TW425625B - Method of producing semiconductor wafer - Google Patents

Description

4 2 5 6 2 5 B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 五、發明説# ( 1 ) 1 I [技術領1S Η 1 1 1 本 發 明 有 關 於 半 導 體 e 圓 之 製 造 方 法 0 尤 其 有 關 於 一 種 1 I 半 導 體 晶 圓 之 製 造 方 法 f 其 中 將 具 有 熱 牧 縮 性 之 半 導 體 晶 請 先 閱 \ 1 | 圓 表 面 保 護 用 粘 著 帶 粘 貼 在 組 合 有 矽 B 0B 圓 等 之 半 導 體 晶 讀 背 1 I 面 1 圓 之 積 體 電 路 之 側 之 面 (Μ下稱為晶圓表面） 9 然 後 供 給 到 之 注- \ 1 意 I 半 導 M£| 贈 晶 圓 坷 面 研 削 機 ， 用 來 研 削 未 組 合 有 半 導 體 iisL 晶 圓 之 孝 1 I 再二 1 «, I 電 路 之 側 之 面 (Κ下稱為晶圓背面） r m •m·» 後 在 研 削 46J6 筛 内 填 寫 本 裝 1 fit r 對 該 粘 著 帶 進 行 加 熱 ， 用 來 使 粘 著 帶 剝 離 晶 圓 表 面 0 頁 1 I [背景技術] 1 1 I 通 常 半 導 wan m 積 體 電 路 (Μ下稱為1C) 之 製 造 方 法 是 對 高 1 1 純 度 矽 單 结 晶 等 進 行 切 片 在 成 為 半 導 體 晶 圓 之 後 利 用 1 訂 Μ 刻 加 工 等 装 置 將 積 體 電 路 組 合 在 其 表 面 然 後 利 用 研 磨 - 1 I 、 蝕 刻 % 摩 擦 等 對 半 m 體 晶 圓 之 背 面 進 行 研 削 在 薄 至 1 ! 200〜400 U ΙΒ程度之後 進行切片用來產生晶片 3其概要 1 ! 1 是 包 含 有 貼 著 工 程 在 完 成 1C 之 形 成 之 後 將 粘 著 帶 貼 線 在 半 導 ΆΜ m 晶 圓 表 面 研 削 工 程 對 半 導 猿 晶 圓 之 背 面 進 行 1 1 研 削 m 離 工 程 ， 用 來 剝 雛 粘 著 帶 * 和 洗 淨 X 程 1 用 來 對 1 | 半 m 體 晶 圓 表 面 進 行 洗 淨 等 之 4個工程 ，最後Μ切片工程 1 I 用 來 產 生 晶 Η ύ 通 常 j 當 j-t- 等 製 造 工 程 間 之 半 導 體 晶 圓 之 1 ! 搬 連 時 f 是 將 半 導 Mitt Si 晶 圓 收 納 在 卡 匣 的 進 行 搬 運 〇 亦 即 » 1 1 在 各 個 工 程 重 複 的 進 行 從 卡 匣 中 取 出 和 收 納 到 卡 匣 之 單 位 ! ! 操 作 因 為 近 年 來 有 薄 層 化 和 大 P 徑 化 之 傾 向 t 所 Μ 不 僅 i 1 會 造 成 晶 圓 之 破 損 1 而 且 工 程 煩 雜 9 和 會 造 成 作 業 時 間 之 i 1 損 失 等 0 1 ! 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 五、發明説明（ 2 ) 1 1 近 年 來 随 著 半 導 體 晶 片 之 小 型 化 9 使 晶 圓 之 薄 層 化 傾 1 1 向 更 進 一 步 1 在 習 知 技 術 中 m 面 研 削 後 之 晶 圓 之 厚 度 為 1 1 200〜400 U m之程度， 但是ft ξ照晶片之種類之不同 可K 請 1 1 變 成 薄 至 150 u 程 度 〇 另 外 7 對 於 尺 寸 大 小 方 面 習 知 之 閲 讀 1 I η I | 徑 最 大 為 8吋 但是具有變成12吋， 甚至1 6吋之大型化 之 1 注 1 之 傾 向 〇 在 此 種 半 導 體 晶 圓 之 薄 層 化 f 大 D 徑 化 之 狀 況 下 意 事 1 項- 9 背 面 被 研 削 後 之 半 導 體 晶 圓 S 容 易 發 生 彎 曲 r 當 在 晶 圓 填 1 表 面 貼 著 著 帶 之 情 況 時 由 於 粘 著 餓 帶 之 拉 伸 力 f 使 其 彎 寫 本 買 裝 1 曲 力 之 傾 向 變 為 更 強 0 因 此 9 背 面 研 削 後 之 薄 層 化 之 半 専 1 1 體 晶 圓 當 被 收 納 在 卡 匣 時 9 會 與 卡 匣 收 納 P 接 觸 被 m ! 1 加 稍 徽 之 衝 擊 時 就 很 容 易 破 損 0 1 訂 在 半 導 體 晶 圓 背 面 之 研 削 工 程 時 為 著 保 護 彤 成 在 半 導 1 I 體 晶 圓 之 表 面 之 1C 和 防 止 由 於 研 削 應 力 而 造 成 半 導 體 晶 1 1 圓 之 破 損 所 以 在 晶 圓 表 面 貼 著 有 晶 圓 表 面 保 護 用 粘 著 帶 1 1 〇 該 粘 著 帶 在 晶 圓 背 面 完 成 研 削 後 變 成 不 需 要 利 用 粘 著 ' ] 線 帶 剝 雛 用 裝 置 使 其 從 晶 圓 表 面 剝 離 0 剝 雛 之 方 法 如 曰 本 國 1 I 專 利 案 特 開 平 2- 2 8 9 5 0號公報所掲示之方法 在粘貼於半 1 1 導 體 晶 圓 表 面 之 粘 著 帶 之 基 板 膜 面 » 貼 著 被 稱 為 剝 離 帶 之 I 1 具 有 強 粘 著 力 之 帶 t 經 由 該 剝 離 帶 進 行 剝 雛 0 但 是 * 如 上 1 1 所 述 7 在 半 導 體 晶 圓 之 薄 化 f 大 P 徑 化 狀 況 下 * 當 將 具 1 i 有 彎 曲 很 大 之 半 導 體 晶 圓 吸 著 在 研 削 m 之 夾 頭 枱 時 t 或 是 1 | 將 粘 著 帶 剝 離 晶 圓 時 f 半 導 體 晶 圓 很 容 易 破 損 〇 1 1 I 為 著 防 it 當 將 钻 著 帶 從 半 導 髓 晶 圓 表 面 钊 離 時 發 生 晶 圓 1 1 破 損 % 所 Μ 提 案 有 改 善 剌 離 性 之 表 面 保 護 用 膜 0» 例 如 t 在 1 i 本紙银尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X2W公缝） 425625 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 3 ) 1 1 ] 曰 本 國 專 利 案 特 開 昭 60 -1 89938號公報所記載之方法中， 1 ! 1 當 半 導 體 晶 圓 之 背 面 研 磨 時 » 將 接 著 膜 (其構成包含有光 1 I 透 過 性 之 支 持 體 i 和 被 設 在 該 支 持 體 上 之 利 用 光 照 射 而 rffi 硬 請 先 閱 1 I 化 之 具 有 三 次 元 網 吠 化 性 質 之 感 壓 性 接 著 劑 )貼著在晶圓 讀 背 1 i 1 表 面 ， 在 研 磨 後 Μ 光 昭 射 該 接 著 膜 j 在 將 該 接 著 膜 剝 離 時 之 注， 1 1 不 會 使 晶 圓 破 損 ύ 但 是 f 該 發 明 所 揭 示 之 利 用 光 昭 <IVVS 射 產 生 筆 項 [ I 再一 1 S 1 硬 化 之 具 有 次 元 網 狀 化 性 質 之 感 壓 性 接 著 劑 (粘著劑層） 窝 本 1 > 因 為 是 利 用 游 雞 基 聚 合 進 行 聚 合 之 粘 著 劑 層 9 所 kk 當 晶 頁 、_*<· 1 1 圓 和 粘 著 劑 層 之 間 有 氧 氣 進 入 之 情 況 時 由 於 氧 氣 之 聚 合 1 1 1 抑 制 效 Bfty 懕 ) 不 能 充 分 的 進 行 硬 化 反 應 當 晶 圓 背 面 研 削 後 i 1 之 剝 離 時 t 凝 聚 力 低 之 未 硬 化 之 粘 著 劑 會 污 染 晶 圓 之 表 面 1 訂 〇 在 組 合 有 積 體 電 路 之 晶 圓 表 面 會 有 複 雜 之 凹 凸 要 使 空 - I ] 氣 (氧氣） 完 全 不 會 進 入 的 進 行 貼 著 極 為 困 難 0 另 外 要 製 1 1 出 貼 著 時 能 夠 除 去 氧 氣 之 系 統 時 需 要 設 置 新 的 装 置 0 由 1 I ί 於 此 種 粘 著 劑 而 引 起 之 污 染 有 時 可 Μ 利 用 溶 劑 等 之 洗 淨 加 一 1 、線 以 除 去 但 是 在 大 部 份 之 情 況 在 目 前 並 不 能 完 全 除 去 〇 1 1 另 外 在 此 種 方 法 中 當 晶 圓 面 研 削 後 將 晶 圓 搬 運 到 1 i 粘 著 帶 剝 離 工 程 時 對 於 晶 圓 破 損 之 防 止 和 作 ΛΛ1Λ. 