TWI785046B - 透明導電性基板之製造方法、透明導電性基板 - Google Patents

Abstract

提供一種透明導電性基板的製造方法，具有圖案化步驟，該圖案化步驟對積層體基板的積層體進行圖案化，該積層體基板包含透明基材及該積層體，該積層體配置在上述透明基材的至少一個表面上且從上述透明基材側依次積層有含有鎳和銅的第1黑化層、及含有銅的導電層，上述圖案化步驟具有：藉由可溶解銅的第1蝕刻液對上述導電層進行蝕刻的導電層蝕刻階段、及藉由含有氯化物離子和水的第2蝕刻液對上述第1黑化層進行蝕刻的第1黑化層蝕刻階段，上述第2蝕刻液的氯化物離子濃度以鹽酸換算計為10質量%以上。

Description

透明導電性基板之製造方法、透明導電性基板

本發明涉及透明導電性基板的製造方法、透明導電性基板。

靜電容量式觸控面版(touch panel)藉由對接近面板表面的物體所引起的靜電容量的變化進行檢測，將面板表面上的接近物體的位置資訊變換為電氣信號。就靜電容量式觸控面版中使用的透明導電性基板而言，其設置在顯示器的表面上，故透明導電性基板的配線材料需要反射率較低，且難以被視認。

為此，作為靜電容量式觸控面版中使用的配線材料，使用了反射率較低且難以被視認的材料，並在透明基板或透明膜上形成了配線。例如，專利文獻1公開了一種在高分子膜上作為透明導電膜形成了ITO(氧化銦-錫)膜的觸控面版用透明導電性膜。

另外，近年來具有觸控面版的顯示器正趨於大畫面化，與此相應地，也正在要求觸控面版用透明導電性膜等的導電性基板的大面積化。然而，若ITO的電阻值較高且配線長度較長，則信號會發生惡化(劣化)，故存在不適於大型面板的問題。

為此，例如，如專利文獻2、3所述，研究了使用銅等的金屬配線來取代ITO。然而，作為金屬配線的材料的金屬具有金屬光澤，故存在反射會引起顯示器的視認性下降的問題。

故，研究了如下一種透明導電性基板，即，在透明基材上的使用了金屬材料的導電層上，形成對導電層表面的光反射進行抑制的黑化層之後，再對導電層和黑化層進行圖案化，從而作為一種在金屬配線的表面上形成了黑化層的透明導電性基板。

〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕

〔專利文獻1〕日本特開2003-151358號公報

〔專利文獻2〕日本特開2011-018194號公報

〔專利文獻3〕日本特開2013-069261號公報

本發明的發明人對一種作為尤其可抑制使用了金屬材料的導電層表面的光反射的透明導電性基板的、包括含有鎳和銅的黑化層的透明導電性基板進行了研究。具體而言，對一種配置有從透明基材側開始依次積層了含有鎳和銅的第1黑化層、使用了含有銅的金屬材料的層即導電層、及含有鎳和銅的第2黑化層的積層體的透明導電性基板進行了研究。

此外，為了對在透明基材上配置有包含黑化層和導電層的積層體的積層體基板進行圖案化，從而製造具有配線圖案的透明導電性基板，首先在積層體的表面上配置阻劑(resist)，該阻劑具有與藉由蝕刻而欲除去的部分相對應的形狀的開口部。然後，對同時可蝕刻黑化層和導電層的蝕刻液進行供給，由此對包含黑化層和導電層的積層體進行蝕刻。之後，對阻劑進行剝離和除去，據此製造了具有配線圖案的透明導電性基板。如上所述，以往，從生產性的觀點來看，藉由同一種蝕刻液對黑化層和導電層進行了蝕刻。

然而，在黑化層和導電層被一種蝕刻液蝕刻的情況下，對與透明基材相接的黑化層，如果是上述構成時，則對第1黑化層進行蝕刻後，一部分會發生溶解殘留，存在容易產生殘渣的問題。

特別是近年來在顯示器上安裝(搭載)透明導電性基板的情況下，為了使配線圖案更不顯眼，需要一種可進一步抑制導電層表面的反射率的黑化層。

此外，在含有鎳和銅的黑化層的情況下，藉由提高鎳氧化物的含有比例，可進一步抑制導電層表面的反射率。然而，就鎳氧化物而言，其對於可同時蝕刻黑化層和導電層的蝕刻液、例如、氯化鐵等的蝕刻液的反應性較低，故抑制反射率會導致更容易產生黑化層的殘渣，無法將黑化層圖案化為期望形狀。

鑑於上述先前技術的問題，於本發明的一態樣，以提供一種可將黑化層圖案化為期望形狀的透明導電性基板的製造方法為目的。

為了解決上述課題，於本發明的一態樣，提供一種透明導電性基板的製造方法，具有圖案化步驟，該圖案化步驟對積層體基板的積層體進行圖案化，該積層體基板包含透明基材及該積層體，該積層體配置在上述透明基材的至少一個表面上且從上述透明基材側開始依次積層有含有鎳和銅第1黑化層、及含有銅的導電層，上述圖案化步驟具有：藉由可溶解銅的第1蝕刻液對上述導電層進行蝕刻的導電層蝕刻階段；及藉由含有氯化物離子和水的第2蝕刻液對上述第1黑化層進行蝕刻的第1黑化層蝕刻階段，上述第2蝕刻液的氯化物離子濃度以鹽酸換算計為10質量%以上。

根據本發明的一態樣，能夠提供一種可將黑化層圖案化為期望形狀的透明導電性基板的製造方法。

10A、10B‧‧‧積層體基板

11、11A、11B、91、101‧‧‧透明基材

121、122‧‧‧積層體

121A、122A‧‧‧第1黑化層

121B、122B‧‧‧導電層

122C‧‧‧第2黑化層

71‧‧‧金屬細線

22、33、43、51A、51B、711‧‧‧導電配線層

23、34、44、52A、52B、712、103‧‧‧第1黑化配線層

32、42、53A、53B、92、102‧‧‧第2黑化配線層

70‧‧‧透明導電性基板

L‧‧‧第1黑化配線層的伸出寬度

〔第1A圖〕積層體基板的說明圖。

〔第1B圖〕積層體基板的說明圖。

〔第2A圖〕本發明實施方式的透明導電性基板的製造方法的說明圖。

〔第2B圖〕本發明實施方式的透明導電性基板的製造方法的說明圖。

〔第2C圖〕本發明實施方式的透明導電性基板的製造方法的說明圖。

〔第2D圖〕本發明實施方式的透明導電性基板的製造方法的說明圖。

〔第3A圖〕本發明實施方式的透明導電性基板的製造方法的說明圖。

〔第3B圖〕本發明實施方式的透明導電性基板的製造方法的說明圖。

〔第3C圖〕本發明實施方式的透明導電性基板的製造方法的說明圖。

〔第3D圖〕本發明實施方式的透明導電性基板的製造方法的說明圖。

〔第3E圖〕本發明實施方式的透明導電性基板的製造方法的說明圖。

〔第4A圖〕本發明實施方式的透明導電性基板的製造方法的說明圖。

〔第4B圖〕本發明實施方式的透明導電性基板的製造方法的說明圖。

〔第4C圖〕本發明實施方式的透明導電性基板的製造方法的說明圖。

〔第4D圖〕本發明實施方式的透明導電性基板的製造方法的說明圖。

〔第5圖〕具有網格(mesh)狀配線的透明導電性基板的說明圖。

〔第6A圖〕沿圖5的A-A’線的斷面圖的構成例。

〔第6B圖〕沿圖5的A-A’線的斷面圖的構成例。

〔第7A圖〕本發明實施方式的透明導電性基板的說明圖。

〔第7B圖〕本發明實施方式的透明導電性基板的說明圖。

〔第8圖〕實驗例4-1中獲得的包含格子狀(lattice-like)的金屬細線的透明導電性基板的電子顯微鏡照片。

〔第9圖〕實驗例7-1中獲得的透明導電性基板的導電配線層部分的電子顯微鏡照片。

〔第10圖〕實驗例7-6中獲得的透明導電性基板的導電配線層部分的電子顯微鏡照片。

以下，對本發明的透明基材的製造方法的一實施方式進行說明。

本實施方式的透明導電性基板的製造方法可具有對積層體基板的積層體進行圖案化的圖案化步驟，該積層體基板包含透明基材和該積層體，該積層體配置在該透明基材的至少一個表面上且從透明基材側依次積層有含有鎳和銅的第1黑化層、及含有銅的導電層。

此外，圖案化步驟還可具有如下階段。

藉由可溶解銅的第1蝕刻液對導電層進行蝕刻的導電層蝕刻階段。

藉由含有氯化物離子和水的第2蝕刻液對第1黑化層進行蝕刻的第1黑化層蝕刻階段。

第2蝕刻液的氯化物離子濃度以鹽酸換算計為10質量%以上。

這裡，首先在下面對供本實施方式的透明導電性基板的製造方法使用的積層體基板中所含的各構件進行說明。

作為透明基材對其並無特別限定，例如可優選使用能使可視光透過的樹脂基板(樹脂膜)、玻璃基板等。

作為能使可視光透過的樹脂基板的材料，例如優選可使用聚醯胺系樹脂、聚對酞酸乙二酯(PET)系樹脂、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)系樹脂、環烯系樹脂、聚醯亞胺(PI)系樹脂、聚碳酸酯(PC)系樹脂等的樹脂。特別地，作為能使可視光透過的樹脂基板的材料，較佳可使用聚醯胺、PET(聚對酞酸乙二酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二酯)、COP(環烯聚合物)、聚醯胺、聚碳酸酯等。

