WO1998034279A1 - Microplaquette de capteur d'image et capteur d'image - Google Patents

Microplaquette de capteur d'image et capteur d'image Download PDF

Info

Publication number
WO1998034279A1
WO1998034279A1 PCT/JP1998/000413 JP9800413W WO9834279A1 WO 1998034279 A1 WO1998034279 A1 WO 1998034279A1 JP 9800413 W JP9800413 W JP 9800413W WO 9834279 A1 WO9834279 A1 WO 9834279A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
image sensor
pad
output
signal
read
Prior art date
Application number
PCT/JP1998/000413
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hideki Sawada
Original Assignee
Rohm Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co., Ltd. filed Critical Rohm Co., Ltd.
Priority to CA002249977A priority Critical patent/CA2249977C/en
Priority to BR9805960-2A priority patent/BR9805960A/pt
Priority to EP98901080A priority patent/EP0908955A4/en
Priority to US09/155,072 priority patent/US6184513B1/en
Publication of WO1998034279A1 publication Critical patent/WO1998034279A1/ja

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N1/00Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
    • H04N1/40Picture signal circuits
    • H04N1/40056Circuits for driving or energising particular reading heads or original illumination means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers

Definitions

  • the present invention relates to an image sensor chip that reads an image of an object to be read, and an image sensor including a plurality of the image sensor chips.
  • the conventional image sensor chip has a configuration in which read image signals from a plurality of photoelectric conversion elements are serially output from output pads without amplification.
  • an amplifying circuit board having an amplifying circuit is provided separately from an image sensor board having a plurality of image sensor chips.
  • the read image signal from the sensor chip is supplied to the amplifier circuit via the wiring pattern of the image sensor chip, the connector, and the wiring pattern of the amplifier circuit board, and after being amplified by the amplifier circuit, the signal is amplified by the amplifier circuit board. It was configured to output serially to the outside via the wiring pattern and connector.
  • the read image signal from each image sensor chip is supplied to the amplifier circuit via the wiring pattern of the image sensor chip, the connector, and the wiring pattern of the amplifier circuit board.
  • a laser printer or the like is arranged near the image sensor, it is greatly affected by noise from the laser device.
  • Such a problem may be solved by using a metal such as aluminum as the case of the image sensor and electromagnetically shielding the circuit inside the image sensor, but the manufacturing cost of the image sensor becomes expensive. .
  • Such a problem may be solved by adding a correction circuit to a processing circuit that processes a read image signal outside the image sensor, and correcting the offset variation by the correction circuit.
  • a correction circuit to a processing circuit that processes a read image signal outside the image sensor, and correcting the offset variation by the correction circuit.
  • Such a configuration increases the manufacturing cost of a device including the image sensor.
  • the problem of offset variation in each column can be solved.
  • the noise problem can be reduced as compared with the case where the amplifier circuit is provided on the amplifier circuit board.
  • each of the above three types has advantages and disadvantages. It is preferable that one of these can be selected according to the application of the image sensor. However, if different image sensor chips are manufactured for each method, the cost of manufacturing the image sensor will decrease due to the reduction in mass production effect. The layer becomes expensive. Disclosure of the invention
  • An object of the present invention is to output a read image signal that is not amplified without increasing the manufacturing cost, to output a read image signal amplified by an amplifier circuit different for each image sensor chip, and to output one read signal for each row.
  • Read image amplified by multiple amplifier circuits An object of the present invention is to provide an image sensor that can switch a signal output state by wire bonding during manufacturing.
  • Another object of the present invention is to provide an image sensor chip used for such an image sensor.
  • a plurality of photoelectric conversion elements for converting reflected light from a read object into an analog read image signal, and a read image signal from each output terminal of the plurality of photoelectric conversion elements.
  • a selection circuit for sequentially extracting serially, a first pad to which the read image signal serially extracted by the selection circuit is output, an amplification circuit capable of amplifying the image signals read from the plurality of photoelectric conversion elements, and an amplification circuit
  • An image sensor chip comprising: a second pad connected to an input terminal of a circuit; and a third pad connected to an output terminal of the amplifier circuit.
  • the read image signal before the amplification can be obtained by extracting the read image signal from the first pad. Further, by inputting the read image signal output from the first pad to the second pad and extracting the read image signal from the third pad, an amplified read image signal can be obtained. Further, a read image signal output from a first pad of another image sensor chip having a similar configuration is also input to a second pad, and a read image signal is extracted from a third pad, thereby obtaining a plurality of read image signals. The amplified read image signals of the image sensor chip can be collectively obtained.
  • the object to be read may be paper on which an image is drawn, or may be a resin film. Further, the sheet need not necessarily be in the form of a sheet.
  • a photodiode / phototransistor can be used, but is not limited thereto.
  • a shift register or a CCD can be used, but it is not limited to this.
  • An operational amplifier can be used as the amplifier circuit, but is not limited to this.
  • An image sensor chip includes a first switch circuit that switches between a state in which a read image signal taken out by a selection circuit is supplied to a first pad and a state in which the read image signal is not supplied in response to an external control signal.
  • a second switch circuit that switches between a state in which a signal output from the output terminal of the amplifier circuit is supplied to the third pad and a state in which the signal is not supplied in response to an external control signal.
  • the first or second switch circuit when the read image signal or a signal obtained by amplifying the read image signal is not output from the first or third pad, the first or second switch circuit is turned off so that the read image signal can be output. It is possible to satisfactorily reduce noise that enters the transmission path and is output from the first or third pad. In particular, the large noise amplified by the amplifier circuit can be prevented from being output to the third pad, so that the reading performance can be maintained satisfactorily.
  • a field effect transistor can be used as the first or second switch circuit, but is not limited to this.
  • an image sensor including a wiring board on which the image sensor chips as described above are mounted in at least one row, wherein the wiring board has the at least one row of image sensors.
  • An image sensor having a configuration including: According to the above configuration, the image sensor that outputs a non-amplified read image signal by using a common image sensor chip and a wiring board only by changing the wire bonding mode, and a different amplification for each image sensor chip
  • An image sensor that outputs a read image signal amplified by a circuit and an image sensor that outputs a read image signal amplified by one amplifier circuit for each row can be arbitrarily manufactured as desired. Therefore, there is no need to use wiring boards for a plurality of documents having different wiring patterns, and the manufacturing cost can be further reduced.
  • each of the image sensor chips The first pad is connected to the first pattern wiring by wire bonding, and a read image signal output from the at least one row of image sensor chips is serially transmitted through the first pattern wiring. Output.
  • the first pad and the second pad of each of the image sensor chips are connected to a corresponding third pattern wiring by wire bonding.
  • the third pad is connected to the first pattern wiring by wire bonding, and amplifies a read image signal output from the at least one row of image sensor chips by the amplifier circuit, and It is configured to output serially via pattern wiring.
  • the wiring board further includes a fourth pattern wiring for a selected one of the at least one row of image sensor chips, and
  • the first pad of the sensor chip is connected to the second pattern wiring by wire bonding, and the second pad of the selected image sensor chip is also connected to the second pattern wiring by wire bonding.
  • the third pad of the selected image sensor chip is connected to the first pattern wiring by wire bonding, and the selected image sensor chip is connected to the fourth pattern wiring by wire bonding A fourth pad connected to the at least one row of the image cells.
  • the read image signal to be output to the first pad Sachippu is amplified by the amplifier circuit of the selected image sensor chip, and configured to serially output through the first pattern wiring.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view showing parts of an image sensor according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a partial plan view of the image sensor.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along a line III-III of FIG.
  • FIG. 3 is a sectional view taken along the line ⁇ 1 ⁇ .
  • FIG. 5 is a sectional view taken along line VV of FIG.
  • FIG. 6 is a circuit diagram showing a first example of a connection configuration of the wiring patterns of the image sensor chip.
  • FIG. 7 is a circuit diagram showing a second example of the connection configuration of the wiring patterns of the image sensor chip.
  • FIGS. 8 and 9 are circuit diagrams showing a third example of the connection configuration of the wiring patterns of the image sensor chip. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • an image sensor 20 has a substantially rectangular cross-sectional shape and a case 21 having a predetermined longitudinal dimension.
  • the case 21 can be manufactured by, for example, resin molding.
  • the case 21 has an internal space penetrating vertically and has a glass cover 22 attached so as to seal the upper opening and a lower opening.
  • a head board 23 as a wiring board is mounted.
  • a plurality of image sensor chips 24 (18 in the illustrated embodiment) are attached near one longitudinal edge on the upper surface of the head substrate 23, and the other near the longitudinal edge.
  • a light guide member 2 made of a transparent resin for efficiently irradiating the light from the LED chip 25 onto the document D on the glass cover 22 is provided in the internal space of the case 21. 6 and an aperture lens array 27 for converging the reflected light from the original D to the image sensor chip 24 at an erect equal size.
  • the rod lens array 27 is held so as to be inserted from above into a groove-like holder portion 28 formed in the case 21.
  • the groove-shaped holder portion 28 has a concave groove 29 corresponding to the planar form of the rod lens array 27, and the bottom portion has a rod
