TWI683834B - 高分子化合物及使用該高分子化合物之發光元件 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題係提供一種高分子化合物，其係有用於外部量子產率優良之發光元件的製造中。

本發明之解決手段係一種含有下述式(1)所示構成單元的高分子化合物：

Figure 104127855-A0202-11-0001-2
[式中，a1以及a2係表示0或1。ArA1以及ArA3係表示伸芳香基等。惟，ArA1以及ArA3中，與鄰接的構成單元形成鍵結之原子的相鄰的原子之至少1個原子具有烷基等作為取代基。ArA2係表示伸苯基。ArA4係表示伸芳香基等。RA1、RA2以及RA3係表示芳香基等。惟，a2為0時，RA1係表示2個以上的環縮合而成之芳香基(該芳香基之構成環的碳原子數為10以上)等]

Description

高分子化合物及使用該高分子化合物之發光元件
本發明係關於高分子化合物及使用該高分子化合物之發光元件。
有機電致發光元件(以下亦稱作「發光元件」)係由於其發光效率高且驅動電壓低，而有可能適合使用於顯示器及照明的用途上，近年來備受注目。此發光元件係具備發光層、電洞輸送層(hole transport layer)等有機層。由於經由使用高分子化合物可藉由以噴墨印刷法為代表之塗佈法而形成有機層，故檢討於發光元件的製造中使用之高分子化合物。
作為於發光元件的電洞輸送層使用之材料者，於專利文獻1中係記載一種高分子化合物，其係相對於高分子化合物中所含有之構成單元的總計含量，含有90莫耳%以上之芳香基胺構成單元。且，該芳香基胺構成單元全都為與鄰接的構成單元形成鍵結之碳原子的相鄰的碳原子不具有取代基之構成單元。
又，作為於發光元件的電洞輸送層中使用 之材料者，於專利文獻2中係記載一種含有芳香基胺構成單元之高分子化合物，該芳香基胺構成單元為與鄰接的構成單元形成鍵結之碳原子的相鄰的碳原子具有取代基之構成單元。並且，該芳香基胺構成單元皆係構成芳香基胺構成單元之sp3氮原子具有含1個環之芳香基之構成單元。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2013/114976號
[專利文獻2]日本特開2014-111765號公報
然而，使用上述之高分子化合物所製造之發光元件係其外部量子產率並不一定充分。
因此，本發明係以提供一種於外部量子產率優良之發光元件的製造中有用的高分子化合物做為目的。又本發明係以提供一種含有該高分子化合物之組成物以及一種使用該高分子化合物而得之發光元件作為目的。
本發明係提供下述之[1]至[15]。
[1]一種含有式(1)所示之構成單元的高分子化合物。
Figure 104127855-A0202-12-0003-5
 [式中，a1以及a2係各自獨立地表示0或1。
ArA1以及ArA3係各自獨立地表示伸芳香基或2價雜環基，該等基可具有取代基。惟，ArA1以及ArA3中，與鄰接的構成單元形成鍵結之原子的相鄰的原子之至少1個原子具有烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基作為取代基，該等取代基可進一步具有取代基。
ArA2係表示伸苯基，此伸苯基可具有取代基。
ArA4係表示伸芳香基、2價雜環基、或至少1種伸芳香基與至少1種2價雜環基直接鍵結之2價基，該等基可具有取代基。
RA1、RA2以及RA3係各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基。
惟，a2為0時，RA1係表示2個以上的環縮合而成之芳香基(該芳香基之構成環的碳原子數為10以上)、或2個以上的環縮合而成之1價雜環基(該1價雜環基之構成環的碳原子數以及雜原子數的總計為10以上)，該等基可具有取代基]
[2]如前述[1]所述之高分子化合物，其中，前述ArA1 以及ArA3係伸苯基。
[3]如前述[1]或[2]所述之高分子化合物，其中，前述a2係0。
[4]如前述[1]至[3]中任一項所述之高分子化合物，其中，前述ArA1以及ArA3中，與鄰接的構成單元形成鍵結之原子的相鄰的原子之至少1個原子具有烷基、環烷基作為取代基。
[5]如前述[1]至[4]中任一項所述之高分子化合物，其中，前述RA1係選自芳香基AA群之基，或選自1價雜環基BB群之基。
(芳香基AA群)
Figure 104127855-A0202-12-0004-6
(1價雜環基BB群)
Figure 104127855-A0202-12-0005-7
 [式中，R以及Ra係各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基。存在複數個之R及Ra各自可為相同亦可為相異，Ra彼此可互相鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環]
[6]如前述[1]至[5]中任一項所述之高分子化合物，其中，前述式(1)所示之構成單元係式(4)所示之構成單元。
Figure 104127855-A0202-12-0005-8
 [式中， RA1係表示與前述相同意義。
R1a係表示烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基。存在複數個之R1a可為相同亦可為相異。
R2a係表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基、1價雜環基或鹵素原子，該等基可具有取代基。存在複數個之R2a可為相同亦可為相異]
[7]如前述[1]至[6]中任一項所述之高分子化合物，更包括選自由式(1X)所示之構成單元以及式(1Z)所示之構成單元所成群組中之至少1種構成單元。
Figure 104127855-A0202-12-0006-9
 [式中，xa1以及xa2係各自獨立地表示0以上的整數。
Arx1以及Arx3係各自獨立地表示伸芳香基或2價雜環基，該等基可具有取代基。惟，Arx1以及Arx3中，與鄰接的構成單元形成鍵結之原子的相鄰的原子不具有烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基作為取代基。
Arx2以及Arx4係各自獨立地表示為伸芳香基、2價雜環基、或至少1種伸芳香基與至少1種2價雜環基直接鍵結 之2價基，該等基可具有取代基。
Rx1、Rx2以及Rx3係各自獨立地表示為氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基]
Figure 104127855-A0202-12-0007-10
 [式中，Rz1係表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基。
1z係表示0至3的整數。存在複數個之1z係可為相同亦可為相異。
Rz2係表示烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基。Rz2存在複數個時該等可為相同亦可為相異。
Xz1係表示單鍵、氧原子、硫原子、-CRz11Rz12-所示之基或-SiRz13Rz14-所示之基。Rz11、Rz12、Rz13以及Rz14係各地獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基]
[8]如[7]所述之高分子化合物，其中，選自由前述RA1、RA2以及RA3所成群組中之至少1種係由可具有取代基之茀環中除去1個與構成環之碳原子直接鍵結之氫原子而成之基。
[9]如前述[7]或[8]所述之高分子化合物，其中，前述式(1)所示之構成單元、與選自由前述式(1X)所示之構成單 元以及前述式(1Z)所示之構成單元所成群組中之至少1種的構成單元係包括相鄰之結構鏈。
[10]如前述[7]至[9]中任一項所述之高分子化合物，其中，前述式(1)所示之構成單元、前述式(1X)所示之構成單元以及前述式(1Z)所示之構成單元的總計含量相對於高分子化合物中所含有之構成單元的總計含量而言，為50至100莫耳%。
[11]如前述[1]至[10]中任一項所述之高分子化合物，更包括具有選自交聯基A群之至少1種的交聯基之交聯構成單元。
(交聯基A群)
Figure 104127855-A0202-12-0008-11
 [式中，RXL係表示亞甲基、氧原子或硫原子，nXL係表示0至5的整數。RXL存在複數個時，該等可為相同亦可為相 異。nXL存在複數個時，該等可為相同亦可為相異。*係表示鍵結處。該等交聯性基可具有取代基]
[12]如[11]所述之高分子化合物，其中，前述交聯構成單元係式(5)所示之構成單元，或式(5’)所示之構成單元(惟，與式(1)所示之構成單元、式(1X)所示之構成單元以及式(1Z)所示之構成單元為相異)。
Figure 104127855-A0202-12-0009-12
 [式中，nA係表示0至5的整數，n係表示1或2。nA存在複數個時，該等可為相同或相異。
Ar1係表示芳香族烴基或雜環基，該等基可具有取代基。
LA係表示伸烷基、伸環烷基、伸芳香基、2價雜環基、-NR’-所示之基、氧原子或硫原子，該等基可具有取代基。 R’係表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基。LA存在複數個時，該等可為相同亦可為相異。
X係表示選自交聯基A群之交聯基。X存在複數個時，該等可為相同亦可為相異]
Figure 104127855-A0202-12-0010-13
 [式中，mA係表示0至5的整數，m係表示1至4的整數，c係表示0或1的整數。mA存在複數個時，該等可為相同或相異。
Ar2係表示芳香族烴基、雜環基或至少1種芳香族烴環與至少1種雜環直接鍵結之基，該等基可具有取代基。
Ar3以及Ar4係各自獨立地表示伸芳香基或2價雜環基，該等基可具有取代基。
Ar2、Ar3以及Ar4係可各自與和Ar2、Ar3以及Ar4所鍵結之氮原子鍵結之該等基以外之基直接鍵結或通過氧原子或硫原子鍵結而形成環。
KA係表示伸烷基、伸環烷基、伸芳香基或2價雜環基、-NR’-所示之基、氧原子或硫原子，該等基可具有取代基。R’係表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基。KA存在複數個時，該等可為相同亦可為相異。
X’係表示選自交聯基A群之交聯基、氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基。存在複數個之X’係可為相同亦可為相異。惟，至少1個X’係選自交聯基A群之交聯基]
[13]如[11]或[12]所述之高分子化合物，其中，前述交聯基係前述式(XL-1)或(XL-17)所示之交聯基。
[14]一種組成物，為包括如[1]至[13]中任一項所述之高分子化合物與選自由電洞輸送材料、電洞注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、發光材料、抗氧化劑以及溶劑所成群組中之至少1種材料。
[15]一種發光元件，其係使用如[1]至[13]中任一項所述之高分子化合物而獲得者。
根據本發明係可提供一種高分子化合物，其係有用於外部量子產率優良之發光元件的製造中。又，根據本發明係可提供一種含有該高分子化合物之組成物以及一種使用該高分子化合物而獲得之發光元件。
以下，針對本發明較佳的實施型態進行詳細地說明。
<共同用語之說明>
於本說明書中共同使用之用語只要無特別記載即為以下的意義。
Me係表示甲基、Et係表示乙基、Bu係表示丁基、i-Pr係表示異丙基、t-Bu係表示第三丁基。
氫原子係可為重氫原子亦可為輕氫原子。
於表示金屬錯合物之式中，表示與中心金屬之鍵結的實線係意指共價鍵或配位鍵。
所謂「高分子化合物」係意指具有分子量分布，且以聚苯乙烯換算的數量平均分子量係1×103至1×108之聚合物。
所謂「低分子化合物」係意指不具有分子量分布，且分子量為1×104以下之化合物。
所謂「構成單元」係意指於高分子化合物中存在1個以上之單元。
「烷基」係可為直鏈及分支的任一種。直鏈烷基的碳原子數係不包括取代基的碳原子數，且一般為1至50，較佳為3至30，更佳為4至20。分支烷基的碳原子數係不包括取代基的碳原子數，且一般為3至50，較佳3至30，更佳為4至20。
烷基可具有取代基，可列舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、異戊基、2-乙基丁基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、3-丙基庚基、癸基、3,7-二甲基辛基、2-乙基辛基、2-己基癸基、十二烷基，以及於該等基中之氫原子係經環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基、氟原子等取代之基，可列舉例如：三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基、3-苯基丙基、3-(4-甲基苯基)丙基、3-(3,5-二-己基苯基)丙基、6-乙基氧己基。
「環氧基」的碳原子數係不包括取代基的碳原子數，且一般為3至50，較佳為3至30，更佳為4至20。
環氧基可具有取代基，可列舉例如：環己基、環己基甲基、環己基乙基。
「芳香基」係意指從芳香族烴，除去1個直接鍵結於構成環的碳原子之氫原子後殘留的原子團。芳香基的碳原子數係不包括取代基的碳原子數，且一般為6至60，較佳為6至20，更佳為6至10。
芳香基可具有取代基，可列舉例如：苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-芘基(1-pyrenyl)、2-芘基、4-芘基、2-茀基(2-fluorenyl)、3-茀基、4-茀基、2-苯基苯基、3-苯基苯基、4-苯基苯基以及該等基的氫原子經烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基、氟原子等取代之基。
「烷氧基」係可為直鏈及分支的任一種。直鏈烷氧基的碳原子數係不包括取代基的碳原子數，且一般為1至40，較佳為4至10。分支的烷氧基的碳原子數係不包括取代基的碳原子數，一般為3至40，較佳為4至10。
烷氧基可具有取代基，可列舉例如：甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第3丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7-二甲基辛氧基、月桂氧基，以及該等基中的氫原子經環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基、氟原子等取代之基。
「環烷氧基」的碳原子數係不包括取代基的碳原子數，且一般為3至40，較佳為4至40。
環烷氧基可具有取代基，可列舉例如環己氧基。
「芳氧基」的碳原子數係不包括取代基的碳原子數，且一般為6至60，較佳為7至48。
芳氧基可具有取代基，可列舉例如：苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、1-蒽氧基、9-蒽氧基、1-芘氧基以及該等基的氫原子經烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、氟原子等取代之基。
所謂「p價雜環基」(p表示1以上的整數)，係指從雜環式化合物，將直接鍵結於構成環的碳原子或雜原子之氫原子中之p個氫原子除去後殘留的原子團。p價之雜環基中較佳為從芳香族雜環式化合物，將直接鍵結於構成環的碳原子或雜原子之氫原子中之p個氫原子除去後殘留的原子團之「p價芳香族雜環基」。
「芳香族雜環式化合物」係指
Figure 104127855-A0202-12-0014-107
二唑、噻二唑、噻唑、
Figure 104127855-A0202-12-0014-108
唑、噻吩、吡咯、磷雜環戊二烯(phosphole)、呋喃、吡啶、吡
Figure 104127855-A0202-12-0014-109
、嘧啶、三
Figure 104127855-A0202-12-0014-110
(triazine)、嗒
Figure 104127855-A0202-12-0014-111
(pyridazine)、喹啉、異喹啉、咔唑、二苯并磷雜環戊二烯等雜環本身顯示芳香族性的化合物，以及啡
Figure 104127855-A0202-12-0014-112
(phenoxazine)、啡噻
Figure 104127855-A0202-12-0014-113
(phenothiazine)、二苯并硼雜環戊二烯(dibenzoborole)、二苯并矽雜環戊二烯(dibenzosilole)、苯并吡喃等雜環本身不顯示芳香族性，但於雜環中芳香環被縮環的化合物。
1價雜環基的碳原子數係不包括取代基的 碳原子數，且一般為2至60，較佳為4至20。
1價雜環基可具有取代基，可列舉例如噻吩基、吡咯基、呋喃基、吡啶基、哌啶基(piperidinyl)、喹啉基、異喹啉基、嘧啶基、三
Figure 104127855-A0202-12-0015-114
基以及該等基的氫原子經烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基等取代之基。
所謂「鹵素原子」係表示氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。
「胺基」係可具有取代基，較佳為取代胺基。作為胺基所具有的取代基者，較佳為烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基。
作為取代胺基者，可列舉例如：二烷基胺基、二環烷基胺基以及二芳香基胺基。
作為胺基者，可列舉例如：二甲基胺基、二乙基胺基、二苯基胺基、雙(4-甲基苯基)胺基、雙(4-第三丁基苯基)胺基、雙(3,5-二第三丁基苯基)胺基。
「烯基」係可為直鏈及分支的任一種。直鏈烯基之碳原子數係不包括取代基的碳原子數，且一般為2至30，較佳為3至20。分支烯基之碳原子數，不包括取代基的碳原子數，且一般為3至30，較佳為4至20。
「環烯基」的碳原子數係不包括取代基的碳原子數，且一般為3至30，較佳為4至20。
烯基及環烯基可具有取代基，可列舉例如乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、5-己烯基、7-辛烯基以及該等基具有取代 基之基。
「炔基」係可為直鏈及分支的任一種。直鏈炔基之碳原子數係不包括取代基的碳原子數，且一般為2至20，較佳為3至20。分支炔基之碳原子數係不包括取代基的碳原子數，且一般為4至30，較佳為4至20。
「環炔基」的碳原子數係不包括取代基的碳原子數，且一般為4至30，較佳為4至20。
炔基以及環炔基可具有取代基，可列舉例如：乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、3-戊炔基、4-戊炔基、1-己炔基、5-己炔基以及該等基具有取代基之基。
「伸芳基」係意指從芳香族烴，除去2個直接鍵結於構成環的碳原子之氫原子後殘留的原子團。伸芳基的碳原子數係不包括取代基的碳原子數，且一般為6至60，較佳為6至30，更佳為6至18。
伸芳基可具有取代基，可列舉例如：伸苯基、萘二基、蒽二基、菲二基(Phenanthrenediyl)、二氫菲二基、稠四苯二基(Naphthacenediyl)、茀二基、芘二基、苝二基(perylenediyl)、苯并菲二基(chrysenediyl)以及該等基具有取代基之基，較佳為式(A-1)至式(A-20)所示的基。伸芳基係包括該等基複數鍵結的基。
Figure 104127855-A0202-12-0017-18
 [式中，R及Ra各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基。存在複數個之R及Ra，係各自可為相同亦可為相異，Ra彼此可互相鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環]
2價雜環基的碳原子數係不包括取代基的碳原子數，且一般為2至60，較佳為3至20，更佳為4至15。
2價雜環基可具有取代基，可列舉例如：從吡啶、二氮雜苯、三
Figure 104127855-A0202-12-0018-115
、氮雜萘、二氮雜萘、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并矽雜環戊二烯、啡
Figure 104127855-A0202-12-0018-116
、啡噻
Figure 104127855-A0202-12-0018-117
、吖啶、二氫吖啶、呋喃、噻吩、唑(azole)、二唑、三唑，將直接鍵結於構成環的碳原子或雜原子之氫原子中之2個氫原子除去之2價基，較佳為式(B-1)至式(B-34)所示之基。2價雜環基係包括該等基複數鍵結的基。
Figure 104127855-A0202-12-0018-19
Figure 104127855-A0202-12-0019-21
 [式中，R及Ra表示與前述相同的意義]
所謂「交聯基」係指藉由供給至加熱處理、紫外線照射處理、自由基反應等，而可能生成新的鍵結之基，較佳為前述交聯基A群之式(XL-1)至(XL-17)所示的交聯基。
所謂「取代基」係表示鹵素原子、氰基、烷基、環烷基、芳香基、1價雜環基、烷氧基、環烷氧基、芳氧基、胺基、取代胺基、烯基、環烯基、炔基或環炔基。 取代基可為交聯基。
<高分子化合物>
本發明之高分子化合物係包括式(1)所示之構成單元的高分子化合物。
