TWI704168B - 橫電場驅動方式用之液晶配向劑、液晶配向膜，及使用其之液晶顯示元件 - Google Patents

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Abstract

本發明為提供一種可降低橫電場驅動方式之液晶顯示元件中，因產生的交流流動之非對稱化所造成之電荷蓄積，且，可快速減緩因直流電壓所蓄積之殘留電荷的液晶配向劑、液晶配向膜，及使用其之液晶顯示元件。
該液晶配向劑，其特徵為含有，由含有下述式(A)所表示之四羧酸二酐的四羧酸，與含有下述式(B)所表示之二胺的二胺進行反應而得之聚醯胺酸及該聚醯胺酸的醯亞胺化聚合物所成群中所選出之至少1種類的聚合物，與有機溶劑。
Figure 103134263-A0202-11-0001-1
(式(B)中，Y1為具有由胺基、亞胺基，及含氮雜環所 成群中所選出之至少1種類的結構之2價的有機基，B1~B2，各自獨立表示氫原子、碳數1~10之烷基、碳數1~10之烯基，或碳數1~10之炔基，該些之基亦可具有取代基)。

Description

橫電場驅動方式用之液晶配向劑、液晶配向膜，及使用其之液晶顯示元件
本發明為有關一種以施加對基板為平行之電場進行驅動的橫電場驅動方式之液晶顯示元件所使用的液晶配向劑、液晶配向膜，及使用其之液晶顯示元件。
以往之液晶裝置，廣泛地被使用於個人電腦或攜帶電話、影像受像機等顯示部。液晶裝置，例如，挾持於元件基板與濾光器基板之間的液晶層、對液晶層施加電場的畫素電極及共通電極、控制液晶層之液晶分子的配向性的配向膜、開閉供應畫素電極之電氣信號的薄膜電晶體(TFT)等。
液晶分子之驅動方式，已知例如，TN(Twisted Nematic)方式、VA(Vertical Alignment)方式等縱電場方式，或IPS(In-Place-Switching)方式、邊緣電場切換FFS(Fringe Field Switching)(以下、FFS)方式等橫電場方式。一般而言，電極僅形成於基板之單側、電場施加於與基板平行之方向的橫電場方式，與以往 之將電壓施加於形成於上下基板的電極，而驅動液晶的縱電場方式相比較時，已知為具有更廣視角特性、且作為可高品位顯示的液晶顯示元件。
但是，橫電場方式之液晶晶胞雖具有優良的視角特性，但因形成於基板內的電極部分較少，故液晶配向膜之電壓保持率較弱時，將無法對液晶施加充分之電壓，而會造成顯示對比降低。又，液晶晶胞內容易蓄積靜電，且施加經由驅動所生成之非對稱電壓時亦容易於液晶晶胞內蓄積電荷，該些蓄積之電荷將會造成液晶配向之紊亂，或殘影或以燒入(burn-in)方式影響顯示內容，進而造成液晶元件顯示之品質顯著降低。於該狀態下，再度通電後之情形，於初期階段中，液晶分子並未能進行良好地控制，而會產生閃爍(flicker)等。特別是，橫電場方式，相較於縱電場方式，其畫素電極與共通電極之距離更近，配向膜或液晶層會受到強大電場之作用，將會容易造成此不妥部分更為顯著之問題點。
此外，又如IPS方式或FFS驅動方式等，對基板呈平行配向之液晶分子使用橫電解進行驅動之方式中，液晶配向之安定性亦為重要之特徵。配向之安定性較小時，液晶於長時間被驅動時，液晶將無法回復至初期之狀態，此點亦為對比之降低或造成燒入(burn-in)的原因。
解決上述交流驅動之非對稱化所造成之電荷的蓄積的手法，亦有提出一種具有形成於電極上的第1配向膜，與 於其表面所形成之由苯均四酸二酐與二胺所形成的聚合物，且，電阻較第1配向膜為更低的第2配向膜所形成液晶配向膜之液晶顯示裝置，其可抑制因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積，且，可快速地減緩所蓄積之電荷的報告(專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-167782號公報
本發明者們經研究結果，發現1種類的聚醯亞胺前驅體，或該聚醯亞胺前驅體的醯亞胺化聚合物所形成的液晶配向膜，並無法於IPS驅動方式或FFS驅動方式之液晶顯示元件中，兼具有可抑制因產生的交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積，與快速減緩因直流電壓所蓄積之殘留電荷。具體而言，得知可快速減緩因直流電壓所蓄積之殘留電荷的液晶配向膜，其交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積亦變得更大。
本發明，則以提供一種可製得於IPS驅動方式或FFS驅動方式之液晶顯示元件中，可降低因產生的交流流動之非對稱化所造成之電荷蓄積，且可快速減緩因直流電壓所蓄積之殘留電荷的液晶配向膜之液晶配向劑為目的。
本發明者們，為解決上述問題經過深入研究結果，發現使用含有3,3’,4,4’-聯苯基四羧酸二酐之四羧酸，與具有特定結構之二胺進行反應所得之聚醯胺酸及聚醯胺酸的醯亞胺化聚合物所成群中所選出之至少1種時，可製得於IPS驅動方式或FFS驅動方式之液晶顯示元件中，可降低因產生的交流流動之非對稱化所造成之電荷蓄積，且可快速減緩因直流電壓所蓄積之殘留電荷的液晶配向膜，因而完成本發明。
本發明為基於上述結果所提出者，其具有下述之技術特徵。
1.一種液晶配向劑，其特徵為，含有由含下述式(A)之四羧酸二酐的四羧酸二酐成份，與含有下述式(B)所表示之二胺的二胺成份進行反應所得之聚醯胺酸及該聚醯胺酸的醯亞胺化聚合物所成群中所選出之至少1種類的聚合物，與有機溶劑。
Figure 103134263-A0202-12-0004-3
(式(B)中，Y1為具有由胺基、亞胺基，及含氮雜 環所成群中所選出之至少1種類的結構之2價的有機基，B1及B2，各自獨立表示氫原子、碳數1~10之烷基、碳數1~10之烯基，或碳數1~10之炔基，該些之基亦可具有取代基)。
2.如前述1之液晶配向劑，其中，前述四羧酸二酐成份中之10~100莫耳%為式(A)之四羧酸二酐。
3.如前述1或2之液晶配向劑，其中，前述二胺成份中之10~100莫耳%為式(B)之二胺。