  • a slit 30 is formed to allow light transmitted through the lens array 27 to pass therethrough and reach a plurality of image sensor chips 24 disposed below the light sensor chip 24.
  • the inner wall of the groove-shaped holder portion 28 at the intermediate portion in the longitudinal direction is engaged with one side edge of the upper surface of the rod lens array 27, and the rod lens array 27 is formed.
  • Two protrusions 31 are formed to prevent the floating of the water.
  • Each projection 31 has an appropriate projection height so that the insertion operation of the rod lens array 27 into the groove-shaped holder portion 28 is not hindered. It is formed.
  • the light guide member 26 emits light emitted from the LED chip 25 attached to the head substrate 23 at a position displaced laterally from the read line L existing on the extension of the optical axis of the rod lens array 27.
  • a line for efficiently reading lines by the prism effect: L or L is a member for guiding to the vicinity area.
  • the light guide member 26 includes a bottom wall 33 on which a translucent window 32 is formed corresponding to the arrangement of the LED chips 25, an inner wall 21 a on one side of the case 21, and a groove shape.
  • the holder 28 is attached so as to fit into the space surrounded by the outer wall 28 a of the holder 28.
  • two engagement protrusions 34 are formed on one side surface of the light guide member 26 in the middle in the longitudinal direction.
  • the side inner wall 21a is provided with an engagement recess 35 to which the engagement protrusion 34 can be engaged.
  • both ends of the light guide member 26 are located between the inner wall 21 a on one side of the case and the outer wall 28 a of the grooved holder 28.
  • a fitting block 36 of a size that can be fitted to the body is formed on the body. From the fitting block 36, a pressing piece 37 for pressing the upper surface of both ends of the rod lens array 27 is formed to extend to the body. Also, on the rear surface of the fitting block 36, a projection 38 and a projection 38 for holding the fitting block 36 between the case inner wall 21a and the holder side wall 28a with a certain frictional force. Ribs 39 are formed.
  • the image sensor 20 having the above configuration can be assembled as follows. First, the rod lens array 27 is fitted into the groove-shaped holder portion 28 of the case 21 from above. At this time, the protrusion 31 of the groove-shaped holder portion 28 engages with the upper surface of the rod lens array 27 to prevent the rod lens array 27 from floating. Next, the light guide member 26 is fitted into the space surrounded by the case inner wall 21a and the holder side wall 28a from above. In the light guide member 26, the engagement protrusion 34 engages with the engagement recess 35 of the case 21, and the fitting block 36 fits into the space exactly, so that the light guide member 26 floats. Without being held in place. Further, the pressing pieces 37 of each fitting block 36 of the light guide member 26 press the upper surfaces of both ends of the rod lens array 27.
  • the rod lens array 27 has a projection 3
  • the light guide member 26 is held down by the pressing pieces 37 of the light guide member 26 so that the light guide member 26 is stably and reliably held at a fixed position.
  • the glass cover 22 is fitted into the upper surface opening of the case 21 and fixed by, for example, bonding.
  • the head substrate 23 is fixed to the opening 21 on the lower surface of the case 21 by the stopper 40.
  • the stopper 40 is formed by bending a spring plate member into a substantially M-shaped cross section, and has an engaging hole 41 formed in its leg 40a. Engagement protrusions 4 formed on both outer surfaces of case 2 1
  • the image sensor chips 24 (18) are mounted in a line on the head substrate 23 so that all the photoelectric conversion elements are arranged at equal intervals and in a line. Each image sensor chip 24 includes 96 photoelectric conversion elements, and a total of 17228 photoelectric conversion elements read an image of one line.
  • a connector 43 for transmitting / receiving a signal to / from the image sensor 20 is attached to the head substrate 23.
  • each image sensor chip 24 is provided with 96 phototransistors PHT as photoelectric conversion elements. These phototransistors PHT have a collector connected in common to a power supply, and an emitter connected to the drain of the first field-effect transistor FETi. The gate of the first field-effect transistor FET j ⁇ is connected to the corresponding bit of the shift register SR. No.
  • the source of one field-effect transistor FET2 is commonly connected to the drain of the second field-effect transistor FET2 that constitutes the first switch circuit.
  • the input terminal of the shift register SR is connected to the pad SI to which the serial-in signal is input.
  • the gate of the second field-effect transistor FET 2 is connected to an external control signal. It is connected to the pad CSEL to which the chip select signal is input and one input terminal of the OR circuit OR.
  • the source of the second field-effect transistor FET 2 is connected to the first pad 1.
  • the shift register SR and the first field effect transistor FET ⁇ form a selection circuit for sequentially taking out the read image signal from each output terminal of the plurality of phototransistors ⁇ in a serial manner.
  • the second pad 2 is arranged adjacent to the first pad 1.
  • the second pad 2 is connected to a non-inverting input terminal of an operational amplifier ⁇ ⁇ constituting an amplifier circuit, one end of a resistor, and one end of a capacitor C.
  • the other end of the resistor Ri and the other end of the capacitor C are grounded.
  • the inverting input terminal of the operational amplifier OP is connected to one terminal of the resistor R and one terminal of R.
  • the other end of the resistor R is grounded, the other end of the resistor vessel R 3 includes an output terminal of the operational amplifier OP, and a third field effect transistor FET. Drain constituting the second switch circuit
  • the source of the third field-effect transistor FET is connected to the third pad 3.
  • the gate of the third field-effect transistor FET is connected to the output terminal of the OR circuit OR. the other input terminal of which is connected.
  • oR circuit oR is connected to one end of the fourth pad 4 and the resistor R 4, the other end of the resistor R lambda is grounded.
  • the upper surface of the head substrate 23 is disposed near the image sensor chip 24 and has a common first wiring pattern 6 connected to a connector 43 attached to the head substrate 23; 6 and a plurality of individual third wiring patterns arranged in the vicinity of the first pad 1 and the second pad 2 of each image sensor chip 24. 8 and is provided.
  • the first to fourth pads 1 to 4 are selectively connected to the first to third wiring patterns 6 to 8 by wire bonding. By changing the wire bonding pattern, The processing mode of the read image signal output from the image sensor 20 can be changed.
  • a wire 10 may be bonded to the first pad 1 and the first wiring pattern 6 of each image sensor chip 24.
  • the image reading signal from the phototransistor ⁇ is divided into the first field-effect transistor F ⁇ ⁇ , the second field-effect transistor FET Q , the first pad 1, the wire 10, It is output to the outside of the image sensor 20 via the first wiring pattern 6 and the connector 43. That is, the image reading signal before being amplified by the operational amplifier OP is output from the image sensor 20.
  • the circuit operation for outputting the image reading signal serially is well known, but will be briefly described below.
  • One of the image sensor chips 24 is selected by the chip select signal, and the second field effect transistor FET of the image sensor chip 24 is selected. Are turned on by the chip select signal, and an image reading signal is output to the first pad 1.
  • the serial-in signal is input to the shift register SR, and the serial-in signal is shifted in synchronization with the clock signal, so that the first field-effect transistor FET connected to the bit of each stage of the shift register SR ⁇ sequentially turns on, and the image reading signal is output serially.
  • Such an operation is sequentially performed for each of the image sensor chips 24, so that 1728 image reading signals for one line are serially output.
  • wire 11 is bonded to first pad 1 and third wiring pattern 8
  • second pad 2 and third wiring pattern 8 and the wire 13 may be bonded to the third pad 3 and the first wiring pattern 6.
  • the image reading signal from the phototransistor ⁇ ⁇ is converted into the first field effect transistor F ⁇ , the second field effect transistor FET 2 , the first pad 1, the wire 11, and the third wiring pattern. 8, input to the non-inverting input terminal of the operational amplifier ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ via the wire 12 and the second pad 2.
  • the image reading signal amplified by the operational amplifier ⁇ is passed through the third field-effect transistor FET ′ 3 , the third pad 3, the wire 13, the first wiring pattern 6, and the connector 43. Output to the outside of the image sensor 20. That is, the image reading signal amplified by the operational amplifier OP of each image sensor chip 24 is output from the image sensor 20.
  • a fourth turn wiring 9 is provided near the fourth pad 4
  • Wire 14 is bonded to the first pad 1 and the second wiring pattern 7
  • wire 15 is bonded to the second pad 2 and the second wiring pattern 7.
  • bonding the wire 16 to the fourth pad 4 and the fourth wiring pattern 9, and as shown in FIG. 9, the first pad 1 and the fourth pad 4 are connected to all the remaining image sensor chips 24.
  • the wire 14 may be bonded to the second wiring pattern 7.
  • the remaining image read signal from the phototransistor PHT in each image sensor chip 2 4 a first field effect transistor FET 1 second electric field effect transistor FET 2, first pad 1, and the wire 1
  • the signal is output to the second wiring pattern 7 via 4.
  • this image reading signal is input to the second pad 2 of the leftmost image sensor chip 24 via the wire 15, and is amplified by the operational amplifier P, and then the third field effect transistor FET.
  • the third pad 3, the wire 13, the first wiring pattern 6, and the connector 43 are output to the outside of the image sensor 20.
  • the other input terminal of the OR circuit OR of the leftmost image sensor chip 24 is supplied with power V through the fourth wiring pattern 9, the wire 16 and the fourth pad 4. So the chip select signal
  • a third field effect transistor FET 3 is turned on. That is, the image reading signal of each image sensor chip 24 is amplified by the operational amplifier OP of the leftmost image sensor chip 24, and then output from the image sensor 20.
  • the fourth wiring pattern 9 is formed only near the fourth pad 4 of the leftmost image sensor chip 24.
  • the image sensor chips 24 are arranged in a line on the head substrate 23, but the image sensor chips 24 are arranged in a plurality of lines on the head substrate 23, and each line is By providing the wiring patterns 6 to 8 on the substrate, a planar type image sensor can be realized.
  • the image reading signal from the image sensor chip 24 of each column is output in parallel to the outside of the image sensor.
  • the image reading from all the image sensor chips 24 may be performed. The signal may be serially output to the outside of the image sensor.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

