CN110520965B - 供液装置和供液方法 - Google Patents

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Abstract

本发明包括：储存罐(102)，其储存包含第一处理液(硫酸)和第二处理液(过氧化氢水溶液)的处理液；使储存于储存罐(102)的处理液循环的循环路径(104)，其具有使处理液在水平方向上通过的第一管路(104a)；向处理单元(16)供给处理液的分支路径(112)；和分支部(112a)，其具有使处理液从第一管路(104a)向分支路径(112)流出的开口(1121)，在分支部(112a)中剖视第一管路(104a)时，开口(1121)设置于第一管路(104a)的周缘下方。

Description

供液装置和供液方法
技术领域
本发明的实施方式涉及一种将处理液供给到基片处理装置的技术。
背景技术
一直以来，已知有基片处理装置，其使用将储存于罐并从罐供给的第一处理液和第二处理液混合而成的混合液，对半导体晶片或玻璃基片等基片进行处理。
在这种基片处理装置中，有时通过使已使用的混合液回到储存第一处理液的罐来对第一处理液进行回收再利用的情况。回收到罐中的第一处理液，经由循环路径再次与第二处理液混合而被供给到基片(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-207207号公报。
发明内容
发明要解决的技术问题
由于将已使用过的混合液回收，因此在罐中不仅含有第一处理液还含有第二处理液。该含有第一处理液和第二处理液的处理液有时因2种液的反应或热的影响等而产生气泡。为了提高基片处理的性能，优选供给不含气泡的处理液。
实施方式的一方式的目的在于，提供能够使供给到基片处理装置的处理液中不含气泡的供液装置和供液方法。
用于解决技术问题的技术手段
实施方式的一方式的供液装置用于向基片处理装置供给处理液，其包括：储存部，其储存包含第一处理液和第二处理液的处理液；循环路径，其具有使所述处理液在水平方向上通过的第一管路，使储存于所述储存部的所述处理液循环；分支路径，其向所述基片处理装置供给所述处理液；和分支部，其具有使处理液从所述第一管路向所述分支路径流出的开口，在所述分支部中，剖视所述第一管路时，所述开口设置于所述第一管路的周缘下方。
发明效果
依照实施方式的一方式，能够得到可使供给到基片处理装置的处理液中不含气泡这样的效果。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的基片处理系统的概略结构的图。
图2是表示处理单元的概略结构的图。
图3是表示本发明的第一实施方式的基片处理系统中的处理液供给系统的具体的结构例的图。
图4是表示本发明的第一实施方式的处理单元执行的基片处理的顺序的一例的流程图。
图5是表示回收处理的顺序的一例的流程图。
图6是表示过滤器部的结构例的图。
图7是表示脱泡器的结构例的图。
图8是表示分支部的结构例的图。
图9是表示气体排出部的结构例的图。
图10A是表示设置在第一管路的开口的变形例的图。
图10B是表示第一管路的变形例的图。
图11是表示第二实施方式的第一管路的结构例的图。
图12是表示第二实施方式中的第一变形例的第一管路的结构例的图。
图13是表示第二实施方式中的第二变形例的第一管路的结构例的图。
图14是表示第二实施方式中的第三变形例的第一管路的结构例的图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本申请公开的供液装置和供液方法的实施方式进行详细说明。此外，本发明并不由以下所示的实施方式限定。
(第一实施方式)
图1是表示第一实施方式的基片处理系统的概略结构的图。以下，为了明确位置关系，规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，将Z轴正方向作为铅垂方向的上方向。
如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2与处理站3相邻设置。
送入送出站2包括承载器载置部11和输送部12。在承载器载置部11载置以水平状态收纳多个晶片W(基片)的多个承载器C。
输送部12与承载器载置部11相邻设置，在内部具有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13具有保持晶片W的基片保持机构。此外，基片输送装置13能够在水平方向和铅垂方向移动并且以铅垂轴为中心转动，使用基片保持机构在承载器C与交接部14之间进行晶片W的输送。
处理站3与输送部12相邻设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16排列地设置在输送部15的两侧。
输送部15在内部具有基片输送装置17。基片输送装置17具有保持晶片W的基片保持机构。此外，基片输送装置17能够在水平方向和铅垂方向移动并且以铅垂轴为中心转动，使用基片保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶片W的输送。
