TWI772134B - 無電解金(i)鍍覆浴及無電解金(i)鍍覆原液 - Google Patents
無電解金(i)鍍覆浴及無電解金(i)鍍覆原液 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI772134B TWI772134B TW110128553A TW110128553A TWI772134B TW I772134 B TWI772134 B TW I772134B TW 110128553 A TW110128553 A TW 110128553A TW 110128553 A TW110128553 A TW 110128553A TW I772134 B TWI772134 B TW I772134B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- gold
- plating
- plating bath
- hydantoin
- electroless gold
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/42—Coating with noble metals
- C23C18/44—Coating with noble metals using reducing agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/54—Contact plating, i.e. electroless electrochemical plating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/20—Recycling
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
[課題]本發明之目的在於提供一種不含氰化物且可藉由錯合性乙內醯脲系化合物穩定保持1價金(I)離子的置換型無電解金(I)鍍覆浴及還原型無電解金(I)鍍覆浴,以及提供一種藉由錯合性乙內醯脲系化合物穩定保持高濃度1價金(I)離子而能夠長期保存的無電解金(I)鍍覆原液。
[解決手段]藉由在包含1價金(I)離子的無電解金(I)鍍覆浴以及無電解金(I)鍍覆原液中摻合5,5-二甲基乙內醯脲等的錯合性乙內醯脲系化合物而形成穩定之1價金(I)錯合物,藉此形成穩定之無電解金(I)鍍覆浴、無電解金(I)鍍覆原液。
Description
本發明係關於不含氰化物的置換型無電解金(I)鍍覆浴、還原型無電解金(I)鍍覆浴及無電解金(I)鍍覆原液。本發明的無電解金(I)鍍覆浴及無電解金(I)鍍覆原液,尤其適用於被鍍覆金屬為銅、鎳、鈀等金屬以及其合金、或是具有此等金屬或其合金之皮膜的塑膠基板或陶瓷基板等。
無電解金鍍覆浴一般具有下述兩種:不使用還原劑的置換型無電解金鍍覆浴、以及使用還原劑的還原型無電解金鍍覆浴。無電解金鍍覆浴,皆不需要外部的電能。以置換型無電解金鍍覆浴所進行的置換金鍍覆方法,係藉由浸漬於置換型無電解金鍍覆浴中的被鍍覆物表面的底層金屬與無電解鍍覆浴中之金離子的置換反應來進行。置換金鍍覆方法中,藉由底層金屬溶解,而置換鍍覆浴中的金離子在底層金屬上還原成金(金屬),而所析出的金進行堆積。另一方面,以還原型無電解金鍍覆浴所進行的還原金鍍覆方法,係利用了使用還原劑之還原反應的鍍覆方法。藉由還原劑,還原鍍覆浴中的金離子在底層金屬上還原成金,而所析出的金進行堆積。
使用置換型無電解金鍍覆浴的置換金鍍覆方法中,是利用電化學的置換反應,以被鍍覆金屬相對於來自溶液之析出金屬的氧化還原電位(對標準氫電極)差作為驅動力,使溶液中的金屬析出。亦即,置換金鍍覆方法與自觸媒性的無電解鍍覆法及添加還原劑而強制使金還原的還原金鍍覆方法有所不同。置換金鍍覆方法,係使相較析出金屬為卑金屬(base matel)的被鍍覆金屬浸漬於包含作為貴金屬(noble matel)的析出金屬之化合物的溶液中或使其接觸,而以卑金屬的被鍍覆金屬作為陽極、以貴金屬的析出金屬作為陰極,而將貴金屬的析出金屬賦予至卑金屬的被鍍覆金屬上的鍍覆方法。置換鍍覆反應係由析出金屬與被鍍覆金屬的電位差所驅動,而僅在露出的被鍍覆金屬之區域發生反應。若析出金屬被覆露出區域的整個面,則置換鍍覆反應停止。另外,置換金鍍覆方法有時會作為所謂的置換還原金鍍覆浴(無電解金鍍覆浴的一種)的初期反應使用,其係在置換型無電解金鍍覆浴中添加還原劑,在置換鍍覆反應停止後,接續轉移至還原鍍覆反應。
金屬的氧化還原電位(對標準氫電極)及半反應式已廣為人知,如下表1所示。兩金屬間的氧化還原電位差越大,則具有置換反應越快的傾向。如表1明確顯示,1價金(I)離子氧化還原電位最高,大致上為+1.7E
0[V]。因此銅、鎳、鈀等其他金屬與1價金(I)離子會進行置換反應。而且,1價金(I)離子只需要1個電子即可還原成金屬金(0),因此具有析出速度比需要3個電子的3價金(III)離子更快的優點。
【表1】
金屬的種類 | 半反應式 | 氧化還原電位E0[V] |
金(I) | Au + + e- ⇆ Au 0 | +1.692 |
金(III) | Au 3+ + 3e- ⇆ Au 0 | +1.498 |
鉑(II) | Pt 2+ + 2e- ⇆ Pt 0 | +1.180 |
鈀(II) | Pd 2+ + 2e- ⇆ Pd 0 | +0.951 |
銀(I) | Ag + + e- ⇆ Ag 0 | +0.800 |
銅(II) | Cu 2+ + 2e- ⇆ Cu 0 | +0.342 |
鈷(II) | Co 2+ + 2e- ⇆ Co 0 | -0.280 |
鎳(II) | Ni 2+ + 2e- ⇆ Ni 0 | -0.257 |
鐵(II) | Fe 2+ + 2e- ⇆ Fe 0 | -0.447 |
置換型無電解金鍍覆反應中,相較於1價金(I)離子,3價金(III)離子會在鍍覆浴中於被鍍覆物表面上溶出更多的金屬。只要藉由適量的罩護劑確實地捕捉所溶出之金屬離子,就不太會有問題。然而,隨著已溶出之金屬離子的濃度上升,必須增加罩護劑濃度,又具有被鍍覆物的金屬逐漸被腐蝕的傾向,因此具有密合不良及對於各種可靠度具有不良影響的潛在危險性。因此,置換型無電解金鍍覆浴中,相較於使用3價金(III)離子,就析出速度、皮膜可靠度、鍍覆浴的壽命等而言,使用1價金(I)離子可說是較為有利。另一方面,置換型無電解金鍍覆浴中的1價金(I)離子,因為存在不均勻反應(3Au
+→ 2Au
0+ Au
3+),而有鍍覆浴穩定性方面的課題。因此有人研究一種對於從1價金(I)離子及被鍍覆物表面之金屬溶出的金屬離子之濃度變化呈現穩定的金化合物,目前僅專注於使用氰化金(I)化合物。
例如,日本特開2003-13248號公報(後述專利文獻1)中記載用以在表面具有金屬的被鍍覆物上進行無電解金鍍覆的無電解金鍍覆液之發明,其中實施例揭示一種金鍍覆液,其係由(A)氰化亞金鉀(gold(I) potassium cyanide):2g/L(作為金離子)、(B)乙二胺四亞甲基膦酸:0.15莫耳/L、及(C)聚乙亞胺(分子量2000):5g/L,pH:7.0所構成。然後,相同公報的段落0036中記載了「將對於銅板實施厚度約5μm之無電鍍鎳者作為試片,於液溫90℃進行金鍍覆」。然而,氰化物對於人體極為危險,因此已開始研究不含氰化物的非氰系置換金鍍覆液。
例如,日本再表
2004-108987號公報(後述專利文獻2)的表1中揭示了一種置換型無電解鍍覆液,其液體組成係由作為1價金化合物的亞硫酸金鈉:1g/L(金)、作為添加劑的焦亞硫酸鈉:5g/L、作為穩定劑的亞硫酸鈉:5g/L、作為錯合劑的乙二胺四乙酸:10g/L、以及作為pH緩衝劑的磷酸二氫鈉:30g/L所構成。相同公報的實施例中記載了下述主旨:使用該鍍覆液進行處理時間為10分鐘的置換型無電解鍍覆,結果在覆銅印刷電路板上得到無孔蝕的膜厚0.05μm之金鍍覆。此外,已知該置換型無電解金鍍覆液,會因為空氣中的氧而輕易氧化進而發生液體分解。例如具有下述缺點:若對於該無電解金鍍覆液進行空氣攪拌或循環攪拌,則會在該無電解鍍覆液的鍍覆槽壁等析出微細的金粒子。又具有下述課題:若對於大量的被鍍覆金屬進行置換金鍍覆作業,則該置換型無電解鍍覆液的組成有所變動,因而導致金鍍覆的膜厚不均勻程度變大。換言之,在包含1價亞硫酸金鈉的置換型無電解金(I)鍍覆浴中,1價金離子難以呈穩定的狀態存在於鍍覆浴中。
另一方面,5,5-二甲基乙內醯脲因為與金形成穩定的錯合物,因此將乙內醯脲類用於電解金鍍覆液已為人所知。例如,日本特開2000-355792號公報(後述專利文獻3)中揭示一種非氰電解金鍍覆液,其特徵為含有乙內醯脲系化合物作為螯合劑,而說明書中記載了將5,5-二甲基乙內醯脲用作螯合劑的實施例。此非氰系的電解金鍍覆液,具有在鍍金處理中不會發生金的沉澱而可使鍍覆液維持極為穩定之狀態的效果。這是因為該螯合劑形成金之錯合物的能力優良,不易因為熱分解或電解處理而引發自分解。
又,日本特開2005-256072號公報(後述專利文獻4)的說明書中記載了在將氯金酸添加至二甲基乙內醯脲水溶液而成的第1實施型態之金錯合物溶液(金濃度為15g/L)中進行電鍍。此等的電解金鍍覆液中,5,5-二甲基乙內醯脲與金離子在水溶液中形成穩定的金錯合物。此等的電解金鍍覆液中,即使藉由外部能量從鍍覆液中電鍍金,由螯合劑而來的金錯合物或二甲基乙內醯脲等配位而成的金錯合物亦可在金電鍍液中保持穩定。這是因為此等乙內醯脲系化合物配位於金離子的周圍而生成穩定的錯離子。
另一方面,在無電解金鍍覆液中,由5,5-二甲基乙內醯脲而來的3價金錯合物亦為穩定。因此,若在包含5,5-二甲基乙內醯脲之金錯合物的無電解金鍍覆浴中進行無電鍍金,必須使用強力的還原劑。此外,若在包含穩定之金錯合物的無電解金鍍覆浴中使用強力的還原劑,則具有還原型無電解金鍍覆浴的壽命驟減、金析出物的粒子變粗或是金鍍覆皮膜的外觀發生不均勻這樣的缺點。另一方面,1價金(I)乙內醯脲在粉末狀態為穩定的化合物,但本案發明人研究後得知, 1價金(I)乙內醯脲錯合物在在水溶液中並不穩定。例如,若使金(I)乙內醯脲成為水溶液而在室溫放置數天,則可看到金微粒子的沉澱。推測是因為金(I)乙內醯脲錯合物裂解,結果因為乙內醯脲的氧化導致金還原析出。如此,在不含氰的無電解金鍍覆浴中,目前為止尚未開發出實用的鍍覆浴。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2003-13248號公報
[專利文獻2]日本再表2004-108987號公報
[專利文獻3]日本特開2000-355792號公報
[專利文獻4]日本特開2005-256072號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明係鑒於上述情事發想而完成,目的在於提供一種在無電解金鍍覆浴中藉由錯合性乙內醯脲系化合物將1價金(I)離子保持於穩定狀態,而可穩定實施置換金鍍覆作業及還原金鍍覆作業的置換型無電解金(I)鍍覆浴及還原型無電解金(I)鍍覆浴。又,本發明的無電解金鍍覆浴,目的在於提供一種藉由錯合性乙內醯脲系化合物將由還原性乙內醯脲化合物而來的源自3價金(III)化合物的1價金(I)離子保持在穩定狀態,而可穩定實施置換金鍍覆作業及還原金鍍覆作業的置換型無電解金(I)鍍覆浴及還原型無電解金(I)鍍覆浴。
再者,目的在於提供一種藉由包含多胺類及/或既定添加劑更穩定地保持無電解金(I)鍍覆浴而可進行穩定的置換金鍍覆作業及還原金鍍覆作業的置換型無電解金(I)鍍覆浴及還原型無電解金(I)鍍覆浴。尤其是藉由5,5-二甲基乙內醯脲使1價金(I)離子形成金(I)錯合物,可更穩定地保持本發明之無電解金(I)鍍覆浴。又,在本發明的無電解金(I)鍍覆浴中,可藉由錯合性乙內醯脲系化合物更穩定地保持由乙內醯脲或甲基乙內醯脲而來的源自3價金(III)化合物的1價金(I)離子。又,可以由還原性乙內醯脲化合物而來的源自3價氯金(III)酸的1價金(I)離子更穩定地保持本發明的無電解金(I)鍍覆浴。
