3ページに示されているように、 ガラス基板上に 透明電極を形成した構造の有機 E L素子が主流で、 発光をガラス基 板越しに取り出していた。 しかし、 フィ ジカルマスクを用いる方法では、 高精細化するにも 限度があ り、 位置合わせも困難である。 また、 陰極分離隔壁を用い る場合には陰極分離隔壁の形成にエッチングプロセスを用いるため. プロセスが複雑になる。 また、 ガラス基板越しでの出射になるため、 基板面内方向への光 漏れが多く な り、 全発光の内 2 0 %しか利用できなかった。
発明の開示
そこで本発明の目的は、 有機 E L表示装置の製造方法において、 極めて簡便に電極および発光層をパターニングする方法を提供し、 また全発光を無駄無く視野方向に出射させられる製造方法を提供す るところにある。 問題を解決するための手段の 1 . 本発明の有機 E L表示装置の製 造方法は、 単純マ ト リ ックス駆動に用いる有機 E L表示装置の製造 方法において、フィルム上に光—熱変換層および熱伝播層を形成し、 次に陰極層を形成し、 次に発光層を重ねて形成し、 次に正孔注入性 接着層を重ねて形成した後、 この多重層を形成したフ ィルムをス ト ライ プパ夕一ニングした I T◦付き基板上に貼り付け、 その後フィ ルム裏面から レーザ一を陰極形状を形成するように照射するこ とに よ り前記多重層を基板上に転写し、 さらにフィルムを取り除き、 前 記多重層を転写した基板に駆動手段を接続し、 封止処理を施したこ とを特徴とする。 この構成によれば、 極めて不安定でパ夕一ニング しに く い陰極をレーザーで容易に有機 E L層転写と同時にパター二 ングできる。 問題を解決するための手段の 2 . また本発明の有機 E L表示装置 の製造方法は、 単純マ ト リ ツクス駆動に用いる有機 E L表示装置の 製造方法において、 フィルム上に光一熱変換層および熱伝播層を形 成し、 次に陰極層を形成し、 次に電界発光性接着層を重ねて形成し た後、 この多重層を形成したフィルムをス トライ プパ夕一ニングし た I T 0付き基板上に貼り付け、 その後フィルム裏面から レーザ一 を陰極形状を形成するように照射することによ り前記多重層を基板 上に転写し、 さらにフィルムを取り除き、 前記多重層を転写した基 板に駆動手段を接続し、 封止処理を施したことを特徴とする。 この 構成によれば、 簡単な構成で極めて不安定でパターニングしに く い 陰極をレーザ一で容易に有機 E L層転写と同時にパ夕一ニングでき る。 問題を解決するための手段の 3 . また問題を解決するための手段 の 1の発光層と陰極層の間、 または問題を解決するための手段の 2 の電界発光性接着層と前記陰極層の間に電子注入層を形成したこと を特徴とする。 これによ り、 上記構成において発光効率を改善する ことができる。 問題を解決するための手段の 4 . 単純マ ト リ ックス駆動に用いる 有機 E L表示装置の製造方法において、 フィルム上に光—熱変換層 および熱伝播層を形成し、 次に陽極層を形成し、 次に発光層を重ね て形成し、 次に電子注入機能付き接着層を重ねて形成した後、 この 多重層を形成したフィルムを、 パターニングした陰極付き基板上に 貼り付けて、 その後フィルム裏面から レーザ一を陽極形状を形成す るように照射して、 次にフィルムを取り除き、 前記多重層を転写し た基板に駆動手段を接続し、 封止処理を施したこ とを特徴とする。 この構成によれば、 パターニングしに く い陰極をガラス基板上に形 成した後にレーザ一などによ り容易にパターニングでき、 さらにそ の後の有機 E L層転写時に陽極も同時にパ夕一ニングできる。 また さらにこの構成によれば、 有機発光層からの発光がガラス基板越し ではなく、 直接外部に取り 出せるので損失が無く、 明るさを向上で きる o 問題を解決するための手段の 5 . 単純マ ト リ ックス駆動に用いる 有機 E L表示装置の製造方法において、 フィルム上に光一熱変換層 および熱伝播層を形成し、 次に陽極層を形成し、 次に正孔注入層を 形成し、 次に電界発光性接着層を形成した後、 この多重層を形成し たフィルムを、 パターニングした陰極付き基板上に貼り付けて、 そ の後フィルム裏面から レーザーを陽極形状を形成するように照射し て、 次にフ ィ ルムを取り除き、 前記多重層を転写した基板に駆動手 段を接続し、 封止処理を施したこ とを特徴とする。 この構成によれば、 パターニングしにく い陰極をガラス基板上に 形成した後にレーザーなどによ り容易にパターニングでき、 さ らに その後の有機 E L層転写時に陽極も同時にパ夕一ニングできる。 ま た接着層に発光機能を兼ねさせられるので製造工程が簡略化できる またさらにこの構成によれば、 有機発光層からの発光がガラス基板 越しではなく、 直接外部に取り出せるので損失が無く、 明るさを向 上できる。 問題を解決するための手段の 6 . さらに前記発光層または電界発 光性接着層を、 イ ンクジェッ トヘッ ドで異なる色に発光する発光物 質をそれそれ塗布することによ り形成したことを特徴とする。 この 手段によれば、 あらかじめ異なる色の発光層をフィルム上に容易に 形成できるため、 極めて容易に力ラー単純マ ト リ ヅ クスディスプレ ィ を作製するこ とができる。 問題を解決するための手段の 7 . さらに前記発光層をイ ンクジェ ッ トヘッ ドを用いて塗布する前に、 各色領域の間にイ ンク分離手段 を施したこ とを特徴とする。 これによ り、 各色発光層をイ ンクジェ ッ トへッ ドで製膜するする際、 隣り合う画素に染み出すことなくス トライ プ状に発光層を形成することができる。
図面の簡単な説明
第 1図は、 実施例 1の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面図 である。 第 2図は、 実施例 1 の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面図 である。 第 3図は、 実施例 1の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面図 である。
