JPS6036374A - 非酸化物系セラミツクス粉末の精製方法 - Google Patents
非酸化物系セラミツクス粉末の精製方法Info
- Publication number
- JPS6036374A JPS6036374A JP58144474A JP14447483A JPS6036374A JP S6036374 A JPS6036374 A JP S6036374A JP 58144474 A JP58144474 A JP 58144474A JP 14447483 A JP14447483 A JP 14447483A JP S6036374 A JPS6036374 A JP S6036374A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silica
- powder
- reaction
- oxide ceramic
- ceramic powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシリコン系セラミックス原料粉末、特に炭化ケ
イ素粉末および窒化ケイ素粉末等の新規なH製方法に関
する。
イ素粉末および窒化ケイ素粉末等の新規なH製方法に関
する。
近年、省エネルギーおよび省資源(稀有金属の代替)の
観点から、高温機械材料としてのセラミックスが注目さ
れている。中でも、炭化ケイ素および窒化ケイ素が有望
な材料の一つとされ、既に実用化されている例も多い。
観点から、高温機械材料としてのセラミックスが注目さ
れている。中でも、炭化ケイ素および窒化ケイ素が有望
な材料の一つとされ、既に実用化されている例も多い。
従って、このようなセラミックスの原料粉末の製法も数
多く研究され、既に工業規模で生産されているものもあ
る。
多く研究され、既に工業規模で生産されているものもあ
る。
シリコン系セラミックス原料粉末の主な製法としては、
(夏)金属シリコンを原料とする方法
S1+0 ≧と四5iC
3s1+2N22恕四Si、 N4
(2)気相反応法
S iH,十OH,メ竺四SiO+4H2ss1a1.
+ 4NH3:副票X S 1s N4 +12HO1
(3)熱分解法 )1300℃ 5i(OH3)4 □S io +30H。
+ 4NH3:副票X S 1s N4 +12HO1
(3)熱分解法 )1300℃ 5i(OH3)4 □S io +30H。
381(NH)、 づ2票X Bls N4+2NHs
(4) シリカ還元法 51o2+va m循笠p Sin+2003sto、
+ 2N2+ 6C2肥ツSis N4 + 600な
どが知られている。
(4) シリカ還元法 51o2+va m循笠p Sin+2003sto、
+ 2N2+ 6C2肥ツSis N4 + 600な
どが知られている。
上記各種の反応で製造された粉末に要求される基本的性
質としては高純度かつ微粒なことである。しかしながら
、#Ilyの観点からみると生成粉末中には原料、反応
工程、炭素除去工種などからの遊離シリカ(−酸化ケイ
素も含む、以下同じ)がかカリ含有されている。また、
微粒子化のためには、解砕、粉砕等の後処理を必要とす
るが、この段階でも上記粉末の酸化が進行してシリカ含
有率が増大する。
質としては高純度かつ微粒なことである。しかしながら
、#Ilyの観点からみると生成粉末中には原料、反応
工程、炭素除去工種などからの遊離シリカ(−酸化ケイ
素も含む、以下同じ)がかカリ含有されている。また、
微粒子化のためには、解砕、粉砕等の後処理を必要とす
るが、この段階でも上記粉末の酸化が進行してシリカ含
有率が増大する。
一般に、シリカけStc、st、N、などの粉末の焼結
を妨害し、高温強度を低下させる代表的不純物の一つと
みなされている。そこで、従来、フン酸水溶液あるいは
フッ酸−硝酸水溶液処理によムシリカ除去あるいけ有機
溶媒を利用した湿式粉砕による酸化防IE対策等がおこ
なわれているが、前者は、スラリー化のために大量の液
体を取り扱わざる全得ず、続<、?)#過、乾燥、廃水
処理等の操作も非常に煩雑となり、大量生産には適さな
い。また、HF水溶液を循環再利用する場合には、溶出
金属類が次第に濃縮されるので、高純度化には好ましく
ない。しかも、水溶液処理は乾燥時粉末の強い再凝集を
招く点でも好ましくhい。一方、後者の場合でも多量・
の有機溶媒を使用するので、安全上、環境上および経済
−ヒの観点から好ましい方法とは言えない。
を妨害し、高温強度を低下させる代表的不純物の一つと
みなされている。そこで、従来、フン酸水溶液あるいは
フッ酸−硝酸水溶液処理によムシリカ除去あるいけ有機
溶媒を利用した湿式粉砕による酸化防IE対策等がおこ
なわれているが、前者は、スラリー化のために大量の液
体を取り扱わざる全得ず、続<、?)#過、乾燥、廃水
処理等の操作も非常に煩雑となり、大量生産には適さな
