TWI825957B - 高純低鈾亞微米級球形二氧化矽微粉的製備方法 - Google Patents

高純低鈾亞微米級球形二氧化矽微粉的製備方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI825957B
TWI825957B TW111132565A TW111132565A TWI825957B TW I825957 B TWI825957 B TW I825957B TW 111132565 A TW111132565 A TW 111132565A TW 111132565 A TW111132565 A TW 111132565A TW I825957 B TWI825957 B TW I825957B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
uranium
preparation
acid solution
slurry
purity
Prior art date
Application number
TW111132565A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202323192A (zh
Inventor
張建平
曹家凱
李曉冬
阮建軍
姜兵
朱剛
Original Assignee
大陸商江蘇聯瑞新材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 大陸商江蘇聯瑞新材料股份有限公司 filed Critical 大陸商江蘇聯瑞新材料股份有限公司
Publication of TW202323192A publication Critical patent/TW202323192A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI825957B publication Critical patent/TWI825957B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
    • C01P2004/32—Spheres
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80—Compositional purity
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
    • Y02E30/30—Nuclear fission reactors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本發明公開了一種高純低鈾亞微米級球形二氧化矽微粉的製備方法。所述方法先將塊狀原料煆燒、破碎、沉降烘乾成1mm以下的砂料，再將砂料濕法球磨成粉漿，然後在粉漿中加入由氫氟酸和鹽酸組成的混酸，並加入雙氧水，回收鈾元素，之後將粉漿壓濾、洗滌、乾燥，製得鈾含量在1.0ppb以下的粉末，最後採用火焰成球法，製得亞微米級球形二氧化矽微粉。本發明方法對原料要求低，適用於各種工業級矽源，製得的亞微米級球形二氧化矽微粉U含量低且穩定。

Description

高純低鈾亞微米級球形二氧化矽微粉的製備方法
本發明屬於導熱填料的製備技術領域，涉及一種高純低鈾亞微米級球形二氧化矽微粉的製備方法。
電子設備朝著小和薄方向發展，半導體封裝用填料粒徑越來越小。同時為了提高填料在半導體封裝中的填充量和流動性，需要添加球形度高的亞微米級(一般認為0.1μm~1μm)填料。然而隨著超大積體電路集成度的不斷提高，導線間距越來越小，以及存儲晶片等封裝材料，封裝料中α射線較強時對信號的傳輸會產生軟誤差，從而降低了積體電路的可靠性。因此，超大積體電路封裝和存儲晶片等封裝材料對α射線提出了更高要求。自然礦中的鈾元素(U)是影響α射線的最主要因素。因此需要控制鈾元素含量，進而控制α射線的強弱。
中國專利申請CN101570332A採用有機矽源製成矽溶膠，經造粒等工序，得到U<1ppm的球形矽微粉。中國專利申請CN104556076A採用有機矽烷提純、乳化等工序，得到無α射線的球形矽微粉。然而上述方法主要是通過化學合成的方法，採用高純的有機矽源和溶劑，製得高純低鈾的球形矽微粉，存在能耗高、污染大、成本居高不下的問題。
中國專利申請CN 112591756 A採用1ppb左右低鈾含量的天然石英，經過火焰燃燒製得鈾含量在1ppb以下的產品。但是該方法僅適合生產微 米級球形矽微粉，不能一步得到亞微米級產品，需要通過不斷的分級等後道複雜工序處理才能獲得。
