TWI819766B - 一種螺環化合物及其應用 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種螺環化合物及其應用，所述螺環化合物具有式（1）所示的結構。本發明提供的材料具有光、電穩定性高，昇華溫度低，驅動電壓低，發光效率高，器件壽命長等優點，可用於有機電致發光器件中。特別是作為電子注入、電子傳輸類材料，具有應用於AMOLED產業的可能。

Description

一種螺環化合物及其應用
本發明涉及有機電致發光技術領域，尤其涉及一種適合有機電致發光器件的有機發光材料，特別涉及一種螺環化合物及其應用。
目前，作為新一代顯示技術的有機電致發光器件（OLED）在顯示和照明技術方面都獲得了越來越多的關注，應用前景十分廣泛。但是，和市場應用要求相比，OLED器件的發光效率、驅動電壓、使用壽命等性能還需要繼續加強和改進。
一般來說，OLED器件基本結構為在金屬電極中間夾雜各種不同功能的有機功能材料薄膜，猶如一個三明治的結構，在電流的驅動下，從陰陽兩極分別注入空穴和電子，空穴和電子在移動一段距離後，在發光層得到複合，並以光或熱的形式進行釋放，從而產生了OLED的發光。然而，有機功能材料是有機電致發光器件的核心組成部分，材料的熱穩定性、光化學穩定性、電化學穩定性、量子產率、成膜穩定性、結晶性、色飽和度等都是影響器件性能表現的主要因素。
為了得到性能優異的有機發光器件，材料的選擇顯得尤為重要，這不僅包括起到發光作用的發射體材料，還包含在器件中主要作用為載流子注入和傳輸的空穴注入材料、空穴傳輸材料、主體材料、電子傳輸材料、電子注入材料等功能性材料，他們的選擇與優化可以提高空穴和電子的傳輸效率，使器件中的空穴和電子達到均衡，從而改善器件電壓、發光效率和壽命。
專利文獻（CN106536485）記載了螺芴同時在一側或者兩側連接三嗪和苯並咪唑的結構作為電子傳輸材料，並公開了化合物 作為ETL，但是該類材料的驅動電壓、器件壽命都有待得到改善；專利文獻（CN108602783）公開了一類螺芴的結構 其中，A或B為萘或者菲的結構，並公開了化合物 作為藍色發射體或者電子傳輸材料，但是該類材料的驅動電壓、器件壽命也需要得到改善；專利文獻（CN110804053A）公開了咪唑並氮雜環的結構 作為電子傳輸材料，但是該類材料的器件性能特別是壽命需要得到改善；專利文獻（CN111925366A）公開了一類咪唑並吡啶的結構 作為電子傳輸材料或空穴阻隔層材料或光提取層材料，但是該類材料的器件特性特別是器件電壓需要得到改善；專利文獻（CN104650116A）和專利文獻（CN104650117A）公開了一類咪唑並氮雜環的結構 作為電子傳輸材料，但是該類材料的器件電壓比較高，有待進一步改善提升。
本發明為了解決上述缺陷，提供一種高性能的有機電致發光器件及可實現這樣的有機電致發光器件的螺環化合物材料。
本發明的螺環化合物，具有式（1）所示的結構。本發明提供的螺環化合物具有光、電穩定性高，昇華溫度低，驅動電壓低，發光效率高，器件壽命長等優點，可用於有機電致發光器件中。特別是作為電子注入、傳輸類材料，具有應用於AMOLED產業的可能。
一種螺環化合物，具有式（1）所示的結構， （1） 其中，R 1-R 12獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、巰基、胺基、取代的或未取代的C1-C10烷基、取代的或未取代的C1-C10雜烷基、取代的或未取代的C3-C20環烷基、取代的或未取代的C3-C20雜環烷基、取代或未取代的C2-C10烯基、取代或未取代的C2-C10炔基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30雜芳基、取代或未取代的三C1-C10烷基矽基、取代或未取代的三C6-C12芳基矽基、取代或未取代的二C1-C10烷基一C6-C30芳基矽基、取代或未取代的一C1-C10烷基二C6-C30芳基矽基，或者兩個相鄰的基團之間相互連接形成脂肪族環、雜芳環或芳香族環狀結構；且 所述R 1-R 12中至少之一為具有式（2）所示的結構， （2） 其中，式（2）中， X 1-X 5獨立的選自N或CR 0；其中X 1-X 5中，至少之一為N，且至少之一為CR 0； 其中，R 0獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、巰基、胺基、取代的或未取代的C1-C10烷基、取代的或未取代的C1-C10雜烷基、取代的或未取代的C3-C20環烷基、取代的或未取代的C3-C20雜環烷基、取代或未取代的C2-C10烯基、取代或未取代的C2-C10炔基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30雜芳基、取代或未取代的三C1-C10烷基矽基、取代或未取代的三C6-C12芳基矽基、取代或未取代的二C1-C10烷基一C6-C30芳基矽基、取代或未取代的一C1-C10烷基二C6-C30芳基矽基，或者兩個相鄰的基團之間相互連接形成脂肪族環、雜芳環或芳香族環狀結構；且 其中，所述R 0中至少之一為具有式（3）或式（4）所示的結構， （3） （4） 其中，*表示與式（2）連接的位置； 其中，m、n獨立地選自0-4的整數，當n或m為0時，式（3）或式（4）與式（2）直接相連； 其中，R 13-R 20獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、巰基、胺基、取代的或未取代的C1-C10烷基、取代的或未取代的C1-C10雜烷基、取代的或未取代的C3-C20環烷基、取代的或未取代的C3-C20雜環烷基、取代或未取代的C2-C10烯基、取代或未取代的C2-C10炔基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30雜芳基、取代或未取代的三C1-C10烷基矽基、取代或未取代的三C6-C12芳基矽基、取代或未取代的二C1-C10烷基一C6-C30芳基矽基、取代或未取代的一C1-C10烷基二C6-C30芳基矽基，或者兩個相鄰的基團之間相互連接形成脂肪族環、雜芳環或芳香族環狀結構； 其中，Ar 1-Ar 4獨立的選自取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C4-C30的雜芳基； 其中，所述雜烷基、雜環烷基、雜芳環和雜芳基中至少含有一個O、N或S雜原子； 所述取代為被氘、F、Cl、Br、C1-C6烷基、C3-C6環烷基、C1-C6烷胺基、C6-C10的芳基、氰基、異腈或膦基所取代，其中取代數目為單取代到最大數目取代。
優選的螺環化合物，為式（5）或式（6）所示的結構， （5） （6）， 其中，R 1、R 7、R 12、R 13-R 20獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、巰基、胺基、取代的或未取代的C1-C10烷基、取代的或未取代的C1-C10雜烷基、取代的或未取代的C3-C20環烷基、取代的或未取代的C3-C20雜環烷基、取代或未取代的C2-C10烯基、取代或未取代的C2-C10炔基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30雜芳基、取代或未取代的三C1-C10烷基矽基、取代或未取代的三C6-C12芳基矽基、取代或未取代的二C1-C10烷基一C6-C30芳基矽基、取代或未取代的一C1-C10烷基二C6-C30芳基矽基，或者兩個相鄰的基團之間相互連接形成脂肪族環、雜芳環或芳香族環狀結構； 其中，X 3-X 5獨立的選自N或CR 0； 其中，R 0獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、巰基、胺基、取代的或未取代的C1-C10烷基、取代的或未取代的C1-C10雜烷基、取代的或未取代的C3-C20環烷基、取代的或未取代的C3-C20雜環烷基、取代或未取代的C2-C10烯基、取代或未取代的C2-C10炔基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30雜芳基、取代或未取代的三C1-C10烷基矽基、取代或未取代的三C6-C12芳基矽基、取代或未取代的二C1-C10烷基一C6-C30芳基矽基、取代或未取代的一C1-C10烷基二C6-C30芳基矽基，或者兩個相鄰的基團之間相互連接形成脂肪族環、雜芳環或芳香族環狀結構； 其中，m、n獨立地選自0-4的整數； 其中，Ar 1-Ar 4獨立的選自取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C4-C30的雜芳基； 其中，所述雜烷基、雜環烷基、雜芳環和雜芳基中至少含有一個O、N或S雜原子； 所述取代為被氘、F、Cl、Br、C1-C6烷基、C3-C6環烷基、C1-C6烷胺基、C6-C10的芳基、氰基、異腈或膦基所取代，其中取代數目為單取代到最大數目取代。
