JPH01251616A - アッシャー - Google Patents
アッシャーInfo
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- JPH01251616A JPH01251616A JP7617688A JP7617688A JPH01251616A JP H01251616 A JPH01251616 A JP H01251616A JP 7617688 A JP7617688 A JP 7617688A JP 7617688 A JP7617688 A JP 7617688A JP H01251616 A JPH01251616 A JP H01251616A
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- Japan
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- wafer
- cooling
- cooled
- cooling stage
- arm
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- Pending
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 69
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 76
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- -1 etc. Substances 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、特に処理後のウェハを冷却するのに好適なア
ッシャ−に関するものである。
ッシャ−に関するものである。
有機物を灰化除去するアッシャ−は、従来、特開昭62
−165925号に記載されているように、ウェハ搬送
装置から7ツシヤー処理室内のステージにウェハを載置
し、オゾンを含む酸素の反応ガスを流して紫外線をウェ
ハに照射するか、上記反応ガスをウェハの近傍から噴射
してアッシングを実施し、上記アッシング終了後のウェ
ハを搬送装置によりカセットに収納しており、アッシン
グ処理後の高温ウェハを冷却する手段は特に設けていな
い。
−165925号に記載されているように、ウェハ搬送
装置から7ツシヤー処理室内のステージにウェハを載置
し、オゾンを含む酸素の反応ガスを流して紫外線をウェ
ハに照射するか、上記反応ガスをウェハの近傍から噴射
してアッシングを実施し、上記アッシング終了後のウェ
ハを搬送装置によりカセットに収納しており、アッシン
グ処理後の高温ウェハを冷却する手段は特に設けていな
い。
上記従来技術は、アッシングの処理後における高温ウェ
ハの冷却について積極的な配慮がされておらず、加熱さ
れた高温状態のウェハを搬送ベルト上に載せると、上記
搬送ベルトが高温によってウェハに溶着したり、あるい
は、収納するカセットの材質に高温に耐える材料を選ぶ
必要があった。
ハの冷却について積極的な配慮がされておらず、加熱さ
れた高温状態のウェハを搬送ベルト上に載せると、上記
搬送ベルトが高温によってウェハに溶着したり、あるい
は、収納するカセットの材質に高温に耐える材料を選ぶ
必要があった。
本発明の目的は、強制冷却などにより周囲の雰囲気の気
流を乱すことなく、できるだけ短時間にウェハを冷却し
、アッシングのスループットを向上させることにある。
流を乱すことなく、できるだけ短時間にウェハを冷却し
、アッシングのスループットを向上させることにある。
上記目的は、アッシング処理後のウェハをカセットに収
納する前に、上記ウェハを冷却ステージに置いて冷却す
ることによって達成される。しかも、上記冷却ステージ
がウェハを載せて冷却している間に、搬送ロボットが通
常の搬送動作を支障なく動作できるようにすることによ
り、上記ウェハの冷却と搬送動作とは平行して行われる
。
納する前に、上記ウェハを冷却ステージに置いて冷却す
ることによって達成される。しかも、上記冷却ステージ
がウェハを載せて冷却している間に、搬送ロボットが通
常の搬送動作を支障なく動作できるようにすることによ
り、上記ウェハの冷却と搬送動作とは平行して行われる
。
上記のような冷却ステージにウェハを置いて冷却する方
法は、冷却ガスなどをウェハに吹付けて冷却する方法で
はないため冷却時間も早く、かつ、ウェハ周囲の雰囲気
を乱すことがないので、塵埃が上記ウェハ表面に付着す
るのを防止できる。
法は、冷却ガスなどをウェハに吹付けて冷却する方法で
はないため冷却時間も早く、かつ、ウェハ周囲の雰囲気
を乱すことがないので、塵埃が上記ウェハ表面に付着す
るのを防止できる。
本発明による冷却ステージは、ウェハのほぼ全面を蔽う
大きさを有し、しかも、ウェハは上記冷却ステージに密
着するようになっているため、冷却する速度が早い。な
お、上記冷却ステージは、ウェハ搬送ロボットの動きを
妨害しないように動作するので、アッシング処理後にお
