WO1998009312A1

WO1998009312A1 - Micro-relais et son procede de fabrication

Info

Publication number: WO1998009312A1
Application number: PCT/JP1997/002964
Authority: WO
Inventors: Minoru Sakata; Takuya Nakajima; Tomonori Seiki; Teruhiko Fujiwara; Masashi Takeuchi
Original assignee: Omron Corporation
Priority date: 1996-08-27
Filing date: 1997-08-26
Publication date: 1998-03-05
Also published as: EP0923099B1; CN1233343A; US6407482B2; EP1517344B1; EP0923099A1; US6603238B2; US20020008444A1; EP1517344A1; KR100329246B1; CN1222972C; TW379346B; US20020117937A1; DE69737798D1; EP1394826A2; JP3590872B2; EP1394826B1; DE69735210T2; DE69735210T8; DE69734537D1; EP0923099A4

Description

明細書マイクロリレーおよびその製造方法技術分野

本発明はマイクロリレーなどの電子部品、特に、単結晶の薄板状基材からなる可動片を湾曲させて接点を開閉するマイクロリレー、マトリックスリレーおよびマイクロリレーチップなどの電子部品に関する。

背景技術

従来、リレーとしては、例えば、電磁石を利用した電磁式リレーがある。しかし、機械的構成部品を必要とするので、小型化が困難である。さらに、機械的構成部品のうち、可動部品の慣性力が大きいため、疲労破壊が生じやすく、耐久性に乏しいという問題点がある。

一方、小型リレーの一種として、半導体スイッチング素子からなるものがあるが、接点がオンするときの抵抗が大きく、周波数特性が低いとともに、入出力間や同極端子間の絶縁性が低いという問題点がある。

本発明は、前記問題点に鑑み、接点がオンするときの抵抗が小さく、耐振性，周波数特性，絶縁性に優れた超小型のマイクロリレーを提供することを第 1の目的とする。

また、従来、マトリックスリレーとしては、例えば、特開平 7— 2 9 4 7 3号公報に記載のものがある。すなわち、固定接点コアにソレノィドを捲装した所要数の電磁石からなる電磁石列で、帯板に設けた可動ばね接点を駆動することにより、接点を開閉するものである。

しかしながら、前述のマトリックスリレーは、固定接点コアにソレノィドを捲装した電磁石を構成部品とするので、装置の小型化、特に、薄型化に限界がある。

また、構成部品の大部分が偏平でなく、一方向から積み重ねることができないので、組立に手間がかかり、生産性が低いという問題点がある。本発明は、前記問題点に鑑み、超小型で組立が容易なマトリックスリレ一を提供することを第 2の目的とする。

さらに、従来、マイクロリレーチップの電子部品としては、例えば、特願平 7— 2 9 9 7 6 5号の図 2 7 , 図 2 8に提案されているものがある。すなわち、マイクロリレーチップの各接続電極をリードフレームの各外部端子にワイヤ一ボンディグした後、樹脂モールドしたマイクロリレーであ

^>。

しかしながら、前述の電子部品では、マイクロリレーチップ全体を樹脂モールドしていたので、放熱しにくい。このため、内部構成部品の発熱により、誤動作が生じやすく、動作特性が変化しやすい。

また、前述の電子部品では、マイクロリレーチップの各接続電極をリ一ドフレームに形成した各外部端子にワイヤーボンディグで個々に接続しなければならない。このため、作業工数が多く、生産性が低い。さらに、振動等によって断線しやすいので、信頼性が低いという問題点がある。

本発明は、前記問題点に鑑み、熱による誤動作や動作特性の変化を防止でき、生産性，信頼性が高い電子部品を提供することを第 3の目的とする。

発明の開示

前述の第 1目的を達成するため、本願発明の第 1の特徴は、単結晶からなる薄板状基材に駆動手段を設け、かつ、少なくとも片面に少なくとも 1 個の可動接点を設けた可動片の両端をベースに支持し、前記駆動手段を介して前記可動片を湾曲させることにより、前記可動接点をこれに対向する固定接点に接離させて電気回路を開閉するマイクロリレーにある。本発明の第 1の特徴によれば、単結晶からなる薄板状基材を湾曲させることによって接点を開閉できるので、装置の小型化が容易である。さらに、薄板状基材からなる可動片の慣性力が小さいため、疲労破壌が生じにくく、耐久性に優れたマイクロリレーが得られる。

また、可動片を両端支持してあるので、外部振動等の影響を受けにくく、安定した動作特性を有するマイクロリレーが得られる。

さらに、半導体スィツチング素子よりも接点がオンするときの抵抗が極めて小さく、周波数特性が高いとともに、入出力間や同極端子間の絶縁性が高いマイクロリレーが得られる。

第 2の特徴は、ハンドルウェハからなる箱形ベースの開口縁部に絶縁膜を介してデバイスウェハを接合一体化し、このデバィスウェハに一対のスリットを設けて前記可動片を切り出したマイクロリレーにある。

第 2の特徴によれば、ハンドルウェハの箱形ベースに接合一体化したデバイスウェハに可動片を形成してある。このため、すべての処理を半導体製造技術を利用して製造できる。

また、前記ハンドルウェハとデバイスウェハとを絶縁膜を介して接合一体化してあるので、シリコン同士を直接接合一体化する場合よりも低温で接合一体化できる。このため、固定接点，可動接点に低融点の材料を使用でき、設計の自由度が広がる。

第 3の特徴は、前記デバイスウェハのうち、前記ハンドルウェハの底面に設けた前記固定接点の接続パッドと対向する位置に、接続用開口部を形成したマイクロリレーにある。

第 3の特徴によれば、デバイスウェハに設けた接続用開口部を介し、ヮィャボンディングを利用して外部に接続できることになる。このため、マイクロリレー自体の配線構造が簡単になり、製造が容易になる。第 4の特徴は、前記接続用開口部の内側面を絶縁膜で被覆したマイク口リレーにある。

第 4の特徴によれば、前記接続用開口部の内側面を絶縁膜で被覆してあるので、ワイヤボンディングを行っても、ワイヤがシリコン層に接触することがなく、駆動用電源に干渉されない。

第 5の特徴は、前記デバイスウェハの上面に、冷却用フィンを形成したマイクロリレーにある。

第 5の特徴によれば、デバイスウェハの上面に形成した冷却用フィンを介し、可動片から生じた熱が迅速に外部に放散される。このため、復帰時における動作特性が向上する。

また、マイクロリレーを集積した場合であっても、冷却用フィンが効率的に熱を放散するので、過熱による誤動作を防止できる。

第 6の特徴は、前記可動片を、その片面に設けた可動接点をこれに対向する固定接点に接触するように予め湾曲させて付勢したマイクロリレーにあな

第 6の特徴によれば、薄板状基材を予め湾曲させて可動接点を固定接点に接触させているので、自己保持型のマイクロリレーが得られ、消費電力を大幅に節減できる。

第 7の特徴は、前記可動片の両側縁部の略中央から同一軸心上に突設した一対の回動軸を前記ベースに支持するとともに、前記薄板状基材の片側半分を上方に予め湾曲させて付勢する一方、残る片側半分を下方に予め湾曲させて付勢し、前記片側半分を前記駆動手段を介して同時に反転させることにより、 2つの電気回路を交互に開閉するマイクロリレーにある。第 7の特徴によれば、薄板状基材の片側半分を同時に反転させて接点を開閉できるので、複数の電気回路を同時に開閉できる。第 8の特徴は、前記駆動手段が前記薄板状基材の片面に積層した圧電素子であるマイクロリレーにある。

第 8の特徴によれば、圧電素子で可動片を湾曲させるので、発熱による電力消費を節約でき、エネルギー効率のよいマイクロリレーが得られる。第 9の特徴は、前記駆動手段が前記薄板状基材の片面に形成したヒータ層であるマイクロリレーにある。

第 9の特徴によれば、ヒータ層だけで可動片を湾曲させるので、製造ェ程が少なく、生産性の高いマイクロリレーが得られる。

第 1 0の特徴は、前記駆動手段が、前記薄板状基材の片面に形成したヒ一夕層と、このヒ一夕層に絶縁膜を介して金属材を積層して形成した駆動層とからなるマイクロリレーにある。

第 1 0の特徴によれば、熱膨張率の高い金属材を積層して駆動層を形成してあるので、応答特性に優れ、大きな接点圧力を有するマイクロリレーが得られる。

第 1 1の特徴は、前記駆動手段のヒータ層が前記薄板状基材の片面に絶縁膜を介して積層したプラチナ，チタン等の金属材あるいはポリシリコンであるマイクロリレーにある。

第 1 1の特徴によれば、薄板状基材の片面に金属材あるいはポリシリコンを積層してヒータ層を形成するので、寸法精度の高いヒータ層が得られる。このため、動作特性が均一なマイクロリレーが得られる。

第 1 2の特徴は、前記駆動手段が前記薄板状基材の内部に形成した拡散抵抗からなるヒータ部であるマイクロリレーにある。

第 1 2の特徴によれば、駆動手段が単結晶からなる薄板状基材の内部に形成した拡散抵抗である。このため、発生した熱を有効に利用でき、熱損失の少ないマイクロリレーが得られる。第 1 3の特徴は、前記可動片の表裏面のうち、少なくとも可動接点を設ける片面に、絶縁膜を形成したマイクロリレーにある。

第 1 3の特徴によれば、前記絶縁膜が絶縁性を確保するとともに、駆動手段から生じた熱の漏洩を防止する。

第 1 4の特徴は、前記可動片の表裏面に、シリコン酸化膜，シリコン窒化膜等の厚さの異なるシリコン化合物膜を形成したマイク口リレーにある。第 1 4の特徴によれば、可動片の表裏面にシリコン化合物膜を形成してあるので、可動片から発生した熱が漏れるのを防止し、熱効率の良いマイクロリレーが得られる。

