JPS61183490A - パラジウム（合金）めっき浴組成物および方法 - Google Patents
パラジウム（合金）めっき浴組成物および方法Info
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- JPS61183490A JPS61183490A JP61013565A JP1356586A JPS61183490A JP S61183490 A JPS61183490 A JP S61183490A JP 61013565 A JP61013565 A JP 61013565A JP 1356586 A JP1356586 A JP 1356586A JP S61183490 A JPS61183490 A JP S61183490A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/50—Electroplating: Baths therefor from solutions of platinum group metals
- C25D3/52—Electroplating: Baths therefor from solutions of platinum group metals characterised by the organic bath constituents used
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/567—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of platinum group metals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、その純粋な金属状および他の金属との合金状
パラジウムめっき用組成物および方法に関する。
パラジウムめっき用組成物および方法に関する。
貴金属パラジウムは、電気的スイッチ接点エレメントの
導電率を高める機能的な用途ならびに品質においてＯジ
ウムに比肩し得る光沢ある白色めっき層を提供する装飾
用として、ここ数年来各種の支持体上にめっきされて来
た。パラジウムめっき層はまた、その性能としてアトめ
つき成形作業に耐え、かつ低い接点抵抗を維持し、更に
それらは十分に長持ちし、また良好なはんだ付は適性を
有することが知られている。
導電率を高める機能的な用途ならびに品質においてＯジ
ウムに比肩し得る光沢ある白色めっき層を提供する装飾
用として、ここ数年来各種の支持体上にめっきされて来
た。パラジウムめっき層はまた、その性能としてアトめ
つき成形作業に耐え、かつ低い接点抵抗を維持し、更に
それらは十分に長持ちし、また良好なはんだ付は適性を
有することが知られている。
従来パラジウムは、たとえば米国特許出願第４０９８６
５号に開示されるように一般にパラジウムジアミンジク
ロリドを含有する組成物からめつきされていた。しかし
、これらの組成物は望ましくないアノード反応を受け、
該反応は塩素ガス、次亜塩素酸塩およびその他の酸化物
質の発生を伴い、そしてこれらの物質は存在する可能性
ある有機添加剤（通常、光沢剤および応力減少剤［５ｔ
ｒｅｓｓｒｅｄｕｃｅｒ ］ ）の分解ならびにその上
にパラジウム金属または合金を析出させるニッケルのよ
うな支持体の不動態化を導く可能性がある。このような
系中にみられる反応は以下の通りである。
５号に開示されるように一般にパラジウムジアミンジク
ロリドを含有する組成物からめつきされていた。しかし
、これらの組成物は望ましくないアノード反応を受け、
該反応は塩素ガス、次亜塩素酸塩およびその他の酸化物
質の発生を伴い、そしてこれらの物質は存在する可能性
ある有機添加剤（通常、光沢剤および応力減少剤［５ｔ
ｒｅｓｓｒｅｄｕｃｅｒ ］ ）の分解ならびにその上
にパラジウム金属または合金を析出させるニッケルのよ
うな支持体の不動態化を導く可能性がある。このような
系中にみられる反応は以下の通りである。
アノード：２ＣＮ−−）ＣＩ＋２＋２０−しかし：
３Ｃ１２＋ ２ＮＨ３＋６０１１− →Ｎ２＋６
ＣＪ）−＋６１−１２０そして： Ｎｉ１ａ＋１−１
２０ −＋ＮｌＩ４” ＋０１１−全
体ｒハ： ３Ｐｄ （ＮＨ３）２Ｃｊｌ 、、 ＋２８
Ｉ＋３−）３ｒｄ十Ｎ２＋６Ｃ，Ｑ ” ＋６８Ｈ４”
この図式には０ＣＪＩ −、ＮＨ，２０ρおよびｐｄ（
ＩＶ）を含む中間反応が述べられていないことを注意す
べきである。
３Ｃ１２＋ ２ＮＨ３＋６０１１− →Ｎ２＋６
ＣＪ）−＋６１−１２０そして： Ｎｉ１ａ＋１−１
２０ −＋ＮｌＩ４” ＋０１１−全
体ｒハ： ３Ｐｄ （ＮＨ３）２Ｃｊｌ 、、 ＋２８
Ｉ＋３−）３ｒｄ十Ｎ２＋６Ｃ，Ｑ ” ＋６８Ｈ４”
この図式には０ＣＪＩ −、ＮＨ，２０ρおよびｐｄ（
ＩＶ）を含む中間反応が述べられていないことを注意す
べきである。
他の知られたパラジウムめっき組成物は、たとえば米国
特許出願箱４４０１５２７ ＠中に教示されるように、
パラジウムジアミノジニトライトを包含している。他の
欠点が、この種の組成物に付随する。
特許出願箱４４０１５２７ ＠中に教示されるように、
パラジウムジアミノジニトライトを包含している。他の
欠点が、この種の組成物に付随する。
それらの欠点には、ニトライトイオンがアンモニウムイ
オンと反応して窒素ガスと水を生成するというものも含
