CN108658451A - 用于石英玻璃应用的高纯度二氧化硅颗粒及制备所述颗粒的方法 - Google Patents

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Abstract

已经发现，传统的廉价的水玻璃在强酸性介质中反应得到高纯度的二氧化硅等级，将其用碱处理而得到的产物经进一步处理可得到硅烷醇基含量低的玻璃体。

Description

用于石英玻璃应用的高纯度二氧化硅颗粒及制备所述颗粒的 方法
本申请是2012年2月10日提交的国际申请号为PCT/EP2012/052251，中国国家申请号为201280010035.2，发明名称为“用于石英玻璃应用的高纯度二氧化硅颗粒及制备所述颗粒的方法”的发明专利申请的分案申请。
本发明涉及高纯度二氧化硅颗粒，其制备方法及其用于石英玻璃应用的用途。
特定的玻璃应用，尤其是石英玻璃应用需要使用高纯度的二氧化硅，并且在最终玻璃产物中的气泡或OH基的含量最低。
已知许多方法用于从无定形二氧化硅制备颗粒。合适的起始材料可以是通过溶胶-凝胶法制备的二氧化硅、沉淀二氧化硅或气相法二氧化硅。制备通常包括二氧化硅的团聚。这可以通过湿法制粒实现。在湿法制粒的情况下，通过持续的混合或搅拌由胶体二氧化硅分散体制备溶胶，并通过逐渐抽取水分而由其制备碎的材料。通过湿法制粒制备不方便且昂贵，特别是当对颗粒的纯度要求高时。
另外也可以通过压实二氧化硅而得到颗粒。无粘结剂压实气相法二氧化硅是困难的，因为气相法二氧化硅非常干燥，并且没有毛细作用力使颗粒结合。气相法二氧化硅的特点在于非常微细，堆积密度低，比表面积高，纯度非常高，基本上是球形初级颗粒的形状，并且缺乏孔隙。气相法二氧化硅经常具有高的表面电荷，这使得由于静电的原因团聚更加困难。
然而，由于缺乏替代技术，压实气相法二氧化硅至今已成为制备二氧化硅颗粒(也称为石英玻璃)的优选方式。
US4042361公开了一种制备二氧化硅玻璃的方法，其中使用气相法二氧化硅。将后者加入到水中以形成可浇注的分散体，然后用热除去水，将破碎的残留物在1150℃到1500℃下煅烧，然后研磨成大小为1μm-100μm的颗粒并玻璃化。这样制备的二氧化硅玻璃的纯度对于现代应用是不够的。制备过程不方便且昂贵。
WO91/13040也公开了一种方法，其中使用气相法二氧化硅制备二氧化硅玻璃。该方法包括提供气相法二氧化硅的水分散体，其固体含量为约5重量％至约55重量％，通过在约100℃和约200℃之间的温度的烘箱中干燥所述水分散体，将其转化成多孔颗粒，并粉碎多孔残余物。然后通过在局部蒸汽压力在0.2到0.8个大气压的气氛中在低于约1200℃的温度下烧结多孔颗粒。得到高纯度二氧化硅玻璃，其粒径为约3μm至1000μm，氮气BET比表面积小于约1m2/g，杂质的总含量小于约50ppm，金属杂质含量小于15ppm。
EP-A-1717202公开了一种制备二氧化硅玻璃颗粒的方法，其中烧结气相法二氧化硅，已通过特别的方法将所述气相法二氧化硅压实至拍实密度为150和800g/l之间。在DE-A-19601415中所公开的压实是对分散在水中的二氧化硅的喷雾干燥操作，并随后在150℃至1100℃进行热处理。可以烧结由此得到的颗粒，但不能得到无气泡的二氧化硅玻璃颗粒。
还已知用于制备二氧化硅颗粒的源于溶胶-凝胶法的方法。
EP-A-1258456公开了例如制备单片玻璃体的方法，其中水解硅醇盐，然后添加气相法二氧化硅粉末以形成溶胶；形成的溶胶然后转化成凝胶，将凝胶干燥，并最后烧结。
文献EP-A-1283195中公开了同样基于溶胶-凝胶法的方法，其中使用硅醇盐和气相法二氧化硅粉末。
原则上，后者的方法都遵循相同的模式。首先，将醇盐水解，得到二氧化硅，形成溶胶，将其转化为凝胶，将该凝胶干燥，最后烧结。所述方法包括数个阶段，并且费力，对于过程的变化敏感并且容易产生杂质。另外的因素是，在通过溶胶-凝胶法得到的产物中，在最终的玻璃体中保留相对高含量的难以处理的硅烷醇基，并导致其中形成不需要的气泡。
使用氯硅烷制备同样是可能的，其具有的缺点是，在玻璃中发生的氯基的高浓度对于石英玻璃产品的特别的使用领域来说是不可容忍的。烷基硅烷或芳基硅烷的有机基团的残基也可能在最终玻璃体中导致问题，如黑点或气泡的形成。对于这种二氧化硅品质，必须通过复杂的氧化处理(例如DE69109026中所描述的)减少碳含量，并以能量密集和高成本的方式用腐蚀性氯化剂减少硅烷醇基的含量(描述于例如US3459522中)。
在需求非常高纯度的情况下，在原则上可以使用水热氧化硅。然而，这些石英品质的生长速度太低，从而对于预定的石英玻璃应用来说成本无法接受。
