TWI792734B - 輸出緩衝器 - Google Patents
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Abstract
本發明提供了一種輸出緩衝器,包括第一電晶體、第二電晶體和焊盤追蹤電路。第一電晶體耦接在電源電壓和輸出節點之間,其中,輸出節點耦接到焊盤。第二電晶體耦接在輸出節點與參考電壓之間。焊盤追蹤電路耦接控制電路與第一電晶體,且用以產生閘極控制信號至第一電晶體的閘極。輸出緩衝器選擇性地操作在輸入模式和故障安全模式下,以及,當焊盤的電壓為高電壓電平時,焊盤追蹤電路根據焊盤的電壓產生閘極控制信號至第一電晶體的閘極。
Description
本發明實施例通常涉及緩衝器,以及更具體地,涉及具有焊盤追蹤電路的輸出緩衝器,其能夠防止洩露電流的發生。
在傳統的通用輸入/輸出(general purpose input/output,GPIO)設計中,輸出緩衝器(output buffer)和輸入緩衝器(input buffer)連接到同一焊盤(pad),以及,GPIO能夠操作在輸出模式(output mode)、輸入模式(input mode)或故障安全模式(fail-safe mode)下。關於GPIO的三種模式,當GPIO操作在輸出模式下時,輸出緩衝器被使能(enabled),以便信號能夠通過焊盤輸出到另一裝置;當GPIO操作在輸入模式下時,輸出緩衝器被禁能(disabled);而當GPIO操作在故障安全模式下時,輸出緩衝器被禁能且沒有電源電壓被施加至輸出緩衝器,以及,高電壓被提供至焊盤。然而,在上述設計中,如果電源電壓上升(ramps up)或下降(ramp down),輸出緩衝器會產生洩漏電流(leakage current),即在輸入模式和故障安全模式之間進行切換操作時,輸出緩衝器會漏電。
以下發明內容僅是說明性的,而無意於以任何方式進行限制。即,提供以下概述來介紹本文描述的新穎和非顯而易見的技術的
概念,重點,益處和優點。選擇的實施方式在下面的詳細描述中進一步描述。因此,以下發明內容既不旨在標識所要求保護的主題的必要特徵,也不旨在用於確定所要求保護的主題的範圍。
本發明的目的之一在於提供一種輸出緩衝器,能夠避免洩漏電流的產生。
本發明提供了一種輸出緩衝器,包括第一電晶體、第二電晶體和焊盤追蹤電路,第一電晶體耦接在電源電壓與輸出節點之間,其中,該輸出節點耦接至焊盤;第二電晶體耦接在該輸出節點與參考電壓之間;焊盤追蹤電路耦接該第一電晶體,用於產生閘極控制信號至該第一電晶體的閘極;其中,該輸出緩衝器的操作模式至少包括輸入模式和故障安全模式,當該輸出緩衝器操作於該輸入模式時,該焊盤追蹤電路產生該閘極控制信號去禁能該第一電晶體,以及,該第二電晶體也是被禁能的;當該輸出緩衝器操作於該故障安全模式時,該第一電晶體是斷電的,該焊盤追蹤電路根據該焊盤的電壓產生該閘極控制信號至該第一電晶體的閘極。其中,當該焊盤的電壓為高電壓電平時,該焊盤追蹤電路根據該焊盤的電壓產生該閘極控制信號至該第一電晶體的閘極。
在一些實施例中,當該焊盤的電壓為高電壓電平時,該焊盤追蹤電路根據該焊盤的電壓始終產生該閘極控制信號至該第一電晶體的閘極,且該閘極控制信號的電壓電平基本等於該焊盤的電壓。
在一些實施例中,當該焊盤的電壓為高電壓電平時,該焊盤追蹤電路根據該焊盤的電壓產生基極控制信號至該第一電晶體的基極。
在一些實施例中,當該焊盤的電壓為高電壓電平時,該焊盤追蹤電路根據該焊盤的電壓始終產生該閘極控制信號和該基極控制信號至該第一電晶體的閘極和基極,以及,該閘極控制信號的電壓電平和該基極控制信號的電壓電平基本等於該焊盤的電壓。
在一些實施例中,當該輸出緩衝器操作在該輸入模式時,該電源電壓具有固定的電壓電平;以及,該焊盤追蹤電路參考該焊盤的電壓來確定是根據該焊盤的電壓產生該閘極控制信號還是根據具有該固定電壓電平的該電源電壓產生該閘極控制信號。
在一些實施例中,如果該焊盤的電壓具有高電壓電平,則該焊盤追蹤電路參考該焊盤的電壓來產生該閘極控制信號,以及,該閘極控制信號的電壓電平基本等於該焊盤的電壓;如果該焊盤的電壓為低電壓電平,該焊盤追蹤電路參考具有該固定電壓電平的該電源電壓來產生該閘極控制信號,且該閘極控制信號的電壓電平基本等於具有該固定電壓電平的該電源電壓。
