JPH08258038A - 半導体ウェハ保護用粘着フィルム及びこれを用いた表面保護方法 - Google Patents
半導体ウェハ保護用粘着フィルム及びこれを用いた表面保護方法Info
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- JPH08258038A JPH08258038A JP6237295A JP6237295A JPH08258038A JP H08258038 A JPH08258038 A JP H08258038A JP 6237295 A JP6237295 A JP 6237295A JP 6237295 A JP6237295 A JP 6237295A JP H08258038 A JPH08258038 A JP H08258038A
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- adhesive film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェハ加工時には半導体ウェハ電子回
路面を保護し、剥離する際には放射線の照射をせずに、
ＩＣメモリーへのダメージをも与えることなく、加熱の
みで容易に剥離できる半導体ウェハ保護用粘着フィルム
及びそれを用いた表面保護方法を提供する。 【構成】 半導体ウェハに粘着剤の融点以上の温度で貼
り付け、融点付近で半導体ウェハの加工を行い、数秒間
加熱して半導体ウェハから剥離、除去する。接着力が、
粘着剤の融点付近ではある程度高く、加熱剥離する高温
で低くなり、粘着剤を構成するモノマーの２０〜８０重
量％が側鎖の炭素原子数８以上の櫛形ポリマーと、基材
が熱収縮性を有するプラスチックフィルムから構成され
る。
路面を保護し、剥離する際には放射線の照射をせずに、
ＩＣメモリーへのダメージをも与えることなく、加熱の
みで容易に剥離できる半導体ウェハ保護用粘着フィルム
及びそれを用いた表面保護方法を提供する。 【構成】 半導体ウェハに粘着剤の融点以上の温度で貼
り付け、融点付近で半導体ウェハの加工を行い、数秒間
加熱して半導体ウェハから剥離、除去する。接着力が、
粘着剤の融点付近ではある程度高く、加熱剥離する高温
で低くなり、粘着剤を構成するモノマーの２０〜８０重
量％が側鎖の炭素原子数８以上の櫛形ポリマーと、基材
が熱収縮性を有するプラスチックフィルムから構成され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハ保護用粘
着フィルム及びこれを用いた表面保護方法に係り、更に
詳しくは、半導体ウェハを加工する際に切断屑等の異物
が電子回路面に付着することを防止し、加熱により被着
体より容易に剥離，除去できる半導体ウェハ保護用粘着
フィルム及びこれを用いた表面保護方法に関する。
着フィルム及びこれを用いた表面保護方法に係り、更に
詳しくは、半導体ウェハを加工する際に切断屑等の異物
が電子回路面に付着することを防止し、加熱により被着
体より容易に剥離，除去できる半導体ウェハ保護用粘着
フィルム及びこれを用いた表面保護方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子回路形成後の半導体ウェハは、裏面
を機械的に研磨するバックグラインド、回路チップ毎に
半導体ウェハを切断するダイシング、リードフレームに
半導体チップを接着するダイボンディング、これらを樹
脂で封止するモールディングを経て、いわゆる集積回路
（ＩＣ）になる。
を機械的に研磨するバックグラインド、回路チップ毎に
半導体ウェハを切断するダイシング、リードフレームに
半導体チップを接着するダイボンディング、これらを樹
脂で封止するモールディングを経て、いわゆる集積回路
（ＩＣ）になる。
【０００３】これらの工程の中でダイシングの際に半導
体ウェハは、裏面を粘着フィルムで固定し回転式丸刃を
用いてダイシングされ、エキスパンディング，ピックア
ップしてダイボンディングされる。ダイシングの際に半
導体ウェハ回路面は、回転式丸刃の冷却，発生した切り
屑の除去を目的に常時水により洗浄されているものの、
発生した楔状の切り屑が電子回路面に突き刺さったり、
電子回路面に付着して半導体ウェハ表面が汚染され、Ｉ
Ｃの製造歩留りを低下させるという問題がある。特に近
年における回路密度の向上によりこの問題は深刻化して
いる。
体ウェハは、裏面を粘着フィルムで固定し回転式丸刃を
用いてダイシングされ、エキスパンディング，ピックア
ップしてダイボンディングされる。ダイシングの際に半
導体ウェハ回路面は、回転式丸刃の冷却，発生した切り
屑の除去を目的に常時水により洗浄されているものの、
発生した楔状の切り屑が電子回路面に突き刺さったり、
電子回路面に付着して半導体ウェハ表面が汚染され、Ｉ
Ｃの製造歩留りを低下させるという問題がある。特に近