優選：在X 3-X 5中，至少之一為N。
進一步優選，在X 3-X 5中，其中X 3和/或X 5為N。
其中，當X 3和/或X 5為N時，X 4為CR 0，且R 0不為H。
其中，當X 3和X 5為N時，X 4為CR 0，且R 0為取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30雜芳基。
其中，當X 5為N，且X 4和X 3為CR 0時，兩個R 0中之一為取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C2-C20雜芳基，另一個為氫，或者兩個R 0互相連接形成芳環或者芳雜環；當X 3為N，且X 4和X 5為CR 0時，兩個R 0中之一為取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C2-C20雜芳基，另一個為氫；或者兩個R 0互相連接形成芳環或者芳雜環。
其中，m或n為1-2的整數。
其中，Ar 1-Ar 4獨立的選自取代或未取代的C6-C18的芳環、取代或未取代的C4-C18的雜芳基。
其中，Ar 1-Ar 4獨立的選自取代或未取代的C6-C10的芳環。
其中，R 1、R 7、R 12中至少之一為F或者CN，其餘為氫。
其中，R 1、R 7、R 12為氫。
其中，R 13-R 16、R 17-R 20中至少之一組兩個相鄰的取代基之間互相連接形成芳環或者芳雜環，其餘為氫。
其中，R 13-R 16、R 17-R 20為氫。
作為優選的螺環化合物，為以下結構式之一，或者對應的部分或完全氘代或者氟代，
CPD001 CPD002 CPD003 CPD004
CPD005 CPD006 CPD007 CPD008
CPD009 CPD010 CPD011 CPD012
CPD013 CPD014 CPD015 CPD016
CPD017 CPD018 CPD019 CPD020
CPD021 CPD022 CPD023 CPD024
CPD025 CPD026 CPD027 CPD028
CPD029 CPD030 CPD031 CPD032
CPD033 CPD034 CPD035 CPD036
CPD037 CPD038 CPD039 CPD040
CPD041 CPD042 CPD043 CPD044
CPD045 CPD046 CPD047 CPD048
CPD049 CPD050 CPD051 CPD052
CPD053 CPD054 CPD055 CPD056
CPD057 CPD058 CPD059 CPD060
CPD061 CPD062 CPD063 CPD064
CPD065 CPD066 CPD067 CPD068
CPD069 CPD070 CPD071 CPD072
CPD073 CPD074 CPD075 CPD076
CPD077 CPD078 CPD079 CPD080
CPD081 CPD082 CPD083 CPD084
CPD085 CPD086 CPD087 CPD088
CPD089 CPD090 CPD091 CPD092
CPD093 CPD094 CPD095 CPD096
CPD097 CPD098 CPD099 CPD100
CPD101 CPD102 CPD103 CPD104
CPD105 CPD106 CPD107 CPD108
CPD109 CPD110 CPD111 CPD112
CPD113 CPD114 CPD115 CPD116
。
本發明的目的之一還在於，上述螺環化合物在有機電致發光器件中的應用。
本發明的目的之一又在於，上述螺環化合物作為有機電致發光器件的電子注入層和或電子傳輸層。
本發明的材料在螺芴上通過N雜環與吡啶並咪唑環連接，具有光、電穩定性高，昇華溫度低，驅動電壓低，發光效率高，器件壽命長等優點，可用於有機電致發光器件中。特別是作為電子注入、傳輸類材料，具有應用於AMOLED產業的可能。
本發明的化合物，一種螺環化合物，具有式（1）所示的結構， （1） 其中，R 1-R 12獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、巰基、胺基、取代的或未取代的C1-C10烷基、取代的或未取代的C1-C10雜烷基、取代的或未取代的C3-C20環烷基、取代的或未取代的C3-C20雜環烷基、取代或未取代的C2-C10烯基、取代或未取代的C2-C10炔基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30雜芳基、取代或未取代的三C1-C10烷基矽基、取代或未取代的三C6-C12芳基矽基、取代或未取代的二C1-C10烷基一C6-C30芳基矽基、取代或未取代的一C1-C10烷基二C6-C30芳基矽基，或者兩個相鄰的基團之間相互連接形成脂肪族環、雜芳環或芳香族環狀結構； 其中，所述R 1-R 12中至少之一為具有式（2）所示的結構， （2） 其中，式（2）中， X 1-X 5獨立的選自N或CR 0； 其中，X 1-X 5中，至少之一為N，且至少之一為CR 0； 其中，R 0獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、巰基、胺基、取代的或未取代的C1-C10烷基、取代的或未取代的C1-C10雜烷基、取代的或未取代的C3-C20環烷基、取代的或未取代的C3-C20雜環烷基、取代或未取代的C2-C10烯基、取代或未取代的C2-C10炔基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30雜芳基、取代或未取代的三C1-C10烷基矽基、取代或未取代的三C6-C12芳基矽基、取代或未取代的二C1-C10烷基一C6-C30芳基矽基、取代或未取代的一C1-C10烷基二C6-C30芳基矽基，或者兩個相鄰的基團之間相互連接形成脂肪族環、雜芳環或芳香族環狀結構； 其中，所述R 0中至少之一為具有式（3）或式（4）所示的結構， （3） （4） 其中，*表示與式（2）連接的位置； 其中，m、n獨立地選自0或1-4的整數，當n或m為0時，式（3）或式（4）與式（2）直接相連； 其中，R 13-R 20獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、巰基、胺基、取代的或未取代的C1-C10烷基、取代的或未取代的C1-C10雜烷基、取代的或未取代的C3-C20環烷基、取代的或未取代的C3-C20雜環烷基、取代或未取代的C2-C10烯基、取代或未取代的C2-C10炔基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30雜芳基、取代或未取代的三C1-C10烷基矽基、取代或未取代的三C6-C12芳基矽基、取代或未取代的二C1-C10烷基一C6-C30芳基矽基、取代或未取代的一C1-C10烷基二C6-C30芳基矽基，或者兩個相鄰的基團之間相互連接形成脂肪族環、雜芳環或芳香族環狀結構； 其中，Ar 1-Ar 4獨立的選自取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C4-C30的雜芳基； 其中，所述雜烷基、雜芳環和雜芳基中至少含有一個O、N或S雜原子； 所述取代為被氘、F、Cl、Br、C1-C6烷基、C3-C6環烷基、C1-C6烷基取代的胺基、C6-C10的芳基、氰基、異腈或膦基所取代，其中取代數目為單取代到最大數目取代。