[式(1)所示之構成單元]
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的亮度壽命為優良，故a1較佳為0。
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的亮度壽命為優良，故a2較佳為0。
以ArA1以及ArA3表示之伸芳基較佳為式(111-1)至式(111-10)所示之基，更佳為式(111-1)至式(111-3)或式(111-9)所示之基，又更佳為式(111-1)至式(111-3)所示之基。惟，以ArA1以及ArA3表示之伸芳基中，與鄰接之構成單元形成鍵結之原子的相鄰的原子之至少1個原子具有烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基作為取代基，該等取代基亦可進一步具有取代基。
Figure 104127855-A0202-12-0021-22
 [式中，R111以及R111a係各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基。存在複數個之R111及R111a，係各自可為相同亦可為相異，R111a彼此可互相鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環]
以ArA1以及ArA3表示之2價雜環基較佳為式(111-11)至式(111-23)所示之基。惟，以ArA1以及ArA3表示之2價雜環基中，與鄰接之構成單元形成鍵結之原子的相鄰的原子之至少1個原子具有烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基作為取代基，該等取代基亦可進一步具有取代基。
Figure 104127855-A0202-12-0021-23
Figure 104127855-A0202-12-0022-24
 [式中，R111表示與前述相同的意義]
由於本發明的發光元件的外部量子產率更為優良，故ArA1以及ArA3較佳為伸芳基，更佳為伸苯基。惟，ArA1以及ArA3所示之伸芳基中，與鄰接之構成單元形成鍵結之原子的相鄰的原子之至少1個原子具有烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基作為取代基，該等取代基亦可進一步具有取代基。
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的外部量子產率更為優良，故ArA1以及ArA3中，較佳係與鄰接之構成單元形成鍵結之原子的相鄰的原子之至少1個原子具有烷基或環烷基作為取代基，更佳為具有烷基作為取代基。
ArA2係表示伸苯基，該伸苯基可具有取代基。
以ArA4表示之伸芳基，較佳為式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)至式(A-11)或式(A-19)所示之基，該等基可具有取代基。
以ArA4表示之2價雜環基，較佳為式(B-1)、式(B-2)或式(B-7)至式(B-26)所示之基，該等基可具有取代基。
ArA4所示之至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結之2價基中，伸芳基與2價雜環基的更佳的範圍係各自與ArA2及ArA4所示的伸芳基以及2價雜環基的更佳的範圍相同。
作為ArA4所示之至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結之2價基者，可列舉例如下述式所示之基，該等可具有取代基。
Figure 104127855-A0202-12-0023-25
 [式中，RXX係表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基]
RXX較佳為烷基、環烷基或芳香基，該等基可具有取代基。
ArA4較佳為伸芳基，該伸芳基可具有取代基。
RA1、RA2以及RA3較佳為烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，更佳為芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基。惟，a2為0時，RA1係2個以上的環縮合之芳香基(該芳香基的構成環之碳原子數為10以上。亦即，該2個以上的環縮合之伸芳基的構成環的碳原子數為10以上)，或2個以上的環縮合之1價雜環基(該1價雜環基之構成環的碳原子數以及雜原子數總計為10以上。亦即，該2個以上的環縮合之1價雜環基之構成環的碳原子數以及雜原子數總計為10以上)，該等基可具有取代基。
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的外部量子產率為優良，故RA1較佳為選自芳香基AA群之基或選自1價雜環基BB群之基，更佳為式(AA-1)至式(AA-3)、式(BB-1)至式(BB-4)、式(BB-6)、式(BB-9)或式(BB-10)，又更佳為(AA-1)、式(AA-3)、式(BB-1)、式(BB-3)、式(BB-4)或式(BB-10)。
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的外部量子產率更為優良，故選自由RA1、RA2以及RA3所成群組中之至少1個，較佳為從可具有取代基之茀環中除去1個直接鍵結於構成環的碳原子之氫原子之基。
作為ArA1以及ArA3所示之基可具有之取代基(亦即，與鄰接之構成單元形成鍵結之原子的相鄰原子以外的原子可具有之取代基)者，較佳為烷基、環烷基或芳香基，該等基可進一步具有取代基。
作為ArA2、ArA4、RA1、RA2以及RA3所示之基 可具有之取代基者，較佳為烷基、環烷基或芳香基，該等基可進一步具有取代基。
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的外部量子產率更為優良，故式(1)所示之構成單元較佳為式(2)所示之構成單元。
Figure 104127855-A0202-12-0025-27
 [式中，a1、ArA1、ArA2、ArA3、RA1以及RA2表示與前述相同的意義]
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的外部量子產率更為優良，故式(2)所示之構成單元較佳為式(3)所示之構成單元。
Figure 104127855-A0202-12-0025-26
 [式中，a1、ArA2、RA1以及RA2表示與前述相同的意義。
R1a表示烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基。存在複數個之R1a係可為相同亦可為相異。
R2a表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、 芳香基、1價雜環基或鹵素原子，該等基可具有取代基。存在複數個之R2a係可為相同亦可為相異]
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的外部量子產率更為優良，故式(3)所示之構成單元較佳為式(4)所示之構成單元。
由於本發明之高分子化合物的電洞輸送性為優良，故相對於高分子化合物中含有之構成單元的總計含量，式(1)所示之構成單元的含量較佳為0.1至90莫耳%，更佳為30至80莫耳%，又更佳為40至60莫耳%。
作為式(1)所示之構成單元者，可列舉例如式(1-1)至式(1-16)所示之構成單元，較佳為式(1-1)至(1-6)、式(1-10)、式(1-11)或式(1-13)所示之構成單元。
Figure 104127855-A0202-12-0026-28
Figure 104127855-A0202-12-0027-31
於本發明的高分子化合物中，式(1)所示之構成單元係可只有包括1種亦可包括2種以上。
本發明之高分子化合物可更包括選自由式(1X)所示之構成單元以及式(1Z)所示之構成單元所成群組中之至少1種的構成單元。
[式(1X)所示之構成單元]
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的外部量子產率更為優良，故xa1較佳為2以下的整數，更佳為0或1，又更佳為0。
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的外部量子產率更為優良，故xa2較佳為2以下的整數，更佳為0或1，又更佳為0。
ArX1、ArX2、ArX3以及ArX4所示之伸芳基較佳為式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)至式(A-11)或式(A-19)所示之基，該等基可具有取代基。惟，ArX1以及ArX3所示之伸芳基中，與鄰接之構成單元形成鍵結之原子的相鄰的原子不具有烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基作為取代基。
ArX1、ArX2、ArX3以及ArX4所示之2價雜環基較佳為式(AA-1)、式(AA-2)或式(AA-7)至式(A-26)所示之基，該等基可具有取代基。惟，ArX1以及ArX3所示之2價雜環基中，與鄰接之構成單元形成鍵結之原子的相鄰的原子不具有烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基作為取代基。
於ArX2以及ArX4所示之至少1種伸芳基與 至少1種2價雜環基直接鍵結之2價基中，伸芳基以及2價雜環基的更佳範圍係各自與ArX2以及ArX4所示之伸芳基以及2價雜環基的更佳範圍相同。
作為ArX2以及ArX4所示之至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結之2價基者，可列舉與前述之ArA2以及ArA4所示之至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結之2價基之例相同例。
ArX1、ArX2、ArX3以及ArX4較佳為伸芳基，該伸芳基可具有取代基。
RX1、RX2以及RX3較佳為烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，更佳為芳香基，該等基可具有取代基。
作為ArX1、ArX2、ArX3、ArX4、RX1、RX2以及RX3所示之基可具有之取代基者，較佳為烷基、環烷基或芳香基，該等基可進一步具有取代基。
作為式(1X)所示之構成單元者，較佳為式(1X-1)至(1X-11)所示之構成單元，更佳為式(1X-1)至(1X-7)所示之構成單元，又更佳為式(1X-1)至(1X-6)所示之構成單元。
Figure 104127855-A0202-12-0030-32
Figure 104127855-A0202-12-0031-33
 [式中，RX4以及RX5係各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基、芳氧基、鹵素原子、1價雜環基或氰基，該等基可具有取代基。存在複數個之RX4係可為相同亦可為相異。存在複數個之RX5係可為相同亦可為相異，鄰接的RX5彼此可互相鍵結並與各自所鍵結的碳原子一起形成環]
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的外部量子產率為優良，故相對於高分子化合物中含有之構成單元的總計含量，式(1X)所示之構成單元的含量較佳為1至80莫耳%，更佳為1至60莫耳%，又更佳為1至50莫耳%。
作為式(1X)所示之構成單元者，可列舉例如 式(11X-1)至(11X-28)所示之構成單元，較佳為式(11X-1)至(11X-18)所示之構成單元。
Figure 104127855-A0202-12-0032-34
Figure 104127855-A0202-12-0033-35
Figure 104127855-A0202-12-0034-36
本發明之高分子化合物中，式(1X)所示之構成單元係可只有包括1種亦可包括2種以上。
[式(1Z)所示之構成單元]
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的外部量子產率更為優良，故RZ1較佳為烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，更佳為芳香基，該等基可具有取代基。
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的外部量子產率更為優良，故1z較佳為0或1，更佳為0。
由於本發明之高分子化合物的合成變得容易，故RZ2較佳為烷基、環烷基或芳香基，更佳為烷基， 該等基可具有取代基。
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的外部量子產率更為優良，故XZ1較佳為單鍵、氧原子、-CRZ11RZ12-所示之基、或-SiRZ13RZ14-所示之基，更佳為單鍵、氧原子或-CRZ11RZ12-所示之基。RZ11、RZ12、RZ13以及RZ14較佳為烷基、環烷基或芳香基，更佳為烷基或芳香基。
作為式(1Z)所示之構成單元者，較佳為式(1Z-1)至式(1Z-5)所示之構成單元。
Figure 104127855-A0202-12-0035-38
 [式中，RZ1、1z、RZ2、RZ11、RZ12、RZ13以及RZ14表示與前述相同的意義]
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的外部量子產率更為優良，故相對於高分子化合物中含有之構成單元的總計含量，式(1Z)所示之構成單元的含量較佳為0.1至99.8莫耳%，更佳為0.1至60莫耳%，又更佳為0.1至50莫耳%。
作為式(1Z)所示之構成單元者，可列舉例如式(11Z-1)至(11Z-9)所示之構成單元，較佳為式(11Z-1)至 (11Z-5)所示之構成單元。
Figure 104127855-A0202-12-0036-39
於本發明之高分子化合物中，式(1Z)所示之構成單元係可只有包括1種亦可包括2種以上。
[式(1)所示之構成單元、式(1X)所示之構成單元以及式(1Z)所示之構成單元的結構鏈、莫耳比等]
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的外部量子產率更為優良，故本發明之高分子化合物較佳為包括式(1)所示之構成單元，與選自由式(1X)所示之構成單元以及 式(1Z)所示之構成單元所成群組中之至少1種構成單元為相鄰之結構鏈，更佳為包括式(1)所示之構成單元與式(1X)所示之構成單元為相鄰之結構鏈。
本發明之高分子化合物，由於電洞輸送性優良，故相對於高分子化合物中含有之構成單元的總計含量，式(1)所示之構成單元、式(1X)所示之構成單元以及式(1Z)所示之構成單元的總計含量較佳為40至100莫耳%。
[交聯構成單元]
由於本發明之高分子化合物的交聯性優良，故本發明之高分子化合物較佳為更包括具有選自交聯基A群之至少1種交聯基之交聯構成單位的高分子化合物。
作為選自交聯基A群之交聯基者，由於本發明之高分子化合物的交聯性優良，故較佳為式(XL-1)、式(XL-3)、式(XL-5)、式(XL-7)、式(XL-16)或式(XL-17)所示之交聯基，較佳為式(XL-1)或式(XL-17)所示之交聯基。具有選自交聯基A群之至少1種的交聯基之構成單元較佳為後述之式(5)所示之構成單元或式(5’)所示之構成單元，惟亦可為下述所示之構成單元。
Figure 104127855-A0202-12-0037-40
具有選自交聯基A群之至少1種交聯基之 構成單元，由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的外部量子產率更為優良，故較佳為式(5)所示之構成單元或式(5’)所示之構成單元。惟，式(5’)所示之構成單元係與式(1)所示之構成單元、式(1X)所示之構成單元、式(1Z)所示之構成單元相異。
[式(5)所示之構成單元]
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的亮度壽命優良，故nA較佳為0或1，更佳為0。
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的亮度壽命優良，故n較佳為2。
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的亮度壽命優良，故Ar1較佳為可具有取代基之芳香族烴基。
Ar1所示之芳香族烴基的碳原子數係不包括取代基的碳原子數，且一般為6至60，較佳為6至30，更佳為6至18。
作為Ar1所示之芳香族烴基的除去n個取代基之伸芳基部分者，較佳為式(A-1)至式(A-20)所示之基，更佳為式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)至式(A-10)、式(A-19)或式(A-20)所示之基，又更佳為式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)或式(A-19)所示之基，該等基可具有取代基。
Ar1所示之雜環基的碳原子數係不包括取代基的碳原子數，且一般為6至60，較佳為6至30，更佳為 6至18。
作為Ar1所示之雜環基的除去n個取代基之2價雜環基部分者，較佳為式(AA-1)至式(AA-34)所示之基。
Ar1所示之芳香族烴基以及雜環基可具有取代基，作為取代基者，可列舉：烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基、芳氧基、鹵素原子、1價雜環基以及氰基。
LA所示之伸烷基係不包括取代基的碳原子數，且一般為1至10，較佳為1至5，更佳為1至3。LA所示之伸環烷基係不包括取代基的碳原子數，且一般為3至10。
伸烷基以及伸環烷基可具有取代基，可列舉例如：亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸己基、伸環己基、伸辛基。
LA所示之伸烷基以及伸環烷基可具有取代基。作為伸烷基以及伸環烷基可具有之取代基者，可列舉例如：烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、鹵素原子以及氰基。
LA所示之伸芳基可具有取代基。作為伸芳基者，可列舉鄰伸苯基、間伸苯基、對伸苯基。作為伸芳基可具有之取代基者，可列舉例如：烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基、芳氧基、1價雜環基、鹵素原子、氰基以及選自交聯基A群之交聯基。
由於本發明之高分子化合物的製造係變容 易，故LA較佳為伸苯基或伸烷基，該等基可具有取代基。
作為X所示之交聯基者，由於本發明之高分子化合物的交聯性為優良，故較佳為式(XL-1)、(XL-3)、(XL-5)、(XL-7)、(XL-16)或(XL-17)所示之交聯基，更佳為式(XL-1)或式(XL-17)所示之交聯基。
由於本發明之高分子化合物的安定性及交聯性優良，故相對於高分子化合物中含有之構成單元的總計含量，式(5)所示之構成單元的含量較佳為0.5至50莫耳%，更佳為3至30莫耳%，又更佳為3至20莫耳%。
於本發明之高分子化合物中，式(5)所示之構成單元係可只有包括1種亦可包括2種以上。
[式(5’)所示之構成單元]
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的亮度壽命優良，故mA較佳為0或1，更佳為0。
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的亮度壽命優良，故m較佳為2。
由於本發明之高分子化合物的製造變容易，且使用本發明之高分子化合物的發光元件的亮度壽命優良，故c較佳為0。
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的亮度壽命優良，故Ar3較佳為可具有取代基之芳香族烴基。
Ar3所示之芳香族烴基的除去m個取代基之 伸芳基部分的定義及例係與前述之式(1X)中之ArX2所示之伸芳基的定義及例相同。
Ar3所示之雜環基的除去m個取代基之2價雜環基部分的定義及例係與前述之式(1X)中之ArX2所示之2價雜環基部分的定義及例相同。
Ar3所示之至少1種芳香族烴環與至少1種雜環直接鍵結之基的除去m個取代基之2價基的定義及例係與前述之式(1X)中之ArX2所示之至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結之2價基的定義及例相同。
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的亮度壽命優良，故Ar2以及Ar4較佳為可具有取代基之伸芳基。
Ar2以及Ar4所示之伸芳基的定義及例係與前述之式(1X)中之ArX1以及ArX3所示之伸芳基的定義及例相同。
Ar2以及Ar4所示之2價雜環基的定義及例係與前述之式(1X)中之ArX1以及ArX3所示之2價雜環基的定義及例相同。
Ar2、Ar3以及Ar4所示之基可具有取代基，作為取代基者，可列舉烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基、芳氧基、鹵素原子、1價雜環基以及氰基。
