TWI665750B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI665750B
TWI665750B TW105108644A TW105108644A TWI665750B TW I665750 B TWI665750 B TW I665750B TW 105108644 A TW105108644 A TW 105108644A TW 105108644 A TW105108644 A TW 105108644A TW I665750 B TWI665750 B TW I665750B
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倉科敬一
横山俊夫
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日商荏原製作所股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種可提高基板之處理率，且可均勻處理基板之基板處理裝置。該基板處理裝置具備：處理槽2，其係具備：貯存處理液之外槽3、及以包圍保持於基板固持器1之基板的方式而配置之內槽4；輸液管10，其係一端連接於內槽4底部，另一端連接於外槽3；泵浦P，其係通過輸液管10從內槽4吸入處理液，並通過輸液管10將處理液送至外槽3；及導蓋11，其係具有可插入基板固持器1之通孔11a。導蓋11配置於外槽3內之處理液表面之下方，以及內槽4之上方。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種處理晶圓等基板之基板處理裝置，特別是關於藉由使基板浸漬於處理液來處理基板之基板處理裝置。
第十七圖係顯示過去之基板處理裝置的圖。如第十七圖所示，基板處理裝置具備：保持基板W之基板固持器101；及內部貯存處理液之處理槽102。處理槽102具備：配置保持於基板固持器101之基板W的內槽103；及以包圍內槽103之方式配置的外槽104。外槽104藉由輸液管105而連接於內槽103。輸液管105之一端連接於外槽104的底部，另一端連接於內槽103之底部。輸液管105中安裝有泵浦P。
運轉泵浦P時，處理液通過輸液管105從外槽104之底部吸入，並通過輸液管105供給至內槽103中。處理液在內槽103中上升而形成上升流，從內槽103側壁溢流而流入外槽104中。進一步，處理液伴隨泵浦P之動作，通過輸液管105而返回內槽103中。如此，處理液在內槽103中形成上升流，且在內槽103與外槽104之間循環。
為了提高基板W之處理率(亦稱為處理速度)，需要提高與基板W表面接觸之處理液(換言之，在內槽103中上升之處理液)的流速。但是，提高內槽103中之處理液的流速時，如第十七圖所示，處理液會從內槽103噴起，基板固持器101藉由處理液之上升流而浮起。因而，提高內槽 103中之處理液的流速困難。
另外，處理液以低流速流入內槽103中時，處理液在內槽103中形成層流。此時，將基板W浸漬於在層流狀態之處理液時，基板W被局部處理，導致處理基板W不均勻。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
[專利文獻1]日本特開昭60-131995號公報
本發明係鑑於上述問題者，目的為提供一種可提高基板之處理率，且可均勻處理基板之基板處理裝置。