い。また、HF水溶液を循環再利用する場合には、溶出
金属類が次第に濃縮されるので、高純度化には好ましく
ない。しかも、水溶液処理は乾燥時粉末の強い再凝集を
招く点でも好ましくhい。一方、後者の場合でも多量・
の有機溶媒を使用するので、安全上、環境上および経済
−ヒの観点から好ましい方法とは言えない。
そこで、本発明者らは上記諸欠点を改良したシリカの除
去方法について種々検討した結果、不純物として遊離シ
リカを含むSiO,5isN+などの非酸化物系セラミ
ックス粉末をフッ化水素ガスと50〜500℃で反応さ
せることによってその目的を十分かつ容易に達成できる
ことを見い出した。
去方法について種々検討した結果、不純物として遊離シ
リカを含むSiO,5isN+などの非酸化物系セラミ
ックス粉末をフッ化水素ガスと50〜500℃で反応さ
せることによってその目的を十分かつ容易に達成できる
ことを見い出した。
本発明の詳細な説明すると、“非酸化物系セラミックス
粉末の製造工程あるいは精製工程等で生成したシリカを
含む粉末fHFガス処理することによってシリカ除去を
行うもので、反応は下記のように進む。
粉末の製造工程あるいは精製工程等で生成したシリカを
含む粉末fHFガス処理することによってシリカ除去を
行うもので、反応は下記のように進む。
Sin、+4HF −一→81.F4 + 21h O
反応温度は50〜500℃の範囲が好ましく、50℃以
下では反応速変も遅くなり、また反応により生成する水
が凝縮し、スフ−リングが起きるため、操作面からも避
ける方がよい。また高温になるほど反応は速く進行する
が、高温はど、逆反応も起り易くなり、総合的な効率を
考慮すれば500℃以下が好適である。反応形式はバッ
チ式あるいけ連続式のいずれでも良いが、固気反応であ
るため、処理粉末を流動状態に保つ方が効率的である。
反応温度は50〜500℃の範囲が好ましく、50℃以
下では反応速変も遅くなり、また反応により生成する水
が凝縮し、スフ−リングが起きるため、操作面からも避
ける方がよい。また高温になるほど反応は速く進行する
が、高温はど、逆反応も起り易くなり、総合的な効率を
考慮すれば500℃以下が好適である。反応形式はバッ
チ式あるいけ連続式のいずれでも良いが、固気反応であ
るため、処理粉末を流動状態に保つ方が効率的である。
本発明の対象と力る非酸化物系粉末の例としてはSiO
,5IOALN、5j3N4および5IALON系粉末
等であるが、これらに限定されるものではない。
,5IOALN、5j3N4および5IALON系粉末
等であるが、これらに限定されるものではない。
以上のように、Si0,813N4等の非酸化物系セラ
ミックス中に、製造時、粉砕時あるいけ混合時生成した
シリカをフッ化水素ガスとの固気反応によって除去すれ
ば、従来のフッ酸等を含む水溶液処理法と比較し、煩雑
な工程がさけられるので経済的に有利であり、また粉末
を乾式で取シ扱うので再凝集・凝結を完全に防止するこ
とができる点で、本発明は非常に有童義である。
ミックス中に、製造時、粉砕時あるいけ混合時生成した
シリカをフッ化水素ガスとの固気反応によって除去すれ
ば、従来のフッ酸等を含む水溶液処理法と比較し、煩雑
な工程がさけられるので経済的に有利であり、また粉末
を乾式で取シ扱うので再凝集・凝結を完全に防止するこ
とができる点で、本発明は非常に有童義である。
以下、実施例、比較例に基づいて本発明をさらに詳細に
貌6明する。
貌6明する。
実施例1
平均粒径2μのケイ砂をカーボンブラック粉末で高温還
元炭化することによって、2.+%のシリカ全音むβ−
3iCを得た。このものを脱炭、解砕等の後処理を行う
ことによって、シリカ含有量は最終的に4.3%に達し
た。このシリカを含む粉末100yをフッ化水素ガスを
流しながらニッケル管中で200℃50分間加熱するこ
とによって粉末中のシリカ含有率’i0.0441で低
減することができた。また過剰のHFガスはS i F
4およびH,Oガスから分離、回収して再利用した。
元炭化することによって、2.+%のシリカ全音むβ−
3iCを得た。このものを脱炭、解砕等の後処理を行う
ことによって、シリカ含有量は最終的に4.3%に達し
た。このシリカを含む粉末100yをフッ化水素ガスを
流しながらニッケル管中で200℃50分間加熱するこ
とによって粉末中のシリカ含有率’i0.0441で低
減することができた。また過剰のHFガスはS i F
4およびH,Oガスから分離、回収して再利用した。
処理後の粉末のSPM写真f第1図に示【7k。なお、
シリカの定量についてけJ工8)j−6124に従いル
下の例もすべてこれに従った。
シリカの定量についてけJ工8)j−6124に従いル
下の例もすべてこれに従った。
実施例2
実施例夏と同様であるが窒素気流中で還元反応させるこ
とによって3.3チのシリカ全音むα−3i3N4を得
た。この粉末f実施例Iと同様にHFガスで処理するこ