使用特别处理的天然石英，例如来自Unimin的IOTA品质，确保了高纯度和低硅醇基含量，但在全球范围仅有及少量的储量具有足够高的品质。供应有限的情况下，导致成本高，对于标准石英玻璃应用来说同样是不可接受的。
因此，本发明的目的是提供用于石英玻璃应用的高纯度二氧化硅颗粒，以及制备所述高纯度二氧化硅颗粒的低成本方法。
本发明的再一个目的是确保所述颗粒以及由其得到的产物适用于石英玻璃应用；在本申请的上下文中，低含量的硅烷醇基是特别的要求，因为在玻璃体的制备过程中这关键性地影响不需要的气泡形成的程度。
研究发现，传统的廉价水玻璃在强酸性介质中反应以提供高纯度的二氧化硅类型，用碱对其进行处理得到的产物经进一步处理可得到具有低硅醇基含量的玻璃体。
前述目的以及由现有技术明显可见的其他目的可以由根据权利要求1的新型高纯度二氧化硅类型和通过根据权利要求14所述的方法实现。从从属权利要求和说明书可知有利的实施方案和设置。
本发明可以分为方法步骤a到j，但并不需要进行所有的方法步骤；更具体地，可以任选地省去干燥在步骤c中获得的二氧化硅(步骤f)。根据本发明的方法可以概括如下：
a.制备酸化剂的初始进料，所述酸化剂的pH值小于2.0，优选小于1.5，更优选小于1.0，最优选小于0.5，
b.提供硅酸盐溶液，有利地可以将粘度设置在特别的粘度范围内，用于制备通过沉淀纯化的氧化硅；优选粘度为0.1泊至10000泊之间，但根据工艺制度，如下所述，根据其他工艺参数，该粘度范围还可以扩大，
c.向步骤a的初始进料添加来自步骤b的硅酸盐溶液，其方式是得到的沉淀悬浮液的pH值总是低于2.0，优选低于1.5，更优选低于1.0，最优选低于0.5。
d.取出并清洗得到的二氧化硅，清洗介质的pH值小于2.0，优选小于1.5，更优选小于1.0，最优选小于0.5。
e.用软化水清洗二氧化硅至中性，直到其电导率值低于100μS，优选低于10μS。
f.干燥所得的氧化硅。
g.用碱处理二氧化硅。
h.用软化水清洗二氧化硅，干燥并粉碎干燥的残余物。
i.筛分得到的二氧化硅颗粒，得到粒度级分的范围为200-1000μm，优选200-600μm，更优选为200-400μm，尤其是250-350μm。
j.在至少600℃下，优选在至少1000℃，更优选至少为1200℃下烧结所述二氧化硅级分。
根据本发明，以下所述的介质指沉淀酸，在方法步骤c中向其中滴加溶解在水相特别是水玻璃溶液中的氧化硅，所述沉淀酸必须是强酸性的。“强酸性”应理解为指的是pH值低于2.0，尤其是低于1.5，优选低于1.0，更优选低于0.5。目的是监测pH值，使pH值不发生太大变化，以获得可重复制备的产物。如果目的是保持恒定或基本恒定的pH值，pH值的变化范围应仅为±1.0，特别是±0.5，优选±0.2。
作为沉淀酸优选使用的酸化剂是盐酸、磷酸、硝酸、硫酸、氯磺酸、磺酰氯、高氯酸、甲酸和/或乙酸，以浓缩或稀释的形式，或上述酸的混合物。特别优选的是上述的无机酸，即矿物酸，其中尤其是硫酸。
根据本发明，优选用(沉淀)酸重复处理沉淀产物，即重复酸洗沉淀产物。也可以不同浓度和不同温度下不同的酸进行酸洗。添加硅酸盐溶液或酸的过程中，通过加热或冷却将酸性反应溶液的温度保持在20℃至95℃，优选在30℃至90℃，更优选为40℃至80℃。
清洗介质可以优选是有机和/或无机水溶性酸的水溶液，例如上述酸或富马酸、草酸或本领域技术人员已知的其他有机酸，这些有机酸本身不会污染纯化的氧化硅，因为它们可以用高纯度的水完全移除。因此，一般来说合适的是所有有机(水溶性)酸的水溶液，特别是由C、H和O组成的酸，作为沉淀酸，并且如果它们自身不导致氧化硅的污染也作为清洗介质。
如果需要，清洗介质也可以包括水和有机溶剂的混合物。适当的溶剂是高纯度的醇，如甲醇、乙醇、丙醇或异丙醇。
在根据本发明的方法中，在沉淀或酸性纯化的过程中通常不需要加入螯合剂。但是，作为一个具体的实施方案，本发明也包括使用络合剂从沉淀或清洗酸中移除金属杂质，其中优选(但非必要)使用络合剂固定在固相上。根据本发明可用的金属络合剂的一个实例是EDTA(乙二胺四乙酸)。另外，也可以添加过氧化物作为不需要的金属杂质的指示剂或彩色标志。例如，为了以颜色来确定任何钛杂质的存在，可以向沉淀悬浮液或清洗介质中添加氢过氧化物。
水性氧化硅溶液是碱金属和/或碱土金属硅酸盐溶液，优选水玻璃溶液。这样的溶液可商购或通过溶解固体硅酸盐制备。此外，所述溶液可以由消化二氧化硅与碱金属碳酸盐获得，或在升高的温度下通过水热法直接由二氧化硅、碱金属氢氧化物和水制备。所述水热法优于碳酸钠或碳酸钾法，因为它可以得到更纯的沉淀二氧化硅。水热法的一个缺点是可获得的模数范围有限；例如，SiO2对Na2O的模数最大是2，优选的模数为3至4；此外，水热法后的水玻璃通常在任何沉淀之前必须被浓缩。一般而言，本领域技术人员了解水玻璃的制备。