4.如前述1~3之任一者的液晶配向劑，其中，式(B)中之Y1為，由下述式(YD-1)~(YD-5)之結構之基所成群所選出之至少1種類。
Figure 103134263-A0202-12-0005-4
(式(YD-1)中，A1為碳數3~15的含氮原子之雜環，Z1為，氫原子，或可具有取代基的碳數1~20之烴基。
式(YD-2)中，W1為，碳數1~10之烴基，A2為具 有含氮原子之雜環的碳數3~15之1價的有機基，或被碳數1~6的脂肪族基所取代的二取代胺基。
式(YD-3)中，W2為碳數6~15，且具有1~2個苯環之2價的有機基，W3為碳數2~5之伸烷基或聯伸苯基，Z2為氫原子、碳數1~5之烷基，或苯環，a為0~1之整數。
式(YD-4)中，A3為碳數3~15的含氮原子之雜環。
式(YD-5)中，A4為碳數3~15的含氮原子之雜環，W5為碳數2~5之伸烷基)。
5.如前述1~4之任一者之液晶配向劑，其中，式(YD-1)、(YD-2)、(YD-4)，及(YD-5)所記載之A1、A2、A3，及A4，各自獨立表示由吡咯嗪、吡咯、咪唑、吡唑、噁唑、噻唑、哌啶、哌嗪、吡啶、吡
Figure 103134263-A0202-12-0006-32
、吲哚、苯併咪唑(Benzoimidazole)、喹啉，及異喹啉所成群中所選出之至少1種類。
6.如前述1~5之任一者之液晶配向劑，其中，式(B)中之Y1，為由具有下述式(YD-6)~(YD-21)之結構的2價的有機基所成群中所選出之至少1種類。
Figure 103134263-A0202-12-0007-5
(式(YD-17)中，h為1~3之整數，式(YD-14)及(YD-21)中，j為1~3之整數)。
7.如前述1~6之任一者之液晶配向劑，其中，式(B)中之Y1，為由具有上述記式(YD-14)及(YD-18)之結構的2價的有機基所成群中所選出之至少1種類。
8.一種液晶配向膜，其特徵為，經塗佈、燒結前述1~7之任一者之液晶配向劑所得者。
9.一種液晶顯示元件，其特徵為，具備前述8所記載之液晶配向膜。
本發明之液晶配向劑所製得之液晶配向膜，可抑制交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積，快速減緩因直流電壓所蓄積之殘留電荷，而適合被作為液晶顯示元件使用。
[實施發明之形態]
<聚醯胺酸及該聚醯胺酸的醯亞胺化聚合物>
本發明之液晶配向劑，其特徵為，含有由含有下述式(A)所表示之四羧酸二酐的四羧酸成份，與含有下述式(B)所表示之二胺的二胺成份進行反應所得之聚醯胺酸及該聚醯胺酸的醯亞胺化聚合物所成群中所選出之至少1種類的聚合物，與有機溶劑。
Figure 103134263-A0202-12-0008-6
式(B)中，Y1為具有由胺基、亞胺基，及含氮雜環所成群中所選出之至少1種類的結構之2價的有機基，B1 ~B2，各自獨立表示氫原子、碳數1~10之烷基、碳數1~10之烯基，或碳數1~10之炔基，該些之基亦可具有取代基。
<四羧酸二酐成份>
本發明之液晶配向劑之製造中所使用的四羧酸二酐成份，為含有上述式(A)之四羧酸二酐。式(A)所表示之四羧酸二酐的比例，若過少時，將無法得到本發明之效果。式(A)所表示之四羧酸二酐之比例，相對於全四羧酸二酐1莫耳，以10~100莫耳%為佳，較佳為30~100莫耳%，更佳為50~100莫耳%。
本發明之液晶配向劑所含有之聚醯胺酸，除上述式(A)所表示之四羧酸二酐以外，亦可使用下述式(1)所表示之四羧酸二酐。
Figure 103134263-A0202-12-0009-7
式(1)中，X為4價之有機基，其結構並未有特別之限定。於列舉具體之例示時，可列舉如，下述式(X-1)~(X-42)之結構之基等。
Figure 103134263-A0202-12-0010-8
Figure 103134263-A0202-12-0010-9
Figure 103134263-A0202-12-0010-10
Figure 103134263-A0202-12-0011-11
式(X-1)中，R3~R6，各自獨立表示氫原子、碳數1~6之烷基，或苯基，又以氫原子，或甲基為更佳。
就化合物之取得性的觀點，四羧酸二酐以由下述式(2)所表示之結構所成群中所選出之至少1種類的四羧酸二酐為佳。
Figure 103134263-A0202-12-0011-12
(式(2)中，X1為由上述式(X-1)~(X-14)所 表示之結構所成群中所選出之至少1種)。
就更能提高所得液晶配向膜的信賴性之觀點，以僅使用(X-1)~(X-7)及(X-11)般之脂肪族基所構成之結構為佳，以(X-1)所表示之結構為較佳。此外，就顯示良好的液晶配向性等觀點，X1之結構，以下述式(X1-1)或(X1-2)為更佳。
Figure 103134263-A0202-12-0012-13
式(1)所表示之四羧酸二酐的比例過多時，因會有損害本發明效果之可能性，故為不佳。因此，式(1)所表示之四羧酸二酐之比例，相對於全四羧酸二酐1莫耳，以0~90莫耳%為佳，較佳為0~70莫耳%，更佳為0~50莫耳%。
<二胺成份>
本發明之液晶配向劑之製造中所使用的二胺成份為含有上述式(B)之二胺。式(B)中，Y1為具有由胺基、亞胺基，及含氮雜環所成群中所選出之至少1種類的結構之2價的有機基，B1及B2，各自獨立表示氫原子、碳數1~10之烷基、碳數1~10之烯基，或碳數1~10之炔 基，該些之基亦可具有取代基。
上述烷基之具體例，例如，甲基、乙基、丙基、丁基、t-丁基、己基、辛基、癸基、環戊基、環己基等。
烯基，例如，存在於上述烷基的1個以上之CH2-CH2結構被CH=CH結構所取代者等。具體而言，可列舉如，乙烯基、烯丙基、1-丙烯基、異丙烯基、2-丁烯基、1,3-丁二烯基、2-戊烯基、2-己烯基、環丙烯基、環戊烯基、環己烯基等。
炔基，例如，存在於前述烷基的1個以上之CH2-CH2結構被C≡C結構所取代者等。具體而言，乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基等。
上述之烷基、烯基，及炔基，只要全體之碳數為1~10時，其可具有取代基，此外亦可經由取代基而形成環結構。又，經由取代基而形成環結構，係指取代基相互間或取代基與母骨架的一部分鍵結而形成環結構之意。
