TWM254863U - Multi-layer wiring board - Google Patents

Description

M254863 捌、新型說明： 一、〔新型所屬之的技術領域〕 本創作係有關俗稱爲Via孔（Via hole)的通孔，使多層的 導體層間電連接的多層配#板。 5〔先前技術〕 在將形成爲某一電路的複數層之導體層隔著絕緣層疊 合的多層配線板中，一般係構成爲，藉以電鑽加工形成貫 通孔，而在此貫通孔內周面施加電鍍，使得導體層間電連 接者。 但爲了達成配線的高密度化，近年來，並非貫通孔而是 將俗稱爲Via孔的非貫通之通孔形成在絕緣層，在此通孔 的內周面賦與導電性物質，使得導體層間電連接之構成， 曰漸廣被採用。作爲形成此種非貫通的通孔之加工方法， 乃是將絕緣層表面所疊層的金屬箔中，以蝕刻去除形成爲 通孔的處所，接著，在此以熱硬化性樹脂等所形成的絕緣 層照射二氧化碳氣雷射光，而在去除金屬箔的部分將通孔 形成於絕緣層之構成，爲一般的方法。 藉以上述的雷射光加工，穿設通孔而製造多層配線板的 方法，例如，揭示於據Y.〇H SAC HI的日本特公平4-3 676 號公報等。此一場合，首先在表面的金屬范施加蝕刻而形 成通孔的處所，形成和通孔徑同一徑的開口。接著，照射 二氧化碳氣雷射光等雷射光，在形成開口的處所加工對於 絕緣層其導體層爲底面的非貫通之通孔。然後施加電鍍而 在通孔的內周形成電鑛層。然而，將金屬箔蝕刻加工而形 成作爲電路的導體層。如上所述，獲得在通孔的電鍍層使 M254863 複數導體層電連接的多層配線板。 如上述般當照射雷射光而在絕緣層開設通孔時，若通孔 的內周面爲垂直的場合，通孔的內壁面和底面的連接領 域，會變成以軸向切剖通孔的斷面形狀近於90度的方角形 狀。然而，在此通孔當施加電鍍之際，首先，施加無電解 銅鍍等無電解而將薄薄的無電解膜形成於通孔的內周面 後，通電而進行銅電鍍等電鍍，以形成電鍍層。此電鍍時 通孔內的等電位面雖和通孔內的內壁面或通孔底面的導體 層成平行，但在通孔的內壁面和底面的導體層交叉部分， 其等電位面會彎折。然而，和等電位面正交（垂直相交）的 電力線在等電位面彎折的部分會變成稀疏，因而，此部分 的電流密度會變小。且此部位的電鍍液之流動性也會降 低。 從而，在通孔內以電鍍所形的電鍍層，在通孔內壁面和 底面的導體層交叉的部分，其厚度會極端變薄，對於藉以 電鍍層的導體層間之電連接的信賴性會降低，因裝設時的 加熱或使用時裝載零件的發熱，而有在此厚度變薄的部分 多發斷線的問題。又據本願讓渡人所擁有的H.TAKAGI等 所申請的日本特開平8-279679雖揭示著形成通孔的構成， 但仍然擁有和上述公開技術同樣的問題。 另一方面，申請人V ·卡賓等的美國創作專利案4, 070， 50 1雖揭示了形成以符號1 4所示即樣通孔之構成，但通孔 係構成半導體之一要素，並不至於提供可獲得多層配線板 的特徵性構成之技術事項。 乓〔新型內容〕 M254863 本創作乃是爲要克服上述習知的癥結問題所硏究開發 出來，以提供藉以設於通孔內的電鍍層使導體層間電連 接，其信賴性頗高的多層配線板及其製造方法爲目的。 然而，若按照本創作者，由複數層的導體層隔著樹脂製 的絕緣層在全體上疊合成層，在絕緣層開設在底面露現導 體層的非貫通通孔，且於通孔內設有使導體層間電連接的 電鍍層之多層配線板中，藉以提供其特徵爲，在通孔中至 少其內壁面和底面的連接區域被形成爲，以軸向切剖通孔 的剖面形狀能成爲半徑20//m〜100//m的凹曲面之多層配 線板，來達成上述之目的。 