まれる。従って、ニトライトイオン濃度の制御が問題で
ある。更に、これはさほど重大な欠点ではないが、ニト
ライトイオンがカソードで酸化されるようになると、ニ
トレートイオンおよびアンモニウムイオンの両者が生成
することになる。パラジウムジアミノジニトライト系中
で行われる反応は以下の通りである。
オンと反応して窒素ガスと水を生成するというものも含
まれる。従って、ニトライトイオン濃度の制御が問題で
ある。更に、これはさほど重大な欠点ではないが、ニト
ライトイオンがカソードで酸化されるようになると、ニ
トレートイオンおよびアンモニウムイオンの両者が生成
することになる。パラジウムジアミノジニトライト系中
で行われる反応は以下の通りである。
７ノード：ＮＯ２−＋２０１１− −＊
Ｈ２０＋ＮＯ３−＋２ｅ −溶液中では：Ｎ１１３＋
Ｎ２０ →Ｎ１１４” ＋０１１−イし
て： Ｎ１１４” ＋ＮＯ２−→Ｎ２ ＋２１４２０
全体テハ：［Ｐｄ（Ｎｌ＋３）２（ＮＯ２）２］
−＞Ｐｄ＋１１２０）Ｎ２＋ＮＨ４”＋ＮＯ３−亜硫酸
パラジウム組成物はまた、当該技術分野でそれ程一般的
に使用されるものではないが、これまでに開示されてい
る（たとえば、米国特許出願第３９３３６０７号参照）
。亜硫酸塩系中でみられる反応は以下の通りである。
Ｈ２０＋ＮＯ３−＋２ｅ −溶液中では：Ｎ１１３＋
Ｎ２０ →Ｎ１１４” ＋０１１−イし
て： Ｎ１１４” ＋ＮＯ２−→Ｎ２ ＋２１４２０
全体テハ：［Ｐｄ（Ｎｌ＋３）２（ＮＯ２）２］
−＞Ｐｄ＋１１２０）Ｎ２＋ＮＨ４”＋ＮＯ３−亜硫酸
パラジウム組成物はまた、当該技術分野でそれ程一般的
に使用されるものではないが、これまでに開示されてい
る（たとえば、米国特許出願第３９３３６０７号参照）
。亜硫酸塩系中でみられる反応は以下の通りである。
朴硫酸塩浴に関する短所には、低くもなければ、高くも
ない亜硫酸塩濃度を利用する困難性が包含されている。
ない亜硫酸塩濃度を利用する困難性が包含されている。
それは、この中間濃度においてパラジウムトリアミノ亜
硫酸錯体が、適当なカチオンによって溶液から析出する
傾向を有するからである。この問題は理論的には、溶解
度が問題とならない低亜硫酸塩濃度において作業するか
、あるいは可溶性パラジウムジアミノジ亜硫酸錯体イオ
ンが生成される高亜硫酸塩濃度において作業することに
より回避することができる。しかし、低い亜硫酸塩濃度
は制御するのが困難である。それは亜硫酸塩イオンがア
ノードにおいて破壊されるからである。一方、高い亜硫
酸塩濃度はめっき層中に受容不可能但の硫黄を導く可能
性があり、これが乏しい耐腐食性をもたらすことになる
。更に硫酸塩イオンの蓄積も生ずる。
硫酸錯体が、適当なカチオンによって溶液から析出する
傾向を有するからである。この問題は理論的には、溶解
度が問題とならない低亜硫酸塩濃度において作業するか
、あるいは可溶性パラジウムジアミノジ亜硫酸錯体イオ
ンが生成される高亜硫酸塩濃度において作業することに
より回避することができる。しかし、低い亜硫酸塩濃度
は制御するのが困難である。それは亜硫酸塩イオンがア
ノードにおいて破壊されるからである。一方、高い亜硫
酸塩濃度はめっき層中に受容不可能但の硫黄を導く可能
性があり、これが乏しい耐腐食性をもたらすことになる
。更に硫酸塩イオンの蓄積も生ずる。
パラジウムジアミノジニトライトおよびパラジウムトリ
アミノサルファイト組成物に伴う困難性の故で、パラジ
ウムジアミノジクロリド浴が当該技術分野において最も
広く使用されるものとなっている。
アミノサルファイト組成物に伴う困難性の故で、パラジ
ウムジアミノジクロリド浴が当該技術分野において最も
広く使用されるものとなっている。
そして今や、パラジウムジアミノジクロリド組成物にお
けるよりも問題の少ないアノード反応を示す組成物から
パラジウムをめっきできることが見出された。
けるよりも問題の少ないアノード反応を示す組成物から
パラジウムをめっきできることが見出された。
もし蓚酸または蓚酸塩イオン（この２つの術語は、水明
ｍ国中、文脈１他の解釈を要しない限り互換性を右する
ものとする）が存在し、かつそれらが存在するもののう
ち最も容易に酸化し得る種であれば、それらは不溶性ア
ノードにおいて、二酸化炭素、炭酸塩イオンまたは炭酸
水素塩イオンの発生を伴って酸化されるものであること
が発見された。この酸化は、実質上１００％の電気化学
的効率をちって進行し、その結果その他の望ましくない
アノード反応の発生を有効に阻止するものであることが
理解される。
ｍ国中、文脈１他の解釈を要しない限り互換性を右する
ものとする）が存在し、かつそれらが存在するもののう
ち最も容易に酸化し得る種であれば、それらは不溶性ア
ノードにおいて、二酸化炭素、炭酸塩イオンまたは炭酸
水素塩イオンの発生を伴って酸化されるものであること
が発見された。この酸化は、実質上１００％の電気化学
的効率をちって進行し、その結果その他の望ましくない
アノード反応の発生を有効に阻止するものであることが
理解される。
本発明の第１の特徴によれば、パラジウム金属源および
蓚酸塩イオン源、ならびに場合により合金金属イオン源
を含んで構成されるパラジウム金属またはパラジウム合
金めつき組成物が提供される。該組成物中のパラジウム
濃度は１ｇ／ｌｉ乃至６０ｇ／ρの広い範囲に及んでい
てもよく、また溶解度の限界は５ｇ／ρ乃至３０ｇ／１
１の範囲であることが好ましく、そして約１０９／１の
濃度が最適である。