处理单元16对由基片输送装置17输送的晶片W进行规定的基片处理。
另外，基片处理系统1具有控制装置4。控制装置4例如为计算机，具有控制部18和存储部19。在存储部19保存控制在基片处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部18通过读取并执行存储于存储部19的程序来控制基片处理系统1的动作。
此外，上述程序存储于计算机可读取的存储介质，也可以从该存储介质安装到控制装置4的存储部19。作为计算机可读取的存储介质，有例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
在如上述那样构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片输送装置13从载置于承载器载置部11的承载器C取出晶片W，将取出的晶片W载置在交接部14。载置于交接部14的晶片W由处理站3的基片输送装置17从交接部14取出，送入处理单元16。
送入到处理单元16的晶片W由处理单元16处理后，由基片输送装置17从处理单元16送出，载置到交接部14。然后，载置于交接部14的已处理的晶片W由基片输送装置13送回承载器载置部11的承载器C。
接着，参照图2，对处理单元16的概略结构进行说明。图2是表示处理单元16的概略结构的图。
如图2所示，处理单元16包括腔室20、基片保持机构30、处理流体供给部40和回收杯50。
腔室20收纳基片保持机构30、处理流体供给部40和回收杯50。腔室20的顶部设置FFU(Fan Filter Unit：风机过滤机组)21。FFU21在腔室20内形成下降流。
基片保持机构30包括保持部31、支柱部32和驱动部33。保持部31水平地保持晶片W。支柱部32是在铅垂方向延伸的部件，根端部可旋转地支承在驱动部33，在前端部水平地支承保持部31。驱动部33使支柱部32绕铅垂轴旋转。上述基片保持机构30通过使用驱动部33使支柱部32，来使支承于支柱部32的保持部31，由此使保持部31所保持的晶片W旋转。
处理流体供给部40对晶片W供给处理流体。处理流体供给部40与处理流体供给源70连接。
回收杯50以包围保持部31的方式配置，收集因保持部31的旋转而从晶片W飞散的处理液。在回收杯50的底部形成有排液口51，由回收杯50收集到的处理液从上述排液口51被排出到处理单元16的外部。此外，在回收杯50的底形成将从FFU21供给的气体排出到处理单元16的外部的排气口52。
接着，参照图3，对实施方式的基片处理系统1中的处理液供给系统的具体的结构例进行说明。图3是表示实施方式的基片处理系统1中的处理液供给系统的具体的结构例的图。
以下，说明使用硫酸作为第一处理液，使用过氧化氢水溶液作为第二处理液，将这些混合液即SPM(Sulfuric acid Hydrogen Peroxide Mixture：硫酸过氧化氢混合物)供给到晶片W的情况下的处理液供给系统的结构例。
如图3所示，处理流体供给源70作为硫酸的供给系统，具有：储存硫酸的储存罐102：从储存罐102出发并返回储存罐102的循环路径104；和从循环路径104分支而与各处理单元16(基片处理装置)连接的多个分支路径112。
如后所述，第一实施方式的处理液供给系统是将供给到晶片W的SPM回收并再利用的系统。因此，在硫酸的供给系统中，不仅储存硫酸，还储存过氧化氢水溶液，并使它们通过。所以，在第一实施方式中，将在硫酸的供给系统中储存并通过的液体定义为含有硫酸(第一处理液)和过氧化氢水溶液(第二处理液)的处理液，以下进行说明。
在循环路径104从上游侧依次设置泵106、过滤器部108、加热器109、脱泡器301和气体排出部302。泵106形成从储存罐102出发并通过循环路径104而回到储存罐102的循环流。过滤器部108除去硫酸所含的颗粒等不需要的物质。加热器109由控制部18控制，将在循环路径104中循环的硫酸加热到设定的温度。
循环路径104包括：使处理液在水平方向(X轴的正方向)上通过的第一管路104a；和在比第一管路104a靠下游的位置使处理液向下方向(Z轴的负方向)通过的第二管路104b。对于脱泡器301和气体排出部302的详细设置，在后文说明。
在循环路径104中的第一管路104a连接有多个分支路径112。各分支路径112与各处理单元16的后述的混合部45连接，将在循环路径104中流动的硫酸供给到各混合部45。在各分支路径112设置阀113。此外，在分支路径112设置有测量流过管路的处理液的流量的流量计303。分支路径112与循环路径104在分支部112a分支。对于分支部112a的详细设置，在后文说明。
