JP3568958B2 - プラズマジェットでウェーハを処理する装置 - Google Patents

プラズマジェットでウェーハを処理する装置 Download PDF

Info

Publication number
JP3568958B2
JP3568958B2 JP52158596A JP52158596A JP3568958B2 JP 3568958 B2 JP3568958 B2 JP 3568958B2 JP 52158596 A JP52158596 A JP 52158596A JP 52158596 A JP52158596 A JP 52158596A JP 3568958 B2 JP3568958 B2 JP 3568958B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma jet
wafer
holder
holders
vortex
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP52158596A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11502049A (ja
Inventor
マリコビッチ トクムリン,イスカンダー
ペトロビッチ バグリィ,イゴール
ミクハイロビッチ バラツ,ボリス
ブヤチェスラボビッチ シンヤジン,オレグ
ボリソビッチ ビロベツ,アレクセイ
ゲナディエビッチ シャムスフリン,ブバチェスラブ
ミクハイロビッチ アントロポブ,アレクサンドル
Original Assignee
サムスン エレクトロニクス カンパニー,リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by サムスン エレクトロニクス カンパニー,リミテッド filed Critical サムスン エレクトロニクス カンパニー,リミテッド
Publication of JPH11502049A publication Critical patent/JPH11502049A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3568958B2 publication Critical patent/JP3568958B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065Plasma etching; Reactive-ion etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

