CN117126676A - 液晶取向剂、液晶取向膜及液晶元件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种涂布性优异且可获得残像的产生得到抑制的液晶元件的液晶取向剂、液晶取向膜及液晶元件。本发明使液晶取向剂含有聚合物(P),所述聚合物(P)包含源自在同一分子内或不同的分子内具有部分结构I及部分结构II的二胺的结构单元。部分结构I:*1‑COOH所表示的结构(*1表示与脂肪族烃基中的碳原子的键结键);部分结构II:选自由吡啶结构、咪唑结构、苯并咪唑结构及式(1)的含氮结构所组成的群组中的至少一种结构。
Description
技术领域
本发明涉及一种液晶取向剂、液晶取向膜及液晶元件。
背景技术
液晶元件被应用于从大型的液晶电视到智能手机等小型的显示装置的广范围的器件或用途中。另外,随着液晶元件的多用途化,要求液晶元件的进一步高品质化。作为使液晶元件进一步高品质化的手段之一,尝试了改善对液晶分子的取向进行控制的液晶取向膜的各种特性(例如,参照专利文献1)。
在专利文献1中公开了:通过使液晶取向剂含有具有源自具有羧基的二胺的结构的聚合物、及具有源自具有三级氮原子的二胺的结构的聚合物,来改善涂膜的摩擦耐性及液晶取向膜的电特性(电压保持率及残留电压)。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2015-92222号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
根据专利文献1的液晶取向剂,认为通过聚合物所具有的羧基与三级氮原子的酸-碱相互作用而使液晶取向膜中的电荷效率良好地转移,由此能够抑制对液晶元件施加直流电压时残留电荷蓄积于液晶单元内。然而,在聚合物成分中包含羧基与三级氮原子的情况下,有因羧基与三级氮原子的酸-碱相互作用而聚合物容易凝聚的倾向,担心液晶取向剂的涂布性降低。另一方面,当因对液晶元件施加电压而电荷蓄积于液晶单元内时,以残像(直流(Direct Current,DC)残像)的形式被观察者视认到,会产生液晶元件的品质降低。就实现液晶元件的进一步高品质化的观点或抑制制品的良率降低的观点而言,作为液晶取向剂,要求在涂布性良好的同时可制造残像的产生得到充分抑制的液晶元件。
本发明是鉴于所述课题而成,主要目的在于提供一种涂布性优异且可获得残像的产生得到抑制的液晶元件的液晶取向剂。
[解决问题的技术手段]
本发明人等人为了解决所述课题而进行了努力研究,发现,通过使用具有特定的结构单元的聚合物而可解决所述课题,从而完成了本发明。具体而言,通过本发明,可提供以下的手段。
<1>一种液晶取向剂,含有聚合物(P),所述聚合物(P)包含源自在同一分子内或不同的分子内具有下述部分结构I及部分结构II的二胺的结构单元。
部分结构I:“*1-COOH”所表示的结构(其中,*1表示与脂肪族烃基中的碳原子的键结键)
部分结构II:选自由吡啶结构、咪唑结构、苯并咪唑结构及从下述式(1)的结构式中去除n个(n为1以上的整数)氢原子而成的含氮结构所组成的群组中的至少一种结构
[化1]
(式(1)中,A1为氢原子、一价烃基或热脱离性基;A2及A3是A2为一价烃基或热脱离性基且A3为一价烃基、或者表示A2与A3相互结合并和A2及A3所键结的氮原子一起构成的脂肪族杂环结构;其中,A1、A2及A3中的两个以上不会同时通过芳香环而与式(1)中的氮原子键结)
<2>一种液晶取向膜,使用所述<1>的液晶取向剂而形成。
<3>一种液晶元件,包括所述<2>的液晶取向膜。
[发明的效果]
通过本发明的液晶取向剂,可在使液晶取向剂的涂布性优异的同时获得残像的产生得到抑制的液晶元件。
具体实施方式
以下,对本公开的液晶取向剂中所含的各成分及视需要任意调配的其他成分进行说明。
此外,在本说明书中,所谓“烃基”是包含链状烃基、脂环式烃基及芳香族烃基的含义。所谓“链状烃基”,是指不含环状结构,仅包含链状结构的直链状烃基及分支状烃基。其中,链状烃基可为饱和也可为不饱和。所谓“脂环式烃基”,是指仅包含脂环式烃的结构作为环结构,不含芳香环结构的烃基。其中,脂环式烃基无需仅包含脂环式烃的结构,也包括在其一部分中具有链状结构的基。所谓“芳香族烃基”,是指包含芳香环结构作为环结构的烃基。其中,芳香族烃基无需仅包含芳香环结构,也可在其一部分中包含链状结构或脂环式烃的结构。“脂肪族烃基”是包含链状烃基及脂环式烃基的含义。“芳香环”是包含芳香族烃环及芳香族杂环的含义。所谓“有机基”,是指从包含碳的化合物(即,有机化合物)中去除任意的氢原子而成的原子团。
《液晶取向剂》
本公开的液晶取向剂含有聚合物(P),所述聚合物(P)包含源自在同一分子内或不同的分子内具有下述部分结构I及部分结构II的二胺的结构单元。
部分结构I:“*1-COOH”所表示的结构(其中,*1表示与脂肪族烃基中的碳原子的键结键)
部分结构II:选自由吡啶结构、咪唑结构、苯并咪唑结构及从下述式(1)的结构式中去除n个(n为1以上的整数)氢原子而成的含氮结构所组成的群组中的至少一种结构
[化2]
(式(1)中,A1为氢原子、一价烃基或热脱离性基;A2及A3是A2为一价烃基或热脱离性基且A3为一价烃基、或者表示A2与A3相互结合并和A2及A3所键结的氮原子一起构成的脂肪族杂环结构;其中,A1、A2及A3中的两个以上不会同时通过芳香环而与式(1)中的氮原子键结)
以下,对本公开的液晶取向剂中所包含的聚合物(P)及任意调配的成分进行说明。
<聚合物(P)>
聚合物(P)只要包含源自在同一分子内或不同的分子内具有部分结构I及部分结构II的二胺的结构单元,则并无特别限定。这里,所谓“包含源自在同一分子内或不同的分子内具有部分结构I及部分结构II的二胺的结构单元”,是指在聚合物(P)中,具有部分结构I的二胺与具有部分结构II的二胺可相同也可不同。即,聚合物(P)只要构成聚合物(P)的二胺中的一种以上具有部分结构I且构成聚合物(P)的二胺中的一种以上具有部分结构II即可。此外,在具有部分结构I的二胺具有部分结构II的情况下,聚合物(P)包含源自在同一分子内具有部分结构I及部分结构II的二胺的结构单元。
作为聚合物(P)的具体形态,可列举<1>包含源自具有部分结构I且不具有部分结构II的二胺(以下,也称为“特定二胺D1”)的结构单元及源自具有部分结构II且不具有部分结构I的二胺(以下,也称为“特定二胺D2”)的结构单元的形态;<2>包含源自具有部分结构I及部分结构II的二胺(以下,也称为“特定二胺D3”)的结构单元的形态。此外,在<1>及<2>的各形态中,聚合物(P)也可还包含其他结构单元。例如,在<1>的形态中,聚合物(P)也可还具有源自特定二胺D3的结构单元或源自不具有部分结构I及部分结构II中的任一者的二胺的结构单元。另外,在<2>的形态中,聚合物(P)也可还具有源自特定二胺D1的结构单元或源自特定二胺D2的结构单元、源自不具有部分结构I及部分结构II中的任一者的二胺的结构单元。
认为通过向液晶取向剂的聚合物成分中导入具有羧基的结构单元与具有含氮杂环结构或三级氮原子的结构单元来实现液晶单元内的残留电荷的蓄积减低及缓和促进。但是,在此种液晶取向剂中,有导入到液晶取向剂的聚合物成分中的羧基与含氮杂环结构或三级氮原子相互作用(酸-碱相互作用)而聚合物容易凝聚的倾向。关于所述方面,通过使用聚合物(P)而可在将抑制蓄积于液晶单元内的残留电荷的效果维持得高的同时抑制聚合物成分的凝聚,并获得涂布性优异的液晶取向剂,所述聚合物(P)包含源自在同一分子内具有部分结构I与部分结构II的二胺、或者在不同的分子内具有部分结构I与部分结构II的二胺的结构单元。
关于残留电荷的蓄积,更详细而言,为了尽可能减低因随着对液晶元件施加电压而电荷蓄积于液晶单元内所产生的残像(DC残像)来获得高品质的液晶元件,理想的是在对液晶元件施加电压时不易产生电荷的蓄积(以下,也称为“短期残像特性”)且蓄积于液晶元件中的电荷得到快速缓和(以下,也称为“长期残像特性”)。关于所述方面,通过使用包含聚合物(P)的本公开的液晶取向剂来形成液晶取向膜,可获得短期残像特性与长期残像特性此两特性优异的液晶元件。
就可进一步提高在液晶元件中产生的残像的减低效果的方面而言,聚合物(P)优选为包含源自具有部分结构I的二胺的结构单元(以下,也称为结构单元(A))、源自具有部分结构II的二胺的结构单元(其中,结构单元(A)除外;以下,也称为结构单元(B))的聚合物(以下,也称为“聚合物(P1)”)。此外,结构单元(A)也可具有部分结构I以及部分结构II。即,结构单元(A)可为源自特定二胺D1的结构单元,也可为源自特定二胺D3的结构单元。
以下,对特定二胺D1、特定二胺D2及特定二胺D3进行详细说明。此外,以下,包含特定二胺D1、特定二胺D2及特定二胺D3在内也称为“特定二胺”。
·关于特定二胺D1
特定二胺D1具有“*1-COOH”所表示的部分结构(其中,*1表示与脂肪族烃基中的碳原子的键结键)。在特定二胺D1中,羧基所键结的脂肪族烃基可为链状烃基,也可为脂环式烃基。羧基所键结的脂肪族烃基优选为饱和烃基。具体而言,更优选为饱和链状烃基或饱和脂环式烃基,进而优选为饱和链状烃基。
特定二胺D1只要在一分子内具有一个以上的“*1-COOH”所表示的部分结构即可。就兼顾液晶取向剂的涂布性与残留电荷的蓄积减低的观点而言,特定二胺D1中的“*1-COOH”所表示的部分结构的数量(即,与链状烃基键结的羧基的数量)优选为一个~六个,更优选为一个~四个,进而优选为一个或两个。此外,特定二胺D1所具有的羧基优选为全部与脂肪族烃基中的碳原子键结。
特定二胺D1可为脂肪族二胺,也可为芳香族二胺。这里,在本说明书中,“脂肪族二胺”是包含链状二胺及脂环式二胺的概念。就聚合容易性的观点而言,特定二胺D1优选为芳香族二胺,具体而言,可列举两个一级氨基键结于同一芳香环的芳香族二胺及两个一级氨基键结于不同的芳香环的芳香族二胺。
特定二胺D1所具有的羧基可与导入到聚合物的主链的脂肪族烃基键结,也可与导入到侧链的脂肪族烃基键结。就聚合物凝聚的抑制效果高的方面而言,特定二胺D1所具有的羧基优选为与导入到聚合物的侧链的脂肪族烃基键结。即,特定二胺D1优选为具有能够将羧基键结于脂肪族烃基而成的部分结构导入到聚合物的侧链的结构。