けるウェハの冷却とつぎに処理するウェハの搬送動作と
が平行して行われるため、処理時間全体の能率がよく装
置のスループットが向上する。また、上記ウェハは上記
冷却ステージにより十分に冷却できるので、カセットに
は特別な耐熱材料を使用しなくてもよく、搬送ベルトに
ウェハが溶着することがない。
大きさを有し、しかも、ウェハは上記冷却ステージに密
着するようになっているため、冷却する速度が早い。な
お、上記冷却ステージは、ウェハ搬送ロボットの動きを
妨害しないように動作するので、アッシング処理後にお
けるウェハの冷却とつぎに処理するウェハの搬送動作と
が平行して行われるため、処理時間全体の能率がよく装
置のスループットが向上する。また、上記ウェハは上記
冷却ステージにより十分に冷却できるので、カセットに
は特別な耐熱材料を使用しなくてもよく、搬送ベルトに
ウェハが溶着することがない。
さらに冷却が冷却ステージへの熱伝導により行われるた
め、冷却ガスの吹付けなどによるウェハ周辺の雰囲気を
乱すことがなく、上記ウェハに対する塵埃の付着を防止
できる。
め、冷却ガスの吹付けなどによるウェハ周辺の雰囲気を
乱すことがなく、上記ウェハに対する塵埃の付着を防止
できる。
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。
第1図は本発明によるアッシャ−の一実施例における構
成を示す平面図、第2図は上記実施例における搬送ロボ
ットと冷却ステージの動きを説明する正面図で、(a)
はウェハ搬送中の状態を示す図、(b)はウェハの冷却
状態を示す図、第3図は上記搬送ロボットと冷却ステー
ジの動きを説明する何面図、第4図は冷却方法によるウ
ェハ温度の時間的変化を示す図である。第1図において
、本発明によるアッシャ−は、搬送ロボット5を中心と
して第1処理室1と第2処理室2とが配置され、上記第
1処理室1および第2処理室2にそれぞれ対向する位置
に、ウェハローダ3およびウェハアンローダ4が配設さ
れている。上記搬送ロボット5はウェハローダ3のカセ
ットからウェハを取出し、第1処理室1または第2処理
室2のステージに上記ウェハを載置し、第2処理室2ま
たは第1処理室1におけるアッシング処理後のウェハを
取出し、ウェハアンローダ4に搬送してカセットに収納
するが、上記ウェハを取出したのちウェハアンローダ4
に搬送する前に、上記搬送ロボット5上に設けられた冷
却ステージ6に載置して冷却する。上記搬送ロボット5
は、その概要を第2図の正面図と第3図の側面図に示す
が1回転駆動部13上に設置された摺動部8に沿って摺
動アーム9が前後に移動し、上記摺動アーム9に設けた
アーム7に、ウェハ10を真空吸着して搬送する。第1
または第2の処理室1または2でアッシング処理を完了
したウェハ10は、アーム7に吸着されて上記搬送ロボ
ット5に設置された冷却ステージ6上に載せた薄い石英
板11の上に移され、第2図(b)に示すように冷却中
のウェハ12として冷却ステージ6上で冷却される。上
記冷却ステージ6は熱伝導度が大きいアルミニウムから
なり、上記ウェハ1の全周面積を十分に覆う広さで密接
しているので、上記冷却ステージ6を介して放熱される
ウェハの冷却効果は極めてよい。上記冷却期間中に、摺
動アーム9の前後移動や回転駆動部13の回転によって
、上記アーム7は別のウェハ10の搬送作業を行う。別
のウェハ10のアッシング処理中に、上記アーム7は冷
却ステージ6の下方を移動することによって、冷却中の
ウェハ12を受取りウェハアンローダ4のカセットに収
納する。
成を示す平面図、第2図は上記実施例における搬送ロボ
ットと冷却ステージの動きを説明する正面図で、(a)
はウェハ搬送中の状態を示す図、(b)はウェハの冷却
状態を示す図、第3図は上記搬送ロボットと冷却ステー
ジの動きを説明する何面図、第4図は冷却方法によるウ
ェハ温度の時間的変化を示す図である。第1図において
、本発明によるアッシャ−は、搬送ロボット5を中心と
して第1処理室1と第2処理室2とが配置され、上記第
1処理室1および第2処理室2にそれぞれ対向する位置
に、ウェハローダ3およびウェハアンローダ4が配設さ
れている。上記搬送ロボット5はウェハローダ3のカセ
ットからウェハを取出し、第1処理室1または第2処理
室2のステージに上記ウェハを載置し、第2処理室2ま
たは第1処理室1におけるアッシング処理後のウェハを
取出し、ウェハアンローダ4に搬送してカセットに収納
するが、上記ウェハを取出したのちウェハアンローダ4
に搬送する前に、上記搬送ロボット5上に設けられた冷
却ステージ6に載置して冷却する。上記搬送ロボット5
は、その概要を第2図の正面図と第3図の側面図に示す
が1回転駆動部13上に設置された摺動部8に沿って摺
動アーム9が前後に移動し、上記摺動アーム9に設けた
アーム7に、ウェハ10を真空吸着して搬送する。第1
または第2の処理室1または2でアッシング処理を完了
したウェハ10は、アーム7に吸着されて上記搬送ロボ
ット5に設置された冷却ステージ6上に載せた薄い石英