對透明基材的厚度並無特別限定，可根據作為透明導電性基板時所要求的強度、靜電容量、光透過率等進行任意選擇。作為透明基材的厚度，例如可為10μm以上且200μm以下。尤其在使用於觸控面版的用途的情況下，透明基材的厚度優選為20μm以上且120μm以下，較佳為20μm以上且100μm以下。在使用於觸控面版的用途的情況下，例如尤其在使用於需要使顯示器整體的厚度變薄的用途的情況下，透明基材的厚度優選為20μm以上且50μm以下。

透明基材的全光線透過率較高為佳，例如全光線透過率優選為30%以上，較佳為60%以上。藉由使透明基材的全光線透過率位於上述範圍，例如在使用於觸控面版的用途的情況下，可充分確保顯示器的視認性。

需要說明的是，就透明基材的全光線透過率而言，可藉由JIS K 7361-1中規定的方法進行評價。

接下來，對積層體進行說明。

在本實施方式的透明導電性基板的製造方法中，藉由對具有「透明基材」及「配置在透明基材的至少一個表面上的積層體」的積層體基板的積層體進行圖案化(patterning)，可製成具有期望配線圖案的透明導電性基 板。

就積層體而言，如上所述，可具有從透明基材側開始對含有鎳和銅的第1黑化層、及含有銅的導電層從透明基材側開始依次進行了積層的結構。需要說明的是，如後所述，積層體也可在導電層的與第1黑化層相對的表面的相反側的表面上還具有含有鎳和銅的第2黑化層。

導電層只要含有銅(Cu)即可，對其他成分並無特別限定。可根據透明導電性基板所要求的電阻值等進行任意選擇。導電層例如優選為Cu和從Ni(鎳)、Mo(鉬)、Ta(鉭)、Ti(鈦)、V(釩)、Cr(鉻)、Fe(鐵)、Mn(錳)、Co(鈷)、及W(鎢)的元素群中選出的至少1種以上的元素的銅合金、或者為包含Cu和從上述元素群中選出的至少1種以上的元素的材料。此外，導電層也可製成由銅構成的銅層。

對在透明基材上形成導電層的方法並無特別限定，但為了不降低光的透過率，導電層和第1黑化層之間優選不配置接著劑。即，導電層優選直接形成在第1黑化層的上表面。

為了在第1黑化層的上表面上直接形成導電層，導電層優選具有導電薄膜層。此外，導電層也可具有導電薄膜層和導電鍍層。

例如，可在第1黑化層上採用乾式鍍法形成導電薄膜層，並將該導電薄膜層作為導電層。據此，在第1黑化層上可不介隔接著劑而直接形成導電層。需要說明的是，作為乾式鍍法，例如優選可使用濺射法、蒸鍍法、離子鍍法等。

此外，在使導電層的膜厚增厚的情況下，也可將導電薄膜層作為供電層，並例如採用作為濕式鍍法的一種的電鍍法形成導電鍍層，由此成為具有導電薄膜層和導電鍍層的導電層。藉由導電層具有導電薄膜層和導電鍍層，此情況下也可在第1黑化層上不介隔接著劑而直接形成導電層。

對導電層的厚度並無特別限定，在對導電層進行圖案化以作為配線來使用的情況下，可根據供給之該配線的電流的大小、配線的寬度等進行任意選擇。

然而，如果導電層變厚，則為了進行積層體的圖案化而對導電層進行蝕刻時，蝕刻所需的時間較長，故容易發生側蝕(side etching)，存在會出現難以形成細線等的問題的情況。為此，導電層的厚度優選為5μm以下，較佳為3μm以下。

此外，尤其從降低透明導電性基板的電阻值，以可充分提供電流的觀點來看，例如，導電層的厚度優選為50nm以上，較佳為60nm以上，更佳為150nm以上。

需要說明的是，在導電層如上所述具有導電薄膜層和導電鍍層的情況下，導電薄膜層的厚度和導電鍍層的厚度的合計優選位於上述範圍內。

在導電層由導電薄膜層構成的情況、或由導電薄膜層和導電鍍層構成的情況的任一情況下，都對導電薄膜層的厚度並無特別限定，但例如優選為50nm以上且500nm以下。

就導電層而言，藉由圖案化為與期望配線圖案相對應的形狀，可製成配線即導電配線層。對導電配線層的圖案形狀並無特別限定，可製成與透明導電性基板所要求的配線圖案相對應的形狀。

就導電配線層而言，例如，如上所述可藉由對導電層進行圖案化而形成。為此，在導電層由導電薄膜層構成的情況下，導電配線層可具有圖案化了的導電薄膜層。此外，在導電層具有導電薄膜層和導電鍍層的情況下，導電配線層也可具有圖案化了的導電薄膜層和圖案化了的導電鍍層。

就導電層而言，與作為透明導電性基板的導電層的材料而使用的先前的ITO相比，可降低電阻值，故藉由設置對導電層進行圖案化而成的配 線，可減小透明導電性基板的電阻值。

接下來，對第1黑化層進行說明。

當在透明基材上直接形成導電層和/或導電配線層時，存在透明基材與導電層和/或導電配線層之間的密接性不足的情況。為此，在透明基材的上表面上直接配置導電層和/或導電配線層的情況下，製造過程中或使用時存在導電層和/或導電配線層會從透明基材剝離的情況。此外，還存在需要對從透明基材側入射的光的、導電層和/或導電配線層表面的光反射進行抑制的情況。

故，就本實施方式的透明導電性基板的製造方法中使用的積層體基板而言，為了提高透明基材和導電層之間的密接性，並對從透明基材側入射的光的、導電層表面的反射進行抑制，導電層和透明基材之間可具有第1黑化層。

第1黑化層可含有鎳和銅，對其他成分並無特別限定，但如上所述為了抑制導電層表面的光反射，優選具有適於對這種光反射進行抑制的顏色。為此，第1黑化層優選含有鎳、銅、及鎳氧化物。此外，第1黑化層還可含有銅氧化物。就鎳氧化物和銅氧化物而言，例如，可如含有鎳和銅的金屬的氧化物那樣，作為複合金屬的氧化物而存在。

第1黑化層例如也可由上述的鎳、銅、鎳氧化物、及銅氧化物構成。此外，第1黑化層還可含有任意的成分。作為任意的成分，例如也可含有從鎳和銅中選出的1種以上的金屬的氫氧化物等。

對第1黑化層的成膜方法並無特別限定，但優選採用乾式鍍法進行成膜。作為乾式鍍法，例如可優選使用濺射法、離子鍍法、蒸鍍法等。在第1黑化層採用乾式法進行成膜的情況下，從膜厚的控制較容易的觀點來看，使用濺射法更佳。需要說明的是，第1黑化層如上所述還可含有鎳氧化物等的氧 化物。為此，也可在對第1黑化層進行成膜時的環境中添加氧氣，此情況下，更優選使用反應性濺射法。

藉由預先在使第1黑化層成膜時的環境中添加氧氣，可將氧氣添加至第1黑化層中，以形成氧化物。

當對第1黑化層進行成膜時，氧氣例如優選添加至非活性氣體，以作為乾式鍍時的環境。作為非活性氣體對其並無特別限定，但例如可優選使用氬氣。

藉由如上所述採用乾式鍍法對第1黑化層進行成膜，可提高透明基材和第1黑化層之間的密接性。另外，第1黑化層例如還可含有金屬作為主成分，故與導電層之間的密接性也較高。為此，藉由在透明基材和導電層之間配置第1黑化層，可抑制導電層和/或由該導電層所形成的導電配線層的剝離。

對第1黑化層的厚度並無特別限定，但例如優選為3nm以上且50nm以下，較佳為3nm以上且35nm以下，更佳為3nm以上且33nm以下。

藉由使第1黑化層的厚度為3nm以上，尤其可抑制導電層的表面的光反射，故為優選。

然而，如果第1黑化層過厚，則成膜所需的時間和/或第1黑化層圖案化時的蝕刻所需的時間變長，會導致成本的上昇。為此，第1黑化層的厚度如上所述優選為50nm以下，較佳為35nm以下，更佳為33nm以下。

接下來，對第2黑化層進行說明。

就供本實施方式的透明導電性基板的製造方法使用的積層體基板所具有的積層體而言，在導電層的與第1黑化層相對的表面的相反側的表面上還可具有含有鎳和銅的第2黑化層。

藉由含有第2黑化層，可對導電層的沒有配置第1黑化層的表面的光反射進行抑制，為優選。

第2黑化層可含有鎳和銅，對其他成分並無特別限定，但如上所述為了抑制導電層表面的光反射，優選具有適於對這種光反射進行抑制的顏色。為此，第2黑化層優選含有鎳、銅、及鎳氧化物。此外，第2黑化層還可含有銅氧化物。就鎳氧化物和銅氧化物而言，例如，可如含有鎳和銅的金屬的氧化物那樣，作為複合金屬的氧化物而存在。

第2黑化層例如可由上述的鎳、銅、鎳氧化物、及銅氧化物構成。此外，第2黑化層還可含有任意的成分。作為任意的成分，例如也可含有從鎳和銅中選出的1種以上的金屬的氫氧化物等。

第1黑化層和第2黑化層可具有相同的組成，但也可具有不同的組成。如上所述，第1黑化層和第2黑化層都可含有鎳和銅。此外，第1黑化層和第2黑化層也都可再含有鎳氧化物、銅氧化物、從鎳和銅中選出的1種以上的氫氧化物等。為此，第1黑化層和第2黑化層可含有相同的成分，其含有比例可相同，也可不同。此外，第1黑化層和第2黑化層所含有的成分也可不同。

對第2黑化層的成膜方法並無特別限定，但只要為可形成含有鎳和銅的方法，可選擇任意的方法。然而，就第2黑化層而言，優選在導電層等的其他構件的上表面上不介隔接著劑而直接形成。

