TWI761478B - 液體供給裝置及液體供給方法 - Google Patents

液體供給裝置及液體供給方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI761478B
TWI761478B TW107110835A TW107110835A TWI761478B TW I761478 B TWI761478 B TW I761478B TW 107110835 A TW107110835 A TW 107110835A TW 107110835 A TW107110835 A TW 107110835A TW I761478 B TWI761478 B TW I761478B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid
pipeline
upstream
path
processing
Prior art date
Application number
TW107110835A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201901780A (zh
Inventor
高松祐助
高木康弘
梅野慎一
福井祥吾
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201901780A publication Critical patent/TW201901780A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI761478B publication Critical patent/TWI761478B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D19/00—Degasification of liquids
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D19/00—Degasification of liquids
    • B01D19/0042—Degasification of liquids modifying the liquid flow
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D19/00—Degasification of liquids
    • B01D19/02—Foam dispersion or prevention
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D29/00—Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor
    • B01D29/01—Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor with flat filtering elements
    • B01D29/03—Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor with flat filtering elements self-supporting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D29/00—Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor
    • B01D29/50—Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor with multiple filtering elements, characterised by their mutual disposition
    • B01D29/52—Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor with multiple filtering elements, characterised by their mutual disposition in parallel connection
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本發明之課題在於使得對基板處理裝置供給的處理液不含氣泡。 為解決上述課題，本發明提供一種液體供給裝置，具備：儲存槽102，儲存含有第一處理液(硫酸)和第二處理液(過氧化氫)的處理液；循環路徑104，具有令處理液沿著水平方向通過之第一管路104a，且使得儲存於儲存槽102的處理液進行循環；分接路徑112，將處理液供給到處理單元16；以及分接部112a，具有使得處理液從第一管路104a往分接路徑112流出的開口1121；在分接部112a中，對第一管路104a進行剖視觀察時，開口1121設置在第一管路104a之周緣下方。

Description

液體供給裝置及液體供給方法
本發明揭示之實施形態有關一種對基板處理裝置供給處理液的技術。
吾人已知有一種基板處理裝置，使用「將儲存於槽體且供給自槽體之第一處理液、與第二處理液兩者混合而得到的混合液」，對半導體晶圓或玻璃基板等之基板進行處理。
在此種基板處理裝置中，有時藉由將使用過之混合液送回到儲存第一處理液的槽體，以回收第一處理液而進行再利用。被回收到槽體之第一處理液經過循環路徑，再次和第二處理液混合，並供給至基板(參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-207207號公報
[發明欲解決之課題]
然而，因為係將使用過之混合液送回，故槽體內將亦包含第二處理液，而非僅有第一處理液。此含有第一處理液與第二處理液兩者之處理液，有時因為兩種液體之反應或熱影響等而起泡。為了提高基板處理之效能，較佳係供給不含氣泡之處理液。
本發明實施形態之一態樣，其目的為：提供一種液體供給裝置及液體供給方法，可使得供給至基板處理裝置的處理液不含氣泡。 [解決課題之手段]
依本發明實施形態之一態樣的液體供給裝置，對基板處理裝置供給處理液， 具備：儲存部，儲存含有第一處理液與第二處理液的處理液；循環路徑，具有令該處理液沿著水平方向通過之第一管路，且使得儲存於該儲存部之該處理液進行循環；分接路徑，將該處理液供給到該基板處理裝置；以及分接部，具有使得處理液從該第一管路往該分接路徑流出的開口；其中，在該分接部中，對該第一管路進行剖視觀察時，該開口設置在該第一管路之周緣下方。 [發明之效果]
依本發明實施形態之一態樣，可使得被供給到基板處理裝置之處理液不含氣泡，為其特別的效果。
以下，參照附加圖式，對本案揭示的液體供給裝置及液體供給方法之實施形態進行詳細的說明。又，本發明不受以下所示之實施形態所限定。
(第一實施形態) 圖1係顯示第一實施形態的基板處理系統之概略構成的圖式。以下為了使位置關係清楚明確，設定互相垂直的X軸、Y軸及Z軸，並將Z軸正向設定為鉛直向上之方向。
如圖1所示，基板處理系統1具備搬入搬出站2及處理站3，且搬入搬出站2與處理站3兩者接鄰而設置。
搬入搬出站2具備載具載置部11及搬送部12。於載具載置部11，載置以水平狀態收納複數片晶圓W(基板)的複數之載具C。
搬送部12接鄰於載具載置部11而設置，其內部具備基板搬送裝置13和傳遞部14。基板搬送裝置13具備固持晶圓W之基板固持機構。又，基板搬送裝置13可沿著水平方向及鉛直方向移動，以鉛直軸為中心進行旋轉，並使用基板固持機構在載具C與傳遞部14兩者之間進行晶圓W的搬送。