在一些實施例中,該焊盤追蹤電路參考該焊盤的電壓來確定是根據該焊盤的電壓產生基極控制信號至該第一電晶體的基極還是根據具有該固定電壓電平的電源電壓產生該基極控制信號。
在一些實施例中,如果該焊盤的電壓具有高電壓電平,則該焊盤追蹤電路參考該焊盤的電壓來產生該閘極控制信號和該基極控制信號,以及,該閘極控制信號和該基極控制信號的電壓電平基本等於該焊盤的電壓;如果該焊
盤的電壓為低電壓電平,則該焊盤追蹤電路參考具有該固定電壓電平的該電源電壓來產生該閘極控制信號和該基極控制信號,其中,該閘極控制信號和該基極控制信號的電壓電平基本等於具有該固定電壓電平的該電源電壓的電壓。
在一些實施例中,該焊盤追蹤電路包括:第一多工器,用於接收多個輸入信號,並選擇該多個輸入信號中的一個作為該閘極控制信號,其中,該多個輸入信號包括具有該固定電壓電平的第一輸入信號和具有該焊盤的電壓的第二輸入信號。
在一些實施例中,該焊盤追蹤電路參考該焊盤的電壓來確定是根據該焊盤的電壓產生該基極控制信號至該第一電晶體的基極還是根據具有該固定電壓電平的該電源電壓產生該基極控制信號;以及,該焊盤追蹤電路包括:第二多工器,用於接收該多個輸入信號,並選擇該多個輸入信號中的一個作為該基極控制信號。
本發明內容是通過示例的方式提供的,並非旨在限定本發明。在下面的詳細描述中描述其它實施例和優點。本發明由申請專利範圍限定。
100:輸出緩衝器
110:控制電路
120:焊盤追蹤電路
MP1,MP2,MP3,MP4,MP5,MP6,MP7:P型電晶體
MN1,MN2,MN3,MN4,MN5,MN6,MN7:N型電晶體
102:電壓提供器
104:焊盤
610:第一多工器
620:第二多工器
VSS:參考電壓啊
VDIO1,VDIO2:電源電壓
PG1,NG1:閘極控制信號
PB1:基極控制信號
附圖(其中,相同的數字表示相同的組件)示出了本發明實施例。包括的附圖用以提供對本公開實施例的進一步理解,以及,附圖被併入並構成本公開實施例的一部分。附圖示出了本公開實施例的實施方式,並且與說明書一起用於解
釋本公開實施例的原理。可以理解的是,附圖不一定按比例繪製,因為可以示出一些部件與實際實施中的尺寸不成比例以清楚地說明本公開實施例的概念。
第1圖是根據本發明一實施例示出的輸出緩衝器操作在輸出模式下的示意圖。
第2圖是根據本發明一實施例示出的輸出緩衝器操作在輸入模式下的示意圖。
第3圖是根據本發明一實施例示出的輸出緩衝器操作在故障安全模式下的示意圖。
第4圖示出了傳統的輸出緩衝器,當其在輸入模式和故障安全模式之間切換時,焊盤處的電壓具有IR降。
第5圖示出了本發明實施例中沒有出現洩漏電流。
第6圖是根據本發明一實施例示出的焊盤追蹤電路的示意圖。
第7圖是根據本發明一實施例示出的第一多工器和第二多工器在輸出緩衝器操作在輸入模式下時的示意圖。
第8圖是根據本發明一實施例示出的第一多工器和第二多工器在輸出緩衝器操作在故障安全模式下時的示意圖。
第9圖是根據本發明另一實施例示出的輸出緩衝器的示意圖。
在下面的詳細描述中,為了說明的目的,闡述了許多具體細節,以便所屬技術領域中具有通常知識者能夠更透徹地理解本發明實施例。然而,顯而易見的是,可以在沒有這些具體細節的情況下實施一個或複數個實施例,不同的實施例或不同實施例中披露的不同特徵可根據需求相結合,而並不應當僅限於附圖所列舉的實施例。
以下描述為本發明實施的較佳實施例。以下實施例僅用來例舉闡釋本發明的技術特徵,並非用來限制本發明的範疇。在通篇說明書及申請專利範圍當中使用了某些詞彙來指稱特定的組件。所屬技術領域中具有通常知識者應可理解,製造商可能會用不同的名詞來稱呼同樣的組件。本說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異來作為區別組件的方式,而係以組件在功能上的差異來作為區別的基準。本發明的範圍應當參考后附的申請專利範圍來確定。在以下描述和申請專利範圍當中所提及的術語“包含”和“包括”為開放式用語,故應解釋成“包含,但不限定於...”的意思。此外,術語“耦接”意指間接或直接的電氣連接。因此,若文中描述一個裝置耦接至另一裝置,則代表該裝置可直接電氣連接於該另一裝置,或者透過其它裝置或連接手段間接地電氣連接至該另一裝置。文中所用術語“基本”或“大致”係指在可接受的範圍內,所屬技術領域中具有通常知識者能夠解決所要解決的技術問題,基本達到所要達到的技術效果。舉例而言,“大致等於/基本等於”係指在不影響結果正確性時,所屬技術領域中具有通常知識者能夠接受的與“完全等於”有一定誤差的方式。