另外，处理流体供给源70作为过氧化氢水溶液的供给系统，包括过氧化氢水溶液供给路径160、阀161和过氧化氢水溶液供给源162。过氧化氢水溶液供给路径160的一端经由阀161与过氧化氢水溶液供给源162连接，另一端与处理单元16的后述的混合部45连接。处理流体供给源70将从过氧化氢水溶液供给源162供给的过氧化氢水溶液经由过氧化氢水溶液供给路径160供给到处理单元16的混合部45。
另外，处理流体供给源70包括供给路径170、阀171和硫酸供给源172。供给路径170的一端经由阀171与硫酸供给源172连接，另一端与储存罐102连接。硫酸供给源172供给硫酸。处理流体供给源70将从硫酸供给源172供给的硫酸经由供给路径170供给到储存罐102。在储存罐102设置有未图示的液面传感器，由液面传感器检测为储存罐102的液面达到下限值的情况下，将预定的量的硫酸经由供给路径170补充到储存罐102。由此，将储存罐102内的浓度和液量维持为一定的。
此外，虽然省略了图示，不过处理流体供给源70具有用于对处理单元16供给冲洗液的冲洗液供给路径。作为冲洗液例如可以使用DIW(纯水)。
处理单元16具有混合部45。混合部45将从分支路径112供给来的硫酸与从过氧化氢水溶液供给路径160供给来的过氧化氢水溶液混合而生成作为混合液的SPM，将生成的SPM供给到处理流体供给部40(参照图2)。此外，混合部45一体地安装于处理流体供给部40。
另外，各处理单元16的排液口51经由分支路径53与排出路径54连接。在各处理单元16中使用的SPM从排液口51经由分支路径53被排出到排出路径54。
此外，此处使用处理流体供给部40供给SPM和冲洗液，不过处理单元16也可以另外设置用于供给冲洗液的处理流体供给部。
基片处理系统1还具有切换部80、回收路径114和废弃路径115。切换部80与排出路径54、回收路径114和废弃路径115连接，根据控制部18的控制，将流过排出路径54的已使用的SPM的流入目的地在回收路径114与废弃路径115之间切换。
回收路径114的一端与切换部80连接，另一端与储存罐102连接。在回收路径114中从上游侧依次设置回收罐116、泵117和过滤器118。回收罐116暂时储存已使用的SPM。泵117使储存于回收罐116的已使用的SPM形成送往储存罐102的液流。过滤器118除去已使用的SPM所含的颗粒等污染物质。
废弃路径115与切换部80连接，将从排出路径54经由切换部80流入的已使用的SPM排出到基片处理系统1的外部。
接着，参照图4，对第一实施方式的处理单元16执行的基片处理的内容进行说明。图4是表示第一实施方式的处理单元16执行的基片处理的顺序的一例的流程图。图4所示的各处理顺序根据控制部18的控制来执行。
首先，在处理单元16中，进行晶片W的送入处理(步骤S101)。具体而言，由基片输送装置17(参照图1)将晶片W送入处理单元16的腔室20(参照图2)内并保持在保持部31。之后，处理单元16使保持部31以规定的旋转速度(例如，50rpm)旋转。
接着，在处理单元16中，进行SPM供给处理(步骤S102)。在SPM供给处理中，通过将阀113和阀161开放规定时间(例如，30秒的期间)，从处理流体供给部40向晶片W的上表面供给SPM。供给到晶片W的SPM因伴随晶片W的旋转的离心力而被扩散地涂敷在晶片W的表面。
上述的SPM供给处理中，利用SPM所含的卡罗酸的强氧化力以及硫酸与过氧化氢水溶液的反应热，例如除去形成于晶片W的上表面的抗蚀剂。
此外，硫酸和过氧化氢水溶液的流量根据硫酸和过氧化氢水溶液的混合比来决定。由于SPM中所占的硫酸的比例高于过氧化氢水溶液，因此将硫酸的流量设定为多于过氧化氢水溶液的流量。
当步骤S102的SPM供给处理结束时，在处理单元16中，进行冲洗处理(步骤S103)。在上述的冲洗处理中，从处理流体供给部40向晶片W的上表面供给冲洗液(例如，DIW)。被供给到晶片W的DIW因随着晶片W的旋转而来的离心力而被大范围地涂敷到晶片W的表面。由此，残存在晶片W的SPM被DIW洗去。
接着，在处理单元16中进行干燥处理(步骤S104)。上述的干燥处理中，使晶片W以规定的旋转速度(例如，1000rpm)旋转规定时间。由此，将残存在晶片W的DIW甩开，而使晶片W干燥。然后，晶片W停止旋转。
之后，在处理单元16中，进行送出处理(步骤S105)。在送出处理中，将由保持部31保持的晶片W交接到基片输送装置17。当上述的送出处理完成时，对一个晶片W的基片处理完成。
接着，参照图5，对已使用的SPM的回收处理的内容进行说明。图5是表示回收处理的顺序的一例的流程图。图5中，示出了在SPM供给处理开始时，排出路径54与废弃路径115连通的情况下的回收处理的顺序。此外，图5所示的各处理顺序由控制部18控制。
如图5所示，控制部18判断在由处理单元16进行的SPM供给处理(参照图4)开始后是否经过了第一时间(步骤S201)。此处，第一时间被设定为比打开阀113、161后直到硫酸和过氧化氢水溶液的流量稳定为止的时间长的时间。
此外，在第一实施方式中，将阀113和阀161这两者成为打开的状态的时刻作为SPM供给处理的开始时刻，不过SPM供给处理的开始时刻的定义并不限于此。例如，也可以进行控制部18对阀113、161发送开放的指示信号的时刻或者SPM着液到晶片W的时刻等其他的定义。