至於本創作的其他目的及優點，得由以下根據圖面所示 的實施形態之說明諒必瞭解吧。 以下擬按照附圖所示的實施形態說明本創作，但本創作 並不限定於這些實施形態，當然也包括著申請專利範圍所 包含的多樣設計變更。 四、〔實施方式〕 第1圖係表示多層配線板製造法的實施形態之一，第2 圖表示其更具體化的形態。然而，參閱第1圖連同第2圖 而詳細說明本實施形態者，如第2(a)圖所示，多層基板1 1 係藉以配線圖樣之形成在將導體層1 a設於表面的內層用基 板1 5，隔著絕緣層2藉以疊合金屬層1 6而成。 內層用基板1 5即可採用，例如，將玻璃布基材環氧樹 脂張貼銅的疊層板之銅箔，做配線圖樣的加工而作爲電路 的導體層1 a設置而形成者，在導體層1 a的表面以施加粗 面化處理等表面處理者爲宜。而且，絕緣層2又得以環氧 M254863 樣樹脂、聚窻亞胺樹脂等熱硬化性樹脂等樹脂形成，在絕 緣層2的表面所疊層的金屬層16,更可施加電鍍或藉以熱 壓軋金屬箔來形成。又在爲形成金屬層16所需的金屬箔片 面’預先設置爲形成絕緣層2所需半硬化狀態之熱硬化性 樹脂層，藉於內層用基板1 5表面熱硬性樹脂層邊側，將金 屬箔疊合而施加熱壓軋，亦可製作多層基板11。似此，只 要把絕緣層2形成在內層用基板1 5中的任一側或兩側就 行，至於採用那一種構成可適予選擇。 在絕緣層2亦可因應需要而含有無機粉末充塡材料 等。雖不特別限定，但最好不使用易於阻礙藉以二氧化碳 氣雷射光之形成通孔的玻璃纖維等無機質纖維爲宜。而 且’被覆含有溶劑的樹脂組成物而欲形成樹脂層2的場 合’在加熱而使其硬化之前，給予爲要去除溶劑之加熱而 除掉溶劑爲宜。且作爲金屬層1 6所使用的金屬箔雖可舉列 銅箔、鋁箔、鎳箔等，若以可否容易取得或其功能的觀點 來看，還是使用銅箔爲宜。 使用如上述那樣的多層基板1 1，將形成通孔3位置的 金屬層16 ’如第2(b)圖所示般去除而形成開口 13。形成通 孔3的位置係在設置內層用基板15的導體層la之處所被 設定者’就去除金屬層1 6的方法，雖無特別限定，得以蝕 刻等方法施行。 茲表示此種多層基板11的製造及在金屬層16形成開口 13的工程之具體例。首先，使用FR-4型兩面張貼銅之疊層 板（疊層板的厚度1.0mm，銅箔的厚度爲18 // m)，把片面的 銅箔施加配線圖樣的加工而形成作爲內層電路的導體層 M254863 1 a，把另一片面的銅箔廣達全面加以蝕刻去除，製作了內 層用基板1 5。然後，藉把它浸漬於3 0 °C的氯化銅2 %、鹽 酸7 %的水溶液’將導體層1 a的表面加以蝕刻粗面化處 理。 一方面，爲要製造以雙酚A型環氧樹脂和基脲爲主成 分的FR-4型疊層板，將一般所使用的環氧樹脂漆使用逗點 劃碼器，在1 8 // m厚的銅箔粘結面（墊底面）使其乾燥後的 厚度能爲70//m般加以塗抹，再以150 °C、20分鐘的條件， 予以加熱乾燥，使其半硬化（B台）而製作了附有樹脂的銅 箱。 然而，在上述內層用基板15的兩面將附有樹脂的銅箔 在樹脂邊側分別疊合，藉以30kg/cm尔、170°C、120分鐘 的條件予以加熱加壓成形，獲得了如第2(a)圖所示那樣， 在內層用基板15隔著絕緣層2疊層了金屬層16的多層基 板1 1。 接著，在金屬層1 6的表面貼附蝕刻電阻膠片（乾膠片） 使其曝光而顯影後，將金屬層1 6加以蝕刻再去除形成通孔 3的處所之金屬層16，如第2(b)圖所示般形成了 φ 1〇〇 β m 的開口 1 3。 如上述般在多層基板1 1的金屬層1 6形成開口 1 3之後， 如第2(c)圖所示般透過開口 13對絕緣層照射二氧化碳氣雷 射光L ，在絕緣層2加工其導體層la爲底面的未貫通之 通孔3 。