年における回路密度の向上によりこの問題は深刻化して
いる。
【０００４】これらの問題を解決するための方法とし
て、特公平５−７１６８号公報に開示されるように、放
射線架橋型の粘着剤を熱収縮性プラスチックフィルムに
塗布し電子回路形成後の半導体ウェハ表面に貼り付け、
ダイシングの際に表面を保護し、ダイボンディング直前
にＵＶを照射することにより粘着剤を３次元架橋させ、
これにより半導体ウェハとの接着力を低下させ、更に加
熱することによりプラスチックフィルムを粘着剤ととも
に収縮剥離させる方法が提案されている。
て、特公平５−７１６８号公報に開示されるように、放
射線架橋型の粘着剤を熱収縮性プラスチックフィルムに
塗布し電子回路形成後の半導体ウェハ表面に貼り付け、
ダイシングの際に表面を保護し、ダイボンディング直前
にＵＶを照射することにより粘着剤を３次元架橋させ、
これにより半導体ウェハとの接着力を低下させ、更に加
熱することによりプラスチックフィルムを粘着剤ととも
に収縮剥離させる方法が提案されている。
【０００５】しかしこの方法では、放射線架橋型粘着剤
が非常に高価であること、架橋後の接着力のバラツキが
大きいこと、放射線の照射装置が必要であり、例えばＵ
Ｖの場合にはランプのメンテナンスが必要である等の欠
点が挙げられる。更に電子回路の種類にもよるが、あま
り強いＵＶを照射するとＩＣのメモリー機能が損なわれ
る恐れもある等の問題点がある。
が非常に高価であること、架橋後の接着力のバラツキが
大きいこと、放射線の照射装置が必要であり、例えばＵ
Ｖの場合にはランプのメンテナンスが必要である等の欠
点が挙げられる。更に電子回路の種類にもよるが、あま
り強いＵＶを照射するとＩＣのメモリー機能が損なわれ
る恐れもある等の問題点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこれらの問題
点に鑑み、放射線架橋型粘着剤及び放射線照射装置を用
いることなく、加熱のみで容易に半導体ウェハから粘着
フィルムを剥離できる安価な半導体ウェハ保護用粘着フ
ィルム及びこれを用いた表面保護方法を提供することを
目的としている。
点に鑑み、放射線架橋型粘着剤及び放射線照射装置を用
いることなく、加熱のみで容易に半導体ウェハから粘着
フィルムを剥離できる安価な半導体ウェハ保護用粘着フ
ィルム及びこれを用いた表面保護方法を提供することを
目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、これらの
問題を解決するために鋭意検討した結果、側鎖の炭素原
子数が８以上の櫛形ポリマーを粘着剤として用いると、
該粘着剤が側鎖結晶性を有し、室温付近に一次転移点即
ち融点を持ち、この融点よりも１０℃以上高い温度での
接着力低下は無定形の粘着剤の二次転移点（Ｔｇ）以上
での接着力低下よりも顕著であることを見出し本発明に
至った。
問題を解決するために鋭意検討した結果、側鎖の炭素原
子数が８以上の櫛形ポリマーを粘着剤として用いると、
該粘着剤が側鎖結晶性を有し、室温付近に一次転移点即
ち融点を持ち、この融点よりも１０℃以上高い温度での
接着力低下は無定形の粘着剤の二次転移点（Ｔｇ）以上
での接着力低下よりも顕著であることを見出し本発明に
至った。
【０００８】ここで粘着剤の融点とはＤＳＣ（示差走査
熱量計、昇温速度１０℃／分）で測定した鋭い吸熱ピー
クの頂点の温度である。またダイジングのみでなく、そ
の前の加工工程から表面保護に用いることが可能である
ことも確認した。即ち本発明は、粘着剤と熱収縮性を有
するプラスチックフィルム基材から成り、該粘着剤を構
成するモノマーの２０〜８０重量％が側鎖の炭素原子数
８以上の櫛形ポリマーであり、シリコンウェハに対する
接着力が、粘着剤の融点付近で５０ｇｆ／２５ｍｍ以上
且つ、８０℃で２０ｇｆ／２５ｍｍ以下である半導体ウ
ェハ保護用粘着フィルム及びこれを用いた表面保護方法
に関するものである。
熱量計、昇温速度１０℃／分）で測定した鋭い吸熱ピー
クの頂点の温度である。またダイジングのみでなく、そ
の前の加工工程から表面保護に用いることが可能である
ことも確認した。即ち本発明は、粘着剤と熱収縮性を有
するプラスチックフィルム基材から成り、該粘着剤を構
成するモノマーの２０〜８０重量％が側鎖の炭素原子数
８以上の櫛形ポリマーであり、シリコンウェハに対する
接着力が、粘着剤の融点付近で５０ｇｆ／２５ｍｍ以上
且つ、８０℃で２０ｇｆ／２５ｍｍ以下である半導体ウ
ェハ保護用粘着フィルム及びこれを用いた表面保護方法
に関するものである。
【０００９】次に本発明を詳細に説明する。本発明に用
いる熱収縮性プラスチックフィルムとしては、ポリエチ
レン，ポリプロピレン，ポリ塩化ビニル，ポリエステル
等が使用できる。その構成は単一層でも多層でも良い。
また厚さは、６〜１８０μｍが好ましい。熱収縮性プラ
スチックフィルムは、後に塗布される粘着剤との密着を