第 1 5の特徴は、前記可動片の少なくとも片面に、駆動を開始する臨界値近傍の圧縮応力を付与するシリコン酸化膜，シリコン窒化膜等のシリコン化合物膜を形成したマイクロリレーにある。

第 1 5の特徴によれば、駆動を開始する臨界値近傍の圧縮応力をシリコン化合物膜から得られるので、応答特性の良いマイクロリレーが得られる。第 1 6の特徴は、前記可動片の両端部近傍に少なくとも 1本の断熱用スリットを形成したマイクロリレーにある。

第 1 6の特徴によれば、可動片の両端部近傍に断熱用スリットを形成してある。このため、熱の伝導面積が小さくなり、可動片の両端部からの熱伝導を防止できる。この結果、エネルギーを有効に利用でき、応答特性を向上させることができる。

第 1 7の特徴は、前記断熱用スリッ卜に、熱伝導率の低い高分子材料を充填したマイクロリレーにある。

第 1 7の特徴によれば、前記断熱用スリットに熱伝導率の低い高分子材料を充填してある。このため、エネルギーをより一層有効に利用でき、応答特性を向上させることができる。第 1 8の特徴は、前記可動片の両端部に形成した断熱用シリコン化合物部を介して前記ベースに前記可動片を架け渡して支持したマイクロリレ一にめる。

第 1 8の特徴によれば、可動片の両端部からベースに熱が伝わりにくくなり、エネルギーの利用および動作特性の向上を図ることができる。第 1 9の特徴は、前記可動片のうち、前記可動接点の周囲近傍にスリットを設け、前記可動接点を回動可能に支持する一対のヒンジ部を同一軸心上に形成したマイクロリレーにある。

第 1 9の特徴によれば、可動接点が回動可能に支持されるので、固定接点に対する可動接点の片当たりがなくなり、接触信頼例が向上する。第 2 0の特徴は、前記可動片の基部に、応力集中を緩和するアールを設けたマイクロリレーにある。

第 2 0の特徴によれば、可動片の基部にアールを設けることにより、応力集中による疲労破壊が生じにくくなり、寿命が伸びる。

第 2 1の特徴は、ハンドルウェハからなる箱形ベースの開口緣部に絶縁膜を介してデバイスウェハを接合一体化した後、このデバイスウェハに一対の平行なスリッ卜を形成して前記可動片を切り出すマイクロりレーの製造方法にある。

第 2 1の特徴によれば、すべての操作を半導体プロセスで処理でき、寸法精度の高いマイクロリレーが得られるという効果がある。

また、前述の第 2の目的を達成すべく、本願発明の第 2 2の特徴は、単結晶からなる薄板状基材に駆動手段を設け、かつ、片面に可動接点を設けた複数の可動片を絶縁状態で並設するとともに、その両端をベースにそれぞれ固定支持し、前記駆動手段を介して前記可動片を個々に湾曲させることにより、前記可動接点を、前記ベースの上方に位置するカバーの天井面に形成した固定接点に接離させて複数の電気回路を開閉するマトリックリレーにめる。

第 2 3の特徴は、前記駆動手段が前記薄板状基材の片面に積層した圧電素子であるマトリックスリレーにある。

第 2 4の特徴は、前記駆動手段が前記薄板状基材の片面に形成したヒ一タ層からなるマトリックスリレーにある。

第 2 5の特徴は、前記駆動手段が、前記薄板状基材の片面に形成したヒ一夕層と、このヒータ層に絶縁膜を介して金属材を積層して形成した駆動層とからなるマトリックスリレーにある。

本願発明にかかる第 2 2， 2 3 , 2 4， 2 5の特徴によれば、単結晶の薄板状基材からなる可動片を湾曲させて接点を開閉できるので、装置の小型化が容易である。

また、前記可動片の慣性力が小さいので、疲労破壌じ生じにくくなり、寿命が伸びる。

さらに、前記可動片は、その両端を固定支持してあるので、外部振動等の影響を受けにくく、安定した動作特性を有するマトリックスリレーが得られる。

特に、請求項 2 5によれば、金属材からなる駆動層を設けてあるので、動作特性が俊敏になり、応答特性が向上する。

第 2 6の特徴は、前記駆動手段を、前記カバーに設けたスルーホールを介し、前記カバーの表面において電気接続可能としたマトリックスリレーにある。

第 2 7の特徴は、前記固定接点を、前記カバーに設けたスルーホールを介し、前記カバーの表面において電気接続可能としたマトリックスリレーにある。第 2 6， 2 7の特徴によれば、内部構成部品の電気接続をカバーの表面で行うことができ、接続作業が容易になる。

第 2 8の特徴は、前記カバーの表面に露出するスルーホールの上端部を、前記カバーの表面に形成したプリント配線を介し、前記カバーの表面に設けた接続パッドに電気接続したマトリックスリレーにある。

第 2 8の特徴によれば、カバーの表面に設けた接铳パッドを介して所望の位置で外部機器に接続できるので、便利であるという効果がある。

また、前述の第 3の目的を達成すべく、本願発明にかかる第 2 9の特徴は、シリコン材からなるベ一スにガラス材からなるカバーを接合一体化し、かつ、内部構成部品を組み込んだ電子部品チップを、前記カバーを被覆し、かつ、前記ベースの底面が露出するように、基台に樹脂モールドした電子部ロロにある。

第 2 9の特徴によれば、ガラス材よりも熱伝導率の高いシリコン材からなるベースの底面が基台から露出している。このため、放熱しやすく、熱による誤動作，動作特性の変化を防止できる電子部品が得られる。

第 3 0の特徴は、前記内部構成部品を、前記カバーに設けたスルーホールを介し、前記基台の外部端子に電気接続した電子部品にある。

第 3 0の特徴によれば、従来例のようにワイヤーボンディングで個々に電気接続する必要はなく、カバーに設けたスルーホールを介して内部構成部品が基台の外部端子に電気接続される。このため、 - 接続作業が簡単になり、生産性が向上するとともに、接続信頼性が向上する。特に、外部端子をリードフレームで形成すれば、作業工数がより一層減少し、生産性が向上する。

第 3 1の特徴は、前記基台から露出する前記ベースの底面にヒートシンクを設けた電子部品にある。第 3 1の特徴によれば、放熱するためのヒートシンクを介して放熱効率が向上する。このため、熱による誤動作. 動作特性の変化をより一層効果的に防止できるという効果がある。

図面の簡単な説明

図 1は、本願発明にかかるマイクロリレーの第 1実施形態を示す概略断面図である。

図 2 Aは、図 1に示したマイクロリレーの詳細な平面図、図 2 Bは、その分解断面図、図 2 Cは、接合した状態を示す図 2 Aの 2 C— 2 C線断面図である。

図 3 Aないし図 3 Eは、図 1で示した可動接点プロックの製造工程を示す断面図である。

図 4 Aないし図 4 Dは、図 1で示した可動接点ブロックの製造工程を示す断面図である。

図 5 Aないし図 5 Dは、図 1で示した可動接点プロックの製造工程を示す断面図である。

図 6 Aないし図 6 Dは、図 1で示した可動接点プロックの製造工程を示す断面図である。

図 7 Aないし図 7 Dは、図 1で示した可動接点プロックの製造工程を示す断面図である。

図 8 Aないし図 8 Dは、図 1で示した可動接点プロックの製造工程を示す断面図である。

図 9 Aないし図 9 Cは、図 1で示した可動接点プロックの製造工程を示す断面図である。

図 1 O Aないし図 1 0 Cは、図 1で示した可動接点ブロックの製造工程を示す断面図である。図 11 Aないし図 11 Eは、図 1で示した固定接点ブロックの製造工程を示す断面図である。

図12 は、本願発明にかかるマイクロリレーの第 2実施形態を示す平面図、図 12 Bは、その分解断面図、図 12 Cは、その接合した状態を示す図 12Aの 12C— 12 C線断面図である。

図 13Aないし図 13Eは、図 12Aないし図 12Cで示した可動接点プロックの製造工程を示す断面図である。

図 14 Aないし図 14Dは、図 12 Aないし図 12Cで示した可動接点プロックの製造工程を示す断面図である。

図 15 Aないし図 15 Dは、図 12 Aないし図 12 Cで示した可動接点プロックの製造工程を示す断面図である。

図 16 Aないし図 16Dは、図 12Aないし図 12Cで示した可動接点プロックの製造工程を示す断面図である。

図 17 Aないし図 17Dは、図 12 Aないし図 12 Cで示した可動接点プロックの製造工程を示す断面図である。

図 18 Aないし図 18Dは、図 12 Aないし図 12 Cで示した可動接点プロックの製造工程を示す断面図である。

図 19は、図 12 Aないし図 12 Cで示した可動接点プロックの製造ェ程を示す断面図である。

図 20 Aは、本願発明にかかるマイクロリレーの第 3実施形態を示す平面図、図 20 Bは、その分解断面図、図 20 Cは、その接合した状態を示す図 20Aの 20C— 20 C線断面図である。

図 21は、本願発明にかかるマイクロリレーの第 4実施形態を示す斜視図である。

図 22は、図 21で示したマイクロリレーの平面図である。図 2 3 Aないし図 2 3 Jは、図 2 1で示したマイクロリレーのハンドルウェハの製造工程を示す断面図である。