作为特定二胺D1的优选具体例,可列举下述式(d1-A)所表示的化合物及下述式(d1-B)所表示的化合物。
[化3]
(式(d1-A)中,Ar1为(s+2)价芳香族烃环基;X1为单键、-O-、-S-、-CO-、-NR2-、*2-CO-O-、*2-O-CO-、*2-CO-NR2-或*2-NR2-CO-;*2表示与Ar1的键结键;R2为氢原子、碳数1~10的一价烃基、所述烃基所具有的一个以上的氢原子经卤素原子或氰基取代而成的一价基、一价热脱离性基或“-R3-(COOH)m”;R1为具有脂肪族烃基的(r+1)价有机基;R3为具有脂肪族烃基的(m+1)价有机基;其中,与R1键结的羧基键结于R1中的脂肪族烃基,与R3键结的羧基键结于R3中的脂肪族烃基;m及r分别独立地为1以上的整数;s为1或2;在s为2的情况下,多个X1相同或不同,多个R1相同或不同,多个r相同或不同)
[化4]
(式(d1-B)中,Ar2及Ar3分别独立地为二价芳香族烃环基;R4为具有脂肪族烃基的(t+2)价有机基;其中,与R4结合的羧基键结于R4中的脂肪族烃基;t为1以上的整数)
在所述式(d1-A)中,Ar1所表示的(s+2)价芳香族烃环基为从经取代或未经取代的芳香族烃环的环部分去除(s+2)个氢原子而成的基。作为所述芳香族烃环,可列举苯环、萘环等。这些中,就实现液晶取向膜的高密度化的观点而言,优选为苯环。作为芳香族烃环所具有的取代基,可列举:碳数1~5的烷基、碳数1~5的烷氧基、卤素原子等。另外,与芳香族烃环键结的两个一级氨基的键结位置并无特别限定。例如,在Ar1具有苯环结构且s为1的情况下,两个一级氨基的键结位置可列举相对于其他基而为2,4-位、3,5-位等。
在R2为一价热脱离性基的情况下,R2为通过热而脱离并被取代为氢原子的基。作为R2所表示的热脱离性基,可列举通常用作氨基的保护基的基。作为热脱离性基的具体例,可列举:氨基甲酸酯系保护基、酰胺系保护基、酰亚胺系保护基、磺酰胺系保护基等。这些中,就基于热的脱离性高的方面而言,优选为氨基甲酸酯系保护基,例如可列举:叔丁氧基羰基、苄基氧基羰基、1,1-二甲基-2-卤代乙基氧基羰基、烯丙基氧基羰基、2-(三甲基硅烷基)乙氧基羰基等。这些中,就基于热的脱离性优异且可减少所脱离的结构在膜中的残存量的方面而言,特别优选为叔丁氧基羰基(Boc基)。
R1及R3所表示的有机基可为链状结构,也可具有环状结构。另外,R1及R3所表示的有机基可仅包含脂肪族烃基,也可还具有与脂肪族烃基不同的基(例如,-O-、-S-、-CO-、-NR2-、-CO-O-、-CO-NR2-等含杂原子基或芳香族烃基等)。其中,与R1键结的羧基及与R3键结的羧基分别键结于R1或R3中的脂肪族烃基。R1及R3所表示的有机基的碳数优选为1~20,更优选为1~12。
(m+r)×s(即,所述式(d1)所表示的化合物一分子中的羧基的数量)优选为1~6,更优选为1~4,进而优选为1或2。就合成容易性的观点而言,s优选为1。
在所述式(d1-B)中,Ar2及Ar3所表示的二价芳香族烃环基为从经取代或未经取代的芳香族烃环的环部分去除两个氢原子而成的基。作为所述芳香族烃环,可列举苯环、萘环等,优选为苯环。作为芳香族烃环所具有的取代基,可列举:碳数1~5的烷基、碳数1~5的烷氧基、卤素原子等。
R4所表示的有机基可为链状结构,也可具有环状结构。另外,R4所表示的有机基可仅包含脂肪族烃基,也可还具有与脂肪族烃基不同的基(例如,-O-、-S-、-CO-、-NR2-、-CO-O-、-CO-NR2-等含杂原子基或芳香族烃基等)。其中,与R4键结的羧基键结于R4中的脂肪族烃基。R4所表示的有机基的碳数例如为1~30,优选为1~20。t优选为1~6,更优选为1~4,进而优选为1或2。
作为特定二胺D1的具体例,可列举下述式(d1-1)~式(d1-25)各自所表示的化合物等。此外,式中,“Boc”表示叔丁氧基羰基(以下相同)。
[化5]
[化6]
[化7]
[化8]
·关于特定二胺D2
特定二胺D2具有选自由吡啶结构、咪唑结构、苯并咪唑结构及从所述式(1)的结构式中去除n个(n为1以上的整数)氢原子而成的含氮结构所组成的群组中的至少一种部分结构。
在特定二胺D2具有咪唑结构的情况下,所述咪唑结构可为去除m个(m为1以上的整数)与构成咪唑环的碳键结的氢原子后的结构,也可为去除与构成咪唑环的氮键结的氢原子后的结构。另外,特定二胺D2所具有的咪唑结构也可为去除合计k个(k为2以上的整数)与构成咪唑环的碳键结的氢原子及与氮键结的氢原子后的结构。关于特定二胺D2具有苯并咪唑结构的情况,也同样如此。即,特定二胺D2所具有的苯并咪唑结构可为去除与构成苯并咪唑环的碳键结的氢原子后的结构,也可为去除与构成苯并咪唑环的氮键结的氢原子后的结构。
关于从所述式(1)的结构式中去除n个(n为1以上的整数)氢原子而成的含氮结构(以下,也称为“含氮结构N1”),作为A1、A2及A3所表示的一价烃基,可列举碳数1~20的链状烃基、脂环式烃基及芳香族烃基。其中,A1、A2及A3中,这些中的两个以上不会同时通过芳香环而与式(1)中的氮原子键结。
作为A1、A2及A3所表示的一价热脱离性基,可列举作为R2为一价热脱离性基时的具体例及优选例而说明的基。作为A2与A3相互结合并和A2及A3所键结的氮原子一起构成的脂肪族杂环结构,可列举哌啶结构、哌嗪结构等。从所述式(1)所表示的结构式中去除的氢原子可为A1、A2及A3中的任一者所具有的氢原子。
特定二胺D2只要在一分子内具有合计一个以上的吡啶结构、咪唑结构、苯并咪唑结构及含氮结构N1中的至少一种即可。就兼顾液晶取向剂的涂布性与残留电荷的蓄积减低的观点而言,特定二胺D2中的部分结构II的数量优选为一个~六个,更优选为一个~四个,进而优选为一个或两个。
聚合物(P)可在主链中具有部分结构II,也可在侧链具有部分结构II。这里,所谓聚合物的“主链”,是指聚合物中包含最长的原子链的“主干”部分。此外,可容许所述“主干”部分包含环结构。即,所谓“在主链中具有部分结构II”,是指部分结构II构成主链的一部分。所谓聚合物的“侧链”,是指从聚合物的“主干”分支的部分。就提高残留电荷的蓄积减低与所蓄积的残留电荷的缓和促进的效果并获得残像的产生得到充分减低的液晶元件的观点而言,聚合物(P)优选为在侧链具有部分结构II或者在主链中具有选自由吡啶结构、咪唑结构及苯并咪唑结构所组成的群组中的至少一种,更优选为在侧链具有部分结构II。
当聚合物(P)在主链中具有选自由吡啶结构、咪唑结构及苯并咪唑结构所组成的群组中的至少一种时,与吡啶结构、咪唑结构及苯并咪唑结构邻接的基的一个以上优选为链状结构(链状基)。具体而言,特定二胺D2优选为具有下述式(r-1)所表示的部分结构。
*-A4-Y1-Z1-*…(r-1)
(式(r-1)中,A4为吡啶结构、咪唑结构或苯并咪唑结构;Y1为单键或-NR40-;R40为氢原子、碳数1~3的烷基或热脱离性基;Z1为烷二基或氧原子;“*”表示键结键)
就可提高残留电荷的蓄积减低与残留电荷的缓和促进的效果并获得残像的产生得到充分减低的液晶元件的方面而言,这些中,特定二胺D2优选为在主链中或侧链具有选自由吡啶结构、咪唑结构及苯并咪唑结构所组成的群组中的至少一种,更优选为在侧链具有吡啶结构。
特定二胺D2可为脂肪族二胺,也可为芳香族二胺。就聚合容易性的观点而言,特定二胺D2优选为芳香族二胺。
关于特定二胺D2的具体例,作为能够将部分结构II导入到聚合物(P)的侧链的二胺,可列举下述式(d2-1-1)~式(d2-1-13)各自所表示的化合物等。作为能够将部分结构II导入到聚合物(P)的主链中的二胺,可列举下述式(d2-2-1)~式(d2-2-20)各自所表示的化合物等。
[化9]
[化10]
[化11]
[化13]
/>
·关于特定二胺D3
特定二胺D3为在一分子内具有部分结构I与部分结构II的二胺。关于部分结构I及部分结构II的详细情况,可列举在特定二胺D1、特定二胺D2的说明中例示的结构。特定二胺D3可为脂肪族二胺,也可为芳香族二胺。就聚合容易性的观点而言,特定二胺D3优选为芳香族二胺。
作为特定二胺D3的具体例,可列举下述式(d3-1)~式(d3-9)各自所表示的化合物等。
[化14]
相对于聚合物(P1)所具有的源自二胺化合物的结构单元的总量,聚合物(P1)中的结构单元(A)的含有比例优选为2摩尔%以上,更优选为5摩尔%以上,进而优选为10摩尔%以上。另外,相对于聚合物(P1)所具有的源自二胺化合物的结构单元的总量,结构单元(A)的含有比例优选为70摩尔%以下,更优选为65摩尔%以下,进而优选为50摩尔%以下。若结构单元(A)的含有比例为所述范围,则可确保液晶取向剂的涂布性,并且充分获得残留电荷的蓄积减低的效果。此外,提供结构单元(A)的单量体可为特定二胺D1,也可为特定二胺D3。就聚合物的溶解性及残留电荷的缓和促进的观点而言,优选为特定二胺D1。
相对于聚合物(P1)所具有的源自二胺化合物的结构单元的总量,聚合物(P1)中的结构单元(B)的含有比例优选为1摩尔%以上,更优选为2摩尔%以上,进而优选为5摩尔%以上。另外,相对于聚合物(P1)所具有的源自二胺化合物的结构单元的总量,结构单元(B)的含有比例优选为80摩尔%以下,更优选为65摩尔%以下,进而优选为50摩尔%以下。若结构单元(B)的含有比例为所述范围,则可充分获得液晶元件的残像减低效果。
就充分获得聚合物的溶解性的改善效果及残留电荷的蓄积减低效果的观点而言,聚合物(P1)中的结构单元(A)与结构单元(B)的比率优选为结构单元(A):结构单元(B)=1:0.1~5(摩尔比)。聚合物(P1)所具有的结构单元(A)与结构单元(B)的比率(摩尔比)更优选为1:0.2~3。
在聚合物(P)具有源自特定二胺D3的结构单元且不具有源自特定二胺D1的结构单元及源自特定二胺D2的结构单元的情况下,相对于聚合物(P)所具有的源自二胺化合物的结构单元的总量,聚合物(P)中的源自特定二胺D3的结构单元的含有比例优选为3摩尔%以上,更优选为10摩尔%以上,进而优选为15摩尔%以上。