采 時 間 之 m 1 I 短 看 不 出 有 任 何 優 點 ύ 1 1 Ι 如 上 所 述 在 希 望 半 導 nm 體 晶 圓 之 大 □ 徑 化 和 薄 層 化 仍 能 1 I 獲 得 1C之 高 性 能 — 狀 況 下 ， 最 好 能 夠 提 供 一 種 半 導 ra«> 體 晶 圓 1 1 之 製 造 方 法 其 中 晶 圓 衷 面 之 非 污 染 性 1 和 防 止 晶 圓 .-its 面 i 1 研 削 時 之 破 損 等 可 Μ 維 持 與 習 知 者 相 同 之 位 準 * 在 钻 著 帶 1 | 之 剝 離 時 和 晶 圓 之 在 各 個 處 理 工 程 間 搬 運 時 不 會 使 晶 圓 t 1 本紙悵尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX 297公釐） -6 一 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4 2 5625 1 A7 B7五、發明説明（4 ) 破損，而且可以縮短作業時間。 [發明之揭示] 本發明針對上述之問題，其目的是提供半導體晶圓之製 造方法 > 在半導體晶圓之搬運時和半導體晶圓表面保護用 粘著帶之剝離時，可Μ防止晶圓之破裂，和可Μ縮短作業 時間。 本發明人等為著達成上述之目的，致力研究之结果發現 經由採用具有熱收縮性之半導體晶圓表面保護用粘著帶· 將其貼著在晶圓表面後，在半導體晶圓背面研削機内霣施 背面研削，然後在該研削機内對該粘著帶進行加熱，可Κ 使半導體晶圓不會破損，和可以使粘著帶很容易剝離|而 且亦發現利用瑄種方式可以省略習知技術之下一個工程之 粘著帶剝離工程，因而完成本發明。 亦即，本發明是一種半導體晶圓之製造方法*將粘著帶 貼著在半導體晶圓之表面*使用研削機對半導體晶圓之背 面進行研削後，使粘著帶剝離，其特徵是該粘著帶靖用具有 熱收縮性之粘著帶，和在該半導體晶圓之背面之研削後， 繼續在該研削機内對粘著帶進行加熱•使其剝離半導體晶 圓之表面。 在本發明中，在研削機内對粘著帶進行加熱之較佳方法 是使用選自由溫水和溫風構成之群組中之至少1種之熱媒 體。熱媒體之溫度在5 0〜9 9 t之範圍，最好是在5 0〜8 0 °C 之範圍。另外|亦可Μ在研削機内使粘著帶$1|離後•繼續 以洗淨液對晶圓表面進行洗淨。在這棰情況最好使用水或 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公缝) _ Ί 一 ί--------批衣------'1Τ------@{ ( (請先閱讀背面之注意事項I填寫本頁) 425625 A7 B7 經濟部中夹標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 5 ) 1 I 溫 水 等 作 為 洗 淨 液 0 1 1 r 依 昭 八、1 本 發 明 之 方 法 時 即 使 將 P 徑 為 6， -16 吋， Ϊ if f為6 t [ 12时 -i* 半 導 體 晶 圓 之 Αί 面 研 削 成 為 厚 度 薄 至 80 400 u t ID 請 先 閲 1 j I ， 最 好 為 80 200 a i ΪΠ 程 度 之 情 況 9 在 3匕 坷 面 研 削 後 使 粘 著 帶 讀 背 1 1 剝 離 時 9 亦 不 會 使 半 導 體 晶 圓 破 損 0 另 外 9 因 為 在 研 削 機 面 之 1 注- ί 内 利 用 粘 著 帶 本 身 之 m 收 縮 性 用 來 使 粘 著 帶 剝 離 J 所 Η 例. 意 事 1 項 I 如 在 從 研 削 igfi； 賤 取 出 晶 圓 將 其 收 納 在 卡 匣 時 > 在 晶 圓 之 表 面 再二 s I 寫 裝 1 不 貼 著 粘 著 帶 晶 圓 之 彎 曲 變 成 極 小 〇 因 此 當 收 納 在 卡 本 頁 匣 時 不 會 因 為 晶 圓 接 觸 在 卡 匣 之 收 納 □ 等 而 使 晶 圓 r.rfr m 裂 i [ 〇 另 外 假 如 在 研 削 健 m 内 對 晶 圓 表 面 進 行 洗 淨 時 則 可 以 I I 省 略 搬 運 到 下 一 個 工 程 之 洗 淨 工 程 之 動 作 0 1 訂 依 照 上 述 之 本 發 明 時 即 使 在 將 P 徑 為 6〜16时之半導 1 l 體 晶 圓 之 北 m 面 研 削 成 為 厚 度 薄 至 80 2 0 0 ju in 程 度 之 情 況 * I 1 當 將 粘 著 帶 剝 離 時 亦 不 會 使 半 導 越 腊 晶 圓 破 損 0 另 外 因 * 1 I 為 採 用 在 研 削 機 内 利 用 熱 收 m 使 粘 著 帶 剝 雛 之 方 法 所 Μ I 、線 當 從 研 削 槪 中 取 出 晶 圓 將 其 收 納 在 卡 匣 時 晶 圓 之 彎 曲 極 i [ 小 0 因 此 I 在 收 納 到 卡 匣 時 t 不 會 因 為 晶 圓 接 觸 在 卡 匣 之 1 1 1 收 納 □ 等 而 使 晶 圓 破 裂 〇 另 外 > 假 如 在 研 削 機 内 使 用 溫 水 1 i 作 為 粘 著 帶 之 加 熱 媒 體 用 來 進 行 加 熱 和 剝 離 t 和 以 洗 淨 液 1 1 實 施 洗 淨 時 1 則 可 Μ 省 略 習 知 技 術 之 進 行 下 一 個 工 程 之 專 f 1 用 之 洗 淨 工 程 因 此 ， 依 照 本 發 明 時 J 可 以 在 短 時 間 内 實 1 I 施 從 半 導 體 晶 圓 之 背 面 研 削 到 晶 圓 表 面 之洗淨Z- 連 貫 -y 工 1 1 程 可 以 縮 短 作 業 時 間 0 1 1 [茛胞本發明之最佳形態] 1 1 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4規格（210x29"/公釐） 425625 _ A7 B7 五、發明説明（6 下面將說明本發明之细節。本發明之概要是將剝離膜剝 離半導體晶圓之表面保護用粘著帶（以下稱為粘著帶）之粘 著劑層*用來使钻著劑層表面露出，經由該粘著劑層，貼 著在半導體晶圓之組合有積體電路之側之面（晶圓表面）。 其次，經由粘著帶之基材膜層將半導體晶圓固定在研削機 之夾頭枱等，對半導體晶圓之背面進行研削。在研削完成 後*繼壤在研削機內對粘著帶進行加熱|將粘著帶剝離。 其次，依照需要對晶圓表面進行洗淨，然後，從該研削機 中將晶圓取出，和收納在卡匣等，然後搬運到切片工程等 之下一個工程。 本發明所使用之粘著帶是利用具有熱收縮性之肜成在基 材膜之一側表面之粘著劑層者。最好在該粘著劑層之表面 貼著有通常被稱為分開膜之剝離膜，當保存、搬蓮等之時 ，用來保護粘著劑層。粘著帶之製造方法最好是首先在剝 離膜之一表面塗布粘著劑，對其進行乾燥*在形成粘著劑 層之後，轉移到具有熱收縮性之基材膜之表面。具有熱收 請 先 閲 讀 背 1¾ i 事 項. 再一 i 訂 線 在 是 好 最 險 材 基 之 性 0

是 好 最 /fv P