第1圖是根據本發明一實施例示出的輸出緩衝器100操作在輸出模式下的示意圖。如第1圖所示,輸出緩衝器100包括控制電路(control circuit)110、焊盤追蹤電路(pad-tracking circuit)120、P型電晶體(P-type transistor)MP1和N型電晶體MN1,其中,輸出緩衝器100由電源電壓(supply voltage)VDIO1和參考電壓(reference voltage)VSS供電,以及,電源電壓VDIO1可等於固定的高電壓VDDQ,參考電壓VSS可等於0V(如接地電壓)。此外,輸出緩衝器100耦接焊盤(pad)104,其中,焊盤104選擇性地耦接特定的電壓提供器(voltage provider)102,其中,該特定的電壓提供器102被配置為:經由電阻R選擇性地提供電源電壓VDIO2至焊盤104。
當輸出緩衝器100操作在輸出模式下時,輸出緩衝器100被配置為向焊盤104輸出高電壓(即,邏輯值“1”)或低電壓(即,邏輯值“0”),以及,特定的電壓提供器102被禁能(電源電壓VDIO2未接通至焊盤)。特別地,控制電路110接收兩個控制信號VC_I和VC_E,其中,控制信號VC_E用於指示輸出緩衝器100是否操作於輸出模式,而控制信號VC_I用於控制輸出緩衝器100輸出高電壓或低電壓。在本實施例中,當控制信號VC_E等於“1”時,控制電路110確定出是輸出模式,以及,若控制信號VC_I等於“0”,則控制電路110控制焊盤追蹤電路120產生具有高電壓(例如,VDDQ)的閘極控制信號(gate control signal)PG1至電晶體MP1的閘極(gate),且產生具有高電壓(例如,VDDQ)的基極控制信號(bulk control signal)PB1至電晶體MP1的基極(bulk),以禁能(disable)電晶體MP1;以及,控制電路110還產生具有高電壓(例如,VDDQ)的閘極控制信號NG1至電晶體MN1的閘極,以使能(enable)電晶體MN1。此時,由於電晶體MN1被接通,焊盤104具有低電壓,例如0V。另一方面,當控制信號VC_E等於“1”時,控制電路110確定出是輸出模式,以及,若控制信號VC_I等於“1”,則控制電路110控制焊盤追蹤電路120產生具有低電壓(例如,0V)的閘極控制信號PG1至電晶體MP1的閘極,且產生具有高電壓(例如,VDDQ)的基極控制信號PB1至電晶體MP1的基極,以使能電晶體MP1;以及,控制電路110還產生具有低電壓(例如0V)的閘極控制信號NG1至電晶體MN1的閘極,以禁能電晶體MN1。此時,由於電晶體MP1被接通,焊盤104具有高電壓,例如,VDDQ。
第2圖是根據本發明一實施例示出的輸出緩衝器100操作在輸入模式下的示意圖。如第2圖所示,當輸出緩衝器100操作於輸入模式時,輸出緩衝器100及特定的電壓提供器102被禁能,且輸入緩衝器(未示出)被配置為/用於接
收焊盤104處的信號。特別地,控制電路110接收兩個控制信號VC_I和VC_E,其中,控制信號VC_E用於指示輸出緩衝器100是否操作於輸入模式。在本實施例中,當控制信號VC_E等於“0”時,控制電路110確定出是輸入模式,以及,在焊盤104處的電壓VPAD具有較低電壓電平(例如,0V)的情況下,無論控制信號VC_I是等於0還是等於1,控制電路110均控制焊盤追蹤電路120產生具有高電壓(例如,VDDQ)的閘極控制信號PG1至電晶體MP1的閘極,以及,產生具有高電壓(如VDDQ)的基極控制信號PB1至電晶體MP1的基極,以禁能電晶體MP1;以及,控制電路110還產生具有低電壓(如0V)的閘極控制信號NG1至電晶體MN1的閘極,以禁能電晶體MN1。此時,輸出緩衝器100不向焊盤104提供任何信號。