作為第2黑化層的成膜方法，例如可使用濕式鍍法和/或乾式鍍法。在濕式鍍法的情況下，例如可使用電鍍法，在乾式鍍法的情況下，例如可使用濺射法、離子鍍法、蒸鍍法等。在採用乾式鍍法的情況下，尤其從膜厚的控制較容易的觀點來看，使用濺射法較佳。

需要說明的是，第2黑化層如上所述也可含有鎳氧化物等的氧化物。為此，在藉由乾式鍍法對第2黑化層進行成膜的情況下，也可向成膜時的環境中添加氧氣，此情況下，可更優選使用反應性濺射法。

藉由預先向採用乾式鍍法使第2黑化層成膜時的環境中添加氧 氣，可將氧氣添加至第2黑化層中，以形成氧化物。

對第2黑化層進行成膜時，氧氣例如優選添加至非活性氣體，以作為乾式鍍時的環境。作為非活性氣體對其並無特別限定，但例如可優選使用氬氣。

對第2黑化層的厚度並無特別限定，可根據透明導電性基板所要求的光反射的抑制程度等進行任意選擇。

第2黑化層的厚度例如優選為15nm以上，較佳為20nm以上。藉由使第2黑化層的厚度為15nm以上，可切實地抑制導電層表面的光反射，故為優選。

此外，對第2黑化層的厚度的上限值並無特別限定，但如果過厚，則圖案化步驟中的蝕刻所需的時間變長，會招致成本的上昇。為此，第2黑化層的厚度優選為70nm以下，較佳為50nm以下。

這裡，使用圖1A和圖1B對積層體基板的構成進行說明。圖1A和圖1B示出了與透明基材和積層體的積層方向平行的面的斷面模式圖。

如圖1A所示，積層體基板10A可具有透明基材11、及在透明基材11的一個表面11a上配置的積層體121。積層體121從透明基材11側開始依次具有第1黑化層121A和導電層121B。

此外，如圖1B所示，積層體基板10B可具有透明基材11、及在透明基材11的一個表面11a上配置的積層體122。在圖1B所示的積層體基板10B的情況下，積層體122可具有第1黑化層122A、導電層122B、及第2黑化層122C從透明基材11側開始依次進行了積層的結構。

需要說明的是，圖1A和圖1B中，作為積層體基板，示出了僅在透明基材11的一個表面11a上配置了積層體的例子，但並不限定於該形態，還可製成在透明基材11的另一個表面11b上也配置了積層體的積層體基板。在透明 基材11的另一個表面11b上也配置積層體的情況下，夾著透明基材11在上下而配置的積層體可被構成為對稱結構，也可被構成為不同的結構。例如，在圖1A所示的積層體基板10A中，也可在另一個表面11b上配置一與圖1B所示的積層體122同樣地從透明基材11側開始依次對第1黑化層122A、導電層122B、及第2黑化層122C進行了積層的結構的積層體。

接下來，使用圖對本實施方式的透明導電性基板的製造方法的各步驟、階段的構成例進行說明。需要說明的是，在隨附的圖式中，對相同構件賦予了相同符號，並對一部分說明進行了省略。

本實施方式的透明導電性基板的製造方法可具有對包含「透明基材」及「在透明基材的至少一個表面上所配置的積層體」的積層體基板的積層體進行圖案化的圖案化步驟。

圖2A~圖2D示出了使用圖1A所示的積層體基板10A實施圖案化步驟的例子。圖2A~圖2D示出了積層體基板10A的與透明基材11和積層體121的積層方向平行的面的斷面模式圖。

在實施本實施方式的透明導電性基板的製造方法的圖案化步驟的情況下，可預先在積層體基板10A的積層體121的表面中的、與透明基材11相對的表面121a的相反側的表面121b上配置阻劑圖案21。阻劑圖案21可具有與積層體121的圖案化步驟中要除去的部分相對應的形狀的開口部21A。

此外，圖案化步驟可具有藉由能溶解銅的第1蝕刻液對導電層進行蝕刻的導電層蝕刻階段。

藉由實施導電層蝕刻階段，如圖2B所示，可對積層體121的導電層121B進行圖案化，從而成為配線即導電配線層22。此時，就第1黑化層121A而言，由於基本上沒有被進行蝕刻，故如圖2B所示，可保持與實施導電層蝕刻階段前同樣的形狀。

作為第1蝕刻液，只要是可溶解銅的蝕刻液即可，對其並無特別限定，但例如可更優選使用含有從硫酸、過氧化氫水、鹽酸、氯化銅、及氯化鐵中選出的1種的水溶液、或者包含從上述硫酸等中選出的2種以上的混合水溶液。對蝕刻液中的各成分的含有量並無特別限定。然而，優選為，對第1蝕刻液中的各成分的濃度進行調整，以可選擇性地蝕刻導電層。

蝕刻液可在室溫下使用，但為了提高反應性，也可將其加溫後再使用，例如，可將其加熱至30℃以上且50℃以下後再使用。

接下來，可實施藉由含有氯化物離子和水的第2蝕刻液對第1黑化層進行蝕刻的第1黑化層蝕刻階段。

藉由實施第1黑化層蝕刻階段，如圖2C所示，可對導電層蝕刻階段之後沒有被圖案化而殘留了的積層體121的第1黑化層121A進行圖案化，由此可製成圖案化了的第1黑化層即第1黑化配線層23。

此外，在第1黑化層蝕刻階段中，藉由使用含有氯化物離子和水的第2蝕刻液，能以抑制殘渣的發生並成為期望形狀的方式對含有鎳和銅的第1黑化層進行圖案化，並可抑制導電配線層22的側蝕的發生。

作為第2蝕刻液，如上所述，只要含有氯化物離子和水即可，對各成分的濃度、其他成分等並無特別限定。然而，為了充分提高針對第1黑化層的反應性，就第2蝕刻液的氯化物離子的濃度而言，以鹽酸換算計時優選為10質量%以上。需要說明的是，以鹽酸換算計的氯化物離子的濃度是指，假定第2蝕刻液中所包含的氯化物離子都以鹽酸(HCl)的狀態而被包含時所計算出的濃度。

此外，第2蝕刻液優選含有鹽酸和水。在第2蝕刻液含有鹽酸和水的情況下，對鹽酸的濃度並無特別限定，但優選為10質量%以上且37質量%以下。

其原因在於，藉由使鹽酸的濃度為10質量%以上，可充分提高與第1黑化層的反應性。還在於，就可容易獲得的鹽酸而言，濃度為37質量%以下左右，從成本等的觀點來看，優選為37質量%以下。

此外，第2蝕刻液還可含有例如從氯化鐵和氯化銅中選出的1種以上。

然而，如果第2蝕刻液內的鐵離子濃度和/或銅離子濃度過高，則存在會腐蝕導電層和/或對導電層進行圖案化而成的導電配線層的可能性。為此，第2蝕刻液內的鐵離子濃度優選為0.2質量%以下。另外，第2蝕刻液內的銅離子濃度優選為0.4質量%以下。需要說明的是，第2蝕刻液也可製成不含有鐵離子和/或銅離子的構成，故鐵離子濃度可為0以上。此外，銅離子濃度也可為0以上。

由上述可知，第2蝕刻液含有鹽酸和水，鹽酸濃度為10質量%以上且37質量%以下，鐵離子濃度可為0.2質量%以下。

此外，第2蝕刻液例如含有鹽酸和水，鹽酸濃度為10質量%以上且37質量%以下，銅離子濃度可為0.4質量%以下。

圖案化步驟之後，如圖2D所示，藉由對阻劑圖案21進行剝離和除去，可獲得具有對導電層和黑化層進行圖案化而成的導電配線層22和圖案化了的第1黑化層即第1黑化配線層23的透明導電性基板。

就阻劑圖案21的剝離和除去方法而言，可根據所使用的阻劑的種類採用任意的方法，但例如可浸漬於氫氧化鈉水溶液，以使阻劑圖案膨潤和剝離，由此進行除去。

在圖案化步驟的導電層蝕刻階段和第1黑化層蝕刻階段之間、第1黑化層蝕刻階段之後等時，例如還可對實施了圖案化處理的積層體基板進行清洗(水洗)等。如此，藉由在圖案化步驟的各步驟之後進行清洗，可構成 為，不會將附著在積層體基板上的蝕刻液帶入後續步驟中。剝離了阻劑圖案之後，也可根據需要進行清洗、乾燥等。在後述的圖案化步驟的其他構成例的情況下，同樣地也可在各步驟之間和/或各步驟之後，對實施了圖案化處理的積層體基板進行清洗等。

此外，供本實施方式的透明導電性基板的製造方法使用的積層體基板如上所述還可具有第2黑化層。以下使用圖3A~圖3E對該情況下的本實施方式的透明導電性基板的製造方法的一構成例進行說明。

如參照圖1B所說明的那樣，積層體基板10B的積層體122可在導電層122B的與第1黑化層122A相對的表面的相反側的表面上還具有一含有鎳和銅的第2黑化層122C。

此情況下，如圖3A所示，也可預先在積層體基板10B的積層體122的表面中的、與透明基材11相對的表面122a的相反側的表面122b上配置阻劑圖案31。阻劑圖案31可具有與在積層體122的圖案化步驟中要除去的部分相對應的形狀的開口部31A。

此外，在圖案化步驟中，如圖3B所示，在導電層蝕刻階段之前，還可具有藉由第2蝕刻液對第2黑化層122C進行蝕刻的第2黑化層蝕刻階段。

關於第2蝕刻液，由於已經進行了說明，故這裡省略其說明。

藉由實施第2黑化層蝕刻階段，如圖3B所示，可對積層體122的第2黑化層122C進行圖案化，以作為圖案化了的第2黑化層即第2黑化配線層32。就導電層122B而言，基本上沒有被第2蝕刻液進行蝕刻，故，如圖3B所示，可保持與第2黑化層蝕刻階段前大致同樣的形狀。