高める目的から、物理的又は化学的処理の何れか又は両
方の処理をした方が好ましい。物理的処理を例示する
と、サンドブラスト，研磨処理等があり、化学処理とし
ては、コロナ処理，プラズマ処理，プライマー処理等が
挙げられるが、処理の際に熱が加わるとフィルムが収縮
する恐れがあるので、収縮フィルムの収縮温度以上の熱
がかからない処理が好ましい。処理と効果の兼ね合いか
らコロナ処理がより好ましい。また収縮率は、剥離の温
度にもよるが一般には、８０〜１５０℃で数秒間加熱後
の収縮率が１０％以上のものが好ましい。この収縮率が
１０％未満になると、加熱時に粘着フィルムがうまく剥
離しなくなるという不都合が生じる恐れがある。
いる熱収縮性プラスチックフィルムとしては、ポリエチ
レン，ポリプロピレン，ポリ塩化ビニル，ポリエステル
等が使用できる。その構成は単一層でも多層でも良い。
また厚さは、６〜１８０μｍが好ましい。熱収縮性プラ
スチックフィルムは、後に塗布される粘着剤との密着を
高める目的から、物理的又は化学的処理の何れか又は両
方の処理をした方が好ましい。物理的処理を例示する
と、サンドブラスト，研磨処理等があり、化学処理とし
ては、コロナ処理，プラズマ処理，プライマー処理等が
挙げられるが、処理の際に熱が加わるとフィルムが収縮
する恐れがあるので、収縮フィルムの収縮温度以上の熱
がかからない処理が好ましい。処理と効果の兼ね合いか
らコロナ処理がより好ましい。また収縮率は、剥離の温
度にもよるが一般には、８０〜１５０℃で数秒間加熱後
の収縮率が１０％以上のものが好ましい。この収縮率が
１０％未満になると、加熱時に粘着フィルムがうまく剥
離しなくなるという不都合が生じる恐れがある。
【００１０】上述の粘着フィルムに塗布する粘着剤に
は、櫛形ポリマーで、該ポリマーの側鎖の炭素原子数が
８以上のものを用いる。櫛形ポリマーとは、N.A.Plate
et.al.;J.Polym.Sci.;Sci.;Mcromolecular Reviews,8,1
17-253(1974)で定義されるように、１本の主鎖が多数の
枝分かれを持つものでポリマーを構成するモノマーに炭
素原子数４以上の側鎖を持つものである。本発明では、
側鎖の炭素原子数が８以上のものを使用する。その例と
して、ポリ（α−オレフィン），ポリ（アクリル酸アル
キルエステル），ポリ（メタクリル酸アルキルエステ
ル），ポリ（ビニルアルキルエーテル），ポリ（ビニル
アルキルエステル），ポリ（アルキルスチレン）等が挙
げられる。
は、櫛形ポリマーで、該ポリマーの側鎖の炭素原子数が
８以上のものを用いる。櫛形ポリマーとは、N.A.Plate
et.al.;J.Polym.Sci.;Sci.;Mcromolecular Reviews,8,1
17-253(1974)で定義されるように、１本の主鎖が多数の
枝分かれを持つものでポリマーを構成するモノマーに炭
素原子数４以上の側鎖を持つものである。本発明では、
側鎖の炭素原子数が８以上のものを使用する。その例と
して、ポリ（α−オレフィン），ポリ（アクリル酸アル
キルエステル），ポリ（メタクリル酸アルキルエステ
ル），ポリ（ビニルアルキルエーテル），ポリ（ビニル
アルキルエステル），ポリ（アルキルスチレン）等が挙
げられる。
【００１１】これらの中でポリ（アクリル酸アルキルエ
ステル），ポリ（メタクリル酸アルキルエステル）が特
に好ましく、この場合ポリマーを構成するモノマーの２
０〜８０重量％が炭素原子数９以上、好ましくは１２以
上のアルキルエステルである必要がある。これは、エス
テル炭素原子数が９以上で側鎖結晶性を有するようにな
り一次転移点（融点）が観測されるようになるためであ
る。
ステル），ポリ（メタクリル酸アルキルエステル）が特
に好ましく、この場合ポリマーを構成するモノマーの２
０〜８０重量％が炭素原子数９以上、好ましくは１２以
上のアルキルエステルである必要がある。これは、エス
テル炭素原子数が９以上で側鎖結晶性を有するようにな
り一次転移点（融点）が観測されるようになるためであ
る。
【００１２】これらモノマーを例示すると、アクリル酸
ドデシル，アクリル酸テトラデシル，アクリル酸ペンタ
デシル，アクリル酸ヘキサデシル，アクリル酸オクタデ
シル，アクリル酸ドコサン等が挙げられ、メタクリル酸
誘導体についても同様であるが、これらに限定されるも
のではない。アルキルエステルは直鎖の方が好ましい
が、枝分かれしていても構わない。これら長鎖エステル
モノマー量が全体モノマーの２０重量％未満になると、
ポリマーの融点以上での接着力の低下が緩慢になるため
好ましくない。また、長鎖エステルモノマー量が８０重
量％よりも多くなると、融点付近での接着力が低くなり
粘着剤として使用できないので好ましくない。長鎖エス
テルモノマーの種類は、所望の融点に合わせて選定す
る。粘着剤の融点は、粘着フィルム使用温度より低いほ
うが好ましく、更に具体的には０〜４０℃が好ましい。