處理站3接鄰於搬送部12而設置。處理站3具備搬送部15和複數之處理單元16。複數之處理單元16並列設置在搬送部15的兩側。
搬送部15之內部具備基板搬送裝置17。基板搬送裝置17具備固持晶圓W之基板固持機構。又，基板搬送裝置17可沿著水平方向及鉛直方向移動，以鉛直軸為中心進行旋轉，並使用基板固持機構在傳遞部14與處理單元16兩者之間進行晶圓W的搬送。
處理單元16對於由基板搬送裝置17搬送過來的晶圓W進行預定之基板處理。
又，基板處理系統1具備控制裝置4。控制裝置4為例如電腦，具備控制部18和儲存部19。於儲存部19中，儲存著對於在基板處理系統1執行之各種處理進行控制的程式。控制部18藉由將儲存於儲存部19之程式讀取出來而執行，以對基板處理系統1之動作進行控制。
又，此程式係儲存於電腦可讀取儲存媒體者，亦可為從該儲存媒體安裝於控制裝置4之儲存部19者。作為電腦可讀取儲存媒體，有例如硬碟(HD)、軟性磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
在如上述所構成之基板處理系統1中，首先，搬入搬出站2之基板搬送裝置13從載置於載具載置部11之載具C取出晶圓W，並將所取出之晶圓W載置到傳遞部14。被載置到傳遞部14之晶圓W，以處理站3之基板搬送裝置17從傳遞部14取出，而搬入到處理單元16。
被搬入到處理單元16之晶圓W，利用處理單元16進行處理之後，以基板搬送裝置17從處理單元16搬出，而載置到傳遞部14。然後，被載置到傳遞部14的處理過之晶圓W，以基板搬送裝置13搬回到載具載置部11之載具C。
接著，參照圖2，對處理單元16之概略構成進行說明。圖2係顯示處理單元16之概略構成的圖式。
如圖2所示，處理單元16具備腔室20、基板固持機構30、處理流體供給部40及回收杯50。
腔室20容置基板固持機構30、處理流體供給部40及回收杯50。在腔室20之頂棚部，設置FFU(Fan Filter Unit)21。FFU21在腔室20內形成降流。
基板固持機構30具備固持部31、支柱部32及驅動部33。固持部31將晶圓W水平固持。支柱部32係沿著鉛直方向延伸之構件，其基端部藉由驅動部33以可旋轉之方式受支撐，其前端部將固持部31水平支撐。驅動部33使支柱部32繞著鉛直軸旋轉。此基板固持機構30藉由利用驅動部33使支柱部32旋轉，令被支撐於支柱部32之固持部31旋轉，藉以使得被固持於固持部31之晶圓W旋轉。
處理流體供給部40對晶圓W供給處理流體。處理流體供給部40連接於處理流體供給源70。
回收杯50以包圍固持部31之方式配置，將因為固持部31之旋轉而從晶圓W飛散的處理液加以捕集。在回收杯50之底部形成有排液口51，以回收杯50所捕集的處理液，自此排液口51往處理單元16之外部被排出。又，在回收杯50之底部更形成排氣口52，此排氣口52將從FFU21供給之氣體往處理單元16之外部排出。
接著，參照圖3，針對依本發明實施形態之基板處理系統1中的處理液供給系統之具體構成例進行。圖3係顯示依本發明實施形態之基板處理系統1中的處理液供給系統之具體構成例的圖式。
以下，對處理液供給系統之構成例作說明，此處理液供給系統使用硫酸作為第一處理液，使用過氧化氫作為第二處理液，而將其等之混合液亦即SPM(Sulf uric acid Hydrogen Peroxide Mixture)供給到晶圓W。
如圖3所示，作為硫酸之供給系統，處理流體供給源70具有：儲存槽102，儲存硫酸；循環路徑104，從儲存槽102出來再回到儲存槽102；和複數之分接路徑112，從循環路徑104分接出來，而連接於各處理單元16(基板處理裝置)。
第一實施形態之處理液供給系統如後述，係將供給到晶圓W之SPM加以回收而再利用者。因此，在硫酸之供給系統中，過氧化氫亦儲存且通過其中，而不僅有硫酸。於是，在第一實施形態中，將儲存且通過於硫酸之供給系統的液體定義為「含有硫酸(第一處理液)與過氧化氫(第二處理液)的處理液」，並說明如下。
在循環路徑104上，從上游側開始依序設置泵浦106、過濾部108、加熱器109、 脫泡器301和氣體排出部302。泵浦106形成「從儲存槽102出來而通過循環路徑104並回到儲存槽102之循環流」。過濾部108將硫酸含有的粒子等無用物質去除。加熱器109以控制部18進行控制，將循環於循環路徑104之硫酸加熱到設定之溫度。
循環路徑104包含：第一管路104a，使處理液沿著水平方向(X軸之正向)通過； 及第二管路104b，在相較於第一管路104a下游處，使處理液朝著往下方向(Z軸之反向)通過。脫泡器301和氣體排出部302之詳細構成如後述。
循環路徑104中的第一管路104a連接複數之分接路徑112。各分接路徑112連接於各處理單元16的後述之混合部45，並將流經循環路徑104之硫酸供給到各混合部45。在各分接路徑112設置閥113。又，在各分接路徑112設有對流經管路的處理液之流量進行量測的流量計303。分接路徑112在分接部112a和循環路徑104分接開來。分接部112a之詳細構成如後述。
又，作為過氧化氫之供給系統，處理流體供給源70具備過氧化氫供給路徑160、閥161、過氧化氫供給源162。過氧化氫供給路徑160之一端經由閥161連接於過氧化氫供給源162，另一端連接於處理單元16的後述之混合部45。處理流體供給源70藉由過氧化氫供給路徑160，將從過氧化氫供給源162所供給之過氧化氫加以供給到處理單元16之混合部45。
又，處理流體供給源70具備供給路徑170、閥171、硫酸供給源172。供給路徑170之一端經由閥171連接於硫酸供給源172，另一端連接於儲存槽102。硫酸供給源172進行硫酸之供給。處理流體供給源70藉由供給路徑170，將從硫酸供給源172所供給之硫酸供給到儲存槽102。在儲存槽102設有未圖示之液面感測器，在以液面感測器檢測到儲存槽102之液面已到達下限值時，將預定量之硫酸經由供給路徑170補充到儲存槽102。藉此，將儲存槽102內之濃度及液量維持於一定。
又，處理流體供給源70具備用以對處理單元16供給沖洗液之沖洗液供給路徑，但在此省略其圖示。作為沖洗液，可使用例如DIW(純水)。
處理單元16具備混合部45。混合部45將從分接路徑112供給之硫酸、與從過氧化氫供給路徑160供給之過氧化氫加以混合，而產生混合液亦即SPM，並將所產生之SPM供給到處理流體供給部40(參照圖2)。又，混合部45一體組裝於處理流體供給部40亦可。
各處理單元16之排液口51藉由分接路徑53連接於排出路徑54。在各處理單元16使用過的SPM，從排液口51經由分接路徑53排出到排出路徑54。
又，在此，使用處理流體供給部40進行SPM之供給和沖洗液之供給。但是，處理單元16另外具備用以供給沖洗液之處理流體供給部亦可。
基板處理系統1更具備切換部80、回收路徑114及廢棄路徑115。切換部80連接於排出路徑54、回收路徑114及廢棄路徑115，並按照控制部18之控制，將流經排出路徑54的「使用過之SPM」的流入目的地加以在回收路徑114與廢棄路徑115兩者之間進行切換。
回收路徑114之一端連接於切換部80，另一端連接於儲存槽102。回收路徑114從上游側開始依序設置回收槽116、泵浦117和過濾器118。回收槽116將「使用過之SPM」暫時儲存。泵浦117形成「將儲存於回收槽116的使用過之SPM送往儲存槽102的流動」。過濾器118將「使用過之SPM」含有的粒子等污染物質去除。
廢棄路徑115連接於切換部80，將從排出路徑54經由切換部80流入的「使用過之SPM」往基板處理系統1之外部排出。
接著，參照圖4，針對第一實施形態之處理單元16執行的基板處理之內容進行說明。圖4係顯示第一實施形態之處理單元16執行的基板處理之順序一例的流程圖。圖4所示之各處理順序依照控制部18之控制而執行。