又,本發明之目的在於提供一種藉由錯合性乙內醯脲系化合物使高濃度的1價金(I)離子保持在穩定狀態,藉此能夠長期保存的無電解金(I)鍍覆原液。又,本發明之目的在於提供一種藉由錯合性乙內醯脲系化合物使由還原性乙內醯脲化合物而來的源自3價金(III)化合物的1價金(I)離子保持在更穩定的狀態,藉此能夠長期保存的無電解金(I)鍍覆原液。此等無電解金(I)鍍覆原液,可用於本發明的置換型無電解金(I)鍍覆浴及還原型無電解金(I)鍍覆浴。
[解決課題之手段]
(1)為了達成上述目的,本發明之非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴,其係於包含電化學上相較於被鍍覆物為貴金屬之金離子的鍍覆液浸漬該被鍍覆物以鍍金的置換型無電解金鍍覆浴,該金離子為1價金(I)離子,且包含錯合性乙內醯脲系化合物,該鍍覆浴的pH=6~12。
(2)又,為了達成上述目的,本發明之非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴,其係於包含電化學上相較於被鍍覆物為貴金屬之金離子的鍍覆液浸漬該被鍍覆物鍍金的置換型無電解金鍍覆浴,包含錯合性乙內醯脲系化合物,該金離子係由還原性乙內醯脲化合物而來的源自3價金(III)化合物的1價金(I)離子,該鍍覆浴的pH=6~12。
(3)又,為了達成上述目的,本發明之非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴,其係將被鍍覆物浸漬於包含金離子及還原劑的鍍覆液,而對於該被鍍覆物鍍金的還原型無電解金鍍覆浴,該金離子為1價金(I)離子,且包含錯合性乙內醯脲系化合物,該鍍覆浴的pH=6~12。
(4)又,為了達成上述目的,本發明之非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴,其係將被鍍覆物浸漬於包含金離子及還原劑的鍍覆液,而對於該被鍍覆物鍍金的還原型無電解金鍍覆浴,包含錯合性乙內醯脲系化合物,該金離子係由還原性乙內醯脲化合物而來的源自3價金(III)化合物的1價金(I)離子,該鍍覆浴的pH=6~12。
(5)又,為了達成上述目的,本發明之非氰系無電解金(I)鍍覆原液,係用於無電解金(I)鍍覆浴的金鍍覆原液,其中包含1價金(I)離子及錯合性乙內醯脲系化合物,該鍍覆浴的pH=8~14。
(6)又,為了達成上述目的,本發明之非氰系無電解金(I)鍍覆原液,係用於無電解金(I)鍍覆浴的無電解金鍍覆原液,其包含錯合性乙內醯脲系化合物以及由還原性乙內醯脲化合物而來的源自3價金(III)化合物的1價金(I)離子,該鍍覆浴的pH=8~14。
(7)在(1)至(4)任一項中,更包含多胺類。
(8)在(1)至(4)任一項中,前述錯合性乙內醯脲系化合物為5,5-二甲基乙內醯脲。
(9)在(2)或(4)中,前述還原性乙內醯脲化合物為乙內醯脲或1-甲基乙內醯脲。
(10)在(2)或(4)中,前述3價金(III)化合物為3價的氯金(III)酸。
(11)在(3)或(4)中,更包含由硫代硫酸及其化合物、亞硫酸及其化合物、以及磷酸及其化合物之中的至少1種以上的化合物所構成之添加劑。
本案發明人為了解決上述課題,詳細研究乙內醯脲類,結果得到下述見解:藉由在乙內醯脲類之中與不穩定之1價金(I)離子形成錯合物,可在無電解金(I)鍍覆浴中保持穩定狀態。本說明書中,將這種乙內醯脲類稱為錯合性乙內醯脲系化合物。此錯合性乙內醯脲系化合物若存在於無電解金(I)鍍覆浴中,則1價金(I)離子不會還原成0價金(0)金屬而可保持穩定狀態。此錯合性乙內醯脲系化合物,僅與金離子展現錯合物形成作用,對於其他金屬離子則不展現錯合物形成作用。本案發明人尤其發現,非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴及還原型無電解金(I)鍍覆浴中,5,5-二甲基乙內醯脲無論是對於1價金(I)離子還是對於3價金(III)離子皆會形成穩定的錯合物。亦即得知,5,5-二甲基乙內醯脲與1價金(I)離子進行錯合作用,無論進行置換金鍍覆作業或是還原鍍覆作業,皆可維持穩定的錯合物。
又,本案發明人發現,在乙內醯脲類之中,於錯合性乙內醯脲系化合物的存在下會對3價金(III)離子展現還原作用,而還原成1價金(I)離子。例如,得知在非氰系置換型無電解金鍍覆浴及還原型無電解金鍍覆浴中若存在5,5-二甲基乙內醯脲,則在乙內醯脲類之中展現將3價金(III)酸離子還原成1價金(I)離子的作用。這樣的乙內醯脲類,藉由自身氧化而對於3價金(III)離子展現還原作用。本說明書中將展現這種還原作用的乙內醯脲類稱為「還原性乙內醯脲化合物」。另外,還原性乙內醯脲化合物對於1價金(I)離子並不展現還原作用。
本說明書中,如上所述,將對於1價金(I)離子展現穩定之錯合物形成作用的乙內醯脲類稱為「錯合性乙內醯脲系化合物」,避免與已知具有錯合物形成作用的習知乙內醯脲類混淆。「還原性乙內醯脲化合物」這樣的用語,亦是為了避免與已知的乙內醯脲類混淆而使用。又,本說明書中的「無電解金(I)鍍覆浴」,係置換型無電解金(I)鍍覆浴及還原型無電解金(I)鍍覆浴的統稱。
錯合性乙內醯脲系化合物與還原性乙內醯脲化合物在無電解金鍍覆液中共存的情況,在pH=6~12的範圍中,兩者並不展現相互作用。若在兩者共存的水溶液中添加3價的氯金(III)酸,首先還原性乙內醯脲化合物會起作用而將3價的氯金(III)酸離子還原成1價金(I)離子。又得知在非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴中,還原性乙內醯脲化合物所造成的3價金之還原作用,比5,5-二甲基乙內醯脲所造成的3價金之錯合物形成作用更為優先。這樣的還原反應係單向進行,並不會發生逆反應。然後,錯合性乙內醯脲系化合物配位於經還原的1價金(I)離子而形成穩定的錯離子。本說明書中,將如此還原而成的1價金(I)離子稱為「由還原性乙內醯脲化合物而來的源自3價金(III)化合物的1價金(I)離子」。對於這種1價金(I)離子,還原性乙內醯脲化合物並不會展現出使其成為0價金(0)的還原作用。
另一方面,伴隨著這種金的還原作用,在無電解金鍍覆作業中,本發明的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴及非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴是穩定的。已知乙內醯脲化合物僅強力作用於無電解金鍍覆浴中的金離子,而與其他金屬離子,例如被鍍覆金屬的金屬離子等不會強力作用。溶出的被鍍覆金屬的金屬離子即使存在於溶液中,因為5,5-二甲基乙內醯脲等錯合性乙內醯脲系化合物形成金之錯合物的作用,亦不會在本發明的非氰系無電解金鍍覆浴中析出金微粒子。又,與一般的無電解鍍覆浴相同,已知本發明的非氰系無電解金鍍覆浴中,除了上述多胺類及添加劑以外,亦可包含結晶調整劑、被置換之被鍍覆金屬的罩護劑、pH緩衝劑、pH調整劑等各種添加成分。
[發明之效果]
根據本發明的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴及非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴,具有下述效果:不含氰化物、例如即使安裝基板之銅墊的面積不同其膜厚不均亦少、可以快速的析出速度形成緻密的金皮膜。此外,根據本發明的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴及非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴,具有下述效果:可在pH值6以上的中性~鹼性的範圍內長期保持穩定狀態。又,具有下述效果:可製造能夠將3價金(III)化合物還原成1價金(I)離子並且穩定保持的非氰系無電解金(I)鍍覆浴。
根據本發明的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴,具有可提供穩定之非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴的效果。又,根據本發明的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴,具有可提供即使是具有各種被鍍覆面積之底層的被鍍覆金屬亦可得到較少膜厚不均之金皮膜的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴。又,具有可提供形成亮黃色(檸檬黃)緻密金皮膜的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴的效果。
又,根據本發明的非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴,具有可提供穩定之非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴的效果。又,根據本發明的非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴,具有可提供即使是具有各種被鍍覆面積之底層的被鍍覆金屬亦可得到較少膜厚不均之金皮膜的非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴的效果。又,具有可提供形成亮黃色(檸檬黃)緻密金皮膜的非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴的效果。
根據本發明的非氰系無電解金(I)鍍覆原液,具有可提供長期穩定的無電解金(I)鍍覆浴用原液的效果。已知在包含錯合性乙內醯脲系化合物的鹼溶液中,即使金離子濃度高亦可以長期穩定的溶液保存。已知包含高濃度金的本發明之非氰系無電解金(I)鍍覆原液,相較於將其稀釋而成的置換型無電解金(I)鍍覆浴及還原型無電解金(I)鍍覆浴,長期保存性更為優良,不會發生金的沉澱。因為此鍍覆原液所包含的金濃度高,因此具有可降低配送成本及保管成本的效果。又具有下述效果:只要將此鍍覆原液稀釋並調整pH,即可建置本發明的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴及非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴。又,根據本發明的非氰系無電解金(I)鍍覆原液,可防止在從稀釋以建置本發明之無電解金鍍覆浴到開始進行無電解鍍覆作業之間因為大氣氧化而導致無電解金鍍覆浴劣化。又,若使用將此鍍覆原液稀釋而成的無電解金鍍覆浴,則具有在建置鍍覆浴後可立即進行無電解金鍍覆作業的效果。又,若使用本發明的鍍覆原液,則具有即使是在大氣中容易氧化的不穩定之無電解金鍍覆浴亦可適量稀釋使用的效果。
根據使用本發明之無電解金(I)鍍覆浴的非氰系無電解金(I)鍍覆方法,具有可提供析出速度快的無電解金(I)鍍覆方法的效果。又,根據使用本發明之無電解金(I)鍍覆浴的非氰系無電解金(I)鍍覆方法,具有可提供即使是具有各種被鍍覆面積的金屬底層亦能夠得到較少膜厚不均之金皮膜的無電解金(I)鍍覆方法的效果。
又例如,根據使用本發明之非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆方法,具有可在不引起不穩定之1價金(I)離子之不均化反應的情況下持續進行置換金鍍覆作業的效果。又,根據使用本發明之非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴的非氰系還原型無電解金(I)鍍覆方法,具有可在不引起不穩定之1價金(I)離子之不均化反應的情況下持續進行還原金鍍覆作業的效果。
以下一併詳細說明用以實施本發明之非氰系無電解金(I)鍍覆浴的型態與使用本發明之無電解金(I)鍍覆浴的無電解金鍍覆方法。
<無電解金(I)鍍覆浴>
本發明的非氰系無電解金(I)鍍覆浴,其主旨在於:金離子為1價金(I)離子,且包含錯合性乙內醯脲系化合物,其pH=6~12。