第 4図は、 実施例 1の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面図 である。
第 5図は、 実施例 1の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面図 である。
第 6図は、 実施例 1の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面図 である。
第 7図は、 実施例 1の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面図 である。
第 8図は、 実施例 3の有機 E L表示装置の断面図である。 第 9図は、 実施例 4の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面図 である。
第 1 0図は、 実施例 4の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面 図である。
第 1 1図は、 実施例 4の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面 図である。
第 1 2図は、 実施例 4の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面 図である。
第 1 3図は、 実施例 4の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面 図である。
第 1 4図は、 実施例 4の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面 図である。
第 1 5図は、 実施例 4の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面 図である。 第 1 6図は、 実施例 4の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面 図である。
第 1 7図は、 実施例 4の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面 図である。
第 1 8図は、 実施例 4の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面 図である。
第 1 9図は、 実施例 5の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面 図である。
第 2 0図は、 実施例 5の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面 図である。
第 2 1図は、 実施例 5の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面 図である。
第 2 2図は、 実施例 5の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面 図である。
第 2 3図は、 実施例 5の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面 図である。
第 2 4図は、 実施例 5の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面 図である。
第 2 5図は、 実施例 5の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面 図である。
第 2 6図は、 実施例 6の有機 E L表示装置の製造工程を示す断面 図である。 発明を実施するための最良の形態
(実施例 1 ) 本実施例では、 単純マ ト リ ックス駆動に用いる有機 E L表示装置 の製造方法において、 フィルム上に光一熱変換層および熱伝播層を 形成し、 次に陰極層を形成し、 次に発光層を重ねて形成し、 次に正 孔注入性接着層を重ねて形成した後、 この多重層を形成したフィル ムをス トライ プパターニングした I T 0付き基板上に貼り付け、 そ の後フィルム裏面からレーザ一を陰極形状を形成するように照射す ることによ り前記多重層を基板上に転写し、 さ らにフィルムを取り 除き、 前記多重層を転写した基板に駆動手段を接続し、 封止処理を 施した例を示す。 本発明の有機 E L表示装置の製造方法を示す簡単 な断面図を図 1から図 6に示す。 まずべ一スフイリレム 1 として 0. 1 mm厚のポリエチレンテレフ 夕レー ト フ ィルムを用い、 このフィルムにレーザ一光を熱に変換す る層 2としてカーボン粒子を混合した熱硬化型エポキシ樹脂を 5 ミ クロンの厚みにコーティ ングして室温硬化した。 次に熱伝播および 剥離層 3として、 ポリ ひメチルスチレン膜を 1 ミクロンの厚みにコ —ティ ングして形成し、その表面に、陰極層 4と してアルミニウム ： リチウム （ 1 0 ： 1 ) を 2 0 0 nmの厚みに蒸着した （図 1 )。 次に発光層 5として A l q 3
Figure imgf000009_0001
&
を 7 O n mの厚みに蒸着した（図 2 )。 次に正孔注入性接着層 6 と して、 N P D
Figure imgf000010_0001
