JP2965163B2 - 加熱装置 - Google Patents
加熱装置Info
- Publication number
- JP2965163B2 JP2965163B2 JP1266813A JP26681389A JP2965163B2 JP 2965163 B2 JP2965163 B2 JP 2965163B2 JP 1266813 A JP1266813 A JP 1266813A JP 26681389 A JP26681389 A JP 26681389A JP 2965163 B2 JP2965163 B2 JP 2965163B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hot plate
- semiconductor wafer
- processed
- exhaust
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、加熱装置に関する。
（従来の技術） 一般に加熱装置は、被処理体の加熱処理工程、例えば
半導体デバイス製造における半導体ウエハ等の加熱処理
工程等において用いられている。例えば半導体ウエハに
微細な回路パターンを転写する場合、フォトリソグラフ
ィー技術が用いられるが、このフォトリソグラフィー工
程において、例えばフォトレジストを塗布した半導体ウ
エハの加熱等に加熱装置が用いられている。
半導体デバイス製造における半導体ウエハ等の加熱処理
工程等において用いられている。例えば半導体ウエハに
微細な回路パターンを転写する場合、フォトリソグラフ
ィー技術が用いられるが、このフォトリソグラフィー工
程において、例えばフォトレジストを塗布した半導体ウ
エハの加熱等に加熱装置が用いられている。
このような加熱装置では、例えば熱源として抵抗加熱
ヒータを有する熱板等が用いられる。そして、処理室内
に配設された熱板上に半導体ウエハを直接載置あるいは
プロキシミティーギャップ等と称される微少間隔を設け
て近接して配置し、伝導あるいは輻射によりこの半導体
ウエハを加熱する。
ヒータを有する熱板等が用いられる。そして、処理室内
に配設された熱板上に半導体ウエハを直接載置あるいは
プロキシミティーギャップ等と称される微少間隔を設け
て近接して配置し、伝導あるいは輻射によりこの半導体
ウエハを加熱する。
また、上記熱板には、搬入・搬出時に熱板上に半導体
ウエハを支持し、搬送装置等との受け渡しを行うための
複数例えば３本のピンを備えたものが多い。さらに、加
熱処理後、高温となった半導体ウエハをこれらのピン上
に支持し、この状態で排気を実施することにより、処理
室内に半導体ウエハとほぼ平行する気流を形成し、この
気流により半導体ウエハを冷却するよう構成された加熱
装置がある。
ウエハを支持し、搬送装置等との受け渡しを行うための
複数例えば３本のピンを備えたものが多い。さらに、加
熱処理後、高温となった半導体ウエハをこれらのピン上
に支持し、この状態で排気を実施することにより、処理
室内に半導体ウエハとほぼ平行する気流を形成し、この
気流により半導体ウエハを冷却するよう構成された加熱
装置がある。
（発明が解決しようとする課題） 上述したように従来の加熱装置では、所定の加熱処理
が終了した後、ピン上に被処理体例えば半導体ウエハを
載置し、この状態で排気を実施することにより、排気に
伴なう気流によって半導体ウエハを空冷する。
が終了した後、ピン上に被処理体例えば半導体ウエハを
載置し、この状態で排気を実施することにより、排気に
伴なう気流によって半導体ウエハを空冷する。
しかしながら、このような加熱装置では、半導体ウエ
ハを空冷するための気流により、熱板が冷却されてしま
い、熱板の温度降下が生じるとともに、この気流の流れ
方向に沿って熱板に温度勾配が生じる。
ハを空冷するための気流により、熱板が冷却されてしま
い、熱板の温度降下が生じるとともに、この気流の流れ
方向に沿って熱板に温度勾配が生じる。
ところが、熱板はその温度均一性を高めるため、温度
変動し難いよう熱容量が大きく設定されているので、一
旦冷却されてしまうと、例えば0.5〜1.0℃程度の温度降
下を回復するために長時間例えば30〜60秒程度かかる。
このため、次の半導体ウエハの処理時に処理温度が不正
確あるいは不均一になる等の問題があった。
変動し難いよう熱容量が大きく設定されているので、一
旦冷却されてしまうと、例えば0.5〜1.0℃程度の温度降
下を回復するために長時間例えば30〜60秒程度かかる。
このため、次の半導体ウエハの処理時に処理温度が不正
