WO1999026282A1 - Procede de fabrication pour plaquette en semiconducteur - Google Patents

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WO1999026282A1
WO1999026282A1 PCT/JP1998/005161 JP9805161W WO9926282A1 WO 1999026282 A1 WO1999026282 A1 WO 1999026282A1 JP 9805161 W JP9805161 W JP 9805161W WO 9926282 A1 WO9926282 A1 WO 9926282A1
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WO
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semiconductor wafer
wafer
adhesive tape
grinding
film
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Application number
PCT/JP1998/005161
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Inventor
Makoto Kataoka
Yasuhisa Fujii
Kentaro Hirai
Hideki Fukumoto
Original Assignee
Mitsui Chemicals, Incorporated
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Publication date
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    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
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Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor wafer. Specifically, a heat-shrinkable adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer is attached to a surface of a semiconductor wafer such as a silicon wafer on which integrated circuits are incorporated (hereinafter referred to as a wafer surface). The adhesive tape is supplied to the wafer backside grinding machine to grind the surface of the semiconductor wafer on which the integrated circuit is not mounted (hereinafter referred to as wafer backside).
  • wafer backside The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor wafer, which peels an adhesive tape from a semiconductor wafer. Background technology
  • a semiconductor integrated circuit (hereinafter referred to as an IC) is formed by slicing a high-purity silicon single crystal or the like into a semiconductor wafer, and then incorporating an integrated circuit on the surface by etching or the like, and furthermore, the back surface of the semiconductor wafer. It is manufactured by grinding, etching, wrapping, etc., thinning to about 200 to 400 ⁇ m, and then dicing into chips.
  • a step of attaching an adhesive tape to the surface of the semiconductor wafer After the formation of the IC is completed, a step of attaching an adhesive tape to the surface of the semiconductor wafer, a step of grinding the back surface of the semiconductor wafer, a step of removing the adhesive tape, and a step of washing the surface of the semiconductor wafer After four steps, it is made into chips in the dicing step.
  • the semiconductor wafer is stored in a cassette and transported. That is, in each process, the unit operation of taking out from the cassette and storing in the cassette is repeated.
  • the thickness of wafers has become thinner.
  • the wafer thickness after back grinding was about 200 to 400 zm. Depending on the type of chip, it is as thin as about 150 ⁇ m.
  • the maximum diameter was 8 inches in the past, but it has been increased to 12 inches and even 16 inches.
  • semiconductor wafers whose back surfaces have been ground are more likely to be warped, and adhesive tape is adhered to the wafer surface.
  • the tendency is further strengthened by the tension of the adhesive tape. For this reason, after grinding the back surface, the thinned semiconductor wafer comes into contact with the cassette storage port when stored in the cassette, and is more likely to be damaged even if a slight impact is applied .
  • an adhesive tape for protecting the wafer surface is attached to the wafer surface for the purpose of protecting IC formed on the surface of the semiconductor wafer, preventing the semiconductor wafer from being damaged by grinding stress, and the like.
  • the pressure-sensitive adhesive tape becomes unnecessary, and is peeled off from the wafer surface by the pressure-sensitive adhesive tape peeling device.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-289950 discloses a tape having a strong adhesive force called a peeling tape on a base film surface of an adhesive tape stuck on a semiconductor wafer surface. A method of attaching and peeling through the peeling tape is disclosed.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-1893938 discloses that when polishing the back surface of a semiconductor wafer, a light-transmitting support and a three-dimensional net-like material are cured by light irradiation provided on the support. A method is described in which an adhesive film made of a pressure-sensitive adhesive having a property of becoming oxidized is adhered to the wafer surface, and after polishing, the adhesive film is irradiated with light to peel off the adhesive film without damaging the wafer. .
  • the pressure-sensitive adhesive (pressure-sensitive adhesive layer) disclosed in the invention and having the property of being cured by light irradiation and forming a three-dimensional network is a pressure-sensitive adhesive layer that is polymerized by radical polymerization. If oxygen enters between the wafer and the pressure-sensitive adhesive layer, the curing reaction does not proceed sufficiently due to the effect of inhibiting the polymerization of oxygen. In some cases, the wafer surface was contaminated. The surface of the wafer with integrated circuits has complex irregularities, and it is extremely difficult to attach the wafer without any air (oxygen). In addition, it is necessary to install new equipment to create a system without oxygen for application.
  • the present inventors have conducted intensive studies to achieve the above object, and as a result, adopted a heat-shrinkable adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer, attached the tape to the surface of the wafer, and then applied the semiconductor wafer. It has been found that by performing back grinding in the back grinding machine and subsequently heating the adhesive tape in the grinding machine, the adhesive tape can be easily peeled off without damaging the semiconductor wafer.
  • the present inventors have found that the pressure-sensitive adhesive tape peeling step, which is the next step, can be omitted, and completed the present invention.
  • the present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor wafer, comprising: attaching an adhesive tape to a surface of a semiconductor wafer, grinding the back surface of the semiconductor wafer using a grinder, and peeling the adhesive tape. After heat-shrinkable adhesive tape is used, and after grinding the back surface of the semiconductor wafer, the adhesive tape is subsequently heated in a grinding machine.
  • a method for manufacturing a semiconductor wafer comprising separating the semiconductor wafer from a surface of the semiconductor wafer.
  • a preferable method for heating the adhesive tape in the grinder includes a method using at least one heat medium selected from the group consisting of hot water and hot air. The temperature of the heating medium is 50-99. C, preferably in the range of 50 to 80 ° C.
  • the wafer surface may be subsequently washed with a cleaning liquid. In this case, it is preferable to use water, hot water or the like as the cleaning liquid.
  • the back surface of a semiconductor wafer having a diameter of 6 to 16 inches, preferably 6 to 12 inches is coated with a thickness of 80 to 400 / m, preferably 80 to 200 ⁇ m.
  • the adhesive tape is peeled off using the heat shrinkage of the adhesive tape itself in the grinding machine, for example, when the wafer is taken out of the grinding machine and stored in a cassette, No adhesive tape is adhered, and the warpage of the wafer is extremely small. Therefore, when the wafer is stored in the cassette, the wafer does not break due to the wafer coming into contact with the storage port of the cassette.
  • the transfer to the next cleaning step can be omitted.
  • the adhesive tape is peeled off. In doing so, the semiconductor wafer will not be damaged.
  • a method is used in which the adhesive tape is peeled off by utilizing heat shrinkage in the grinder, for example, when the wafer is taken out from the grinder and stored in a cassette, the warpage of the wafer is extremely small. Therefore, when the wafer is stored in the cassette, the wafer does not crack due to the wafer touching the storage port of the cassette.
  • the outline of the present invention is to separate a release film from an adhesive layer of an adhesive tape for protecting a surface of a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as an adhesive tape), to expose the surface of the adhesive layer, and to provide a semiconductor via the adhesive layer.
  • the semiconductor wafer is fixed to a chuck table or the like of a grinding machine via the base film layer of the adhesive tape, and the back surface of the semiconductor wafer is ground.
  • the adhesive tape is heated in the grinding machine to peel off the adhesive tape.
  • the wafer surface is cleaned if necessary, and then the wafer is taken out of the grinder, stored in a cassette or the like, and transported to the next process such as a dicing process.
  • the pressure-sensitive adhesive tape used in the present invention is obtained by forming a pressure-sensitive adhesive layer on one surface of a heat-shrinkable base film.
  • a release film usually called a separator is adhered to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • a pressure-sensitive adhesive is applied to one surface of a release film, dried to form a pressure-sensitive adhesive layer, and then transferred to the surface of a heat-shrinkable base film.
  • the heat-shrinkable base film has a heat shrinkage of 50 to 99 ° C, preferably 50 to 80 ° C, in a uniaxial direction or a biaxial (longitudinal, horizontal) direction of 5 to 50 ° C. % Is preferable.
  • the release film may be a film having a surface tension lower than that of the ffi material film regardless of the absolute value of the surface tension.
  • the heat resistance of the release film affects the drying property of the adhesive applied to the surface. The heat resistance is low, and the adhesive must be dried at a low temperature. It takes a long time to dry, and it cannot be dried efficiently in a short time. Further, for example, the release film may undergo heat shrinkage in a drying furnace, causing a problem such as wrinkling of the release film, and the pressure-sensitive adhesive layer having a uniform thickness may not be formed. From the viewpoint of heat, the release film preferably has a predetermined heat resistance.
  • a Vicat softening point 100 ° C. or more.
  • the type of release film it is preferable to have a Vicat softening point of 100 ° C. or more.
  • the type of release film there is no particular limitation on the type of release film as long as the above conditions are satisfied. Even if it is a single-layer film, Can be appropriately selected from commercial products.
  • the release film include a film manufactured from high-density polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, a polyamide-based resin, or the like, or a mixture thereof.
  • Preferable examples include a high-density polyethylene film, a polypropylene pyrene film, and a polyethylene terephthalate film.
  • the molding temperature is determined by the glass transition point or softening point of the raw resin. As described above, the temperature may be lower than the decomposition temperature.
  • a silicone-based release agent may be applied to the surface of the release film to which the adhesive is applied, as long as the adhesive layer is not contaminated. Absent.
  • the thickness of the release film varies depending on the drying conditions, the type and thickness of the pressure-sensitive adhesive layer, the processing conditions of the pressure-sensitive adhesive tape, the processing method, and the like, but is usually 10 to: ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ m. It is preferably from 20 to: 100 Xm.
  • the heat shrinkage of the adhesive tape affects the peelability from the semiconductor wafer surface. If the shrinkage is too low, peeling failure may occur during heating or peeling may take a long time. Also, if the shrinkage is too high, the adhesive tape is deformed due to aging during storage, and the workability when applying the adhesive tape to the wafer surface is reduced. From this viewpoint, the heat shrinkage of the pressure-sensitive adhesive tape at 50 to 99 ° C, preferably 50 to 80 ° C, is preferably 5 to 50%. In this case, any tape that exhibits the above-mentioned heat shrinkability at at least one point in the above-mentioned temperature range ffl may be used. The direction of contraction is 1 axis, but 2 axes
  • the type of material is not particularly limited.