本發明的錯合性乙內醯脲系化合物與1價金(I)離子保持穩定狀態,因此在無電解金鍍覆的析出作業中,不會再次形成3價金(III)離子。特別是還原性乙內醯脲化合物會將3價金(III)化合物還原成1價金(I)離子,因此不會因為逆反應而從1價金(I)離子形成3價金(III)離子。即使形成3價金(III)離子,亦會因為還原性乙內醯脲化合物而再次成為源自3價金(III)化合物的1價金(I)離子。
金離子
本發明的非氰系無電解金(I)鍍覆原液中,金離子與非氰化合物的錯合性乙內醯脲系化合物形成穩定的金錯合物。對離子為F
-、Cl
-、Br
-、I
-的鹵素離子等,並未特別限定。錯合性乙內醯脲系化合物,亦與鹵化金離子等形成穩定之金錯合物。無電解金(I)鍍覆原液中的金離子為高濃度,因此較佳地為更穩定的金錯合物。此處,所謂「穩定的金錯合物」,係指至少在無電解金鍍覆作業開始前形成穩定之金錯合物的金錯合物。
尤其是在本發明的非氰系無電解金(I)鍍覆浴中,1價的水溶性金(I)離子與非氰化合物的5,5-二甲基乙內醯脲等的錯合性乙內醯脲系化合物形成穩定之金(I)錯合物。1價金(I)離子的對離子為F
-、Cl
-、Br
-、I
-的鹵素離子等,並未特別限定。1價金(I)離子,可藉由還原性乙內醯脲化合物從3價金(III)離子生成。3價金(III)離子較佳係源自3價的氯金(III)酸。又,若3價的鹵化金(III)經由1價的5,5-二甲基乙內醯脲金(I)錯合物而還原析出成0價金(0),則鹵素離子會蓄積於無電解金(I)鍍覆浴中。然而已知此等鹵素離子雖溶解於pH=6~12之中性~鹼性溶液中,但對於本發明的非氰系無電解金(I)鍍覆浴並無不良影響。
錯合性乙內醯脲系化合物
本發明的非氰系無電解金(I)鍍覆浴中,錯合性乙內醯脲系化合物可溶於pH=6~12之中性~鹼性溶液。又,本發明的非氰系無電解金(I)鍍覆原液中,錯合性乙內醯脲系化合物亦可溶於pH=8~14的鹼性溶液。
錯合性乙內醯脲系化合物為5,5-二甲基乙內醯脲、1,5,5-三甲基乙內醯脲、5,5-二甲基-2,4-㗁唑啶二酮等。尤其是5,5-二甲基乙內醯脲,已知其在本發明的非氰系無電解金(I)鍍覆浴中相對於1價金(I)離子形成穩定之錯合物。據認為5,5-二甲基乙內醯脲(2分子),其3位的氮原子(2個)與1價的水溶性金(I)離子(1個)作用而形成穩定之金(I)錯合物。
若補充1價金(I)離子,則5,5-二甲基乙內醯脲可與1價金(I)離子不限次數地形成穩定之金(I)錯合物。又,已知錯合性乙內醯脲系化合物不會與銅、鈀或鎳等金以外的金屬發生形成錯合物之類的作用。例如,若對於本發明的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴補充1價金(I)離子,則可重複進行置換金鍍覆作業。已知若在本發明的非氰系無電解金(I)鍍覆浴中使用5,5-二甲基乙內醯脲等錯合性乙內醯脲系化合物,則即使鍍覆液中的1價金(I)離子濃度減少,亦可穩定進行析出速度快的無電解金鍍覆作業。
還原性乙內醯脲化合物
還原性乙內醯脲化合物可溶於pH=6~12之中性~鹼性溶液。又,本發明的非氰系無電解金(I)鍍覆原液中,還原性乙內醯脲化合物亦可溶於pH=8~14的鹼性溶液。另外,若將市售的1價金(I)乙內醯脲錯合物粉末形成pH小於6的水溶液,乙內醯脲會因為大氣中的氧而分解,導致金微粒子沉澱。還原性乙內醯脲化合物為例如乙內醯脲、1-甲基乙內醯脲、3-甲基乙內醯脲、5-甲基乙內醯脲、5-乙基乙內醯脲、1,3-二甲基乙內醯脲等。
已知本發明的非氰系無電解金(I)鍍覆浴中,還原性乙內醯脲化合物可將3價的水溶性金(III)離子還原成1價的水溶性金(I)離子。另一方面,已知還原性乙內醯脲化合物不會將1價金(I)離子還原成0價金(0)。又,已知還原性乙內醯脲化合物對於銅、鈀及鎳等金以外的金屬不會展現還原作用。若相對於3價的水溶性金(III)離子添加過量的還原性乙內醯脲化合物,則可將其全部還原成1價金(I)離子,若添加少量的還原性乙內醯脲化合物,則可還原成預期量的金(I)離子。這樣的還原性乙內醯脲化合物所造成的還原作用,據認為係因為乙內醯脲環的5位之碳原子釋放出氫原子、亦即所謂的烯醇化之氧化反應所造成的作用。有助於還原的還原性乙內醯脲化合物會殘留於無電解金(I)鍍覆浴中。
本發明的非氰系無電解金(I)鍍覆浴中,還原性乙內醯脲化合物會因為大氣中的氧而分解,因此需要錯合性乙內醯脲系化合物來穩定保持金(I)離子。即使錯合性乙內醯脲系化合物共存,還原性乙內醯脲化合物亦未表現出相互作用。又,已知對於3價的水溶性金(III)離子,還原性乙內醯脲化合物的還原作用比5,5-二甲基乙內醯脲等的錯合性乙內醯脲系化合物的錯合作用更為優先。又,錯合性乙內醯脲系化合物及還原性乙內醯脲化合物,可在本發明的無電解金鍍覆用非氰系無電解金(I)鍍覆原液、非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴及非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴中共存。
若詳細敘述,在5,5-二甲基乙內醯脲等錯合性乙內醯脲系化合物的共存下,乙內醯脲等還原性乙內醯脲化合物將3價的水溶性金(III)離子還原成1價的水溶性金(I)離子。還原而成的1價金(I)離子與錯合性乙內醯脲系化合物形成穩定的錯合物。錯合性乙內醯脲系化合物,並未與3價水溶性金(III)離子的還原直接相關,但藉由其錯合作用可穩定保持所生成之1價水溶性金(I)離子。藉由還原性乙內醯脲化合物的還原作用,在本發明的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴及非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴等中,生成源自3價金(III)離子的1價金(I)離子之錯合物。另一方面,若錯合性乙內醯脲系化合物不存在,則所生成之1價金(I)離子無法形成穩定之金(I)錯合物。還原析出的金屬金或金(I)化合物在鍍覆浴中作為粒子而沉澱。
多胺類
本發明的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴及非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴中,較佳係包含多胺類的結晶調整劑。藉由多胺類可更穩定地保持這樣的金(I)錯合物。又,多胺類可使析出的金變得緻密。作為多胺類,可列舉:乙二胺、二伸乙三胺、三伸乙四胺、五伸乙六胺、六亞甲基二胺、乙二胺四亞甲基磷酸、二伸乙三胺五亞甲基磷酸、胺基三亞甲基磷酸、二胺基二丙胺、N,N’-雙(3-胺基丙基)乙二胺、胺基三亞甲基磷酸五鈉鹽等,但不限定於此等。又,可列舉哌𠯤、咪唑啶、吡唑啶等環狀多胺,亦包含此等多胺類的鹽。作為多胺類之鹽的例子,可列舉硫酸鹽、鹽酸鹽、硝酸鹽及乙酸鹽,但不限定於此等。
還原劑
本發明的非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴中使用還原劑。還原劑可使用羥基胺類(硫酸羥銨、氯化羥銨等)、對苯二酚類(對苯二酚、兒茶酚、間苯二酚、五倍子酚等)、抗壞血酸及其化合物、異抗壞血酸及其化合物、亞硫酸及其化合物、硫代硫酸及其化合物、次磷酸及其化合物、聯氨及其化合物、木糖醇及其化合物、過氧化氫水等。其中較佳為次磷酸及其化合物、抗壞血酸及其化合物、對苯二酚及其化合物與甲酸及其化合物的還原劑。尤其是抗壞血酸及其化合物、對苯二酚及其化合物的還原劑更佳。
添加劑等
本發明的非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴中,較佳地為包含硫代硫酸及其化合物、亞硫酸及其化合物、以及磷酸及其化合物之中的至少1種以上的化合物。此等添加劑大多具有還原的性質。又,本發明的非氰系無電解金(I)鍍覆浴中,不與界面活性劑、光澤劑或是pH調整劑等反應,因此可適當地使用一般用於無電解金(I)鍍覆浴等的已知添加成分。
pH
本發明的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴及非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴,若pH的值小於6,則5,5-二甲基乙內醯脲金(I)錯合物的穩定度明顯降低。又,pH的值若超過12,則還原性乙內醯脲化合物或錯合性乙內醯脲系化合物容易分解。因此,pH的範圍為6~12,較佳為7~10。pH的範圍更期望為7~9。另外,為了調整pH的值,可使用氫氧化鈉水溶液或硫酸水溶液等習知的pH調整劑。又,本發明的無電解金鍍覆用非氰系無電解金(I)鍍覆原液,係在稀釋後用於非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴及非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴,因此期望金離子盡可能為高濃度,但pH值若小於7,金離子容易變得不穩定。又,pH值若超過14,則高濃度的還原性乙內醯脲化合物或錯合性乙內醯脲系化合物變得容易分解。因此,pH的範圍期望為8~14。
其他
本發明之非氰系無電解金(I)鍍覆浴並未特別限定浴溫,但一般而言,浴溫的範圍為50~90℃,較佳為55~85℃。浴溫越高,金的析出速度越快,但具有無電解金(I)鍍覆浴之蒸發損失變大的缺點。本發明之非氰系無電解金(I)鍍覆,係對於被鍍覆物的金屬表面實施。被鍍覆物的金屬,係如表1所示之金屬或其合金、或是具有此等金屬或其合金之皮膜的基材,其大多是具有金屬表面的基材。例如,可對於銅或銅合金、鎳或鎳合金、銀或銀合金、鈀或鈀合金等金屬表面實施置換金鍍覆或還原金鍍覆。此被鍍覆物的金屬表面只要可發生置換/還原反應即可。例如,可為純金屬體,亦可為被覆於塑膠或陶瓷等非金屬體上的單層或多層金屬或合金之積層結構。然而,被鍍覆物的金屬表面為金的情況,可自觸媒性地實施還原金鍍覆。
<無電解金(I)鍍覆方法>
本發明之非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴及非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴,如以下所述,可用於無電解金(I)鍍覆方法(以下稱為「本發明之非氰系無電解金(I)鍍覆方法」)。
(12)本發明之非氰系置換型無電解金(I)鍍覆方法,其特徵為使用如(1)或(2)的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴。
(13)本發明之非氰系還原型無電解金(I)鍍覆方法,其特徵為使用如(3)或(4)的非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴。
(14)又,本發明之無電解金(I)鍍覆方法,其特徵為將如(5)或(6)的非氰系無電解金(I)鍍覆原液稀釋以使用。
(15)如(12)或(13),其更包含多胺類。
(16)如(12)或(13),其中前述錯合性乙內醯脲系化合物為5,5-二甲基乙內醯脲。
(17)如(12)或(13),其中前述還原性乙內醯脲化合物為乙內醯脲或1-甲基乙內醯脲。
(18)如(12)或(13),其中前述3價金(III)化合物為氯金(III)酸。
(19)如(13),其更包含由硫代硫酸及其化合物、亞硫酸及其化合物、以及磷酸及其化合物之中的至少1種以上的化合物所構成之添加劑。
本發明之非氰系無電解金(I)鍍覆方法,包含將上述非氰系無電解金(I)鍍覆原液稀釋以使用的方法。若根據此非氰系無電解金鍍覆方法,係將無電解金(I)鍍覆原液稀釋而建置非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴,再將被鍍覆物浸漬於該無電解金(I)鍍覆浴中,以對於該被鍍覆物的金屬表面鍍金。此非氰系無電解金鍍覆方法,因為可在稀釋後立即建置無電解金鍍覆浴,而可防止置換型無電解金(I)鍍覆浴或還原型無電解金(I)鍍覆浴的劣化。