作为聚合物(P),可列举二胺化合物与羧酸或其衍生物的缩聚物。就可形成与液晶的亲和性及机械强度高且电特性优异的液晶取向膜的方面而言,其中,聚合物(P)优选为四羧酸衍生物与二胺化合物的缩聚物,具体而言,优选为选自由聚酰胺酸、聚酰胺酸酯、聚酰亚胺及加成聚合物所组成的群组中的至少一种。这里,“四羧酸衍生物”包含四羧酸二酐、四羧酸二酯及四羧酸二酯二卤化物。
(聚酰胺酸)
在聚合物(P)为聚酰胺酸的情况下,所述聚酰胺酸(以下,也称为“聚酰胺酸(P)”)可通过使四羧酸二酐与包含特定二胺的二胺化合物反应的方法来制造。
·四羧酸二酐
作为聚酰胺酸(P)的合成中使用的四羧酸二酐,例如可列举脂肪族四羧酸二酐、芳香族四羧酸二酐等。作为脂肪族四羧酸二酐,可列举链状四羧酸二酐及脂环式四羧酸二酐。
关于它们的具体例,作为链状四羧酸二酐,可列举1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐、乙二胺四乙酸二酐等。作为脂环式四羧酸二酐,可列举:1,2,3,4-环丁烷四羧酸二酐、1,3-二甲基-1,2,3,4-环丁烷四羧酸二酐、2,3,5-三羧基环戊基乙酸二酐、5-(2,5-二氧代四氢呋喃-3-基)-3a,4,5,9b-四氢萘并[1,2-c]呋喃-1,3-二酮、5-(2,5-二氧代四氢呋喃-3-基)-8-甲基-3a,4,5,9b-四氢萘并[1,2-c]呋喃-1,3-二酮、2,4,6,8-四羧基双环[3.3.0]辛烷-2:4,6:8-二酐、环戊烷四羧酸二酐、环己烷四羧酸二酐等。作为芳香族四羧酸二酐,可列举:均苯四甲酸二酐、4,4'-(六氟亚异丙基)二邻苯二甲酸酐、乙二醇双偏苯三酸酐、4,4'-羰基二邻苯二甲酸酐、3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯基醚四羧酸二酐等。另外,作为四羧酸二酐,除所述以外,还可使用日本专利特开2010-97188号公报中记载的四羧酸二酐。作为四羧酸二酐,可单独使用一种或组合使用两种以上。
就获得残像得到进一步减低的液晶元件的观点而言,聚合物(P)优选为包含源自芳香族四羧酸衍生物的结构单元。另外,合成聚酰胺酸(P)时使用的四羧酸二酐优选为包含芳香族四羧酸二酐。就充分获得液晶元件中的残像减低的效果的观点而言,相对于聚酰胺酸(P)的合成中使用的四羧酸二酐的总量,芳香族四羧酸二酐的使用比例优选为2摩尔%以上,更优选为5摩尔%以上,进而优选为10摩尔%以上。另外,就聚合物(P)的溶解性高且获得涂布性优异的液晶取向剂的观点而言,相对于聚酰胺酸(P)的合成中使用的四羧酸二酐的总量,芳香族四羧酸二酐的使用比例优选为95摩尔%以下,更优选为80摩尔%以下,进而优选为50摩尔%以下。
另外,就可获得涂布性优异的液晶取向剂的方面而言,合成聚合物(P)时使用的四羧酸二酐优选为包含脂肪族四羧酸二酐,更优选为包含脂环式四羧酸二酐。相对于聚酰胺酸(P)的合成中使用的四羧酸二酐的总量,脂环式四羧酸二酐的使用比例优选为2摩尔%以上,更优选为15摩尔%以上,进而优选为30摩尔%以上。
·二胺化合物
聚酰胺酸(P)的合成中使用的二胺化合物可仅为特定二胺,但也可并用与特定二胺不同的二胺(以下,也称为“其他二胺”)。作为其他二胺,可列举:脂肪族二胺、芳香族二胺、二氨基有机硅氧烷等。脂肪族二胺包含链状二胺及脂环式二胺。
关于其他二胺的具体例,作为链状二胺,可列举间苯二甲胺(meta-xylylenediamine)、六亚甲基二胺等。作为脂环式二胺,可列举:1,4-二氨基环己烷、4,4'-亚甲基双(环己基胺)、4,4'-二氨基二环己基甲烷等。作为芳香族二胺,可列举:对苯二胺、4,4'-二氨基二苯基甲烷、4-氨基苯基-4-氨基苯甲酸酯、4,4'-二氨基偶氮苯、1,5-双(4-氨基苯氧基)戊烷、1,2-双(4-氨基苯氧基)乙烷、1,3-双(4-氨基苯氧基)丙烷、1,6-双(4-氨基苯氧基)己烷、双[2-(4-氨基苯基)乙基]己二酸、4,4'-二氨基二苯基醚、2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-双(4-氨基苯基)六氟丙烷、1,4-双(4-氨基苯氧基)苯、4,4'-双(4-氨基苯氧基)联苯、2,2'-二甲基-4,4'-二氨基联苯、4,4'-(亚苯基二亚异丙基)双苯胺、1-氨基-3-氨基甲基苯、4,4'-双(4-氨基苯氧基)联苯、下述式(D-1)所表示的化合物等主链型二胺;
[化15]
(式(D-1)中,R31及R32分别独立地为烷二基;X31为-COO-、-NR33CO-或-NR33CONR34-;R33及R34分别独立地为氢原子、碳数1~3的烷基或热脱离性基;n1为1~3的整数;在n1为2或3的情况下,多个X31相同或不同,多个R32相同或不同)
十六烷氧基-2,4-二氨基苯、十八烷氧基-2,4-二氨基苯、十八烷氧基-2,5-二氨基苯、胆甾烷基氧基-3,5-二氨基苯、胆甾醇基氧基-3,5-二氨基苯、胆甾烷基氧基-2,4-二氨基苯、胆甾醇基氧基-2,4-二氨基苯、3,5-二氨基苯甲酸胆甾烷基酯、3,5-二氨基苯甲酸胆甾醇基酯、3,5-二氨基苯甲酸羊毛甾烷基酯、3,6-双(4-氨基苯甲酰基氧基)胆甾烷、3,6-双(4-氨基苯氧基)胆甾烷、4-(4'-三氟甲氧基苯甲酰氧基)环己基-3,5-二氨基苯甲酸酯、1,1-双(4-((氨基苯基)甲基)苯基)-4-丁基环己烷、3,5-二氨基苯甲酸=5ξ-胆甾烷-3-基、下述式(E-1)所表示的化合物等侧链型二胺等;
[化16]
(式(E-1)中,XI及XII分别独立地为单键、-O-、*-COO-或*-OCO-(其中,“*”表示与二氨基苯基侧的键结键);RI为碳数1~3的烷二基;RII为单键或碳数1~3的烷二基;RIII为碳数1~20的烷基、烷氧基、氟烷基或氟烷氧基;a为0或1;b为0~3的整数;c为0~2的整数;d为0或1;其中,1≦a+b+c≦3)
作为二氨基有机硅氧烷,可列举1,3-双(3-氨基丙基)-四甲基二硅氧烷等。
作为所述式(D-1)所表示的化合物,例如可列举下述式(D-1-1)~式(D-1-5)各自所表示的化合物等。作为所述式(E-1)所表示的化合物,例如可列举下述式(E-1-1)~式(E-1-4)各自所表示的化合物等。
[化17]
在合成聚酰胺酸(P)时,相对于聚酰胺酸(P)的合成中使用的二胺化合物的总量,其他二胺的使用比例优选为70摩尔%以下,更优选为60摩尔%以下,进而优选为50摩尔%以下。作为其他二胺,可单独使用一种或组合使用两种以上。此外,其他二胺实质上不包含羧基键结于芳香族烃基中的碳原子的二胺。具体而言,相对于聚合物(P)的合成中使用的二胺化合物的总量,羧基键结于芳香族烃基中的碳原子的二胺的含有比例优选为0.5摩尔%以下,更优选为0.1摩尔%以下。
聚合物(P)优选为还包含源自如下二胺,即在侧链具有选自由碳数4~30的烷基、碳数4~30的卤化烷基、碳数4~30的烷氧基、碳数4~30的卤化烷氧基、具有两个以上的环直接或通过二价连结基键结而成的多环结构的基及具有类固醇骨架的基所组成的群组中的至少一种基(以下,也称为“垂直取向性基”)的二胺的结构单元。通过聚合物(P)在侧链具有垂直取向性基,可提高聚合物(P)的溶解性,并可使液晶取向剂的涂布性更良好。
作为垂直取向性基的具体例,可列举下述式(2)所表示的基。
*-L1-R21-R22-R23-R24…(2)
(式(2)中,L1为单键、-O-、-CO-、-COO-*2、-OCO-*2、-NR25-、-NR25-CO-*2、-CO-NR25-*2、碳数1~6的烷二基、-O-R26-*1或-R26-O-*1(其中,R25为氢原子或碳数1~10的一价烃基,R26为碳数1~3的烷二基;“*2”表示与R21的键结键);R21及R23分别独立地为单键、亚苯基或亚环烷基;R22为单键、亚苯基、亚环烷基、-R27-B1-*3或-B1-R27-*3(其中,R27为亚苯基或亚环烷基;B1为-COO-*4、-OCO-*4或碳数1~3的烷二基;“*3”表示与R23的键结键,“*4”表示与R27的键结键);R24为氢原子、氟原子、氰基、碳数1~30的烷基、碳数1~30的氟烷基、碳数1~30的烷氧基、碳数1~30的氟烷氧基、具有类固醇骨架的碳数17~51的烃基;其中,在R21、R22及R23全部为单键的情况下,R24为碳数4~30的烷基、碳数4~30的氟烷基、碳数4~30的烷氧基、碳数4~30的氟烷氧基或具有类固醇骨架的碳数17~51的烃基;“*”表示键结键)
在所述式(2)中,L1、B1的烷二基以及R24的烷基、氟烷基、烷氧基及氟烷氧基优选为直链状。作为R24的具有类固醇骨架的基,例如可列举胆甾烷基、胆甾醇基、羊毛甾烷基等。R21、R22及R23中的至少两个优选为具有亚苯基或亚环烷基。
作为所述式(2)所表示的部分结构的具体例,例如可列举:下述式(2-1)~式(2-12)各自所表示的部分结构、胆甾烷基氧基、胆甾烷基氧基羰基、胆甾醇基氧基、羊毛甾烷基氧基等。其中,垂直取向性基并不限定于它们的具体例。
[化18]
(式(2-1)~式(2-12)中,“*”表示键结键)
在聚合物(P)包含源自在侧链具有垂直取向性基的二胺的结构单元的情况下,相对于聚合物(P)所具有的源自二胺化合物的结构单元的总量,所述结构单元的含有比例优选为5摩尔%以上,更优选为10摩尔%以上,进而优选为15摩尔%以上。另外,相对于聚合物(P)所具有的结构单元的总量,源自在侧链具有垂直取向性基的二胺的结构单元的含有比例优选为70摩尔%以下,更优选为60摩尔%以下。作为在侧链具有垂直取向性基的二胺,可单独使用一种,也可组合使用两种以上。
此外,在聚合物(P)中,垂直取向性基优选为与结构单元(A)及结构单元(B)分开地导入到聚合物的侧链。在所述情况下,可独立于部分结构I及部分结构II的导入量地调整源自在侧链具有垂直取向性基的二胺的结构单元的导入量。
·聚酰胺酸的合成
聚酰胺酸(P)可通过使四羧酸二酐与二胺化合物和视需要的分子量调整剂一起反应而获得。在聚酰胺酸(P)的合成反应中,四羧酸二酐与二胺化合物的使用比例优选为相对于二胺化合物的氨基1当量而四羧酸二酐的酸酐基成为0.2当量~2当量的比例。作为分子量调整剂,例如可列举:马来酸酐、邻苯二甲酸酐、衣康酸酐等酸单酐;苯胺、环己基胺、正丁基胺等单胺化合物;异氰酸苯酯、异氰酸萘酯等单异氰酸酯化合物等。相对于所使用的四羧酸二酐以及二胺化合物的合计100质量份,分子量调整剂的使用比例优选为设为20质量份以下。