至於二氧化碳氣雷射光L之照射即例如，以電 力150W使其加工面上的總能量能成爲8m】般，以脈波寬 度1 // s以上的條件進行照射。若總能量成爲8m〗者，只是 M254863 1發射（shot)加工也並無問題’但如第1 1圖所示，使其總 能量能成爲8mJ般分成幾次發射’而100Hz以上的頻率連 續照射亦可。在第1 1圖中橫軸表示時間，縱軸即表示二氧 化碳氣雷射光的頂峰力，P係1發射的脈波寬度，L係發 射期間的時間（秒），頻率爲1 /L。又E係按每1發射單位 的能量，與脈波的面積成比例。 在第2圖實施形態的工法中，將金屬層16的開口 13 之徑形成爲與欲加工的通孔3的徑同一大小，又如第2(c) 圖所示，將二氧化碳氣雷射光L的光束徑設定爲比開口 ！ 3 的徑大，以通過開口 13的二氧化碳氣雷射光L在絕緣層2 加工通孔之構成。從而，在這種通孔不必將二氧化碳氣雷 射光L的光束徑設定爲正確的尺寸，也不必將二氧化碳氣 雷射光L的照射位置設定得正確，就得以正確的尺寸在正 確的位置形成通孔3 。又似此將二氧化碳氣雷射光L的 光束徑設定爲較諸開口 1 3的徑大而照射的場合，如第i 2 圖所不，最好使用其加工面的能量分布均勻的光束作爲二 氧化碳氣雷射光L爲宜。要是使用這種能量分布均勻的二 氧化碳氣雷射光L的話，就算二氧化碳氣雷射光L的照 射位置偏離，欲加工的通孔3的形狀也不會產生變化。 接著，雖是在通孔3內形成電鍍層，但如上述般當以 二氧化碳氣雷射光L在絕緣層2加工一通孔3之際，在 底面的導體層la表面附著有絕緣層2未能完全被去除所 剩下的絕緣物5 。在形成電鍍層4之前，應以後述的方 法將此絕緣物5如第2(d)圖般加以去除。 在此，本創作係將通孔3如第1 (a)圖所示那樣，形成爲 -10- M254863 在通孔3的內壁面和底面的導體層la交叉的部分，以軸 向切剖通孔3的剖面之內面形狀能成爲凹曲面。此一凹曲 面的半徑R最好被設定爲l〇//m下，以20/zm爲特佳。 若通孔3的縱橫尺寸比（孔深/孔直徑）未滿0.4時，雖然 凹曲面的半徑R可在此範圍，但縱橫尺寸比爲0.4以上 時，凹曲面的半徑R最好設定在30//m〜100//m的範圍。 則如第2 A圖所示，圖中以圓〇所示的近於1 〇 m以下的 圓曲面，其通孔內電鍍厚對於表層導體上的電鍍厚較小的 反面，圖中以圓〇所示的近於30//m以上的圓曲面，內壁 面和底面的連接領域之凹曲面上的電鍍厚對於表層導體上 的電鍍厚顯著地大乙則，自可瞭解的吧。此外，縱橫尺寸 比的上限雖無特別設定，但若從藉以二氧化碳氣雷射光L 的孔加工，及對孔內部施加均勻的電鍍之可能性來看，縱 橫尺寸比1爲實質上的上限。 然而，在通孔3當施加電鑛之際，首先，施加無電解 鍍銅等無電解鍍裝而在通孔3的內周面形成薄薄的無電解 鍍膜。其後通電而進行電鑛銅等電鍍，如第2(e)圖所示那 樣形成電鍍層4 。電鍍層4除了在通孔3的內壁面或露 現於通孔3底面的導體層la之外，在金屬箔16的表面也 形成著。此電鍍時通孔3內的等電位面，雖和通孔3的 內壁面或通孔3底面的導體層la成爲平行，但如第1(b) 圖所示，由於通孔3的內壁面和底面導體層la交叉的部 分爲曲面的緣故，此部分的等電位面也變成曲面，但方正 而不彎曲。然而，似此由於通孔3的內壁面和底面導體層 1 a交叉部分的等電位面爲曲面的緣故，所以和等電位面直 -11 - M254863 角相交的電力線在此通孔3的內壁面和底面導體層1 a交 叉的部分，也不會變成稀疏，不至於使此部分的電流密度 變小，得使電流密度保持均勻。更可提高此部位的電鍍液 之流動性。