本發明一種樣態之基板處理裝置的特徵為具備：基板固持器，其係保持基板；處理槽，其係具備：外槽，其係貯存處理前述基板之處理液；及內槽，其係收容於前述外槽中，並以包圍保持於前述基板固持器之基板的方式而配置；輸液管，其係一端連接於前述內槽底部，另一端連接於前述外槽；泵浦，其係連接於前述輸液管，並通過前述輸液管從前述內槽吸入前述處理液，並通過前述輸液管將前述處理液送至前述外槽；及導蓋，其係具有可插入前述基板固持器之通孔；前述導蓋配置於前述外槽中之前述處理液表面之下方，以及前述內槽之上方。
本發明適合樣態之特徵為：前述基板固持器具有凸緣部，其係堵塞前述通孔。
本發明其他樣態之基板處理裝置的特徵為具備：基板固持器，其係保持基板；處理槽，其係貯存處理前述基板之處理液，並將前述基板固持器配置於內部；複數個處理液噴嘴，其係配置於前述處理槽中，且朝向保持於前述基板固持器之基板而配置；輸液管，其係一端連接於前述處理槽之底部，另一端連接於前述複數個處理液噴嘴；及泵浦，其係連接於前述輸液管，並通過前述輸液管從前述處理槽底部吸入前述處理液，並通過前述輸液管將前述處理液送至前述複數個處理液噴嘴。
本發明適合樣態之特徵為：進一步具備噴嘴搖動裝置，其係使前述複數個處理液噴嘴搖動。
本發明適合樣態之特徵為：進一步具備固持器搖動裝置，其係使前述基板固持器在上下方向往返運動。
本發明另外樣態之基板處理裝置的特徵為具備：基板固持器，其係保持基板；處理槽，其係貯存處理前述基板之處理液，並將前述基板固持器配置於內部；輸液管，其係一端連接於前述處理槽底部，另一端與前述處理槽之內部連通；泵浦，其係連接於前述輸液管，並通過前述輸液管從前述處理槽底部吸入前述處理液，並通過前述輸液管將前述處理液返回前述處理槽；及複數個干擾板，其係配置於前述處理槽中，且鄰接於保持在前述基板固持器之基板而配置。
本發明適合樣態之特徵為：進一步具備固持器搖動裝置，其係使前述基板固持器在上下方向搖動。
本發明適合樣態之特徵為：進一步具備干擾板搖動裝置，其係使前述複數個干擾板搖動。
本發明另外樣態之基板處理裝置的特徵為具備：基板固持器，其係保持基板；處理槽，其係貯存處理前述基板之處理液，並將前述基板固持器配置於內部；輸液管，其係一端連接於前述處理槽底部，另一端與前述處理槽之內部連通；泵浦，其係連接於前述輸液管，並通過前述輸液管從前述處理槽底部吸入前述處理液，並通過前述輸液管將前述處理液返回前述處理槽；及固持器搖動裝置，其係使前述基板固持器在上下方向搖動；前述基板固持器具有攪拌前述處理液之至少1個槳葉。
本發明適合樣態之特徵為：前述至少1個槳葉係配置於保持在前述基板固持器之基板兩側的複數個槳葉。
本發明適合樣態之特徵為：前述至少1個槳葉係水平穿過保持於前述基板固持器之基板的複數個槳葉。
本發明另外樣態之基板處理裝置的特徵為具備：基板固持器，其係保持基板；處理槽，其係貯存處理前述基板之處理液，並將前述基板固持器配置於內部；輸液管，其係一端連接於前述處理槽底部，另一端與前述處理槽之內部連通；泵浦，其係連接於前述輸液管，並通過前述輸液管從前述處理槽底部吸入前述處理液，並通過前述輸液管將前述處理液返回前述處理槽；及複數個非活性氣體供給噴嘴，其係配置於前述處理槽中，且朝向保持於前述基板固持器之基板而配置。
本發明另外樣態之基板處理裝置的特徵為具備：基板固持器，其係保持基板；處理槽，其係貯存處理前述基板之處理液，並將前述基板固持器配置於內部；多孔體，其係配置於前述處理槽上部；輸液管，其係一端連接於前述處理槽底部，另一端位於前述多孔體之上方；及泵浦， 其係連接於前述輸液管，並通過前述輸液管從前述處理槽底部吸入前述處理液，並通過前述輸液管將前述處理液供給至前述多孔體。