聚酰胺酸(P)的合成反应优选的是在有机溶媒中进行。此时的反应温度优选为-20℃~150℃,反应时间优选为0.1小时~24小时。作为反应中使用的有机溶媒,例如可列举:非质子性极性溶媒、酚系溶媒、醇系溶媒、酮系溶媒、酯系溶媒、醚系溶媒、卤化烃、烃等。作为它们的具体例,优选为使用选自由N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、γ-丁内酯、四甲基脲、六甲基磷酰三胺、间甲酚、二甲酚及卤化苯酚所组成的群组中的一种以上作为反应溶媒,或者使用它们的一种以上与其他有机溶媒(例如丁基溶纤剂、二乙二醇二乙醚等)的混合物。有机溶媒的使用量(a)优选为设为四羧酸二酐及二胺的合计量(b)相对于反应溶液的总量(a+b)而成为0.1质量%~50质量%的量。
以所述方式进行而获得使聚酰胺酸(P)溶解而成的聚合物溶液。所述聚合物溶液可直接供于液晶取向剂的制备,也可在将聚合物溶液中所含的聚酰胺酸(P)分离后供于液晶取向剂的制备。
(聚酰胺酸酯)
在聚合物(P)为聚酰胺酸酯的情况下,所述聚酰胺酸酯(以下,也称为“聚酰胺酸酯(P)”)例如可通过如下方法等而获得:[I]使聚酰胺酸(P)与酯化剂反应的方法;[II]使四羧酸二酯与包含特定二胺的二胺化合物反应的方法;[III]使四羧酸二酯二卤化物与包含特定二胺的二胺化合物反应的方法。聚酰胺酸酯(P)可仅具有酰胺酸酯结构,也可为酰胺酸结构与酰胺酸酯结构并存的部分酯化物。使聚酰胺酸酯(P)溶解而成的反应溶液可直接供于液晶取向剂的制备,也可在将反应溶液中所含的聚酰胺酸酯(P)分离后供于液晶取向剂的制备。
(聚酰亚胺)
在聚合物(P)为聚酰亚胺的情况下,所述聚酰亚胺(以下,也称为“聚酰亚胺(P)”)例如可通过对由所述方式合成的聚酰胺酸(P)进行脱水闭环并加以酰亚胺化而获得。聚酰亚胺(P)可为将作为其前体的聚酰胺酸(P)所具有的酰胺酸结构全部脱水闭环而成的完全酰亚胺化物,也可为仅将酰胺酸结构的一部分脱水闭环而酰胺酸结构与酰亚胺环结构并存的部分酰亚胺化物。聚酰亚胺(P)优选为酰亚胺化率为20%~99%,更优选为30%~90%。此外,酰亚胺化率是以百分率来表示酰亚胺环结构的数量相对于聚酰亚胺的酰胺酸结构的数量与酰亚胺环结构的数量的合计而言所占的比例。这里,酰亚胺环的一部分可为异酰亚胺环。
聚酰胺酸(P)的脱水闭环优选为通过如下方法来进行:将聚酰胺酸(P)溶解于有机溶媒中,在所述溶液中添加脱水剂及脱水闭环催化剂,视需要进行加热。在所述方法中,作为脱水剂,例如可使用乙酸酐、丙酸酐、三氟乙酸酐等酸酐。相对于聚酰胺酸(P)的酰胺酸结构的1摩尔,脱水剂的使用量优选为设为0.01摩尔~20摩尔。作为脱水闭环催化剂,例如可使用:吡啶、三甲吡啶、二甲吡啶、三乙基胺等三级胺。相对于所使用的脱水剂1摩尔,脱水闭环催化剂的使用量优选为设为0.01摩尔~10摩尔。作为脱水闭环反应中所使用的有机溶媒,可列举作为聚酰胺酸(P)的合成中所使用的有机溶媒而例示的有机溶媒。脱水闭环反应的反应温度优选为0℃~180℃。反应时间优选为1.0小时~120小时。此外,含有聚酰亚胺(P)的反应溶液可直接供于液晶取向剂的制备,也可在将聚酰亚胺(P)分离后供于液晶取向剂的制备。
在制成浓度为10质量%的溶液时,聚合物(P)的溶液粘度优选为具有10mPa·s~800mPa·s的溶液粘度,更优选为具有15mPa·s~500mPa·s的溶液粘度。此外,溶液粘度(mPa·s)是对于使用聚合物(P)的良溶媒(例如,γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮等)所制备的浓度10质量%的聚合物溶液,使用E型旋转粘度计在25℃下测定而得的值。
聚合物(P)的通过凝胶渗透色谱法(gel permeation chromatography,GPC)测定而得的聚苯乙烯换算的重量平均分子量(Mw)优选为1,000~500,000,更优选为2,000~300,000。另外,由Mw与通过GPC测定而得的聚苯乙烯换算的数量平均分子量(Mn)的比所表示的分子量分布(Mw/Mn)优选为7以下,更优选为5以下。
相对于液晶取向剂中所含的固体成分的总量(即,液晶取向剂的溶剂以外的成分的合计质量),液晶取向剂中的聚合物(P)的含有比例优选为40质量%以上,更优选为50质量%以上,进而优选为60质量%以上。此外,在制备液晶取向剂时,作为聚合物(P),可单独使用一种,也可组合使用两种以上。
<其他成分>
液晶取向剂除聚合物(P)以外,视需要也可含有与聚合物(P)不同的成分(以下,也称为“其他成分”)。
(聚合物(Q))
本公开的液晶取向剂也可还含有与聚合物(P)不同的聚合物(以下,也称为“聚合物(Q)”)作为聚合物成分。作为聚合物(Q),例如可使用不具有部分结构I及部分结构II中的任一者的聚合物。聚合物(Q)的主骨架并无特别限定。作为聚合物(Q),例如可列举:聚酰胺酸、聚酰胺酸酯、聚酰亚胺、聚有机硅氧烷、聚酯、聚烯胺、聚脲、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚苯并噁唑前体、聚苯并噁唑、纤维素衍生物、聚缩醛、加成聚合物等。这里,加成聚合物为包含源自具有聚合性不饱和碳-碳键的单量体的结构单元的聚合物,例如可列举:(甲基)丙烯酸系聚合物、苯乙烯系聚合物、马来酰亚胺系聚合物、苯乙烯-马来酰亚胺系共聚物等。就与聚合物(P)并用时显示出良好的液晶取向性的方面而言,这些中,聚合物(Q)优选为选自由聚酰胺酸、聚酰胺酸酯、聚酰亚胺、聚有机硅氧烷及加成聚合物所组成的群组中的至少一种。
在使液晶取向剂含有聚合物(Q)的情况下,相对于聚合物(P)与聚合物(Q)的合计量,聚合物(Q)的含有比例优选为1质量%以上,更优选为2质量%以上,进而优选为10质量%以上。另外,相对于聚合物(P)与聚合物(Q)的合计量,聚合物(Q)的含有比例优选为95质量%以下,更优选为80质量%以下。作为聚合物(Q),可单独使用一种或组合使用两种以上。
(交联剂)
本公开的液晶取向剂也可还含有交联剂。作为交联剂,可优选地使用具有能够与氨基反应的官能基(以下,也称为“交联性基”)的化合物。作为本公开的液晶取向剂中所含有的交联剂的优选具体例,可列举具有选自由环状醚基、环状硫醚基、异氰酸酯基、经保护的异氰酸酯基、羟甲基、经保护的羟甲基、环状碳酸酯基、具有聚合性碳-碳键的基、基“-CR10=CR11-R12-”(其中,R10为通过与氨基的反应而脱离的一价有机基;R11为氢原子或烷基;R12为吸电子性基)、硅醇基、烷氧基硅烷基、羟基烷基酰胺基及经保护的羟基烷基酰胺基所组成的群组中的至少一种基的化合物(以下,也称为“化合物(B)”)。
所述交联性基中,作为具有聚合性碳-碳键的基,可列举:(甲基)丙烯酰基、马来酰亚胺基、烯基、乙烯基苯基、乙烯基醚基、3-亚甲基四氢呋喃-2(3H)-酮-5-基等。在基“-CR10=CR11-R12-”中,作为R10所表示的一价有机基,例如可列举:碳数1~5的烷氧基、吡咯烷酮-1-基、卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等)等。作为R12的吸电子性基,可列举羰基、磺酰基等。
就均衡地改善液晶取向性、电压保持率及膜硬度,并且抑制再加工(rework)性的降低的观点而言,化合物(B)在一分子内所具有的交联性基的数量优选为两个~十二个,更优选为两个~十个。就保存稳定性及膜的机械强度的观点而言,化合物(B)的分子量优选为3,000以下,更优选为2,000以下,进而优选为1,000以下。
关于化合物(B)的具体例,作为具有聚合性碳-碳键的化合物,例如可列举乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、下述式(b-1)~式(b-6)各自所表示的化合物等;
作为具有环状(硫)醚基的化合物,例如可列举乙二醇二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、三丙二醇二缩水甘油醚、三缩水甘油基异氰脲酸酯、1,6-己二醇二缩水甘油醚、三羟甲基丙烷三缩水甘油醚、2,2-二溴新戊二醇二缩水甘油醚、N,N,N',N'-四缩水甘油基-间苯二甲胺、1,3-双(N,N-二缩水甘油基氨基甲基)环己烷、N,N,N',N'-四缩水甘油基-4,4'-二氨基二苯基甲烷、N,N-二缩水甘油基-苄基胺、N,N-二缩水甘油基-氨基甲基环己烷、N,N-二缩水甘油基-环己基胺、下述式(b-7)或式(b-8)所表示的化合物等;
作为具有异氰酸酯基或经保护的异氰酸酯基的化合物,例如可列举下述式(b-9)~式(b-13)各自所表示的化合物等;
作为具有羟甲基或经保护的羟甲基的化合物,例如可列举下述式(b-14)~式(b-20)各自所表示的化合物等;
作为具有环状碳酸酯基的化合物,例如可列举下述式(b-21)及式(b-22)各自所表示的化合物等;
作为具有基“-CR10=CR11-R12-”的化合物,例如可列举下述式(b-23)~式(b-29)各自所表示的化合物等;
作为具有烷氧基硅烷基或硅醇基的化合物,例如可列举3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、2-(3,4-环氧基环己基)乙基三乙氧基硅烷、3-(甲基)丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-(甲基)丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-(甲基)丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、三甲氧基硅烷基丙基琥珀酸酐等;
作为具有羟基烷基酰胺基或经保护的羟基烷基酰胺基的化合物,例如可列举下述式(b-30)~式(b-36)各自所表示的化合物等。
[化19]
[化20]
[化21]
(式(b-9)及式(b-10)中,R23为烷氧基)
[化22]
(式(b-18)中,Ac为乙酰基)