  • resins such as ethylene monoacetate copolymer, ethylene monomethacrylate copolymer, polybutadiene copolymer, polybutadiene, soft chloride resin, polyolefin, polyester, polyamide, ionomer, etc. And their copolymer elastomers, and films of gen-based, nitrile-based, acrylic-based, and the like.
  • the substrate film may be a single layer or a laminate.
  • resin with Shore D hardness of 40 or less specified in ASTM-D-224 is formed into a film.
  • Shaped elastic films for example, ethylene monoacetate copolymer (hereinafter referred to as EVA) film, polybutadiene film and the like are preferably used.
  • EVA ethylene monoacetate copolymer
  • a film, specifically a resin having a Shore-D hardness of more than 40 is formed into a film on the surface of the base film opposite to the surface on which the pressure-sensitive adhesive layer is provided. It is preferable to laminate a film having heat shrinkability. As a result, the rigidity of the adhesive tape is increased, and the sticking workability and the peeling workability are improved.
  • the thickness of the base film is appropriately determined according to the shape and surface condition of the semiconductor wafer to be protected, the grinding method, the grinding conditions, or the workability of cutting and sticking the adhesive tape for protecting the wafer surface. 0 to 100 / m. Preferably it is 100 to 300 m.
  • the method for producing the base film is not particularly limited, and may be a method produced by a known method such as an extrusion method or a force-rendering method.
  • the molding temperature may be higher than the glass transition point or softening point of the raw resin and lower than the decomposition temperature.
  • the extension ratio affects the releasability and workability when the adhesive tape is peeled off from the wafer surface after grinding the back surface of the wafer. If the stretching ratio is low, when the film is heated when peeled from the wafer surface, the base film does not sufficiently shrink, and the peelability, workability, and the like are reduced.
  • the stretching ratio is at least 1.2 times, preferably at least 1.5 times.
  • the extending direction of the base film may be either uniaxial extending in the longitudinal or lateral direction of the film or biaxial extending in the longitudinal and lateral directions of the film.
  • the upper limit of the extension ratio is about 10 times in consideration of breakage during stretching.
  • the stretching method such as a roll rolling method, a longitudinal uniaxial stretching method using a roll stretching method, a vertical and horizontal biaxial stretching method using a tenter machine, a vertical and horizontal simultaneous biaxial stretching method using a tenter machine, and the like.
  • a known stretching method may be used.
  • the stretching temperature is preferably from 40 to 70 ° C.
  • the base film stretched as described above is subjected to a heat treatment so as not to cause shrinkage over time.
  • the heat treatment temperature is preferably 45 to 80 ° C.
  • the surface tension of at least the surface of the base film on which the adhesive is to be laminated needs to be higher than the surface tension of the surface of the release film on which the adhesive layer is formed.
  • any film having a surface tension higher than the surface tension of the release film can be used regardless of the absolute value of the surface tension.
  • Examples of a method for increasing the surface tension of the base film include a corona discharge treatment.
  • the composition of the pressure-sensitive adhesive is not particularly limited and can be appropriately selected from commercially available products.
  • an acrylic pressure-sensitive adhesive is preferred from the viewpoints of tackiness, applicability, and non-staining property of the wafer surface.
  • Such an acrylic pressure-sensitive adhesive is obtained by copolymerizing a monomer mixture containing an alkyl acrylate monomer and a monomer having a carboxy group. Further, if necessary, a vinyl monomer, a polyfunctional monomer, an internal crosslinkable monomer and the like copolymerizable therewith can be copolymerized.
  • alkyl acrylate monomers examples include, for example, methyl acrylate, methine methacrylate, ethynoleacrylate, ethynolemethacrylate, propyl acrylate, propynole methacrylate, butynoleacrylate, butynolemethacrylate, hexyl acrylate, and hexyl acrylate.
  • the side chain alkyl group of these monomers may be linear or branched. Further, two or more of the above-mentioned alkyl acrylate monomers may be used in combination depending on the purpose.
  • Examples of the monomer having a carboxyl group include acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic acid, and fumaric acid.
  • Examples of the vinyl monomer copolymerizable with the alkyl acrylate monomer and the monomer having a carboxyl group include, for example, hydroxyshethyl acrylate, hydroxyshethyl methacrylate, hydroxypropyl acrylate, and hydroxypropyl Methacrylate, acrylamide, methacrylamide, dimethylamino acrylate, dimethylamino methacrylate, butyl acetate, styrene, atarilonitrile, etc.
  • the polymerization reaction mechanism of the pressure-sensitive adhesive polymer includes radical polymerization, anion polymerization, and cationic polymerization, but the cost of producing the pressure-sensitive adhesive, the effect of monomer functional groups, and the effect of ions on the semiconductor wafer surface, etc. In consideration of the above, it is preferable to carry out polymerization by radical polymerization.
  • inorganic peroxides such as water-soluble ammonium persulfate, potassium persulfate, and sodium persulfate;
  • An azo compound having a carboxyl group in the molecule such as —azobis-1-4-cyanovaleric acid, is preferred.
  • azo compounds having a carboxyl group in the molecule such as 4,4'-azobis-141-cyanovaleric acid, are more preferable.
  • cross-linking agent having two or more cross-linkable functional groups in one molecule used in the present invention is used to react with the functional group of the pressure-sensitive adhesive polymer to adjust the adhesive strength and cohesive strength.
  • Crosslinking agents include sorbitol polyglycidyl ether, polyglycerol polyglycidyl ether, pentaerythritol polyglycidyl ether, diglycerol polyglycidyl ether, glycerol polyglycidyl ether, neopentinole glycol diglycidyl ether, Epoxy compounds such as resorcin diglycidyl ether, isocyanate compounds such as tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, toluene diisosocyanate 3 adduct of trimethylolpropane, and polyisocynate; Methylolpropane tree] 3-aziridinylpropionate, t
  • the epoxy crosslinking agent has a low crosslinking reaction rate, and when the reaction does not proceed sufficiently, the cohesive force of the adhesive layer becomes low. May result in contamination. Therefore, if necessary, a catalyst such as amine is added, or a monomer having an amine functional group having a catalytic action is copolymerized into a pressure-sensitive adhesive polymer, and an aziridine-based compound having properties as an amine when a crosslinking agent is used. It is preferable to use a crosslinking agent together.
  • the amount of the cross-linking agent to be added is usually within a range such that the number of functional groups in the cross-linking agent does not exceed the number of functional groups in the pressure-sensitive adhesive polymer. However, when a new functional group is generated by the crosslinking reaction, when the crosslinking reaction is slow, or the like, an excessive amount may be added as necessary.
  • the adhesive strength of the adhesive tape for grinding the backside of a wafer is, when converted into the adhesive strength to a SUS- ⁇ steel plate, from 10 to: 100 g Z 25 mm, preferably 30 to 600 g / It is about 25 mm. Adjust to the above range taking into account the grinding conditions of the backside of the wafer, the diameter of the wafer, the thickness of the wafer after grinding, etc.
  • 0.1 to 30 parts by weight of a crosslinking agent is added to 100 parts by weight of the pressure-sensitive adhesive polymer. Preferably it is 0.3 to 15 parts by weight.
  • a surfactant or the like can be added to the adhesive to such an extent that the surface of the wafer is not contaminated.
  • the surfactant to be added may be nonionic or anionic as long as it does not contaminate the wafer surface.
  • the nonionic surfactant include polyoxyethylene octyl phenyl ether, polyoxyethylene ninyl nonyl feninole ether, and polyoxyethylene paralinoleate ether.
  • Alkonic surfactants such as alkyl diphenyl ether disulfonate and salts thereof, bisnaphthalene sulphonate and salts thereof, polyoxyalkylsulfosuccinate esters and salts thereof, and polyoxyethylene phenyl ether And its salts and the like.
  • the surfactants exemplified above may be used alone or in combination of two or more.
  • the surfactant is preferably added in an amount of 0.05 to 5 parts by weight based on the total weight of the pressure-sensitive adhesive polymer and the crosslinking agent, that is, 100 parts by weight of the crosslinked pressure-sensitive adhesive polymer. More preferably, it is 0.05 to 3 parts by weight.
  • a conventionally known coating method for example, a roll coater method, a gravure roll method, a bar coating method, or the like can be adopted.
  • drying conditions of the applied pressure-sensitive adhesive there are no particular restrictions on the drying conditions of the applied pressure-sensitive adhesive, but it is generally preferable to dry the adhesive in a temperature range of 80 to 200 ° C for 10 seconds to 10 minutes. More preferably, drying is performed at 80 to 170 ° C. for 15 seconds to 5 minutes.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is appropriately determined depending on the surface condition, shape, and back surface grinding method of the semiconductor wafer, but the adhesive strength when the back surface of the semiconductor wafer is ground, the peelability after the grinding is completed, and the like. In consideration of this, it is usually about 2 to 100 m. Preferably it is about 5 to 70 ⁇ m.
  • the base film After forming the pressure-sensitive adhesive layer on the surface of the release film as described above, the base film is laminated on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer, and pressed to transfer the pressure-sensitive adhesive layer to the surface of the base film.
  • the transfer method may be a known method. For example, there is a method in which a base film is superimposed on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer formed on the surface of the release film, and the base film is pressed on a nip roll.
  • the peeling of the release film from the surface of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably performed immediately before use as a pressure-sensitive adhesive tape.
  • the pressure-sensitive adhesive tape obtained in this manner is subjected to a roll-like force or cut into a predetermined shape, and then subjected to storage, transportation, and the like.
  • a series of semiconductor wafer manufacturing methods from sticking the adhesive tape on the surface of the semiconductor wafer to the dicing step will be described in detail.
  • the adhesive tape is attached to the surface of the semiconductor wafer via the adhesive layer.c
  • the operation of attaching the adhesive film to the surface of the semiconductor wafer may be performed manually, but is usually performed in the form of a roll. This is performed by a device called an automatic pasting machine to which the above-mentioned adhesive film is attached.