從而，藉以電鍍在通孔內所形成的電鑛層4 ’ 則如第1 (c)圖所示，不至於在通孔3的內壁面和底面導體 層la所交叉的部分厚度變薄，得將電鍍層4形成爲均勻 的厚度。 在此，如上述般把電鑛層4形成爲均勻的厚度上，有 必要形成通孔3爲，在通孔3的內壁面和底面導體層1 a 交叉的部分，以軸向切剖通孔3的剖面內面形狀能成爲半 徑R = 20 β m以上的凹曲面。而且，通孔3的縱橫尺寸比 爲0.4以上的場合，最好使能成爲半徑R = 30 # m以上那樣 形成通孔3爲宜。而通孔3的孔徑.最大也有p 200 // m， 半徑R= 100 // m以上者，由於在通孔3的底面不會露現導 體層la的緣故，半徑R的上限乃被設定爲1〇〇/im。 如上所述，藉以照射具有1 // s以上的脈波幅度的二氧 化碳氣雷射光L而加工通孔3 ，使形成了似此通孔3的 內壁面和底面導體層la交叉的部分能成爲凹曲面的通孔 3 。一氧化碳氣雷射光L的脈波幅度之上限雖無特別設 定，但以100/zs以下爲宜。又如上述般藉將二氧化碳氣雷 射光L以100Hz以上的頻率連續照射而形成通孔3 ，即 使絕緣層2的厚度變動，亦可形成如上述般，其通孔3的 內壁面和底面導體層1 a相交叉的部分，則連接領域能成爲 凹曲面的通孔3 。頻率上限雖無特別設定，但以i〇kHz以 下爲宜。 M254863 如上述那樣在通孔3內形成電鍍層4之後，在多層基 板1 1的表面貼附蝕刻電阻膠片（乾膠片），曝光而使其顯 影，將金屬層1 6及其表面的電鍍層加以飩刻，藉此，可獲 得將由金屬層16及電鍍層4所構成的導體層lb作爲外層 電路，形成爲如第2(f)圖那樣的多層配線板。在此多層配 線板中，導體層1 a、1 b就在設於通孔3內的電鍍層4被 電連接。此電鍍層4較諸第2Bb圖的習知技術所製造的 電鍍層，如第2Ba圖所示，藉使通孔3的內周壁和底面 導體層1 a的連接區域作爲凹曲面，可減少在部位的電鍍液 之滯留，電鍍層便可形成爲均勻的厚度。因而，非但可提 高導體層1 a、1 b間電連接的信賴性而已，同時排除因裝設 的加熱或使用時所裝載零件的發熱，恐怕會發生斷線之 虞。 第3圖表示製造多層配線板的其他一實施形態，當照 射二氧化碳氣雷射光L而在絕緣層2欲加工通孔3時， 如第3(c)圖所示，將二氧化碳氣雷射光L的光束徑設定 爲，比設於金屬層16的開口 13徑較小，而在開口 13內對 絕緣層2照射二氧化碳氣雷射光L 。藉此在絕緣層2加 工通孔3 。其他各點即與第2圖者相同。在此所謂第2圖 者，因通孔3徑和開口 13徑大致上相等的緣故，開口 13 周圍的金屬層1 6恐怕會凸出於通孔3內，使得通孔3內 的電鍍性恐會變壞，但第3圖的實施形態因通孔3徑會 比開口 13徑較小，故開口 13周圍的金屬層16不至於突出 在通孔3內，通孔3內的電鍍性顯然良好。 如上所述，欲使二氧化碳氣雷射光L的光束徑比開口 -13- M254863 1 3徑較小而不照射到金屬層1 6的場合’即如第1 3 (a)圖 或第13(b)圖所示，最好採用加工面上的能量分布越接近 光束中心越會高分布般的光束爲宜。使用如上述般其能量 分布越趨中心越會高的光束之二氧化碳氣雷射光L加工通 孔3者，就可較大地形成其通孔3的內壁面和底面導體 層1 a相交叉部分的凹曲面之半徑R 。此外’如後述之第 4(c)圖、第5(b)圖所示，以二氧化碳氣雷射光L的光束不 照射到金屬層1 6的狀態照射而加工通孔3的場合，最好 同樣採用其能量分布越趨中心越高的光束之二氧化碳氣雷 射光L爲佳。 第4圖係表示製造多層配線板之其他實施形態之一， 首先如第4(a)圖所示，和第2(a)圖同樣藉於內層用基板15 隔著絕緣層2疊合金屬層16,以製作多層基板11。