首先，在處理單元16進行晶圓W之搬入處理(步驟S101)。具體而言，藉由基板搬送裝置17(參照圖1)，將晶圓W搬入到處理單元16之腔室20(參照圖2)內，而固持在固持部31。然後，處理單元16使固持部31以預定之轉速(例如50rpm)旋轉。
接著，在處理單元16進行SPM供給處理(步驟S102)。在SPM供給處理中，藉由將閥113及閥161開啟預定之時間(例如30秒鐘)，以從處理流體供給部40對晶圓W之頂面供給SPM。被供給到晶圓W之SPM，因為伴隨晶圓W之旋轉而產生的離心力，在晶圓W之表面塗佈開來。
在此SPM供給處理中，利用SPM含有之卡洛酸的較強之氧化力、和硫酸與過氧化氫兩者的反應熱，將例如形成在晶圓W之頂面的光阻去除。
又，硫酸和過氧化氫之流量依照硫酸與過氧化氫的混合比而設定。由於硫酸在SPM所佔的比率相較於過氧化氫高，因此硫酸之流量設定為比過氧化氫多的流量。
當步驟S102之SPM供給處理結束時，在處理單元16進行沖洗處理(步驟S10 3)。在此沖洗處理中，從處理流體供給部40對晶圓W之頂面供給沖洗液(例如DI W)。被供給到晶圓W之DIW，因為伴隨晶圓W之旋轉而產生的離心力，在晶圓W之表面塗佈開來。藉此，以DIW將殘留在晶圓W之SPM洗掉。
接下來，在處理單元16進行乾燥處理(步驟S104)。在此乾燥處理中，使晶圓W以預定之轉速(例如1000rpm)旋轉預定之時間。藉此，將殘留在晶圓W之DIW甩掉，而使晶圓W乾燥。然後，停止進行晶圓W之旋轉。
其後，在處理單元16進行搬出處理(步驟S105)。在搬出處理中，將固持部31所固持之晶圓W傳送到基板搬送裝置17。當此搬出處理結束時，對一片晶圓W之基板處理便結束。
接著，參照圖5，對「使用過之SPM」的回收處理之內容進行說明。圖5係顯示回收處理之順序一例的流程圖。圖5顯示：排出路徑54與廢棄路徑115兩者在SPM供給處理開始時彼此相通之情形下的回收處理之順序。又，圖5所示之各處理順序以控制部18控制。
如圖5所示，控制部18判定：開始以處理單元16進行SPM供給處理(參照圖4)之後，是否已經過第一時間(步驟S201)。在此，第一時間設定為：相較於「閥113、161開啟之後，直到硫酸及過氧化氫之流量穩定為止的時間」更長之時間。
又，在第一實施形態中，將「成為閥113與閥161兩邊均開啟之狀態的時刻」設為SPM供給處理的開始時刻，但SPM供給處理的開始時刻之定義並不限於此。 例如，控制部18對閥113、161送出「開啟指示信號」的時刻，或SPM附著到晶圓W的時刻等，進行其他定義亦可。
控制部18重複進行步驟S201之判定處理，直到經過第一時間為止(步驟S20 1，No)。此時，因為排出路徑54和廢棄路徑115相通，故將「使用過之SPM」從廢棄路徑115往外部廢棄。
接著，在步驟S201判定為已經過第一時間時(步驟S201，Yes)，控制部18對切換部80進行控制，而將「使用過之SPM」的流入目的地從廢棄路徑115切換到回收路徑114(步驟S202)。藉此，令「使用過之SPM」從排出路徑54流入到回收路徑114，而回到儲存槽102。
接下來，控制部18判定：經過第一時間之後，是否已經過第二時間(步驟S 203)。第二時間設定為：「使用過之SPM」之回收率達到預定的「使用過之SPM」之回收率X1的時間。又，控制部18重複進行步驟S203之判定處理，直到經過第二時間為止(步驟S203，No)。
其後，在步驟S203判定為已經過第二時間時(步驟S203，Yes)，控制部18將「使用過之SPM」的流入目的地從回收路徑114切換到廢棄路徑115(步驟S204)。藉此，將「使用過之SPM」從廢棄路徑115往外部廢棄。
如上述，依本發明實施形態之基板處理系統1，在除了「SPM供給處理開始後預定期間及結束前預定期間」以外的期間內，以預定之回收率，回收「使用過之SPM」。藉此，由於能夠以穩定之濃度及流量，回收「使用過之SPM」，故可使得「使用過之SPM」的實際回收率盡可能地和預定的回收率一致。因此，依本發明實施形態之基板處理系統1，可使得硫酸之消耗量盡可能減少。
又，於排出路徑54和回收路徑114兩者在SPM供給處理開始時相通的情形，控制部18只要在SPM供給處理開始之前，將「使用過之SPM」的流入目的地從回收路徑114切換到廢棄路徑115即可。
接著，對第一實施形態之除泡處理進行說明。在構成第一實施形態之硫酸供給系統的循環路徑104中，循環流通著含有硫酸(第一處理液)與過氧化氫(第二處理液)的處理液。同樣地，硫酸與過氧化氫在循環路徑104產生反應，此時處理液會起泡。又，由於循環路徑104內處於較高溫的狀態，因此隨著時間經過，SPM及其含有之過氧化氫會起泡。
對所產生之氣泡不加以去除時，含氣泡的處理液從循環路徑104流入到分接路徑112，並經由處理單元16之混合部45供給到晶圓W。在供給到晶圓W時，因為氣泡之排出而產生液體飛濺或水氣，將對處理造成影響。分接路徑112之流量計303亦變得容易發生誤測。在第一實施形態中，分接路徑112根據流量計303之測定結果，進行流量之回授調整。在此回授系統中，當流量計303發生誤測而輸出非常大的流量時，將執行控制以減少流量，並有「導致所希望之量及混合比的SPM不被供給到晶圓W」之虞。又，如上述圖5之流程圖所示，於第一實施形態中，在SPM以設定之流量確實地供給到晶圓W的前提下，對「使用過之SPM」的流入目的地之切換時間點進行控制。即便是流量計303稍微發生誤測的情形，同樣會產生回授調整的偏差，故SPM將不會以設定之流量確實地被供給到晶圓W，同樣有「導致儲存槽102內之硫酸的濃度亦產生變化之虞」。
由於會產生如上的弊病，因此為了提高SPM處理之效能，顯然較佳係供給不含氣泡的處理液。在第一實施形態中，藉由進行利用複數之除泡部的除泡處理，以使得經由循環路徑供給到基板之處理液不含氣泡。
所謂的第一實施形態中的複數之除泡部，為過濾部108、脫泡器301、分接部112a和氣體排出部302。以下，對各除泡部之詳細構成進行說明。
圖6係顯示過濾部108之構成例的圖式。過濾部108由兩個過濾器108a構成，其等如圖3所示，相對於循環路徑104而並列設置。
在圖6中，過濾構件1081以合成樹脂等形成，將處理液含有之粒子等污染物質加以捕集，並僅讓處理液通過。第一處理液室1082為設在過濾器108a之一次側的封閉區域，暫時儲存從「連接於儲存槽102之一側的循環路徑104」流入之處理液。第二處理液室1083為設在過濾器108a之二次側的封閉區域，將通過過濾構件1081的處理液暫時儲存，再使其流出到循環路徑104。
在第一處理液室1082之頂面，設置用以使氣體通過之通氣管1084。通氣管1084設置用以調整氣體之通過量的節流部1085，將調整後的流量之氣體往氣體通道304排出，並送回到儲存槽102。
藉由預先對泵浦106之壓力、或過濾構件1081等所產生之壓降等進行量測，並且依其等之關係對節流部1085之節流量作調整，可使得第一處理液室1082內之處理液所含的氣泡往上方移動，而不通過過濾構件1081。到達上方之氣泡聚集，而從通氣管1084排出。如上述，過濾部108在處理液之供給或循環過程中，發揮作為第一除泡部之功能，從主要儲存在儲存槽102之處理液去除氣泡，並使得已去除氣泡的處理液往加熱器109流出去。
在第一實施形態中，藉由將過濾器108a相對於循環路徑104而並列配置，相較於僅設置一個過濾器108a的情形，可使得作用到過濾器108a之壓力分散，且實質上地加寬由通氣管1084形成之廢棄直徑，因此可一面抑制以泵浦106產生的處理液之流速下降，一面整體進行有效率的除泡。
圖7係顯示脫泡器301之構成例的圖式。雖然剛通過過濾部108之後的處理液不含氣泡，但因為在處理液殘留著過氧化氫，故硫酸與過氧化氫再次反應而起泡。又，因為以加熱器109進行加熱，故處理液之溫度上升，而促進起泡。脫泡器301將此種處理液之氣泡加以去除。