控制部18反复进行步骤S201的判断处理直至经过第一时间为止(步骤S201，否)。此时，排出路径54由于与废弃路径115连通，因此已使用的SPM从废弃路径115被排出到外部。
接着，在步骤S201中判断为经过了第一时间的情况下(步骤S201，是)，控制部18控制切换部80，将已使用的SPM的流入目的地从废弃路径115切换到回收路径114(步骤S202)。由此，已使用的SPM从排出路径54流入回收路径114而返回储存罐102。
接着，控制部18判断经过第一时间后是否经过了第二时间(步骤S203)。第二时间被设定为已使用的SPM的回收率成为预定的已使用的SPM的回收率X1的时间。控制部18反复进行步骤S203的判断处理直至经过第二时间为止(步骤S203，否)。
接着，在步骤S203中判断为经过了第二时间的情况下(步骤S203，是)，控制部18将已使用的SPM的流入目的地从回收路径114切换到废弃路径115(步骤S204)。由此，已使用的SPM从废弃路径115被排出到外部。
如上所述，在实施方式的基片处理系统1中，在除了SPM供给处理开始后的规定期间和结束前的规定期间之外的期间，以预定的回收率回收已使用的SPM。由此，能够以稳定的浓度和流量回收已使用的SPM，因此能够使已使用的SPM的实际的回收率与预定的回收率尽可能地一致。所以，利用实施方式的基片处理系统1，能够尽可能地减少硫酸的消耗量。
此外，在SPM供给处理开始时排出路径54与回收路径114连通的情况下，控制部18在SPM供给处理开始之前进行将已使用的SPM的流入目的地从回收路径114切换到废弃路径115的处理即可。
接着，对第一实施方式的除泡处理进行说明。含有硫酸(第一处理液)和过氧化氢水溶液(第二处理液)的处理液在第一实施方式的构成硫酸的供给系统的循环路径104中循环。在循环路径104中也发生硫酸与过氧化氢水溶液的反应，这时候处理液产生气泡。此外，循环路径104内为比较高温的状态，因此随着时间经过而SPM和所含的过氧化氢水溶液产生气泡。
在不除去气泡的情况下，含有气泡的处理液从循环路径104流入分支路径112，经由处理单元16的混合部45被供给到晶片W。在对晶片W进行供给时产生因排出气泡而导致的飞溅液或雾，对处理造成影响。另外，也容易发生分支路径112的流量计303的误测量。在第一实施方式中，分支路径112构成为能够基于流量计303的测量结果来进行流量的反馈调节。在该反馈系统中，流量计303发生误测量而输出非常大的流量时，会执行减少流量的控制，有可能不能将所希望的量和混合比的SPM供给到晶片W。另外，如上述的图5的流程图所示，在第一实施方式中，以将SPM按规定的流量正确地供给到晶片W为前提，控制已使用的SPM的流入目的地的切换时机。在流量计303发生了微小的误测量的情况下也会产生反馈调节的偏差，因此不能将SPM按规定的流量正确地供给到晶片W，储存罐102内的硫酸的浓度也有可能发生变化。
由于产生如上所述的不良状况，因此为了提高SPM处理的性能，很明显优选供给不含气泡的处理液。在第一实施方式中，通过进行利用了多个除泡部的除泡处理，使得经过循环路径供给到基片的处理液中不含气泡。
第一实施方式中的多个除泡部是过滤器部108、脱泡器301、分支部112a、气体排出部302。以下，对各除泡部的详细情况进行说明。
图6是表示过滤器部108的结构例的图。过滤器部108由2个过滤器108a构成，如图3所示，它们相对于循环路径104并排地设置。
在图6中，过滤部件1081由合成树脂等形成，捕捉处理液所含的颗粒等污染物质，仅使处理液通过。第一处理液室1082是设置于过滤器108a的一次侧的封闭区域，临时储存从与储存罐102连接的一侧的循环路径104流入的处理液。第二处理液室1083是设置于过滤器108a的二次侧的封闭区域，临时储存通过了过滤部件1081的处理液，使之再次流出到循环路径104。
在第一处理液室1082的上表面设置有用于使气体通过的排气管1084。在排气管1084设置有用于调节气体的通过量的节流口1085，将调节了流量的气体向气体流路304排出，并返回到储存罐102。
预先测量由泵106的压力或过滤部件1081等导致的压力损失等，根据他们的关系调节节流口1085的节流量，由此能够使第一处理液室1082内的处理液所含的气泡不通过过滤部件1081而去向上方。抵达上方的气泡集合在一起而从排气管1084被排出。因此，过滤器部108作为第一除泡部发挥作用，其在供给处理液或者循环过程中主要从储存于储存罐102的处理液中除去气泡，使除去了气泡的处理液向加热器109流出。
此外，在第一实施方式中，在循环路径104并排地配置，由此与仅设置一个过滤器108a情况相比，能够使作用到过滤器108a的压力分散，并且将排气管1084的废弃路径实质性地扩宽，因此能够一边抑制由泵106生成的处理液的流速的降低，一边有效地整体进行除泡。
