RU2013142832A - Высокочистый гранулированный диоксид кремния для применения в областях использования кварцевого стекла - Google Patents
Высокочистый гранулированный диоксид кремния для применения в областях использования кварцевого стекла Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013142832A RU2013142832A RU2013142832/03A RU2013142832A RU2013142832A RU 2013142832 A RU2013142832 A RU 2013142832A RU 2013142832/03 A RU2013142832/03 A RU 2013142832/03A RU 2013142832 A RU2013142832 A RU 2013142832A RU 2013142832 A RU2013142832 A RU 2013142832A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon dioxide
- implementation
- paragraphs
- purity granular
- granular silicon
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B20/00—Processes specially adapted for the production of quartz or fused silica articles, not otherwise provided for
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/124—Preparation of adsorbing porous silica not in gel form and not finely divided, i.e. silicon skeletons, by acidic treatment of siliceous materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/126—Preparation of silica of undetermined type
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/126—Preparation of silica of undetermined type
- C01B33/128—Preparation of silica of undetermined type by acidic treatment of aqueous silicate solutions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
- C01B33/187—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by acidic treatment of silicates
- C01B33/193—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by acidic treatment of silicates of aqueous solutions of silicates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/10—Forming beads
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/10—Forming beads
- C03B19/1005—Forming solid beads
- C03B19/106—Forming solid beads by chemical vapour deposition; by liquid phase reaction
- C03B19/1065—Forming solid beads by chemical vapour deposition; by liquid phase reaction by liquid phase reactions, e.g. by means of a gel phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/10—Forming beads
- C03B19/1095—Thermal after-treatment of beads, e.g. tempering, crystallisation, annealing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C1/00—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
- C03C1/02—Pretreated ingredients
- C03C1/022—Purification of silica sand or other minerals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
- C03C14/008—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in molecular form
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/06—Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/14—Pore volume
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/16—Pore diameter
- C01P2006/17—Pore diameter distribution
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
Abstract
1. Высокочистый гранулированный диоксид кремния, отличающийся тем, что содержание в нем щелочных металлов составляет от 0,01 до 10,0 част./млн, содержание щелочноземельных металлов составляет от 0,01 до 10,0 част./млн, содержание бора составляет от 0,001 до 1,0 част./млн, содержание фосфора составляет от 0,001 до 1,0 част./млн, определяемый по сорбции азота объем пор составляет от 0,01 до 1,5 мл/г и максимальный размер пор составляет от 5 до 500 нм.2. Высокочистый гранулированный диоксид кремния по п. 1, отличающийся тем, что максимальный размер пор составляет от 5 до 200 нм.3. Высокочистый гранулированный диоксид кремния по п. 1 или 2, отличающийся тем, что определяемый по сорбции азота объем пор составляет от 0,01 до 1,0 мл/г.4. Высокочистый гранулированный диоксид кремния по п. 1 или 2, отличающийся тем, что определяемый по сорбции азота объем пор составляет от 0,01 до 0,6 мл/г.5. Высокочистый гранулированный диоксид кремния по п. 1 или 2, отличающийся тем, что содержание в нем углерода составляет от 0,01 до 40,0 част./млн.6. Высокочистый гранулированный диоксид кремния по п. 1 или 2, отличающийся тем, что содержание в нем хлора составляет от 0,01 до 100,0 част./млн.7. Высокочистый гранулированный диоксид кремния по п. 1 или 2, отличающийся тем, что размеры его частиц лежат в пределах от 0,1 до 2000 мкм8. Высокочистый гранулированный диоксид кремния по п. 1 или 2, отличающийся тем, что размеры его частиц лежат в пределах от 10 до 1000 мкм.9. Высокочистый гранулированный диоксид кремния по п. 1 или 2, отличающийся тем, что размеры его частиц лежат в пределах от 100 до 800 мкм.10. Изделие, изготовленное с применением высокочистого гранулированного диоксида кремния по одному из предыдущих пунк�
Claims (34)
1. Высокочистый гранулированный диоксид кремния, отличающийся тем, что содержание в нем щелочных металлов составляет от 0,01 до 10,0 част./млн, содержание щелочноземельных металлов составляет от 0,01 до 10,0 част./млн, содержание бора составляет от 0,001 до 1,0 част./млн, содержание фосфора составляет от 0,001 до 1,0 част./млн, определяемый по сорбции азота объем пор составляет от 0,01 до 1,5 мл/г и максимальный размер пор составляет от 5 до 500 нм.
