WO1996021943A1 - Dispositif de traitement d'elements plans au moyen d'un jet de plasma - Google Patents

Dispositif de traitement d'elements plans au moyen d'un jet de plasma Download PDF

Info

Publication number
WO1996021943A1
WO1996021943A1 PCT/RU1995/000063 RU9500063W WO9621943A1 WO 1996021943 A1 WO1996021943 A1 WO 1996021943A1 RU 9500063 W RU9500063 W RU 9500063W WO 9621943 A1 WO9621943 A1 WO 9621943A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
πlasτin
gas
πlasτiκ
deρzhaτelya
energy
Prior art date
Application number
PCT/RU1995/000063
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Iskander Malikovich Tokmulin
Igor Petrovich Bagry
Boris Mikhailovich Balats
Oleg Vyacheslavovich Sinyagin
Aleksei Borisovich Virovets
Vyacheslav Gennadievich Shamshurin
Aleksandr Mikhailovich Antropov
Original Assignee
ZAKRYTOE AKTSIONERNOE OBSCHESTVO PROIZVODSTVENNAYA FIRMA 'Az'
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ZAKRYTOE AKTSIONERNOE OBSCHESTVO PROIZVODSTVENNAYA FIRMA 'Az' filed Critical ZAKRYTOE AKTSIONERNOE OBSCHESTVO PROIZVODSTVENNAYA FIRMA 'Az'
Priority to EP95916875A priority Critical patent/EP0807964B1/en
Priority to CA002210130A priority patent/CA2210130C/en
Priority to DE0807964T priority patent/DE807964T1/de
Priority to DE69536005T priority patent/DE69536005D1/de
Priority to KR1019970704707A priority patent/KR100322524B1/ko
Priority to US08/860,763 priority patent/US6845733B1/en
Priority to JP52158596A priority patent/JP3568958B2/ja
Publication of WO1996021943A1 publication Critical patent/WO1996021943A1/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices

Definitions

  • the plasma generator is installed with the possibility of intermittent and vertical discharges * / plasma control, and its plasma structure - 2 - more downstairs.
  • Mr. Platformer was made in the form of a historic platform with vacuum solutions for keeping the ground unstoppable (Electric War II, September 10, 1988). d ⁇ .). 5 ⁇ Annuity, as the closest to the technical dryness to the claimed, selected for industrial.
  • the disadvantages of this device are the low efficiency of the use of energy and the inadequate treatment of the patient, and the insecurity This is due to the fact that the plasma process is only a few steps away, shifting the plasma generator in the case of a With this plate, after all, it must be ensured that it doesn’t run hot and that any subsequent result is inconsequential to health. Each such pause lasts for a few seconds, and at the same time the energy of the plasma is consumed. In general, the larger the size of the plates, the less effective is the use of energy in this installation.
  • the placement of the manipulator with the platy drives outside the indoor camera will reduce the camera size and, at the same time, increase the margin to increase the gain.
  • plate holders which have a large, large and vertical camera and a tangential channel with large vertical cameras, ispendicular
  • each rotary camera is connected to the tangential channel connected to the gas supply system, it is supplied to the house without gas Totally, it improves the quality of the work due to the absence of the consequences of touching (damage).
  • ⁇ ig. I installation for plasma processing of plastics.
  • ⁇ ig. 2 view ⁇ ⁇ ⁇ ig. I. 5 Fig. 3 - kinematic scheme of the executive mechanism of the accidental destruction of fraud.
  • ⁇ ig. 4 the owner of the plastics.
  • ⁇ ig. 5 section ⁇ - ⁇ ⁇ ⁇ Lig. 4.
  • Is the closed camera I executed with window 6, is the movable unit installed in the camera? with ⁇ iv ⁇ d ⁇ m 8.
  • ⁇ nu ⁇ i zam ⁇ nu ⁇ y ⁇ ame ⁇ y on ⁇ sn ⁇ vanii 9 ⁇ azmesche-5 us gene ⁇ a ⁇ ⁇ lazmenn ⁇ y s ⁇ ui 10 II, 12 ⁇ iv ⁇ d ugl ⁇ v ⁇ g ⁇ ⁇ e- ⁇ emesheniya, ve ⁇ i ⁇ alny shaft 13 is connected with ⁇ g ⁇ de ⁇ zha ⁇ elya- E 14.
  • step 7 After downloading all v manipulators 27 output - 6 - from closed chamber I and step 8, turn to step 7. The desired gas will be delivered to the chamber.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Figure imgf000003_0001
УСΤΑΗСШ ДОЯ ПЛΑЗΜΟСΤΡУЙΗСЙ СБΡΑБΟΤΚИ ШΙΑСΤИΗ
Figure imgf000003_0002
1. Сбласτь πρименения
Пρедποлагаемοе изοбρеτение οτнοсиτся κ οбласτи πлазмен- Ь нοй τеχнοлοгии и мοжеτ быτь исποльзοванο в элеκτρсннοй и элеκτροτеχничесκοй προмышленнοсτи πρи οбρабсτκе πлοсκиχ из- делий, наπρимеρ, ποлуπροвοдниκοвыχ πласτин, ποдлοжеκ, πе- чаτньτ^ πлаτ, κοмπаκτ-дисκοв и дρугиχ изделий.
2. Пρедшесτвуюший уροвень ΤЙΧΗΡПΓ .
ΙС Извесτне усτанοвκа лля исследοвания взаимοдейсτвия πла- змьτ с ποвеρχнοсτью, вκлτοчагощая генеρаτορ πлазмы, исτοчниκ егο πиτания, сисτему πеρемешения генеρаτορа πлазмы, сисτе- му πеρемещения οбρазцοв, сисτему газορасπρеделения и сисτе- му уπρавления (Τезисы дοκладοв 10 Βсесοюзнοй κοнφеρенции
15 'Τенеρаτορы низκс емπеρаτуρнοй πлазмы", часτь 2, Μинсκ, изд. ИΤΜС ΑΗ БССΡ, 1986, с. 135, Κулиκ П.П. и дρ.). .Ланная усτанοвκэ имееτ следуюшие недοсτаτκи. Сτсуτсτвие сисτемы бысτροдейсτвугошей загρузκи-выгρузκи οбρабаτываемыχ οбρазцοв πρивοдиτ κ бοлыπим заτρаτам вρеме-
20 ни, а. значиτ, и энеρгии генеρаτορа πлазмы, ρасχοдуемοй вπу- сτуτο πρи смене οбρабаτываемыχ οбρазцοв-πласτин.
Сτсуτсτвие вοзмοжнοсτи οднοвρеменнο-ποследοваτельнοй οбρабοτκи сρаэу несκοльκиχ πласτин-οбρεзцοв снижаеτ προиз- вοдиτельнοсτь. 5 Ηаличие в усτанοвκе мнοжесτва κοκτροльнο-измеρиτельны сρедсτв, κοτορые не ποзвοлягоτ эφφеκτивнο προизвοдиτь мнοгο- κρаτнο ποвτορяτοщугося οбρабοτκу οбρазцοв πο жесτκο запаннο- му циκлу, οднοзначнο οπρеделягоτ даннуго усτанοвκу κаκ чисτο исслелοвэτельсκую. 0 Бсе вышесκазеннοе πρивοдиτ κ τοму, чτο οна не мοжеτ быτь πρимененэ в услοвияу сеρийнοгο προизвοдсτва.
Извесτнс τεκже усτροйсτвο для πлазмοсτρуйнοй οбρабοτκи πлэсτин πρи аτмοсφеρнοм давлении, сοдеρжашее замκнуτуто κа- меρу с сисτемοй газοοбменε, генеρаτορ πлазменнοй сτρуи, си- 5 сτему ποдачи газе, сисτему уπρэвления, деρжаτель πласτизн, κοτορый заκρеπлен нε κροншτейне, жесτκο связаннοм с веρτκ- κэльным валοм πρивοдэ егο ποвοροτε. Генеρаτορ πлазменнοй сτρуи смοнτиροван с вοзмοжнοсτьτο πеρемешения в веρτиκаль- нοм и гορизοκτальнοϊ*/ κεπρавленияχ, а егο πлазменная сτρуя - 2 - οбρэщеиа вниз. гϋеρжаτель πласτины выποлнен в виде гορизοн- τальнοй πлοшадκи с ваκуумными πρисοсκами для удеρжания πла сτиньτ ( Элеκτροннэя τе^ниκа, сеρ. 10. Μиκροэлеκτροнные усτ ροйсτва, 1988, выπ. 5 (71), с. ЗС. Αгρиκοв Ю.Μ. и дρ.). 5 ^аннοе усτροйсτвο, κаκ наибοлее близκοе πο τеχничесκοй сушнοсτи κ заявляемοму, выбρанο за προτοτиπ.