  • automatic pasting machines include, for example, Takatori Co., Ltd., Model: ATM-1000B, ATM-1100, Teikoku Seiki Co., Ltd., Model: STL Series And others.
  • the semiconductor wafer is fixed to a chuck table or the like of a wafer backside grinding machine via the base film layer of the adhesive tape.
  • the back surface of the wafer is ground until a predetermined thickness is obtained by the grinding machine.
  • cooling water is injected into the ground surface during grinding.
  • a known grinding method such as a through feed method and an in-feed method is employed.
  • the thickness of the semiconductor wafer was 500 to 100 // m before grinding, but 80 to 400 // m after grinding, and preferably about 80 to 200 ⁇ .
  • the thickness of the semiconductor wafer before grinding is appropriately determined by the diameter and type of the wafer, and the thickness after grinding is appropriately determined by the size of the obtained chip, the type of IC, etc. I can decide.
  • the grinding debris is removed by, for example, pouring pure water into the grinding surface.
  • the wafer is turned halfway up and down and fixed to the chuck table via the back surface of the wafer.
  • the adhesive tape is peeled from the wafer surface by heating the adhesive tape to shrink the base film layer.
  • the peeled adhesive tape is removed from the system by a method such as suctioning a dedicated jig.
  • the state in which the pressure-sensitive adhesive tape has been peeled means a state in which the pressure-sensitive adhesive tape stuck to the wafer surface has peeled over 20% or more of the wafer surface.
  • the other part of the heated adhesive tape is deformed due to heat shrinkage, and becomes a state in which the adhesive tape is removed.
  • the detailed peeling mechanism is not clear, for example, when heating and peeling using hot water, hot water has entered most of the interface between the wafer surface and the adhesive layer, even in a part that is not in the peeled state. It has become.
  • a partial lifting due to the deformation stress of the base film occurs at the interface between the wafer surface and the adhesive layer.
  • the heating method is not particularly limited as long as the adhesive tape adhered to the wafer surface can be heated and shrunk, but 50 to 99 ° C, preferably 50 to 80 ° C hot water is adhered.
  • the temperature should be 50 to 99 ° C, preferably 50 to 80 ° C.
  • the method of contacting with a loop is preferred. Further, considering that the wafer surface is simultaneously cleaned in the grinder after the adhesive tape is peeled off, it is preferable to inject warm water at the above temperature onto the adhesive tape surface and heat it. In this case, considering that the hot water is supplied evenly to the surface of the base film of the adhesive tape to make the peelability even easier, the hot water is supplied while rotating the wafer at a rotation speed of 5 to 500 rpm. I prefer to do that. The wafer can be rotated by plane rotation with the center of the wafer as the center of rotation.
  • the cleaning can be performed by supplying a cleaning liquid such as pure water or alcohol to the wafer surface after the adhesive tape has been peeled off. It is preferable to use pure water as the cleaning liquid.
  • the heating temperature is in the range of 50 to 99 ° C., preferably 50 to 80 ° C., depending on the extension ratio of the base film, the adhesive strength of the tape for protecting the surface of the semiconductor wafer, and the type of heating method. Can be selected as appropriate. Heating time also affects the peelability from the semiconductor wafer surface. The heating time varies depending on the stretching ratio of the base film and the heating temperature, but is 1 to 60 seconds, preferably 10 to 30 seconds in consideration of workability and the like.
  • the wafer is stored in a cassette, transported to an adhesive tape peeling process, the cassette is set in a peeling machine, and the adhesive tape is peeled off by removing the tape from the cassette.
  • the wafer is again housed in a cassette, transported to a cleaning process, taken out of the cassette, and set in a cleaning machine to wash the wafer surface.
  • the wafer is transported to the cleaning process, it is stored and removed from the cassette while the adhesive tape is adhered to the wafer surface, so the wafer thickness is 200 ⁇ m or less.
  • the wafer When the wafer was ground thinly to a thickness, the wafer was significantly warped, and the wafer was likely to be broken by an impact due to, for example, contact with a cassette storage opening. In the case of a large diameter of 12 inches or more, significant warpage occurred even if the thickness after grinding was about 400 / zm.
  • the adhesive tape is peeled off by heating in the back surface grinding machine, and the cleaning process of the wafer surface is performed. Therefore, there is no need to store wafers thinned by back grinding in a cassette and transport them to the peeling step and further to the cleaning step. For this reason, the number of operations for storing in the wafer transfer cassette and the operations for taking out from the cassette are extremely small.
  • the wafer can be prevented from being broken at the time of storage and removal of the cassette due to the warpage of the wafer.
  • the wafer surface cleaning process is then performed by cleaning the wafer surface with a cleaning solution such as pure water or alcohol in the grinding machine. Can be omitted.
  • the series of steps is completed by drying the wafer by, for example, rotating the wafer at a high speed of about 1000 to 1000 rpm.
  • the size of the semiconductor wafer to which the present invention can be applied is a large one having a diameter of 6 to 16 inches, preferably 6 to 12 inches.
  • the 8-inch silicon mirror wafer was cut into 1 cm squares using a diamond cutter so as not to contaminate the surface.
  • the surface of the cut wafer is measured using ESCA under the following conditions, the ratio of carbon to silicon (hereinafter referred to as the CZSi ratio) is determined, and the silicon wafer contamination status by organic matter is investigated.
  • CZSi ratio the ratio of carbon to silicon
  • X-ray source Mg ⁇ ⁇ -ray (1253.6 eV), X-ray output: 300 W, vacuum degree: 2 ⁇ 10-7 Pa or less, CZS i: (carbon peak area) / (silicon peak) Area) CZS i ratio evaluation method>
  • the C / S i value of the silicon mirror wafer surface before the sample is attached is 0.10 (blank value). Therefore, if the C / S i value on the surface of the silicon mirror wafer after attaching the sample is about 0.10 to 0.12, it is judged that there is no contamination, and if it exceeds this value, it is judged that there is contamination.
  • this emulsifier In a polymerization reactor, 148 parts by weight of deionized water, and an ammonium salt of polyoxyethylene nonylphenyl ether sulfate as an anionic surfactant ("this emulsifier
  • Product name Newcol 560 SF, 50% by weight aqueous solution) 2 parts by weight (1 part by weight as surfactant alone), 4,4'-azobis 4-cyanovaleric acid as a polymerization initiator 0.5 parts by weight, 74 parts by weight of butyl acrylate, 14 parts by weight of methyl methacrylate, 9 parts by weight of methacrylic acid-2-hydroxyhydricil, 2 parts by weight of methacrylic acid, manufactured by Otsuka Chemical Co., Ltd. One part by weight of atarylamide was added, and emulsion polymerization was carried out at 70 ° C. for 9 hours under stirring to obtain an acrylyl resin-based water emulsion. This is 14 weight.
  • a polypropylene film with a thickness of 50 ⁇ m, a Vicat softening point of 140 ° C, and a surface tension of 30 dyne / cm on one side as a release film, formed by a T-die extrusion method, using a roll coater method The acryl-based resin water emulsion type pressure-sensitive adhesive obtained by the above method is applied to one surface of the film, dried at 100 ° C. for 60 seconds, and the acrylic film having a thickness of 1 ° ⁇ is applied to the surface of the release film. An adhesive layer was provided.
  • EVA film formed by T-die extrusion is stretched 3.0 times in the longitudinal direction at 50 ° C, and heat-fixed at 60 ° C.
  • a uniaxially stretched EVA film having a thickness of 120 ⁇ m was used.
  • Corona discharge treatment was applied to one surface of the -axis Nobunaka EVA film to have a surface tension of 50 dyne / cm, and this was used as a base film.
  • the obtained pressure-sensitive adhesive tape was stuck on the surface of 50 mirror-wafers having a diameter of 8 inches and a thickness of 700 ⁇ m, and supplied to a back-surface grinding machine.
  • rough grinding was performed first, followed by finishing
  • Example 2 After grinding the back surface, the semiconductor wafer was ground in the same manner as in Example 1 except that the adhesive tape was heated with hot air at 80 ° C. for 30 seconds, and the tape was peeled off. All 50 wafers were stored without damage. The time from the start of grinding to storage was 160 minutes. The results obtained are shown in [Table 1].
  • Example 2 The same procedure as in Example 1 was repeated until the adhesive tape was peeled off. The wafer was further washed with pure water for 3 minutes while rotating at a rotation speed of 100 rpm, and then dried at 300 rpm. Was taken out. All 50 wafers were stored without damage. The time from grinding start to storage was 160 minutes. The surface contamination of the stored 8-inch mirror wafer was measured by the above method. The results obtained are shown in [Table 1].
  • Example 3 A mirror wafer having a diameter of 6 inches and a thickness of 600 ⁇ m was used, and the thickness after rough grinding was set to 150 ⁇ m and the thickness after finish grinding was set to 80 ⁇ m.
  • the semiconductor wafer was ground in the same manner as described above, the tape was peeled off, and the wafer was cleaned. As a result, all 50 wafers were accommodated without damage.
  • the time from the start of grinding to the storage was 160 minutes. The results obtained are shown in [Table 1].
  • Example 2 Same as in Example 1 except that one side of the unstretched EVA film having a thickness of 120 ⁇ m was subjected to corner discharge treatment, the surface tension was set to 50 dyne / cm, and this was used as a base film. To obtain an adhesive tape. The obtained adhesive tape was stuck on the surface of 50 mirror wafers having a diameter of 8 inches and a thickness of 700 ⁇ m, and was supplied to a back surface grinding machine. After rough grinding and finish grinding were performed in the back grinding machine in the same manner as in Example 1, the back surface was washed and dried, and then stored in a cassette.
  • the tape was peeled off with an adhesive tape peeling device.
  • the wafer was removed from the back grinding machine and stored in a cassette, the wafer came into contact with the storage opening of the two-sheet cassette and was damaged.
  • the adhesive tape peeling device one sheet was damaged when the wafer was sucked to the chuck table before the tape was peeled, and four sheets were damaged when the tape was peeled.