図 2 4 Aないし図 2 4 Hは、図 2 1で示したマイクロリレーのデバイスウェハの製造工程を示す断面図である。

図 2 5 Aないし図 2 5 Fは、図 2 3 Aないし図 2 4 Jに示したウェハを接合した後の製造工程を示す断面図である。

図 2 6 Aないし図 2 6 Fは、図 2 3 Aないし図 2 4 Jに示したウェハを接合した後の製造工程を示す断面図である。

図 2 7は、本願発明にかかるマイクロリレーの第 5実施形態を示す平面図である。

図 2 8は、本願発明にかかるマイクロリレーの第 6実施形態を示す斜視図である。

図 2 9は、図 2 8で示したフィンの拡大斜視図である。

図 3 0は、本願発明にかかるマイクロリレーの第 7実施形態を示す平面図である。

図 3 1は、本願発明にかかるマイクロリレーの第 8実施形態を示す平面図である。

図 3 2は、本願発明にかかるマイクロリレーの第 9実施形態を示す平面図である。

図 3 3は、本願発明にかかるマイクロリレーの第 1 0実施形態を示す斜視図である。

図 3 4は、本願発明にかかるマイクロリレーの第 1 1実施形態を示す断面図である。

図 3 5は、本願発明にかかるマイクロリレーの第 1 2実施形態を示す断面図である。図 36は、本願発明にかかるマイクロリレーの第 13実施形態を示す断面図である。

図 37 Aは、圧電素子を利用したマイクロリレーの理論的動作特性、特に、印加電圧と接触荷重との関係を示を示すグラフ図であり、図 37Bは、印加電圧と変位との関係を示すグラフ図である。

図 38 Aは、ヒータ層を駆動層に兼用したマイクロリレーの理論的動作特性、特に、温度上昇と接触荷重との関係を示すグラフ図であり、図 38 Bは、温度上昇と変位との関係を示すグラフ図である。

図 39 Aは、マトリックスリレーであるマイクロリレーの第 14実施形態を示す平面図、図 39Bは、図 39 Aの 39 B— 39 B線断面図である。図 40は、図 39 Aの 40_40線断面図である。

図 41 Aは、図 39 Aおよび図 39 Bのマトリックスリレーの回路を示すマ卜リックス回路図、図 41 Bは図 41 Aを見やすくするために書き換- えた回路図である。

図 42 Aは、本願発明にかかるマトリックスリレーの第 15実施形態を示す平面図、図 42Bは、図 42Aの 42B— 42 B線断面図である。図 43は、図 42Aの 43— 43線断面図である。

図 44は、マトリックスリレーを構成する並設した多数の可動片を示す第 16実施形態の斜視図である。

図 45は、多数のリレー素子からなる第 17実施形態にかかるマトリックスリレーの回路図である。

図 46は、本願発明にかかる電子部品を示す第 18実施形態の斜視図である。

図 47は、図 46に示した電子部品の横断面図である。発明を実施するための最良の形態

次に、本発明にかかる実施形態を図 1ないし図 4 7の添付図面に従って説明する。

第 1実施形態にかかるマイクロリレーは、図 1に示すように、上面に可動片 2 0の両端を固定支持した可動接点プロック 1 0と、この可動接点ブロック 1 0に陽極接合された固定接点プロック 3 0とで形成されている。そして、前記可動片 2 0の上面に設けた可動接点 2 5は、前記固定接点ブロック 3 0の天井面に形成した一対の固定接点 3 8， 3 9に接離可能に対向している。

すなわち、図 2 Aないし図 2 Cに示すように、前記可動接点ブロック 1 0を構成するベース 1 1は、シリコン，ガラス等のウェハからなるものでのる 0

前記可動片 2 0は、シリコン等の単結晶からなる薄板状基材 2 1の上面に、絶縁膜を介し、厚さ方向に湾曲させるための駆動手段を一体に設けたものである。そして、この駆動手段は、圧電素子 2 4の表裏面に駆動用下部電極，上部電極 2 2， 2 3を積層して構成されている。

前記固定接点ブロック 3 0は、ガラス，シリコン等のウェハ 3 1からなるもので、入出力用スルーホール 3 2， 3 5および駆動用スルーホール 3 3 , 3 4が形成されている。

前記入出力用スルーホール 3 2， 3 5は、ウェハ 3 1の下面に形成されたプリント配線 3 6. 3 7を介して固定接点 3 8， 3 9にそれぞれ電気接铳されている。さらに、前記入出力用スルーホール 3 2 , 3 5は、プリント配線 3 6 , 3 7との接続信頼性を高めるため、その下端部に導電材からなる接続パッド 3 2 a (図示せず）， 3 5 aを設けてある。

—方、駆動用スルーホール 3 3， 3 4は、その下端部に導電材からなる接続パッド 3 3 a , 3 4 aを設けることにより、前記駆動用下部，上部電極 2 2 , 2 3にそれぞれ接铳可能としてある。

本実施形態によれば、スルーホール 3 2ないし 3 5を介し、接続ポイン卜が同一平面上に揃っているので、接続が容易なるという利点がある。次に、前述のマイクロリレーの製造方法について説明する。

本実施形態では、図 2 Aないし図 2 Cに示すように、可動接点ブロック 1 0と、固定接点プロック 3 0とを别工程で製造した後、両者を陽極接合で一体化して組み立てる方法を採用している。

なお、説明の便宜上、図 3 Aないし図 1 0 Cにおいては、重要な部分のみを示す部分断面図とした。

まず、可動接点ブロック 1 0は、図 3 Aないし図 3 Eに示すように、ベース 1 1となる厚さ 4 0 0 ^ m，結晶方位 1 0 0の第 1シリコンウェハ 1 1 aの表裏面に、後述する TM A H (水酸化テトラメチルアンモニゥム）エッチングのマスク材となる熱酸化膜（thermal Si0₂) を形成する。そして、レジスト（resist) を塗布し、フォトリソグラフィによって TM A H エッチングするためのパターンを形成する。ついで、熱酸化膜をエツチングした後、レジストを除去する。

つぎに、図 4 Aないし図 4 Cに示すように、 TMA Hでシリコンウェハ 1 1にエッチングを施してキヤビティ（cavity) を形成した後、その表裏面にマスク材となるシリコン窒化膜を積層する。そして、表面側のシリコン窒化膜および熱酸化膜をドライエツチングぉよび酸化膜ェッチングで除去する。

—方、厚さ 4 0 0 ^ m，結晶方位 1 0 0のシリコンウェハの片面に、厚さ 2〃mの高濃度の B (ホウ素）， G e (ゲルマニウム）層をェピタキシャル成長で形成する。さらに、その表面に 2 0 mの通常濃度の B層をェピタキシャル成長で形成し、薄板状基材 2 1を形成するための第 2シリコンウェハ 2 1 aを得た。そして、この第 2シリコンウェハ 2 1 aの B層を前記第 1 シリコンウェハ 1 1 aの上面に載置し、直接接合で一体化する（図 4 D ) 。

そして、図 5 Aないし図 5 Dに示すように、第 2シリコンウェハ 2 1 a の表面を TM A Hでエッチングしてシンニング（thining) する。これによって、ェピタキシャル成長で形成した高濃度の B , G e層でエッチングが停止し、ェピタキシャル成長で形成した通常濃度の B層が露出し、薄板状基材 2 1が形成される。ついで、露出した B層の表面に後述する下部電極 2 2の保護膜である L T O (低温成長酸化膜）を形成する。そして、チタン（T i ) および白金（P t ) をスパッタリングで順次積層することにより、下部電極 2 2を形成する。さらに、スパッタリングでチタン酸ジルコン酸鉛等の圧電薄膜（P Z T ) をスパッタリングで形成する。

ついで、図 6 Aないし図 6 Dに示すように、レジス卜を塗布し、フォトリソグラフィで圧電薄膜のパターンを形成する。そして、 R I E (反応性イオンエッチング）でエッチングした後、レジストを除去することにより、圧電素子 2 4が形成される。ついで、 S O G (Spin On Glass) 塗布によつて絶縁膜を形成する。 S O Gを使用するのは、圧電薄膜は加熱されると、その特性が変化するおそれがあるので、加熱せずに絶縁膜を形成するためである。そして、レジストを塗布し、フォトリソグラフィでパターンを形成する。さらに、絶縁膜の中央部を除去して圧電素子 2 4を露出させた後、上部電極 2 3となる白金（Pt) 薄膜をスパッタリングで蒸着する。

ついで、図 7 Aないし図 7 Dに示すように、白金薄膜にレジストを塗布し、フォトリソグラフィによって上部電極 2 3のパターンを形成する。そして、不要な白金をエッチングして上部電極 2 3を形成し、レジストを除去する。さらに、レジストを塗布し、フォトリソグラフィで上部電極 2 2 , 下部電極 2 3間の S 0 Gによる絶縁膜をェツチングするためのパターンを形成する。

ついで、図 8 Aないし図 8 Dに示すように、フォトリソグラフィによつて S O Gによる絶縁膜をエッチングして除去し、上部電極 2 2，下部電極

2 3間の絶縁膜のパターンを形成した後、フォトレジストを除去する。そして、上部電極 2 3と後述する可動接点 2 5との間を絶縁する絶縁膜 S i 0₂ をスパッタリングまたは L T Oによる方法で形成する。さらに、可動接点材料 C rおよび A uをスパッタリングで順次積層する。

そして、図 9 Aないし図 9 Cに示すように、レジストを塗布し、フォトリソグラフィによってパターンを形成する。ついで、不要な可動接点材料をエッチングすることにより、可動接点 2 5および接続台部 2 6を形成した後、レジス卜を除去する。

