WO2022264354A1 - めっき装置及びめっき方法 - Google Patents

めっき装置及びめっき方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2022264354A1
WO2022264354A1 PCT/JP2021/023018 JP2021023018W WO2022264354A1 WO 2022264354 A1 WO2022264354 A1 WO 2022264354A1 JP 2021023018 W JP2021023018 W JP 2021023018W WO 2022264354 A1 WO2022264354 A1 WO 2022264354A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
plating
diaphragm
plating solution
anode chamber
anode
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/023018
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
明 須▲崎▼
慎司 小俣
正 下山
Original Assignee
株式会社荏原製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社荏原製作所 filed Critical 株式会社荏原製作所
Priority to PCT/JP2021/023018 priority Critical patent/WO2022264354A1/ja
Priority to JP2021557259A priority patent/JP7016995B1/ja
Publication of WO2022264354A1 publication Critical patent/WO2022264354A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/04—Removal of gases or vapours ; Gas or pressure control
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/10—Agitating of electrolytes; Moving of racks

Definitions

  • This application relates to a plating apparatus and a plating method.
  • a face-down type plating apparatus that performs plating with the plating surface of a substrate (wafer) facing downward adopts a configuration in which a diaphragm is installed between the anode and the substrate to separate the plating solution on the anode side and the cathode side.
  • a diaphragm is installed between the anode and the substrate to separate the plating solution on the anode side and the cathode side.
  • This is to prevent decomposition products harmful to plating performance, which are generated by electrochemical reactions on the insoluble anode surface, from reaching the substrate.
  • bubbles of anode gas for example, oxygen
  • the anode metal dissolves instead of generating oxygen at the anode due to the oxidation reaction caused by electrolysis, so there is no problem of air bubbles.
  • the dissolution anode has the following problems. Since the anode itself is consumed by plating, frequent replacement of the anode is required. In addition, it takes time to stabilize the anode surface state (formation of black film by Cu plating). In addition, the black film may peel off and adhere to the plating film, causing defects. In addition, the anode becomes thinner with use, and the inter-electrode distance between the substrate and the anode increases, which changes the in-plane uniformity of the substrate plating film.
  • the dissolving anode is located at the bottom of the plating tank, so workability during replacement is poor. Specifically, there is a problem that it is necessary to remove all the plating solution and lift the heavy anode plate.
  • Patent Document 1 describes a plating apparatus in which a mortar-shaped diaphragm is fixed above an insoluble anode. In this device, air bubbles generated in the insoluble anode flow along the diaphragm toward the outer periphery of the plating tank and are discharged out of the plating tank.
  • Patent Document 2 describes a plating apparatus in which a diaphragm is installed above an insoluble anode and the plating solution in the anode chamber is circulated by a pump.
  • Air bubbles generated in the insoluble anode are circulated by a pump and sent to a gas-liquid separation tank outside the tank, where they are separated from the plating solution.
  • Patent Document 3 describes a plating apparatus in which a substrate is installed face-up and a plating solution flows down from above the substrate. In this device, the air bubbles generated from the anode are discharged upward, so the substrate is not affected by the air bubbles.
  • Patent Document 4 a diaphragm is installed above the anode, and a mechanism for stirring the plating solution is installed near the substrate surface to remove air bubbles adhering to the substrate surface. A stripping plating apparatus is described.
  • the plating apparatus of Patent Document 1 requires a distance between the anode and the diaphragm to obtain an inclination, and requires a large amount of plating solution (anolyte) in the anode chamber. Moreover, it causes an increase in the size of the device and the amount of liquid used. Fine bubbles of oxygen adhering to the surface of the diaphragm are not easily detached due to surface tension and remain in place. This can cause partial film thickness anomalies. In the plating apparatus of Patent Literature 2, there is a high possibility that bubbles generated from the anode will remain in the plating tank without being actively removed.
  • the plating apparatus of Patent Document 3 has a problem that it is difficult to uniformly agitate the plating solution in the vicinity of the substrate because it is difficult to store the plating solution.
  • the plating apparatus of Patent Document 4 is considered to be a system assuming a dissolution anode, and no particular countermeasures are taken for air bubbles on the anode side.
  • the present invention has been made in view of the above, and it is an object of the present invention to provide a technique capable of suppressing the deterioration of the plating quality of a substrate due to the anode gas remaining on the lower surface of the diaphragm. be one.
  • a plating tank a diaphragm partitioning the plating tank into upper and lower parts, an anode arranged in the anode chamber partitioned below the diaphragm, and an anode positioned above the anode chamber a substrate holder arranged to hold a substrate as a cathode; a supply port for introducing a plating solution into the anode chamber; a discharge port for discharging the plating solution from the anode chamber; one or more streamers that are rocked by the flow of the plating solution from the mouth toward the outlet, one end of the streamer being fixed adjacent to the diaphragm upstream of the flow of the plating solution;
  • a plating apparatus is provided.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of a plating apparatus according to a first embodiment
  • FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a plating apparatus according to a first embodiment
  • FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining the configuration of a plating module according to a first embodiment
  • FIG. 2 is a top view for explaining the configuration of the plating module according to the first embodiment
  • FIG. It is a structural example of a streamer. It is a structural example of a streamer. It is a structural example of a streamer. It is a structural example of a streamer. It is a structural example of a streamer. It is a structural example of a streamer. It is a structural example of a streamer.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining the configuration of a plating module according to a second embodiment;
  • FIG. 10 is a top view for explaining the configuration of a plating module according to a second embodiment
  • FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining generation of vortices by the shielding member
  • It is an example of a structure of a shielding member.
  • It is an example of a structure of a shielding member.
  • substrate includes not only semiconductor substrates, glass substrates, liquid crystal substrates, and printed circuit boards, but also magnetic recording media, magnetic recording sensors, mirrors, optical elements, micromechanical elements, or partially manufactured substrates. Includes integrated circuits and any other object to be processed. Substrates include those of any shape, including polygonal and circular. In addition, expressions such as “front”, “rear”, “front”, “back”, “upper”, “lower”, “left”, “right” are used in this specification, but these are for convenience of explanation. The above shows the positions and directions on the paper surface of the illustrated drawings, and may differ in the actual arrangement when the apparatus is used.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of a plating apparatus 1000.
  • FIG. 2 is a plan view showing the overall configuration of the plating apparatus 1000.
  • the plating apparatus 1000 includes a load port 100, a transfer robot 110, an aligner 120, a pre-wet module 200, a pre-soak module 300, a plating module 400, a cleaning module 500, a spin rinse dryer 600, a transfer It comprises an apparatus 700 and a control module 800 .
  • the load port 100 is a module for loading substrates housed in a cassette such as a FOUP (not shown) into the plating apparatus 1000 and for unloading substrates from the plating apparatus 1000 to the cassette. Although four load ports 100 are arranged horizontally in this embodiment, the number and arrangement of the load ports 100 are arbitrary.
  • the transport robot 110 is a robot for transporting substrates, and is configured to transfer substrates between the load port 100 , the aligner 120 and the transport device 700 .
  • the transfer robot 110 and the transfer device 700 can transfer the substrates via a temporary table (not shown) when transferring the substrates between the transfer robot 110 and the transfer device 700 .
  • the aligner 120 is a module for aligning the positions of orientation flats, notches, etc. of the substrate in a predetermined direction. Although two aligners 120 are arranged horizontally in this embodiment, the number and arrangement of the aligners 120 are arbitrary.
  • the pre-wet module 200 replaces the air inside the pattern formed on the substrate surface with the treatment liquid by wetting the surface to be plated of the substrate before the plating treatment with a treatment liquid such as pure water or degassed water.
  • the pre-wet module 200 is configured to perform a pre-wet process that facilitates the supply of the plating solution to the inside of the pattern by replacing the treatment solution inside the pattern with the plating solution during plating. In this embodiment, two pre-wet modules 200 are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the pre-wet modules 200 are arbitrary.
  • the presoak module 300 for example, an oxide film having a large electric resistance existing on the surface of a seed layer formed on the surface to be plated of the substrate before plating is removed by etching with a treatment liquid such as sulfuric acid or hydrochloric acid, and the surface of the plating base is cleaned.
  • a treatment liquid such as sulfuric acid or hydrochloric acid
  • it is configured to perform a pre-soak process for activation.
  • two presoak modules 300 are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the presoak modules 300 are arbitrary.
  • the plating module 400 applies plating to the substrate. In this embodiment, there are two sets of 12 plating modules 400 arranged vertically and four horizontally, and a total of 24 plating modules 400 are provided. The number and arrangement of are arbitrary.
  • the cleaning module 500 is configured to perform a cleaning process on the substrate in order to remove the plating solution and the like remaining on the substrate after the plating process.
  • the spin rinse dryer 600 is a module for drying the substrate after cleaning by rotating it at high speed.
  • two spin rinse dryers 600 are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the spin rinse dryers 600 are arbitrary.
  • the transport device 700 is a device for transporting substrates between a plurality of modules within the plating apparatus 1000 .
  • Control module 800 is configured to control a plurality of modules of plating apparatus 1000 and may comprise, for example, a general purpose or dedicated computer with input/output interfaces to an operator.
  • a substrate accommodated in a cassette is loaded into the load port 100 .
  • the transport robot 110 takes out the substrate from the cassette of the load port 100 and transports the substrate to the aligner 120 .
  • the aligner 120 aligns orientation flats, notches, etc. of the substrate in a predetermined direction.
  • the transport robot 110 transfers the substrate aligned by the aligner 120 to the transport device 700 .
  • the transport device 700 transports the substrate received from the transport robot 110 to the pre-wet module 200 .
  • the pre-wet module 200 pre-wets the substrate.
  • the transport device 700 transports the pre-wet processed substrate to the pre-soak module 300 .
  • the presoak module 300 applies a presoak treatment to the substrate.
  • the transport device 700 transports the presoaked substrate to the plating module 400 .
  • the plating module 400 applies plating to the substrate.
  • the transport device 700 transports the plated substrate to the cleaning module 500 .
  • the cleaning module 500 performs a cleaning process on the substrate.
  • the transport device 700 transports the cleaned substrate to the spin rinse dryer 600 .
  • a spin rinse dryer 600 performs a drying process on the substrate.
  • the transport device 700 delivers the dried substrate to the transport robot 110 .