以下，對於式(1)所表示的化合物的各基團的例子進行說明。
需要說明的是，本說明書中，“取代或未取代的碳數a~b的X基”這一表述中的“碳數a~b”表示的是X基未取代的情況下的碳數，不包括X基被取代時的取代基的碳數。
作為C1～C10的烷基，為直鏈狀或支鏈狀的烷基，具體來說，為甲基、乙基、丙基、、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基及其異構體、正己基及其異構體、正庚基及其異構體、正辛基及其異構體、正壬基及其異構體、正癸基及其異構體等，優選為甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基，更優選為丙基、異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基。
作為C3～C20的環烷基，可舉出環丙基、環丁基、環戊基、環己基、1－金剛烷基、2－金剛烷基、1－降冰片烷基、2－降冰片烷基等，優選為環戊基、環己基。
作為C2～C10的烯基，可舉出乙烯基、丙烯基、烯丙基、1-丁二烯基、2-丁二烯基、1-己三烯基、2-己三烯基、3-己三烯基等，優選為丙烯基、烯丙基。
作為C1-C10雜烷基，為含有除碳氫以外的原子構成的直鏈狀或支鏈狀的烷基、環烷基等，可舉出巰甲基甲烷基、甲氧基甲烷基、乙氧基甲烷基、叔丁氧基甲烷基、N,N-二甲基甲烷基、環氧丁烷基、環氧戊烷基、環氧己烷基等，優選為甲氧基甲烷基、環氧戊烷基。
作為芳基的具體例，為苯基、萘基、蒽基、菲基、並四苯基、芘基、屈基、苯並[c]菲基、苯並[g] 屈基、芴基、苯並芴基、二苯並芴基、聯苯基、三聯苯基、四聯苯基、熒蒽基等，優選為苯基、萘基。
作為雜芳基的具體例，可舉出吡咯基、吡嗪基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吲哚基、異吲哚基、咪唑基、呋喃基、苯並呋喃基、異苯並呋喃基、二苯並呋喃基、二苯並噻吩基、氮雜二苯並呋喃基、氮雜二苯並噻吩基、二氮雜二苯並呋喃基、二氮雜二苯並噻吩基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、噁唑啉基、噁二唑基、呋咱基、噻吩基、苯並噻吩基、二氫吖啶基、氮雜咔唑基、二氮雜咔唑基、喹唑啉基等，優選為吡啶基、嘧啶基、三嗪基、二苯並呋喃基、二苯並噻吩基、氮雜二苯並呋喃基、氮雜二苯並噻吩基、二氮雜二苯並呋喃基、二氮雜二苯並噻吩基、咔唑基、氮雜咔唑基、二氮雜咔唑基。
雜芳環具有與雜芳基相同的結構。
下述實施例僅僅是為了便於理解技術發明，不應視為本發明的具體限制。
本發明中的化合物合成中涉及的原物料和溶劑等均購自於Alfa、Acros等本領域技術人員熟知的供應商。
化合物CPD002的合成
化合物CPD002-2的合成 將CPD002-1（25.00g, 71.59mmol）、聯硼酸頻那醇酯（23.63g, 93.06mmol）、1,1'-雙二苯基膦二茂鐵二氯化鈀（2.60g, 3.58mmol）、乙酸鉀（14.05g, 143.18mmol）、1,4-二氧六環（250ml）加入1000ml三口圓底燒瓶中，真空氮氣置換三次，升溫至於110℃，反應4h，TLC監控(二氯甲烷:甲醇=40:1為展開劑)，CPD002-1消耗完畢，停止反應。 減壓濃縮反應液，加入乙酸乙酯（1000ml），使用去離子水洗滌（3*300ml），有機相進行矽膠柱層析(200-300目矽膠，二氯甲烷:甲醇=70:1為洗脫劑），洗脫後濃縮得到淺黃色固體為化合物CPD002-2（22.79g，純度：98.01 %，收率：80.34%），質譜：397.20（M+H）。
化合物CPD002-5的合成 將CPD002-3（25.00g, 69.40mmol）、CPD002-4（14.69g, 76.34mmol）、四（三苯基膦）鈀（1.60g, 1.39mmol）、碳酸鈉（14.71g, 138.80mmol）、甲苯（375ml）、乙醇（125ml）和去離子水（125ml）加入1000ml三口圓底燒瓶中，真空氮氣置換三次，溫度升至50℃，反應3h，TLC監控(乙酸乙酯:石油醚=1:10為展開劑)， 原料CPD002-3消耗完畢，停止反應。 加入甲苯（500ml），去離子水洗滌（3*300ml），萃取分液，進行矽膠柱層析(200-300目矽膠，乙酸乙酯:石油醚=1:50為洗脫劑），洗脫後濃縮得到淺黃色固體為化合物CPD002-5（22.38g，純度：99.73 %，收率：75.35%），質譜：428.21（M+H）。
化合物CPD002的合成 將CPD002-5（20.00g, 46.74mmol）、CPD002-2（20.37g, 51.41mmol）、四（三苯基膦）鈀（1.08g, 0.94mmol）、碳酸鉀（12.92g, 93.48mmol）、甲苯（300ml）、乙醇（100ml）和去離子水（100ml）加入1000ml三口圓底燒瓶中，真空氮氣置換三次，溫度升至80℃，反應5h，TLC監控(乙酸乙酯:石油醚=1:5為展開劑)， 原料CPD002-5消耗完畢，停止反應。 加入甲苯（500ml），去離子水洗滌（3*300ml），萃取分液，進行矽膠柱層析(200-300目矽膠，乙酸乙酯:石油醚=1:10為洗脫劑），洗脫後濃縮得到淺黃色固體為化合物CPD002（26.40g，純度：99.95 %，收率：85.34%）。將26.40克CPD002粗品昇華純化後得到昇華純CPD002（17.24g，純度：99.96%，收率：65.30%），質譜：662.82（M+H）。 1H NMR (400 MHz, CDCl 3) δ 8.82-8.74 (m, 2H), 8.67-8.63(m, 1H), 8.57-8.55 (m, 1H), 8.45-8.35 (m, 2H), 8.28-8.14 (m, 6H), 8.02 -7.94 (m, 2H), 7.93-7.76 (m, 6H), 7.70-7.63 (m, 2H), 7.61-7.53 (m, 5H), 7.50-7.41 (m, 1H), 7.21-7.15 (m, 1H), 7.08-7.05 (m, 2H)。
化合物CPD009的合成
化合物CPD009-2的合成 參照化合物CPD002-2的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD009-2（20.87g，純度：98.11%，收率：75.01%），質譜：397.20（M+H）。
化合物CPD009-5的合成 將CPD002-3（25.00g, 69.40mmol）、CPD009-4（16.42g, 76.34mmol）、四（三苯基膦）鈀（1.60g, 1.39mmol）、碳酸鉀（19.18g, 138.80mmol）、甲苯（375ml）、乙醇（125ml）和去離子水（125ml）加入2000ml三口圓底燒瓶中，真空氮氣置換三次，溫度升至75℃，反應8h，TLC監控(乙酸乙酯:石油醚=1:8為展開劑)， 原料CPD002-3消耗完畢，停止反應。 加入甲苯（600ml），去離子水洗滌（3*350ml），萃取分液，進行矽膠柱層析(200-300目矽膠，乙酸乙酯:石油醚=1:20為洗脫劑），洗脫後濃縮得到黃色固體為化合物CPD009-5（20.02g，純度：99.51 %，收率：60.23%），質譜：479.32（M+H）。
