TWM610451U - 記憶體散熱器 - Google Patents
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Abstract
一種記憶體散熱器,包括記憶體插槽、第一散熱板、第二散熱板、第一殼體以及第二殼體。第一散熱板設置於記憶體插槽的第一側。第二散熱板設置於記憶體插槽的第二側。第二側相對於第一側。記憶體插槽、第一散熱板和第二散熱板圍繞形成記憶體容置空間。第一殼體設置於第一散熱板背向第二散熱板的一側。第二殼體設置於第二散熱板背向第一散熱板的一側。
Description
本揭示內容係關於記憶體散熱器,特別係關於具備均溫板或銅板於其內的記憶體散熱器。
此處的陳述僅提供與本揭示有關的背景信息,而不必然地構成現有技術。
記憶體模組於近年向高速運算發展迅速,其讀寫速度和結構密度不斷提升,功率也從先前的6瓦增加到了25瓦左右,因此散熱的需求量也隨之提升。一般而言,記憶體的溫度若超過80度,就有可能需要降頻,導致其工作效能和存取速度降低,甚至可能損毀。現有的記憶體散熱架構已漸漸不堪負荷。
有鑑於此,本揭示的一些實施方式揭露了一種記憶體散熱器,包括記憶體插槽、第一散熱板、第二散熱板、第一殼體以及第二殼體。第一散熱板設置於記憶體插槽的第一側。第二散熱板設置於記憶體插槽的第二側。第二側相對於第一側。記憶體插槽、第一散熱板和第二散熱板圍繞形成記憶體容置空間。第一殼體設置於第一散熱板背向第二散熱板的一側。第二殼體設置於第二散熱板背向第一散熱板的一側。
於本揭示的一或多個實施方式中,第一散熱板和第二散熱板中的至少一者為均溫板。
於本揭示的一或多個實施方式中,記憶體散熱器還包括多個熱介面材料層,設置於第一散熱板面向第二散熱板的第一表面上以及第二散熱板面向第一散熱板的第二表面上。
於本揭示的一或多個實施方式中,第一殼體的邊緣上具有第一擠製部,第二殼體的邊緣上具有第二擠製部。第一擠製部自第一殼體的邊緣向第二殼體延伸,第二擠製部自第二殼體的邊緣向第一殼體延伸。
於本揭示的一或多個實施方式中,記憶體插槽具有凹形槽。第一散熱板、第二散熱板、第一殼體和第二殼體設置於凹形槽上。
於本揭示的一或多個實施方式中,記憶體散熱器還包括第一棉條和第二棉條。第一棉條設置於凹形槽的底部,接觸並承載第一殼體。第二棉條設置於凹形槽的底部,接觸並承載第二殼體。
於本揭示的一或多個實施方式中,記憶體散熱器還包括多個連接件,設置於第一殼體的側邊和第二殼體的側邊上。各個連接件的兩端分別固定並夾持第一殼體和第二殼體。這些連接件圍繞第一散熱板和第二散熱板。
於本揭示的一或多個實施方式中,第一殼體包括第一鰭片結構,第一鰭片結構面向第二殼體。第二殼體包括第二鰭片結構。第二鰭片結構面向第一殼體。
於本揭示的一或多個實施方式中,第一鰭片結構具有分開的第一部分和第二部分。第一散熱板的一部分位於第一部分和第二部分之間。第一散熱板的另一部分夾設於第一部分和記憶體插槽之間以及第二部分和記憶體插槽之間。第二鰭片結構具有分開的第三部分和第四部分。第二散熱板的一部分位於第三部分和第四部分之間。第二散熱板的另一部分夾設於第三部分和記憶體插槽之間以及第四部分和記憶體插槽之間。
於本揭示的一或多個實施方式中,第一鰭片結構和第二鰭片結構相互嵌入。
於本揭示的一或多個實施方式中,記憶體設置在該記憶體容置空間中,且記憶體散熱器的整體厚度小於或等於8.9毫米。
本揭示藉由如均溫板或銅塊的雙面散熱板接觸記憶體的結構,使得記憶體能達到更佳的散熱效果。
為了讓本揭示的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
為使本揭示之敘述更加詳盡與完備,下文針對了本揭示的實施態樣與具體實施例提出了說明性的描述;但這並非實施或運用本揭示具體實施例的唯一形式。以下所揭露的各實施例,在有益的情形下可相互組合或取代,也可在一實施例中附加其他的實施例,而無須進一步的記載或說明。
在以下的描述中,將詳細敘述許多特定細節以使讀者能夠充分理解以下的實施例。然而,可在無此等特定細節之情況下實踐本揭示之實施例。在其他情況下,為簡化圖式,熟知的結構與裝置僅示意性地繪示於圖中。