  • the transport robot 110 transports the substrate received from the transport device 700 to the cassette of the load port 100 . Finally, the cassette containing the substrates is unloaded from the load port 100 .
  • the configuration of the plating apparatus 1000 described with reference to FIGS. 1 and 2 is merely an example, and the configuration of the plating apparatus 1000 is not limited to the configuration of FIGS. 1 and 2.
  • the control module 800 has a memory storing a predetermined program and a CPU executing the program in the memory.
  • a storage medium constituting the memory stores various setting data, various programs including a program for controlling the plating apparatus 1000, and the like.
  • the storage media may include non-volatile and/or volatile storage media.
  • a computer-readable memory such as ROM, RAM, and flash memory
  • a known disk storage medium such as a hard disk, CD-ROM, DVD-ROM, and flexible disk can be used.
  • a part or all of the functions of the control module 800 can be configured by hardware such as ASIC.
  • a part or all of the control module 800 is communicably connected to each part of the plating apparatus 1000 by wire and/or wirelessly.
  • plating module 400 Next, the plating module 400 will be explained. Since the plurality of plating modules 400 of the plating apparatus 1000 according to this embodiment have the same configuration, one plating module 400 will be described.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining the configuration of the plating module 400 of the plating apparatus 1000 according to this embodiment.
  • FIG. 4 is a top view for explaining the configuration of the plating module 400.
  • FIG. A plating apparatus 1000 according to this embodiment is a so-called cup-type plating apparatus.
  • a plating module 400 of a plating apparatus 1000 according to this embodiment mainly includes a plating bath 10 , an anode 30 and a substrate holder 20 .
  • the anode 30 is electrically connected to the positive electrode of the power source 40
  • the substrate W (cathode) held by the substrate holder 20 is electrically connected to the negative electrode of the power source 40
  • the substrate holder 20 is rotated.
  • a plating film is formed on the substrate W by applying a plating current from the anode 30 to the substrate W. As shown in FIG.
  • the plating tank 10 is configured by a bottomed container having an opening upward.
  • the plating bath 10 has a bottom wall portion 10a and an outer peripheral wall portion 10b extending upward from the outer peripheral edge of the bottom wall portion 10a. doing.
  • the shape of the outer peripheral wall portion 10b of the plating bath 10 is not particularly limited, the outer peripheral wall portion 10b according to the present embodiment has a cylindrical shape as an example.
  • a plating solution is stored inside the plating tank 10 .
  • the plating solution is not particularly limited as long as it contains ions of metal elements forming the plating film.
  • a copper plating process is used as an example of the plating process
  • a copper sulfate solution is used as an example of the plating solution.
  • the plating solution contains a predetermined additive.
  • the present invention is not limited to this configuration, and the plating solution may be configured to contain no additive.
  • An anode 30 is arranged inside the plating tank 10 .
  • an insoluble anode is used as a specific example of the anode 30 .
  • a specific type of the insoluble anode is not particularly limited, and platinum, iridium oxide, or the like can be used.
  • a diaphragm 12 is arranged above the anode 30 inside the plating bath 10 .
  • the diaphragm 12 is placed between the anode 30 and the substrate W (cathode).
  • the outer peripheral portion of the diaphragm 12 according to this embodiment is connected to the outer peripheral wall portion 10b of the plating bath 10 .
  • the diaphragm 12 according to the present embodiment is arranged so that the surface direction of the diaphragm 12 is horizontal, that is, substantially parallel to the substrate.
  • the interior of the plating bath 10 is vertically divided into two by a diaphragm 12 .
  • a region defined below the diaphragm 12 is called an anode chamber 13 .
  • a region above the diaphragm 12 is called a cathode chamber 14 .
  • the anode 30 described above is arranged in the anode chamber 13 .
  • the diaphragm 12 is composed of a film that allows the passage of ions while suppressing the passage of additives contained in the plating solution. That is, in this embodiment, the plating solution in the cathode chamber 14 contains additives, but the plating solution in the anode chamber 13 does not contain additives. However, the configuration is not limited to this. For example, the plating solution in the anode chamber 13 may also contain an additive.
  • a specific type of diaphragm 12 is not particularly limited, and a known diaphragm can be used. As a specific example of the diaphragm 12, for example, an electrolytic diaphragm can be used.
  • this electrolytic diaphragm for example, an electrolytic diaphragm for plating manufactured by Yuasa Membrane Systems Co., Ltd. can be used, or an ion exchange membrane can be used. etc. can be used.
  • the plating apparatus 1000 with the diaphragm 12 as in the present embodiment, it is possible to suppress the decomposition or reaction of the components of the additive contained in the plating solution due to the reaction on the anode side. It is possible to suppress the migration of components that adversely affect plating due to the decomposition or reaction of the components of the agent to the substrate side.
  • the plating tank 10 is provided with an anode supply port 15 for supplying the plating solution to the anode chamber.
  • the plating tank 10 is also provided with an anode discharge port 16 for discharging the plating solution in the anode chamber 13 from the anode chamber 13 .
  • the plating solution Ps discharged from the anode discharge port 16 is thereafter stored in an anode reservoir tank (not shown) and then supplied again to the anode chamber 13 from the anode supply port 15 .
  • the plating tank 10 is provided with a cathode supply port (not shown) for supplying the plating solution to the cathode chamber 14 .
  • a cathode supply port (not shown) is provided in a portion corresponding to the cathode chamber 14 of the outer peripheral wall portion 10b of the plating bath 10 according to this embodiment.
  • an overflow tank made up of a container with a bottom is provided outside the outer peripheral wall portion 10b at a position corresponding to the cathode chamber 14 of the plating tank 10.
  • the overflow bath is a bath provided for storing the plating solution that has exceeded the upper end of the outer peripheral wall portion 10b of the plating bath 10 (that is, the plating solution overflowing from the plating bath 10).
  • the plating solution supplied from the cathode supply port to the cathode chamber 14 flows into the overflow tank, is discharged from the overflow tank discharge port (not shown), and is discharged to the cathode reservoir tank (not shown). stored. After that, the plating solution is supplied again to the cathode chamber from the cathode supply port.
  • a porous resistor (not shown) may be arranged in the cathode chamber 14 in this embodiment.
  • the resistor is composed of a porous plate member having a plurality of holes (pores).
  • the resistor is not an essential component for this embodiment, and the plating apparatus 1000 may be configured without the resistor.
  • a paddle (not shown) may be arranged between the resistor and the substrate W in the vicinity of the substrate holder 20 to stir the plating solution.
  • a streamer 50 is provided near the diaphragm 12 in the anode chamber 13 .
  • the streamer 50 is provided adjacent to the diaphragm 12 , at a predetermined distance from the diaphragm 12 , or in contact with the diaphragm 12 .
  • the streamer 50 has an elongated member (elongated member) 51 that swings as indicated by an arrow 70 in FIG.
  • a fixed end 60 is attached to one end of the elongated member 51 .
  • the fixed end 60 can be fixed to the diaphragm 12 as shown in FIG.
  • the fixed end 60 may be fixed to the outer peripheral wall portion 10b of the plating bath 10 by, for example, an L-shaped bracket.
  • Fixed end 60 has a slightly higher dimension than elongated member 51, as shown in FIG.
  • the other end of the elongated member 51 is a free end.
  • the fixed end 60 of the streamer 50 (the elongated member 51) is fixed at a position facing the anode supply port 15 so that the elongated member 51 can easily receive the flow of the plating solution.
  • the streamer 50 may or may not contact the lower surface of the diaphragm 12 when swinging with the flow of the plating solution.
  • the vibration of the plating solution caused by the swinging of the streamer 50 in the vicinity of the diaphragm 12 applies an external force to the air bubbles adhering to the lower surface of the diaphragm 12 to enlarge the air bubbles. It has an effect of discharging along with the flow of the plating solution.
  • the vibration of the plating solution caused by the swinging of the streamer 50 increases the size of the air bubble. It also has the effect of enlarging it and discharging it along with the flow of the plating solution.
  • the streamer 50 is constructed of a material that satisfies the following conditions. (1) Flexibility to swing with the flow of the plating solution (including the case where the elongated member itself has flexibility and the case where a plurality of elongated members (for example, rod-shaped members) are movably connected to each other). (2) The specific gravity is not too high or too low compared to the plating solution (if the specific gravity is too high, it will sink, so the bottom surface of the diaphragm 12 should be stroked with the streamer 50 (or the plating solution should be vibrated by swinging the streamer 50).
  • the streamer 50 removes from the diaphragm 12 the anode gas (eg, oxygen) bubbles Bu generated at the anode 30 and adhering to the lower surface of the diaphragm 12 . That is, the streamer 50 oscillates in the vicinity of the lower surface of the diaphragm 12 due to the force of the flow of the plating solution in the anode chamber 13, and the vibration blows the air bubbles Bu adhering to the lower surface of the diaphragm 12. Make sure that large air bubbles are collected and removed.
  • the air bubbles Bu removed from the lower surface of the diaphragm 12 are discharged from the anode discharge port 16 by the flow of the plating solution. Thereafter, for example, it is separated from the plating solution in a gas-liquid separation tank (not shown) outside the plating tank 10 .
  • a gas-liquid separation tank not shown
  • the bubbles of anode gas (eg, oxygen) generated from the anode 30, which is an insoluble anode, are small with a diameter of about 0.5 mm.
  • anode gas eg, oxygen
  • the force of adhesion to the diaphragm 12 is greater than the force exerted by the flow of the plating solution, so that the bubbles are difficult to flow.
  • bubbles are stabilized by the effect of the surfactant component contained in the additives in the plating solution, fine bubbles are less likely to form larger particles than in pure water.
  • an external force is applied to bubbles, they tend to grow into large bubbles.
  • the streamer 50 applies an external force to the air bubbles adhering to the lower surface of the diaphragm 12 to grow them into large air bubbles, thereby discharging the air bubbles along with the flow of the plating solution.
  • the streamer 50 has a simple structure and does not require maintenance. In addition, since the streamer 50 is swung by the flow of the plating solution in the anode chamber 13, no dedicated power is required. Also, the streamer 50 does not require any electrical or mechanical connection to the exterior of the plating bath and does not require drilling into the walls of the plating bath 10 . In addition, the installation of the streamer 50 does not require a large space, and the amount of plating solution used and the height of the apparatus can be saved.
  • FIGS. 5A to 5E show configuration examples of the streamer 50.
  • FIG. The streamer 50 of FIG. 5A consists of a ribbon-like elongated member 51 .
  • the streamer 50 of FIG. 5B is composed of a string-like (rope-like) elongated member 51 .
  • the string-like (rope-like) elongated member 51 can have any shape of cross-section.
  • the elongated member 51 has a plurality of rod-shaped members 51a and a hinge 51b that pivotally connects the plurality of rod-shaped members 51a to each other.
  • the hinge 51b is configured so that the plurality of rod-shaped members 51a can move easily in the horizontal direction but cannot move in the vertical direction.
  • the rod-like member 51a itself does not need to have the flexibility to swing with the flow of the plating solution (ribbon, string, etc.). may be less flexible than the elongated member 51).