1.発明の背景
本発明はプラズマ技術に係わり、例えば半導体ウェーハ、基体、プリント回路基板、コンパクトディスクおよび他の製品のような平面的な部材を処理するときに電子および電気工学に使用できる。
2.関連技術の説明
プラズマ発生器と、その電源と、プラズマ発生器を移動させる装置と、サンプルを移動させる装置と、ガス分配装置と、制御装置とを含むプラズマ面の相互作用を研究する装置が知られている(第10回全連邦会議「低温プラズマ発生器」、第2部、ミンクス、ITMS出版、白ロシアソビエト社会主義共和国科学アカデミー、1986年、第135頁、クーリック・ピー・ピー氏他のレポートを参照されたい)。
この装置は多くの欠点を有している。
高速作動するローディング−アンローディング装置がないことは、時間の浪費であり、したがって処理すべきプレートサンプルを交換するときにプラズマ発生器のエネルギーが無駄になる。
幾つかのプレートサンプルを順次同時処理ができなければ、装置出力が低減する。
所定不変な指令サイクルによるサンプルの繰返し処理を禁止する複数の制御および測定手段が装置に存在するので、装置は純粋な研究装置となる。
まとめて考えれば、上述した全ての事柄は、装置が一連の製造を行う状況のもとで使用できないという事実に帰結する。
最も近い従来技術は、プラズマジェットでウェーハを処理する装置を開示した国際出願WO92/21220、H05H 1/40、1992年に記載されており、この装置はプラズマジェット発生器と、ガス供給手段と、処理すべきウェーハ用の一組のホルダーとを含み、前記ホルダーは、そのホルダー自体を回転移動して下方へ向いたプラズマジェットに対面させるようにするための駆動装置を有する回転テーブルの形に構造的に作られており、各々のホルダーは水平プラットホームの形に作られ、その中心を通る前記プラットホームの平面に直角な軸線のまわりに回転可能に装着されており、前記プラズマジェットおよびウェーハホルダーは座標の少なくとも一つの軸線方向において相対的に移動できるようになされて、互いに離接できるようになされている。
この装置に関係した主な欠点は、処理すべきウェーハのローディング−アンローディング時の手作業が多いため低生産性となることにある。さらに処理済ウェーハは、ホルダー内に接触固定される際に表面を損傷する可能性があるために、品質が劣る。
さらに、上から下へ向うプラズマジェットの方向は、プラズマ発生器がその作動時に発生された上昇する高温ガスによって過熱しないように冷却手段を採用する必要がある。
発明の概要
本発明によれば、プラズマジェットでウェーハを処理する装置が提供され、この装置はプラズマジェット発生器と、ガス供給手段と、処理すべきウェーハ用の一組のホルダーとを含む。ホルダーはウェーハを回転移動させて発生器のプラズマジェットに対面させる駆動装置を有しており、各ホルダーは水平プラットホームの形に作られてその幾何学的中心を通る該プラットホームの平面に直角な軸線のまわりを回転するようになされる。前記プラズマジェットおよび前記ウェーハホルダーは座標の少なくとも一つの軸線の方向に相対的に移動できるようになされており、またそれらは互いに離接できる。この装置は、マニピュレータと、処理すべきウェーハ用の保存装置と、ガス交換装置を有する閉じた室とをさらに含み、ウェーハホルダーおよびプラズマジェット発生器は前記室内に配置されて、プラズマジェットが前記ウェーハホルダーの位置決め用の水平プラットホーム平面に対して下から上へ向かって方向決めされている。閉じた室は窓を備えており、そこに可動シャッターが取付けられる。マニピュレータは前記保存装置と直接的に、また前記室の窓を通して前記ウェーハホルダーと間接的に接触するように配置される。ウェーハホルダーの各々は縁部にリミターを備えており、また少なくとも三つの渦室(冷却手段)および三つの接線チャンネルを備えた水平プラットホームを有していて、この渦室の軸線は前記水平プラットホームの平面に直角とされており、前記渦室の各々はウェーハホルダーの水平端面に位置された開放部分を有し、接線チャンネルを経て前記ガス供給手段に連結されており、形成された渦流がホルダー付近にウェーハの位置決めをし、その個々の面積の冷却を行うようになし、ウェーハ面にわたって処理に使用されるエネルギー量を均等化するようになす。ウェーハホルダープラットホームの前記リミターは、ウェーハホルダーの前記水平プラットホームの平面に対してα>90゜の角度で取付けられる棒として作られる。このようにすることにおいて、その長さlは、
2lsin(α>90゜)>Δ
となるように選定される。ここで、Δは前記保管庫内の処理済ウェーハの軸対称配置からの最大偏差を表す。
本発明により提案装置は以下の特徴により技術的作用効果が得られる。
(1)ホルダー用に一般的な回転駆動装置を備えた装置を準備し、前記装置が閉じた室の内部に取付けられ、またその作動機構が各ホルダーに連結されることで、装置の出力量は著しく増大した。
(2)処理すべきウェーハ用の保管庫(保存装置)を備えたマニピュレータの導入は、ウェーハのローディング−アンローディングに必要な時間の短縮をしながら処理能力をさらに向上させることができる。
(3)さらにウェーハホルダーを用い、このウェーハホルダーが少なくとも三つの渦室および三つの接線チャンネルを有し、前記渦室の軸線が水平プラットホームに直角であり、前記渦室の各々がガス供給手段に連結された接線チャンネルに連結されている。この構成により、ウェーハとホルダーとを接触せずにガス間隙を隔ててホルダーの近くに処理すべきウェーハを安定して位置決めでき、したがって接触痕(スクラッチ)が存在しないので処理品質のグレードアップを達成できる。
(4)渦室により形成された渦流がウェーハ面の各側でQ0=Q1+Q2