明細書
イメージセンサチップぉよびイメージセンサ 技術分野
本発明は、 被読取体の画像を読み取るイメージセンサチップ、 およびそのィメ ージセンサチップを複数個備えたイメージセンサに関する。 背景技術
従来のィメージセンサチップは、 複数の光電変換素子からの読取画像信号を、 増幅せずに出力パッドからシリアルに出力する構成であった。 また、 このような イメージセンサチップを複数個備えた従来のイメージセンサは、 増幅回路を搭載 した増幅回路基板を、 複数個のイメージセンサチップを搭載したイメージセンサ ップ基板とは別に設け、 各イメージセンサチップからの読取画像信号を、 ィメ 一ジセンサチップの配線パターンとコネクタと増幅回路基板の配線パ夕一ンとを 介して増幅回路に供給し、 その増幅回路により増幅した後に、 増幅回路基板の配 線パターンとコネクタなどとを介して外部にシリアルに出力する構成であった。 しかし、 上記従来のイメージセンサでは、 各イメージセンサチップからの読取 画像信号を、 イメージセンサチップの配線パターンとコネクタと増幅回路基板の 配線パターンとを介して増幅回路に供給するので、 ノイズの影響を受け易く、 画 像に応じた正確な読取画像信号を得ることが困難であるという問題があった。 す なわち、 読取画像信号は電圧レベルが小さく、 しかも増幅回路の入力インピーダ ンスが大きいので、 イメージセンサチップから増幅回路までの配線長が長いと、 ノイズが乗り易く、 読取画像信号に大きなノイズが重畳されてしまう。 特に、 ィ メ一ジセンサの付近にレーザプリンタなどが配置されていると、 レーザ装置から のノィズの影響を大きく受けてしまう。
このような不具合は、 イメージセンサのケースとしてアルミニウムなどの金属 を用いて、 ィメージセンサ内部の回路を電磁遮蔽することにより解消できる可能 性があるが、 ィメージセンサの製造コス卜が高価になってしまう。
そこで、 各イメージセンサチップに増幅回路を内蔵させ、 各イメージセンサチ ップから増幅した読取画像信号を出力させることが考えられる。
しかし、 このように構成した場合、 各イメージセンサチップに内蔵された増幅 回路のオフセッ卜にばらつきが生じ、 このばらつきのために画像に応じた正確な 読取画像信号を得ることが困難になってしまう。 この問題は、 多階調あるいは力 ラーの読み取りを行うイメージセンサでは、 オフセッ卜のばらつきが階調あるい は色の変化として表れ易いので、 特に重大である。
このような不具合は、 イメージセンサの外部において読取画像信号を処理する 処理回路に補正回路を付加し、 その補正回路によりオフセッ卜のばらつきを補正 することにより解消できる可能性がある。 しかしながら、 このような構成では、 イメージセンサを含む装置の製造コストが高価になってしまう。
そこで、 各列のイメージセンサチップのうちの 1つに増幅回路を内蔵し、 その 増幅回路により各列のイメージセンサチップからの読取画像信号を増幅してィメ ージセンサの外部に出力することが考えられる。
このような構成によれば、 各列におけるオフセッ卜のばらつきの問題を解消で きる。 しかも、 増幅回路基板上に増幅回路を設ける場合と比較してノイズの問題 を軽減できる。 しかし、 このような構成では、 2種類のイメージセンサチップを 製造し、 それらをイメージセンサチップ基板上に搭載する必要があるので、 ィメ ―ジセンサチップの量産効果が低下し、 しかもイメージセンサチップ基板上への イメージセンサチップの搭載作業も複雑化することから、 イメージセンサの製造 コス卜が高価になってしまう。
このように、 上記 3種類のいずれの方式も一長一短である。 イメージセンサの 用途に応じて、 これらのうちのいずれかを選択'できるのが好ましいのであるが、 それぞれの方式毎に異なるイメージセンサチップを製造した場合、 量産効果の低 下によりイメージセンサの製造コストがー層高価になってしまう。 発明の開示
本発明の目的は、 製造コストを上昇させることなく、 増幅しない読取画像信号 を出力する状態と、 イメージセンサチップ毎に異なる増幅回路により増幅した読 取画像信号を出力する状態と、 各行毎に 1個の増幅回路により増幅した読取画像 信号を出力する状態とを、 製造時におけるワイヤボンディングにより切り替える ことができるイメージセンサを提供することにある。
本発明の他の目的は、 そのようなイメージセンサに用いるイメージセンサチッ プを提供することにある。
本発明の第 1の側面によれば、 被読取体からの反射光をアナログの読取画像信 号に変換する複数の光電変換素子と、 複数の光電変換素子の各出力端から読取画 像信号を順次シリアルに取り出す選択回路と、 選択回路によりシリアルに取り出 された読取画像信号が出力される第 1のパッドと、 複数の光電変換素子からの読 取画像信号を増幅可能な増幅回路と、 増幅回路の入力端に接続された第 2のパッ ドと、 増幅回路の出力端に接続された第 3のパッドとを備えたことを特徴とする 、 イメージセンサチップが提供される。
このようにすれば、 第 1のパッドから読取画像信号を取り出すことにより、 増 幅前の読取画像信号を得ることができる。 また、 第 1のパッドから出力された読 取画像信号を第 2のパッドに入力させて、 第 3のパッドから読取画像信号を取り 出すことにより、 増幅後の読取画像信号を得ることができる。 さらには、 同様の 構成を有する他のイメージセンサチップの第 1のパッドから出力された読取画像 信号も第 2のパッドに入力させて、 第 3のパッドから読取画像信号を取り出すこ とにより、 複数のィメージセンサチップの増幅後の読取画像信号を纏めて得るこ とができる。 したがって、 このイメージセンサチップを複数個用いることにより 、 製造コストを上昇させることなく、 増幅しない読取画像信号を出力する状態と 、 増幅した読取画像信号を出力する状態と、 他のイメージセンサチップに自己の 読取画像信号を増幅させる状態とを、 製造時に ¾けるワイヤボンディングにより 切り替えることができるイメージセンサを実現できる。
被読取体は、 画像が描かれた紙であってもよいし、 樹脂製のフィルムであって もよい。 さらには、 必ずしもシート状でなくてもよい。
光電変換素子としては、 ホトダイオードゃホトトランジスタを用いることがで きるが、 これに限るものではない。
選択回路としては、 シフトレジス夕あるいは C C Dを用いることができるが、 これに限るものではない。 増幅回路としては、 演算増幅器を用いることができるが、 これに限るものでは ない。