在一个具体实施方案中，水玻璃(特别是钠水玻璃或钾水玻璃)的水溶液在本发明使用之前被过滤，然后，如果需要的话进行浓缩。可使用已知的方法和使用本领域技术人员已知的设备进行水玻璃或硅酸盐的水溶液的任何过滤，以移除固体、未溶解的成分。
酸性沉淀前的硅酸盐溶液的二氧化硅的含量优选为至少10重量％。根据本发明，硅酸盐溶液，特别是钠水玻璃溶液，用于酸性沉淀，其粘度为0.1和10 000泊之间，优选为0.2和5000泊之间，更优选为0.3和3000泊之间，最优选为0.4到1000泊(室温20℃下)。
为了进行沉淀，优选将高粘度的水玻璃溶液添加到酸化剂中，形成酸性沉淀悬浮液。在根据本发明的方法的特定的实施方案中，使用硅酸盐或水玻璃溶液，其粘度为约5泊，优选大于5泊(在室温20℃下)。
在进一步的具体实施方案中，使用硅酸盐或水玻璃溶液，其粘度为约2泊，优选小于2泊(在室温20℃下)。
根据本发明，使用的氧化硅或硅酸盐溶液具有优选的模数，即金属氧化物与二氧化硅的重量比为1.5至4.5，优选为1.7至4.2，更优选为2.0至4.0。
在方法步骤g中可以使用多种物质用于二氧化硅的碱性处理。优选使用本身具有挥发性的碱或在室温下与水相比具有高蒸汽压的碱，或是可以释放挥发性物质的碱。进一步优选含有化学元素周期表中第五主族的元素的碱，尤其是氮碱(nitrogen bases)，其中非常特别是氨。根据本发明，还可以使用的物质或物质的混合物至少包括伯胺和/或仲胺和/或叔胺。一般情况下，可以在多种不同的组合物中使用碱性物质的混合物，它们优选含有至少一种氮碱。
优选地，但不是必须的，所述碱性处理在升高的温度和/或升高的压力下进行。
根据本发明，用于执行不同方法步骤的设备构造是次要的。在选择干燥装置、过滤器等之中，重要的仅仅是在方法步骤的过程中排除以杂质污染二氧化硅的可能性。本领域技术人员熟知在此条件下可用于各个步骤的单元，因此不需要进一步解释；用于与二氧化硅接触的组件或组件表面(涂层)是在特定方法条件和/或石英玻璃上稳定的聚合物。
新型的二氧化硅颗粒的特点在于碱金属和碱土金属的含量在0.01ppm和10.0ppm之间，硼含量在0.001ppm和1.0ppm之间，磷含量在0.001ppm和1.0ppm之间，氮孔隙体积在0.01ml/g和1.5ml/g之间，最大孔隙尺寸在5nm和500nm之间，优选在5nm至200nm之间。二氧化硅颗粒的氮孔隙体积优选在0.01ml/g和1.0ml/g之间，特别是0.01ml/g和0.6ml/g之间。
本发明的颗粒的进一步分析表明，其碳含量为0.01和40.0ppm之间，氯含量在0.01和100.0ppm之间；在本发明的上下文中，ppm的数字是指所讨论的化学元素或结构单元的重量份。
为了进一步处理二氧化硅颗粒，合适的粒径分布在0.1和3000μm之间，优选为10和1000μm之间，更优选为100和800μm之间。在一个优选但非强制性的实施方案中，进一步的处理以这样的方式进行：在限定的蒸汽浓度存在下，通过加热步骤熔化颗粒，所述蒸汽浓度首先相对较高，然后降低，从而得到具有低水平的气泡的玻璃体。
本发明的高纯度二氧化硅颗粒可用于多种应用，例如用于制备石英管和石英坩埚，用于制备光学纤维和作为环氧化物模制组合物的填料。本发明的产物也可以用于在石英干锅制备的模具中确保良好的流动性能和高的封装密度；这些产物的性质也可以用于在环氧化物模制组合物中实现高的固体负荷。在每种情况下，本发明的二氧化硅颗粒的碱金属或碱土金属的含量在10ppm以下，并且特征在于低于1ml/g的小氮孔隙体积。
特别是在50-2000μm的粒径范围，产物出人意料地烧结以得到几乎无气泡的玻璃体，且其硅烷醇基的总含量低于150ppm。所述产物具有的硅烷醇基的含量优选(硅键合的OH基团的重量份)在0.1和100ppm之间，更优选为0.1和80ppm之间，特别是在0.1和60ppm之间。
除此之外，制备这些高品质的玻璃体可以不需要任何使用氯化剂的处理，同时在热处理中不需使用特殊气体，如臭氧或氦。
因此，本发明的二氧化硅颗粒非常适合作为制备用于所有种类的石英玻璃应用的成形体的原材料，即包括高透明度应用。更具体地，适合包括制造电子和半导体产业的产品，以及制造玻璃或光波导。另外，二氧化硅颗粒非常适合于制备坩埚，特别强调的是用于太阳能硅制备的坩埚。