其 使 \1/ V 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 在 率 0 收 熱 之 向 方 横 縱 Λίν· 向 方 軸 2 或 向 方 軸 範 之 圍 何 如 - 值 外 對另 絕 ο 之 用 力使 張可 面 均 表膜 論 之 不膜 上材 質基 本於 膜低 離力 剝張 之 面 述表 上有 具 要 只 之 膜 oi 0 剝 熱畏爐 耐較燥 當要乾 。 需在 性燥 ， 燥乾外 乾 ， 另 之 溫 。 劑低燥 著較乾 粘要之 之需效 面度有 表溫行 其燥進 在乾間 布 之 時 塗劑短 到著：^ 響钻能 影 ，不 會時 ， 性低間 熱變時 附性之 9 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） 4 256 2 5 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 五、發明説明 ( 7 ) 1 1 内 9 剝 離 膜 產 生 熱 收 縮 > 剝 離 膜 會 發 生 詖 紋 等 之 問 題 9 不 1 1 能 形 成 具 有 均 一 厚 度 之 粘 著 劑 層 0 Μ 此 觀 點 來 看 t 剝 誠 m 膜 1 1 最 好 具 有 指 定 之 耐 熱 性 0 酎 執 性 之 判 斷 基 準 是 最 好 具 有 V 請 1 I 先 1 1 0 0 °C Μ上之維卡（ Vi c a t) 軟 化 點 〇 Ρ 要 能 夠 滿 足 上 述 之 條 閲 1 背 1 件 I 剝 離 膜 之 種 類 並 沒 有 特 別 之 限 制 0 早 層 膜 或 積 層 膜 都 面 之 1 注 1 可 使 用 ， 從 市 面 上 之 販 賣 品 中 適 當 的 選 擇 〇 意 華 1 項· 實 質 上 之 剝 離 膜 之 m 例 有 利 用 高 密 度 聚 乙 烯 ， 聚 丙 烯 t 1 寫 裝 1 聚 對 苯 二 甲 酸 乙 二 酵 醅 9 和 聚 醢 亞 胺 % 樹 脂 等 f 或 該 等 之 本 頁 混 合 物 所 製 造 成 之 膜 〇 較 佳 者 有 高 密 度 聚 乙 烯 膜 聚 丙 烯 1 1 膜 和 聚 m 苯 二 甲 酸 乙 二 醇 酯 膜 等 〇 該 等 膜 之 製 造 方 法 並 1 I 沒 有 特 別 之 限 制 可 以 利 用 壓 出 成 形 法 輪 壓 爾 成 形 法 等 1 1 訂 之 習 知 方 法 製 造 另 外 成 形 溫 度 只 要 在 原 料 樹 脂 之 玻 璃 1 轉 移 點 或 軟 化 點 Μ 上 低 於 分 解 溫 度 之 溫 度 均 不 會 有 問 i i 題 ΰ I I 另 外 為 著 達 到 使 粘 著 劑 層 之 釗 離 _ 之 剝 離 應 力 減 小 之 、1 線 0 的 在 塗 布 剝 離 膜 之 粘 著 劑 使 表 面 不 會 被 粘 著 劑 層 污 染 1 1 之 範 圍 亦 可 以 塗 布 矽 % 等 之 剝 離 劑 α 剝 雛 膜 之 膜 厚 隨 著 1 1 乾 燥 條 件 * 粘 著 劑 層 之 種 類 和 厚 度 f 及 粘 著 帶 之 加 工 條 件 1 1 ， 加 工 方 法 等 而 異 ， 通 常 為 10 〜 1000 U τη 3最好為20〜100 I 1 I U m 粘 著 帶 之 熱 收 m 性 會 影 響 到 從 半 m 體 晶 圓 表 面 剝 舱 m 之 剝 1 1 離 性 〇 當 收 縮 m 太 低 時 t 在 加 熱 時 會 產 生 剝 離 不 良 r 剝 雜 1 1 m 要 相 當 之 時 間 另 外 t 當 收 縮 率 太 高 時 ， 會 由 於 保 管 時 1 1 之 因 時 變 化 而 使 帖 著 帶 變 形 在 將 粘 著 帶 貼 著 在 晶 圓 表 面 ί 1 本紙浪尺度適用中國國家標準（CMS ) Λ4規格（：M(V.< 297公釐） -1 〇 _ Λ Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明说明 ( 8 ) 時 會 使 作 業 效 率 降 低 0 從 此 觀 點 來 看 > 最 好 是在 50 〜9 9 V (如為5 0〜 -8 0 °C更佳） * 使 粘 著 帶 之 熱 收 m 率 成為 5、 50¾ 〇 在 這 種 情 況 9 在 上 述 溫 度 範 圍 之 至 少 之 一 點 ，可 K 使用 具 有 上 述 之 熱 收 m 性 之 帶 0 收 縮 方 向 可 以 是 —— 軸方 向 ，亦 可 以 是 21 6 ( 縱 * 橫 )方1¾ ]ΰ 材質之種類並S ϊ有特別之限制。 實 質 上 之 實 例 有 環 丙 基 甲 酸 乙 烯 共 聚 體 9 2烯甲基尹 ί烯酸 - 共 聚 not 頒 ， 聚 丁 二 烯 共 聚 體 聚 丁 二 烯 V 軟 質 氯化 2烯樹脂 Τ 聚 烯 ， 聚 _ 聚 醢 亞 胺 離 子 鐽 聚 合 物 等 之樹 脂 ，和 該 等 之 共 聚 體 强 性 體 > 和 二 烯 烴 系 腈 系 > 丙 係 等之 膜 ύ 基 材 膜 可 Μ 使 用 單 層 MSt 體 亦 可 以 使 用 積 層 體。 但 是 當 考 慮 到 要 防 止 a BB 圓 背 面 研 削 中 之 半導 體 晶圓 之 破 損 時 最 好 利 用 使 尚 氐 (S h 〇 re )D型 T.rft 度 為 40M 下 之樹 脂 成 形 加 工 在 ASTH -D -22 40之具有彈性之膜 例如最好使用 τΐα 丙 基 甲 酸 乙 烯 共 聚 體 (M下稱為EVA)膜和聚丁二烯膜 > 仕 這 種 情 況 在 基 板 膜 之 設 有 粘 著 劑 層 之 面 之相 反 側之 面 T 最 好 積 層 較 硬 之 膜 (實質上是將尚氐D 型 硬 度超 過 40之 樹 脂 成 形 加 工 成 & vf?y 膜 狀 之 具 有 熱 收 縮 性 之 膜 ) ;利用這種方 式 用 來 增 加 粘 著 帶 之 m 性 和 改 善 貼 著 作 迪 栗 效率 和 剝離 作 業 效 率 0 基 材 膜 厚 度 依 照 保 II 之 半 導 體 晶 圓 之 肜 狀， 衷 面吠 態 1 研 削 之 方 法 j 研 削 條 件 » 或 晶 圓 表 面 保 護 用辛占 著 帶之 切 斷 » 貼 著 等 之 作 業 效 率 * 進 行 適 當 之 決 定 1 通常 為 10〜 1 00C U m °最； 9為1 0C 〜 300 U π 1 ύ 上 述 之 基 材 膜 之 製 造 方 法 並 沒 有 特 刖 之 限 制， 可 Μ使 用 本紙張又度適用中國國家標隼（CNS )八4規格（；Μ0Χ297公釐） Π 請 先 閱 讀 背 ιδ 之 注、 意 事 項 I裝 訂 線 425625 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (9 ) 1 1 壓 出 成 形 法 > 輪 壓 機 成 形 法 等 習 知 之 方 法 製 造 〇 成 形 溫 度 1 1 只 要 在 原 料 樹 脂 之 坡 璃 轉 移 點 或 軟 化 點 Μ 上 j 低 於 分 解 溫 1 1 度 之 溫 度 j 均 不 會 有 問 題 0 為 著 要 使 基 板 膜 具 有 塾 收 縮 性 請 1 先 1 J 所 Μ 使 其 至 少 沿 著 1軸之方向延伸c 延伸倍率是在晶圓 閲 ik 1 背 1 背 面 之 研 削 後 t 使 粘 著 帶 剝 離 晶 圓 表 面 時 之 剝 離 性 不 會 影 面 之 1 注 1 響 到 作 jiu. 采 效 率 等 0 當 延 伸 倍 率 太 低 時 在 加 熱 藉 從 晶 圓- 意 事 1 項· 表 面 剝 離 之 情 況 t 不 能 使 基 板 膜 產 生 充 分 之 收 縮 剝 離 效 再' l 率 和 作 業 效 率 會 降 低 當 考 慮 到 此 點 時 使 延 伸 倍 率 成 為 寫 本 頁 裝 1 1 . 