ここでQ0=定数:与えられた箇所のウェーハを加熱するエネルギー量
Q1:熱透過によりウェーハ面の与えられた箇所が受取るエネルギー量
Q2:与えられた箇所でウェーハ面の材料と相互作用することで利用できるエネルギー量
の条件を満たすことができるようホルダーに各渦室を配置しており、一層均等な、それ故に高品質な処理のウェーハを製造できるようにする。
これは、各渦室がガス渦を形成するとき、ウェーハをホルダー付近に位置決めするだけでなく、処理すべきウェーハの個々の面積部分の冷却も可能にする。処理方法において、処理すべきウェーハの表面上の異なる箇所は異なる温度状態に置かれるので、これら渦流に起因するエネルギー均衡により、ウェーハの全ての箇所でQ0を等しくさせる状態を確立できる。
ホルダーの水平プラットホームに対してα>90゜の角度で取付けられた棒状リミターをホルダーに使用し、その長さlが
2lsin(α>90゜)>Δ
となるように選定される。ここでΔは前記保管庫内のウェーハの軸対称配置からの最大偏差を表す。これにより追加の芯出し手段を使用せずにウェーハのローディング−アンローディング時に要求される精度が得られる。
【図面の簡単な説明】
本発明の他の目的および利点は、添付図面に関連させることにより以下の説明から明白となろう。図面において、
第1図は、プラズマジェットでウェーハを処理する装置を示す図、
第2図は、第1図の矢視A図破断、
第3図はホルダーの共通の回転駆動装置の作動機構の機能図、
第4図は、ウェーハホルダーを示す図、
第5図は、第4図の線5−5に沿うA−A断面図である。
本発明を実施する最良形態
第1図および第2図を参照すれば、プラズマジェットでウェーハを処理する装置が示されており、この装置は閉じた室1と、ガス交換装置2と、動力供給ユニット3と、ガス供給手段4と、制御装置5とを含む。閉じた室1は窓6を備えており、この窓の中に駆動装置8を備えた可動シャッター7が取付けられている。閉じた室1の内側には、底部9の上にプラズマジェット11の発生器10と、回転動駆動装置12とが配置されており、回転動駆動装置12は直立シャフト13を有し、該シャフトはホルダー14に連結されている。ホルダー14に対面するプラズマジェット11の発生器10は底部9上の高さ調整が可能な支持部15上に取付けられており、プラズマジェット11の軸線および各ホルダー14のそれぞれの軸線は回転動駆動装置12の直立シャフト13の軸線から等間隔となるようにされている。第4図を参照すれば、ホルダー14はリミター17を有する水平プラットホーム16の形に作られている。前記リミター17は、例えば円筒のような棒として作られている。第3図を参照するに、水平プラットホーム16はその軸線のまわりに駆動装置18によって、例えば作動機構19により順次に相互作用する歯車20,21,22およびプーリー23,24を介して回転するように設定されている。第4図および第5図に示されるように、水平プラットホーム16は渦室25を備えており、各渦室(25)はホルダー14の水平端面に位置された開放部分を有するとともに接線チャンネル26に連結されていて、接線チャンネル(26)は前記ガス供給手段4に連結されている。第1図には、閉じた室1の外側の底部9上にウェーハ29のマニピュレータ27および保管庫28が取付けられているのが示されている。
工業的応用例
この装置は以下のように作動する。
開始状態において、一つの保管庫28がウェーハ29を備えており、他の保管庫にはウェーハがない。
マニピュレータ27は保管庫28の内の最下ウェーハをグリップして、そのウェーハを窓6(シャッター7は駆動装置8により開放されている)に通して閉じた室1の内部へ移送するように作用する。
このとき、第1のホルダー14がローディング状態にある。マニピュレータ27はウェーハ29を第1ホルダー14の水平プラットホーム16の下方位置に運ぶ。
ガス供給手段4を切換えることによってホルダー14の渦室25,26内にガス渦流が発生され、ホルダー14のプラットホーム16の水平端面から約0.5〜1.0mmの距離の位置にウェーハ29を位置決め保持する。この時点で、マニピュレータ14はウェーハ29を解放する。ウェーハ(29)は装填される。これにより、次のウェーハが装填される。
実施例においてはここに示すように、プラズマジェットでウェーハを処理する装置は5つのウェーハホルダーを備えており、これらのウェーハホルダーは水平面内で互いに72゜の角度間隔で配置される。次のホルダーを装填領域へ送ることはホルダー14の回転移動装置12で行われる。
全てのホルダーが装填されたならば、マニピュレータ27は閉じた室1から引出されて、シャッター7は駆動装置8で閉じられる。必要なガスが室から供給される。
プラズマジェット11の発生器10は、処理すべきウェーハ29の面に対して製造に適した高さ位置に支持部15によって取付けられる。
駆動装置18の切換えによってホルダー14はウェーハ29と共にそれらの軸線のまわりに回転を開始する。同時に、制御装置5はウェーハ移動における運動を制御するのに使用される。プラズマジェット11の発生器10および回転移動駆動装置12は切換えられ、処理が実施される。
発生器10のプラズマジェット11にウェーハ29が所定回数接触した後、駆動装置12は制御装置5による予め定められたプログラムのもとで停止され、ホルダー14内のいずれのウェーハ29も発生器のプラズマジェットの作用領域内に位置しないようになされる。
その後、駆動装置18および発生器10はスイッチオフされる。
その後、このサイクルが次の一群のウェーハを使用して繰返される。
各種の変更が請求の範囲の欄に記載したような本発明の全体的な概念の精神および範囲から逸脱せずになし得る。