好ましい実施形態に係るィメージセンサチップは、 外部からの制御信号に応じ て、 選択回路により取り出された読取画像信号を第 1のパッドに供給する状態と 供給しない状態とに切り替わる第 1のスィツチ回路と、 外部からの制御信号に応 じて、 増幅回路の出力端から出力される信号を第 3のパッドに供給する状態と供 給しない状態とに切り替わる第 2のスィツチ回路とを備える。
このようにすれば、 第 1あるいは第 3のパッドから読取画像信号あるいはそれ を増幅した信号を出力しないときに、 第 1あるいは第 2のスィツチ回路をオフさ せておくことにより、 読取画像信号の伝送経路にノイズが侵入して第 1あるいは 第 3のパッドから出力されるのを良好に軽減できる。 特に、 増幅回路により増幅 された大きなノイズが第 3のパッドに出力されるのを防止できるので、 読取性能 を良好に維持できる。
第 1あるいは第 2のスィッチ回路としては、 電界効果トランジスタを用いるこ とができるが、 これに限るものではない。
本発明の第 2の側面によれば、 上述したようなイメージセンサチップが少なく とも 1列に搭載された配線基板を備えたイメージセンサであって、 前記配線基板 は、 前記少なくとも 1列のイメージセンサチップに共通する第 1のパターン配線 と、 前記少なくとも 1列のイメージセンサチップに共通する第 2のパターン配線 と、 前記少なくとも 1列のそれぞれのイメージセンサチップに個別に設けた第 3 のパターン配線と、 を備えている構成とした、 イメージセンサが提供される。 以上の構成によれば、 ワイヤボンディングめ態様を変えるだけで、 共通のィメ ージセンサチップと配線基板とを用いて、 増幅しない読取画像信号を出力するィ メ一ジセンサと、 イメージセンサチップ毎に異なる増幅回路により増幅した読取 画像信号を出力するイメージセンサと、 各行毎に 1個の増幅回路により増幅した 読取画像信号を出力するイメージセンサとを所望に応じて任意に製造できる。 し たがって、 配線パターンの異なる複数書類の配線基板を用いる必要がなく、 製造 コストを一層低減できる。
ワイヤボンディング態様の第 1の例においては、 前記各イメージセンサチップ の前記第 1のパッドはワイヤボンディングにより前記第 1のパターン配線に接続 されており、 前記少なくとも 1列のイメージセンサチップから出力される読取画 像信号を、 前記第 1のパターン配線を介してシリアルに出力させる構成にしてい る。
ワイヤボンディング態様の第 2の例においては、 前記各イメージセンサチップ の前記第 1のパッドと前記第 2のパッドはワイヤボンディングにより対応する第 3のパターン配線に接続されており、 前記各イメージセンサチップの前記第 3の パッドはワイヤボンディングにより前記第 1のパターン配線に接続されており、 前記少なくとも 1列のイメージセンサチップから出力される読取画像信号を前記 増幅回路により増幅して、 前記第 1のパターン配線を介してシリアルに出力する 構成としている。
ワイヤボンディング態様の第 3の例においては、 前記配線基板は、 前記少なく とも 1列のイメージセンサチップのうちの選択された 1つについて第 4のパタ一 ン配線をさらに備えており、 前記各イメージセンサチップの前記第 1のパッドは ワイヤボンディングにより前記第 2のパターン配線に接続されており、 前記選択 されたイメージセンサチップの前記第 2のパッドもワイヤボンディングにより前 記第 2のパターン配線に接続されており、 前記選択されたィメージセンサチップ の前記第 3のパッドはワイヤボンディングにより前記第 1のパターン配線に接続 されており、 前記選択されたイメージセンサチップはワイヤボンディングにより 前記第 4のパターン配線に接続された第 4のパッドを有しており、 前記少なくと も 1列のイメージセンサチップの前記第 1のパッドに出力される読取画像信号を 、 前記選択されたイメージセンサチップの増幅回路により増幅して、 前記第 1の パターン配線を介してシリアルに出力する構成としている。
本発明の他の目的、 特徴および利点は、 添付図面を参照して以下に行う詳細な 説明によって、 より明らかとなろう。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の一実施形態に係るイメージセンサの部品を分解して示す斜視 図である。 図 2は、 上記イメージセンサの部分平面図である。
図 3は、 図 1の I I I一 I I I線断面図である。
図 4は、 図 1の! \ 1\線断面図である。
図 5は、 図 1の V— V線断面図である。
図 6は、 上記イメージセンサチップの配線パターンの接続形態の第 1の例を示 す回路図である。
図 7は、 上記イメージセンサチップの配線パターンの接続形態の第 2の例を示 す回路図である。
図 8及び図 9は、 上記ィメージセンサチップの配線パターンの接続形態の第 3 の例を示す回路図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の好ましい実施形態を、 図面を参照して具体的に説明する。
図 1 〜 5において、 本発明の実施形態に係るイメージセンサ 2 0は、 略矩形状 の断面形状と、 所定の長手寸法を有するケース 2 1を有している。 このケース 2 1は、 例えば樹脂成形によって作製することができる。 このケース 2 1は、 図 3 に良く表れているように、 上下に貫通する内部空間をもち、 上部開口を封鎖する ようにガラスカバ一 2 2が取付けられているとともに、 下部開口を封鎖するよう に配線基板としてのへッド基板 2 3が取付けられている。 このへッド基板 2 3の 上面における一方の長手緣部寄りには、 複数個のイメージセンサチップ 2 4 (図 示の実施形態では 1 8個) が取付けられており、 他方の長手縁部寄りには、 照明 光源としての複数個の L E Dチップ 2 5が取付けられている。 そして、 このケー ス 2 1の内部空間には、 L E Dチップ 2 5からの光を効率的にガラスカバー 2 2 上の被読取体としての原稿 Dに照射するための透明樹脂製の導光部材 2 6と、 原 稿 Dからの反射光を正立等倍にイメージセンサチップ 2 4に集束させるための口 ッドレンズアレイ 2 7が設けられている。
ロッドレンズアレイ 2 7は、 ケース 2 1内に形成した溝状ホルダ部 2 8に上方 から挿入するようにして保持されている。 溝状ホルダ部 2 8は、 ロッドレンズァ レイ 2 7の平面形態と対応した凹陥溝 2 9を有しており、 その底部には、 ロッド レンズアレイ 2 7を透過した光を通過させてその下方に配置される複数のィメー ジセンサチップ 2 4上に至らせるためのスリット 3 0が形成されている。