  • the time from the start of grinding to the storage after the tape was peeled was 190 minutes. The results obtained are shown in [Table 1].
  • the wafer was further subjected to a cleaning process, and the preliminary cleaning and the main cleaning were performed in a cassette-type over-luff / single-unit cleaning tank for three minutes each. Performed for 5 minutes. Then, it was dried with a rotary dryer.
  • the wafer was removed from the backside grinder and stored in a cassette, the wafer came into contact with the storage opening of the two-sheet cassette and was damaged.
  • the adhesive tape peeling device for semiconductor surface protection one sheet was damaged when the wafer was attracted to the chuck table before tape peeling, and two sheets were damaged when the tape was peeled.
  • the time from the start of grinding to the storage after the tape was peeled was 190 minutes.
  • one sheet was damaged during the washing and transport to the process. It took 220 minutes from the start of grinding to the end of cleaning.
  • the surface contamination of the stored 8-inch mirror wafer was measured. The results obtained are shown in [Table 1].

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Description

明 細 書 半導体ウェハの製造方法
技 術 分 野
本発明は、 半導体ウェハの製造方法に関する。 詳しくは、 熱収縮性を有する半導 体ウェハ表面保護用粘着テープをシリコンウェハ等の半導体ウェハの集積回路が組 み込まれた側の面 （以下、 ウェハ表面という） に貼着した後、 半導体ウェハ裏面研 削機へ供給して半導体ウェハの集積回路の組み込まれていない側の面 （以下、 ゥェ ハ裏面という） を研削し、 引き続いて研削機内において、 該粘着テープを加熱して ウェハ表面から粘着テープを剥離する、 半導体ウェハの製造方法に関する。 背 景 技 術
通常、 半導体集積回路 （以下、 I Cという） は、 高純度シリコン単結晶等をスラ イスして半導体ウェハとした後、 その表面にエッチング加工等の手段により集積回 路を組み込み、 さらに半導体ウェハの裏面をグラインデイング、 エッチング、 ラッ ピング等により研削して 2 0 0〜 4 0 0 μ m程度まで薄く した後、 ダイシングして チップ化する方法により製造されている。 要約すると、 I Cの形成が完了した後、 半導体ウェハ表面に粘着テープを貼着する工程、 半導体ウェハの裏面を研削するェ 程、 粘着テープを剥離する工程、 半導体ウェハ表面を洗净する工程、 の 4工程を経 て、 ダイシング工程でチップ化される。 通常、 これらの各製造工程問の半導体ゥェ ハの搬送時には、 半導体ウェハはカセットに収納されて搬送される。 すなわち、 各 工程において、 カセットからの取り出し、 及び、 カセットへの収納の単位操作が繰 り返される。 これらの操作は、 近年の薄層化および大口径化の傾向により、 ウェハ の破損のより大きな原因となるだけでなく、 工程の煩雑化、 作業時間のロス等の原 因となっている。
近年、 半導体チップの小型化が図られるにつれて、 ウェハを薄層化する傾向が進 み、 従来、 裏面研削後のウェハの厚さが 2 0 0〜4 0 0 z m程度であったものが、 チップの種類によっては 1 5 0 μ ΐΏ程度まで薄くなつている。 また、 サイズについ ても、 従来、 口径が最大 8インチであったものが、 1 2インチ、 さらには 1 6イン チへと大型化される傾向にある。 このような半導体ウェハの薄層化、 大口径化の状 況下では、 裏面が研削された後の半導体ウェハは、 より反りが発生し易く、 ウェハ の表面に粘着テープが貼着されている場合には、 粘着テープのテンションによりそ の傾向はさらに強くなる。 そのため、 裏面研削後、 薄層化された半導体ウェハは、 カセットに収納される際にカセット収納口と接触して、 僅かな衝撃が加えられた場 合であってもより破損し易くなつている。
半導体ウェハ裏面の研削工程では、 半導体ウェハの表面に形成された I Cの保護、 研削応力による半導体ウェハの破損防止、 等を目的として、 ウェハ表面保護用粘着 テープがウェハ表面に貼着される。 該粘着テープは、 ウェハ裏面の研削が終了した 後、 不要となるため、 粘着テープ剥離用装置によってウェハ表面から剥離される。 剥離する方法としては、 例えば、 特開平 2— 2 8 9 5 0号公報には、 半導体ウェハ 表面に貼着された粘着テープの基材フィルム面に剥離テープと称する強粘着力を有 するテープを貼着け、 該剥離テープを介して剥離する方法が開示されている。 しか し、 上記の如く、 半導体ウェハの薄層化、 大口径化の状況下では、 反りの大きい半 導体ウェハを研削機のチヤックテーブルに吸着させる際、 または、 粘着テープを半 導体ウェハから剥離する際に、 半導体ウェハが破損し易レ、。
粘着テープを半導体ウェハ表面から剥離する際のウェハ破損防止のために、 剥離 性を改善した表面保護用フィルムが提案されている。 例えば、 特開昭 6 0— 1 8 9 9 3 8号公報には、 半導体ウェハの裏面研磨の際、 光透過性の支持体とこの支持体 上に設けられた光照射により硬化し三次元網状化する性質を有する感圧性接着剤か らなる接着フィルムをウェハ表面に貼着し、 研磨後にこの接着フィルムに光照射し、 ゥェハを破損させることなく該接着フィルムを剥離する方法が記載されている。 し かし、 該発明に開示されている、 光照射により硬化し三次元網状化する性質を有す る感圧性接着剤 （粘着剤層） は、 ラジカル重合により重合する粘着剤層であるため、 ウェハと粘着剤層の間に酸素が入り込んだ場合は、 酸素の重合禁止効果により硬化 反応が十分に進まず、 ウェハ裏面研削後の剥離時に凝集力の低い未硬化の粘着剤が ウェハ表面を汚染することがあった。 集積回路が組み込まれたウェハ表面には複雑 な凹凸があり、 空気 （酸素） を全く入り込ませること無く貼着することは極めて困 難である。 また、 貼着のために酸素を除いた系を作り出すには新たに装置を設置す る必要がある。 このような粘着剤に起因する汚染は、 溶剤等による洗浄で除去でき る場合もあるが、 ほとんどの場合、 完全に除去できないのが現状である。 さらに、 この方法ではウェハ裏面研削後、 ウェハを粘着テープ剥離工程へ搬送する際のゥェ ハの破損防止および作業時間の短縮に関しては、 何らの利点も見だすことができな レ、。
上記の通り、 半導体ウェハの大口径化及び薄層化、 I cの高性能化が図られる状 況下、 ウェハ表面の非汚染性、 ウェハ裏面の研削時の破損防止性等を従来と同レべ ルに維持し、 粘着テープの剥離時及びウェハの各処理工程問の搬送時においてゥェ ハを破損することなく、 且つ、 作業時間を短縮できる半導体ウェハの製造方法の提 供が望まれている。 発 明 の 開 示
本発明の目的は、 上記問題点に鑑み、 半導体ウェハの搬送時、 半導体ウェハ表面 保護用粘着テープの剥離時、 等におけるウェハの割れを防止し、 さらに、 作業時間 の短縮が図れる半導体ウェハの製造方法を提供することにある。
本発明者らは、 上記の目的を達成するために、 鋭意検討した結果、 熱収縮性を有 する半導体ウェハ表面保護用粘着テープを採用し、 それをウェハ表而に貼着した後、 半導体ウェハ裏面研削機内で裏面研削を実施し、 引き続いて同研削機内において該 粘着テープを加熱することにより、 半導体ウェハを破損することなく粘着テープを 容易に剥離することができることを見出し、 且つ、 これにより従来の次工程である 粘着テープ剥離工程が省略できることを見出し、 本発明を完成した。
すなわち、 本発明は、 半導体ウェハの表面に粘着テープを貼着し、 研削機を用い て半導体ウェハの裏面を研削した後、 粘着テープを剥離する半導体ウェハの製造方 法であって、 該粘着テープとして熱収縮性を有する粘着テープを用い、 且つ、 半導 体ウェハの裏面を研削した後、 引き続いて研削機内において粘着テープを加熱して 半導体ウェハの表面から剥離することを特徴とする半導体ウェハの製造方法である。 本発明において、 研削機内において粘着テープを加熱する好ましい方法としては、 温水及び温風からなる群から選ばれた少なくとも 1種の熱媒体を用いる方法が挙げ られる。 熱媒体の温度は 5 0〜 9 9。Cの範囲であり、 好ましくは 5 0〜 8 0 °Cの範 囲である。 さらに、 研削機内で粘着テープを剥離した後、 引き続き洗浄液でウェハ 表面を洗浄してもよい。 この場合、 洗浄液としては水、 温水等を用いることが好ま しい。