とポリ ビニルカルバゾールの混合物を溶媒に溶かしてコーティ ング 乾燥し、 6 0 n mと した（図 3 )。 こう して作製したフィルムを 2 5 6本のス トライ プをバタ一ニン グした I T 0 7付き透明ガラス基板 8 に貼り付けた（図 4 )。 次に、 フィルム側から 1 3 Wの Y A Gレーザ一 9 にて、 I T 0の ス トライ プパターンに対して交わるように 6 4本のス トライ プ状に パターニングした（図 5 )。 次にフ ィルムを剥がすと、 図 6 に示したような構造の 2 5 6 6 4画素の有機 E L基板が出来上がった。 次に、 図 7 に示したように、 この有機 E L基板 1 1 に駆動用 ドラ ィパー 1 4、 1 5およびコン トローラ 1 6 を接続して、 透明な保護 基板を紫外線硬化型封止剤 1 3で貼り付けて、 保護基板側から紫外 線を照射して硬化封止した。 こう して作製した表示装置に駆動用電 源および信号を入力したところ、 動画表示を行う ことができた。 本実施例で用いる転写用フィルムはポリエステルの他、 ポリカー ボネー ト、 ポリエ一テルスルホン、 など、 大抵の樹脂を用いること ができる。 本実施例で用いる光—熱変換層の材料としては、 カーボン練り込 み樹脂の他、 レーザ一光を効率よ く熱に変換できる材料であれば同 様に用いるこ とができる。 本実施例で用いる熱伝播層としては、 ここに示したものの他、 電 極形成時の発熱に耐えう る低融点 （ 1 0 0 c近辺が望ま しい） の材 料であれば同様に用いるこ とができる。 本実施例で形成する陰極材料は、 アルミニウム、 リチウム、 マグ ネシゥム、 カルシウム、 およびこれらの合金やハロゲン化物などを 用いるこ とができる。 本実施例で用いる発光材料は、 キノ リ ン等の金属錯体、 ァゾメチ ン類の金属錯体、 共役低分子類、 および共役高分子類など、 有機 E L材料であれば用いることができる。また製膜方法も蒸着に限らず、 溶媒に溶かして塗布するこ ともできる。 本実施例で用いる正孔注入材料は N P Dの他、 ト リ フエニルアミ ン誘導体、 ポルフィ ン化合物、 ポリア二リ ンおよびその誘導体、 ポ リチォフエンおよびその誘導体等、 発光層と陽極を考慮して発光層 に正孔注入できる材料であれば用いることができる。 本実施例で接着層に用いる材料と しては、 正孔注入を妨げず、 レ —ザ一光による熱で溶融し、 I T 0およびガラスへの接着性の優れ る樹脂であれば用いるこ とができる。 本実施例で用いる封止剤と しては、 紫外線硬化型樹脂の他、 熱硬 化型樹脂も同様に用いるこ とができる。 その際、 保護基板は透明で なくてもよい。
(実施例 2 ) 本実施例では、 単純マ ト リ ックス駆動に用いる有機 E L表示装置 の製造方法において、 フィルム上に光一熱変換層および熱伝播層を 形成し、 次に陰極層を形成し、 次に電界発光性接着層を重ねて形成 1Q
した後、 この多重層を形成したフ ィルムをス トライプパ夕一ニング した I T 0付き基板上に貼り付け、 その後フィルム裏面からレーザ
—を陰極形状を形成するように照射することにより前記多重層を基 板上に転写し、 さらにフィルムを取り除き、 前記多重層を転写した 基板に駆動手段を接続し、 封止処理を施した例を示す。 まず実施例 1 と同様にべ一スフィルム上に光一熱変換層および熱 伝播層陰極を形成し、 次に電界発光性接着層として M E H— P P V
Figure imgf000012_0001
を、 クロ口ホルム溶液状態で製膜して乾燥し、厚み 7 0 n mとした。 こう して作製したフイルムを、 以下実施例 1 と同様に I T 0付き 透明ガラス基板に貼り付け、 ドライバ一回路を実装して封止して有 機 E L表示装置を完成した。 こう して作製した表示装置に駆動用電源および信号を入力したと ころ、 動画表示を行うことができた。
(実施例 3 ) 本実施例では、 実施例 1において陰極と発光層の間に電子注入層 を形成した例を示した。 本実施例の有機 E L表示装置の簡単な断面 を図 8に示した。 実施例 1 において、 陰極形成後に、 電子注入層 1 0 として Z n q 2 ^
Figure imgf000013_0001
を 2 O n mの厚みに蒸着した。 その後実施例 1 に従って発光層以下 の形成を行い、 有機 E L表示装置を作製した。 実施例 1での有機 E L表示装置では発光効率 2 l m / Wである一 方で本実施例では発光効率 2 . S l m Z Wであった。 本実施例で用いる電子注入材料としてはォキサジァゾール誘導体 の他、 ポリ フエ二レンビニレン誘導体、 A l q 3などの有機金属錯 体など、 陰極および発光層を考慮して電子注入できる材料であれば 用いることができる。 製膜方法については、 陰極を侵さない方法で あれば用いることができる。 本実施例は同様に実施例 2にも用いることができる。
(実施例 4 ) 本実施例では、 単純マ ト リ ックス駆動に用いる有機 E L表示装置 の製造方法において、 フィルム上に光一熱変換層および熱伝播層を 形成し、 次に陽極層を形成し、 次に発光層を重ねて形成し、 次に電 子注入機能付き接着層を重ねて形成した後、 この多重層を形成した フィルムを、 パターニングした陰極付き基板上に貼り付けて、 その 後フィルム裏面からレーザーを陽極形状を形成するように照射して. 次にフィルムを取り除き、 前記多重層を転写した基板に駆動手段を 接続し、 封止処理を施した例を示す。 本発明の有機 E L表示装置の 製造方法を示す簡単な断面図を図 9から図 1 4 に示す。 まずべ一スフイルムと して 0. 1 mm厚のポリカーボネー トフィ ルムを用い、 このフィルム 1に実施例 1に示した光一熱変換層 2お よび熱伝播層 3を形成し、 陽極層 7としてイ ンジウムチンォキサイ ドを 2 0 O nmの厚みにスパヅ夕 した （図 9 )。 次に正孔注入層 1 7と して MT DATA
Figure imgf000014_0001
を 1 5 nmの厚みに蒸着し、 次に NPDを 2 0 nmの厚みに蒸着し た。さらに発光層 5 として A l q 3を 70 nmの厚みに蒸着した（図
次に電子注入機能付き接着層 1 8として、 P PVのクロロフィル ム溶液を 6 0 n mと した（図 1 1 )。 こう して作製したフィルムを 2 5 6本のス トライ プをレーザ一で パ夕一ニングしたアルミニウムと リチウム合金の陰極付き透明ガラ ス基板に貼り付けた（図 1 2)。 次に、 フィルム側から Y A Gレ一ザ一 9 にて、 I T 0のス トライ プパターンに対して交わるように 6 4本のス トライ プ状にパター二 ングした（図 1 3 )。 次にフィルムを剥がすと、 図 1 4に示したような構造の 2 5 6 X 6 4画素の有機 E L基板が出来上がった。 次に、 図 7 に示したように、 この有機 E L基板に駆動用 ドライバ 一およびコン トロ一ラを接続して、 透明な保護基板をエポキシ系熱 硬化型封止剤で貼り付けて、 室温で硬化封止した。 こう して作製し た表示装置に駆動用電源および信号を入力したところ、 動画表示を 行う こ とができた。 また発光効率は 3 1 m / Wであった。 本実施例で用いる材料および方法には実施例 1 に示したものを用 いることができる。