本發明之非氰系無電解金(I)鍍覆方法中,可一邊使鍍覆液循環,一邊執行無電解金鍍覆作業。又,可一邊分別各別補充非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴或非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴的各成分,例如一邊補充1價金(I)離子及/或錯合性乙內醯脲系化合物,一邊對於被鍍覆物的金屬表面鍍金。
根據本發明之非氰系無電解金(I)鍍覆方法,金塊的保有量少即可完成鍍覆,非氰系無電解金(I)鍍覆浴的成本效益變高。又,根據本發明之非氰系無電解金(I)鍍覆方法,因為析出亮黃色的緻密的金之晶粒,因此從微小面積到大面積的區域,具有各種被鍍覆面積之底層的被鍍覆金屬皆可得到較少膜厚不均的金皮膜。亦即具有生產效率高、可低價得到種類繁多的電氣/電子零件之鍍覆產品的效果。又,根據本發明之非氰系無電解金(I)鍍覆方法,金(I)離子處於穩定狀態,因此無論鍍覆液中的金濃度,金之晶粒的析出速度皆為穩定。又,無電解金鍍覆浴中產生的雜質對於金之晶粒的析出無不良影響。根據本發明之非氰系無電解金(I)鍍覆方法,即使在鍍覆液中蓄積雜質,金之晶粒的析出速度亦為穩定。
以下說明本發明之實施例及比較例,但本發明不限於此等實施例。
<無電解金(I)鍍覆原液>
(實施例01~07)
實施例01~07的無電解金(I)鍍覆原液的評價中所使用的試片A係使用黃銅板(20mm×20mm×厚度0.2mm)以下述方式製作而成。在酸性脫脂步驟中,使用Electroplating Engineers Of Japan股份有限公司(以下簡稱「EEJA」)製的「EETOREX 15(產品名稱)」,於25℃將黃銅板浸漬於其中1分鐘。在以下的電解脫脂步驟中,使用相同公司製的「EETOREX 12(產品名稱)」,對於該黃銅板施加6V的電壓,於60℃浸漬1分鐘。在接續的硫酸活性步驟中,於25℃將該黃銅板浸漬於10%硫酸水溶液1分鐘。在接續的電解鎳鍍覆步驟中,使用55℃的瓦茲鍍鎳浴(Watts bath),以4ASD(Ampere per Square Decimeter)的陰極電流密度對於該黃銅板進行鍍覆15分鐘,析出5μm的鎳。在接續的衝擊電鍍金的步驟中,使用相同公司製的「PRECIOUSFAB Au-ST100(產品名稱)」,對於經過鍍鎳的黃銅板施加6V的電壓,於50℃鍍覆30秒。使用如此製作的試片A如下述評價非氰系無電解金(I)鍍覆原液。
(實施例01)
製備下述組成的無電解金(I)鍍覆原液。
乙內醯脲金(I)錯合物 … 8.0g/L(作為Au)
5,5-二甲基乙內醯脲 … 34g/L
此處,乙內醯脲金(I)錯合物,係將粉末的乙內醯脲金(I)錯合物溶解而成者。
(實施例02)
製備下述組成的無電解金(I)鍍覆原液。
氯金(III)酸 … 16g/L(作為Au)
5,5-二甲基乙內醯脲 … 68g/L
乙內醯脲 … 52g/L
(實施例03)
製備下述組成的無電解金(I)鍍覆原液。
氯金(III)酸 … 8.0g/L(作為Au)
5,5-二甲基乙內醯脲 … 34g/L
乙內醯脲 … 6.5g/L
(實施例04)
製備下述組成的無電解金(I)鍍覆原液。
氯金(III)酸 … 8.0g/L(作為Au)
5,5-二甲基乙內醯脲 … 34g/L
乙內醯脲 … 39g/L
(實施例05)
製備下述組成的無電解金(I)鍍覆原液。
氯金(III)酸 … 8.0g/L(作為Au)
5,5-二甲基乙內醯脲 … 17g/L
乙內醯脲 … 26g/L
(實施例06)
製備下述組成的無電解金(I)鍍覆原液。
氯金(III)酸 … 8.0g/L(作為Au)
5,5-二甲基乙內醯脲 … 68g/L
乙內醯脲 … 26g/L
(實施例07)
製備下述組成的無電解金(I)鍍覆原液。
氯金(III)酸 … 8.0g/L(作為Au)
5,5-二甲基乙內醯脲 … 34g/L
1-甲基乙內醯脲 … 30g/L
將此等組成的無電解金(I)鍍覆原液皆調整為pH=8.5及將浴溫調整為60℃,以陰極電流密度0.4ASD對於試片A施加定電流4分鐘,測量平均的析出效率。此微弱電流密度而來的析出效率,係用於推論在無電解金(I)鍍覆原液中的金(I)的存在比例。
實施例01的試片A的析出效率為99%。實施例02的析出效率為98%。實施例03的析出效率為48%。實施例04及實施例05的析出效率為81%。實施例06的析出效率為54%。實施例07的析出效率為80%。此等的實施例01~07的無電解金(I)鍍覆原液的液體組成、條件及析出效率顯示於表2。
【表2】
實施例 | |||||||||
01 | 02 | 03 | 04 | 05 | 06 | 07 | |||
液體組成 | 乙內醯脲金(I)錯合物 | Au · g/L | 8 | - | - | - | - | - | - |
氯金(III)酸 | Au · g/L | - | 16 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | |
乙內醯脲 | g/L | - | 52 | 6.5 | 39 | 26 | 26 | - | |
1-甲基乙內醯脲 | g/L | - | - | - | - | - | - | 30 | |
5,5-二甲基乙內醯脲 | g/L | 34 | 68 | 34 | 34 | 17 | 68 | 34 | |
條件 | pH | - | 8.5 | 8.5 | 8.5 | 8.5 | 8.5 | 8.5 | 8.5 |
浴溫 | ℃ | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 | |
時間 | 分鐘 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | 4 | |
析出效率(0.4ASD) | % | 99 | 98 | 48 | 81 | 81 | 54 | 80 |
實施例01中,使用乙內醯脲金(I)錯合物,因此可理解為幾乎全部的量皆是作為金(I)而存在。又實施例02顯示出高於實施例03~07的數值,推測是因為氯金(III)酸、乙內醯脲、5,5-二甲基乙內醯脲的比例最佳且濃度高。
若比較實施例04、實施例05、實施例07的無電解金(I)鍍覆原液的組成,即使還原性乙內醯脲化合物稍微增加、錯合性乙內醯脲系化合物減半、還原性乙內醯脲化合物不同,亦顯示了幾乎相同量的金(I)離子之存在比例、甚或是幾乎相同量的穩定之金(I)錯合物的存在比例。另一方面,如實施例03、實施例06的無電解金(I)鍍覆原液,在還原性乙內醯脲化合物極端減少的情況以及錯合性乙內醯脲系化合物倍增的情況下,皆暗示了金(I)離子的存在比例、甚或是穩定之金(I)錯合物的存在比例降低的傾向。
(比較例01~03)
(比較例01)
比較例01,係從實施例05的無電解金(I)鍍覆原液的組成中去除5,5-二甲基乙內醯脲而成者。將試片A浸漬於此組成的無電解金(I)鍍覆原液(浴溫60℃)中,以陰極電流密度0.4ASD對於試片A施加定電流4分鐘,結果無電解金(I)鍍覆原液分解,觀察到金微粒子的沉澱。這是因為並未觀察到5,5-二甲基乙內醯脲的錯合性乙內醯脲系化合物的作用。其在表3中以叉的記號(×)表示。
(比較例02)
比較例02,係從實施例07的無電解金(I)鍍覆原液的組成去除5,5-二甲基乙內醯脲而成者。進行與比較例01相同的試驗,結果無電解金(I)鍍覆原液分解,觀察到金微粒子的沉澱。其在表3中以叉的記號(×)表示。
(比較例03)
比較例03係從實施例03的無電解金(I)鍍覆原液的組成去除乙內醯脲而成者。進行與比較例01相同的試驗,結果就析出效率而言,相對於實施例03的48%,比較例03為32%。比較例03的析出效率低,係因為不含還原性乙內醯脲化合物。亦即,因為不含還原性乙內醯脲化合物,相較於實施例03,比較例03顯示了金(I)離子的存在比例少或是不存在金(I)離子。
比較例01~03的液組成、條件及析出效率顯示於表3。
【表3】
<置換型無電解金(I)鍍覆浴>
比較例 | |||||
01 | 02 | 03 | |||
液體組成 | 乙內醯脲金(I)錯合物 | Au · g/L | 8 | - | - |
氯金(III)酸 | Au · g/L | - | 8 | 8 | |
乙內醯脲 | g/L | 26 | - | - | |
1-甲基乙內醯脲 | g/L | - | 30 | - | |
5,5-二甲基乙內醯脲 | g/L | - | - | 34 | |
條件 | pH | - | 8.5 | 8.5 | 8.5 |
浴溫 | ℃ | 60 | 60 | 60 | |
時間 | 分鐘 | 4 | 4 | 4 | |
析出效率(0.4ASD) | % | × | × | 32 |
(實施例08~11)
實施例08~11的置換型無電解金(I)鍍覆浴的評價中所使用的試片B,係使用經過玻璃纖維強化的環氧樹脂製的安裝基板(30mm×20mm×厚度1mm),以下述方式製作。另外,此安裝基板的表面上形成有共6種具有各種面積的銅墊,其中具有獨立的四邊形銅墊群(0.4mm×0.4mm□、0.8mm×0.8mm□、3.0mm×3.0mm□)與以銅電路(100μm寬度)將該銅墊群連接而成的另一個四邊形銅墊群(0.4mm×0.4mm□、0.8mm×0.8mm□、3.0mm×3.0mm□)。此等的6種銅墊,係後述鈀層/鎳層/銅層的積層結構之集合體。以下方便上將此銅墊簡稱「6種銅墊」。
在酸性脫脂步驟中,使用EEJA製的「EETOREX 15(產品名稱)」,於45℃浸漬5分鐘。在接續的軟蝕刻步驟中,使用三菱瓦斯化學股份有限公司製的「NPE300(產品名稱)」,於25℃浸漬1分鐘。在接續的硫酸活性步驟中,於25℃浸漬於10%硫酸水溶液1分鐘。接續的鈀觸媒賦予步驟中,使用EEJA製的「IM FAB Pd-AC2(產品名稱)」,於25℃浸漬1分鐘。再接續的無電解鎳鍍覆步驟中,使用相同公司製的「AC meister NP7600(產品名稱)」,於85℃進行鍍覆25分鐘,析出5μm的鎳。在接續的無電解鈀鍍覆步驟中,使用相同公司製的「AC FAB Pd2000S(產品名稱)」,於52℃鍍覆7分鐘,在5μm的鎳層上使鈀析出0.1μm,以作為被鍍覆金屬。使用如此製作的試片B,評價下述的非氰系無電解金(I)鍍覆浴。
(實施例08~11)
(實施例08)
實施例08中,係以下述組成的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴進行鍍覆作業10分鐘。
乙內醯脲金(I)錯合物 … 1.0g/L(作為Au)
5,5-二甲基乙內醯脲 … 4.2g/L
乙二胺 … 2.0g/L
檸檬酸三鈉(2水合物) … 10.0g/L
硼酸 … 5.0g/L
硫酸鉈(I) … 5.0mg/L(作為Tl)
pH … 8.5
浴溫 … 80℃
(實施例09)
實施例09中,以下述組成的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴,進行鍍覆作業10分鐘。實施例09的鍍覆浴組成中,將乙內醯脲金(I)錯合物與氯金(III)酸及乙內醯脲組合,除此之外與實施例08相同。
氯金(III)酸 … 1.0g/L(作為Au)
5,5-二甲基乙內醯脲 … 4.2g/L
乙內醯脲 … 3.3g/L
乙二胺 … 2.0g/L
檸檬酸三鈉(2水合物) … 10.0g/L
硼酸 … 5.0g/L
硫酸鉈(I) … 5.0mg/L(作為Tl)
pH … 8.5
浴溫 … 80℃
(實施例10)
實施例10,以下述組成的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴進行鍍覆作業10分鐘。實施例10的鍍覆浴組成中,將乙內醯脲(3.3g/L)替換成1-甲基乙內醯脲(3.8g/L),除此之外與實施例09相同。
氯金(III)酸 … 1.0g/L(作為Au)
5,5-二甲基乙內醯脲 … 4.2g/L
1-甲基乙內醯脲 … 3.8g/L
乙二胺 … 2.0g/L
檸檬酸三鈉(2水合物) … 10.0g/L