如圖7所示，脫泡器301由脫泡室3011、和加熱器109側之循環路徑104連接的上部流入口3012、和第一管路104a側之循環路徑104連接的下部流出口3013、以及氣體排出口3014構成。
經由上部流入口3012流入到脫泡室3011之處理液，被暫時儲存在脫泡室3011。然後，所儲存之處理液經由下部流出口3013流到循環路徑104。
在此，脫泡室3011形成圓筒狀，其剖面積比循環路徑104之剖面積大。因此，流入到脫泡室3011內的處理液，其流速相對變弱，並且形成迴旋流而往下方前進。在此過程中，處理液所含之氣泡以和處理液之前進方向逆向的方式往上方前進， 並聚集到脫泡室3011之上部。然後，聚集的氣泡以氣體之形式，經由氣體排出口3014往氣體通道304排出。如上述，脫泡器301在處理液之供給或循環過程中，發揮作為第二除泡部的功能，從以加熱器109加熱後的處理液去除氣泡，並使得已去除氣泡的處理液朝第一管路104a流出去。
圖8係顯示分接部112a之構成例的圖式。如圖8所示，分接部112a具有「使處理液從第一管路104a往分接路徑112流出的開口1121」。在分接部112a對第一管路104a進行剖視觀察時，開口1121設在第一管路104a的周緣之下方。開口1121具有和分接路徑112之剖面相同的剖面積。
由於第一管路104a沿著水平方向延伸，因此氣泡隨著處理液之通過，往管路之上方前進，並聚集到管路之上部而形成氣體區域A。氣泡不會反過來往下方前進，而不會在分接部112a進入到開口1121。如上述，分接部112a在處理液之供給或循環過程中，發揮作為第三除泡部的功能，從正通過第一管路104a之處理液去除相對較小的氣泡，並使得已去除氣泡的處理液朝分接路徑112流出去。
圖9係顯示氣體排出部302之構成例的圖式。如圖9所示，氣體排出部302配置在第一管路104a和第二管路104b兩者之分界處。氣體排出部302具有集氣室3021、處理液流入口3022、處理液流出口3023和氣體排出口3024。氣體排出口3024設在集氣室3021之頂面(頂部)，以便將氣體從循環路徑104排出到外部。
如上述，流經第一管路104a的處理液之氣泡往上部前進，且聚集到上部之氣泡形成氣體區域A。此氣體區域A和含有若干氣泡之處理液兩者經由處理液流入口3022流入到集氣室3021。
流入到集氣室3021之氣體立刻聚集到集氣室3021之上部。流入到集氣室3021之處理液受到重力的影響，往處理液流出口3023流過去。在此過程中，處理液所含之氣泡以和此流動方向逆向的方式，前進並聚集到集氣室3021之上方。
聚集到集氣室3021之上部的氣體經由氣體排出口3024往氣體通道304排出。 如上述，氣體排出部302在處理液之供給或循環過程中，發揮作為第四除泡部之功能，從通過第一管路104a之後的處理液去除氣泡、及已經從處理液分離後的氣體，並使得已去除氣泡的處理液朝第二管路104b流出去。
如以上說明，過濾部108發揮作為第一除泡部之功能，脫泡器301發揮作為第二除泡部之功能，分接部112a發揮作為第三除泡部之功能，氣體排出部302發揮作為第四除泡部之功能。藉由此種構成，在處理液之循環過程或處理液之供給過程中，可得到以複數之除泡部去除重疊的氣泡之效果。
此外，依配置之順序，各除泡部亦有其個別的效果。首先，藉由過濾部108去除氣泡，變得不易有氣泡流入到加熱器109，而不易發生加熱異常。又，藉由脫泡器301去除氣泡，可避免因為加熱器之加熱所產生的氣泡進入到分接路徑。另外，由於在流量計303之附近配置分接部112a，故也不致因為相對較小之氣泡造成流量計303發生誤測。再者，由於第一管路104a水平延伸，因此氣泡和液體在流入到第一管路104a之後的氣體排出部302之前，已經分離一定程度，故氣體排出部302的去除效能提高。又，藉由氣體排出部302去除氣泡，在進行下一次循環之前，可預先減少儲存槽102的處理液之氣泡。
如上述，依第一形態，供給到處理單元的處理液將不含氣泡。藉此，也不會因為相對較大之氣泡，而在對晶圓W供給時產生液體飛濺或水氣，亦可避免因為流量器之誤測造成回收控制的精度下降，故可使得晶圓處理達到進一步的高效能化。
(變形例) 接下來，參照圖10A及圖10B，對第一實施形態之變形例進行說明。圖10A係顯示設在第一管路104a的開口1121之變形例的圖式。圖10B係顯示第一管路104a之變形例的圖式。
於上述第一實施形態中，設在第一管路104a的開口1121之位置不限於如圖8所示的正下方位置，只要是相對較小之氣泡不會進入的下方位置即可。例如，如圖10A所示般傾斜設置等亦可。
又，第一管路104a不限於如圖3所示之水平方向，亦可如圖10B所示，在氣體和處理液可分離之範圍內傾斜設置。又，連接於氣體排出部302之第二管路104b亦可不位在正下方，而連接於傾斜位置。只要處理液會因為重力之作用而流動，第二管路104b本身傾斜亦可。
(第二實施形態) 在第二實施形態中，對第一管路之其他構成例進行說明。圖11係顯示依第二實施形態的第一管路之構成例的圖式。
如圖11所示，第一管路104a1包含第一部分201和第二部分202。第一部分201係第一管路104a1之中具有第一剖面積的部分。第二部分202設置在第一部分201之中途部，具有大於第一剖面積的第二剖面積。在此所謂的剖面積，意指將第一管路104a1沿著徑向切開得到的剖面之面積。也就是說，第二部分202相較於第一部分201具有較大的直徑。
又，分接路徑112之開口1121設置在第二部分202之周緣下方。
如上述，由於氣泡在第一管路104a1之上方側前進，因此越加大第一管路104a1之直徑，氣泡將越遠離於第一管路104a1(第二部分202)之周緣下方所設置的開口1121。因此，藉由在第一管路104a1設置第二部分202，並在此第二部分202之周緣下方設置開口1121，可抑制氣泡進入到開口1121。亦即，可從正通過第一管路104a1的處理液去除氣泡。
第一部分201包含：設置在比第二部分202上游之上游側第一部分211、及設置在比第二部分202下游之下游側第一部分212。如圖11所示，下游側第一部分212配置在高於上游側第一部分211之位置。如上述，藉由將下游側第一部分212配置在高於上游側第一部分211之位置，可抑制例如氣泡滯留在第二部分202之上部。
第二部分202包含中間部分221、上游側第二部分222及下游側第二部分223。
就中間部分221而言，其底面221a之高度位置和上游側第一部分211的底面211a之高度位置相同，並且頂面221b之高度位置和下游側第一部分212的頂面212b之高度位置相同。又，中間部分221沿著水平方向延伸。
上游側第二部分222設置在上游側第一部分211與中間部分221兩者之間，具有「從上游側第一部分211之頂面211b朝向中間部分221之頂面221b傾斜上升」的頂面222b。上游側第二部分222之底面222a位在和「上游側第一部分211之底面211a及中間部分221之底面221a」同一高度位置。
下游側第二部分223設置在中間部分221與下游側第一部分212兩者之間，具有「從中間部分221之底面221a朝向下游側第一部分212之底面212a傾斜上升」的底面223a。下游側第二部分223之頂面223b位在和「中間部分221之頂面221b及下游側第一部分212之頂面212b」同一高度位置。
另外，分接路徑112之開口1121設置在中間部分221之周緣下方。
如上述，在上游側第一部分211與中間部分221兩者之連接部分亦即上游側第二部分222、以及中間部分221與下游側第一部分212兩者之連接部分亦即下游側第二部分223設置推拔部。藉此，可使得第一管路104a1之剖面積在第一部分201與第二部分202兩者之間逐漸變化。因此，可抑制例如在「上游側第一部分211與中間部分221兩者之連接部分、或中間部分221與下游側第一部分212兩者之連接部分」發生處理液的流動紊亂。