さらに、図 1 O Aないし図 1 0 Cに示すように、レジストを塗布し、フォトリソグラフィによってパターンを形成する。そして、絶縁膜を除去して下部電極 2 2，上部電極 2 3の一端を露出させた後、レジストを除去することにより、可動片 2 0を備えた可動接点ブロック 1 0が完成する。

固定接点ブロック 3 0は、図 1 1 Aないし図 1 1 Eに示すように、ガラスウェハ 3 1に出入力用スルーホール 3 2 , 3 5および駆動用スルーホール 3 3， 3 4を形成する。そして、動作空間を確保するための凹部 3 1 a および固定接点 3 8， 3 9を配置するための凹部 3 1 bを順次形成する。ついで、ガラスウェハ 3 1の凹部 3 1 a , 3 1 bに導電材を蒸着し、フォトリソグラフィによって不要な導電材をエッチングしてプリント配線 3 6，

3 7を形成する。さらに、導電材を蒸着し、フォトリソグラフィでエッチングすることにより、固定接点 3 8， 3 9および接続パッド 3 2 a (図示せず）， 3 3 a , 3 4 a , 3 5 aを形成し、固定接点ブロック 3 0が完成する。なお、接続パッド 3 3 aは、下部電極 2 2に電気接続するために肉厚となっている。

最後に、図 2 Aないし図 2 Cに示すように、可動接点ブロック 1 0に固定接点ブロック 3 0を載置し、陽極接合することにより、組み立てが完了する。

本実施形態によれば、可動接点プロック 1 0に設けた接続台部 2 6に、固定接点プロック 3 0に設けたスルーホール 3 5の接続パッド 3 5 aが圧接する。このため、スルーホール 3 5と接続パッド 3 5 aとの接続が確実となり、接触信頼性が向上するという利点がある。なお、スルーホール 3 2も同様な構造となっている。

この第 1実施形態にかかるマイクロリレーの動作について説明する。まず、圧電素子 2 4に電圧が印加されていない場合、可動片 2 0は平坦なままであり、可動接点 2 5が一対の固定接点 3 8， 3 9から開離している。

ついで、上部電極 2 2 , 下部電極 2 3を介して圧電素子 2 4に電圧を印加すると、前記圧電素子 2 4が上方に湾曲する。このため、可動片 2 0が湾曲して可動接点 2 5を押し上げ、こめ可動接点 2 5がー対の固定接点 3 8 , 3 9に接触して電気回路を閉成する。

そして、前記圧電素子 2 4に対する電圧の印加を解除すると、薄板状基材 2 1のばね力により、可動片 2 0が元の状態復帰し、可動接点 2 5が固定接点 3 8， 3 9から開離する。

なお、前記圧電素子としては、前述のものに限らず、電圧を印加すると、厚さ方向に変形し、電圧の印加を解除しても、その変形状態を維持する形状記憶圧電素子を利用してもよい。また、前述の実施形態において、駆動を開始する臨界値近傍の圧縮応力を、シリコン酸化膜. シリコン窒化膜等のシリコン化合物膜から得られるように設計しておけば、小さな入力で大きな変位を得ることができるという利点がある。ただし、シリコン化合物膜を形成する位置は、薄板状基材の片面に直接形成する場合に限らず、任意の位置に形成してもよい。

第 2実施形態は、図 1 2 Aないし図 1 9に示すように、薄板状基材 2 1 の熱膨張率と、その上面に金属材を積層して形成される駆動層 2 8の熱膨張率との差を利用して可動片 2 0を湾曲させ、接点を開閉する場合である。したがって、第 2実施形態は、第 1実施形態が圧電素子 2 4の厚さ方向の湾曲を利用して接点を開閉する点において第 1実施形態と異なる。

ただし、第 2実施形態は、前述の第 1実施形態と同様、可動片 2 0を両端支持した可動接点プロック 1 0と、固定接点プロック 3 0とを陽極接合することにより、組み立てられる。

可動接点プロック 1 0を構成するベース 1 1は、前述の第 1実施形態と同様であるので、説明を省略する。

可動片 2 0は、薄板状基材 2 1の表層部内に形成したヒータ層 2 7に、絶縁膜を介し、金属材を積層して駆動層 2 8を形成し、さらに、絶縁膜を介して可動接点 2 5を形成したものである。そして、前記ヒータ層 2 7の両端部には接続パッド 2 7 a , 2 7 bが露出している。

固定接点プロック 3 0は、前述の第 1実施形態と同様、ガラスウェハ 3 1に入出力用スルーホール 3 2 , 3 5および駆動用スルーホール 3 3 , 3 4を形成したものである。そして、前記入出力用スルーホール 3 2 , 3 5 はプリント配線 3 6 , 3 7を介して固定接点 3 8， 3 9に電気接続されている。さらに、スルーホール 3 2 , 3 3 , 3 4， 3 5の下端部には、導電材からなる接続パッド 3 2 a , 3 3 a , 3 4 a , 3 5 aがそれぞれ形成されている。ただし、接続パッド 3 2 a , 3 5 aは図示されていない。

次に、前述の構造を有するマイクロリレーの製造方法について説明する。なお、説明の便宜上、図 1 3 Aないし図 1 9には、重要な部分のみを示す部分断面図とした。さらに、図 1 3 Aないし図 1 4 Dに示すように、ベ —ス 1 1に薄板状基材 2 1を形成するまでの工程は、前述の第 1実施形態と同様であるので、説明を省略する。

したがって、図 1 5 Aないし図 1 5 Dに示すように、薄板状基材 2 1にレジス卜を塗布してフォトリソグラフィでヒータ層 2 7となる部分のバタ —ンを形成する。さらに、露出する薄板状基材 2 1の表層部内に B (ホウ素）イオンを注入する。ついで、フォトレジス卜を除去した後、注入した Bイオンを電気的に活性化して電気抵抗を増大させるために加熱する。そして、図 1 6 Aないし図 1 6 Dに示すように、ヒータ層 2 7を絶縁するために L T O (低温成長酸化膜）を積層する。さらに、レジストを塗布し、フォトりソグラフィによってコンタクトホールのパターンを形成する。ついで、不要な酸化膜を除去してヒータ層 2 7のコンタクトホールを形成した後、レジストを除去する。ついで、その表面に駆動層 2 8および接続部 2 7 a , 2 7 bを形成する金属薄膜をスパッタリングで積層する。

さらに、図 1 7 Aないし図 1 7 Dに示すように、レジストを塗布し、フォトリソグラフィで駆動層 2 8および接続部 2 7 a , 2 7 bを形成するためのパターンを形成する。そして、不要な金属薄膜をエッチングで除去して駆動層 2 8および接続部 2 7 a , 2 7 bを形成し、レジストを除去する。ついで、低温成長酸化膜からなる絶縁膜およびスパッタリングによる金属薄膜を順次積層する。

ついで、図 1 8 Aないし図 1 8 Dに示すように、フォ卜レジストを塗布し、フォトリソグラフィで可動接点 2 5および接铳台部 2 6のパターンを形成し、金属薄膜の不要な部分をエッチングで除去した後、レジス卜を除去する。さらに、フォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィでヒータ層 2 7に接铳するためのコンタク卜ホールのパターンを形成する。そして、絶縁膜のパターンニングにより、コンタクトホール上に位置する絶縁膜を除去し、接続部 2 7 a , 2 7 bを露出させる。

そして、図 1 9に示すように、フォトレジストを除去することにより、可動片 2 0を両端支持した可動接点プロック 1 0が完成する。

—方、固定接点ブロック 3 0は、前述の第 1実施形態とほぼ同様に処理して形成されるので、詳細な説明は省略する。

最後に、図 1 2 Bに示すように、可動接点プロック 1 0に固定接点プロック 3 0を載置し、陽極接合で接合一体化することにより、組立作業が完了する。

本実施形態によれば、可動接点プロック 1 0に設けた接続台部 2 6に、図示しないスルーホール 3 5の下端部に設けた接続パッド 3 5 aが圧接する。このため、スルーホール 3 5とプリント配線 3 7との接続が確実になり、接続信頼性が向上するという利点がある。なお、スルーホール 3 3も同様な構造となっている。

この第 2実施形態の動作について説明する。

まず、ヒータ層 2 7に電圧が印加されていない場合、ヒータ層 2 7が発熱しない。このため、可動片 2 0は平坦なままであり、可動接点 2 5が一対の固定接点 3 8， 3 9から開離している。

ついで、接続部 2 7 a , 2 7 bを介してヒータ層 2 7に電圧を印加して加熱すると、前記ヒータ層 2 7の発熱によって駆動層 2 8が加熱され、膨張する。この駆動層 2 8は薄板状基材 2 1よりも熱膨張率が大きい。このため、可動片 2 0は上面が凸部となるように湾曲し、可動接点 2 5が一対の固定接点 3 8， 3 9に接触して電気回路を閉成する。

そして、前記ヒータ層 2 7に対する電圧の印加を解除し、発熱を停止すると、駆動層 2 8が収縮する。このため、薄板状基材 2 1のばね力によつて可動片 2 0が元の状態に復帰し、可動接点 2 5が固定接点 3 8， 3 9から開離する。

本実施形態によれば、ヒータ層 2 7の発熱に基づいて膨張する駆動層 2 8の熱膨張率は、薄板状基材 2 1の熱膨張率よりも極めて大きい。このため、本実施形態によれば、応答特性がよく、大きな接点圧力が得られるという利点がある。

第 3実施形態は、図 2 O Aないし図 2 0 Cに示すように、薄板状基材 2 1の熱膨張率と、前記薄板状基材 2 1の表層部内に形成したヒータ層 2 7 の熱膨張率との差を利用する場合である。このため、第 3実施形態は、第