  • balloon-shaped floats 53 are provided at a plurality of locations on a string-shaped elongated member 51 .
  • the balloon-shaped float 53 is made hollow or made of a material having a density lower than that of the plating solution, thereby imparting buoyancy to the elongated member 51 and making it easier for the elongated member 51 to float in the plating solution. Thereby, the effect of blowing air bubbles with the streamer 50 can be improved.
  • spoon-shaped floats 53 are provided at a plurality of locations on the string-shaped elongated member 51 .
  • the spoon-shaped float 53 is composed of a curved sheet-shaped member, and has a small area on the side fixed to the elongated member 51 and a large area on the free end side. In this configuration, the spoon-shaped float 53 floats in the plating solution while repeating ups and downs due to the flow of the plating solution, and the streamer 50 can improve the effect of removing air bubbles. Combinations of one or more of the configurations of streamers shown in FIGS.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining the configuration of the plating module 400 according to the second embodiment.
  • FIG. 7 is a top view for explaining the configuration of the plating module 400 according to the second embodiment.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining vortex generation by the shielding member 80. As shown in FIG. In the following description, points different from the above embodiment will be mainly described, and the same reference numerals will be given to the same configurations as in the above embodiment, and the description thereof will be omitted.
  • a shielding member 80 is arranged in the anode chamber 13 instead of the streamer 50 .
  • the shield member 80 is a bar-shaped member and is arranged in the anode chamber 13 so as to cross/block the flow of the plating solution from the anode supply port 15 to the anode discharge port 16 .
  • shielding member 80 has a generally circular cross-section, as shown in FIG. Note that the cross section of the shielding member 80 may have other shapes such as an ellipse. As shown in FIG. 7, both ends of the shield member 80 are fixed to the outer peripheral wall of the plating bath 10 .
  • the shielding members 80 are arranged in a staggered manner such that adjacent shielding members 80 are arranged at different heights, as shown in FIG.
  • the shielding members 80 are arranged at two different heights.
  • the staggered arrangement may be such that the shielding members 80 are positioned at three or more different heights.
  • the plurality of shielding members 80 may be arranged in a matrix rather than staggered.
  • shielding member 80 If there is an obstacle (shielding member 80) in the liquid flow path, a Karman vortex is generated downstream.
  • the flow becomes turbulent due to the Karman vortices, and bubbles are separated from the diaphragm 12 by the stripping effect of the vortices, facilitating the downstream flow.
  • the plating solution is stirred by the vortex, which has the effect of collecting air bubbles into large air bubbles.
  • the diameter and spacing of shielding members 80 are selected to amplify the amplitude of Karman vortices.
  • the shielding members 80 By providing the shielding members 80 with appropriate diameters in a staggered arrangement at appropriate intervals, the amplitude of the Karman vortices can be amplified, the flow of the plating solution is more strongly disturbed, and the effect of removing air bubbles from the diaphragm 12 is improved. can.
  • the conditions for obtaining the bubble removal effect by the Karman vortices are as follows. (1) Since the position and strength of Karman vortices change depending on the flow velocity of the plating solution and the size (diameter), shape, and arrangement of the shielding member 80, the type of the shielding member 80, Adjust the position appropriately. (2) The distance between the shielding member 80 and the diaphragm 12 is set to such a distance that the Karman vortices reach the surface of the diaphragm 12 and the bubbles easily pass over the shielding member 80 .
  • the shielding member 80 shields the electric field during plating and may affect the film thickness distribution of the substrate plating film. and adjust the layout so that the distribution is uniform.
  • FIG. 9 and 10 are cross-sectional views showing other configuration examples of the shielding member 80.
  • FIG. The shielding member 80 of FIG. 9 has a C-shape opening on the upstream side of the flow of the plating solution in a cross-sectional view.
  • the shielding member 80 of FIG. 10 has a wing shape that is convex toward the diaphragm side in a cross-sectional view, and that the cross-sectional perimeter on the diaphragm side is longer than the cross-sectional perimeter on the anode side.
  • the anode 30 is an insoluble anode, but may be a soluble anode.
  • a case where a plurality of streamers 50 are provided has been described, but a single streamer may be provided. By appropriately setting the size of the streamer, even a single streamer can exhibit a certain effect in removing air bubbles adhering to the diaphragm.
  • a case where a plurality of shielding members 80 are provided has been described, but a single shielding member may be provided. By appropriately setting the size of the shielding member, even a single shielding member can exert a certain effect in removing air bubbles adhering to the diaphragm.
  • a part or all of the shielding member 80 may have one end fixed to the outer peripheral wall of the plating bath 10 and the other end not fixed to the outer peripheral wall but extending halfway into the anode chamber.
  • part or all of the shielding member 80 is fixed to the outer peripheral wall of the plating tank 10 at both ends, but is interrupted in the middle (the bar-shaped member is divided into two, and a space is provided between the two parts). configuration) may be used.
  • a streamer may be arranged in a portion where the shielding member 80 is interrupted in plan view.
  • One or more streamers 50 and one or more shielding members 80 may be combined.
  • a plating tank a diaphragm for vertically partitioning the plating tank; an anode disposed in the anode chamber partitioned below the diaphragm; and an anode disposed above the anode chamber.
  • a substrate holder for holding a substrate as a cathode; a supply port for introducing a plating solution into the anode chamber; a discharge port for discharging the plating solution from the anode chamber; one or more streamers oscillated by the flow of the plating solution toward the outlet, wherein one end of the streamer is fixed upstream of the flow of the plating solution and adjacent to the diaphragm.
  • the supply port and the discharge port of the anode chamber are provided, for example, so as to face each other.
  • the windsock installed near the diaphragm shakes due to the force of the flow of the plating solution, and the vibration applies an external force to the fine bubbles adhering to the lower surface of the diaphragm, causing the fine bubbles to grow larger. Collectively, they are removed from the diaphragm by the flow of the plating solution. As a result, fine air bubbles adhering to the lower surface of the diaphragm can be collected together and discharged from the discharge port by the flow of the plating solution. As a result, it is possible to suppress uneven distribution of the plating film thickness of the substrate due to non-uniform electric field (current) distribution due to air bubbles adhering to the lower surface of the diaphragm.
  • At least one of the one or more streamers is a ribbon-shaped member. According to this form, by adjusting the width and thickness of the ribbon-shaped member, fine air bubbles adhering to the diaphragm can be efficiently blown off.
  • At least one of the one or more streamers is a string-like member. According to this aspect, by adjusting the diameter of the string-like member, fine air bubbles adhering to the diaphragm can be efficiently blown off.
  • At least one of the one or more streamers has a configuration in which a plurality of rod-shaped members are connected to each other by hinges and swing horizontally. According to this aspect, since the plurality of rod-shaped members move easily in the horizontal direction and hardly move in the vertical direction, the effect of removing air bubbles can be improved.
  • At least one of the one or more streamers has a balloon-shaped float.
  • the balloon-shaped float is made hollow or is made of a material having a lower density than the plating solution, thereby making it easier for the streamer to float in the plating solution. As a result, the effect of removing air bubbles with the streamer can be improved.
  • At least one of the one or more streamers has a spoon-shaped float.
  • the spoon-shaped float floats in the plating solution while repeating ups and downs due to the flow of the plating solution, thereby improving the effect of blowing air bubbles with a windsock.
  • a plating tank a diaphragm partitioning the plating tank into upper and lower parts, an anode arranged in the anode chamber partitioned below the diaphragm, and an anode arranged above the anode chamber , a substrate holder for holding a substrate as a cathode, a supply port for introducing the plating solution into the anode chamber, a discharge port for discharging the plating solution from the anode chamber, and a discharge port from the supply port to the discharge port in the anode chamber.
  • a plating apparatus comprising: one or more rod-shaped shielding members arranged to traverse an oncoming flow of a plating solution, the shielding members being configured to generate Karman vortices downstream of the shielding members. be done.
  • Karman vortices are generated downstream of the shielding member that blocks the flow of the plating solution.
  • Karman vortices make the flow turbulent, and the vortices separate the bubbles from the diaphragm, making them easier to flow downstream.
  • minute air bubbles adhering to the lower surface of the diaphragm can be discharged from the discharge port by the flow of the plating solution.
  • the plating solution is stirred by the vortex, which has the effect of collecting air bubbles into large air bubbles. As the bubbles become larger, the force received by the flow of the plating solution increases, and the bubbles are more likely to be washed away. As a result, it is possible to suppress uneven distribution of the plating film thickness of the substrate due to non-uniform electric field (current) distribution due to air bubbles adhering to the lower surface of the diaphragm.
  • the one or more shielding members are arranged parallel to the diaphragm. According to this aspect, the Karman vortices can be easily generated uniformly over the entire lower surface of the diaphragm.
  • the one or more shielding members have a plurality of shielding members, and the plurality of shielding members are arranged alternately in a zigzag pattern in cross-sectional view.
  • the shielding members of appropriate thickness in a staggered arrangement at appropriate intervals, the amplitude of the Karman vortices can be amplified, thereby further disturbing the flow of the plating solution, The effect of tearing off air bubbles can be enhanced.
  • At least one of the one or more shielding members is a C-shaped opening upstream of the flow of the plating solution in a cross-sectional view. have a shape.
  • the efficiency of Karman vortex generation is improved by forming the shielding member into a C-shape opening upstream of the flow of the plating solution so as to provide high resistance to the flow of the plating solution. can be done.
  • At least one shielding member of the one or plurality of shielding members is convex to the diaphragm side in a cross-sectional view, and has a cross-sectional circumference on the diaphragm side. has a blade shape longer than the cross-sectional perimeter of the anode side.
  • the cross section of the shielding member wing-shaped, it is possible to increase the flow velocity of the plating solution in the vicinity of the diaphragm and promote the peeling of air bubbles adhering to the diaphragm.
  • forming a flow of the plating solution from the supply port of the plating solution provided in the anode chamber partitioned below the diaphragm in the plating tank toward the discharge port, and from the supply port in the anode chamber Karman vortices are generated on the downstream side of the shielding member by a rod-shaped shielding member arranged so as to cross the flow of the plating solution toward the discharge port, and the air bubbles adhering to the anode chamber side surface of the diaphragm are pulled.
  • a plating method is provided including stripping and discharging from the discharge port. According to this form, the same effect as described in the seventh form is produced.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