又，藉由在上游側第一部分211與中間部分221兩者之連接部分亦即上游側第二部分222設置推拔部，可在處理液從上游側第一部分211流入到第二部分202之際，抑制處理液之流動中斷，也就是抑制所謂「液流分離」的發生。當發生液流分離時，有在分離的部分產生氣泡之虞。因此，藉由使得液流分離不易發生，可抑制氣泡進入到分接路徑112之開口1121。
又，由於朝向斜上方的氣泡之流動在上游側第二部分222形成，因此氣泡變得不易朝向設置在中間部分221之周緣下方的開口1121移動。藉此，亦可抑制氣泡進入到分接路徑112之開口1121。
又，藉由將上游側第一部分211之底面211a、上游側第二部分222之底面222a、中間部分221之底面221a三者設置在同一高度位置，可抑制在第二部分202形成朝向下方的處理液之流動。藉此，可抑制氣泡受到朝向下方的處理液流動所牽引而接近到開口1121。
又，藉由將中間部分221之頂面221b、下游側第二部分223之頂面223b、下游側第一部分212之頂面212b三者設置在同一高度位置，可抑制氣泡滯留在第二部分202之上方。
如上述，依第二實施形態之第一管路104a1，藉由設置剖面積大於第一部分201之第二部分202，並在此第二部分202之周緣下方設置開口1121，可抑制氣泡進入到開口1121。
(變形例) 第一部分及第二部分之構成並不限於上述例子。以下，對第二實施形態中的第一管路之變形例進行說明。圖12~圖14係顯示依第二實施形態中之第一~第三變形例的第一管路之構成例的圖式。
如圖12所示，在依第一變形例之第一管路104a2中，將上游側第一部分211與下游側第一部分212配置在同一高度位置。又，第二部分202係從上游側第一部分211側之端部直到下游側第一部分212側之端部，而一直沿著水平方向延伸。
第二部分202之底面202a配置在相較於上游側第一部分211之底面211a、及下游側第一部分212之底面212a更下方。第二部分202之頂面202b配置在相較於上游側第一部分211之頂面211b、及下游側第一部分212之頂面212b更上方。又，分接路徑112之開口1121設置在第二部分202之周緣下方。
如上述，藉由在第一管路104a2設置剖面積大於第一部分201的第二部分202，並在此第二部分202之周緣下方設置開口1121，可抑制氣泡進入到開口1121。亦即，可從正通過第一管路104a2之處理液去除氣泡。
又，如圖13所示，依第二變形例之第一管路104a3和依第一變形例之第一管路104a2同樣地，將上游側第一部分211與下游側第一部分212兩者配置在同一高度位置。
第二部分202包含中間部分221、上游側第二部分222、下游側第二部分223。中間部分221之底面221a設置在相較於上游側第一部分211之底面211a、及下游側第一部分212之底面212a更下方。中間部分221之頂面221b設置在相較於上游側第一部分211之頂面211b、及下游側第一部分212之頂面212b更上方。又，分接路徑112之開口1121設置在中間部分221之周緣下方。
上游側第二部分222具有：底面222a，從上游側第一部分211之底面211a朝向中間部分221之底面221a傾斜下降；及頂面222b，從上游側第一部分211之頂面211b朝向中間部分221之頂面221b傾斜上升。下游側第二部分223具有：底面223a，從中間部分221之底面221a朝向下游側第一部分212之底面212a傾斜上升；及頂面223b，從中間部分221之頂面221b朝向下游側第一部分212之頂面212b傾斜下降。
如上述，藉由在第一管路104a3設置剖面積大於第一部分201之第二部分202，並在此第二部分202之周緣下方設置開口1121，可抑制氣泡進入到開口1121。又，在上游側第一部分211與中間部分221兩者之連接部分亦即上游側第二部分222、以及中間部分221與下游側第一部分212兩者之連接部分亦即下游側第二部分223設置推拔部。藉此，可使得第一管路104a3之剖面積在第一部分201與第二部分202兩者之間逐漸變化。因此，可抑制例如在「上游側第一部分211與中間部分221兩者之連接部分、或中間部分221與下游側第一部分212兩者之連接部分」發生處理液的流動紊亂。
又，藉由在上游側第一部分211與中間部分221兩者之連接部分亦即上游側第二部分222設置推拔部，可抑制液流分離之發生。
另外，如圖14所示，依第三變形例之第一管路104a4，將上游側第一部分211與下游側第一部分212兩者配置在同一高度位置。
第二部分202包含中間部分221、上游側第二部分222、下游側第二部分223。中間部分221之底面221a設置在相較於上游側第一部分211之底面211a、及下游側第一部分212之底面212a更下方。中間部分221之頂面221b設置在和「上游側第一部分211之頂面211b、及下游側第一部分212之頂面212b」同一高度位置。又，分接路徑112之開口1121設在中間部分221之周緣下方。
上游側第二部分222具有從上游側第一部分211之底面211a朝向中間部分221之底面221a傾斜下降的底面222a。下游側第二部分223具有從中間部分221之底面221a朝向下游側第一部分212之底面212a傾斜上升的底面223a。又，上游側第二部分222之頂面222b、及下游側第二部分223之頂面223b設置在和「上游側第一部分211之頂面211b、中間部分221之頂面221b、及下游側第一部分212之頂面212b」同一高度位置。
如上述，藉由在第一管路104a4設置剖面積大於第一部分201之第二部分202，並在此第二部分202之周緣下方設置開口1121，可抑制氣泡進入到開口1121。又，在上游側第一部分211與中間部分221兩者之連接部分亦即上游側第二部分222、以及中間部分221與下游側第一部分212兩者之連接部分亦即下游側第二部分223設置推拔部。藉此，可使得第一管路104a4之剖面積在第一部分201與第二部分202兩者之間逐漸變化。因此，可抑制例如在「上游側第一部分211與中間部分221兩者之連接部分、或中間部分221與下游側第一部分212兩者之連接部分」發生處理液的流動紊亂。又，將上游側第一部分211之頂面211b、上游側第二部分222之頂面222b、中間部分221之頂面221b、下游側第二部分223之頂面223b、及下游側第一部分212之頂面212b共五者配置在同一高度位置。藉此，可抑制氣泡滯留在第一管路104a4。
又，第一管路104a1~104a4包含和複數之分接部112a對應的複數之第二部分202。 而且，設置在一第二部分202之上游的上游側第一部分211，對設置在該第二部分202之上游側的前一個第二部分202而言，相當於設置在該前一個第二部分202之下游的下游側第一部分212。同樣地，設置在一第二部分202之下游的下游側第一部分212，對設置在該第二部分202之下游側的後一個第二部分202而言，相當於設置在該後一個第二部分202之上游的上游側第一部分211。設置在「複數之第二部分202當中最上游側的第二部分202」之上游的上游側第一部分211，藉由「在循環路徑104當中比起第一管路104a1~104a4上游之處使處理液朝著往下方向通過的管路」連接於脫泡器301。又，設置在「複數之第二部分202當中最下游側的第二部分202」之下游的下游側第一部分212連接於氣體排出部302。
又，第一實施形態之變形例亦可適用於第二實施形態。亦即，在第二實施形態中，設置在第一管路104a1~104a4的開口1121之位置不限於正下方的位置，只要是相對較小之氣泡不會進入的下方位置即可，例如亦可傾斜設置等。又，第一管路104a1~104a4不限於沿著水平方向，在氣體和處理液可分離之範圍內沿著傾向傾斜亦可。