亦即， 以雙酚A型環氧樹脂和基脲爲主成分。將爲要製造FR-4 型的疊層板一般所使用的環氧樹脂漆，在18//m厚的銅箔 粘結面（墊底面）使用逗點編碼器使乾燥後的厚度能成爲70 μ m般，加以塗抹，再以150t、20分鐘的條件予以加熱 乾燥，使其半硬化（B台）而製造附有樹脂的銅箔。然而， 在內層用基板1 5的兩面將附有樹脂的銅箔以樹脂邊側分 別疊合，並藉以30kg/cm尔、17(TC、120分鐘的條件予以 加熱加壓成形，藉可獲得如第4(a)圖所示。在內層用基板 1 5隔著絕緣層2將金屬層1 6疊層的多層基板1 1。在此， 由於絕緣層2乃是隔著金屬層1 6藉以加熱加壓而在內層 用基板1 5的表面被疊層的緣故，內層用基板1 5和絕緣層2 間的密接強度會變成很高。 -14- M254863 接著，如第4(b)圖般蝕刻，將表面的金屬板16全面加 以去除。似此去除金屬層1 6而在使絕緣層2的全面露現 的狀態下，和第3(c)圖的場合同樣，照射二氧化碳氣雷射 光L而在絕緣層加工通孔3 。而跟第2(d)圖的場合同樣， 將殘留在通孔3底面的導體層la表面之絕緣物5如第4(d) 圖那樣加以去除。 嗣後和第2(c)圖同樣，施加無電解鍍裝及電鍍而在通孔 3內形成電鍍層4 。此時，如第4(e)圖那樣電鍍層4除 了在通孔3內之外，也在絕緣層2表面的全面形成。然 而，在形成於絕緣層2的電鍍層4表面貼附蝕刻電阻膠 片（乾膠片），使其曝光而顯影後，藉將此電鍍層4加以蝕 刻，就可獲得以電鍍層4所構成的導體層1 b作爲外層電 路而如第4(f)圖那樣形成的多層配線板。 此種多層配線板中其導體層1 a、1 b係在設於通孔3內 的電鍍層被電連接者，此電鍍層4由於如上述般被形成爲 均勻的厚度，故可獲得導體層la、lb間電連接的高度信賴 性，又可排除因裝設的加熱或使用時因裝載零件的發熱而 恐會產生斷線之虞。更在上述第2或第3圖的實施形態 (習知者也相同）即如第2(e)圖或第3(e)圖所亦，由於電鍍層 4除了通孔3內之外，也在金屬層16表面的全面形成， 故作爲外層電路的導體層lb乃變成金屬層16和電鍍層4 的兩層而厚度變厚，欲以精緻圖樣形成電路雖有困難，但 如第4圖所示，只以薄電鍍層4就可形成作爲外層電路 的導體層lb，欲以精緻圖樣形成電路便變成可能。 第5圖係表示製造多層配線板的其他一實施形態，首 •15- M254863 先，爲製造以雙酚A型環氧樹脂和14·基茈爲主成分的FR-4 型之疊層板，乃使用一般所用的環氧樹脂漆，在和第2(a) 圖的場合同樣的內層用基板1 5之兩面，使用逗點編碼器使 乾燥後的厚度能成爲70//m般加以塗抹，並以15(TC、120 分鐘的條件加熱使其硬化。藉此，製作如第5圖那樣在內 層用基板15的兩面形成絕緣層2的多層基板11。而後， 和第4(c)圖的場合同樣照射二氧化碳氣雷射光L ，如第5(b) 圖那樣在絕緣層2加工通孔3 ，又同於第4(d)圖的場合， 將殘留於通孔3底面的導體層1 a表示之絕緣物5 ，如第 5(c)圖那樣予以去除。更與第4(e)、（f)圖的場合同樣，形 成電鍍層4之後，再將由電鍍層4構成的導體層ib作爲 外層電路形成，就可獲得如第5 (d)圖那樣的多層配線板。 在這種多層配線板中導體層1 a、1 b係在設於通孔3內 的電鎪層4被電連接，此電鍍層4由於如上述般被形成 爲均勻的厚度，故可獲得導體層la、lb間電連接的高度信 賴性，亦可排除因裝設時的加熱或因使用時所裝載的零件 之發熱而恐會產生斷線的疑慮。