2倍K上 最好為1 .5倍 Μ 上 0 基 板 膜 之 延 伸 方 1¾ 可 Μ 是 S_·Τ i 1 1軸延伸 沿著膜之縱方商或横方向進行延伸 或是2軸 延 1 I 伸 沿 著 膜 之 縱 方 向 和 横 方 向 進 行 延 伸 〇 當 考 it 到 延 伸 時 1 1 訂 之 破 裂 等 時 延 伸 倍 率 之 上 限 為 10倍 之 程 度 〇 1 另 外 延 伸 方 法 亦 沒 有 特 別 之 限 制 可 Μ 使 用 滾 筒 壓 延 1 1 法 » 滾 筒 延 伸 法 等 之 m 軸 延 伸 法 或 利 用 拉 幅 碳 等 之 m 軸 1 | 逐 次 二 軸 延 伸 法 或 利 用 拉 幅 Μ 之 縱 横 同 時 二 軸 延 伸 法 等 、1 線 習 知 之 延 伸 方 法 延 伸 溫 度 最 好 為 40 70 V 對 依 上 述 方 式 1 延 伸 之 基 材 膜 進 行 熱 處 理 促 成 經 過 長 時 間 亦 不 會 發 生 收 ! 1 m 0 熱 處 理 之 溫 度 m 好 為 45 〜 80 °c 0 1 I 基 材 膜 之 面 (至少在積層有粘著劑之面） 之 表 面 張 力 需 要 1 | 高 於 形 成 有 剝 離 膜 之 粘 著 劑 層 之 側 之 面 之 表 面 張 力 0 通 常 1 1 ， 不 論 表 ΕΪΙ 張 力 之 絕 對 值 如 何 只 要 是 具 有 表 面 張 力 高 於 1 1 剝 離 瞑 之 表 面 張 力 之 瞑 > 均 可 使 用 作 為 基 材 膜 〇 當 考 慮 1 ! 到 從 剝 離 轉 著 後 之 坫 著 劑 之 密 著 性 等 時 r 最 好 選 定 具 有 1 1 35di n f / Γ mM上之表面張力之延ί 申膜作為基準 0 1 吏表Ϊ s張 1 1 -]2 - 本紙張尺度通用中圉國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 256 25 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製

五、發明説明 (1〇) I I 力 低 之 粘 著 劑 層 和 基 材 膜 之 密 著 性 降 低 可 >1 進 行 良 好 之 I I 粘 著 劑 Ff^* 曆 之 轉 著 自 剝 離 層 0 使 基 材 膜 之 表 面 張 力 變 高 之 方 I I 法 可 使 用 電 重 放 電 處 理 等 0 請 i 先 I 钻 著 m 之 成 分 並 沒 有 特 別 之 限 制 ， 可 Μ 從 市 面 上 之 販 賣 閱 I 背 i 品 中 適 當 的 選 擇 9 但 是 從 辛占 著 性 、 塗 布 性 I 和 晶 圓 表 面 之 面 之 l 注. I 非 污 染 性 等 之 觀 點 來 看 時 ， 最 好 使 用 丙 烯 酸 % 粘 著 劑 0 此 意 事 I 項 I 種 丙 烯 酸 糸 钻 著 劑 之 獲 得 是 對 包 含 有 丙 烯 酸 烷 基 酯 單 體 * % 裝 ! 和 具 有 羧 基 之 單 體 之 單 am 趙 混 合 物 進 行 共 聚 而 獲 得 〇 另 外 » 本 頁 亦 可 以 嵌 昭 需 要 對 能 夠 與 該 等 共 聚 之 乙 鋪 單 體 多 官 能 性 — I | 單 體 内 部 交 聯 性 單 體 等 進 行 共 聚 0 I I 作 為 該 丙 烯 酸 烷 基 酯 單 體 者 例 如 可 Μ 使 用 甲 基 丙 烯 酸 I [ 訂 酷 甲 基 甲 丙 烯 酸 醅 乙 基 丙 烯 酸 酿 乙 基 甲 基 丙 烯 酸 酷 ! f 丙 基 丙 烯 酸 酯 丙 基 甲 碁 丙 烯 酸 酯 丁 基 丙 烯 酸 酯 丁 i I 基 甲 基 丙 烯 酸 酯 己 基 丙 烯 酸 酯 j 己 基 甲 基 丙 烯 酸 辛 - i i 基 丙 烯 酸 辛 基 甲 基 丙 m 酸 酯 壬 基 丙 烯 酸 m 壬 基 甲 基 線 丙 烯 酸 酯 ， 十 二 基 丙 烯 酸 酯 1 十 二 基 甲 基 丙 m 酸 酯 等 ύ 該 I 等 單 體 卞 側 鍵 院 基 可 以 成 為 直 m 狀 ， 亦 可 以 成 為 分 支 狀 0 I I 另 外 J 上 述 之 丙 烯 酸 烷 基 酷 單 體 亦 可 以 依 照 使 用 目 的 Λ 併 ! I 用 2種Κ上 -Ί I I 作 為 具 有 羧 基 之 單 體 者 j 例 如 可 Μ 使 用 丙 烯 酸 甲 基 丙 I i 烯 酸 f 巴 豆 酸 1 衣 康 酸 7 馬 來 酸 * 富 馬 酸 等 0 丙 烯 酸 基 I I I m 輩 體 和 具 有 羧 基 之 輩 體 之 可 共 聚 之 乙 烯 輩 體 1 例 如 可 ! f Μ 使 用 羥 基 乙 基 丙 烯 酸 酯 j 羥 基 乙 基 甲 基 丙 烯 酸 酯 t 羥 基 I I 丙 基 丙 烯 酸 酿 羥 基 丙 基 甲 基 丙 烯 酸 酯 丙 m 酸 Μ 胺 f 甲 i I 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2[Ox；297公釐） -13- 425625 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( U ) 1 1 基 丙 烯 酸 藤 胺 t 二 甲 基 氨 基 丙 烯 酸 酷 r 二 甲 基 氨 基 甲 基 丙 1 1 烯 酸 酯 ， 酢 酸 乙 烯 ， 聚 苯 乙 烯 丙 烯 酸 丙 烯 腈 等 0 1 1 粘 著 劑 聚 合 物 之 聚 合 反 應 機 構 可 使 用 游 離 基 聚 合 1 陰 請 1 先 1 離 子 聚 合 • 陽 離 子 聚 合 等 ， 假 如 考 盧 到 粘 著 劑 之 製 造 成 本 閲 讀 1 脊 1 1 單 體 之 官 能 基 之 影 m 和 離 子 對 導 體 晶 圓 表 面 之 影 響 時 面 之 I 注. 1 J 最 好 利 用 游 離 基 聚 合 進 行 聚 合 〇 當 利 用 游 離 基 聚 合 反 懕_ 意 章 1 | 進 行 聚 合 時 ， 作 為 游 難 基 聚 合 開 始 劑 者 可 Μ 使 用 苯 醸 過 氧 再·V Η | 化 物 乙 醢 過 氧 化 物 異 丁 基 過 氧 化 物 t 醯 過 氧 化 物 > 寫 本 頁 裝 i 二 丁 基 過 氧 化 物 9 二 戊 基 過 氧 化 物 等 之 有 Μ 過 氣 化 物 過 s_ 1 I 硫 酸 銨 過 硫 酸 瘍 過 硫 酸 納 等 之 無 aass, 憾 過 氧 化 物 2, 2 ' — 1 1 1 偶 氮 二 異 丁 m 2， 2 ' -偶氮- 2-甲 基 丁 腈 4, 4 ' -異二- 4- 氰 1 1 訂 1 基 酸 等 之 偶 氮 基 化 合 物 等 〇 在 利 用 % 化 聚 合 法 進 行 聚 合 之 情 況 時 在 等 游 就 wit 基 聚 1 1 1 合 開 始 劑 之 中 最 好 使 用 水 溶 性 之 過 硫 酸 銨 過 硫 酸 鎘 過 1 1 硫 酸 納 等 之 無 m 過 氧 化 物 和 在 相 同 水 溶 性 之 4, 4 ! -偶氮 I 1 線 -4 -氟基酸等之分子内具有羥基之偶氮化合物 1 本 發 明 所 使 用 之 1個分子中有2 涠 K 上 之 交 聯 性 之 官 能 基 1 1 之 交 聯 劑 ， 用 來 與 粘 著 劑 聚 合 物 所 具 有 之 官 能 基 進 行 反 應 ! 1 藉 以 調 UJE. 