取代基之例，可列舉如，鹵素基、羥基、硫醇基、硝基、芳基、有機氧基、有機硫基、有機矽烷基、醯基、酯基、硫酯基、磷酸酯基、醯胺基、烷基、烯基、炔基等。
作為取代基之鹵素基，可列舉如，氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。
作為取代基之芳基，可列舉如，苯基等。芳基中可再被前述其他取代基所取代。
作為取代基之有機氧基，可列舉如，顯示出O-R所表示之結構者。R可為相同或相異皆可，可列舉如，前述烷基、烯基、炔基、芳基等例示。該些之R中，前述取代基可再被取代。烷基氧基之具體例，例如，甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基等。
作為取代基之有機硫基，可列舉如，顯示-S-R所表示之結構者。R可列舉如，前述烷基、烯基、炔基、芳基等例示。該些之R中，前述取代基可再被取代。烷硫基之具體例，例如，甲硫基、乙硫基、丙硫基、丁硫基、戊硫基、己硫基、庚硫基、辛硫基等。
作為取代基之有機矽烷基，可列舉如，顯示-Si-(R)3所表示之結構者。R可為相同或相異皆可，可列舉如，前述烷基、烯基、炔基、芳基等例示。該些之R中，前述取代基可再被取代。烷矽基之具體例，例如，三甲矽基、三乙矽基、三丙矽基、三丁矽基、三戊矽基、三己矽基、戊基二甲矽基、己基二甲矽基等。
作為取代基之醯基，可列舉如，顯示-C(O)-R所表示之結構者。R可列舉如，前述烷基、烯基、芳基等例示。該些之R中，前述取代基可再被取代。醯基之具體例，例如，甲醯基、乙醯基、丙醯基、丁醯基、異丁醯基、戊醯基、異戊醯基、苯甲醯基等。
作為取代基之酯基，可列舉如，顯示-C(O)O-R，或-OC(O)-R所表示之結構者。R可列舉如，前述烷基、烯 基、炔基、芳基等例示。該些之R中，前述取代基可再被取代。
作為取代基之硫酯基，可列舉如，顯示-C(S)O-R，或-OC(S)-R所表示之結構者。R可列舉如前述烷基、烯基、炔基、芳基等例示。該些之R中，前述取代基可再被取代。
作為取代基之磷酸酯基，可列舉如，顯示-OP(O)-(OR)2所表示之結構等。R可為相同或相異皆可，可列舉如，前述烷基、烯基、炔基、芳基等例示。該些之R中，前述取代基可再被取代。
作為取代基之醯胺基，可列舉如，顯示-C(O)NH2、-C(O)NHR、-NHC(O)R、-C(O)N(R)2，或-NRC(O)R所表示之結構者。R可為相同或相異皆可，可列舉如，前述烷基、烯基、炔基、芳基等例示。該些之R中，前述取代基可再被取代。
作為取代基之芳基，可列舉如，與前述芳基為相同內容者。芳基中前述其他取代基可再被取代。
作為取代基之烷基，可列舉如，與前述烷基為相同內容者。烷基中前述其他取代基可再被取代。
作為取代基之烯基，可列舉如，與前述烯基為相同內容者。烯基中前述其他取代基可再被取代。
作為取代基之炔基，可列舉如，與前述炔基為相同內容者。炔基中前述其他取代基可再被取代。
一般而言，於導入高體積密度結構時，會有 降低胺基之反應性或液晶配向性之可能性，故B1及B2以氫原子，或可具有取代基之碳數1~5之烷基為較佳，以氫原子、甲基或乙基為特佳。
式(B)中之Y1的結構，於具有由胺基、亞胺基，及含氮雜環所成群中所選出之至少1種類的結構時，其結構則未有特別之限定。具體例如，具有由下述式(YD-1)~(YD-5)所表示之胺基、亞胺基，及含氮雜環所成群中所選出之至少1種類的結構之2價的有機基等。
Figure 103134263-A0202-12-0016-14
式(YD-1)中，A1為碳數3~15的含氮原子之雜環，Z1為氫原子，或可具有取代基的碳數1~20之烴基。
式(YD-2)中，W1為碳數1~10之烴基，A2為具有含氮原子之雜環的碳數3~15之1價的有機基，或被碳數1~6的脂肪族基所取代的二取代胺基。
式(YD-3)中，W2為碳數6~15，且具有1~2個苯 環之2價的有機基，W3為碳數2~5之伸烷基或聯伸苯基，Z2為氫原子、碳數1~5之烷基，或苯環，a為0~1之整數。
式(YD-4)中，A3為碳數3~15的含氮原子之雜環。
式(YD-5)中，A4為碳數3~15的含氮原子之雜環，W5為碳數2~5之伸烷基。
式(YD-1)、(YD-2)、(YD-4)，及(YD-5)之A1、A2、A3，及A4的碳數3~15之含氮原子的雜環，只要為公知之結構者時，並未有特別之限定。其中，可列舉如，吡咯嗪、吡咯、咪唑、吡唑、噁唑、噻唑、哌啶、哌嗪、吡啶、吡
Figure 103134263-A0202-12-0017-33
、吲哚、苯併咪唑(Benzoimidazole)、喹啉、異喹啉等，又以哌嗪、哌啶、吲哚、苯併咪唑(Benzoimidazole)、咪唑、咔唑，或吡啶為較佳。
此外，式(B)中的Y1之具體例，例如，下述式(YD-6)~(YD-21)所表示之具有氮原子的2價的有機基等，就可抑制經由交流驅動所產生之電荷蓄積之觀點，以式(YD-14)~(YD-21)為較佳，以(YD-14)或(YD-18)為特佳。
Figure 103134263-A0202-12-0018-15
式(YD-14)及(YD-21)中，j為0~3之整數。式(YD-17)中，h為1~3之整數。
本發明之聚醯胺酸及聚醯胺酸的醯亞胺化聚合物中，式(B)所表示之二胺的比例，相對於全二胺1莫耳，以10~100莫耳%為佳，更佳為30~100莫耳%，最佳為50~100莫耳%。
本發明之液晶配向劑所含有之聚醯胺酸，除上述式(B)所表示之二胺以外，亦可使用下述式(3)所表示之二胺。下述式(3)中，Y2為2價的有機基，其結構並未有特別之限定，亦可將2種類以上混合。具體例 示，例如，下述(Y-1)~(Y-102)等。
[化14]H2N-Y2-NH2 (3)
Figure 103134263-A0202-12-0019-16
Figure 103134263-A0202-12-0019-17
Figure 103134263-A0202-12-0020-18
Figure 103134263-A0202-12-0020-19