図 3に表れているように、 この溝状ホルダ部 2 8の長手方向中間部における内 壁には、 ロッドレンズアレイ 2 7の上面の一側縁に係合して、 このロッドレンズ アレイ 2 7の浮きを防止するための 2個の突起 3 1が形成されている。 各突起 3 1は、 溝状ホルダ部 2 8へのロッドレンズアレイ 2 7の挿入操作を阻害すること がないように、 適度な突出高さをもち、 先端上方寄りにはテーパ面 3 1 aが形成 されている。
導光部材 2 6は、 ロッドレンズアレイ 2 7の光軸の延長上に存在する読み取り ライン Lから側方に変位した位置においてへッド基板 2 3に取付けられた L E D チップ 2 5から発する光を、 プリズム効果によって効率的に読み取りライン: Lな いしはその近傍領域に導くための部材である。 この導光部材 2 6は、 L E Dチッ プ 2 5の配置と対応して開口する透光窓 3 2が形成された底壁 3 3と、 ケース 2 1の一側内壁 2 1 aと、 溝状ホルダ部 2 8の外壁 2 8 aとで囲まれた空間に嵌め 込むようにして取付けられる。
図 1に表れているように、 導光部材 2 6の長手方向中間部の一側面には、 2個 の係合突起 3 4が形成されており、 これに対応して、 ケース 2 1の一側内壁 2 1 aには、 係合突起 3 4が係合可能な係合凹部 3 5が形成されている。 そして、 こ の導光部材 2 6の両端部には、 図 1および図 5に表れているように、 ケースの一 側内壁 2 1 aと溝状ホルダ部 2 8の外壁 2 8 aとの間に嵌合しうるサイズの嵌合 ブロック 3 6がー体に形成されている。 この嵌合ブロック 3 6から、 ロッドレン ズアレイ 2 7の両端部上面を押圧するための押圧片 3 7がー体に延出形成されて いる。 また、 嵌合ブロック 3 6の背面には、 この嵌合ブロック 3 6を一定の摩擦 力をもってケース内壁 2 1 aとホルダ部側壁 2 8 aとの間に嵌合保持させるため の突起 3 8およびリブ 3 9が形成されている。
上記構成のイメージセンサ 2 0は、 次のようにして組み立てることができる。 まず、 ケース 2 1の溝状ホルダ部 2 8にロッドレンズアレイ 2 7を上から嵌め込 む。 このとき、 溝状ホルダ部 2 8の突起 3 1がロッドレンズアレイ 2 7の上面に 係合して、 このロッドレンズアレイ 2 7の浮きを防止する。 次に、 導光部材 2 6を、 ケース内壁 2 1 aとホルダ部側壁 2 8 aとで囲まれた 空間に上から嵌め込む。 導光部材 2 6は、 その係合突起 3 4がケース 2 1の係合 凹部 3 5に係合し、 嵌合ブロック 3 6が上記空間にぴったりと嵌まり込むことに より、 浮きが生じるといったことなく、 定位置に保持される。 また、 この導光部 材 2 6の各嵌合ブロック 3 6における押圧片 3 7がロッドレンズアレイ 2 7の両 端部上面を押圧する。 ロッドレンズアレイ 2 7は、 その長手方向中間部が突起 3
1によって押さえられ、 両端部が導光部材 2 6の押圧片 3 7によって押さえられ ることにより、 安定的かつ確実に定位置に保持される。
ガラスカバ一 2 2は、 ケース 2 1の上面開口に嵌め込むようにして、 たとえば 接着によって固定される。 ヘッド基板 2 3は、 ケース 2 1の下面開口に嵌め込む ようにして、 止め金具 4 0によって固定される。 この止め金具 4 0は、 図 4に表 れているように、 バネ板部材を断面略 M形に折曲形成したものであって、 その脚 部 4 0 aに形成した係合穴 4 1が、 ケース 2 1の両外側面に形成した係合突起 4
2に係合する。
イメージセンサチップ 2 4 ( 1 8個) は、 全ての光電変換素子が等間隔でかつ 1列に並ぶように、 ヘッド基板 2 3上に一列に搭載されている。 各イメージセン サチップ 2 4には、 9 6個の光電変換素子を備えており、 合計 1 7 2 8個の光電 変換素子により 1ラインの画像の読み取りがなされることになる。 ヘッド基板 2 3には、 イメージセンサ 2 0の信号授受のためのコネクタ 4 3が取り付けられて レ、る。
図 6に表れるように、 各イメージセンサチップ 2 4には、 光電変換素子として 9 6個のホトトランジスタ P H Tが設けられて'いる。 これらホトトランジスタ P H Tは、 コレクタが電源 こ共通に接続され、 ェミッタが第 1の電界効果トラ ンジス夕 F E T iのドレインに接続されている。 第 1の電界効果トランジスタ F E T j^のゲートは、 シフトレジスタ S Rの対応するビットに接続されている。 第
1の電界効果トランジスタ F E Tェのソースは、 第 1のスィッチ回路を構成する 第 2の電界効果トランジスタ F E T 2のドレインに共通に接続されている。 シフ トレジス夕 S Rの入力端は、 シリアルイン信号が入力されるパッド S Iに接続さ れている。 第 2の電界効果トランジスタ F E T 2のゲートは、 外部からの制御信 号としてのチップセレクト信号が入力されるパッド C S ELと、 論理和回路 OR の一方の入力端とに接続されている。 第 2の電界効果トランジスタ FET 2のソ —スは、 第 1のパッド 1に接続されている。 シフトレジスタ SRと第 1の電界効 果トランジスタ FET χとは、 複数のホトトランジスタ ΡΗΤの各出力端から読 取画像信号を順次シリアルに取り出す選択回路を構成している。
第 1のパッド 1には、 第 2のパッド 2が隣接配置されている。 この第 2のパッ ド 2は、 増幅回路を構成する演算増幅器 ΟΡの非反転入力端、 抵抗器 の一端 およびキャパシ夕 Cの一端に接続されている。 抵抗器 R iの他端およびキャパシ 夕 Cの他端は接地されている。 演算増幅器 OPの反転入力端は、 抵抗器 Rりの一 端および R の一端に接続されている。 抵抗器 R„の他端は接地されており、 抵 抗器 R3の他端は、 演算増幅器 OPの出力端と、 第 2のスィッチ回路を構成する 第 3の電界効果トランジスタ FET。のドレインとに接続されている。 第 3の電 界効果トランジスタ FET。のソースは、 第 3のパッド 3に接続されており、 第 3の電界効果トランジスタ FET。のゲートは、 論理和回路 ORの出力端に接続 されている。 論理和回路 ORの他方の入力端は、 第 4のパッド 4および抵抗器 R 4の一端に接続されており、 抵抗器 R Λの他端は接地されている。