Claims (6)

  1. プラズマジェット発生器と、ガス供給手段と、処理すべきウェーハ用の一組のホルダーにして、前記ホルダーは該ホルダーを回転させて該ホルダーの各々 前記プラズマジェット発生からのプラズマジェットに対面させる駆動装置を有する、前記ホルダーと前記ホ ルダーと前記プラズマジェット発生器とを内部に収容し て、該プラズマジェット発生器からプラズマジェット が、該ホルダーの各々によって下方に面して保持されて いるウェーハに対して、上方に供給されるようになって いる閉じた室とを含む、プラズマジェットによってウェ ーハを処理する装置において、
    前記ホルダーの各々は、下方に向いた水平プラットホー ムを有し且つ前記ガス供給手段に連通された少なくとも 3個の渦室が該水平プラットホーム内に形成されてい て、協働するウェーハを保持し且つ位置決めするように されているとともに、前記水平プラットホームの平面に 対して90゜より大きな角度αで延びる棒状のリミターが 前記ホルダーの外周縁に備えられていることを特徴とす る装置。
  2. 前記プラズマジェット発生器は高さ調整可能な支持部上に装着されている、請求項1に記載の装置。
  3. 前記渦室の各々は、前記ガス供給手段と各 該渦室とを連通する接線チャンネルを有している、請求 項1に記載の装置。
  4. 前記ホルダーの各々は、その垂直軸線のま わりに回転可能である、請求項1に記載の装置。
  5. 前記リミターの長さlは、
    2l sinα>Δ
    で示され、ここでΔは処理されるウェーハの軸対称配置 からの最大偏差を表す、請求項1に記載の装置。
  6. 前記渦室は、ウェーハを冷却するための冷 却手段としても役立つ、請求項1に記載の装置。
JP52158596A 1995-01-13 1995-04-11 プラズマジェットでウェーハを処理する装置 Expired - Lifetime JP3568958B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU95100180 1995-01-13
RU9595100180A RU2075135C1 (ru) 1995-01-13 1995-01-13 Установка для плазмоструйной обработки пластин
PCT/RU1995/000063 WO1996021943A1 (fr) 1995-01-13 1995-04-11 Dispositif de traitement d'elements plans au moyen d'un jet de plasma

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11502049A JPH11502049A (ja) 1999-02-16
JP3568958B2 true JP3568958B2 (ja) 2004-09-22