本發明另外樣態之基板處理裝置的特徵為具備：基板固持器，其係保持基板；處理槽，其係貯存處理前述基板之處理液，並將前述基板固持器配置於內部；輸液管，其係一端連接於前述處理槽底部，另一端與前述處理槽內部連通；泵浦，其係連接於前述輸液管，並通過前述輸液管從前述處理槽底部吸入前述處理液，並通過前述輸液管將前述處理液返回前述處理槽；及彈性膜，其係插入前述處理槽之側壁；前述彈性膜與保持於前述基板固持器之基板表面相對而配置。
本發明適合樣態之特徵為：前述彈性膜構成於內部供給流體之流體室的至少一部分。
採用本發明時，由於在內槽形成處理液之下降流，即使提高處理液流速，處理液仍不致噴出，且基板固持器亦不致浮起。再者，以高流速流動之處理液在處理槽中形成亂流，而均勻接觸整個基板。因此，可均勻處理整個基板。特別是，配置於處理液中之導蓋不僅可將在外槽上升之處理液順利導入內槽，還可防止在處理液表面產生吸入渦流。結果可進一步提高處理液之流速。
處理液噴嘴、干擾板、槳葉、非活性氣體供給噴嘴、多孔體等元件具有攪拌處理槽中之處理液的功能。因此，可均勻處理整個基板。
藉由泵浦運轉而吸引處理槽中之處理液時，處理槽中之處理液壓力降低，彈性膜在接近基板表面之方向變形，而縮小處理槽之橫截面 積。因此，在處理槽下降之處理液的流速提高，處理液形成亂流而接觸於基板。結果可均勻處理整個基板。
1‧‧‧基板固持器
2‧‧‧蝕刻槽
2a‧‧‧兩側壁
3‧‧‧外槽
4‧‧‧內槽
4a‧‧‧兩側壁
10‧‧‧輸液管
11‧‧‧導蓋
11a‧‧‧通孔
12‧‧‧凸緣部
13‧‧‧突出部
14‧‧‧支撐臂
15‧‧‧保持臂
15a‧‧‧第一縫隙
15b‧‧‧第二縫隙
15c‧‧‧第三縫隙
16‧‧‧蝕刻液噴嘴(處理液噴嘴)
18‧‧‧噴嘴搖動裝置
18A‧‧‧鏈接機構
18B‧‧‧致動器
20‧‧‧干擾板
21‧‧‧干擾板搖動裝置
21A‧‧‧鏈接機構
21B‧‧‧致動器
22‧‧‧固持器搖動裝置
25‧‧‧槳葉
26‧‧‧槳葉
27‧‧‧絕緣層
28‧‧‧導電層
29‧‧‧抗蝕層
30‧‧‧金屬
31‧‧‧非活性氣體供給管
32‧‧‧非活性氣體供給噴嘴
35‧‧‧多孔體
35a‧‧‧貫穿孔
35b‧‧‧上面
35c‧‧‧下面
40‧‧‧彈性膜
41‧‧‧箱體
42‧‧‧流體室
43‧‧‧流體埠
101‧‧‧基板固持器
102‧‧‧處理槽
103‧‧‧內槽
104‧‧‧外槽
105‧‧‧輸液管
P‧‧‧泵浦
W‧‧‧基板
第一圖係顯示一種實施形態之蝕刻裝置的圖。
第二圖係顯示基板固持器之圖。
第三圖係第二圖之A-A線剖面圖。
第四圖係顯示被保持臂之縫隙夾著的基板之圖。
第五(a)圖至第五(c)圖係顯示基板表面之剖面的模式圖。
第六圖係顯示其他實施形態之蝕刻裝置的圖。
第七圖係顯示另外實施形態之蝕刻裝置的圖。
第八圖係顯示基板固持器之變形例圖。
第九圖係第八圖之B-B線剖面圖。
第十圖係顯示基板固持器之另外變形例圖。
第十一圖係第十圖之C-C線剖面圖。
第十二圖係顯示另外實施形態之蝕刻裝置的圖。
第十三圖係顯示另外實施形態之蝕刻裝置的圖。
第十四圖係顯示另外實施形態之蝕刻裝置的圖。
第十五圖係顯示將彈性膜設於蝕刻槽之內槽的構成例圖。
第十六圖係顯示另外實施形態之蝕刻裝置的圖。
第十七圖係顯示過去之基板處理裝置的圖。
以下，參照圖式說明實施形態。第一圖至第十六圖中，在相 同或相當之元件上註記相同符號，並省略重複之說明。
以下說明之蝕刻裝置係處理晶圓等基板之基板處理裝置的一例。基板處理裝置之其他例還包括電解鍍覆裝置、無電解鍍覆裝置、電解蝕刻裝置。以下，就基板處理裝置之一種實施形態的蝕刻裝置作說明。