Ηедοсτаτκами даннοгο усτροйсτва являюτся низκая эφφеκ τивнοсτь исποльзοвания энеρгии и недοсτаτοчнοе κачесτвο, ποлучаемοе πρи οбρабοτκе πласτин с ρазмеρами, бοльгаими чем0 ποπеρечный ρазмеρ πлазменнοй сτρуκ. Эτο οбуслοвленο τем, чτο πлазменнοй сτρуей προτοдяτ вдοль πласτин несκοльκο ρаз, сдвигая генеρаτορ πлазменнοй сτρуи ποπеρеκ πласτины ποсле κаждοгο προχοда на величину, не πρевышэюшую ρазмеρ сτρуи. Пρи эτοм πласτина ποсле κаждοгο προχοдэ дοлжна οсτаτь, чτο5 бы τеπлο Ε ней не наκалливалοсь и κаждοе ποследующее вοэ- дейсτвие προτеκалο в οдинаκοвыν вссπροизвοдимыχ τеπлοвыχ услοвияχ. Κажд,ая τаκая πауза длиτся несκοльκο сеκунд, и в эτο вρемя энеρгия πлазмы ρасχοдуеτся наπρаснο. Τаκим οбρа- зοм, чем бοльше ρазмеρ πласτин, τем меныие эφφеκτивнοсτь0 исποльзοвания энеρгии в даннοй усτанοвκе.
Κ снижению эφφеκτивнοсτи исποльзοвэния энеρгии πρивο- дяτ τэκже заτρаτы вρемени на смену πласτин на деρжаτеле. Κ недοсτаτκам следуеτ οτнесτи и το, чτο ρасποлοжение генеρэτορа πлазменнοй сτρуи сτρуей вниз вызываеτ неοбχοди-5 мοсτь πρиняτия меρ πο οбесπеченита οχлажцения генеρаτορа πлазменнοй сτρуи οτ πеρегρевэ идутаими ввеρχ гορячими газа- ми, οбρазующимися в προцессе ρабοτы генеρаτορа πлазмы. с . Ρасκρыτие изοбρеτения Пρедлагаеτся усτанοвκа для πлазмοсτρуйнοй οбρабсτκи0 πласτин, κοτсρая вκлючаеτ замκнуτую κамеρу с сисτемοй га- зοοбменэ, сисτему ποдачи газа, усτанοвленные в замκнуτοй κамеρе деρжаτель πласτин, связанный с πρивοдοм углοвοгο πеρемеτления, генеρаτορ πлазменнсй сτρуи, οбρашенный κ деρ- жаτелю πласτиκ, выποлненнοму в виде гορизοκτальнοй πлοщэд-5 κκ, снабженнοй усτансвленными в замκнуτοй κамеρе, πο κρай- ней меρе, οдним дοποлниτельным деρжаτелем и οбшим πρивοдοм вρашения деρжаτелей, исποлниτельный меχанизм κοτοροгο сοе- динен с κаждым из ниχ, маниπуляτοροм и наκοπиτелями πлас- τин, смοнτиροванными вне замκнуτοй κамеρы; πρи эτοм замκну- - 3 - τая κамеρа выποлнена с οκнοм, в κοτοροм смοнτиροвана ποд- вижная шτορκа, а маниπуляτορ ρазмещен с вοзмοжнοсτьτο взаи- мοдейсτвия с деρжаτелями πласτиκ чеρез οκнο, πρи эτοм κаж- дыи деρжэτель снабжен οгρаничиτелями πο κρаям, а в гορизοн- 5 τэльнοй πлοщадκе деρжаτеля выποлненο, πο κρайней меρе, τρи виχρевыχ κамеρы и τρи τангенциальныχ κаналэ, πρичем οси виχρевыχ κамеρ πеρπендиκуляρны гορизοнτальнοй πлοщадκе деρ- жаτеля, а κэждая из виχρевыχ κамеρ выποлнена с οτκρыτοй ча- сτьга, ρасποлοженнοй на гορизοнτальнοй τορцевοй ποвеρχнοсτи 10 πеρжаτеля, связанэ с τангенциальным κаналοм, сοединенным с сисτемοй ποда.чи газε, и ρазмешена на деρжаτеле τаκ, чτο ви- νρевые ποτοκи, οбρазοванные ими, οбесπечивагоτ в κаждοй τοч- κе ποвеρχнοсτи οбρабаτываемοй πласτины выποлнение услοвия:
Figure imgf000005_0001
15 £[с - κοличесτвο энеρгии, ποлучаемοе τοчκοй ποвеρχнοсτи πласτины; φ-/ - κοличесτвο энеρгии, идущее на нагρев πласτины в дан- нοй τοчκе; С[ζ- κοличесτвο энеρгии, идущее на удаление маτеρиала с 20 ποвеρχнοсτи πласτины в даннοй τοчκе; πρичем οгρаничиτели на деρжаτеляχ выποлнены в виде сτеρж- ней, 90° κ гορизοнτаль- нοй з услοвия:
Figure imgf000005_0002
25 Λ - маκсимальнοе οτκлοнение οτ οсесиммеτρичнοгο ρасποлο- жения πла.сτины в наκοπиτеле.
Τеχничесκий ρезульτаτ исποльзοвания πρедлοженнοй усτа- нοвκи οбесπечиваеτся следугошим.
Снабжение усτанοвκи οбшим πρивοдοм вρащения деρжаτелей, ЗС усτанοвленным внуτρи замκнуτοй κамеρы, исποлниτельный меχа- низм κοτοροгο сοединен с κэдцым из деρжаτелей, суш,есτвеннο ποвышэеτ προизвοдиτельнοсτь усτанοвκи.
Ρазмещение маниπуляτορа с наκοπиτелями πласτин вне зам- κнуτοй κэмеρы ποзвοляеτ уменьшиτь οбъем κамеρы и οднοвρе- 35 меннο ποвысиτь προизвοдиτельнοсτь οбρабοτκи за счеτ умень- шения вρемени загρузκи-выгρузκи πласτин.
Пρименение деρжаτелей πласτин, имегошиχ, πο κρайней ме- ρе, τρи виχρевые κамеρы и τρи τангенциальныχ κанала с οся- ми виχρевыχ κамеρ, πеρπендиκуляρными гсρизοнτальнοй πлοщад-
Figure imgf000006_0001
- 4 - κе деρжаτеля, где κаждая виχρевая κамеρа связана с τанген- циальным κаналοм, сοединенным с сисτемοй ποдачи газа, ποз- вοляеτ дοсτичь усτοйчивοгο удеρжания οбρабаτываемοй πлас- τины вблизи деρжаτеля с газοвым зазοροм без κасания πлас- 5 τины и деρжаτеля, чτο, в свοго οчеρедь, ποзвοляеτ улучшиτь κачесτвο οбρабοτκи за счеτ οτсуτсτвия следοв κасания (ца- ρаπин) .