確あるいは不均一になる等の問題があった。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、被処理基板を効率良く冷却することのできる熱処理
装置を提供しようとするものである。
で、被処理基板を効率良く冷却することのできる熱処理
装置を提供しようとするものである。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 請求項１の発明は、レジスト液が塗布された一枚の被
処理体を熱板上方に搬入して加熱処理する加熱装置にお
いて、 前記熱板及び前記被処理体の上方を覆う如く設けられ
た断熱部材と、 前記断熱部材の上方から取り入れた空気を、前記断熱
部材の周囲から回り込ませて前記被処理体と略水平な気
流を形成し、前記加熱処理の後、前記熱板の上方に前記
熱板から離間して保持された前記被処理体を前記気流に
よって冷却する機構と 前記被処理体の周囲に、当該被処理体と略同一高さに
設けられ、前記気流をガイドする部材と を具備したことを特徴とする。
処理体を熱板上方に搬入して加熱処理する加熱装置にお
いて、 前記熱板及び前記被処理体の上方を覆う如く設けられ
た断熱部材と、 前記断熱部材の上方から取り入れた空気を、前記断熱
部材の周囲から回り込ませて前記被処理体と略水平な気
流を形成し、前記加熱処理の後、前記熱板の上方に前記
熱板から離間して保持された前記被処理体を前記気流に
よって冷却する機構と 前記被処理体の周囲に、当該被処理体と略同一高さに
設けられ、前記気流をガイドする部材と を具備したことを特徴とする。
（作用） 本発明の加熱装置では、断熱部材の上方から取り入れ
た空気を、断熱部材の周囲から回り込ませて被処理基板
と略水平な気流を形成し、この気流によって被処理基板
を冷却することにより、装置の周囲に熱が漏れることを
防止しつつ、被処理基板を効率良く冷却することが可能
となる。
た空気を、断熱部材の周囲から回り込ませて被処理基板
と略水平な気流を形成し、この気流によって被処理基板
を冷却することにより、装置の周囲に熱が漏れることを
防止しつつ、被処理基板を効率良く冷却することが可能
となる。
（実施例） 以下、本発明の加熱装置をフォトレジストが塗布され
た半導体ウエハのベーキングに用いるベーキング装置に
適用した一実施例を、図面を参照して説明する。
た半導体ウエハのベーキングに用いるベーキング装置に
適用した一実施例を、図面を参照して説明する。
第１図および第２図に示すように、筐体１内には、表
面が例えば硬質アルマイト処理されたほぼ円板状のアル
ミニウム板等から構成され、その上部に半導体ウエハ２
を載置可能に構成された熱板３が設けられている。
面が例えば硬質アルマイト処理されたほぼ円板状のアル
ミニウム板等から構成され、その上部に半導体ウエハ２
を載置可能に構成された熱板３が設けられている。
上記熱板３は、図示しない加熱手段例えば抵抗加熱ヒ
ータにより所定温度例えば200〜350℃程度の温度に設定
可能に構成されている。また、熱板３は、図示しない昇
降装置により昇降自在に構成されている。さらに、この
熱板３を貫通する如く複数例えば３本のピン４が設けら
れており、熱板３を下降させることにより、これらのピ
ン４を熱板３上に突出させ、これらのピン４によって半
導体ウエハ２を支持し、半導体ウエハ２と熱板３との間
に図示しない搬送用アーム等を挿入可能な間隔を設ける
如く構成されている。
ータにより所定温度例えば200〜350℃程度の温度に設定
可能に構成されている。また、熱板３は、図示しない昇
降装置により昇降自在に構成されている。さらに、この
熱板３を貫通する如く複数例えば３本のピン４が設けら
れており、熱板３を下降させることにより、これらのピ
ン４を熱板３上に突出させ、これらのピン４によって半
導体ウエハ２を支持し、半導体ウエハ２と熱板３との間
に図示しない搬送用アーム等を挿入可能な間隔を設ける
如く構成されている。
また、上記熱板３の周囲には、この熱板３の周囲を囲
む如く形成されたシールドカバー５が設けられている。
このシールドカバー５は、熱板３を昇降させるための昇
降装置に接続されており、熱板３とともに昇降自在に構
成されている。さらに、このシールドカバー５と熱板３
との間には、これらの相対的な高さを変更し、後述する
ようにシールドカバー５を熱板３より高位置に配置可能
とする図示しない駆動機構例えばエアシリンダが設けら
れている。また、このシールドカバー５の上面には、多
数の通気口６が設けられており、熱板３の回りには、不
活性ガス例えば窒素ガスを供給するための複数の窒素ガ
ス供給口７が設けられている。
む如く形成されたシールドカバー５が設けられている。