[化23]
[化24]
[化25]
在使本公开的液晶取向剂含有交联剂的情况下,就提高液晶取向膜的力学强度的观点而言,相对于液晶取向剂中所含的聚合物成分的总量(即,聚合物(P)与聚合物(Q)的合计量)100质量份,所述交联剂的含有比例优选为0.5质量份以上。相对于聚合物成分的总量100质量份,交联剂的含有比例更优选为1质量份以上,进而优选为5质量份以上。另外,就获得满足液晶取向性、电特性及保存稳定性的液晶元件的观点而言,相对于聚合物成分的总量100质量份,交联剂的含有比例优选为30质量份以下,更优选为20质量份以下。作为交联剂,可单独使用一种,也可组合使用两种以上。
(溶剂)
本公开的液晶取向剂作为使聚合物(P)及视需要而使用的其他成分优选为在适当的溶媒中分散或溶解而成的液状的组合物来制备。
作为溶剂,可优选地使用有机溶媒。作为其具体例,可列举:N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、1,2-二甲基-2-咪唑烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮、苯酚、γ-丁内酯、γ-丁内酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、4-羟基-4-甲基-2-戊酮、二丙酮醇、1-己醇、2-己醇、丙烷-1,2-二醇、3-甲氧基-1-丁醇、乙二醇单甲醚、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、丙酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚、乙二醇-正丙醚、乙二醇-异丙醚、乙二醇-正丁醚(丁基溶纤剂)、乙二醇二甲醚、乙二醇乙醚乙酸酯、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单甲醚乙酸酯、二乙二醇单乙醚乙酸酯、二异丁基酮、丙酸异戊酯、异丁酸异戊酯、二异戊醚、碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯、丙二醇单甲醚(propylene glycol monomethyl ether,PGME)、二乙二醇二乙醚乙酸酯、丙二醇单甲醚乙酸酯(propylene glycol monomethyl ether acetate,PGMEA)、丙二醇二乙酸酯、环戊酮、环己酮等。这些可单独使用一种或混合使用两种以上。
作为液晶取向剂中所含有的其他成分,除所述以外,例如可列举:抗氧化剂、金属螯合物化合物、硬化促进剂、表面活性剂、填充剂、分散剂、光增感剂等。其他成分的调配比例可在无损本公开的效果的范围内,根据各化合物而适宜选择。
液晶取向剂的固体成分浓度(液晶取向剂的溶媒以外的成分的合计质量占液晶取向剂的总质量的比例)是考虑粘性、挥发性等而适宜选择。液晶取向剂的固体成分浓度优选为1质量%~10质量%的范围。若固体成分浓度为1质量%以上,则可充分确保涂膜的膜厚,容易获得显示出良好的液晶取向性的液晶取向膜。另一方面,若固体成分浓度为10质量%以下,则可将涂膜设为适度的厚度,容易获得显示出良好的液晶取向性的液晶取向膜。另外,有液晶取向剂的粘性变得适度,可使涂布性良好的倾向。
《液晶取向膜及液晶元件》
本公开的液晶取向膜可通过如所述那样制备的液晶取向剂来制造。另外,本公开的液晶元件包括使用上文中所说明的液晶取向剂而形成的液晶取向膜。液晶元件中的液晶的驱动方式并无特别限定,例如可应用于扭转向列(Twisted Nematic,TN)型、超扭转向列(Super Twisted Nematic,STN)型、垂直取向(Vertical Alignment,VA)型(包含垂直取向-多域垂直取向(Vertical Alignment-Multi-domain Vertical Alignment,VA-MVA)型、垂直取向-图案垂直取向(Vertical Alignment-Patterned Vertical Alignment,VA-PVA)型等)、共面切换(In-Plane Switching,IPS)型、边缘场切换(Fringe Field Switching,FFS)型、光学补偿弯曲(Optically Compensated Bend,OCB)型、聚合物稳定取向(PolymerSustained Alignment,PSA)型等各种模式。液晶元件例如可利用包括以下工序1~工序3的方法来制造。工序1中,使用基板根据所期望的动作模式而不同。工序2及工序3在各动作模式中共通。
<工序1:涂膜的形成>
首先,通过在基板上涂布液晶取向剂,优选为对涂布面进行加热而在基板上形成涂膜。作为基板,例如可使用:浮法玻璃、钠玻璃等玻璃;包含聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚醚砜、聚碳酸酯、聚(脂环式烯烃)等塑料的透明基板。作为设置于基板的透明导电膜,可使用包含氧化锡(SnO2)的奈塞(NESA)膜(美国PPG公司注册商标)、包含氧化铟-氧化锡(In2O3-SnO2)的氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)膜等。在制造TN型、STN型或VA型的液晶元件的情况下,使用两枚设置有经图案化的透明导电膜的基板。另一方面,在制造IPS型或FFS型的液晶元件的情况下,使用设置有经图案化为梳齿型的电极的基板、与未设置电极的相向基板。
向基板涂布液晶取向剂的方法并无特别限定,例如可通过旋涂方式、印刷方式(例如,胶版印刷方式、柔版印刷方式等)、喷墨方式、狭缝涂布方式、棒涂机方式、挤出模(extrusion die)方式、直接凹版涂布机(direct gravure coater)方式、腔室刮刀涂布机(chamber doctor coater)方式、胶版凹版涂布机(offset gravure coater)方式、含浸涂布机方式、MB涂布机方式等来进行。
在涂布液晶取向剂后,出于防止所涂布的液晶取向剂的流挂等目的,优选为实施预加热(预烘烤)。预烘烤温度优选为30℃~200℃,预烘烤时间优选为0.25分钟~10分钟。之后,进一步去除溶剂,视需要以对聚合物中所存在的酰胺酸结构进行热酰亚胺化为目的而实施煅烧(后烘烤)工序。此时的煅烧温度(后烘烤温度)优选为80℃~280℃,更优选为80℃~250℃。后烘烤时间优选为5分钟~200分钟。所形成的膜的膜厚优选为0.001μm~1μm。
<工序2:取向处理>
在制造TN型、STN型、IPS型或FFS型液晶元件的情况下,实施对所述工序1中形成的涂膜赋予液晶取向能力的处理(取向处理)。由此,液晶分子的取向能力被赋予到涂膜而形成液晶取向膜。作为取向处理,优选为使用利用棉花等对基板上所形成的涂膜的表面进行擦拭的摩擦处理、或对涂膜进行光照射以对其赋予液晶取向能力的光取向处理。在制造垂直取向型的液晶元件的情况下,可将所述工序1中形成的涂膜直接用作液晶取向膜,为了进一步提高液晶取向能力,也可对所述涂膜实施取向处理。适合于垂直取向型的液晶元件的液晶取向膜也可优选地用于PSA型的液晶元件。
用于光取向的光照射可通过如下方法等来进行:对后烘烤工序后的涂膜进行照射的方法;对预烘烤工序后且后烘烤工序前的涂膜进行照射的方法;在预烘烤工序及后烘烤工序中的至少任一者中,在涂膜的加热过程中对涂膜进行照射的方法。作为照射到涂膜的放射线,例如可使用:包含150nm~800nm的波长的光的紫外线及可见光线。优选为包含200nm~400nm的波长的光的紫外线。在放射线为偏光的情况下,可为直线偏光,也可为部分偏光。在所使用的放射线为直线偏光或部分偏光的情况下,照射可从垂直于基板面的方向进行,也可从斜方向进行,或者也可将这些方向加以组合而进行。非偏光的放射线时的照射方向设为斜方向。
作为所使用的光源,例如可列举:低压水银灯、高压水银灯、氘灯、金属卤化物灯、氩共振灯、氙灯、准分子激光等。放射线的照射量优选为200J/m2~30,000J/m2,更优选为500J/m2~10,000J/m2。在用于赋予取向能力的光照射后,也可进行对基板表面使用例如水、有机溶媒(例如,甲醇、异丙醇、1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯、丁基溶纤剂、乳酸乙酯等)或它们的混合物进行清洗的处理、或对基板进行加热的处理。
<工序3:液晶单元的构筑>
准备两枚以所述方式形成有液晶取向膜的基板,通过在相向配置的两枚基板间配置液晶来制造液晶单元。在制造液晶单元时,例如可列举如下方法等:以液晶取向膜相向的方式隔着间隙将两枚基板相向配置,利用密封剂将两枚基板的周边部贴合,在由基板表面与密封剂所包围的单元间隙内注入填充液晶并将注入孔密封的方法、利用液晶滴注(OneDrop Fill,ODF)方式的方法。作为密封剂,例如可使用含有硬化剂及作为间隔物的氧化铝球的环氧树脂等。作为液晶,可列举向列液晶(nematic liquid crystal)、近晶液晶(smectic liquid crystal),其中,优选为向列液晶。
在PSA模式中,进行如下处理:将聚合性化合物(例如,多官能(甲基)丙烯酸酯化合物等)与液晶一起填充到单元间隙内,并且在液晶单元的构筑后,在对一对基板所具有的导电膜间施加电压的状态下,对液晶单元进行光照射。在制造PSA型的液晶元件时,相对于液晶的合计100质量份,聚合性化合物的使用比例例如为0.01质量份~3质量份,优选为0.05质量份~1质量份。
在制造液晶显示装置的情况下,继而,在液晶单元的外侧表面贴合偏光板。作为偏光板,可列举:利用乙酸纤维素保护膜将一面使聚乙烯醇延伸取向一面使其吸收碘而成的被称为“H膜”的偏光膜夹持而成的偏光板、或包含H膜其本身的偏光板。
本公开的液晶元件可有效地应用于各种用途。具体而言,例如可用作钟表、便携式游戏机、文字处理器(word processor)、笔记本型个人计算机、汽车导航系统(carnavigation system)、摄像机(camcorder)、个人数字助理(Personal Digital Assistant,PDA)、数字照相机(digital camera)、移动电话、智能手机、各种监视器、液晶电视、信息显示器等各种显示装置或调光装置、相位差膜等。