(実施例 5 ) 本実施例では、 単純マ ト リ ックス駆動に用いる有機 E L表示装置 の製造方法において、 フィルム上に光一熱変換層および熱伝播層を 形成し、 次に陽極層を形成し、 次に正孔注入層を形成し、 次に電界 発光性接着層を形成した後、 この多重層を形成したフィルムを、 パ 夕一ニングした陰極付き基板上に貼り付けて、 その後フィルム裏面 から レーザ一を陽極形状を形成するように照射して、 次にフィルム を取り除き、 前記多重層を転写した基板に駆動手段を接続し、 封止 処理を施した例を示した。 本発明の有機 E L表示装置の製造方法を示す簡単な断面図を図 1 5 から図 1 8 に示す。 ベースフィルムに陽極および正孔注入層を 形成するまでは実施例 3 によった。 次に電界発光性接着層 1 9—とし て、 P P V
Figure imgf000016_0001
のクロ口ホルム溶液をコーティ ング乾燥し、 6 O nmと した（図 1
5 )。 こう して作製したフィルムを 2 5 6本のス トライプをレーザ一で パ夕一ニングしたアルミニウムと リチウム合金の陰極 4付き透明ガ ラス基板 8に貼り付けた（図 1 6 )。 次に、 フィルム側から 1 3Wの YAGレーザー 9にて、 I T Oの ス トライプパターンに対して交わるように 64本のス トライプ状に パターニングした（図 1 7)。 次にフィルムを剥がすと、 図 1 8に示したような構造の 2 5 6
6 4画素の有機 E L基板が出来上がつた。 次に、 図 7に示したように、 この有機 E L基板に駆動用 ドライバ —およびコン トローラを接続して、 保護基板を紫外線硬化型封止剤 で貼り付けて、 背面から紫外線を照射して硬化封止した。 こう して 作製した表示装置に駆動用電源および信号を入力したところ、 動画 表示を行うことができた。 また発光効率は 3. 5 1 m/Wであった。 本実施例で用いる材料および方法には実施例 1に示したものを用 いることができる。
(実施例 6) 本実施例では、 実施例 4において発光層を形成する際に、 前記発 光層を、 赤、 緑、 青に発光する発光物質を溶媒に溶かしてイ ンクジ エツ トへッ ドを用いてそれそれ塗布して形成した例を示す。 本発明 W 9 69
15
の有機 E L表示装置の製造方法を示す簡単な断面図を図 1 9から図 2 5に示す。 まずフィルム上に陰極を形成するまでは実施例 4によった。 次に図 1 9に示すよう に、 赤発光層 2 1と して ME H— P PVの キシレン溶液をイ ンクジェヅ トへッ ド 2 0でス トライ ブ状に塗布し て乾燥し、 次に図 2 0に示すように、 その隣に緑発光層 2 2として P P Vのキシレン溶液をイ ンクジェヅ トへヅ ドでス トライ プ状に塗 布して乾燥し、 次に図 2 1に示すように、 前記 ME H— P PVと P P V誘導体の間に青発光層 2 3としてフルオレン化合物
Figure imgf000017_0001
のキシレン溶液をイ ンクジヱッ トへヅ ドでス トライ プ状に塗布して 乾 した。 次に電子注入性接着層 1 8と して、 P PVを溶媒に溶かしてコ一 ティ ング乾燥し、 厚み 6 0 n mとした（図 2 2 )。 こう して作製したフィルムを、 レーザーで 2 5 6本のス トライ プ にパ夕一ニングしたアルミニウム リチウム合金の陰極 4付き透明ガ ラス基板 8に発光層のス トライ プ方向を陰極のス トライ ブ方向に合 わせて貼り付けた（図 2 3)。 次に、 フィルム側から Y A Gレーザ一 7にて、 陰極 2のス トライ プパターンに対して交わるように 6 4本のス トライ プ状にパター二 ングした（図 2 4)。 次にフ ィルムを剥がすと、 図 2 5 に示したような構造の 2 5 6 X 6 4画素の有機 E L基板が出来上がった。 次に、 図 7に示したように、 この有機 E L基板に駆動用 ドライバ 一およびコン トローラを接続して、 保護基板をエポキシ系熱硬化型 封止剤で陽極上に貼り付けて、 駆動用電源および信号を入力したと ころ、 動画表示ができた。 本実施例で用いる材料、 製造条件には実施例 4 に示されたものを そのまま用いることができる。 本実施例では実施例 4の構成に沿って実施したが、 他の実施例の 発光層または電界発光性接着層の製膜にも同様に応用できる。
(実施例 Ί ) 本実施例では、 実施例 6 において、 フ ィルム上に陰極を形成する 前に発光層の分離隔壁を形成した例を示す。 図 2 6 に示すように実 施例 5で用いるフィルムに熱硬化性ポリイ ミ ドをスク リーン印刷に よ り、 各色発光層の間の幅の隔壁 2 4を印刷し、 加熱硬化した。 そ の後実施例 6 に示した方法によ り、 有機 E L表示装置を完成した。 こう して作製した表示装置を用いてカラー表示したところ、 発色 の交じ りが無く、 極めて色鮮やかな表示を行う ことができた。 分離隔壁を形成する材料、 方法はここに示したものに限らず、 図 2 6 に示した構造を作製できるなら、 他の材料および方法を用いる ことができる。 ここでは各色発光層の分子手段として隔壁構造を用いたが、 電極 形成後画素間にィ ンクを撥く処理を施してもよい。
産業上の利用可能性 従来極めて化学的に不安定な陰極をパターニングすることは難し かったが、 本願によれば、 この陰極パターニングを容易に行う こ と ができる。 また素子構造が従来と逆となる構成も可能にな り、 ガラ ス基板越しに発光を取り出す場合に生じる導光効果による光の損失 を押さえることができる。 その結果、 発光効率の高い有機 E Lディ スプレイ を簡単な方法で安価に作製するこ とができるようになった

Claims