Figure 103134263-A0202-12-0020-20
Figure 103134263-A0202-12-0021-21
Figure 103134263-A0202-12-0021-22
Figure 103134263-A0202-12-0022-23
Figure 103134263-A0202-12-0022-24
Figure 103134263-A0202-12-0023-25
其中，又就得到良好液晶配向性之觀點，以直線性更高的二胺為佳，Y2，以Y-7、Y-21、Y-22、Y-23、Y-25、Y-26、Y-27、Y-43、Y-44、Y-45、Y-46、Y-48、Y-63、Y-71、Y-73、Y-74、Y-75、Y-98、Y-99，Y-100、Y-101，或Y-102之二胺為較佳。
式(3)所表示之二胺的比例過多時，因會有損害本發明效果之可能性，故為不佳。式(3)所表示之二胺的比例，相對於全二胺1莫耳，以0~90莫耳%為佳，較佳為0~70莫耳%，更佳為0~50莫耳%。
<聚醯胺酸之製造方法>
本發明所使用的作為聚醯亞胺前驅體之聚醯胺酸，可 依以下所示方法予以合成。
具體而言，使四羧酸二酐與二胺於有機溶劑之存在下，於-20~150℃，較佳為0~50℃中，進行30分鐘~24小時，較佳為1~12小時反應予以合成。
上述反應所使用之有機溶劑，就單體及聚合物之溶解性等觀點，以使用N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、γ-丁內酯等為佳，該些可將1種或2種以上混合使用亦可。
聚合物之濃度，就不易析出聚合物，且容易得到高分子量體之觀點，以1~30質量%為佳，以5~20質量%為較佳。
依上述方式所得之聚醯胺酸，可將反應溶液於充分攪拌中注入貧溶劑之方式，析出聚合物而予以回收。又，於進行數次析出處理，使用貧溶劑洗淨後，於常溫或加熱乾燥，即可製得精製之聚醯胺酸的粉末。貧溶劑，並未有特別之限定，可列舉如，水、甲醇、乙醇、2-丙醇、己烷、丁基溶纖劑(cellosolve)、丙酮、甲苯等，又以水、甲醇、乙醇、2-丙醇等為佳。
<聚醯亞胺之製造方法>
本發明所使用的聚醯亞胺，可將前述聚醯胺酸經由醯亞胺化之方式而可製造。
由聚醯胺酸製造聚醯亞胺之情形，以於二胺成份與四羧酸二酐經反應所得之前述聚醯胺酸的溶液中，添加觸媒 以進行化學性醯亞胺化之方法為簡便者。化學性醯亞胺化，於較低溫下進行醯亞胺化反應時，使於醯亞胺化過程中，不易引起聚合物之分子量降低，而為較佳。
化學性醯亞胺化為，將欲進行醯亞胺化之聚合物，於有機溶劑中，於鹼性觸媒與酸酐之存在下進行攪拌之方式進行。有機溶劑，可使用前述聚合反應時所使用的溶劑。
鹼性觸媒，可列舉如，吡啶、三乙基胺、三甲基胺、三丁基胺、三辛基胺等。其中，又以吡啶於進行反應時可維持適當之鹼性而為較佳。
又，酸酐可列舉如，乙酸酐、偏苯三酸酐、苯均四酸二酐等，其中又以使用乙酸酐時，於反應結束後變得容易進行精製，而為較佳。
進行醯亞胺化反應時之溫度為-20~140℃，較佳為0~100℃，反應時間可於1~100小時間進行。鹼性觸媒之量為聚醯胺酸基的0.5~30倍莫耳，較佳為2~20倍莫耳，酸酐之量為聚醯胺酸基的1~50倍莫耳，較佳為3~30倍莫耳。所得聚合物的醯亞胺化率，可以調節觸媒量、溫度、反應時間之方式予以控制。
聚醯胺酸的醯亞胺化反應後之溶液中，因殘留所添加之觸媒等，故於經由以下所述手段，回收所得醯亞胺化聚合物後，再使用有機溶劑進行再溶解，以製得本發明之液晶配向劑者為佳。
依上述方式所得之聚醯亞胺之溶液，於充分攪拌中注入貧溶劑時，可以析出聚合物。進行數次析出處理，使用 貧溶劑洗淨後，於經常溫或加熱乾燥，即可製得精製的聚合物之粉末。
前述貧溶劑，並未有特別之限定，可列舉如，甲醇、2-丙醇、丙酮、己烷、丁基溶纖劑、庚烷、甲基乙基酮、甲基異丁酮、乙醇、甲苯、苯等，又以甲醇、乙醇、2-丙醇、丙酮等為佳。
<液晶配向劑>
本發明所使用的液晶配向劑，為具有聚合物成份溶解於有機溶劑中所得之溶液形態。聚合物之分子量，以重量平均分子量為2,000~500,000為佳，更佳為5,000~300,000，更佳為10,000~100,000。又，數平均分子量以1,000~250,000為佳，較佳為2,500~150,000，更佳為5,000~50,000。
本發明所使用的液晶配向劑的聚合物濃度，可配合所欲形成之塗膜的厚度設定而作適當之變更，就形成均勻且無缺陷的塗膜之觀點，以1質量%以上為佳，就溶液的保存安定性之觀點，以10質量%以下為佳。特佳之聚合物濃度，為2~8質量%。
本發明所使用的液晶配向劑所含有的有機溶劑，只要可均勻溶解聚合物成份者，則並未有特別之限定。其具體例，可列舉如，N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二乙基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮、N-甲基己內醯胺、2-吡咯啶酮、N-乙烯基-2-吡咯啶 酮、二甲基亞碸、二甲基碸、γ-丁內酯、1,3-二甲基-四氫咪唑酮、3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺等。該些可將1種或2種以上混合使用亦可。又，即使為單獨無法均勻溶解聚合物成份的溶劑，只要為不析出聚合物之範圍時，亦可將上述有機溶劑混合使用。
本發明所使用的液晶配向劑，除使用於溶解聚合物成份的有機溶劑以外，亦可含有於將液晶配向劑塗佈於基板之際，用於提高塗膜均勻性的溶劑。該溶劑，一般為使用表面張力較上述有機溶劑為更低的溶劑。其具體例，例如，乙基溶纖劑(cellosolve)、丁基溶纖劑(cellosolve)、乙基卡必醇、丁基卡必醇、乙基卡必醇乙酸酯、乙二醇、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇、1-丁氧基-2-丙醇、1-苯氧基-2-丙醇、丙二醇單乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、丙二醇-1-單甲醚-2-乙酸酯、丙二醇-1-單乙醚-2-乙酸酯、丁基溶纖劑(cellosolve)乙酸酯、二丙二醇、2-(2-乙氧基丙氧基)丙醇、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸n-丙酯、乳酸n-丁酯、乳酸異戊酯等。該些之溶劑可將2種以上合併使用。