めっき槽と、　前記めっき槽を上下に仕切る隔膜と、　前記隔膜よりも下方側に区画された前記アノード室に配置されたアノードと、　前記アノード室よりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、　前記アノード室にめっき液を導入する供給口と、　前記アノード室からめっき液を排出する排出口と、　前記アノード室に設けられ、前記供給口から前記排出口に向かうめっき液の流れによって揺れ動く１又は複数の吹流しと、を備え、　前記吹流しは、その一端が、めっき液の流れの上流側で前記隔膜に隣接して固定されている、めっき装置。

Description

めっき装置及びめっき方法
　本願は、めっき装置及びめっき方法に関する。
　基板（ウエハ）のめっき面を下方に向けてめっきを行うフェースダウン型のめっき装置では、アノードと基板の間に隔膜を設置して、アノード側とカソード側のめっき液を分ける構成が採用される場合がある。これは、不溶解アノード表面での電気化学反応によって発生するめっき性能に有害な分解生成物が、基板に届かないようにするためである。この構成のめっき装置では、めっき中にアノードで発生するアノードガス（例えば、酸素）の気泡が浮き上がり、気泡が隔膜の下面に付着、停滞する。隔膜の下面に気泡が大量に付着すると、その部分は電流が流れないため、電場（電流）の分布が不均一になる可能性がある。この結果、部分的な膜厚不足が発生し、基板上の製品が不良となる場合がある。
　一方、溶解アノードを用いるめっき装置では、電気分解による酸化反応によりアノードで酸素が発生する代わりにアノード金属が溶解するので、気泡の問題は無い。その一方で、溶解アノードには以下のような問題がある。めっきによりアノード自体が消耗するため、アノードの頻繁な交換作業が必要となる。また、アノード表面状態が安定化するのに時間がかかる（Ｃｕめっきでのブラックフィルム形成）。また、ブラックフィルムが剥がれ、めっき膜に付着して欠陥の原因となる可能性がある。また、使用に伴ってアノードが薄くなり、基板－アノード間の極間距離が広がることで、基板めっき膜の面内均一性が変化する。また、フェースダウン型では溶解アノードがめっき槽の底に位置するため、交換時の作業性が悪い。具体的には、めっき液を全て抜き、重量のあるアノード板を持ち上げる必要があるなどの問題がある。
　また、以下のようなめっき装置が知られている。米国特許出願公開２０１９－００５５６６５号明細書（特許文献１）には、不溶解アノードの上方にすり鉢状に隔膜を固定しためっき装置が記載されている。この装置では、不溶解アノードで発生した気泡は、隔膜に沿ってめっき槽の外周方向に流れ、そこからめっき槽外に排出される。米国特許出願公開２０１８－０２３７９３３号明細書（特許文献２）には、不溶解アノードの上方に隔膜を設置し、アノード室のめっき液をポンプで循環するめっき装置が記載されている。不溶解アノードで発生した気泡は、ポンプによる循環により槽外部の気液分離槽に送られ、そこでめっき液から分離される。米国特許出願公開２０１７－０１２１８４２号明細書（特許文献３）には、基板がフェースアップで設置され、基板上方からめっき液を流下するめっき装置が記載されている。この装置では、アノードから発生する気泡を上部に放出するため、基板は気泡の影響は受けない。米国特許出願公開２０１６－００４７０５８号明細書（特許文献４）には、アノードの上方に隔膜を設置し、基板表面の近傍にめっき液を撹拌する機構を設置して、基板表面に付着した気泡を除去するめっき装置が記載されている。
米国特許出願公開２０１９－００５５６６５号明細書 米国特許出願公開２０１８－０２３７９３３号明細書 米国特許出願公開２０１７－０１２１８４２号明細書 米国特許出願公開２０１６－００４７０５８号明細書
　特許文献１のめっき装置では、アノード－隔膜間に傾斜を得るための距離が必要で、アノード室のめっき液（アノード液）が多く必要になる。また、装置サイズ、液使用量増大の原因となる。隔膜表面に付着した酸素の細かい気泡は表面張力で容易に脱離せず、その場に留まり続ける。これにより、部分的な膜厚異常の原因となり得る。特許文献２のめっき装置では、アノードから発生した気泡は、積極的には除去されず、めっき槽内に残留する可能性が高い。特許文献３のめっき装置では、めっき液を溜めておくことが困難なため、基板近傍での均一なめっき液の撹拌が難しいという問題がある。特許文献４のめっき装置は、溶解アノードを想定したシステムと考えられ、アノード側の気泡に関しては特に対策がとられていない。
　本発明は、上記のことを鑑みてなされたものであり、隔膜の下面に滞留したアノードガスに起因して基板のめっき品質が悪化することを抑制することができる技術を提供することを目的の一つとする。
　本発明の一態様によれば、　めっき槽と、　前記めっき槽を上下に仕切る隔膜と、　前記隔膜よりも下方側に区画された前記アノード室に配置されたアノードと、　前記アノード室よりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、　前記アノード室にめっき液を導入する供給口と、　前記アノード室からめっき液を排出する排出口と、　前記アノード室に設けられ、前記供給口から前記排出口に向かうめっき液の流れによって揺れ動く１又は複数の吹流しと、を備え、　前記吹流しは、その一端が、めっき液の流れの上流側で前記隔膜に隣接して固定されている、めっき装置が提供される。
第１実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す斜視図である。 第１実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す平面図である。 第１実施形態に係るめっきモジュールの構成を説明するための断面図である。 第１実施形態に係るめっきモジュールの構成を説明するための上面図である。 吹流しの構成例である。 吹流しの構成例である。 吹流しの構成例である。 吹流しの構成例である。 吹流しの構成例である。 第２実施形態に係るめっきモジュールの構成を説明するための断面図である。 第２実施形態に係るめっきモジュールの構成を説明するための上面図である。 遮蔽部材による渦の生成を説明するための断面図である。 遮蔽部材の構成例である。 遮蔽部材の構成例である。
　以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の実施形態や実施形態の変形例では、同一又は対応する構成について、同一の符号を付して説明を適宜省略する場合がある。また、各実施形態で示される特徴は、互いに矛盾しない限り他の実施形態にも適用可能である。また、図面は、実施形態や変形例の特徴の理解を容易にするために模式的に図示されており、各構成要素の寸法比率等は実際のものと同じであるとは限らない。
　本明細書において「基板」には、半導体基板、ガラス基板、液晶基板、プリント回路基板だけでなく、磁気記録媒体、磁気記録センサ、ミラー、光学素子、微小機械素子、あるいは部分的に製作された集積回路、その他任意の被処理対象物を含む。基板は、多角形、円形を含む任意の形状のものを含む。また、本明細書において「前面」、「後面」、「フロント」、「バック」、「上」、「下」、「左」、「右」等の表現を用いるが、これらは、説明の都合上、例示の図面の紙面上における位置、方向を示すものであり、装置使用時等の実際の配置では異なる場合がある。
　（第１実施形態）
　図１は、めっき装置１０００の全体構成を示す斜視図である。図２は、めっき装置１０００の全体構成を示す平面図である。図１及び図２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、及び、制御モジュール８００を備えている。
　ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないＦＯＵＰなどのカセットに収容された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数及び配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、及び搬送装置７００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０及び搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、仮置き台（図示せず）を介して基板の受け渡しを行うことができる。
　アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数及び配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数及び配置は任意である。
　プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸等の処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数及び配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数及び配置は任意である。
　洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数及び配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤ６００が上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤ６００の数及び配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。
　めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収容された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板を搬送装置７００へ受け渡す。
　搬送装置７００は、搬送ロボット１１０から受け取った基板をプリウェットモジュール２００へ搬送する。プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。
　搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送装置７００は、乾燥処理が施された基板を搬送ロボット１１０へ受け渡す。搬送ロボット１１０は、搬送装置７００から受け取った基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収容したカセットが搬出される。
　なお、図１や図２で説明しためっき装置１０００の構成は、一例に過ぎず、めっき装置１０００の構成は、図１や図２の構成に限定されるものではない。
　制御モジュール８００は、所定のプログラムを格納したメモリと、メモリのプログラムを実行するＣＰＵとを有する。メモリを構成する記憶媒体は、各種の設定データ、めっき装置１０００を制御するプログラムを含む各種のプログラムなどを格納している。記憶媒体は、不揮発性及び／又は揮発性の記憶媒体を含むことが可能である。記憶媒体としては、例えば、コンピュータで読み取り可能なＲＯＭ、ＲＡＭ、フラッシュメモリなどのメモリや、ハードディスク、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ－ＲＯＭやフレキシブルディスクなどのディスク状記憶媒体などの公知のものが使用され得る。制御モジュール８００の一部又は全部の機能は、ＡＳＩＣ等のハードウェアで構成することができる。制御モジュール８００の一部又は全部の機能は、シーケンサで構成してもよい。制御モジュール８００の一部又は全部は、めっき装置１０００の筐体の内部及び／又は外部に配置することができる。制御モジュール８００の一部又は全部は、有線及び／又は無線によりめっき装置１０００の各部と通信可能に接続される。
　（めっきモジュール）
　続いて、めっきモジュール４００について説明する。なお、本実施形態に係るめっき装置１０００が有する複数のめっきモジュール４００は同様の構成を有しているので、１つのめっきモジュール４００について説明する。
　図３は、本実施形態に係るめっき装置１０００のめっきモジュール４００の構成を説明するための断面図である。図４は、めっきモジュール４００の構成を説明するための上面図である。本実施形態に係るめっき装置１０００は、いわゆるカップ式のめっき装置である。本実施形態に係るめっき装置１０００のめっきモジュール４００は、主として、めっき槽１０と、アノード３０と、基板ホルダ２０とを備えている。このめっきモジュール４００は、アノード３０を電源４０の正極に電気的に接続し、基板ホルダ２０に保持される基板Ｗ（カソード）を電源４０の負極に電気的に接続し、基板ホルダ２０を回転させながらアノード３０から基板Ｗにめっき電流を流して基板Ｗにめっき膜を形成するものである。
　本実施形態に係るめっき槽１０は、上方に開口を有する有底の容器によって構成されている。具体的には、めっき槽１０は、底壁部１０ａと、この底壁部１０ａの外周縁から上方に延在する外周壁部１０ｂとを有しており、この外周壁部１０ｂの上部が開口している。なお、めっき槽１０の外周壁部１０ｂの形状は特に限定されるものではないが、本実施形態に係る外周壁部１０ｂは、一例として円筒形状を有している。
　めっき槽１０の内部には、めっき液が貯留されている。めっき液としては、めっき皮膜を構成する金属元素のイオンを含む溶液であればよく、その具体例は特に限定されるものではない。本実施形態においては、めっき処理の一例として、銅めっき処理を用いており、めっき液の一例として、硫酸銅溶液を用いている。また、本実施形態において、めっき液には所定の添加剤が含まれている。但し、この構成に限定されるものではなく、めっき液は添加剤を含んでいない構成とすることもできる。
　めっき槽１０の内部には、アノード３０が配置されている。特に限定されるものではないが、本実施形態においては、アノード３０の具体例として不溶解アノードを用いている。この不溶解アノードの具体的な種類は特に限定されるものではなく、白金や酸化イリジウム等を用いることができる。
　図３に示すように、めっき槽１０の内部において、アノード３０よりも上方には、隔膜１２が配置されている。具体的には、隔膜１２は、アノード３０と基板Ｗ（カソード）との間の箇所に配置されている。本実施形態に係る隔膜１２の外周部は、めっき槽１０の外周壁部１０ｂに接続されている。また、本実施形態に係る隔膜１２は、隔膜１２の面方向が水平方向になるように、即ち基板と概ね平行になるように配置されている。
　めっき槽１０の内部は、隔膜１２によって上下方向に２分割されている。隔膜１２よりも下方側に区画された領域をアノード室１３と称する。隔膜１２よりも上方側の領域を、カソード室１４と称する。前述したアノード３０は、アノード室１３に配置されている。
　隔膜１２は、イオンの通過を許容しつつ、めっき液に含まれる添加剤の通過を抑制する膜によって構成されている。すなわち、本実施形態において、カソード室１４のめっき液は添加剤を含んでいるが、アノード室１３のめっき液は添加剤を含んでいない。但し、この構成に限定されるものではなく、例えば、アノード室１３のめっき液も添加剤を含んでいてもよい。隔膜１２の具体的な種類は、特に限定されるものではなく、公知の隔膜を用いることができる。この隔膜１２の具体例を挙げると、例えば、電解隔膜を用いることができ、この電解隔膜の具体例として、例えば、株式会社ユアサメンブレンシステム製のめっき用電解隔膜を用いたり、あるいは、イオン交換膜等を用いたりすることができる。
　本実施形態のように、めっき装置１０００が隔膜１２を備えることによって、アノード側での反応によってめっき液に含まれる添加剤の成分が分解又は反応することを抑制することができ、また、この添加剤の成分の分解又は反応によってめっきに悪影響を及ぼす成分が基板側に移動するのを抑制することができる。
　めっき槽１０には、アノード室にめっき液を供給するためのアノード用供給口１５が設けられている。また、めっき槽１０には、アノード室１３のめっき液をアノード室１３から排出するためのアノード用排出口１６が設けられている。アノード用排出口１６から排出されためっき液Ｐｓは、その後、アノード用のリザーバータンク（図示せず）に貯留された後に、アノード用供給口１５からアノード室１３に再び供給される。
　めっき槽１０には、カソード室１４にめっき液を供給するためのカソード用供給口（図示略）が設けられている。例えば、本実施形態に係るめっき槽１０の外周壁部１０ｂのカソード室１４に対応する部分にカソード用供給口（図示略）が設けられている。
　また、めっき槽１０のカソード室１４に対応する位置の外周壁部１０ｂの外側には、有底の容器で構成されたオーバーフロー槽（図示略）が設けられている。オーバーフロー槽は、めっき槽１０の外周壁部１０ｂの上端を超えためっき液（すなわち、めっき槽１０からオーバーフローしためっき液）を貯留するために設けられた槽である。カソード用供給口からカソード室１４に供給されためっき液は、オーバーフロー槽に流入した後に、オーバーフロー槽用の排出口（図示せず）から排出されて、カソード用のリザーバータンク（図示せず）に貯留される。その後、めっき液は、カソード用供給口からカソード室に再び供給される。
　本実施形態におけるカソード室１４には、多孔質の抵抗体（図示略）が配置されてもよい。抵抗体は、複数の孔（細孔）を有する多孔性の板部材によって構成されている。但し、抵抗体は本実施形態に必須の構成というわけではなく、めっき装置１０００は抵抗体を備えていない構成とすることもできる。また、基板ホルダ２０の近傍に、例えば、抵抗体と基板Ｗとの間にパドル（図示略）を配置して、めっき液を攪拌するようにしてもよい。