中國專利申請CN 101274365 A通過控制原料Si中P元素含量和鈾含量，製備的產品鈾含量在0.4~5.0ppb，但是該方法對原料Si的要求較嚴格，原料不容易獲得。
綜上所述，現有的低鈾球形矽微粉的製備方法存在以下問題：雖然通過選擇高純有機矽源和溶劑經化學合成能夠得到高純低鈾產品，然而這種方法會帶來環保問題；單獨選擇1ppm左右低鈾天然石英，只能得到微米級產品，同時對原料的要求較高，難以做到0.5ppb以下的產品；選擇經嚴格篩選的原料Si，經過簡單酸處理，製得的產品U含量不穩定。
本發明的目的在於提供一種高純低鈾亞微米級球形二氧化矽微粉的製備方法。
實現本發明目的的技術方案如下：高純低鈾亞微米級球形二氧化矽微粉的製備方法，包括以下步驟：步驟(1)，惰性氣體保護下，將原料在700~1400℃高溫爐內煆燒10~20h，煆燒結束後，遇水急冷，破碎為1mm以下的砂料，沉降烘乾，再重複煆燒-破碎-沉降烘乾步驟，製得砂料，所述的原料為純度99.5%以上、鈾含量為5~20ppb的30~100mm單質矽或含矽無機化合物塊料；步驟(2)，按砂料與水的質量比為1~3：2~5，並加入水質量的0.1‰~0.5‰的HF溶液，經濕法球磨製得粉體平均粒徑為5~40μm的粉漿； 步驟(3)，按氫氟酸和鹽酸的質量濃度比為1~300：1，在粉漿中加入等質量的氫氟酸溶液和鹽酸溶液，同時加入占混合酸溶液質量的0.1%~0.5%的雙氧水，並加入浮選劑和收集劑回收鈾元素，在30~60℃下攪拌，製得粉漿；步驟(4)，將步驟(3)獲得的粉漿壓濾、洗滌、乾燥，製得鈾含量在1.0ppb以下的粉末；步驟(5)，採用火焰成球法，通入載氣、可燃氣體以及助燃劑，點燃，將步驟(4)獲得的粉末在1800~2400℃下高溫球化，收集亞微米級球形二氧化矽微粉。
優選地，步驟(1)中，所述的含矽無機化合物為氮化矽、碳化矽和氧化矽中的一種或兩種以上。
優選地，步驟(2)中，球磨時間為5~30h。
優選地，步驟(2)中，氫氟酸溶液的質量濃度為1.5%。
優選地，步驟(3)中，氫氟酸和鹽酸的質量濃度比為1~3：1。
優選地，步驟(3)中，鹽酸溶液的質量濃度為0.005%~1.5%。
優選地，步驟(3)中，攪拌時間為12~72h。
優選地，步驟(5)中，載氣為氧氣、空氣、氮氣或氬氣，可燃氣體為天然氣(LNG)、液化石油氣(LPG)或H2，助燃劑為空氣或氧氣。
優選地，步驟(5)中，亞微米級球形二氧化矽微粉的平均粒徑D50=0.1~1.5μm，U含量<1.0ppb，SiO2純度
Figure 111132565-A0305-02-0004-2
99.90%。
與現有技術相比，本發明具有以下優點：
本發明通過水淬、濕法提純和經氧化後的U元素經特定的混合酸處理，製得U含量低且穩定的亞微米級球形二氧化矽微粉。本發明方法對原料要求低，適用於各種工業級矽源。
下面結合具體實施例對本發明作進一步詳述。
實施例1
(1)氬氣保護下，將10kg、80mm的單質矽(純度99.6%，鈾含量15ppb)在1250℃高溫爐內煆燒15g。煆燒結束後，遇水急冷，破碎為1mm以下的砂料，沉降烘乾。再迴圈煆燒-破碎-沉降烘乾步驟一次。多次收集烘乾後的砂料，備用。
(2)稱取250kg烘乾後的砂料加入到230kg水中，並加入0.05kg 1.5%的氫氟酸溶液，經濕法球磨，製得粉體平均粒徑為35μm的粉漿。
(3)將粉漿轉移至反應釜中，加入15kg、1.5%HF溶液和15kg、0.5%HCl溶液，同時加入占混合酸溶液質量的0.1%的雙氧水，並加入浮選劑和收集劑回收鈾元素，60℃攪拌24h，製得粉漿。
(4)將粉漿壓濾、洗滌、乾燥，製得鈾含量在1.0ppb以下的粉末。
(5)將粉末在2000℃高溫、富氧條件下高溫球化，製得高純低鈾亞微米球形二氧化矽微粉的粒徑為0.3μm，U含量為0.2ppb，SiO2純度為99.95%。
實施例2
(1)氬氣保護下，將10kg、35mm的氮化矽(純度99.8%)和單質矽(純度99.6%)在900℃高溫爐內煆燒5h。煆燒結束後，遇水急冷，破碎為1mm以下的砂料，沉降烘乾。再迴圈煆燒-破碎-沉降烘乾步驟一次。多次收集烘乾後的砂料，備用。
(2)將250kg烘乾後的砂料加入到230kg水中，並加入0.05kg 1.5%的氫氟酸溶液，經濕法球磨，製得粉體平均粒徑為30μm的粉漿。
(3)將粉漿轉移至反應釜中，加入15kg、1.5%HF溶液和15kg、0.5%HCl溶液，同時加入占混合酸溶液質量的0.3%的雙氧水，並加入浮選劑和收集劑回收鈾元素，60℃攪拌24h，製得粉漿。
(4)將粉漿壓濾、洗滌、乾燥，製得鈾含量在1.0ppb以下的粉末。
(5)將粉末在2000℃高溫、富氧條件下高溫球化，製得的高純低鈾亞微米球形二氧化矽微粉的粒徑為0.3μm，U含量為0.3ppb，SiO2純度為99.91%。
實施例3