第3圖是根據本發明一實施例示出的輸出緩衝器100操作在故障安全模式下的示意圖。如第3圖所示,當輸出緩衝器100操作於故障安全模式時,輸出緩衝器100的控制電路110與電晶體MP1被斷電(powered down,例如,電源電壓VDIO1變為0V),特定的電壓提供器102被使能,以向焊盤104提供高電壓/高電平/高電壓電平(在本實施例中,焊盤104處的電壓為VPAD,其非常接近/基本等於/完全等於電源電壓VDIO2,以及,電源電壓VDIO2可以等於或高於VDDQ),以及,焊盤追蹤電路120能夠被電源電壓VDIO2供電,以基於焊盤104處的電壓VPAD產生閘極控制信號PG1和基極控制信號PB1。特別地,當輸出緩衝器100操作於故障安全模式時,焊盤追蹤電路120產生具有電壓VPAD的閘極控制信號PG1和具有電壓VPAD的基極控制信號PB1至電晶體MP1的閘極和體,以禁能電晶體MP1,進而防止洩漏電流的產生。此外,在本實施例中,VDDQ是由電壓源(voltage source)提供的,以及,無論輸出緩衝器100操作於輸出模式還是輸入模式,VDDQ始終具有高電壓電平(即固定的高電壓電平)。
在常規技術中,當輸出緩衝器100操作於輸入模式時,控制電路110始終/總是(always)控制焊盤追蹤電路120產生具有VDDQ的閘極控制信號PG1,以禁能電晶體MP1。然而,當輸出緩衝器100在輸入模式與故障安全模式之間切換時,即電源電壓VDIO1由0V增加至VDDQ或由VDDQ減少至0V時,在一段時間內電晶體MP1被使能,因此造成洩漏電流的發生。特別地,參照第4圖,當電晶體MP1耦接的電源電壓VDIO1斜坡上升(ramp up)或斜坡下降(ramp down)時,閘極控制信號PG1和基極控制信號PB1降低(drop)且電晶體MP1被使能,從而,洩漏電流從焊盤104流到電晶體MP1的源極電極,導致電壓VPAD具有IR降(IR drop)。為了解決這個問題,焊盤追蹤電路120被配置為在焊盤處的電壓VPAD為高電壓電平(例如,該高電壓電平是指高於預設值的任意電壓電平,該預設值是預先定義的合理值,在一示例中,該預設值可以為0V,當然,為避免PVT條件的變化或其它因素的影響給其帶來的電壓波動,該預設值也可以是被設置為其它大於0V的合理值,具體可結合實際需求進行設置,本發明對此不做任何限制)時始終提供焊盤104處的電壓VPAD作為閘極控制信號PG1,可選地,還提供焊盤104的電壓VPAD作為基極控制信號PB1。本發明實施例以提供焊盤104的電壓VPAD作為閘極控制信號PG1和基極控制信號PB1為例進行說明,也就是說,無論輸出緩衝器處於何種模式(例如,不管是處於輸入模式還是處於故障安全模式還是正在進行模式切換),和/或,無論電源電壓VDIO1如何變化,一旦焊盤處的電壓VPAD為高電壓電平則焊盤追蹤電路120始終提供焊盤104處的電壓VPAD作為閘極控制信號PG1和基極控制信號PB1,從而,焊盤104與電源電壓VDIO1之間將不會有洩漏電流,如第5圖所示。在一些實施例中,可以通過檢測焊盤104處的電壓VPAD來獲知其是否為高電壓電平,也可以通過確定特定的電壓提供器102提供的電源電壓VDIO2是否被接通至焊盤104來獲知焊盤104處的
電壓VPAD是否為高電壓電平,或者,通過其它方式來獲知,具體地,本發明實施例對此不做限制,凡是能夠在焊盤處的電壓VPAD為高電壓電平時始終提供焊盤104處的電壓VPAD作為閘極控制信號PG1(以及基極控制信號PB1)的電路均可以作為本發明實施例中的焊盤追蹤電路120。
第6圖是根據本發明一實施例的焊盤追蹤電路120的示意圖。如第6圖所示,焊盤追蹤電路120包括第一多工器(multiplexer)610和第二多工器620,其中,第一多工器610被配置為接收多個輸入信號,例如VDDQ和VPAD(焊盤104處的電壓),並根據第一選擇信號SEL1選擇其中一個輸入信號作為閘極控制信號PG1;第二多工器620被配置為接收多個輸入信號,例如VDDQ和VPAD,並根據第二選擇信號SEL2選擇其中一個輸入信號作為基極控制信號PB1。在本實施例中,當電源電壓VDIO1等於0V以及輸出緩衝器100操作於故障安全模式時,第一多工器610輸出焊盤104處的電壓VPAD作為閘極控制信號PG1,以及,第二多工器620輸出焊盤104處的電壓VPAD作為基極控制信號PB1。即,若VPAD為低電壓,例如0V,則閘極控制信號PG1與基極控制信號PB1為該低電壓(如0V);若VPAD為高電壓(如VDIO2,在本發明實施例中,VDIO2以VDDQ進行示例說明),則閘極控制信號PG1和基極控制信號PB1等於該高電壓(如VDDQ)。