又和上述第4圖的場合同 樣，只以薄薄的電鑛層4就可形成作爲外層電路的導體層 1 b，以精緻圖樣形成電路乃變成有其可能。更如上述第4圖 者雖必須蝕刻去除金屬層1 6，但第5圖所繪示者因無設置 金屬層16，所以用不著這種工程。 接著，當以二氧化碳氣雷射光L在絕緣層2加工通孔 3之際，就去除殘留於通孔3底面的導體層1 a表面的絕 緣物5之方法，擬加予說明。第6圖爲表示其一例，因 第 6(a)、（b)、（c)、（e)、（〇、（g)圖和第 2 (a)、（b)、（c)、（d)、 M254863 (e) 、（f)圖相同，所以只就去除絕緣物5的工程之第6(d) 圖加予說明。亦即，照射二氧化碳氣雷射光L而在多層基 板1 1的絕緣層2加工通孔3後，使多層基板1 1浸漬在 高錳酸液7中，並以高錳酸液7處理通孔3內，把殘留 於導體層1 a表面的絕緣物5加以氧化分解而去除掉。作爲 高錳酸液亦可使用高錳酸鉀水溶液等。 若說明使用高錳酸液7處理的具體例者，首先，在希 普萊社調整爲80°C的「MLB21 1」液，將多層基板i }浸漬5 分鐘而加以膨潤處理之後，再在爲高錳酸鉀含有液的同一 公司希普萊社製加溫爲80°C的「MLB213」液，浸漬上述多 層基板1 1 5分鐘而施加氧化分解處理。接著水洗後，在1〇 % 硫酸水溶液中浸漬多層基板1 1 5分鐘，使處理殘留物 中和，再藉由水洗，就可將殘留於導體層1 a表面的絕緣物 5 ，藉以高錳酸液7加以去除。 如上所述，藉以去除殘留於通孔3底面的導體層1 a的 表面之絕緣物5 ，使得導體層1 a和電鍍層4間之導通不 會因絕緣物5而受阻，自可提高藉由通孔3內電鍍層4的 導體層1 a、1 b間電連接之可靠度。然而，把此絕緣物5的 處理如上述般藉以高錳酸液進行時，單單將多層基板1 1浸 漬於高錳酸液的操作，就可容易進行處理，且可一次同時 處理多數張，使以廉價處理。 第7圖係表示去除殘留於通孔3底面的導體層la表面 的絕緣物5之其他另一方法’由於第7(a)、（b)、（c)、（e)、 (f) 、（g)圖和第 2(a)、（b)、（c)、（d)、（e)、（f)相同’所以只 就去除絕緣物5工程的第7(d)圖’加予說明。亦即，照射 M254863 二氧化碳氣雷射光L而在多層基板11的絕緣層2加工通 孔3之後，藉以使用包含氧或氟中至少一方的反應性氣體 所發生的電漿8處理多層基板1 1，使殘留於導體層1 a表 面的絕緣物5加以去除。 若表示電漿處理的具體例者，把真空槽排氣到 O.OOOlTorr之後，將Ar氣體（流量50cc/min)和氧氣（流量 5 0cc/min)的混合氣體導入真空槽，又因應需要追加導入CF 梦氣體（流量5cc/mi η)而使真空槽中的壓力爲0.1 Ton，然 而，在此真空槽內設置加工有通孔3的多層基板11，藉由 加電幾分鐘電漿加電電力60W(高頻率13.56MHz)而使發 生電漿8 ，就得以此電漿8將殘留於通孔3底面的導體 層1 a表面的絕緣物5 ，加以分解去除。 如上述般藉將殘留於通孔3底面的導體層1 a表面之絕 緣物5加以去除，就可提高藉由通孔3內電鑛層所做的 導體層1 a、1 b之電連接可靠性。然而，把這種絕緣物5的 處理要是如上述般藉以高錳酸液那樣的藥液施行的場合， 雖然有時因去泡不良而藥液尙有含泡時不能完全去除殘留 於導體層1 a表面的絕緣物5，但電漿處理即並無這種藥液 的去泡不良等問題，得以完全去除殘留於導體層1 a表面的 絕緣物5，自可提高藉由電鍍層4的導體層la、lb之電連 接可靠度。 