粘着フィルムを粘着剤の融点以下にすると接着力が下が
り保持できなくなる恐れがある。
ドデシル，アクリル酸テトラデシル，アクリル酸ペンタ
デシル，アクリル酸ヘキサデシル，アクリル酸オクタデ
シル，アクリル酸ドコサン等が挙げられ、メタクリル酸
誘導体についても同様であるが、これらに限定されるも
のではない。アルキルエステルは直鎖の方が好ましい
が、枝分かれしていても構わない。これら長鎖エステル
モノマー量が全体モノマーの２０重量％未満になると、
ポリマーの融点以上での接着力の低下が緩慢になるため
好ましくない。また、長鎖エステルモノマー量が８０重
量％よりも多くなると、融点付近での接着力が低くなり
粘着剤として使用できないので好ましくない。長鎖エス
テルモノマーの種類は、所望の融点に合わせて選定す
る。粘着剤の融点は、粘着フィルム使用温度より低いほ
うが好ましく、更に具体的には０〜４０℃が好ましい。
粘着フィルムを粘着剤の融点以下にすると接着力が下が
り保持できなくなる恐れがある。
【００１３】粘着剤ポリマーには、接着力等の制御のた
めに汎用のアクリル酸（メタクリル酸）誘導体を用いる
こともできる。汎用のアクリルモノマーとしては、アク
リル酸，アクリル酸メチル，アクリル酸エチル，アクリ
ル酸−ｎ−ブチル，アクリル酸イソブチル，アクリル酸
ヘキシル，アクリル酸−２−エチルヘキシル，アクリル
酸−２−ヒドロキシエチル，アクリル酸−２−ヒドロキ
シプロピル，アクリル酸アミド，アクリル酸グリシジ
ル，アクリル酸−２−シアノエチル，アクリロニトリル
等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
メタクリル酸誘導体についても同様である。本発明の目
的を失わない範囲で、前述の長鎖エステルモノマーと共
重合したり、これらの２種類以上のホモポリマーをブレ
ンドしたり、これらを組み合わせても構わない。むしろ
所望の特性を満足させるために変性するほうが好まし
い。
めに汎用のアクリル酸（メタクリル酸）誘導体を用いる
こともできる。汎用のアクリルモノマーとしては、アク
リル酸，アクリル酸メチル，アクリル酸エチル，アクリ
ル酸−ｎ−ブチル，アクリル酸イソブチル，アクリル酸
ヘキシル，アクリル酸−２−エチルヘキシル，アクリル
酸−２−ヒドロキシエチル，アクリル酸−２−ヒドロキ
シプロピル，アクリル酸アミド，アクリル酸グリシジ
ル，アクリル酸−２−シアノエチル，アクリロニトリル
等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
メタクリル酸誘導体についても同様である。本発明の目
的を失わない範囲で、前述の長鎖エステルモノマーと共
重合したり、これらの２種類以上のホモポリマーをブレ
ンドしたり、これらを組み合わせても構わない。むしろ
所望の特性を満足させるために変性するほうが好まし
い。
【００１４】粘着剤に用いるアクリル酸（メタクリル
酸）誘導体のポリマーは、従来の方法で重合され、重合
方法，重合溶媒，重合開始剤等に限定はないが、その重
量平均分子量は、ポリスチレン換算で３０万〜１５０万
が好ましく、５０万〜１００万であれば更に好ましい。
分子量が３０万以下になると粘着フィルム剥離時に粘着
剤が凝集破壊を起こし易くなるため好ましくない。また
１５０万を越えると被着体との接着力が弱くなったり汎
用の溶媒に溶け難くなるため好ましくない。
酸）誘導体のポリマーは、従来の方法で重合され、重合
方法，重合溶媒，重合開始剤等に限定はないが、その重
量平均分子量は、ポリスチレン換算で３０万〜１５０万
が好ましく、５０万〜１００万であれば更に好ましい。
分子量が３０万以下になると粘着フィルム剥離時に粘着
剤が凝集破壊を起こし易くなるため好ましくない。また
１５０万を越えると被着体との接着力が弱くなったり汎
用の溶媒に溶け難くなるため好ましくない。
【００１５】粘着剤には、タック付与剤，着色剤等の添
加剤を添加することもできる。
加剤を添加することもできる。
【００１６】粘着剤は、その凝集力を向上させる目的か
ら架橋剤及びその触媒によって架橋することも可能であ
る。これを例示すると、イソシアネート，エポキシ，ア
ミン，イミド，メラミン樹脂等が挙げられるが、これら
に限定されるものではない。しかし、架橋の密度を高く
し過ぎると、接着力が低下するので好ましくない。
ら架橋剤及びその触媒によって架橋することも可能であ
る。これを例示すると、イソシアネート，エポキシ，ア
ミン，イミド，メラミン樹脂等が挙げられるが、これら
に限定されるものではない。しかし、架橋の密度を高く
し過ぎると、接着力が低下するので好ましくない。
【００１７】前述の熱収縮性プラスチックフィルムに、
粘着剤を均一に塗布、乾燥することにより、半導体ウェ
ハ保護用粘着フィルムを得る。該粘着フィルムを製造す
るための塗工，搬送，乾燥の方法については特に制限は
ないが、乾燥を行う際の温度は重要である。あまり温度
