JP2649568B2 - 加熱装置 - Google Patents
加熱装置Info
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- JP2649568B2 JP2649568B2 JP1015237A JP1523789A JP2649568B2 JP 2649568 B2 JP2649568 B2 JP 2649568B2 JP 1015237 A JP1015237 A JP 1015237A JP 1523789 A JP1523789 A JP 1523789A JP 2649568 B2 JP2649568 B2 JP 2649568B2
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- Japan
- Prior art keywords
- plate heater
- processed
- heat treatment
- semiconductor substrate
- heat
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は加熱装置に関する。
（従来の技術） 加熱装置、たとえば半導体製造における加熱処理工程
において用いられる加熱装置では、次のようなものがあ
る。
において用いられる加熱装置では、次のようなものがあ
る。
すなわち、半導体基板を載置するプレートヒータを有
する下部ハウジングを、上部ハウジングに当接させて処
理室を構成し、上記半導体基板を加熱処理するものであ
る。
する下部ハウジングを、上部ハウジングに当接させて処
理室を構成し、上記半導体基板を加熱処理するものであ
る。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記のような加熱装置では、プレート
ヒータの温度はそのままで、半導体基板がプレートヒー
タ上にあるため輻射熱により半導体基板が加熱条件のま
まとなり、オーバーベーク（所定時間以上の加熱）とな
る。そのため、半導体基板がオーバーベークされないよ
うに、加熱処理後は半導体基板を早急に加熱装置から搬
出しなければならなかった。
ヒータの温度はそのままで、半導体基板がプレートヒー
タ上にあるため輻射熱により半導体基板が加熱条件のま
まとなり、オーバーベーク（所定時間以上の加熱）とな
る。そのため、半導体基板がオーバーベークされないよ
うに、加熱処理後は半導体基板を早急に加熱装置から搬
出しなければならなかった。
また、プレートヒータの熱により周囲の下部ハウジン
グまで高温になってしまうので、他の同様な加熱処理室
を並置すると、相互の加熱処理室間の熱伝導の影響で、
適切な温度で加熱処理できないなどの問題があった。
グまで高温になってしまうので、他の同様な加熱処理室
を並置すると、相互の加熱処理室間の熱伝導の影響で、
適切な温度で加熱処理できないなどの問題があった。
本発明はこのような問題を解決すべくなされたもの
で、その目的とするところは、加熱処理後に加熱装置内
に半導体基板などの被処理体を残留させても被処理体が
オーバーベークされることはなく、また、複数の処理室
を並置して同時に複数の被処理体を加熱処理することが
可能な加熱装置を提供することにある。
で、その目的とするところは、加熱処理後に加熱装置内
に半導体基板などの被処理体を残留させても被処理体が
オーバーベークされることはなく、また、複数の処理室
を並置して同時に複数の被処理体を加熱処理することが
可能な加熱装置を提供することにある。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 前記目的を達成するために本発明は、被処理体を加熱
するプレートヒータと、 このプレートヒータによる前記被処理体の加熱処理終
了後、前記被処理体を前記プレートヒータから離間した
状態で保持する保持手段と、 前記プレートヒータの周囲に上下動自在に設けられ、
当該プレートヒータの上部に外部と仕切られた処理空間
を形成する開閉可能な仕切り部材と、 前記仕切り部材が閉じられ、前記処理空間において前
記被処理体の加熱処理を行う際に、前記仕切り部材の外
側にクリーンエアーを流通させて前記処理空間の外側を
冷却するとともに、前記仕切り部材が開けられ、前記保
持手段によって前記被処理体が保持されている際に、前
記処理空間内にクリーンエアーを流通させて前記被処理
体を冷却する冷却手段と を具備したことを特徴とする。
するプレートヒータと、 このプレートヒータによる前記被処理体の加熱処理終
了後、前記被処理体を前記プレートヒータから離間した
状態で保持する保持手段と、 前記プレートヒータの周囲に上下動自在に設けられ、
当該プレートヒータの上部に外部と仕切られた処理空間
を形成する開閉可能な仕切り部材と、 前記仕切り部材が閉じられ、前記処理空間において前
記被処理体の加熱処理を行う際に、前記仕切り部材の外
側にクリーンエアーを流通させて前記処理空間の外側を
冷却するとともに、前記仕切り部材が開けられ、前記保
持手段によって前記被処理体が保持されている際に、前
記処理空間内にクリーンエアーを流通させて前記被処理
体を冷却する冷却手段と を具備したことを特徴とする。
（作 用） 本発明では、加熱処理中は、プレートヒータによって
被処理体は排気口への不活性ガス流通状態で加熱処理さ
れる。予め定められた加熱期間終了後保持手段によっ
て、上記プレートヒータおよび上記被処理体は相対的に
移動されて離間されてこの被処理体は保持される。そし