參考第1A圖和第1B圖。第1A圖繪示本揭示一些實施例中記憶體散熱器100的立體示意圖。第1B圖繪示本揭示一些實施例中記憶體散熱器100的爆炸圖。記憶體散熱器100包括記憶體插槽10、第一散熱板110、第二散熱板120、第一殼體130和第二殼體140。記憶體插槽10用於插取記憶體20。第一散熱板110設置於記憶體插槽10的第一側10A。第二散熱板120設置於記憶體插槽10的第二側10B。以記憶體插槽10為主體,第二側10B相對於第一側10A。記憶體插槽10、第一散熱板110和第二散熱板120圍繞形成記憶體容置空間AS。記憶體20設置在記憶體容置空間AS中。第一殼體130設置於第一散熱板110背向第二散熱板120的一側。第二殼體140設置於第二散熱板120背向第一散熱板110的一側。在一些實施例中,記憶體插槽10具有凹形槽C。第一散熱板110、第二散熱板120、第一殼體130和第二殼體140設置於凹形槽C上。凹形槽C的厚度T1至少足夠讓記憶體20、第一散熱板110和第二散熱板120直接安裝或置於凹形槽C內。
第一散熱板110和第二散熱板120可以是銅塊或均溫板(vapor chamber),兩者可以是相同種類的散熱板或不同種類的散熱板。第一殼體130和第二殼體140可以是由鋁製成。在一些實施例中,記憶體散熱器100的整體厚度T2小於或等於8.9毫米,此乃對應近年記憶體間距已發展至小於9.3毫米的尺寸架構。
在一些實施例中,記憶體散熱器100還包括多個熱介面材料層150(thermal interface material,TIM),設置於第一散熱板110面向第二散熱板120的第一表面112上以及第二散熱板120面向第一散熱板110的第二表面122上。設置於記憶體插槽10內的記憶體20所產生的熱經由熱介面材料層150傳導至第一散熱板110和第二散熱板120上。
在一些實施例中,第一殼體130的邊緣132上具有第一擠製部134,第二殼體140的邊緣142上具有第二擠製部144。第一擠製部134自第一殼體130的邊緣132向第二殼體140的邊緣142延伸,第二擠製部144自第二殼體140的邊緣142向第一殼體130的邊緣132延伸。第一擠製部134和第二擠製部144的設置可以更好地包覆記憶體20。第一擠製部134和第二擠製部144可以是鋁製的凸出片狀結構。
在一些實施例中,記憶體散熱器100還包括第一棉條160和第二棉條170。第一棉條160設置於凹形槽C的底部C1,接觸並承載第一殼體130。第二棉條170亦設置於凹形槽C的底部C1,接觸並承載第二殼體140。
在一些實施例中,記憶體散熱器100還包括多個連接件190,設置於第一殼體130的側邊136和第二殼體140的側邊146上。各個連接件190的兩端分別固定並夾持第一殼體130和第二殼體140。這些連接件190圍繞第一散熱板110和第二散熱板120的一部分。
參考第2A圖和第2B圖。第2A圖繪示本揭示一些實施例中記憶體散熱器200的立體示意圖。第2B圖繪示本揭示一些實施例中記憶體散熱器200的爆炸圖。此二圖所繪示的實施方式乃上開第1A圖和第1B圖中所示的記憶體散熱器100的變化型。在一些實施例中,第一殼體130’包括第一鰭片結構S1,第一鰭片結構S1面向第二殼體140’。第二殼體140’包括第二鰭片結構S2,第二鰭片結構S2面向第一殼體130’。第一鰭片結構S1和第二鰭片結構S2可提升記憶體散熱器200將熱能經由空氣散逸至外界的效率。在一些實施例中,第一鰭片結構S1和第二鰭片結構S2相互嵌入。
詳細而言,第一鰭片結構S1具有分開的第一部分S11和第二部分S12。第一散熱板110’的一部分P1位於第一部分S11和第二部分S12之間。第一散熱板110的另一部分P2夾設於第一部分S11和記憶體插槽10之間以及第二部分S12和記憶體插槽10之間。第二鰭片結構S2具有分開的第三部分S21和第四部分S22。第二散熱板120’的一部分P3位於第三部分S21和第四部分S22之間。第二散熱板120’的另一部分P4夾設於第三部分S21和記憶體插槽10之間以及第四部分S22和記憶體插槽10之間。此外,更多且結構略有變化的連接件190’繪示於第2A圖和第2B圖的實施例中,這些連接件190’的兩端分別固定並夾持第一殼體130’和第二殼體140’。這些連接件190’圍繞第一散熱板110’和第二散熱板120’不同於上開連接件190所圍繞的另一部分。
綜上所述,本揭示的實施例提供了在記憶體的兩面皆設置均溫板或銅塊等散熱板結構,配合散熱鰭片進行記憶體散熱的結構。此架構可適用於近年快速發展的高功率記憶體。