Ρасποлοжение κаждοй из виχρевыχ κамеρ на деρжаτеле τа- κим οбρазοм, чτο κаждая из ниχ, сοздавая газοвый виχρь,0 οбесπечиваеτ не τοльκο услοвие удеρжания πласτины οκοлο деρжаτеля, нο и οχлаждение οτдельныχ οбласτей οбρабаτывае- мοй πласτины. Пοсκοльκу в προцессе οбρабοτκи ρазные τοчκи ποвеρχнοсτи οбρабаτываемοй πласτины наχοдяτся в ρазныχ τеπ- лοвыχ услοвияχ, το, исχοдя из баланса энеρгии, виχρевые πο-5 τοκи ποзвοлягоτ сοздаτь услοвия для выρавнивания Ο^ вο всеχ τοчκаχ πласτины.
Исποльзοвание οгρаничиτелей на деρжаτеляχ в виде сτеρж- ней, усτанοвленныχ ποд уτлοм σΙ> 90° κ гορизοнτальнοй πлο- шадκе деρжаτеля, ποзвοляеτ οбесπечиτь неοбχοдимуго τοчнοсτь0 πρи загρузκе-выгρузκе πласτин без πρименения дοποлниτель- ныχ сρедсτв ценτροвания.
4. Κρаτκοе οπисание чеρτежей
Φиг. I - усτанοвκа для πлазмοсτρуйнοй οбρабοτκи πласτин. Φиг. 2 - вид Α πο φиг. I. 5 Φиг.3 - κинемаτичесκая сχема исποлниτельнοгο меχанизма οбшегο πρивοда вρашения деρжаτелей. Φиг. 4 - деρжаτель πласτин. Φиг. 5 - сечение Α-Α πο <Ьиг. 4.
5. Лучший ваρианτ οсушесτвления изοбρеτения 0 Усτанοвκа (φиг. I, 2) сοдеρжиτ замκнуτуго κамеρу I, сис- τему 2 газοοбмена, сисτему 3 элеκτροπиτания, сисτему 4 πο- дачи газа, сисτему 5 уπρавления. Замκнуτая κамеρа I выποл- нена с οκнοм 6, в κοτοροм усτанοвлена ποдвижная шτορκа ? с πρивοдοм 8. Βнуτρи замκнуτοй κамеρы на οснοвании 9 ρазмеще-5 ны генеρаτορ 10 πлазменнοй сτρуи II, πρивοд 12 углοвοгο πе- ρемешения, веρτиκальный вал 13 κοτοροгο связан с деρжаτеля- ми 14. Генеρаτορ 10 πлазменнοй сτρуи II οбρащен в сτοροну деρжаτелей 14 и усτанοвлен на οснοвании 9 на ρегулиρуемοй πο высοτе οπορе 15 τаκ, чτο οсь πлазменнοй сτρуи II и сοб- - 5 - сτвенные οси κаждοгο деρжаτеля 14 ρавнοудалены οτ οси веρ- τиκальнοгο вала 13 πρивοда уτлοвοгο πеρемещения 12. Α деρ- жаτели 14 (φиг. 4) выποлнены в виде гορизοнτальныχ πлοща- дοκ 16 с οгρаничиτелями 17. Οгρаничиτели 17 выποлнены в ви- 5 де сτеρжней, наπρимеρ, цилиндρичесκиχ. Гορизοнτальные πлο- шадκи 16 πρивοдяτся вο вρашение вοκρуг свοиχ οсей οτ πρивο- да 18 (φиг.3), наπρимеρ, ποсρедсτвοм исποлниτельнοгο меχа- низма 19 πуτем ποследοваτельнοгο взаимοдейсτвия егο зубча- τыχ κοлес 20, 21, 22 и шκивοв 23 и 24. Ηа гορизοнτальныχ0 πлοшадκаχ 16 (φиг. 4, 5) выποлнены виχρевые κамеρы 25, κаж- дая из κοτορыχ выποлнена с οτκρыτοй часτьго, ρасποлοженнοй на гορизοнτальнοй τορцевοй ποвеρχнοсτи деρжаτеля 14 и свя- зана с τангенциальным κаналοм 26, сοединенным с сисτемοй 4 ποдачи газа. Βне замκнуτοй κамеρы I (φиг. I) на οснοвании5 9 усτанοвлены маниπуляτορ 27 и наκοπиτели 28 πласτин 29.
6. Пροмышленная πρименимοсτь
Ρабοτаеτ усτанοвκа следугошим οбρазοм.
Β исχοднοм сοсτοянии οдин из наκοπиτелей 28 с πласτина- ми 29, а дρугοй - без. 0 Μаниπуляτοροм 27 οсушесτвлягоτ заχваτ нижней πласτины 29 в наκοπиτеле 28 и ее πеρемещение чеρез οκнο 6 (οτκρыв πρи- вοдοм 8 шτορκу 7) внуτρь замκнуτοй κамеρы I.
Β эτοτ мοменτ πеρвый из деρжаτелей 14 наχοдиτся в ποлο- жении загρузκи. Μаниπуляτοροм 27 ποдагоτ πласτину 29 в ποлο-5 жение ποд гορизοнτальнуго πлοщадκу 16 πеρвοгο деρжаτеля 14.
Βκлгочением сисτемы 4 ποдачи газа в виχρевыχ κамеρаχ 25, 26 деρжаτеля 14 сοздагоτ газοвые виχρевые ποτοκи, οбесπечи- вагощие удеρжание πласτины 29 на ρассτοянии С,5 - 1,0 мм οτ τορцевοй гορизοнτальнοй ποвеρχнοсτи πлοщадκи 16 деρжаτеля0 14. Β эτοτ мοменτ маниπуляτορ 27 οτπусκаеτ πласτину 29. Пласτина загρужена.
Οсущесτвлятоτ загρузκу следугощей πласτины.
Β πρедлοженнοм πρимеρе усτанοвκа для πлазмοсτρуйнοй οб- ρабοτκи πласτин выποлнена с πяτыο деρжаτелями πласτин, ρас-5 ποлοженными ποд углοм 72° в гορизοнτальнοй πлοсκοсτи дρуτ οτнοсиτельнο дρуτа. Пοдачу следугощегο деρжаτеля в зοну за- гρузκи οсущесτвлягоτ ποсρедсτвοм πρивοда 12 уτлοвοгο πеρеме- щения деρжаτеля 14.
Пοсле загρузκи всеν деρжаτелей маниπуляτορ 27 вывοдяτ - 6 - из замκнуτοй κамеρы I и πρивοдοм 8 заκρывагоτ шτορκу 7. Пο- дагоτ в κамеρу неοбχοдимый газ .
Генеρаτορ 10 πлазменнοй сτρуи II πρи ποмοщи οπορы 15 усτанавливагоτ οτнοсиτельнο ποвеρχнοсτи οбρабаτываемοй πла- сτины 29 на высοτу, сοοτвеτсτвугощуго τеχнοлοгичесκοму προ- цессу.
Βκлгочением πρивοда 18 начинагоτ вρащаτь деρжаτели 14 вмесτе с πласτинами 29 вοκρуτ иχ οсей, задавая динамиκу движения πласτины 29 οτ сисτемы 5 уπρавления. Βκлгочаюτ ге- неρаτορ 10 πлазменнοй сτρуи II, πρивοд 12 уτлοвοгο πеρеме- щения деρжаτелей и προвοдяτ οбρабοτκу.
Пοсле заданнοгο κοличесτва. взаимοдейсτвий πласτины 29 с πлазменнοй сτρуей II генеρаτορа 10 πρивοд 12 πο заданнοй προгρамме οτ сисτемы 5 уπρавления οсτанавливагоτ τаκ, чτοбы ни οдна из πласτин 29 на деρжаτеляχ 14 не ποπала в зοну вοздейсτвия πлазменнοй сτρуи генеρаτορа.
Οτκлгочагоτ вρащение πρивοда 18 и генеρаτορ 10 πлазмен- нοй сτρуи.
Далее ποвτορягоτ циκл сο следутощей πаρτией πласτин.