て、この保持された状態で冷却手段によってクリーンエ
アが流通されて被処理体は冷却されるので、プレートヒ
ータの輻射熱によって被処理体がオーバーベークされる
ことはない。
被処理体は排気口への不活性ガス流通状態で加熱処理さ
れる。予め定められた加熱期間終了後保持手段によっ
て、上記プレートヒータおよび上記被処理体は相対的に
移動されて離間されてこの被処理体は保持される。そし
て、この保持された状態で冷却手段によってクリーンエ
アが流通されて被処理体は冷却されるので、プレートヒ
ータの輻射熱によって被処理体がオーバーベークされる
ことはない。
（実施例） 以下図面に基づいて本発明装置を半導体ウエハなどの
基板のベーキング処理を行なうベーキング装置に適用し
た一実施例を詳細に説明する。
基板のベーキング処理を行なうベーキング装置に適用し
た一実施例を詳細に説明する。
このベーキング装置は次のように構成される。
図示しない昇降装置に、表面が例えば硬質アルマイト
処理されたプレートヒータ１が水平に連結され、プレー
トヒータ１の上面周辺部には断熱部材２が設けられる。
プレートヒータ１の下方で、装置本体に設けられた底板
３には、保持手段たとえば、プレートヒータ１を鉛直方
向に貫通可能な３本１組の装置ピン５が支持面で形成さ
れる如く立設される。底板３の周囲には、排気量調節用
のダンパー（図示せず）を有し、排気装置６に連結され
た角パイプ状の排気ダクト７が設けられる。排気ダクト
７の内側面には下部通気口９が設けられる。排気ダクト
７上面の、後述するウエハ出入口とは反対側には、通気
口11が設けられ、さらにその上部に、通気口11への気体
の流入を促進する整流ガイド板12が設けられる。
処理されたプレートヒータ１が水平に連結され、プレー
トヒータ１の上面周辺部には断熱部材２が設けられる。
プレートヒータ１の下方で、装置本体に設けられた底板
３には、保持手段たとえば、プレートヒータ１を鉛直方
向に貫通可能な３本１組の装置ピン５が支持面で形成さ
れる如く立設される。底板３の周囲には、排気量調節用
のダンパー（図示せず）を有し、排気装置６に連結され
た角パイプ状の排気ダクト７が設けられる。排気ダクト
７の内側面には下部通気口９が設けられる。排気ダクト
７上面の、後述するウエハ出入口とは反対側には、通気
口11が設けられ、さらにその上部に、通気口11への気体
の流入を促進する整流ガイド板12が設けられる。
上記断熱部材２には排気ダクト７の内側面に鉛直方向
に摺動可能であって、上記下部通気口９を遮断可能なシ
ャッター部材13が連結される。シャッター部材13の上面
には通気口15が設けられる。
に摺動可能であって、上記下部通気口９を遮断可能なシ
ャッター部材13が連結される。シャッター部材13の上面
には通気口15が設けられる。
プレートヒータ１の上方には、下面に通気口17を有す
る断熱カバー19が装置本体（図示せず）に固設される。
断熱カバー19は排気装置21に連結される。断熱カバー19
の下面には、通気口17に重なる通気口23を有し、断熱部
材２と当接可能なシリンダ状の断熱室25が、プレートヒ
ータ１に対向されて設けられる。
る断熱カバー19が装置本体（図示せず）に固設される。
断熱カバー19は排気装置21に連結される。断熱カバー19
の下面には、通気口17に重なる通気口23を有し、断熱部
材２と当接可能なシリンダ状の断熱室25が、プレートヒ
ータ１に対向されて設けられる。
これら断熱カバー19および断熱室25は、装置本体（図
示せず）に固設された筐体状のカバー27によって、カバ
ー27の下面に断熱室25が嵌合される状態で包囲される。
カバー27の上面には通気口29が設けられる。カバー27の
下面はシャッター部材13の上面に当接可能で、通気口15
に重なる通気口31を有する。カバー27の下面とシャッタ
ー部材13の上面とが隔離されると、所定方向（図中左
側）に半導体基板を搬入搬出する基板出入口33が形成さ
れる。上記通気口29と上記基板出入口33には、冷却手段
例えばクリーンエア供給装置35から供給されるクリーン
エアが選択的に流入可能である。
示せず）に固設された筐体状のカバー27によって、カバ
ー27の下面に断熱室25が嵌合される状態で包囲される。
カバー27の上面には通気口29が設けられる。カバー27の
下面はシャッター部材13の上面に当接可能で、通気口15
に重なる通気口31を有する。カバー27の下面とシャッタ
ー部材13の上面とが隔離されると、所定方向（図中左
側）に半導体基板を搬入搬出する基板出入口33が形成さ
れる。上記通気口29と上記基板出入口33には、冷却手段
例えばクリーンエア供給装置35から供給されるクリーン
エアが選択的に流入可能である。
次にこの加熱装置の動作について説明する。
まず、搬送ロボット（図示せず）によって半導体基板
51が、基板出入口33を通って載置ピン５上に搬入される
（第１図）。続いて、昇降装置（図示せず）によってプ
レートヒータ１が上昇され、半導体基板51はプレートヒ
ータ１上に載置される（第２図）。なお、上記半導体基
板51を必要に応じてヒータ51面からわずかに離間するこ
とにより半導体基板51へのゴミの付着を回避できる。こ
れと同時に断熱部材２が、断熱室25の下端面に当接さ
れ、処理室が構成される。なお、プレートヒータ１は、
あらかじめ図示しない加熱制御装置によって所定温度た
とえば200℃に保たれている。
51が、基板出入口33を通って載置ピン５上に搬入される
（第１図）。続いて、昇降装置（図示せず）によってプ