硼酸 … 5.0g/L
硫酸鉈(I) … 5.0mg/L(作為Tl)
pH … 8.5
浴溫 … 80℃
(實施例11)
實施例11中,以下述組成的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴進行鍍覆作業10分鐘。實施例11的鍍覆浴組成不含乙二胺,除此之外與實施例09相同。
氯金(III)酸 … 1.0g/L(作為Au)
5,5-二甲基乙內醯脲 … 4.2g/L
乙內醯脲 … 3.3g/L
檸檬酸三鈉(2水合物) … 10.0g/L
硼酸 … 5.0g/L
硫酸鉈(I) … 5.0mg/L(作為Tl)
pH … 8.5
浴溫 … 80℃
本發明之實施例08~11的置換型無電解金(I)鍍覆浴的組成及置換金鍍覆條件顯示於表4。另外,檸檬酸三鈉(2水合物)、硼酸及硫酸鉈(I)係一般置換金鍍覆作業中使用的成分,並非本案發明中必要的成分。
【表4】
<置換型無電解金(I)鍍覆浴的穩定性>
實施例 | ||||||
08 | 09 | 10 | 11 | |||
鍍覆浴組成 | 乙內醯脲金(I)錯合物 | Au · g/L | 1.0 | - | - | - |
氯金(III)酸 | Au · g/L | - | 1.0 | 1.0 | 1.0 | |
乙內醯脲 | g/L | - | 3.3 | - | 3.3 | |
1-甲基乙內醯脲 | g/L | - | - | 3.8 | - | |
5,5-二甲基乙內醯脲 | g/L | 4.2 | 4.2 | 4.2 | 4.2 | |
乙二胺 | g/L | 2.0 | 2.0 | 2.0 | - | |
檸檬酸三鈉(2水合物) | g/L | 10.0 | 10.0 | 10.0 | 10.0 | |
硼酸 | g/L | 5.0 | 5.0 | 5.0 | 5.0 | |
硫酸鉈(I) | Tl · mg/L | 5.0 | 5.0 | 5.0 | 5.0 | |
條件 | pH | - | 8.5 | 8.5 | 8.5 | 8.5 |
浴溫 | ℃ | 80 | 80 | 80 | 80 | |
時間 | 分鐘 | 10 | 10 | 10 | 10 |
(實施例08)
本發明之實施例08的置換型無電解金(I)鍍覆浴中,乙內醯脲金(I)錯合物與5,5-二甲基乙內醯脲反應而形成穩定之5,5-二甲基乙內醯脲金(I)錯合物,而乙內醯脲被氧化。因此,即使置換金鍍覆作業結束,實施例08的置換型無電解金(I)鍍覆浴仍為穩定。這是因為5,5-二甲基乙內醯脲金(I)錯合物以穩定的狀態存在於置換型無電解金(I)鍍覆浴中。
(實施例09)
本發明之實施例09的置換型無電解金(I)鍍覆浴中,3價的氯金(III)酸被乙內醯脲還原,而形成穩定的乙內醯脲金(I)錯合物。此乙內醯脲金(I)錯合物,與實施例08相同,與5,5-二甲基乙內醯脲反應而形成5,5-二甲基乙內醯脲金(I)錯合物,而乙內醯脲被氧化。因此,即使置換金鍍覆作業結束,實施例09的置換型無電解金(I)鍍覆浴仍為穩定。
(實施例10)
本發明之實施例10的置換型無電解金(I)鍍覆浴中,3價的氯金(III)酸被1-甲基乙內醯脲還原,形成穩定之1-甲基乙內醯脲金(I)錯合物。此1-甲基乙內醯脲金(I)錯合物,與實施例08相同,與5,5-二甲基乙內醯脲反應而形成5,5-二甲基乙內醯脲金(I)錯合物,而1-甲基乙內醯脲被氧化。因此即使置換金鍍覆作業結束,實施例10的置換型無電解金(I)鍍覆浴仍為穩定。
(實施例11)
本發明之實施例11的置換型無電解金(I)鍍覆浴中,與實施例09相同,從3價的氯金(III)酸形成穩定之5,5-二甲基乙內醯脲金(I)錯合物,而乙內醯脲被氧化。因此即使置換金鍍覆作業結束,實施例11的置換型無電解金(I)鍍覆浴仍為穩定。
<置換型無電解金(I)鍍覆皮膜的特性>
接著,針對在試片B的6種銅墊上所形成的實施例08~11的置換金鍍覆皮膜,以目視觀察其外觀,並使用螢光X光膜厚計(Hitachi High-Technologies股份有限公司製的「SFT-9550(設備名)」)測量其膜厚。針對實施例08~11的置換金鍍覆皮膜,從各別之膜厚的測量結果算出實施例08~11的平均膜厚與膜厚不均。另外,「膜厚不均」為變動係數,其係指各別的資料相對於平均膜厚之不均尺寸的百分率(CV值)。
(實施例08)
實施例08的金鍍覆皮膜為明亮的黃色。又,進行置換金鍍覆作業10分鐘後,金鍍覆皮膜的平均膜厚為58nm,膜厚不均為20%,極為穩定。
(實施例09)
實施例09的試片B的6種銅墊上所得之金皮膜的外觀為明亮的黃色。又,10分鐘後的平均膜厚為54nm,膜厚不均為22%,極為穩定。
(實施例10)
實施例10的試片B的6種銅墊上所得之金皮膜的外觀為明亮的黃色。又,10分鐘後的平均膜厚為56nm,膜厚不均為22%,極為穩定。
(實施例11)
實施例11的試片B的6種銅墊上所得之金皮膜的外觀係微暗的黃色。這是因為相較於實施例09的置換型無電解金(I)鍍覆浴不含乙二胺,因此所析出之金粒子的晶粒較粗。又,10分鐘後的平均膜厚為39nm,略差於實施例08~10的平均膜厚。另一方面,膜厚不均為19%,極為穩定。
將上述本發明之實施例08~11的置換型無電解金(I)鍍覆浴的穩定性作為鍍覆液的特性顯示於表5。另外,表5中的圓圈記號(〇)的意義如下所述。亦即,以目視觀察置換金鍍覆作業結束後的置換型無電解金(I)鍍覆浴,以圓圈記號(〇)表示無金沉澱物與容器內壁上無金析出者。又,針對上述本發明之實施例08~11,將金皮膜的外觀、平均膜厚及膜厚不均的結果顯示於表5的金鍍覆皮膜之特性欄位。
【表5】
實施例 | ||||||
08 | 09 | 10 | 11 | |||
浴特性 | 液體穩定性 | - | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 |
皮膜特性 | 外觀 | - | 亮黃色 | 亮黃色 | 亮黃色 | 黃色 |
平均膜厚 | nm | 58 | 54 | 56 | 39 | |
膜厚不均 | % | 20 | 22 | 22 | 19 |
(比較例04~06)
(比較例04)
比較例04中,以下述組成的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴建置鍍覆浴。比較例04的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴的組成中並未使用5,5-二甲基乙內醯脲,除此之外與實施例08相同。
乙內醯脲金(I)錯合物 … 1.0g/L(作為Au)
乙二胺 … 2.0g/L
檸檬酸三鈉(2水合物) … 10.0g/L
硼酸 … 5.0g/L
硫酸鉈(I) … 5.0mg/L(作為Tl)
pH … 8.5
(比較例05)
比較例05係以下述組成的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴建置鍍覆浴。比較例05的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴的組成中未使用5,5-二甲基乙內醯脲,除此之外與實施例09相同。
氯金(III)酸 … 1.0g/L(作為Au)
乙內醯脲 … 3.3g/L
乙二胺 … 2.0g/L
檸檬酸三鈉(2水合物) … 10.0g/L
硼酸 … 5.0g/L
硫酸鉈(I) … 5.0mg/L(作為Tl)
pH … 8.5
浴溫 … 80℃
(比較例06)
比較例06中,以下述組成的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴建置鍍覆浴。比較例06的置換型無電解金(I)鍍覆浴的組成中,使pH為5.5,除此之外與實施例09相同。
氯金(III)酸 … 1.0g/L(作為Au)
5,5-二甲基乙內醯脲 … 4.2g/L
乙內醯脲 … 3.3g/L
乙二胺 … 2.0g/L
檸檬酸三鈉(2水合物) … 10.0g/L
硼酸 … 5.0g/L
硫酸鉈(I) … 5.0mg/L(作為Tl)
pH … 5.5
浴溫 … 80℃
比較例04~06的置換型無電解金(I)鍍覆浴的組成及條件顯示於表6。
【表6】
比較例 | |||||
04 | 05 | 06 | |||
鍍覆浴組成 | 乙內醯脲金(I)錯合物 | Au · g/L | 1.0 | - | - |
氯金(III)酸 | Au · g/L | - | 1.0 | 1.0 | |
乙內醯脲 | g/L | - | 3.3 | 3.3 | |
1-甲基乙內醯脲 | g/L | - | - | - | |
5,5-二甲基乙內醯脲 | g/L | - | - | 4.2 | |
乙二胺 | g/L | 2.0 | 2.0 | 2.0 | |
檸檬酸三鈉(2水合物) | g/L | 10.0 | 10.0 | 10.0 | |
硼酸 | g/L | 5.0 | 5.0 | 5.0 | |
硫酸鉈(I) | Tl · mg/L | 5.0 | 5.0 | 5.0 | |
條件 | pH | - | 8.5 | 8.5 | 8.5 |
浴溫 | ℃ | - | 80 | 80 | |
時間 | 分鐘 | - | - | - |
(比較例04)
比較例04的置換型無電解金(I)鍍覆浴,相較於實施例08的置換型無電解金(I)鍍覆浴,係不存在5,5-二甲基乙內醯脲的情況。與實施例08相同地建置比較例04的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴,在建置鍍覆浴的過程中產生黑色沉澱,因此停止進行置換金鍍覆作業。比較例04的置換型無電解金(I)鍍覆浴中產生黑色沉澱,係因為無5,5-二甲基乙內醯脲進行穩定化,因此穩定度低的乙內醯脲金(I)錯合物遭到破壞。亦即,不穩定之乙內醯脲金(I)錯合物分解,金(I)離子游離,金(I)離子的一部分成為0價金(0),而在置換型無電解金(I)鍍覆浴中析出。因此,比較例04的置換型無電解金(I)鍍覆浴在進行鍍覆作業之前即分解。
(比較例05)
比較例05的置換型無電解金(I)鍍覆浴,相較於實施例09的置換型無電解金(I)鍍覆浴,係不存在5,5-二甲基乙內醯脲的情況。與實施例09相同地建置比較例05的置換型無電解金(I)鍍覆浴,在建置鍍覆浴後的升溫中產生黑色沉澱,因此停止進行置換金鍍覆作業。比較例05的置換金鍍覆液中產生黑色沉澱,原因與比較例04相同。比較例05的置換型無電解金(I)鍍覆浴的情況,亦與實施例09相同,因為乙內醯脲的置換作用而從3價的氯金(III)酸形成乙內醯脲金(I)錯合物。然而,因為不存在5,5-二甲基乙內醯脲,不穩定之乙內醯脲金(I)錯合物分解,已游離之金(I)離子的一部分成為0價金(0),在置換型無電解金(I)鍍覆浴中析出。因此,比較例05的置換型無電解金(I)鍍覆浴,在進行鍍覆作業之前即分解。
(比較例06)
比較例06的置換型無電解金(I)鍍覆浴,相較於實施例09的置換型無電解金(I)鍍覆浴,係pH的值為5.5而成為酸性側的情況。與實施例08相同地建置比較例06的置換型無電解金(I)鍍覆浴,在建置鍍覆浴後的升溫中產生黑色沉澱,因此停止進行置換金鍍覆作業。比較例06的置換金鍍覆液中產生黑色沉澱,其原因與比較例04相同。亦即,比較例06的置換型無電解金(I)鍍覆浴的情況亦係從3價的氯金(III)酸形成乙內醯脲金(I)錯合物。然而,pH值為5.5的酸性側,5,5-二甲基乙內醯脲並未與一價金(I)離子形成錯合物。因此,與比較例04相同,不穩定之乙內醯脲金(I)錯合物分解,在置換型無電解金(I)鍍覆浴中析出金(0)。因此,比較例06的置換型無電解金(I)鍍覆浴亦在進行鍍覆作業之前即分解。
上述比較例04~06的置換型無電解金(I)鍍覆浴的液體穩定性顯示於表7。另外,表7中的叉記號(×)的意義如下所述。亦即,以目視觀察鍍覆前的置換型無電解金(I)鍍覆浴,以叉記號(×)表示有金沉澱物與金析出於容器內壁。又,比較例04~06並無法得到置換金鍍覆皮膜。
【表7】
比較例 | |||||
04 | 05 | 06 | |||