之後，與上述構成例的情況下同樣地，可實施藉由能溶解銅的第1蝕刻液對導電層122B進行蝕刻的導電層蝕刻階段。據此，如圖3C所示，可 對導電層122B進行圖案化，以作為導電配線層33。

接下來，可實施藉由含有氯化物離子和水的第2蝕刻液對第1黑化層122A進行蝕刻的第1黑化層蝕刻階段。據此，如圖3D所示，可形成圖案化了的第1黑化層即第1黑化配線層34。

關於導電層蝕刻階段和第1黑化層蝕刻階段，由於已經進行了說明，故這裡省略其說明。

圖案化步驟之後，如圖3E所示，藉由對阻劑圖案31進行剝離和除去，可獲得具有對第2黑化層122C、導電層122B、及第1黑化層122A進行圖案化而成的、第2黑化配線層32、導電配線層33、及第1黑化配線層34的透明導電性基板。

以下參照圖4A~圖4D對供本實施方式的透明導電性基板的製造方法使用的積層體基板的積層體在導電層的與第1黑化層相對的表面的相反側的表面上還具有一含有鎳和銅的第2黑化層的情況下的、本實施方式的透明導電性基板的製造方法的其他構成例進行說明。

此情況下，如圖4A所示，也可預先在積層體基板10B的積層體122的表面中的、與透明基材11相對的表面122a的相反側的表面122b上配置阻劑圖案41。阻劑圖案41可具有與在積層體122的圖案化步驟中要除去的部分相對應的形狀的開口部41A。

另外，在圖案化步驟的導電層蝕刻階段中，如圖4B所示，可採用第1蝕刻液對導電層122B和第2黑化層122C進行蝕刻。

第1蝕刻液如上所述可對導電層122B進行蝕刻，並且，與第2黑化層122C的反應性較低。然而，由於第2黑化層122C配置在了導電層122B上，故藉由對導電層122B進行蝕刻，也可同樣地對第2黑化層122C進行蝕刻。

為此，藉由實施導電層蝕刻階段，可形成第2黑化配線層42和導 電配線層43。

關於第1蝕刻液，由於已經進行了說明，故這裡省略其說明。

之後，與上述構成例的情況下同樣地，可實施藉由含有氯化物離子和水的第2蝕刻液對第1黑化層122A進行蝕刻的第1黑化層蝕刻階段。據此，如圖4C所示，可形成第1黑化配線層44。

關於第1黑化層蝕刻階段，由於已經進行了說明，故這裡省略其說明。

圖案化步驟之後，如圖4D所示，藉由對阻劑圖案41進行剝離和除去，可獲得具有對第2黑化層122C、導電層122B、及第1黑化層122A進行圖案化而成的、第2黑化配線層42、導電配線層43、及第1黑化配線層44的透明導電性基板。

需要說明的是，至此為止，盡管示出了使用僅在透明基材11的一個表面上配置了積層體的積層體基板來實施圖案化步驟的例子，但並不限定於該形態。例如，也可使用在透明基材的一個表面和位於該一個表面的相反側的另一個表面上配置了積層體的積層體基板來實施圖案化步驟。就配置在一個表面上的積層體和配置在另一個表面上的積層體而言，可同時實施圖案化步驟，也可分別實施圖案化步驟。

對本實施方式的透明導電性基板的圖案化步驟中形成的圖案並無特別限定，可根據用途等進行任意選擇。例如在使用於觸控面版的用途的情況下，有時會要求具有網格(mesh)狀(格子狀)配線的透明導電性基板。為此，例如可對導電層進行圖案化以使其成為格子狀的導電配線層。此外，設置第1黑化層和第2黑化層的目的在於抑制導電層表面的光反射，故優選對這些層也進行圖案化，以使與透明基材的配置了積層體的表面平行的面的斷面形狀和導電配線層的形狀相同。

對具有網格狀配線的透明導電性基板的構成例進行說明。可藉由1個透明導電性基板獲得具有網格狀配線的透明導電性基板，但也可藉由組合2個透明導電性基板的方式來獲得具有網格狀配線的透明導電性基板。

圖5示出了具有網格狀配線的透明導電性基板的俯視圖，圖6A和圖6B分別示出了沿圖5的A-A’線的斷面圖的構成例。需要說明的是，俯視圖是指，從與透明基材11的配置了積層體的表面垂直的方向從上方觀察的圖。此外，圖5中省略了第1黑化配線層和第2黑化配線層的記載，但就第1黑化配線層和第2黑化配線層而言，與透明基材11的配置了導電配線層51A等的表面平行的面的斷面形狀可具有與相鄰的導電配線層51A、51B相同的形狀。

就圖5所示的透明導電性基板50而言，藉由與Y軸方向平行的線狀導電配線層51A和與X軸方向平行的線狀導電配線層51B，形成了格子狀的配線。

此外，如圖6A所示，也可製成在透明基材11的一個表面11a上配置了導電配線層51A，並在另一個表面11b上配置了導電配線層51B的構成。此情況下，如圖6A所示，在導電配線層51A、51B的透明基材11側可配置第1黑化配線層52A、52B。另外，還可為在導電配線層51A、51B的與透明基材11側相反側的表面上配置了第2黑化配線層53A、53B的構成。需要說明的是，也可為不具有第2黑化配線層53A、53B的結構。

就圖5和圖6A所示的結構的透明導電性基板而言，例如可藉由以下的步驟進行製造。首先，針對2個在透明基材的一個表面上配置了積層體的積層體基板，藉由上述的圖案化步驟對積層體進行圖案化，以成為互相平行的複數個直線狀的圖案。接下來，調整方向以使2個透明導電性基板的複數個直線狀的配線成為網格狀，並使透明基材的沒有配置積層體的另一個表面之間進行貼合，由此可進行製造。此情況下，圖6A的透明基材11為對2個透明基材 進行了貼合的構成。

此外，圖5和圖6A所示的結構的透明導電性基板還可藉由以下步驟進行製造。首先，準備1個在透明基材的一個表面和與該一個表面相反側的另一個表面上分別配置了積層體的積層體基板。然後，藉由圖案化步驟對透明基材的兩個表面上所配置的積層體進行圖案化，以使該積層體的配線即導電配線層變為與圖5和圖6A同樣的構成。

此外，如圖5和圖6B所示，也可製成導電配線層51A配置在透明基材11A上，並且導電配線層51B配置在透明基材11A和透明基材11B之間的構成。此情況下，在導電配線層51A、51B的透明基材11A、11B側也可配置第1黑化配線層52A、52B。另外，還可為在導電配線層51A、51B的與透明基材11A、11B側相反側的表面上配置第2黑化配線層53A、53B的構成。需要說明的是，此情況下，也可為不具有第2黑化配線層53A、53B的結構。

圖5和圖6B所示的結構的透明導電性基板例如可藉由以下步驟進行製造。首先，針對2個在透明基材的一個表面上配置了積層體的積層體基板，藉由上述的圖案化步驟對積層體進行圖案化，以成為互相平行的複數個直線狀的圖案。然後，調整方向以使2個透明導電性基板的複數個直線狀的配線成為網格狀，並將一個透明導電性基板的透明基材的沒有配置積層體的另一個表面和另一個透明導電性基板的圖案化了的積層體的露出表面進行貼合，由此可進行製造。

需要說明的是，圖5、圖6A、及圖6B中示出了藉由組合直線形狀的配線即導電配線層以形成網格狀配線(配線圖案)的例子，但並不限定於該形態，構成配線圖案的配線可為任意形狀。例如，為了不與顯示器的圖像之間產生疊紋(moiré)，還可將構成網格狀配線圖案的導電配線層的形狀分別設計為彎曲成鋸齒狀的線(“之”字直線)等的各種形狀。

本實施方式的透明導電性基板的製造方法還可具有除了上述圖案化步驟之外的任意步驟。

例如，圖案化步驟之前，也可還具有在積層體的與透明基材相對的表面的相反側的表面即露出表面上配置阻劑的阻劑配置步驟。

阻劑配置步驟還可具有以下階段。

在露出表面上形成感光性阻劑層的感光性阻劑層形成階段。

根據欲形成的阻劑圖案對感光性阻劑層進行紫外線曝光，並對未曝光部分進行顯影，由此形成阻劑圖案的阻劑圖案形成階段。

在阻劑配置步驟中，可形成圖2A、圖3A、圖4A所示的阻劑圖案21、31、41。

若使用圖2A進行說明，則首先可在積層體121的與透明基材11相對的表面121a的相反側的表面121b上形成感光性阻劑層。就形成感光性阻劑層的方法而言，盡管視所使用的阻劑類型而有所不同，但可列舉出在積層體121的欲配置阻劑的表面121b上進行塗敷的方法、藉由層壓(laminate)法等進行貼附的方法等。

接下來，使用掩膜(mask)等，根據要形成的阻劑圖案進行紫外線曝光，然後例如藉由對未曝光部分進行顯影和除去，可形成阻劑圖案。

對感光性阻劑層的顯影方法並無特別限定，但可列舉出浸漬於顯影液例如碳酸鈉水溶液等的方法。

此外，本實施方式的透明導電性基板的製造方法例如也可具有積層體基板製造步驟。

積層體基板製造步驟例如還可具有以下步驟。

在透明基材的至少一個表面上形成第1黑化層的第1黑化層形成階段。

在第1黑化層上形成導電層的導電層形成階段。

此外，根據需要還可具有在導電層上形成第2黑化層的第2黑化層形成階段。

關於第1黑化層、導電層、及第2黑化層的具體形成方法的例子，由於已經進行了說明，故這裡省略其說明。

此外，也可具有對圖案化步驟之後的複數個透明導電性基板如上所述進行貼合以成為例如網格狀配線的貼合步驟。

根據以上說明的本實施方式的透明導電性基板的製造方法，採用不同的蝕刻液對與透明基材相接的第1黑化層和導電層進行蝕刻，藉此可抑制在透明基材上生成第1黑化層的殘渣。此外，還可抑制導電層的側蝕變大。