通过以上所说明的本公开,可提供以下的手段。
〔1〕一种液晶取向剂,含有聚合物(P),所述聚合物(P)包含源自在同一分子内或不同的分子内具有下述部分结构I及部分结构II的二胺的结构单元。
部分结构I:“*1-COOH”所表示的结构(其中,*1表示与脂肪族烃基中的碳原子的键结键)
部分结构II:选自由吡啶结构、咪唑结构、苯并咪唑结构及从所述式(1)的结构式中去除n个(n为1以上的整数)氢原子而成的含氮结构所组成的群组中的至少一种结构
〔2〕根据所述〔1〕所记载的液晶取向剂,其中,所述聚合物(P)包含源自具有所述部分结构I的二胺的结构单元(A)及源自具有所述部分结构II的二胺的结构单元(B)(其中,所述结构单元(A)除外)。
〔3〕根据所述〔1〕或〔2〕所记载的液晶取向剂,其中,所述聚合物(P)在侧链具有所述部分结构II。
〔4〕根据所述〔1〕至〔3〕中任一项所记载的液晶取向剂,其中,所述聚合物(P)在主链中具有所述部分结构II。
〔5〕根据所述〔1〕至〔4〕中任一项所记载的液晶取向剂,其中,所述聚合物(P)为选自由聚酰胺酸、聚酰胺酸酯及聚酰亚胺所组成的群组中的至少一种。
〔6〕根据所述〔1〕至〔5〕中任一项所记载的液晶取向剂,其中,所述聚合物(P)包含源自芳香族四羧酸衍生物的结构单元。
〔7〕根据所述〔1〕至〔6〕中任一项所记载的液晶取向剂,其中,所述聚合物(P)还包含源自如下二胺,即具有选自由碳数4~30的烷基、碳数4~30的卤化烷基、碳数4~30的烷氧基、碳数4~30的卤化烷氧基、具有两个以上的环直接或通过二价连结基键结而成的多环结构的基及具有类固醇骨架的基所组成的群组中的至少一种的二胺的结构单元。
〔8〕根据所述〔1〕至〔7〕中任一项所记载的液晶取向剂,还含有如下化合物,即具有合计两个以上的选自由环状醚基、环状硫醚基、异氰酸酯基、经保护的异氰酸酯基、羟甲基、经保护的羟甲基、环状碳酸酯基、具有聚合性碳-碳键的基、基“-CR10=CR11-R12-”(其中,R10为通过与氨基的反应而脱离的一价有机基;R11为氢原子或烷基;R12为吸电子性基)、硅醇基、烷氧基硅烷基、羟基烷基酰胺基及经保护的羟基烷基酰胺基所组成的群组中的至少一种基的化合物。
〔9〕根据所述〔1〕至〔8〕中任一项所记载的液晶取向剂,还含有与所述聚合物(P)不同的聚合物(Q)。
〔10〕根据所述〔9〕所记载的液晶取向剂,其中,所述聚合物(Q)为选自由聚酰胺酸、聚酰胺酸酯、聚酰亚胺、聚有机硅氧烷及加成聚合物所组成的群组中的至少一种。
〔11〕一种液晶取向膜,使用根据所述〔1〕至〔10〕中任一项所记载的液晶取向剂而形成。
〔12〕一种液晶元件,包括根据所述〔11〕所记载的液晶取向膜。
[实施例]
以下,基于实施例对实施方式进行更详细的说明,但本发明并不由以下的实施例限定性地解释。此外,实施例、比较例中的“份”及“%”只要无特别说明则为质量基准。
在以下的例子中,通过以下方法来测定聚合物的重量平均分子量(Mw)及数量平均分子量(Mn)、聚合物溶液中的聚酰亚胺的酰亚胺化率以及聚合物溶液的溶液粘度。以下的实施例中所使用的原料化合物及聚合物的需要量是通过视需要重复进行下述合成例中所示的合成规模下的合成来确保。
[重量平均分子量(Mw)及数量平均分子量(Mn)]
聚合物的重量平均分子量(Mw)及数量平均分子量(Mn)为通过以下条件下的GPC测定而得的聚苯乙烯换算值。
管柱:东曹(Tosoh)(股)制造,TSKgelGRCXLII
溶剂:四氢呋喃
温度:40℃
压力:68kgf/cm2
[聚酰亚胺的酰亚胺化率]
将聚酰亚胺的溶液投入到纯水中,将所获得的沉淀在室温下充分减压干燥后,溶解于氘化二甲基亚砜中,以四甲基硅烷为基准物质,在室温下测定氢谱核磁共振(1H-nuclear magnetic resonance,1H-NMR)。根据所获得的1H-NMR光谱,利用下述数式(f1)而求出酰亚胺化率[%]。
酰亚胺化率[%]=(1-(β1/(β2×α)))×100…(f1)
(数式(f1)中,β1为在化学位移10ppm附近出现的源自NH基的质子的峰值面积,β2为源自其他质子的峰值面积,α为其他质子相对于聚合物的前体(聚酰胺酸)中的NH基的一个质子的个数比例)
[聚合物溶液的溶液粘度]
聚合物的溶液粘度是使用E型粘度计在25℃下测定。
以下的实施例及比较例中使用的化合物的简称如以下所述。此外,以下,有时将式(X)所表示的化合物简单表示为“化合物(X)”。
(二胺)
[化26]
[化27]
[化28]
[化29]
[化30]
[化31]
[化32]
(四羧酸二酐)
[化33]
(聚有机硅氧烷的原料化合物)
[化34]
(加成聚合物的原料化合物)
[化35]
[化36]
(添加剂)
[化37]
<聚合物的合成>
1.聚酰亚胺的合成
[合成例1]
将作为四羧酸二酐的2,4,6,8-四羧基双环[3.3.0]辛烷-2:4,6:8-二酐75摩尔份及环丁烷-1,2:3,4-四羧酸二酐25摩尔份、以及作为二胺化合物的化合物(daa-1)15摩尔份、化合物(DB-1)35摩尔份及化合物(DC-13)50摩尔份溶解于N-甲基-2-吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone,NMP)中,在室温下进行6小时反应,获得含有15质量%的聚酰胺酸的溶液。
继而,在所获得的聚酰胺酸溶液中追加NMP而制成聚酰胺酸浓度为10质量%的溶液,添加吡啶及乙酸酐,在60℃下进行4小时脱水闭环反应。在脱水闭环反应后,利用新的NMP对系统内的溶媒进行溶媒置换,由此获得含有10质量%的酰亚胺化率为55%的聚酰亚胺(将其设为聚合物(PI-1))的溶液。所获得的聚合物的溶液粘度为90mPa·s。
[合成例3、合成例5、合成例7、合成例9、合成例12、合成例16~合成例18、合成例20、合成例22]
将所使用的四羧酸二酐及二胺化合物的种类及量如表1中记载那样进行变更,除此以外,进行与合成例1相同的操作,获得聚酰亚胺(分别设为聚合物(PI-3)、聚合物(PI-5)、聚合物(PI-7)、聚合物(PI-9)、聚合物(PI-12)、聚合物(PI-16)~聚合物(PI-18)、聚合物(PI-20)、聚合物(PI-22))。将所获得的聚酰亚胺的酰亚胺化率示于表1中。
2.聚酰胺酸的合成
[合成例2]
将作为四羧酸二酐的2,3,5-三羧基环戊基乙酸二酐50摩尔份、环丁烷-1,2:3,4-四羧酸二酐20摩尔份及均苯四甲酸二酐30摩尔份、以及作为二胺化合物的化合物(daa-2)30摩尔份、化合物(DB-2)40摩尔份及化合物(DC-6)30摩尔份溶解于N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)中,在室温下进行6小时反应,获得含有15质量%的聚酰胺酸(将其设为聚合物(PI-2))的溶液。分取少量的所述溶液,加入NMP而制成浓度为10质量%的溶液并进行溶液粘度测定,所测定的溶液粘度为100mPa·s。
[合成例4、合成例6、合成例8、合成例10、合成例11、合成例13~合成例15、合成例19、合成例21、合成例23]
将所使用的四羧酸二酐及二胺化合物的种类及量如表1中记载那样进行变更,除此以外,进行与合成例2相同的操作,获得聚酰胺酸(分别设为聚合物(PI-4)、聚合物(PI-6)、聚合物(PI-8)、聚合物(PI-10)、聚合物(PI-11)、聚合物(PI-13)~聚合物(PI-15)、聚合物(PI-19)、聚合物(PI-21)、聚合物(PI-23))。
3.聚有机硅氧烷的合成
[合成例24]
在1000mL三口烧瓶中装入2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷(所述式(s-1)所表示的化合物)100.0g、甲基异丁基酮500g及三乙基胺10.0g,在室温下混合。继而,历时30分钟从滴液漏斗滴加去离子水100g后,在回流下进行混合,同时在80℃下进行6小时反应。在反应结束后,取出有机层,利用0.2质量%硝酸铵水溶液将其清洗到清洗后的水成为中性为止后,在减压下将溶媒及水蒸馏去除。添加适量的甲基异丁基酮,获得作为具有环氧基的聚有机硅氧烷的聚合物(ESSQ-1)的50质量%溶液。
在500mL三口烧瓶中加入化合物(c-1)3.10g(相对于聚合物(ESSQ-1)所具有的环氧基量而为20摩尔%)、化合物(c-2)3.24g(相对于聚合物(ESSQ-1)所具有的环氧基量而为10摩尔%)、溴化四丁基铵1.00g、含聚合物(ESSQ-1)的溶液20.0g及甲基异丁基酮290.0g,在90℃下搅拌18小时。冷却到室温后,利用蒸馏水重复进行10次分液清洗操作。之后,回收有机层,利用旋转蒸发器重复进行两次浓缩与NMP稀释后,使用NMP,以固体成分浓度成为10质量%的方式进行调整,获得聚有机硅氧烷(将其设为聚合物(CSQ-1))的NMP溶液。
4.加成聚合物(苯乙烯-马来酰亚胺系共聚物)的合成
[合成例25]
在氮气下,在100mL二口烧瓶中加入作为聚合单体的化合物(M-1)5.00g、化合物(M-2)1.05g、化合物(M-3)4.80g及化合物(M-4)2.26g、作为自由基聚合引发剂的2,2'-偶氮双(2,4-二甲基戊腈)0.39g、作为链转移剂的2,4-二苯基-4-甲基-1-戊烯0.39g、以及作为溶媒的N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)52.5mL,在70℃下聚合6小时。在甲醇中进行再沉淀后,对沉淀物进行过滤,在室温下真空干燥8小时,由此获得苯乙烯-马来酰亚胺系共聚物(将其设为聚合物(MI-1))。通过GPC且以聚苯乙烯换算而测定的重量平均分子量Mw为30,000,分子量分布Mw/Mn为2.0。
[合成例26]