とによってシリカ含有率を0.2チまで低減することが
できた。
とによって3.3チのシリカ全音むα−3i3N4を得
た。この粉末f実施例Iと同様にHFガスで処理するこ
とによってシリカ含有率を0.2チまで低減することが
できた。
比較例1
実施例1で製造した4、3%のシリカを含むβ−3iO
を47重量%濃度のHF水溶液(シリカに対して、HF
は大過剰に使用)中に30分間分散させてシリカ除去を
おこなったところシリカ含有率は0.3 %に減少し、
除去効率は大略満足できるものであったが、前述したよ
うに濾過、乾燥等がきわめて煩雑なものであった。また
、精製した粉末のSEM写真を第2図に示したが粉末は
著しい凝集状態を呈していた。
を47重量%濃度のHF水溶液(シリカに対して、HF
は大過剰に使用)中に30分間分散させてシリカ除去を
おこなったところシリカ含有率は0.3 %に減少し、
除去効率は大略満足できるものであったが、前述したよ
うに濾過、乾燥等がきわめて煩雑なものであった。また
、精製した粉末のSEM写真を第2図に示したが粉末は
著しい凝集状態を呈していた。
比較例2
実施例1と全く同様の操作を行iつたが、HFガス処理
温度を20℃とした。この場合、SiO粉末中のシリカ
含有量は0.4チであったが、反応の後半でH,Oの凝
縮現象がみられ、反応管出口付近にシリカのスケールが
析出して、HFガスの流れが不安定となり好ましくなか
った。
温度を20℃とした。この場合、SiO粉末中のシリカ
含有量は0.4チであったが、反応の後半でH,Oの凝
縮現象がみられ、反応管出口付近にシリカのスケールが
析出して、HFガスの流れが不安定となり好ましくなか
った。
第1図は本発明によυ精製したβ−3iO粉末のSEM
写真を、また、第2図は従来例により精製したβ−3i
O粉末のSFAM写貞を示すものである。 第1図 第2図
写真を、また、第2図は従来例により精製したβ−3i
O粉末のSFAM写貞を示すものである。 第1図 第2図
Claims (1)
- (1) ケイ素の酸化物を含有する炭化ケイ素、窒化ケ
イ素のうち少くとも1種を主成分とする粉末を50〜5
00℃でフッ化水素ガスにて処理することを特徴とする
非酸化物系セラミックス粉末の精製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58144474A JPS6036374A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 非酸化物系セラミツクス粉末の精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58144474A JPS6036374A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 非酸化物系セラミツクス粉末の精製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6036374A true JPS6036374A (ja) | 1985-02-25 |
JPS6227005B2 JPS6227005B2 (ja) | 1987-06-11 |
Family
ID=15363134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58144474A Granted JPS6036374A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 非酸化物系セラミツクス粉末の精製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6036374A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62141123A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-24 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 繊維状炭素系材料の製造方法 |
JPH01234370A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-19 | Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd | 炭化けい素−金属けい素材料の製造方法 |
JPH02258054A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-18 | Ngk Insulators Ltd | 炭化けい素の化学的分解方法 |