KA所示之伸烷基、伸環烷基、伸芳基、2價雜環基的定義及例係各別與LA所示之伸烷基、伸環烷基、伸芳基、2價雜環基的定義及例相同。
由於本發明之高分子化合物的製造變容易，故KA較佳為伸苯基或亞甲基。
作為X’所示之交聯基者，由於本發明之高分子化合物的交聯性優良，故較佳為式(XL-1)、(XL-3)、(XL-5)、(XL-7)、(XL-16)或(XL-17)所示之交聯基，更佳為式(XL-1)或式(XL-17)所示之交聯基。
由於本發明之高分子化合物的安定性及交聯性優良，故相對於高分子化合物中含有之構成單元的總計含量，式(5’)所示之構成單元的含量較佳為0.5至50莫耳%，更佳為3至30莫耳%，又更佳為3至20莫耳%。
於本發明之高分子化合物中，式(5’)所示之構成單元係可只有包括1種亦可包括2種以上。
[式(5)或式(5’)所示之構成單元的較佳態樣]
作為式(5)所示之構成單元者，可列舉例如式(5-1)至式(5-30)所示之構成單元，作為式(5’)所示之構成單元者，可列舉例如式(5’-1)至式(5’-9)所示之構成單元。該等之中，由於本發明之高分子化合物的交聯性優良，故較佳為式(5-1)至式(5-30)所示之構成單元，更佳為式(5-1)至式(5-15)、式(5-19)、式(5-20)、式(5-23)、式(5-25)或式(5-30)所示之構成單元，又更佳為式(5-1)至式(5-9)或式(5-30)所示之構成單元。
Figure 104127855-A0202-12-0043-41
Figure 104127855-A0202-12-0044-43
[其他構成單元]
本發明之高分子化合物可更包括下述式(Y)所示之構成單元。惟，式(Y)所示之構成單元與式(1Z)所示之構成單元相異。
Figure 104127855-A0202-12-0044-44
 [式中，ArY1表示伸芳基、2價雜環基或至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結之2價基，該等基可具有取代基]
ArY1所示之伸芳基更佳為式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)至式(A-11)、式(A-13)或式(A-19)所示之基，又更佳為式(A-1)、式(A-7)、式(A-9)或式(A-19) 所示之基，該等基可具有取代基。
ArY1所示之2價雜環基更佳為式(B-4)、式(B-13)或式(B-15)所示之基，又更佳為式(B-4)所示之基，該等基可具有取代基。
ArY1所示之至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結之2價基中之伸芳基以及2價雜環基之更佳的範圍、又更佳的範圍係各自與前述ArY1所示之伸芳基以及2價雜環基的更佳的範圍、又更佳的範圍相同。
作為ArY1所示之至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結之2價基者，可列舉與前述式(X)之ArX2以及ArX4所示之至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結之2價基相同者。
ArY1所示之基可具有之取代基，較佳為烷基、環烷基或芳香基，該等基可進一步具有取代基。
作為式(Y)所示之構成單元者，可列舉例如式(Y-1)至(Y-4)所示之構成單元，由使用本發明之高分子化合物的發光元件的亮度壽命的觀點而言，較佳為式(Y-1)或式(Y-2)所示之構成單元，由電子輸送性的觀點而言，較佳為式(Y-3)或式(Y-4)所示之構成單元。
Figure 104127855-A0202-12-0045-45
 [式中，RY1表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧 基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基。存在複數個之RY1係可為相同亦可為相異，鄰接之RY1彼此可互相鍵結並與各自所鍵結的碳原子一起形成環]
RY1較佳為氫原子、烷基、環烷基或芳香基，該等基可具有取代基。
Figure 104127855-A0202-12-0046-46
 [式中，RY1表示與前述相同的意義。XY1表示-C(RY2)2-、-C(RY2)=C(RY2)-或-C(RY2)2-C(RY2)2-所示之基。RY2表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基。存在複數個之RY2係可為相同亦可為相異，RY2彼此可互相鍵結並與各自所鍵結的碳原子一起形成環]
RY2較佳為烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，更佳為烷基、環烷基或芳香基，該等基可具有取代基。
於XY1中，-C(RY2)2-所示之基中的2個RY2之組合較佳為雙方為烷基或環烷基、雙方為芳香基、雙方為1價雜環基、或者一方為烷基或環烷基而另一方為芳香基或1價雜環基，更佳為一方為烷基或環烷基而另一方為芳香基，該等基可具有取代基。存在2個之RY2可互相鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環，RY2形成環時，做為 -C(RY2)2-所示之基者，較佳為式(Y-A1)至(Y-A5)所示之基，更佳為式(Y-A4)所示之基，該等基可具有取代基。
Figure 104127855-A0202-12-0047-47
於XY1中，-C(RY2)=C(RY2)-所示之基中的2個RY2之組合較佳為雙方為烷基或環烷基、或者一方為烷基或環烷基且另一方為芳香基，該等基可具有取代基。
於XY1中，-C(RY2)2-C(RY2)2-所示之基中的4個RY2較佳為可具有取代基之烷基或環烷基。存在複數個之RY2可互相鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環，RY2形成環時，做為-C(RY2)2-C(RY2)2-所示之基者，較佳為式(Y-B1)至(Y-B5)所示之基，更佳為式(Y-B3)所示之基，該等基可具有取代基。
Figure 104127855-A0202-12-0047-48
 [式中，RY2表示與前述相同的意義]
Figure 104127855-A0202-12-0047-49
 [式中，RY1表示與前述相同的意義。RY3表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基]
RY3，較佳為烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基，更佳為芳香基，該等基可具有取代基。
作為式(Y)所示之構成單元者，可列舉例如式(Y-11)至(Y-51)所示之構成單元。
Figure 104127855-A0202-12-0048-52
Figure 104127855-A0202-12-0049-53
Figure 104127855-A0202-12-0050-54
Figure 104127855-A0202-12-0051-55
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的亮度壽命優良，故相對於高分子化合物中含有之構成單元的總計含量，式(Y)所示之構成單元且ArY1為伸芳基之構成單元的含量較佳為0.5至80莫耳%，更佳為5至30莫耳%。
由於使用本發明之高分子化合物的發光元件的電荷輸送性優良，故相對於高分子化合物中含有之構成單元的總計含量，式(Y)所示之構成單元且ArY1為2價雜環基或至少1種伸芳基與至少1種2價雜環基直接鍵結之2價基之構成單元的含量較佳為0.5至30莫耳%，更佳為3至30莫耳%。
於本發明的高分子化合物中，式(Y)所示之構成單元係可只有包括1種亦可包括2種以上。
作為本發明之高分子化合物者，可列舉例如於表1及表2中所示之高分子化合物P-1至P-24。
Figure 104127855-A0202-12-0052-56
Figure 104127855-A0202-12-0053-57
 [表中，p、q、r、s、t、u以及v表示各構成單元之莫耳比率。p+q+r+s+t+u+v=100，且70≦p+q+r+s+t≦100。所謂其他構成單元係意指式(1)、式(1X)、式(1Z)、式(5)、式(5’)以及式(Y)所示之構成單元以外的構成單元]
於高分子化合物P-1至P-24中，式(1)、式(1X)、式(1Z)、式(5)、式(5’)以及式(Y)所示之構成單元的例以及較佳的範圍係如上所述。
當聚合活性基直接殘留時，由於使用高分子化合物於發光元件的製作時發光特性及亮度壽命有降低之可能性，故本發明之高分子化合物的末端基較佳為安定的基。作為該末端基者，較佳為與主鏈共軛鍵結之基，可列舉隔著碳-碳鍵結而與芳香基或1價雜環基鍵結的基。
本發明之高分子化合物係可為嵌段共聚物、無規共聚物、交替共聚物、接枝共聚物的任一種，亦可為其他態樣，惟較佳為複數種原料單體共聚形成之共聚物。
<高分子化合物之製造方法>
接著，針對本發明之高分子化合物的製造方法進行說明。
本發明之高分子化合物係可藉由例如使式(M-1)所示之化合物與其他化合物(例如，選自由式(M-1X)所示之化合物、式(M-1Z)所示之化合物、式(M-5)所示之化合物、式(M-5’)所示之化合物以及式(M-Y)所示之化合物所成群組中之至少1種的化合物)縮聚合而製造。於本說明 書中，有時將本發明之高分子化合物的製造中使用的化合物總稱為「原料單體」。
Figure 104127855-A0202-12-0055-58
 [式中，a1、a2、ArA1、ArA2、ArA3、ArA4、RA1、RA2、RA3、xa1、 xa2、ArX1、ArX2、ArX3、ArX4、RX1、RX2、RX3、RZ1、RZ2、XZ1、nA、n、Ar1、LA、X、mA、m、c、Ar2、Ar3、Ar4、KA以及X’表示與前述相同的意義。
ZC1至ZC12各自獨立地表示選自由取代基A群以及取代基B群所成群組中之基]
例如，ZC1以及ZC2係選自取代基A群之基時，ZC3至ZC12為選擇選自取代基B群之基。
例如，ZC1以及ZC2係選自取代基B群之基時，ZC3至ZC12為選擇選自取代基A群之基。
<取代基A群>
氯原子、溴原子、碘原子、-O-S(=O)2RC1(式中，RC1表示烷基、環烷基或芳香基，該等基可具有取代基)所示之基。
<取代基B群>
-B(ORC2)2(式中，RC2表示氫原子、烷基、環烷基或芳香基，該等基可具有取代基。存在複數個之RC2係可為相同亦可為相異，RC2可互相鍵結並與各自所鍵結的氧原子一起形成環結構)所示之基；-BF3Q’(式中，Q’表示鋰、鈉、鉀、銣或銫)所示之基；-MgY’(式中，Y’表示氯原子、溴原子或碘原子)所示之基；-ZnY”(式中，Y”表示氯原子、溴原子或碘原子)所示 之基；-Sn(RC3)3(式中，RC3表示氫原子、烷基、環烷基或芳香基，該等基可具有取代基。存在複數個之RC3係可為相同亦可為相異，RC3可互相鍵結並與各自所鍵結的錫原子一起形成環結構)所示之基。
作為-B(ORC2)2所示之基者，例示下述式所示之基。
Figure 104127855-A0202-12-0057-59
具有選自取代基A群之基的化合物與具有選自取代基B群之基的化合物，係藉由公知的偶合反應而縮聚合，並且與選自取代基A群之基及選自取代基B群之基鍵結之碳原子彼此會鍵結。因此，只要將具有2個選自取代基A群之基的化合物與具有2個選自取代基B群之基的化合物供給至公知的偶合反應中，藉由縮聚合，即可得到該等化合物的縮聚合物。
縮聚合一般於觸媒、鹼以及溶劑的存在下進行，惟根據所需亦可與相轉移觸媒共存下進行。
作為觸媒者，可列舉例如：二氯雙(三苯基膦)鈀、二氯雙(參-鄰-甲氧基苯基膦)鈀、鈀[肆(三苯基膦)]、[參(二亞苄基丙酮)]二鈀、乙酸鈀等鈀錯合物，鎳[肆(三苯基膦)]、[1,3-雙(二苯基膦基)丙烷]二氯化鎳、[雙(1,4-環辛二烯)]鎳等鎳錯合物等過渡金屬錯合物；該等過渡金 屬錯合物進一步具有三苯基膦、參隣-甲苯基膦、參第三丁基膦、三環己基膦、二苯基膦基丙烷、聯吡啶等配位基的錯合物。觸媒係可使用單獨1種亦可併用2種以上。
觸媒的使用量，相對於原料單體的總計莫耳數，以過渡金屬量換算，一般為0.00001至3莫耳當量。
作為鹼以及相轉移觸媒者，可列舉例如：碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸銫、氟化鉀、氟化銫、磷酸三鉀等無機鹼；氟化四丁基銨、氫氧化四丁基銨等有機鹼；氯化四丁基銨、溴化四丁基銨等相轉移觸媒。鹼以及相轉移觸媒係各自可使用單獨1種亦可併用2種以上。
鹼以及相轉移觸媒的使用量相對於原料單體的總計莫耳數而言，一般各自為0.001至100莫耳當量。
作為溶劑者，可列舉例如：甲苯、二甲苯、均三甲苯、四氫呋喃、1,4-二
Figure 104127855-A0202-12-0058-118
烷、二甲氧基乙烷、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺等有機溶劑、水。溶劑係可使用單獨1種亦可併用2種以上。
溶劑的使用量相對於原料單體的總計100重量份而言，一般為10至100000重量份。
縮聚合的反應溫度一般為-100℃至200℃。縮聚合的反應時間一般為1小時以上。
聚合反應的後處理係單獨或組合而進行公知的方法，例如：藉由分液而除去水溶性雜質之方法；或於甲醇等低級醇中加入聚合反應後的反應液，將所析出之沉澱過濾後，並使其乾燥的方法等。高分子化合物之純度 低時，可由例如再結晶、再沉澱、藉由索氏(Soxhlet)萃取器而進行之連續萃取、管柱層析等一般方法而精製。
屬於式(M-1)所示之化合物的一實施形態之式(1m-1)所示之化合物係可由例如下述所示之方法進行合成。
Figure 104127855-A0202-12-0059-60
 [式中，RA1表示與前述相同的意義。ArA11表示伸芳基或2價雜環基，該等基可具有取代基。惟，ArA11中，與溴原子或前述-B(ORC2)2所示之基形成鍵結之原子的相鄰的原子之至少1個原子具有烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基作為取代基，該等取代基可進一步具有取代基]
首先，藉由將式(1m-6)所示之化合物與雙(三甲基矽基)醯胺鋰使用鈀觸媒進行反應而衍生出式(1m-5)所示之化合物。接著，藉由將式(1m-5)所示之化合物與式(1m-4)所示之化合物進行布赫瓦爾德-哈特維希(Buchwald-Hartwig)反應而合成出式(1m-3)所示之化合物。 接著，藉由將式(1m-3)所示之化合物與溴化劑進行反應而合成出式(1m-2)所示之化合物。接著，藉由將式(1m-2)所示之化合物與雙聯硼酸頻哪醇酯(bis(pinacolato)diboron)使用鈀觸媒進行反應而可合成出式(1m-1)所示之化合物。
屬於式(M-1)所示之化合物的一實施形態之式(2m-1)所示之化合物係可由例如下述所示之方法進行合成。
Figure 104127855-A0202-12-0060-61
 [式中，ArA12表示伸芳基或2價雜環基，該等基可具有取代基。惟，ArA12中，與溴原子或前述-B(ORC2)2所示之基形成鍵結之原子的相鄰的原子之至少1個原子具有烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基作為取代基，該等取代基可進一步具有取代基。
ArA2表示與前述相同的意義。RA11表示與前述RA1相同的意義]
首先，藉由將式(2m-8)所示之化合物與雙(三甲基矽基)醯胺鋰使用鈀觸媒進行反應而衍生出式(2m-7)所示之化合物。接著，藉由將式(2m-7)所示之化合物 與式(2m-6)所示之化合物進行布赫瓦爾德-哈特維希反應而合成出式(2m-5)所示之化合物。接著，藉由將式(2m-5)所示之化合物與式(2m-4)所示之化合物進行布赫瓦爾德-哈特維希反應而合成出式(2m-3)所示之化合物。接著，藉由將式(2m-3)所示之化合物與溴化劑進行反應而合成出式(2m-2)所示之化合物。接著，藉由將式(2m-2)所示之化合物與雙聯硼酸頻哪醇酯使用鈀觸媒進行反應而可合成出式(2m-1)所示之化合物。
<組成物>
本發明之組成物係含有選自由電洞輸送材料、電洞注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、發光材料、抗氧化劑以及溶劑所成群組中之至少1種材料與本發明之高分子化合物。
含有本發明之高分子化合物以及溶劑之組成物(以下，稱為「印墨」)係適用於採用噴墨印刷法、噴嘴印刷法等印刷法之發光元件的製作。
印墨之黏度只要依印刷法之種類調整即可，惟於適用於噴墨印刷法等溶液經由吐出裝置之印刷法時，為了防止吐出時的堵塞或飛行彎曲，較佳為於25℃中為1至20mPa‧s。
印墨所含之溶劑，較佳為可溶解或均勻分散該印墨中的固形成分之溶劑。作為溶劑者，可列舉例如：1,2-二氯乙烷、1,1,2-三氯乙烷、氯苯、鄰-二氯苯等氯系溶 劑；四氫呋喃、二
Figure 104127855-A0202-12-0062-119
烷、大茴香醚、4-甲基大茴香醚等醚系溶劑；甲苯、二甲苯、均三甲苯、乙基苯、正己基苯、環己苯等芳香族烴系溶劑；環己烷、甲基環己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷、正十二烷、聯環己烷等脂肪族烴系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、環己酮、苯乙酮等酮系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸乙賽璐蘇、安息香酸甲酯、乙酸苯酯等酯系溶劑；乙二醇、丙三醇(glycerin)、1,2-己烷二醇等多元醇系溶劑；異丙醇、環己醇等醇系溶劑；二甲亞碸等亞碸系溶劑；N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺等醯胺系溶劑。溶劑係可使用單獨1種，亦可併用2種以上。
印墨中，溶劑的調配量相對於本發明高分子化合物100重量份而言，一般為1000至100000重量份，較佳為2000至20000重量份。
[電洞輸送材料]
電洞輸送材料分類為低分子化合物與高分子化合物，較佳為高分子化合物，更佳為具有交聯基之高分子化合物。
作為高分子化合物者，可列舉例如：聚乙烯咔唑及其衍生物；於側鏈或主鏈具有芳香族胺結構之聚伸芳基及其衍生物。高分子化合物係可為鍵結有電子接受性部位的化合物。作為電子接受性部位者，可舉例如富勒烯、四氟四氰基醌二甲烷、四氰基乙烯、三硝基茀酮等，較佳為富勒烯。
於本發明的組成物中，電洞輸送材料的調配量相對於本發明高分子化合物100重量份而言，一般為1至400重量份，較佳為5至150重量份。
電洞輸送材料係可使用單獨1種，亦可併用2種以上。
[電子輸送材料]
電子輸送材料係分類為低分子化合物及高分子化合物。電子輸送材料係可具有交聯基。
作為低分子化合物者，可列舉例如：以8-羥基喹啉為配位子的金屬錯合物、
Figure 104127855-A0202-12-0063-120
二唑、蒽醌二甲烷(anthraquinodimethane)、苯醌、萘醌、蒽醌、四氰基蒽醌二甲烷、茀酮、二苯基二氰基乙烯及聯苯醌，以及該等之衍生物。
作為高分子化合物者，可列舉例如聚伸苯基、聚茀以及該等之衍生物。高分子化合物亦可以金屬摻雜。
於本發明的組成物中，電子輸送材料的調配量相對於本發明高分子化合物100重量份而言，一般為1至400重量份，較佳為5至150重量份。
電子輸送材料係可使用單獨1種，亦可併用2種以上。
[電洞注入材料以及電子注入材料]
電洞注入材料以及電子注入材料係各自分類為低分子化合物及高分子化合物。電洞注入材料以及電子注入材料係可具有交聯基。
作為低分子化合物者，可例舉例如：銅酞菁等金屬酞菁；碳；鉬、鎢等的金屬氧化物；氟化鋰、氟化鈉、氟化銫、氟化鉀等金屬氟化物。
作為高分子化合物者，可列舉例如：聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚伸苯基伸乙烯、聚伸噻吩基伸乙烯、聚喹啉及聚喹
Figure 104127855-A0202-12-0064-121
啉(Polyquinoxaline)以及該等的衍生物；於主鏈或側鏈包含芳香族胺結構之聚合物等導電性高分子。
於本發明的組成物中，電洞注入材料以及電子注入材料的調配量相對於本發明高分子化合物100重量份而言，一般各別為1至400重量份，較佳為5至150重量份。
電洞注入材料以及電子注入材料係各自可使用單獨1種，亦可併用2種以上。
[離子摻雜]
電洞注入材料或電子注入材料包含導電性高分子時，導電性高分子的導電度，較佳為1×10-5S/cm至1×103S/cm。為了使導電性高分子的導電度為所述之範圍，係可於導電性高分子中摻雜適量的離子。
若為電洞注入材料則摻雜的離子種類為陰 離子，若為電子注入材料則摻雜的離子種類為陽離子。作為陰離子者，可列舉例如聚苯乙烯磺酸離子、烷基苯磺酸離子、樟腦磺酸離子。作為陽離子者，可列舉例如鋰離子、鈉離子、鉀離子、四丁基銨離子。
摻雜的離子可為只有一種，亦可為2種以上。
[發光材料]
發光材料係分類為低分子化合物及高分子化合物。發光材料係可具有交聯基。
作為低分子化合物者，可列舉例如：萘及其衍生物、蒽及其衍生物、苝及其衍生物以及以銥、鉑或銪為中心金屬的三重態發光錯合物。
作為高分子化合物者，可舉例如包含伸苯基、萘二基、茀二基、菲二基、二氫菲二基、式(1)所示之基、式(1X)所示之基、咔唑二基、啡
