DE4125018A1

DE4125018A1 - Elektrische verbindung, insbesondere durchkontaktierung bei einer leiterplatte

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Publication number: DE4125018A1
Application number: DE19914125018
Authority: DE
Inventors: Erfinder Wird Nachtraeglich Benannt Der
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1991-07-27
Filing date: 1991-07-27
Publication date: 1993-01-28
Also published as: WO1993003593A1

Description

Die Erfindung betrifft eine elektrische Verbindung, insbesondere Durchkontaktierung, von mindestens zwei leitenden Schichten, insbesondere Leiterbahnen oder dergleichen von Leiterplatten, vorzugsweise bei Mehrlagen-Leiterplatten (Multilayer), welche Verbindung von einem quer zu den Schichten verlau fenden, diese kontaktierenden, elektrischen Verbin dungsweg gebildet ist.

In vielen Bereichen der Elektrotechnik werden Lei terplatten eingesetzt, die mit elektrischen/elek tronischen Bauelementen bestückt werden. Kom plizierte und komplexe Leitungsführungen erfordern es, daß die Leiterplatten beidseitig mit Leiter bahnen bildenden Schichten oder aber auch mit einer Vielzahl derartiger Schichten (Multilayer) versehen sind. Eine Mehrlagen-Leiterplatte weist auf ihrer Ober- und Unterseite und auch im Innern leitende Schichten (Leiterbahnen) auf, die untereinander elektrisch isoliert sind. Insbesondere liegen diese einzelnen Schichten in voneinander beabstandeten, parallelen Ebenen. Aufgrund einer damit möglichen Mehrebenenverdrahtung läßt sich eine hohe Packungs dichte erzielen. Durch die verschiedenen Leiter ebenen (Schichten) lassen sich die einzelnen Leiterzüge (Leiterbahnen) auf die entsprechenden einzelnen Ebenen aufteilen. Bekannt ist es, sie über metallisierte Löcher leitend zu verbinden. Man spricht hierbei von sogenannten "Durchkontaktie rungen". Zur Erstellung einer derartigen Durchkon taktierung ist es erforderlich, zunächst eine Boh rung oder dergleichen in die Leiterplatte einzu bringen, die die miteinander zu verbindenden lei tenden Schichten durchsetzt. In einem weiteren Ver fahrensschritt werden auf elektrochemischem Wege die Bohrungswandungen metallisiert, so daß ein Ver bindungsweg zwischen den Schichten geschaffen wird. Die so erstellte elektrische Verbindung erfordert daher ein aufwendiges Herstellungsverfahren, insbe sondere bringt der Einsatz der "Chemie" zum Me tallisieren der Bohrungen die bekannten Umwelt-Ent sorgungsprobleme mit sich. Ferner erfordern die Bohrungen einen relativ großen Mindestdurchmesser, um eine einwandfreie Metallisierung zu erzielen, so daß hierfür ein entsprechender Raum eingenommen wird, der die Abmessungen einer elektronischen Schaltungseinheit wesentlich mitbestimmt. Bei heu tigen komplexen elektronischen Schaltungen nimmt der Raum für die Durchkontaktierungen Größenord nungen ein, die den Platzbedarf für das eigentliche Anschließen der elektrischen/elektronischen Bau elemente überschreitet. Die Bauelemente sind vor zugsweise als sogenannte SMD-Bauteile (surface mounted device) ausgebildet, das heißt, sie werden vorzugsweise jeweils mit ihrem Gehäuse auf der Ober- bzw. Unterseite der Leiterplatte derart ge klebt, daß ihre Anschlüsse auf entsprechenden Löt anschlüssen der Leiterbahnen aufliegen. Ist die Leiterplatte vollständig bestückt, so passiert sie ein Lötbad, durch das die Anschlüsse mit den Lötan schlüssen elektrisch verbunden werden. Die Verbin dung zwischen den einzelnen Schichten (Leiterbah nen) wird von den erwähnten Durchkontaktierungen vorgenommen, wobei diese Durchkontaktierungen als die Leiterplatte durchsetzende, metallisierte Durchbrüche oder aber auch als metallisierte Sack löcher ausgebildet sein können.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine elektrische Verbindung zwischen mindestens zwei leitenden Schichten zu schaffen, die einfach her stellbar ist, nur einen sehr geringen Raumbedarf hat und überdies zur Erstellung keine Metallisie rung erfordert.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Verbindungsweg von einem separat herge stellten und dann in die Leiterplatte eingebrach ten, leitenden Verbindungsteil gebildet wird, das mit den Schichten verschweißt ist. Damit wird also die elektrische Verbindung - im Gegensatz zum Stand der Technik - nicht an der Leiterplatte durch einen chemischen Prozeß erzeugt, sondern es wird ein vor zugsweise aus Metall bestehendes, leitendes Verbin dungsteil verwendet, das bereits als fertiges Bau teil vorliegt, bevor es bei der Leiterplatte zur Bildung der Durchkontaktierung eingesetzt wird. Das erfindungsgemäße Verbindungsteil kann sehr kleine Querschnittsabmessungen aufweisen, die lediglich die Strombelastung aushalten muß. Besonders große Abmessungen, wie sie bei den metallisierten Löchern im Stand der Technik für das einwandfreie Galvani sieren notwendig sind, entfallen daher. Um das Ver bindungsteil sicher mit den einzelnen Schichten (Leiterbahnen) zu kontaktieren, wird es mit diesen, vorzugsweise ohne Zuführung von Zusatzmaterial, verschweißt. Eine Schweißverbindung hat ausgezeich nete elektrische Eigenschaften und ist auch mech anisch hoch belastbar. Die mechanische Belastbar keit ist sogar derart groß, daß die einzelnen Lagen von Multilayer-Leiterplatten mittels der erfin dungsgemäßen Verbindungsteile zusammengehalten wer den können, so daß das bisher übliche Verkleben entfallen kann. Sofern auf das Verkleben nicht ver zichtet wird, bieten die einzelnen Verbindungsteile einen zusätzlichen mechanischen zusammenhalt. Wenn hochbelastbare Stromverbindungen hergestellt werden müssen, ist es auf einfache Weise möglich, mehrere Verbindungsteile parallel zueinander vorzusehen, die die gleichen Schichten miteinander verbinden.