(1)氬氣保護下，將10kg、70mm的氮化矽(純度99.6%)在850℃高溫爐內煆燒15g。煆燒結束後，遇水急冷，破碎為1mm以下的砂料，沉降烘乾。再迴圈煆燒-破碎-沉降烘乾步驟一次。多次收集烘乾後的砂料，備用。
(2)將250kg烘乾後的砂料加入到230kg水中，並加入0.05kg 1.5%的氫氟酸溶液，經濕法球磨，製得粉體平均粒徑為35μm的粉漿。
(3)將粉漿轉移至反應釜中，加入15kg、1.5%HF溶液和15kg、1.5%HCl溶液，同時加入占混合酸溶液質量的0.1%的雙氧水，並加入浮選劑和收集劑回收鈾元素，35℃攪拌12h，製得粉漿。
(4)將粉漿壓濾、洗滌、乾燥，製得鈾含量在1.0ppb以下的粉末。
(5)將粉末在2000℃高溫、富氧條件下高溫球化，製得高純低鈾亞微米球形二氧化矽微粉，粒徑為0.3μm，U含量為0.9ppb，SiO2純度為99.93%。
實施例4
本實施例與實施例1基本相同，唯一不同的是煆燒溫度為700℃。製得的高純低鈾亞微米球形二氧化矽微粉的粒徑為0.3μm，U含量為0.9ppb，SiO2純度為99.90%。
實施例5
本實施例與實施例1基本相同，唯一不同的是煆燒溫度為1400℃。製得的高純低鈾亞微米球形二氧化矽微粉的粒徑為0.3μm，U含量為0.2ppb，SiO2純度為99.96%。
實施例6
本實施例與實施例1基本相同，唯一不同的是HF濃度為1.5%，HCl濃度為1.5%，製得高純低鈾亞微米球形二氧化矽微粉的粒徑為0.3μm，U含量為0.3ppb，SiO2純度為99.95%。
實施例7
本實施例與實施例1基本相同，唯一不同的是HF濃度為1.5%，HCl濃度為0.005%，製得高純低鈾亞微米球形二氧化矽微粉的粒徑為0.3μm，U含量為0.8ppb，SiO2純度為99.88%。
對比例1
本對比例與實施例1基本相同，唯一不同的是酸處理過程中，加入的不是混合酸，而僅僅是1.5%HF溶液。製得的亞微米球形二氧化矽微粉的粒徑為0.3μm，U含量為2.5ppb，SiO2純度為99.85%。
對比例2
本對比例與實施例1基本相同，唯一不同的是不進行混合酸處理。製得的亞微米球形二氧化矽微粉的粒徑為0.3μm，U含量為13ppb，SiO2純度為99.80%。
對比例3
本對比例與實施例1基本相同，唯一不同的是煆燒溫度為500℃。製得的亞微米球形二氧化矽微粉的粒徑為0.3μm，U含量為3.3ppb，SiO2純度為99.90%。
對比例4
本對比例與實施例1基本相同，唯一不同的是HCl換成CH3 COOH。製得的亞微米球形二氧化矽微粉的粒徑為0.3μm，U含量為2.6ppb，SiO2純度為99.84%。
對比例5
本對比例與實施例1基本相同，唯一不同的是HCl換成HNO3。製得的亞微米球形二氧化矽微粉的粒徑為0.3μm，U含量為1.9ppb，SiO2純度為99.87%。
對比例6
本對比例與實施例1基本相同，唯一不同的是0.5%HCl溶液換成0.003%HCl溶液。製得的亞微米球形二氧化矽微粉的粒徑為0.3μm，U含量為2.4ppb，SiO2純度為99.91%。
對比例7
本對比例與實施例1基本相同，唯一不同的是1.5%HF溶液換成0.05%HF溶液。製得的亞微米球形二氧化矽微粉的粒徑為0.3μm，U含量為2.7ppb，SiO2純度為99.83%。
無。

Claims (9)

  1. 一種高純低鈾亞微米級球形二氧化矽微粉的製備方法，包括以下步驟：步驟(1)，惰性氣體保護下，將原料在700~1400℃高溫爐內煆燒10~20h，煆燒結束後，遇水急冷，破碎為1mm以下的砂料，沉降烘乾，再重複煆燒-破碎-沉降烘乾步驟，製得砂料，所述的原料為純度99.5%以上、鈾含量為5~20ppb的30~100mm單質矽或含矽無機化合物；步驟(2)，按砂料與水的質量比為1~3：2~5，並加入水質量的0.1‰~0.5‰的HF溶液，經濕法球磨製得粉體平均粒徑為5~40μm的粉漿；步驟(3)，按氫氟酸溶液和鹽酸溶液的質量濃度比為(1~300)：1，在粉漿中加入等質量的氫氟酸溶液和鹽酸溶液，同時加入占混合酸溶液質量的0.1%~0.5%的雙氧水，並加入浮選劑(Flotation agent)和收集劑(Collector)回收鈾元素，在30~60℃下攪拌，製得粉漿；步驟(4)，將步驟(3)獲得的粉漿壓濾、洗滌、乾燥，製得鈾含量在1.0ppb以下的粉末；以及步驟(5)，採用火焰成球法，通入載氣、可燃氣體以及助燃劑，點燃，將步驟(4)獲得的粉末在1800~2400℃下高溫球化，收集亞微米級球形二氧化矽微粉。
  2. 如請求項1所述的製備方法，在步驟(1)中，所述的含矽無機化合物為氮化矽、碳化矽和氧化矽中的一種或兩種以上。
  3. 如請求項1所述的製備方法，在步驟(2)中，濕法球磨時間為5~30h。
  4. 如請求項1所述的製備方法，在步驟(2)中，氫氟酸溶液的質量濃度為1.5%。