本発明の方法によれば、 口径が 6〜1 6インチ、 好ましくは 6〜1 2インチであ る半導体ウェハの裏面を厚み 8 0〜 4 0 0 / m、 好ましくは 8 0〜 2 0 0 μ m程度 まで薄く研削する場合であっても、 裏面研削後に粘着テープを剥離する際に、 半導 体ウェハを破損することがなレ、。 また、 研削機内で粘着テープ自体の熱収縮性を利 用して粘着テープを剥離する方法であるため、 例えば、 研削機からウェハを取り出 してカセットに収納する際に、 ウェハの表面には粘着テープが貼着されておらず、 ウェハの反りが極めて少ない。 従って、 カセットに収納する際に、 ウェハがカセッ トの収納口に接触すること等によってウェハが割れることがない。 さらに、 研削機 内でウェハ表面を洗浄すれば、 次工程の洗浄工程への搬送を省略することができる。 上記した本発明の方法によれば、 口径が 6〜1 6インチである半導体ウェハの裏 面を厚み 8 0〜 2 0 0 μ m程度まで薄く研削する場合であっても、 粘着テープを剥 離する際に、 半導体ウェハを破損することがない。 また、 研削機内で熱収縮を利用 して粘着テープを剥離する方法を採用するため、 例えば、 研削機からウェハを取り 出してカセットに収納する際に、 ウェハの反りが極めて少ない。 従って、 カセッ ト に収納する際に、 ウェハがカセットの収納口に接触すること等によってウェハが割 れることがない。 さらに、 研削機内で粘着テープの加熱媒体として温水を用いて加 熱 ·剥離し、 さらに、 洗浄液で洗浄を実施すれば、 従来次工程で行われていた専用 の洗浄工程を省略することができる。 よって、 本発明によれば、 半導体ウェハの裏 面研削からウェハ表面の洗浄に至る一連の工程を短時間で実施することができ、 作 業時間の短縮が可能である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明について詳細に説明する。 本発明の概要は、 半導体ウェハの表面保 護用粘着テープ （以下、 粘着テープという） の粘着剤層から剥離フィルムを剥離し、 粘着剤層表面を露出させ、 その粘着剤層を介して、 半導体ウェハの集積回路が組み 込まれた側の面 （ウェハ表面） に貼着する。 次いで、 研削機のチャックテーブル等 に粘着テープの基材フィルム層を介して半導体ウェハを固定し、 半導体ウェハの裏 面を研削する。 研削が終了した後、 引き続いて研削機内において、 粘着テープを加 熱して、 粘着テープを剥離する。 次いで、 必要によりウェハ表面を洗浄し、 その後、 ウェハを研削機から取り出し、 カセット等に収納してダイシング工程等の次工程へ 搬送する。
本発明に使用する粘着テープは、 熱収縮性を有する基材フィルムの片表面に粘着 剤層が形成されたものである。 保存、 搬送等の問、 粘着剤層を保護するため、 該粘 着剤層の表面に、 通常セパレ一ターと称する剥離フィルムが貼着されていることが 好ましい。 粘着テープの製造方法は、 先ず、 剥離フィルムの片表面に粘着剤を塗布、 乾燥して粘着剤層を形成した後、 熱収縮性を有する基材フィルムの表面に転着させ る。 熱収縮性を有する基材フイルムとしては、 5 0〜 9 9 °C、 好ましくは 5 0〜 8 0 °Cにおける 1軸方向または 2軸 （縱、 横） 方向の熱収縮率が 5〜 5 0 %の範囲で あることが好ましい。
上記剥離フィルムは、 本質的には、 表面張力の絶対値が如何なる値であっても ffi 材フィルムのそれよりも低い表面張力を有するフィルムであればよい。 また、 剥離 フィルムの耐熱性は、 その表面に塗布された粘着剤の乾燥性に影響する。 耐熱性が 低レ、と粘着剤の乾燥温度を低温とする必要があり、 乾燥に長時間を要し短時問で効 率よく乾燥することができない。 また、 例えば、 乾燥炉内で剥離フィルムが熱収縮 を起こすことがあり、 剥離フィルムにしわが発生する等の不具合が生じ、 均一な厚 みを有する粘着剤層が形成されないことがある。 カかる観点から、 剥離フィルムは、 所定の耐熱性を有することが好ましい。 耐熱性の判断基準として、 1 0 0 °C以上の ビカット軟化点を有することが好ましレ、。 上記条件を満たす限り、 剥離フィルムの 種類には特に制限はない。 単層フィルムであっても、 また、 積層フィルムであって もよく、 市販品の中から適宜選択できる。
具体的な剥離フィルムの例としては、 高密度ポリエチレン、 ポリプロピレン、 ポ リエチレンテレフタレート、 ポリアミ ド系樹脂等、 またはそれらの混合物から製造 されたフィルムが挙げられる。 好ましくは、 高密度ポリエチレンフィルム、 ポリプ 口ピレンフィルムおよびポリエチレンテレフタレ一トフイルム等が挙げられる。 こ れらのフィルムの製造方法には特に制限はなく、 押出成形法、 カレンダー成形法等 公知の方法で製造されたもので差支えなく、 また、 成形温度は、 原料樹脂のガラス 転移点または軟化点以上、 分解温度未満の温度であれば差支えない。
また、 粘着剤層の剥離フィルムからの剥離応力を小さくする目的で、 剥離フィル ムの粘着剤を塗布する表面に粘着剤層を汚染しない範囲において、 シリコーン系等 の剥離剤を塗布しても差し支えない。 剥離フィルムの厚さは、 乾燥条件、 粘着剤層 の種類および厚さ、 または粘着テープの加工条件、 加工方法等により異なるが、 通 常、 1 0〜： Ι Ο Ο Ο μ mである。 好ましくは 2 0〜： 1 0 0 X mである。
粘着テープの熱収縮性は、 半導体ウェハ表面からの剥離性に影響する。 収縮率が 低すぎると、 加熱時に剥離不良が生じたり、 剥離に時間がかかつたりすることがあ る。 また、 収縮率が高すぎると、 保管時の経時変化により粘着テープが変形し、 ゥ ェハ表面に粘着テープを貼着する際の作業性が低下する。 かかる観点から、 5 0〜 9 9 °C、 好ましくは 5 0〜 8 0 °Cにおける、 粘着テープの熱収縮率は 5〜 5 0 %で あることが好ましい。 この場合、 上記温度範 fflの少なくとも 1点において、 上記の 熱収縮性を示すテープであればよい。 収縮する方向は、 1籼方向方向でも、 2軸
(縱、 横） 方向でもよい。 材質の種類は特に制限ない。 具体的に例示するならば、 エチレン一酢酸ビュル共重合体、 エチレン一メタクリル酸共重合体、 ポリブタジェ ン共重合体、 ポリブタジエン、 軟質塩化ビュル樹脂、 ポリオレフイン、 ポリエステ ル、 ポリアミ ド、 アイオノマー等の樹脂、 およびそれらの共重合体エラストマ一、 およびジェン系、 二トリル系、 アクリル系等のフィルムが挙げられる。 基材フィル ムは、 単層体でもあっても、 積層体であってもよい。
ただし、 ウェハ裏面研削中の半導体ウェハの破損防止を考慮すると、 A S TM— D - 2 2 4 0に既定されたショァ D型硬度が 4 0以下である樹脂をフィルム状に成 形加工した弾性を有するフィルム、 例えば、 エチレン一酢酸ビュル共重合体 （以下、 E V Aという） フィルム、 ポリブタジエンフィルム等が好ましく用いられる。 この 場合、 基材フィルムの粘着剤層が設けられる面の反対側の面に、 これより硤ぃフィ ルム、 具体的には、 ショァ—D型硬度が 4 0を超える樹脂をフィルム状に成形加工 した熱収縮性を有するフィルムを積層することが好ましい。 そのことにより、 粘着 テープの剛性が増し、 貼着作業性及び剥離作業性が改善される。
基材フィルムの厚みは、 保護する半導体ウェハの形状、 表面状態、 研削の方法、 研削条件、 あるいはウェハ表面保護用粘着テープの切断、 貼着等の作業性により適 宜決められるが、 通常、 1 0〜1 0 0 0 / mである。 好ましくは 1 0 0〜3 0 0 mである。
上記基材フィルムの製造方法には特に制限はなく、 押出成形法、 力レンダ一成形 法等公知の方法で製造されたもので差支えない。 成形温度は、 原料樹脂のガラス転 移点または軟化点以上、 分解温度未満の温度で差支えない。 基材フィルムに熱収縮 性を付与するために、 少なくとも 1軸方向に延仲することが好ましい。 延仲倍率は、 ウェハ裏面の研削の後、 粘着テープをウェハ表面から剥離する際の剥離性、 作業性 等に影響を及ぼす。 延伸倍率が低いとウェハ表面から剥離する際に加熱した場合、 基材フィルムの収縮が充分に起こらず、 剥離性、 作業性等が低下する。 かかる点を 考慮すると、 延伸倍率は、 1 . 2倍以上、 好ましくは 1 . 5倍以上である。 基材フ イルムの延仲方向は、 フィルムの縦方向または横方向に延伸する 1軸延仲、 または フィルムの縦方向および横方向に延仲する 2軸延仲のいずれでもよい。 延仲倍率の 上限は、 延伸時の破れ等を考慮すると 1 0倍程度である。
また、 延伸方法にも特別な制限はなく、 ロール圧延法、 ロール延伸法等による縦 一軸延伸法、 テンター機を用いる縦横逐次二軸延伸法、 テンター機を用いる縦横同 時二軸延伸法等、 公知の延伸方法で差支えない。 延伸温度は、 4 0〜7 0 °Cである ことが好ましい。 上記のようにして延伸された基材フィルムは、 経時での収縮が起 きないよう熱処理が行われる。 熱処理温度は、 4 5〜8 0 °Cであることが好ましい。 基材フィルムの、 少なくとも粘着剤を積層しょうとする面の表面張力は、 剥離フ イルムの粘着剤層が形成される側の面の表面張力より高いことが必要である。 基材 フィルムは、 通常、 表面張力の絶対値が如何なる値であつても剥離フィルムの表面 張力よりも高い表面張力を有するフィルムであれば用いることができる。 剥離フィ ルムからの転着後の粘着剤層の密着性等を考慮すると、 3 5 d y n e / c m以上の 表面張力を有する延伸フィルムであることを基準として選定することが好ましい。 表面張力が低レ、と粘着剤層と基材フィルムとの密着性が低下し、 粘着剤層の剥離フ イルムからの転着が良好に行えない。 基材フィルムの表面張力を高くする方法とし ては、 コロナ放電処理等が挙げられる。