图7是表示脱泡器301的结构例的图。刚通过了过滤器部108后的处理液不含气泡，不过在处理液中残留有过氧化氢水溶液，由此硫酸与过氧化氢水溶液再次反应而产生气泡。此外，由于加热器109进行加热而导致处理液的温度上升，促使产生气泡。脱泡器301除去这样的处理液的气泡。
如图7所示，脱泡器301包括：脱泡室3011；与加热器109侧的循环路径104连接的上部流入口3012；与第一管路104a侧的循环路径104连接的下部流出口3013；和气体排出口3014。
经由上部流入口3012流入到脱泡室3011的处理液被临时储存在脱泡室3011中。然后，所储存的处理液经由下部流出口3013向循环路径104流出。
此处，脱泡室3011具有圆筒形状，其截面积大于循环路径104的截面积。因此，流入到脱泡室3011内的处理液流速相对较慢且成为回旋流而向下方行进。在该过程中，处理液所含的气泡与处理液的行进方向相反而向上方行进，在脱泡室3011的上部集合。然后集合在一起的气泡作为气体经由气体排出口3014向气体流路304排出。因此，脱泡器301作为第二除泡部发挥作用，其在处理液的供给或者循环过程中，从由加热器109加热后的处理液中除去气泡，使除去了气泡的处理液向第一管路104a流出。
图8是表示分支部112a的结构例的图。如图8所示，分支部112a具有使处理液从第一管路104a向分支路径112流出的开口1121。在分支部112a中，剖视第一管路104a时，开口1121设置于第一管路104a的周缘的下方。开口1121具有与分支路径112的截面相同的截面积。
第一管路104a在水平方向延伸，因此随着处理液通过，气泡向管路的上方行进，在管路的上部集合而形成气体区域A。气泡不会相反地向下方行进，所以在分支部112a中不会进入开口1121。因此，分支部112a作为第三除泡部发挥作用，其在处理液的供给或者循环过程中，从通过第一管路104a的处理液中除去相对较小的气泡，使除去了气泡的处理液向分支路径112流出。
图9是表示气体排出部302的结构例的图。如图9所示，气体排出部302配置于第一管路104a与第二管路104b的边界。气体排出部302具有气体收集室3021、处理液流入口3022、处理液流出口3023和气体排出口3024。气体排出口3024为了将气体从循环路径104排出到外部而设置于气体收集室3021的上表面(顶部)。
如上所述，流过第一管路104a的处理液的气泡向上部行进，在上部集合在一起的气泡形成气体区域A。含有该气体区域A和一些气泡的处理液经由处理液流入口3022流入气体收集室3021。
流入到气体收集室3021的气体直接集合在气体收集室3021的上部。流入到气体收集室3021的处理液受到重力的影响而流向处理液流出口3023。在该过程中，处理液所含的气泡向与该流动方向相反的气体收集室3021的上方行进并集合。
在气体收集室3021的上部集合在一起的气体经由气体排出口3024向气体流路304排出。因此，气体排出部302作为第四除泡部发挥作用，其在供给处理液或者循环过程中，从通过了第一管路104a的处理液中除去气泡并除去从已经从处理液中分离出来的气体，使除去了气泡的处理液向第二管路104b流出。
如以上说明的那样，过滤器部108作为第一除泡部发挥作用，脱泡器301作为第二除泡部发挥作用，分支部112a作为第三除泡部发挥作用，气体排出部302作为第四除泡部发挥作用。通过这样构成，在处理液的循环过程或者处理液的供给过程中，能够得到由多个除泡部进行的反复除去气泡的效果。
而且，基于配置顺序的各除泡部也有各自的效果。首先，具有通过由过滤器部108除去气泡而气泡难以流入加热器109，难以发生加热异这样的效果。此外，具有通过由脱泡器301除去气泡而能够使因加热器加热产生的气泡不流入分支通路这样的效果。此外，由于在流量计303附近配置有分支部112a，因此也不会发生因相对较小的气泡导致的流量计303的误测量。此外，具有由于在第一管路104a中水平地流动，然后流入气体排出部302之前气泡与液体能够在某种程度上分离，气体排出部302的除去性能提高这样的效果。此外，具有通过由气体排出部302除去气泡，能够在再次循环之前预先减少储存罐102的处理液的气泡这样的效果。
如以上说明的那样，依照第一方式，使得供给到处理单元的处理液不含有气泡。由此，也不会发生由相对较大的气泡引起的对晶片W进行供给时的飞溅液或者雾，能够避免因流量器的误测量导致回收控制的精度降低，因此能够进一步实现晶片处理的高性能化。
(变形例)
接着，参照图10A和图10B，对第一实施方式的变形例进行说明。图10A是表示设置在第一管路104a的开口1121的变形例的图。图10B是表示第一管路104a的变形例的图。
在上述的第一实施方式中，设置在第一管路104a的开口1121的位置不限于如图8所示的正下方的位置，例如如图10A所示位于倾斜的位置等的相对较小的气泡不会侵入的下方的位置即可。
另外，第一管路104a不限于如图3所示的水平方向，也可以如图10B所示在气体与处理液能够分离的范围倾斜。此外，与气体排出部302连接的第二管路104b也可以不连接到正下方而连接到倾斜位置，只要因重力的作用而使处理液能够流动即可，第二管路104b本身也可以倾斜。