板11の上に移され、第2図(b)に示すように冷却中
のウェハ12として冷却ステージ6上で冷却される。上
記冷却ステージ6は熱伝導度が大きいアルミニウムから
なり、上記ウェハ1の全周面積を十分に覆う広さで密接
しているので、上記冷却ステージ6を介して放熱される
ウェハの冷却効果は極めてよい。上記冷却期間中に、摺
動アーム9の前後移動や回転駆動部13の回転によって
、上記アーム7は別のウェハ10の搬送作業を行う。別
のウェハ10のアッシング処理中に、上記アーム7は冷
却ステージ6の下方を移動することによって、冷却中の
ウェハ12を受取りウェハアンローダ4のカセットに収
納する。
ここで、上記冷却ステージ6上におけるウエハ12の冷
却速度を第4図に示す。ウェハ12の冷却にはアルミニ
ウムなどの金属にそのまま密着させた方が冷却速度は早
いが、時にはウェハを金属に直接接触させることを嫌う
場合がある。上記の場合にはアルミニウムの冷却ステー
ジ6上に石英板を置き、石英板を介して冷却することに
なるが、上記石英板を介した場合でも第4図に示すよう
に冷却は速やかに行われる。第4図には、参考までにN
2ガスなどをウェハ裏面から吹付けて冷却する場合も併
せ示しているが、N2ガス吹付による冷却時間は冷却ス
テージ6による冷却の約2倍以上を必要とする。処理後
のウェハを収納するカセットの材質によっては、ウェハ
の温度を100℃以下にする必要があり、例えば300
℃の処理温度では100℃以下にするのに通常数10秒
の冷却時間が必要である。本発明による冷却ステージ6
による冷却の場合でも、第4図に示すように5〜6秒必
要であるが、上記時間の間、搬送ロボット5をそのまま
冷却のためにだけ使えば、処理能率であるスループット
(通常1時間当りの処理枚数)に占める割合が無視でき
なくなるので、本実施例のように、ウェハの冷却と搬送
とを同時に平行して行う方が望ましいのは明白である。
却速度を第4図に示す。ウェハ12の冷却にはアルミニ
ウムなどの金属にそのまま密着させた方が冷却速度は早
いが、時にはウェハを金属に直接接触させることを嫌う
場合がある。上記の場合にはアルミニウムの冷却ステー
ジ6上に石英板を置き、石英板を介して冷却することに
なるが、上記石英板を介した場合でも第4図に示すよう
に冷却は速やかに行われる。第4図には、参考までにN
2ガスなどをウェハ裏面から吹付けて冷却する場合も併
せ示しているが、N2ガス吹付による冷却時間は冷却ス
テージ6による冷却の約2倍以上を必要とする。処理後
のウェハを収納するカセットの材質によっては、ウェハ
の温度を100℃以下にする必要があり、例えば300
℃の処理温度では100℃以下にするのに通常数10秒
の冷却時間が必要である。本発明による冷却ステージ6
による冷却の場合でも、第4図に示すように5〜6秒必
要であるが、上記時間の間、搬送ロボット5をそのまま
冷却のためにだけ使えば、処理能率であるスループット
(通常1時間当りの処理枚数)に占める割合が無視でき
なくなるので、本実施例のように、ウェハの冷却と搬送
とを同時に平行して行う方が望ましいのは明白である。
上記冷却ステージ6は1本実施例のように搬送ロボット
5に設置する以外に、例えば処理室1または2とウェハ
アンローダ4との間のように別の位置に設置してもよく
、12送ロボツトからウェハを移された冷却ステージが
、上記搬送ロボットの動きを妨げない位置に移動してウ
ェハの冷却を行うようにする。
5に設置する以外に、例えば処理室1または2とウェハ
アンローダ4との間のように別の位置に設置してもよく
、12送ロボツトからウェハを移された冷却ステージが
、上記搬送ロボットの動きを妨げない位置に移動してウ
ェハの冷却を行うようにする。
上記のように本発明によるアッシャ−は、紫外線と反応
ガスと熱とによりウェハ上の有機物を灰化除去するアッ
シャ−において、上記灰化除去処理ののちウェハをカセ
ットに収納する間に、上記ウェハを冷却する手段を設け
たことにより、搬送ロボットの動きと平行してウェ、ハ
の冷却が十分にできるので、アッシャ−全体の処理能率
を向上させる効果がある。従来のように冷却ガスを吹付
けて冷却する場合よりもウェハの冷却時間が短かく。
ガスと熱とによりウェハ上の有機物を灰化除去するアッ
シャ−において、上記灰化除去処理ののちウェハをカセ
ットに収納する間に、上記ウェハを冷却する手段を設け
たことにより、搬送ロボットの動きと平行してウェ、ハ
の冷却が十分にできるので、アッシャ−全体の処理能率
を向上させる効果がある。従来のように冷却ガスを吹付
けて冷却する場合よりもウェハの冷却時間が短かく。
また、冷却と平行して搬送作業を行うため、実質的に処
理能率に影響しないレベルの冷却時間で、ウェハを十分
に冷却するアッシャ−を得ることができる。
理能率に影響しないレベルの冷却時間で、ウェハを十分
に冷却するアッシャ−を得ることができる。
第1図は本発明によるアッシャ−の一実施例における構
成を示す平面図、第2図は上記実施例における搬送ロボ
ットと冷却ステージの動きを説明する正面図で、(a)
はウェハ搬送中の状態を示す図、(b)はウェハの冷却