Nach einer Weiterbildung der Erfindung ist vorge sehen, daß die Schweißverbindung mittels Ultra schall erzeugt ist. Hierzu wird das Verbindungsteil in die Leiterplatte in eine Stellung eingebracht, in der es mit den zu verbindenden leitenden Schich tung in Berührung steht. Anschließend wird dann mit einer Ultraschallquelle der Berührungsbereich zwi schen dem Verbindungsteil und den leitenden Schich ten verschweißt.

Alternativ ist es jedoch auch möglich, die Schweiß verbindung mittels Laserenergie zu erzeugen. Dies ist allerdings nur auf der Ober- und der Unterseite der Leiterplatte möglich, da der Laserstrahl nicht in das Innere der Leiterplatte ohne deren Beschädi gung eindringen kann. Allerdings ist es möglich, eine Mehrlagen-Leiterplatte sukzessive aufzubauen, das heißt, zunächst nur den inneren Bereich (innere Lagen) der Leiterplatte zu erstellen, wobei die in neren Lagen mit lasergeschweißten Verbindungsteilen versehen werden. Hierauf werden dann zusätzliche, weiter außen liegende Lagen aufgebracht, wobei stets die Verschweißung der Verbindungsteile mit Laserenergie erfolgt.

Besonders vorteilhaft ist es, die Schweißverbindung mittels Kaltschweißung aufgrund von Druck- und/oder Bewegungsenergie zu erzeugen. Bevorzugt wird hier für die Druck- und/oder Bewegungsenergie des Ver bindungsteils herangezogen. Das Verbindungsteil wird also relativ zu den einzelnen leitenden Schichten derart bewegt oder durch Druck beauf schlagt, daß die Werkstoffe des Verbindungsteils und der leitenden Schichten vorzugsweise bei Raum temperatur ohne weitere Wärmezufuhr miteinander verschweißen.

Insbesondere ist vorgesehen, daß das Verbindungs teil in einem quer zu den Ebenen der Schichten ver laufenden Verbindungskanal eingebracht wird. Bei einem derartigen Verbindungskanal kann es sich um einen Durchbruch handeln, der die Leiterplatte durchsetzt oder es wird nur ein Teilabschnitt der Dicke der Leiterplatte durchsetzt. Sofern dieser Teilabschnitt mit einem Ende in der Ober- bzw. Un terseite der Leiterplatte mündet, handelt es sich um ein "Sackloch".