化合物CPD009的合成 將CPD009-5（15.00g, 31.32mmol）、CPD009-2（13.65g, 34.45mmol）、雙(4-二甲氨基苯基二叔丁基膦)二氯化鈀（0.22g, 0.32mmol）、碳酸鉀（6.65g, 62.60mmol）、1,4-二氧六環（150ml）、去離子水（30ml）加入500ml三口圓底燒瓶中，真空氮氣置換三次，溫度升至100℃，反應2h，TLC監控(乙酸乙酯:石油醚=1:5為展開劑)，原料CPD009-5消耗完畢，停止反應。 減壓濃縮除去有機相，加入乙酸乙酯（800ml），使用去離子水洗滌（3*250ml），萃取分液，進行矽膠柱層析(200-300目矽膠，乙酸乙酯:石油醚=1:10為洗脫劑），洗脫後濃縮得到淺黃色固體為化合物CPD009（19.47g，純度：99.93 %，收率：87.21 %）。將19.47克CPD009粗品昇華純化後得到昇華純CPD009（12.29g，純度：99.94%，收率：63.12%），質譜：713.14（M+H）。 1H NMR (400 MHz, CDCl 3) δ 8.81-8.77 (m, 1H), 8.65-8.59 (m, 2H), 8.46-8.42 (m, 1H), 8.39 (d, J = 15.0 Hz, 1H), 8.32 (d, J = 2.9 Hz, 1H), 8.30-8.25 (m, 2H), 8.23-8.21 (m, 2H), 8.21 -8.13 (m, 4H), 8.10-8.07(m, 1H), 8.02 7.97 (m, 3H), 7.94-7.77 (m, 6H), 7.65 (td, J = 14.8, 3.3 Hz, 2H), 7.60-7.47 (m, 5H), 7.20-7.13 (m, 1H)。
化合物CPD014合成
化合物CPD014的合成 參照化合物CPD009的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD014（12.54g，純度：99.96 %，收率：82.41%）。將12.54克CPD014粗品昇華純化後得到昇華純CPD014（7.36g，純度：99.94%，收率：58.69%），質譜：713.14（M+H）。 1H NMR (400 MHz, CDCl 3) δ 8.82-8.78 (m, 1H), 8.64-8.58 (m, 2H), 8.44 (d, 3.1 Hz, 1H), 8.39 (d, J = 15.0 Hz, 1H), 8.32 (d, J = 3.1 Hz, 1H), 8.30-8.17 (m, 6H), 8.14-8.07 (m, 1H), 8.05-7.97 (m, 3H), 7.95-7.85 (m, 2H), 7.84-7.74 (m, 4H), 7.71-7.61 (m, 3H), 7.61-7.47 (m, 6H), 7.20-7.14 (m, 1H)。
化合物CPD017合成
化合物CPD017-5的合成 參照化合物CPD009的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD017（15.66g，純度：99.92 %，收率：77.54%）。將15.66克CPD017粗品昇華純化後得到昇華純CPD017（9.51g，純度：99.92%，收率：60.72%），質譜：713.14（M+H）。 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.80-7.78 (m, 1H), 8.62-8.59 (m, 4H), 8.49-8.37 (m, 3H), 8.30-8.27 (m, 1H), 8.26-8.09 (m, 6H), 8.00-7.98 (m, 1H), 7.95-7.79 (m, 8H), 7.70-7.67 (m, 2H), 7.61-7.47 (m, 5H), 7.21-7.15 (m, 1H)。
化合物CPD026的合成
化合物CPD026-2的合成 參照化合物CPD002-2的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD026-2（35.86g，純度：98.11%，收率：70.01%），質譜：397.20（M+H）。
化合物CPD026-5的合成 將CPD026-3 (25.00g, 93.44mmol)、乾燥四氫呋喃(375ml)加入1000ml的三口圓底燒瓶中，置換氮氣三次，接著降溫至-78℃，滴加2.5mol/l正丁基鋰的正己烷溶液（37.38ml, 93.44mmol），1h滴加完畢，-78℃保溫反應1h。將體系升溫至-50℃，體系變為澄清液，直接加入CPD026-4 (22.22g, 102.78mmol)，體系升溫至-30℃，變為棕紅色，再緩慢升溫至室溫攪拌反應過夜。TLC（乙酸乙酯:正己烷=1:40為展開劑）監控反應，原料CPD026-3消耗完畢。 加入飽和氯化銨水溶液(250ml)淬滅反應，逐漸升至室溫，濃縮除出四氫呋喃，加入乙酸乙酯(800ml)，使用去離子水洗滌（3*300ml），進行矽膠柱層析純化（200-300目矽膠，四氫呋喃:石油醚=1:20為洗脫劑），濃縮得到類白色固體為化合物CPD026-5（24.72g，純度：99.20 %，收率：65.35%），質譜：405.08（M-H）。
化合物CPD026-6的合成 將CPD026-5 (23.50g, 58.05mmol)、乙酸(240ml)和36%-38%濃鹽酸(12ml)加入1000ml單口圓底燒瓶中，加熱至90℃攪拌反應2h，TLC（乙酸乙酯:石油醚=1:40為展開劑）監控原料CPD026-5消耗完畢。 降溫至60℃，加入乙醇(250ml)，抽濾，得到類白色固體。進行甲苯甲醇重結晶兩次，抽濾，乾燥得到類白色固體為化合物CPD026-6（16.98g，純度：99.85 %，收率：75.62%），質譜：387.27（M+H）。
化合物CPD026-7的合成 將CPD026-6（15g, 38.77mmol）、聯硼酸頻那醇酯（16.69g, 77.55mmol)、三(二亞苄基丙酮)二鈀(0.714g, 0.78mmol)、乙酸鉀（7.61g, 77.54mmol）、1,4-二氧六環（150ml）加入500ml三口圓底燒瓶中，真空氮氣置換三次，升溫至於110℃，反應2h，TLC監控(乙酸乙酯:石油醚=1:20)，CPD026-6消耗完畢，停止反應。 減壓濃縮反應液，加入乙酸乙酯（900ml），使用去離子水洗滌(3*300ml)，有機相進行矽膠柱層析(200-300目矽膠，乙酸乙酯:石油醚=1:40為洗脫劑），洗脫後濃縮得到白色固體為化合物，得到目標化合物CPD026-7（15.82g，純度：98.36%，收率：85.31%），質譜：479.20（M+H）。
化合物CPD026-8的合成 參照化合物CPD002-5的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD026-8（17.54g，純度：99.62%，收率：64.23%），質譜：433.21（M+H）。
化合物CPD026的合成 參照化合物CPD009的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD026（22.86g，純度：99.92 %，收率：80.14%）。將22.86克CPD026粗品昇華純化後得到昇華純CPD026（13.47g，純度：99.92%，收率：58.92%），質譜：749.26（M+H）。 1H NMR (400 MHz, CDCl 3) δ 8.83-8.79 (m, 1H), 8.50-8.44 (m, 2H), 8.43-8.40 (m, 2H), 8.37-8.33 (m, 1H), 8.29 (dd, J = 2.9, 0.9 Hz, 1H), 8.27-8.25 (m, 1H), 8.24-8.16 (m, 3H), 8.15-8.09 (m, 1H), 8.07-7.97 (m, 2H), 7.94-7.71 (m, 8H), 7.66-7.49 (m, 7H), 7.12-7.16 (m, 1H)。