状態を示す図、第3図は上記搬送ロボットと冷却ステー
ジの動きを説明する側面図、第4図は冷却方法によるウ
ェハ温度の時間的変化を示す図である。 1・・・第1処理室 2・・・第2処理室3・・
・ウェハローダ 4・・・ウェハアンローダ5・・
・搬送口ボッ1へ6・・・冷却ステージ11.12・・
・ウェハ
成を示す平面図、第2図は上記実施例における搬送ロボ
ットと冷却ステージの動きを説明する正面図で、(a)
はウェハ搬送中の状態を示す図、(b)はウェハの冷却
状態を示す図、第3図は上記搬送ロボットと冷却ステー
ジの動きを説明する側面図、第4図は冷却方法によるウ
ェハ温度の時間的変化を示す図である。 1・・・第1処理室 2・・・第2処理室3・・
・ウェハローダ 4・・・ウェハアンローダ5・・
・搬送口ボッ1へ6・・・冷却ステージ11.12・・
・ウェハ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、紫外線と反応ガスと熱とによりウェハ上の有機物を
灰化除去するアッシャーにおいて、上記灰化除去処理の
のちウェハをカセットに収納する間に、上記ウェハを冷
却する手段を設けたことを特徴とするアッシャー。 2、上記ウェハを冷却する手段は、冷却ステージに上記
ウェハを載置することを特徴とする特許請求の範囲第1
項に記載したアッシヤー。 3、上記冷却ステージは、ウェハ搬送ロボット上に設け
たことを特徴とする特許請求の範囲第2項に記載したア
ッシャー。 4、上記冷却ステージは、ウェハ搬送ロボットの動作に
障害を与えないように動作することを特徴とする特許請
求の範囲第2項または第3項に記載したアッシヤー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7617688A JPH01251616A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | アッシャー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7617688A JPH01251616A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | アッシャー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01251616A true JPH01251616A (ja) | 1989-10-06 |
Family
ID=13597794
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7617688A Pending JPH01251616A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | アッシャー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01251616A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003012830A1 (en) * | 2000-12-01 | 2003-02-13 | Wafermasters, Incorporated | Wafer processing system including a robot |
US6568899B1 (en) | 1999-11-30 | 2003-05-27 | Wafermasters, Inc. | Wafer processing system including a robot |
KR100603925B1 (ko) * | 1999-01-13 | 2006-07-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조용 애싱설비 |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP7617688A patent/JPH01251616A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100603925B1 (ko) * | 1999-01-13 | 2006-07-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조용 애싱설비 |
US6568899B1 (en) | 1999-11-30 | 2003-05-27 | Wafermasters, Inc. | Wafer processing system including a robot |
WO2003012830A1 (en) * | 2000-12-01 | 2003-02-13 | Wafermasters, Incorporated | Wafer processing system including a robot |
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