2. Высокочистый гранулированный диоксид кремния по п. 1, отличающийся тем, что максимальный размер пор составляет от 5 до 200 нм.
3. Высокочистый гранулированный диоксид кремния по п. 1 или 2, отличающийся тем, что определяемый по сорбции азота объем пор составляет от 0,01 до 1,0 мл/г.
4. Высокочистый гранулированный диоксид кремния по п. 1 или 2, отличающийся тем, что определяемый по сорбции азота объем пор составляет от 0,01 до 0,6 мл/г.
5. Высокочистый гранулированный диоксид кремния по п. 1 или 2, отличающийся тем, что содержание в нем углерода составляет от 0,01 до 40,0 част./млн.
6. Высокочистый гранулированный диоксид кремния по п. 1 или 2, отличающийся тем, что содержание в нем хлора составляет от 0,01 до 100,0 част./млн.
7. Высокочистый гранулированный диоксид кремния по п. 1 или 2, отличающийся тем, что размеры его частиц лежат в пределах от 0,1 до 2000 мкм
8. Высокочистый гранулированный диоксид кремния по п. 1 или 2, отличающийся тем, что размеры его частиц лежат в пределах от 10 до 1000 мкм.
9. Высокочистый гранулированный диоксид кремния по п. 1 или 2, отличающийся тем, что размеры его частиц лежат в пределах от 100 до 800 мкм.
10. Изделие, изготовленное с применением высокочистого гранулированного диоксида кремния по одному из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что содержание связанных с кремнием OH-групп составляет от 0,1 до 150 част./млн.
11. Изделие по п. 10, отличающееся тем, что содержание связанных с кремнием OH-групп составляет от 0,1 до 80 част./млн.
12. Изделие по п. 10, отличающееся тем, что содержание связанных с кремнием OH-групп составляет от 0,1 до 60 част./млн.
13. Применение высокочистого гранулированного диоксида кремния по одному из пп. 1-9 для изготовления стеклоизделий, прежде всего для областей использования кварцевого стекла, чувствительных к наличию в нем примесей.
14. Способ получения высокочистого гранулированного диоксида кремния, заключающийся в том, что к содержащей подкислитель начальной среде со значением pH менее 2,0 добавляют раствор силиката, имеющий вязкость в пределах от 0,1 до 10000 пуаз, при условии, что значение pH в процессе такого добавления всегда остается ниже 2,0, после чего полученный диоксид кремния по меньшей мере однократно обрабатывают кислой промывочной средой, значение pH которой составляет менее 2,0, а затем его в промытом до нейтральной реакции состоянии подвергают щелочной обработке и в завершение отделяют фракцию частиц размером от 200 до 1000 мкм и подвергают ее спеканию при температуре по меньшей мере 600°C.
15. Способ по п. 14, при осуществлении которого значение pH содержащей подкислитель начальной среды составляет менее 1,5.
16. Способ по п. 14, при осуществлении которого значение pH содержащей подкислитель начальной среды составляет менее 1,0.
17. Способ по п. 14, при осуществлении которого значение pH содержащей подкислитель начальной среды составляет менее 0,5.
18. Способ по одному из пп. 14-17, при осуществлении которого вязкость добавляемого раствора силиката составляет от 0,4 до 1000 пуаз.
19. Способ по одному из пп. 14-17, при осуществлении которого вязкость добавляемого раствора силиката составляет более 5 пуаз.