本發明之液晶配向劑中，除上述以外，只要為不損害本發明效果之範圍，亦可添加聚合物以外的聚合物、以改變液晶配向膜的介電係數或導電性等之電氣特性為目的之介電體或導電物質、以提高液晶配向膜與基板之密著性為目的之矽烷耦合劑、以提高作成液晶配向膜時的膜硬度或緻密度為目的之交聯性化合物，此外，又如燒結 塗膜時，使聚醯胺酸的醯亞胺化更能有效率地進行為目的的醯亞胺化促進劑等。
<液晶配向膜之製造方法>
發明之液晶配向膜，為經由將上述液晶配向劑塗佈於基板、乾燥、燒結而製得之膜。塗佈本發明之液晶配向劑之基板，只要為具有高度透明性之基板時，並未有特別之限定，例如可使用玻璃基板、氮化矽基板、丙烯酸基板、聚碳酸酯基板等塑膠基板等。以使用已形成有為進行液晶驅動之ITO電極等之基板，可使製程簡單化之觀點而為更佳。又，反射型之液晶顯示元件中，若僅為單側之基板時，亦可使用矽晶圓等不透明物質，該情形之電極亦可使用鋁等可反射光線之材料。
本發明之液晶配向劑的塗佈方法，可列舉如，旋轉塗佈法、印刷法、噴墨法等。塗佈本發明之液晶配向劑之後的乾燥、燒結步驟，可選擇任意的溫度與時間。通常就充分去除所含有之有機溶劑等觀點，為進行50~120℃、1分鐘~10分鐘之乾燥，隨後，進行150~300℃、5分鐘~120分鐘之燒結。燒結後之塗膜厚度，並未有特別之限定，但於考量過薄時將會造成液晶顯示元件信賴性降低等情形，為5~300nm，較佳為10~200nm。
將所得液晶配向膜進行配向處理之方法，可列舉如，摩擦法、光配向處理法等。
光配向處理法之具體例，例如，將以一定方向偏向之 輻射線照射前述塗膜表面，依各種情形之差異性，可再於150~250℃之溫度下進行加熱處理，賦予液晶配向能力之方法等。輻射線，可使用具有100nm~800nm波長的紫外線及可視光線。其中，又以具有100nm~400nm波長的紫外線為佳，以具有200nm~400nm波長者為特佳。又，為改善液晶配向性之目的，可於塗膜基板在50~250℃下之加熱中，照射輻射線亦可。前述輻射線之照射量，以1~10,000mJ/cm2為佳，以100~5,000mJ/cm2為特佳。依上述方式所製得之液晶配向膜，可以安定地使液晶分子依一定方向進行配向。
如上述般，對於經照射偏光之輻射線後之膜，其次，可再使用含有由水及有機溶劑所成群中所選出之至少1種類的溶劑進行接觸處理。
接觸處理所使用之溶劑，只要為可溶解經由光照射而生成之分解物的溶劑時，並未有特別之限定。其具體例，可列舉如，水、甲醇、乙醇、2-丙醇、丙酮、甲基乙基酮、1-甲氧基-2-丙醇、1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯、丁基溶纖劑(cellosolve)、乳酸乙酯、乳酸甲酯、二丙酮醇、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸環己酯等。該些之溶劑可將2種上合併使用。
就廣用性與安全性之觀點，以使用由水、2-丙醇、1-甲氧基-2-丙醇及乳酸乙酯所成群中所選出之至少1種為較佳。以1-甲氧基-2-丙醇或乳酸乙酯為特佳。
本發明中，將經由偏光輻射線照射後之膜與含有有機溶劑之溶液進行之接觸處理，可使用浸漬處理、噴霧(SPRAY)處理等方式，為使用使膜與液體進行充分接觸之處理方式進行。其中，又以將膜於含有有機溶劑之溶液中，較佳為進行10秒~1小時、更佳為1~30分鐘之浸漬處理的方法為佳。接觸處理，可為常溫或加溫下進行皆可，較佳為於10~80℃、更佳為20~50℃下實施。又，必要時，可實施超音波等之提高接觸性之手段。
上述接觸處理之後，就去除所使用的溶液中之有機溶劑等目的，可使用水、甲醇、乙醇、2-丙醇、丙酮、甲基乙基酮等之低沸點溶劑，進行洗滌(RINSE)或乾燥中之任一種，或進行二者皆可。
此外，於上述中，以溶劑進行接觸處理之膜，就溶劑之乾燥及使膜中之分子鏈進行再配向之目的等，亦可於150℃以上進行加熱。
加熱之溫度，以150~300℃為佳。溫度越高時，雖可促進分子鏈之再配向，但溫度過高時，恐將伴隨分子鏈分解。因此，加熱溫度以180~250℃為較佳，以200~230℃為特佳。
加熱時間，過短時將會有無法得到本發明效果的可能性，過長時，分子鏈會有分解之可能性，故以10秒~30分鐘為佳，以1~10分鐘為較佳。
本發明之液晶配向膜，為適合作為IPS方式、廣視角技術FFS(Fringe Field Switching)(以下，稱為FFS) 方式等橫電場方式之液晶顯示元件之液晶配向膜者，又對於作為FFS方式之液晶顯示元件之液晶配向膜，則為特別有用。
<液晶顯示元件>
本發明之液晶顯示元件，於本發明之製造方法中，在製得附有由液晶配向劑所形成的液晶配向膜的基板之後，可使用已知方法製作液晶晶胞，並使用該液晶晶胞作為液晶顯示元件者。
製作液晶晶胞之方法之例示，將使用被動矩陣(passive matrix)結構之液晶顯示元件為例進行說明。又，亦可使用構成畫像顯示的各畫素部分中，設有TFT(Thin Film Transistor)等開閉元件的主動矩陣結構之液晶顯示元件。
首先，準備透明的玻璃製基板，於一側之基板上設置通用電極(Common Electrode)，另一側之基板上設置節段電極(Segment Electrode)。該些之電極，例如可作為ITO電極，並依所期待之影像顯示方式進行圖型形成(Patterning)。其次，於各基板上，以包覆通用電極與節段電極之方式設置絕緣膜。絕緣膜，例如，可使用以溶膠-凝膠法所形成之SiO2-TiO2所形成之膜。
其次，於各基板上，形成本發明之液晶配向膜。
其次，將一側之基板與另一側之基板，以互相的配向膜面呈對向之方式予以重疊，其周邊使用密封材予以接 著。密封材中，為控制基板間隙，通常為混入間隔器。又，未設置密封材的面內部分，又以散佈控制基板間隙的間隔器者為佳。密封材的一部分，設置有可由外部填充液晶的開口部。