粘 著 力 和 凝 集 力 0 作 為 交 聯 劑 者 可 Η 使 用 山 梨 1 1 糖 酵 聚 貓 水 甘 油 醚 t 聚 甘 油 聚 m 水 甘 油 醚 f 季 戊 四 醇 聚 締 1 1 I 水 甘 油 j 二 甘 油 聚 m 水 甘 油 醚 * 甘 油 聚 縮 水 甘 油 m 1 新 1 I 戊 甘 油 二 縮 水 甘 油 醚 9 間 苯 二 酚 二 乙 縮 水 甘 油 m 等 之 環 1 1 氧 化 合 物 » 四 甲 m 二 異 氰 酸 酯 t -1-, 甲 撑 二 田 與 氰 酸 酷 I 三 1 1 羥 甲 基 丙 院 之 m 烴 二 異 鼠 酸 酯 3附加物 ，聚異m酸酷等 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210,< 297公釐） -14- 425625 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（12 ) I i 之 異 氟 酸 酯 化 合 物 * 三 羥 甲 基 丙 烷 -三- β -乙撐丙酸酷 I I 1 贅 四 羥 甲 基 甲 -三- β -乙撑丙酸酯* N ,N 1 二 甲 苯 -4 ,4 1 1 ! 雙 (1 -乙撐亞胺羥基醯胺） Ή N , N ' -六甲撐- 1 , 6 - 雙 (1 -乙撐 請 先 1 1 亞 胺 羥 基 藤 胺 )， N ,N 4 _ 甲 % -2 ,4 -雙一 乙 撐 亞 胺 羥 基 醯 胺 ) 閱 讀 I 背 ΐέ 之 i t 羥 甲 基 丙 焼 -三- β -( 2- 甲 基 乙 撐 亞 肢）丙酸酿等之乙 I 注' ! 撐 亞 胺 系 化 合 物 » 和 _L* 甲 氧 基 羥 甲 基 三 聚 氛 胺 等 之 三 聚 氣- 意 事 I ! 胺 系 化 合 物 等 0 再―-V 蜞 1 % 裝 等 可 Μ 單 獨 使 用 亦可以Μ 2種Μ上併用 在上述之 本 頁 1 交 聯 劑 中 環 氧 系 交 聯 劑 之 交 聯 反 應 之 速 度 較 慢 仕 反 懕 1 1 未 充 分 進 行 之 情 況 時 粘 著 劑 層 之 凝 集 力 變 低 由 於 半 導 ! 1 體 晶 圓 表 面 之 凹 凸 > 會 在 丰占 著 m 層 產 生 污 染 〇 因 此 3 最 好 1 訂 是 適 當 的 添 加 胺 等 之 觸 媒 或 是 使 具 有 觸 媒 作 用 之 胺 % 官 1 能 基 之 單 JELB ft 在 粘 著 劑 單 體 進 行 共 聚 當 使 用 交 聯 劑 時 最 1 1 好 併 用 具 有 胺 之 性 質 之 乙 撐 亞 胺 糸 交 聯 麵 〇 _ 1 ! 交 聯 劑 之 添 加 量 通 常 是 在 交 聯 劑 中 官 能 基 數 不 會 多 於 1 線 粘 著 劑 聚 合 物 中 之 官 能 基 數 之 範 圍 進 行 添 加 0 但 是 在 由 1 I 於 交 聯 反 應 而 產 生 新 的 官 能 基 情 況 時 為 著 因 懕 交 聯 反 1 1 irprt 懕 之 费 慢 等 之 需 要 亦 可 過 剰 的 添 加 0 通 常 9 晶 圓 面 1 1 研 削 用 粘 著 帶 之 粘 著 力 J 換算成對SUB- Β A板之粘著力 時 ， 1 1 成 為 10 1000 g/25 πι ιτι » 最 好 為 30 6 0 0s /25m Π)之程度^ )依 1 I 照 晶 圓 苛 面 之 研 削 條 件 1 晶 圓 之 Π 徑 f 和 研 削 後 之 晶 圓 之 1 I 厚 度 等 用 來 調 整 到 上 述 之 範 圍 0 標 準 是 對 於 钻 著 劑 聚 合 1 I 物 1 0 0重量部f ，添加交聯劑C .1 30重 量 部 份 的 進 行 調 整 ί 1 最 奸 是 添 加 0 . 3〜1 5重量部份 1 1 本紙悵尺度適用中國國家標牟（CNS > A4規格UlOx 29?公碴） 5 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（is ) 1 1 另 外 t 亦 可 以 依 昭 需 要 在 粘 著 劑 添 加 界 面 活 性 劑 等 f Μ 1 1 I 不 會 污 染 晶 圓 表 面 之 程 度 進 行 添 加 〇 所 添 加 之 界 面 活 性 劑 1 [ 只 要 不 會 污 染 晶 圓 表 面 亦 可 使 用 非 離 子 性 或 陰 離 子 性 請 先 閱 讀 背 1 1 者 0 作 為 非 離 子 性 界 面 活 性 劑 者 可 Μ 使 用 聚 羥 基 乙 烯 辛 基 1 I 1 基 醚 9 聚 羥 基 乙 烯 壬 基 苯 基 醚 9 聚 羥 基 乙 烯 十 二 基 醚 等 之 1 1 意 1 1 〇 作 為 陰 離 子 性 界 面 活 性 劑 者 可 Μ 使 用 烷 基 苯 基 醚 一 磺- 事 項- 1 I 再 1 1 物 和 其 鹽 雙 萘 磺 物 和 其 鹽 聚 羥 基 垸 基 磺 基 琥 珀 酸 酯 和 填 寫 本 頁 1 裝 其 鹽 聚 羥 基 乙 烯 苯 基 m 之 硫 酸 酷 和 其 鹽 等 〇 1 1 上 面 所 舉 例 之 界 面 活 性 劑 可 Μ 單 獨 使 用 亦可Μ 2種K 1 1 上 併 用 0 界 面 活 性 劑 之 添 加 量 是 粘 著 劑 聚 合 物 和 交 聯 劑 之 1 1 合 計 重 量 亦 即 對 於 交 聯 之 粘 著 劑 聚 合 物 1 0 0重量部 1 訂 1 I 最 好 為 0 . 05 5重量部份* >如為0 .05〜3重 量 部 份 更 佳 0 - 將 粘 著 劑 塗 布 液 塗 布 在 基 材 m 或 剝 離 膜 之 —· 表 面 之 方 法 1 1 可 Η 採 用 習 知 之 塗 布 方 法 例 如 滾 筒 塗 瞑 法 Ε 版 滾 筒 法 1 1 Λ 杆 塗 膜 法 等 0 被 塗 布 之 粘 著 劑 之 乾 燥 條 件 並 沒 有 特 別 之 —V I 線 限 制 1 —. 般 是 ΘΙ m 好 在 80 2 ο ο υ之溫度範圍進行1 〇秒鐘- i ί 1 0分鐘 之 乾 烽 0 另 外 9 Ι3Ϊ W 好 是 在 80 1 7 0 乾燥1 5秒鐘〜 I I 5分鐘之乾燥 3粘著劑層之厚度依照半導體晶圓之表面狀 1 1 態 Λ 形 狀 > m 面 之 研 削 方 法 等 進 行 適 當 決 定 ， 但 是 考 it 1 1 到 研 削 半 導 體 晶 圓 之 面 時 之 粘 著 力 ί 和 研 削 兀 成 後 之 剝 1 1 離 性 等 時 通 常 -½ 厚 度 是 2 - -100 U Π1程度 β最好是5 7 0 j!i m 1 1 程 度 ύ 1 I 依 照 上 述 之 方 式 » 在 剝 離 膜 之 表 面 形 成 f占 著 劑 層 後 * 1 1 I 在 姑 著 劑 層 之 表 面 積 層 t 述 之 基 材 m T 對 其 按 壓 將 粘 著 1 1 本紙張尺度適用中國國本標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 16 A7 B7 經濟部中央標準局—工消費合作社印製 五、發明説明 (14 ) ί 1 m 層 轉 移 到 基 材 膜 之 表 面 〇 轉 移 之 方 法 可 ΡΛ 使 用 習 知 之 方 1 1 法 〇 例 如 j 使 基 材 睽 重 在 粘 著 劑 層 之 表 面 (該粘著劑層 1 1 形 成 在 剝 離 膜 之 表 面 ) 使其S _過夾鉗滾筒的進行按壓《 請 1 先 ! 