以上，對本發明的特定之詳細且具有代表性的實施形態進行敘述，並加以顯示。由於更多的效果或變形例可由所屬技術領域具有通常知識者輕易導出，故本發明的更廣之態樣不限於此等實施形態。因此，在不脫離於由附加之申請專利範圍及其均等範圍所定義的總括性之發明概念或範圍內，可進行各樣的變更。
1‧‧‧基板處理系統2‧‧‧搬入搬出站3‧‧‧處理站4‧‧‧控制裝置11‧‧‧載具載置部12‧‧‧搬送部13‧‧‧基板搬送裝置14‧‧‧傳遞部15‧‧‧搬送部16‧‧‧處理單元17‧‧‧基板搬送裝置18‧‧‧控制部19‧‧‧儲存部20‧‧‧腔室21‧‧‧FFU30‧‧‧基板固持機構31‧‧‧固持部32‧‧‧支柱部33‧‧‧驅動部40‧‧‧處理流體供給部45‧‧‧混合部50‧‧‧回收杯51‧‧‧排液口52‧‧‧排氣口53‧‧‧分接路徑54‧‧‧排出路徑70‧‧‧處理流體供給源80‧‧‧切換部102‧‧‧儲存槽104‧‧‧循環路徑104a、104a1、104a2、104a3、104a4‧‧‧第一管路104b‧‧‧第二管路106‧‧‧泵浦108‧‧‧過濾部108a‧‧‧過濾器1081‧‧‧過濾構件1082‧‧‧第一處理液室1083‧‧‧第二處理液室1084‧‧‧通氣管1085‧‧‧節流部109‧‧‧加熱器112‧‧‧分接路徑112a‧‧‧分接部1121‧‧‧開口113、161、171‧‧‧閥114‧‧‧回收路徑115‧‧‧廢棄路徑116‧‧‧回收槽117‧‧‧泵浦118‧‧‧過濾器160‧‧‧過氧化氫供給路徑162‧‧‧過氧化氫供給源170‧‧‧供給路徑172‧‧‧硫酸供給源201‧‧‧第一部分211‧‧‧上游側第一部分211a‧‧‧上游側第一部分211之底面211b‧‧‧上游側第一部分211之頂面212‧‧‧下游側第一部分212a‧‧‧下游側第一部分212之底面212b‧‧‧下游側第一部分212之頂面202‧‧‧第二部分202a‧‧‧第二部分202之底面202b‧‧‧第二部分202之頂面221‧‧‧中間部分221a‧‧‧中間部分221之底面221b‧‧‧中間部分221之頂面222‧‧‧上游側第二部分222a‧‧‧上游側第二部分222之底面222b‧‧‧上游側第二部分222之頂面223‧‧‧下游側第二部分223a‧‧‧下游側第二部分223之底面223b‧‧‧下游側第二部分223之頂面301‧‧‧脫泡器3011‧‧‧脫泡室3012‧‧‧上部流入口3013‧‧‧下部流出口3014‧‧‧氣體排出口302‧‧‧氣體排出部3021‧‧‧集氣室3022‧‧‧處理液流入口3023‧‧‧處理液流出口3024‧‧‧氣體排出口303‧‧‧流量計304‧‧‧氣體通道A‧‧‧氣體區域C‧‧‧載具S101~S105、S201~S204‧‧‧步驟W‧‧‧晶圓
【圖1】係顯示依本發明第一實施形態的基板處理系統之概略構成的圖式。 【圖2】係顯示處理單元之概略構成的圖式。 【圖3】係顯示依本發明第一實施形態之基板處理系統中的處理液供給系統之具體構成例的圖式。 【圖4】係顯示依本發明第一實施形態之處理單元執行的基板處理之順序一例的流程圖。 【圖5】係顯示回收處理之順序一例的流程圖。 【圖6】係顯示過濾部之構成例的圖式。 【圖7】係顯示脫泡器之構成例的圖式。 【圖8】係顯示分接部之構成例的圖式。 【圖9】係顯示氣體排出部之構成例的圖式。 【圖10A】係顯示設於第一管路的開口之變形例的圖式。 【圖10B】係顯示第一管路之變形例的圖式。 【圖11】係顯示依第二實施形態的第一管路之構成例的圖式。 【圖12】係顯示依第二實施形態中之第一變形例的第一管路之構成例的圖式。 【圖13】係顯示依第二實施形態中之第二變形例的第一管路之構成例的圖式。 【圖14】係顯示依第二實施形態中之第三變形例的第一管路之構成例的圖式。
1‧‧‧基板處理系統
16‧‧‧處理單元
45‧‧‧混合部
51‧‧‧排液口
53‧‧‧分接路徑
54‧‧‧排出路徑
70‧‧‧處理流體供給源
80‧‧‧切換部
102‧‧‧儲存槽
104‧‧‧循環路徑
104a‧‧‧第一管路
104b‧‧‧第二管路
106‧‧‧泵浦
108‧‧‧過濾部
108a‧‧‧過濾器
109‧‧‧加熱器
112‧‧‧分接路徑
112a‧‧‧分接部
113‧‧‧閥
114‧‧‧回收路徑
115‧‧‧廢棄路徑
116‧‧‧回收槽
117‧‧‧泵浦
118‧‧‧過濾器
160‧‧‧過氧化氫供給路徑
161‧‧‧閥
162‧‧‧過氧化氫供給源
170‧‧‧供給路徑
171‧‧‧閥
172‧‧‧硫酸供給源
301‧‧‧脫泡器
302‧‧‧氣體排出部
303‧‧‧流量計
304‧‧‧氣體通道

Claims (12)

  1. 一種液體供給裝置，將處理液供給到基板處理裝置，具備：儲存部，儲存包含第一處理液和第二處理液之處理液；循環路徑，具有使該處理液沿著水平方向通過之第一管路，且使得儲存於該儲存部的該處理液進行循環；分接路徑，將該處理液供給到該基板處理裝置；及分接部，具有使得該處理液從該第一管路往該分接路徑流出的開口；其中在該分接部中，對該第一管路進行剖視觀察時，該開口設置在該第一管路之周緣下方。
  2. 如申請專利範圍第1項之液體供給裝置，其中，該循環路徑更具有第二管路，在相較於該第一管路下游之處，使該處理液朝著往下方向通過；該液體供給裝置更具備：氣體排出部，配置在該第一管路與該第二管路兩者之分界處；該氣體排出部具有：集氣室，收集從該第一管路流入之氣體；和氣體排出口，將該集氣室所收集之氣體往該循環路徑之外部排出。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之液體供給裝置，更具備：過濾器，於該循環路徑中，在較該第一管路上游之處並列配置；該過濾器具有：過濾構件，將該處理液之無用物質去除；和 通氣管，用以將氣體從一次側的封閉區域排出。
  4. 如申請專利範圍第3項之液體供給裝置，其中該過濾器係在該循環路徑並列設有複數個。
  5. 如申請專利範圍第3項之液體供給裝置，更具備：脫泡器，於該循環路徑中，配置在該過濾器與該第一管路之間。
  6. 如申請專利範圍第5項之液體供給裝置，更具備：加熱器，對該處理液進行加熱；且於該循環路徑中，從上游依序配置有該過濾器、該加熱器、及該脫泡器。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之液體供給裝置，更具備：流量計，對於流過該分接路徑的該處理液之流量進行量測。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之液體供給裝置，更具備：回收路徑，將被供給到該基板處理裝置之該處理液加以回收，而送回到該儲存部。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之液體供給裝置，其中該第一管路包含：第一部分，具有第一剖面積；和第二部分，設置在該第一部分之中途部，具有大於該第一剖面積的第二剖面積；且 該開口設置在該第二部分之周緣下方。
  10. 如申請專利範圍第9項之液體供給裝置，其中該第一部分包含：上游側第一部分，設置在相較於該第二部分上游之處；及下游側第一部分，設置在相較於該第二部分下游之處；且該下游側第一部分配置在相較於該上游側第一部分為高之位置。
  11. 如申請專利範圍第10項之液體供給裝置，其中該第二部分包含：中間部分，其底面和該上游側第一部分的底面位於同一高度位置，且其頂面和該下游側第一部分的頂面位於同一高度位置；上游側第二部分，設置在該上游側第一部分與該中間部分兩者之間，具有從該上游側第一部分之頂面朝該中間部分之頂面傾斜上升的頂面；及下游側第二部分，設置在該中間部分與該下游側第一部分兩者之間，具有從該中間部分之底面朝該下游側第一部分之底面傾斜上升的底面；且該開口設置在該中間部分之周緣下方。