粘着剤の組成は、 特に制限はなく、 市販品の中から適宜選択できるが、 粘着性、 塗布性、 ウェハ表面の非汚染性等の点からアクリル系粘着剤が好ましい。 このよう なアクリル系粘着剤は、 アクリル酸アルキルエステルモノマー、 およびカルボキシ ル基を有するモノマ一を含むモノマー混合物を共重合して得られる。 更に、 必要に 応じてそれらと共重合可能なビニルモノマー、 多官能性モノマー、 内部架橋性モノ マー等を共重合することができる。
アクリル酸アルキルエステルモノマーとして、 例えば、 メチルアタリレート、 メ チノレメタクリレート、 ェチノレアクリレート、 ェチノレメタクリ レート、 プロピ ァク リ レート、 プロピノレメタクリレート、 ブチノレアク リ レート、 ブチノレメタク リ レート、 へキシルァク リ レート、 へキシルメタクリ レート、 ォクチルァク リ レート、 ォクチ ルメタクリ レート、 ノエルァクリ レー卜、 ノニルメタクリ レート、 ドデシルアタリ レート、 ドデシルメタクリレート等が挙げられる。 これらのモノマーの側鎖アルキ ル基は直鎖状でも分岐状でも良い。 また、 上記のアクリル酸アルキルエステルモノ マーは目的に応じて 2種以上併用しても良い。
カルボキシル基を有するモノマーとしては、 例えば、 アクリル酸、 メタクリル酸、 クロ トン酸、 ィタコン酸、 マレイン酸、 フマル酸等が挙げられる。 アクリル酸アル キルエステルモノマー、 およびカルボキシル基を有するモノマーと共重合可能なビ ニルモノマーとしては、 例えば、 ヒ ドロキシェチルァクリ レート、 ヒ ドロキシェチ ルメタクリ レート、 ヒ ドロキシプロピルァクリ レート、 ヒ ドロキシプロピルメタク リレート、 アクリルアミ ド、 メタクリルァミ ド、 ジメチルァミノアタリレート、 ジ メチルァミノメタクリ レート、 酢酸ビュル、 スチレン、 アタリロニトリル等が挙げ られる。
粘着剤ポリマーの重合反応機構としては、 ラジカル重合、 ァニオン重合、 カチォ ン重合等が挙げられるが、 粘着剤の製造コス ト、 モノマーの官能基の影響および半 導体ウェハ表面へのイオンの影響、 等を考慮すればラジカル重合によって重合する ことが好ましい。 ラジカル重合反応によって重合する際、 ラジカル重合開始剤とし て、 ベンゾィルパーオキサイ ド、 ァセチルパーオキサイ ド、 イソブチリルパーォキ サイ ド、 ォクタノィルパ一オキサイ ド、 ジターシャルブチルパーオキサイ ド、 ジタ ーシャルァミルパーォキサイ ド等の有機過酸化物、 過硫酸アンモニゥム、 過硫酸力 リウム、 過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、 2， 2 ' —ァゾビスイソプチロニト リル、 2， 2 ' ーァゾビス一 2—メチルブチロニトリル、 4， 4 ' —ァゾビス一 4 ーシァノバレリックァシッド等のァゾ化合物、 等が挙げられる。
乳化重合法により重合する場合には、 これらのラジカル重合開始剤の中で、 水溶 性の過硫酸アンモユウム、 過硫酸力リウム、 過硫酸ナトリゥム等の無機過酸化物、 同じく水溶性の 4， 4 ' —ァゾビス一 4—シァノバレリックァシッド等の分子内に カルボキシル基を持ったァゾ化合物が好ましい。 半導体ウェハ表面へのイオンの影 響を考慮すれば、 4， 4 ' ーァゾビス一 4 一シァノバレリックァシッド等の分子内 にカルボキシル基を持ったァゾ化合物がさらに好ましい。
本発明に用いる架橋性の官能基を 1分子中に 2個以上有する架橋剤は、 粘着剤ポ リマーが有する官能基と反応させ、 粘着力およぴ凝集力を調整するために用いる。 架橋剤としては、 ソルビト一ルポリグリシジルエーテル、 ポリグリセ口一ルポリグ リシジルエーテル、 ペンタエリスリ ト一ルポリグリシジルエーテル、 ジグリセロー ルポリグリシジルェ一テル、 グリセ口一ルポリグリシジルエーテル、 ネオペンチノレ グリコールジグリシジルエーテル、 レソルシンジグリシジルェ一テル等のエポキシ 系化合物、 テトラメチレンジイソシァネート、 へキサメチレンジイソシァネート、 トリメチロールプロパンのトルエンジィソシァネート 3付加物、 ポリイソシァネー ト等のィソシァネート系化合物、 トリメチロールプロパン一トリー ]3—アジリジニ ルプロピオネート、 テトラメチロールメタン一トリー —アジリジニルプロビオネ ート、 N， N ' ージフエニルメタン一 4， 4 ' —ビス （ 1 一アジリジンカルボキシ アミ ド） 、 N， N， 一へキサメチレン一 1， 6—ビス （ 1—アジリジン力 ボキシ アミ ド） 、 Ν， Ν， 一 トルエンー 2， 4一ビス一アジリジンカルボキシアミ ド） 、 トリメチロールプロパン一トリー — ( 2—メチルアジリジン） プロピオネート等 のアジリジン系化合物、 及びへキサメ トキシメチロールメラミン等のメラミン系化 合物等が挙げられる。
これらは単独で使用してもよいし、 2種以上を併用してもよい。 上記架橋剤の中 で、 エポキシ系架橋剤は架橋反応の速度が遅く、 反応が十分に進行しない場合には 粘着剤層の凝集力が低くなり、 半導体ウェハ表面の凹 ώによっては粘着剤層に起因 する汚染が生じることがある。 したがって、 適宜、 ァミン等の触媒を添加するか、 もしくは触媒作用のあるアミン系官能基をもつモノマーを粘着剤ポリマーに共重合 する力、 架橋剤を使用する際にァミンとしての性質を有するアジリジン系架橋剤を 併用することが好ましい。
架橋剤の添加量は、 通常、 架橋剤中の官能基数が粘着剤ポリマー中の官能基数よ りも多くならない程度の範囲で添加する。 しかし、 架橋反応で新たに官能基が生じ る場合、 架橋反応が遅い場合、 等には必要に応じて過剰に添加してもよい。 通常、 ウェハ裏面研削用粘着テープの粘着力は、 S U S— Β Α板に対する粘着力に換算す ると 1 0〜： 1 0 0 0 g Z 2 5 mm、 好ましくは 3 0〜6 0 0 g / 2 5 mm程度であ る。 ウェハ裏面の研削条件、 ウェハの口径、 研削後のウェハの厚み等を勘案して上 記範囲に調整する。 目安としては、 粘着剤ポリマー 1 0 0重量部に対し、 架橋剤 0 . 1〜 3 0重量部を添加して調整する。 好ましくは 0 . 3〜 1 5重量部である。
また、 粘着剤には必要に応じて、 ウェハ表面を汚染しない程度に、 界面活性剤等 を添加することも可能である。 添加する界面活性剤は、 ウェハ表面を汚染しないも のであれば、 ノニオン性でもァニオン性でも使用することができる。 ノユオン性界 面活性剤として、 ポリオキシエチレンォクチルフエニルエーテル、 ポリオキシェチ レンニノユルフェ二ノレエーテル、 ポリオキシエチレンラゥリノレエーテノレ等が挙げら れる。 ァ-オン性界面活性剤として、 アルキルジフェニールエーテルジスルフォネ ートおよびその塩、 ビスナフタレンスルフォネートおよびその塩、 ポリオキシアル キルスルホコハク酸ェステルぉよびその塩、 ポリオキシェチレンフエニルエーテル の硫酸エステルおよびその塩、 等が挙げられる。
上に例示した界面活性剤は、 単独で使用してもよいし、 2種以上を併用してもよ い。 界面活性剤の添加量は、 粘着剤ポリマーと架橋剤の合計重量、 すなわち、 架橋 した粘着剤ポリマー 1 0 0重量部に対して 0 . 0 5〜 5重量部が好ましい。 より好 ましくは 0 . 0 5〜3重量部である。
基材フィルムまたは剥離フィルムの片表面に粘着剤塗布液を塗布する方法として は、 従来公知の塗布方法、 例えばロールコーター法、 グラビアロール法、 バーコ一 ト法等が採用できる。 塗布された粘着剤の乾燥条件には特に制限はないが、 一般的 には、 8 0〜 2 0 0 °Cの温度範囲において 1 0秒〜 1 0分問乾燥することが好まし い。 さらに好ましくは、 8 0〜 1 7 0 °Cにおいて 1 5秒〜 5分問乾燥することであ る。 粘着剤層の厚みは、 半導体ウェハの表面状態、 形状、 裏面の研削方法等により 適宜決められるが、 半導体ウェハの裏面を研削している時の粘着力、 研削が完了し た後の剥離性等を勘案すると、 通常、 2〜 1 0 0 m程度である。 好ましくは 5〜 7 0 μ m程度である。
上記のようにして剥離フィルムの表面に粘着剤層を形成した後、 該粘着剤層の表 面に上記基材フィルムを積層し、 押圧して粘着剤層を基材フィルムの表面に転着す る。 転着する方法は、 公知の方法で差しつかえない。 例えば、 剥離フィルムの表面 に形成された粘着剤層の表面に基材フィルムを重ねて、 それらをニップロールに迎 引して押圧する方法等が挙げられる。 粘着剤層の表面から剥離フィルムを剥離する のは、 粘着テープとして使用する直前が好ましい。 こうして得られる粘着テープは、 ロール状とする力、 または、 所定の形状に切断した後、 保管、 搬送等に供される。 次いで、 上記の如き粘着テープを半導体ウェハの表面に貼着してからダイシング 工程に到るまでの一連の半導体ウェハの製造方法について詳細に説明する。