因 為 將 剝 離 膜 剝 離 粘 著 劑 層 之 表 面 f 所 以 最 好 刻 使 用 作 閱 讀 皆 1 1 為 粘 著 帶 〇 依 此 方 式 獲 得 之 粘 著 帶 m 成 滾 筒 狀 9 或 是 在 切 之 1 1 1 m 成 為 指 定 之 形 狀 後 被 保 管 搬 運 等 0 意 事 1 項 [ 下 面 將 詳 细 的 說 明 將 上 述 之 粘 著 帶 貼 著 在 半 導 體 晶 圓 之 再二 1 表 面 起 到 切 片 工 程 止 之 一 連 貫 之 半 導 體 晶 圓 之 製 造 方 法ύ 本 頁 Μ. 1 在 本 發 明 中 粘 著 帶 經 由 其 粘 著 劑 層 貼 著 在 半 導 am 體 晶 圓 i i 表 面 0 將 粘 著 膜 貼 著 在 半 導 體 晶 圓 表 面 之 操 作 赤 可 以 人 I I 工 進 行 但 是 通 常 是 利 用 安 裝 有 滾 筒 狀 之 粘 著 膜 之 被 稱 為 1 1 訂 動 貼 著 m 之 裝 置 用 來 進 行· 貼 著 〇 此 種 自 動 貼 著 櫧 可 Μ 1 使 用 例 如 Ta k a t 0 r i (股）製 之 彤 式 ATM- 1 000B 或ATM - 1 i 1100 和 帝 國 精 Kg Μ (股） 製 之 形 式 STL系列| 1 I 另 外 半 m 體 晶 圓 經 由 粘 著 帶 之 基 材 m 層 被 固 定 在 晶 圓 1 線 d匕 m 研 削 儲 之 夾 頭 枱 等 ύ 利 用 研 削 機 將 晶 圓 面 研 削 至 指 1 1 定 之 厚 度 0 在 研 削 時 β 一 般 是 將 冷 卻 水 注 入 到 研 削 面 〇 背 ! I 面 研 削 方 式 採 用 通 過 進 給 方 式 和 橫 向 進 給 方 式 等 之 習 知 1 i 之 研 削 方 式 0 半 導 體 晶 圓 之 厚 度 在 研 削 前 為 500 〜1000w m ! j j 在 研 削 後 為 8C 400 J. 1ί 131 W 好 是 研 削 至 80 〜 200 X ΠΙ 之 程 1 I 度 0 通 常 i 研 削 前 半 導 體 晶 圓 之 厚 度 依 照 晶 圓 之 P 徑 和 1 1 i 種 類 等 進 行 適 當 之 決 定 1 研 削 後 之 厚 度 依 眧 所 獲 片 -^τ I 1 大 小 1C <!-· 種 類 等 進 .*一 ΓΓ 適 當 之 決 定 0 1 1 在 研 削 完 成 後 f 利 用 將 純 水 注 人 到 研 削 面 等 之 方 法 用 來 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -17- 425625 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (15 ) I 1 除 去 研 削 屑 等 j m ! 1 *·« 後 使 晶 圓 上 下 旋 轉 半 圏 f 經 由 晶 圓 背 面 1 1 固 定 在 夾 頭 枱 0 其 次 S 對 該 粘 著 帶 進 行 加 熱 利 用 基 材 膜 1 1 層 之 收 縮 用 來 使 該 粘 著 帶 剝 離 晶 圓 表 面 ό 利 用 吸 引 專 用 夾 y—s. 請 1 先 1 具 等 之 方 法 J 用 來 將 被 剝 離 之 粘 著 帶 除 去 到 統 外 0 閲 讀 1 背 1 在 此 處 之 粘 著 帶 被 剝 離 之 狀 態 是 指 貼 著 在 晶 圓 表 面 之 粘 面 之 i 注- 1 著 帶 有 2 0 Μ上剝離晶圓表面之狀態 >在這種fl ϊ抒 1 ， 被加 意 事 1 碩 | 熱 之 粘 著 帶 之 其 他 部 份 由 於 熱 收 m 而 變 形 變 成 為 很 容 易 除 去 之 狀 態 詳 細 之 剝 離 機 構 並 不 一 定 例 如 在 使 用 溫 寫 本 頁 裝 1 水 加 熱 藉 Μ 進 行 剌 離 之 情 況 時 不 是 剝 離 狀 態 之 部 份 變 1 1 成 使 溫 水 浸 入 到 晶 圓 表 面 和 粘 著 劑 層 之 界 面 之 大 部 份 之 狀 i \ 態 另 外 在 以 溫 風 進 行 剝 離 之 情 況 時 在 晶 圓 表 面 和 粘 \ \ 訂 著 劑 層 之 界 面 由 於 基 材 m 之- 變 彤 ITtg 應 力 而 產 生 部 份 之 浮 上。 1 加 熱 方 法 只 要 能 夠 使 貼 著 在 晶 圓 表 面 之 丰占 著 帶 產 生 加 熱 1 1 收 締 即 可 並 沒 有 特 別 之 限 制 但 是 較 佳 之 方 法 有 使 50 - ! | •-*W 9 9 °C (最好為5 0 - -8 0 °C ) 之 溫 水 注 入 到 粘 著 帶 表 面 與 晶 1 '線 圓 — 起 浸 人 到 50 99 V (最好為50〜S0°C)之 溫 水 中 使 粘 1 I 著 帶 與 50 9 9〇C (最好為50〜80°C) 之 溫 水 接 觸 和 吹 烘 50 1 1 99 (最好為50- -80 t!) 之 溫 風 等 〇 田 考 慮 到 用 以 使 基 材 I ! 膜 收 縮 對 粘 著 帶 之 熱 傳 導 性 時 * 最 好 是 使 用 使 50 30 V. i I 之 溫 水 與 粘 著 帶 接 觸 之 方 法 0 另 外 當 將 粘 著 帶 剝 離 後 » i I 在 研 削 f»tfc m 内 j 當 考 慮 到 同 時 實 施 晶 圓 表 面 之 洗 淨 時 Ϊ 好 ί 1 是 使 用 將 上 述 溫 度 之 溫 水 注 人 到 粘 帶 表 面 m 以 進 行 加 熱 1 1 方 法 0 在 這 種 情 況 » 將 溫 水 不 m frm 移 的 供 給 到 怙 著 帶 之 基 1 1 材 膜 表 面 t 當 癍 到 更 易 於 剝 離 時 % 最 好 是 使 用 使 晶 圓 Μ i 1 本紙張尺度適闲中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 〜1 8 - 0 0 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (16 ) 1 1 5〜5 00 r p Π之旋轉速度進行旋轉同時供給溫水之方法< 晶 1 1 圓 之 旋 轉 方 法 是 晶 圓 之 中 心 部 作 為 旋 轉 之 中 心 點 進 行 平 1 1 面 旋 轉 之 方 法 〇 請 1 先 1 在 本 發 明 中 ， 可 以 將 鈍 水 f 乙 醇 類 等 之 洗 淨 液 供 給 到 粘 閲 讀 1 f 1 著 帶 被 剝 離 後 之 晶 圓 之 表 面 1 藉 Μ 進 行 洗 淨 0 最 好 是 使 用 面 之 1 注· 1 純 水 作 為 洗 淨 詨 0 經 由 採 用 該 等 方 法 ί 通 常 可 Μ 省 略 晶 圓. 意 事 1 項. | 之 面 研 削 工 程 後 所 實 施 之 專 用 之 洗 淨 工 程 } 可 >λ 簡 化 從 Μ 晶 圓 之 •ritl 面 研 削 X 程 到 表 面 洗 淨 工 程 之 一 連 寊 之 X 程 可 本 頁 裝 1 Μ 縮 短 作 業 時 間 〇 Ν_-· 1 I 加 熱 溫 度 依 昭 基 材 膜 之 延 伸 倍 率 9 半 導 體 晶 圓 表 面 保 護 1 用 帶 之 粘 著 力 等 或 依 照 加 埶 方 法 之 種 類 適 當 的 選 擇 在 1 1 訂 50 •-S*· 99 °c (最好為5 0〜8 0°c ) 之 範 園 0 加 熱 時 間 亦 會 影 響 到 i 從 半 導 stm 體 晶 圓 表 面 剝 離 之 剝 離 性 〇 加 熱 時 間 隨 著 基 材 膜 之 1 I 延 伸 倍 率 加 熱 溫 度 而 異 當 考 慮 到 作 業 效 率 等 時 採 用 - I 1 1〜6 0秒（ 最 好 為 1 0 30秒 ) 5 1 線 在 習 知 技 術 中 所 採 用 之 剝 離 方 法 是 在 完 成 晶 圓 ^t5 面 之 研 1 削 後 ， 將 晶 圓 收 納 在 卡 匣 狀 後 搬 蓮 到 粘 著 帶 剝 離 工 程 t 1 1 將 該 卡 匣 設 定 在 剝 離 Μ 9 從 卡 匣 中 取 出 和 進 行 粘 著 帶 之 Μ 1 1 離 〇 另 外 1 所 採 用 之 洗 淨 方 法 是 在 粘 著 帶 被 剝 離 後 ， 再 度 1 I 的 收 納 在 卡 匣 1 將 其 搬 運 到 洗 淨 工 程 ， 從 卡 匣 中 取 出 * 將 1 I 其 設 定 在 洗 淨 42» m 藉 Μ 對 晶 圓 表 面 進 行 洗 淨 當 搬 運 到 洗 淨 1 1 X 程 時 * 因 為 是 在 晶 圓 表 面 貼 著 有 粘 著 帶 之 狀 態 實 賍 對 卡 1 1 匣 之 收 納 和 取 出 » 所 Μ 當 將 晶 圓 研 削 到 厚 度 薄 至 200 / 1 η Μ I 1 下 時 r 晶 圓 會 顯 著 的 彎 曲 1 晶 圓 由 於 接 觸 在 卡 匣 之 收 納 □ 1 ! 