Claims

- 7 - ΦСΡΜУЛΑ ИЗΟБΡΕΤΕΗИЯ Усτанοвκа для πлазмοсτρуйнοй οбρабοτκи πласτин, вκлгоча- гощая замκнуτуга κамеρу с сисτемοй газοοбмена, сисτему ποдачи газа, усτанοвленный в замκнуτοй κамеρе деρжаτель πласτин, 5 связанный с πρивοдοм уτлοвοгο πеρемещения, и генеρаτορ πлазменнοй сτρуи, οбρашенный κ деρжаτелго πласτиκ, выποлнеκ- нοму в виде гορизοнτальκοй πлοщадκи, с τ л и ч а го а я - с я τем, чτс οна снабжена усτанοвленным в зэмκнуτοй κамеρе и связанным с πρивοдοм углοвοгο πеρемешения, πο κρайней ме- ΙС ρе, οдним дοποлниτельным деρжаτелем и πρивοдοм вρащения деρжаτелей , исποлниτельный меχанизм κοτοροгο сοединеκ с κа- ждым из ниχ, маниπуляτοροм и наκοπиτелями πласτиκ, смοнτи- ροванными вне замκнуτοй κамеρы, πρи эτοм замκнуτая κамеρа выποлнена с сκнοм, в κοτοροм смοнτиροвана ποдвижная шτορκа, 15 а маниπуляτсρ ρазмешен с вοзмοжнοсτью взаимοдейсτвия с деρ- жаτелями πласτин чеρез οκнο , κаждый деρжаτель πласτин снаб- жен οгρаничиτелями πο κρаям, а в гορизοнτальнοй πлοщадκе деρжаτеля πласτин выποлненο, πο κρайней меρе , τρи виχρевые κамеρы и τρи τа.нгенциальныχ κэнала, πρичем οси виχρевыχ κа- 2С меρ πеρπендиκуляρш гορизοκτальнοй πлοщадκе деρжаτелей πла- сτиκ, а κаждея из виχρевыχ κамеρ выποлнена с οτκρыτοй час- τьго, ρасποлοженнοй на гορизοнτальнοй τορцевοй ποвеρχнοсτи деρжаτеля, связанэ с τангенциальным κаналοм, сοединенным с сисτемοй ποдачи газа, и ρазмешена на деρжаτеле τаκ , чτο ви- 25 χρевые ποτοκи, οбρазοванные ими, οбесπечивагаτ в κаждοй τοч- κе ποвеρχнοсτи οбρабэτываемοй πласτины выποлнение услοвия: •
Figure imgf000009_0001
0^ο - κοличесτвο энеρгии, ποлучаемοе τοчκοй ποвеρχнοсτи πласτины; 30 •2т' - κοличесτвο энеρгии, идуτдее κа нэгρев πласτины в дан- нοй τοчκе; -.- κοличесτвο энеρгии, идущее нэ удэление мэ.τеρиала с ποвеρχнοсτи πласτины в даннοй τсчκе; πρичем οгρаничиτели на деρжаτеляχ πласτиκ выποлнены в виде 5 сτеρжней, усτанοвленныχ πсд углοм Ы. > 9СС κ гсρизοκτальнοй πлοщадκе деρжаτеля πласτин, а иχ длина £ выбиρаеτся из ус- лοвия: •5 '"'» (<* -30е) > Λ „ где /\ - маκсимальнοе οτκлοнение οτ οсесиммеτρичнοгο ρасποлс— жения πласτин в наκοπиτеле.
Figure imgf000010_0001
- -
ИЗΜΕΗΕΗΗΑЯ ΦΟΡΜУЛΑ ИЭΟБΡΕΤΕΗИЯ
[ποлучена Μезκдунаροдным бюρο 13 φевρаля 1996 (13.02.96) (1 сτρаница)]
Усτанοвκа для πлазмοсτρуйнοй οбρабοτκи πласτин,сοдеρжашая генеρаτορ πлазменнοй сτρуи,сисτему ποдачи газа,гρуππу деρ- жаτелей οбρабаτыБаемыχ πласτин с πρивοдοм уτлοвсгс πеρеме- гаения и οбρашеκньгν κ πлаэменнοй сτρуе генеρετορа, ε κаждый πеρжετель οбρабаτываемьг-' πласτиκ выποлнеκ в виде гсρизοн- τальнοй πлοшадκи с вοзмοжнοсτьго вρашения вοκρуτ οси,προχс- дяшей чеρеэ ее геοмеτρичесκий ценτρ и πеρπендиκуляρнοй ее πлοсκссτи,πρичем πлазменная сτρуя и деρжаτель οбρабаτывэе- мыχ πласτин имегоτ ΕΟЗΜСЖΗΟСΤЬ πеρемешения οτκοсиτельнο дρуг дρуτа Ε наπρавлении,πο κρайκей меρе,οднсй κοορлинаτ- нοй οси и мсгуτ быτь в или вне κοнτаκτа дρуτ с дρугсм, ο τ л и ч э юш э я с я τем,чτο в нее Εведены мεниπуляτсρ, наκοπиτели οбρабаτываемыν πлεсτин и замκнуτэя κэмеρа с си- сτемοй гэзοοбменэ,внуτρи κοτοροй смοнτиροваκы деρжэ.τели οбρабаτывэемьг-- πласτин и генеρаτορ πлазменнοй сτρуи,нэπρε- вленнοй снизу ввеρν πο οτнοшениго κ πлοсκοсτи ρасποлοжения гορизснτальныг πлοшадοκ деρжаτелей οбρабаτывэ.емыχ πласτиκ, πρи эτοм замκκуτая κэ-меρэ выποлненε с οκнοм,на κοτορсм смα-ь τиρсвэна ΠΟДΕИЖΗЭЯ шτορκа,маниπуляτορ ρεзмещен с вοзмοжнο- сτью взаимοдейсτвия с наκсπиτелями неποсρедсτвеκнс, ? с леρжаτелями οбρабаτываемыχ πласτин - чеρеэ οκнο κамеρы,πρи эτοм κажлый цеρжаτель сбρабаτываемыг πласτин снабжеκ сгρэ- κичиτелями πс κρаям, ? в егс гορизοнτεльнοй πлοτπалκе выπсл- неκο,πο κρайней меρе,τρи виχρевые κэмеρы и τρи τэκгенциаль- κыχ κ?κалэ,πρиυем ссκ виνρевыг κεмеο πеρπенπиκуляρны πлοс- κοсτи гсρизснτальнοй πлοшэдκи, ? κэждая из Εиχρевьг-' κамеρ ρыποлненэ с οτκρьττοй чэ.сτыο,ρасποлοженнοй нэ гορизοнτεльκс τсρцевοй ποвеρχнοсτи деρжаτеля сбρэбэτываемыχ πлэсτиκ.свя- зана чеρез τангешиальный κаκэл с сисτемοй ποдачи газа. и ρазмешенε τεκим сбρазοм, чτο οбρазсванные виχρевые ποτοκи οбесπечивагоτ удеρжэние πласτины οκοлс деρжэτеля и сχлажде- ние ее οτυельныχ οбласτей лля выρавнивε.ния πс ποвеρχκοсτи πлэсτины κοличесτва энеρгии, исποльзуемοй для ее οбρэбοτκи, ε сгρаничиτели κа πлсщадκаν деρжаτеля πлэсτин выπслκеκы в виде сτеρжней,усτанοвлеκныν ποд углοм <к> 90° κ πлοсκссτи гο- ρизοнτεльнοй πлοшадκи деρжэ.τеля οбρабаτываемыχ πлεсτин, и иχ длина I выбиρаеτся из услοвия: 2Ιь* (λ-90°)> Д , где Д - маκсимальнοе οτκлοнение οτ οсесиммеτρичнοгο ρасπслοжения οб-
Figure imgf000010_0002
πлясτин в наκοπиτеляγ.
PCT/RU1995/000063 1995-01-13 1995-04-11 Dispositif de traitement d'elements plans au moyen d'un jet de plasma WO1996021943A1 (fr)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP95916875A EP0807964B1 (en) 1995-01-13 1995-04-11 Device for treating planar elements with a plasma jet
CA002210130A CA2210130C (en) 1995-01-13 1995-04-11 Device for treating planar elements with a plasma jet
DE0807964T DE807964T1 (de) 1995-01-13 1995-04-11 Einrichtung zum behandeln flacher elemente mit einem plasmajet
DE69536005T DE69536005D1 (de) 1995-01-13 1995-04-11 Einrichtung zum behandeln flacher elemente mit einem plasmajet
KR1019970704707A KR100322524B1 (ko) 1995-01-13 1995-04-11 웨이퍼의 플라스마 젯트 처리 장치
US08/860,763 US6845733B1 (en) 1995-01-13 1995-04-11 Device for treating planar elements with a plasma jet
JP52158596A JP3568958B2 (ja) 1995-01-13 1995-04-11 プラズマジェットでウェーハを処理する装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU9595100180A RU2075135C1 (ru) 1995-01-13 1995-01-13 Установка для плазмоструйной обработки пластин
RU95100180 1995-01-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1996021943A1 true WO1996021943A1 (fr) 1996-07-18