第一圖係顯示一種實施形態之蝕刻裝置的圖。如第一圖所示，蝕刻裝置具備：保持晶圓等基板W之基板固持器1；及貯存用於除去形成於基板W表面之抗蝕層的蝕刻液(處理液)之蝕刻槽(處理槽)2。蝕刻槽2具備：內部貯存蝕刻液之外槽3；及收容於外槽3中，並以包圍保持於基板固持器1之基板W的方式配置之內槽4。基板固持器1及蝕刻槽2(外槽3及內槽4)例如由PVC(聚氯乙烯)或PTFE(聚四氟乙烯)等樹脂材料構成。或是基板固持器1及蝕刻槽2亦可由鈦(Ti)或SUS(不銹鋼)等金屬材料被覆PTFE(聚四氟乙烯)等樹脂材料之材料構成。
內槽4藉由輸液管10連接於外槽3。更具體而言，輸液管10之一端連接於內槽4底部，另一端連接於外槽3底部。輸液管10連接有泵浦P。該泵浦P運轉時，蝕刻液通過輸液管10從內槽4底部吸入，並通過輸液管10輸送至外槽3中。蝕刻液在內槽4中形成下降流，並且在外槽3中形成上升流。
內槽4完全沒入貯存於外槽3中之蝕刻液中。換言之，外槽3之上端及外槽3中的蝕刻液表面比內槽4上端位於上方。若內槽4中之蝕刻液表面在比內槽4上端低的位置時，外槽3之蝕刻液從內槽4上端溢流而流入內槽4中時，會捲入空氣，比較大的氣泡不均勻產生，可能造成蝕刻液之蝕刻作用不均勻，因此不適宜。
蝕刻裝置進一步具備改變形成於外槽3中之上升流方向的導蓋11。導蓋11固定於外槽3之內面。更具體而言，導蓋11比外槽3之上端及外槽3中的蝕刻液表面位於下方，且位於內槽4的上方。導蓋11中形成有通孔11a。基板固持器1通過該通孔11a而插入內槽4中。
形成於外槽3中之上升流撞擊導蓋11下面而改變其行進方向。蝕刻液通過導蓋11與內槽4間的間隙而流入內槽4中，並在內槽4中形成下降流。蝕刻液在內槽4中與保持於基板固持器1之基板W表面接觸，並沿著基板W表面下降，除去形成於基板W之抗蝕層。蝕刻液被吸入連接於內槽4底部之輸液管10中，通過輸液管10輸送至外槽3，並在外槽3中形成上升流。如此，蝕刻液分別在內槽4及外槽3中形成下降流與上升流，而且在內槽4與外槽3之間循環。內槽4之橫截面積比外槽3的橫截面積小，形成於內槽4中之蝕刻液的下降流速度，比形成於外槽3中之蝕刻液的上升流速度高。
由於內槽4中係形成蝕刻液之下降流，外槽3中之上升流撞擊導蓋11，因此，即使提高蝕刻液之流速，外槽3中之蝕刻液不致噴起。再者，由於基板固持器1在內槽4中接觸於蝕刻液之下降流，因此保持基板W之基板固持器1亦不會浮起。
無導蓋11時，即使外槽3中之蝕刻液的液面比內槽4上端高，若提高蝕刻液流速時，可能導致內槽4上方之液面掉落而局部形成吸入渦流。吸入渦流到達基板W表面時，可能造成蝕刻液之蝕刻作用不均勻，如此並不適宜。因此，藉由設置導蓋11，使在外槽3中上升之蝕刻液撞擊導蓋11，而在內槽4中形成流入流，因此防止產生吸入渦流。
基板固持器1在其上部具有凸緣部12。該凸緣部12係以當基 板固持器1通過導蓋11之通孔11a而插入內槽4中時，堵塞通孔11a的方式構成。以下，參照第二圖及第三圖說明具有凸緣部12之基板固持器1。
第二圖係顯示基板固持器1之圖，第三圖係第二圖之A-A線剖面圖。基板固持器1具有突出於外側之突出部13,13。支撐臂14在突出部13,13之間延伸。搬送裝置(無圖示)在握持支撐臂14狀態下搬送基板固持器1。支撐臂14中固定有握持基板W之2個保持臂15,15。各保持臂15具有：第一縫隙15a、第二縫隙15b、及第三縫隙15c。