Alternativ ist es jedoch auch möglich, auf die Aus bildung eines Verbindungskanals vor dem Einbringen des Verbindungsteils in die Leiterplatte zu ver zichten, wenn das Verbindungsteil in die Leiter platte eingeschossen wird. Hierzu wird das Verbin dungsteil mit einer derart großen Energie in Rich tung auf die Leiterplatte bewegt, daß es ein ge wünschtes Maß eindringt und dabei die miteinander zu verbindenden leitenden Schichten durchdringt, wobei die Bewegungsenergie nicht nur das Eindringen in die Leiterplatte bewirkt, sondern auch gleich zeitig die Erstellung der Schweißverbindungen, ins besondere durch Kalt-Preßschweißen, herbeiführt. Es ist jedoch auch möglich, das Verbindungsteil ledig lich einzuschießen und die Verschweißung dann mit tels Ultraschall oder Laser vorzunehmen.

Vorteilhaft ist es, wenn das Verbindungsteil ein massives Teil ist. Insbesondere ist vorgesehen, daß es einen kreisförmigen Querschnitt aufweist. Das Verbindungsteil kann vorzugsweise als kreiszylin drisches Teil ausgebildet sein. Es ist sogar mög lich, daß Verbindungsteil von einer Vorratsrolle, ähnlich einer Drahtrolle, abzulängen und dann der Leiterplatte zuzuführen.

Für eine sichere elektrische Verbindung ist es vor teilhaft, wenn das Verbindungsteil länger als der Abstand der zu verbindenden Schichten ist. Hier durch besteht ein gewisser Überstand, der eine ein wandfreie Ausbildung der Schweißverbindung garan tiert.

Das in die Leiterplatte eingebrachte und mit den leitenden Schichten verschweißte Verbindungsteil kann eine derartige Länge aufweisen, daß es über die Unter- bzw. Oberseite der Leiterplatte hinaus ragt. In einem solchen Falle ist es möglich, daß das überstehende Ende mit einem Laser abgeschnitten wird.

Vorzugsweise kann vorgesehen sein, daß die eine Schicht von einem Substrat eines elektrischen/elektro nischen Bauteils und die andere Schicht von einer Leiterbahn der Leiterplatte gebildet ist. Hierdurch lassen sich elektronische Bauteile (z. B. IC's) auf einfache Weise anschließen und auch me chanisch halten.

Nach einer anderen Weiterbildung ist vorgesehen, daß die eine Schicht von einem Substrat eines elek trischen/elektronischen Bauteils und die andere Schicht ebenfalls von einem Substrat eines anderen elektrischen/elektronischen Bauteils gebildet ist. Mittels des Verbindungsteils können hierdurch zum Beispiel mehrere IC's miteinander verbunden werden. Es wird damit die Bildung von zweidimensionalen IC's möglich.

Die Zeichnung veranschaulicht die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels. Es zeigt

Fig. 1 ein Querschnitt durch eine mit ver schweißten Verbindungsteilen versehene Mehrlagen-Leiterplatte,

Fig. 2 einen Querschnitt durch den Anschlußbe reich eines elektronischen Bauteils an einer Leiterplatte,

Fig. 3 den Anschluß eines Substrats eines elek tronischen Bauteils an einer Leiter platte,

Fig. 4 einen Verbindungskanal durch die Leiter platte im Längsschnitt,

Fig. 5 eine weitere elektrische, noch nicht fer tiggestellte Verbindung und

Fig. 6 die fertige elektrische Verbindung gemäß Fig. 5.

Die Fig. 1 zeigt einen Abschnitt einer Mehrlagen-Leiter platte 1, die insgesamt zehn elektrisch lei tende Schichten 2 aufweist, die in voneinander be abstandeten, parallelen Ebenen angeordnet sind. Die Schichten 2 bilden Leiterbahnen 3 aus. Zwischen den einzelnen Schichten 2 liegen elektrisch isolierende Zwischenschichten 4.

Bestimmte Schichten 2 sind mittels Durchkontaktie rungen 5 elektrisch miteinander verbunden. Hierzu ist der Verbindungsweg jeder Durchkontaktierung 5 vor einem Verbindungsteil 6 gebildet, das aus elek trisch leitendem Material besteht. Vorzugsweise weist jedes Verbindungsteil 6 eine kreiszylindri sche Form auf.