2実施形態が薄板状基材 2 1の熱膨張率と金属材からなる駆動層 2 8の熱膨張率との差を利用した点において前述の第 2実施形態と異なる。なお、絶縁膜 2 9は、可動接点 3 0をヒータ層 2 7から絶縁するためのものである。

本実施形態の製造は、金属材からなる駆動層 2 8を設けない点を除き、前述の第 2実施形態とほぼ同様であるので、説明を省略する。

この第 3実施形態の動作について説明する。

まず、ヒータ層 2 7に電圧が印加されていない場合、ヒータ層 2 7が発熱しないので、可動片 2 0は平坦なままであり、可動接点 2 5が一対の固定接点 3 8， 3 9から開離している。

ついで、接続部 2 7 a , 2 7 bを介してヒ一夕層 2 7に電圧を印加すると、前記ヒータ層 2 7が発熱する。このため、ヒータ層 2 7自体が膨張するとともに、このヒータ層 2 7に加熱されて薄板状基材 2 1が膨張する。しかし、ヒータ層 2 7は、薄板状基材 2 1よりも熱膨張率が大きいので、可動片 2 0は上面が凸部となるように湾曲する。このため、可動接点 2 5 がー対の固定接点 3 8 , 3 9に接触して電気回路を閉成する。

そして、前記ヒータ層 2 7に対する電圧の印加を解除し、ヒータ層 2 7 の発熱を停止すると、ヒータ層 2 7が収縮する。このため、薄板状基材 2 1のばね力によって可動片 2 0が元の状態に復帰し、可動接点 2 5が固定接点 3 8， 3 9から開離する。

本実施形態によれば、第 2実施形態のように金属材からなる駆動層 2 8 を設ける必要がなく、ヒータ層 2 7を駆動層に兼用できる。このため、第 2実施形態よりも生産工程が少なく、生産性の高いマイクロリレーが得られるという利点がある。

前述の実施形態では、ヒータ層 2 7を薄板状基材 2 1の表層部内に形成する場合について説明したが、必ずしもこれに限らず、薄板状基材 2 1の表面にプラチナ，チタン等の金属材あるいはポリシリコンを積層して形成してもよい。

第 4実施形態は、図 2 1に示すように、シリコン製ハンドルウェハ 4 0 からなる箱形ベース 4 1の開口縁部に、シリコン製デバイスウェハ 5 0からなるカバー 5 1を接合一体化したものである。

前記箱形ベース 4 1は、熱酸化膜 4 3を形成した凹所 4 2の底面に、接続パッド 4 4、プリン卜配線 4 5および固定接点 4 6を左右対称に形成したものである。

一方、表裏面に酸化膜 5 2 , 5 3を形成した前記カバー 5 1は、一対の平行なスリット 5 4 , 5 4を形成することにより、可動片 5 5が切り出されている。この可動片 5 5には、平面略コ字形状の拡散抵抗からなるヒータ部 5 6が形成されている。このヒータ部 5 6の両端部は、前記酸化膜 5 2から露出する接続パッド 5 7， 5 7に接続されている。また、前記可動片 5 5の下面には、前記固定接点 4 6. 4 6に接離する可動接点 5 8が設けられている。さらに、前記カバ一 5 1は、前記接続パッド 4 4 , 4 4に対応する位置に接続用開口部 5 9 , 5 9が形成されている。

次に、第 4実施形態にかかるマイクロリレーの製造方法を、図 2 3 Aないし図 2 6 Fについて説明する。

なお、図 2 3 Aないし図 2 6 Fにおいて左側に示した断面図は図 2 2の 2 3 A - 2 3 A線断面図であり、右側に示した断面図は図 2 2の 2 3 B— 2 3 B線断面図を示す。

図 2 3 Aないし図 2 3 Jに示すように、箱形ベース 4 1となるハンドルウェハ 4 0は、不純物タイプで面方位が任意なものであり、このハンドルウェハ 4 0の下面にァライメントマーク 4 7をゥヱットェチングあるいはドライエッチングで形成する（図 2 3 C , 2 3 D) 。ついで、前記ァライメントマーク 4 7をエッチングマスクに位置決めし、前記ハンドルウェハ 4 0の上面に凹所 4 2をゥエツトェチングあるいはドライエッチングで形成する（図 2 3 E， 2 3 F ) 。さらに、前記ウェハを熱酸化して酸化膜を形成した後、その外側面および下面の熱酸化膜を除去する（図 2 3 G , 2 3 H) 。残存する酸化膜 4 3は、固定接点 4 6を絶縁するとともに、後述する低温接合を容易にするためのものである。そして、前記凹所 4 2の底面に位置する酸化膜 4 3の上面に接続パッド 4 4 . プリント配線 4 5および固定接点 4 6を形成し、箱形ベース 4 1を得る（図 2 3 I , 2 3 J ) 。前記固定接点 4 6等の形成方法としては、スパッタリング、蒸着等の半導体プロセス処理の他、スクリーン印刷法，鍍金法も可能である。なお、前記スクリーン印刷法は比較的厚い金属膜（l O /z m前後）を形成できるので、固定接点 4 6等の形成には有利である。ただし、スクリーン印刷法では 900°C前後の焼結処理を必要とする。

また、前記固定接点 46等の材料としては、例えば、 A u， Ag， Cu, P t， Pd, C dの単体またはこれらの化合物が挙げられる。

—方、図 24 Aないし図 24Hに示すように、可動片 55を形成するため、デバイスウェハ 50として p型 SO Iウェハを使用する。まず、デバイスウェハ 50の下面側の薄いシリコン層にリンイオンを打ち込み、埋設された酸化膜 52に到達するまで拡散させることにより、ヒータ部 56を形成する（図 24C， 24D) 。さらに、前記ウェハ 50全体に熱酸化膜を形成した後、下面の熱酸化膜 53だけを残して他の熱酸化膜を除去する (図 24 E. 24 F) 。下面に残存する熱酸化膜 53は可動接点 58を絶縁するとともに、後述する低温接合を容易にするものである。そして、前記固定接点 46， 46と同様に、スパッタリング，蒸着等で前記酸化膜 5 3の下面に可動接点 58を形成する（図 24G. 24H) 。

そして、図 25 Aおよび図 25 Bに示すように、前記箱形ベース 41に前記デバイスウェハ 50を接合一体化する。

従来、約 1000°Cの接合温度でシリコン同士を直接接合一体化していたが、本実施形態では、熱酸化膜 43, 53を介して接合一体化するので、 450°C以下の低温で接合一体化できる。このため、例えば、 Au， A g, P t, P d等の低融点の金属を接点材料に使用でき、設計の自由度が広がるという利点がある。

ついで、デバイスウェハ 50の上面に位置するシリコンを TMAHあるいは KOH等のアル力リエッチング液で除去する。このアル力リエツチング液は酸化膜エッチレートがシリコンエッチレートよりも極端に小さい。このため、膜厚精度の高い酸化膜 Zシリコン酸化膜のサンドィツチ構造が得られる（図 25 25D)。さらに、酸化膜 52のうち、接続パッド 57, 57を形成する部分を除去し、前記ヒータ部 56の端部を露出させる（図 25E, 25 F) 。そして、図 26 Aおよび図 26 Bに示すように、ヒータ部 56と接続パッド 5 7との間におけるォーミック接触を得るため、露出させたヒータ部の端部にリンを打ち込む。ついで、 A 1 , Au等で接続パッド 57， 57を形成する（図 26 C, 26 D) 。最後に、前記酸化膜/シリコン Z酸化膜を部分的に除去し、平行な一対のスリット 54, 54を形成して可動片 55を切り出すとともに（図 26E, 26F) 、接続用開口部 59， 59を形成する（図 21) 。この接続用開口部 59を介して接続パッド 44， 44がワイヤボンディングで外部に接続可能となる。

次に、前述の構造を有するマイクロリレーの動作について説明する。駆動用接続パッド 57, 57に電流を入力していない場合には、ヒータ部 56が発熱せず、可動片 55が真直であるので、可動接点 58が固定接点 46. 46から開離している。

そして、前記駆動用接続パッド 57, 57に電流を入力すると、ヒータ部 56が発熱して可動片 55を加熱して膨張させる。このため、可動片 5 5が座屈して湾曲し、可動接点 58が固定接点 46， 46に接触する。ついで、前述の電流の入力を除去すると、可動片 55の温度が低下して収縮する。このため、可動片 55が元の形状に復帰し、可動接点 58が固定接点 46, 46から開離する。

本実施形態によれば、ヒータ部 56が可動片 55の内部に形成され、さらに、その表裏面が酸化膜 52， 53で被覆されているので、熱損失が少ない。このため、応答特性が高いとともに、消費電力の少ないマイクロリレーが得られる。

本願発明の第 5実施形態は、図 27に示すように、可動片 55の基部にアール 55 aを形成した場合である。応力集中を緩和し、耐久性が向上するという利点がある。

第 6実施形態は、図 28および図 29に示すように、可動片 55を除いたカバー 51の上面にドライエッチングで冷却用フィン 51 aを形成した場合である。例えば、多数のマイクロリレーを並設した場合に、外部からの熱の干渉を防止し、動作特性にバラツキが生じるのを防止できるという利点がある。

なお、可動片 55の上面だけにフィン 51 aを設けてもよく、あるいは、カバー 51の上面全体にフィン 51 aを設けてもよい。

第 7実施形態は、図 30に示すように、可動片 55に、可動接点 58を囲む一対の略コ字形のスリッ卜 55 b, 55 bを設けることにより、一対のヒンジ部 55 c, 55 cを形成し、前記可動接点 58を回動可能に支持する場合である。