(第二实施方式)
在第二实施方式中，对第一管路的另一结构例进行说明。图11是表示第二实施方式的第一管路的结构例的图。
如图11所示，第一管路104a1包括第一部分201和第二部分202。第一部分201是第一管路104a1中具有第一截面积的部分。第二部分202设置于第一部分201的中途部，具有比第一截面积大的第二截面积。此处所称的截面积，是指沿第一管路104a1径向剖切得到的截面的面积。即，第二部分202是具有比第一部分201大的直径的部分。
而且，分支路径112的开口1121设置在第二部分202的周缘下方。
如上所述，气泡行进到第一管路104a1的上方侧，因此第一管路104a1的直径越大，气泡越从设置于第一管路104a1(第二部分202)的周缘下方的开口1121离开。因此，在第一管路104a1设置第二部分202，在上述的第二部分202的周缘下方设置开口1121，由此能够抑制气泡进入开口1121。即，能够从通过了第一管路104a1的处理液中除去气泡。
第一部分201包括：设置在比第二部分202靠上游处的上游侧第一部分211；和设置在比第二部分202靠下游处的下游侧第一部分212。如图11所示，下游侧第一部分212配置在比上游侧第一部分211高的位置。因此，通过将下游侧第一部分212配置在比上游侧第一部分211高的位置，例如能够抑制气泡在第二部分202的上部滞留。
第二部分202包括中间部分221、上游侧第二部分222和下游侧第二部分223。
中间部分221是下表面221a的高度位置与上游侧第一部分211的下表面211a的高度位置相同并且上表面221b的高度位置与下游侧第一部分212的上表面212b的高度位置相同的部分。中间部分221沿水平方向延伸。
上游侧第二部分222设置在上游侧第一部分211与中间部分221之间，具有从上游侧第一部分211的上表面211b向中间部分221的上表面221b去朝上倾斜的上表面222b。上游侧第二部分222的下表面222a处于与上游侧第一部分211的下表面211a和中间部分221的下表面221a相同的高度位置。
下游侧第二部分223设置在中间部分221与下游侧第一部分212之间，具有从中间部分221的下表面221a向下游侧第一部分212的下表面212a去朝上倾斜的下表面223a。下游侧第二部分223的上表面223b处于与中间部分221的上表面221b和下游侧第一部分212的上表面212b相同的高度位置。
而且，分支路径112的开口1121设置于中间部分221的周缘下方。
因此，使上游侧第一部分211与中间部分221的连接部分即上游侧第二部分222，以及中间部分221与下游侧第一部分212的连接部分即下游侧第二部分223形成为锥形。由此，能够使第一管路104a1的截面积在第一部分201与第二部分202之间逐渐变化。因此，例如，能够抑制在上游侧第一部分211与中间部分221的连接部分、中间部分221与下游侧第一部分212的连接部分中，在处理液的流动中产生乱流。
此外，通过使上游侧第一部分211与中间部分221的连接部分即上游侧第二部分222形成为锥形，能够在处理液从上游侧第一部分211流入第二部分202时，能够抑制发生处理液的流动被间断的所谓的“流动的剥离”。当发生流动的剥离时，有可能在剥离的部分产生气泡，因此通过使流动的剥离难以发生，能够抑制气泡进入分支路径112的开口1121。
另外，去向斜上方的气泡的流动在上游侧第二部分222中形成，因此气泡难以去向设置在中间部分221的周缘下方的开口1121。由此，也能够抑制气泡进入分支路径112的开口1121。
另外，通过将上游侧第一部分211的下表面211a、上游侧第二部分222的下表面222a和中间部分221的下表面221a配置在相同的高度位置，能够抑制去向下方的处理液的流动在第二部分202形成。由此，能够抑制气泡被吸引并偏离到去向下方的处理液的液流中而靠近开口1121。
另外，通过将中间部分221的上表面221b、下游侧第二部分223的上表面223b和下游侧第一部分212的上表面212b配置在相同的高度位置，能够抑制气泡滞留在第二部分202的上方。
因此，依照第二实施方式的第一管路104a1，通过设置截面积比第一部分201大的第二部分202，在上述的第二部分202的周缘下方设置开口1121，由此能够抑制气泡进入开口1121。
(变形例)
第一部分和第二部分的结构不限于后述的例子。以下，对第二实施方式中的第一管路的变形例进行说明。图12～图14是表示第二实施方式中的第一变形例～第三变形例的第一管路的结构例的图。
如图12所示，第一变形例的第一管路104a2中，上游侧第一部分211和下游侧第一部分212配置在相同的高度位置。此外，第二部分202从上游侧第一部分211侧的端部同样水平地延伸到下游侧第一部分212侧的端部。
第二部分202的下表面202a配置在比上游侧第一部分211的下表面211a和下游侧第一部分212的下表面212a靠下方处。此外，第二部分202的上表面202b配置在比上游侧第一部分211的上表面211b和下游侧第一部分212的上表面212b靠上方处。而且，分支路径112的开口1121设置在第二部分202的周缘下方。