このシールドカバー５は、熱板３を昇降させるための昇
降装置に接続されており、熱板３とともに昇降自在に構
成されている。さらに、このシールドカバー５と熱板３
との間には、これらの相対的な高さを変更し、後述する
ようにシールドカバー５を熱板３より高位置に配置可能
とする図示しない駆動機構例えばエアシリンダが設けら
れている。また、このシールドカバー５の上面には、多
数の通気口６が設けられており、熱板３の回りには、不
活性ガス例えば窒素ガスを供給するための複数の窒素ガ
ス供給口７が設けられている。
さらに、筐体１内には、筐体１の搬入・搬出口８側
（前方）と反対側（後方）とに位置する如く、上記シー
ルドカバー５の両側を挟んで２本の角パイプ状の排気ダ
クト９、10が設けられている。これらの排気ダクト９、
10は、図示しない排気装置に連結されており、これらの
排気ダクト９、10には、内側（熱板３側）に開口する下
部排気口11、12、および上側に開口するレジストミスト
用排気口13、14が設けられている。また、後方（搬入・
搬出口８側でない方）に設けられた排気ダクト９には、
上側に開口する上部排気口15が設けられている。
（前方）と反対側（後方）とに位置する如く、上記シー
ルドカバー５の両側を挟んで２本の角パイプ状の排気ダ
クト９、10が設けられている。これらの排気ダクト９、
10は、図示しない排気装置に連結されており、これらの
排気ダクト９、10には、内側（熱板３側）に開口する下
部排気口11、12、および上側に開口するレジストミスト
用排気口13、14が設けられている。また、後方（搬入・
搬出口８側でない方）に設けられた排気ダクト９には、
上側に開口する上部排気口15が設けられている。
一方、熱板３の上方には、熱板３の上部を覆う如く断
熱カバー16が設けられている。この断熱カバー16は、内
部に断熱室17（断熱用の空間）を設ける如く中空構造と
されており、その下面には複数の通気口18が設けられて
いる。また、この断熱カバー16には、前述した排気ダク
ト９、10のレジストミスト用排気口13、14に接続され、
断熱室17内から排気を行うための図示しない排気管が設
けられている。
熱カバー16が設けられている。この断熱カバー16は、内
部に断熱室17（断熱用の空間）を設ける如く中空構造と
されており、その下面には複数の通気口18が設けられて
いる。また、この断熱カバー16には、前述した排気ダク
ト９、10のレジストミスト用排気口13、14に接続され、
断熱室17内から排気を行うための図示しない排気管が設
けられている。
上記断熱カバー16は、筐体１の天井部に例えばセラミ
ックススペーサ19等の断熱部材を介して支持されてお
り、断熱カバー16と筐体１の天井部との間には、断熱カ
バー16からの対流熱を押えるためのシールドプレート20
が設けられている。また、筐体１の天井部には、複数の
通気口21が設けられている。
ックススペーサ19等の断熱部材を介して支持されてお
り、断熱カバー16と筐体１の天井部との間には、断熱カ
バー16からの対流熱を押えるためのシールドプレート20
が設けられている。また、筐体１の天井部には、複数の
通気口21が設けられている。
次に、上記構成のベーキング装置の動作について説明
する。
する。
予め熱板３を所定の温度例えば200〜350℃程度の温度
に設定しておくとともに、第１図に示すように熱板３お
よびシールドカバー５を降下させてピン４を熱板３上に
突出させておく。そして、この状態で例えば搬送装置に
より半導体ウエハ２を搬入・搬出口８から搬入し、ピン
４上に載置する。
に設定しておくとともに、第１図に示すように熱板３お
よびシールドカバー５を降下させてピン４を熱板３上に
突出させておく。そして、この状態で例えば搬送装置に
より半導体ウエハ２を搬入・搬出口８から搬入し、ピン
４上に載置する。
この後、第３図に示すように、熱板３およびシールド
カバー５を上昇させ、ピン４上から熱板３上に半導体ウ
エハ２を移すとともに、熱板３およびシールドカバー５
と、断熱カバー16との間に半気密的な処理空間を形成す
る。なお、この時熱板３上に微少高さのピンを設けてお
き、熱板３と半導体ウエハ２との間に微少間隔（プロキ
シミティーギャップ）を設けてもよい。
カバー５を上昇させ、ピン４上から熱板３上に半導体ウ
エハ２を移すとともに、熱板３およびシールドカバー５
と、断熱カバー16との間に半気密的な処理空間を形成す
る。なお、この時熱板３上に微少高さのピンを設けてお
き、熱板３と半導体ウエハ２との間に微少間隔（プロキ
シミティーギャップ）を設けてもよい。
この状態で半導体ウエハ２は、所定時間加熱処理され