Figure 104127855-A0202-12-0065-106
二基、啡噻
Figure 104127855-A0202-12-0065-105
二基、蒽二基、芘二基等的高分子化合物。
發光材料可包含低分子化合物及高分子化合物，較佳為包含三重態發光錯合物以及高分子化合物。
作為三重態發光錯合物者，較佳為式Ir-1至Ir-5所示之金屬錯合物等銥錯合物。
Figure 104127855-A0202-12-0066-62
 [式中，RD1至RD8、RD11至RD20、RD21至RD26以及RD31至RD37係各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基、芳氧基、1價雜環基或鹵素原子，該等基可具有取代基。RD1至RD8、RD11至RD20、RD21至RD26以及RD31至RD37存在複數個時，該等各自可為相同亦可為相異。
-AD1---AD2-表示陰離子性的2牙配位子，AD1以及AD2各自獨立地表示與銥原子鍵結的碳原子、氧原子或氮原子，該等原子亦可為構成環之原子。-AD1---AD2-存在複數個時，該等可為相同亦可為相異。
nD1表示1、2或3，nD2表示1或2]
於式Ir-1所示之金屬錯合物中，較佳為RD1至RD8的至少1個係式(D-A)所示之基。
於式Ir-2所示之金屬錯合物中，較佳為RD11至RD20的至少1個係式(D-A)所示之基。
於式Ir-3所示之金屬錯合物中，較佳為RD1至RD8以及RD11至RD20的至少1個係式(D-A)所示之基。
於式Ir-4所示之金屬錯合物中，較佳為RD21至RD26的至少1個係式(D-A)所示之基。
於式Ir-5所示之金屬錯合物中，較佳為RD31至RD37的至少1個係式(D-A)所示之基。
Figure 104127855-A0202-12-0067-63
 [式中，mDA1、mDA2及mDA3各自獨立地表示0以上的整數。
GDA1表示氮原子、芳香族烴基或雜環基，該等基可具有取代基。
ArDA1、ArDA2及ArDA3各自獨立地表示伸芳基或2價雜環基，該等基可具有取代基。於ArDA1、ArDA2及ArDA3為複數個時，該等各自可為相同亦可為相異。
TDA表示芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基。複數個TDA係可為相同亦可為相異]
mDA1、mDA2及mDA3一般為10以下的整數，較佳為5以下的整數，更佳為0或1。mDA1、mDA2及mDA3為相同的整數較佳。
GDA較佳為式(GDA-11)至(GDA-15)所示之基，該等基可具有取代基。
Figure 104127855-A0202-12-0068-64
 [式中，*、**及***各自表示與ArDA1、ArDA2及ArDA3的鍵結。
RDA表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基，該等基可進一步具有取代基。RDA為複數個時，該等可為相同亦可為相異]
RDA較佳為氫原子、烷基、環烷基、烷氧基或環烷氧基，更佳為氫原子、烷基或環烷基，該等基可具有取代基。
ArDA1、ArDA2及ArDA3較佳為式(ArDA-1)至(ArDA-3)所示之基。
Figure 104127855-A0202-12-0068-65
 [式中，RDA表示與前述相同的意義。
RDB表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基。RDB為複數個時，該等可為相同亦可為相異]
TDA較佳為式(TDA-1)至(TDA-3)所示之基。
Figure 104127855-A0202-12-0069-67
 [式中，RDA及RDB表示與前述相同的意義]
式(D-A)所示之基，較佳為式(D-A1)至(D-A3)所示之基。
Figure 104127855-A0202-12-0069-66
 [式中，Rp1、Rp2及Rp3各自獨立地表示烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基或鹵素原子。Rp1及Rp2為複數個時，該等各自可為相同亦可為相異。
np1表示0至5的整數，np2表示0至3的整數，np3 表示0或1。複數個np1時，可為相同亦可為相異]
np1較佳為0或1，更佳為1。np2較佳為0或1，更佳為0。np3較佳為0。
Rp1、Rp2及Rp3較佳為烷基或環烷基。
作為-AD1---AD2-所示之陰離子性的2牙配位子者，例如下述式所示之配位子。
Figure 104127855-A0202-12-0070-68
 [式中，*表示與Ir鍵結的部位]
作為式Ir-1所示之金屬錯合物者，較佳為式Ir-11至Ir-13所示之金屬錯合物。作為式Ir-2所示之金屬錯合物者，較佳為式Ir-21所示之金屬錯合物。作為式Ir-3所示之金屬錯合物者，較佳為式Ir-31至Ir-33所示之金屬錯合物。作為式Ir-4所示之金屬錯合物者，較佳為式Ir-41至Ir-43所示之金屬錯合物。作為式Ir-5所示之金屬錯合物者，較佳為式Ir-51至Ir-53所示之金屬錯合物。
Figure 104127855-A0202-12-0070-69
Figure 104127855-A0202-12-0071-70
 [式中，nD2表示1或2。
D表示式(D-A)所示之基。存在複數個之D可為相同亦可為相異。
RDC表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基。存在複數個之RDC可為相同亦可為 相異。
RDD表示烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基。存在複數個之RDD可為相同亦可為相異]
作為三重態發光錯合物者，例如以下所示之金屬錯合物。
Figure 104127855-A0202-12-0072-71
Figure 104127855-A0202-12-0073-72
Figure 104127855-A0202-12-0074-73
於本發明的組成物中，發光材料的含量相對於本發明高分子化合物100重量份而言，一般為0.1至400重量份。
[抗氧化劑]
抗氧化劑只要為可溶於與本發明高分子化合物相同的溶劑，且不阻礙發光以及電荷輸送之化合物即可，可列舉例如酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑。
本發明之組成物中，抗氧化劑的調配量相對於本發明之高分子化合物100重量份而言，一般為0.001至10重量份。
抗氧化劑係可使用單獨1種，亦可併用2種以上。
<膜>
膜係可直接含有本發明之高分子化合物，亦可為以本發明之高分子化合物係於分子內或分子間交聯之狀態(交聯體)，或者是，以於分子內以及分子間交聯之狀態(交聯體)被含有。本發明之高分子化合物的交聯體可為本發明之高分子化合物與其他化合物於分子間交聯之交聯體。含有本發明之高分子化合物的交聯體之膜係將含有本發明之高分子化合物之膜藉由加熱、光照射等外部刺激進行交聯而獲得之膜。含有本發明之高分子化合物的交聯體之膜係由於實質性不溶於溶劑，因此可適合使用於後述發光元件之積層化。
為了使膜交聯之加熱溫度，一般為25℃至300℃，由於外部量子產率會變良好，故較佳為50至250℃，更佳為150至200℃。
為了使膜交聯之光照射中使用之光種類，例如紫外光、近紫外光、可見光。
膜適合作為於發光元件中之電洞輸送層或電洞注入層。
膜係使用印墨，並可藉由例如旋塗法、澆鑄法、微凹版塗佈法、凹版塗佈法、棒塗法、輥塗法、線棒塗佈法、浸塗法、噴塗法、網版印刷法、柔版印刷法、 平版印刷法、噴墨印刷法、毛細管塗佈法、噴嘴塗佈法進行製作。
膜的厚度，一般為1nm至10μm。
<發光元件>
本發明之發光元件係使用本發明之高分子化合物而獲得之有機電致發光等的發光元件，該發光元件有，例如含有本發明之高分子化合物之發光元件，本發明之高分子化合物以於分子內、分子間或於該等兩者中交聯之狀態(交聯體)被含有之發光元件。
作為本發明之發光元件的構成者，例如具有包括陽極以及陰極之電極、與設置於該電極間之使用本發明的高分子化合物而獲得之層。
[層構成]
使用本發明之高分子化合物而獲得之層一般為發光層、電洞輸送層、電洞注入層、電子輸送層、電子注入層之1種以上的層，較佳為電洞輸送層。該等層各自包含發光材料、電洞輸送材料、電洞注入材料、電子輸送材料、電子注入材料。該等層係可分別將發光材料、電洞輸送材料、電洞注入材料、電子輸送材料、電子注入材料溶解至上述溶劑中，調製印墨而使用，使用與製作上述之膜相同的方法而形成該等層。
發光元件係於陽極與陰極之間具有發光 層。由電洞注入性及電洞輸送性的觀點而言，本發明之發光元件較佳為於陽極與發光層之間，具有電洞注入層及電洞輸送層之至少1層；由電子注入性及電子輸送性的觀點而言，本發明之發光元件較佳為於陰極與發光層之間，具有電子注入層及電子輸送層之至少1層。
作為電洞輸送層、電子輸送層、發光層、電洞注入層以及電子注入層的材料者，除了本發明之高分子化合物之外，分別可列舉上述之電洞輸送材料、電子輸送材料、發光材料、電洞注入材料以及電子注入材料。
電洞輸送層的材料、電子輸送層的材料以及發光層的材料係於發光元件的製作中，各自會溶解於形成隣接電洞輸送層、電子輸送層以及發光層之層時所使用的溶劑中之情形下，為了避免該材料溶解於該溶劑中，較佳為該材料具有交聯基。使用具有交聯基之材料形成各層後，藉由使該交聯基交聯，而可使該層不溶化。
本發明之發光元件中，作為發光層、電洞輸送層、電子輸送層、電洞注入層、電子注入層等各層之形成方法者，當使用低分子化合物時，可列舉例如：由粉末進行之真空蒸鍍法、藉由從溶液或溶融狀態進行成膜之方法；當使用高分子化合物時，可列舉例如藉由從溶液或溶融狀態進行成膜之方法。
積層之層的順序、數目、及厚度只要斟酌外部量子產率及元件壽命而調整即可。
[基板/電極]
於發光元件中之基板，只要是可形成電極，而且，形成有機層時無化學變化之基板即可，例如，包含玻璃、塑膠、矽等材料之基板。為不透明基板時，較佳為距離基板最遠之電極為透明或半透明。
作為陽極的材料者，可列舉例如：導電性金屬氧化物、半透明的金屬，較佳為氧化銦、氧化鋅、氧化錫；銦‧錫‧氧化物(ITO)、銦‧鋅‧氧化物等導電性化合物；銀與鈀與銅之複合物(APC)；NESA、金、鉑、銀、銅。
作為陰極的材料者，可列舉例如：鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鋅、銦等金屬；該等之中的2種以上之合金；該等之中的1種以上與銀、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、錫之中的1種以上之合金；以及石墨及石墨層間化合物。作為合金者，可列舉例如：鎂-銀合金、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金、鈣-鋁合金。
陽極以及陰極係各自可為2層以上之積層構造。
[用途]
為了使用發光元件而得到面狀的發光，只要以使面狀的陽極與陰極重疊之方式配置即可。為了得到圖案(pattern)狀的發光，有：於面狀的發光元件的表面上設置設有圖案狀的窗口之遮罩的方法；使欲設為非發光部的層極厚地形 成而實質上不發光的方法；將陽極或陰極或者兩電極形成為圖案狀的方法。藉由使用該等之中任一種方法而形成圖案，以可獨立地開/關(ON/OFF)之方式配置一些電極，而可得到可顯示數字、文字等的節段式顯示裝置。為了成為點矩陣顯示裝置，只要使陽極與陰極一同形成為條(stripe)狀並以正交之方式配置即可。藉由分別塗佈複數種的發光色相異的高分子化合物的方法、使用彩色濾光片或螢光轉換濾光片的方法，可成為部分彩色顯示、多彩顯示。點矩陣顯示裝置，係可被動式驅動，亦可與TFT等組合而主動式驅動。該等顯示裝置，係可使用於電腦、電視、攜帶終端等的顯示器。面狀的發光元件，可適用作為液晶顯示裝置的背光用之面狀光源或面狀照明用光源。若使用可撓性基板，則亦可使用作為曲面狀的光源以及顯示裝置。
[實施例]
以下，藉由實施例對本發明更詳細地說明，惟本發明不限定於該等實施例。
於實施例中，高分子化合物以聚苯乙烯換算的數量平均分子量(Mn)以及以聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)，係藉由粒徑篩析層析儀(SEC)(島津製作所製、商品名：LC-10Avp)而求得。再者，SEC的測定條件，係如下述。
[測定條件]
將測定的高分子化合物以約0.05重量%的濃度溶解於四 氫呋喃(THF)中，再將10μL注入於SEC。使用四氫呋喃作為SEC的移動相，以2.0mL/分鐘的流量流動。使用PLgel MIXED-B(聚合物實驗室(Polymer Laboratories)製)作為管柱。檢測器係使用UV-VIS檢測器(島津製作所製、商品名：SPD-10Avp)。
液相層析質譜分析(LC-MS)係以下述之方法進行。
將測定試料以成為約2mg/mL的濃度之方式溶解於氯仿或四氫呋喃中，於LC-MS(Agilent Technologies公司製，商品名：1100 LCMSD)中注入約1μL。LC-MS的移動相係一邊改變乙腈與四氫呋喃之比率一邊使用，以0.2mL/分鐘的流量通過。管柱係使用L-column 2 ODS(3μm)(化學物質評價研究機構製，內徑：2.1mm，長度：100mm，粒徑3μm)。
NMR之測定係以下述方法進行。
將測定試料5至10mg溶解於約0.5mL之氘代氯仿(CDCl3)、氘代四氫呋喃(THF-d8)或氘代二氯甲烷(CD2Cl2)中，而使用NMR裝置(Varian製，商品名：MERCURY 300)進行測定。
作為化合物純度之指標，係使用高速液相層析(HPLC)面積百分率之值。該值除非特別記載，不然係以HPLC(島津製作所製，商品名：LC-20A)於254nm時之值作為該值。此時，測定之化合物，係以成為0.01至0.2重量%之濃度之方式溶解於氯仿或四氫呋喃中，再依照濃度注入1至10μL至HPLC中。HPLC之移動相，係使用乙 腈及四氫呋喃，以1mL/分鐘之流速，通過乙腈/四氫呋喃=100/0至0/100(容積比)之梯度分析。管柱係使用Kaseisorb LC ODS 2000(東京化成工業製)或具有同等性能之ODS管柱。檢測器係使用光二極體陣列檢測器(島津製作所製，商品名：SPD-M20A)。
<合成例1>化合物2之合成
Figure 104127855-A0202-12-0081-74
使反應容器內成為氬氣環境後，加入化合物1(199.0g)、[1,3-雙(二苯基膦基)丙烷]二氯鎳(15.4g)以及環戊基甲基醚(1460mL)並攪拌。之後，花費1小時將溴化甲基鎂醚溶液(3mol/L，292mL)添加至該反應容器中。將所得之反應液升溫至40℃並於40℃攪拌4小時。再將所得之反應液冷卻至室溫後加入鹽酸水溶液(1mol/L，200mL)。將所得之反應液進行分液並將所得之有機層以離子交換水洗淨。藉由將所得之洗淨液以無水硫酸鎂乾燥後進行過濾，將所得之濾液減壓濃縮而獲得固體。於所得之固體中加入甲苯以及活性碳並攪拌30分鐘。藉由將所得之甲苯溶液以鋪設有矽膠以及矽藻土之過濾器進行過濾，將所得之濾液減壓濃縮而獲得固體。藉由將所得之固體以矽膠管柱層析(己烷以及乙酸乙酯的混合溶劑)精製並使用異丙醇進行再 結晶後，於50℃減壓乾燥而獲得化合物2(81g，白色固體)。化合物2的HPLC面積百分率值為97.2%。藉由反覆進行此操作而獲得化合物2的必要量。
LC-MS(APPI，positive)：[M]+208.
<合成例2>化合物3的合成
Figure 104127855-A0202-12-0082-75
使反應容器內成為氮氣環境後，加入化合物2(96g)以及二氯甲烷(1200mL)並使用冰浴冷卻反應容器。之後，花費2小時將溴(74g)滴下至該反應容器中，並一邊使用冰浴冷卻反應容器一邊攪拌3小時。之後，加入10重量%亞硫酸鈉水溶液(150mL)並攪拌。將所得之反應液進行分液並將所得之有機層以離子交換水洗淨。藉由將所得之洗淨液進行分液並將所得之有機層以硫酸鎂乾燥後進行過濾，將所得之濾液減壓濃縮而獲得固體。於所得之固體中加入己烷、甲苯以及活性碳並攪拌1小時。藉由將所得之溶液以鋪設有矽膠以及矽藻土之過濾器進行過濾，將所得之濾液減壓濃縮而獲得固體。藉由將所得之固體使用甲苯以及異丙醇之混合溶液進行再結晶後，於50℃減壓乾燥而獲得化合物3(83g，白色固體)。化合物3的HPLC面積百分率值為98.9%。
LC-MS(APPI，positive)：[M]+286.
<合成例3>化合物4的合成
Figure 104127855-A0305-02-0086-1
使反應容器內成為氬氣環境後，加入化合物3(83.0g)、參(二亞苄基丙酮)二鈀(0)(2.6g)、(2-聯苯)二環己基膦(2.4g)以及四氫呋喃(800mL)並攪拌。之後，花費30分鐘將雙(三甲基矽基)醯胺鋰/四氫呋喃溶液(1.3mol/L，334mL)添加至該反應容器中。將所得之反應液升溫至65℃後，於65℃攪拌4小時。之後，使用冰浴冷卻反應容器並加入鹽酸水溶液(2mol/L，800mL)，一邊使用冰浴冷卻反應容器一邊攪拌1.5小時。之後，加入氫氧化鈉水溶液(6mol/L，600mL)至反應容器中而進行中和。將所得之反應液進行分液並將所得之有機層以離子交換水洗淨。再將所得之洗淨液進行分液並將所得之有機層以硫酸鎂乾燥後進行過濾。將所得之濾液減壓濃縮後加入己烷並懸浮攪拌1小時後過濾而獲得黃色固體。將所得之黃色固體使用己烷、懸浮攪拌後過濾。藉由反覆將所得之殘渣使用己烷及甲苯的混合溶液進行再結晶之操作後，於50℃減壓乾燥而獲得化合物4(40g，淡黃色固體)。化合物4的HPLC面積百分率值為99.1%。
1H-NMR(CDCl3,300MHz)：δ(ppm)=1.43(6H,s),2.40(3H,s),3.72(2H,s),6.64(1H,dd),6.743(1H,d),7.09(1H,d),7.17(1H,d),7.46(2H,d).
<合成例4>化合物6的合成
Figure 104127855-A0202-12-0084-77
使反應容器內成為氬氣環境後，加入化合物4(34.0g)、化合物5(80.8g)、參(二亞苄基丙酮)二鈀(0)(1.4g)、參-第三丁基膦四氟硼酸鹽(0.9g)以及甲苯(680mL)並升溫至50℃，並於50℃進行攪拌。之後，加入第三丁醇鈉(43.9g)至反應容器中並升溫至110℃後，於110℃攪拌4小時。之後加入甲苯至反應容器中並以鋪設有矽藻土之過濾器進行過濾。將所得之濾液以離子交換水、15重量%的食鹽水按順序進行洗淨。藉由將所得之洗淨液進行分液後，將所得之有機層減壓濃縮而獲得粗生成物。於所得之粗生成物中加入己烷以及活性碳並攪拌1小時。藉由將所得之溶液以鋪設有矽膠以及矽藻土之過濾器進行過濾，將所得之濾液減壓濃縮而獲得油狀物。藉由將所得之油狀物 以矽膠管柱層析(己烷以及乙酸乙酯的混合溶劑)精製而獲得化合物6(22g，無色油狀物)。化合物6的HPLC面積百分率值為99.5%。
LC-MS(APCI,positive)：[M+H]+544.
<合成例5>化合物7的合成
Figure 104127855-A0202-12-0085-78
使反應容器內成為氮氣環境後，加入化合物6(22g)以及氯仿(360mL)並使用冰浴冷卻反應容器。之後，加入N-溴琥珀醯亞胺(84g)至反應容器中，並一邊使用冰浴冷卻反應容器一邊攪拌6小時。之後加入10重量%亞硫酸鈉水溶液(50mL)並攪拌。將所得之反應液進行分液並將所得之有機層以離子交換水洗淨。藉由將所得之洗淨液進行分液，並將所得之有機層以硫酸鎂乾燥後過濾，將所得之濾液減壓濃縮而獲得固體。於所得之固體中加入己烷以及活性碳並攪拌1小時。藉由將所得之溶液以鋪設有矽膠以及矽藻土之過濾器進行過濾，並將所得之濾液減壓濃縮而獲得固體。藉由將所得之固體以矽膠管柱層析(己烷) 進行精製並使用丙酮進行再結晶後，於50℃減壓乾燥而獲得化合物7(12g，白色固體)。化合物7的HPLC面積百分率值為99.5%以上。藉由反覆進行此操作而獲得化合物7的必要量。
LC-MS(APCI,positive)：[M+H]+700.
<合成例6>化合物8的合成
Figure 104127855-A0202-12-0086-79
使反應容器內成為氬氣環境後，加入雙聯硼酸頻哪醇酯(14.0g)、環戊基甲基醚(60mL)、乙酸鉀(10.6g)以及[1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵]二氯化鈀(0.4g)並升溫至100℃。之後，花費1小時添加已溶解於環戊基甲基醚(69mL)中之化合物7(12.9g)至反應容器中，並於100℃攪拌5小時。將所得之反應液冷卻至室溫後，以離子交換水洗淨。將所得之洗淨液進行分液並將所得之有機層以離子交換水洗淨。藉由將所得之洗淨液以硫酸鎂進行乾燥後過濾，並將所得之濾液減壓濃縮而獲得固體。於所得之固體中加入己烷、甲苯以及活性碳並攪拌1小時。藉由將所得之溶液 以鋪設有矽膠以及矽藻土之過濾器進行過濾，並將所得之濾液減壓濃縮而獲得固體。藉由將所得之固體以矽膠管柱層析(己烷以及甲苯之混合溶劑)進行精製後，於50℃減壓乾燥而獲得化合物8(8.1g，白色固體)。化合物8的HPLC面積百分率值為99.5%以上。
LC-MS(ESI,positive)：[M+K]+795.
1H-NMR(CDCl3,300MHz)：δ(ppm)=0.86(6H,s),1.23-1.53(46H,m),2.42(3H,s),2.74(4H,t),6.88-6.92(4H,m),6.99(1H,d),7.12(1H,d),7.19(2H,d),7.50(1H,d),7.53(1H,d),7.63(2H,d).