為此，根據本實施方式的透明導電性基板的製造方法，可將黑化層圖案化為期望形狀。

〔透明導電性基板〕

接下來，對本實施方式的透明導電性基板的一構成例進行說明。

需要說明的是，本實施方式的透明導電性基板例如可藉由上述的透明導電性基板的製造方法進行製造。為此，對已經說明了的事項的一部分的說明進行了省略。

此外，以下說明的第1黑化配線層、導電配線層、及第2黑化配線層如上所述可藉由分別對第1黑化層、導電層、及第2黑化層進行圖案化而形成。為此，就第1黑化配線層、導電配線層、及第2黑化配線層而言，除了進行了圖案化這點之外，可分別具有與透明導電性基板的製造方法中所述的第1黑化層、導電層、及第2黑化層同樣的構成。

本實施方式的透明導電性基板可具有透明基材、及在透明基材的至少一個表面上所配置的金屬細線。

此外，金屬細線可為含有鎳和銅的第1黑化配線層和含有銅的導電配線層從透明基材側開始依次進行了積層的積層體。

另外，在從與透明基材的一個表面垂直的方向進行觀察的情況下，從導電配線層伸出(protrude)了的第1黑化配線層的伸出寬度可設為0.5μm以下。

這裡，首先使用圖7A和圖7B對本實施方式的透明導電性基板進行說明。圖7A示出了本實施方式的透明導電性基板的透明基材、及與金屬細線的積層方向平行的面的斷面模式圖。

如圖7A所示，本實施方式的透明導電性基板70可具有在透明基材11的至少一個表面11a上配置了具有第1黑化配線層712和導電配線層711的金屬細線71的結構。

這裡，圖7B示出了在從與透明基材11的一個表面11a垂直的方向觀察圖7A所示的透明導電性基板70的情況下、即、沿圖中的塊狀箭頭A觀察透明導電性基板的情況下的、由點線(虛線)所圍成的區域B的放大圖。

在透明導電性基板的製造方法中如上所述藉由對第1黑化層等進行圖案化，可獲得在透明基材11上對圖案化了的第1黑化配線層712和導電配線層711進行了積層的金屬細線71。然而，在對第1黑化層等進行圖案化的過程中，存在第1黑化層的一部分發生溶解殘留，導致第1黑化配線層712與導電配線層711相比進行了伸出的情況。為此，在本實施方式的透明導電性基板中，該第1黑化配線層712的伸出寬度L優選為0.5μm以下。

第1黑化配線層712的伸出寬度L較佳設為0，故第1黑化配線層712的伸出寬度L可設為0以上。

對使第1黑化配線層712的伸出寬度L位於上述範圍的方法並無特別限定，但例如藉由採用上述的透明導電性基板的製造方法可設為上述範圍。

圖7A和圖7B中示出了金屬細線由第1黑化配線層712和導電配線層711構成的例子，但並不限定於該形態。例如，金屬細線也可在導電配線層711的與第1黑化配線層712相對的表面的相反側的表面上還具有一含有鎳和銅的第2黑化配線層。

此外，圖7A中示出了僅在透明基材11的一個表面11a上配置了金屬細線的例子，但並不限定於該形態。如基於圖6A等所說明的那樣，在透明基材11的另一個表面11b上也可配置金屬細線。此情況下，透明基材11的一個表面11a上所配置的金屬細線和另一個表面11b上所配置的金屬細線所含的層的構成可不相同。例如，也可在一個表面11a上配置具有第1黑化配線層和導電配線層的金屬細線，並在另一個表面11b上配置具有第1黑化配線層、導電配線層、及第2黑化配線層的金屬細線。然而，不論在哪種金屬細線中，所含有的第1黑化配線層的伸出寬度都優選滿足上述的範圍。

需要說明的是，在另一個表面上配置金屬細線的情況下，就該另一個表面側的金屬細線中的從導電配線層伸出的第1黑化配線層的伸出寬度而言，為了可對該伸出進行確認，可從透明基材的另一個表面側進行觀察以進行測定。透明基材一般而言其一個表面和另一個表面平行，故在對另一個表面側的第1黑化配線層的伸出寬度進行測定的情況下，從與透明基材的一個表面垂直的方向進行觀察也可以說成是，從與透明基材的另一個表面垂直的方向進行觀察。此外，在這樣地於透明基材的一個表面和另一個表面都配置了金屬細線的情況下，第1黑化配線層的伸出寬度是指，從與該第1黑化層位於同側的導電配線層、即相鄰的導電配線層伸出的伸出寬度。

此外，例如，如參照圖5、圖6A及圖6B所說明的那樣，也可藉由對複數個導電配線層進行組合，以獲得具有網格狀配線的透明導電性基板。

需要說明的是，就第1黑化配線層而言，與透明基材的設置了金 屬細線的表面平行的面的斷面形狀優選為與導電配線層相同的形狀。為此，在藉由對導電配線層進行組合以獲得具有網格狀配線的導電性基板的情況下，就透明導電性基板所含的第1黑化配線層而言，也優選為，藉由組合而成為網格狀。在將第2黑化配線層設置於透明基材的兩個表面上的情況下，對第2黑化配線層而言也同樣。

在本實施方式的透明導電性基板中，藉由在導電配線層的表面上設置第1黑化配線層，可提高透明基材和導電配線層之間的密接性，並可抑制導電配線層的第1黑化配線層側的表面的反射。對第1黑化配線層的表面的光反射程度並無特別限定，但例如第1黑化配線層的波長為400nm以上且700nm以下的光的反射率的平均值優選為15%以下。

需要說明的是，就第1黑化配線層的波長為400nm以上且700nm以下的光的反射率的平均值而言，優選為，接近透明基材的光的反射率的平均值。為此，第1黑化配線層的波長為400nm以上且700nm以下的光的反射率的平均值的下限值可根據所使用的透明基材等進行選擇，對其並無特別限定。例如，在作為透明基材使用了聚對酞酸乙二酯樹脂等的情況下，其波長為400nm以上且700nm以下的光的反射率的平均值為6%左右。另外，即使第1黑化配線層的波長為400nm以上且700nm以下的光的反射率的平均值為0，例如與聚對酞酸乙二酯樹脂等的透明基材的上述光的反射率的平均值的差也可小至6%左右。為此，第1黑化配線層的波長為400nm以上且700nm以下的光的反射率的平均值例如可為0以上。

對第1黑化配線層的光的反射率的測定而言，可藉由向透明導電性基板的第1黑化配線層照射光而進行測定。具體而言，例如，如圖7A所的透明導電性基板70那樣，在透明基材11的一個表面11a上依次積層了第1黑化配線層712和導電配線層711的情況下，為了向第1黑化配線層712照射光，可經由透 明基材11向第1黑化配線層712的表面712a照射光，由此可進行測定。測定時，可使波長為400nm以上且700nm以下的光，例如以波長為1nm的間隔，如上所述照射至透明導電性基板的第1黑化配線層712的表面712a，並將所測定的平均值作為第1黑化配線的波長為400nm以上且700nm以下的光的反射率的平均值。

需要說明的是，第1黑化配線層如上所述為對第1黑化層進行了圖案化而成的層。為此，也可預先對第1黑化層進行波長為400nm以上且700nm以下的光的反射率的平均值的測定和計算，並將該值作為第1黑化配線層的波長為400nm以上且700nm以下的光的反射率的平均值。

〔實施例〕

以下列舉具體實施例和比較例進行說明，但本發明並不限定於這些實施例。

〔實驗例1〕

作為實驗例1-1~實驗例1-30，進行了透明導電性基板的製造。實驗例1-4~實驗例1-18為實施例，實驗例1-1~實驗例1-3和實驗例1-19~實驗例1-30為比較例。

首先，準備了供圖案化步驟使用的、在厚度為50μm的聚對酞酸乙二酯樹脂(PET)膜即透明基材的一個表面上依次進行了第1黑化層、導電層、及第2黑化層的積層的積層體基板。需要說明的是，針對透明基材，按照JIS K 7361-1中規定的方法對全光線透過率進行了評價，其結果為93%。在以下的其他實驗例中，也使用了相同的透明基材。

就第1黑化層而言，厚度為0.03μm，並含有鎳、銅、鎳氧化物、及銅氧化物。

作為導電層，使用了厚度為0.5μm的銅層。導電層包括藉由濺射法而形成的導電薄膜層(銅薄膜層)和藉由電鍍法而形成的導電鍍層(銅鍍 層)。以下，在其他的實驗例中也同樣地進行了構成。

就第2黑化層而言，厚度為0.05μm，並含有鎳、銅、鎳氧化物、及銅氧化物。

就第1黑化層和第2黑化層而言，都使用氬氣中添加了氧氣的環境並藉由反應性濺射法進行了成膜。在以下的其他實驗例中也同樣地進行了成膜。

準備了就第1黑化層和第2黑化層而言相同積層體基板具有相同的組成，並且，第1黑化層表面的反射率位於12%~16%之間的3種不同的積層體基板。

需要說明的是，就第1黑化層表面的光反射率的測定而言，藉由在紫外可視分光光度計(島津製作所股份有限公司製，型號：UV-2550)上設置反射率測定單元而進行了測定。

經由所製作的積層體基板的透明基材，向第1黑化層表面，在入射角為5°且受光角為5°的條件下，以波長為1nm的間隔，照射波長為400nm以上且700nm以下的光，並對正反射率進行了測定，然後將其平均值作為反射率。在以下的其他實驗例中也同樣地對反射率進行了測定。以下，也將第1黑化層表面的波長為400nm以上且700nm以下的光的反射率的平均值僅記為“第1黑化層表面的反射率”。此外，表中還存在僅記為“反射率”的情況。