本发明的高纯度二氧化硅颗粒的进一步优选的使用领域是耐高温绝缘材料，用于具有只有非常低的放射性的聚合物和树脂的填料，以及在制备高纯度的陶瓷、催化剂和催化剂载体中用作起始材料的用途。
下面通过实施例描述本发明，但该描述并不用于对本发明的应用范围做任何限制。
1)根据方法步骤a-f制备二氧化硅
初始进料1800升14.1％硫酸，并在一小时内用泵送循环向该初始进料中添加350升水性37/40水玻璃溶液(密度为1350kg/m3，Na2O含量为8％，SiO2含量为26.8％，％SiO2/％Na2O模数为3.35)。在添加的过程中，自动形成毫米大小的颗粒(prill)，其形成渗透床，并在连续添加水玻璃的过程中使得初始进料的内容物泵送循环以800升/小时通过筛板，且使液相永久均质化。
在添加水玻璃溶液的过程中，温度不应超过35℃；如果需要的话，必须通过冷却初始进料保证符合该最高温度。完全添加水玻璃之后，将内部温度升高至60℃，并在通过筛板排出合成溶液之前保持在该值一小时。
为了清洗得到的产物，在约20分钟内在60℃下将1230升的9.5％的硫酸补充至初始进料，其泵送循环约20分钟并再排出。其后在80℃下用硫酸重复该清洗操作三次以上；第一次用16％硫酸，然后两次用9％硫酸。最后，在25℃下用0.7％的硫酸以同样的方式重复该过程四次以上，然后在室温下用软化水连续清洗，直到清洗水的电导率为6μS。任选地，干燥得到的高纯度二氧化硅。
2)根据方法步骤g-j制备二氧化硅颗粒
实施例1
在5升的金属罐中，将5000g上述方法制备的湿二氧化硅(固体含量23.6％)与500g软化水以及50g的25％氨溶液混合。用力振荡后，将该混合物旋上盖子，放在干燥箱中过夜以熟化；在碱性熟化过程中的温度为80℃。第二天，将产物转移到3000毫升的烧杯(石英玻璃)中，用500毫升软化水清洗总共五次，随后倾析；随后，在烧杯(石英玻璃)中的产物在加热至160℃的干燥箱中干燥过夜。将干燥产物粉碎，并筛出250-350μm的粒度级分。将20克该粒度级分在1000毫升的烧杯(石英玻璃)中在马弗炉中在四小时内加热到1050℃下，并在此温度下保持一小时；将其放在炉中逐渐冷却。
在其他条件相同下，将另外20克的上述筛分粒度级分在1250℃下烧结。测量两种烧结产物和干燥箱干燥后得到的材料的BET表面积和孔隙体积；此外，由具有高透明度和低气泡含量的所有三种材料熔合玻璃棒。
实施例2
在5升的金属罐中，将2000g上述方法制备的湿二氧化硅(固体含量35％)与2000g软化水以及20g的25％氨溶液混合。用力振荡后，将该混合物旋上盖子，放在干燥箱中过夜以熟化；在碱性熟化过程中的温度为80℃。第二天，将产物转移到5000毫升的烧杯(石英玻璃)中，用1000毫升软化水清洗总共三次，随后倾析；随后，产物在加热至160℃的干燥箱中的瓷皿中干燥过夜。重复该过程数次已得到2000g的产量。在3000毫升的石英玻璃烧杯中用石英玻璃烧中将干燥产物粉碎，并筛出125-500μm的粒度级分。
将600克的粒度级分在3000毫升石英玻璃烧杯中在马弗炉中在八小时内加热到600℃，并在此温度下保持四小时，然后使之冷却过夜。第二天，将同一样品在八小时内加热至1200℃，并在该温度下再保持四个小时；再次冷却过夜。将烧结产物粉碎后，再次将其过滤通过500μm筛。
测量该烧结材料以及仅在干燥箱中干燥的产物的BET表面积和孔隙体积；也由每种产物熔合玻璃棒。另外，在烧结材料上通过IR光谱法测定硅烷醇基。硅烷醇基测定报告的值总是对应于硅键合的OH基的含量，以ppm(重量)计。
比较例
一部分实施例2(固体含量35％)中使用的湿二氧化硅，在50℃下温和干燥后，通过振动筛，以制备材料的125-500μm粒度级分，不通过本发明的处理，将其熔合成玻璃棒。在这种情况下，测量硅烷醇基含量的尝试失败，因为玻璃棒具有高气泡含量，因此导致不透明。
制造玻璃棒以测定硅烷醇基含量：
将待熔合的二氧化硅颗粒引入一端熔合的玻璃管中，并在高真空下抽空。一旦建立稳定的真空，玻璃棒熔合至少大于颗粒水平20厘米。随后，用氢/氧气体燃烧器熔化管中的粉末，以得到玻璃棒。将玻璃棒切成厚度约5毫米的片，并且将平面平行端磨至光亮。用计算尺测量玻璃切片的准确厚度，并列入评价中。将切片夹紧在IR测量仪的光路中。硅烷醇基含量的IR光谱测定不在切片的边缘区域中进行，因为其由形成熔融材料的玻璃管的材料组成。
BET比表面积和氮孔隙体积的测定：
特定的氮表面积(BET表面积)根据ISO 9277作为多点表面积测定。
为了测定孔隙体积，采用在77K下氮吸附的测量原理，即体积法；该方法适于孔径在2nm和50nm之间的中孔固体。