化合物CPD027的合成
化合物CPD027-5的合成 參照化合物CPD009-5的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD027-5（18.69g，純度：99.63%，收率：61.25%），質譜：505.26（M+H）。
化合物CPD027的合成 參照化合物CPD009的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD027（18.02g，純度：99.95 %，收率：78.26%）。將18.02克CPD027粗品昇華純化後得到昇華純CPD027（11.16g，純度：99.96%，收率：61.93%），質譜：739.20（M+H）。 1H NMR (400 MHz, CDCl 3) δ 8.81-8.77 (m, 1H), 8.64-8.58 (m, 2H), 8.54 (s, 1H), 8.41-8.35 (m, 2H), 8.30-8.11 (m, 9H), 8.01-7.97(m, 1H), 7.96-7.78 (m, 10H), 7.69-7.32 (m, 2H), 7.60-7.47 (m, 5H), 7.20-7.14 (m, 1H)。
化合物CPD033的合成
化合物CPD033的合成 參照化合物CPD009的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD033（22.34g，純度：99.97 %，收率：78.41%）。將22.34克CPD033粗品昇華純化後得到昇華純CPD033（14.47g，純度：99.98%，收率：64.77%），質譜：739.20（M+H）。 1H NMR (400 MHz, CDCl 3) δ 8.80-8.78 (m, 1H), 8.72-8.68 (m, 1H), 8.55 (s, 1H), 8.45 (t, J = 2.9 Hz, 1H), 8.42-8.39 (m, 1H), 8.35 (d, J = 2.9 Hz, 1H), 8.24 -8.19(m, 6H), 8.07-7.97 (m, 2H), 7.97-7.74 (m, 10H), 7.72-7.48 (m, 9H), 7.21-7.15 (m, 1H)。
化合物CPD041的合成
化合物CPD041-5的合成 將CPD002-3（21.68g, 60.19mmol），CPD041-4(14.97g, 66.20mmol)，碳酸鈉（12.76g，120.38mmol）和四（三苯基膦）鈀（1.39g, 1.21mmol）、甲苯（100ml）、乙醇（60ml）和去離子水（60ml）加入1000ml的三口圓底燒瓶中，真空氮氣置換三次，溫度升至50℃，反應3h，TLC監測(乙酸乙酯:石油醚=1:10為展開劑)，CPD002-3消耗完畢完，停止加熱 。減壓濃縮反應液，加入乙酸乙酯（600ml），去離子水洗滌（3*200ml），進行矽膠柱層析（200-300目矽膠，乙酸酯:石油醚=1:30為洗脫劑），洗脫後濃縮得到白色固體為化合物CPD041-5（27.70g，純度：99.61%，收率：81.12%），質譜：506.23（M+H）。
化合物CPD041的合成 將CPD041-5（26.71g, 52.79mmol），CPD009-2(22.20g, 58.06mmol)，碳酸鈉（11.19g，105.58mmol）和四（三苯基膦）鈀（1.22g, 1.06mmol）、甲苯（270ml）、乙醇（60ml）和去離子水（60ml）加入1000ml的三口圓底燒瓶中，真空氮氣置換三次，溫度升至70℃，反應3h，TLC監測(乙酸乙酯:石油醚=1:8為展開劑)，CPD041-5消耗完畢完，停止加熱 減壓濃縮反應液，加入二氯甲烷（1000ml），去離子水洗滌(3*450ml)，進行矽膠柱層析（200-300目矽膠，乙酸酯:石油醚=1:20為洗脫劑），洗脫後濃縮得到白色固體為化合物CPD041（32.71g，純度：99.96%，收率：83.76%）。將32.71克CPD041粗品昇華純化後得到昇華純CPD041（20.74g，純度：99.96%，收率：63.40%），質譜：740.17（M+H）。 1H NMR (400 MHz, CDCl 3) δ 8.82-8.80 (m, 1H), 8.72-8.66 (m, 2H), 8.63 (d, J = 7.5 Hz, 2H), 8.51 (d, J = 1.4 Hz, 1H), 8.41 (d, J = 7.5 Hz, 1H), 8.29 (d, J = 7.3 Hz, 2H), 8.24-8.21 (m, 3H), 8.20 -8.14 (m, 2H), 8.01 (dd, J = 7.5, 1.4 Hz, 1H), 7.98-7.91 (m, 3H), 7.89-7.79 (m, 7H), 7.67 (td, J = 7.5, 1.5 Hz, 2H), 7.62-7.48 (m, 5H), 7.21-7.19 (m, 1H)。
化合物CPD046的合成 參照化合物CPD041的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD046（28.73g，純度：99.93 %，收率：75.26%）。將28.73克CPD046粗品昇華純化後得到昇華純CPD046（18.46g，純度：99.94%，收率：64.25%），質譜：740.17（M+H）。 1H NMR (400 MHz, CDCl3) δ 8.82-8.80 (m, 1H), 8.72-8.66 (m, 2H), 8.63 (d, J = 7.5 Hz, 2H), 8.53 (d, J = 1.4 Hz, 1H), 8.41 (d, J = 7.5 Hz, 1H), 8.29 (d, J = 7.3 Hz, 2H), 8.24-8.21 (m, 3H), 8.01 (dd, J = 7.5, 1.4 Hz, 1H), 7.99-7.91 (m, 3H), 7.88-7.77 (m, 7H), 7.67 (td, J = 7.5, 1.5 Hz, 2H), 7.64-7.51 (m, 7H), 7.21-7.17 (m, 1H)。
化合物CPD054的合成
化合物CPD054-2的合成 參照化合物CPD002-2的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD054-2（24.36g，純度：98.65 %，收率：68.88%），質譜：447.21（M+H）。
化合物CPD054的合成 參照化合物CPD041的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD054（21.12g，純度：99.92 %，收率：68.72%）。將21.12克CPD054粗品昇華純化後得到昇華純CPD054（12.58g，純度：99.94%，收率：59.56%），質譜：790.40（M+H）。 1H NMR (400 MHz, CDCl 3) δ 8.83-8.79 (m, 1H), 8.61-8.45 (m, 5H), 8.45-8.36 (m, 2H), 8.27 (d, J = 15.0 Hz, 1H), 8.24-7.91 (m, 10H), 7.91-7.77 (m, 4H), 7.77-7.63 (m, 6H), 7.54 (td, J = 14.9, 3.4 Hz, 2H), 7.48-7.36 (m, 4H)。
化合物CPD059的合成
化合物CPD059-2的合成 參照化合物CPD002-2的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD059-2（20.93g，純度：98.83 %，收率：71.11%），質譜：447.21（M+H）。