<合成例7>化合物10的合成
Figure 104127855-A0202-12-0087-80
使反應容器內成為氬氣環境後，加入化合物9(12.9g)、雙聯硼酸頻哪醇酯(25.4g)、二甲氧基乙烷(280mL)、乙酸鉀(25.6g)、[1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵]二氯化鈀(3.2g)以及二苯基膦基二茂鐵(2.2g)，並於85℃攪拌7小時。之後，添加甲苯至反應容器中並將所得之有機層以離子交換水洗淨。將所得之洗淨液進行分液後，將所得 之有機層減壓濃縮。於所得之固體中加入己烷、甲苯以及活性碳並攪拌1小時。藉由將所得之溶液以鋪設有矽膠以及矽藻土之過濾器進行過濾，並將所得之濾液減壓濃縮之操作重複3次而獲得固體。藉由將所得之固體使用甲苯以及乙腈之混合溶劑進行再結晶，接著使用甲苯進行再結晶後，減壓乾燥而獲得化合物10(11g，白色固體)。化合物10的HPLC面積百分率值為99.5%以上。
LC-MS(apci,positive)：[M+H]+554.4.
1H-NMR(CDCl3,300MHz)：δ(ppm)=0.84(3H,t),1.23(3H,d),1.33(24H,s),1.60(2H,dq),2.56(1H,tq),7.07(8H,m),7.66(4H,d).
<合成例8>化合物11的合成
Figure 104127855-A0202-12-0088-81
使反應容器內成為氬氣環境後，加入4-溴甲苯(31.5g)、3-乙基咔唑(30.0g)、二甲苯(1200mL)、乙酸 鉀(1.0g)以及參-第三丁基膦四氟硼酸鹽(2.9g)並攪拌。之後，添加第三丁醇鈉(44.3g)至反應容器中並於130℃攪拌13小時。之後，使用冰浴冷卻反應容器並加入離子交換水(200mL)進行洗淨。將所得之洗淨液進行分液並將所得之有機層以離子交換水洗淨。再將所得之洗淨液進行分液並將所得之有機層以硫酸鎂乾燥後過濾。將所得之濾液濃縮後，加入己烷以及活性碳並於室溫攪拌30分鐘後，以鋪設有矽藻土的過濾器進行過濾。將所得之濾液減壓濃縮後加入己烷以及活性白土並於室溫攪拌30分鐘後，以鋪設有矽膠以及矽藻土的過濾器進行過濾。藉由將所得之濾液減壓濃縮而獲得油狀物。藉由將所得之油狀物以矽膠管柱層析(己烷以及乙酸乙酯之混合溶劑)進行精製並於50℃減壓乾燥而獲得化合物11-a(43.0g，油狀物)。化合物11-a的HPLC面積百分率值為99.4%。
1H-NMR(CDCl3,300MHz)δ(ppm)：1.32(3H,t),2.48(3H,s),2.85(2H,q),7.25-7.41(9H,m),7.95(1H,s),8.12(d,1H).
使反應容器內成為氮氣環境後，加入化合物11-a(42.0g)以及氯仿(330mL)並冷卻至-10℃。之後，添加苄基三甲基三溴化銨(57.4g)至反應容器中並於-10℃攪拌10小時。之後，添加10重量%亞硫酸鈉水溶液至反應容器中並攪拌。將所得之反應液進行分液，並將所得之有機層以離子交換水洗淨。藉由將所得之洗淨液進行分液並將所得之有機層以硫酸鎂乾燥後過濾，並將所得之濾液濃縮而獲得白色固體。之後，加入己烷、甲苯以及活性碳至 反應容器中並於室溫攪拌30分鐘後，以鋪設有矽藻土的過濾器進行過濾，將所得之濾液藉由減壓濃縮而獲得固體。於所得之固體中加入己烷並懸浮攪拌後進行過濾。藉由將所得之固體使用甲苯、甲醇以及乙醇的混合溶劑進行再結晶後，於50℃減壓乾燥而獲得化合物11-b(35.0g，白色固體)。化合物11-b的HPLC面積百分率值為99.5%以上。
1H-NMR(CDCl3,300MHz)δ(ppm)：1.34(3H,t),2.48(3H,s),2.83(2H,q),7.20(1H,d),7.28(2H,s),7.39(4H,s),7.44(dd,1H),7.89(s,1H),8.22(d,1H).
使反應容器內成為氮氣環境後，加入化合物11-b(34.0g)、參(二亞苄基丙酮)二鈀(0)(0.9g)、(2-聯苯)二環己基膦(0.8g)以及四氫呋喃(136mL)並於室溫攪拌。之後，花費1小時將雙(三甲基矽基)醯胺鋰/四氫呋喃溶液(1.3mol/L，108mL)滴下至該反應容器中之後，並於65℃攪拌4小時。使用冰浴冷卻反應容器後，加入鹽酸水溶液(2M，240mL)，一邊使用冰浴冷卻反應容器一邊攪拌30分鐘後而析出固體。將析出之固體過濾，將所得之殘渣溶解至甲苯以及己烷的混合溶劑中。之後，加入氫氧化鈉水溶液(2M，200mL)至反應容器中進行中和。將所得之反應液進行分液並將所得之有機層以離子交換水洗淨。將所得之洗淨液進行分液並將所得之有機層以硫酸鎂乾燥並進行過濾，將所得之濾液濃縮。之後，藉由加入己烷、甲苯以及活性碳至反應容器中並於室溫攪拌30分鐘後，以鋪設有矽藻土之過濾器進行過濾，將所得之濾液減壓濃縮而獲得油 狀物。藉由將所得之油狀物以矽膠管柱層析(己烷以及乙酸乙酯之混合溶劑)進行精製，並於50℃減壓乾燥而獲得化合物11-c(19.0g，紅色固體)。化合物11-c的HPLC面積百分率值為99.5%以上。
1H-NMR(CDCl3,300MHz)δ(ppm)：1.33(t,3H),2.46(s,3H),2.81(q,2H),6.81(dd,1H),7.18(s,1H),7.21(s,1H),7.25-7.43(m,6H),7.84(s,1H).
使反應容器內成為氬氣環境後，加入化合物11-c(17.5g)、3-溴己基苯(30.9g)、參(二亞苄基丙酮)二鈀(0)(0.5g)、參-第三丁基膦四氟硼酸鹽(0.3g)以及甲苯(350mL)並於50℃攪拌。之後，添加第三丁醇鈉(16.8g)至反應容器中並於110℃攪拌4小時。將所得之反應混合物冷卻至室溫後，加入離子交換水(100mL)進行洗淨，並將所得之洗淨液進行分液。將所得之有機層以離子交換水洗淨並將所得之洗淨液進行分液。將所得之有機層以硫酸鎂乾燥後過濾，並將所得之濾液濃縮。之後，加入己烷以及活性碳至反應容器中並於室溫攪拌30分鐘後，以鋪設有矽藻土的過濾器進行過濾。藉由將所得之濾液減壓濃縮而獲得油狀物。藉由將所得之油狀物以矽膠管柱層析(己烷以及乙酸乙酯之混合溶劑)進行精製並於50℃減壓乾燥而獲得化合物11-d(24.0g，橙色油狀物)。化合物11-d的HPLC面積百分率值為97.6%。
1H-NMR(CDCl3,300MHz)δ(ppm)：0.85(6H,t),1.18-1.36(16H,m),1.54(4H,m),2.47(4H,s),2.48-2.60(2H,m),2.7 8(2H,q),6.77(2H,d),6.89(2H,d),6.96(2H,s),7.07-7.48(10H,m),7.81(1H,s),7.90(1H,s).
使反應容器內成為氮氣環境後，加入化合物11-d(23.3g)以及二氯甲烷(396mL)並冷卻至-10℃。之後，添加苄基三甲基三溴化銨(29.3g)至反應容器中並於-10℃攪拌13小時。之後，添加10重量%亞硫酸鈉水溶液至反應容器中並攪拌。將所得之反應液進行分液，並將所得之有機層以離子交換水洗淨。將所得之洗淨液進行分液並將所得之有機層以硫酸鎂乾燥後，將所得之濾液濃縮。之後，藉由添加庚烷以及活性碳至反應容器中並在室溫攪拌30分鐘後，以鋪設有矽藻土的過濾器進行過濾，並將所得之濾液減壓濃縮而獲得油狀物。藉由將所得之油狀物以矽膠管柱層析(己烷以及乙酸乙酯之混合溶劑)進行複數次精製並於50℃減壓乾燥而獲得化合物11(17.0g，油狀物)。化合物11的HPLC面積百分率值為99.5%以上。
LC-MS(APCI,positive)：[M+H]+777.
1H-NMR(CDCl3,300MHz)δ(ppm)：0.85(6H,t),1.19-1.37(15H,m),1.46-1.69(4H,m),2.48(3H,s),2.59(4H,t),2.79(2H,q),6.75(2H,dd),6.96(2H,s),7.12(1H,d),7.28-7.46(9H,m),7.82(1H,s),7.85(1H,s).
<合成例9>化合物12的合成
Figure 104127855-A0202-12-0093-82
使反應容器內成為氮氣環境後，加入4-溴-4’,4”-二甲基三苯基胺(14.0g)、3,3’-二甲基二苯基胺(7.2g)、參(二亞苄基丙酮)二鈀(0)(0.3g)、參-第三丁基膦四氟硼酸鹽(0.2g)以及甲苯(143mL)並於50℃攪拌。之後，添加第三丁醇鈉(10.5g)至反應容器中並於80℃攪拌4小時。將所得之反應混合物冷卻至室溫後，加入離子交換水(100mL)進行洗淨。將所得之洗淨液進行分液，將所得之有機層以離子交換水洗淨。將所得之洗淨液進行分液並將所得之有機層以硫酸鎂乾燥後過濾，並將所得之濾液濃縮後。之後，藉由加入甲苯以及活性碳至反應容器中並於室溫攪拌30分鐘後，以鋪設有矽藻土的過濾器進行過濾，將所得之濾液減壓濃縮而獲得白色固體。藉由重複將所得之白色固體使用甲苯以及甲醇的混合溶劑進行再結晶之操作後，於50℃減壓乾燥而獲得化合物12-a(12.0g，白色固體)。化合物12-a的HPLC面積百分率值為99.5%以上。
1H-NMR(CDCl3,300MHz)δ(ppm)：2.26(12H,s),6.57-7.23(20H,br).
使反應容器內成為氮氣環境後，加入化合 物12-a(11.6g)以及氯仿(198mL)並冷卻至-10℃。之後，添加N-溴琥珀醯亞胺(8.8g)至反應容器中並於-10℃攪拌8小時。之後，添加10重量%亞硫酸鈉水溶液至反應容器中並攪拌。將所得之反應液進行分液，並將所得之有機層以離子交換水洗淨。藉由將所得之洗淨液進行分液並將所得之有機層以硫酸鎂乾燥後過濾，並將所得之濾液濃縮而獲得白色固體。之後，添加己烷以及活性碳至反應容器中並在室溫攪拌30分鐘後，以鋪設有矽藻土的過濾器進行過濾，並將所得之濾液減壓濃縮。將所得之固體使用丙酮進行再結晶，接著使用甲苯以及甲醇的混合溶劑進行再結晶。之後，添加己烷以及活性白土至反應容器中並在室溫攪拌30分鐘後，以鋪設有矽藻土的過濾器進行過濾，並將所得之濾液減壓濃縮。進一步，藉由將所得之固體使用甲苯以及甲醇的混合溶劑進行再結晶後，於50℃減壓乾燥而獲得化合物12(10.0g，白色固體)。化合物12的HPLC面積百分率值為99.5%以上。
LC-MS(APCI,positive)：[M+H]+625.
1H-NMR(CDCl3,300MHz)δ(ppm)：2.29(s,12H),6.75(s,2H),6.91-7.05(br,14H),7.35(d,2H).
<合成例10>化合物13的合成
Figure 104127855-A0202-12-0095-83
使反應容器內成為氮氣環境後，加入鎂(100.9g)、四氫呋喃(2500mL)以及碘(0.1g)並攪拌。之後，添加1-溴己烷(604.0g)至反應容器中並於60℃攪拌3小時，並調製成格任亞試劑(Grignard reagent)。
使其他的反應容器內成為氮氣環境後，加入2-溴-9,9’-二甲基茀(250.0g)、[1,3-雙(二苯基膦基)丙烷]二氯鎳(37.2g)以及四氫呋喃(2500mL)並攪拌。之後，於室溫將上述調製之格任亞試劑滴下至反應容器中，並於80℃攪拌16小時。將所得之反應混合物冷卻至室溫後，加入鹽酸水溶液(1.5M，3000mL)，接著，加入乙酸乙酯。藉由將所得之反應液進行分液並將所得之有機層以離子交換水洗淨，再以無水硫酸鈉乾燥後過濾，並將所得之濾液減壓濃縮而獲得油狀物。藉由將所得之油狀物減壓蒸餾而獲得化合物13-a(195g，黃色油狀物)。化合物13-a的HPLC面積百分率值為98.8%。藉由反覆進行此操作而獲得化合物13-a的必要量。
1H-NMR(CDCl3,300MHz)δ(ppm)：0.91(t,J=6.93Hz,3H),1.31-1.42(m,6H),1.49(s,6H),1.63-1.73(m,2H),2.6 7-2.72(m,2H),7.17(dd,J=1.38,7.71Hz,1H),7.25-7.36(m,3H),7.42-7.44(m,1H),7.64(d,J=7.71Hz,1H),7.68-7.71(m,1H).
使反應容器內成為氮氣環境後，加入化合物13-a(354.0g)以及二氯甲烷(3540mL)並使用冰浴冷卻反應容器。之後，花費2小時將已溶解於二氯甲烷(1770mL)之溴(213.6g)滴下至反應容器中，並一邊使用冰浴冷卻反應容器一邊攪拌16小時。之後，添加10重量%亞硫酸鈉水溶液至反應容器中並攪拌。將所得之反應液進行分液，並將所得之有機層以離子交換水以及食鹽水洗淨。將所得之洗淨液進行分液並將所得之有機層以硫酸鈉乾燥後過濾，且將所得之濾液濃縮。藉由將所得之濃縮物以矽膠管柱層析(己烷以及乙酸乙酯的混合溶劑)進行精製後於50℃減壓乾燥而獲得化合物13-b(250.0g)。化合物13-b的HPLC面積百分率值為97.6%。
1H-NMR(CDCl3,300MHz)δ(ppm)：0.90(t,J=7.20Hz,3H),1.32-1.40(m,6H),1.48(s,6H),1.63-1.68(m,2H),2.66-2.70(m,2H),7.17(dd,J=0.80,7.80Hz,1H),7.23(s,1H),7.44(dd,J=1.60,8.40Hz,1H),7.54(s,1H),7.55(d,J=7.60Hz,1H),7.60(d,J=7.60Hz,1H).
使反應容器內成為氮氣環境後，加入化合物13-b(250.0g)、二苯基胺(148.1g)、參-第三丁基膦四氟硼酸鹽(8.1g)、第三丁醇鈉(168.2g)以及甲苯(2500mL)並於50℃攪拌。之後，添加參(二亞苄基丙酮)二鈀(0)(12.8g)至反應容器中並於115℃攪拌16小時。將所得之反應混合物冷 卻至室溫後，以鋪設有矽藻土的過濾器進行過濾。添加乙酸乙酯以及離子交換水至所得之濾液中之後進行分液，並將所得之有機層以離子交換水以及食鹽水洗淨。將所得之洗淨液進行分液並將所得之有機層以硫酸鈉乾燥後，過濾，且將所得之濾液濃縮。藉由將所得之濃縮物進一步以矽膠管柱層析(石油醚以及乙酸乙酯的混合溶劑)進行精製後，於50℃減壓乾燥而獲得化合物13-c(166.0g)。化合物13-c的HPLC面積百分率值為99.0%。
1H-NMR(CDCl3,300MHz)δ(ppm)：0.92(t,J=7.00Hz,3H),1.34-1.39(m,6H),1.42(s,6H),1.64-1.69(m,2H),2.69(brs,2H),7.00-7.05(m,3H),7.14-7.16(m,5H),7.19-7.21(m,2H),7.26-7.29(m,4H),7.55(d,J=8.12Hz,2H).
使反應容器內成為氮氣環境後，加入化合物13-c(83.0g)以及氯仿(830mL)並冷卻至-30℃。之後，花費45分鐘將已溶解於N,N-二甲基甲醯胺(415mL)的N-溴琥珀醯亞胺(66.7g)滴下至反應容器中後，升溫至室溫後攪拌16小時。之後，添加離子交換水至反應容器中並洗淨。將所得之洗淨液進行分液並將所得之有機層以離子交換水洗淨。再將所得之洗淨液進行分液並將所得之有機層以硫酸鈉乾燥後過濾，且將所得之濾液濃縮。藉由將所得之濃縮物進一步以矽膠管柱層析(己烷)進行精製而獲得固體。藉由將所得之固體使用甲醇進行再結晶後，於50℃減壓乾燥而獲得化合物13(54.0g，白色固體)。化合物13的HPLC面積百分率值為99.5%以上。
1H-NMR(CDCl3,300MHz)δ(ppm)：0.91(t,J=7.00Hz,3H),1.34-1.39(m,6H),1.42(s,6H),1.65-1.69(m,2H),2.69(t,J=7.60Hz,2H),6.99-7.01(m,5H),7.14-7.17(m,2H),7.22(s,1H),7.35-7.38(m,4H),7.56-7.58(m,2H).
<合成例11>化合物14的合成
Figure 104127855-A0202-12-0098-84
使反應容器內成為氮氣環境後，加入化合物14-a(154.0g)、三氟乙酸(200mL)以及氯仿(1200mL)並攪拌。之後，花費3小時將已溶解於氯仿(990mL)之溴(99g)滴下至反應容器中。之後，添加10重量%亞硫酸鈉水溶液 至反應容器中並攪拌。將所得之反應液進行分液，並將所得之有機層以離子交換水以及飽和碳酸氫鈉水溶液洗淨。將所得之洗淨液進行分液並將所得之有機層以硫酸鎂乾燥後過濾，且將所得之濾液濃縮。藉由將所得之濃縮物以矽膠管柱層析(己烷)進行精製而獲得固體。於所得之固體中加入甲苯以及活性白土，並於50℃震盪30分鐘。將所得之反應混合物冷卻至室溫後，以鋪設有矽膠之積層玻璃過濾器進行過濾。藉由將所得之濾液減壓濃縮後，於50℃減壓乾燥而獲得化合物14-b(193.0g，白色固體)。化合物14-b的HPLC面積百分率值為80.6%。
1H-NMR(CDCl3,300MHz)δ(ppm)：1.41-1.92(4H,m),1.95-2.16(8H,m),7.04(1H,d),7.18-7.27(3H,m),7.36(1H,dd),7.79(1H,d),7.87(1H,d).
使反應容器內成為氮氣環境後，加入化合物14-b(73.0g)、[1,3-雙(二苯基膦基)丙烷]二氯鎳(7.0g)以及環戊基甲基醚(861mL)並攪拌。之後，花費1小時將溴化甲基鎂醚溶液(3mol/L，108mL)滴下至該反應容器中，並於55℃攪拌6小時。再將所得之反應液冷卻至室溫後加入鹽酸水溶液(1M，100mL)。將所得之反應液進行分液並將所得之有機層以離子交換水洗淨。藉由將所得之洗淨液進行分液並將所得之有機層以無水硫酸鎂乾燥後過濾，且將所得之濾液減壓濃縮而獲得固體。藉由於所得之固體中加入甲苯以及活性碳並於室溫攪拌1小時後，以鋪設有矽膠以及矽藻土之過濾器進行過濾，再將所得之濾液減壓濃縮而獲 得固體。藉由將所得之固體使用異丙醇進行再結晶後，於50℃減壓乾燥而獲得化合物14-c(44.5g，白色固體)。化合物14-c的HPLC面積百分率值為99.4%。
1H-NMR(CDCl3,300MHz)δ(ppm)：1.38-1.71(4H,m),1.94-2.18(8H,m),2.36(3H,s),7.04(1H,d),7.18-7.27(3H,m),7.36(1H,dd),7.79(1H,d),7.87(1H,d).