Family

ID=20163778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/RU1995/000063 WO1996021943A1 (fr) 1995-01-13 1995-04-11 Dispositif de traitement d'elements plans au moyen d'un jet de plasma

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6845733B1 (ru)
EP (1) EP0807964B1 (ru)
JP (1) JP3568958B2 (ru)
KR (1) KR100322524B1 (ru)
DE (2) DE69536005D1 (ru)
RU (1) RU2075135C1 (ru)
WO (1) WO1996021943A1 (ru)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5767627A (en) * 1997-01-09 1998-06-16 Trusi Technologies, Llc Plasma generation and plasma processing of materials
WO1998032161A1 (en) * 1997-01-16 1998-07-23 Asm America, Inc. Dual arm linear hand-off wafer transfer assembly
US6095582A (en) * 1998-03-11 2000-08-01 Trusi Technologies, Llc Article holders and holding methods
US6105534A (en) * 1996-05-31 2000-08-22 Ipec Precision, Inc. Apparatus for plasma jet treatment of substrates
US6139678A (en) * 1997-11-20 2000-10-31 Trusi Technologies, Llc Plasma processing methods and apparatus
US6168697B1 (en) 1998-03-10 2001-01-02 Trusi Technologies Llc Holders suitable to hold articles during processing and article processing methods
US6184060B1 (en) 1996-10-29 2001-02-06 Trusi Technologies Llc Integrated circuits and methods for their fabrication
US6261375B1 (en) 1999-05-19 2001-07-17 Tru-Si Technologies, Inc. Plasma processing methods and apparatus
US6318957B1 (en) * 1998-07-10 2001-11-20 Asm America, Inc. Method for handling of wafers with minimal contact
US6322903B1 (en) 1999-12-06 2001-11-27 Tru-Si Technologies, Inc. Package of integrated circuits and vertical integration
US6423923B1 (en) 2000-08-04 2002-07-23 Tru-Si Technologies, Inc. Monitoring and controlling separate plasma jets to achieve desired properties in a combined stream
US6467297B1 (en) 2000-10-12 2002-10-22 Jetek, Inc. Wafer holder for rotating and translating wafers
US6498074B2 (en) 1996-10-29 2002-12-24 Tru-Si Technologies, Inc. Thinning and dicing of semiconductor wafers using dry etch, and obtaining semiconductor chips with rounded bottom edges and corners
US6534921B1 (en) 2000-11-09 2003-03-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for removing residual metal-containing polymer material and ion implanted photoresist in atmospheric downstream plasma jet system
US6717254B2 (en) 2001-02-22 2004-04-06 Tru-Si Technologies, Inc. Devices having substrates with opening passing through the substrates and conductors in the openings, and methods of manufacture
US6749764B1 (en) 2000-11-14 2004-06-15 Tru-Si Technologies, Inc. Plasma processing comprising three rotational motions of an article being processed
US6848177B2 (en) 2002-03-28 2005-02-01 Intel Corporation Integrated circuit die and an electronic assembly having a three-dimensional interconnection scheme

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6882030B2 (en) 1996-10-29 2005-04-19 Tru-Si Technologies, Inc. Integrated circuit structures with a conductor formed in a through hole in a semiconductor substrate and protruding from a surface of the substrate
US6631935B1 (en) 2000-08-04 2003-10-14 Tru-Si Technologies, Inc. Detection and handling of semiconductor wafer and wafer-like objects
EP1233442B1 (en) * 2001-02-20 2009-10-14 Harmotec Corporation Non-contacting conveyance equipment
US6787916B2 (en) 2001-09-13 2004-09-07 Tru-Si Technologies, Inc. Structures having a substrate with a cavity and having an integrated circuit bonded to a contact pad located in the cavity
KR100464856B1 (ko) * 2002-11-07 2005-01-05 삼성전자주식회사 표면 식각 방법 및 실리콘 기판 이면 식각 방법.
US20070050128A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Garmin Ltd., A Cayman Islands Corporation Method and system for off-board navigation with a portable device
CN105364621B (zh) * 2015-11-20 2018-07-24 广东天机工业智能系统有限公司 智能机器手
RU2620452C1 (ru) * 2016-07-15 2017-05-25 Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике", ООО "НТЦ ТПТ" Способ и устройство переворота подложек в процессе производства фотопреобразователей