20. Способ по одному из пп. 14-17, при осуществлении которого вязкость добавляемого раствора силиката составляет менее 2 пуаз.
21. Способ по одному из пп. 14-17, при осуществлении которого значение pH в процессе добавления раствора силиката всегда составляет менее 1,5, а значение pH промывочной среды также составляет менее 1,5.
22. Способ по одному из пп. 14-17, при осуществлении которого значение pH в процессе добавления раствора силиката всегда составляет менее 1,0, а значение pH промывочной среды также составляет менее 1,0.
23. Способ по одному из пп. 14-17, при осуществлении которого значение pH в процессе добавления раствора силиката всегда составляет менее 0,5, а значение pH промывочной среды также составляет менее 0,5.
24. Способ по одному из пп. 14-17, при осуществлении которого диоксид кремния до щелочной обработки промывают до нейтральной реакции до тех пор, пока проводимость используемой для этого полностью обессоленной воды не станет ниже 100 мкСм, предпочтительно ниже 10 мкСм.
25. Способ по одному из пп. 14-17, при осуществлении которого щелочную обработку диоксида кремния проводят азотсодержащим основанием.
26. Способ по п. 25, при осуществлении которого в качестве азотсодержащего основания используют аммиак.
27. Способ по п. 25, при осуществлении которого используют азотсодержащее основание, которое представляет собой или содержит первичный амин и/или вторичный амин и/или третичный амин.
28. Способ по одному из пп. 14-17, 26, 27, при осуществлении которого щелочную обработку проводят при повышенной температуре и/или при повышенном давлении.
29. Способ по одному из пп. 14-17, 26, 27, при осуществлении которого диоксид кремния после щелочной обработки промывают полностью обессоленной водой, сушат и измельчают.
30. Способ по одному из пп. 14-17, 26, 27, при осуществлении которого отделяют фракцию частиц размером в пределах от 200 до 600 мкм.
31. Способ по одному из пп. 14-17, 26, 27, при осуществлении которого отделяют фракцию частиц размером в пределах от 200 до 400 мкм.
32. Способ по одному из пп. 14-17, 26, 27, при осуществлении которого отделяют фракцию частиц размером в пределах от 250 до 350 мкм.
33. Способ по одному из пп. 14-17, 26, 27, при осуществлении которого спекание отделенной фракции частиц проводят при температуре по меньшей мере 1000°C.
34. Способ по одному из пп. 14-17, 26, 27, при осуществлении которого спекание отделенной фракции частиц проводят при температуре по меньшей мере 1200°C.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102011004532A DE102011004532A1 (de) | 2011-02-22 | 2011-02-22 | Hochreines Siliciumdioxidgranulat für Quarzglasanwendungen |
DE102011004532.5 | 2011-02-22 | ||
PCT/EP2012/052251 WO2012113655A1 (de) | 2011-02-22 | 2012-02-10 | Hochreines siliciumdioxidgranulat für quarzglasanwendungen sowie dessen herstellungsverfahren |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2013142832A true RU2013142832A (ru) | 2015-03-27 |
RU2602859C2 RU2602859C2 (ru) | 2016-11-20 |
Family