るが、処理中は、シールドカバー５に設けられた窒素ガ
ス供給口７から処理空間内に不活性ガスとして窒素ガス
を吹き込むことにより、半導体ウエハ２は不活性ガス雰
囲気におかれる。
るが、処理中は、シールドカバー５に設けられた窒素ガ
ス供給口７から処理空間内に不活性ガスとして窒素ガス
を吹き込むことにより、半導体ウエハ２は不活性ガス雰
囲気におかれる。
また、この時、図示しない排気装置により、排気ダク
ト９、10を介して排気を行う。すなわち、この状態（熱
板３およびシールドカバー５が上昇した状態）では、排
気ダクト９、10に設けられた下部排気口11、12が開とな
り、一方排気ダクト９に設けられた上部排気口15は閉塞
される。したがって、筐体１の天井部に設けられた通気
口21から清浄空気が取り入れられ、この清浄空気がシー
ルドカバー５の通気口６、下部排気口11、12を通って排
気ダクト９、10内に流入する如く気流が形成され、この
気流により、筐体１内の蓄熱が防止される。なお、この
時、半導体ウエハ２から生じるレジストミストや余分な
窒素ガスは、断熱室17内から図示しない排気管およびレ
ジストミスト用排気口13、14、排気ダクト９、10を通っ
て排出される。
ト９、10を介して排気を行う。すなわち、この状態（熱
板３およびシールドカバー５が上昇した状態）では、排
気ダクト９、10に設けられた下部排気口11、12が開とな
り、一方排気ダクト９に設けられた上部排気口15は閉塞
される。したがって、筐体１の天井部に設けられた通気
口21から清浄空気が取り入れられ、この清浄空気がシー
ルドカバー５の通気口６、下部排気口11、12を通って排
気ダクト９、10内に流入する如く気流が形成され、この
気流により、筐体１内の蓄熱が防止される。なお、この
時、半導体ウエハ２から生じるレジストミストや余分な
窒素ガスは、断熱室17内から図示しない排気管およびレ
ジストミスト用排気口13、14、排気ダクト９、10を通っ
て排出される。
そして、所定時間の加熱処理が終了すると、第４図に
示すように、熱板３およびシールドカバー５を下降さ
せ、半導体ウエハ２をピン４上に移すとともに、シール
ドカバー５を熱板３に対して上昇させ、シールドカバー
５の上面が半導体ウエハ２とほぼ同一高さとなるよう設
定し、この状態で待機する。
示すように、熱板３およびシールドカバー５を下降さ
せ、半導体ウエハ２をピン４上に移すとともに、シール
ドカバー５を熱板３に対して上昇させ、シールドカバー
５の上面が半導体ウエハ２とほぼ同一高さとなるよう設
定し、この状態で待機する。
この時、シールドカバー５の下降に伴って下部排気口
11、12が閉塞され、上部排気口15が開となる。このた
め、排気に伴なう清浄空気流は、第４図に矢印で示す如
く、筐体１の天井部に設けられた通気口21から、半導体
ウエハ２およびシールドカバー５と断熱カバー16との間
を通り、上部排気口15から排気ダクト９内に流入するよ
う変更される。したがって、この清浄空気流によって高
温となった半導体ウエハ２を速やかに冷却することがで
きる。また、シールドカバー５によって遮蔽されるた
め、この清浄空気流は熱板３には当たらない。このた
め、従来のように熱板３が冷却され、温度降下や温度勾
配が生じることを防止することができる。
11、12が閉塞され、上部排気口15が開となる。このた
め、排気に伴なう清浄空気流は、第４図に矢印で示す如
く、筐体１の天井部に設けられた通気口21から、半導体
ウエハ２およびシールドカバー５と断熱カバー16との間
を通り、上部排気口15から排気ダクト９内に流入するよ
う変更される。したがって、この清浄空気流によって高
温となった半導体ウエハ２を速やかに冷却することがで
きる。また、シールドカバー５によって遮蔽されるた
め、この清浄空気流は熱板３には当たらない。このた
め、従来のように熱板３が冷却され、温度降下や温度勾
配が生じることを防止することができる。
しかる後、例えば処理済みの半導体ウエハ２を搬出す
るための搬送装置のアーム等が搬入・搬出口８の前方へ
移動してくると、シールドカバー５を下降させるととも
に、搬入・搬出口８を開とし、第１図に示した状態と同
様な状態とし、半導体ウエハ２を搬出して一枚の半導体
ウエハ２の処理を終了する。
るための搬送装置のアーム等が搬入・搬出口８の前方へ
移動してくると、シールドカバー５を下降させるととも
に、搬入・搬出口８を開とし、第１図に示した状態と同
様な状態とし、半導体ウエハ２を搬出して一枚の半導体
ウエハ２の処理を終了する。
すなわち、この実施例のベーキング装置では、処理済
みの半導体ウエハ２を空冷するための気流を、シールド
カバー５によって遮蔽し、熱板３が冷却されることを防