化合物CPD059的合成 參照化合物CPD041的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD059（18.94g，純度：99.93 %，收率：69.79%）。將18.94克CPD059粗品昇華純化後得到昇華純CPD059（10.40g，純度：99.93%，收率：54.91%），質譜：790.40（M+H）。 1H NMR (400 MHz, CDCl 3) δ 8.79 (d, J = 15.0 Hz, 1H), 7.80-7.66 (m, 4H), 7.55 (d, J = 2.9 Hz, 1H), 7.45 (d, J = 15.0 Hz, 1H), 7.35-7.21 (m, 5H), 7.18-6.92 (m, 9H), 6.92-6.79 (m, 6H), 6.78-6.66 (m, 3H), 6.66-6.54 (m, 5H)。
化合物CPD065的合成
化合物CPD065-5的合成 參照化合物CPD041-5的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD065-5（24.36g，純度：99.35 %，收率：65.87%），質譜：582.26（M+H）。
化合物CPD065的合成 參照化合物CPD041的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD065（20.01g，純度：99.95 %，收率：76.96%）。將20.01克CPD065粗品昇華純化後得到昇華純CPD065（11.78g，純度：99.95%，收率：58.87%），質譜：816.32（M+H）。 1H NMR (400 MHz, CDCl 3) δ 8.82-8.78 (m, 1H), 8.67-8.59 (m, 2H), 8.52 (d, J = 3.0 Hz, 1H), 8.40 (d, J = 15.0 Hz, 1H), 8.33-8.11 (m, 9H), 8.11-7.89 (m, 6H), 7.89-7.62 (m, 9H), 7.62-7.47 (m, 7H), 7.21-7.15 (m, 1H)。
化合物CPD072的合成
化合物CPD072-5的合成 參照化合物CPD041-5的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD072-5（23.09g，純度：99.61 %，收率：68.45%），質譜：582.26（M+H）。 化合物 CPD072的合成 參照化合物CPD041的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD072（30.84g，純度：99.96 %，收率：82.39%）。將30.84克CPD072粗品昇華純化後得到昇華純CPD072（19.29g，純度：99.95%，收率：62.54%），質譜：816.32（M+H）。 1H NMR (400 MHz, CDCl 3) δ 8.80-8.78 (m, 1H), 8.74-8.71 (m, 2H), 8.69 (t, J = 3.1 Hz, 1H), 8.58 (t, J = 3.0 Hz, 1H), 8.52 (d, J = 3.1 Hz, 1H), 8.40 (d, J = 15.0 Hz, 1H), 8.32-8.11 (m, 6H), 8.12 -7.90 (m, 9H), 7.90-7.71 (m, 7H), 7.71-7.62 (m, 2H), 7.62-7.48 (m, 5H), 7.21-7.15 (m, 1H)。
化合物CPD074的合成 參照化合物CPD041的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD074（27.47g，純度：99.95%，收率：79.85%）。將27.47克CPD074粗品昇華純化後得到昇華純CPD074（15.79g，純度：99.95%，收率：57.48%），質譜：816.32（M+H）。 1H NMR (400 MHz, CDCl 3) δ 8.81-8.77 (m, 1H), 8.70 (dt, J = 14.7, 3.2 Hz, 1H), 8.66-8.58 (m, 2H), 8.57 (t, J = 2.9 Hz, 1H), 8.52 (d, J = 2.9 Hz, 1H), 8.40 (d, J = 15.0 Hz, 1H), 8.33-8.15 (m, 5H), 8.12-7.90 (m, 8H), 7.89-7.72 (m, 7H), 7.72-7.62 (m, 3H), 7.62-7.47 (m, 6H), 7.22-7.16 (m, 1H)。
化合物CPD075的合成 參照化合物CPD041的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD075（23.21g，純度：99.96%，收率：76.25%）。將23.21克CPD075粗品昇華純化後得到昇華純CPD075（13.59g，純度：99.95%，收率：58.55%），質譜：816.32（M+H）。 1H NMR (400 MHz, CDCl 3) δ 8.83-8.81 (m, 3H), 8.74 (d, J = 7.5 Hz, 1H), 8.57 (d, J = 7.6 Hz, 1H), 8.08 (s, 1H), 8.04 (d, J = 7.8 Hz, 2H), 7.96 (d, J = 7.6 Hz, 1H), 7.88 (d, J = 7.6 Hz, 2H), 7.80-7.75 (m, 2H), 7.72-7.56 (m, 7H), 7.50 (t, J = 7.4 Hz, 2H), 7.44-7.36(m, 4H), 7.29-7.26 (m, 3H), 7.23-7.16 (m, 2H), 7.12 (t, J = 7.5 Hz, 2H), 6.79-6.73 (m, 4H)。
化合物CPD077的合成
化合物CPD077-5的合成 參照化合物CPD041-5的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD077-5（19.57g，純度：99.72 %，收率：65.64%），質譜：596.25（M+H）。
化合物CPD077的合成 參照化合物CPD041的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD077（18.47g，純度：99.92%，收率：70.03%）。將18.47克CPD077粗品昇華純化後得到昇華純CPD077（10.04g，純度：99.93%，收率：54.35%），質譜：830.20（M+H）。 1H NMR (400 MHz, CDCl 3) δ 8.8-8.78 (m, 1H), 8.67-8.59 (m, 2H), 8.52 (dd, J = 23.4, 2.9 Hz, 2H), 8.40 (d, J = 15.0 Hz, 1H), 8.36-8.25 (m, 3H), 8.25-8.07 (m, 6H), 8.03-7.92 (m, 4H), 7.92-7.77 (m, 6H), 7.75-7.63(m, 4H), 7.62-7.47 (m, 5H), 7.21-7.15 (m, 1H)。
化合物CPD102的合成
化合物CPD102-5的合成 參照化合物CPD041-5的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD102-5（15.43g，純度：99.48 %，收率：64.37%），質譜：547.22（M+H）。