此外,當電源電壓VDIO1等於VDDQ以及輸出緩衝器100操作於輸入模式時,若VPAD為低電壓(如0V),則第一多工器610輸出VDDQ作為閘極控制信號PG1,第二多工器620輸出VDDQ作為基極控制信號PB1。若VPAD為高電壓(例如VDIO2,在本發明實施例中,VDIO2以VDDQ進行示例說明),則第一多工器610輸出焊盤104處的VPAD作為閘極控制信號PG1,第二多工器620輸出焊盤104處的VPAD作為基極控制信號PB1,而不用管輸出緩衝器處於何種模式。另外,在輸入模式下,第一選擇信號SEL1和第二選擇信號SEL2可以是能夠指示VPAD的電平的任意信
號。
在第6圖所示的實施例中,無論是何種模式(輸入模式或故障安全模式),當焊盤104從特定的電壓提供器102接收到高電壓(如VDIO2)時(或者說,當焊盤104處的電壓VPAD為高電壓電平/高電平時),焊盤追蹤電路120始終提供焊盤104處的電壓VPAD作為閘極控制信號PG1和基極控制信號PB1,以防止電晶體MP1在電源電壓VDIO1上升或下降時產生洩漏電流。
第7圖是根據本發明一實施例示出的第一多工器610和第二多工器620在輸出緩衝器100操作在輸入模式下時的示意圖。如第7圖所示,第一多工器610包括P型電晶體MP2-MP4和N型電晶體MN2-MN3,其中,電晶體MP2和MN2作為傳輸門(transmission gate),以選擇性地輸出VDDQ作為閘極控制信號PG1,電晶體MP3和MN3耦接在VPAD與VSS之間,電晶體MP4用於選擇性地輸出VPAD作為閘極控制信號PG1。在第一多工器610中,電晶體MN2、MP3和MN3受使能信號EN(例如,EN=0時使能相應的P型電晶體,EN=1時禁能相應的P型電晶體)的控制,電晶體MP2受電晶體MP3和MN3的輸出信號的控制。此外,第二多工器620包括P型電晶體MP5-MP7與N型電晶體MN4,其中,電晶體MP5與MN4耦接在電源電壓VDIO1與VSS之間,電晶體MP6與MP7耦接在電源電壓VDIO1和VPAD之間。在第二多工器620中,電晶體MP5、MN4和MP6受電壓VPAD的控制,電晶體MP7受電晶體MP5和MN4的輸出信號的控制,電晶體MP5和MN4的輸出信號還用於控制第一多工器610的電晶體MP4,以及,電晶體MP6和MP7的輸出信號(如汲極信號)作為基極控制信號PB1。
在第7圖所示的第一多工器610和第二多工器620的操作中,當使能信
號EN具有低電壓電平/低電平(例如,等於0V),以及,電壓VPAD為高電平(如VDDQ)時,電晶體MP2、MN2、MN3、MP5和MP6被禁能,而電晶體MP3、MP4、MN4和MP7被使能,使得閘極控制信號PG1和基極控制信號PB1等於VPAD。另外,當使能信號EN具有高電壓電平/高電平以及電壓VPAD具有低電平(如0V)時,電晶體MP3、MP4、MN4和MP7被禁能,而電晶體MN2、MN3、MP2、MP5和MP6被使能,從而使閘極控制信號PG1和基極控制信號PB1等於VDDQ。
第8圖是根據本發明一實施例示出的第一多工器610和第二多工器620在輸出緩衝器100操作在故障安全模式下時的示意圖。如第8圖所示,無論電壓VPAD是高電平還是低電平,閘極控制信號PG1和基極控制信號PB1都等於VPAD。例如,請一併參考第6圖,當輸出緩衝器處於故障安全模式以及VPAD=0(低電平)時,PG1=0V,以及,PB1=0V;以及,當輸出緩衝器處於故障安全模式以及VPAD=1(高電平)時,PG1=VPAD,以及,PB1=VPAD。
需要注意的是,第6圖至第8圖所示的實施例用於說明目的而不是對本發明的限制。在其它實施例中,只要焊盤追蹤電路120能夠在電源電壓VDIO1上升和下降時始終提供焊盤104處的電壓VPAD作為閘極控制信號PG1和基極控制信號PB1,焊盤追蹤電路120可以具有其它的電路設計,本發明對此不做限制。
在第1圖至第3圖所示的實施例中,輸出緩衝器100僅包括一個P型電晶體MP1和僅一個N型電晶體MN1作為輸出級,然而,在其它實施例中,輸出級可以具有一個以上的P型電晶體和/或一個以上的N型電晶體。以第9圖為例,輸出級包括共源共柵連接(connected in cascode)的P型電晶體MP1-MPN和N型電