隨後，經由設置於密封材的開口部，將液晶材料注入由2片基板與密封材所包圍的空間內。隨後，此開口部使用接著劑予以密封。注入方法，可使用真空注入法亦可、於大氣中利用毛細管現象之方法亦可。液晶材料，可使用正型液晶材料及負型液晶材料之任一者。其次，進行偏光板之設置。具體而言，將一對的偏光板貼合於與2片基板之液晶層為相反側的面上。經由以上的步驟，即可製得本發明之液晶顯示元件。
此液晶顯示元件中，液晶配向膜為使用依本發明之製造方法所得之液晶配向膜，故為具有優良殘影特性者，而可適合使用於大畫面且具有高精密度的液晶電視等。
[實施例]
以下將列舉實施例等，對本發明作更具體的說明。又，本發明並不受該些實施例所限定。實施例等所使用之有機溶劑等之縮寫，係如以下所示。
NMP：N-甲基-2-吡咯啶酮
GBL：γ-丁內酯
BCS：丁基溶纖劑
酸二酐(A)：下述式(A)所表示之化合物
DA-1：下述式(DA-1)所表示之化合物
DA-2：下述式(DA-2)所表示之化合物
DA-3：下述式(DA-3)所表示之化合物
Figure 103134263-A0202-12-0033-26
以下為說明黏度測定、分子量測定、液晶晶胞之製作，及長期交流驅動所產生之電荷蓄積值評估及電荷蓄積值評估的方法。
〔黏度測定〕
聚醯胺酸酯及聚醯胺酸溶液之黏度，為使用E型黏度計TVE-22H(東機產業公司製)，樣品量1.1mL(毫升)、錐型轉子(Cone Rotor)TE-1(1°34’、R24)、於溫度25℃下測定者。
〔分子量測定〕
聚醯胺酸酯之分子量為，使用GPC(常溫凝膠滲透色層分析儀)裝置(昭和電工公司製、Shodex GP-101)予以測定者，並依聚乙二醇，及聚環氧乙烷換算值算出數平均分子量(Mn)與重量平均分子量(Mw)。
GPC裝置：Shodex公司製(GPC-101)
管柱：Shodex公司製(KD803、KD805之直列)
管柱溫度：50℃
溶離液：N,N-二甲基甲醯胺(添加劑為，溴化鋰-水和物(LiBr‧H2O)為30mmol/L(公升)、磷酸‧無水結晶(o-磷酸)為30mmol/L、四氫呋喃(THF)為10ml/L)
流速：1.0ml/分鐘
製作檢量線用之標準樣品：東曹公司製TSK標準聚氧乙烯(重量平均分子量(Mw)約900,000、150,000、100,000，及30,000)，及，Polymer Laboratories公司製 聚乙二醇(波峰頂部分子量(Mp)約12,000、4,000，及1,000)。測定中為避免波峰重疊，分別針對由900,000、100,000、12,000，及1,000等4種類混合所得樣品，與由150,000、30,000，及4,000等3種類混合所得樣品等2種樣品進行。
〔液晶晶胞之製作〕
製作具有邊緣電場切換(Fringe Field Switching：以下，稱為FFS)模式液晶顯示元件之構成的液晶晶胞。
首先準備附有電極之基板。基板為，大小為30mm×50mm、厚度為0.7mm之玻璃基板。基板上，第1層為構成對向電極之形成有黏膠狀圖型的ITO電極。第1層的對向電極上，形成有作為第2層之由CVD(chemical vapor deposition)法進行成膜所形成之SiN(氮化矽)膜。第2層之SiN膜的膜厚為500nm，其具有層間絕緣膜之機能。於第2層之SiN膜上，形成有第3層，其為配置有ITO膜經圖型形成(Patterning)方法所形成之櫛齒狀的畫素電極之第1畫素及第2畫素等2個畫素。各畫素之尺寸為縱10mm、橫約5mm。此時，第1層之對向電極與第3層之畫素電極，經由第2層之SiN膜的作用，而形成電絕緣。
第3層之畫素電極，中央部分具有由彎曲為「ㄑ」字形狀的電極要素，以複數配列所構成的櫛齒狀之形狀。各電極要素之短邊方向的寬度為3μm，電極要素間之間隔為6μm。形成各畫素的畫素電極，因中央部分為由彎曲為「ㄑ」字形狀的電極要素，以複數配列所構成者，故各畫素的形狀並非長方形，而與電極要素相同般為中央部分彎曲者，而具備近似粗體「ㄑ」字的形狀。而各畫素以其中央的彎曲部分作為分界分割為上下，因而具有彎曲部分上側的第1區域與下側的第2區域。
各畫素的第1區域與第2區域進行比較時，得知構成其之畫素電極的電極要素之形成方向為相互不同者。即，以後述液晶配向膜的摩擦方向作為基準之情形，畫素的第 1區域中，畫素電極的電極要素以成為+10°之角度(順時鐘方向)之方式形成，畫素的第2區域中，畫素電極的電極要素以成為-10°之角度(順時鐘方向)之方式形成。即，各畫素之第1區域與第2區域中，構成為於畫素電極與對向電極之間受到施加電壓所引發的液晶之於基板面內的迴轉動作(面內‧開閉)之方向為互相相反之構成。
其次，將所得液晶配向劑使用1.0μm過濾器過濾後，使用旋轉塗佈器塗佈於先前所準備之具有上述附有電極之基板，與背面形成ITO膜之膜的高度4μm之柱狀間隔器的玻璃基板。於80℃之加熱板上進行5分鐘乾燥後，於230℃之熱風循環式烘箱中進行20分鐘之燒結，而形成膜厚100nm的塗膜。對此塗膜面施以摩擦或偏光紫外線照射等之配向處理，製得附有液晶配向膜之基板。將上述2片之基板作為一組，於基板上印刷密封劑，另1片基板則面向液晶配向膜面疊合，以配向方向形成0°之方式貼合後，將密封劑硬化製作空晶胞。此空晶胞使用減壓注入法，注入液晶MLC-2041(馬克公司製)，將注入口密封，製得FFS驅動液晶晶胞。隨後，將所得液晶晶胞於110℃下加熱1小時，放置一晚後，作為各評估使用。
〔交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估〕
將所製作的液晶晶胞設置於偏光軸以垂直方式配置的2片偏光板之間，於無施加電壓的狀態下，將LED背光源 進行點燈，調整液晶晶胞的配置角度，以使透過光線的亮度達最小量。
其次，將頻率30Hz的交流電壓施加於此液晶晶胞之過程中，測定V-T曲線(電壓-透過率曲線)，並算出相對透過率為50%時的交流電壓作為驅動電壓。
又，進行遮光以使LED光未照射至液晶晶胞。另外，在頻率1kHz將20mV之矩形波以30分鐘施加於液晶晶胞。