雖然本揭示已以實施例揭露如上,然並非用以限定本揭示,任何熟習此技藝者,在不脫離本揭示之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾,因此本揭示之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10:記憶體插槽
10A:第一側
10B:第二側
20:記憶體
100, 200:記憶體散熱器
110, 110’:第一散熱板
112:第一表面
120, 120’:第二散熱板
122:第二表面
130, 130’:第一殼體
132, 142:邊緣
134:第一擠製部
136, 146:側邊
140, 140’:第二殼體
144:第二擠製部
150:熱介面材料層
160:第一棉條
170:第二棉條
190, 190’:連接件
C:凹形槽
C1:底部
T1, T2:厚度
S1:第一鰭片結構
S11:第一部分
S12:第二部分
S2:第二鰭片結構
S21:第三部分
S22:第四部分
P1, P2, P3, P4:部分
AS:記憶體容置空間
第1A圖繪示本揭示一些實施例中記憶體散熱器的立體示意圖。
第1B圖繪示本揭示一些實施例中記憶體散熱器的爆炸圖。
第2A圖繪示本揭示一些實施例中記憶體散熱器的立體示意圖。
第2B圖繪示本揭示一些實施例中記憶體散熱器的爆炸圖。
10:記憶體插槽
10A:第一側
10B:第二側
20:記憶體
100:記憶體散熱器
110:第一散熱板
112:第一表面
120:第二散熱板
122:第二表面
130:第一殼體
132,142:邊緣
134:第一擠製部
136,146:側邊
140:第二殼體
144:第二擠製部
150:熱介面材料層
160:第一棉條
170:第二棉條
190:連接件
C:凹形槽
C1:底部
Claims (11)
- 一種記憶體散熱器,包括: 一記憶體插槽; 一第一散熱板,設置於該記憶體插槽的一第一側; 一第二散熱板,設置於該記憶體插槽的一第二側,該第二側相對於該第一側,該記憶體插槽、該第一散熱板和該第二散熱板圍繞形成一記憶體容置空間; 一第一殼體,設置於該第一散熱板背向該第二散熱板的一側;以及 一第二殼體,設置於該第二散熱板背向該第一散熱板的一側。
- 如請求項1所述之記憶體散熱器,其中該第一散熱板和該第二散熱板中的至少一者為均溫板。
- 如請求項1所述之記憶體散熱器,更包括多個熱介面材料層,設置於該第一散熱板面向該第二散熱板的一第一表面上以及該第二散熱板面向該第一散熱板的一第二表面上。
- 如請求項1所述之記憶體散熱器,其中該第一殼體的邊緣上具有一第一擠製部,該第二殼體的邊緣上具有一第二擠製部,該第一擠製部自該第一殼體的邊緣向該第二殼體延伸,該第二擠製部自該第二殼體的邊緣向該第一殼體延伸。
- 如請求項1所述之記憶體散熱器,其中該記憶體插槽具有一凹形槽,該第一散熱板、該第二散熱板、該第一殼體和該第二殼體設置於該凹形槽上。
- 如請求項5所述之記憶體散熱器,更包括一第一棉條和一第二棉條,該第一棉條設置於該凹形槽的底部,接觸並承載該第一殼體,該第二棉條設置於該凹形槽的底部,接觸並承載該第二殼體。
- 如請求項1所述之記憶體散熱器,更包括複數個連接件,設置於該第一殼體的側邊和該第二殼體的側邊上,各該連接件的兩端分別固定並夾持該第一殼體和該第二殼體,該些連接件圍繞該第一散熱板和該第二散熱板。
- 如請求項1所述之記憶體散熱器,其中該第一殼體包括一第一鰭片結構,該第一鰭片結構面向該第二殼體,該第二殼體包括一第二鰭片結構,該第二鰭片結構面向該第一殼體。
- 如請求項8所述之記憶體散熱器,其中該第一鰭片結構具有分開的一第一部分和一第二部分,該第一散熱板的一部分位於該第一部分和該第二部分之間,該第一散熱板的另一部分夾設於該第一部分和該記憶體插槽之間以及該第二部分和該記憶體插槽之間,該第二鰭片結構具有分開的一第三部分和一第四部分,該第二散熱板的一部分位於該第三部分和該第四部分之間,該第二散熱板的另一部分夾設於該第三部分和該記憶體插槽之間以及該第四部分和該記憶體插槽之間。
- 如請求項8所述之記憶體散熱器,其中該第一鰭片結構和該第二鰭片結構相互嵌入。
- 如請求項1所述之記憶體散熱器,更包括設置在該記憶體容置空間中的記憶體,且該記憶體散熱器的整體厚度小於或等於8.9毫米。
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