US8434585B2 (en) | 2010-12-24 | 2013-05-07 | Jtekt Corporation | Electric power steering system and vehicle steering system |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54133504A (en) * | 1978-04-10 | 1979-10-17 | Ibigawa Electric Ind Co Ltd | Manufacture of high density carborundum sintered body |
-
1983
- 1983-08-09 JP JP58144474A patent/JPS6036374A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54133504A (en) * | 1978-04-10 | 1979-10-17 | Ibigawa Electric Ind Co Ltd | Manufacture of high density carborundum sintered body |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62141123A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-24 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 繊維状炭素系材料の製造方法 |
JPH01234370A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-19 | Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd | 炭化けい素−金属けい素材料の製造方法 |
JPH02258054A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-18 | Ngk Insulators Ltd | 炭化けい素の化学的分解方法 |
US8434585B2 (en) | 2010-12-24 | 2013-05-07 | Jtekt Corporation | Electric power steering system and vehicle steering system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6227005B2 (ja) | 1987-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102143910B (zh) | 纯化和压实用于光伏应用的原料的方法 | |
JPS5850929B2 (ja) | 炭化ケイ素粉末の製造方法 | |
JP2014047105A (ja) | 炭化珪素粉の製造方法 | |
CN106587046A (zh) | 一种人造金刚石的提纯方法 | |
CN103553002A (zh) | 一种以回收硅片切割锯屑制备高纯α相氮化硅粉体的方法 | |
JPS6036374A (ja) | 非酸化物系セラミツクス粉末の精製方法 | |
JPH10183103A (ja) | セリウム系研磨材の製造方法 | |
JPH0227316B2 (ja) | ||
JPS58120599A (ja) | β−炭化珪素ウイスカ−の製造方法 | |
CN111762787B (zh) | 氯硅烷及石英联合制备的方法 | |
JP3548800B2 (ja) | スピネル型サイアロンの分離・精製法 | |
JPH0653564B2 (ja) | 六方晶窒化硼素の高純度化方法 | |
JP3285621B2 (ja) | 窒化珪素粉末の製造方法 | |
JP4111478B2 (ja) | 炭化珪素微小球の製造方法 | |
JPS58208125A (ja) | 純粋な二酸化ケイ素の製造方法 | |
JPH11199220A (ja) | 微粉酸化珪素の製造方法 | |
JPS5891028A (ja) | β型炭化ケイ素粉末の製造方法 | |
JPS6227003B2 (ja) | ||
JPS6132255B2 (ja) | ||
JP3906354B2 (ja) | 高表面積炭化ケイ素セラミックス多孔体の製造方法 | |
JPS6340709A (ja) | 易焼結性高純度窒化ケイ素微粉体の製造方法 | |
JPS638042B2 (ja) | ||
JPS63170207A (ja) | 高純度炭化けい素粉末の製造方法 | |
CN105084367A (zh) | 电位分散-微波酸洗法去除多晶硅线切割废料杂质的方法 | |
JPS59223214A (ja) | 超微粒子状SiC粉末の製造法 |