TWI638404B - 蝕刻用快速氣體切換 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種在具有內部注射區氣體進料器以及外部注射區氣體進料器的電漿腔室內蝕刻一層體的方法。該層體係置於該電漿腔室中。一脈衝蝕刻氣體自內部注射區氣體進料器以一第一頻率供應，其中來自該內部注射區氣體進料器的脈衝氣體之氣流線性降至零。該脈衝氣體由該外部注射區氣體進料器以該第一頻率提供，且與來自該內部注射區氣體進料器的該脈衝氣體同步但不同相位。在自內部注射區氣體進料器提供該脈衝蝕刻氣體、以及自外部注射區氣體進料器提供該脈衝蝕刻氣體的同時，該蝕刻氣體形成為一電漿以蝕刻該層體。

Description

蝕刻用快速氣體切換
本發明係有關半導體元件的生成。更具體而言，本發明關於需要蝕刻特徵部的半導體元件的生成。
半導體晶圓加工的蝕刻過程中，可使用不同的電漿程序。
為達到上文所述以及根據本發明之目的，本發明提供在具有內部注射區氣體進料器以及外部注射區氣體進料器的一電漿腔室內蝕刻一層體的方法。該層體係置於電漿腔室內。一脈衝蝕刻氣體係自內部注射區氣體進料器以第一頻率提供，其中，自內部注射區氣體進料器提供脈衝蝕刻氣體期間，來自該內部注射區氣體進料器的脈衝蝕刻氣體之氣流線性降至零。該脈衝蝕刻氣體係自外部注射區氣體進料器以該第一頻率提供，並且與來自內部注射區氣體進料器的脈衝蝕刻氣體同步但不同相位，其中外部注射區氣體進料器圍繞內部注射區氣體進料器，其中，自外部注射區氣體進料器提供脈衝蝕刻氣體期間，來自外部注射區氣體進料器的脈衝蝕刻氣體之氣流線性降至零。在自內部注射區 氣體進料器提供脈衝蝕刻氣體、以及自外部注射區氣體進料器提供脈衝蝕刻氣體的同時，該蝕刻氣體形成為電漿以蝕刻該層體。
本發明之另一表現形式中，提供在具有內部注射區氣體進料器以及外部注射區氣體進料器的電漿腔室內蝕刻一層體的方法。該層體係置於電漿腔室內。脈衝蝕刻氣體係自內部注射區氣體進料器以第一頻率提供。該脈衝蝕刻氣體係自外部注射區氣體進料器以該第一頻率提供，並且與來自內部注射區氣體進料器的脈衝蝕刻氣體同步但不同相位。在自內部注射區氣體進料器提供脈衝蝕刻氣體、以及自外部注射區氣體進料器提供脈衝蝕刻氣體的同時，該蝕刻氣體形成為電漿以蝕刻該層體。
本發明之另一表現形式中，提供用於蝕刻在晶圓上之蝕刻層的設備。電漿處理腔室包含形成電漿處理腔室外殼的腔室壁。基板支撐件在電漿處理腔室外殼的內部支撐晶圓。壓力調節器控制電漿處理腔室外殼內的壓力。至少一電極提供電力給電漿處理腔室殼體以保持電漿。內部注射區氣體進料器提供氣體進入電漿處理腔室外殼。圍繞內部注射區氣體進料器的外部注射區氣體進料器提供氣體進入電漿處理腔室外殼。氣體出口用以自電漿處理腔室外殼排出氣體。至少一射頻電源電性連接於該至少一電極。設置一氣體源。具有至少1Hz的切換速度之開關流體連接在氣體源、和內部注射區氣體進料器及外部注射區氣體進料器間，其中該開關能以第一頻率提供脈衝氣體至內部注射區氣體進料器，並能夠以該第一頻率提供脈衝氣體至外部注射區氣體進料器，但與提供脈衝氣體至內部注射區氣體進料器相位。
本發明之這些及其他特徵將於下面的本發明詳細說明結合其後的圖式更詳細地描述。
104‧‧‧設置具有蝕刻層的基板
108‧‧‧自內部注射區進料器提供脈衝蝕刻氣體
112‧‧‧自外部注射區進料器提供脈衝蝕刻氣體
116‧‧‧蝕刻氣體形成為電漿
200‧‧‧堆疊層
204‧‧‧基板
208‧‧‧蝕刻層
212‧‧‧圖案化遮罩
216‧‧‧特徵部
300‧‧‧電漿處理系統
302‧‧‧電漿反應器
304‧‧‧電漿處理腔室
306‧‧‧電漿電源
308‧‧‧匹配網路
310‧‧‧變壓耦合電漿線圈