請求の範囲
1 . 単純マ ト リ ックス駆動に用いる有機 E L表示装置の製造方法に おいて、 フ ィ ルム上に光—熱変換層および熱伝播層を形成し、 次に 陰極層を形成し、 次に発光層を重ねて形成し、 次に正孔注入性接着 層を重ねて形成した後、 この多重層を形成したフィルムをス トライ プパターニングした I T 0付き基板上に貼り付け、 その後フィルム 裏面から レーザ一を陰極形状を形成するよう に照射することによ り 前記多重層を基板上に転写し、 さらにフ ィ ルムを取り除き、 前記多 重層を転写した基板に駆動手段を接続し、 封止処理を施したことを 特徴とする有機 E L表示装置の製造方法。
2 . 単純マ ト リ ックス駆動に用いる有機 E L表示装置の製造方法に おいて、 フ ィ ルム上に光一熱変換層および熱伝播層を形成し、 次に 陰極層を形成し、 次に電界発光性接着層を重ねて形成した後、 この 多重層を形成したフ ィ ルムをス トライ プパターニングした I T O付 き基板上に貼り付け、 その後フ ィ ルム裏面から レーザ一を陰極形状 を形成するように照射することによ り前記多重層を基板上に転写し. さらにフ ィ ルムを取り除き、 前記多重層を転写した基板に駆動手段 を接続し、 封止処理を施したことを特徴とする有機 E L表示装置の 製造方法。
3 . 前記陰極層または前記電界発光性接着層と、 前記発光層の間に 電子注入層を形成したことを特徴とする請求の範囲第 1項又は第 2 項に記載の有機 E L表示装置の製造方法。
4 . 単純マ ト リ ックス駆動に用いる有機 E L表示装置の製造方法に おいて、 フ ィ ルム上に光一熱変換層および熱伝播層を形成し、 次に 陽極層を形成し、 次に正孔注入層を形成し、 次に発光層を重ねて形 成し、 次に電子注入性接着層を重ねて形成した後、 この多重層を形 成したフィルムを 、 '夕一ニングした陰極付き基板上に貼り付けて、 その後フ ィ ルム裏面から レーザーを陽極形状を形成するように照射 して、 次にフ ィ ルムを取り除き、 前記多重層を転写した基板に駆動 手段を接続し、 封止処理を施したことを特徴とする有機 E L表示装 置の製造方法。
5 . 単純マ ト リ ックス駆動に用いる有機 E L表示装置の製造方法に おいて、 フィルム上に光一熱変換層および熱伝播層を形成し、 次に 陽極層を形成し、 次に正孔注入層を形成し、 次に電界発光性接着層 を形成した後、 この多重層を形成したフ ィ ルムを、 パターニングし た陰極付き基板上に貼り付けて、 その後フ ィ ルム裏面から レーザ一 を陽極形状を形成するように照射して、 次にフ ィ ルムを取り除き、 前記多重層を転写した基板に駆動手段を接続し、 封止処理を施した ことを特徴とする有機 E L表示装置の製造方法。
6 . 前記発光層または電界発光性接着層を、 イ ンクジェ ッ トヘッ ド で異なる色に発光する発光物質をそれそれ塗布することによ り形成 したことを特徴とする請求の範囲第 1項、 第 2項、 第 4項又は第 5 項に記載の有機 E L表示装置の製造方法。
7 . 前記発光層または電界発光性接着層をィ ンクジエツ トへッ ドで 塗布する前に、 各色領域の間にイ ンク分離手段を施したことを特徴 とする請求の範囲第 6項に記載の有機 E L表示装置の製造方法。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6194119B1 (en) 1999-01-15 2001-02-27 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element and process for forming organic electroluminescent devices
WO2001024585A1 (en) * 1999-09-30 2001-04-05 Seiko Epson Corporation Large el panel and production method therefor
US6228555B1 (en) 1999-12-28 2001-05-08 3M Innovative Properties Company Thermal mass transfer donor element
US6284425B1 (en) 1999-12-28 2001-09-04 3M Innovative Properties Thermal transfer donor element having a heat management underlayer
US6291126B2 (en) 1999-01-15 2001-09-18 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element and process for forming organic electroluminescent devices
US6358664B1 (en) 2000-09-15 2002-03-19 3M Innovative Properties Company Electronically active primer layers for thermal patterning of materials for electronic devices
US6855384B1 (en) 2000-09-15 2005-02-15 3M Innovative Properties Company Selective thermal transfer of light emitting polymer blends
US7670450B2 (en) 2006-07-31 2010-03-02 3M Innovative Properties Company Patterning and treatment methods for organic light emitting diode devices
CN114055970A (zh) * 2020-08-03 2022-02-18 湖南鼎一致远科技发展有限公司 可热转印的器件层结构和色带结构及其制备方法