蓚酸塩イオン源、ならびに場合により合金金属イオン源
を含んで構成されるパラジウム金属またはパラジウム合
金めつき組成物が提供される。該組成物中のパラジウム
濃度は１ｇ／ｌｉ乃至６０ｇ／ρの広い範囲に及んでい
てもよく、また溶解度の限界は５ｇ／ρ乃至３０ｇ／１
１の範囲であることが好ましく、そして約１０９／１の
濃度が最適である。
これらの合金金属イオンは、ニッケル、コバルト、銀あ
るいは他の如何なる適切な合金金属であってもよい。成
る合金イオン、たとえばニッケルおよびコバルトが存在
する場合、一般に錯生成剤が存在して溶液中のイオンを
保持し、かつＷ！ＪＦａｊＨによるそれらの沈殿を阻止
する。ニッケルまたはコバルト用錯生成剤の一例はピロ
りん酸塩である。
るいは他の如何なる適切な合金金属であってもよい。成
る合金イオン、たとえばニッケルおよびコバルトが存在
する場合、一般に錯生成剤が存在して溶液中のイオンを
保持し、かつＷ！ＪＦａｊＨによるそれらの沈殿を阻止
する。ニッケルまたはコバルト用錯生成剤の一例はピロ
りん酸塩である。
たとえば、浴可溶性塩として添加される合金イオンは１
ｇ／ｌ乃至６０９／４１の範囲に及んでいてもよく、ま
た溶解度の限界は５ｇ／ｆＪ乃至３０９／ｌの範囲であ
ることが好ましく、そして温度約１０ｇ／Ｉが最適であ
る。
ｇ／ｌ乃至６０９／４１の範囲に及んでいてもよく、ま
た溶解度の限界は５ｇ／ｆＪ乃至３０９／ｌの範囲であ
ることが好ましく、そして温度約１０ｇ／Ｉが最適であ
る。
使用すべき錯生成剤の濃度は、合金金属イオンの濃度お
よび合金金属と錯生成剤との錯体の化学量論に左右され
る。
よび合金金属と錯生成剤との錯体の化学量論に左右され
る。
組成物中の蓚酸塩または有効蓚酸塩の濃度は０．０１
Ｍ乃至２Ｍの広い範囲に及んでいてもよく、また溶解度
の限界は０．１Ｍ乃至０．５Ｍの範囲であることが好ま
しく、そして温度約０．２５ Ｍが最適である。
Ｍ乃至２Ｍの広い範囲に及んでいてもよく、また溶解度
の限界は０．１Ｍ乃至０．５Ｍの範囲であることが好ま
しく、そして温度約０．２５ Ｍが最適である。
蓚酸塩イオン源は、アンモニウムまたはアルカリ金属塩
、たとえば蓚酸ナトリウムまたは蓚酸カリウムあるいは
蓚酸自体であってもよ（、またパラジウム源は、パラジ
ウムテトラアミノジニトレートまたはパラジウムジアミ
ノジニトライトまたはパラジウムジアミンジクロリドあ
るいはめっき溶液中でテトラアミンパラジウム錯体を生
成する如何なる他のパラジウム塩であってもよい。好ま
しいのはパラジウム５，１０、または１５％未満を亜硫
酸塩部分と錯体をつくらＵることである。
、たとえば蓚酸ナトリウムまたは蓚酸カリウムあるいは
蓚酸自体であってもよ（、またパラジウム源は、パラジ
ウムテトラアミノジニトレートまたはパラジウムジアミ
ノジニトライトまたはパラジウムジアミンジクロリドあ
るいはめっき溶液中でテトラアミンパラジウム錯体を生
成する如何なる他のパラジウム塩であってもよい。好ま
しいのはパラジウム５，１０、または１５％未満を亜硫
酸塩部分と錯体をつくらＵることである。
しかし、特に好ましいのはパラジウム源とＨＭ塩ビイオ
ン源を単一物として化合させることである。もしパラジ
ウムが蓚酸塩錯体として、あるいは作用水性組成物中で
蓚酸塩イオンを生成する（たとえば、溶解または加水分
解により）錯体として添加されれば、それ以上の効果が
明らかとなる。つまり、それは緩慢に、しかし着実にア
ンモニアおよび二酸化炭素として大気中に失われて行く
炭酸アンモニウムと炭酸水素アンモニウムの平衡濃度の
確立は別として、溶液中に認知し得る塩の堆積は生じな
いということである。一実施態様において、みられる反
応は次の通りである。
ン源を単一物として化合させることである。もしパラジ
ウムが蓚酸塩錯体として、あるいは作用水性組成物中で
蓚酸塩イオンを生成する（たとえば、溶解または加水分
解により）錯体として添加されれば、それ以上の効果が
明らかとなる。つまり、それは緩慢に、しかし着実にア
ンモニアおよび二酸化炭素として大気中に失われて行く
炭酸アンモニウムと炭酸水素アンモニウムの平衡濃度の
確立は別として、溶液中に認知し得る塩の堆積は生じな
いということである。一実施態様において、みられる反
応は次の通りである。
全体ｔ−ハ：［Ｐｄ（ＮＨ３）２Ｃ２０４］ −＋
Ｐｄ＋２ＮＩＩ３＋２Ｃ０２これらの反応の特性は、溶
液が本質的に自己緩衝性であることであり、その結果他
の場合に要するよりも少ないｐＨ緩衝性塩類を必要とす
るものである。
Ｐｄ＋２ＮＩＩ３＋２Ｃ０２これらの反応の特性は、溶
液が本質的に自己緩衝性であることであり、その結果他
の場合に要するよりも少ないｐＨ緩衝性塩類を必要とす
るものである。
本発明の、この好ましい特徴において、パラジウムはパ
ラジウムジアミノオキサレート（Ｐｄ（ＮＨ３）２Ｃ２
０４）、パラジウムテトラアミノオキサレート（Ｐｄ
（ＮＨ３）４Ｃ２０４）、またはパラジウムジオキサレ
ート（Ｍ、２ Ｐｄ（Ｃ２０４）２）のアンモニウムま
たはアルカリ金ｆｆ塩（但し、Ｍはアンモニウムまたは
アルカリ金属カチオンを示している）として添加すれば
よい。これらに関しては、テトラアミノオキサレートｊ
論が好ましい。それは蓚酸塩部分がパラジウム原子と全
く錯体をつくらないという事実から得られる改良された
光安定性を有するからである。
ラジウムジアミノオキサレート（Ｐｄ（ＮＨ３）２Ｃ２
０４）、パラジウムテトラアミノオキサレート（Ｐｄ