鍍覆浴特性 | 液體穩定性 | - | × | × | × |
皮膜特性 | 外觀 | - | - | - | - |
平均膜厚 | nm | - | - | - | |
膜厚不均 | % | - | - | - |
將表7的比較例04與表5的實施例08進行比對後明確得知,本發明的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴中,金(I)錯合物非常穩定。例如,表4的實施例08中添加至「乙內醯脲金(I)錯合物」的5,5-二甲基乙內醯脲,被視為對於本發明之非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴中的金(I)錯合物的穩定度有很大的貢獻。若將表5的實施例09與實施例11進行比對,則可知相對於由5,5-二甲基乙內醯脲進行錯合作用而成的1價金(I)離子,表4的實施例09的「乙二胺」對於析出外觀展現出更佳的改善效果。又,若將表5的實施例09與表7的比較例06進行比對則可明確得知,本發明的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴的pH值,如表6的比較例06,pH=5.5而偏酸性,但在置換型無電解金(I)鍍覆浴中析出金微粒子,而停止進行鍍覆作業。這顯示了本發明的置換型無電解金(I)鍍覆浴所包含的「5,5-二甲基乙內醯脲」在pH值6以上的中性及鹼性中進行穩定的錯合作用。
<非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴>
(實施例12~23)
接著說明本發明的非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴。
實施例12~23係將實施例01~07的無電解金(I)鍍覆原液稀釋而製備成各組成的還原型無電解金(I)鍍覆浴。亦即,實施例12係將實施例01記載的無電解金(I)鍍覆原液稀釋、實施例13及實施例19~23係將實施例02記載的無電解金(I)鍍覆原液稀釋、實施例14係將實施例03記載的無電解金(I)鍍覆原液稀釋、實施例15係將實施例04中記載的無電解金(I)鍍覆原液稀釋、實施例16係將實施例05記載的無電解金(I)鍍覆原液稀釋,實施例17係將實施例06記載的無電解金(I)鍍覆原液稀釋、然後實施例18係將實施例07記載的無電解金(I)鍍覆原液稀釋,而分別製備成還原型無電解金(I)鍍覆浴。
又,實施例12~23的非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴的評價中所使用的試片C,係在置換型無電解金(I)鍍覆浴中所使用的試片B上進一步析出0.1μm的金層(EEJA製置換型無電解金鍍覆液 IM meister・Au-FX-5(產品名稱))而作為被鍍覆金屬。
(實施例12)
實施例12,係在以實施例01的無電解金(I)鍍覆原液為基礎製備而成的非氰系還原金鍍覆浴中,具有下述組成。以此還原金鍍覆浴,以述條件對於試片C進行還原金鍍覆作業。
乙內醯脲金(I)錯合物 … 2.0g/L(作為Au)
5,5-二甲基乙內醯脲 … 8.5g/L
硫代硫酸鈉 … 1.0g/L
乙二胺 … 4.6g/L
亞硫酸鈉 … 60.0g/L
對苯二酚 … 10.0g/L
pH … 7.5
浴溫 … 60℃
時間 … 15分鐘
(實施例13)
實施例13,係以實施例02的無電解金(I)鍍覆原液為基礎製備而成的非氰系還原金鍍覆浴,其具有下述組成。在此還原金鍍覆浴中以下述條件對於試片C進行還原金鍍覆作業。
氯金(III)酸 … 2.0g/L(作為Au)
乙內醯脲 … 6.5g/L
5,5-二甲基乙內醯脲 … 8.5g/L
硫代硫酸鈉 … 1.0g/L
乙二胺 … 4.6g/L
亞硫酸鈉 … 60.0g/L
對苯二酚 … 10.0g/L
pH … 7.5
浴溫 … 60℃
時間 … 15分鐘
(實施例14)
實施例14,係以實施例03的無電解金(I)鍍覆原液為基礎製備而成的非氰系還原金鍍覆浴,其具有下述組成。在此還原金鍍覆浴中以下述條件對於試片C進行還原金鍍覆作業。
氯金(III)酸 … 2.0g/L(作為Au)
乙內醯脲 … 1.6g/L
5,5-二甲基乙內醯脲 … 8.5g/L
硫代硫酸鈉 … 1.0g/L
乙二胺 … 4.6g/L
亞硫酸鈉 … 60.0g/L
對苯二酚 … 10.0g/L
pH … 7.5
浴溫 … 60℃
時間 … 15分鐘
(實施例15)
實施例15,係以實施例04的無電解金(I)鍍覆原液為基礎製備而成的非氰系還原金鍍覆浴,其具有下述組成。在此還原金鍍覆浴中以下述條件對於試片C進行還原金鍍覆作業。
氯金(III)酸 … 2.0g/L(作為Au)
乙內醯脲 … 9.8g/L
5,5-二甲基乙內醯脲 … 8.5g/L
硫代硫酸鈉 … 1.0g/L
乙二胺 … 4.6g/L
亞硫酸鈉 … 60.0g/L
對苯二酚 … 10.0g/L
pH … 7.5
浴溫 … 60℃
時間 … 15分鐘
(實施例16)
實施例16,係以實施例05的無電解金(I)鍍覆原液為基礎製備而成的非氰系還原金鍍覆浴,其具有下述組成。在此還原金鍍覆浴中以下述條件對於試片C進行還原金鍍覆作業。
氯金(III)酸 … 2.0g/L(作為Au)
乙內醯脲 … 6.5g/L
5,5-二甲基乙內醯脲 … 4.3g/L
硫代硫酸鈉 … 1.0g/L
乙二胺 … 4.6g/L
亞硫酸鈉 … 60.0g/L
對苯二酚 … 10.0g/L
pH … 7.5
浴溫 … 60℃
時間 … 15分鐘
(實施例17)
實施例17,係以實施例06的無電解金(I)鍍覆原液為基礎製備而成的非氰系還原金鍍覆浴,其具有下述組成。在此還原金鍍覆浴中以下述條件對於試片C進行還原金鍍覆作業。
氯金(III)酸 … 2.0g/L(作為Au)
乙內醯脲 … 6.5g/L
5,5-二甲基乙內醯脲 … 17.0g/L
硫代硫酸鈉 … 1.0g/L
乙二胺 … 4.6g/L
亞硫酸鈉 … 60.0g/L
對苯二酚 … 10.0g/L
pH … 7.5
浴溫 … 60℃
時間 … 15分鐘
(實施例18)
實施例18,係以實施例07的無電解金(I)鍍覆原液為基礎製備而成的非氰系還原金鍍覆浴,其具有下述組成。在此還原金鍍覆浴中以下述條件對於試片C進行還原金鍍覆作業。
氯金(III)酸 … 2.0g/L(作為Au)
1-甲基乙內醯脲 … 7.5g/L
5,5-二甲基乙內醯脲 … 8.5g/L
硫代硫酸鈉 … 1.0g/L
乙二胺 … 4.6g/L
亞硫酸鈉 … 60.0g/L
對苯二酚 … 10.0g/L
pH … 7.5
浴溫 … 60℃
時間 … 15分鐘
(實施例19)
實施例19,係以實施例02的無電解金(I)鍍覆原液為基礎製備而成的非氰系還原金鍍覆浴,其具有下述組成。在此還原金鍍覆浴中以下述條件對於試片C進行還原金鍍覆作業。
氯金(III)酸 … 2.0g/L(作為Au)
乙內醯脲 … 6.5g/L
5,5-二甲基乙內醯脲 … 8.5g/L
乙二胺 … 4.6g/L
亞硫酸鈉 … 60.0g/L
對苯二酚 … 10.0g/L
pH … 7.5
浴溫 … 60℃
時間 … 15分鐘
(實施例20)
實施例20,係以實施例02的無電解金(I)鍍覆原液為基礎製備而成的非氰系還原金鍍覆浴,其具有下述組成。在此還原金鍍覆浴中以下述條件對於試片C進行還原金鍍覆作業。
氯金(III)酸 … 2.0g/L(作為Au)
乙內醯脲 … 6.5g/L
5,5-二甲基乙內醯脲 … 8.5g/L
硫代硫酸鈉 … 1.0g/L
亞硫酸鈉 … 60.0g/L
對苯二酚 … 10.0g/L
pH … 7.5
浴溫 … 60℃
時間 … 15分鐘
(實施例21)
實施例21,係以實施例02的無電解金(I)鍍覆原液為基礎製備而成的非氰系還原金鍍覆浴,其具有下述組成。在此還原金鍍覆浴中以下述條件對於試片C進行還原金鍍覆作業。
氯金(III)酸 … 2.0g/L(作為Au)
乙內醯脲 … 6.5g/L
5,5-二甲基乙內醯脲 … 8.5g/L
硫代硫酸鈉 … 1.0g/L
乙二胺 … 4.6g/L
對苯二酚 … 10.0g/L
pH … 7.5
浴溫 … 60℃
時間 … 15分鐘
(實施例22)
實施例22,係以實施例02的無電解金(I)鍍覆原液為基礎製備而成的非氰系還原金鍍覆浴,其具有下述組成。在此還原金鍍覆浴中以下述條件對於試片C進行還原金鍍覆作業。
氯金(III)酸 … 2.0g/L(作為Au)
乙內醯脲 … 6.5g/L
5,5-二甲基乙內醯脲 … 8.5g/L
硫代硫酸鈉 … 1.0g/L
乙二胺 … 4.6g/L
亞硫酸鈉 … 60.0g/L
抗壞血酸鈉 … 10.0g/L
pH … 7.5
浴溫 … 60℃
時間 … 15分鐘
(實施例23)
實施例23,係以實施例02的無電解金(I)鍍覆原液為基礎製備而成的非氰系還原金鍍覆浴,其具有下述組成。在此還原金鍍覆浴中以下述條件對於試片C進行還原金鍍覆作業。
氯金(III)酸 … 2.0g/L(作為Au)
乙內醯脲 … 6.5g/L
5,5-二甲基乙內醯脲 … 8.5g/L
硫代硫酸鈉 … 1.0g/L
乙二胺 … 4.6g/L
亞硫酸鈉 … 60.0g/L
對苯二酚 … 5.0g/L
抗壞血酸鈉 … 5.0g/L
pH … 7.5
浴溫 … 60℃
時間 … 15分鐘
上述實施例12~23的還原型無電解金(I)鍍覆浴的組成及條件的一覽表顯示於表8。
【表8】
<還原型無電解金(I)鍍覆浴的穩定性>
實施例 | ||||||||||||||
12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | |||
鍍覆浴組成 | 乙內醯脲金(I)錯合物 | Au · g/L | 2.0 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
氯金(III)酸 | Au · g/L | - | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | |
乙內醯脲 | g/L | - | 6.5 | 1.6 | 9.8 | 6.5 | 6.5 | - | 6.5 | 6.5 | 6.5 | 6.5 | 6.5 | |
1-甲基乙內醯脲 | g/L | - | - | - | - | - | - | 7.5 | - | - | - | - | - | |
5,5-二甲基乙內醯脲 | g/L | 8.5 | 8.5 | 8.5 | 8.5 | 4.3 | 17.0 | 8.5 | 8.5 | 8.5 | 8.5 | 8.5 | 8.5 | |
硫代硫酸鈉 | g/L | 1.0 | 1.0 | 1.0 | 1.0 | 1.0 | 1.0 | 1.0 | - | 1.0 | 1.0 | 1.0 | 1.0 | |
乙二胺 | g/L | 4.6 | 4.6 | 4.6 | 4.6 | 4.6 | 4.6 | 4.6 | 4.6 | - | 4.6 | 4.6 | 4.6 | |
亞硫酸鈉 | g/L | 60.0 | 60.0 | 60.0 | 60.0 | 60.0 | 60.0 | 60.0 | 60.0 | 60.0 | - | 60.0 | 60.0 | |
對苯二酚 | g/L | 10.0 | 10.0 | 10.0 | 10.0 | 10.0 | 10.0 | 10.0 | 10.0 | 10.0 | 10.0 | - | 5.0 | |
抗壞血酸鈉 | g/L | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 10.0 | 5.0 | |
條件 | pH | - | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 |
浴溫 | ℃ | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 | |