ID=45688164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013142832/03A RU2602859C2 (ru) | 2011-02-22 | 2012-02-10 | Высокочистый гранулированный диоксид кремния для применения в областях использования кварцевого стекла и способ получения такого гранулированного диоксида кремния |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20140072803A1 (ru) |
EP (1) | EP2678280B1 (ru) |
JP (1) | JP5897043B2 (ru) |
KR (1) | KR101911566B1 (ru) |
CN (2) | CN108658451A (ru) |
CA (1) | CA2827899C (ru) |
DE (1) | DE102011004532A1 (ru) |
ES (1) | ES2628382T3 (ru) |
PL (1) | PL2678280T3 (ru) |
RU (1) | RU2602859C2 (ru) |
TW (1) | TWI557073B (ru) |
WO (1) | WO2012113655A1 (ru) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140010953A (ko) | 2011-02-22 | 2014-01-27 | 에보니크 데구사 게엠베하 | 알칼리 금속 실리케이트 용액으로부터의 고순도의 수성 콜로이드 실리카졸의 제조 방법 |
CN104860322B (zh) * | 2015-05-07 | 2017-09-26 | 中海油天津化工研究设计院有限公司 | 一种低钠离子含量高纯硅溶胶的制备方法 |
CN109153593A (zh) | 2015-12-18 | 2019-01-04 | 贺利氏石英玻璃有限两合公司 | 合成石英玻璃粉粒的制备 |
JP7044454B2 (ja) | 2015-12-18 | 2022-03-30 | ヘレウス クワルツグラス ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー | 石英ガラス調製時の中間体としての炭素ドープ二酸化ケイ素造粒体の調製 |
TW201731782A (zh) | 2015-12-18 | 2017-09-16 | 何瑞斯廓格拉斯公司 | 在多腔式爐中製備石英玻璃體 |
US11952303B2 (en) | 2015-12-18 | 2024-04-09 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Increase in silicon content in the preparation of quartz glass |
TWI794150B (zh) | 2015-12-18 | 2023-03-01 | 德商何瑞斯廓格拉斯公司 | 自二氧化矽顆粒製備石英玻璃體 |
CN108698887B (zh) * | 2015-12-18 | 2022-01-21 | 贺利氏石英玻璃有限两合公司 | 由均质石英玻璃制得的玻璃纤维和预成形品 |
EP3390290B1 (de) | 2015-12-18 | 2023-03-15 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Herstellung eines opaken quarzglaskörpers |
CN108698883A (zh) | 2015-12-18 | 2018-10-23 | 贺利氏石英玻璃有限两合公司 | 石英玻璃制备中的二氧化硅的喷雾造粒 |
KR20180095616A (ko) | 2015-12-18 | 2018-08-27 | 헤래우스 크바르츠글라스 게엠베하 & 컴파니 케이지 | 용융 가열로에서 이슬점 조절을 이용한 실리카 유리체의 제조 |
TWI812586B (zh) | 2015-12-18 | 2023-08-21 | 德商何瑞斯廓格拉斯公司 | 石英玻璃體、其製備方法與應用、及用於控制烘箱出口處之露點 |
JP7390198B2 (ja) * | 2019-01-28 | 2023-12-01 | 三井金属鉱業株式会社 | ガラス粒子、それを用いた導電性組成物及びガラス粒子の製造方法 |
CN111943215B (zh) * | 2019-05-14 | 2022-02-22 | 中天科技精密材料有限公司 | 石英粉的制备方法 |
RU2723623C1 (ru) * | 2019-12-30 | 2020-06-16 | Общество с ограниченной ответственностью "Инжиниринговый химико-технологический центр" (ООО "ИХТЦ") | Способ получения кускового силикагеля |
CN111976485B (zh) * | 2020-08-17 | 2022-01-11 | 宿州竹梦光学科技有限公司 | 一种汽车中控触屏ag玻璃 |
CN113104855B (zh) * | 2021-04-30 | 2022-03-15 | 武汉大学 | 球形二氧化硅的制备方法 |
CN113880098B (zh) * | 2021-11-17 | 2022-12-09 | 江苏海格新材料有限公司 | 一种高纯球形硅微粉的生产方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3459522A (en) | 1963-07-08 | 1969-08-05 | Corning Glass Works | Method of treating a porous,high silica content glass |
US4042361A (en) | 1976-04-26 | 1977-08-16 | Corning Glass Works | Method of densifying metal oxides |
JPS60204612A (ja) * | 1984-03-29 | 1985-10-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 高純度二酸化珪素の製造方法 |
JPS60215532A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-28 | Seiko Epson Corp | 石英ガラスの製造方法 |
JPS6212608A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-21 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカ及びその製造方法 |