化合物CPD102的合成 參照化合物CPD041的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD102（12.64g，純度：99.96%，收率：75.62%）。將12.64克CPD102粗品昇華純化後得到昇華純CPD102（6.42g，純度：99.96%，收率：50.79%），質譜：781.16（M+H）。 1H NMR (400 MHz, CDCl 3) δ 8.83-8.79 (m, 1H), 8.67-8.60 (m, 2H), 8.56 (d, J = 3.1 Hz, 1H), 8.41 (d, J = 15.0 Hz, 1H), 8.32-8.18 (m, 5H), 8.13-7.90 (m, 6H), 7.89-7.76 (m, 4H), 7.76-7.48 (m, 11H), 7.22-7.16 (m, 1H)。
化合物CPD111的合成
化合物CPD111-5的合成 參照化合物CPD041-5的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD111-5（25.19g，純度：99.60%，收率：62.37%），質譜：556.15（M+H）。
化合物CPD111的合成 參照化合物CPD041的合成和純化方法，只需要將對應的原物料變更即可，得到目標化合物CPD111（30.61g，純度：99.95%，收率：72.84%）。將30.61克CPD111粗品昇華純化後得到昇華純CPD111（18.93g，純度：99.95%，收率：61.84%），質譜：790.22（M+H）。 1H NMR (400 MHz, CDCl 3)δ 8.81-8.79 (m, 1H), 8.67-8.59 (m, 2H), 8.55-8.32(m, 3H), 8.21- 8.00 (m, 2H), 7.94-7.84 (m, 1H), 7.77-7.51 (m, 8H), 7.48-7.18 (m, 10H), 7.07 (td, J = 14.9, 3.4 Hz, 2H), 7.02-6.88 (m, 5H), 7.23-7.15 (m, 1H)。
有機電致發光器件的製作 將50mm*50mm*1.0mm的具有ITO（100nm）透明電極的玻璃基板在乙醇中超聲清洗10分鐘，再150度烘乾後經過N2 Plasma處理30分鐘。將洗滌後的玻璃基板安裝在真空蒸鍍裝置的基板支架上，首先在有透明電極線一側的面上按照覆蓋透明電極的方式蒸鍍化合物HATCN，形成膜厚為5nm的薄膜，緊接著蒸鍍一層HTM1形成膜厚為60nm的薄膜，再在HTM1薄膜上蒸鍍一層HTM2形成膜厚為10nm的薄膜，然後，在HTM2膜層上再採用共蒸鍍的模式蒸鍍主體材料CBP和摻雜材料，膜厚為30nm，主體材料和摻雜材料比例為90%：10%。在發光層上再依次按照下表的搭配蒸鍍HBL（5nm）作為空穴阻隔層材料、ETL（30nm）作為電子傳輸材料，接著在電子傳輸材料層之上蒸鍍LiF(1nm) 作為電子注入材料，接著再採用共蒸鍍的模式蒸鍍Mg/Ag(18nm,1:9)作為陰極材料。
器件性能評價 將上述器件進行器件性能測試，在各實施例和比較例中，使用恒定電流電源（Keithley 2400）,使用固定的電流密度流過發光元件，使用分光輻射倆都系（CS 2000）測試發光波譜。同時測定電壓值以及測試亮度為初始亮度的90%的時間（LT90）。結果如下表2： 表2：
  ETL 啟動電壓V @3000nits 電流效率Cd/A @3000nits LT90@ 3000nits
實施例1 CPD002 4.4 64 176
實施例2 CPD009 4.3 63 189
實施例3 CPD014 4.6 62 186
實施例4 CPD017 4.3 67 196
實施例5 CPD026 4.1 69 192
實施例6 CPD027 4.4 67 183
實施例7 CPD033 4.3 66 174
實施例8 CPD041 4.6 71 207
實施例9 CPD046 4.4 70 201
實施例10 CPD054 4.3 66 154
實施例11 CPD059 4.5 68 161
實施例12 CPD065 4.4 69 203
實施例13 CPD072 4.7 72 217
實施例14 CPD074 4.6 70 231
實施例15 CPD075 4.6 68 249
實施例16 CPD077 4.5 63 233
實施例17 CPD102 4.6 62 118
實施例18 CPD111 4.4 65 169
對比例1 對比化合物1 4.8 47 86
對比例2 對比化合物2 4.9 53 127
對比例3 對比化合物3 5.1 51 106
昇華溫度對比：昇華溫度的定義為：在10 -7Torr的真空度，蒸鍍速率為1埃每秒對應的溫度。測試結果如下：
材料 昇華溫度
CPD002 269
CPD026 266
CPD046 274
CPD072 276
CPD075 276
對比化合物1 261
對比化合物2 287
對比化合物3 279
由上面表格中的數據對比可知，使用本發明的化合物應用於有機電致發光器件作為電子傳輸層，相較於對比化合物1-3在驅動電壓、發光效率、器件壽命都表現出更加優越的性能。
上述結果表明本發明的化合物具有昇華溫度低，光、電、熱穩定性好，折射率高、可見光區折射率差異小等優點，該化合物製備的器件具有電壓低、壽命長，發光效率高等優點，可用於有機發光器件中。特別是作為電子傳輸材料，具有應用於AMOLED產業的可能。
本發明的材料在螺芴上通過N雜環與嘧啶並咪唑環連接，具有光、電穩定性高，昇華溫度低，驅動電壓低，發光效率高，器件壽命長等優點，可用於有機電致發光器件中。特別是作為電子傳輸類材料，具有應用於AMOLED產業的可能。
圖1為化合物CPD075的 1HNMR譜圖。

Claims (18)

  1. 一種螺環化合物，具有式(1)所示的結構，
    Figure 111132177-A0305-02-0041-1
     其中，R1-R12獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、巰基、胺基、取代的或未取代的C1-C10烷基、取代的或未取代的C1-C10雜烷基、取代的或未取代的C3-C20環烷基、取代的或未取代的C3-C20雜環烷基、取代或未取代的C2-C10烯基、取代或未取代的C2-C10炔基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30雜芳基、取代或未取代的三C1-C10烷基矽基、取代或未取代的三C6-C12芳基矽基、取代或未取代的二C1-C10烷基一C6-C30芳基矽基、取代或未取代的一C1-C10烷基二C6-C30芳基矽基，或者兩個相鄰的基團之間相互連接形成脂肪族環、雜芳環或芳香族環狀結構；且所述R1-R12中至少之一為具有式(2)所示的結構，
    Figure 111132177-A0305-02-0041-3
     其中，式(2)中，X1-X5獨立的選自N或CR0；其中X1-X5中，至少之一為N，且至少之一為CR0；其中，R0獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、巰基、胺基、取代的或未取代的C1-C10烷基、取代的或未取代的C1-C10雜烷基、取代的或未取代的 C3-C20環烷基、取代的或未取代的C3-C20雜環烷基、取代或未取代的C2-C10烯基、取代或未取代的C2-C10炔基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30雜芳基、取代或未取代的三C1-C10烷基矽基、取代或未取代的三C6-C12芳基矽基、取代或未取代的二C1-C10烷基一C6-C30芳基矽基、取代或未取代的一C1-C10烷基二C6-C30芳基矽基，或者兩個相鄰的基團之間相互連接形成脂肪族環、雜芳環或芳香族環狀結構；且其中，所述R0中至少之一為具有式(3)或式(4)所示的結構，
    Figure 111132177-A0305-02-0042-5