首先，将无定形的固体在干燥箱中干燥。用来自Micromeritics的ASAP2400仪器进行样品制备和测量，使用氮5.0或氦5.0作为分析气体及液氮作为冷却浴。在分析天平上测量起始重量，精确度为1/10毫克。
将待分析的样品在105℃下预干燥15-20小时。称取0.3克至1.0克的预干燥物质加入样品容器中。将样品容器连接至ASAP 2400仪器，并在200℃下在真空下(最终真空度<10μm汞柱)烘烤60分钟。在减压下将样品冷却至室温，用氮气覆盖并称重。充满氮气的样品容器的重量减去固体的差即为准确的起始重量。按照ASAP 2400仪器的操作说明进行测量。
为了评价氮孔隙体积(孔径<50nm)，使用脱附分支测定吸附体积(孔径小于50nm的孔隙的孔隙体积)。

Claims (24)

1.制备玻璃产物的方法，其包括
将粘度为0.1泊至10000泊的硅酸盐溶液添加入初始进料，所述初始进料包含酸化剂，并且pH值小于2.0，条件是在添加过程中pH值总是低于2.0，
从所述溶液得到二氧化硅，并随后用pH值低于2.0的酸洗介质处理所述二氧化硅至少一次，
随后将所述二氧化硅清洗至中性，并用碱处理所述二氧化硅，
移除200μm-1000μm范围内的粒度级分，并在至少600℃的温度下烧结所述粒度级分，形成高纯度二氧化硅颗粒，所述高纯度二氧化硅颗粒的碱金属含量在0.01ppm和10.0ppm之间，碱土金属含量在0.01ppm和10.0ppm之间，硼含量在0.001ppm和1.0ppm之间，磷含量在0.001ppm和1.0ppm之间，氮孔隙体积在0.01ml/g和1.5ml/g之间，最大孔隙尺寸在5nm和500nm之间，并
加热所述高纯度二氧化硅颗粒，以形成硅键合的OH基的含量在0.1ppm和150ppm之间的玻璃产物。
2.根据权利要求1所述的方法，其中包含酸化剂的所述初始进料的pH值小于1.5。
3.根据权利要求1所述的方法，其中包含酸化剂的所述初始进料的pH值小于1.0。
4.根据权利要求1所述的方法，其中包含酸化剂的所述初始进料的pH值小于0.5。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅酸盐溶液的粘度是0.4泊至1000泊。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅酸盐溶液的粘度大于5泊。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅酸盐溶液的粘度小于2泊。
8.根据权利要求1所述的方法，其中在添加硅酸盐溶液的过程中的pH值总是低于1.5，且清洗介质的pH值同样低于1.5。
9.根据权利要求1所述的方法，其中在添加硅酸盐溶液的过程中的pH值总是低于1.0，且清洗介质的pH值同样低于1.0。
10.根据权利要求1所述的方法，其中在添加硅酸盐溶液的过程中的pH值总是低于0.5，且清洗介质的pH值同样低于0.5。
11.根据权利要求1所述的方法，其中用软化水将所述二氧化硅清洗至中性，直到软化水的电导低于100μS。
12.根据权利要求11所述的方法，其中用软化水将所述二氧化硅清洗至中性，直到软化水的电导低于10μS。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述碱是氮碱。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述氮碱是氨。
15.根据权利要求13所述的方法，其中所述氮碱包含伯胺、仲胺、叔胺或其组合。
16.根据权利要求1所述的方法，其中对二氧化硅进行碱性处理后，清洗、干燥并粉碎所述二氧化硅。
17.根据权利要求1所述的方法，其中移除200μm-600μm的粒度级分。
18.根据权利要求1所述的方法，其中移除200μm-400μm的粒度级分。
19.根据权利要求1所述的方法，其中移除250μm-350μm的粒度级分。
20.根据权利要求1所述的方法，其中在至少1000℃的温度下烧结所述粒度级分。
21.根据权利要求1所述的方法，其中在至少1200℃的温度下烧结所述粒度级分。
22.根据权利要求1所述的方法，其中所述玻璃产物包含对杂质敏感的石英玻璃产物。
23.根据权利要求1所述的方法，其中所述玻璃产物的硅键合的OH基的含量在0.1ppm和80ppm之间。