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0044567A1 (de) * 1980-07-23 1982-01-27 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur einseitigen Ätzung von Halbleiterscheiben
US4392915A (en) * 1982-02-16 1983-07-12 Eaton Corporation Wafer support system
DE3811068A1 (de) * 1988-03-31 1989-10-12 Telefunken Electronic Gmbh Verfahren zum einseitigen bearbeiten von flaechenhaft ausgedehnten koerpern, insbesondere von halbleiterscheiben und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
WO1992021220A1 (en) * 1991-05-24 1992-11-26 Opa (Overseas Publishers Association) Amsterdam, B.V. Apparatus for the treatment of a solid body

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3278796A (en) 1962-06-15 1966-10-11 Hitachi Ltd Magnetically controllable plasma flame generator
US4222345A (en) * 1978-11-30 1980-09-16 Optical Coating Laboratory, Inc. Vacuum coating apparatus with rotary motion assembly
JPS55134175A (en) 1979-04-06 1980-10-18 Hitachi Ltd Microwave plasma etching unit
US4343830A (en) * 1980-11-13 1982-08-10 Motorola, Inc. Method for improving the efficiency of solar cells having imperfections
JP2865690B2 (ja) * 1989-02-17 1999-03-08 株式会社日立製作所 嵌合挿入装置
JPH02312256A (ja) 1989-05-26 1990-12-27 Sumitomo Metal Ind Ltd ウエハ保持装置
DE4025659A1 (de) * 1990-08-14 1992-02-20 Leybold Ag Umlaufraedergetriebe mit einem raedersatz, insbesondere fuer vorrichtungen zum beschichten von substraten
JPH04124092A (ja) * 1990-09-14 1992-04-24 Hitachi Chem Co Ltd ダイヤモンドの気相合成方法およびその装置
JPH0757873B2 (ja) 1990-09-20 1995-06-21 宇部興産株式会社 スラリの加熱蒸発装置
US5204145A (en) * 1991-03-04 1993-04-20 General Electric Company Apparatus for producing diamonds by chemical vapor deposition and articles produced therefrom
JPH05179428A (ja) 1991-05-23 1993-07-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜形成装置
JPH04130187U (ja) * 1991-05-24 1992-11-30 日本電気株式会社 非接触チヤツク
JPH0533534A (ja) 1991-05-31 1993-02-09 Alpha:Kk シリンダ錠
JPH0538569A (ja) 1991-08-02 1993-02-19 Canon Inc 印刷配線板の自動はんだ付け装置
JPH0533534U (ja) * 1991-10-04 1993-04-30 住友金属工業株式会社 試料保持装置
JPH05138569A (ja) * 1991-11-13 1993-06-01 Hiroshi Akashi 無接触プレス
US5308461A (en) * 1992-01-14 1994-05-03 Honeywell Inc. Method to deposit multilayer films
JP3203754B2 (ja) * 1992-03-30 2001-08-27 住友電気工業株式会社 ダイヤモンドの製造法および製造装置
US5273588A (en) * 1992-06-15 1993-12-28 Materials Research Corporation Semiconductor wafer processing CVD reactor apparatus comprising contoured electrode gas directing means
US5820686A (en) * 1993-01-21 1998-10-13 Moore Epitaxial, Inc. Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors
US5613821A (en) * 1995-07-06 1997-03-25 Brooks Automation, Inc. Cluster tool batchloader of substrate carrier
US5708556A (en) * 1995-07-10 1998-01-13 Watkins Johnson Company Electrostatic chuck assembly
US5886864A (en) * 1996-12-02 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Substrate support member for uniform heating of a substrate
US6139678A (en) * 1997-11-20 2000-10-31 Trusi Technologies, Llc Plasma processing methods and apparatus
US6168697B1 (en) * 1998-03-10 2001-01-02 Trusi Technologies Llc Holders suitable to hold articles during processing and article processing methods
US6467297B1 (en) * 2000-10-12 2002-10-22 Jetek, Inc. Wafer holder for rotating and translating wafers

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0044567A1 (de) * 1980-07-23 1982-01-27 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur einseitigen Ätzung von Halbleiterscheiben
US4392915A (en) * 1982-02-16 1983-07-12 Eaton Corporation Wafer support system
DE3811068A1 (de) * 1988-03-31 1989-10-12 Telefunken Electronic Gmbh Verfahren zum einseitigen bearbeiten von flaechenhaft ausgedehnten koerpern, insbesondere von halbleiterscheiben und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
WO1992021220A1 (en) * 1991-05-24 1992-11-26 Opa (Overseas Publishers Association) Amsterdam, B.V. Apparatus for the treatment of a solid body