第8圖係表示去除殘留於通孔3底面的導體層la表面 之絕緣物5的其他一方法，首先和第2(a)圖的場合同樣， 在內層用基板15的表面疊合絕緣層2及金屬層16，如第 8 (a)圖那樣製作多層基板1 1，接著，在金屬層16的表面貼 M254863 上乾膠片等触刻電阻片1 9而覆蓋之。同時，曝光蝕刻電阻 片1 9而使其顯影，將形成通孔3處所的蝕刻電阻1 9加以 去除而形成開口 20之後，藉經由此開口 20蝕刻金屬層1 6， 去除形成通孔3處的金屬層16,就如第8(b)圖那樣在金屬 層16形成開口 13。接著和第3(c)圖的場合同樣，經由開口 12、13而對絕緣層2照射二氧化碳氣雷射光L ，如第8(c) 圖那樣加工通孔3 。 其後如第8(d)圖所示，藉以吹上鼓風（blast)用砥粒21 的鼓風處理，去除殘留於通孔3底面的導體層la表面之 絕緣物5 。藉由鼓風裝置的鼓風處理即例如使用粒徑5 // m的氧化鋁粉末作爲抵粒21，以空氣壓5kg/cm尔吹上幾秒 鐘就可進行。在此，當進行鼓風處理之際，務使爲形成導 體層所需的金屬層16或絕緣層2不至於遭受損害般，以 仍然留下蝕刻電阻層1 9的狀態下，吹上砥粒2 1來進行爲 宜。 如上所述，施加鼓風處理而去除殘留於導體層1 a表面 的絕緣物5之後，如第8(e)圖那樣去除蝕刻電阻層19。其 後和第2(0、（f)圖的場合同樣，如第8(f)圖般形成電鍍層 4 ，更形成作爲外層電路的導體層lb，藉可獲得如第8(g) 圖那樣的多層配線板。 似此，藉以去除殘留於通孔3底面的導體層1 a表面之 絕緣物5 ，自可提高藉由通孔3內電鍍層4的導體層la、 1 b之電連接信賴性。然而，藉將此絕緣物5施加鼓風處 理，不像以高錳酸液那樣的藥液進行的場合，不會有因藥 液的去泡不良等問題，可完全去除殘留於導體層1 a表面的 -19- M254863 絕緣物5 ，可獲得藉由電鍍層4的導體層la、lb之電連 接的高度信賴性。而且，鼓風處理較諸電漿處理的場合， 其設備成本較廉價，自可以低成本施行處理。 第9圖係表示藉以噴砂處理去除殘留於通孔3底面的 導體層la表面的絕緣物5的其他一方法。首先，和第5(a) 圖的場合同樣，如第9(a)圖那樣在內層用基板15的表面塗 裝樹脂而形成絕緣層2 。接著，在此絕緣層2的表面使 鼓風用電阻層6與其密接。作爲鼓風用電阻層6，可使用 聚胺脂系膠片等，例如，可使用尿烷系高彈性乾膠片電阻 層（市面上所銷售的有東京應化工業社製「奧迪爾SV」等）。 此時，如第10(a)、（b)圖所示般，和第4(a)、（b)圖的場合 同樣，在表面疊合金屬層16而形成絕緣層2的同時，將 金屬層1 6以鈾刻等加以去除後，在絕緣層2的表面使鼓 風用電阻層6與其密接亦可。 然而，如第9(c)圖般照射二氧化碳氣雷射光L ，再去 除照射二氧化碳氣雷射光L處的鼓風用電阻層6和絕緣 層2 ，而在絕緣層2加工通孔3 。至於二氧化碳氣雷射 光L的照射條件即和上面已說過者同樣。 其後，和第8(d)圖的場合同樣藉由第9(d)圖那樣的鼓風 處理，如第9(e)圖所示，將殘留於通孔3底面的導體層la 的表面之絕緣物5加以去除。似此’當施行鼓風處理之際’ 絕緣層2由於以鼓風用電阻層6被覆保護的緣故’可防 止絕緣層2因鼓風處理時的砥粒2 1而遭受損傷。如上所 述，施加鼓風處理而去除殘留於導體層1 a表面的絕緣物5 之後，如第9(e)圖那樣去除鼓風用電阻層’然後和第2(e)、 -20- M254863 (f)圖的場合同樣形成如同第9(f)圖那樣的電鍍層4 ’更 藉由形成作爲外層電路的導體層1b’可獲得第9(g)圖那樣 的多層配線板。 然而，藉由去除殘留於通孔3底面的導體層la表面的 絕緣物5 ，就可提高藉由通孔3內電鍍層4的導體層1 a、 1 b之電連接的高度信賴性。