使反應容器內成為氮氣環境後，加入化合物14-c(44.5g)以及二氯甲烷(705mL)並使用添加有氯化鈉之冰浴冷卻。之後，花費2小時將已溶解於二氯甲烷(26mL)之溴(26g)滴下至反應容器中，並一邊使用添加有氯化鈉之冰浴冷卻反應容器一邊攪拌5小時。之後，滴下10重量%亞硫酸鈉水溶液至反應容器中並攪拌。將所得之反應液進行分液，並將所得之有機層以離子交換水洗淨。將所得之洗淨液進行分液並將所得之有機層以硫酸鎂乾燥後過濾，且將所得之濾液濃縮。藉由於所得之濃縮物中加入甲苯以及活性碳，並於室溫攪拌1小時後，以鋪設有矽膠以及矽藻土之過濾器進行過濾，將所得之濾液減壓濃縮而獲得固體。藉由將所得之固體使用甲苯以及異丙醇的混合溶液進行再結晶後，於50℃減壓乾燥而獲得化合物14-d(51.8g，白色固體)。化合物14-d的HPLC面積百分率值為98.9%。藉由反覆進行此操作而獲得化合物14-d的必要量。
使反應容器內成為氮氣環境後，加入化合物14-d(55.0g)、參(二亞苄基丙酮)二鈀(0)(1.4g)、(2-聯苯)二環己基膦(1.3g)以及四氫呋喃(220mL)並攪拌。之後，花 費1小時將雙(三甲基矽基)醯胺鋰/四氫呋喃溶液(1.3mol/L，180mL)滴下至該反應容器後於65℃攪拌5小時。使用冰浴冷卻反應容器後，加入鹽酸水溶液(2M，400mL)，並一邊使用冰浴冷卻反應容器一邊攪拌1小時。之後，加入氫氧化鈉水溶液(2M，400mL)至該反應容器而進行中和。將所得之反應液進行分液並將所得之有機層以離子交換水洗淨。將所得之洗淨液進行分液並將所得之有機層以硫酸鎂乾燥後進行過濾，且將所得之濾液濃縮。藉由將所得之濃縮物溶解於乙腈以及甲苯的混合溶劑後，加入鹽酸水溶液(12M，30mL)並攪拌後，濃縮而獲得鹽酸鹽。於所得之鹽酸鹽中加入己烷並懸浮攪拌30分鐘後過濾。於所得之殘渣中加入四氫呋喃並懸浮攪拌30分鐘後過濾。於所得之殘渣中加入氫氧化鈉水溶液(2M，150mL)以及甲醇並攪拌後使用氯仿而萃取。將所得之有機層以硫酸鎂乾燥後過濾，並將所得之濾液濃縮。藉由將所得之固體使用己烷及甲苯的混合溶液進行再結晶後，於50℃減壓乾燥而獲得化合物14-e(33.0g，淡黃色固體)。化合物14-e的HPLC面積百分率值為99.5%以上。
1H-NMR(CDCl3,300MHz)δ(ppm)：1.39-1.69(4H,m),1.93-2.15(8H,m),2.34(3H,s),3.66(2H,s),6.57(1H,dd),6.67(1H,d),6.99(1H,d),7.13(1H,s),7.66(1H,d),7.69(1H,d).
使反應容器內成為氮氣環境後，加入化合物14-e(30.7g)、3-溴己基苯(56.2g)、參(二亞苄基丙酮)二鈀(0)(1.0g)、參-第三丁基膦四氟硼酸鹽(0.6g)以及甲苯(580mL) 並於50℃攪拌。之後，添加第三丁醇鈉(30.5g)至反應容器中之後，於110℃攪拌8小時。之後，加入甲苯至反應容器中並以鋪設有矽藻土之過濾器進行過濾，將所得之濾液以離子交換水洗淨。藉由將所得之洗淨液進行分液，並將所得之有機層減壓濃縮而獲得粗生成物。之後，加入己烷以及甲醇至反應容器中並進行分液。將所得之己烷層以甲醇洗淨。將所得之洗淨液進行分液並將所得之己烷層減壓濃縮。之後，加入己烷以及活性碳至反應容器中，並於室溫攪拌30分鐘後，以鋪設有矽藻土之過濾器進行過濾。藉由將所得之濾液減壓濃縮而獲得油狀物。藉由將所得之油狀物以矽膠管柱層析(己烷以及乙酸乙酯之混合溶劑)進行精製而獲得化合物14-f(44.0g，無色透明油狀物)。化合物14-f的HPLC面積百分率值為99.4%。
LC-MS(APCI,positive)：[M+H]+610.
1H-NMR(CDCl3,300MHz)δ(ppm)：0.87(6H,t),1.20-1.66(20H,m),1.84-2.18(8H,m),2.35(3H,s),2.51(4H,t),6.80-7.19(12H,m),7.70(2H,t).
使反應容器內成為氮氣環境後，加入化合物14-f(43.0g)以及二氯甲烷(731mL)並使用冰浴冷卻反應容器。之後，添加苄基三甲基三溴化銨(55.0g)至反應容器中，並一邊使用冰浴冷卻反應容器一邊攪拌12小時。之後，滴下10重量%亞硫酸鈉水溶液至反應容器中並攪拌。將所得之反應液進行分液，並將所得之有機層以離子交換水洗淨。將所得之洗淨液進行分液並將所得之有機層以硫 酸鎂乾燥後過濾，且將所得之濾液濃縮。之後，添加己烷以及活性碳至反應容器中並於室溫攪拌30分鐘後，以鋪設有矽藻土的過濾器進行過濾。藉由將所得之濾液減壓濃縮而獲得油狀物。藉由將所得之油狀物使用矽膠管柱層析(己烷以及乙酸乙酯之混合溶劑)進行複數次精製並於40℃減壓乾燥而獲得化合物14-g(12.5g，白色固體)。化合物14-g的HPLC面積百分率值為99.5%以上。
LC-MS(APCI,positive)：[M+H]+766.
1H-NMR(CDCl3,300MHz)δ(ppm)：0.86(6H,t),1.20-1.69(20H,m),1.80-2.19(8H,m),2.36(3H,s),2.60(4H,t),6.77(1H,d),6.79(1H,d),6.83(1H,dd),6.97(2H,d),7.01(1H,d),7.04(1H,d),7.15(1H,s),7.35(1H,s),7.38(1H,s),7.69(1H,d),7.73(1H,d).
使反應容器內成為氮氣環境後，加入雙聯硼酸頻哪醇酯(12.4g)、環戊基甲基醚(100mL)、乙酸鉀(9.4g)以及[1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵]二氯化鈀(0.4g)，並升溫至100℃。之後，花費2小時將已溶解於環戊基甲基醚(25mL)的化合物14-g(12.5g)滴下至反應容器中，並於迴流下攪拌4日。將所得之反應混合物冷卻至室溫後，加入離子交換水並洗淨。將所得之洗淨液進行分液並將所得之有機層以離子交換水洗淨。將所得之洗淨液進行分液並將所得之有機層以硫酸鎂乾燥後過濾，且將所得之濾液濃縮。之後，加入己烷、甲苯以及活性碳至反應容器中並於室溫攪拌30分鐘後，以鋪設有矽藻土之過濾器進行過濾。藉由將所得之濾液減壓濃縮而獲得固體。藉由將所得之固體以矽膠管 柱層析(己烷以及甲苯之混合溶劑)進行精製，並於50℃減壓乾燥而獲得化合物14(5.9g，白色固體)。化合物14的HPLC面積百分率值為99.5%以上。
LC-MS(APCI,positive)：[M+H]+862.
1H-NMR(CDCl3,300MHz)δ(ppm)：0.86(6H,t),1.18-1.68(44H,m),1.83-2.19(8H,m),2.35(3H,s),2.75(4H,t),6.83-6.94(5H,m),7.00(1H,dd),7.12(1H,d),7.15(1H,d),7.62(1H,s),7.65(1H,s),7.69(1H,d),7.72(1H,d).
<合成例12>化合物15的合成
Figure 104127855-A0202-12-0104-85
使反應容器內成為氬氣環境後，加入3-溴己基苯(45.0g)、參(二亞苄基丙酮)二鈀(0)(1.7g)、參-第三丁基膦四氟硼酸鹽(1.0g)以及四氫呋喃(225mL)，接著滴下雙(三甲基矽基)醯胺鋰的四氫呋喃溶液(1.3mol/L，179mL) 後，於65℃攪拌2小時。使用冰浴冷卻反應容器後，滴下鹽酸水溶液(2.4M，475mL)。之後，將冰浴從反應容器移開並於室溫攪拌1小時。將所得之反應混合物進行分液，而獲得有機層(以下，稱為「有機層第1部分」)以及水層(以下，稱為「水層第1部分」)。將水層第1部分以庚烷(90mL)洗淨2次。將所得之洗淨液進行分液而獲得有機層(以下，稱為「有機層第2部分」)。藉由將有機層第1部分以及有機層第2部分合一並以硫酸鎂乾燥後過濾，將所得之濾液濃縮而獲得油狀物。藉由將所得之油狀物以矽膠管柱層析(己烷以及乙酸乙酯之混合溶劑)進行精製而獲得化合物15-a(32.0g，褐色油狀物)。化合物15-a的HPLC面積百分率值為98.6%。
1H-NMR(CDCl3,300Hz)δ(ppm)：0.82-0.96(3H,m),1.10-1.65(8H,m),2.45-2.57(2H,m),3.60(2H,br.s),6.45-6.62(3H,m),7.00-7.10(1H,m).
使反應容器內成為氬氣環境後，加入化合物15-a(17.7g)以及氯仿(177mL)並冷卻到-20℃至-25℃。之後，加入N-溴琥珀醯亞胺(17.77g)至反應容器中。之後，使用冰浴冷卻反應容器並加入飽和亞硫酸鈉水溶液(15mL)並攪拌。將所得之反應液進行分液並將所得之有機層以離子交換水洗淨。藉由將所得之洗淨液進行分液並以硫酸鎂乾燥後過濾，且將所得之濾液濃縮而獲得固體。藉由將所得之固體以矽膠管柱層析(己烷以及乙酸乙酯之混合溶劑)進行精製而獲得化合物15-b(14.6g)。化合物15-b的HPLC 面積百分率值為98.4%。
1H-NMR(CDCl3,300Hz)δ(ppm)：0.80-0.96(3H,m),1.22-1.65(8H,m),2.55-2.64(2H,m),3.58(2H,br.s),6.35-6.60(2H,m),7.18-7.28(1H,m).
使反應容器內成為氬氣環境後，加入根據歐洲專利申請公開第2594573號說明書所揭示之方法合成之化合物15-c(13.0g)、[1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵]二氯化鈀(0.72g)、第三丁醇鈉(8.5g)以及甲苯(195mL)，接著，滴下將化合物15-b(13.0g)溶解於甲苯(10mL)中而形成之甲苯溶液，並於110℃攪拌7小時。將所得之反應混合物冷卻至室溫後，加入甲苯(50mL)以及離子交換水(50mL)並洗淨。將所得之洗淨液進行分液並將所得之有機層以離子交換水洗淨。藉由將所得之洗淨液並將所得之有機層以硫酸鎂乾燥後過濾，且將所得之濾液濃縮而獲得固體。藉由將所得之固體以矽膠管柱層析(己烷以及甲苯之混合溶劑)進行精製，而獲得化合物15-d(14.6g，白色結晶)。化合物15-d的HPLC面積百分率值為99.4%。
使反應容器內成為氬氣環境後，加入碘化銅(I)(0.72g)、反式-1,2-二胺基環己烷(0.86g)、二甲苯(50mL)、化合物15-d(8.0g)、1,4-二碘苯(2.5g)以及第三丁醇鈉(5.0g)，並於85℃攪拌12小時。將所得之反應混合物冷卻至室溫後，加入甲苯(20mL)、己烷(20mL)以及活性碳(2.8g)並於室溫攪拌1小時後，以鋪設有矽膠以及矽藻土之過濾器過濾。藉由將所得之濾液減壓濃縮而獲得固體。藉由將所得 之固體使用甲苯以及甲醇的混合溶劑進行再結晶後，於50℃減壓乾燥而獲得化合物15-e(4.8g，白色結晶)。化合物15-e的HPLC面積百分率值為99.5%以上。
LC-MS(APCl,positive)：[M+H]+916.
使反應容器內成為氬氣環境後，加入雙頻哪醇二硼烷(3.31g)、二甲氧基乙烷(72mL)、乙酸鉀(3.08g)、[1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵]二氯化鈀(0.72g)以及化合物15-e(4.8g)並加熱迴流(6小時)。藉由將所得之反應混合物冷卻至室溫後，加入甲苯(72mL)，並以鋪設有矽膠以及矽藻土之過濾器過濾，將所得之濾液減壓濃縮而獲得固體。使所得之固體溶解於甲苯(50mL)後以離子交換水洗淨。將所得之洗淨液進行分液，並於所得之有機層中加入活性碳(2.5g)並攪拌後，以鋪設有矽藻土之過濾器過濾。藉由將所得之濾液減壓濃縮而獲得固體。藉由將所得之固體以矽膠管柱層析(己烷以及甲苯的混合溶劑)進行精製，接著，使用甲苯以及乙腈的混合溶劑進行再結晶後，於50℃減壓濃縮而獲得化合物15(3.9g)。化合物15的HPLC面積百分率值為99.5%以上。
1H-NMR(CDCl3,300Hz)δ(ppm)：0.78-0.85(6H,m),1.12-1.50(40H,m),2.73(4H,t),6.80(6H,br,s),7.05(6H,br.s),7.22-7.40(6H,m),7.58-7.80(4H,m),7.94(2H,d).
<合成例13>銥錯合物1的合成
下述所示之銥錯合物1係根據WO2009/131255號所揭 示之方法而進行合成。
Figure 104127855-A0202-12-0108-86
<合成例14>化合物CM1至CM6、化合物CM8至CM10、化合物CM12至CM16、化合物CM20至CM21以及化合物CM26至CM27的合成
化合物CM1至CM6、化合物CM8至CM10、化合物CM12至CM16以及化合物CM20至CM21係根據下述文獻所揭示之方法而合成，且使用顯示HPLC面積百分率值為99.5%以上者。化合物CM26至C27係根據下述文獻所揭示之方法而合成，且使用顯示HPLC面積百分率值為99.5%以上者。
且，化合物CM7係與上述合成之化合物8相同，化合物CM11係與上述合成之化合物10相同，化合物CM18係與上述合成之化合物14相同，化合物CM19係與上述合成之化合物11相同，化合物CM22係與上述合成 之化合物12相同，化合物CM23係與上述合成之化合物15相同，化合物CM24係與上述合成之化合物7相同，化合物CM25係與上述合成之化合物13相同。
化合物CM1以及CM4：日本特開2010-189630號公報
化合物CM2以及CM3：國際公開第2012/086671號
化合物CM5：日本特開2014-143419號公報
化合物CM6：國際公開第2002/045184號
化合物CM8：Journal of Polymer Science,PartA：Polymer Chemistry,2011,vol.49,#2 p.352-360
化合物CM9：日本特開2008-106241號公報
化合物CM10：日本特開2010-215886號公報
化合物CM12：日本特開2007-511636號公報
化合物CM13：日本特開2011-174061號公報
化合物CM14以及CM15：日本特開2011-174062號公報
化合物CM16：國際公開第2007/071957號
化合物CM20以及CM21：國際公開第2013/191088號
化合物CM26以及CM27：Journal of Polymer Science,PartA：Polymer Chemistry,2011,vol.49,#2 p.352-360
Figure 104127855-A0202-12-0110-87
Figure 104127855-A0202-12-0111-88
Figure 104127855-A0202-12-0112-89
<實施例1>高分子化合物1的合成
(步驟1)使反應容器內成為惰性氣體環境後，加入化合物CM7(0.9870g)、化合物CM8(0.4602g)、化合物CM9(0.0669g)、化合物CM10(0.0578g)、二氯雙(三-鄰-甲氧基苯基膦)鈀(1.1mg)以及甲苯(49mL)並加熱至105℃。
(步驟2)之後，滴下20重量%氫氧化四丁基銨水溶液(9.2g)至反應容器中並於105℃攪拌6小時。
(步驟3)之後，加入苯基硼酸(15.2mg)以及二氯雙(三-鄰-甲氧基苯基膦)鈀(1.1mg)至反應容器中並於105℃攪拌16小時。
(步驟4)之後，加入二乙基二硫代胺甲酸鈉水溶液至反應容器中並於80℃攪拌2小時。將所得之反應液冷卻後， 以水2次、3重量%乙酸水溶液2次、水2次進行洗淨，將所得之溶液滴下至甲醇後生成沉澱物。將所得之沉澱物溶解於甲苯，藉由以氧化鋁管柱、矽膠管柱的順序通過而精製。將所得之溶液滴下至甲醇並攪拌後生成沉澱物。藉由將所得之沉澱物過濾取出並乾燥而獲得0.75g之高分子化合物1。高分子化合物1之Mn為7.1×104，Mw為3.7×105。
由所裝入原料的量求出之理論值而言，高分子化合物1為將衍生自化合物CM7之構成單元、衍生自化合物CM8之構成單元、衍生自化合物CM9之構成單元、衍生自化合物CM10之構成單元成為以50：40：5：5之莫耳比構成之共聚物。
<比較例1>高分子化合物2的合成
(步驟1)使反應容器內成為惰性氣體環境後，加入化合物CM11(0.8134g)、化合物CM8(0.5523g)、化合物CM9(0.0803g)、化合物CM10(0.0693g)、二氯雙(三-鄰-甲氧基苯基膦)鈀(1.3mg)以及甲苯(42mL)並加熱至105℃。
(步驟2)之後，滴下20重量%氫氧化四丁基銨水溶液(9.2g)至反應容器中並於105℃攪拌6小時。
(步驟3)之後，加入苯基硼酸(18.3mg)以及二氯雙(三-鄰-甲氧基苯基膦)鈀(1.3mg)至反應容器中並於105℃攪拌16小時。
(步驟4)之後，加入二乙基二硫代胺甲酸鈉水溶液至反應容器中並於80℃攪拌2小時。將所得之反應液冷卻後， 以水2次、3重量%乙酸水溶液2次、水2次進行洗淨，將所得之溶液滴下至甲醇後生成沉澱物。將所得之沉澱物溶解於甲苯，藉由以氧化鋁管柱、矽膠管柱的順序通過而精製。將所得之溶液滴下至甲醇並攪拌後生成沉澱物。藉由將所得之沉澱物過濾取出並乾燥而獲得0.75g之高分子化合物2。高分子化合物2之Mn為1.9×104，Mw為2.5×105。
由所裝入原料的量求出之理論值而言，高分子化合物2為將衍生自化合物CM11之構成單元、衍生自化合物CM8之構成單元、衍生自化合物CM9之構成單元、衍生自化合物CM10之構成單元成為以50：40：5：5之莫耳比構成之共聚物。
<合成例15>高分子化合物3的合成
高分子化合物3係使用下述表3所示之化合物，根據日本特開2012-36388號公報揭示之合成方法進行合成。高分子化合物3之Mn為8.2×104，Mw為2.1×105。由所裝入原料的量求出之理論值而言，高分子化合物3為將衍生自各個化合物之構成單元成為以下述表3所示之莫耳比構成之共聚物。
Figure 104127855-A0305-02-0117-2
<合成例16>高分子化合物4的合成
高分子化合物4係使用下述表4所示之化合物，根據日本特開2012-216815號公報揭示之合成方法進行合成。高分子化合物4之Mn為1.0×104，Mw為2.6×105。由所裝入原料的量求出之理論值而言，高分子化合物4為將衍生自各個化合物之構成單元成為以下述表4所示之莫耳比構成之共聚物。
Figure 104127855-A0202-12-0115-91
<實施例2>高分子化合物5的合成
(步驟1)使反應容器內成為惰性氣體環境後，加入化合物CM7(1.1807g)、化合物CM14(0.9810g)、化合物CM9(0.0803g)、化合物CM10(0.0693g)以及甲苯(34mL)並加熱至90℃。
(步驟2)加入二氯雙(三-鄰-甲氧基苯基膦)鈀(1.3mg)至反應容器中，之後，滴下20重量%氫氧化四丁基銨水溶液(22.9g)至反應容器中並於90℃攪拌6小時。
(步驟3)之後，加入苯基硼酸(73.2mg)以及二氯雙(三-鄰-甲氧基苯基膦)鈀(1.3mg)至反應容器中並於90℃攪拌15小時。
(步驟4)之後，加入二乙基二硫代胺甲酸鈉水溶液至反 應容器中並於80℃攪拌2小時。將所得之反應液冷卻後，以水2次、3重量%乙酸水溶液2次、水2次進行洗淨，將所得之溶液滴下至甲醇後生成沉澱物。將所得之沉澱物溶解於甲苯，藉由以氧化鋁管柱、矽膠管柱的順序通過而精製。將所得之溶液滴下至甲醇並攪拌後生成沉澱物。藉由將所得之沉澱物過濾取出並乾燥而獲得1.22g之高分子化合物5。高分子化合物5之Mn為5.3×104，Mw為2.0×105。
由所裝入原料的量求出之理論值而言，高分子化合物5為將衍生自化合物CM7之構成單元、衍生自化合物CM14之構成單元、衍生自化合物CM9之構成單元、衍生自化合物CM10之構成單元成為以50：40：5：5之莫耳比構成之共聚物。
<實施例3>高分子化合物6的合成