  5. 如請求項1所述的製備方法，在步驟(3)中，氫氟酸溶液和鹽酸溶液的質量濃度比為(1~3)：1。
  6. 如請求項1所述的製備方法，在步驟(3)中，鹽酸溶液的質量濃度為0.005%~1.5%。
  7. 如請求項1所述的製備方法，在步驟(3)中，攪拌時間為12~72h。
  8. 如請求項1所述的製備方法，在步驟(5)中，載氣為氧氣、空氣、氮氣或氬氣，可燃氣體為天然氣、液化石油氣或H2，助燃劑為空氣或氧氣。
  9. 如請求項1所述的製備方法，在步驟(5)中，亞微米級球形二氧化矽微粉的平均粒徑D50=0.1~1.5μm，U含量<1.0ppb，及SiO2純度
    Figure 111132565-A0305-02-0010-1
    99.90%。
TW111132565A 2021-12-02 2022-08-29 高純低鈾亞微米級球形二氧化矽微粉的製備方法 TWI825957B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111460463.2A CN114031086A (zh) 2021-12-02 2021-12-02 高纯低铀亚微米级球形二氧化硅微粉的制备方法
CN202111460463.2 2021-12-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202323192A TW202323192A (zh) 2023-06-16
TWI825957B true TWI825957B (zh) 2023-12-11

Family

ID=80146112

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111132565A TWI825957B (zh) 2021-12-02 2022-08-29 高純低鈾亞微米級球形二氧化矽微粉的製備方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7576637B2 (zh)
KR (1) KR20230097133A (zh)
CN (1) CN114031086A (zh)
TW (1) TWI825957B (zh)
WO (1) WO2023098179A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114031086A (zh) * 2021-12-02 2022-02-11 江苏联瑞新材料股份有限公司 高纯低铀亚微米级球形二氧化硅微粉的制备方法
CN115947361A (zh) * 2022-11-21 2023-04-11 江苏联瑞新材料股份有限公司 一种低放射性氧化铝粉及其制备方法
CN115612315A (zh) * 2022-11-30 2023-01-17 江苏联瑞新材料股份有限公司 一种表面改性球形二氧化硅微粉的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112591756A (zh) * 2020-11-30 2021-04-02 江苏联瑞新材料股份有限公司 一种高纯低放射性球形硅微粉及其制备方法
CN112978740A (zh) * 2021-03-23 2021-06-18 江苏联瑞新材料股份有限公司 亚微米球形二氧化硅微粉的制备方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1178791A (fr) * 1957-07-12 1959-05-14 Comptoir Des Phosphates De L A Procédé de récupération de l'uranium
JPH01160234A (ja) * 1987-12-17 1989-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 情報伝送システム
JP4958404B2 (ja) 2005-03-17 2012-06-20 株式会社アドマテックス 球状シリカ粒子、樹脂組成物及び半導体液状封止材
JP2012188332A (ja) 2011-03-14 2012-10-04 Admatechs Co Ltd 高純度シリカ原料の製造方法
CN102897993A (zh) * 2012-10-25 2013-01-30 中国地质大学（北京） 一种采用天然脉石英矿制备高纯石英砂的方法
CN103950931B (zh) * 2014-05-16 2016-02-03 宝丰恒瑞新材料有限公司 一种碳化硅微粉的处理工艺