  12. 一種液體供給方法，將處理液供給到基板處理裝置；其特徵為：包含：循環步驟，至少使用令該處理液沿著水平方向通過之第一管路，使得儲存於儲存部的含有第一處理液與第二處理液之處理液進行循環；和分接步驟，使得循環於該第一管路之該處理液，對用以供給該處理液到該基板處理裝置的分接路徑流出；其中 在該分接步驟中，使得該處理液，從就該第一管路進行剖視觀察時設置在該第一管路之周緣下方的開口，對該分接路徑流出。
TW107110835A 2017-04-06 2018-03-29 液體供給裝置及液體供給方法 TWI761478B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017076297 2017-04-06
JP2017-076297 2017-04-06
JP2018-029284 2018-02-22
JP2018029284 2018-02-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201901780A TW201901780A (zh) 2019-01-01
TWI761478B true TWI761478B (zh) 2022-04-21

Family

ID=63713010

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107110835A TWI761478B (zh) 2017-04-06 2018-03-29 液體供給裝置及液體供給方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11626298B2 (zh)
JP (1) JP6768146B2 (zh)
KR (1) KR102478777B1 (zh)
CN (1) CN110520965B (zh)
TW (1) TWI761478B (zh)
WO (1) WO2018186211A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6768146B2 (ja) * 2017-04-06 2020-10-14 東京エレクトロン株式会社 液供給装置および液供給方法
JP7203579B2 (ja) * 2018-11-26 2023-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
CN114174833A (zh) * 2019-09-05 2022-03-11 深圳迈瑞动物医疗科技有限公司 血液细胞分析仪的分析方法和血液细胞分析仪
JP7312656B2 (ja) * 2019-09-24 2023-07-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7408445B2 (ja) * 2020-03-17 2024-01-05 キオクシア株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI222128B (en) * 2001-12-04 2004-10-11 Nec Electronics Corp Chemical solution treatment apparatus for semiconductor substrate
US20130220478A1 (en) * 2012-02-24 2013-08-29 Tokyo Electron Limited Process liquid changing method and substrate processing apparatus
JP2013207207A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Tokyo Electron Ltd 基板液処理装置及び基板液処理方法
TWI493642B (zh) * 2011-08-25 2015-07-21 Screen Holdings Co Ltd 基板處理裝置
TW201530645A (zh) * 2014-01-24 2015-08-01 Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd 處理流體的方法及系統
JP2016162963A (ja) * 2015-03-04 2016-09-05 栗田工業株式会社 液中の金属イオン濃度の測定方法および測定装置並びに電子デバイスの洗浄システム
TW201632312A (zh) * 2014-12-15 2016-09-16 Shinetsu Handotai Kk 矽晶圓的研磨方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51120785A (en) * 1975-04-16 1976-10-22 Yamatake Honeywell Co Ltd Device for measuring concentration or turbidity
TW513594B (en) * 1996-06-14 2002-12-11 Seiko Epson Corp Pull-up Novel pull-up drying method and apparatus
JP3164048B2 (ja) * 1997-12-16 2001-05-08 日本電気株式会社 半導体製造装置
US6848625B2 (en) * 2002-03-19 2005-02-01 Tokyo Electron Limited Process liquid supply mechanism and process liquid supply method
TWI334624B (en) * 2006-01-30 2010-12-11 Dainippon Screen Mfg Apparatus for and method for processing substrate
JP4863897B2 (ja) * 2007-01-31 2012-01-25 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び基板洗浄プログラム
AU2008335308A1 (en) * 2007-12-06 2009-06-18 Foresight Processing, Llc Systems and methods for delivery of fluid-containing process material combinations
KR20120080595A (ko) * 2009-09-02 2012-07-17 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 감소된 등방성 에칭제 물질 소비 및 폐기물 발생
JP5668914B2 (ja) 2010-08-27 2015-02-12 栗田工業株式会社 洗浄方法および洗浄システム
JP5768960B2 (ja) * 2011-03-18 2015-08-26 栗田工業株式会社 電子材料洗浄方法および洗浄システム
JP5901275B2 (ja) * 2011-12-20 2016-04-06 株式会社Kelk 流体温度調整装置
JP5439579B2 (ja) * 2012-02-27 2014-03-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