ヘッド基板 23の上面は、 イメージセンサチップ 24の近傍に配置され、 かつ へッド基板 23に取り付けられたコネクタ 43に接続された共通の第 1の配線パ ターン 6と、 この第 1の配線パターン 6に隣接配置された共通の第 2の配線パタ ーン 7と、 各イメージセンサチップ 24の第 1のパッド 1および第 2のパッド 2 の近傍に配置された複数の個別の第 3の配線パターン 8とを備えている。
上記第 1〜第 4のパッド 1〜4は、 第 1〜第' 3の配線パターン 6~8に選択的 にワイヤボンディングにより接続されるものであって、 このワイヤボンディング のパターンを変更することにより、 イメージセンサ 20から出力される読取画像 信号の処理態様を変更できる。
たとえば、 図 6に示すように、 各イメージセンサチップ 24の第 1のパッド 1 と第 1の配線パターン 6とにワイヤ 10をボンディングしてもよい。 この場合、 ホトトランジスタ ΡΗΤからの画像読取信号が、 第 1の電界効果トランジスタ F ΕΤ γ , 第 2の電界効果トランジスタ FET Q、 第 1のパッド 1、 ワイヤ 10、 第 1の配線パターン 6、 およびコネクタ 4 3を介してイメージセンサ 2 0の外部 に出力される。 すなわち、 演算増幅器 O Pにより増幅される前の画像読取信号が イメージセンサ 2 0から出力される。
画像読取信号をシリアルに出力するための回路動作は、 周知であるが、 以下に 簡単に述べる。 チップセレクト信号によりいずれか 1つのイメージセンサチップ 2 4が選択され、 そのイメージセンサチップ 2 4の第 2の電界効果トランジスタ F E T。がチップセレク卜信号によりオンし、 第 1のパッド 1に画像読取信号が 出力される状態になる。 そして、 シリアルイン信号がシフトレジスタ S Rに入力 され、 クロック信号に同期してシリアルイン信号がシフトされることにより、 シ フトレジス夕 S Rの各段のビッ卜に接続された第 1の電界効果トランジスタ F E T〗が順次オンし、 画像読取信号がシリアルに出力される。 このような動作が各 イメージセンサチップ 2 4について順次行われることにより、 1ライン分 1 7 2 8個の画像読取信号がシリアルに出力されるのである。
また、 図 7に示すように、 各イメージセンサチップ 2 4について、 第 1のパッ ド 1と第 3の配線パターン 8とにワイヤ 1 1をボンディングし、 第 2のパッド 2 と第 3の配線パターン 8とにワイヤ 1 2をボンディングし、 第 3のパッド 3と第 1の配線パターン 6とにワイヤ 1 3をボンディングしてもよい。 この場合、 ホト トランジスタ Ρ Η Τからの画像読取信号が、 第 1の電界効果トランジスタ F Ε Τ , 、 第 2の電界効果トランジスタ F E T 2、 第 1のパッド 1、 ワイヤ 1 1、 第 3 の配線パターン 8、 ワイヤ 1 2、 および第 2のパッド 2を介して演算増幅器 Ο Ρ の非反転入力端に入力される。 そして、 演算増幅器 Ο Ρにより増幅された画像読 取信号は、 第 3の電界効果トランジスタ F E T' 3、 第 3のパッド 3、 ワイヤ 1 3 、 第 1の配線パターン 6、 およびコネクタ 4 3を介してイメージセンサ 2 0の外 部に出力される。 すなわち、 各イメージセンサチップ 2 4の演算増幅器 O Pによ り増幅された後の画像読取信号がィメ一ジセンサ 2 0から出力される。
また、 1 8個のイメージセンサチップ 2 4のうちのたとえば左端のイメージセ ンサチップ 2 4については、 図 8に示すように、 第 4のパッド 4の近傍に第 4の はターン配線 9を設け、 第 1のパッド 1と第 2の配線パターン 7とにワイヤ 1 4 をボンディングし、 第 2のパッド 2と第 2の配線パターン 7とにワイヤ 1 5をボ ンディングし、 第 4のパッド 4と第 4の配線パターン 9とにワイヤ 1 6をボンデ イングして、 残り全部のイメージセンサチップ 2 4については、 図 9に示すよう に、 第 1のパッド 1と第 2の配線パターン 7とにワイヤ 1 4をボンディングして もよい。 この場合、 上記残りの各イメージセンサチップ 2 4のホトトランジスタ P H Tからの画像読取信号が、 第 1の電界効果トランジスタ F E T 1 第 2の電 界効果トランジスタ F E T 2、 第 1のパッド 1、 およびワイヤ 1 4を介して第 2 の配線パターン 7に出力される。 そして、 この画像読取信号は、 ワイヤ 1 5を介 して左端のイメージセンサチップ 2 4の第 2のパッド 2に入力され、 演算増幅器 〇Pにより増幅された後、 第 3の電界効果トランジスタ F E T。、 第 3のパッド 3、 ワイヤ 1 3、 第 1の配線パターン 6、 およびコネクタ 4 3を介してイメージ センサ 2 0の外部に出力される。 このとき、 左端のイメージセンサチップ 2 4の 論理和回路 O Rの他方の入力端には、 第 4の配線パターン 9、 ワイヤ 1 6、 およ び第 4のパッド 4を介して電源 V されているので、 チップセレクト信号
Figure imgf000013_0001
が論理和回路 O Rの一方の入力端に入力されていないときでも、 第 3の電界効果 トランジスタ F E T 3はオンしている。 すなわち、 各イメージセンサチップ 2 4 の画像読取信号が、 左端のイメージセンサチップ 2 4の演算増幅器 O Pにより増 幅された後、 イメージセンサ 2 0から出力される。 なお、 第 4の配線パターン 9 は、 左端のイメージセンサチップ 2 4の第 4のパッド 4の近傍にのみ形成されて いる。
なお、 上記実施形態においては、 ヘッド基板 2 3上にイメージセンサチップ 2 4を一列に配置したが、 へッド基板 2 3上にイメージセンサチップ 2 4を複数列 に配置して、 各列毎に配線パターン 6 ~ 8を設けることにより、 平面タイプのィ メ一ジセンサを実現できる。 このとき、 各列の第 1の配線パターン 6をコネクタ 4 3に接続することにより、 各列のイメージセンサチップ 2 4からの画像読取信 号を、 イメージセンサの外部にパラレルに出力するように構成してもよいし、 あ るいは、 各列の第 1の配線パターン 6を 1本の配線パターンに纏めてからコネク タ 4 3に接続することにより、 全てのイメージセンサチップ 2 4からの画像読取 信号を、 ィメージセンサの外部にシリアルに出力するように構成してもよい。