本実施形態によれば、前記可動接点 58が固定接点 46, 46に接触するときに、前記ヒンジ部 55 c， 55 cを介して可動接点 58が回転する。このため、固定接点 46， 46に対する可動接点 58の片当たりがなくなり、接触信頼性が向上するという利点がある。

第 8実施形態によれば、図 31に示すように、可動片 55の基部をシリコン酸化物，シリコン窒化物からなるシリコン化合物部 55 d, 55 eで仕切る場合である。このため、本実施形態では、接続パッド 57, 57がシリコン化合物部 55 eの上面を乗り越えてヒータ部 56まで延在している。

一般に、シリコン，シリコン酸化膜，シリコン窒化膜の熱伝導率は、それぞれ 1. 412W/ (cmK) , 0. 014W/ (cmK) , 0. 18 5WZ (cmK) である。シリコン酸化膜，シリコン窒化膜の熱伝導率はシリコンの熱伝導率よりも極めて小さい。このため、可動片 5 5のヒータ部 5 6が発熱しても、前記シリコン化合物部 5 5 d , 5 5 eが外部への熱伝導による熱の拡散を防止する。この結果、応答特性に優れ、節電型のマイクロリレーが得られるという利点がある。

第 9実施形態は、図 3 2に示すように、可動片 5 5の基部近傍にシリコン化合物部 5 5 d , 5 5 eを形成した場合である。特に、接続パッド 5 7 近傍のシリコン化合物部 5 5 eは不連続となっている。

第 1 0実施形態は、図 3 3に示すように、接続用開口部 5 9 , 5 9の内側面から露出するシリコン層を絶縁膜 5 9 aでそれぞれ被覆した場合である。

本実施形態によれば、信号用接続パッド 4 4 , 4 4にワイヤボンディングしたワイヤがカバー 5 1のシリコン層に接触することがなく、駆動用電源に千渉されないという利点がある。

第 1 1実施形態は、図 3 4に示すように、前述の第 1実施形態とほぼ同様であり、異なる点は、可動片 2 0の表裏面に可動接点 2 5， 2 5を設けた場合である。他は前述の実施形態とほぼ同様であるので、説明を省略す第 1 2実施形態は、図 3 5に示すように、前述の第 1実施形態とほぼ同様である。異なる点は、可動片 2 0を固定接点 3 8， 3 9側に予め湾曲するように付勢することにより、可動接点 2 5を固定接点 3 8 , 3 9に接触させ、常時閉成のマイクロリレ一とした点である。

このため、復帰状態で可動接点 2 5がー対の固定接点 3 8 , 3 9に常時接触している。そして、前述の実施形態のように駆動手段を駆動すると、付勢力に抗して可動片 2 0が反転し、可動接点 2 5が固定接点 3 8， 3 9 から開離する。ついで、駆動手段の駆動を停止すると、可動片 2 0自身の付勢力によって可動片 2 0が反転し、可動接点 2 5が固定接点 3 8， 3 9 に接触して元の状態に復帰する。

本実施形態によれば、動作していない場合であっても、可動接点 2 5が固定接点 3 8 . 3 9に接触しているので、消費電力が少ない節電型マイク口リレーが得られる。

なお、可動接点 2 5を可動片 2 0の表裏面に設けることにより、複数の電気回路を交互に開閉してもよい。

第 1 3実施形態は、図 3 6に示すように、基材 2 0の表面に設けた 2つの可動接点 2 5 a , 2 5 bで異なる電気回路を交互に開閉する場合である。すなわち、可動片 2 0を構成する薄板状基材 2 1の両側縁部の略中央部から同一軸心上に回動軸 2 1 b . 2 l bを突設し、さらに、この回動軸 2 l b , 2 1 bをベース 1 1に一体化してある。

そして、可動片 2 0の片側半分 2 0 aが下方に凸形状となるように予め湾曲させて付勢してある一方、残る片側半分 2 0 bが上方に凸形状となるように予め湾曲させて付勢してある。

したがって、駆動手段の駆動前においては可動接点 2 5 aが一対の固定接点 3 8 a , 3 9 aから開離している一方、可動接点 2 5 bがー対の固定接点 3 8 b , 3 9 bに接触している。

そして、駆動手段を駆動すると、可動片 2 0の片側半分 2 0 aが上方に凸形となるように反転し、可動接点 2 5 aがー対の固定接点 3 8 a , 3 9 aに接触する。これと同時に、可動片 2 0の片側半分 2 0 bが下方に凸形となるように反転し、可動接点 2 5 bがー対の固定接点 3 8 b , 3 9 b力、ら開離する。

さらに、前記駆動手段の駆動を停止すると、可動片 2 0が自己のばね力によって元の状態に復帰する。このため、可動接点 2 5 aがー対の固定接点 3 8 a , 3 9 aから開離する。一方、可動接点 2 5 bがー対の固定接点 3 8 b , 3 9 bに接触する。

なお、本実施形態は、可動片 2 0の上面に 2個の可動接点 2 5 a , 2 5 bを配置した場合であるが、必ずしもこれに限らない。可動片 2 0の表裏面に 2個ずつ可動接点を設けることにより、 4つの電気回路を同時に開閉してもよい。

前述の第 1実施形態から第 1 3実施形態における駆動手段としては、通常の圧電素子、形状記憶圧電素子、ヒータ層単体、ヒータ層と金属材からなる駆動層との組み合わせ、あるいは、拡散抵抗からなるヒータ部のいずれかを、必要に応じて選択できることは勿論である。

また、前述の実施形態によれば、可動接点にプリント配線を施す必要がなく、固定接点のみにプリント配線を形成するだけでよい。このため、製造工数が少なく、生産性の高いマイクロリレーが得られる。

さらに、前述の実施形態によれば、可動片にプリン卜配線を行う必要がなく、可動片に反りが生じても、プリント配線に断線が生じないので、寿命力長い o

そして、前述の実施形態では、接点構造がいわゆるダブルブレイクとなるので、絶縁特性が良いという利点がある。

ついで、前記可動片は真空中あるいはネオン，アルゴン等の不活性ガスを充填した雰囲気中において駆動することにより、接点開閉時に生じる絶縁物の発生を防止してもよい。

(実施例 1 )

可動片を構成するシリコンウェハからなる厚さ 2 0 mの薄板状基材の上面に、厚さ 1 . 4 mの酸化膜、厚さ 0 . 3 の下部電極、厚さ 2 i mの圧電素子、および、厚さ 0 . 3 y mの上部電極を順次積層し、全体厚さ 24〃m、スパン 4mm、巾 0. 8 mmの大きさを有する可動片からなるマイクロリレーについて、印加電圧に対する接触荷重および変位量を計算した。計算結果を図 37 Aおよび図 37 Bに示す。

図 37 Aおよび図 37 Bによれば、圧電素子に対する印加電圧を制御するだけで所定の接点圧力，変位が得られることが判る。

(実施例 2)

可動片を構成するシリコンウェハからなる厚さ 20 //mの薄板状基材の表層部内に深さ 3〃mのヒータ層を形成し、かつ、このヒータ層の上面に厚さ 1. 1 mの絶縁性酸化膜を形成し、全体厚さ 21. l / m、スパン 4mm、巾 0. 8mmの大きさを有する可動片からなるマイクロリレーについて、印加電圧に対する接触荷重および変位量を計算した。計算結果を図 38 Aおよび図 38 Bに示す。

図 38 Aおよび図 38 Bによれば、印加電圧を制御し、ヒータ層の発熱を調整するだけで所定の変位，接点圧力が得られることが判る。

次に、第 2の目的を達成するマトリックスリレ一を示す第 14ないし第 17実施形態を図 39 Aないし図 45の添付図面に従って説明する。

第 14実施形態は、図 39 Aないし図 41 Bに示すように、ベース 11 0に、可動片ュニット 120、および、カバー 140を順次積み重ね、接合一体化したマトリックスリレーである。

前記ベース 110は、シリコンウェハ 110 aの上面に 4本の浅溝 11 1， 112, 113, 114を所定のピッチで並設したものである。

前記可動片ュニット 120は、方形枠状シリコンウェハ 120 aに第 1，第 2, 第 3，第 4可動片 121， 122， 123， 124を架け渡すように形成することにより、絶縁状態で並設したものである。そして、第 1, 第 2, 第 3, 第 4可動片 121， 122, 123, 124は単結晶の薄板状基材 125の上面に絶縁膜 126を積層し、さらに、下部電極 127、圧電素子 128および上部電極 129を順次積層してある。また、前記絶縁膜 126の中央部には可動接点 130が絶縁状態で配置されている。そして、前記ベース 110に可動片ュニット 120を積み重ねて接合一体化することにより、前記第 1, 第 2, 第 3, 第 4可動片 121, 122, 123, 124は前記浅溝 11 1， 112， 1 13， 114の上方に位置するとともに、その両端を前記ベース 1 10の開口縁部にそれぞれ固定支持されることになる。

なお、図 39 Bにおいて、下部電極 127、圧電素子 128および上部電極 129力く、可動接点 130で分断されているように図示されている力、左右の下部電極 127、圧電素子 128および上部電極 129はそれぞれ電気接続されている。

前記カバ一 140は、ガラスウェハ 140 aの下面に内部空間となる深溝 141, 142， 143. 144を所定のピッチで並設し、この深溝 1 41， 142, 143, 144の天井面のうち、前記可動接点 130に対応する位置に一対の固定接点 145, 146をそれぞれ設けてある。