晶體MN1-MNM,以及,P型電晶體MP1-MPN和N型電晶體MN1-MNM分別被控制信號PG1-PGM和NG1-NGM控制。
簡而言之,在本發明的輸出緩衝器中,當焊盤處的電壓VPAD為高電壓電平時,焊盤追蹤電路始終提供基本等於焊盤處的電壓的閘極控制信號和基極控制信號去控制P型電晶體。因此,即便輸出緩衝器在輸入模式和故障安全模式之間切換以及P型電晶體的電源電壓上升或下降,也不會有洩漏電流流過P型電晶體。
在申請專利範圍中使用諸如“第一”,“第二”,“第三”等序數術語來修改申請專利要素,其本身並不表示一個申請專利要素相對於另一個申請專利要素的任何優先權、優先級或順序,或執行方法動作的時間順序,但僅用作標記,以使用序數詞來區分具有相同名稱的一個申請專利要素與具有相同名稱的另一個元素要素。
雖然已經對本發明實施例及其優點進行了詳細說明,但應當理解的係,在不脫離本發明的精神以及申請專利範圍所定義的範圍內,可以對本發明進行各種改變、替換和變更,例如,可以通過結合不同實施例的若干部分來得出新的實施例。所描述的實施例在所有方面僅用於說明的目的而並非用於限制本發明。本發明的安全範圍當視所附的申請專利範圍所界定者為准。所屬技術領域中具有通常知識者皆在不脫離本發明之精神以及範圍內做些許更動與潤飾。
以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化
與修飾,皆應屬本發明之涵蓋範圍。
610:第一多工器
620:第二多工器
Claims (10)
- 一種輸出緩衝器,包括:第一電晶體,耦接在電源電壓與輸出節點之間,其中,該輸出節點耦接至焊盤;第二電晶體,耦接在該輸出節點與參考電壓之間;焊盤追蹤電路,耦接該第一電晶體,用於產生閘極控制信號至該第一電晶體的閘極;其中,該輸出緩衝器的操作模式至少包括輸入模式和故障安全模式,當該輸出緩衝器操作於該輸入模式時,該焊盤追蹤電路產生該閘極控制信號去禁能該第一電晶體,以及,該第二電晶體也是被禁能的;當該輸出緩衝器操作於該故障安全模式時,該第一電晶體是斷電的,該焊盤追蹤電路根據該焊盤的電壓產生該閘極控制信號至該第一電晶體的閘極;其中,當該焊盤的電壓為高電壓電平時,該焊盤追蹤電路根據該焊盤的電壓產生該閘極控制信號至該第一電晶體的閘極。
- 如請求項1之輸出緩衝器,其中,當該焊盤的電壓為高電壓電平時,該焊盤追蹤電路根據該焊盤的電壓始終產生該閘極控制信號至該第一電晶體的閘極,且該閘極控制信號的電壓電平基本等於該焊盤的電壓。
- 如請求項1之輸出緩衝器,其中,當該焊盤的電壓為高電壓電平時,該焊盤追蹤電路根據該焊盤的電壓產生基極控制信號至該第一電晶體的基極。
- 如請求項3之輸出緩衝器,其中,當該焊盤的電壓為高電壓電 平時,該焊盤追蹤電路根據該焊盤的電壓始終產生該閘極控制信號和該基極控制信號至該第一電晶體的閘極和基極,以及,該閘極控制信號的電壓電平和該基極控制信號的電壓電平基本等於該焊盤的電壓。
- 如請求項1之輸出緩衝器,其中,當該輸出緩衝器操作在該輸入模式時,該電源電壓具有固定的電壓電平;以及,該焊盤追蹤電路參考該焊盤的電壓來確定是根據該焊盤的電壓產生該閘極控制信號還是根據具有該固定電壓電平的該電源電壓產生該閘極控制信號。
- 如請求項5之輸出緩衝器,其中,如果該焊盤的電壓具有高電壓電平,則該焊盤追蹤電路參考該焊盤的電壓來產生該閘極控制信號,以及,該閘極控制信號的電壓電平基本等於該焊盤的電壓;如果該焊盤的電壓為低電壓電平,該焊盤追蹤電路參考具有該固定電壓電平的該電源電壓來產生該閘極控制信號,且該閘極控制信號的電壓電平基本等於具有該固定電壓電平的該電源電壓。
- 如請求項5之輸出緩衝器,其中,該焊盤追蹤電路參考該焊盤的電壓來確定是根據該焊盤的電壓產生基極控制信號至該第一電晶體的基極還是根據具有該固定電壓電平的電源電壓產生該基極控制信號。
- 如請求項7之輸出緩衝器,其中,如果該焊盤的電壓具有高電壓電平,則該焊盤追蹤電路參考該焊盤的電壓來產生該閘極控制信號和該基極控制信號,以及,該閘極控制信號和該基極控制信號的電壓電平基本等於該焊盤的電壓;如果該焊盤的電壓為低電壓電平,則該焊盤追蹤電路參考具有該固 定電壓電平的該電源電壓來產生該閘極控制信號和該基極控制信號,其中,該閘極控制信號和該基極控制信號的電壓電平基本等於具有該固定電壓電平的該電源電壓的電壓。