を高くし過ぎると熱収縮性フィルムが収縮してしまい、
半導体ウェハから剥離する際に充分に収縮せず、その結
果うまく剥離しない恐れがある。フィルム上に塗布する
粘着剤厚みは、接着力を勘案して決定され、一般に１〜
１５μｍが好ましいが限定はない。
粘着剤を均一に塗布、乾燥することにより、半導体ウェ
ハ保護用粘着フィルムを得る。該粘着フィルムを製造す
るための塗工，搬送，乾燥の方法については特に制限は
ないが、乾燥を行う際の温度は重要である。あまり温度
を高くし過ぎると熱収縮性フィルムが収縮してしまい、
半導体ウェハから剥離する際に充分に収縮せず、その結
果うまく剥離しない恐れがある。フィルム上に塗布する
粘着剤厚みは、接着力を勘案して決定され、一般に１〜
１５μｍが好ましいが限定はない。
【００１８】この半導体ウェハ保護用粘着フィルムの接
着力は、粘着剤の融点付近ではある程度高く、加熱剥離
する高温で低くなるのが好ましい。具体的には、シリコ
ンウェハに対する接着力が、粘着剤の融点付近で５０ｇ
ｆ／２５ｍｍ以上あり且つ、８０℃で２０ｇｆ／２５ｍ
ｍ以下になるのが好ましい。融点付近で５０ｇｆ／２５
ｍｍ以下だと半導体ウェハ加工時に粘着フィルムが剥が
れてしまう恐れがある。また、８０℃で２０ｇｆ／２５
ｍｍ以上あると収縮させて剥がす際にきれいに剥離しな
いことがある。
着力は、粘着剤の融点付近ではある程度高く、加熱剥離
する高温で低くなるのが好ましい。具体的には、シリコ
ンウェハに対する接着力が、粘着剤の融点付近で５０ｇ
ｆ／２５ｍｍ以上あり且つ、８０℃で２０ｇｆ／２５ｍ
ｍ以下になるのが好ましい。融点付近で５０ｇｆ／２５
ｍｍ以下だと半導体ウェハ加工時に粘着フィルムが剥が
れてしまう恐れがある。また、８０℃で２０ｇｆ／２５
ｍｍ以上あると収縮させて剥がす際にきれいに剥離しな
いことがある。
【００１９】このようにして得られた半導体ウェハ保護
用粘着フィルムを電子回路形成後の半導体ウェハの回路
面に貼り付ける。貼り付け温度は粘着剤の融点以上が好
ましい。貼り付け温度は粘着剤の融点以上が好ましい。
融点以下だとタック性に乏しいためうまく貼り付かな
い。貼り付け圧力、貼り付け方法に限定はない。
用粘着フィルムを電子回路形成後の半導体ウェハの回路
面に貼り付ける。貼り付け温度は粘着剤の融点以上が好
ましい。貼り付け温度は粘着剤の融点以上が好ましい。
融点以下だとタック性に乏しいためうまく貼り付かな
い。貼り付け圧力、貼り付け方法に限定はない。
【００２０】このようにして、半導体ウェハ保護用粘着
フィルムを貼り付けられた半導体ウェハはバックグライ
ンド，ダイシング等の加工を行い、この間、半導体ウェ
ハ保護用粘着フィルムは半導体ウェハ電子回路面を保護
する。
フィルムを貼り付けられた半導体ウェハはバックグライ
ンド，ダイシング等の加工を行い、この間、半導体ウェ
ハ保護用粘着フィルムは半導体ウェハ電子回路面を保護
する。
【００２１】この半導体ウェハ保護用粘着フィルムで保
護した半導体ウェハを加工する時の方法は、従来の方法
で行われれば良く特に限定はないが、融点より１０℃低
いか又は５℃高い範囲で行われるのが好ましい。あまり
温度が上がり過ぎるとフィルムが収縮して剥がれる恐れ
があり、低過ぎても接着力が低下して保持できなくなる
ので好ましくない。
護した半導体ウェハを加工する時の方法は、従来の方法
で行われれば良く特に限定はないが、融点より１０℃低
いか又は５℃高い範囲で行われるのが好ましい。あまり
温度が上がり過ぎるとフィルムが収縮して剥がれる恐れ
があり、低過ぎても接着力が低下して保持できなくなる
ので好ましくない。
【００２２】次にダイシング後のチップの加熱を行うこ
とによって半導体ウェハ保護用フィルムの剥離を行う。
その加熱方法は、ダイシングフィルムに付けたまま加熱
する方法、ピックアップ後に加熱する方法、リードフレ
ーム上に載せダイボンディングする際の熱により加熱す
る方法等があるが、限定されるものではない。その中で
もダイボンディング時の熱を利用する方法は、効率が良
く、ダイボンディング時までチップ表面を保護できるた
め好ましい。その温度は、熱収縮性フィルムが充分に収
縮する温度であり且つ、チップにダメージを与えない範
囲である必要がある。一般には、８０〜１５０℃が好ま
しい。
とによって半導体ウェハ保護用フィルムの剥離を行う。
その加熱方法は、ダイシングフィルムに付けたまま加熱
する方法、ピックアップ後に加熱する方法、リードフレ
ーム上に載せダイボンディングする際の熱により加熱す
る方法等があるが、限定されるものではない。その中で
もダイボンディング時の熱を利用する方法は、効率が良
く、ダイボンディング時までチップ表面を保護できるた
め好ましい。その温度は、熱収縮性フィルムが充分に収
縮する温度であり且つ、チップにダメージを与えない範
囲である必要がある。一般には、８０〜１５０℃が好ま
しい。