因此，在第一管路104a2设置截面积比第一部分201大的第二部分202，在上述的第二部分202的周缘下方设置开口1121，由此能够抑制气泡进入开口1121。即，能够从通过了第一管路104a2的处理液除去气泡。
此外，如图13所示，第二变形例的第一管路104a3与第一变形例的第一管路104a2同样，上游侧第一部分211和下游侧第一部分212配置在相同的高度位置。
第二部分202包括中间部分221、上游侧第二部分222和下游侧第二部分223。中间部分221的下表面221a配置在比上游侧第一部分211的下表面211a和下游侧第一部分212的下表面212a靠下方处。此外，中间部分221的上表面221b配置在比上游侧第一部分211的上表面211b和下游侧第一部分212的上表面212b靠上方处。而且，分支路径112的开口1121设置在中间部分221的周缘下方。
上游侧第二部分222包括：从上游侧第一部分211的下表面211a向中间部分221的下表面221a去朝下倾斜的下表面222a；和从上游侧第一部分211的上表面211b向中间部分221的上表面221b去朝上倾斜的上表面222b。下游侧第二部分223包括：从中间部分221的下表面221a向下游侧第一部分212的下表面212a去朝上倾斜的下表面223a；和从中间部分221的上表面221b向下游侧第一部分212的上表面212b去朝下倾斜的上表面223b。
因此，在第一管路104a3设置截面积比第一部分201大的第二部分202，在上述的第二部分202的周缘下方设置开口1121，由此能够抑制气泡进入开口1121。此外，使上游侧第一部分211与中间部分221的连接部分即上游侧第二部分222，以及中间部分221与下游侧第一部分212的连接部分即下游侧第二部分223形成为锥形。由此，能够使第一管路104a3的截面积在第一部分201与第二部分202之间逐渐变化。因此，例如，能够抑制在上游侧第一部分211与中间部分221的连接部分、中间部分221与下游侧第一部分212的连接部分，在处理液的流动中产生乱流。
另外，通过使上游侧第一部分211与中间部分221的连接部分即上游侧第二部分222形成为锥形，能够抑制产生流动的剥离。
另外，如图14所示，第三变形例的第一管路104a4中，上游侧第一部分211和下游侧第一部分212配置在相同的高度位置。
第二部分202包括中间部分221、上游侧第二部分222和下游侧第二部分223。中间部分221的下表面221a配置在比上游侧第一部分211的下表面211a和下游侧第一部分212的下表面212a靠下方处。此外，中间部分221的上表面221b配置在与上游侧第一部分211的上表面211b和下游侧第一部分212的上表面212b相同的高度位置。而且，分支路径112的开口1121设置在中间部分221的周缘下方。
上游侧第二部分222具有从上游侧第一部分211的下表面211a向中间部分221的下表面221a去朝下倾斜的下表面222a。此外，下游侧第二部分223具有从中间部分221的下表面221a向下游侧第一部分212的下表面212a去朝上倾斜的下表面223a。此外，上游侧第二部分222的上表面222b和下游侧第二部分223的上表面223b，配置在与上游侧第一部分211的上表面211b、中间部分221的上表面221b以及下游侧第一部分212的上表面212b相同的高度位置。
因此，在第一管路104a4设置截面积比第一部分201大的第二部分202，在上述的第二部分202的周缘下方设置开口1121，由此能够抑制气泡进入开口1121。此外，使上游侧第一部分211与中间部分221的连接部分即上游侧第二部分222，以及中间部分221与下游侧第一部分212的连接部分即下游侧第二部分223形成为锥形。由此，能够使第一管路104a4的截面积在第一部分201与第二部分202之间逐渐变化。因此，例如，能够抑制在上游侧第一部分211与中间部分221的连接部分、中间部分221与下游侧第一部分212的连接部分，在处理液的流动中产生乱流。此外，将上游侧第一部分211的上表面211b、上游侧第二部分222的上表面222b、中间部分221的上表面221b、下游侧第二部分223的上表面223b和下游侧第一部分212的上表面212b配置在相同的高度位置。由此，能够抑制气泡滞留在第一管路104a4。
另外，第一管路104a1～104a4具有与多个分支部112a对应的多个第二部分202。此外，在任一第二部分202的上游设置的上游侧第一部分211，相当于在该第二部分202的上游侧紧邻地设置的另一第二部分202的下游所设置的下游侧第一部分212。同样，在任一第二部分202的下游设置的下游侧第一部分212，相当于在该第二部分202的下游侧紧邻地设置的另一第二部分202的上游所设置的上游侧第一部分211。在多个第二部分202中设置于最上游侧的第二部分202的上游所设置的上游侧第一部分211，在循环路径104中比第一管路104a1～104a4靠上游处，经由使处理液向下方向通过的管路与脱泡器301连接。此外，在多个第二部分202中设置于最下游侧的第二部分202的下游所设置的下游侧第一部分212，与气体排出部302连接。