(步驟1)使反應容器內成為惰性氣體環境後，加入化合物CM18(1.0625g)、化合物CM14(0.8175g)、化合物CM9(0.0669g)、化合物CM10(0.0578g)以及甲苯(30mL)並加熱至90℃。
(步驟2)加入二氯雙(三-鄰-甲氧基苯基膦)鈀(1.1mg)至反應容器中，之後，滴下20重量%氫氧化四丁基銨水溶液(20.2g)至反應容器中並於90℃攪拌7小時。
(步驟3)之後，加入苯基硼酸(61.0mg)以及二氯雙(三-鄰-甲氧基苯基膦)鈀(1.1mg)至反應容器中並於90℃攪拌17小時。
(步驟4)之後，加入二乙基二硫代胺甲酸鈉水溶液至反應容器中並於80℃攪拌2小時。將所得之反應液冷卻後，以水2次、3重量%乙酸水溶液2次、水2次進行洗淨，將所得之溶液滴下至甲醇後生成沉澱物。將所得之沉澱物溶解於甲苯，藉由以氧化鋁管柱、矽膠管柱的順序通過而精製。將所得之溶液滴下至甲醇並攪拌後生成沉澱物。藉由將所得之沉澱物過濾取出並乾燥而獲得1.06g之高分子化合物6。高分子化合物6之Mn為5.2×104，Mw為2.2×105。
由所裝入原料的量求出之理論值而言，高分子化合物6為將衍生自化合物CM18之構成單元、衍生自化合物CM14之構成單元、衍生自化合物CM9之構成單元、衍生自化合物CM10之構成單元成為以50：40：5：5之莫耳比構成之共聚物。
<實施例4>高分子化合物7的合成
(步驟1)使反應容器內成為惰性氣體環境後，加入化合物CM15(0.8866g)、化合物CM20(0.0780g)、化合物CM21(0.0698g)、化合物CM19(1.0041g)以及甲苯(31mL)並加熱至90℃。
(步驟2)加入二氯雙(三-鄰-甲氧基苯基膦)鈀(1.1mg)至反應容器中，之後，滴下20重量%氫氧化四丁基銨水溶液(20.4g)至反應容器中並於90℃攪拌7小時。
(步驟3)之後，加入苯基硼酸(61.0mg)以及二氯雙(三-鄰-甲氧基苯基膦)鈀(1.1mg)至反應容器中並於90℃攪拌18 小時。
(步驟4)之後，加入二乙基二硫代胺甲酸鈉水溶液至反應容器中並於80℃攪拌2小時。將所得之反應液冷卻後，以水2次、3重量%乙酸水溶液2次、水2次進行洗淨，將所得之溶液滴下至甲醇後生成沉澱物。將所得之沉澱物溶解於甲苯，藉由以氧化鋁管柱、矽膠管柱的順序通過而精製。將所得之溶液滴下至甲醇並攪拌後生成沉澱物。藉由將所得之沉澱物過濾取出並乾燥而獲得1.10g之高分子化合物7。高分子化合物7之Mn為4.8×104，Mw為2.1×105。
由所裝入原料的量求出之理論值而言，高分子化合物7為將衍生自化合物CM15之構成單元、衍生自化合物CM20之構成單元、衍生自化合物CM21之構成單元、衍生自化合物CM19之構成單元成為以40：5：5：50之莫耳比構成之共聚物。
<實施例5>高分子化合物8的合成
(步驟1)使反應容器內成為惰性氣體環境後，加入化合物CM15(1.0640g)、化合物CM20(0.0936g)、化合物CM21(0.0837g)、化合物CM22(0.9419g)以及甲苯(32mL)並加熱至90℃。
(步驟2)加入二氯雙(三-鄰-甲氧基苯基膦)鈀(1.3mg)至反應容器中，之後，滴下20重量%氫氧化四丁基銨水溶液(21.4g)至反應容器中並於90℃攪拌6小時。
(步驟3)之後，加入苯基硼酸(73.2mg)以及二氯雙(三- 鄰-甲氧基苯基膦)鈀(1.3mg)至反應容器中並於90℃攪拌15小時。
(步驟4)之後，加入二乙基二硫代胺甲酸鈉水溶液至反應容器中並於80℃攪拌2小時。將所得之反應液冷卻後，以水2次、3重量%乙酸水溶液2次、水2次進行洗淨，將所得之溶液滴下至甲醇後生成沉澱物。將所得之沉澱物溶解於甲苯，藉由以氧化鋁管柱、矽膠管柱的順序通過而精製。將所得之溶液滴下至甲醇並攪拌後生成沉澱物。藉由將所得之沉澱物過濾取出並乾燥而獲得1.13g之高分子化合物8。高分子化合物8之Mn為5.1×104，Mw為2.0×105。
由所裝入原料的量求出之理論值而言，高分子化合物8為將衍生自化合物CM15之構成單元、衍生自化合物CM20之構成單元、衍生自化合物CM21之構成單元、衍生自化合物CM22之構成單元成為以40：5：5：50之莫耳比構成之共聚物。
<實施例6>高分子化合物9的合成
(步驟1)使反應容器內成為惰性氣體環境後，加入化合物CM23(0.9939g)、化合物CM20(0.0780g)、化合物CM21(0.0698g)、化合物CM14(1.022g)以及甲苯(34mL)並加熱至90℃。
(步驟2)加入二氯雙(三-鄰-甲氧基苯基膦)鈀(1.1mg)至反應容器中，之後，滴下20重量%氫氧化四丁基銨水溶液(22.4g)至反應容器中並於90℃攪拌7小時。
(步驟3)之後，加入苯基硼酸(61.0mg)以及二氯雙(三-鄰-甲氧基苯基膦)鈀(1.1mg)至反應容器中並於90℃攪拌15小時。
(步驟4)之後，加入二乙基二硫代胺甲酸鈉水溶液至反應容器中並於80℃攪拌2小時。將所得之反應液冷卻後，以水2次、3重量%乙酸水溶液2次、水2次進行洗淨，將所得之溶液滴下至甲醇後生成沉澱物。將所得之沉澱物溶解於甲苯，藉由以氧化鋁管柱、矽膠管柱的順序通過而精製。將所得之溶液滴下至甲醇並攪拌後生成沉澱物。藉由將所得之沉澱物過濾取出並乾燥而獲得1.01g之高分子化合物9。高分子化合物9之Mn為4.9×104，Mw為2.3×105。
由所裝入原料的量求出之理論值而言，高分子化合物9為將衍生自化合物CM23之構成單元、衍生自化合物CM20之構成單元、衍生自化合物CM21之構成單元、衍生自化合物CM14之構成單元成為以40：5：5：50之莫耳比構成之共聚物。
<實施例7>高分子化合物10的合成
(步驟1)使反應容器內成為惰性氣體環境後，加入化合物CM1(0.9841g)、化合物CM12(0.1730g)、化合物CM24(0.9850g)、化合物CM10(0.0925g)以及甲苯(29mL)並加熱至90℃。
(步驟2)加入二氯雙(三-鄰-甲氧基苯基膦)鈀(1.8mg)至反應容器中，之後，滴下20重量%氫氧化四丁基銨水溶液 (19.1g)至反應容器中並於90℃攪拌7小時。
(步驟3)之後，加入苯基硼酸(97.5mg)以及二氯雙(三-鄰-甲氧基苯基膦)鈀(1.8mg)至反應容器中並於90℃攪拌15小時。
(步驟4)之後，加入二乙基二硫代胺甲酸鈉水溶液至反應容器中並於80℃攪拌2小時。將所得之反應液冷卻後，以水2次、3重量%乙酸水溶液2次、水2次進行洗淨，將所得之溶液滴下至甲醇後生成沉澱物。將所得之沉澱物溶解於甲苯，藉由以氧化鋁管柱、矽膠管柱的順序通過而精製。將所得之溶液滴下至甲醇並攪拌後生成沉澱物。藉由將所得之沉澱物過濾取出並乾燥而獲得0.96g之高分子化合物10。高分子化合物10之Mn為4.6×104，Mw為2.1×105。
由所裝入原料的量求出之理論值而言，高分子化合物10為將衍生自化合物CM1之構成單元、衍生自化合物CM12之構成單元、衍生自化合物CM24之構成單元、衍生自化合物CM10之構成單元成為以50：10：35：5之莫耳比構成之共聚物。
<比較例2>高分子化合物11的合成
(步驟1)使反應容器內成為惰性氣體環境後，加入化合物CM11(0.8790g)、化合物CM21(0.1117g)、化合物CM20(0.1336g)、化合物CM25(1.2069g)以及甲苯(30mL)並加熱至90℃。
(步驟2)滴下20重量%氫氧化四乙基銨水溶液(13.8g) 至反應容器中，之後加入二氯雙(三-鄰-甲氧基苯基膦)鈀(1.8mg)至反應容器中並於90℃攪拌7小時。
(步驟3)之後，加入苯基硼酸(97.5mg)、20重量%氫氧化四乙基銨水溶液(6.9g)以及二氯雙(三-鄰-甲氧基苯基膦)鈀(1.8mg)至反應容器中並於90℃攪拌15小時。
(步驟4)之後，加入二乙基二硫代胺甲酸鈉水溶液至反應容器中並於80℃攪拌2小時。將所得之反應液冷卻後，以水2次、3重量%乙酸水溶液2次、水2次進行洗淨，將所得之溶液滴下至甲醇後生成沉澱物。將所得之沉澱物溶解於甲苯，藉由以氧化鋁管柱、矽膠管柱的順序通過而精製。將所得之溶液滴下至甲醇並攪拌後生成沉澱物。藉由將所得之沉澱物過濾取出並乾燥而獲得1.22g之高分子化合物11。高分子化合物11之Mn為3.3×104，Mw為2.2×105。
由所裝入原料的量求出之理論值而言，高分子化合物11為將衍生自化合物CM11之構成單元、衍生自化合物CM21之構成單元、衍生自化合物CM20之構成單元、衍生自化合物CM25之構成單元成為以40：5：5：50之莫耳比構成之共聚物。
<比較例3>高分子化合物12的合成
(步驟1)使反應容器內成為惰性氣體環境後，加入化合物CM15(1.0512g)、化合物CM21(0.0838g)、化合物CM20(0.1001g)、化合物CM26(0.7730g)以及甲苯(29mL)並加熱至90℃。
(步驟2)滴下20重量%氫氧化四乙基銨水溶液(10.4g)至反應容器中，之後加入二氯雙(三-鄰-甲氧基苯基膦)鈀(1.3mg)至反應容器中並於90℃攪拌8小時。
(步驟3)之後，加入苯基硼酸(73.2mg)、20重量%氫氧化四乙基銨水溶液(5.2g)以及二氯雙(三-鄰-甲氧基苯基膦)鈀(1.3mg)至反應容器中並於90℃攪拌16小時。
(步驟4)之後，加入二乙基二硫代胺甲酸鈉水溶液至反應容器中並於80℃攪拌2小時。將所得之反應液冷卻後，以水2次、3重量%乙酸水溶液2次、水2次進行洗淨，將所得之溶液滴下至甲醇後生成沉澱物。將所得之沉澱物溶解於甲苯，藉由以氧化鋁管柱、矽膠管柱的順序通過而精製。將所得之溶液滴下至甲醇並攪拌後生成沉澱物。藉由將所得之沉澱物過濾取出並乾燥而獲得1.14g之高分子化合物12。高分子化合物12之Mn為4.3×104，Mw為1.3×105。
由所裝入原料的量求出之理論值而言，高分子化合物12為將衍生自化合物CM15之構成單元、衍生自化合物CM21之構成單元、衍生自化合物CM20之構成單元、衍生自化合物CM26之構成單元成為以40：5：5：50之莫耳比構成之共聚物。
<比較例4>高分子化合物13的合成
高分子化合物13係使用下述表5所示之化合物，根據日本特開2014-111765號公報揭示之合成方法進行合成。高分子化合物13之Mn為1.7×105，Mw為3.3× 105。由所裝入原料的量求出之理論值而言，高分子化合物13為將衍生自各個化合物之構成單元成為以下述表5所示之莫耳比構成之共聚物。
Figure 104127855-A0202-12-0124-92
<比較例5>高分子化合物14的合成
(步驟1)使反應容器內成為惰性氣體環境後，加入化合物CM15(1.0717g)、化合物CM21(0.0868g)、化合物CM20(0.1001g)、化合物CM25(0.9051g)以及甲苯(31mL)並加熱至90℃。
(步驟2)滴下20重量%氫氧化四乙基銨水溶液(10.4g)至反應容器中，之後加入二氯雙(三-鄰-甲氧基苯基膦)鈀(1.3mg)至反應容器中並於90℃攪拌7小時。
(步驟3)之後，加入苯基硼酸(73.2mg)、20重量%氫氧化四乙基銨水溶液(5.2g)以及二氯雙(三-鄰-甲氧基苯基膦)鈀(1.3mg)至反應容器中並於90℃攪拌15小時。
(步驟4)之後，加入二乙基二硫代胺甲酸鈉水溶液至反應容器中並於80℃攪拌2小時。將所得之反應液冷卻後，以水2次、3重量%乙酸水溶液2次、水2次進行洗淨，將所得之溶液滴下至甲醇後生成沉澱物。將所得之沉澱物溶解於甲苯，藉由以氧化鋁管柱、矽膠管柱的順序通過而精 製。將所得之溶液滴下至甲醇並攪拌後生成沉澱物。藉由將所得之沉澱物過濾取出並乾燥而獲得1.26g之高分子化合物14。高分子化合物14之Mn為5.8×104，Mw為2.0×105。
由所裝入原料的量求出之理論值而言，高分子化合物14為將衍生自化合物CM15之構成單元、衍生自化合物CM21之構成單元、衍生自化合物CM20之構成單元、衍生自化合物CM25之構成單元成為以40：5：5：50之莫耳比構成之共聚物。
<比較例6>高分子化合物15的合成
(步驟1)使反應容器內成為惰性氣體環境後，加入化合物CM14(0.8988g)、化合物CM10(0.0698g)、化合物CM9(0.0835g)、化合物CM16(0.8532g)以及甲苯(29mL)並加熱至90℃。
(步驟2)滴下20重量%氫氧化四乙基銨水溶液(8.7g)至反應容器中，之後加入二氯雙(三-鄰-甲氧基苯基膦)鈀(1.1mg)至反應容器中並於90℃攪拌6小時。
(步驟3)之後，加入苯基硼酸(61.0mg)、20重量%氫氧化四乙基銨水溶液(4.3g)以及二氯雙(三-鄰-甲氧基苯基膦)鈀(1.3mg)至反應容器中並於90℃攪拌16小時。
(步驟4)之後，加入二乙基二硫代胺甲酸鈉水溶液至反應容器中並於80℃攪拌2小時。將所得之反應液冷卻後，以水2次、3重量%乙酸水溶液2次、水2次進行洗淨，將所得之溶液滴下至甲醇後生成沉澱物。將所得之沉澱物溶 解於甲苯，藉由以氧化鋁管柱、矽膠管柱的順序通過而精製。將所得之溶液滴下至甲醇並攪拌後生成沉澱物。藉由將所得之沉澱物過濾取出並乾燥而獲得1.20g之高分子化合物15。高分子化合物15之Mn為5.8×104，Mw為2.2×105。
由所裝入原料的量求出之理論值而言，高分子化合物15為將衍生自化合物CM14之構成單元、衍生自化合物CM10之構成單元、衍生自化合物CM9之構成單元、衍生自化合物CM16之構成單元成為以40：5：5：50之莫耳比構成之共聚物。
<比較例7>高分子化合物16的合成
(步驟1)使反應容器內成為惰性氣體環境後，加入化合物CM13(1.477g)、化合物CM5(1.1818g)、化合物CM10(0.0920g)、化合物CM9(0.1057g)以及甲苯(44mL)並加熱至90℃。
(步驟2)加入乙酸鈀(0.4mg)與三-鄰-甲氧基苯基膦(2.8mg)至反應容器中，並滴下20重量%氫氧化四乙基銨水溶液(7.7g)至反應容器中，之後並於105℃攪拌3小時。
(步驟3)之後，加入苯基硼酸(450.0mg)、乙酸鈀(0.4mg)以及三-鄰-甲氧基苯基膦(2.8mg)至反應容器中並於105℃攪拌16小時。之後，加入溴苯(247.0mg)、乙酸鈀(0.4mg)以及三-鄰-甲氧基苯基膦(2.8mg)至反應容器中並於105℃攪拌4小時。
(步驟4)之後，加入二乙基二硫代胺甲酸鈉水溶液至反 應容器中並於80℃攪拌2小時。將所得之反應液冷卻後，以水2次、3重量%乙酸水溶液2次、水2次進行洗淨，將所得之溶液滴下至甲醇後生成沉澱物。將所得之沉澱物溶解於甲苯，藉由以氧化鋁管柱、矽膠管柱的順序通過而精製。將所得之溶液滴下至甲醇並攪拌後生成沉澱物。藉由將所得之沉澱物過濾取出並乾燥而獲得1.46g之高分子化合物16。高分子化合物16之Mn為8.9×104，Mw為3.6×105。
由所裝入原料的量求出之理論值而言，高分子化合物16為將衍生自化合物CM13之構成單元、衍生自化合物CM5之構成單元、衍生自化合物CM10之構成單元、衍生自化合物CM9之構成單元成為以50：40：5：5之莫耳比構成之共聚物。
<實施例D1>發光元件D1的製造及評價 (陽極以及電洞注入層的形成)
藉由濺鍍法而附有45nm厚度的ITO膜於玻璃基板而形成陽極。於該陽極上，使用聚噻吩-磺酸系的電洞注入劑之AQ-1200(Plextronics公司製)，藉由旋轉塗佈法而成膜65nm的厚度，將其在大氣環境下藉由於加熱板上以170℃加熱15分鐘而形成電洞注入層。
(電洞輸送層的形成)
將高分子化合物1以0.7重量%的濃度溶解於二甲苯中。使用所得之二甲苯溶液，於電洞注入層上藉由旋轉塗 佈法而成膜20nm厚度，並將其在氮氣環境下，藉由於加熱板上以180℃加熱60分鐘而形成電洞輸送層。
(發光層的形成)
將高分子化合物3以及銥錯合物1各自以1.8重量%的濃度溶解於二甲苯中。之後，以使高分子化合物3與銥錯合物1的固形分比成為70重量%：30重量%之方式混合各二甲苯溶液。使用所得之二甲苯溶液，於電洞輸送層上藉由旋轉塗佈法而成膜80nm的厚度，並將其在氮氣環境下，藉由於加熱板上以150℃加熱10分鐘而形成發光層。
(陰極的形成)
將形成有發光層的基板置於蒸鍍機內，減壓至1.0×10-4Pa以下後，在發光層上蒸鍍氟化鈉約7nm，接著在氟化鈉層上蒸鍍鋁約120nm作為陰極。蒸鍍後，藉由使用玻璃基板並密封而製作發光元件D1。
(發光元件的評價)
對發光元件D1施加電壓時，觀測到於520nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件D1的1000cd/m2時的外部量子產率為22.8%。結果表示於表6。
<實施例D2>發光元件D2的製造及評價
除了使用高分子化合物5取代於實施例D1中的高分子 化合物1之外，係與實施例D1同樣地製造發光元件D2。
對所得之發光元件D2施加電壓時，觀測到於520nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件D2的1000cd/m2時的外部量子產率為22.5%。結果表示於表6。
<實施例D3>發光元件D3的製造及評價
除了使用高分子化合物6取代於實施例D1中的高分子化合物1之外，係與實施例D1同樣地製造發光元件D3。
對所得之發光元件D3施加電壓時，觀測到於520nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件D3的1000cd/m2時的外部量子產率為25.4%。結果表示於表6。
<實施例D4>發光元件D4的製造及評價
除了使用高分子化合物7取代於實施例D1中的高分子化合物1之外，係與實施例D1同樣地製造發光元件D4。
對所得之發光元件D4施加電壓時，觀測到於520nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件D4的1000cd/m2時的外部量子產率為24.8%。結果表示於表6。
<實施例D5>發光元件D5的製造及評價
除了使用高分子化合物8取代於實施例D1中的高分子化合物1之外，係與實施例D1同樣地製造發光元件D5。
對所得之發光元件D5施加電壓時，觀測到於520nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件D5 的1000cd/m2時的外部量子產率為22.3%。結果表示於表6。
<實施例D6>發光元件D6的製造及評價
除了使用高分子化合物9取代於實施例D1中的高分子化合物1之外，係與實施例D1同樣地製造發光元件D6。
對所得之發光元件D6施加電壓時，觀測到於520nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件D6的1000cd/m2時的外部量子產率為23.3%。結果表示於表6。
<比較例CD1>發光元件CD1的製造及評價
除了使用高分子化合物2取代於實施例D1中的高分子化合物1之外，係與實施例D1同樣地製造發光元件CD1。
對發光元件CD1施加電壓時，觀測到於520nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件CD1的1000cd/m2時的外部量子產率為9.9%。結果表示於表6。
<比較例CD2>發光元件CD2的製造及評價
除了使用高分子化合物11取代於實施例D1中的高分子化合物1之外，係與實施例D1同樣地製造發光元件CD2。
對所得之發光元件CD2施加電壓時，觀測到於520nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件CD2的1000cd/m2時的外部量子產率為7.5%。結果表示於表6。
<比較例CD3>發光元件CD3的製造及評價
除了使用高分子化合物14取代於實施例D1中的高分子化合物1之外，係與實施例D1同樣地製造發光元件CD3。
對所得之發光元件CD3施加電壓時，觀測到於520nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件CD3的1000cd/m2時的外部量子產率為12.0%。結果表示於表6。
<比較例CD4>發光元件CD4的製造及評價
