TWI692029B - 電漿處理方法 - Google Patents

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朴玩哉
木原嘉英
本田昌伸
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    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10796912B2 (en) 2017-05-16 2020-10-06 Lam Research Corporation Eliminating yield impact of stochastics in lithography
WO2019125952A1 (en) * 2017-12-18 2019-06-27 Tokyo Electron Limited Plasma treatment method to enhance surface adhesion for lithography
JP2019179889A (ja) * 2018-03-30 2019-10-17 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びプラズマ処理装置
WO2020102085A1 (en) 2018-11-14 2020-05-22 Lam Research Corporation Methods for making hard masks useful in next-generation lithography
JP7229750B2 (ja) * 2018-12-14 2023-02-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
CN113227909B (zh) 2018-12-20 2025-07-04 朗姆研究公司 抗蚀剂的干式显影
TWI849083B (zh) 2019-03-18 2024-07-21 美商蘭姆研究公司 基板處理方法與設備
JP2020177958A (ja) * 2019-04-15 2020-10-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
WO2020223011A1 (en) 2019-04-30 2020-11-05 Lam Research Corporation Atomic layer etch and selective deposition process for extreme ultraviolet lithography resist improvement
CN112103166A (zh) * 2019-06-18 2020-12-18 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
TWI869221B (zh) 2019-06-26 2025-01-01 美商蘭姆研究公司 利用鹵化物化學品的光阻顯影
KR102824282B1 (ko) 2020-01-09 2025-06-24 삼성전자주식회사 미세 패턴의 절단 방법, 이를 이용한 액티브 패턴들의 형성 방법, 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
JP7189375B2 (ja) 2020-01-15 2022-12-13 ラム リサーチ コーポレーション フォトレジスト接着および線量低減のための下層
JP7702419B2 (ja) 2020-02-28 2025-07-03 ラム リサーチ コーポレーション Ｅｕｖパターニングにおける欠陥低減のための多層ハードマスク
WO2021262371A1 (en) * 2020-06-22 2021-12-30 Lam Research Corporation Surface modification for metal-containing photoresist deposition
CN116626993A (zh) 2020-07-07 2023-08-22 朗姆研究公司 用于图案化辐射光致抗蚀剂图案化的集成干燥工艺
US20230107357A1 (en) 2020-11-13 2023-04-06 Lam Research Corporation Process tool for dry removal of photoresist
JP7773277B2 (ja) * 2021-04-14 2025-11-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
JP7721455B2 (ja) * 2022-01-31 2025-08-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理システム
CN118159914A (zh) 2022-07-01 2024-06-07 朗姆研究公司 用于阻止蚀刻停止的金属氧化物基光致抗蚀剂的循环显影
WO2024196643A1 (en) 2023-03-17 2024-09-26 Lam Research Corporation Integration of dry development and etch processes for euv patterning in a single process chamber

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080220616A1 (en) * 2007-03-07 2008-09-11 Elpida Memory, Inc. Process for manufacturing a semiconductor device
US20100224587A1 (en) * 2009-03-04 2010-09-09 Tokyo Electron Limited Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer-readable storage medium
US20150228497A1 (en) * 2014-02-07 2015-08-13 Katholieke Universiteit Leuven, KU LEUVEN R&D Plasma Method for Reducing Post-Lithography Line Width Roughness

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06168918A (ja) * 1992-11-30 1994-06-14 Sony Corp ドライエッチング方法及びドライエッチング装置
JP2000221698A (ja) * 1999-01-29 2000-08-11 Sony Corp 電子装置の製造方法
JP4260764B2 (ja) * 1999-03-09 2009-04-30 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
JP4538209B2 (ja) * 2003-08-28 2010-09-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体装置の製造方法
JP2005243681A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 Tokyo Electron Ltd 膜改質方法、膜改質装置及びスリミング量の制御方法
JP4194521B2 (ja) * 2004-04-07 2008-12-10 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
WO2008096752A1 (ja) * 2007-02-09 2008-08-14 Tokyo Electron Limited エッチング方法および記憶媒体
JP4919871B2 (ja) * 2007-02-09 2012-04-18 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、半導体装置の製造方法および記憶媒体
JP5578782B2 (ja) 2008-03-31 2014-08-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP5606060B2 (ja) * 2009-12-24 2014-10-15 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びエッチング処理装置
JP2011138871A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
EP2608247A1 (en) * 2011-12-21 2013-06-26 Imec EUV photoresist encapsulation
JP5894106B2 (ja) * 2012-06-18 2016-03-23 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成用化合物、これを用いたレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法
JP6226668B2 (ja) * 2012-09-25 2017-11-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
JP6185305B2 (ja) * 2013-06-28 2017-08-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置
US9793127B2 (en) * 2013-11-13 2017-10-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Plasma generation and pulsed plasma etching
JP2015138914A (ja) * 2014-01-23 2015-07-30 マイクロン テクノロジー， インク． 半導体装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080220616A1 (en) * 2007-03-07 2008-09-11 Elpida Memory, Inc. Process for manufacturing a semiconductor device
US20100224587A1 (en) * 2009-03-04 2010-09-09 Tokyo Electron Limited Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer-readable storage medium
US20150228497A1 (en) * 2014-02-07 2015-08-13 Katholieke Universiteit Leuven, KU LEUVEN R&D Plasma Method for Reducing Post-Lithography Line Width Roughness

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