本発明では、 粘着テープはその粘着剤層を介して半導体ウェハ表面に貼着される c 粘着フィルムを半導体ウェハ表面に貼着する操作は、 人手により行われる場合もあ るが、 通常、 ロール状の粘着フィルムを取り付けた自動貼り機と称される装置によ つて行われる。 この様な自動貼り機として、 例えば、 タカトリ （株） 製、 形式： A TM- 1 0 0 0 B、 同 A TM— 1 1 0 0、 帝国精機 （株） 製、 形式： S T Lシリー ズ等がある。
そして、 半導体ウェハは、 粘着テープの基材フィルム層を介してウェハ裏面研削 機のチヤックテーブル等に固定される。 研削機によりウェハ裏面が所定の厚さにな るまで研削される。 研削の際に、 研削面に冷却水が注水されることが一般的である。 裏面研削方式としては、 スルーフィ一ド方式、 インフィード方式等の公知の研削方 式が採用される。 半導体ウェハの厚みは、 研削前が 5 0 0〜1 0 0 0 // mであった ものが、 研削後には 8 0〜4 0 0 // m、 好ましくは 8 0〜2 0 0 μ ιη程度になるま で研削される 通常、 研削する前の半導体ウェハの厚みは、 ウェハの口径、 種類等 により適宜決められ、 研削後の厚みは、 得られるチップの大きさ、 I Cの種類、 等 により適宜決められる。
研削が終了した後、 研削面に純水を注水する等の方法により研削屑等を除去した 後、 ウェハを上下に半回転させ、 チャックテーブルにウェハ裏面を介して固定する。 次いで、 該粘着テープを加熱して基材フィルム層を収縮させることにより該粘着テ ープをウェハ表面から剥離する。 剥離した粘着テープは専用治具を吸引する等の方 法により系外へ除去する。
ここで、 粘着テープが剥離した状態とは、 ウェハ表面に貼着した粘着テープが、 ウェハ表面の 2 0 %以上にわたって剥離した状態を言う。 この場合、 加熱された粘 着テープの他の部分は、 熱収縮により変形しており、 除去しゃすレ、状態となる。 詳 細な剥離機構は定かではないが、 例えば、 温水を用いて加熱、 剥離する場合には、 剥離状態でない部分においても、 ウェハ表面と粘着剤層の界面の大部分に温水が浸 入した状態となっている。 また、 温風で剥離する場合においても、 ウェハ表面と粘 着剤層の界面に基材フィルムの変形応力に伴う部分的な浮き上がりが生じている。 加熱方法は、 ウェハ表面に貼着された粘着テープを加熱収縮させることさえでき れば、 特に制限はないが、 5 0〜9 9 °C、 好ましくは 5 0〜8 0 °Cの温水を粘着テ ープ表面に注水する方法、 ウェハと共に 5 0〜9 9 °C、 好ましくは 5 0〜8 (TCの 温水中へ浸漬する方法等により粘着テープを 5 0〜 9 9 °C、 好ましくは 5 0〜 8 0 °Cの温水と接触させる方法、 5 0〜 9 9 °C、 好ましくは 5 0〜 8 0 °Cの温風を吹 き付ける方法、 等が挙げられる。 基材フィルムを収縮させるための粘着テ一プへの 熱伝導性を考盧した場合、 5 0〜 9 9 °C、 好ましくは 5 0〜 8 0 °Cの温水を粘着テ ープと接触させる方法が好ましい。 更に、 粘着テープを剥離した後、 研削機内にお いて、 ウェハ表面の洗浄を同時に実施することを考慮すると、 上記温度の温水を粘 着テープ表面に注水して加熱する方法が好ましい。 この場合、 粘着テープの基材フ ィルム表面に偏りなく温水を供給して、 剥離性を一層容易にすることを考慮すると、 ウェハを 5〜 5 0 0 r p mの回転速度で回転させながら温水を供給することが好ま しい。 ウェハの回転方法は、 ウェハの中心部を回転の中心点として平面回転させれ ばよい。
本発明では、 粘着テープを剥離した後のウェハ表面に純水、 アルコール類等の洗 浄液を供給して、 洗浄することができる。 洗浄液として、 純水を使用することが好 ましい。 これらの方法を採用することにより、 通常、 ウェハの裏面研削工程の後に 実施される専用の洗浄工程を省略することができ、 ウェハの裏面研削工程から表面 洗浄工程に至る一連の工程が簡略化され、 作業時間の短縮が可能である。
加熱温度は、 基材フィルムの延仲倍率、 半導体ウェハ表面保護用テープの粘着力 等によって、 また、 加熱方法の種類によって 5 0〜 9 9 °C、 好ましくは 5 0〜8 0 °Cの範囲で適宜選択し得る。 加熱時問も半導体ウェハ表面からの剥離性に影響を 及ぼす。 加熱時問は、 基材フィルムの延伸倍率、 加熱温度によって異なるが、 作業 性等を考慮すると 1〜 6 0秒問、 好ましくは 1 0〜 3 0秒問である。
従来、 ウェハ裏面の研削が終了した後、 ウェハをカセットに収納して粘着テープ 剥離工程に搬送して、 該カセットを剥離機にセットし、 カセットから取り山して粘 着テープを剥離する方法が採用されていた。 更に、 粘着テープを剥離した後、 再度 カセットに収納して洗浄工程に搬送し、 カセットから取り出して洗淨機にセッ トし てウェハ表面を洗浄する方法が採用されていた。 洗浄工程へ搬送する際には、 カセ ットへの収納及び取り出しは、 ウェハ表面に粘着テープが貼着された状態で実施さ れるので、 ウェハの厚みが 2 0 0 μ m、 またはそれ以下の厚みとなるまで薄く研削 された場合には、 ウェハが著しく反ることとなり、 ウェハがカセッ トの収納口に接 触すること等によって衝撃を受けて割れることが多かった。 直径が 1 2インチ、 ま たはそれ以上の大口径である場合には、 研削後の厚みが 4 0 0 /z m程度であっても 著しい反りが発生していた。 一方、 本発明の方法においては、 裏面研削機内において、 加熱によって粘着テー プを剥離すると共に、 ウェハ表面の洗浄処理まで実施する。 そのため、 裏面研削に よって薄層化されたウェハをカセットに収納して、 剥離工程、 さらには洗浄工程に 搬送する必要がない。 そのため、 ウェハ搬送用カセットへの収納作業、 及び該カセ ットからの取り出し作業が極めて少ない。 特に、 裏面研削工程から剥離工程への搬 送が省略できるため、 ウェハの反りに起因した、 カセット^^の収納時、 及び取り出 し時のウェハの割れが防止できる。 その上、 裏面研削、 粘着テープの加熱、 剥離の 後、 続いて研-削機内で、 純水、 アルコール類等の洗淨液でウェハ表面を洗淨するこ とにより、 ウェハ表面洗净工程も省略することができる。 最後に、 ウェハを 1 0 0 0〜 1 0 0 0 0 r p m程度の高速回転する等の方法で乾燥することにより一連のェ 程が終了する。 本発明が摘要できる半導体ウェハのサイズは、 直径が 6〜 1 6イン チ、 好ましくは 6〜1 2インチの大口径のものである。
実施例
以下、 実施例を示し、 本発明をさらに具体的に説明するが、 本発明はこれらの実 施例のみに限定されるものではない。 尚、 実施例に示した各種特性値は下記の方法 で測定した。
( 1 ) 粘着テープの収縮率 （％)
粘着テープの任意の箇所を選択し、 縦横それぞれ 1 0 c mの正方形の試料片を 1 5枚作成する。 試料片から剥離フィルムを剥離した後、 2 5。C、 5 0 °C及び 8 0 °C の空気オーブン中で 1分間加熱した後、 室温で 5分問放置する。 縦方向 （機械方 向） の試料片の長さを測定して、 加熱前の長さ （L 、 及び、 加熱後の長さ （L2) から収縮率 〔 { ( L - ( L2) } / ( L 〕 X I 0 0 (%) を求める。 各条件に おいて 5回測定してその平均値を求める。
( 2 ) E S C Aによるウェハ表面汚染の測定
8インチシリコンミラーウェハをダイアモンドカッターで表面を汚染しないよう に 1 c m角に切断した。 切断したウェハの表面を E S C Aを用いて下記の条件で測 定し、 珪素に対する炭素の比 （以下、 CZ S i比という） を求め、 有機物によるシ リコンウェハの汚染状況を調べる。 < E S C A測定条件及ぴ CZS i比算出法 >
X線源： Mg Κ α線 （ 1 253. 6 e V) , X線出力： 300W、 測定真空度： 2ラ 10— 7 P a以下、 CZS i ： (炭素のピーク面積） / (珪素のピーク面積） く CZS i比の評価方法 >
試料を貼着する前のシリコンミラーウェハ表面の C/S i値は 0. 10 (ブラン ク値） である。 従って、 試料を貼着した後のシリコンミラーウェハ表面の C/S i 値が 0. 10〜0. 1 2程度のものを汚染無し、 それを超えるものを汚染有りと判 定する。
(3) 粘着力の測定
23 °Cにおいて、 粘着剤層を介して、 5 X 20 c mの S U S— B A板の表面に貼 着し、 1時間放置する。 試料の一端を挟持し、 剥離角度 1 80° 、 剥離速度 300 mm/m i n. で S U S— B A板から試料を剥離する際の応力を測定し、 g / 25 mmこ換算する。
実施例 1
重合反応機に脱イオン水 148重量部、 ァニオン性界面活性剤としてポリオキシ エチレンノニルフエニルエーテルサルフエ一トのアンモニゥム塩 （「本乳化剤
(株） 製、 商品名 ： Newc o l— 560 S F、 50重量％水溶液） 2重量部 （界 面活性剤単体として 1重量部） 、 重合開始剤として 4， 4 ' ーァゾビス 4ーシァ ノバレリックアシッ ド （大塚化学 （株） 製、 商品名 ： ACVA) 0. 5 量部、 ァ クリル酸ブチル 74重量部、 メタクリル酸メチル 14重量部、 メタクリル酸ー 2— ヒ ドロキシェチル 9重量部、 メタクリル酸 2重量部、 アタリルァミ ド 1重量部を添 加し、 攪枠下で 70 °Cにおいて 9時間乳化重合を実施し、 ァクリル樹脂系水ェマル ジョンを得た。 これを 14重量。 /0ァンモユア水で中和し、 固形分約 40重量。 /0の粘 着剤ポリマー （主剤） ェマルジヨンを得た。 得られた粘着剤主剤ェマルジヨン 10 0重量部 （粘着剤ポリマー濃度約 40重量％) を採取し、 さらに 14重量％ァンモ ユア水を加えて pH9. 3に調整した。 次いで、 アジリジン系架橋剤 （日本触媒化 学工業 （株） 製、 商品名 ：ケミタイ ト PZ— 33) 2重量部、 および造膜助剤とし リコ一ルモノブチルエーテル 5重量部を添加して粘着剤塗布液を得 た。