- 如請求項5之輸出緩衝器,其中,該焊盤追蹤電路包括:第一多工器,用於接收多個輸入信號,並選擇該多個輸入信號中的一個作為該閘極控制信號,其中,該多個輸入信號包括具有該固定電壓電平的第一輸入信號和具有該焊盤的電壓的第二輸入信號。
- 如請求項9之輸出緩衝器,其中,該焊盤追蹤電路參考該焊盤的電壓來確定是根據該焊盤的電壓產生該基極控制信號至該第一電晶體的基極還是根據具有該固定電壓電平的該電源電壓產生該基極控制信號;以及,該焊盤追蹤電路包括:第二多工器,用於接收該多個輸入信號,並選擇該多個輸入信號中的一個作為該基極控制信號。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5966026A (en) * | 1995-02-14 | 1999-10-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Output buffer with improved tolerance to overvoltage |
US7834653B1 (en) * | 2009-10-31 | 2010-11-16 | Lsi Corporation | Failsafe and tolerant driver architecture and method |
TWI406500B (zh) * | 2009-10-31 | 2013-08-21 | Lsi Corp | 於故障安全模式操作及容忍模式操作期間保護輸入/輸出電路之偏壓產生 |
US20190305778A1 (en) * | 2018-04-02 | 2019-10-03 | Mediatek Inc. | Pad tracking circuit for high-voltage input-tolerant output buffer |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU7706198A (en) | 1997-05-30 | 1998-12-30 | Micron Technology, Inc. | 256 meg dynamic random access memory |
US6184700B1 (en) * | 1999-05-25 | 2001-02-06 | Lucent Technologies, Inc. | Fail safe buffer capable of operating with a mixed voltage core |
WO2002071612A2 (en) * | 2001-01-09 | 2002-09-12 | Broadcom Corporation | Sub-micron high input voltage tolerant input output (i/o) circuit which accommodates large power supply variations |
US6970024B1 (en) * | 2004-02-24 | 2005-11-29 | Altera Corporation | Over-voltage protection of integrated circuit I/O pins |
US7633321B2 (en) * | 2007-07-24 | 2009-12-15 | Infineon Technologies Ag | Driver circuit; electronic circuit having driver circuit and corresponding method |
US7986171B2 (en) * | 2008-10-21 | 2011-07-26 | Himax Technologies Limited | Mixed-voltage I/O buffer |