CN106676291A (zh) * 2016-12-28 2017-05-17 核工业北京化工冶金研究院 一种从矿石中综合回收铀铌钽的方法
CN110182814B (zh) * 2019-04-20 2021-09-17 黄冈师范学院 一种SiO2纯度大于5N的高纯石英砂的生产方法
CN112573529B (zh) * 2020-12-15 2023-08-15 江苏中腾石英材料科技股份有限公司 5g基站用高纯低辐射球形硅微粉的制备工艺及设备
CN114031086A (zh) * 2021-12-02 2022-02-11 江苏联瑞新材料股份有限公司 高纯低铀亚微米级球形二氧化硅微粉的制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112591756A (zh) * 2020-11-30 2021-04-02 江苏联瑞新材料股份有限公司 一种高纯低放射性球形硅微粉及其制备方法
CN112978740A (zh) * 2021-03-23 2021-06-18 江苏联瑞新材料股份有限公司 亚微米球形二氧化硅微粉的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230097133A (ko) 2023-06-30
JP2024501595A (ja) 2024-01-15
JP7576637B2 (ja) 2024-10-31
WO2023098179A1 (zh) 2023-06-08
CN114031086A (zh) 2022-02-11
TW202323192A (zh) 2023-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI825957B (zh) 高純低鈾亞微米級球形二氧化矽微粉的製備方法
US6638354B2 (en) Precipitated silicas, silica gels with and free of deposited carbon from caustic biomass ash solutions and processes
JP5696108B2 (ja) 高純度の珪素含有生成物
JP6016625B2 (ja) 高純度シリカゾルおよびその製造方法
CN108658451A (zh) 用于石英玻璃应用的高纯度二氧化硅颗粒及制备所述颗粒的方法
AU2001247885A1 (en) Precipitated silicas, silica gels with and free of deposited carbon from caustic biomass ash solutions and processes
JP2001220126A (ja) 結晶質合成シリカ粉体及びこれを用いたガラス成形体
US20030003041A1 (en) Process for the preparation of amorphous silica
CN108423708B (zh) 溴化亚铊和溴化铊的制备方法
JPH04238808A (ja) 高純度結晶質シリカの製造方法
CN102656116A (zh) 四氯化硅的制造方法及太阳能电池用硅的制造方法
WO2003002473A1 (fr) Particules de silice vitreuse synthetique de grande purete
CN102173430B (zh) 利用水合硅酸钙制备硅灰石超细粉体的工艺
JP7483192B2 (ja) 複合粒子およびその製造方法
Wang et al. A zero-emission collaborative treatment method for brown corundum fly ash and carbide slag: Producing silicon fertilizer while recovering gallium and potassium
JP2675819B2 (ja) 石英ガラスの製造方法
JPH04132610A (ja) 二酸化珪素粉末の製造方法
JP2020142200A (ja) 廃ガラス処理方法及び処理装置
CN113735130B (zh) 粉煤灰全量制备二氧化硅和液态聚合氯化铝铁钙的方法
TWI788146B (zh) 氮化鋁微細粉體的製造方法
JPS6036374A (ja) 非酸化物系セラミツクス粉末の精製方法
JP3285621B2 (ja) 窒化珪素粉末の製造方法
JP3071363B2 (ja) 合成石英ガラスの製造方法
JPS61178414A (ja) 高純度シリカおよびその製造方法
JPS6335411A (ja) 高純度合成石英の製造方法