（ＮＨ３）４Ｃ２０４）、またはパラジウムジオキサレ
ート（Ｍ、２ Ｐｄ（Ｃ２０４）２）のアンモニウムま
たはアルカリ金ｆｆ塩（但し、Ｍはアンモニウムまたは
アルカリ金属カチオンを示している）として添加すれば
よい。これらに関しては、テトラアミノオキサレートｊ
論が好ましい。それは蓚酸塩部分がパラジウム原子と全
く錯体をつくらないという事実から得られる改良された
光安定性を有するからである。
組成物はまた、浴中の溶解限度までの有効量をもって存
在するりん酸水素二ナトリウムのような電解質を含有し
ていてもよい。１０乃至２００９／Ｊｌの電解質、たと
えば５０乃至１５０ｇ／ｌ、典型的には１００９／Ｊの
電解質が存在していてもよい。
在するりん酸水素二ナトリウムのような電解質を含有し
ていてもよい。１０乃至２００９／Ｊｌの電解質、たと
えば５０乃至１５０ｇ／ｌ、典型的には１００９／Ｊの
電解質が存在していてもよい。
この組成物はまた、有効ｍの応力減少剤および／または
光沢剤を含んでいてもよい。有効であることが判明して
いる応力減少剤および光沢剤には、ニッケルめっき系で
一般に使用されるものが包含される。多くの受容可能な
応力減少剤は硫黄、たとえばアリルスルホン酸ナトリウ
ムおよびオルトベンズアルデヒドスルホン酸ナトリウム
のようなスルホン酸塩を含んでいる。υツカリンもまた
、受容可能な応力減少剤である。光沢剤に関しては、一
般に不飽和であるクラス（Ｃ１ａｓｓ） ■またはクラ
ス■のニッケル光沢剤のいずれかを使用することができ
る。アルデヒドであるか、あるいはアルケン的乃至アル
キン的に不飽和である光沢剤が適切である。
光沢剤を含んでいてもよい。有効であることが判明して
いる応力減少剤および光沢剤には、ニッケルめっき系で
一般に使用されるものが包含される。多くの受容可能な
応力減少剤は硫黄、たとえばアリルスルホン酸ナトリウ
ムおよびオルトベンズアルデヒドスルホン酸ナトリウム
のようなスルホン酸塩を含んでいる。υツカリンもまた
、受容可能な応力減少剤である。光沢剤に関しては、一
般に不飽和であるクラス（Ｃ１ａｓｓ） ■またはクラ
ス■のニッケル光沢剤のいずれかを使用することができ
る。アルデヒドであるか、あるいはアルケン的乃至アル
キン的に不飽和である光沢剤が適切である。
浴のｐＨは、典型的には６乃至９に及び、好ましい範囲
は６．５乃至８であり、そして最適であるのは７乃至１
．５である。
は６．５乃至８であり、そして最適であるのは７乃至１
．５である。
本発明の第２の特徴によれば、パラジウム金属またはパ
ラジウム合金を支持体上にめっきする方法が提供される
が、該方法は支持体を、パラジウム源、蓚酸塩イオン源
および場合により合金金属イオン源を含んで成る組成物
と接触させる工程と、前記支持体にカソード的に電流を
通じる工程とを含んで成ることを特徴とするものである
。
ラジウム合金を支持体上にめっきする方法が提供される
が、該方法は支持体を、パラジウム源、蓚酸塩イオン源
および場合により合金金属イオン源を含んで成る組成物
と接触させる工程と、前記支持体にカソード的に電流を
通じる工程とを含んで成ることを特徴とするものである
。
この種の方法は、パラジウムを用途により０．１乃至１
０ミクロン、好ましくは０．２乃至５ミクロンの厚さを
もって、そしてエレクトロニクス工業用のセパラブルコ
ネクターとしての用途では、典型的に０．５乃至２．５
ミクロンの厚さをもって堆積させるために利用すること
ができる。
０ミクロン、好ましくは０．２乃至５ミクロンの厚さを
もって、そしてエレクトロニクス工業用のセパラブルコ
ネクターとしての用途では、典型的に０．５乃至２．５
ミクロンの厚さをもって堆積させるために利用すること
ができる。
めっきは温度２０°乃至７０℃、好ましくは３０＠乃至
７０℃で行われ、そして約５０℃が好ましい。
７０℃で行われ、そして約５０℃が好ましい。
本方法が行われる電流密度は広い範囲に亘ることが可能
で、たどえば０，１乃至２＜１０ ＡＳＤ 、好ましく
は１乃至１００ ＡＳＯ、そして低速作業では典型的に
２乃至２０＾ＳＯである。めつき速度は明らかに電流密
度に左右されるが、１ミクロン／分のオーダーの速度は
電流密度４乃至５ ＡＳＤにおいて得られることが判明
している。
で、たどえば０，１乃至２＜１０ ＡＳＤ 、好ましく
は１乃至１００ ＡＳＯ、そして低速作業では典型的に
２乃至２０＾ＳＯである。めつき速度は明らかに電流密
度に左右されるが、１ミクロン／分のオーダーの速度は
電流密度４乃至５ ＡＳＤにおいて得られることが判明
している。
用いられるアノードの性質は、特に臨界的であるべきと
は考えられない。（ａ）容易に不動態化される支持体に
塗布された貴金属〈たとえば、白金めつきしたチタン）
、（ｂ）たとえば、純粋白金のような純粋貴金属（こ
れらのアノードはジェットめっき（ｊｅｔ ｐｌａｔｉ
ｎ（Ｊ）におけるノズルとして特に適切である）、（Ｃ
）炭素、または（ｄ）ステンレス鋼から形成されるよう
なアノードは適切であることが判明している。
は考えられない。（ａ）容易に不動態化される支持体に
塗布された貴金属〈たとえば、白金めつきしたチタン）
、（ｂ）たとえば、純粋白金のような純粋貴金属（こ
れらのアノードはジェットめっき（ｊｅｔ ｐｌａｔｉ
ｎ（Ｊ）におけるノズルとして特に適切である）、（Ｃ
）炭素、または（ｄ）ステンレス鋼から形成されるよう
なアノードは適切であることが判明している。