TWI374611B (en) * | 2009-04-03 | 2012-10-11 | Univ Nat Sun Yat Sen | I/o buffer with twice supply voltage tolerance using normal supply voltage devices |
US8598941B2 (en) | 2011-06-21 | 2013-12-03 | Lsi Corporation | Hybrid impedance compensation in a buffer circuit |
US9432005B2 (en) * | 2014-06-12 | 2016-08-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pull-up circuit and related method |
US9738738B2 (en) * | 2015-04-01 | 2017-08-22 | Bridgestone Corporation | Polymers functionalized with activated nitrogen heterocycles containing a pendant functional group |
US10666257B1 (en) * | 2018-11-02 | 2020-05-26 | Texas Instruments Incorporated | Failsafe, ultra-wide voltage input output interface using low-voltage gate oxide transistors |
US10673436B1 (en) * | 2018-11-30 | 2020-06-02 | Texas Instruments Incorporated | Failsafe device |
TWI690157B (zh) * | 2019-05-21 | 2020-04-01 | 智原科技股份有限公司 | 輸入輸出電路及其自偏壓電路 |
US11531363B2 (en) * | 2020-01-06 | 2022-12-20 | Arm Limited | Voltage tracking circuitry for output pad voltage |
US10985754B1 (en) * | 2020-05-27 | 2021-04-20 | Db Hitek Co., Ltd. | Input/output circuit and electronic device including the same |
-
2021
- 2021-10-13 US US17/499,886 patent/US11652476B2/en active Active
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5966026A (en) * | 1995-02-14 | 1999-10-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Output buffer with improved tolerance to overvoltage |
US7834653B1 (en) * | 2009-10-31 | 2010-11-16 | Lsi Corporation | Failsafe and tolerant driver architecture and method |
TWI406500B (zh) * | 2009-10-31 | 2013-08-21 | Lsi Corp | 於故障安全模式操作及容忍模式操作期間保護輸入/輸出電路之偏壓產生 |
US20190305778A1 (en) * | 2018-04-02 | 2019-10-03 | Mediatek Inc. | Pad tracking circuit for high-voltage input-tolerant output buffer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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