レートヒータ１が上昇され、半導体基板51はプレートヒ
ータ１上に載置される（第２図）。なお、上記半導体基
板51を必要に応じてヒータ51面からわずかに離間するこ
とにより半導体基板51へのゴミの付着を回避できる。こ
れと同時に断熱部材２が、断熱室25の下端面に当接さ
れ、処理室が構成される。なお、プレートヒータ１は、
あらかじめ図示しない加熱制御装置によって所定温度た
とえば200℃に保たれている。
その後所定時間、半導体基板51はプレートヒータ１に
載置された状態で加熱される。なお、加熱処理中は、図
示しない不活性ガス例えば窒素ガス供給装置から処理室
内に窒素ガスが吹き込まれることにより、半導体基板は
不活性ガス雰囲気におかれるとともに、処理中に半導体
基板上のレジストなどから生じるアウトガスや余分の窒
素ガスは、断熱カバー19から排出される。
載置された状態で加熱される。なお、加熱処理中は、図
示しない不活性ガス例えば窒素ガス供給装置から処理室
内に窒素ガスが吹き込まれることにより、半導体基板は
不活性ガス雰囲気におかれるとともに、処理中に半導体
基板上のレジストなどから生じるアウトガスや余分の窒
素ガスは、断熱カバー19から排出される。
上記の加熱処理中は、クリーンエア供給装置35から供
給されるクリーンエアが、通気口29からカバー27内に流
入される。流入されたクリーンエアは、通気口31、15を
通って、さらに下部通気口９を通って排気ダクト７から
外部へ排出される。このクリーンエアの流通により、処
理室の周辺は空冷されるので、処理室の周辺たとえば底
板３、カバー27などがプレートヒータ１からの熱によっ
て高温たとえば50℃以上になることはない。
給されるクリーンエアが、通気口29からカバー27内に流
入される。流入されたクリーンエアは、通気口31、15を
通って、さらに下部通気口９を通って排気ダクト７から
外部へ排出される。このクリーンエアの流通により、処
理室の周辺は空冷されるので、処理室の周辺たとえば底
板３、カバー27などがプレートヒータ１からの熱によっ
て高温たとえば50℃以上になることはない。
次に、加熱処理後は、昇降装置（図示せず）によって
プレートヒータ１が下降され、半導体基板51は載置ピン
５上に載置される。このとき断熱部材２が、断熱室25の
下端面から隔離され、基板出入口33が形成される。同時
にシャッター部材13も下降されることにより、下部通気
口９は遮蔽され、一方、通気口11は外部に解放される。
プレートヒータ１が下降され、半導体基板51は載置ピン
５上に載置される。このとき断熱部材２が、断熱室25の
下端面から隔離され、基板出入口33が形成される。同時
にシャッター部材13も下降されることにより、下部通気
口９は遮蔽され、一方、通気口11は外部に解放される。
そして、クリーンエア供給装置35から供給されるクリ
ーンエアは基板出入口33から流入され、載置ピン５に保
持された半導体基板51の雰囲気を通って通気口11へ流入
し、排気ダクト７から外部へ排出される。したがって、
加熱処理後は半導体基板51はクリーンエアの流通によっ
てすみやかに空冷され（ちなみに半導体基盤51を200℃
に加熱処理した１分後には、半導体基盤51の温度を30℃
にまで冷却可能であった。）、大気空冷より速い速度で
の冷却効果が認められ、プレートヒータ１の輻射熱によ
ってオーバーベークされることはないことが実証され
た。
ーンエアは基板出入口33から流入され、載置ピン５に保
持された半導体基板51の雰囲気を通って通気口11へ流入
し、排気ダクト７から外部へ排出される。したがって、
加熱処理後は半導体基板51はクリーンエアの流通によっ
てすみやかに空冷され（ちなみに半導体基盤51を200℃
に加熱処理した１分後には、半導体基盤51の温度を30℃
にまで冷却可能であった。）、大気空冷より速い速度で
の冷却効果が認められ、プレートヒータ１の輻射熱によ
ってオーバーベークされることはないことが実証され
た。
以上詳細に説明したように本実施例によれば、加熱処
理後に加熱装置内に半導体基板などの非処理体を残留さ
せても非処理体がオーバーベークされることはない。
理後に加熱装置内に半導体基板などの非処理体を残留さ
せても非処理体がオーバーベークされることはない。
また、加熱処理中はクリーンエア供給装置から供給さ
れるクリーンエアの気流により、処理室の周辺は空冷さ
れ、処理室の周囲がプレートヒータからの熱によって高
温になることはないので、同様な加熱処理室を複数並置
しても（図示せず）、相互の加熱処理室間の熱伝導の影
響はなく、いずれの処理室も適切な温度で加熱処理する
ことができる。すなわち、複数の処理室を並置して同時
に複数の被処理体を加熱処理することが可能な加熱装置
を提供することができる。
れるクリーンエアの気流により、処理室の周辺は空冷さ
れ、処理室の周囲がプレートヒータからの熱によって高
温になることはないので、同様な加熱処理室を複数並置
しても（図示せず）、相互の加熱処理室間の熱伝導の影
響はなく、いずれの処理室も適切な温度で加熱処理する
ことができる。すなわち、複数の処理室を並置して同時
に複数の被処理体を加熱処理することが可能な加熱装置
を提供することができる。
上記実施例では半導体基板などのベーキング処理をす
るベーキング装置に適用した例について説明したが、被
処理体を加熱処理する装置であれば何れにも適用可能で
ある。
るベーキング装置に適用した例について説明したが、被
処理体を加熱処理する装置であれば何れにも適用可能で
ある。
［発明の効果］ 以上詳細に説明したように本発明によれば、加熱処理