Tダイ押出法にて製膜された厚さ 50 μ m、 ビカット軟化点 140°C、 片表面の 表面張力が 30 d y n e/c mであるポリプロピレンフィルムを剥離フィルムとし て用い、 ロールコーター法により該剥離フィルムの該片表面に上記方法により得ら れたァクリル系樹脂水ェマルジョン型粘着剤を塗布し、 100 °Cにおいて 60秒問 乾燥し、 剥離フィルムの表面に厚さ 1◦ μηιのァク リル系粘着剤層を設けた。
Tダイ押出法により製膜された未延伸エチレン一酢酸ビニル共重合体 （以下、 E VAという） フィルムを 50°Cにおいて縦方向に 3. 0倍延伸し、 さらに 60°Cで 熱固定し、 厚さ 1 20 μ mの一軸延伸 EVAフィルムとした。 該ー軸延仲 EVAフ イルムの片面にコロナ放電処理を施し、 表面張力を 50 d y n e/c mとし、 これ を基材フィルムとして用いた。
剥離フィルムの表面に設けられたアタリル系粘着剤層の表面に基材フイルムのコ 口ナ放電処迎面を重ね合わせて積層し、 2 k g Z c m2の圧力で押圧し、 該粘着剤層 を基材フィルムの表面に転着させて、 粘着力 200 g/25 mmの粘着テープを得 た。 該粘着テープの各温度における熱収縮率を上記方法により測定した結果を 〔表 1〕 に示す。
得られた粘着テープを、 径 8ィンチ、 厚み 700 μ mのミラ一ウェハ 50枚の表 面に貼着し、 裏面研削機へ供した。 研削機内では、 最初に粗研削、 次いで仕上げ研 肖 |J、 最後に裏面洗净を実施した。 すなわち、 裏面研削機内で、 該ミラーウェハを研 削速度 300 μ m/分で厚み 1 70 / mまで粗研削し、 次いで、 20 / m/で 1 2 0 /xmまで仕上 ijjf削した。 最後に、 裏面を洗浄後、 さらにウェハを半転させて表裏 を反対にし、 ウェハ表面に貼着された粘着テープに 60°Cの温水を 10秒間注水し、 次いで、 ウェハを 500 r pmで回転させながら、 さらに 60 °Cの温水を 1 0秒間 注水し、 粘着テープを剥離した。 その後 3000 r pmで回転させ乾燥後、 ウェハ を研削機から取り出してカセットに収納した。 50枚すベてのウェハを破損するこ となく収納することができた。 研削開始から収納までの時間は 1 50分問であった。 得られた結果を 〔表 1〕 に示す。
実施例 2 裏面研削の後、 粘着テープを 8 0 °Cの温風で 3 0秒間加熱した以外、 実施例 1と 同様の方法で半導体ウェハを研削し、 テープの剥離を行った。 5 0枚すベてのゥェ ハを破損することなく収納した。 研削開始から収納までの時間は 1 6 0分間であつ た。 得られた結果を 〔表 1〕 に示す。
実施例 3
実施例 1と同様の方法で粘着テープの剥離まで行い、 さらに、 ウェハを 1 0 0 0 r p mの回転速度で回転させながら純水で 3分間洗浄し、 次いで、 3 0 0 0 r p m で乾燥後ウェハを取り出した。 5 0枚すベてのウェハを破損することなく収納した。 研削開始から収納までの時間は 1 6 0分であった。 収納された 8インチミラーゥェ ハの表面汚染の測定を上記方法で行った。 得られた結果を 〔表 1〕 に示す。
実施例 4
ミラーウェハとして、 口径 6インチ、 厚み 6 0 0 μ mのものを使用し、 粗研削後 の厚みを 1 5 0 μ m、 仕上研削後の厚みを 8 0 μ mとした以外は、 実施例 3と同様 の方法で半導体ウェハを研削し、 テープの剥離、 ウェハの洗淨を行った。 その結果、 5 0枚すベてのウェハを破損することなしに収容した。 研削開始から収容までの時 間は 1 6 0分であった。 得られた結果を 〔表 1〕 に示す。
比較例 1
厚さ 1 2 0 μ mの未延伸 E V Aフィルムの片面にコ口ナ放電処理を施し、 表面張 力を 5 0 d y n e /c mとし、 これを基材フィルムとして用いた以外は、 実施例 1 と同様にして粘着テープを得た。 得られた粘着テープを径 8インチ、 厚み 7 0 0 μ mのミラーウェハ 5 0枚の表面に貼着し、 裏面研削機へ供した。 裏而研削機内で、 実施例 1と同様にして粗研削、 及び仕上研削を実施した後、 裏面を洗 および乾燥 後、 カセットに収納した。
次いで、 粘着テープ剥離装置に供し、 該テープを剥離した。 ウェハを裏面研削機 力 ら取り出し、 カセットに収納する際にウェハが 2枚カセットの収納口に接触し破 損した。 また、 粘着テープ剥離装置において、 テープ剥離前、 ウェハをチャックテ 一ブルに吸着した際 1枚、 テープ剥離時に 4枚破損した。 研削開始からテープ剥離 後の収納までの時間は 1 9 0分間であった。 得られた結果を 〔表 1〕 に示す。
比較例 2
比較例 1と同様にしてテープ剥離まで行つた後、 さらに、 ウェハを洗净工程へ供 し、 カセット式のオーバ一フ口一式洗净槽にて仮洗浄と本洗净をそれぞれ 3分問と 5分間行った。 次いで、 回転式の乾燥機で乾燥した。 該ウェハを裏面研削機から取 り出し、 カセットに収納する際にウェハが 2枚カセットの収納口に接触し破損した。 また、 半導体表面保護用粘着テープ剥離装置において、 テープ剥離前、 ウェハをチ ャックテーブルに吸着した際 1枚、 テープ剥離時に 2枚破損した。 研削開始からテ —プ剥離後の収納までの時問は 1 9 0分であった。 さらに、 洗符，工程への搬送の際 に 1枚破損した。 研削開始から洗浄終了まで 2 2 0分問であつた。 収納された 8ィ ンチミラーウェハの表面汚染の測定を行った。 得られた結果を 〔表 1〕 に示す。
実施例 比較例
1 2 3 4 1 2 組成 EVA EVA EVA EVA EVA EVA 基材フィルム 延伸倍率 3 3 3 3 未延伸未延伸 延伸方向 1軸 (縱) 1軸 （縦) 1軸 : 1軸 (縱)未延伸未延伸
25 V 0 0 0 0 0 0
50 °C 10 10 10 10 0 粘着 収縮率 (%) 0 テープ 80 °C 40 40 40 40 0 0 粘着力 （gZ25mm) 200 200 200 200 200 200 加熱方法 温水 M¾ 温水 温水
温度 （。c) 60 90 60 60 一― 加熱時間 （秒） 20 30 20 20
剥離までの時間 150 160 150 150 190 190 作業時 テープ
間 （分） ウェハ洗浄までの時間 160 160 220 裏面研削 0 0 0 0 2 2 ウェハ割れ
(枚） テープ剥離 0 0 0 0 5 3 ウェハ洗浄 0 0 1
C/Si 0.1 0.1 0.1
E AC A分析
ウェハの汚染 なし なし なし

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 半導体ウェハの表面に粘着テープを貼着し、 研削機を用いて半導体ウェハ の裏面を研削した後、 粘着テープを剥離する半導体ウェハの製造方法であって、 該 粘着テープとして熱収縮性を有する粘着テープを用い、 且つ、 該半導体ウェハの裏 面を研削した後、 弓 Iき続いて該研削機内において粘着テープを加熱して半導体ゥェ ハの表面から剥離することを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
2 . 口径が 6〜1 6インチである半導体ウェハの裏面を厚み 8 0〜4 0 0 μ m まで研削することを特徴とする請求の範囲第 1項記載の半導体ウェハの製造方法。
3 . 口径が 6〜1 6インチである半導体ウェハの裏面を厚み 8 0〜2 0 0 yu m まで研削することを特徴とする請求の範囲第 2項記載の半導体ウェハの製造方法。
4 . 口径力 6〜1 2インチである半導体ウェハの裏面を厚み 8 0〜2 0 0 x m まで研削することを特徴とする請求の範囲第 3項記載の半導体ウェハの製造方法。
5 . 温水及び温風からなる群から選ばれた少なくとも 1種の熱媒体を用いて 5 0〜 9 9 °Cの温度範囲に加熱することを特徴とする請求の範囲第 1項記載の半導体 ウェハの製造方法。
6 . 熱媒体の温度が 5 0〜8 0 °Cである請求の範囲第 5項記載の半導体ウェハ の製造方法。
7 . 温水を用いて 5 0〜 9 9 °Cの温度範囲に加熱することを特徴とする請求の 範囲第 5項記載の半導体ウェハの製造方法。
8 . 温水を用いて 5 0〜 8 0 °Cの温度範囲に加熱することを特徴とする請求の 範囲第 7項記載の半導体ウェハの製造方法。
9 . 半導体ウェハを 5〜 5 0 0 r p mの回転速度で回転しながら加熱すること を特徴とする請求の範囲第 1項記載の半導体ウェハの製造方法。
10. 粘着テープの熱収縮率が、 5 0〜 9 9 °Cにおいて 5〜 5 0 %であることを 特徴とする請求の範囲第 1項記載の半導体ウェハの製造方法。
11. 粘着テープの熱収縮率が、 5 0〜 8 0 °Cにおいて 5〜 5 0 %であることを 特徴とする請求の範囲第 1 0項記載の半導体ウェハの製造方法。
12. 半導体ウェハの表面から粘着テープを剥離し、 さらに、 洗浄液で半導体ゥ ェハの表面を洗浄することを特徴とする請求の範囲第 1項記載の半導体ウェハの製 造方法。
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