各固定接点 145は、前記ガラスウェハ 140 aの下面に沿って形成したプリント配線（図示せず）を介し、ガラスウェハ 140 aに設けたスル一ホール 161 a， 162 a, 163 a, 164 aにそれぞれ接続され、カバー 140の表面に引き出されている。

同様に、各固定接点 146は、前記ガラスウェハ 140 aの下面に沿つて形成したプリント配線 151， 152， 153. 154を介し、ガラスウェハ 140 aに設けたスルーホール 161 b, 162 b, 163 b, 1 64 bにそれぞれ接続され、カバー 140の表面において電気接続可能と

/よって "¹ o そして、前記スルーホール 161 a, 162 aはプリント配線 155を介して入力用第 1接続パッド 170に電気接続され、前記スルーホール 1 63 a, 164 aはプリン卜配線 156を介して入力用第 2接铳パッド 1 71に電気接続されている。さらに、前記スルーホール 161 b, 163 bはプリント配線 157を介して出力用第 1接続パッド 172に電気接続されている。また、前記スルーホール 162 b, 164 bはプリント配線 158を介して出力用第 2接続パッド 173に電気接続されている。

また、 4つの下部電極 127は、カバー 140に設けた駆動用共通スル一ホール 180に電気接続されている。一方、 4つの上部電極 129は、カバー 140に設けた駆動用スルーホール 181， 182, 183， 18 4にそれぞれ電気接続されている。

したがって、図 41 A, 41 Bの回路図における入力 1， 2、および、出力 1， 2が、前記接続パッド 170， 171、および、接铳パッド 17 2, 173にそれぞれ対応する。

また、図 41 A, 41 Bにおける Ry l, 2, 3， 4が、前記第 1，第 2, 第 3，第 4可動片 121， 122, 123, 124からなるリレーにそれぞれ対応する。

次に、前述の構造を有するマトリックスリレーの動作について説明する。まず、第 1可動片 121の下部電極 127, 上部電極 129に電圧が印加されていない場合、圧電素子 128が励起されず、第 1可動片 121は平坦なままであり、その可動接点 130は固定接点 145, 146から開離している。

そして、駆動用共通スルーホール 180および駆動用スルーホール 18 1を介し、圧電素子 128が上方に湾曲するように電圧を印加すると、薄板状基材 125のばね力に杭して第 1可動片 121が上方に湾曲する。このため、可動接点 130が固定接点 145, 146に接触し、スルーホーノレ 16 l a. 161 bからプリント配線 155. 157を介し、接続パッド 170, 172が相互に導通する。

さらに、前述の電圧の印加を解除すると、薄板状基材 125のばね力によって第 1可動片 121が元の状態に復帰し、可動接点 130が固定接点

145, 146から開離する。

以後、同様に、スルーホール 180. 182を介し、第 2可動片 122 の圧電素子 128が上方に湾曲するように電圧を印加すると、第 2可動片 122が上方に湾曲する。このため、可動接点 130が固定接点 145, 146に接触し、スルーホール 162 a, 162 bからプリント配線 15 5, 158を介し、接铳パッド 170, 173が相互に導通する。

また、スルーホール 180, 183を介し、第 3可動片 123の圧電素子 128が上方に湾曲するように電圧を印加すると、第 3可動片 123が上方に湾曲する。このため、可動接点 130が固定接点 145, 146に接触し、スルーホール 163 a, 163 bからプリント配線 156, 15 7を介し、接続パッド 171， 172が相互に導通する。

さらに、スルーホール 180, 184を介し、第 4可動片の圧電素子 1

28が上方に湾曲するように電圧を印加すると、第 4可動片 124が上方に湾曲する。このため、可動接点 30が固定接点 145， 146に接触し、スルーホール 164 a, 164 bからプリント配線 156, 158を介し、接続パッド 171, 173が相互に導通する。

前述の第 14実施形態では、印加電圧を解除すると、元の状態に復帰する通常の圧電素子 128を利用する場合について説明した。しかし、必ずしもこれに限らず、印加電圧を解除しても、変形状態を維持し、逆方向に電圧を印加した場合に元の状態に復帰する形状記憶圧電素子を使用することにより、いわゆるラツチングタイプのマトリックスリレーとしてもよい。第 15実施形態は、図 42 A, 図 42 Bおよび図 43に示すように、前述の第 1実施形態とほぼ同様であり、異なる点は、第 1実施形態が圧電素子 28の変形を利用する場合であるのに対し、第 1，第 2, 第 3，第 4可動片 121， 122, 123, 124の熱膨張による変形を利用する点であな。

すなわち、第 1, 第 2, 第 3, 第 4可動片 121, 122， 123, 1 24は、単結晶からなる薄板状基材 125の表面にホウ素等を打ち込んで電気抵抗を大きくしたヒータ層 131と、絶縁膜 132を介し、金厲材を積層して形成した駆動層 133とからなるものである。そして、前記絶縁膜 132の中央部には、可動接点 130が絶縁状態で配置されている。次に、第 15実施形態にかかるマトリックスリレーの動作について説明する。

例えば、図 42 Aおよび図 42 Bに示すように、第 3可動片 123のヒ一夕層 131に電流が流れていない場合、ヒータ層 131が発熱しないので、駆動層 133は膨張しない。このため、第 1可動片 121は平坦なままであり、その可動接点 130は固定接点 145, 146から開離している。

そして、駆動用共通スルーホール 180および駆動用スルーホール 18 3を介してヒータ層 131に電流を流すと、ヒータ層 131が発熱し、薄板状基材 125および駆動層 133を加熱する。しかし、薄板状基材 12 5の熱膨張係数よりも駆動層 133の熱膨張係数の方が極めて大きいので、薄板状基材 125のばね力に杭して第 3可動片 123が上方に湾曲する。このため、可動接点 130が固定接点 145， 146に接触する。この結果、スルーホール 163 a, 163 bからプリント配線 156, 157を介して接続パッド 1 7 0 , 1 7 2が相互に導通する。

さらに、前述の電圧の印加を解除すると、薄板状基材 1 2 5のばね力によって第 3可動片 1 2 3が元の状態に復帰し、可動接点 1 3 0が固定接点 1 4 5 , 1 4 6から開離する。

なお、他の第 1 , 第 2，第 4可動片 1 2 1 , 1 2 2， 1 2 4の動作は、前述の第 1 4実施形態と同様であるので、説明を省略する。

また、各可動片は駆動手段としてヒータ層だけを形成してもよい。さらに、前記ヒータ層は、薄板状基材の表面にプラチナ，チタン等の金属材ぁるいはポリシリコンを積層して形成してもよい。

前述の実施形態では、 4つの可動片を並設したマトリックスリレーについて説明したが、必ずしもこれに限らず、図 4 4に示す第 1 6実施形態あるいは図 4 5に示す第 1 7実施形態のように、 4つ以上の可動片を並設したマトリックスリレーに適用してもよいことは勿論である。この場合における各固定接点の接続方法としては、例えば、カバーに設けたスルーホールを介し、カバーの表面に多層構造のプリント配線を形成して接続する方法カある。

次に、第 3の目的を達成する電子部品を示す第 1 8実施形態を、図 4 6 および図 4 7の添付図面に従って説明する。

本実施形態はマイクロリレーに適用した場合であり、マイクロリレ一チップ 2 1 0と、箱形の基台 2 3 0と、ヒー卜シンク 2 4 0とからなるものである。

前記マイクロリレーチップ 2 1 0は、並設した 5つの接点機構を内蔵するもので、片面に凹部 2 1 2を形成したシリコン単結晶からなるベース 2 1 1と、このベース 2 1 1の開口縁部に両端を固定支持した可動片 2 1 3 と、前記ベース 2 1 1に陽極接合で一体化したガラスウェハ 2 2 1からなるカバー 2 2 0とで構成されている。

前記可動片 2 1 3は、シリコン単結晶からなる薄板状基材 2 1 4の片側表層部内にホウ素等を打ち込んで電気抵抗値を大きくしたヒータ層 2 1 5 に、絶縁膜 2 1 6を介し、金属材からなる駆動層 2 1 7を積層したものである。さらに、前記絶縁膜 2 1 6の中央部には、可動接点 2 1 8が絶縁状態で配置されている。

カバー 2 2 0は、ガラスウェハ 2 2 1の片面に設けた凹部 2 2 2の底面に、一対の固定接点 2 2 3， 2 2 4を形成したものである。

前記固定接点 2 2 3 , 2 2 4は、図示しない入出力用スルーホールを介してガラスウェハ 2 2 1の表面に引き出され、その表面に設けたプリント配線 2 2 5 , 2 2 6を介して基台 2 3 0の入出力用外部端子 2 3 1 , 2 3 2 (図 4 6中、奥側に位置する外部端子 2 3 1は図示せず）に電気接続されている。

さらに、ガラスウェハ 2 2 1には、前記可動片 2 1 3のヒータ層 2 1 5 に電気接続するスルーホール 2 2 7 , 2 2 8が形成されている。このスル一ホール 2 2 7 . 2 2 8は後述する基台 2 3 0の駆動用入力端子 2 3 3， 2 3 4にそれぞれ電気接続される。

次に、本実施形態にかかるマイクロリレーの組立方法について説明する。まず、図示しないリードフレームにプレス加工を施し、入出力用外部端子 2 3 1および駆動用外部端子 2 3 3を交互に櫛歯状に打ち抜くとともに、入出力用外部端子 2 3 2および駆動用外部端子 2 3 4も同様に形成する。そして、前記外部端子 2 3 1ないし 2 3 4の自由端部に、マイクロチップ 2 1 0の図示しない入出力用スルーホールおよび駆動用スルーホール 2 2 7 , 2 2 8をそれぞれ位置決めし、電気接続する。