24.根据权利要求1所述的方法，其中所述玻璃产物的硅键合的OH基的含量在0.1ppm和60ppm之间。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020228115A1 (zh) * 2019-05-14 2020-11-19 中天科技精密材料有限公司 石英粉及其制备方法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2827886A1 (en) 2011-02-22 2012-08-30 Evonik Degussa Gmbh Process for preparing aqueous colloidal silica sols of high purity from alkali metal silicate solutions
CN104860322B (zh) * 2015-05-07 2017-09-26 中海油天津化工研究设计院有限公司 一种低钠离子含量高纯硅溶胶的制备方法
TWI808933B (zh) 2015-12-18 2023-07-21 德商何瑞斯廓格拉斯公司 石英玻璃體、二氧化矽顆粒、光導、施照體、及成型體及其製備方法
KR20180095619A (ko) 2015-12-18 2018-08-27 헤래우스 크바르츠글라스 게엠베하 ＆ 컴파니 케이지 실리카 유리 제조 동안 규소 함량의 증가
KR20180095879A (ko) * 2015-12-18 2018-08-28 헤래우스 크바르츠글라스 게엠베하 ＆ 컴파니 케이지 상승된 온도에서 탄소-도핑된 실리카 과립을 처리하여 실리카 과립의 알칼리 토금속 함량의 감소
KR20180095618A (ko) 2015-12-18 2018-08-27 헤래우스 크바르츠글라스 게엠베하 ＆ 컴파니 케이지 다중-챔버 가열로에서 실리카 유리체의 제조
JP2019502633A (ja) 2015-12-18 2019-01-31 ヘレウス クワルツグラス ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー 均質な石英ガラス製のガラス繊維および母材
US11492282B2 (en) 2015-12-18 2022-11-08 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Preparation of quartz glass bodies with dew point monitoring in the melting oven
EP3390302B1 (de) 2015-12-18 2023-09-20 Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG Herstellung eines quarzglaskörpers in einem schmelztiegel aus refraktärmetall
EP3390292B1 (de) 2015-12-18 2023-03-15 Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG Herstellung einer synthetischen quarzglaskörnung
WO2017103160A1 (de) 2015-12-18 2017-06-22 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Herstellung von quarzglaskörpern aus siliziumdioxidgranulat
EP3390290B1 (de) 2015-12-18 2023-03-15 Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG Herstellung eines opaken quarzglaskörpers
JP7390198B2 (ja) * 2019-01-28 2023-12-01 三井金属鉱業株式会社 ガラス粒子、それを用いた導電性組成物及びガラス粒子の製造方法
RU2723623C1 (ru) * 2019-12-30 2020-06-16 Общество с ограниченной ответственностью "Инжиниринговый химико-технологический центр" (ООО "ИХТЦ") Способ получения кускового силикагеля
CN111976485B (zh) * 2020-08-17 2022-01-11 宿州竹梦光学科技有限公司 一种汽车中控触屏ag玻璃