Claims

請求の範囲
1 . 被読取体からの反射光をアナログの読取画像信号に変換する複数の光電変換 素子と、
前記複数の光電変換素子の各出力端から読取画像信号を順次シリアルに取り 出す選択回路と、
前記選択回路によりシリアルに取り出された読取画像信号が出力される第 1 の八。ッドと、
前記複数の光電変換素子からの読取画像信号を増幅可能な増幅回路と、 前記増幅回路の入力端に接続された第 2のパッドと、
前記増幅回路の出力端に接続された第 3のパッドと、 を備えたことを特徴と する、 イメージセンサチップ。
2 . 外部からの制御信号に応じて、 前記選択回路により取り出された読取画像信 号を前記第 1のパッドに供給する状態と供給しない状態とに切り替わる第 1のス ィツチ回路と、
外部からの制御信号に応じて、 前記増幅回路の出力端から出力される信号を 前記第 3のパッドに供給する状態および供給しない状態に切り替わる第 2のスィ ツチ回路と、 を備えたことを特徴とする、 請求項 1に記載のイメージセンサチッ プ。
3 . 請求項 1または請求項 2に記載のイメージセンサチップが少なくとも 1列に 搭載された配線基板を備えたイメージセンサであって、 前記配線基板は、 前記少 なくとも 1列のイメージセンサチップに共通する第 1のパターン配線と、 前記少 なくとも 1列のイメージセンサチップに共通する第 2のパターン配線と、 前記少 なくとも 1列のそれぞれのイメージセンサチップに個別に設けた第 3のパターン 配線と、 を備えている構成とした、 イメージセンサ。
4 . 前記各イメージセンサチップの前記第 1のパッドはワイヤボンディングによ り前記第 1のパターン配線に接続されており、 前記少なくとも 1列のイメージセ ンサチップから出力される読取画像信号を、 前記第 1のパターン配線を介してシ リアルに出力するようにした、 請求項 3に記載のイメージセンサ。
5 . 前記各イメージセンサチップの前記第 1のパッドと前記第 2のパッドはワイ ャボンディングにより対応する第 3のパターン配線に接続されており、 前記各ィ メージセンサチップの前記第 3のパッドはワイヤボンディングにより前記第 1の パターン配線に接続されており、 前記少なくとも 1列のイメージセンサチップか ら出力される読取画像信号を前記増幅回路により増幅して、 前記第 1のパターン 配線を介してシリアルに出力する構成とした、 請求項 3に記載のイメージセンサ。
6 . 前記配線基板は、 前記少なくとも 1列のィメージセンサチップのうちの選択 された 1つについて第 4のパ夕一ン配線をさらに備えており、 前記各ィメージセ ンサチップの前記第 1のパッドはワイヤボンディングにより前記第 2のパターン 配線に接続されており、 前記選択されたイメージセンサチップの前記第 2のパッ ドもワイヤボンディングにより前記第 2のパターン配線に接続されており、 前記 選択されたイメージセンサチップの前記第 3のパッドはワイヤボンディングによ り前記第 1のパターン配線に接続されており、 前記選択されたイメージセンサチ ップはワイヤボンディングにより前記第 4のパターン配線に接続された第 4のパ ッドを有しており、 前記少なくとも 1列のィメージセンサチップの前記第 1のパ ッドに出力される読取画像信号を、 前記選択されたイメージセンサチップの増幅 回路により増幅して、 前記第 1のパターン配線'を介してシリアルに出力する構成 とした、 請求項 3に記載のイメージセンサ。
PCT/JP1998/000413 1997-01-30 1998-01-30 Microplaquette de capteur d'image et capteur d'image WO1998034279A1 (fr)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CA002249977A CA2249977C (en) 1997-01-30 1998-01-30 Image sensor chip and image sensor
BR9805960-2A BR9805960A (pt) 1997-01-30 1998-01-30 "chip de sensor de imagem e sensor de imagem"
EP98901080A EP0908955A4 (en) 1997-01-30 1998-01-30 IMAGE SENSOR MICROPLATE AND IMAGE SENSOR
US09/155,072 US6184513B1 (en) 1997-01-30 1998-01-30 Image sensor chip and image sensor