此外，第1黑化層表面的光反射率為12%~16%的情況下的第1黑化層和第2黑化層所含的鎳成分中的、金屬鎳、及氧化鎳或氫氧化鎳的含有比例示於表1。就表1所示的反射率為12%和16%的值而言，是根據反射率為14%的情況下的XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)的分析結果，並考慮了第1黑化層和第2黑化層的成膜時的氧氣供給量而計算出的值。

表1中，例如反射率為12%的情況是指，就第1黑化層和第2黑化 層而言，鎳成分中，50.5質量%以金屬鎳的形態存在，49.5質量%以氧化鎳的形態(視情況還會以氫氧化鎳的形態)存在。

將所準備的積層體基板切斷為任意尺寸之後，實施了阻劑配置步驟。具體而言，在第2黑化層的表面上採用層壓法貼附感光性阻劑(旭化成股份有限公司製，品名：AQ-1F59)，由此形成了感光性阻劑層(感光性阻劑層形成階段)。之後，藉由向感光性阻劑層進行紫外線曝光，並對未曝光部分進行顯影，形成了網格圖案的阻劑圖案(阻劑圖案形成階段)。需要說明的是，就阻劑圖案而言，相鄰的線的間隔為0.1mm，線的寬度(阻劑寬度)為13μm。

針對在第2黑化層的表面上形成了阻劑圖案的積層體基板，實施了以下的圖案化步驟。需要說明的是，在各步驟之間還對積層體基板進行了清洗。

作為第1蝕刻液，準備了濃度為25質量%且溫度為30℃的氯化鐵溶液。接下來，將所準備的積層體基板浸漬在第1蝕刻液中10秒，由此進行了導電層和第2黑化層的蝕刻(導電層蝕刻階段)。

之後，作為第2蝕刻液，為各實驗例準備了表2所示的、濃度為5質量%~37質量%的鹽酸水溶液、濃度為10質量%和35質量%的硝酸水溶液、或濃度為10質量%和30質量%的硫酸水溶液。需要說明的是，在室溫(25℃)下 使用了第2蝕刻液。就第2蝕刻液而言，無論哪種的銅離子濃度和鐵離子濃度都為0。

接下來，將導電層蝕刻階段結束後的積層體基板浸漬於各實驗例的第2蝕刻液，並對至第1黑化層進行了溶解、膜上無殘渣、且目視為透明為止的時間進行了測定。評價結果示於表2。

〔表2〕

由表2所示的結果可確認到，藉由使用含有氯化物離子和水、且氯化物離子濃度以鹽酸換算計為10質量%以上的鹽酸水溶液作為第2蝕刻液，能以短於 (小於)180秒的時間對第1黑化層進行蝕刻。即，確認到了，可抑制在透明基材上出現第1黑化層的殘渣，並可將第1黑化層、導電層、及第2黑化層圖案化為期望形狀。

需要說明的是，針對所獲得的透明導電性基板，採用SEM(掃描型電子顯微鏡，日本電子股份有限公司製，型號：JSM-6360LV)進行了觀察，由此可確認到，無論在實驗例1-4~實驗例1-18的哪個中，第1黑化配線層的從導電配線層伸出的伸出寬度都為0.5μm以下。

另一方面，在作為第2蝕刻液使用了不含氯化物離子的硝酸和/或硫酸的水溶液的情況下，可確認到，即使超過了180秒，也無法完全對第1黑化層進行蝕刻，在透明基材上出現了第1黑化層的殘渣。

〔實驗例2〕

作為實驗例2-1~實驗例2-6，製造了透明導電性基板，並對第2蝕刻液中的銅離子濃度的影響進行了研究。實驗例2-1~實驗例2-6都為實施例。

首先，準備了供圖案化步驟使用的、在厚度為50μm的聚對酞酸乙二酯樹脂(PET)膜即透明基材的一個表面上依次進行了第1黑化層、導電層、及第2黑化層的積層的積層體基板。

就第1黑化層而言，厚度為0.03μm，並含有鎳、銅、鎳氧化物、及銅氧化物。

作為導電層，使用了與實驗例1時同樣構成的厚度為0.5μm的銅層。

就第2黑化層而言，厚度為0.05μm，並含有鎳、銅、鎳氧化物、及和銅氧化物。

準備了第1黑化層和第2黑化層具有相同的組成且第1黑化層表面的反射率為14%的積層體基板。需要說明的是，第1黑化層和第2黑化層與實驗例1-5的情況下的組成相同。

將所準備的積層體基板切斷為任意尺寸之後，實施了阻劑配置步驟。具體而言，在第2黑化層的表面上採用層壓法貼附了感光性阻劑(旭化成股份有限公司製，品名：AQ-1F59)，由此形成了感光性阻劑層(感光性阻劑層形成階段)。然後，藉由對感光性阻劑層進行紫外線曝光，並對未曝光部分進行顯影，形成了網格圖案的阻劑圖案(阻劑圖案形成階段)。需要說明的是，就阻劑圖案而言，相鄰的線的間隔為0.1mm，線的寬度(阻劑寬度)為13μm。

針對在第2黑化層的表面上形成了阻劑圖案的積層體基板，實施了以下的圖案化步驟。在各步驟之間還對積層體基板進行了清洗。

作為第2蝕刻液，準備了鹽酸濃度為25質量%且溫度為室溫(25℃)的鹽酸水溶液。需要說明的是，對第2蝕刻液進行製備時，藉由在上述濃度的鹽酸中添加氯化銅，對各實驗例進行了調整，以使第2蝕刻液中的銅離子濃度為表3所示的值。本實驗例中使用的第2蝕刻液的鐵離子濃度都為0。

接下來，將積層體基板浸漬在第2蝕刻液中30秒，由此對第2黑化層進行了蝕刻(第2黑化層蝕刻階段)。

之後，作為第1蝕刻液，準備了濃度為25質量%且溫度為30℃的氯化鐵溶液。然後，將第2黑化層蝕刻階段結束後的積層體基板浸漬在第1蝕刻液中10秒，藉此進行了導電層的蝕刻(導電層蝕刻階段)。

接下來，使用各實驗例中對第2黑化層進行蝕刻時所用的第2蝕刻液，進行了第1黑化層的蝕刻(第1黑化層蝕刻階段)。

之後，浸漬在濃度為5質量%且溫度為40℃的氫氧化鈉水溶液中60秒，使阻劑圖案膨潤、剝離並進行除去之後，進行了清洗和乾燥，由此獲得了透明導電性基板。

無論在哪個實驗例中，透明基材上都沒有發生第1黑化層的殘 渣。

針對所獲得的透明導電性基板，對導電配線層的外觀進行了觀察，並藉由目視，對導電配線層是否被侵蝕了進行了確認。評價結果示於表3。

表3中，在正常地形成了配線的情況下，評價為A，在能看到配線的一部分變細的情況下，評價為B。

無論在實驗例2-1~實驗例2-6的哪個中，都確認到了，可將第1黑化層、導電層、及第2黑化層圖案化為期望形狀。然而，根據表3所示的結果也可確認到，就在第2蝕刻液中的銅離子濃度為0.5質量%左右的條件下所獲得的配線即導電配線層的一部分而言，可看到其變細了一些。由以上的結果可確認到，第2蝕刻液內的銅離子濃度優選為小於0.5質量%，較佳為0.4質量%以下。

需要說明的是，對所獲得的透明導電性基板採用SEM進行了觀察，由此可確認到，無論在實驗例2-1~實驗例2-6的哪個中，第1黑化配線 層的從導電配線層伸出的伸出寬度都為0.5μm以下。

〔實驗例3〕

作為實驗例3-1~實驗例3-7，製造了透明導電性基板，並對第2蝕刻液中的鐵離子濃度的影響進行了研究。實驗例3-1~實驗例3-7都為實施例。

首先，準備了供圖案化步驟使用的、在厚度為50μm的聚對酞酸乙二酯樹脂(PET)膜即透明基材的一個表面上依次對第1黑化層、導電層、及第2黑化層進行了積層的積層體基板。

就第1黑化層而言，厚度為0.03μm，並含有鎳、銅、鎳氧化物、及銅氧化物。

作為導電層，使用了與實驗例1時同樣構成的厚度為0.5μm的銅層。

就第2黑化層而言，厚度為0.05μm，並含有鎳、銅、鎳氧化物、及銅氧化物。

準備了第1黑化層和第2黑化層具有相同組成且第1黑化層表面的反射率為14%的積層體基板。需要說明的是，第1黑化層和第2黑化層與實驗例1-5的情況下的組成相同。

將所準備的積層體基板切斷為任意尺寸之後，實施了阻劑配置步驟。具體而言，在第2黑化層的表面上採用層壓法貼附了感光性阻劑(旭化成股份有限公司製，品名：AQ-1F59)，由此形成了感光性阻劑層(感光性阻劑層形成階段)。接下來，藉由對感光性阻劑層進行紫外線曝光，並對未曝光部分進行顯影，形成了網格圖案的阻劑圖案(阻劑圖案形成階段)。需要說明的是，就阻劑圖案而言，相鄰的線的間隔為0.1mm，線的寬度(阻劑寬度)為13μm。

針對在第2黑化層的表面上形成了阻劑圖案的積層體基板，實施 了以下的圖案化步驟。各步驟之間還進行了積層體基板的清洗。

作為第2蝕刻液，準備了鹽酸濃度為25質量%且溫度為室溫(25℃)的鹽酸水溶液。需要說明的是，對第2蝕刻液進行製備時，藉由在上述濃度的鹽酸中添加氯化鐵，在0~0.3質量%的範圍對各實驗例進行了調整，以使第2蝕刻液中的鐵離子濃度為表4所示的值。本實驗例中使用的第2蝕刻液的銅離子濃度都為0。