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（2丨0X297公t ) -19- A7 425625 B7 五、發明説明（Η ) (請先閏讀背面之注意事項再镇寫本頁) 等*大多會因為受到衝擊而破裂。在直徑為12吋或更大之 大口徑之情況時|即使研削後之厚度有4 0 0 w in程度，亦會 發生顗著之彎曲。 另外一方面，在本發明之方法中，在背面研削機内，實 施利用加熱使粘著帶剝離，和實施迄晶圓表面之洗淨處理 。因此•將被背面研削而變薄之晶圓收納在卡匣，不需要 搬運到剝離工程和洗淨工程。因此，對晶圓搬運用卡匣之 收納作業和從該卡匣取出之作業極少◊尤其是可Μ省略從 背面研削工程到剝離工程之搬蓮，所以可防止發生有彎曲 之晶圓在被收納到卡匣時和從卡匣取出時造成晶画之破裂 。除此之外*在背面研削，粘著帶之加熱*剝離之後，繼 續在研削機内，以純水、乙酵類等之洗淨液對晶圓表面進 行洗淨，利用這種方式亦可以省略晶圓表面洗淨工程。最 後，利用使晶圓以1000〜lOOOOrPin程度之高速旋轉等之方 法進行乾燥用來结束該一連貫之工程。適於使用本發明之 半導體晶圓之尺寸為直徑6〜16时C最好為6〜1 2时）之大口 徑者。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 實施例 下面將以實拖例用來更具體的說明本發明，但是本發明 並不只限於該等實施例。另外，實施例所示之各種特性值 以下述之方法測定。 (1 )粘著帶之收縮率U )

選擇粘帶之任意之位置*製成縱横分別為1 0 c m之正方形 之試料片1 5片。在使剝離膜剝離試料片後•在2 5 °C ，5 0 °C 20 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格{ 210 X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印11 A7 B7五、發明説明（i8 ) 和SO °C之空氣Μ中加熱1分鐘後，以室溫故置5分鐘。測定 縱方向（機械方向）之試科Η之長度，利用加熱前之長度（ Lt)和加熱後之長度（U)用來求得收縮率[ULdMU))/ (L i )] X 1 0 0劣。以各種條件測定5次，求其平均值。 (2)利用ESCA測定晶圓表面污染 Μ不會污染表面之方式 > 利用鑽石切割器將S吋之矽鏡 晶圓切割成lcn«對角。使用ESCAM下述之條件測定被切割 成之晶圓之表面，求碳對矽之比（M下稱為C/Si比），檢査 有機物對矽晶圓之污染之狀況。 < E S C A測定條件和C / S i比算出法〉 入射線源：MgKa線（1253.6eV)i X射線輸出300V*測定 真空度：10〜7PaM下，C/Si:(碳之尖峰面積）/(矽之尖 峰面積） < C / S ί比之評估方法〉 貼著試科前之矽鏡晶圓表面之C/Si值為0,10(空白值）。 因此，貼著試料後之矽鏡晶圓表面之C/Si值為0.10〜0.12 程度者判定為無污染，超過該值者判定為有污染。 (3 )拈著力之測定 在2310 *經由粘著劑層貼著在5x20cm之SUS-BA板之表 面，放置1小時。夾持試料之一端|測定Μ剝離角度1 80° ，剝雛速度3 0 0 m hi / πι丨η將試料剝離S U S - Β Α板時之應力，換 算成 g/25mm。 實施例1 在聚合反應槠添加脫離子水148重量部份，作為陰離子 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐） -ΟΙ- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝

'ST 線 425625 A7 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 B7五、發明説明（l9 ) 性界面活性劑之聚羥基乙烯壬基苯基醚硫酸鹽之銨鹽（日 本乳化劑（股）製，商品名：N e w c 〇 ：1 - 5 6 0 S F，5 0重量Si水溶 液）2重量部份（Ml重量部份作為界面活性劑單體），作為 重合開始劑之4, 4 偶氮-4-氣基酸（大塚化學（股）製，商 品名ACVA)0.5重量部份 > 丙烯酸丁基74重量部份*甲基丙 烯酸甲基14重量部份，甲基丙烯酸-2 -羥乙燏9重星部份， 甲基丙烯酸2重量部份*和丙烯酸聚醯恧胺1重最部份*在 攪拌下K 7 0 °C實施9小時之乳化聚合，藉Μ獲得丙烯酸樹 脂糸水浮疲。Μ 1 4重量S!氨水對其進行中和，用來獲得固 形成分大約40重1¾之粘著劑聚合物（主劑）浮液。採取所 獲得之粘著劑主劑浮液100重量部份（粘著劑聚合物湄度大 約40重量$)，和添加14重量$氨水，調整成為PH9.3。其次 ，添加乙撐亞胺系交聯劑（日本觸媒化學工業（股）製*商 品名： Kemitite ΡΖ-33)2重量部份，和作為造膜助劑之 二乙烯甘油輩丁基酯5重量部份藉以獲得粘著劑塗布液。 使用Μ Τ模壓出法製膜成之厚度50 w m，維卡欧化點1 40 °C ，單表面之表面張力為30dyne/Cnt之聚丙烯膜*作為釗 離膜，利用滾茼塗膜法在該剝離膜之該單表面，塗布利用 上述之方法所獲得之丙烯酸糸樹脂水浮疲型粘著劑*在 1 00 °C乾燥6 0秒鐘，在剝離膜之表面設置厚度1 0 w in之丙烯 酸糸粘著劑層。 使利用T横壓出法所製膜成之未延伸乙烯酢酸乙烯基（Μ 下稱為Ε V A )膜在5 (TC依縱方向延伸3 . 0倍，然後在6 0 °C進 行熱固定•成為厚度120Wra之1軸延伸EVA_。在該1軸延 f ( CNS ) ( 210Χ29Ί^§： ) ~~: {請先閱讀背面之注意事項再讀寫本頁) 裝·

，1T 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印策 4 2^6 2 5 A7 B7五、發明説明（20) 伸EVA膜之一面施加電Φ放電處理，用來使表面張力成為 50dyne/cm，使用它作為基板_ ύ 在被設於剝離膜之表面之丙烯酸系粘著劑層之表面，重 銎的積層基材膜之電暈放電處理面，以2kg/Ctn2之壓力進 行按壓•將該粘著劑層轉移到基材膜之表面*藉以獲得粘 著力200g/25ram之粘著帶。[表1〕用來表示利用上述之方法 测定該粘著帶之各個溫度之熱收縮率之结果。 將所獲得之粘著帶貼著在直徑8吋，厚度700wm之50H 鏡晶圓之表面，然後將其供給到背面研削機。在該研削機 内最初實施粗研削，其次實施加工研削，最後實施背面洗 淨。亦即，在該背面研削機内| Μ 3 0 0 w m /分之研削速度 對該鏡晶圓進行粗研削直至成為厚度I 7 0 w m，其次，Κ 2 0 w πι /分，加工研削至厚度成為1 2 0 w m。最後，在對背面 進行洗淨之後*使晶圓旋轉半圈，變成為表面和背面互反 ，將6 0=C之溫水注入到被貼著在晶圓表面之粘著帶，注入 1 〇秒鐘，其次使晶圓以5 0 0 r p m之速度旋轉，同時Μ 6 0 5C之 溫水注入10秒鐘，用來使粘著帶剝離。然後K 3000r pm旋 轉藉Μ乾燥後，從研削機中取出晶圓將其收納在卡匣。可 Μ將全部之5 0片之晶圓沒有破損的進行收納。從研削開始 起到完成收納止之時間為1 5 0分鐘，所獲得之结果如[表1 ] 所示15 實胞例2 除了在背面研削後Μ 8 0 π之溫風對粘著帶進行3 0秒鐘之 加熱外•利用與實施例1同樣之方法對半導體晶圓進行研 本紙張尺度適用中國國家樣隼（CNS ) Α4規格（210X 297公簸) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝.