後に加熱装置内に半導体基板などの非処理体を残留させ
ても被処理体がオーバーベークされることはなく、ま
た、複数の処理室を並列して同時に複数の被処理体を加
熱処理することが可能な加熱装置を提供することができ
る。
後に加熱装置内に半導体基板などの非処理体を残留させ
ても被処理体がオーバーベークされることはなく、ま
た、複数の処理室を並列して同時に複数の被処理体を加
熱処理することが可能な加熱装置を提供することができ
る。
第１図は本発明装置の実施例のベーキング装置の要部の
加熱処理前後の状態を示す図、第２図は第１図に示すベ
ーキング装置の要部の加熱処理中の状態を示す図であ
る。 １……プレートヒータ ２……断熱部材 ５……載置ピン ６……排気装置 ７……断熱カバー ９……下部通気口 11、15、29、31……通気口 13……シャッター部材 35……クリーンエア供給装置 51……半導体基板
加熱処理前後の状態を示す図、第２図は第１図に示すベ
ーキング装置の要部の加熱処理中の状態を示す図であ
る。 １……プレートヒータ ２……断熱部材 ５……載置ピン ６……排気装置 ７……断熱カバー ９……下部通気口 11、15、29、31……通気口 13……シャッター部材 35……クリーンエア供給装置 51……半導体基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 義雄 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 テ ル九州株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−187015（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−78528（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】被処理体を加熱するプレートヒータと、 このプレートヒータによる前記被処理体の加熱処理終了
後、前記被処理体を前記プレートヒータから離間した状
態で保持する保持手段と、 前記プレートヒータの周囲に上下動自在に設けられ、当
該プレートヒータの上部に外部と仕切られた処理空間を
形成する開閉可能な仕切り部材と、 前記仕切り部材が閉じられ、前記処理空間において前記
被処理体の加熱処理を行う際に、前記仕切り部材の外側
にクリーンエアーを流通させて前記処理空間の外側を冷
却するとともに、前記仕切り部材が開けられ、前記保持
手段によって前記被処理体が保持されている際に、前記
処理空間内にクリーンエアーを流通させて前記被処理体
を冷却する冷却手段と を具備したことを特徴とする加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1015237A JP2649568B2 (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | 加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1015237A JP2649568B2 (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | 加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02196416A JPH02196416A (ja) | 1990-08-03 |
| JP2649568B2 true JP2649568B2 (ja) | 1997-09-03 |
Family
ID=11883263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1015237A Expired - Lifetime JP2649568B2 (ja) | 1989-01-25 | 1989-01-25 | 加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2649568B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0745044U (ja) * | 1995-05-18 | 1995-12-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 多段式基板加熱装置 |
| JP4021139B2 (ja) * | 1999-09-30 | 2007-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置及び加熱処理方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6378528A (ja) * | 1986-09-20 | 1988-04-08 | Fujitsu Ltd | ウエハベ−ク装置 |
-
1989
- 1989-01-25 JP JP1015237A patent/JP2649568B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02196416A (ja) | 1990-08-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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