Zur Herstellung einer elektrischen Verbindung wird zunächst zwischen z. B. zwei zu kontaktierenden Schichten 2 ein Verbindungskanal 7 hergestellt, was vorzugsweise mittels eines Plasma-, Elektronen- oder Laserstrahls erfolgt. In diesen Verbindungs kanal 7 wird dann das Verbindungsteil 6 eingebracht und mit den zu kontaktierenden Schichten 2 ver schweißt. Die Schweißung kann mittels Ultraschall, Laserenergie (sofern von außen zugänglich) oder be vorzugt mittels Kaltverschweißung aufgrund von Druck- und/oder Bewegungsenergie erfolgen. Wird die Kaltverschweißung durchgeführt, so wird das Verbin dungsteil um seine Längsachse in Rotation mit sehr hoher Drehzahl versetzt und dann in den Verbin dungskanal 7 eingedrückt. Die vorhandene Rotations energie wird als Bewegungsenergie zur Erstellung der Schweißverbindungen verwendet. Die Rotation des Verbindungsteils 7 wird mittels elektromagnetischer Felder erzeugt, das heißt, das Verbindungsteil 6 wird quasi im frei schwebenden Zustand in den Ver bindungskanal 7 der Leiterplatte 1 eingebracht. Hierdurch lassen sich extrem hohe Drehzahlen er zielen. Alternativ ist es jedoch auch möglich, daß dem Verbindungsteil 6 die notwendige Bewegungsener gie, insbesondere Rotationsenergie, mittels einer mechanischen Vorrichtung vermittelt wird.

Alternativ ist es jedoch auch möglich, das Verbin dungsteil 6 in die Leiterplatte 1 derart einzu schießen, daß es die einzelnen Schichten 2 durch dringt und aufgrund der Aufprallenergie mit den Schichten 2 verschweißt. In einem solchen Falle ist es also nicht notwendig, zuvor Verbindungskanäle 7 in die Leiterplatte 1 einzubringen.

Aus der Fig. 1 ist ersichtlich, daß die Verbin dungsteile 6 unterschiedliche Längen aufweisen kön nen, um entsprechende Anzahlen von Schichten 2 mit einander zu verbinden. Verbindungsteile 6, die in nerhalb der Leiterplatte 1 angeordnet sind, werden entweder durch einen entsprechenden Verbindungs kanal 7 eingeführt, der in der Ober- bzw. Unter seite der Leiterplatte 1 mündet oder bis in die entsprechende Tiefe in die Leiterplatte 1 einge schossen. Es ist jedoch auch möglich, die Leiter platte von innen nach außen lagenweise aufzubauen und dabei die einzelnen Schichten 2 mittels ent sprechend langer Verbindungsteile 6 miteinander zu verbinden. Dies hat den Vorteil, daß keine Ein schußkanäle bzw. Verbindungskanäle 6 nach außen führen.

Gemäß der Fig. 2 ist es mit den Verbindungsteilen auch möglich, einen Anschluß 8 (Anschlußfuß) eines elektronischen Bauteils 9 mit mindestens einer Schicht 2 einer Leiterplatte 1 zu verbinden. Hierzu wird entweder zunächst ein Verbindungskanal 7 ge bildet, der den Anschluß 8 und die Schicht 2 durch setzt und dann das Verbindungsteil 6 mit entspre chender Energie eingebracht, so daß es mit dem An schluß 8 und der Schicht 2 verschweißt. Es ist da bei möglich, daß der Verbindungskanal 7 derart lang ist, daß er mehrere Schichten 2 miteinander verbin det und daß auch das Verbindungsteil 6 eine ent sprechende Länge aufweist, so daß nicht nur eine Schicht 2 mit dem Anschluß 8, sondern mehrere Schichten 2 mit dem Verbindungsteil 6 verbunden werden. Dies ist in der Fig. 2 gestrichelt darge stellt. Die Schweißung kann alternativ auch mittels Laser oder Ultraschall erfolgen.

Selbstverständlich ist es auch möglich, ohne Aus bildung eines Verbindungskanals 7 den Anschluß 8 mittels eines Verbindungsteils 6 mit einer oder mehreren Schichten 2 zu verbinden, indem das Ver bindungsteil 6 durch den Anschluß 8 und die Schicht 2 bzw. mehrere Schichten 2 und Zwischenschichten 4 hindurchgeschossen wird.