時間 | 分鐘 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 | 15 |
(實施例12)
本發明之實施例12的還原型無電解金(I)鍍覆浴中,乙內醯脲金(I)錯合物與5,5-二甲基乙內醯脲反應而形成穩定之5,5-二甲基乙內醯脲金(I)錯合物。即使還原金鍍覆作業結束,未對於還原有所貢獻的5,5-二甲基乙內醯脲金(I)錯合物仍以穩定狀態存在於還原型無電解金(I)鍍覆浴中。因此實施例12的還原型無電解金(I)鍍覆浴仍為穩定。在表9的液體穩定性的欄位中將此顯示為圓圈記號(〇)。
(實施例13~23)
本發明之實施例13~23的還原型無電解金(I)鍍覆浴中,藉由3價的氯金(III)酸與乙內醯脲或1-甲基乙內醯脲的作用而形成金(I)錯合物。此金(I)錯合物,與實施例12相同地,與5,5-二甲基乙內醯脲反應而形成穩定之5,5-二甲基乙內醯脲金(I)錯合物。因此即使還原金鍍覆作業結束,實施例13~23的還原型無電解金(I)鍍覆浴仍為穩定。在表9的液體穩定性的欄位中將此顯示為圓圈記號(〇)。
<還原型無電解金(I)鍍覆皮膜的特性>
(實施例12~23)
接著,針對試片C的6種銅墊上所形成之實施例12~23的還原金鍍覆皮膜以目視觀察其外觀,使用螢光X光膜厚計(Hitachi High-Technologies股份有限公司製的「SFT-9550(設備名稱)」)測量其膜厚。又,針對實施例12~23的還原金鍍覆皮膜,與置換金鍍覆皮膜相同地從各膜厚的測量結果算出實施例12~23的析出速度與膜厚不均。以下詳述。
(實施例12)
實施例12的金鍍覆皮膜為亮黃色。進行還原金鍍覆作業15分鐘後的金鍍覆皮膜之平均膜厚為0.114μm。又,膜厚不均(CV值)為1.5%,極為穩定。
(實施例13)
實施例13的金鍍覆皮膜為亮黃色。進行還原金鍍覆作業15分鐘後的金鍍覆皮膜之平均膜厚為0.114μm。又,膜厚不均(CV值)為1.8%,極為穩定。
(實施例14)
實施例14的金鍍覆皮膜為亮黃色。進行還原金鍍覆作業15分鐘後的金鍍覆皮膜之平均膜厚為0.093μm。又,膜厚不均(CV值)為2.2%,極為穩定。
(實施例15)
實施例15的金鍍覆皮膜為亮黃色。進行還原金鍍覆作業15分鐘後的金鍍覆皮膜之平均膜厚為0.106μm。又,膜厚不均(CV值)為3.1%,極為穩定。
(實施例16)
實施例16的金鍍覆皮膜為亮黃色。進行還原金鍍覆作業15分鐘後的金鍍覆皮膜之平均膜厚為0.107μm。又,膜厚不均(CV值)為3.2%,極為穩定。
(實施例17)
實施例17的金鍍覆皮膜為亮黃色。進行還原金鍍覆作業15分鐘後的金鍍覆皮膜之平均膜厚為0.096μm。又,膜厚不均(CV值)為4.2%,極為穩定。
(實施例18)
實施例18的金鍍覆皮膜為亮黃色。進行還原金鍍覆作業15分鐘後的金鍍覆皮膜之平均膜厚為0.103μm。又,膜厚不均(CV值)為3.2%,極為穩定。
(實施例19)
實施例19的金鍍覆皮膜為亮黃色。進行還原金鍍覆作業15分鐘後的金鍍覆皮膜之平均膜厚為0.075μm。又,膜厚不均(CV值)為5.2%,極為穩定。
(實施例20)
實施例20的金鍍覆皮膜為亮黃色。進行還原金鍍覆作業15分鐘後的金鍍覆皮膜之平均膜厚為0.079μm。又,膜厚不均(CV值)為4.6%,極為穩定。
(實施例21)
實施例21的金鍍覆皮膜為亮黃色。進行還原金鍍覆作業15分鐘後的金鍍覆皮膜之平均膜厚為0.120μm。又,膜厚不均(CV值)為1.5%,極為穩定。
(實施例22)
實施例22的金鍍覆皮膜為亮黃色。進行還原金鍍覆作業15分鐘後的金鍍覆皮膜之平均膜厚為0.103μm。又,膜厚不均(CV值)為3.6%,極為穩定。
(實施例23)
實施例23的金鍍覆皮膜為亮黃色。進行還原金鍍覆作業15分鐘後的金鍍覆皮膜之平均膜厚為0.109μm。又,膜厚不均(CV值)為2.4%,極為穩定。
上述本發明之實施例12~23的還原型無電解金(I)鍍覆浴的穩定性作為鍍覆液的特性而顯示於表9。另外,表9中的圓圈記號(〇)的意義與置換型無電解金(I)鍍覆浴的情況相同。亦即,以目視觀察還原金鍍覆作業結束後的還原型無電解金(I)鍍覆浴,以圓圈記號(〇)表示無金沉澱物與容器內壁未析出金者。又,針對上述本發明之實施例12~23,於表9的金鍍覆皮膜的特性欄位顯示金皮膜的外觀、平均膜厚及膜厚不均的結果。
【表9】
實施例 | |||||||||||||||
12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | ||||
鍍覆浴特性 | 液體穩定性 | - | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | 〇 | |
皮膜特性 | 外觀 | - | 亮黃色 | 亮黃色 | 亮黃色 | 亮黃色 | 亮黃色 | 亮黃色 | 亮黃色 | 亮黃色 | 亮黃色 | 亮黃色 | 亮黃色 | 亮黃色 | |
平均膜厚 | μm | 0.114 | 0.114 | 0.093 | 0.106 | 0.107 | 0.096 | 0.103 | 0.075 | 0.079 | 0.120 | 0.103 | 0.109 | ||
膜厚不均 | % | 1.5 | 1.8 | 2.2 | 3.1 | 3.2 | 4.2 | 3.2 | 5.2 | 4.6 | 1.5 | 3.6 | 2.4 |
若將表9的還原型無電解金鍍覆浴的實施例12~23的鍍覆浴及鍍覆皮膜的特性與表5的置換型無電解金(I)鍍覆浴的實施例08~11比較,則可得知下述內容。液體穩定性在任一無電解金(I)鍍覆浴中皆為良好,所得之金鍍覆皮膜皆呈現亮黃色。另一方面,表9的還原型無電解金鍍覆浴中金皮膜之平均膜厚以15分鐘約可鍍覆0.1μm的厚度,相對於此,表5的置換型無電解金鍍覆浴中以10分鐘約為50nm左右。而且得知由表9的還原型無電解金鍍覆浴所鍍覆的0.1μm金皮膜的膜厚不均為6%以下,優於表5的置換型無電解金(I)鍍覆浴的膜厚不均20%左右。亦即,若使用本發明的非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴,則可減少厚膜的無電解金鍍覆作業的不均,而可進行遠比本發明之非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴穩定的無電解金鍍覆作業。
(比較例07~09)
(比較例07)
比較例07,係將在實施例05的無電解金(I)鍍覆原液的組成中去除5,5-二甲基乙內醯脲的比較例01稀釋而成的非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴,其具有下述組成。建置此還原金鍍覆浴時,鍍覆液分解而無法進行還原金鍍覆作業。
氯金(III)酸 … 2.0g/L(作為Au)
乙內醯脲 … 6.5g/L
硫代硫酸鈉 … 1.0g/L
乙二胺 … 4.6g/L
亞硫酸鈉 … 60.0g/L
對苯二酚 … 10.0g/L
pH … 7.5
(比較例08)
比較例08,係將從實施例07的無電解金(I)鍍覆原液的組成中去除5,5-二甲基乙內醯脲的比較例02稀釋而成的非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴,其具有下述組成。建置此還原金鍍覆浴時,鍍覆液分解,無法進行還原金鍍覆作業。
氯金(III)酸 … 2.0g/L(作為Au)
1-甲基乙內醯脲 … 7.5g/L
硫代硫酸鈉 … 1.0g/L
乙二胺 … 4.6g/L
亞硫酸鈉 … 60.0g/L
對苯二酚 … 10.0g/L
pH … 7.5
(比較例09)
比較例09,係將從實施例04的無電解金(I)鍍覆原液的組成去除乙內醯脲的比較例03稀釋而成的非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴,其具有下述組成。在比較例09的鍍覆浴組成中不使用乙內醯脲,除此之外與實施例15相同。
氯金(III)酸 … 2.0g/L(作為Au)
5,5-二甲基乙內醯脲 … 8.5g/L
硫代硫酸鈉 … 1.0g/L
乙二胺 … 4.6g/L
亞硫酸鈉 … 60.0g/L
對苯二酚 … 10.0g/L
pH … 7.5
浴溫 … 60℃
時間 … 15分鐘
上述比較例07~09的還原型無電解金(I)鍍覆浴的組成及條件的一覽表顯示於表10。
【表10】
比較例 | |||||
07 | 08 | 09 | |||
鍍覆浴組成 | 乙內醯脲金(I)錯合物 | Au · g/L | - | - | - |
氯金(III)酸 | Au · g/L | 2.0 | 2.0 | 2.0 | |
乙內醯脲 | g/L | 6.5 | - | - | |
1-甲基乙內醯脲 | g/L | - | 7.5 | - | |
5,5-二甲基乙內醯脲 | g/L | - | - | 8.5 | |
硫代硫酸鈉 | g/L | 1.0 | 1.0 | 1.0 | |
乙二胺 | g/L | 4.6 | 4.6 | 4.6 | |
亞硫酸鈉 | g/L | 60.0 | 60.0 | 60.0 | |
對苯二酚 | g/L | 10.0 | 10.0 | 10.0 | |
抗壞血酸鈉 | g/L | - | - | - | |
條件 | pH | - | 7.5 | 7.5 | 7.5 |
浴溫 | ℃ | - | - | 60 | |
時間 | 分鐘 | - | - | 15 |
接著,比較例07~09的非氰系還原金鍍覆浴的鍍覆浴及鍍覆皮膜的特性顯示於表11。表11中,比較例07及比較例08的非氰系還原金鍍覆浴在建置時產生黑色沉澱,因此停止建置鍍覆浴。將此作為比較例07及比較例08的鍍覆浴的液穩定性而以叉的記號(×)表示。比較例07及08中並未得到還原金鍍覆皮膜。又,比較例09的非氰系還原金鍍覆浴,在還原金鍍覆作業後液體穩定性亦為良好。在表11的比較例09之鍍覆浴的特性欄位中將其表示為圓圈記號(〇)。又,進行還原金鍍覆作業15分鐘後的金鍍覆皮膜之平均膜厚為0.038μm。又,膜厚不均(CV值)為10.6%,尚為穩定。
【表11】
比較例 | |||||
07 | 08 | 09 | |||
浴特性 | 液體穩定性 | - | × | × | 〇 |
皮膜特性 | 外觀 | - | - | - | 亮黃色 |
平均膜厚 | μm | - | - | 0.038 | |
膜厚不均 | % | - | - | 10.6 |
將表11的比較例09之平均膜厚及膜厚不均與表9的實施例15進行比較。前者之平均膜厚為0.038μm/15分鐘,相對於此,後者之平均膜厚為約3倍的0.106μm/15分鐘。又,前者的不均為10.6%,相對於此,後者的不均為約1/3的3.1%。如此可知本發明之實施例15的還原型無電解金鍍覆浴,其鍍覆皮膜的特性優於比較例09。這是因為在實施例15的還原型無電解金(I)鍍覆浴中,藉由乙內醯脲生成穩定之金(I)錯合物,效率良好地進行無電解金鍍覆。另一方面,若將表11的還原型無電解金(I)鍍覆浴之比較例09的膜厚不均與本發明之置換型無電解金(I)鍍覆浴之表5的實施例09的膜厚不均進行比較,前者為10.6%,相對於此,後者為約2倍的22%。亦即可知,關於鍍覆皮膜的不均,比較例09的還原型無電解金(I)鍍覆浴優於本發明之實施例09的置換型無電解金(I)鍍覆浴。
上述說明僅為例示說明本發明的技術思想,只要是本發明所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明本質特性的範圍內皆可進行各種修正及變形。因此,本發明所記載的實施例並未限定本發明的技術思想,其係用以進行說明,本發明的技術思想的範圍不會因為這樣的實施例而有所限定。