【００２３】最後に、加熱により粘着フィルムを収縮さ
せて、半導体チップより浮いた状態にして、粘着フィル
ムを除去する。その除去方法としては、ブロー，吸引，
チップを裏返しての自然落下等が挙げられるが、限定さ
れるものではない。この時、加熱しても接着力が高いま
まだと粘着フィルムがチップから浮かなくなりうまく除
去できないので好ましくない。
せて、半導体チップより浮いた状態にして、粘着フィル
ムを除去する。その除去方法としては、ブロー，吸引，
チップを裏返しての自然落下等が挙げられるが、限定さ
れるものではない。この時、加熱しても接着力が高いま
まだと粘着フィルムがチップから浮かなくなりうまく除
去できないので好ましくない。
【００２４】
【作用】本発明は、粘着剤として融点を有するものを使
用し、その融点よりも１０℃以上での接着力が大きく低
下するものと、熱収縮性のプラスチックフィルムの組み
合わせから成る粘着フィルムを半導体ウェハの回路面保
護等に使用するものである。接着力が必要となる半導体
ウェハ加工時は粘着剤の融点付近で操作し、逆に低い接
着力が要求される剥離時には、粘着剤の融点よりも１０
℃以上且つ熱収縮フィルムの収縮温度以上に加熱するこ
とにより半自動的に剥離させるものである。操作性の観
点から、粘着剤の融点は０〜４０℃が好ましく、そのた
めには、粘着剤が櫛形のポリマー構造を有し、該ポリマ
ーの側鎖の炭素原子数が８以上であれば良い。櫛形ポリ
マー構造を有する粘着剤を構成するモノマーとしては、
その２０〜８０％が炭素原子数９以上のエステルを有す
るアクリル酸（メタクリル酸）エステルが好ましい。
用し、その融点よりも１０℃以上での接着力が大きく低
下するものと、熱収縮性のプラスチックフィルムの組み
合わせから成る粘着フィルムを半導体ウェハの回路面保
護等に使用するものである。接着力が必要となる半導体
ウェハ加工時は粘着剤の融点付近で操作し、逆に低い接
着力が要求される剥離時には、粘着剤の融点よりも１０
℃以上且つ熱収縮フィルムの収縮温度以上に加熱するこ
とにより半自動的に剥離させるものである。操作性の観
点から、粘着剤の融点は０〜４０℃が好ましく、そのた
めには、粘着剤が櫛形のポリマー構造を有し、該ポリマ
ーの側鎖の炭素原子数が８以上であれば良い。櫛形ポリ
マー構造を有する粘着剤を構成するモノマーとしては、
その２０〜８０％が炭素原子数９以上のエステルを有す
るアクリル酸（メタクリル酸）エステルが好ましい。
【００２５】
【実施例】以下本発明を実施例に基づいて説明する。
尚、本発明はこれらに限定されるものではない。
尚、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２６】＜合成例１，２＞モノマーとしてアクリル
酸ヘキサデシル（以下Ｃ16Ａと略す），アクリル酸エチ
ル（以下ＥＡと略す），アクリル酸−２−ヒドロキシエ
チル（以下ＨＥＡと略す）を、重合開始剤としてアゾビ
スイソブチロニトリル（以下ＡＩＢＮと略す）を用い窒
素気流中，酢酸エチル（以下ＥｔＡｃと略す）を溶媒と
して８０℃で４時間重合しアクリルエラストマーを得
た。残留モノマー及び低分子量物を除去する目的から、
このエラストマー溶液の大略１０倍容量のエチルアルコ
ール中で十分に撹拌，洗浄した。析出したアクリル酸エ
ラストマーを単離し、真空乾燥機で８０℃，１２時間乾
燥しドライエラストマーを得た。このドライエラストマ
ーを固形分濃度が２０重量％になるようにトルエンに溶
解，希釈しアクリル粘着剤を得た。各材料の仕込み量，
得られたアクリルエラストマーの重量平均分子量及び融
点を表１示す。
酸ヘキサデシル（以下Ｃ16Ａと略す），アクリル酸エチ
ル（以下ＥＡと略す），アクリル酸−２−ヒドロキシエ
チル（以下ＨＥＡと略す）を、重合開始剤としてアゾビ
スイソブチロニトリル（以下ＡＩＢＮと略す）を用い窒
素気流中，酢酸エチル（以下ＥｔＡｃと略す）を溶媒と
して８０℃で４時間重合しアクリルエラストマーを得
た。残留モノマー及び低分子量物を除去する目的から、
このエラストマー溶液の大略１０倍容量のエチルアルコ
ール中で十分に撹拌，洗浄した。析出したアクリル酸エ
ラストマーを単離し、真空乾燥機で８０℃，１２時間乾
燥しドライエラストマーを得た。このドライエラストマ
ーを固形分濃度が２０重量％になるようにトルエンに溶
解，希釈しアクリル粘着剤を得た。各材料の仕込み量，
得られたアクリルエラストマーの重量平均分子量及び融
点を表１示す。
【００２７】＜合成例３，４＞Ｃ16Ａの代わりにアクリ
ル酸オクタデシル（以下Ｃ18Ａと略す）を用いた他は、
合成例１，２と同様にしてアクリル粘着剤を得た。各材
料の仕込み量，得られたアクリルエラストマーの重量平
均分子量及び融点を表１示す。
ル酸オクタデシル（以下Ｃ18Ａと略す）を用いた他は、
合成例１，２と同様にしてアクリル粘着剤を得た。各材
料の仕込み量，得られたアクリルエラストマーの重量平