US9410723B2 (en) * 2012-12-13 2016-08-09 Whirlpool Corporation Ice maker with rocking cold plate
SG11201602220TA (en) * 2013-09-25 2016-04-28 Organo Corp Substrate treatment method and substrate treatment device
JP5967045B2 (ja) * 2013-10-02 2016-08-10 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法
JP6020416B2 (ja) * 2013-11-01 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置及び処理液供給方法
JP6385714B2 (ja) * 2014-05-16 2018-09-05 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理装置の洗浄方法及び記憶媒体
US10121685B2 (en) * 2015-03-31 2018-11-06 Tokyo Electron Limited Treatment solution supply method, non-transitory computer-readable storage medium, and treatment solution supply apparatus
JP6356091B2 (ja) * 2015-04-16 2018-07-11 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、ヒータユニットの制御方法および記憶媒体
JP6571022B2 (ja) * 2016-02-04 2019-09-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6815873B2 (ja) * 2017-01-18 2021-01-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US10717117B2 (en) * 2017-02-22 2020-07-21 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6768146B2 (ja) * 2017-04-06 2020-10-14 東京エレクトロン株式会社 液供給装置および液供給方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI222128B (en) * 2001-12-04 2004-10-11 Nec Electronics Corp Chemical solution treatment apparatus for semiconductor substrate
TWI493642B (zh) * 2011-08-25 2015-07-21 Screen Holdings Co Ltd 基板處理裝置
US20130220478A1 (en) * 2012-02-24 2013-08-29 Tokyo Electron Limited Process liquid changing method and substrate processing apparatus
JP2013207207A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Tokyo Electron Ltd 基板液処理装置及び基板液処理方法
TW201530645A (zh) * 2014-01-24 2015-08-01 Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd 處理流體的方法及系統
TW201632312A (zh) * 2014-12-15 2016-09-16 Shinetsu Handotai Kk 矽晶圓的研磨方法
JP2016162963A (ja) * 2015-03-04 2016-09-05 栗田工業株式会社 液中の金属イオン濃度の測定方法および測定装置並びに電子デバイスの洗浄システム

Also Published As

Publication number Publication date
CN110520965B (zh) 2023-06-02
JP6768146B2 (ja) 2020-10-14
KR20190137836A (ko) 2019-12-11
KR102478777B1 (ko) 2022-12-21
CN110520965A (zh) 2019-11-29
WO2018186211A1 (ja) 2018-10-11
TW201901780A (zh) 2019-01-01
US20210111043A1 (en) 2021-04-15
US11626298B2 (en) 2023-04-11
JPWO2018186211A1 (ja) 2020-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI761478B (zh) 液體供給裝置及液體供給方法
KR102354361B1 (ko) 기판 액처리 장치, 탱크 세정 방법 및 기억 매체
KR102570213B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP5173500B2 (ja) 処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置
US11217461B2 (en) Substrate processing device
JP6454629B2 (ja) 基板液処理装置
TW201528404A (zh) 基板液處理裝置及基板液處理方法
KR20230035056A (ko) 액 처리 장치 및 액 처리 방법
KR20150138533A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP4845909B2 (ja) 空気洗浄器
JP2007273958A (ja) 液処理装置及び処理液の消泡方法
JP4020741B2 (ja) 液処理装置における気液分離回収装置
KR100598914B1 (ko) 약액 재생 시스템 및 약액 재생 방법, 그리고 상기시스템을 가지는 기판 처리 설비
JP3824551B2 (ja) 溶存酸素除去装置を用いた熱媒水循環設備
JP2007165653A (ja) 気泡除去方法及び気泡除去装置
JP7376424B2 (ja) 基板処理用の処理液の交換方法および基板処理装置
KR100862704B1 (ko) 폐액 처리 장치 및 그 방법
JP2006108300A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JPH11211006A (ja) 蒸気供給方法及び装置
KR20040032201A (ko) 반도체 웨이퍼 세정용 다층 세정장치
JP2000091293A (ja) 基板処理装置
JP2000173973A (ja) 基板処理装置
KR20090047266A (ko) 약액 회수 장치
JPH1050653A (ja) 下降整流式洗浄槽における境界層汚れの除去方法