此外，第一实施方式的变形例也能够应用于第二实施方式。即，在第二实施方式中，设置于第一管路104a1～104a4的开口1121的位置不限于正下方的位置，只要是倾斜的位置等相对较小的气泡不侵入的下方的位置即可。此外，第一管路104a1～104a4不限于水平方向，只要在气体与处理液能够分离的范围倾斜即可。
对于本领域技术人员而言，能够容易地导出进一步的效果或变形例。因此，本发明的更广泛的方式不限于如以上那样示出或记述的特定的详细内容和代表性的实施方式。因此，在不超出由所附的权利要求及其等同物定义的总括性的发明概念的精神或者范围的情况下，能够进行各种改变。
附图标记说明
104循环路径
112分支路径
112a分支部
108过滤器部
301脱泡器
302气体排出部。

Claims (12)

1.一种用于向基片处理装置供给处理液的供液装置，其特征在于，包括：
储存部，其储存包含第一处理液和第二处理液的处理液；
使储存于所述储存部的所述处理液循环的循环路径，所述循环路径具有使所述处理液在水平方向上通过的第一管路；
分支路径，其向所述基片处理装置供给所述处理液；和
设置在所述分支路径上的流量计；
分支部，其具有使处理液从所述第一管路向所述分支路径流出的开口，
在所述分支部中，剖视所述第一管路时，所述开口设置于所述第一管路的周缘中的下部，
所述分支路径具有从所述开口向下方延伸后又折返向上方并向所述流量计延伸的管路。
2.如权利要求1所述的供液装置，其特征在于：
所述循环路径还具有第二管路，所述第二管路在比所述第一管路靠下游处使所述处理液向下方向通过，
所述供液装置还包括配置于所述第一管路与所述第二管路的边界的气体排出部，
所述气体排出部具有：收集从所述第一管路流入的气体的气体收集室；和将所述气体收集室所收集的气体向所述循环路径的外部排出的气体排出口。
3.如权利要求1或2所述的供液装置，其特征在于：
还具有在所述循环路径中并排地设置于比第一管路靠上游处的过滤器，
所述过滤器具有：
除去处理液的杂质的过滤部件；和
用于从所述过滤器的第一处理室将气体排出的排气管，其中，所述第一处理室设置在所述过滤器的作为流入所述处理液的一侧的一次侧。
4.如权利要求3所述的供液装置，其特征在于：
所述过滤器在所述循环路径中并排地设置有多个。
5.如权利要求3所述的供液装置，其特征在于：
还具有在所述循环路径中设置于所述过滤器与所述第一管路之间的脱泡器。
6.如权利要求5所述的供液装置，其特征在于：
还包括加热所述处理液的加热器，
在所述循环路径中，从上游依次配置所述过滤器、所述加热器、所述脱泡器。
7.如权利要求1或2所述的供液装置，其特征在于：
所述流量计测量流过所述分支路径的所述处理液的流量。
8.如权利要求1或2所述的供液装置，其特征在于：
还包括回收路径，其回收被供给到所述基片处理装置的所述处理液并使其返回所述储存部。
9.如权利要求1或2所述的供液装置，其特征在于：
所述第一管路包括：
具有第一截面积的第一部分；和
第二部分，其设置于所述第一部分的中途部，具有比所述第一截面积大的第二截面积，
所述开口设置于所述第二部分的周缘下方。
10.如权利要求9所述的供液装置，其特征在于：
所述第一部分包括：
设置在比所述第二部分靠上游处的上游侧第一部分；和
设置在比所述第二部分靠下游处的下游侧第一部分，
所述下游侧第一部分配置在比所述上游侧第一部分高的位置。
11.如权利要求10所述的供液装置，其特征在于：
所述第二部分包括：
中间部分，其下表面的高度位置与所述上游侧第一部分的下表面的高度位置相同，并且上表面的高度位置与所述下游侧第一部分的上表面的高度位置相同；
上游侧第二部分，其设置在所述上游侧第一部分与所述中间部分之间，具有从所述上游侧第一部分的上表面向所述中间部分的上表面去朝上倾斜的上表面；和
下游侧第二部分，其设置在所述中间部分与所述下游侧第一部分之间，具有从所述中间部分的下表面向所述下游侧第一部分的下表面去朝上倾斜的下表面，
所述开口设置于所述中间部分的周缘下方。
12.一种用于向基片处理装置供给处理液的供液方法，其特征在于，包括：
循环步骤，至少使用使处理液在水平方向上通过的第一管路来使所述处理液循环，其中，所述处理液储存于储存部中且包含第一处理液和第二处理液；和
分支步骤，使在所述第一管路中循环的所述处理液向分支路径流出，其中，所述分支路径用于向所述基片处理装置供给所述处理液，设置有流量计，
所述分支步骤使所述处理液从剖视所述第一管路时设置于所述第一管路的周缘中的下部的开口，向所述分支路径流出，
所述分支步骤包括使所述处理液从所述开口向下方流出后，再向上方折返并向所述流量计流动的步骤。
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