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9017022A JP3008267B2 (ja) 1997-01-30 1997-01-30 イメージセンサチップおよびイメージセンサ
JP9/17022 1997-01-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1998034279A1 true WO1998034279A1 (fr) 1998-08-06

Family

ID=11932381

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP1998/000413 WO1998034279A1 (fr) 1997-01-30 1998-01-30 Microplaquette de capteur d'image et capteur d'image

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6184513B1 (ja)
EP (1) EP0908955A4 (ja)
JP (1) JP3008267B2 (ja)
CN (1) CN1125492C (ja)
BR (1) BR9805960A (ja)
CA (1) CA2249977C (ja)
WO (1) WO1998034279A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI582330B (zh) * 2012-04-05 2017-05-11 精工愛普生股份有限公司 圖像讀取裝置

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003115584A (ja) * 2001-10-05 2003-04-18 Canon Inc 撮像装置及び読取装置
JP2003152952A (ja) * 2001-11-13 2003-05-23 Rohm Co Ltd イメージセンサヘッドおよびこれを備えた画像読み取り装置
JP3920780B2 (ja) * 2003-01-17 2007-05-30 ローム株式会社 イメージセンサヘッド、およびこれを備えたイメージスキャナ
JP2009066081A (ja) * 2007-09-11 2009-04-02 Kyoraku Sangyo Kk プリント配線基板、遊技盤、及びパチンコ遊技機
JP2010021983A (ja) * 2007-12-21 2010-01-28 Rohm Co Ltd 導光体、導光体の製造方法、および画像読取装置
US8558103B2 (en) 2009-01-28 2013-10-15 Intersil Americas Inc. Switchable solar cell devices
US8477385B2 (en) * 2009-07-14 2013-07-02 Fuji Xerox Co., Ltd. Image reading apparatus with substrate support, image forming apparatus with substrate support
JP6028894B2 (ja) * 2012-04-05 2016-11-24 セイコーエプソン株式会社 画像読取装置および筐体の製造方法
CN108430318B (zh) * 2016-01-29 2021-06-29 惠普发展公司,有限责任合伙企业 微流体系统
JP6642105B2 (ja) * 2016-02-26 2020-02-05 セイコーエプソン株式会社 画像読取装置及び半導体装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0442545A (ja) * 1990-06-08 1992-02-13 Nec Corp 電荷転送素子の信号出力回路

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2543083C3 (de) * 1975-09-26 1979-01-11 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Bildsensor sowie Verfahren zum Betrieb eines solchen Bildsensors
IL83213A (en) * 1987-07-16 1991-08-16 Technion Res & Dev Foundation Intelligent scan image sensor
US5408113A (en) * 1992-06-30 1995-04-18 Ricoh Company, Ltd. High sensitivity improved photoelectric imaging device with a high signal to noise ratio
JPH0645580A (ja) * 1992-07-24 1994-02-18 Fuji Xerox Co Ltd イメージセンサ
JP3406935B2 (ja) * 1994-01-31 2003-05-19 キヤノン株式会社 撮像装置
US5724095A (en) * 1995-10-03 1998-03-03 Omnivision Technologies Inc. Charge amplifier for MOS imaging array and method of making same
US5784178A (en) * 1996-03-06 1998-07-21 Dyna Image Corporation High performance contact image sensor
US5901257A (en) * 1996-05-03 1999-05-04 Omnivision Technologies, Inc. Single chip color MOS image sensor with two line reading structure and improved color filter pattern
JP3894603B2 (ja) * 1996-12-12 2007-03-22 ローム株式会社 イメージセンサ

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0442545A (ja) * 1990-06-08 1992-02-13 Nec Corp 電荷転送素子の信号出力回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI582330B (zh) * 2012-04-05 2017-05-11 精工愛普生股份有限公司 圖像讀取裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US6184513B1 (en) 2001-02-06
JPH10214952A (ja) 1998-08-11
CN1216160A (zh) 1999-05-05
EP0908955A1 (en) 1999-04-14
BR9805960A (pt) 1999-08-31
CN1125492C (zh) 2003-10-22
JP3008267B2 (ja) 2000-02-14
EP0908955A4 (en) 2000-05-10
CA2249977A1 (en) 1998-08-06
CA2249977C (en) 2001-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3096171B2 (ja) イメージセンサ及びそれを搭載する電子機器
US7471428B2 (en) Contact image sensor module and image reading device equipped with the same
WO1998034279A1 (fr) Microplaquette de capteur d'image et capteur d'image
US9036220B2 (en) Contact image sensing device
US20050179965A1 (en) Image reading apparatus
US6952289B1 (en) Integrated image reading/writing head, and image processing apparatus incorporating the same
KR100359638B1 (ko) 화상처리장치
JP2004364180A (ja) イメージセンサ
JP3703851B2 (ja) 画像読み書きヘッドおよびこれに用いる集積回路
US7206102B2 (en) Image reading apparatus with partially shielded light-receiving elements
JP3432124B2 (ja) イメージセンサ及びそれを用いた情報処理装置
JP3894603B2 (ja) イメージセンサ
JP3939797B2 (ja) イメージセンサチップおよびイメージセンサ
JP3113392B2 (ja) 完全密着型イメージセンサ
JPWO2019225410A1 (ja) 受光ユニット
JPH10224558A (ja) イメージセンサチップおよびイメージセンサ
US5216524A (en) Complete-contact type image sensor
JPH10224555A (ja) イメージセンサ
JPS62296652A (ja) 画像読取装置
WO1999039502A1 (fr) Microplaquette de detection d'image et dispositif de lecture d'image la comportant
JPH04330849A (ja) 密着型イメージセンサユニット
JPH04330848A (ja) 密着型イメージセンサユニット
JPH01184167A (ja) 光プリントヘッド
JPH01225277A (ja) 画像読み取り装置
JPH04330850A (ja) 密着型イメージセンサユニット

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 98800077.6

Country of ref document: CN

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BR CA CN KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 09155072

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2249977

Country of ref document: CA

Ref document number: 2249977

Country of ref document: CA

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1019980707582

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1998901080

Country of ref document: EP

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1998901080

Country of ref document: EP

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1019980707582

Country of ref document: KR