JPS63291808A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Kawatetsu Kogyo Kk | 高純度シリカの製造方法 |
US4973462A (en) * | 1987-05-25 | 1990-11-27 | Kawatetsu Mining Company, Ltd. | Process for producing high purity silica |
US5141786A (en) * | 1989-02-28 | 1992-08-25 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Synthetic silica glass articles and a method for manufacturing them |
JPH02229735A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 石英ガラス部材 |
US5063179A (en) | 1990-03-02 | 1991-11-05 | Cabot Corporation | Process for making non-porous micron-sized high purity silica |
EP0474158B1 (en) * | 1990-09-07 | 1995-04-19 | Mitsubishi Chemical Corporation | Silica glass powder and a method for its production and a silica glass body product made thereof |
JPH054827A (ja) * | 1990-09-07 | 1993-01-14 | Mitsubishi Kasei Corp | シリカガラス粉末及びその製法並びにこれを用いたシリカガラス成形体 |
DE19601415A1 (de) | 1995-02-04 | 1996-08-08 | Degussa | Granulate auf Basis von pyrogen hergestelltem Siliciumdioxid, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung |
KR100720016B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2007-05-18 | 가부시키가이샤 와타나베 쇼코 | 실리카 입자, 합성 석영 가루 및 합성 석영 유리의 합성방법 |
JP2001192225A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-17 | Watanabe Shoko:Kk | 石英ガラスの製造方法 |
DE10058616A1 (de) * | 2000-11-25 | 2002-05-29 | Degussa | Fällungskieselsäuren mit hoher Struktur |
EP1258456A1 (en) | 2001-05-18 | 2002-11-20 | Degussa AG | Silica glass formation process |
EP1283195B1 (en) | 2001-08-01 | 2005-10-26 | Novara Technology S.R.L. | Sol-gel process for the production of optical fiber preforms |
DE10211958A1 (de) * | 2002-03-18 | 2003-10-16 | Wacker Chemie Gmbh | Hochreines Silica-Pulver, Verfahren und Vorrichtung zu seiner Herstellung |
DE102004005409A1 (de) * | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Degussa Ag | Hydrophile Fällungskieselsäure für Entschäumerformulierungen |
EP1717202A1 (en) | 2005-04-29 | 2006-11-02 | Degussa AG | Sintered silicon dioxide materials |
JP2010018470A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Tosoh Corp | 高純度熔融石英ガラスおよびその製造方法並びに、これを用いた部材および装置 |
DE102008035867A1 (de) * | 2008-08-01 | 2010-02-04 | Evonik Degussa Gmbh | Neuartige Fällungskieselsäuren für Trägeranwendungen |
EA201100567A1 (ru) * | 2008-09-30 | 2011-10-31 | Эвоник Дегусса Гмбх | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ SiOВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ ИЗ РАСТВОРОВ СИЛИКАТОВ |
CN102203011A (zh) * | 2008-09-30 | 2011-09-28 | 赢创德固赛有限公司 | 由硅酸盐溶液生产高纯度SiO2的方法 |
CN101844770A (zh) * | 2010-04-27 | 2010-09-29 | 中国神华能源股份有限公司 | 一种利用粉煤灰提铝残渣制备白炭黑的方法 |
-
2011
- 2011-02-22 DE DE102011004532A patent/DE102011004532A1/de not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-02-10 CN CN201810913825.0A patent/CN108658451A/zh active Pending
- 2012-02-10 ES ES12704510.2T patent/ES2628382T3/es active Active
- 2012-02-10 US US14/000,954 patent/US20140072803A1/en not_active Abandoned
- 2012-02-10 PL PL12704510T patent/PL2678280T3/pl unknown