均分子量及び融点を表１示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】＜実施例１〜４＞合成例１，２及び３，４
で得られた粘着剤にアクリルエラストマー中の水酸基に
対し、０．１当量のイソシアネート（コロネートＬ，日
本ポリウレタン工業株式会社製）を添加，混合した。
で得られた粘着剤にアクリルエラストマー中の水酸基に
対し、０．１当量のイソシアネート（コロネートＬ，日
本ポリウレタン工業株式会社製）を添加，混合した。
【００３０】これらの粘着剤を乾燥後の厚みが１０μｍ
になるように、２５μｍ厚みの熱収縮性ポリエステルフ
ィルム（東洋紡績株式会社製，スペースクリーンＳ２６
００）に均一になるように塗布し、６０℃で２０分間乾
燥し粘着フィルムを得た。
になるように、２５μｍ厚みの熱収縮性ポリエステルフ
ィルム（東洋紡績株式会社製，スペースクリーンＳ２６
００）に均一になるように塗布し、６０℃で２０分間乾
燥し粘着フィルムを得た。
【００３１】得られた粘着フィルムを、２μｍ厚みのα
線遮蔽用ポリイミド樹脂（日立化成工業株式会社製、Ｐ
ＩＸＩ４００）を塗布した４ｉｎシリコンウェハに表２
に示すように融点よりも約１０℃高い温度で６ｋｇ／ｃ
ｍ，２ｍ／分の条件で貼り付け、カッターナイフで５ｍ
ｍ角の格子状に切れ目を入れた。このシリコンウェハを
１００℃，１０分加熱した。何れの粘着フィルムも加熱
によりシリコンウェハ上にカールしエアブローで容易に
除去できた。除去後のシリコンウェハに糊残りは全く観
察されなかった。表２に融点付近及び８０℃でのシリコ
ンウェハに対する接着力を示す。
線遮蔽用ポリイミド樹脂（日立化成工業株式会社製、Ｐ
ＩＸＩ４００）を塗布した４ｉｎシリコンウェハに表２
に示すように融点よりも約１０℃高い温度で６ｋｇ／ｃ
ｍ，２ｍ／分の条件で貼り付け、カッターナイフで５ｍ
ｍ角の格子状に切れ目を入れた。このシリコンウェハを
１００℃，１０分加熱した。何れの粘着フィルムも加熱
によりシリコンウェハ上にカールしエアブローで容易に
除去できた。除去後のシリコンウェハに糊残りは全く観
察されなかった。表２に融点付近及び８０℃でのシリコ
ンウェハに対する接着力を示す。
【００３２】＜比較例＞汎用の粘着フィルム（Ｔｇ：−
４３℃）の粘着剤を用いて実施例１〜４と同様の検討を
行った。剥離のための加熱を行っても粘着フィルムはカ
ールせずうまく剥離できなかった。
４３℃）の粘着剤を用いて実施例１〜４と同様の検討を
行った。剥離のための加熱を行っても粘着フィルムはカ
ールせずうまく剥離できなかった。
【００３３】
【表２】
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、半導体ウェハ保護用粘
着フィルムを用いて、半導体ウェハのバックグライン
ド，ダイシング等の加工を行えば、該工程では半導体ウ
ェハの回路面を保護し、剥離時には、放射線照射を行う
ことなく、加熱するだけで簡単に半導体ウェハ保護用粘
着フィルムを除去することが可能となり、工程の簡略化
が図れる。
着フィルムを用いて、半導体ウェハのバックグライン
ド，ダイシング等の加工を行えば、該工程では半導体ウ
ェハの回路面を保護し、剥離時には、放射線照射を行う
ことなく、加熱するだけで簡単に半導体ウェハ保護用粘
着フィルムを除去することが可能となり、工程の簡略化
が図れる。
【００３５】また、本発明になる粘着フィルムは半導体
ウェハに限らず同じような加工を行うものに対しても適
用できることは勿論である。
ウェハに限らず同じような加工を行うものに対しても適
用できることは勿論である。
フロントページの続き (72)発明者 佐久間 和則 茨城県下館市大字五所宮1150番地 日立化 成工業株式会社結城工場内
Claims (5)
- 【請求項１】 粘着剤と熱収縮性を有するプラスチック
フィルム基材から成り、該粘着剤を構成するモノマーの
２０〜８０重量％が側鎖の炭素原子数８以上の櫛形ポリ
マーであり、シリコンウェハに対する接着力が、粘着剤
の融点付近で５０ｇｆ／２５ｍｍ以上且つ、８０℃で２
０ｇｆ／２５ｍｍ以下であることを特徴とする半導体ウ
ェハ保護用粘着フィルム。 - 【請求項２】 粘着剤が、炭素原子数９以上のアルキル
基を持つアクリル酸（メタクリル酸）エステルを２０〜
８０重量％含むポリ［アクリル酸（メタクリル酸）アル
キルエステル］をベースレンジとすることを特徴とする
請求項１記載の半導体ウェハ保護用粘着フィルム。 - 【請求項３】 粘着剤の融点が０〜４０℃であることを
特徴とする請求項１記載の半導体ウェハ保護用フィル
ム。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体ウェハ保護用粘着
フィルムを、それを構成する粘着剤の融点以上の温度で
被着体に貼り付け、融点より１０℃低いか又は５℃高い
範囲で、この粘着フィルムを被着体小片毎に切断した