     其中，*表示與式(2)連接的位置；其中，m、n獨立地選自0-4的整數，當n或m為0時，式(3)或式(4)與式(2)直接相連；其中，R13-R20獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、巰基、胺基、取代的或未取代的C1-C10烷基、取代的或未取代的C1-C10雜烷基、取代的或未取代的C3-C20環烷基、取代的或未取代的C3-C20雜環烷基、取代或未取代的C2-C10烯基、取代或未取代的C2-C10炔基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30雜芳基、取代或未取代的三C1-C10烷基矽基、取代或未取代的三C6-C12芳基矽基、取代或未取代的二C1-C10烷基一C6-C30芳基矽基、取代或未取代的一C1-C10烷基二C6-C30芳基矽基，或者兩個相鄰的基團之間相互連接形成脂肪族環、雜芳環或芳香族環狀結構； 其中，Ar1-Ar4獨立的選自取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C4-C30的雜芳基；其中，所述雜烷基、雜環烷基、雜芳環和雜芳基中至少含有一個O、N或S雜原子；所述取代為被氘、F、Cl、Br、C1-C6烷基、C3-C6環烷基、C1-C6烷胺基、C6-C10的芳基、氰基、異腈或膦基所取代，其中取代數目為單取代到最大數目取代。
  2. 如請求項1所述的螺環化合物，其為式(5)或式(6)所示的結構，
    Figure 111132177-A0305-02-0043-6
    Figure 111132177-A0305-02-0043-7
     其中，R1、R7、R12、R13-R20獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、巰基、胺基、取代的或未取代的C1-C10烷基、取代的或未取代的C1-C10雜烷基、取代的或未取代的C3-C20環烷基、取代的或未取代的C3-C20雜環烷基、取代或未取代的C2-C10烯基、取代或未取代的C2-C10炔基、取代或未取代的 C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30雜芳基、取代或未取代的三C1-C10烷基矽基、取代或未取代的三C6-C12芳基矽基、取代或未取代的二C1-C10烷基一C6-C30芳基矽基、取代或未取代的一C1-C10烷基二C6-C30芳基矽基，或者兩個相鄰的基團之間相互連接形成脂肪族環、雜芳環或芳香族環狀結構；其中，X3-X5獨立的選自N或CR0；其中，R0獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、羥基、巰基、胺基、取代的或未取代的C1-C10烷基、取代的或未取代的C1-C10雜烷基、取代的或未取代的C3-C20環烷基、取代的或未取代的C3-C20雜環烷基、取代或未取代的C2-C10烯基、取代或未取代的C2-C10炔基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30雜芳基、取代或未取代的三C1-C10烷基矽基、取代或未取代的三C6-C12芳基矽基、取代或未取代的二C1-C10烷基一C6-C30芳基矽基、取代或未取代的一C1-C10烷基二C6-C30芳基矽基，或者兩個相鄰的基團之間相互連接形成脂肪族環、雜芳環或芳香族環狀結構；其中，m、n獨立地選自0-4的整數；其中，Ar1-Ar4獨立的選自取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C4-C30的雜芳基；其中，所述雜烷基、雜環烷基、雜芳環和雜芳基中至少含有一個O、N或S雜原子；所述取代為被氘、F、Cl、Br、C1-C6烷基、C3-C6環烷基、C1-C6烷胺基、C6-C10的芳基、氰基、異腈或膦基所取代，其中取代數目為單取代到最大數目取代。
  3. 如請求項2所述的螺環化合物，其中，R1、R7、R12、R13-R20獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、取代的或未取代的C1-C10烷基、取代的或未取代的C3-C20環烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30雜芳基，或者兩個相鄰的基團之間相互連接形成雜芳環或芳香族環狀結構；其中X3-X5獨立的選自N或CR0；其中，R0獨立地選自氫、氘、鹵素、氰基、取代的或未取代的C1-C10烷基、取代的或未取代的C3-C20環烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30雜芳基，或者兩個相鄰的基團之間相互連接形成雜芳環或芳香族環狀結構；其中，m、n獨立地選自0-2的整數；其中，Ar1-Ar4獨立的選自取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C4-C30的雜芳基；其中，所述雜芳環和雜芳基中至少含有一個O或N雜原子；所述取代為被氘、F、Cl、Br、C1-C6烷基、C3-C6環烷基或C6-C10的芳基所取代，其中取代數目為單取代到最大數目取代。
  4. 如請求項3所述的螺環化合物，其中，在X3-X5中，至少之一為N。
  5. 如請求項4所述的螺環化合物，其中，在X3-X5中，其中X3和/或X5為N。
  6. 如請求項5所述的螺環化合物，其中，當X3和/或X5為N時，X4為CR0，且R0不為H。
  7. 如請求項6所述的螺環化合物，其中，當X3和X5為N時，X4為CR0，且R0為取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C2-C30雜芳基。
  8. 如請求項4所述的螺環化合物，其中，當X5為N，且X4和X3為CR0時，兩個R0中之一為取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C2-C20雜芳基，另一個為氫，或者兩個R0互相連接形成芳環或者雜芳環；當X3為N，且X4和X5為CR0時，兩個R0中之一為取代或未取代的C6-C20芳基、取代或未取代的C2-C20雜芳基，另一個為氫；或者兩個R0互相連接形成芳環或者雜芳環。
  9. 如請求項1至8中任一項所述的螺環化合物，其中，m或n為1-2的整數。
  10. 如請求項9所述的螺環化合物，其中，Ar1-Ar4獨立的選自取代或未取代的C6-C18的芳環、取代或未取代的C4-C18的雜芳基。
  11. 如請求項10所述的螺環化合物，其中，Ar1-Ar4獨立的選自取代或未取代的C6-C10的芳環。
  12. 如請求項10所述的螺環化合物，其中，R1、R7、R12中至少之一為F或者CN，其餘為氫。
  13. 如請求項10所述的螺環化合物，其中，R1、R7、R12為氫。
  14. 如請求項13所述的螺環化合物，其中，R13-R16、R17-R20中至少之一組兩個相鄰的取代基之間互相連接形成芳環或芳雜環結構，其餘為氫。
  15. 如請求項13所述的螺環化合物，其中，R13-R16、R17-R20為氫。
  16. 如請求項2所述的螺環化合物，為以下結構式之一，或者對應的部分或完全氘代或者氟代，
    Figure 111132177-A0305-02-0047-8
    Figure 111132177-A0305-02-0048-9
    Figure 111132177-A0305-02-0049-10
    Figure 111132177-A0305-02-0050-11
    Figure 111132177-A0305-02-0051-12
    Figure 111132177-A0305-02-0052-13
     。
  17. 一種如請求項1至16中任一項所述的螺環化合物在有機電致發光器件中的應用。
  18. 如請求項17所述的應用，係為請求項1至16中任一項所述的螺環化合物作為有機電致發光器件的電子注入層和或電子傳輸層材料。
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