隨後，於LED點燈的同時，以相對透過率為50%之方式進行交流驅動，並測定點燈後即時的V-F(電壓-閃爍曲線)曲線，算出可消除因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積時的平版電壓值。隨後，測定每1分鐘的最小平版電壓值變化量，算出點燈後即時至30分鍾為止進行變化之際的最大電壓值。此時，評估最大平版電壓的變化量，於超過20mV的情形定義為「不良」。又，評估最大平版電壓的變化量，於未超出20mV的情形，則定義為「良好」。
〔電荷減緩之特性〕
將所製作的液晶晶胞放置於光源上，測定45℃溫度下的V-T特性(電壓-透過率特性)後，測定施加±1.5V/60Hz的矩形波狀態下的液晶晶胞的透過率(Ta)。隨後，於45℃之溫度下，施加±1.5V/60Hz的矩形波10分鐘後，將直流2V重疊，驅動120分鐘。切斷直 流電壓，再僅使用±1.5V/60Hz的矩形波，分別測定0分鐘、5分鐘、10分鐘，及20分鐘驅動時之液晶晶胞的透過率(Tb)，由各時間的透過率(Tb)與初期的透過率(Ta)之差(△T)，算出液晶顯示元件內殘留的電壓所生成的透過率之差。
(合成例1)
將附有攪拌裝置的50mL四口燒瓶放置於氮氣氛圍中，量取4,4’-二胺基二苯基胺2.40g(12.0mmol)，加入NMP 29.8g，於持續加入氮氣攪拌中，使其溶解。此二胺溶液於攪拌中，添加酸二酐(A)3.41g(11.6mmol)，再添加NMP 12.8g，於氮氣氛圍下，以23℃攪拌25小時，得聚醯胺酸溶液(PAA-1)。此聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為，550mPa‧s。又，此聚醯胺酸的分子量為Mn=15076、Mw=35742。
(合成例2)
將附有攪拌裝置的100mL四口燒瓶置於氮氣氛圍中，量取DA-1 2.21g(9.60mmol)，加入NMP 65.2g，於持續加入氮氣攪拌中，使其溶解。此二胺溶液於攪拌中，添加酸二酐(A)2.47g(8.40mmol)，於氮氣氛圍下、在23℃下，攪拌4小時。隨後，添加4,4’-二胺基二苯基胺2.87g(14.4mmol)，確認溶解之後，加入1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐2.80g(14.3mmol)。另外再加入NMP 27.95g，攪拌30小時，得聚醯胺酸溶液(PAA-2)。此聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為118mPa‧s。又，此聚醯胺酸的分子量為，Mn=15591、Mw=36804。
(合成例3)
將附有攪拌裝置的100mL四口燒瓶置於氮氣氛圍中，量取DA-2 2.35g(9.60mmol)，加入NMP 65.9g，於持續加入氮氣攪拌中，使其溶解。此二胺溶液於攪拌中，添加酸二酐(A)2.47g(8.40mmol)，於氮氣氛圍下、以23℃攪拌2小時。隨後，添加4,4’-二胺基二苯基胺2.87g(14.4mmol)，確認溶解之後，加入1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐2.78g(14.2mmol)。另外再加入NMP 28.2g，攪拌4小時，得聚醯胺酸溶液(PAA-3)。此聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為122mPa‧s。又，此聚醯胺酸的分子量為Mn=11511、Mw=29470。
(比較合成例1)
將附有攪拌裝置的100mL四口燒瓶置於氮氣氛圍中，量取DA-3 5.97g(20.0mmol)，加入NMP 59.3g，於持續加入氮氣攪拌中，使其溶解。此二胺溶液於攪拌中，添加酸二酐(A)5.59g(19.0mmol)，再加入NMP 25.4g，於氮氣氛圍下，以23℃攪拌20小時，得聚醯胺酸溶液(PAA-4)。此聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為230mPa‧s。又，此聚醯胺酸的分子量為Mn=11541、 Mw=22939。
(比較合成例2)
將附有攪拌裝置的100mL四口燒瓶置於氮氣氛圍中，量取4,4’-二胺基二苯基胺3.83g(19.0mmol)，及4,4’-二胺基二苯基甲烷0.95g(5.0mmol)，加入NMP 57.2g，於持續加入氮氣攪拌中，使其溶解。此二胺溶液於攪拌中，添加1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐4.31g(22.0mmol)，再加入NMP 24.5g，於氮氣氛圍下，以23℃攪拌3小時，得聚醯胺酸溶液(PAA-5)。此聚醯胺酸溶液於溫度25℃下之黏度為132mPa‧s。又，此聚醯胺酸的分子量為Mn=11700、Mw=25900。
(實施例1)
於放置有攪拌棒之100mL三角燒瓶中，加入分餾之合成例1所得之聚醯胺酸溶液(PAA-1)16.2g、NMP 13.0g、3-環氧丙氧丙基三乙氧基矽烷0.02g及BCS 9.73g，使用電磁攪拌器(magnetic stirrer)攪拌2小時，製得液晶配向劑(A-1)。
(實施例2)
於放置有攪拌棒之100mL三角燒瓶中，加入分餾之合成例2所得之聚醯胺酸溶液(PAA-2)16.6g、NMP 11.0g、3-環氧丙氧丙基三乙氧基矽烷0.02g及BCS 9.20g，使用電磁攪拌器(magnetic stirrer)攪拌2小時，製得液晶配向劑(A-2)。
(實施例3)
於放置有攪拌棒之100mL三角燒瓶中，加入分餾之合成例3所得之聚醯胺酸溶液(PAA-3)18.0g、NMP 12.0g、3-環氧丙氧丙基三乙氧基矽烷0.02g及BCS 10.0g，使用電磁攪拌器(magnetic stirrer)攪拌2小時，製得液晶配向劑(A-3)。
(比較例1)
於放置有攪拌棒之100mL三角燒瓶中，加入分餾之比較合成例1所得之聚醯胺酸溶液(PAA-4)16.6g、NMP 13.2g、3-環氧丙氧丙基三乙氧基矽烷0.02g及BCS 9.93g，使用電磁攪拌器(magnetic stirrer)攪拌2小時，製得液晶配向劑(B-1)。