後、８０〜１５０℃で数秒間加熱し、フィルムを収縮さ
せて被着体より剥離，除去すること特徴とする表面保護
方法。 - 【請求項５】 被着体が半導体ウェハであることを特徴
とする請求項４記載の表面保護方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6237295A JPH08258038A (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 半導体ウェハ保護用粘着フィルム及びこれを用いた表面保護方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6237295A JPH08258038A (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 半導体ウェハ保護用粘着フィルム及びこれを用いた表面保護方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08258038A true JPH08258038A (ja) | 1996-10-08 |
Family
ID=13198231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6237295A Withdrawn JPH08258038A (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 半導体ウェハ保護用粘着フィルム及びこれを用いた表面保護方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08258038A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2320615A (en) * | 1996-12-19 | 1998-06-24 | Lintec Corp | A pressure sensitive adhesive sheet for dicing objects |
| US6159827A (en) * | 1998-04-13 | 2000-12-12 | Mitsui Chemicals, Inc. | Preparation process of semiconductor wafer |
| US6273791B1 (en) | 1997-11-18 | 2001-08-14 | Mitsui Chemicals, Inc. | Method of producing semiconductor wafer |
| JP2008013590A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Nitta Ind Corp | 粘着シート |
| CN111933020A (zh) * | 2020-07-16 | 2020-11-13 | 晟通科技集团有限公司 | 标签及建筑模板 |
-
1995
- 1995-03-22 JP JP6237295A patent/JPH08258038A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2320615A (en) * | 1996-12-19 | 1998-06-24 | Lintec Corp | A pressure sensitive adhesive sheet for dicing objects |
| GB2320615B (en) * | 1996-12-19 | 2001-06-20 | Lintec Corp | Process for producing a chip and pressure sensitive adhesive sheet for said process |
| US6273791B1 (en) | 1997-11-18 | 2001-08-14 | Mitsui Chemicals, Inc. | Method of producing semiconductor wafer |
| US6159827A (en) * | 1998-04-13 | 2000-12-12 | Mitsui Chemicals, Inc. | Preparation process of semiconductor wafer |
| JP2008013590A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Nitta Ind Corp | 粘着シート |
| CN111933020A (zh) * | 2020-07-16 | 2020-11-13 | 晟通科技集团有限公司 | 标签及建筑模板 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020604 |