本発明の第２の特徴による、その他の性質は第１の特徴
に必要な変更を加えたものとなる。
に必要な変更を加えたものとなる。
本発明の第３の特徴は、パラジウムまたはパラジウム合
金めっき組成物に蓚酸パラジウム錯体またはパラジウム
錯体であって、作用水性組成物中で＠酸塩イオンを生成
するものを補充することを包含し、更に本発明の第４の
特徴によれば、本発明第１特徴による組成物を用いて、
あるいは第２特徴による方法によりめっきされたパラジ
ウムめっきまたはパラジウム合金めつき支持体が提供さ
れる。
金めっき組成物に蓚酸パラジウム錯体またはパラジウム
錯体であって、作用水性組成物中で＠酸塩イオンを生成
するものを補充することを包含し、更に本発明の第４の
特徴によれば、本発明第１特徴による組成物を用いて、
あるいは第２特徴による方法によりめっきされたパラジ
ウムめっきまたはパラジウム合金めつき支持体が提供さ
れる。
下記の実施例は本発明を例示する。
支り五−ユ
以下の成分をもって水性めっき組成物５００ｄを調製し
た。
た。
［Ｐｄ （ＮＨ３）２ Ｃ２Ｏ４］としてＰｄ（Ｎ
Ｈ４） ２ ＨＰＯ，ｓ １００ｇ／４
１サッカリン １Ｌ勺アリルス
ルホン酸ナトリウム ３ｇ／ＭＯＨを１．５に調
節するに足るアンモニア溶液白金めつきしたチタンアノ
ードを組成物中に浸漬し、一方０．５ｄ鵬２のニッケル
ーめつき黄銅テストパネルをカソードとして浸漬した。
Ｈ４） ２ ＨＰＯ，ｓ １００ｇ／４
１サッカリン １Ｌ勺アリルス
ルホン酸ナトリウム ３ｇ／ＭＯＨを１．５に調
節するに足るアンモニア溶液白金めつきしたチタンアノ
ードを組成物中に浸漬し、一方０．５ｄ鵬２のニッケル
ーめつき黄銅テストパネルをカソードとして浸漬した。
めっきは温度５０℃で４分間行った。電流密度は３ Ａ
／ ｄａ＋２であった。めっきの間、組成物を電磁攪
拌機を使用して穏やかに攪拌した。厚さ４ミクロンの十
分な光沢を有するめつき層が得られた。めっき工程中、
明らかに望ましくないアノード反応は全くみられなかっ
た。
／ ｄａ＋２であった。めっきの間、組成物を電磁攪
拌機を使用して穏やかに攪拌した。厚さ４ミクロンの十
分な光沢を有するめつき層が得られた。めっき工程中、
明らかに望ましくないアノード反応は全くみられなかっ
た。
火１」Ｌ−２
以下の成分をもって水性めっき組成物５００ｍを調製し
た。
た。
Ｐｄ （ＮＨ３）４ （ＮＯ３）２としてＰｄ蓚酸アン
モニウム ３０ｇ／ｌオルトベンズア
ルデヒドスルホン酸ナトリウムブチレン−１−４ジオー
ル １１００ＩＲ／ρｐＨを７．０に調節するに
足るアンモニア溶液白金めつきしたチタンアノードを組
成物中に浸漬し、一方０．５ｄｍ２のニッケルーめっき
黄銅テストパネルをカソードとして浸漬した。めっきは
温度５０℃で４分間行った。電流密度は４Ａ／ｄｍ２で
あった。めっきの間、組成物を電Ｉｆ！拌機を使用して
穏やかに攪拌した。厚さ３ミクロンの十分な光沢を有°
するめつき層が得られた。めっき工程中、明らかに望ま
しくないアノード反応は全（みられなかった。
モニウム ３０ｇ／ｌオルトベンズア
ルデヒドスルホン酸ナトリウムブチレン−１−４ジオー
ル １１００ＩＲ／ρｐＨを７．０に調節するに
足るアンモニア溶液白金めつきしたチタンアノードを組
成物中に浸漬し、一方０．５ｄｍ２のニッケルーめっき
黄銅テストパネルをカソードとして浸漬した。めっきは
温度５０℃で４分間行った。電流密度は４Ａ／ｄｍ２で
あった。めっきの間、組成物を電Ｉｆ！拌機を使用して
穏やかに攪拌した。厚さ３ミクロンの十分な光沢を有°
するめつき層が得られた。めっき工程中、明らかに望ま
しくないアノード反応は全（みられなかった。
友庭五−ユ
以下の成分をもって水性めっき組成物５００ｍを調製し
た。
た。
Ｐｄ （Ｎｉｌ ） （Ｎｏ３）２としてＰｄ
１０ｇ／ｌ Ｎ１５Ｏ７ＨＯとしてＮｉ ５７／ρピロりん
酸四カリウム １００ｇ／４１錐酸二水和
物 ２０ｇ／ｌオルトベンズアル
デヒドスルホン酸ナトリウム５ｇ／１ １１Ｈを８．０に調節するに足るアンモニア溶液白金め
つきしたチタンアノードを組成物中に浸漬し１、一方０
．５６１２の黄銅テストパネルであって、その裏面を適
当な接着テープで被覆したものをカソードとして浸漬し
た。めっきは瀉０！６０℃で２０分問行った。電流密度
は４△／ ６ｍ２であった。めっきの間、組成物を電磁
攪拌機を使用いて穏やかに攪拌した。接着テープを除去
し、黄銅を、水中１−Ｉ ＳＯ１００ｄおよびＨ２０
２（３５％） １００７から成る溶液中で溶解すると
、厚さ１５μｍの滑らかで半光沢性の箔が得られ、その
分析結果はｐ６９８％およびＮｉ２％の含有を示した。
１０ｇ／ｌ Ｎ１５Ｏ７ＨＯとしてＮｉ ５７／ρピロりん
酸四カリウム １００ｇ／４１錐酸二水和
物 ２０ｇ／ｌオルトベンズアル
デヒドスルホン酸ナトリウム５ｇ／１ １１Ｈを８．０に調節するに足るアンモニア溶液白金め
つきしたチタンアノードを組成物中に浸漬し１、一方０
．５６１２の黄銅テストパネルであって、その裏面を適
当な接着テープで被覆したものをカソードとして浸漬し
た。めっきは瀉０！６０℃で２０分問行った。電流密度
は４△／ ６ｍ２であった。めっきの間、組成物を電磁
攪拌機を使用いて穏やかに攪拌した。接着テープを除去
し、黄銅を、水中１−Ｉ ＳＯ１００ｄおよびＨ２０
２（３５％） １００７から成る溶液中で溶解すると
、厚さ１５μｍの滑らかで半光沢性の箔が得られ、その
分析結果はｐ６９８％およびＮｉ２％の含有を示した。