接下來，將積層體基板浸漬在第2蝕刻液中30秒，由此對第2黑化層進行了蝕刻(第2黑化層蝕刻階段)。

之後，作為第1蝕刻液，準備了濃度為25質量%且溫度為30℃的氯化鐵溶液。然後，將第2黑化層蝕刻階段結束後的積層體基板浸漬在第1蝕刻液中10秒，由此進行了導電層的蝕刻(導電層蝕刻階段)。

接下來，使用在各實驗例中對第2黑化層進行蝕刻時所用的第2蝕刻液，進行了第1黑化層的蝕刻(第1黑化層蝕刻階段)。

之後，浸漬在濃度為5質量%且溫度為40℃的氫氧化鈉水溶液中60秒，使阻劑圖案膨潤、剝離並進行除去之後，進行了清洗和乾燥，由此獲得了透明導電性基板。

無論在哪個實驗例中，透明基材上都沒有出現第1黑化層的殘渣。

針對所獲得的透明導電性基板，對導電配線層的外觀進行了觀察，並藉由目視，對導電配線層是否被侵蝕了進行了確認。評價結果示於表4。

表4中，在正常地形成了配線的情況下，評價為A，在能看到配線的一部分變細了的情況下，評價為B。

〔表4〕

可確認到，無論在實驗例3-1~實驗例3-7的哪個中，都可將第1黑化層、導電層、及第2黑化層圖案化為期望形狀。然而，根據表4所示的結果也可確認到，就在第2蝕刻液中的鐵離子濃度為0.30質量%左右的條件下所獲得的配線即導電配線層的一部分而言，可看到其變細了一些。由以上的結果可確認到，第2蝕刻液內的鐵離子濃度優選為小於0.30質量%，較佳為0.20質量%以下。

需要說明的是，對所獲得的透明導電性基板採用SEM進行了觀察，由此可確認到，無論在實驗例3-1~實驗例3-7的哪個中，第1黑化配線層的從導電配線層伸出的伸出寬度都為0.5μm以下。

〔實驗例4〕

作為實驗例4-1和實驗例4-2，製造了透明導電性基板。實驗例4-1和實驗例4-2都為實施例。

首先，準備了供圖案化步驟使用的、在厚度為50μm的聚對酞酸乙二酯樹脂(PET)膜即透明基材的一個表面上依次對第1黑化層、導電層、及第2黑化層進行了積層的積層體基板。

就第1黑化層而言，厚度為0.03μm，並含有鎳、銅、鎳氧化物、及銅氧化物。

作為導電層，使用了與實驗例1時同樣構成的厚度為0.5μm的銅層。

就第2黑化層而言，厚度為0.05μm，並含有鎳、銅、鎳氧化物、及銅氧化物。

準備了第1黑化層和第2黑化層具有相同的組成且第1黑化層表面的反射率為14%的積層體基板。需要說明的是，第1黑化層和第2黑化層與實驗例1-5的情況下的組成相同。

之後，實施了阻劑配置步驟。具體而言，在第2黑化層的表面上採用層壓法貼附了感光性阻劑(旭化成股份有限公司製，品名：AQ-1F59)，由此形成了感光性阻劑層(感光性阻劑層形成階段)。

接下來，經由特定圖案的玻璃掩膜對感光性阻劑層進行紫外線曝光。就此時所使用的玻璃掩膜而言，使用了顯影後的阻劑寬度為13μm且可形成邊長為100μm的格子狀圖案的玻璃掩膜。

之後，藉由浸漬在1質量%且30℃的碳酸鈉水溶液中60秒，對未曝光部分進行了顯影，由此形成了阻劑圖案(阻劑圖案形成階段)。

針對在第2黑化層的表面上形成了阻劑圖案的積層體基板，實施了以下的圖案化步驟。需要說明的是，圖案化步驟中，在各步驟之間還進行了積層體基板的清洗。

作為第1蝕刻液，準備了濃度為25質量%且溫度為30℃的氯化鐵 溶液。然後，將所準備的積層體基板浸漬在第1蝕刻液中10秒，由此進行了導電層和第2黑化層的蝕刻(導電層蝕刻階段)。

接下來，作為第2蝕刻液，為各實驗例準備了表5所示的濃度為20質量%(實驗例4-1)或30質量%(實驗例4-2)的鹽酸水溶液。需要說明的是，在室溫(25℃)下使用了第2蝕刻液。不論何種第2蝕刻液，其銅離子濃度和鐵離子濃度都為0。

之後，將導電層蝕刻階段結束後的積層體基板浸漬在各實驗例的第2蝕刻液中45秒(實驗例4-1)或20秒(實驗例4-2)，由此進行了第1黑化層的蝕刻(第1黑化層蝕刻階段)。

接下來，浸漬在濃度為5質量%且溫度為40℃的氫氧化鈉水溶液中60秒，使阻劑圖案膨潤、剝離並將其除去之後，進行了清洗和乾燥，由此獲得了透明導電性基板。

針對所獲得的透明導電性基板，採用光學顯微鏡，對第1黑化層的殘渣的有無進行了觀察。此外，還藉由電子顯微鏡實施了對配線形狀(導電配線層形狀)的觀察和配線寬度(導電配線層寬度)的測定。

就配線寬度而言，對任意選擇的4個配線的配線寬度進行了測定，並將其平均值作為該透明導電性基板的配線寬度。

評價結果示於表5。此外，圖8示出了實驗例4-1中獲得的包括格子(網格)狀的金屬細線的透明導電性基板的電子顯微鏡照片。

〔表5〕

由表5所示的結果可確認到，在實驗例4-1和實驗例4-2中，都不存在第1黑化層的殘渣，並可進行網格配線無剝離和/或欠損的良好的蝕刻。即，確認到了，可將黑化層和導電層圖案化為期望形狀。

需要說明的是，對所獲得的透明導電性基板採用SEM進行了觀察，由此可確認到，無論在實驗例4-1和實驗例4-2的哪個中，第1黑化配線層的從導電配線層伸出的伸出寬度都為0.5μm以下。

〔實驗例5〕

作為實驗例5-1和實驗例5-2，製造了透明導電性基板。實驗例5-1和實驗例5-2都為實施例。

在導電層蝕刻階段中，作為第1蝕刻液，準備了濃度為21質量%且溫度為35℃的氯化銅溶液，將所準備的積層體基板浸漬在第1蝕刻液中45秒，由此進行了導電層和第2黑化層的蝕刻。

在第1黑化層蝕刻階段中，作為第2蝕刻液，為各實驗例準備了表6所示的鹽酸濃度為20質量%(實驗例5-1)或30質量%(實驗例5-2)的鹽酸水溶液，並且，將浸漬時間設為20秒(實驗例5-1)或10秒(實驗例5-2)。

除了以上這兩點之外與實驗例4時同樣地製造了透明導電性基板，並進行了評價。結果示於表6。

需要說明的是，在室溫(25℃)下使用了第2蝕刻液。不論何種第2蝕刻液，其銅離子濃度和鐵離子濃度都為0。

由表6所示的結果可確認到，在實驗例5-1和實驗例5-2中，都不存在第1黑化層的殘渣，並可進行網格配線無剝離和/或欠損的良好的蝕刻。即，確認到了，可將黑化層和導電層圖案化為期望形狀。

需要說明的是，對所獲得的透明導電性基板採用SEM進行了觀察，由此可確認到，無論在實驗例5-1和實驗例5-2的哪個中，第1黑化配線層的從導電配線層伸出的伸出寬度都為0.5μm以下。

〔實驗例6〕

製造了透明導電性基板。實驗例6為實施例。

首先，與實驗例4的情況下同樣地，準備了在第2黑化層的表面上形成了阻劑圖案的積層體基板。接下來，針對該積層體基板，實施了以下的圖案化步驟。

作為第2蝕刻液，準備了濃度為20質量%的鹽酸水溶液。需要說明的是，在室溫(25℃)下使用了第2蝕刻液。第2蝕刻液的銅離子濃度和鐵離子濃度都為0。之後，將所準備的積層體基板浸漬在第2蝕刻液中45秒，由此進 行了第2黑化層的蝕刻(第2黑化層蝕刻階段)。需要說明的是，第2黑化層蝕刻階段之後，進行了清洗。

作為第1蝕刻液，準備了濃度為25質量%且溫度為30℃的氯化鐵溶液。接下來，將實施了第2黑化層蝕刻階段後的積層體基板浸漬在第1蝕刻液中10秒，由此進行了導電層的蝕刻(導電層蝕刻階段)。需要說明的是，導電層蝕刻階段之後，進行了清洗。

之後，在第2蝕刻液中，將實施了導電層蝕刻階段後的積層體基板浸漬了45秒，由此進行了第1黑化層的蝕刻(第1黑化層蝕刻階段)。需要說明的是，第1黑化層蝕刻階段之後，進行了清洗。

接下來，浸漬在濃度為5質量%且溫度為40℃的氫氧化鈉水溶液中60秒，使阻劑圖案膨潤、剝離並將其除去之後，進行了清洗和乾燥，由此獲得了透明導電性基板。

針對所獲得的透明導電性基板，進行了與實驗例4時同樣的評價。

評價結果示於表7。

由表7所示的結果可確認到，在本實驗例中，也不存在第1黑化層的殘渣，並可進行網格配線無剝離和/或欠損的良好的蝕刻。即，確認到了，可將黑化層和導電層圖案化為期望形狀。