　本実施形態では、図３及び図４に示すように、アノード室１３において隔膜１２の近傍に、吹流し５０が設けられている。言い換えれば、吹流し５０は、隔膜１２に隣接して、隔膜１２から所定の距離をもって又は隔膜１２に接触して設けられている。吹流し５０は、アノード用供給口１５から供給されアノード用排出口１６から排出されるめっき液の流れによって、図４中の矢印７０で示すように揺れ動く細長い部材（細長部材）５１を有する。細長部材５１の一端には、固定端６０が取り付けられている。固定端６０は、図３に示すように、隔膜１２に固定することが可能である。また、固定端６０は、例えば、Ｌ字状のブラケットによりめっき槽１０の外周壁部１０ｂに固定されてもよい。固定端６０は、図３に示すように、細長部材５１が隔膜１２の下面の近傍で所定の距離をもって離間した状態で揺れ動くことができるように、細長部材５１よりも若干高い寸法を有する。細長部材５１の他端は、自由端となっている。また、吹流し５０（細長部材５１）の固定端６０は、アノード用供給口１５に対向する位置に固定され、細長部材５１がめっき液の流れを受け易いようになっている。
　なお、吹流し５０は、めっき液の流れで揺れ動く際に、隔膜１２の下面に接触してもよく、隔膜１２の下面に接触しなくてもよい。吹流し５０が隔膜１２の下面に接触しない場合には、隔膜１２の近傍での吹流し５０の揺動によるめっき液の振動により、隔膜１２の下面に付着した気泡に外力を加え、気泡を大きくしてめっき液の流れに乗せて排出する効果を奏する。吹流し５０が隔膜１２の下面に接触する場合には、吹流し５０の揺動によるめっき液の振動により気泡を大きくする効果に加え、更に、細長部材５１が気泡に接触して外力を加え、気泡を大きくしてめっき液の流れに乗せて排出する効果も奏する。
　吹流し５０は、以下の条件を満たす材料で構成される。
（１）めっき液の流れによって揺れ動く柔軟性があること（細長部材自体が柔軟性を有する場合、及び複数の細長部材（例えば、棒状部材）が互いに移動可能に連結される場合を含む）。
（２）めっき液に比べて比重が高すぎず、低すぎないこと（比重が高すぎると沈んでしまい、吹流し５０で隔膜１２の下面を撫でること（又は吹流し５０の揺動によるめっき液の振動により気泡に十分に外力を加えること）ができないからであり、比重が低すぎると気泡を動かすのに十分な力を伝えられないからである。）。
（３）めっき液、使用環境（温度、流れ）に対して耐性があること。例えば、塩化ビニル等の樹脂で構成することができる。
　吹流し５０は、アノード３０で発生して隔膜１２の下面に付着したアノードガス（例えば、酸素）の気泡Ｂｕを隔膜１２から除去する。即ち、吹流し５０は、アノード室１３内のめっき液の流れの力によって、隔膜１２の下面近傍において揺れ動いてその振動で、隔膜１２の下面に付着した気泡Ｂｕをはたき、気泡に外力を加えて微細な気泡が大きくまとまって除去されるようにする。隔膜１２の下面から除去された気泡Ｂｕは、めっき液の流れによってアノード用排出口１６から排出される。その後、例えば、めっき槽１０の外部にある気液分離槽（図示略）においてめっき液から分離される。
　不溶解アノードであるアノード３０から発生するアノードガス（例えば酸素）の気泡は直径０．５ｍｍ程度と小さく、気泡が小さいうちは浮力が小さく、液中に長時間漂う。気泡は、隔膜１２の下面に一旦付着すると、めっき液流れによって受ける力よりも隔膜１２への付着力の方が大きいため、流れて行き難い。また、めっき液中の添加剤に含まれる界面活性剤成分の効果により、気泡が安定化するため、純水中と比較して細かい気泡が大きくまとまり難い。一方、気泡に外力を与えると、大きな気泡に成長しやすくなる性質があり。気泡が直径３～５ｍｍ程度まで成長すると、気泡は、めっき液の流れによって受ける力が、隔膜への付着力よりも大きくなるため、流れに乗って排出されるようになる。そこで、本実施形態では、吹流し５０により隔膜１２の下面に付着した気泡に外力を与え、大きな気泡に成長させることにより、気泡をめっき液の流れに乗せて排出するようにしたものである。
　本実施形態による吹流し５０は、構造が簡素で、メンテナンスが不要である。また、吹流し５０は、アノード室１３内のめっき液の流れによって揺れ動くため、専用の動力を必要としない。また、吹流し５０は、めっき槽外部との電気的、機械的接続が必要なく、めっき槽１０の壁に穴を開けなくてよい。また、吹流し５０の設置には、広い空間が不要で、めっき液の使用量、装置の高さを節約できる。
　図５Ａから図５Ｅは、吹流し５０の構成例を示す。図５Ａの吹流し５０は、リボン状の細長部材５１で構成される。図５Ｂの吹流し５０は、ひも状（ロープ状）の細長部材５１で構成される。ひも状（ロープ状）の細長部材５１は、任意の形状の断面を有することができる。図５Ｃの吹流し５０では、細長部材５１は、複数の棒状部材５１ａと、複数の棒状部材５１ａを互いに揺動可能に連結する蝶番５１ｂとを有する。蝶番５１ｂは、複数の棒状部材５１ａが、水平方向に動き易くかつ上下方向には動き難くなるように構成されている。これにより、複数の棒状部材５１ａで気泡を払う効果を向上させている。吹流し５０又は細長部材５１の全体としてめっき液の流れによって揺れ動く柔軟性を有していれば、棒状部材５１ａ自体は、めっき液の流れによって揺れ動く柔軟性を有しなくてもよい（リボン状、ひも状の細長部材５１より低い柔軟性でよい）。
　図５Ｄの吹流し５０では、ひも状の細長部材５１の複数の箇所にバルーン状の浮き５３が設けられている。バルーン状の浮き５３を中空にするか、めっき液よりも密度が低い材料で構成することで、細長部材５１に浮力を与え、細長部材５１がめっき液中を漂いやすくなる。これにより、吹流し５０で気泡を払う効果を向上することができる。
　図５Ｅの吹流し５０では、ひも状の細長部材５１の複数の箇所にスプーン状の浮き５３が設けられている。スプーン状の浮き５３は、湾曲したシート状の部材で構成され、細長部材５１に固定される側で面積が小さく、自由端側で広い面積を有する。この構成では、スプーン状の浮き５３がめっき液の流れにより浮き沈みを繰り返しながらめっき液中を漂い、吹流し５０で気泡を払う効果を向上することができる。図５Ａから図５Ｅに示す１又は複数の形態の吹流しを組み合わせてめっき槽１０内に配置してもよい。
　（第２実施形態）
　図６は、第２実施形態に係るめっきモジュール４００の構成を説明するための断面図である。図７は、第２実施形態に係るめっきモジュール４００の構成を説明するための上面図である。図８は、遮蔽部材８０による渦の生成を説明するための断面図である。以下の説明では、上記実施形態と異なる点を主に説明し、上記実施形態と同様の構成には同一の符号を付し、それらの説明を省略する。
　本実施形態では、吹流し５０の代わりに、遮蔽部材８０がアノード室１３に配置される。遮蔽部材８０は、棒状の部材であり、アノード用供給口１５からアノード用排出口１６に向かうめっき液の流れを横切る／遮るようにアノード室１３内に配置されている。本実施形態では、遮蔽部材８０は、図８に示すように、概ね円形の断面を有する。なお、遮蔽部材８０の断面は、楕円等の他の形状であってもよい。遮蔽部材８０は、図７に示すように、その両端がめっき槽１０の外周壁部に固定されている。遮蔽部材８０は、図６に示すように、隣接する遮蔽部材８０が異なる高さに配置されるように、互い違いに千鳥状に配置されている。同図の例では、遮蔽部材８０は、２つの異なる高さに配置されている。他の例では、３つ以上の異なる高さに遮蔽部材８０が配置されるように千鳥配置されてもよい。また、複数の遮蔽部材８０は、互い違いではなく、マトリクス状に配置されてもよい。
　液体の流路に障害物（遮蔽部材８０）があると、その下流にはカルマン渦が発生する。カルマン渦により流れが乱流になり、渦による引き剥がし効果で隔膜１２から気泡が引きはがされ、下流に流れ易くなる。また、渦によるめっき液の攪拌により気泡を集めて大きい気泡にまとめる効果もある。気泡が大きくなると、めっき液の流れにより受ける力が大きくなり、気泡が流されやすくなることは上述した通りである。遮蔽部材８０の径及び間隔は、カルマン渦の振幅を増幅するように選択される。適切な径の遮蔽部材８０を適切な間隔の千鳥配置で設けることにより、カルマン渦の振幅を増幅することができ、めっき液の流れをより強く乱し、隔膜１２から気泡を引き剥がす効果を向上できる。
　カルマン渦による気泡除去効果を得る条件は、以下の通りである。
（１）めっき液の流速と遮蔽部材８０の大きさ（径）、形状、配置によりカルマン渦の発生位置、強さは変化するため、使用条件（めっきモジュールの構成）により遮蔽部材８０の種類、位置を適切に調整する。
（２）遮蔽部材８０と隔膜１２の間の距離は、カルマン渦が隔膜１２の表面に届き、かつ、気泡が遮蔽部材８０の上を通過し易い距離に設定する。
（遮蔽部材８０と隔膜１２の間の距離が遠すぎると、下流のカルマン渦が隔膜表面に届かず、気泡を剥離させる効果が得られない可能性がある。逆に遮蔽部材８０と隔膜１２の間の距離が近すぎる場合は、気泡が遮蔽部材８０の上を通過し難くなり、遮蔽部材８０の上流側に気泡が滞留する可能性がある。）
（３）遮蔽部材８０によりめっき時の電場が遮蔽され、基板めっき膜の膜厚分布に影響を与える可能性があるため、遮蔽部材８０の太さと本数（基板面への投影面積）は必要最低限とし、分布も均一になるよう配置を調整する。