めっき工程中、明らかに望ましくないアノード反応は全
くみられむかった。
くみられむかった。
外１名
Claims (20)
- （１）パラジウム金属源および蓚酸塩イオン源、ならび
に場合により合金金属イオン源を含んで構成されること
を特徴とするパラジウム金属またはパラジウム合金めつ
き組成物。 - （２）組成物中のパラジウム濃度が５ｇ／ｌ乃至３０ｇ
／ｌの範囲に及んでいる特許請求の範囲第１項記載の組
成物。 - （３）ニッケル、コバルトおよび銀から成る群から選択
される合金金属イオンが存在する特許請求の範囲第１項
記載の組成物。 - （４）合金金属イオンが５ｇ／ｌ乃至３０ｇ／ｌの濃度
をもつて存在する特許請求の範囲第１項記載の組成物。 - （５）合金金属イオンのために錯生成剤が存在する特許
請求の範囲第３項乃至第４項記載の組成物。 - （６）組成物中の有効蓚酸塩の濃度が０．１Ｍ乃至０．
５Ｍの範囲に及んでいる特許請求の範囲第１項記載の組
成物。 - （７）蓚酸塩源が、蓚酸のアンモニウムおよびアルカリ
金属塩ならびに遊離の蓚酸から成る群から選択される特
許請求の範囲第１項記載の組成物。 - （８）パラジウム金属源が、溶液中でテトラアミンパラ
ジウム錯体を生成するパラジウム塩である特許請求の範
囲第１項記載の組成物。 - （９）パラジウム金属源および蓚酸塩源が共に、蓚酸パ
ラジウム錯体およびパラジウム錯体であつて、作用水性
めつき組成物中で蓚酸塩イオンを生成するものから成る
群から選択される錯体の形態である特許請求の範囲第１
項記載の組成物。 - （１０）蓚酸パラジウム錯体が、パラジウムジアミノオ
キサレートおよびパラジウムテトラアミノオキサレート
から成る群から選択される特許請求の範囲第９項記載の
組成物。 - （１１）蓚酸パラジウム錯体が、パラジウムジオキサレ
ートのアンモニウムおよびアルカリ金属塩から成る群か
ら選択される特許請求の範囲第９項記載の組成物。 - （１２）更に電解質をも含んで成る特許請求の範囲第１
項記載の組成物。 - （１３）電解質がりん酸水素二ナトリウムである特許請
求の範囲第１項記載の組成物。 - （１４）電解質が５０乃至１５０ｇ／ｌの濃度をもって
存在する特許請求の範囲第１２項または１３項記載の組
成物。 - （１５）更に応力減少剤、光沢剤およびそれらの混合物
から成る群から選択される浴添加剤を含んで構成される
特許請求の範囲第１項記載の組成物。 - （１６）前記組成物のｐＨが６．５乃至８である特許請
求の範囲第１項記載の組成物。 - （１７）支持体を、パラジウム源、蓚酸塩イオン源およ
び場合により合金金属イオン源を含んで成る組成物と接
触させる工程と、前記支持体にカソード的に電流を通じ
る工程とを含んで成ることを特徴とするパラジウム金属
またはパラジウム合金を支持体上にめっきする方法。 - （１８）パラジウムを、厚さ０．１乃至１０ミクロンに
めつきする特許請求の範囲第１７項記載の方法。 - （１９）めっきが、電流密度１乃至１００ＡＳＤで行わ
れる特許請求の範囲第１７項記載の方法。 - （２０）めっき組成物に対し蓚酸パラジウム錯体または
パラジウム錯体であつて、組成物中に蓚酸塩イオンを生
成するものを添加することを特徴とするパラジウムまた
はパラジウム合金めっき組成物を補充する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8501856A GB2171721B (en) | 1985-01-25 | 1985-01-25 | Palladium and palladium alloy plating |
| GB8501856 | 1985-01-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61183490A true JPS61183490A (ja) | 1986-08-16 |
| JPS6220279B2 JPS6220279B2 (ja) | 1987-05-06 |
Family
ID=10573375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61013565A Granted JPS61183490A (ja) | 1985-01-25 | 1986-01-24 | パラジウム（合金）めっき浴組成物および方法 |
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|---|---|
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| JP (1) | JPS61183490A (ja) |
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| DE (1) | DE3601698A1 (ja) |
| FR (1) | FR2576609B1 (ja) |
| GB (1) | GB2171721B (ja) |
| HK (1) | HK73290A (ja) |