Gemäß Fig. 3 ist es auch möglich, ein Substrat 10 bzw. bestimmte aktive Bereiche 11 des Substrats 10 eines elektronischen Bauteils 9 direkt mittels ei nes Verbindungsteils 6 mit einer oder mehreren Schichten 2 einer Leiterplatte 1 zu verbinden. Hierzu wird das Verbindungsteil 6 sowohl mit dem aktiven Bereich 11 des Substrats 10 als auch den Schichten 2 verschweißt. Dieses Verschweißen kann mittels Ultraschall, Laserenergie oder - bei einer Kaltverschweißung - aufgrund von Bewegungsenergie erfolgen. Auch hier besteht die Möglichkeit, das Verbindungsteil 6 in einen Verbindungskanal 7 ein zubringen oder aber das Verbindungsteil 6 einzu schießen.

Aufgrund der Erfindung ist die Herstellung einer elektrischen Verbindung mit einem oder mehreren Leiterplattenlagen möglich. Als Verbindungsteil kommt vorzugsweise ein massives, leitendes Teil zum Einsatz. Dies kann bevorzugt eine kreiszylindrische Form aufweisen. Vorzugsweise ist es möglich, dies von einer Vorratsrolle - wie ein Drahtstück - abzu längen. Bevorzugt ist es auch möglich, Verbindungs teile mit konischer Querschnittsform einzusetzen.

Sofern das Verbindungsteil 6 in einen Verbin dungskanal 7 der Leiterplatte 1 eingebracht wird, wird zur Herstellung des Verbindungskanals 7 ein Plasma-, Elektronen- oder Laserstrahl eingesetzt. Alternativ oder zusätzlich ist auch ein Ionenbe schuß möglich. Der entsprechende Strahl kann mit tels veränderbarer Fokussierung und/oder variabler Pulslänge derart gesteuert werden, daß es zur Ka nalbildung und/oder - gemäß Fig. 4 - zu unter schiedlichen Durchmessern des Verbindungskanals 7 kommt. Vorzugsweise ist vorgesehen, daß der Verbin dungskanal 7 im Bereich der Schichten 2 einen klei neren Durchmesser als in den übrigen Bereich 12 aufweist. Dies hat den Vorteil, daß bei der Rota tions-Schweißung das Verbindungsteil 6 nur an den Schichten 2 anliegt und insofern von den Zwischen schichten 4 nicht unnötig abgebremst wird. Die ver schiedene Aufweitung in den Bereichen der Zwischen schichten 4 kann vorzugsweise auch mittels Ionenbe schuß vorgenommen werden. Mittels der erwähnten veränderbaren Fokussierung und/oder der veränder baren Pulszeit beim Pulsen des entsprechenden Strahls läßt sich ferner auch die Eindringtiefe, das heißt die Tiefe des Verbindungskanals 7 in der Leiterplatte 1, bestimmen.

Ferner ist es möglich, den Querschnitt eines Ver bindungskanals 7 und/oder eines Verbindungsteils 6 nicht kreiszylindrisch, sondern zum Beispiel ko nisch auszubilden.

Aufgrund der erfindungsgemäßen Verbindung läßt sich auf kleinstem Raum eine Durchkontaktierung herstel len, die nicht den Einsatz der Chemie wie bei den bekannten Lochmetallisierungen des Standes der Technik erfordert.

Vorzugsweise werden die Verbindungsteile mit einer Art "Kanone" in die Leiterplatte eingebracht bzw. eingeschossen. Es ist dabei möglich, sie aufgrund von elektromagnetischen Feldern in Rotation zu ver setzen. Eine derartige Kanone kann jeweils eine be stimmte Fläche der Leiterplatte abdecken, das heißt, diese Fläche kann mit Verbindungsteilen ver sehen werden. Die Einbring-Bewegungsbahn des Ver bindungsteils wird mittels elektromagnetischer und/oder elektrostatischer Felder derart beein flußt, daß eine Auslenkung stattfindet, so daß auch die Randbereiche dieser Fläche erreicht werden kön nen. Dies hat den Vorteil, daß die "Kanone" nicht kontinuierlich, sondern nur rasterweise über die Leiterplatte bewegt werden muß.