第四圖係顯示被保持臂15之縫隙15a~15c夾著的基板W之圖。第四圖係顯示1個保持臂15。如第四圖所示，藉由將基板W周緣部插入此等縫隙15a~15c，而將基板W保持於基板固持器1。如第二圖所示，藉由使基板W從虛線顯示之位置滑動至實線顯示的位置，而基板W被2個保持臂15,15之縫隙15a~15c夾著。
凸緣部12固定於2個保持臂15,15。如第一圖所示，保持基板W之基板固持器1通過通孔11a插入內槽4中，直至凸緣部12接觸於導蓋11。凸緣部12係具有水平之下面的蓋。凸緣部12之大小比導蓋11的通孔11a大。因此，凸緣部12接觸於導蓋11時，凸緣部12閉塞通孔11a。
導蓋11及導蓋11上之凸緣部12位於比蝕刻液表面下方。從第一圖瞭解，由於凸緣部12堵塞通孔11a，因此可完全防止在蝕刻槽2中產生吸入渦流。再者，基板W蝕刻中，因為內槽4中形成有蝕刻液之下降流，所以凸緣部12按壓於導蓋11，基板W於蝕刻液中在基板固持器1上的姿態穩定。
第五(a)圖至第五(c)圖係顯示基板W表面之剖面的模式圖。 如第五(a)圖所示，在絕緣層27表面形成有種層等導電層28。進一步在導電層28上形成有抗蝕層29。金屬30堆積於抗蝕層29之開口部中。將基板W浸漬於蝕刻槽2中的蝕刻液時，如第五(b)圖所示，抗蝕層29被除去而導電層28露出。然後，以洗淨液洗淨基板W，並將洗淨後之基板W浸漬於另外的蝕刻液，而如第五(c)圖所示地除去露出的導電層28。
以高流速在內槽4中下降之蝕刻液在內槽4中形成亂流，而接觸於基板W。處於亂流狀態之蝕刻液均勻地接觸於整個抗蝕層29。因此，蝕刻液可防止局部除去抗蝕層29，並以高除去率均勻地除去抗蝕層29。換言之，可以高處理率處理基板W，並均勻地處理基板W。
第六圖係顯示其他實施形態之蝕刻裝置的圖。第六圖所示之實施形態的蝕刻槽2並未區分成外槽3及內槽4，不過亦可與第一圖所示之實施形態同樣地具備外槽3及內槽4。第六圖所示之蝕刻裝置具備：配置於蝕刻槽2中之複數個蝕刻液噴嘴(亦稱為處理液噴嘴)16；一端連接於蝕刻槽2底部，另一端連接於蝕刻液噴嘴16之輸液管10；及連接於輸液管10之泵浦P。蝕刻液噴嘴16朝向保持於基板固持器1之基板W而配置。並宜如第六圖所示地向斜下方配置蝕刻液噴嘴16。
泵浦P通過輸液管10從蝕刻槽2底部吸入蝕刻液，並通過輸液管10將蝕刻液輸送至複數個蝕刻液噴嘴16。與前述實施形態同樣地，當泵浦P運轉時，在蝕刻槽2中形成蝕刻液之下降流。因此，防止配置於蝕刻槽2中之基板固持器1浮起。
複數個蝕刻液噴嘴16配置於被基板固持器1保持之基板W的兩側，並接近基板W。本實施形態係設有8個蝕刻液噴嘴16，不過蝕刻液噴 嘴16數量不限定於本實施形態。蝕刻液噴嘴16係以連結於噴嘴搖動裝置18，並藉由該噴嘴搖動裝置18搖動蝕刻液噴嘴16之方式構成。噴嘴搖動裝置18由鏈接機構18A及致動器18B等構成。
運轉泵浦P時，蝕刻液在蝕刻槽2中形成下降流，而且吸入輸液管10中。進一步，蝕刻液通過輸液管10輸送至各蝕刻液噴嘴16，再從蝕刻液噴嘴16朝向基板W噴射。因為蝕刻液之噴流攪拌與基板W接觸的蝕刻液，所以蝕刻液可均勻地接觸於整個抗蝕層。此時，亦可藉由噴嘴搖動裝置18使各蝕刻液噴嘴16搖動。並可藉由蝕刻液噴嘴16之搖動更有效攪拌與基板W接觸之蝕刻液。
第七圖係顯示另外實施形態之蝕刻裝置的圖。不特別說明之構成與第六圖所示之實施形態的構成相同，因此省略其重複說明。如第七圖所示，輸液管10之一端(入口)連接於蝕刻槽2底部，另一端(出口)與蝕刻槽2內部連通。該輸液管10之上述另一端(出口)在蝕刻槽2中之蝕刻液表面的稍微下方，且位於比基板W上方。泵浦P連接於輸液管10，並以通過輸液管10從蝕刻槽2底部吸入蝕刻液，並通過輸液管10將蝕刻液返回蝕刻槽2之方式構成。