| SG (1) | SG54690G (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003530371A (ja) * | 2000-04-06 | 2003-10-14 | メタロール テクノロジー フランス エス アー エス | パラジウム錯塩及びパラジウム又はその合金の一つを析出させる電解浴のパラジウム濃度を調節するためのその使用 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR880010160A (ko) * | 1987-02-24 | 1988-10-07 | 로버트 에스.알렉산더 | 팔라듐 전기도금조 및 도금 방법 |
| US5149420A (en) * | 1990-07-16 | 1992-09-22 | Board Of Trustees, Operating Michigan State University | Method for plating palladium |
| JP3171646B2 (ja) * | 1992-03-25 | 2001-05-28 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | 白金合金めっき浴及びそれを用いた白金合金めっき品の製造方法 |
| US5846615A (en) * | 1997-02-28 | 1998-12-08 | The Whitaker Corporation | Direct deposition of a gold layer |
| US5894038A (en) * | 1997-02-28 | 1999-04-13 | The Whitaker Corporation | Direct deposition of palladium |
| US8110254B1 (en) | 2006-09-12 | 2012-02-07 | Sri International | Flexible circuit chemistry |
| US7981508B1 (en) * | 2006-09-12 | 2011-07-19 | Sri International | Flexible circuits |
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| US8628818B1 (en) | 2007-06-21 | 2014-01-14 | Sri International | Conductive pattern formation |
| CN101348928B (zh) * | 2007-07-20 | 2012-07-04 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 镀钯及镀钯合金之高速方法 |
| US20110147225A1 (en) * | 2007-07-20 | 2011-06-23 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | High speed method for plating palladium and palladium alloys |
| US8895874B1 (en) | 2009-03-10 | 2014-11-25 | Averatek Corp. | Indium-less transparent metalized layers |
| ITFI20120098A1 (it) * | 2012-05-22 | 2013-11-23 | Bluclad Srl | Bagno galvanico a base di palladio e fosforo, suo uso in processi galvanici e leghe ottenute applicando il processo galvanico a detti bagni. |
| US10815578B2 (en) * | 2017-09-08 | 2020-10-27 | Electrode Solutions, LLC | Catalyzed cushion layer in a multi-layer electrode |
| CN117384221B (zh) * | 2023-10-12 | 2024-05-07 | 贵研化学材料(云南)有限公司 | 一种草酸合酰胺钯化合物、其制备方法及应用 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2469727A (en) * | 1944-03-30 | 1949-05-10 | Du Pont | Electrodeposition of nickel |
| GB1035850A (en) * | 1964-06-12 | 1966-07-13 | Johnson Matthey Co Ltd | Improvements in and relating to the electrodeposition of palladium |
| SU449996A1 (ru) * | 1972-10-17 | 1974-11-15 | Киевский Ордена Ленина Политехнический Институт Им.50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции | Электролит дл осаждени платинопалладиевого сплава |
| CH572989A5 (ja) * | 1973-04-27 | 1976-02-27 | Oxy Metal Industries Corp | |