(比較例2)
於放置有攪拌棒之100mL三角燒瓶中，加入分餾之比較合成例2所得之聚醯胺酸溶液(PAA-5)16.5g、NMP 13.2g、3-環氧丙氧丙基三乙氧基矽烷0.02g及BCS 9.81g，使用電磁攪拌器(magnetic stirrer)攪拌2小時，製得液晶配向劑(B-2)。
(實施例4)
將實施例1所得之液晶配向劑(A-1)經過1.0μm之過濾器過濾之後，使用旋轉塗佈器塗佈於，形成有具有作為第1層之膜厚50nm的ITO電極，第2層作為絕緣膜之膜厚500nm的氮化矽，第3層作為具有櫛齒形狀的ITO電極(電極寬：3μm、電極間隔：6μm、電極高度：50nm)的FFS驅動用電極之玻璃基板上。隨後，於80℃之加熱板上進行5分鐘乾燥後，於230℃之熱風循環式烘箱進行30分鐘燒結處理，而形成膜厚100nm的塗膜。使用滾筒迴轉數1000rpm、平台移動速度20mm/s、摩擦布擠壓壓力0.4mm的條件，對此塗膜面施以摩擦處理，製得附有液晶配向膜之基板。又，於作為對向基板之未形成電極、具有高度4μm的柱狀間隔器的玻璃基板上，依同樣方式形成塗膜，施以配向處理。
將上述2片之基板作為一組，於基板上印刷密封劑，另1片基板則以面向液晶配向膜面疊合，以配向方向形成0°之方式貼合後，將密封劑硬化製作空晶胞。此空晶胞使用減壓注入法，注入液晶MLC-2041(馬克公司製)，將注入口密封，製得FFS驅動液晶晶胞。
對此FFS驅動液晶晶胞，評估其電荷減緩特性之結果，得知交流驅動0分鐘、5分鐘、10分鐘、及20分鐘的△T，分別為9.0%、2.5%、0.5%，及0%。
又，實施交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估之結果，得知30分鐘驅動時之最大平版電壓的變化量 為20mV以下，確認為良好。
(實施例5)
除使用實施例2所得之液晶配向劑(A-2)以外，其他皆依實施例4相同方法製作FFS驅動之液晶晶胞。對此FFS驅動液晶晶胞評估其電荷減緩特性之結果，得知交流驅動0分鐘、5分鐘、10分鐘、及20分鐘的△T分別為9.0%、2.5%、0.5%，及0%。
又，實施交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估之結果，得知30分鐘驅動時之最大平版電壓的變化量為20mV以下，確認為良好。
(實施例6)
除使用實施例3所得之液晶配向劑(A-3)以外，其他皆依實施例4相同方法製作FFS驅動之液晶晶胞。對此FFS驅動液晶晶胞評估其電荷減緩特性之結果，得知交流驅動0分鐘、5分鐘、10分鐘、及20分鐘的△T分別為9.0%、2.5%、0.5%，及0%。
又，實施交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估之結果，得知30分鐘驅動時之最大平版電壓的變化量為20mV以下，確認為良好。
(比較例3)
除使用比較例1所得之液晶配向劑(B-1)以外，其 他皆依實施例4相同方法製作FFS驅動之液晶晶胞。對此FFS驅動液晶晶胞評估其電荷減緩特性之結果，得知交流驅動0分鐘、5分鐘、10分鐘、及20分鐘的△T分別為11.0%、3.5%、1.0%，及0%。
又，實施交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估之結果，得知30分鐘驅動的最大平版電壓之變化量為20mV以上，確認為不良。
(比較例4)
除使用比較例2所得之液晶配向劑(B-2)以外，其他皆依實施例4相同方法製作FFS驅動之液晶晶胞。對此FFS驅動液晶晶胞評估其電荷減緩特性之結果，得知交流驅動0分鐘、5分鐘、10分鐘、及20分鐘的△T分別為7.0%、3.5%、1.5%，及0%。
又，實施交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積值評估之結果，得知30分鐘驅動的最大平版電壓之變化量為20mV以上，確認為不良。
Figure 103134263-A0202-12-0044-27
[產業上之利用性]
本發明之液晶配向劑所製得之液晶配向膜，因可降低因交流驅動的非對稱化所造成之電荷蓄積，且可快速減緩因直流電壓所蓄積之殘留電荷，故特別適用作為殘影特性極為優良的IPS驅動方式或FFS驅動方式之液晶顯示元件或液晶電視之液晶配向膜。
又，2013年10月1日所申請之日本專利出願2013-206729號之說明書、申請專利範圍，及摘要等全部內容皆予以引用，擷取並載入作為本發明說明書之揭示內容。
Figure 103134263-A0202-11-0003-2

Claims (5)

  1. 一種液晶配向劑，其特徵為含有，由含下述式(A)之四羧酸二酐的四羧酸二酐成份，與含有下述式(B)所表示之二胺的二胺成份進行反應所得之聚醯胺酸及該聚醯胺酸的醯亞胺化聚合物所成群中所選出之至少1種類的聚合物，與有機溶劑，
    Figure 103134263-A0305-02-0049-1
     惟，式(B)中，Y1為由具有下述記式(YD-14)及(YD-18)之結構的2價的有機基所成群中所選出之至少1種類，B1及B2，各自獨立表示氫原子、碳數1~10之烷基、碳數1~10之烯基，或碳數1~10之炔基，該些之基亦可具有取代基，
    Figure 103134263-A0305-02-0049-2
     惟，上述式(YD-14)中，j為1~3之整數。
  2. 如請求項1之液晶配向劑，其中，前述四羧酸二酐成份中之10~100莫耳%為式(A)之四羧酸二酐。
  3. 如請求項1或2之液晶配向劑，其中，前述二胺成份中之10~100莫耳%為式(B)之二胺。
  4. 一種液晶配向膜，其特徵為，塗佈請求項1~3中任 一項之液晶配向劑，並經燒結而得。
  5. 一種液晶顯示元件，其特徵為，具備請求項4之液晶配向膜。
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