在蝕刻槽2中配置有用於攪拌蝕刻液之複數個干擾板20。此等干擾板20配置於被基板固持器1所保持之基板W兩側，並與基板W之兩面鄰接。本實施形態係設有8個干擾板20，不過干擾板20數量不限定於本實施形態。在蝕刻槽2中下降之蝕刻液撞擊干擾板20而形成亂流，而且與基板W接觸。在亂流狀態之蝕刻液防止局部除去抗蝕層。因此，可以高除去率均勻地除去抗蝕層。
干擾板20連結於干擾板搖動裝置21，並以藉由該干擾板搖動裝置21搖動干擾板20之方式構成。干擾板搖動裝置21由鏈接機構21A及致動器21B等構成。藉由各干擾板20之搖動可更有效攪拌與基板W接觸之蝕刻液。
本實施形態之蝕刻裝置進一步具備固持器搖動裝置22，其係在使基板W浸漬於蝕刻液狀態下，使保持基板W之基板固持器1上下方向搖動。固持器搖動裝置22配置於蝕刻槽2上方，並連結於基板固持器1上部。使基板固持器1上下方向搖動時，亂流狀態之蝕刻液可均勻接觸於整個基板W。
第八圖係顯示基板固持器1之變形例圖。第九圖係第八圖之B-B線剖面圖。如第八圖及第九圖所示，基板固持器1亦可具有攪拌蝕刻槽2中之蝕刻液的複數個槳葉25。各槳葉25係水平的板。槳葉25安裝於保持臂15，並配置於被基板固持器1所保持之基板W的兩側。第八圖中，基板固持器1具有6個槳葉25，不過槳葉25數量不限定於本例。藉由固持器搖動裝置22使基板固持器1上下方向搖動時，各槳葉25可攪拌蝕刻液。
第十圖係顯示基板固持器1之另外變形例圖。第十一圖係第十圖之C-C線剖面圖。如第十圖及第十一圖所示，亦可在保持臂15,15之間延伸複數個槳葉26。第十圖及第十一圖所示之槳葉26係以穿過保持於基板固持器1之基板W的方式水平延伸。第十圖中之基板固持器1具有3個槳葉26，不過槳葉26數量不限定於本例。
第十二圖係顯示另外實施形態之蝕刻裝置的圖。不特別說明之構成與第七圖所示之實施形態的構成相同，因此省略其重複說明。如第 十二圖所示，蝕刻裝置具備配置於蝕刻槽2中之複數個非活性氣體供給噴嘴32。此等非活性氣體供給噴嘴32連接於非活性氣體供給管31。本實施形態設有8個非活性氣體供給噴嘴32，不過非活性氣體供給噴嘴32數量不限定於本例。
各非活性氣體供給噴嘴32接近配置於蝕刻槽2中之基板W，並朝向基板W配置。從非活性氣體供給噴嘴32將非活性氣體注入蝕刻槽2中之蝕刻液時，非活性氣體在蝕刻液中形成氣泡，該氣泡均勻攪拌蝕刻液。因此，蝕刻液均勻接觸於基板W的抗蝕層，可均勻除去抗蝕層。非活性氣體可使用氮氣。
第十三圖係顯示另外實施形態之蝕刻裝置的圖。不特別說明之構成與第七圖所示之實施形態的構成相同，因此省略其重複說明。如第十三圖所示，蝕刻裝置具備具有複數個微細貫穿孔35a之多孔體35。多孔體35配置於蝕刻槽2上部，全部蝕刻液之液量調整成蝕刻液之液面位於多孔體35的上面35b與下面35c之間。輸液管10之一端連接於蝕刻槽2底部，另一端配置於多孔體35上方。
蝕刻液藉由泵浦P之運轉通過輸液管10供給至多孔體35上，並通過多孔體35之貫穿孔35a供給至蝕刻槽2中。蝕刻液通過貫穿孔35a時，多孔體35上方之空氣進入蝕刻液中。結果，空氣均勻地供給至蝕刻槽2中的蝕刻液中。空氣在蝕刻液中形成微細氣泡而攪拌蝕刻液。
第十四圖係顯示另外實施形態之蝕刻裝置的圖。不特別說明之構成與第七圖所示之實施形態的構成相同，因此省略其重複說明。如第十四圖所示，蝕刻裝置具備分別插入蝕刻槽2之兩側壁2a,2a的彈性膜40, 40。各彈性膜40作為側壁2a之一部分而發揮功能，並與保持於基板固持器1之基板W的表面相對配置。彈性膜40,40由柔軟之材料構成。柔軟材料之例，例如包括PTFE(聚四氟乙烯)或矽膠等樹脂材料。