在氮气下,在100mL二口烧瓶中加入作为聚合单体的化合物(M-5)10摩尔份、化合物(M-6)10摩尔份、化合物(M-7)30摩尔份、化合物(M-8)10摩尔份、化合物(M-9)20摩尔份及化合物(M-10)20摩尔份、作为自由基聚合引发剂的2,2'-偶氮双(2,4-二甲基戊腈)2摩尔份、以及作为溶媒的四氢呋喃50mL,在70℃下聚合6小时。在甲醇中进行再沉淀后,对沉淀物进行过滤,在室温下真空干燥8小时,由此获得苯乙烯-马来酰亚胺系共聚物(将其设为聚合物(MI-2))。通过GPC且以聚苯乙烯换算而测定的重量平均分子量Mw为92,700,分子量分布Mw/Mn为4.78。
<液晶取向剂的制备及评价>
[实施例1:PSA型液晶显示元件]
(1)液晶取向剂(AL-1)的制备
在合成例7中获得的包含聚合物(PI-7)的溶液中加入作为溶剂的NMP及丁基溶纤剂(butyl cellosolve,BC),制成溶剂组成为NMP/BC=70/30(质量比)、固体成分浓度为4.0质量%的溶液。利用孔径为0.2μm的过滤器对所述溶液进行过滤,由此制备液晶取向剂(AL-1)。
(2)溶解性的评价
将所述(1)中制备的液晶取向剂(AL-1)在-15℃的冷冻库中保管7天后,将液晶取向剂解冻至室温,测定所解冻的液晶取向剂中的颗粒数,由此评价聚合物的溶解性。颗粒数的测定中,使用液中颗粒传感器(理音(Rion)(股)制造的KL-20A),对液晶取向剂10mL测定两次大小为1.0μm以上的微粒的数量,将其平均值作为液晶取向剂中的颗粒数。此时,在光源波长:780nm、样品吸引速度:10mL/min的条件下进行测定。
评价中,将颗粒数为三个/mL以下的情况设为“特别良好(◎)”,将四个/mL以上且五个/mL以下的情况设为“良好(○)”,将六个/mL以上且十个/mL以下的情况设为“可(△)”,将十一个/mL以上的情况设为“不良(×)”。在所述实施例中为特别良好(◎)的评价。
(3)涂布性(面内均匀性)的评价
将所述(1)中制备的液晶取向剂(AL-1)在-15℃的冷冻库中保管7天后,将液晶取向剂解冻至室温,使用所解冻的液晶取向剂,对涂布性(面内均匀性)进行评价。评价中,使用JET-CM连续式喷墨印刷机(纪州技研工业(股)制造),将解冻后的液晶取向剂以干燥膜厚成为0.1μm的液量在ITO基板上实施连续涂布。从液晶取向剂的涂布开始起到在基板整个面上完成液晶取向剂的涂布、并进行煅烧为止所需的时间为10分钟。将所获得的取向膜涂布基板在热板上以80℃预烘烤1分钟,之后,在洁净烘箱内、氮气环境下以230℃进行30分钟后烘烤后,利用20倍的显微镜来观察液晶取向膜的周边部及中央部。此时,将无针孔及涂布不均(膜厚不均等)的情况判断为“良好(○)”,将观测到针孔及涂布不均中的至少任一者的情况判断为“不良(×)”。在所述实施例中为良好(○)的评价。
(4)液晶组合物的制备
相对于向列液晶(默克(Merck)公司制造,MLC-6608)10g,添加5质量%的下述式(L1-1)所表示的液晶性化合物及0.3质量%的下述式(L2-1)所表示的光聚合性化合物并进行混合,获得液晶组合物LC1。
[化38]
(5)PSA型液晶单元的制造
使用旋转器将所述(1)中制备的液晶取向剂(AL-1)涂布于带有包含ITO膜的透明电极的玻璃基板的透明电极面上,利用80℃的热板进行1分钟预烘烤后,在置换为氮气的烘箱中,以230℃加热30分钟而将溶媒去除,由此形成膜厚为0.08μm的涂膜(液晶取向膜)。对于所述涂膜,利用具有卷绕有人造丝布的辊的摩擦机器,以辊转速400rpm、平台移动速度3cm/秒、毛压入长度0.1mm进行摩擦处理。之后,在超纯水中进行1分钟超声波清洗,继而,在100℃洁净烘箱中干燥10分钟,由此获得具有液晶取向膜的基板。重复所述操作,获得一对(两枚)具有液晶取向膜的基板。此外,所述摩擦处理是出于控制液晶的倒塌、且通过简易方法进行取向分割的目的而进行的弱的摩擦处理。此外,所使用的电极的图案与PSA模式中的电极图案为同一种图案。
通过丝网印刷而将放入有直径为3.5μm的氧化铝球的环氧树脂接着剂涂布于所述基板中的一枚基板的具有液晶取向膜的面的外周后,使一对基板的液晶取向膜面相向并进行重叠、压接,在150℃下加热1小时而使接着剂热硬化。继而,从液晶注入口将液晶组合物LC1填充到基板的间隙中后,利用环氧系接着剂将液晶注入口密封,进而,为了将液晶注入时的流动取向去除,将其在150℃下加热10分钟后缓缓冷却到室温。
继而,对于所获得的液晶单元,在对电极间施加频率为60Hz的交流10V而液晶驱动的状态下,利用使用金属卤化物灯作为光源的紫外线照射装置,以50,000J/m2的照射量照射紫外线。此外,所述照射量是使用以波长365nm为基准进行测量的光量计测量而得的值。由此,制造PSA型液晶单元。
(6)残像特性评价
(6-1)长期残像的评价
使用所述(5)中制造的液晶单元,在60℃下施加2V的直流电压10分钟后,短路0.2秒钟,之后保持释放状态10分钟,通过介电吸收法来测定蓄积于液晶单元内的电压。根据10分钟后所获得的电压(以下,称为“缓和后电压值”)来评价电荷蓄积特性。缓和后电压值越低,蓄积于液晶单元内的电荷的缓和越快,越不易产生由因施加电压而蓄积的残留电荷所引起的残像,可以说越良好。评价中,将缓和后电压值为0.05V以下的情况设为“特别良好(◎)”,将缓和后电压值大于0.05V且为0.1V以下的情况设为“良好(○)”,将缓和后电压值大于0.1V且为0.2V以下的情况设为“可(△)”,将缓和后电压值大于0.2V的情况设为“不良(×)”。其结果,所述液晶单元的电荷蓄积特性(长期残像)的评价为“特别良好(◎)”。
(6-2)短期残像的评价
使用所述(5)中制造的液晶单元,在60℃下施加2V的直流电压10分钟后,短路0.02秒钟,之后保持释放状态10分钟,通过介电吸收法来测定蓄积于液晶单元内的电压。根据所获得的电压成为最大时的值(以下,称为“最大电压值”)来评价电荷蓄积特性。最大电压值越低,电荷越不易蓄积于液晶单元内,越不易产生由因施加电压而蓄积的残留电荷所引起的残像,可以说越良好。评价中,将最大电压值为0.2V以下的情况设为“特别良好(◎)”,将最大电压值大于0.2V且为0.3V以下的情况设为“良好(○)”,将最大电压值大于0.3V且为0.4V以下的情况设为“可(△)”,将最大电压值大于0.4V的情况设为“不良(×)”。其结果,所述液晶单元的电荷蓄积特性(短期残像)的评价为“良好(○)”。
(7)膜的力学特性的评价
使用旋转器将所述(1)中制备的液晶取向剂(AL-1)涂布于玻璃基板上,利用110℃的热板加热(预烘烤)3分钟。之后,在对库内进行了氮气置换的230℃的烘箱中,进行30分钟干燥(后烘烤),形成平均膜厚为0.08μm的涂膜,并使用雾度计(hazemeter)来测定涂膜的雾度值。继而,对于所述涂膜,利用具有卷绕有棉布的辊的摩擦机器,以辊转速1000rpm、平台移动速度3cm/秒、毛压入长度0.3mm实施五次摩擦处理。之后,使用雾度计来测定液晶取向膜的雾度值,计算与摩擦处理前的雾度值的差(雾度变化值)。在将摩擦处理前的膜的雾度值设为Hz1(%)、将摩擦处理后的膜的雾度值设为Hz2(%)的情况下,雾度变化值由下述数式(z-1)表示。
雾度变化值(%)=Hz2-Hz1…(z-1)
将液晶取向膜的雾度变化值未满0.5的情况评价为“特别良好(◎)”,将0.5以上且未满0.8的情况评价为“良好(○)”,将0.8以上且未满1.0的情况评价为“可(△)”,将1.0以上的情况评价为“不良(×)”。若雾度变化值未满1.0,则可以说膜强度充分高且摩擦耐性高,即膜的力学特性良好。其结果,在所述实施例中为膜强度“特别良好(◎)”的评价。
[实施例2~实施例11及比较例1~比较例6]
将液晶取向剂的组成如表2所示那样进行变更,除此以外,以与实施例1相同的溶剂组成及固体成分浓度制备液晶取向剂(AL-2)~液晶取向剂(AL-17)。另外,使用各液晶取向剂,与实施例1同样地评价溶解性、涂布性及膜的力学特性,并且制造PSA型液晶单元来进行残像特性评价。将它们的结果示于表2中。此外,表2中,取向剂组成中的各成分的数值表示相对于聚合物成分的合计量100质量份而言的各化合物(聚合物、添加剂)的调配比例(质量份)(关于表3及表4,也同样如此)。
[表2]
如表2所示,使用包含聚合物(P)的液晶取向剂的实施例1~实施例11中,聚合物的溶解性、残像特性评价、涂布性及力学特性均为“特别良好”或“良好”的评价。这些中,特别是在使用聚合物(PI-7)~聚合物(PI-9)、聚合物(PI-12)、聚合物(PI-14)或聚合物(PI-15)的实施例1~实施例3、实施例6、实施例8、实施例9中,长期残像的评价为“特别良好”,残像的减低效果高。另外,在使用聚合物(PI-7)、聚合物(PI-9)、聚合物(PI-12)或聚合物(PI-16)的实施例1、实施例3、实施例6、实施例10中,溶解性的评价为“特别良好”,溶解性的改善效果高。
相对于此,在使用代替部分结构I而具有羧基直接键结于苯环的结构的聚合物的比较例1、比较例2中,在将液晶取向剂低温保管后恢复到室温时,聚合物容易析出,聚合物的溶解性的评价为“不良”,涂布性的评价也为“不良”。另外,在使用代替部分结构II而具有二苯基胺结构的聚合物的比较例3中,聚合物的溶解性及长期残像的评价为“可”,短期残像的评价为“不良”。在使用代替部分结构II而具有三嗪结构的聚合物的比较例4及使用具有-CO-N(Boc)-结构的聚合物的比较例5以及使用不包含具有羧基的结构单元的聚合物的比较例6中,涂布性良好,但是容易产生长期残像及短期残像,残像特性评价为“可”或“不良”的结果。
[实施例12:光垂直型液晶显示元件]
(1)液晶取向剂的制备、以及溶解性、涂布性及膜的力学特性的评价
将液晶取向剂的组成如表3所示那样进行变更,除此以外,以与实施例1相同的溶剂组成及固体成分浓度制备液晶取向剂(AL-18)。另外,使用液晶取向剂(AL-18),与实施例1同样地进行溶解性、涂布性及膜的力学特性的评价。将其结果示于表3中。
(2)光垂直型液晶单元的制造
使用旋转器将所述制备的液晶取向剂(AL-18)涂布于带有包含ITO膜的透明电极的玻璃基板的透明电极面上,利用80℃的热板进行1分钟预烘烤。之后,在对库内进行了氮气置换的烘箱中,以230℃加热1小时而形成膜厚为0.1μm的涂膜。继而,对于所述涂膜表面,使用Hg-Xe灯及格兰-泰勒棱镜(glan-taylor prism)从相对于基板法线倾斜40°的方向照射包含313nm的亮线的偏光紫外线1,000J/m2而赋予液晶取向能力。此外,所述照射量是使用以波长313nm为基准进行测量的光量计测量而得的值。重复进行相同的操作,制作一对(两枚)具有液晶取向膜的基板。
通过网版印刷而将放入有直径为3.5μm的氧化铝球的环氧树脂接着剂涂布于所述基板中的一枚基板的具有液晶取向膜的面的外周后,使一对基板的液晶取向膜面相向,以各基板的紫外线的光轴在基板面上的投影方向成为反平行的方式进行压接,在150℃下历时1小时使接着剂热硬化。继而,从液晶注入口将负型液晶(默克(Merck)公司制造,MLC-6608)填充到基板间的间隙中后,利用环氧系接着剂将液晶注入口密封。进而,为了将液晶注入时的流动取向去除,将其在130℃下加热后缓缓冷却到室温。
(3)残像特性评价
针对所述(2)中制造的光垂直型液晶单元,与所述实施例1同样地进行残像特性评价。将其结果示于表3中。
[实施例13及比较例7、比较例8]
将液晶取向剂的组成如表3所示那样进行变更,除此以外,以与实施例1相同的溶剂组成及固体成分浓度分别制备液晶取向剂(AL-19)~液晶取向剂(AL-21),与实施例1同样地评价溶解性、涂布性及膜的力学特性。另外,与实施例12同样地制造光垂直型液晶单元,并与实施例1同样地进行残像特性评价。将其结果示于表3中。
[表3]
如表3所示,在使用包含聚合物(P)的液晶取向剂的实施例12、实施例13中,聚合物的溶解性、残像特性评价、涂布性及力学特性均为“特别良好”或“良好”的评价,各种特性得到均衡地改善。
相对于此,在使用代替部分结构I而具有羧基直接键结于苯环的结构的聚合物的比较例7中,聚合物的溶解性及涂布性的评价为“不良”。另外,在使用代替部分结构II而具有三嗪结构的聚合物的比较例8中,涂布性良好,但是容易产生长期残像及短期残像,残像特性评价为“不良”。
[实施例14:使用光取向法的FFS型液晶显示元件]
(1)液晶取向剂的制备、以及溶解性、涂布性及膜的力学特性的评价
将液晶取向剂的组成如表4所示那样进行变更,除此以外,以与实施例1相同的溶剂组成及固体成分浓度制备液晶取向剂(AL-22)。另外,使用液晶取向剂(AL-22),与实施例1同样地进行溶解性、涂布性及膜的力学特性的评价。将其结果示于表4中。
(2)使用光取向法的FFS型液晶单元的制造
准备在单面依次层叠有平板电极、绝缘层及梳齿状电极的玻璃基板(第一基板)、以及未设置电极的相向玻璃基板(第二基板)。继而,使用旋转器将液晶取向剂(AL-22)分别涂布于第一基板的电极形成面及第二基板的其中一基板面上,利用80℃的热板加热(预烘烤)1分钟。之后,在对库内进行了氮气置换的230℃的烘箱中,进行30分钟干燥(后烘烤),形成平均膜厚为0.1μm的涂膜。对于所获得的涂膜,使用Hg-Xe灯从基板法线方向照射包含经直线偏光的254nm的亮线的紫外线1,000J/m2而实施光取向处理。此外,所述照射量是使用以波长254nm为基准进行测量的光量计测量而得的值。继而,将实施了光取向处理的涂膜在230℃的洁净烘箱中加热30分钟而进行热处理,形成液晶取向膜。
其次,对于形成有液晶取向膜的一对基板中的其中一基板,通过丝网印刷而将放入有直径为3.5μm的氧化铝球的环氧树脂接着剂涂布于具有液晶取向膜的面的外缘。之后,以光照射时的偏光轴在基板面上的投影方向成为反平行的方式将基板重叠压接,在150℃下历时1小时使接着剂热硬化。继而,从液晶注入口将负型液晶(默克(Merck)公司制造,MLC-6608)填充到一对基板间后,利用环氧系接着剂将液晶注入口密封,获得液晶单元。进而,为了将液晶注入时的流动取向去除,将其在120℃下加热后缓缓冷却到室温。
分别将后烘烤后的紫外线照射量在100J/m2~10,000J/m2的范围内进行变更而实施所述一系列的操作,由此制造紫外线照射量不同的三个以上的液晶单元,将显示出最良好的取向特性的曝光量(最佳曝光量)的液晶单元用于评价。
(3)残像特性评价
针对所述(2)中制造的FFS型液晶单元,与所述实施例1同样地进行残像特性评价。将其结果示于表4中。
[实施例15~实施例17及比较例9、比较例10]
将液晶取向剂的组成如表4所示那样进行变更,除此以外,以与实施例1相同的溶剂组成及固体成分浓度分别制备液晶取向剂(AL-23)~液晶取向剂(AL-25)、液晶取向剂(AL-27)、液晶取向剂(AL-28),与实施例1同样地评价溶解性、涂布性及膜的力学特性。另外,使用所获得的液晶取向剂,与实施例14同样地制造FFS型液晶单元,并与实施例1同样地进行残像特性评价。将其结果示于表4中。此外,液晶取向剂(AL-22)~液晶取向剂(AL-25)作为用于通过摩擦法来形成液晶取向膜的液晶取向剂也有用。
[实施例18:使用摩擦法的FFS型液晶显示元件]
(1)液晶取向剂的制备、以及溶解性、涂布性及膜的力学特性的评价
将液晶取向剂的组成如表4所示那样进行变更,除此以外,以与实施例1相同的溶剂组成及固体成分浓度制备液晶取向剂(AL-26)。另外,使用液晶取向剂(AL-26),与实施例1同样地进行溶解性、涂布性及膜的力学特性的评价。将其结果示于表4中。
(2)使用摩擦法的FFS型液晶单元的制造
准备在单面依次层叠有平板电极、绝缘层及梳齿状电极的玻璃基板(第一基板)、以及未设置电极的相向玻璃基板(第二基板)。继而,使用旋转器将所述制备的液晶取向剂(AL-26)分别涂布于第一基板的电极形成面及第二基板的其中一基板面上,利用80℃的热板进行1分钟预烘烤。之后,在对库内进行了氮气置换的烘箱中,以230℃加热1小时而形成膜厚为0.1μm的涂膜。对于所述涂膜,利用具有卷绕有尼龙布的辊的摩擦机器,以辊转速1000rpm、平台移动速度2.5cm/秒、毛压入长度0.4mm进行摩擦处理。之后,在超纯水中进行1分钟超声波清洗,继而,在100℃洁净烘箱中干燥10分钟,由此获得具有液晶取向膜的一对基板。
通过网版印刷而将放入有直径为3.5μm的氧化铝球的环氧树脂接着剂涂布于所述一对基板中的一枚基板的具有液晶取向膜的面的外周后,以各自的液晶取向膜面相向的方式进行重叠、压接,并使接着剂硬化。继而,从液晶注入口将向列液晶(默克(Merck)公司制造,MLC-6608)填充到一对基板间后,利用丙烯酸系光硬化接着剂将液晶注入口密封。
(3)残像特性评价
针对所述(2)中制造的FFS型液晶单元,与所述实施例1同样地进行残像特性评价。将其结果示于表4中。
[表4]
如表4所示,在使用包含聚合物(P)的液晶取向剂的实施例14~实施例18中,聚合物的溶解性、残像特性评价、涂布性及力学特性均为“特别良好”或“良好”的评价,各种特性得到均衡地改善。
相对于此,在使用代替部分结构I而具有羧基直接键结于苯环的结构的聚合物的比较例9中,在低温保管后恢复到室温时,聚合物容易析出,聚合物的溶解性及涂布性的评价为“不良”。另外,在代替聚合物(P)而使用不含具有羧基的结构单元的聚合物的比较例10中,可抑制聚合物的析出,聚合物的溶解性及液晶取向剂的涂布性良好,但是容易产生长期残像及短期残像,残像特性评价为“不良”。
根据以上内容而明确,通过使用包含聚合物(P)的液晶取向剂,可兼顾液晶取向剂的涂布性与液晶元件中的残像减低。
Claims (12)
1.一种液晶取向剂,含有聚合物(P),所述聚合物(P)包含源自在同一分子内或不同的分子内具有下述部分结构I及部分结构II的二胺的结构单元;
部分结构I:“*1-COOH”所表示的结构,且*1表示与脂肪族烃基中的碳原子的键结键
部分结构II:选自由吡啶结构、咪唑结构、苯并咪唑结构及从下述式(1)的结构式中去除n个氢原子而成的含氮结构所组成的群组中的至少一种结构,且n为1以上的整数
式(1)中,A1为氢原子、一价烃基或热脱离性基;A2及A3是A2为一价烃基或热脱离性基且A3为一价烃基、或者表示A2与A3相互结合并和A2及A3所键结的氮原子一起构成的脂肪族杂环结构;其中,A1、A2及A3中的两个以上不会同时通过芳香环而与式(1)中的氮原子键结。
2.根据权利要求1所述的液晶取向剂,其中,所述聚合物(P)包含源自具有所述部分结构I的二胺的结构单元(A)及源自具有所述部分结构II的二胺的结构单元(B),且所述结构单元(B)与所述结构单元(A)不同。
3.根据权利要求1所述的液晶取向剂,其中,所述聚合物(P)在侧链具有所述部分结构II。
4.根据权利要求1所述的液晶取向剂,其中,所述聚合物(P)在主链中具有所述部分结构II。
5.根据权利要求1所述的液晶取向剂,其中,所述聚合物(P)为选自由聚酰胺酸、聚酰胺酸酯及聚酰亚胺所组成的群组中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的液晶取向剂,其中,所述聚合物(P)包含源自芳香族四羧酸衍生物的结构单元。
7.根据权利要求1所述的液晶取向剂,其中,所述聚合物(P)还包含源自如下二胺,即具有选自由碳数4~30的烷基、碳数4~30的卤化烷基、碳数4~30的烷氧基、碳数4~30的卤化烷氧基、具有两个以上的环直接或通过二价连结基键结而成的多环结构的基及具有类固醇骨架的基所组成的群组中的至少一种的二胺的结构单元。
8.根据权利要求1所述的液晶取向剂,还含有如下化合物,即具有合计两个以上的选自由环状醚基、环状硫醚基、异氰酸酯基、经保护的异氰酸酯基、羟甲基、经保护的羟甲基、环状碳酸酯基、具有聚合性碳-碳键的基、基“-CR10=CR11-R12-”、硅醇基、烷氧基硅烷基、羟基烷基酰胺基及经保护的羟基烷基酰胺基所组成的群组中的至少一种基的化合物,
R10为通过与氨基的反应而脱离的一价有机基;R11为氢原子或烷基;R12为吸电子性基。
9.根据权利要求1所述的液晶取向剂,还含有与所述聚合物(P)不同的聚合物(Q)。
10.根据权利要求9所述的液晶取向剂,其中,所述聚合物(Q)为选自由聚酰胺酸、聚酰胺酸酯、聚酰亚胺、聚有机硅氧烷及加成聚合物所组成的群组中的至少一种。
11.一种液晶取向膜,使用如权利要求1至10中任一项所述的液晶取向剂而形成。
12.一种液晶元件,包括如权利要求11所述的液晶取向膜。
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