- 2012-02-10 KR KR1020137024272A patent/KR101911566B1/ko active IP Right Grant
- 2012-02-10 JP JP2013554843A patent/JP5897043B2/ja active Active
- 2012-02-10 EP EP12704510.2A patent/EP2678280B1/de active Active
- 2012-02-10 CA CA2827899A patent/CA2827899C/en active Active
- 2012-02-10 CN CN2012800100352A patent/CN103402933A/zh active Pending
- 2012-02-10 RU RU2013142832/03A patent/RU2602859C2/ru active
- 2012-02-10 WO PCT/EP2012/052251 patent/WO2012113655A1/de active Application Filing
- 2012-02-20 TW TW101105523A patent/TWI557073B/zh active
-
2016
- 2016-10-17 US US15/295,899 patent/US20170066654A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2827899A1 (en) | 2012-08-30 |
PL2678280T3 (pl) | 2017-10-31 |
KR20140022380A (ko) | 2014-02-24 |
JP2014514229A (ja) | 2014-06-19 |
ES2628382T3 (es) | 2017-08-02 |
CA2827899C (en) | 2018-06-12 |
EP2678280B1 (de) | 2017-05-03 |
JP5897043B2 (ja) | 2016-03-30 |
CN103402933A (zh) | 2013-11-20 |
DE102011004532A1 (de) | 2012-08-23 |
RU2602859C2 (ru) | 2016-11-20 |
TW201247540A (en) | 2012-12-01 |
US20170066654A1 (en) | 2017-03-09 |
EP2678280A1 (de) | 2014-01-01 |
US20140072803A1 (en) | 2014-03-13 |
CN108658451A (zh) | 2018-10-16 |
WO2012113655A1 (de) | 2012-08-30 |
TWI557073B (zh) | 2016-11-11 |
KR101911566B1 (ko) | 2018-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2013142832A (ru) | Высокочистый гранулированный диоксид кремния для применения в областях использования кварцевого стекла | |
MX2018004860A (es) | Productos de diatomita calcinados por fundentes de opalina. | |
JP6141710B2 (ja) | 高純度合成シリカ粉末の製造方法 | |
JPWO2015152391A1 (ja) | 浄水器用活性炭 | |
TW201129505A (en) | Synthetic amorphous silica powder and process for producing the same | |
EA200601307A1 (ru) | Способ получения осажденной двуокиси кремния из оливина | |
CN103073006A (zh) | 一种介孔二氧化硅的制备方法 | |
CN104355378A (zh) | 一种改进的用于化工废水的处理材料 | |
JP2012158486A5 (ru) | ||
JP2013158727A (ja) | フッ素除去剤、フッ素含有液の処理方法 | |
JP2011162404A (ja) | 炭酸ナトリウムの製造方法 | |
WO2014125130A3 (en) | Concentration of suspensions | |
JP2013203614A (ja) | 活性炭及びその製造方法 | |
Moussavi et al. | Study of adsorption isotherms and adsorption kinetics of reactive blue 19 dyes from aqueous solutions by multi-wall carbon nanotubes. | |
JP2013078725A5 (ru) | ||
WO2010095812A2 (ko) | 망간이 도핑된 나노결정의 제조방법 | |
CN104891929A (zh) | 一种高效持久除氯的陶瓷颗粒及其制造方法 | |
JP2015171696A (ja) | リン回収用資材、その製造方法、およびリン回収方法 | |
US11945724B2 (en) | Activated carbon and production method thereof | |
CN104291686A (zh) | 一种抗菌玻璃制作方法 | |
TH148878B (th) | ซิลิคอนไดออกไซด์แกรนูลที่มีความบริสุทธิ์สูงสำหรับการประยุกต์ใช้เกี่ยวกับแก้ว ควอตซ์และวิธีสำหรับผลิตแกรนูลดังกล่าว | |
Ren et al. | Formation of carbon aerogels from glucose and as adsorbents for removal of methylene blue | |
KR101754953B1 (ko) | 황화수소 및 실록산 제거용 흡착제 및 이의 제조방법 | |
Wu et al. | Equilibrium and kinetics studies of phosphate removal from solution onto a hydrothermally modified Al-Si-Fe-Ca composite adsorbent | |
RU2548096C1 (ru) | Способ получения жидкого стекла |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PD4A | Correction of name of patent owner |