ついで、一対の金型でマイクロリレ一チップ 2 1 0 *·挾持し、ベース 2 11の底面が露出するように基台 230を一体成形する。

さらに、前記基台 230の上面に形成した環状段部 235に、熱伝導率の大きい銅，アルミニウム，真鍮等の板状ヒートシンク 240を嵌め込んだ後、前記外部端子 231ないし 234をリードフレームから切り離した後、その先端部を屈曲することにより、組立作業が完了する。

前述の構成からなるマイクロリレーの動作について説明する。

駆動用外部端子 233, 234から可動片 213のヒータ層 215に電流が流れていない場合、可動片 213は平坦なままであり、可動接点 21 8は一対の固定接点 223， 224から開離している。

ついで、駆動用外部端子 233, 234を介して駆動用スルーホール 2 27, 228からヒータ層 215に電流が流れると、ヒータ層 215が発熱し、薄板状基材 214および駆動層 217が熱膨張する。そして、駆動層 217の熱膨張率は薄板状基材 214の熱膨張率よりも極めて大きいので、可動片 213は固定接点 223, 224側に湾曲する。ついで、可動接点 218が一対の固定接点 223, 224に接触して電気回路を閉成す。

そして、前述の電流を断ってヒータ層 215の発熱を停止すると、薄板状基材 214および駆動層 217が冷えて収縮する。このため、可動片 2 13が元の状態に復帰し、可動接点 218が固定接点 223, 224から開離する。

前述の実施形態では、外部端子 231， 232, 233. 234と、ヒートシンク 240とを部材で構成する場合について説明した。しかし、必ずしもこれに限らず、リ一ドフレームから外部端子およびヒートシンクを同時に打ち抜いて屈曲し、外部端子とヒートシンクとの間にマイクロリレーチップを位置決めし電気接続した後、樹脂モールドしてもよい。また、前述の実施形態ではマイクロリレーチップに適用する場合について説明した。しかし、必ずしもこれに限らず、内部構成部品が発熱する他の電子部品チップに適用してもよいことは勿論である。

産業上の利用分野

本願発明にかかるマイクロリレーは前述の実施形態に限らず、他のマイクロリレー、マトリックスリレーおよびマイクロリレーチップ等の電子部品に適用できるものである。

Claims

請求の範囲

1. 単結晶からなる薄板状基材に駆動手段を設け、かつ、少なくとも片面に少なくとも 1個の可動接点を設けた可動片の両端をベースに支持し、前記駆動手段を介して前記可動片を湾曲させることにより、前記可動接点をこれに対向する固定接点に接離させて電気回路を開閉することを特徴とするマイクロリレー。

2. ハンドルウェハからなる箱形ベースの開口縁部に絶縁膜を介してデバイスウェハを接合一体化し、このデバイスウェハに一対のスリツ卜を設けて前記可動片を切り出したことを特徴とする請求項 1に記載のマイク口リレー。

3. 前記デバイスウェハのうち、前記ハンドルウェハの底面に設けた前記固定接点の接続パッドと対向する位置に、接続用開口部を形成したことを特徴とする請求項 2に記載のマイクロリレー。

4. 前記接続用開口部の内側面を絶縁膜で被覆したことを特徴とする請求項 3に記載のマイクロリレー。

5. 前記デバイスウェハの上面に、冷却用フィンを形成したことを特徴とする請求項 2ないし 4のいずれか 1項に記載のマイクロリレー。

6. 前記可動片を、その片面に設けた可動接点をこれに対向する固定接点に接触するように予め湾曲させて付勢したことを特徴とする請求項 1 ないし 5のいずれかに 1項に記載のマイクロリレー。

7. 前記可動片の両側縁部の略中央から同一軸心上に突設した一対の回動軸を前記ベースに支持するとともに、前記薄板状基材の片側半分を上方に予め湾曲させて付勢する一方、残る片側半分を下方に予め湾曲させて付勢し、前記片側半分を前記駆動手段を介して同時に反転させることにより、 2つの電気回路を交互に開閉することを特徴とする請求項 1ないし 5 のいずれか 1項に記載のマイクロリレー。

8. 前記駆動手段が、前記薄板状基材の片面に積層した圧電素子であることを特徴とする請求項 1ないし 7のいずれか 1項に記載のマイクロリレー。

9. 前記駆動手段が、前記薄板状基材の片面に形成したヒータ層であることを特徴とする請求項 1ないし 7のいずれか 1項に記載のマイクロリレー。

1 0. 前記駆動手段が、前記薄板状基材の片面に形成したヒータ層と、このヒ一夕層に絶縁膜を介して金属材を積層して形成した駆動層とからなることを特徴とする請求項 1ないし 7のいずれか 1項に記載のマイクロリレー。

1 1 . 前記駆動手段のヒータ層が、前記薄板状基材の片面に絶縁膜を介して積層したプラチナ，チタン等の金属材あるいはポリシリコンであることを特徴とする請求項 9または 1 0に記載のマイクロリレー。

1 2. 前記駆動手段が、前記薄板状基材の内部に形成した拡散抵抗からなるヒータ部であることを特徴とする請求項 1ないし 7のいずれか 1項に記載のマイクロリレー。 '

1 3. 前記可動片の表裏面のうち、少なくとも可動接点を設ける片面に、絶縁膜を形成したことを特徴とする請求項 1ないし 1 2のいずれか 1 項に記載のマイクロリレー。

1 4. 前記可動片の表裏面に、シリコン酸化膜，シリコン窒化膜等の厚さの異なるシリコン化合物膜を形成したことを特徴とする請求項 1ないし 1 3のいずれか 1項に記載のマイクロリレー。

1 5. 前記可動片の少なくとも片面に、駆動を開始する臨界値近傍の圧縮応力を付与するシリコン酸化膜，シリコン窒化膜等のシリコン化合物膜を形成したことを特徴とする請求項 1ないし 1 4のいずれか 1項に記載のマイクロリレー。

1 6. 前記可動片の両端部近傍に少なくとも 1本の断熱用スリッ卜を形成したことを特徴とする請求 1ないし 1 5のいずれか 1項に記載のマイクロリレー。

1 7. 前記断熱用スリットに、熱伝導率の低い高分子材料を充填したことを特徴とする請求項 1 6に記載のマイク口リレー。

1 8. 前記可動片の両端部に形成した断熱用シリコン化合物部を介して前記ベースに前記可動片を架け渡したことを特徴とする請求項 1ないし 1 7のいずれか 1項に記載のマイクロリレ一。

1 9. 前記可動片のうち、前記可動接点の周囲近傍にスリッ卜を設け、前記可動接点を回動可能に支持する一対のヒンジ部を同一 $由心上に形成したことを特徴とする請求項 1ないし 1 8のいずれか 1項に記載のマイク口リレー。

2 0. 前記可動片の基部に、応力集中を緩和するアールを設けたことを特徴とする請求項 1ないし 1 9のいずれか 1項に記載のマイクロリレー。

2 1 . ハンドルウェハからなる箱形ベースの開口縁部に絶縁膜を介してデバイスウェハを接合一体化した後、このデバイスウェハに一対の平行なスリットを形成して前記可動片を切り出すことを特徴とするマイクロリレーの製造方法。

2 2. 単結晶からなる薄板状基材に駆動手段を設け、かつ、片面に可動接点を設けた複数の可動片を絶縁状態で並設するとともに、その両端をベースにそれぞれ固定支持し、前記駆動手段を介して前記可動片を個々に湾曲させることにより、前記可動接点を、前記ベースの上方に位置する力バーの天井面に形成した固定接点に接離させて複数の電気回路を開閉することを特徴とするマトリックスリレー。

2 3. 前記駆動手段が、前記薄板状基材の片面に積層した圧電素子であることを特徴とする請求項 2 2に記載のマトリックスリレー。

2 4. 前記駆動手段が、前記薄板状基材の片面に形成したヒータ層からなることを特徴とする請求項 2 2に記載のマトリックスリレー。

2 5. 前記駆動手段が、前記薄板状基材の片面に形成したヒータ層と、このヒ一タ層に絶縁膜を介して金属材を積層して形成した駆動層とからなることを特徴とする請求項 2 2に記載のマトリックスリレー。

2 6. 前記駆動手段を、前記カバーに設けたスルーホールを介し、前記カバーの表面において電気接続可能としたことを特徴とする請求項 2 2 ないし 2 5のいずれか 1項に記載のマトリックスリレー。

2 7. 前記固定接点を、前記カバーに設けたスルーホールを介し、前記カバーの表面において電気接続可能としたことを特徴とする請求項 2 2 ないし 2 6のいずれか 1項に記載のマトリックスリレー。

2 8. 前記カバーの表面に露出するスルーホールの上端部を、前記力バーの表面に形成したプリント配線を介し、前記カバーの表面に設けた接続パッドに電気接続したことを特徵とする請求項 2 2ないし 2 7のいずれか 1項に記載のマトリックスリレー。

2 9. シリコン材からなるベースにガラス材からなるカバーを接合一体化し、かつ、内部構成部品を組み込んだ電子部品チップを、前記カバーを被覆し、かつ、前記ベースの底面が露出するように、基台に樹脂モールドしたことを特徴とする電子部品。

3 0. 前記内部構成部品を、前記カバーに設けたスルーホールを介し、前記基台の外部端子に電気接続したことを特徴とする請求項 2 9に記載の電子部□Do

3 1 . 前記基台から露出する前記ベースの底面にヒートシンクを設けたことを特徴とする請求項 2 9または 3 0に記載の電子部品。