而藉以鼓風處理施行絕緣物5 的處理，故和使用高錳酸液那樣的藥液施行的場合相較’ 不會有藥液的去泡不良等問題，可完全去除殘留於導體層 1 a表面的絕緣物5 ，可獲得藉由電鍍層4的導體層1 a、1 b φ 之電連接的高度可靠性。又鼓風處理其設備成本較諸鼓風 處理的場合低廉，故得以低成本施加處理。 S〔圖式簡單說明〕 第1圖係繪示按照本創作的實施形態，U)、（b)、（c)爲 各工程的部分剖面圖，第2圖係表示第1圖本創作實施 形態的更具體例，（a)、（b)、（c)、（d)、（e)、（f)分別爲各工 程的部分剖面圖，第2A圖係顯示本創作較諸習知構成’通 孔內內壁面和底面連接領域所形成的凹曲面上之電鍍厚 __ 度，大於其表層導體上的電鍍厚度的說明用圖表’第2Ba 圖係按照本創作所形成之電鍍層的說明圖，第2 B b圖係按 照習知構成之電鍍層的說明圖，第3圖係表示本創作的其 他實施形態，（a)、（b)、（c)、（d)、（e)、（f)分別爲各工程的 部分剖面圖，第4圖表示本創作的其他實施形態，U)、（b)、 (c)、（ d)、（ e)、（ f)分別爲各工程的部分剖面圖，第5圖也 是表示本創作的其他實施形態，（a)、（b)、（c)、（d)分別爲 各工程的部分剖面圖，第6圖同樣表示本創作的其他實施 -21- M254863 形態，（a)、 （b)、（c)、（d)、（e)、（f)、（g)分別爲各工程的 部分剖面圖，第7圖表示本創作其他實施形態，（a)、（b)、 (c)、（d)、（e)、（f)、（g)分別爲各工程的部分剖面圖，第8圖 也是表示本創作的其他實施形態，（a)、（b)、 （c)、（d)、（e)、 (0、（g)分別爲各工程的部分剖面圖，第9圖係表示本創 作其他實施形態，（a)、（b)、（c)、 （d)、（e)、（f)、（g)分別 爲各工程的部分剖面圖，第1 0圖表示本創作的其他實施形 態，（a)、（b)爲各工程的部分剖面圖，第1 1圖係表示本創 作其他實施形態中照射二氧化碳氣雷射光態樣的一例之圖 · 表，第1 2圖係表示本創作其他實施形態中照射二氧化碳氣 雷射光態樣的一例之圖表，第1 3圖爲表示本創作其他實施 形態中照射二氧化碳氣雷射光態樣的一例之圖表。 參考符號說明

la、 lb.....導體 2.··· .絕緣層 3···· .通孔 4···· .電鑛層 5···· .絕緣物 6···· .電阻片 7···· .高錳酸液 8···· .電漿 11·· ...多層基板 13、 20••…開口 15·· ...內層用基 16·· ...金屬層 -22- M254863 19.....蝕刻電阻層 21.....鼓風用磁粒 L.....二氧化碳氣雷射光 R....半徑 -23-

Claims (1)

1. M254863 玖、申請專利範圍： 第922 1 2779號「多層配線板」專利案 (93年8月26日修正） 1 . 一種多層配線板，其中複數之導體層藉由樹脂絕緣層 被疊層在全體，從設於各絕緣層之一方面上之導體層 的開口至另一方面之導體層之表面，具有由雷射照射 所設非穿通之通孔，且於通孔內壁面設置以電氣方式 連接絕緣層兩面之導體層間的導體電鍍層，其特徵爲 由1〜100/ZS脈衝幅度與100Hz至ΙΟΚΗζ範圍頻率 之照射雷射所形成的通孔，至少其內壁面與底面的連 接區域，以軸方向切斷通孔的剖面形狀具備半徑20 μ m至1 〇〇 # m範圍之凹曲面，通孔之縱橫尺寸比（孔度 X孔直徑）作爲0.4至1之範圍，使內壁面與底面的連 接區域之凹曲面形成爲半徑30//m至100//ΙΠ。