止して熱板３に温度降下や温度勾配が生じることを防止
する。したがって、常に所定の温度で均一な加熱処理を
行うことができる。
みの半導体ウエハ２を空冷するための気流を、シールド
カバー５によって遮蔽し、熱板３が冷却されることを防
止して熱板３に温度降下や温度勾配が生じることを防止
する。したがって、常に所定の温度で均一な加熱処理を
行うことができる。
なお、上記実施例では本発明を半導体ウエハのベーキ
ング装置に適用した例について説明したが、本発明はか
かる実施例に限定されるものではなく、被処理体を加熱
処理する装置であれば何れにも適用可能である。
ング装置に適用した例について説明したが、本発明はか
かる実施例に限定されるものではなく、被処理体を加熱
処理する装置であれば何れにも適用可能である。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の加熱装置によれば、被
処理基板を効率良く冷却することができる。
処理基板を効率良く冷却することができる。
第１図は本発明の一実施例のベーキング装置の構成を示
す図、第２図は第１図のベーキング装置の熱板部分を示
す図、第３図は第１図のベーキング装置の処理時を示す
図、第４図は第１図のベーキング装置の冷却時を示す図
である。 １……筐体、２……半導体ウエハ、３……熱板、４……
ピン、５……シールドカバー、６……通気口、７……窒
素ガス供給口、８……搬入・搬出口、９、10……排気ダ
クト、11、12……下部排気口、13、14……レジストミス
ト用排気口、15……上部排気口、16……断熱カバー、17
……断熱室、18……通気口、19……セラミックススペー
サ、20……シールドプレート、21……通気口。
す図、第２図は第１図のベーキング装置の熱板部分を示
す図、第３図は第１図のベーキング装置の処理時を示す
図、第４図は第１図のベーキング装置の冷却時を示す図
である。 １……筐体、２……半導体ウエハ、３……熱板、４……
ピン、５……シールドカバー、６……通気口、７……窒
素ガス供給口、８……搬入・搬出口、９、10……排気ダ
クト、11、12……下部排気口、13、14……レジストミス
ト用排気口、15……上部排気口、16……断熱カバー、17
……断熱室、18……通気口、19……セラミックススペー
サ、20……シールドプレート、21……通気口。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/30 G03F 7/40 B05C 9/14
Claims (1)
- 【請求項１】レジスト液が塗布された一枚の被処理体を
熱板上方に搬入して加熱処理する加熱装置において、 前記熱板及び前記被処理体の上方を覆う如く設けられた
断熱部材と、 前記断熱部材の上方から取り入れた空気を、前記断熱部
材の周囲から回り込ませて前記被処理体と略水平な気流
を形成し、前記加熱処理の後、前記熱板の上方に前記熱
板から離間して保持された前記被処理体を前記気流によ
って冷却する機構と 前記被処理体の周囲に、当該被処理体と略同一高さに設
けられ、前記気流をガイドする部材と を具備したことを特徴とする加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1266813A JP2965163B2 (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1266813A JP2965163B2 (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 加熱装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28478697A Division JP2883874B2 (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | 基板の処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03127820A JPH03127820A (ja) | 1991-05-30 |