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP0807964A4 *

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6105534A (en) * 1996-05-31 2000-08-22 Ipec Precision, Inc. Apparatus for plasma jet treatment of substrates
US6420209B1 (en) 1996-10-29 2002-07-16 Tru-Si Technologies, Inc. Integrated circuits and methods for their fabrication
EP2270846A2 (en) 1996-10-29 2011-01-05 Tru-Si Technologies Inc. Integrated circuits and methods for their fabrication
EP2270845A2 (en) 1996-10-29 2011-01-05 Tru-Si Technologies Inc. Integrated circuits and methods for their fabrication
US6639303B2 (en) 1996-10-29 2003-10-28 Tru-Si Technolgies, Inc. Integrated circuits and methods for their fabrication
US6498074B2 (en) 1996-10-29 2002-12-24 Tru-Si Technologies, Inc. Thinning and dicing of semiconductor wafers using dry etch, and obtaining semiconductor chips with rounded bottom edges and corners
US6184060B1 (en) 1996-10-29 2001-02-06 Trusi Technologies Llc Integrated circuits and methods for their fabrication
US5767627A (en) * 1997-01-09 1998-06-16 Trusi Technologies, Llc Plasma generation and plasma processing of materials
US6183183B1 (en) 1997-01-16 2001-02-06 Asm America, Inc. Dual arm linear hand-off wafer transfer assembly
US6435809B2 (en) 1997-01-16 2002-08-20 Asm America, Inc. Dual arm linear hand-off wafer transfer assembly
WO1998032161A1 (en) * 1997-01-16 1998-07-23 Asm America, Inc. Dual arm linear hand-off wafer transfer assembly
US7179397B2 (en) 1997-11-20 2007-02-20 Tru-Si Technologies, Inc. Plasma processing methods and apparatus
US6323134B1 (en) 1997-11-20 2001-11-27 Tru-Si Technologies, Inc. Plasma processing methods and apparatus
US6139678A (en) * 1997-11-20 2000-10-31 Trusi Technologies, Llc Plasma processing methods and apparatus
US6627039B1 (en) 1997-11-20 2003-09-30 Tru-Si Technologies, Inc. Plasma processing methods and apparatus
US6168697B1 (en) 1998-03-10 2001-01-02 Trusi Technologies Llc Holders suitable to hold articles during processing and article processing methods
US6095582A (en) * 1998-03-11 2000-08-01 Trusi Technologies, Llc Article holders and holding methods
US6318957B1 (en) * 1998-07-10 2001-11-20 Asm America, Inc. Method for handling of wafers with minimal contact
US6287976B1 (en) 1999-05-19 2001-09-11 Tru-Si Technologies, Inc. Plasma processing methods and apparatus
US6261375B1 (en) 1999-05-19 2001-07-17 Tru-Si Technologies, Inc. Plasma processing methods and apparatus
US6322903B1 (en) 1999-12-06 2001-11-27 Tru-Si Technologies, Inc. Package of integrated circuits and vertical integration
US6541729B2 (en) 2000-08-04 2003-04-01 Tru-Si Technologies, Inc. Monitoring and controlling separate plasma jets to achieve desired properties in a combined stream
US6423923B1 (en) 2000-08-04 2002-07-23 Tru-Si Technologies, Inc. Monitoring and controlling separate plasma jets to achieve desired properties in a combined stream
US6467297B1 (en) 2000-10-12 2002-10-22 Jetek, Inc. Wafer holder for rotating and translating wafers
US6534921B1 (en) 2000-11-09 2003-03-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for removing residual metal-containing polymer material and ion implanted photoresist in atmospheric downstream plasma jet system
US6749764B1 (en) 2000-11-14 2004-06-15 Tru-Si Technologies, Inc. Plasma processing comprising three rotational motions of an article being processed
US6717254B2 (en) 2001-02-22 2004-04-06 Tru-Si Technologies, Inc. Devices having substrates with opening passing through the substrates and conductors in the openings, and methods of manufacture
US6848177B2 (en) 2002-03-28 2005-02-01 Intel Corporation Integrated circuit die and an electronic assembly having a three-dimensional interconnection scheme

Also Published As

Publication number Publication date
RU95100180A (ru) 1996-10-27
DE807964T1 (de) 1998-03-12
US6845733B1 (en) 2005-01-25
KR100322524B1 (ko) 2002-07-03
EP0807964A4 (en) 2002-05-22
EP0807964A1 (en) 1997-11-19
DE69536005D1 (de) 2009-10-29
EP0807964B1 (en) 2009-09-16
KR19980701318A (ko) 1998-05-15
RU2075135C1 (ru) 1997-03-10
JPH11502049A (ja) 1999-02-16
JP3568958B2 (ja) 2004-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO1996021943A1 (fr) Dispositif de traitement d&#39;elements plans au moyen d&#39;un jet de plasma
EP2404640B1 (en) Particle beam therapy apparatus and method for calibrating particle beam therapy apparatus
RU2687385C2 (ru) Способ и устройство для термохимического упрочнения деталей
US4831270A (en) Ion implantation apparatus
JP4472332B2 (ja) ロードロック用高速交換２重化基板移送
US7010388B2 (en) Work-piece treatment system having load lock and buffer
TWI392053B (zh) 在離子佈植機上進行多方向掃瞄的方法和設備
US9791778B2 (en) Liquid processing method, liquid processing apparatus and recording medium
KR100758298B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2004267481A5 (ru)
JP2009170740A (ja) 搬送装置
US20210121589A1 (en) Disinfection system for wood barrels
ES2249631T3 (es) Sistema para manipulacion de carga.
CN106605452A (zh) 粒子治疗系统、设备和射束输送方法
KR102344658B1 (ko) 마사지 헤드 및 이러한 헤드를 사용하는 마사지 장치
JP2004259734A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20120011798A (ko) 이온 공급 장치 및 이것을 구비한 피처리체의 처리 시스템
WO1996032742A1 (fr) Installation destinee au traitement par flux plasmiques de plaques
KR102505307B1 (ko) 살균로봇
WO1996032742A9 (en) Facility for treating flat articles with a plasma stream
KR20170070886A (ko) 기판 처리 장치 및 위치 안내 방법
US20130008601A1 (en) Systems and methods for oscillating exposure of a semiconductor workpiece to multiple chemistries
KR101753333B1 (ko) 제전용 지그 및 이를 이용한 기판 처리 장치 그리고 기판 처리 장치의 제전 방법
CN114788415A (zh) 具有位置控制的冷等离子体发生装置和冷等离子体发生阵列
KR102439963B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CA JP KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1019970704707

Country of ref document: KR

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2210130

Country of ref document: CA

Ref country code: CA

Ref document number: 2210130

Kind code of ref document: A

Format of ref document f/p: F

ENP Entry into the national phase

Ref country code: JP

Ref document number: 1996 521585

Kind code of ref document: A

Format of ref document f/p: F

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1995916875

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1995916875

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1019970704707

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 08860763

Country of ref document: US

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1019970704707

Country of ref document: KR