Family

ID=20163778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP52158596A Expired - Lifetime JP3568958B2 (ja) 1995-01-13 1995-04-11 プラズマジェットでウェーハを処理する装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6845733B1 (ja)
EP (1) EP0807964B1 (ja)
JP (1) JP3568958B2 (ja)
KR (1) KR100322524B1 (ja)
DE (2) DE807964T1 (ja)
RU (1) RU2075135C1 (ja)
WO (1) WO1996021943A1 (ja)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6105534A (en) * 1996-05-31 2000-08-22 Ipec Precision, Inc. Apparatus for plasma jet treatment of substrates
EP0948808A4 (en) 1996-10-29 2000-05-10 Trusi Technologies Llc INTEGRATED CIRCUITS AND MANUFACTURING METHODS THEREOF
US6498074B2 (en) 1996-10-29 2002-12-24 Tru-Si Technologies, Inc. Thinning and dicing of semiconductor wafers using dry etch, and obtaining semiconductor chips with rounded bottom edges and corners
US6882030B2 (en) 1996-10-29 2005-04-19 Tru-Si Technologies, Inc. Integrated circuit structures with a conductor formed in a through hole in a semiconductor substrate and protruding from a surface of the substrate
US5767627A (en) * 1997-01-09 1998-06-16 Trusi Technologies, Llc Plasma generation and plasma processing of materials
US6183183B1 (en) 1997-01-16 2001-02-06 Asm America, Inc. Dual arm linear hand-off wafer transfer assembly
US6139678A (en) 1997-11-20 2000-10-31 Trusi Technologies, Llc Plasma processing methods and apparatus
US6168697B1 (en) 1998-03-10 2001-01-02 Trusi Technologies Llc Holders suitable to hold articles during processing and article processing methods
US6095582A (en) * 1998-03-11 2000-08-01 Trusi Technologies, Llc Article holders and holding methods
US6318957B1 (en) * 1998-07-10 2001-11-20 Asm America, Inc. Method for handling of wafers with minimal contact
US6287976B1 (en) 1999-05-19 2001-09-11 Tru-Si Technologies, Inc. Plasma processing methods and apparatus
US6467297B1 (en) 2000-10-12 2002-10-22 Jetek, Inc. Wafer holder for rotating and translating wafers
US6322903B1 (en) 1999-12-06 2001-11-27 Tru-Si Technologies, Inc. Package of integrated circuits and vertical integration
US6423923B1 (en) 2000-08-04 2002-07-23 Tru-Si Technologies, Inc. Monitoring and controlling separate plasma jets to achieve desired properties in a combined stream
US6631935B1 (en) 2000-08-04 2003-10-14 Tru-Si Technologies, Inc. Detection and handling of semiconductor wafer and wafer-like objects
US6534921B1 (en) 2000-11-09 2003-03-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for removing residual metal-containing polymer material and ion implanted photoresist in atmospheric downstream plasma jet system
US6749764B1 (en) * 2000-11-14 2004-06-15 Tru-Si Technologies, Inc. Plasma processing comprising three rotational motions of an article being processed
EP1233442B1 (en) 2001-02-20 2009-10-14 Harmotec Corporation Non-contacting conveyance equipment
US6717254B2 (en) 2001-02-22 2004-04-06 Tru-Si Technologies, Inc. Devices having substrates with opening passing through the substrates and conductors in the openings, and methods of manufacture
US6787916B2 (en) 2001-09-13 2004-09-07 Tru-Si Technologies, Inc. Structures having a substrate with a cavity and having an integrated circuit bonded to a contact pad located in the cavity
US6848177B2 (en) 2002-03-28 2005-02-01 Intel Corporation Integrated circuit die and an electronic assembly having a three-dimensional interconnection scheme
KR100464856B1 (ko) * 2002-11-07 2005-01-05 삼성전자주식회사 표면 식각 방법 및 실리콘 기판 이면 식각 방법.
US20070050128A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Garmin Ltd., A Cayman Islands Corporation Method and system for off-board navigation with a portable device
CN105364621B (zh) * 2015-11-20 2018-07-24 广东天机工业智能系统有限公司 智能机器手
RU2620452C1 (ru) * 2016-07-15 2017-05-25 Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике", ООО "НТЦ ТПТ" Способ и устройство переворота подложек в процессе производства фотопреобразователей