由以上的實施例及比較例明確得知,本發明的不含氰化物之無電解金(I)鍍覆原液僅需稀釋即可輕易建置無電解金鍍覆浴。此無電解金(I)鍍覆原液,即使在包含還原性乙內醯脲化合物及錯合性乙內醯脲系化合物兩者的鹼溶液中穩定之金(I)離子錯合物的濃度高,仍可以長期穩定的溶液進行保存。又,本發明的非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴,可以1價金(I)離子進行置換鍍覆,而且可知此置換金鍍覆浴其液體穩定性優良。又,即使析出面積不同,所析出之金皮膜的膜厚不均亦小,因此主要可用於印刷電路板及半導體封裝等形成配線的用途。再者,本發明的非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴,可藉由1價金(I)離子錯合物來進行較厚的還原金鍍覆,而且此還原金鍍覆析出速度快,所析出之金皮膜的膜厚不均極小,因此主要可用於印刷電路板及半導體封裝等形成精密配線電路的用途。
再者,根據以本發明的非氰系無電解金(I)鍍覆浴所進行的無電解金鍍覆方法,在無電解金鍍覆浴中可將3價金(III)離子還原成1價金(I)離子並且形成穩定之1價金(I)離子錯合物,因此即便使用低價的3價氯金(III)酸,亦可進行與使用昂貴的乙內醯脲金(I)錯合物之情況相同的無電解金鍍覆作業。因此對於印刷電路板及半導體封裝等電性/電子零件等工業產品的用途而言,係最佳的無電解金鍍覆方法。
無
無
Claims (11)
- 如請求項1所述之非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴,其中該1價金(I)離子係由還原性乙內醯脲化合物而來的源自3價金(III)化合物的1價金(I)離子。
- 如請求項1或2所述之非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴,其中該錯合性乙內醯脲系化合物為5,5-二甲基乙內醯脲。
- 如請求項2所述之非氰系置換型無電解金(I)鍍覆浴,其中該還原性乙內醯脲化合物為乙內醯脲或1-甲基乙內醯脲,且該3價金(III)化合物為氯金(III)酸。
- 如請求項5所述之非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴,其中1價金(I)離子係由還原性乙內醯脲化合物而來的源自3價金(III)化合物的1價金(I)離子。
- 如請求項5或6所述之非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴,其中前述錯合性乙內醯脲系化合物為5,5-二甲基乙內醯脲。
- 如請求項6所述之非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴,其中前述還原性乙內醯脲化合物為乙內醯脲或1-甲基乙內醯脲,且其中前述3價金(III)化合物為氯金(III)酸。
- 如請求項5或6所述之非氰系還原型無電解金(I)鍍覆浴,其更包含硫代硫酸及其化合物、亞硫酸及其化合物、以及磷酸及其化合物之中的至少1種以上的化合物所構成之添加劑。
- 如請求項10所述之非氰系無電解金(I)鍍覆原液,其中該1價金(I)離子係由還原性乙內醯脲化合物而來的源自3價金(III)化合物的1價金(I)離子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020199416A JP6945050B1 (ja) | 2020-12-01 | 2020-12-01 | 非シアン系の置換金めっき液及び置換金めっき方法 |
JP2020-199416 | 2020-12-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202223151A TW202223151A (zh) | 2022-06-16 |
TWI772134B true TWI772134B (zh) | 2022-07-21 |
Family
ID=77915242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110128553A TWI772134B (zh) | 2020-12-01 | 2021-08-03 | 無電解金(i)鍍覆浴及無電解金(i)鍍覆原液 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6945050B1 (zh) |
KR (1) | KR20220077066A (zh) |
CN (1) | CN114574839A (zh) |
TW (1) | TWI772134B (zh) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005256072A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 金錯体 |
TW201715081A (zh) * | 2015-07-28 | 2017-05-01 | C Uyemura & Co Ltd | 無氰基無電解鍍金浴及無電解鍍金方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3181571B2 (ja) | 2000-01-27 | 2001-07-03 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | 金メッキ液及びそれを用いた金メッキ方法 |
CN1447866A (zh) * | 2000-08-21 | 2003-10-08 | 日本利罗纳尔株式会社 | 化学置换镀金溶液及用于制备该电镀液的添加剂 |
JP4932094B2 (ja) | 2001-07-02 | 2012-05-16 | 日本リーロナール有限会社 | 無電解金めっき液および無電解金めっき方法 |
US6511589B1 (en) * | 2001-08-17 | 2003-01-28 | Electroplating Engineers Of Japan Limited | Gold plating solution and gold plating method using thereof |
JP2003183258A (ja) * | 2001-12-19 | 2003-07-03 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 金錯体 |
JP3832410B2 (ja) | 2002-09-19 | 2006-10-11 | セイコーエプソン株式会社 | インクジェット式プリンタのヘッドドライバic温度検出装置及びそのダイオードのアノード・カソード間電圧特定方法 |
JP4941650B2 (ja) * | 2007-01-11 | 2012-05-30 | 上村工業株式会社 | 無電解金めっき浴のめっき能維持管理方法 |
EP3144413B1 (en) * | 2015-09-21 | 2018-04-25 | ATOTECH Deutschland GmbH | Plating bath composition for electroless plating of gold |
JP6521553B1 (ja) * | 2018-12-26 | 2019-05-29 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | 置換金めっき液および置換金めっき方法 |
JP7219120B2 (ja) * | 2019-03-04 | 2023-02-07 | Eeja株式会社 | 電解金めっき液及びその製造方法、並びに金めっき方法及び金錯体 |
-
2020
- 2020-12-01 JP JP2020199416A patent/JP6945050B1/ja active Active
-
2021
- 2021-08-03 TW TW110128553A patent/TWI772134B/zh active
- 2021-09-14 KR KR1020210122433A patent/KR20220077066A/ko not_active Application Discontinuation
- 2021-10-29 CN CN202111271305.2A patent/CN114574839A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005256072A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 金錯体 |
TW201715081A (zh) * | 2015-07-28 | 2017-05-01 | C Uyemura & Co Ltd | 無氰基無電解鍍金浴及無電解鍍金方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022087472A (ja) | 2022-06-13 |
JP6945050B1 (ja) | 2021-10-06 |
KR20220077066A (ko) | 2022-06-08 |
TW202223151A (zh) | 2022-06-16 |
CN114574839A (zh) | 2022-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100484965B1 (ko) | 무시안화물 단가 구리 전기도금용액 | |
US6869637B2 (en) | Bath and method of electroless plating of silver on metal surfaces | |
JP2007119902A (ja) | ニッケルめっき液とその製造方法、ニッケルめっき方法およびプリント配線板用銅箔 | |
TW200902758A (en) | Electroless gold plating bath, electroless gold plating method and electronic parts | |
JP6231982B2 (ja) | 無電解金めっき処理方法、および金めっき被覆材料 | |
JP5175156B2 (ja) | パラジウム合金めっき液およびめっき方法 | |
JP4790191B2 (ja) | パラジウム又はその合金を電気化学的に析出させるための電解浴 | |
JPS61183490A (ja) | パラジウム(合金)めっき浴組成物および方法 | |
TWI772134B (zh) | 無電解金(i)鍍覆浴及無電解金(i)鍍覆原液 | |
JP2021181600A (ja) | 電解金合金めっき浴及び電解金合金めっき方法 | |
CN105051254B (zh) | 供无电电镀的铜表面活化的方法 | |
WO2006043578A1 (ja) | 基材上にSn-Ag-Cu三元合金薄膜を形成する方法 | |
JP4129363B2 (ja) | 電解金めっき液及び金めっき方法 | |
KR102295180B1 (ko) | 전기전도성, 내식성 및 내구성 향상을 위한 은-나노 합금 도금액 조성물 및 이를 이용한 도금 방법 | |
JP4230813B2 (ja) | 金めっき液 | |
JP2005256072A (ja) | 金錯体 | |
TWI804539B (zh) | 無電鍍金鍍浴 | |
JP7316250B2 (ja) | 無電解金めっき浴および無電解金めっき方法 | |
JP2797951B2 (ja) | 銀−パラジウム合金めっき方法およびめっき浴 | |
WO2021166641A1 (ja) | めっき積層体 | |
JPH07166392A (ja) | 金めっき液及び金めっき方法 | |
JP2004149824A (ja) | 金めっき液と該金めっき液を使用しためっき方法、及び電子部品の製造方法、並びに電子部品 | |
JP2004250765A (ja) | 金めっき液、及び電子部品の製造方法 | |
KR101092666B1 (ko) | 무시안 AuSn 합금 도금욕 | |
TW202331000A (zh) | 無電解鍍金浴 |