藉由泵浦P之運轉而吸引蝕刻槽2中的蝕刻液時，蝕刻槽2中之蝕刻液的壓力降低，如第十四圖之假設線(一點鏈線)所示，彈性膜40,40在接近基板W表面之方向變形而縮小蝕刻槽2的橫截面積。因此，在蝕刻槽2中下降之蝕刻液的流速升高，蝕刻液形成亂流，而且接觸於基板W。
第十五圖係顯示將彈性膜40,40設於蝕刻槽2之內槽4的構成例圖。該構成例之蝕刻槽2具備內槽4及外槽3。輸液管10從內槽4底部延伸至外槽3中之蝕刻液表面的下方位置。彈性膜40,40分別插入內槽4的兩側壁4a,4a。各彈性膜40作為側壁4a之一部分而發揮功能，並與保持於基板固持器1之基板W表面相對而配置。各彈性膜40一方之面接觸於內槽4中的蝕刻液，另一方之面接觸於外槽3中的蝕刻液。
外槽3中之蝕刻液表面在比內槽4中之蝕刻液表面高的位置。藉由泵浦P之運轉，內槽4中之蝕刻液通過輸液管10流入外槽3中時，外槽3中之蝕刻液流過內槽4之側壁4a,4a而流入內槽4中。由於外槽3中之蝕刻液的壓力比內槽4中之蝕刻液的壓力高，因此彈性膜40,40在接近基板W之方向變形而縮小內槽4的橫截面積。因而，內槽4中下降之蝕刻液的流速升高，蝕刻液形成亂流而且接觸於基板W。
第十六圖係顯示另外實施形態之蝕刻裝置的圖。不特別說明之構成與第十四圖所示之實施形態的構成相同，因此省略其重複說明。如第十六圖所示，在蝕刻槽2之兩側壁2a,2a分別固定有箱體41,41。各箱體41 內部形成流體室42。箱體41係以覆蓋彈性膜40外面之方式配置，流體室42之一部分以彈性膜40構成。箱體41,41中分別連接有與流體室42,42連通之流體埠43,43。亦可不設箱體41,41，而以彈性膜40,40構成全部之流體室42,42。
壓縮氣體等流體通過流體埠43,43而導入流體室42,42中時，流體室42,42中之壓力上升，彈性膜40,40在接近基板W之方向變形而縮小蝕刻槽2的橫截面積。因此，蝕刻槽2中下降之蝕刻液的流速升高，蝕刻液形成亂流而且接觸於基板W。供給至流體室42,42中之流體可通過流體埠43,43排出。
第十六圖所示之實施形態係藉由向流體室42中導入流體使彈性膜40在接近基板W之方向變形，不過亦可使用空氣汽缸等致動器使彈性膜40,40變形，作為其他實施形態。
第一圖所示之實施形態可與上述實施形態適當組合。例如，亦可將第一圖所示之導蓋11及凸緣部12組合於第七圖、第十二圖至第十六圖所示的實施形態。
以上係說明本發明一種實施形態，不過本發明不限定於上述實施形態，在該技術性思想範圍內可以各種不同形態來實施。本發明之基板處理裝置不限於除去形成於基板表面之抗蝕層的上述蝕刻裝置，亦可適用於電解鍍覆裝置、無電解鍍覆裝置、電解蝕刻裝置等使用處理液之其他裝置。採用本發明時，因為可提高基板表面之處理液的流速，所以可藉由減少基板表面之邊界層厚度以促進反應，並防止氣泡附著於基板。

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵為具備：基板固持器，其係保持基板；處理槽，其係具備：外槽，其係貯存處理前述基板之處理液；及內槽，其係收容於前述外槽中，並以包圍保持於前述基板固持器之基板的方式而配置；輸液管，其係一端連接於前述內槽底部，另一端連接於前述外槽；泵浦，其係連接於前述輸液管，並通過前述輸液管從前述內槽吸入前述處理液，並通過前述輸液管將前述處理液送至前述外槽；及導蓋，其係具有可插入前述基板固持器之通孔；其中，前述導蓋配置於前述外槽中之前述處理液表面之下方，以及前述內槽之上方。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中前述基板固持器具有凸緣部，其係堵塞前述通孔。