　図９及び図１０は、遮蔽部材８０の他の構成例を示す断面図である。図９の遮蔽部材８０は、断面視において、めっき液の流れの上流側に開口するＣ字形状を有する。めっき液の流れに対して高い抵抗となるように、遮蔽部材８０をめっき液の流れの上流側に開口するＣ字形状とすることにより、カルマン渦の発生効率を向上することができる。図１０の遮蔽部材８０は、断面視において隔膜側に凸で、隔膜側の断面周長がアノード側の断面周長よりも長い翼形状を有する。この構成によれば、遮蔽部材８０の断面を翼形状とすることで、翼形状の下流側でカルマン渦を発生させると共に、隔膜１２の近傍でめっき液の流速を増大し、隔膜１２に付着した気泡の剥離を促進することができる。図８から図１０の１又は複数の形態の遮蔽部材を組み合わせてめっき槽１０に配置してもよい。
　（他の実施形態）
　（１）上記実施形態では、アノード３０は不溶解アノードとしたが、溶解アノードとしてもよい。
　（２）上記実施形態では、複数の吹流し５０を設ける場合について説明したが、単一の吹流しを設けてもよい。吹流しの大きさを適切に設定することで、単一の吹流しであっても、隔膜に付着した気泡を除去するのに一定の効果を発揮し得る。
　（３）上記実施形態では、複数の遮蔽部材８０を設ける場合について説明したが、単一の遮蔽部材を設けてもよい。遮蔽部材の大きさを適切に設定することで、単一の遮蔽部材あっても、隔膜に付着した気泡を除去するのに一定の効果を発揮し得る。
　（４）遮蔽部材８０の一部又は全部は、一端がめっき槽１０の外周壁部に固定され、他端は外周壁部に固定されず、アノード室の途中まで延びる構成であってもよい。また、遮蔽部材８０の一部又は全部は、両端がめっき槽１０の外周壁部に固定されるが、途中で途切れている構成（棒状部材が２つに分割され、２つの部分の間に空間を有する構成）であってもよい。平面視において遮蔽部材８０が途切れている部分に吹流しを配置してもよい。１又は複数の吹流し５０と、１又は複数の複数の遮蔽部材８０を組み合わせてもよい。
　本発明は、以下の形態としても記載することができる。
　形態１によれば、　めっき槽と、　前記めっき槽を上下に仕切る隔膜と、　前記隔膜よりも下方側に区画された前記アノード室に配置されたアノードと、　前記アノード室よりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、　前記アノード室にめっき液を導入する供給口と、　前記アノード室からめっき液を排出する排出口と、　前記アノード室に設けられ、前記供給口から前記排出口に向かうめっき液の流れによって揺れ動く１又は複数の吹流しと、を備え、　前記吹流しは、その一端が、めっき液の流れの上流側で前記隔膜に隣接して固定されている、めっき装置が提供される。アノード室の供給口と排出口は、例えば、互いに対向するように設けられる。
　この形態によれば、めっき液の流れの力によって、隔膜の近傍に設置した吹流しが揺れ、その振動で、隔膜の下面に付着した微細な気泡に外力が加えられることにより、微細な気泡が大きくまとまってめっき液の流れにより隔膜から除去される。これにより、隔膜の下面に付着した微細な気泡を大きくまとめてめっき液の流れで排出口から排出することができる。この結果、隔膜の下面に付着した気泡により電場（電流）の分布が不均一になり基板のめっき膜厚分布が不均一になることを抑制することができる。
　形態２によれば、形態１のめっき装置において、　前記１又は複数の吹流しの少なくとも１つの吹流しは、リボン状の部材である。この形態によれば、リボン状の部材の幅及び厚みを調節することにより、隔膜に付着した微細な気泡を効率よくはたくことができる。
　形態３によれば、形態１のめっき装置において、　前記１又は複数の吹流しの少なくとも１つの吹流しは、ひも状の部材である。この形態によれば、ひも状の部材の径を調節することにより、隔膜に付着した微細な気泡を効率よくはたくことができる。
　形態４によれば、形態１のめっき装置において、　前記１又は複数の吹流しの少なくとも吹流しは、複数の棒状の部材が蝶番で互いに連結され、水平方向に揺れ動く構成を有する。この形態によれば、複数の棒状の部材が、水平方向に動き易く、上下方向には動き難いため、気泡を払う効果を向上することができる。
　形態５によれば、形態１のめっき装置において、　前記１又は複数の吹流しの少なくとも吹流しは、バルーン状の浮きを有する。この形態によれば、バルーン状の浮きを中空にするか、めっき液よりも密度が低い材料で構成することで、吹流しがめっき液中を漂いやすくなる。これにより、吹流しで気泡を払う効果を向上することができる。
　形態６によれば、形態１のめっき装置において、　前記１又は複数の吹流しの少なくとも吹流しは、スプーン状の浮きを有する。この形態によれば、スプーン状の浮きがめっき液の流れにより浮き沈みを繰り返しながらめっき液中を漂い、吹流しで気泡を払う効果を向上させることができる。
　形態７によれば、　めっき槽と、　前記めっき槽を上下に仕切る隔膜と、　前記隔膜よりも下方側に区画された前記アノード室に配置されたアノードと、　前記アノード室よりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、　前記アノード室にめっき液を導入する供給口と、　前記アノード室からめっき液を排出する排出口と、　前記アノード室において前記供給口から前記排出口に向かうめっき液の流れを横切るように配置された棒状の遮蔽部材であって、遮蔽部材の下流にカルマン渦を発生させるように構成されている１又は複数の遮蔽部材と、を備えるめっき装置が提供される。
　この形態によれば、めっき液の流れを遮る遮蔽部材により、遮蔽部材の下流にカルマン渦が発生する。カルマン渦により流れが乱流になり、渦による引き剥がし効果で気泡が隔膜から離れ、下流に流れやすくなる。これにより、隔膜の下面に付着した微細な気泡をめっき液の流れで排出口から排出することができる。また、渦によるめっき液の攪拌により気泡を集めて大きい気泡にまとめる効果もある。気泡が大きくなると、めっき液の流れにより受ける力が大きくなり、気泡が流されやすくなる。この結果、隔膜の下面に付着した気泡により電場（電流）の分布が不均一になり基板のめっき膜厚分布が不均一になることを抑制することができる。
　形態８によれば、形態７のめっき装置において、　前記１又は複数の遮蔽部材は、前記隔膜に平行に配置されている。この形態によれば、隔膜の下面全体にわたって均一にカルマン渦を発生し易くすることができる。
　形態９によれば、形態７又は８のめっき装置において、　前記１又は複数の遮蔽部材は、複数の遮蔽部材を有し、　前記複数の遮蔽部材は、断面視において千鳥状に互い違いに配置されている。
　この形態によれば、適切な太さの遮蔽部材を適切な間隔の千鳥配置で設置することにより、カルマン渦の振幅を増幅することができ、これにより、めっき液の流れをより強く乱し、気泡を引き剥がす効果を高めることができる。
　形態１０によれば、形態７から９の何れかのめっき装置において、　前記１又は複数の遮蔽部材の少なくとも１つの遮蔽部材は、断面視において、前記めっき液の流れの上流側に開口するＣ字形状を有する。
　この形態によれば、めっき液の流れに対して高い抵抗となるように、遮蔽部材をめっき液の流れの上流側に開口するＣ字形状とすることにより、カルマン渦の発生効率を向上することができる。
　形態１１によれば、形態７から９の何れかのめっき装置において、　前記１又は複数の遮蔽部材の少なくとも１つの遮蔽部材は、断面視において、前記隔膜側に凸で、隔膜側の断面周長が前記アノード側の断面周長よりも長い翼形状を有する。
　この形態によれば、遮蔽部材の断面を翼形状とすることで、隔膜の近傍でめっき液の流速を増大し、隔膜に付着した気泡の剥離を促進することができる。
　形態１２によれば、　めっき槽において隔膜の下方側に区画されたアノード室に設けられためっき液の供給口から排出口に向かうめっき液の流れを形成すること、　前記めっき液の流れによって前記隔膜に隣接した位置で吹流しを揺動させ、前記隔膜の前記アノード室側の面に付着した気泡をはたいて大きな気泡にまとめて、めっき液の流れによって前記出口から排出すること、を含むめっき方法が提供される。
　この形態によれば、形態１で述べたと同様の作用効果を奏する。
　形態１３によれば、　めっき槽において隔膜の下方側に区画されたアノード室に設けられためっき液の供給口から排出口に向かうめっき液の流れを形成すること、　前記アノード室において前記供給口から前記排出口に向かうめっき液の流れを横切るように配置された棒状の遮蔽部材によって、前記遮蔽部材の下流側にカルマン渦を発生させ、前記隔膜の前記アノード室側の面に付着した気泡を引き剥がして前記排出口から排出すること、を含むめっき方法が提供される。
　この形態によれば、形態７で述べたと同様の作用効果を奏する。
　以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、実施形態および変形例の任意の組み合わせが可能であり、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。
　１０　めっき槽
　１２　隔膜
　１５　アノード用供給口
　１６　アノード用排出口
　２０　基板ホルダ
　３０　アノード
　４０　電源
　５０　吹流し
　５１　細長部材
　５１ａ　棒状部材
　５１ｂ　蝶番
　５３　バルーン状の浮き
　５４　スプーン状の浮き
　６０　固定端
　８０　遮蔽部材
　４００　めっきモジュール
　１０００　めっき装置