CN113104855B (zh) * 2021-04-30 2022-03-15 武汉大学 球形二氧化硅的制备方法
CN113880098B (zh) * 2021-11-17 2022-12-09 江苏海格新材料有限公司 一种高纯球形硅微粉的生产方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60215532A (ja) * 1984-04-12 1985-10-28 Seiko Epson Corp 石英ガラスの製造方法
EP0474158A2 (en) * 1990-09-07 1992-03-11 Mitsubishi Chemical Corporation Silica glass powder and a method for its production and a silica glass body product made thereof
CN1642855A (zh) * 2002-03-18 2005-07-20 瓦克化学有限公司 高纯度硅石粉末、其制造方法及装置
WO2010037702A1 (de) * 2008-09-30 2010-04-08 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur herstellung von hochreinem sio2 aus silikatlösungen
CN101844770A (zh) * 2010-04-27 2010-09-29 中国神华能源股份有限公司 一种利用粉煤灰提铝残渣制备白炭黑的方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3459522A (en) 1963-07-08 1969-08-05 Corning Glass Works Method of treating a porous,high silica content glass
US4042361A (en) 1976-04-26 1977-08-16 Corning Glass Works Method of densifying metal oxides
JPS60204612A (ja) * 1984-03-29 1985-10-16 Nippon Sheet Glass Co Ltd 高純度二酸化珪素の製造方法
JPS6212608A (ja) * 1985-07-11 1987-01-21 Nippon Chem Ind Co Ltd:The 高純度シリカ及びその製造方法
JPS63291808A (ja) * 1987-05-25 1988-11-29 Kawatetsu Kogyo Kk 高純度シリカの製造方法
US4973462A (en) * 1987-05-25 1990-11-27 Kawatetsu Mining Company, Ltd. Process for producing high purity silica
US5141786A (en) * 1989-02-28 1992-08-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Synthetic silica glass articles and a method for manufacturing them
JPH02229735A (ja) * 1989-02-28 1990-09-12 Shin Etsu Chem Co Ltd 石英ガラス部材
US5063179A (en) 1990-03-02 1991-11-05 Cabot Corporation Process for making non-porous micron-sized high purity silica
JPH054827A (ja) * 1990-09-07 1993-01-14 Mitsubishi Kasei Corp シリカガラス粉末及びその製法並びにこれを用いたシリカガラス成形体
DE19601415A1 (de) 1995-02-04 1996-08-08 Degussa Granulate auf Basis von pyrogen hergestelltem Siliciumdioxid, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