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6165543A (en) * 1998-06-17 2000-12-26 Nec Corporation Method of making organic EL device and organic EL transfer base plate
US6436222B1 (en) * 2000-05-12 2002-08-20 Eastman Kodak Company Forming preformed images in organic electroluminescent devices
JP2002083691A (ja) 2000-09-06 2002-03-22 Sharp Corp アクティブマトリックス駆動型有機ｌｅｄ表示装置及びその製造方法
JP2002108250A (ja) 2000-09-29 2002-04-10 Sharp Corp アクティブマトリックス駆動型自発光表示装置及びその製造方法
US6797920B2 (en) 2000-12-20 2004-09-28 Daicel Chemical Industries, Ltd. Material for organic electroluminescent device and its manufacturing method
JP2002190386A (ja) * 2000-12-20 2002-07-05 Daicel Chem Ind Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその製造方法
JP2002222694A (ja) 2001-01-25 2002-08-09 Sharp Corp レーザー加工装置及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス表示パネル
JP2002240437A (ja) 2001-02-19 2002-08-28 Sharp Corp 薄膜形成用ドナーシートの製造方法、薄膜形成用ドナーシート及び有機エレクトロルミネッセンス素子
EP1237207B1 (en) 2001-03-02 2012-01-04 FUJIFILM Corporation Method for producing organic thin film device
JP2002343565A (ja) 2001-05-18 2002-11-29 Sharp Corp 有機ｌｅｄ表示パネルの製造方法、その方法により製造された有機ｌｅｄ表示パネル、並びに、その方法に用いられるベースフィルム及び基板
JP2002343564A (ja) 2001-05-18 2002-11-29 Sharp Corp 転写用フィルムおよびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
MXPA04001412A (es) * 2001-08-16 2004-07-15 3M Innovative Properties Co Metodo y materiales para moldear matriz amorfa, polimerizable con material electricamente activo dispuesto en la misma.
US6699597B2 (en) 2001-08-16 2004-03-02 3M Innovative Properties Company Method and materials for patterning of an amorphous, non-polymeric, organic matrix with electrically active material disposed therein
US6953735B2 (en) 2001-12-28 2005-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature
TWI258317B (en) 2002-01-25 2006-07-11 Semiconductor Energy Lab A display device and method for manufacturing thereof
US7241512B2 (en) 2002-04-19 2007-07-10 3M Innovative Properties Company Electroluminescent materials and methods of manufacture and use
GB0306409D0 (en) 2003-03-20 2003-04-23 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent device
JP2005032917A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Dainippon Printing Co Ltd 有機薄膜太陽電池の製造方法および転写シート
GB2412223B (en) * 2004-03-20 2008-10-22 Hewlett Packard Development Co Method of applying light filters and busbars to a display substrate
WO2005091062A1 (en) * 2004-03-20 2005-09-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Applying colour elements and busbars to a display substrate
JP4548153B2 (ja) * 2005-03-07 2010-09-22 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
DE102006013834A1 (de) * 2006-03-23 2007-09-27 Tesa Ag Elektrolumineszierende Haftklebemassen