Die Fig. 5 und 6 zeigen eine weitere elektrische Verbindung bei einer mehrlagigen Leiterplatte 1. Dargestellt ist eine doppelseitig beschichtete Lei terplatte; die elektrische Verbindung kann jedoch auch bei einer mehr als zwei leitende Schichten 2 aufweisenden Leiterplatte entsprechend realisiert werden.

Erfindungsgemäß ist vorgesehen, daß die außen liegende leitende Schicht 2 (z. B. Kupferschicht) mit Laserlicht 15 oder mittels Wärme derart beauf schlagt wird, daß sich ein Durchbruch 16 bildet. Dabei wird die Energie so eingestellt, daß nur die obere Schicht 2, nicht jedoch die folgende Schicht 2 aufschmilzt und ferner die zwischen den beiden Schichten 2 liegende Isolierschicht 17 in einem Be reich 18 verdampft, der größer als die Quer schnittsabmessung des Durchbruchs 16 ist. Insofern wird die Isolierschicht 17 in einem trichterförmi gen bzw. trapezförmigen Bereich entfernt, wobei ein freistehender, benachbart zum Durchbruch 16 liegen der Teil 19 der außenliegenden Schicht 2 brücken ähnlich stehen bleibt. Diese Brückenbereiche werden dann mechanisch derart in Richtung auf die weitere Schicht 2 gebogen, daß sie dort anliegen. Mittels entsprechend gerichteten Laserlichts 15 oder einer anderen Wärmebehandlung werden dann die Endbereiche 20 des Teils 19 mit der im Innern liegenden Schicht 2 verschweißt (Schweißstellen 21). Hierdurch wird auf besonders einfache Weise ein elektrischer Verbindungsweg zwischen den beiden Schichten 2 geschaffen.

Claims

1. Elektrische Verbindung, insbesondere Durchkon taktierung, von zumindest zwei leitenden Schichten, insbesondere Leiterbahnen oder dergleichen von Lei terplatten, vorzugsweise von Mehrlagen-Leiterplat ten (Multilayer), welche Verbindung von einem quer zu den Schichten verlaufenden, diese kontaktieren den, elektrischen Verbindungsweg gebildet ist, da durch gekennzeichnet, daß der Verbindungsweg von einem separat hergestellten und dann in die Leiter platte (1) eingebrachten, leitenden Verbindungsteil (6) gebildet wird, das mit den Schichten (2) ver schweißt ist.

2. Verbindung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich net, daß die Schweißverbindung mittels Ultraschall erzeugt ist.

3. Verbindung nach einem der vorhergehenden Ansprü che, dadurch gekennzeichnet, daß die Schweißverbin dung mittels Laserenergie erzeugt ist.

4. Verbindung nach einem der vorhergehenden Ansprü che, dadurch gekennzeichnet, daß die Schweißverbin dung mittels Kaltverschweißung aufgrund von Druck- und/oder Bewegungsenergie erzeugt ist.

5. Verbindung nach einem der vorhergehenden Ansprü che, dadurch gekennzeichnet, daß die Schweißverbin dung mittels Kaltverschweißung aufgrund von Druck- und/oder Bewegungsenergie das Verbindungsteil (6) erzeugt ist.

6. Verbindung nach einem der vorhergehenden Ansprü che, dadurch gekennzeichnet, daß das Verbindungs teil in einem quer zu den Ebenen der Schichten (2) verlaufenden Verbindungskanal (7) eingebracht ist.

7. Verbindung nach einem der vorhergehenden Ansprü che, dadurch gekennzeichnet, daß das Verbindungs teil (6) in die Leiterplatte (1) eingeschossen ist.

8. Verbindung nach einem der vorhergehenden Ansprü che, dadurch gekennzeichnet, daß das Verbindungs teil (6) ein massives Teil ist.

9. Verbindung nach einem der vorhergehenden Ansprü che, dadurch gekennzeichnet, daß das Verbindungs teil (6) einen kreisförmigen Querschnitt aufweist.

10. Verbindung nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Verbin dungsteil (6) ein kreiszylindrisches Teil ist.

11. Verbindung nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Verbin dungsteil (6) länger als der Abstand der zu verbin denden Schichten (2) ist.

12. Verbindung nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten (2) von Leiterbahnen (3) der Leiterplatte (1) ge bildet sind.

13. Verbindung nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die eine Schicht (2) von einem Anschluß (8) eines elektri schen Bauteils (9) und die andere Schicht (2) von einer Leiterbahn (3) der Leiterplatte (1) gebildet ist.