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3278796A (en) 1962-06-15 1966-10-11 Hitachi Ltd Magnetically controllable plasma flame generator
US4222345A (en) * 1978-11-30 1980-09-16 Optical Coating Laboratory, Inc. Vacuum coating apparatus with rotary motion assembly
JPS55134175A (en) 1979-04-06 1980-10-18 Hitachi Ltd Microwave plasma etching unit
DE3027934A1 (de) * 1980-07-23 1982-02-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur einseitigen aetzung von halbleiterscheiben
US4343830A (en) * 1980-11-13 1982-08-10 Motorola, Inc. Method for improving the efficiency of solar cells having imperfections
US4392915A (en) * 1982-02-16 1983-07-12 Eaton Corporation Wafer support system
DE3811068C2 (de) * 1988-03-31 1995-07-20 Telefunken Microelectron Vorrichtung zum einseitigen Bearbeiten von flächenhaft ausgedehnten Körpern, insbesondere von Halbleiterscheiben
JP2865690B2 (ja) * 1989-02-17 1999-03-08 株式会社日立製作所 嵌合挿入装置
JPH02312256A (ja) 1989-05-26 1990-12-27 Sumitomo Metal Ind Ltd ウエハ保持装置
DE4025659A1 (de) * 1990-08-14 1992-02-20 Leybold Ag Umlaufraedergetriebe mit einem raedersatz, insbesondere fuer vorrichtungen zum beschichten von substraten
JPH04124092A (ja) * 1990-09-14 1992-04-24 Hitachi Chem Co Ltd ダイヤモンドの気相合成方法およびその装置
JPH0757873B2 (ja) 1990-09-20 1995-06-21 宇部興産株式会社 スラリの加熱蒸発装置
US5204145A (en) * 1991-03-04 1993-04-20 General Electric Company Apparatus for producing diamonds by chemical vapor deposition and articles produced therefrom
JPH05179428A (ja) 1991-05-23 1993-07-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜形成装置
JPH04130187U (ja) * 1991-05-24 1992-11-30 日本電気株式会社 非接触チヤツク
RU2030811C1 (ru) 1991-05-24 1995-03-10 Инженерный центр "Плазмодинамика" Установка для плазменной обработки твердого тела
JPH0533534A (ja) 1991-05-31 1993-02-09 Alpha:Kk シリンダ錠
JPH0538569A (ja) 1991-08-02 1993-02-19 Canon Inc 印刷配線板の自動はんだ付け装置
JPH0533534U (ja) * 1991-10-04 1993-04-30 住友金属工業株式会社 試料保持装置
JPH05138569A (ja) * 1991-11-13 1993-06-01 Hiroshi Akashi 無接触プレス
US5308461A (en) * 1992-01-14 1994-05-03 Honeywell Inc. Method to deposit multilayer films
JP3203754B2 (ja) * 1992-03-30 2001-08-27 住友電気工業株式会社 ダイヤモンドの製造法および製造装置
US5273588A (en) * 1992-06-15 1993-12-28 Materials Research Corporation Semiconductor wafer processing CVD reactor apparatus comprising contoured electrode gas directing means
US5820686A (en) * 1993-01-21 1998-10-13 Moore Epitaxial, Inc. Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors
US5613821A (en) * 1995-07-06 1997-03-25 Brooks Automation, Inc. Cluster tool batchloader of substrate carrier
TW286414B (en) * 1995-07-10 1996-09-21 Watkins Johnson Co Electrostatic chuck assembly
US5886864A (en) * 1996-12-02 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Substrate support member for uniform heating of a substrate
US6139678A (en) * 1997-11-20 2000-10-31 Trusi Technologies, Llc Plasma processing methods and apparatus
US6168697B1 (en) * 1998-03-10 2001-01-02 Trusi Technologies Llc Holders suitable to hold articles during processing and article processing methods
US6467297B1 (en) * 2000-10-12 2002-10-22 Jetek, Inc. Wafer holder for rotating and translating wafers

Also Published As

Publication number Publication date
EP0807964B1 (en) 2009-09-16
US6845733B1 (en) 2005-01-25
DE807964T1 (de) 1998-03-12
EP0807964A1 (en) 1997-11-19
KR100322524B1 (ko) 2002-07-03
RU2075135C1 (ru) 1997-03-10
EP0807964A4 (en) 2002-05-22
WO1996021943A1 (fr) 1996-07-18
RU95100180A (ru) 1996-10-27
KR19980701318A (ko) 1998-05-15
DE69536005D1 (de) 2009-10-29
JPH11502049A (ja) 1999-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3568958B2 (ja) プラズマジェットでウェーハを処理する装置
JP2596422B2 (ja) プラズマ・エッチング装置
US8757180B2 (en) Substrate processing apparatus
JP2812642B2 (ja) ウエハ整列機
KR19980033262A (ko) 기판처리장치 및 방법
KR100516553B1 (ko) 다단가열판식 열처리장치
JP3559139B2 (ja) 基板処理装置
JPH09162263A (ja) 基板処理装置及びこれに用いる基板搬送装置
JP2000042952A (ja) 搬送装置及び搬送方法
JP3623685B2 (ja) 熱処理装置
JPH05198659A (ja) プラズマ処理装置
CA2210130C (en) Device for treating planar elements with a plasma jet
JPH01117022A (ja) 半導体ウェーハの縦型熱処理装置
JP2649568B2 (ja) 加熱装置
JP2004085126A (ja) 真空熱処理炉
JPH01251616A (ja) アッシャー
CN116575129B (zh) 一种半导体晶圆制备用高效控温批量式立式炉
HU179994B (en) Equipment for high temperature surface treating dielectric work pieces of straight generatrix
JP3878829B2 (ja) 段付き軸状ワーク用高周波加熱装置
JPS61226939A (ja) ウエ−ハ移替装置
JPH04120724A (ja) 縦型熱処理装置
JPH0660397B2 (ja) 真空槽内における基板交換装置
KR200159498Y1 (ko) 웨이퍼가공장치 베이크유니트의 핀구동장치
JPH02187015A (ja) 加熱装置
JPH10335200A (ja) 基板熱処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040608

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040617

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080625

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090625

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100625

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100625

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110625

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110625

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120625

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term