JP2001192225A (ja) * 1999-12-28 2001-07-17 Watanabe Shoko:Kk 石英ガラスの製造方法
TWI221149B (en) * 1999-12-28 2004-09-21 Watanabe & Co Ltd Method for producing synthetic quartz glass
DE10058616A1 (de) * 2000-11-25 2002-05-29 Degussa Fällungskieselsäuren mit hoher Struktur
EP1258456A1 (en) 2001-05-18 2002-11-20 Degussa AG Silica glass formation process
ATE307784T1 (de) 2001-08-01 2005-11-15 Novara Technology Srl Sol-gel-verfahren für die herstellung von vorformen für optische fasern
DE102004005409A1 (de) * 2004-02-03 2005-08-18 Degussa Ag Hydrophile Fällungskieselsäure für Entschäumerformulierungen
EP1717202A1 (en) 2005-04-29 2006-11-02 Degussa AG Sintered silicon dioxide materials
JP2010018470A (ja) * 2008-07-09 2010-01-28 Tosoh Corp 高純度熔融石英ガラスおよびその製造方法並びに、これを用いた部材および装置
DE102008035867A1 (de) * 2008-08-01 2010-02-04 Evonik Degussa Gmbh Neuartige Fällungskieselsäuren für Trägeranwendungen
EP2331463A1 (de) * 2008-09-30 2011-06-15 Evonik Degussa GmbH Verfahren zur herstellung von hochreinem sio2 aus silikatlösungen

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60215532A (ja) * 1984-04-12 1985-10-28 Seiko Epson Corp 石英ガラスの製造方法
EP0474158A2 (en) * 1990-09-07 1992-03-11 Mitsubishi Chemical Corporation Silica glass powder and a method for its production and a silica glass body product made thereof
CN1642855A (zh) * 2002-03-18 2005-07-20 瓦克化学有限公司 高纯度硅石粉末、其制造方法及装置
WO2010037702A1 (de) * 2008-09-30 2010-04-08 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur herstellung von hochreinem sio2 aus silikatlösungen
CN101844770A (zh) * 2010-04-27 2010-09-29 中国神华能源股份有限公司 一种利用粉煤灰提铝残渣制备白炭黑的方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
《化学百科全书》编辑委员会编: "《化工百科全书 第3卷》", 31 March 1993, 北京：化学工业出版社 *
张福初等译: "《断裂力学》", 31 December 1982, 中国建筑工业出版社 *
陈丽特等: ""硅胶的碱处理和有机化改性"", 《江苏化工学院学报》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020228115A1 (zh) * 2019-05-14 2020-11-19 中天科技精密材料有限公司 石英粉及其制备方法

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