除了使用高分子化合物15取代於實施例D1中的高分子化合物1之外，係與實施例D1同樣地製造發光元件CD4。
對所得之發光元件CD4施加電壓時，觀測到於520nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件CD4的1000cd/m2時的外部量子產率為9.2%。結果表示於表6。
<比較例CD5>發光元件CD5的製造及評價
除了使用高分子化合物16取代於實施例D1中的高分子化合物1之外，係與實施例D1同樣地製造發光元件CD5。
對所得之發光元件CD5施加電壓時，觀測到於520nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件CD5的1000cd/m2時的外部量子產率為5.8%。結果表示於表6。
Figure 104127855-A0202-12-0132-93
自實施例D1與比較例CD1以及比較例CD2的比較，實施例D2、實施例D3、實施例D4以及實施例 D5與比較例CD3以及比較例CD4的比較，實施例D6與比較例CD5的比較，係了解到使用本發明的高分子化合物製作的發光元件其外部量子產率優良。
<實施例D7>發光元件D7的製造及評價 (陽極以及電洞注入層的形成)
藉由濺鍍法而附有45nm厚度的ITO膜於玻璃基板而形成陽極。於該陽極上，使用聚噻吩-磺酸系的電洞注入劑之AQ-1200(Plectronics公司製)，藉由旋轉塗佈法而成膜35nm的厚度，將其在大氣環境下藉由於加熱板上以170℃加熱15分鐘而形成電洞注入層。
(電洞輸送層的形成)
將高分子化合物1以0.7重量%的濃度溶解於二甲苯中。使用所得之二甲苯溶液，於電洞注入層上藉由旋轉塗佈法而成膜20nm厚度，並將其在氮氣環境中，藉由於加熱板上以180℃加熱60分鐘而形成電洞輸送層。
(發光層的形成)
將高分子化合物4以1.2重量%的濃度溶解於二甲苯中。使用所得之二甲苯溶液，於電洞輸送層上藉由旋轉塗佈法而成膜60nm的厚度，並將其在氮氣環境下，藉由於加熱板上以150℃加熱10分鐘而形成發光層。
(陰極的形成)
將形成有發光層的基板置於蒸鍍機內，減壓至1.0×10-4Pa以下後，在發光層上蒸鍍氟化鈉約7nm，接著蒸鍍鋁約120nm作為陰極。蒸鍍後，藉由使用玻璃基板並密封而製作發光元件D7。
(發光元件的評價)
對發光元件D7施加電壓時，觀測到於455nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件D7的1000cd/m2時的外部量子產率為7.2%。結果表示於表7。
<實施例D8>發光元件D8的製造及評價
除了使用高分子化合物5取代於實施例D7中的高分子化合物1之外，係與實施例D7同樣地製造發光元件D8。
對所得之發光元件D8施加電壓時，觀測到於455nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件D8的1000cd/m2時的外部量子產率為9.7%。結果表示於表7。
<實施例D9>發光元件D9的製造及評價
除了使用高分子化合物6取代於實施例D7中的高分子化合物1之外，係與實施例D7同樣地製造發光元件D9。
對所得之發光元件D9施加電壓時，觀測到於455nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件D9的1000cd/m2時的外部量子產率為9.7%。結果表示於表7。
<實施例D10>發光元件D10的製造及評價
除了使用高分子化合物7取代於實施例D7中的高分子化合物1之外，係與實施例D7同樣地製造發光元件D10。
對所得之發光元件D10施加電壓時，觀測到於455nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件D10的1000cd/m2時的外部量子產率為8.9%。結果表示於表7。
<實施例D11>發光元件D11的製造及評價
除了使用高分子化合物10取代於實施例D7中的高分子化合物1之外，係與實施例D7同樣地製造發光元件D11。
對所得之發光元件D11施加電壓時，觀測到於450nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件D11的1000cd/m2時的外部量子產率為8.2%。結果表示於表7。
<實施例D12>發光元件D12的製造及評價
除了使用高分子化合物8取代於實施例D7中的高分子化合物1之外，係與實施例D7同樣地製造發光元件D12。
對所得之發光元件D12施加電壓時，觀測到於455nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件D12的1000cd/m2時的外部量子產率為8.9%。結果表示於表7。
<實施例D13>發光元件D13的製造及評價
除了使用高分子化合物9取代於實施例D7中的高分子化合物1之外，係與實施例D7同樣地製造發光元件D13。
對所得之發光元件D13施加電壓時，觀測到於455nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件D13的1000cd/m2時的外部量子產率為8.5%。結果表示於表7。
<比較例CD6>發光元件CD6的製造及評價
除了使用高分子化合物2取代於實施例D7中的高分子化合物1之外，係與實施例D7同樣地製造發光元件CD6。
對發光元件CD6施加電壓時，觀測到於455nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件CD6的1000cd/m2時的外部量子產率為6.3%。結果表示於表7。
<比較例CD7>發光元件CD7的製造及評價
除了使用高分子化合物11取代於實施例D7中的高分子化合物1之外，係與實施例D7同樣地製造發光元件CD7。
對所得之發光元件CD7施加電壓時，觀測到於455nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件CD7的1000cd/m2時的外部量子產率為6.4%。結果表示於表7。
<比較例CD8>發光元件CD8的製造及評價
除了使用高分子化合物12取代於實施例D7中的高分 子化合物1之外，係與實施例D7同樣地製造發光元件CD8。
對所得之發光元件CD8施加電壓時，觀測到於455nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件CD8的1000cd/m2時的外部量子產率為7.2%。結果表示於表7。
<比較例CD9>發光元件CD9的製造及評價
除了使用高分子化合物13取代於實施例D7中的高分子化合物1之外，係與實施例D7同樣地製造發光元件CD9。
對所得之發光元件CD9施加電壓時，觀測到於450nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件CD9的1000cd/m2時的外部量子產率為4.2%。結果表示於表7。
<比較例CD10>發光元件CD10的製造及評價
除了使用高分子化合物14取代於實施例D7中的高分子化合物1之外，係與實施例D7同樣地製造發光元件CD10。
對所得之發光元件CD10施加電壓時，觀測到於455nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件CD10的1000cd/m2時的外部量子產率為6.7%。結果表示於表7。
<比較例CD11>發光元件CD11的製造及評價
除了使用高分子化合物15取代於實施例D7中的高分 子化合物1之外，係與實施例D7同樣地製造發光元件CD11。
對所得之發光元件CD11施加電壓時，觀測到於460nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件CD11的1000cd/m2時的外部量子產率為5.8%。結果表示於表7。
<比較例CD12>發光元件CD12的製造及評價
除了使用高分子化合物16取代於實施例D7中的高分子化合物1之外，係與實施例D7同樣地製造發光元件CD12。
對所得之發光元件CD12施加電壓時，觀測到於455nm時具有峰值之電致發光(EL發光)。發光元件CD12的1000cd/m2時的外部量子產率為5.7%。結果表示於表7。
Figure 104127855-A0202-12-0139-94
自實施例D7與比較例CD6以及比較例CD7的比較，實施例D8、實施例D9、實施例D10以及實施例D12與比較例CD8、比較例CD10以及比較例CD11的比較，實施例D11與比較例CD9的比較，實施例D13與比較例CD12的比較，係了解到使用本發明的高分子化合物製作的發光元件其外部量子產率優良。
(產業上之可利用性)
根據本發明係可提供一種高分子化合物， 係有用於外部量子產率優良的發光元件之製造中。又，根據本發行係可提供一種含有該高分子化合物之組成物以及一種使用該高分子化合物而得之發光元件。
Figure 104127855-A0202-11-0003-3

Claims (15)

  1. 一種高分子化合物，係含有下式(1)所示之構成單元和具有選自交聯基A群之至少一種交聯基之交聯構成單元：
    Figure 104127855-A0305-02-0144-19
     式中，a1以及a2係各自獨立地表示0或1，ArA1以及ArA3係各自獨立地表示伸芳香基或2價雜環基，該等基可具有取代基，惟，ArA1以及ArA3中，與鄰接的構成單元形成鍵結之原子的相鄰的原子之至少1個原子具有烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基作為取代基，該等取代基可進一步具有取代基，ArA2係表示伸苯基，此伸苯基可具有取代基，ArA4係表示伸芳香基、2價雜環基、或至少1種伸芳香基與至少1種2價雜環基直接鍵結之2價基，該等基可具有取代基，RA1、RA2以及RA3係各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基，惟，a2為0時，RA1係表示2個以上的環縮合而成之芳香基(該芳香基之構成環的碳原子數為10以上)、 或2個以上的環縮合而成之1價雜環基(該1價雜環基之構成環的碳原子數以及雜原子數的總計為10以上)，該等基可具有取代基(交聯基A群)
    Figure 104127855-A0305-02-0145-7
     式中，RXL係表示亞甲基、氧原子或硫原子，nXL係表示0至5的整數；RXL存在複數個時，此等可為相同亦可為相異，nXL存在複數個時，此等可為相同亦可為相異，*係表示鍵結位置；該等交聯性基可具有取代基。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之高分子化合物，其中，前述ArA1以及ArA3係伸苯基。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之高分子化合物，其中，前述a2係0。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之高分子化合物，其中，前述ArA1以及ArA3中，與鄰接的構成單元形成鍵結之原子的相鄰的原子之至少1個原子具有烷基、或環烷基作為取代基。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述之高分子化合物，其中，前述RA1係選自芳香基AA群之基，或選自1價雜環基BB群之基；(芳香基AA群)
    Figure 104127855-A0305-02-0146-8
     (1價雜環基BB群)
    Figure 104127855-A0305-02-0147-9
     式中，R以及Ra係各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基；存在複數個之R及Ra各自可為相同亦可為相異，Ra彼此可互相鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所述之高分子化合物，其中，前述式(1)所示之構成單元係式(4)所示之構成單元：
    Figure 104127855-A0305-02-0147-10
     式中，RA1係表示與前述相同意義， R1a係表示烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基；存在複數個之R1a係可為相同亦可為相異，R2a係表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基、1價雜環基或鹵素原子，該等基可具有取代基；存在複數個之R2a係可為相同亦可為相異。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所述之高分子化合物，其更包括選自由式(1X)所示之構成單元以及式(1Z)所示之構成單元所成群組中之至少1種構成單元：
    Figure 104127855-A0305-02-0148-11
     式中，xa1以及xa2係各自獨立地表示0以上的整數，Arx1以及Arx3係各自獨立地表示伸芳香基或2價雜環基，該等基可具有取代基；惟，Arx1以及Arx3中，與鄰接的構成單元形成鍵結之原子的相鄰的原子不具有烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基作為取代基，Arx2以及Arx4係各自獨立地表示伸芳香基、2價雜環基、或至少1種伸芳香基與至少1種2價雜環基直接鍵結之2價基，該等基可具有取代基， Rx1、Rx2以及Rx3係各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基，
    Figure 104127855-A0305-02-0149-13
     式中，Rz1係表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基，1z係表示0至3的整數；存在複數個之1z係可為相同亦可為相異，Rz2係表示烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基；Rz2存在複數個時該等可為相同亦可為相異，Xz1係表示單鍵、氧原子、硫原子、-CRz11Rz12-所示之基或-SiRz13Rz14-所示之基；Rz11、Rz12、Rz13以及Rz14係各地獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之高分子化合物，其中，選自由前述RA1、RA2以及RA3所成群組中之至少1種係由可具有取代基之茀環中除去1個與構成環之碳原子直接鍵結之氫原子而成之基。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之高分子化合物，其中，前述式(1)所示之構成單元、與選自由前述式(1X)所示之構成單元以及前述式(1Z)所示之構成單元所成群組中之 至少1種的構成單元係包括相鄰之結構鏈。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之高分子化合物，其中，前述式(1)所示之構成單元、前述式(1X)所示之構成單元以及前述式(1Z)所示之構成單元的總計含量相對於高分子化合物中所含有之構成單元的總計含量而言，為50至100莫耳%。
  11. 如申請專利範圍第1或2項所述之高分子化合物，其中，前述交聯構成單元係式(5)所示之構成單元，或式(5’)所示之構成單元(惟，與式(1)所示之構成單元、式(1X)所示之構成單元以及式(1Z)所示之構成單元相異)，
    Figure 104127855-A0305-02-0150-14
     式中，nA係表示0至5的整數，n係表示1或2；nA存在複數個時，該等可為相同或相異，Ar1係表示芳香族烴基或雜環基，該等基可具有取代基，LA係表示伸烷基、伸環烷基、伸芳香基、2價雜環基、-NR’-所示之基、氧原子或硫原子，該等基可具有取代基；R’係表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基，LA存在複數個時，該等可為相同亦可為相異， X係表示選自交聯基A群之交聯基；X存在複數個時，該等可為相同亦可為相異，
    Figure 104127855-A0305-02-0151-15
     式中，mA係表示0至5的整數，m係表示1至4的整數，c係表示0或1的整數；mA存在複數個時，該等可為相同或相異，Ar2係表示芳香族烴基、雜環基或至少1種芳香族烴環與至少1種雜環直接鍵結之基，該等基可具有取代基，Ar3以及Ar4係各自獨立地表示伸芳香基或2價雜環基，該等基可具有取代基，Ar2、Ar3以及Ar4係可各自與和Ar2、Ar3以及Ar4所鍵結之氮原子鍵結之該等基以外之基直接鍵結或透過氧原子或硫原子鍵結而形成環，KA係表示伸烷基、伸環烷基、伸芳香基或2價雜環基、-NR’-所示之基、氧原子或硫原子，該等基可具有取代基；R’係表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基，KA存在複數個時，該等可為相同亦可為相異， X’係表示選自交聯基A群之交聯基、氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基；存在複數個之X’係可為相同亦可為相異；惟，至少1個X’係選自交聯基A群之交聯基。
  12. 如申請專利範圍第1或2項所述之高分子化合物，其中，前述交聯基係前述式(XL-1)或(XL-17)所示之交聯基。
  13. 一種含有下式(1)所示之構成單元的高分子化合物，
    Figure 104127855-A0305-02-0152-16
     式中，a1以及a2係各自獨立地表示0或1，ArA1以及ArA3係各自獨立地表示伸芳香基或2價雜環基，該等基可具有取代基，惟，ArA1以及ArA3中，與鄰接的構成單元形成鍵結之原子的相鄰的原子之至少1個原子具有烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基作為取代基，該等取代基可進一步具有取代基；在此，前述伸芳香基係以式(111-1)至(111-9)所表示之基，ArA2係表示伸苯基，此伸苯基可具有取代基，ArA4係表示伸芳香基、2價雜環基、或至少1種伸 芳香基與至少1種2價雜環基直接鍵結之2價基，該等基可具有取代基，RA1、RA2以及RA3係各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、芳香基或1價雜環基，該等基可具有取代基，惟，a2為0時，RA1係表示2個以上的環縮合而成之芳香基(該芳香基之構成環的碳原子數為10以上)、或2個以上的環縮合而成之1價雜環基(該1價雜環基之構成環的碳原子數以及雜原子數的總計為10以上)，該等基可具有取代基，
    Figure 104127855-A0305-02-0153-17
     式(111-1)至(111-9)中，R111以及R111a係各自獨立地表示氫原子、烷基、環烷基、烷氧基、環烷氧基、芳香基或1價雜環基；存在複數個之R111及R111a係各自可為相同亦可為相異，R111a彼此可互相鍵結並與各自所鍵結的原子一起形成環。
  14. 一種組成物，其係包括申請專利範圍第1至13項中任一項所述之高分子化合物，以及選自由電洞輸送材料、 電洞注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、發光材料、抗氧化劑以及溶劑所成群組中之至少1種材料。
  15. 一種發光元件，其係使用申請專利範圍第1至13項中任一項所述之高分子化合物而獲得者。
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