| JP2965163B2 true JP2965163B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=17436030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1266813A Expired - Fee Related JP2965163B2 (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | 加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2965163B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100421036B1 (ko) * | 2001-03-13 | 2004-03-03 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 처리 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 처리 방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07101666B2 (ja) * | 1988-02-17 | 1995-11-01 | 東京エレクトロン九州株式会社 | 熱処理方法およひ熱処理装置 |
-
1989
- 1989-10-13 JP JP1266813A patent/JP2965163B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03127820A (ja) | 1991-05-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8237092B2 (en) | Apparatus and method for heating substrate and coating and developing system | |
| US6402508B2 (en) | Heat and cooling treatment apparatus and substrate processing system | |
| JP3453069B2 (ja) | 基板温調装置 | |
| JP5625981B2 (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| US8814563B2 (en) | Substrate heating apparatus and method and coating and developing system | |
| JPH07335659A (ja) | 半導体ウエハの処理のための焼成及び冷却装置 | |
| JP3971824B2 (ja) | 基板をベーキングするためのオーブンおよび基板上の被覆材料をベーキングする方法 | |
| JP3845647B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
| US20010029890A1 (en) | Heat treatment method, heat treatment apparatus and treatment system | |
| JPH06151293A (ja) | 処理装置 | |
| JP2965163B2 (ja) | 加熱装置 | |
| JP2883874B2 (ja) | 基板の処理方法 | |
| JP4053728B2 (ja) | 加熱・冷却処理装置及び基板処理装置 | |
| JP2756444B2 (ja) | 加熱装置 | |
| JP5158066B2 (ja) | 塗布、現像装置 | |
| JP4015015B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP4021140B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
| JP3621804B2 (ja) | 基板熱処理装置 | |
| JP4348122B2 (ja) | 加熱装置 | |
| JP3340956B2 (ja) | 塗布現像処理装置 | |
| JP3195316B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| JP2000091181A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2649568B2 (ja) | 加熱装置 | |
| KR101985751B1 (ko) | 기판 지지 장치 및 이를 가지는 기판 처리 설비, 그리고 기판 처리 방법 | |
| JP2000161858A (ja) | ガラス基板の熱処理方法および熱処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |