TWI686844B - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

提供一種可正確地檢測基板從載置台的剝離 之基板處理方法。

基板處理裝置(11)，係具備有：腔室 (20)，收容基板(G)，藉由電漿對該基板(G)施予電漿蝕刻；載置台(21)，設置於該腔室(20)的內部，載置基板(G)；靜電吸附電極(27)，內建於該載置台(21)，使基板(G)靜電吸附於載置台(21)；直流電源(28)，將直流電壓施加至該靜電吸附電極(27)；電漿生成用高頻電源(41)，供給用以生成電漿的高頻電力；及直流電壓監視器(46)，監視被施加至靜電吸附電極(27)的直流電壓，在藉由直流電壓監視器(46)所監視到的直流電壓超過預定閾值後時，電漿生成用高頻電源(41)，係停止高頻電力的供給。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明，係有關對平板顯示器(FPD)用基板等的大型基板施予電漿處理的基板處理方法及基板處理裝置。
在FPD用的面板製造中，係在由玻璃等之絕緣體所構成的基板上，形成有畫素的元件抑或電極或配線等。像這樣之面板製造的各種工程中，蝕刻、CVD、灰化(ashing)、濺鍍等微細加工工程，係通常藉由使用電漿的基板處理裝置來進行。基板處理裝置，係例如在可減壓之處理室的內部中，將基板載置於具有作為下部電極之基座的載置台之上，對基座供給高頻電力，藉此，在基板上從處理氣體生成電漿，並使用該電漿來對基板施予例如蝕刻。
一般，由於使用電漿的蝕刻(以下，稱為「電漿蝕刻」。)，係進展速度因基板的溫度而產生變化，因此，蝕刻中，係必需控制基板的溫度。對應於此，對載置台內之冷媒流路循環供給已調溫的冷媒，並且將 He氣體等之傳熱性良好的氣體(以下，稱為「傳熱氣體」。)從開口於載置台的基板載置面的氣體孔供給至基板的背面，並藉由傳熱氣體的傳熱，由載置台間接地冷卻基板。此時，為了防止基板因傳熱氣體的壓力從載置台上浮，基板，係藉由靜電吸附力等被吸附保持於載置台。
然而，電漿蝕刻中，當基板從載置台剝離時，則有載置台的基板載置面露出，而在耐壓低之氣體孔的緣部與電漿之間產生異常放電之虞。由於異常放電，係常常會破壞其產生部位及其附近，且伴隨著該破壞不僅產生微粒，另會造成基板上之元件等的損傷，因此，必須檢測基板從載置台的剝離，當檢測剝離時，則立即停止高頻電力的供給而消滅電漿。
作為檢測基板從載置台的剝離之方法，係已知如下述之方法：當基板從載置台剝離時，由於傳熱氣體的流量紊亂，因此，監視傳熱氣體的流量，在傳熱氣體的流量紊亂而超過複數次閾值後時，判定為基板已從載置台剝離(例如，參閱專利文獻1。)。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2012-99634號公報
然而，近年來，伴隨著FPD用之面板的大型 化，由於基板處理裝置亦大型化，傳熱氣體的供給路徑變長，因此，該供給路徑的傳導度會下降。因此，存在有如下述之情形：即便基板從載置台剝離，傳熱氣體的流量並不會立即變化，在傳熱氣體的流量超過閾值後時，基板從載置台剝離後已歷時數秒。
又，在電漿蝕刻中，係當電漿生成時，由於靜電吸附力會增加，因此，為了提升基板的冷卻能力，而有時在途中增加傳熱氣體的流量或壓力，亦即在用以進行蝕刻的程式即配方中，刻意地增加傳熱氣體的流量。此時亦由於傳熱氣體的流量，係起因於供給路徑之傳導度的下降而隨時間變化，因此，有時起因於配方而導致傳熱氣體之流量的變化與起因於基板從載置台的剝離而導致傳熱氣體之流量的變化會重疊。因此，即便檢測到傳熱氣體之流量的變化，亦不清楚該變化的主要原因是起因於配方或起因於基板從載置台的剝離。
藉由以上，即便監視傳熱氣體的流量，亦難以正確地檢測基板從載置台的剝離。
本發明的目的，係提供一種可正確地檢測基板從載置台的剝離之基板處理方法及基板處理裝置。
為了達成上述目的，而本發明的基板處理方法，係一種具備有處理室、載置台、靜電吸附電極、直流電源及高頻電源之基板處理裝置中的基板處理方法，該處 理室，係收容基板，藉由電漿對該基板施予處理，該載置台，係設置於該處理室的內部，載置前述基板，該靜電吸附電極，係內建於該載置台，使前述基板靜電吸附於前述載置台，該直流電源，係將直流電壓施加至該靜電吸附電極，該高頻電源，係供給用以生成前述電漿的高頻電力，該基板處理方法，其特徵係，前述基板處理裝置，係更具備有：電壓監視裝置，監視被施加至前述靜電吸附電極的直流電壓；控制裝置，控制前述基板處理裝置的動作；及信號線，不經由該控制裝置而連接前述電壓監視裝置及前述高頻電源，在前述監視到的直流電壓超過預定閾值後時，前述電壓監視裝置，係經由前述信號線，發送用以停止對前述高頻電源供給前述高頻電力的停止信號，接收了前述停止信號之前述高頻電源，係停止前述高頻電力的供給。
為了達成上述目的，而本發明的基板處理裝置，係一種具備有處理室、載置台、靜電吸附電極、直流電源及高頻電源的基板處理裝置，該處理室，係收容基板，藉由電漿對該基板施予處理，該載置台，係設置於該處理室的內部，載置前述基板，該靜電吸附電極，係內建於該載置台，使前述基板靜電吸附於前述載置台，該直流電源，係將直流電壓施加至該靜電吸附電極，該高頻電源，係供給用以生成前述電漿的高頻電力，該基板處理裝置，其特徵係，更具備有：電壓監視裝置，監視被施加至前述靜電吸附電極的直流電壓；控制裝置，控制前述基板處理裝置的動作；及信號線，不經由該控制裝置而連接前述電壓監視裝置及前述高頻電源，在藉由電壓監視裝置所監視到的直流電壓超過預定閾值後時，前述電壓監視裝 置，係經由前述信號線，發送用以停止對前述高頻電源供給前述高頻電力的停止信號，接收了前述停止信號之前述高頻電源，係停止前述高頻電力的供給。
根據本發明，予以監視被施加至靜電吸附於載置台之靜電吸附電極的直流電壓，在該監視到的直流電壓超過預定閾值後時，高頻電源，係停止高頻電力的供給。載置於載置台的基板與靜電吸附電極，雖係形成電容器，但當基板從載置台剝離時，由於該電容器的靜電容量會產生變化，因此，基板及靜電吸附電極的電位差會產生變化，而施加至靜電吸附電極的直流電壓會變動。因此，可藉由監視被施加至靜電吸附電極之直流電壓的方式，檢測基板從載置台的剝離。又，形成有基板與靜電吸附電極之電容器的電荷量為固定，當基板從載置台剝離而電容器的靜電容量產生變化時，則由於基板及靜電吸附電極的電位差亦立即產生變化，因此，可藉由監視被施加至靜電吸附電極之直流電壓的方式，迅速地檢測基板從載置台的剝離。而且，一般，在根據配方使被施加至靜電吸附電極的直流電壓產生變化時，該直流電壓，係在短時間產生變化，另一方面，在基板從載置台剝離後時，被施加至靜電吸附電極的直流電壓亦在短時間內產生變化。因此，起因於配方而導致被施加至靜電吸附電極之直流電壓的變化與起因於基板從載置台的剝離而導致被施加至靜電吸附電極之直流電壓的變化不會重疊，在檢測到被施加靜電吸附電極之直流電壓的變化時，不會不清楚該變化的主要原因是起因於配方或起因於基板從載置台的剝離。藉由以上，可正確地檢測基板從載置台的剝離。
G‧‧‧基板
11‧‧‧基板處理裝置
20‧‧‧腔室
22‧‧‧氣體供給部
23‧‧‧基座
24‧‧‧偏壓用高頻電源
26‧‧‧靜電吸附部
27‧‧‧靜電吸附電極
28‧‧‧直流電源
41‧‧‧電漿生成用高頻電源
44‧‧‧裝置控制器
45‧‧‧電容
〔圖1〕概略地表示具備有複數個本發明之實施形態之基板處理裝置之基板處理系統之構成的立體圖。
〔圖2〕概略地表示圖1中之基板處理裝置之構成的剖面圖。
〔圖3〕表示電漿蝕刻中未發生異常放電時之DC、源及偏壓之記錄的圖表。
〔圖4〕表示電漿蝕刻中發生異常放電後時之DC、源及偏壓之記錄的圖表。
〔圖5〕用以說明靜電吸附電極中之電位之變化的圖；圖5(A)，係表示基板未從載置台剝離的情形；圖5(B)，係表示基板從載置台剝離後的情形。
〔圖6〕以往之基板處理裝置之基板剝離判定系統的方塊圖。
〔圖7〕本實施形態之基板處理裝置之基板剝離判定系統的方塊圖。
〔圖8〕表示作為本實施形態之基板處理方法之電漿蝕刻停止處理的流程圖。
以下，參照圖面說明本發明的實施形態。
圖1，係概略地表示具備有複數個本實施形態之基板處理裝置之基板處理系統之構成的立體圖。
在圖1中，基板處理系統10，係具備有對玻璃基板等的FPD用之基板G施予電漿處理例如電漿蝕刻的3個基板處理裝置11。
各基板處理裝置11，係分別經由閘閥13，連結於水平剖面為多角形狀(例如，水平剖面為矩形狀)之搬送室12的側面。在搬送室12中，係進一步經由閘閥15，連結有裝載鎖定室14。在裝載鎖定室14中，係經由閘閥17，鄰接設置有基板搬入搬出機構16。在基板搬入搬出機構16中，係鄰接設置有2個分度器18。在分度器18中，係載置有收納基板G的匣盒19。匣盒19，係收納複數片(例如25片)的基板G。
在基板處理系統10中，對基板G施予電漿蝕刻之際，首先，藉由基板搬入搬出機構16，將收納於匣盒19的基板G搬入至裝載鎖定室14的內部。此時，只要在裝載鎖定室14的內部存在有已電漿蝕刻的基板G，則從裝載鎖定室14內搬出該已電漿蝕刻的基板G，置換為未蝕刻的基板G。當基板G被搬入至裝載鎖定室14的內部時，則關閉閘閥17。
其次，在將裝載鎖定室14之內部減壓至預定的真空度後，開啟搬送室12與裝載鎖定室14之間的閘閥15，並藉由搬送室12之內部的搬送機構(未圖示)，將裝載鎖定室14之內部的基板G搬入至搬送室12的內部，其後，關閉閘閥15。
其次，開啟搬送室12與基板處理裝置11之間的閘閥13，並藉由上述搬送機構，將未蝕刻的基板G搬入至基板處理裝置11的內部。此時，只要在基板處理裝置11的內部存在有已電漿蝕刻的基板G，則搬出該已 電漿蝕刻的基板G，置換為未蝕刻的基板G。其後，基板處理裝置11，係對所搬入的基板G施予電漿蝕刻。
圖2，係概略地表示圖1中之基板處理裝置之構成的剖面圖。
在圖2中，基板處理裝置11，係具備有：大致為矩形狀的腔室20(處理室)，由感應耦合型的電漿處理裝置所構成；梯形形狀的載置台21，配置於該腔室20內的下方，將基板G載置於頂部；電感耦合天線50，由螺旋狀的導體所構成，以與載置台21對向的方式，經由由介電質或金屬所構成之窗構件(未圖示)而配置於腔室20內的上方；及氣體供給部22，在窗構件的下方，對腔室20內供給處理氣體，在載置台21及氣體供給部22之間，係形成有處理空間S。
載置台21，係內建有由導體所構成的基座23，在該基座23，係經由匹配器25，連接有偏壓用高頻電源24(其他高頻電源)。又，在載置台21的上部，係配置有由層狀之介電質所形成的靜電吸附部(ESC)26，該靜電吸附部26，係以藉由上層的介電質層與下層的介電質層來夾住的方式，內建有靜電吸附電極27。在靜電吸附電極27，係連接有直流電源28，當直流電源28將直流電壓施加至靜電吸附電極27時，靜電吸附部26，係藉由靜電力，靜電吸附被載置於載置台21的基板G。在載置台21中，偏壓用高頻電源24，係將比較低之頻率的高頻電力供給至基座23，在被靜電吸附於靜電吸附部26的 基板G產生直流偏壓電位。另外，靜電吸附部26，係亦可形成為板構件，又亦可在載置台21上形成為熔射膜。
而且，載置台21，係內建有將所載置之基板G冷卻的冷媒流路29，並連接於供給傳熱氣體例如氦氣的傳熱氣體供給機構30。傳熱氣體供給機構30，係具有傳熱氣體供給源31與氣體流量控制器32，以將傳熱氣體供給至載置台21。載置台21，係具有：複數個傳熱氣體孔33，在上部呈開口；及傳熱氣體供給路徑34，使各傳熱氣體孔33及傳熱氣體供給機構30連通。在載置台21中，雖係在被靜電吸附於靜電吸附部26之基板G的背面與載置台21的上部之間產生有微小間隙，但從各傳熱氣體孔33所供給的傳熱氣體，係填充該間隙，使基板G與載置台21的熱傳導效率提升。藉此，可提升載置台21所致之基板G的冷卻效率。
氣體供給部22，係連接於處理氣體供給機構35。處理氣體供給機構35，係具有處理氣體供給源36、氣體流量控制器37及壓力控制閥38。氣體供給部22，係內建有與處理氣體供給機構35連通的緩衝部39，並配置為遍及被載置於載置台21的基板G整面。緩衝部39，係與處理氣體供給機構35連通，從處理氣體供給機構35對緩衝部39供給處理氣體。又，氣體供給部22，係具有使緩衝部39及處理空間S連通的多數個氣體供給孔40，將供給至緩衝部39的處理氣體導入至處理空間S。在氣體供給部22中，由於多數個氣體供給孔40，係分散地配置 為遍及被載置於載置台21的基板G整面，因此，處理氣體，係在處理空間S中，遍布基板G整面。
在電感耦合天線50，係經由匹配器42，連接有電漿生成用高頻電源41，電漿生成用高頻電源41，係將比較高頻率之頻率的電漿生成用之高頻電力供給至電感耦合天線50。供給電漿生成用之高頻電力的電感耦合天線50，係在處理空間S產生電場。
又，基板處理裝置11，係具備有：排氣管43，與腔室20的內部連通，該排氣管43，係對腔室20的內部進行減壓，或對殘留於腔室20之內部的氣體進行排氣。
在該基板處理裝置11中，係在對基板G施予電漿蝕刻之際，對處理空間S進行減壓，將處理氣體導入至處理空間S，並且對電感耦合天線50施加電漿生成用之高頻電力，從而在處理空間S產生電場。被導入至處理空間S的處理氣體，雖係藉由電場來激發而生成電漿，但該電漿中的陽離子，係經由載置台21，藉由於基板G所產生的直流偏壓電位，被引入至基板G而對基板G施予電漿蝕刻。又，電漿中的自由基，係到達基板G而對基板G施予電漿蝕刻。
在基板處理裝置11中，由於電感耦合天線50，係配置為覆蓋基板G整面，因此，以覆蓋基板G整面的方式生成電漿，藉由該電漿，對基板G整面均勻地施予電漿蝕刻。
在基板處理裝置11對基板G施予電漿蝕刻之際，基板處理裝置11之各構成要素的動作，係藉由裝置控制器44(控制裝置)，根據預定程式來予以控制。
然而，本發明者，係在本發明之前，在基板處理裝置11中，分別針對基板G未從載置台21剝離而未產生異常放電的情形及基板G從載置台21剝離而產生異常放電的情形，確認到對基板G施予電漿蝕刻之際之施加至靜電吸附電極27的直流電壓、偏壓用高頻電源24所供給的高頻電力及電漿生成用高頻電源41所供給之高頻電力的變遷記錄(以下，稱為「記錄」)。另外，施加至靜電吸附電極27的直流電壓，係表示為「DC」，偏壓用高頻電源24所供給的高頻電力，係表示為「偏壓」，電漿生成用高頻電源41所供給的高頻電力，係表示為「源」。
圖3，係表示電漿蝕刻中未發生異常放電時之IDC、源及偏壓之記錄的圖表。
在圖3中，首先，源先上升，在源穩定在固定值後，偏壓上升，其後，偏壓雖亦穩定在固定值，但電漿蝕刻中，DC，係維持穩定在固定值。亦即確認到，在沒有發生異常放電時，DC，係穩定在固定值，在源及偏壓亦達到固定值後呈穩定。
圖4，係表示電漿蝕刻中發生異常放電後時之DC、源及偏壓之記錄的圖表。
在圖4中，首先，源先上升，在源穩定在固 定值後，偏壓上升，其後，偏壓雖亦穩定在固定值，但在時間t2中發生異常放電時，源及偏壓之任一亦產生變動，源稍微上升，偏壓急遽下降。又，在固定值趨於穩定的DC亦急遽下降。
在此，雖確認到異常放電之前，在時間t1中，基板G已從載置台21剝離，但本發明者，係著眼於在時間t1中，DC會一度上升的情形，推測當基板G從載置台21剝離時DC上升的原因如下述。
在基板處理裝置11中，由於基板G及靜電吸附電極27，係藉由經由靜電吸附部26之上層之介電質層的方式，相互分離，因此，構成電容器45(圖5(A))。此時，基板G，係經由電漿而接地，由於是從直流電源28對靜電吸附電極27施加直流電壓，因此，在基板G中，係帶有負電荷，在靜電吸附電極27中，係帶有正電荷。另外，該情況中之基板G及靜電吸附電極27的間隔(間隙)g1，係與存在於靜電吸附電極27的上方之靜電吸附部26之上層之介電質層的厚度相同。
當基板G從載置台21剝離時，基板G及靜電吸附電極27的間隔會從g1擴大為g2(圖5(B))。此時，根據基板G及靜電吸附電極27之間隔的擴大，電容器45的靜電容量C雖會減少，但由於電容器45的電荷量Q，係在基板G從載置台21剝離的前後不會改變，因此，基板G及靜電吸附電極27的電位差會擴大。而且，由於基板G，係經由電漿而維持接地，因此，僅靜電吸附 電極27的電位產生變化。亦即，靜電吸附電極27的電位(DC)會上升。
本發明，係基於上述的見解而完成者，在本實施形態中，係當靜電吸附電極27的電位上升時，判定為基板G已從載置台21剝離，從而預想異常放電的發生。
圖6，係以往之基板處理裝置之基板剝離判定系統的方塊圖。
如圖6所示，在以往的基板處理裝置中，係藉由設置於傳熱氣體之供給路徑的壓力控制閥(PCV)、裝置控制器、電漿生成用高頻電源予以構成基板剝離判定系統，由於在該基板剝離判定系統中，係連接有壓力控制閥與裝置控制器，並且連接有裝置控制器與電漿生成用高頻電源，因此，壓力控制閥與電漿生成用高頻電源，係經由裝置控制器而連接。亦即，壓力控制閥與電漿生成用高頻電源，係間接連接。
在該基板剝離判定系統中，係裝置控制器從壓力控制閥之傳熱氣體的流量監視器接收流量檢測結果的信號，且裝置控制器根據流量檢測結果的信號，在判定為基板從載置台剝離而傳熱氣體流量紊亂後時，裝置控制器，係發送用以停止對電漿生成用高頻電源供給高頻電力的停止信號。接收停止信號後的電漿生成用高頻電源，係其後，停止高頻電力的供給。
在此，由於裝置控制器，係於預定間隔例如 每100msec，從流量監視器接收流量檢測結果的信號，因此，最差會有如下述之情形：在基板從載置台剝離而經過100msec後，判定為傳熱氣體流量為紊亂。另一方面，有時異常放電，係在基板從載置台剝離經過數10msec後發生。因此，在基板從載置台剝離而判定為傳熱氣體流量為紊亂時，係有裝置控制器已發生異常放電之虞。特別是，為了避免流量檢測結果的信號中之雜訊的影響，在傳熱氣體流量複數次紊亂後，基板剝離判定系統開始判定為基板已從載置台剝離時，由於基板實際從載置台剝離而經過約1sec後，判定為傳熱氣體流量為紊亂，因此，無法防止異常放電的發生。
對應於此，在本實施形態中，係設置有監視靜電吸附電極27之電位的直流電壓監視器46，該直流電壓監視器46，係不經由裝置控制器44而連接於電漿生成用高頻電源41。直流電壓監視器46，係亦可監視從直流電源28對靜電吸附電極27供給直流電壓的供給線51上之特定部位與接地電位的電位差，又，亦可監視供給線51上之特定的電阻元件例如電阻52的電壓下降，另外，在直流電壓監視器46中，可使用能夠直接或間接地監視靜電吸附電極27的電位之變化的手法。在圖2中，為了方便起見，雖以一條配線予以連接供給線51與直流電壓監視器46，但供給線51與直流電壓監視器46的連接方法，係不限定於此者，可因應於監視手法來選擇適當的連接方法。
圖7，係本實施形態之基板處理裝置之基板剝離判定系統的方塊圖。
如圖7所示，在基板處理裝置11中，係設置有監視直流電源28被施加至靜電吸附電極27之直流電壓(以下，稱為「靜電吸附用直流電壓」。)的直流電壓監視器46(電壓監視裝置)，並藉由直流電壓監視器46、裝置控制器44、電漿生成用高頻電源41予以構成基板剝離判定系統47。在該基板剝離判定系統47中，直流電壓監視器46與電漿生成用高頻電源41，係不經由裝置控制器44而是藉由信號線48直接連接，並且連接有電漿生成用高頻電源41與裝置控制器44。又，直流電壓監視器46與裝置控制器44，亦藉由信號線49直接連接。直流電壓監視器46，係在靜電吸附用直流電壓增加而超過預定閾值後時，判定為基板G已從載置台21剝離，從而發送用以停止高頻電力供給至電漿生成用高頻電源41的停止信號(以下，僅稱為「停止信號」)。接收停止信號後的電漿生成用高頻電源41，係立即停止高頻電力的供給。
圖8，係表示作為本實施形態之基板處理方法之電漿蝕刻停止處理的流程圖。。
首先，在基板處理裝置11中，為了對基板G施予電漿蝕刻，而從直流電源28對靜電吸附電極27施加靜電吸附用直流電壓(步驟S81)，使基板G被靜電吸附於靜電吸附部26。
其次，電漿生成用高頻電源41開始對電感耦 合天線50供給電漿生成用之高頻電力(步驟S82)，偏壓用高頻電源24開始對基座23供給直流偏壓電位生成用之高頻電力(步驟S83)。此時，在處理空間S中，從處理氣體產生電漿，電漿中的陽離子會被引入至基板G，而對基板G施予電漿蝕刻。
其次，在步驟S84中，直流電壓監視器46，係判定靜電吸附用直流電壓是否超過預定閾值，例如電漿蝕刻中要被維持之固定值加2%~5%的值中，因應於直流電壓監視器46之檢測精度而設定的閾值，在靜電吸附用直流電壓判定為預定閾值以下時，返回至步驟S84，在靜電吸附用直流電壓判定為超過預定閾值後時，經由信號線48，立即對電漿生成用高頻電源41發送停止信號(步驟S85)。直流電壓監視器46的檢測精度，係受到雜訊左右，在無法徹底去除的雜訊為較大時，雖係不得不使閾值變大，但即便在該情形下，閾值，係亦將上限設成為固定值加5%的值。由於直流電壓監視器46，係以數10μsec間隔例如80μsec間隔，加以監視靜電吸附用直流電壓，因此，即便基板G已從載置台21剝離，亦可在數10μsec後，檢測其旨意，並可在基板G發生剝離後，於短時間內發送停止信號。另外，直流電壓監視器46，係在將停止信號發送至電漿生成用高頻電源41時，經由信號線49，對裝置控制器44發送靜電吸附用直流電壓超過預定閾值之旨意的信號。
其次，接收停止信號後的電漿生成用高頻電 源41，係立即停止電漿生成用之高頻電力的供給(步驟S86)，從處理空間S消滅電漿。其後，結束本處理。另外，電漿從處理空間S消滅後，對基板G施予除電處理為較佳。
根據圖8的處理，藉由直流電壓監視器46予以監視靜電吸附用直流電壓，在該靜電吸附用直流電壓超過預定閾值後時，電漿生成用高頻電源41，係停止電漿生成用之高頻電力的供給。載置於載置台21的基板G與靜電吸附部26的靜電吸附電極27，雖係形成電容器45，但當基板G從載置台21剝離時，由於該電容器45的靜電容量C會產生變化，因此，基板G及靜電吸附電極27的電位差會擴大，靜電吸附用直流電壓上升。
又，基板G與靜電吸附電極27所形成之電容器45的電荷量Q為固定，當基板G從載置台21剝離而電容器45的靜電容量C產生變化時，基板G及靜電吸附電極27的電位差亦立即產生變化。而且，直流電壓監視器46，係以數10μsec間隔，加以監視靜電吸附用直流電壓。
其結果，可藉由以直流電壓監視器46監視靜電吸附用直流電壓的方式，迅速地檢測基板G從載置台21的剝離。
在圖8的處理中，係在檢測基板G從載置台21的剝離時，停止電漿生成用之高頻電力的供給。亦即，將基板G從載置台21的剝離視為發生異常放電的預 兆，並在檢測到該預兆後時消滅電漿，因此，與在檢測到異常放電後消滅電漿的情形相比，可更減低基板G上之元件等受到損傷的風險。
又，在圖8的處理中，在靜電吸附用直流電壓超過預定閾值後時，直流電壓監視器46，係不經由裝置控制器44而經由信號線48對電漿生成用高頻電源41直接發送停止信號。藉此，由於不需等待預定間隔例如僅於每100msec所進行的裝置控制器44中之基板G的剝離判斷，即停止電漿生成用之高頻電力的供給，因此，該高頻電力之供給的停止發生了延遲，故可防止發生異常放電。特別是，由於包含有停止信號之電信號的傳達時間，係即便基板處理裝置11稍微大型化亦不會產生變化，因此，電漿生成用高頻電源41所致之停止信號的接收不會延遲，且即便基板處理裝置11大型化，亦可迅速地停止電漿生成用之高頻電力的供給。
而且，在圖8的處理中，在靜電吸附用直流電壓超過預定閾值後時，由於直流電壓監視器46，係對裝置控制器44發送靜電吸附用直流電壓超過預定閾值後之旨意的信號，因此，不僅直流電壓監視器46，裝置控制器44亦可進行基板G的剝離判斷，藉此，可驗證起因於停止信號而導致高頻電力之供給的停止是否妥當。
以上，雖使用上述實施形態說明本發明，但本發明並不限定於上述實施形態者。
例如，在上述之圖8的處理中，雖係當靜電 吸附用直流電壓只要一度超過預定閾值時，則判定為基板G已從載置台21剝離，但為了避免靜電吸附用直流電壓中之雜訊的影響，而亦可在靜電吸附用直流電壓超過複數次後時，開始判定為基板G已從載置台21剝離。但是，在該情況下，雖重複步驟S84，但步驟S84的重複次數，係必須設定為使步驟S84之重複收斂於直至基板G真正從載置台21剝離而開始異常放電的時間內。
又，基板處理裝置11，雖係具備有與載置台21對向的電感耦合天線50，並藉由感應耦合，在處理空間S中生成電漿，但基板處理裝置，係亦可具備與作為下部電極的載置台21對向且連接於電漿生成用高頻電源41的上部電極來代替電感耦合天線50，並藉由供給有電漿生成用高頻電力之上部電極與下部電極的電容耦合，在處理空間S中生成電漿，又，亦可在作為下部電極的載置台21連接偏壓用高頻電源與電漿生成用高頻電源，並且使上部電極接地，藉由上部電極與下部電極的電容耦合，在處理空間S中生成電漿。在該些電容耦合的情況下，上部電極，係亦可兼作氣體供給部22，構成覆蓋基板G整面而供給處理氣體的噴頭。
而且，在基板處理裝置11的基板剝離判定系統47中，雖係個別地設置有直流電壓監視器46與裝置控制器44，但亦可使直流電壓監視器46與裝置控制器44一體化，具體而言，裝置控制器44具有直流電壓監視器的功能。在該情況下，藉由與裝置控制器44之信號接收 間隔獨立地監視靜電吸附電極27之電位的方式，可進行對電漿生成用高頻電源迅速地發送停止信號，從而可確實地防止異常放電的發生。
又，本發明的目的，係亦可藉由下述方式來達成：將記錄有實現上述實施形態之功能之軟體之程式碼的記憶媒體供給至裝置控制器44，讓裝置控制器44之CPU讀出並執行儲存於記憶媒體的程式碼。
在該情況下，從記憶媒體所讀出的程式碼本身會實現上述實施形態的機能，程式碼及記憶有該程式碼的記憶媒體，係構成本發明。
又，作為用於供給程式碼的記憶媒體，係例如只要為RAM、NVRAM、軟碟(註冊商標)、硬碟、光磁碟、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD(DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW)等的光碟、磁帶、非揮發性記憶卡、其他ROM等之可記憶上述程式碼者即可。或者，上述程式碼，係亦可藉由從連接於網際網路、商用網路、或區域網路等之未圖示的其他電腦或資料庫等進行下載的方式，供應至裝置控制器44。
又，亦包含有如下述之情形：執行裝置控制器44讀取到的程式碼，藉此，不僅實現上述實施形態的功能，另根據其程式碼的指示，在CPU上運轉之OS(作業系統)等進行實際處理的一部分或全部，並藉由該處理來實現上述實施形態的功能。
而且，亦包含有如下述之情形：從記憶媒體 讀取到的程式碼被寫入到插入至裝置控制器44之功能擴充卡或連接至裝置控制器44之功能擴充單元所具備的記憶體後，根據該程式碼的指示，其功能擴充卡或功能擴充單元所具備之CPU等進行實際處理的一部分或全部，並藉由該處理來實現上述實施形態的功能。
上述程式碼的形態，係亦可由目標碼、藉由解譯器所執行的程式碼、供給至OS之描述資料等的形態所構成。

Claims (6)

  1. 一種基板處理方法，係具備有處理室、載置台、靜電吸附電極、直流電源及高頻電源之基板處理裝置中的基板處理方法，該處理室，係收容基板，藉由電漿對該基板施予處理，該載置台，係設置於該處理室的內部，載置前述基板，該靜電吸附電極，係內建於該載置台，使前述基板靜電吸附於前述載置台，該直流電源，係將直流電壓施加至該靜電吸附電極，該高頻電源，係供給用以生成前述電漿的高頻電力，該基板處理方法，其特徵係，前述基板處理裝置，係更具備有：電壓監視裝置，監視被施加至前述靜電吸附電極的直流電壓；控制裝置，控制前述基板處理裝置的動作；及信號線，不經由該控制裝置而連接前述電壓監視裝置及前述高頻電源，在前述監視到的直流電壓超過預定閾值後時，前述電壓監視裝置，係經由前述信號線，發送用以停止對前述高頻電源供給前述高頻電力的停止信號，接收了前述停止信號之前述高頻電源，係停止前述高頻電力的供給。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，在前述監視到的直流電壓超過預定閾值後時，前述電壓監視裝置，係對前述控制裝置發送前述監視到之直流電壓超過預定閾值後之旨意的信號。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中，前述基板處理裝置，係更具備有：其他高頻電源，在 前述基板產生直流偏壓電位，該其他高頻電源，係連接於前述載置台。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理方法，其中，前述基板處理裝置，係更具備有電感耦合天線，前述高頻電源，係連接於前述電感耦合天線，供給有前述高頻電力的前述電感耦合天線，係藉由感應耦合來生成前述電漿。
  5. 如申請專利範圍第3項之基板處理方法，其中，前述基板處理裝置，係更具備有：上部電極，將前述載置台設成為下部電極，並且與前述下部電極對向，前述高頻電源，係連接於前述上部電極，藉由供給有前述高頻電力的方式，前述上部電極及前述下部電極，係藉由電容耦合來生成前述電漿。
  6. 一種基板處理裝置，係具備有處理室、載置台、靜電吸附電極、直流電源及高頻電源，該處理室，係收容基板，藉由電漿對該基板施予處理，該載置台，係設置於該處理室的內部，載置前述基板，該靜電吸附電極，係內建於該載置台，使前述基板靜電吸附於前述載置台，該直流電源，係將直流電壓施加至該靜電吸附電極，該高頻電源，係供給用以生成前述電漿的高頻電力，該基板處理裝置，其特徵係，更具備有：電壓監視裝置，監視被施加至前述靜電吸附電極的直流電壓；控制裝置，控制前述基板處理裝置的動作；及 信號線，不經由該控制裝置而連接前述電壓監視裝置及前述高頻電源，在藉由前述電壓監視裝置所監視到的直流電壓超過預定閾值後時，前述電壓監視裝置，係經由前述信號線，發送用以停止對前述高頻電源供給前述高頻電力的停止信號，接收了前述停止信號之前述高頻電源，係停止前述高頻電力的供給。
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