14. Verbindung nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die eine Schicht (2) von einem Substrat (10) eines elektri schen/elektronischen Bauteils (9) und die andere Schicht (2) von einer Leiterbahn (3) der Leiter platte (1) gebildet ist.

15. Verbindung nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die eine Schicht von einem Substrat eines elektrischen/elek tronischen Bauteils und die andere Schicht ebenfalls von einem Substrat eines anderen elektri schen/elektronischen Bauteils gebildet ist.

16. Verbindung nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Verbin dungskanal (7) im Bereich der Schichten (2) einen kleineren Durchmesser als im übrigen Bereich (Zwi schenschichten 4) aufweist.

17. Verbindung nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Verbin dungsteil (6) und/oder der Verbindungskanal (7) ko nisch ausgebildet ist.

18. Verbindung nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Verbin dungsteil (6) rechtwinklig zu den Ebenen der Schichten (2) verläuft.

19. Verbindung nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Verbin dungsteil (6) schräg zu den Ebenen der Schichten (2) verläuft.

20. Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Verbindung, insbesondere nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, insbesondere zur Her stellung einer Durchkontaktierung, von mindestens zwei elektrisch leitenden Schichten, insbesondere Leiterbahnen oder dergleichen von Leiterplatten, vorzugsweise von Mehrlagen-Leiterplatten (Multi layer), welche Verbindung von einem quer zu den Schichten verlaufenden, diese kontaktierenden, elektrischen Verbindungsweg gebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Verbindungsweg von einem separat hergestellten und dann in die Leiterplatte eingebrachten elektrischen Verbindungsteil gebildet wird, das mit den Schichten verschweißt wird.

21. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü che, dadurch gekennzeichnet, daß der Verbindungs kanal (7) mittels Plasmastrahl, Elektronenstrahl oder Laserstrahl hergestellt wird.

22. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü che, dadurch gekennzeichnet, daß der Plasma-, Elek tronen- oder Laserstrahl eine veränderbare Fokus sierung und/oder eine Pulsung mit veränderbarer Pulszeit aufweist.

23. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü che, dadurch gekennzeichnet, daß die Wandung des Verbindungskanals (7) und/oder die Mantelfläche des Verbindungsteils (6) einer Ionenbeschußbehandlung unterzogen wird.

24. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü che, dadurch gekennzeichnet, daß das Verbindungs teil (6) um seine Längsachse in Rotation versetzt wird und dann in die Leiterplatte (1) eingebracht wird.

25. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü che, dadurch gekennzeichnet, daß die Rotationsener gie als Bewegungsenergie zur Herstellung der Schweißverbindung verwendet wird.

26. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü che, dadurch gekennzeichnet, daß die Rotation des Verbindungsteils (6) mittels elektromagnetischer Felder erzeugt wird.

27. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü che, dadurch gekennzeichnet, daß das Einbringen des in Rotation befindlichen Verbindungsteils (6) mit tels elektromagnetischer Felder erzeugt wird.

28. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü che, dadurch gekennzeichnet, daß die Einbring-Be wegungsbahn des Verbindungsteils (6) in die Leiter platte (1) mittels elektromagnetischer und/oder elektrostatischer Felder beeinflußbar ist.

29. Elektrische Verbindung, insbesondere Durchkon taktierung, von zumindest zwei leitenden Schichten, insbesondere Leiterbahnen oder dergleichen von Lei terplatten, vorzugsweise von Mehrlagen-Leiterplat ten (Multilayer), welche Verbindung von einem quer zu den Schichten verlaufenden, diese kontaktieren den, elektrischen Verbindungsweg gebildet ist, ins besondere nach einem oder mehreren der vorhergehen den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in eine der Schichten (2) mittels Wärmeeinwirkung, insbe sondere Lasereinsatzes, ein Durchbruch (16) derart eingebracht wird, daß die zwischen den Schichten (2) liegende Isolierschicht (17) in einem Bereich (18) verdampft, der größer als die Querschnittsab messung des Durchbruchs (16) ist, daß der so gebil dete, freistehende, benachbart zum Durchbruch (16) liegende Teil (19) der Schicht (2) mechanisch bis auf die weitere Schicht (2) gebogen und dort mit der weiteren Schicht (2) zur Bildung des Verbin dungswegs, insbesondere mittels Laser, verschweißt wird.