Claims (13)

  1. 　めっき槽と、
    　前記めっき槽を上下に仕切る隔膜と、
    　前記隔膜よりも下方側に区画された前記アノード室に配置されたアノードと、
    　前記アノード室よりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、
    　前記アノード室にめっき液を導入する供給口と、
    　前記アノード室からめっき液を排出する排出口と、
    　前記アノード室に設けられ、前記供給口から前記排出口に向かうめっき液の流れによって揺れ動く１又は複数の吹流しと、
    を備え、
    　前記吹流しは、その一端が、めっき液の流れの上流側で前記隔膜に隣接して固定されている、
    めっき装置。
  2. 　請求項１に記載のめっき装置において、
    　前記１又は複数の吹流しの少なくとも１つの吹流しは、リボン状の部材である、めっき装置。
  3. 　請求項１に記載のめっき装置において、
    　前記１又は複数の吹流しの少なくとも１つの吹流しは、ひも状の部材である、めっき装置。
  4. 　請求項１に記載のめっき装置において、
    　前記１又は複数の吹流しの少なくとも吹流しは、複数の棒状の部材が蝶番で互いに連結され、水平方向に揺れ動く構成を有する、めっき装置。
  5. 　請求項１に記載のめっき装置において、
    　前記１又は複数の吹流しの少なくとも吹流しは、バルーン状の浮きを有する、めっき装置。
  6. 　請求項１に記載のめっき装置において、
    　前記１又は複数の吹流しの少なくとも吹流しは、スプーン状の浮きを有する、めっき装置。
  7. 　めっき槽と、
    　前記めっき槽を上下に仕切る隔膜と、
    　前記隔膜よりも下方側に区画された前記アノード室に配置されたアノードと、
    　前記アノード室よりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、
    　前記アノード室にめっき液を導入する供給口と、
    　前記アノード室からめっき液を排出する排出口と、
    　前記アノード室において前記供給口から前記排出口に向かうめっき液の流れを横切るように配置された棒状の遮蔽部材であって、遮蔽部材の下流にカルマン渦を発生させるように構成されている１又は複数の遮蔽部材と、
    を備えるめっき装置。
  8. 　請求項７に記載のめっき装置において、
    　前記１又は複数の遮蔽部材は、前記隔膜に平行に配置されている、めっき装置。
  9. 　請求項７又は８に記載のめっき装置において、
    　前記１又は複数の遮蔽部材は、複数の遮蔽部材を有し、
    　前記複数の遮蔽部材は、断面視において千鳥状に互い違いに配置されている、めっき装置。
  10. 　請求項７から９の何れかに記載のめっき装置において、
    　前記１又は複数の遮蔽部材の少なくとも１つの遮蔽部材は、断面視において、前記めっき液の流れの上流側に開口するＣ字形状を有する、めっき装置。
  11. 　請求項７から９の何れかに記載のめっき装置において、
    　前記１又は複数の遮蔽部材の少なくとも１つの遮蔽部材は、断面視において、前記隔膜側に凸で、隔膜側の断面周長が前記アノード側の断面周長よりも長い翼形状を有する、めっき装置。
  12. 　めっき槽において隔膜の下方側に区画されたアノード室に設けられためっき液の供給口から排出口に向かうめっき液の流れを形成すること、
    　前記めっき液の流れによって前記隔膜に隣接した位置で吹流しを揺動させ、前記隔膜の前記アノード室側の面に付着した気泡をはたいて大きな気泡にまとめて、めっき液の流れによって前記出口から排出すること、
    を含むめっき方法。
  13. 　めっき槽において隔膜の下方側に区画されたアノード室に設けられためっき液の供給口から排出口に向かうめっき液の流れを形成すること、
    　前記アノード室において前記供給口から前記排出口に向かうめっき液の流れを横切るように配置された棒状の遮蔽部材によって、前記遮蔽部材の下流側にカルマン渦を発生させ、前記隔膜の前記アノード室側の面に付着した気泡を引き剥がして前記排出口から排出すること、
    を含むめっき方法。
PCT/JP2021/023018 2021-06-17 2021-06-17 めっき装置及びめっき方法 WO2022264354A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2021/023018 WO2022264354A1 (ja) 2021-06-17 2021-06-17 めっき装置及びめっき方法
JP2021557259A JP7016995B1 (ja) 2021-06-17 2021-06-17 めっき装置及びめっき方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2021/023018 WO2022264354A1 (ja) 2021-06-17 2021-06-17 めっき装置及びめっき方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022264354A1 true WO2022264354A1 (ja) 2022-12-22

Family

ID=80817814

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/023018 WO2022264354A1 (ja) 2021-06-17 2021-06-17 めっき装置及びめっき方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP7016995B1 (ja)
WO (1) WO2022264354A1 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0499897A (ja) * 1990-08-15 1992-03-31 Arumetsukusu:Kk 水平搬送型メッキ装置
US20180237933A1 (en) * 2010-12-01 2018-08-23 Novellus Systems, Inc. Electroplating apparatus and process for wafer level packaging
JP2018145513A (ja) * 2017-03-09 2018-09-20 トヨタ自動車株式会社 金属皮膜の成膜装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0499897A (ja) * 1990-08-15 1992-03-31 Arumetsukusu:Kk 水平搬送型メッキ装置
US20180237933A1 (en) * 2010-12-01 2018-08-23 Novellus Systems, Inc. Electroplating apparatus and process for wafer level packaging
JP2018145513A (ja) * 2017-03-09 2018-09-20 トヨタ自動車株式会社 金属皮膜の成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP7016995B1 (ja) 2022-02-07
JPWO2022264354A1 (ja) 2022-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2734269B2 (ja) 半導体製造装置
JP6937974B1 (ja) めっき装置、およびめっき方法
US20240209542A1 (en) Plating method and plating apparatus
US12077875B2 (en) Air bubble removing method of plating apparatus and plating apparatus
JP4365143B2 (ja) めっき用処理液の撹拌方法及びめっき用処理装置
TWI774443B (zh) 鍍覆裝置及鍍覆方法
US20230295829A1 (en) Plating apparatus and air bubble removing method of plating apparatus
WO2022264354A1 (ja) めっき装置及びめっき方法
JP6899041B1 (ja) めっき装置及びめっき液の撹拌方法
JP4795075B2 (ja) 電気めっき装置
CN108624940B (zh) 镀覆装置以及镀覆槽结构的确定方法
KR101426373B1 (ko) 기판 도금 장치
TWI787703B (zh) 鍍覆裝置及鍍覆液之攪拌方法
JP6993288B2 (ja) めっき装置
JP2022059253A (ja) めっき装置及びめっき方法
JPH08195372A (ja) 洗浄装置およびその方法
CN115135815B (zh) 镀覆处理方法
JP2004339590A (ja) 表面処理装置
TWI814116B (zh) 鍍覆處理方法
TWI838020B (zh) 鍍覆裝置
JP7161085B1 (ja) めっき装置
JP7097523B1 (ja) 基板ホルダの保管方法、めっき装置
JPH06158396A (ja) 電解めっき液の撹拌方法
JP7354484B1 (ja) めっき装置及びめっき方法
JP7542781B1 (ja) めっき方法

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2021557259

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21946031

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21946031

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1