JP4450006B2 (ja) 2007-04-02 2010-04-14 ソニー株式会社 転写用基板および有機電界発光素子の製造方法
JP2009048811A (ja) 2007-08-16 2009-03-05 Sony Corp 転写用基板および有機電界発光素子の製造方法
US8080811B2 (en) 2007-12-28 2011-12-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing evaporation donor substrate and light-emitting device
JP4502224B2 (ja) * 2008-01-15 2010-07-14 大日本印刷株式会社 パターン転写層を設けた有機ｅｌ転写体、有機ｅｌ被転写体および有機ｅｌ素子の製造方法
WO2009107548A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and manufacturing method of light-emitting device
US8182863B2 (en) 2008-03-17 2012-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition method and manufacturing method of light-emitting device
KR101629637B1 (ko) 2008-05-29 2016-06-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 성막방법 및 발광장치의 제조방법
CN104952702B (zh) * 2015-05-15 2017-11-28 张家港康得新光电材料有限公司 半导体器件及其制作方法
CN108878668A (zh) * 2018-07-04 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 背板及其制作方法、显示装置以及照明装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1012377A (ja) * 1996-06-19 1998-01-16 Seiko Epson Corp アクティブマトリックス型有機ｅｌ表示体の製造方法
JPH10208881A (ja) * 1996-12-23 1998-08-07 Samsung Display Devices Co Ltd 有機電子発光素子有機薄膜用ドナーフィルム及びこれを用いた有機電子発光素子の製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61163591A (ja) * 1985-01-11 1986-07-24 関西日本電気株式会社 有機型ｅｌ素子の製造方法
JPS642297A (en) * 1987-06-24 1989-01-06 Nec Kansai Ltd Manufacture of electroluminescent element
JPH06283265A (ja) * 1993-03-25 1994-10-07 Nec Kansai Ltd 電界発光灯及びその製造方法及びその製造装置
JPH0757871A (ja) * 1993-08-19 1995-03-03 Hitachi Ltd 電場発光表示装置
JP3585524B2 (ja) * 1994-04-20 2004-11-04 大日本印刷株式会社 有機薄膜ｅｌ素子の製造方法
JPH07302685A (ja) * 1994-05-10 1995-11-14 Nec Kansai Ltd 電界発光灯の製造方法
US5563019A (en) * 1994-06-30 1996-10-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Donor element for laser-induced thermal transfer
US5686383A (en) * 1995-08-22 1997-11-11 Eastman Kodak Company Method of making a color filter array by colorant transfer and lamination
US5688551A (en) * 1995-11-13 1997-11-18 Eastman Kodak Company Method of forming an organic electroluminescent display panel
US5766819A (en) * 1995-11-29 1998-06-16 E. I. Dupont De Nemours And Company Donor elements, assemblages, and associated processes with flexible ejection layer(s) for laser-induced thermal transfer
US5695907A (en) * 1996-03-14 1997-12-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Laser addressable thermal transfer imaging element and method
US5998085A (en) * 1996-07-23 1999-12-07 3M Innovative Properties Process for preparing high resolution emissive arrays and corresponding articles
JP3466876B2 (ja) * 1997-06-16 2003-11-17 キヤノン株式会社 エレクトロ・ルミネセンス素子の製造法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1012377A (ja) * 1996-06-19 1998-01-16 Seiko Epson Corp アクティブマトリックス型有機ｅｌ表示体の製造方法