| DE2445538C2 (de) * | 1974-09-20 | 1984-05-30 | Schering AG, 1000 Berlin und 4709 Bergkamen | Cyanidfreies Bad und Verfahren zur galvanischen Abscheidung von Edelmetall - Legierungen |
| US4098656A (en) * | 1976-03-11 | 1978-07-04 | Oxy Metal Industries Corporation | Bright palladium electroplating baths |
| US4401527A (en) * | 1979-08-20 | 1983-08-30 | Occidental Chemical Corporation | Process for the electrodeposition of palladium |
| SE8106867L (sv) * | 1980-12-11 | 1982-06-12 | Hooker Chemicals Plastics Corp | Elektrolytisk avsettning av palladium och palladiumlegeringar |
| US4487665A (en) * | 1980-12-17 | 1984-12-11 | Omi International Corporation | Electroplating bath and process for white palladium |
| SE8106868L (sv) * | 1980-12-17 | 1982-06-18 | Hooker Chemicals Plastics Corp | Vit elektrolytisk avsettning av palladium |
| BE894190A (fr) * | 1981-09-11 | 1982-12-16 | Langbein Pfanhauser Werke Ag | Procede pour accroitre la resistance a la corrosion d'un alliage palladium-nickel depose par electrolyse |
| FR2539145B1 (fr) * | 1983-01-07 | 1986-08-29 | Omi Int Corp | Procede pour former a grande vitesse, par electrolyse, une couche de revetement en palladium sur un substrat et bain pour la mise en oeuvre de ce procede |
| US4545869A (en) * | 1985-01-29 | 1985-10-08 | Omi International Corporation | Bath and process for high speed electroplating of palladium |
-
1985
- 1985-01-25 GB GB8501856A patent/GB2171721B/en not_active Expired
-
1986
- 1986-01-21 US US06/819,968 patent/US4715935A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-01-22 DE DE19863601698 patent/DE3601698A1/de active Granted
- 1986-01-24 JP JP61013565A patent/JPS61183490A/ja active Granted
- 1986-01-24 CA CA000500357A patent/CA1291440C/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-01-27 FR FR868601092A patent/FR2576609B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-07-13 SG SG546/90A patent/SG54690G/en unknown
- 1990-09-13 HK HK732/90A patent/HK73290A/xx not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003530371A (ja) * | 2000-04-06 | 2003-10-14 | メタロール テクノロジー フランス エス アー エス | パラジウム錯塩及びパラジウム又はその合金の一つを析出させる電解浴のパラジウム濃度を調節するためのその使用 |
| JP4740508B2 (ja) * | 2000-04-06 | 2011-08-03 | メタロール テクノロジー フランス エス アー エス | パラジウム錯塩及びパラジウム又はその合金の一つを析出させる電解浴のパラジウム濃度を調節するためのその使用 |
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