  3. 一種基板處理裝置，其特徵為具備：基板固持器，其係保持基板；處理槽，其係貯存處理前述基板之處理液，並將前述基板固持器配置於內部；複數個處理液噴嘴，其係配置於前述處理槽中，且朝向保持於前述基板固持器之基板而配置；輸液管，其係一端連接於前述處理槽之底部，另一端連接於前述複數個處理液噴嘴；及泵浦，其係連接於前述輸液管，並通過前述輸液管從前述處理槽底部吸入前述處理液，並通過前述輸液管將前述處理液送至前述複數個處理液噴嘴；其中，前述複數個處理液噴嘴係朝向斜下方而配置。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中進一步具備噴嘴搖動裝置，其係使前述複數個處理液噴嘴搖動。
  5. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中進一步具備固持器搖動裝置，其係使前述基板固持器在上下方向往返運動。
  6. 一種基板處理裝置，其特徵為具備：基板固持器，其係保持基板；處理槽，其係貯存處理前述基板之處理液，並將前述基板固持器配置於內部；輸液管，其係一端連接於前述處理槽底部，另一端與前述處理槽之內部連通；泵浦，其係連接於前述輸液管，並通過前述輸液管從前述處理槽底部吸入前述處理液，並通過前述輸液管將前述處理液返回前述處理槽；複數個干擾板，其係配置於前述處理槽中，且鄰接於保持在前述基板固持器之基板而配置；及干擾板搖動裝置，其係使前述複數個干擾板搖動。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中進一步具備固持器搖動裝置，其係使前述基板固持器在上下方向搖動。
  8. 一種基板處理裝置，其特徵為具備：基板固持器，其係保持基板；處理槽，其係貯存處理前述基板之處理液，並將前述基板固持器配置於內部；輸液管，其係一端連接於前述處理槽底部，另一端與前述處理槽之內部連通；泵浦，其係連接於前述輸液管，並通過前述輸液管從前述處理槽底部吸入前述處理液，並通過前述輸液管將前述處理液返回前述處理槽；及複數個非活性氣體供給噴嘴，其係配置於前述處理槽中，且朝向保持於前述基板固持器之基板而配置。
  9. 一種基板處理裝置，其特徵為具備：基板固持器，其係保持基板；處理槽，其係貯存處理前述基板之處理液，並將前述基板固持器配置於內部；多孔體，其係配置於前述處理槽上部；輸液管，其係一端連接於前述處理槽底部，另一端位於前述多孔體之上方；及泵浦，其係連接於前述輸液管，並通過前述輸液管從前述處理槽底部吸入前述處理液，並通過前述輸液管將前述處理液供給至前述多孔體。
  10. 一種基板處理裝置，其特徵為具備：基板固持器，其係保持基板；處理槽，其係貯存處理前述基板之處理液，並將前述基板固持器配置於內部；輸液管，其係一端連接於前述處理槽底部，另一端與前述處理槽內部連通；泵浦，其係連接於前述輸液管，並通過前述輸液管從前述處理槽底部吸入前述處理液，並通過前述輸液管將前述處理液返回前述處理槽；及彈性膜，其係插入前述處理槽之側壁；其中，前述彈性膜與保持於前述基板固持器之基板表面相對而配置。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中前述彈性膜構成於內部供給流體之流體室的至少一部分。
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