JPH10208881A (ja) * 1996-12-23 1998-08-07 Samsung Display Devices Co Ltd 有機電子発光素子有機薄膜用ドナーフィルム及びこれを用いた有機電子発光素子の製造方法

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6410201B2 (en) 1999-01-15 2002-06-25 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element and process for forming organic electroluminescent devices
US6194119B1 (en) 1999-01-15 2001-02-27 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element and process for forming organic electroluminescent devices
US6586153B2 (en) 1999-01-15 2003-07-01 3M Innovative Properties Company Multilayer devices formed by multilayer thermal transfer
US6582876B2 (en) 1999-01-15 2003-06-24 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element and process for forming organic electroluminescent devices
US6291126B2 (en) 1999-01-15 2001-09-18 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element and process for forming organic electroluminescent devices
US6291116B1 (en) 1999-01-15 2001-09-18 3M Innovative Properties Thermal transfer element and process for forming organic electroluminescent devices
US6642542B1 (en) 1999-09-30 2003-11-04 Seiko Epson Corporation Large EL panel and manufacturing method therefor
WO2001024585A1 (en) * 1999-09-30 2001-04-05 Seiko Epson Corporation Large el panel and production method therefor
US6967114B2 (en) 1999-09-30 2005-11-22 Seiko Epson Corporation Large EL panel and manufacturing method therefor
US6468715B2 (en) 1999-12-28 2002-10-22 3M Innovative Properties Company Thermal mass transfer donor element
US6284425B1 (en) 1999-12-28 2001-09-04 3M Innovative Properties Thermal transfer donor element having a heat management underlayer
US6228555B1 (en) 1999-12-28 2001-05-08 3M Innovative Properties Company Thermal mass transfer donor element
US6689538B2 (en) 1999-12-28 2004-02-10 3M Innovative Properties Company Thermal mass transfer donor element
US6358664B1 (en) 2000-09-15 2002-03-19 3M Innovative Properties Company Electronically active primer layers for thermal patterning of materials for electronic devices
US6482564B2 (en) 2000-09-15 2002-11-19 3M Innovative Properties Company Electronically active primer layers for thermal patterning of materials for electronic devices
US6667143B2 (en) 2000-09-15 2003-12-23 3M Innovative Properties Company Electronically active primer layers for thermal patterning of materials for electronic devices
US6855384B1 (en) 2000-09-15 2005-02-15 3M Innovative Properties Company Selective thermal transfer of light emitting polymer blends
US7670450B2 (en) 2006-07-31 2010-03-02 3M Innovative Properties Company Patterning and treatment methods for organic light emitting diode devices
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