、tT 線 -23 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 '，-ΆΑ ο η Β7 五、發明説明（21) 削，和帶之剝離。全部之5 0 Η之晶圓沒有破損的被收納。 從研削開始起到完成收納止之時間為1 S 0分鐘，所獲得之 结果如[表1 ]所示。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 丁 "° 線 實施例3 利 用 與 實 施 例 1同樣之方法進行至粘著帶之剝 離 > 然 後 Μ 1000 Γ P in之旋轉逑度使晶圓進行旋轉，同時以 純 水 進 行3 分 鐘 之 洗 淨 ， 其 次 ，以30 00rpffl進行乾燥後取出 晶 圓 ύ 全 部 之 50 片 之 晶 圓 沒 有破損 的被收納 。從研削開始起到完成 收 納 止 之 時 間 為 160分鐘。 利用上述之方法進行 被 收 納 之8 时 篪 晶 圓 之 表 面 污 染之測 定。所獲 得之结果如[ 表 1] 所 示。 實 施 例 4 該 鏡 晶 圓 使 用 □ 徑6时， 厚度600 w m者，使粗 研 削 後 之 厚 度 成 為 150 l l m 9 加工研 削後之厚 度成為8 0 w m， 除 此 之 外 利 用 與 實 腌 例 3同樣之方法對半導體進行研削 ， 和 進 行 帶 之 剝 離 和 晶 圓 之 洗淨。 其结果是 全部之5 0片之晶圓沒有 破 損 的 被 收 容 0 從 研削開 始起到完 成牧容止之時間為1 6 0 分 鐘 〇 所 獲 得 之 結 果如[表1 ]所示。 比 較 例 1 對 厚 度 1 20 < i HI ,之 未延伸 E 1/ A膜之- -面施加電暈 放 電 處 理 I 使 表 瓸 張 力 成 為 5 0 d yne/ c m，使用 它作為基材膜 ，除此之 外 與 寊 施 例 1同樣的獲得粘著帶c 將所獲得之 粘 著 帶 貼 著 在 直 徑 8吋 -厚度7 0 0 « m之50H鏡晶圓之表面 » 將 其 供 給 到 背 面 研 削 ίΫ3& 〇 在該背 面研削機 内，與實胞例1 L同 樣 的 莨 施 粗 研 削 和 加 X 研削， 然後，在 對背面進行》 % ί 爭ί ΐ乾燥 本紙張尺度適用中围國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） ~ 24 ~ 經濟部中央標隼局負工消費合作社印製 ……~ϊ 0 Η 、 A7 B7 五、發明説明（22 ) 之後，將其收納在卡匣。 其次，供給到粘著帶剝離裝置*將該帶剝離。從背面研 削機取出晶圓，當將晶圓收納在卡匣時，有2片因為接觸 到卡匣之收納口而破損。另外，在粘著帶剝離裝置，在帶 剝離前，當將晶圓吸著在夾頭枱時有1 Η破損，在帶剝雛 時有4片破損。從研削開始起到帶剝離後之收納止之時間 為190分鐘。所獲得之結果如[表1]所示。 比較例2 與比較例1同樣的進行至帶剝離後，將晶圓供給到洗淨 工程，利用卡匣式之溢流式洗淨槽進行預洗淨和主洗淨* 分別進行3分鐘和5分鐘。其次，利用旋轉式之乾燥機進行 乾燥。從背面研削機中取出該晶圓，當將晶圓收納在卡S 時，有2 Η因為接觸到卡匣之收納口而皈損。另外，在半 導體表面保護用粘著帶刺離装置，在帶剝離前，當將晶圓 吸著在夾頭枱時有〗片破損，在帶剝離時有2片破損。從研 削開始起到帶剝離後之收納止之時間為1 9 0分鐘。另外， 當搬運到洗淨工程時有1片破損。從研削開始起到完成洗 淨止為22 0分鐘。進厅被收納之8时鏡晶圓之表面污染之測 定。所獲得之结果如[表1 ]所示。 {請先閱讀背面之注意事項再枝寫本頁) -裝- 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（2〖OX2r?公釐） -25 - 425625 A7 B7 五、發明説明（23) 經濟部令央標準局員工消費合作社印製 表1 S 施例 比較例 1 2 3 4 1 2 基材膜 組成 EVA EVA EVA EVA EVA EVA 延伸倍率 3 3 3 Ο 未延伸 未延伸 延伸方向 1蚰（縱） 1軸（縱） 1軸（縱） 1邮（縱） 未延伸 未延伸 粘著帶 收縮革（¾) 251 0 0 0 0 0 0 50TC 10 10 10 10 0 0 80V 40 40 40 40 0 0 粘著力（s/25min) 200 200 200 200 200 200 加熱方法 溫水 溫風 溫水 溫水 — — 溫度 （ΤΜ 60 90 60 60 — 加熱時間 （秒） 20 30 20 20 — --- 作業時 間（分） 迄帶剝離之時間 150 160 150 150 190 190 迄洗淨之時間 - 一一 160 160 — 220 晶圓毒J (片） 菏面研削 0 0 0 0 2 2 帶剝離 0 0 0 0 5 3 晶圓洗淨 -!--1-—i- 0 0 — 1 EACA 分析 C/Si | 1— 1 ，， 0.1 〇.1 | — 0.1 晶圓之污染 ! 無 I 無j — ί ~·----- 無 張 紙 ΜNs ο -準 標 家一國 -國 一中 用 適 一釐 公 (請先閲讀背面之ΐΐ-ι事見#-4寫本頁 '澤- 、-β

Claims (1)

1. 經濟部中央梯準局員工消費合作社印策 Λ 256 2 b Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 一種半専體晶圓之製造方法，將粘著帶貼著在半導體 晶圓之表面，使用研削機對半導體晶圓之背面進行研削後 ，使粘著帶剝離，其特徵是該粘著帶使用具有熱收縮性之 粘著帶，ίό在該半導體晶圓之背面之研削後*繼壤在該研 削機內對粘著帶進行加熱，使其剝離半導體晶圓之表面。 2.如申請專利範圍第1項之半導體晶圄之製造方法*其 中將口徑6〜16时之半導體晶圓之背面研削至厚度成為80 〜40 0 μ m。 3 .如申請專利範圍第2項之半導體晶圓之製造方法，其 中將口徑6〜16时之半専體晶圓之背面研削至厚度成為80 〜2 0 0 w. m ° 4.如申請專利範圍第3項之半導體晶圓之製造方法，其 中將口徑6〜12吋之半導體晶圓之背面研削至厚度成為80 〜2 0 0 y m 0 5 .如申請專利範圍第1項之半導體晶圓之製造方法，其 中使用選自由溫水和溫風構成之群組中之至少1種之熱媒 體，用來加熱到50〜991C之溫度範圍。 6 .如申請專利範圍第5項之半導體晶圓之製造方法，其 中熱媒體之溫度為50〜80t。 7.如申請專利範圍第5項之半専體晶圓之製造方法，其 中使用溫水加熱到5 0〜9 9 °C之溫度範圍。 8 .如申請專利範圍第7項之半導體晶圓之製造方法，其 中使用溫水加熱到5 0〜8 0 t：之溫度範圍。 9.如申請專利範圍第1項之半導體晶圓之製造方法，其 本紙張尺度適用中國囷家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -1 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂 cr UT 5 8 8 8 8 ABCD 六、申請專利範圍 中使半導體晶圓M5〜500rpm之旋轉速度進行旋轉同時進 行加熱。 1 0 .如申請專利範圍第1項之半導體晶圓之製造方法，其 中粘著帶之熱收縮率在50〜99 °C為5〜50¾。 Π .如申請專利範圍第1 〇項之半導體晶圓之製造方法， 其中粘著帶之熱收縮率在50〜80¾ C為5〜50¾。 12.如申請專利範圍第1項之半導體晶圓之製造方法，其 中使粘著帶剝離半導體晶圓之表面，然後K洗淨液對半導 體晶圓之表面進行洗淨。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· ,βίτ 經濟部中央梂準局員工消費合作社印製 2 本紙伕尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210Χ297公釐）