需要說明的是，對所獲得的透明導電性基板採用SEM進行了觀察，由此可確認到，在實驗例6中，第1黑化配線層的從導電配線層伸出的伸出寬度也為0.5μm以下。

〔實驗例7〕

作為實驗例7-1~實驗例7-6，進行了透明導電性基板的製造。實驗例7-1~實驗例7-3為實施例，實驗例7-4~實驗例7-6為比較例。

首先，除了對黑化層的成膜條件進行調整以使第1黑化層和第2黑化層的膜厚、以及第1黑化層表面的反射率為期望之值這點之外，與實驗例1時同樣地準備了供圖案化步驟使用的、在厚度為50μm的聚對酞酸乙二酯樹脂(PET)膜即透明基材的一個表面上依次對第1黑化層、導電層、及第2黑化層進行了積層的積層體基板。

就第1黑化層而言，厚度為0.02μm，並含有鎳、銅、鎳氧化物、及銅氧化物。

作為導電層，使用了厚度為0.5μm的銅層。導電層包括藉由濺射法而形成的導電薄膜層(銅薄膜層)和藉由電鍍法而形成的導電鍍層(銅鍍層)。

就第2黑化層而言，厚度為0.02μm，並含有鎳、銅、鎳氧化物、及銅氧化物。

就第1黑化層和第2黑化層而言，都使用在氬氣中添加了氧氣的環境並藉由反應性濺射法進行了成膜。

準備了就第1黑化層和第2黑化層而言相同積層體基板具有相同的組成，並且，第1黑化層表面的反射率為10%、14%、及20%的3種不同的積層體基板。需要說明的是，如表8所示，在實驗例7-1和實驗例7-4中使用了第1黑化層表面的反射率為10%的積層體基板，在實驗例7-2和實驗例7-5中使 用了第1黑化層表面的反射率為14%的積層體基板，在實驗例7-3和實驗例7-6中使用了第1黑化層表面的反射率為20%的積層體基板。

就第1黑化層和第2黑化層而言，在各實驗例中，為了使第1黑化層表面的反射率為上述值，根據預先進行了的試驗，對成膜條件，具體而言，對施加至鎳-銅合金鈀的電壓和環境進行了調整，並進行了成膜。

第1黑化層表面的反射率是指，如上所述第1黑化層表面的波長為400nm以上且700nm以下的光的反射率的平均值。

將所準備的積層體基板切斷為任意尺寸之後，實施了阻劑配置步驟。具體而言，在第2黑化層的表面上採用層壓法貼附了乾膜阻劑(旭化成股份有限公司製，品名：ATP-053)，由此形成了感光性阻劑層(感光性阻劑層形成階段)。接下來，藉由對感光性阻劑層進行紫外線曝光，並對未曝光部分進行顯影，形成了具有互相平行的複數個直線形狀的阻劑圖案(阻劑圖案形成階段)。需要說明的是，就阻劑圖案而言，相鄰的線的間隔為0.1mm，線的寬度(阻劑寬度)為16μm。

針對在第2黑化層的表面上形成了阻劑圖案的積層體基板，實施了以下的圖案化步驟。需要說明的是，在各步驟之間對積層體基板進行了清洗。

實驗例7-1~實驗例7-3中，在以下的條件下實施了圖案化步驟。

作為第1蝕刻液，準備了濃度為25質量%且溫度為30℃的氯化鐵溶液。接下來，將所準備的積層體基板浸漬在第1蝕刻液中10秒，由此進行了導電層和第2黑化層的蝕刻(導電層蝕刻階段)。

之後，作為第2蝕刻液，準備了濃度為25質量%且溫度為30℃的鹽酸水溶液。然後，將所準備的積層體基板浸漬在第2蝕刻液中20秒，由此進 行了第1黑化層的蝕刻(第1黑化層蝕刻階段)。第2蝕刻液的銅離子濃度和鐵離子濃度都為0。

實驗例7-4~實驗例7-6中，在以下的條件下實施了圖案化步驟。

作為第1蝕刻液，準備了濃度為25質量%且溫度為30℃的氯化鐵溶液。接下來，將所準備的積層體基板浸漬在第1蝕刻液中50秒，由此進行了第1黑化層、導電層、及第2黑化層的蝕刻。

需要說明的是，實驗例7-4~實驗例7-6中，沒有進行利用第2蝕刻液的蝕刻。

在各實驗例中實施了上述的圖案化步驟之後，浸漬在濃度為5質量%且溫度為40℃的氫氧化鈉水溶液中60秒，使阻劑圖案膨潤、剝離並將其除去之後，進行了清洗和乾燥，由此獲得了透明導電性基板。

針對所獲得的透明導電性基板，採用SEM，對從導電配線層伸出的第1黑化配線層的伸出寬度L的最大值進行了評價。

評價結果示於表8。此外，圖9和圖10分別示出了實驗例7-1和實驗例7-6的導電配線層周邊的SEM圖像。

〔表8〕

可確認到，在實驗例7-1~實驗例7-3中，不存在第1黑化層的殘渣，並可進行導電配線層無剝離和/或欠損的良好的蝕刻。此外，如表7所示，還可確認到，在實驗例7-1~實驗例7-3所獲得的透明導電性基板中，第1黑化配線層的伸出寬度L為0.5μm以下。例如，如圖9所示，確認到了，在實驗例7-1的透明導電性基板的SEM圖像中，基本上僅能觀察到透明基材91和第2黑化配線層92，不能看到自被第2黑化配線層92覆蓋的導電配線層的第1黑化配線層的伸出。

另一方面，確認到了，在實驗例7-4和實驗例7-5中，第1黑化層沒有被蝕刻，在整個表面上都殘留了下來。此外，還確認到了，在實驗例7-6中，第1黑化層的平均反射率較高，故，與實驗例7-4和實驗例7-5相比，對於蝕刻液的反應性較高，可對一部分進行除去。然而，如圖10所示，也確認 到了，就第1黑化配線層103而言，其從被透明基材101上配置的第2黑化配線層102所覆蓋的導電配線層進行了伸出，並且第1黑化配線層的伸出寬度L的最大值為0.9μm。

以上對透明導電性基板的製造方法和透明導電性基板藉由實施方式和實施例等進行了說明，但本發明並不限定於上述實施方式和實施例等。在申請專利範圍記載的本發明的主旨的範圍內，還可進行各種各樣的變形和變更。

本申請主張基於2017年5月29日向日本專利廳申請的特願2017-105836號和2017年7月25日向日本專利廳申請的特願2017-143963號的優先權，並將特願2017-105836號和特願2017-143963號的內容全部引用於本申請。

11‧‧‧透明基材

22‧‧‧導電配線層

23‧‧‧第1黑化配線層

Claims (10)

1. 一種透明導電性基板的製造方法，具有圖案化步驟，該圖案化步驟對積層體基板的積層體進行圖案化，該積層體基板包含透明基材和該積層體，該積層體配置在該透明基材的至少一個表面上且從該透明基材側依次積層有含有鎳、銅、及鎳氧化物的第1黑化層、及含有銅的導電層，該圖案化步驟具有：藉由可溶解銅的第1蝕刻液對該導電層進行蝕刻的導電層蝕刻階段；及藉由含有氯化物離子和水的第2蝕刻液對該第1黑化層進行蝕刻的第1黑化層蝕刻階段，該第2蝕刻液的氯化物離子濃度以鹽酸換算計為10質量%以上。
2. 如請求項1所述之透明導電性基板的製造方法，其中，該積層體在該導電層的與該第1黑化層相對的表面的相反側的表面上還具有含有鎳和銅的第2黑化層，在該導電層蝕刻階段中，藉由該第1蝕刻液對該導電層和該第2黑化層進行蝕刻。
3. 如請求項1所述之透明導電性基板的製造方法，其中，該積層體在該導電層的與該第1黑化層相對的表面的相反側的表面上還具有含有鎳和銅的第2黑化層，該圖案化步驟在該導電層蝕刻階段之前還具有藉由該第2蝕刻液對該第2黑化層進行蝕刻的第2黑化層蝕刻階段。
4. 如請求項1至3中任一項所述之透明導電性基板的製造方法，其中，該第2蝕刻液含有從氯化鐵和氯化銅中選出的1種以上。
5. 如請求項1至3中任一項所述之透明導電性基板的製造方法，其 中，該第2蝕刻液含有鹽酸和水，鹽酸的濃度為10質量%以上且37質量%以下，銅離子濃度為0.4質量%以下。
6. 如請求項1至3中任一項所述之透明導電性基板的製造方法，其中，該第2蝕刻液含有鹽酸和水，鹽酸的濃度為10質量%以上且37質量%以下，鐵離子濃度為0.2質量%以下。
7. 如請求項1至3中任一項所述之透明導電性基板的製造方法，其中，在該圖案化步驟之前，還具有：在該積層體的與該透明基材相對的表面的相反側的表面即露出表面上配置阻劑(resist)的阻劑配置步驟，該阻劑配置步驟具有：在該露出表面上形成感光性阻劑層的感光性阻劑層形成階段；及根據欲形成的阻劑圖案對該感光性阻劑層進行紫外線曝光，並對未曝光部分進行顯影，由此形成阻劑圖案的阻劑圖案形成階段。
8. 一種透明導電性基板，具有：透明基材；及配置在該透明基材的至少一個表面上的金屬細線，該金屬細線為從該透明基材側依次積層有含有鎳、銅、及鎳氧化物的第1黑化配線層、及含有銅的導電配線層之積層體，在從與該透明基材的一個表面垂直的方向觀察的情況下，從該導電配線層 伸出的該第1黑化配線層的伸出寬度為0.5μm以下。
9. 如請求項8所述之透明導電性基板，其中，該金屬細線在該導電配線層的與該第1黑化配線層相對的表面的相反側的表面上還具有含有鎳和銅的第2黑化配線層。
10. 如請求項8或9所述之透明導電性基板，其中，該第1黑化配線層的波長為400nm以上且700nm以下的光的反射率的平均值為15%以下。

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