312‧‧‧能源窗
314‧‧‧電漿
316‧‧‧偏電壓電源
318‧‧‧匹配網路
320‧‧‧電極
324‧‧‧控制器
330‧‧‧氣體源/氣體進料器
332‧‧‧開關
333‧‧‧內開關
334‧‧‧外周氣體源
335‧‧‧外開關
336‧‧‧氣體進料器
338‧‧‧外周氣體進入口
342‧‧‧壓力控制閥
344‧‧‧泵浦
346‧‧‧內通道
348‧‧‧外通道
400‧‧‧電腦系統
402‧‧‧處理器
404‧‧‧顯示裝置
406‧‧‧主記憶體
408‧‧‧儲存裝置
410‧‧‧可抽換式儲存裝置
412‧‧‧使用者介面裝置
414‧‧‧通訊介面
416‧‧‧共用通訊基礎結構
504‧‧‧脈衝
508‧‧‧脈衝
604‧‧‧曲線
608‧‧‧曲線
612‧‧‧曲線
本發明係以所附圖式之圖形中示例的方式描述本發明而非為限制的方式。圖式中類似的參考標號關聯於相似的元件，其中：圖1係可使用於本發明實施例的程序之高階流程圖。
圖2A-B係根據本發明實施例處理的一堆疊層剖面示意圖。
圖3係可用於實現本發明之電漿處理腔室示意圖。
圖4描述適於實現用於本發明實施例的控制器之電腦系統。
圖5A-B係蝕刻氣體脈衝圖。
圖6係一晶圓副產物分布圖。
本發明現將參照其如附圖所示之數個較佳實施例詳細說明之。以下的說明中，提出諸多特定細節以提供本發明完善的理解。然而，對熟悉本技術領域者為顯而易見，本發明可在不具有這些特定細節之部分或全部者的情況下實施。另一方面，廣為習知的程序步驟及/或結構將不予描述以避免對本發明不必要的混淆。
為幫助理解，圖1係可用於本發明實施例中、蝕刻特徵部的程序之高階流程圖。基板設置有蝕刻層(步驟104)。自內部注射區氣體進料器以第一頻率使蝕刻氣體產生脈衝(步驟108)。自外部注射區氣體進料器以該第一頻率使 蝕刻氣體產生脈衝，但與來自內部注射區氣體進料器的脈衝蝕刻氣體不同相位(步驟112)。蝕刻氣體形成為一電漿(步驟116)。
示例：
在本發明實施例的一示例中，基板係於電漿處理腔室中在具有特徵部之遮罩下設置蝕刻層(步驟104)。圖2A係具有設置在蝕刻層208下方之基板204的堆疊層200剖面圖，蝕刻層208設置在具有特徵部216之圖案化遮罩212下方。本例中，蝕刻層208為矽。蝕刻層208可以是沉積在基板204上的例如多晶矽之矽層，或是基板204的一部分。圖案化遮罩212由氧化矽形成。在各樣實施例中，一或更多層體可以置於不同的層體之間。舉例來說，例如蝕刻停止層之一或更多層可以位在蝕刻層208及基板204之間。
圖3概要描述根據本發明的一實施例、用於進行蝕刻該蝕刻層208之程序的電漿處理系統300示例。電漿處理系統300包含其中具有電漿處理腔室304的電漿反應器302。由匹配網路308調整之電漿電源306提供電力給位於電力窗312附近的變壓耦合電漿(TCP)線圈310，以藉由提供感應耦合電力在電漿處理腔室304內產生電漿314。變壓耦合電漿線圈(上電源)310可以設置成在電漿處理腔室304內部產生均勻擴散的分布。例如，變壓耦合電漿線圈310可設置成在電漿314內產生環面電力分布。電力窗312可設置成分隔電漿處理腔室304及變壓耦合電漿線圈310，同時允許能量自變壓耦合電漿線圈310通過到達電漿處理腔室304。由匹配網路318調整的晶圓偏電壓電源316提供電力給電極320，以在由電極320支撐的基板204上設定偏電壓。控制器324設定電漿電源306及晶圓偏電壓電源316的複數設定點。
電漿電源306及晶圓偏電壓電源316可設置成在特定射頻下操 作，例如13.56MHz、27MHz、2MHz、400kHz或其組合。電漿電源306及晶圓偏電壓電源316可適當地調整尺寸以提供一範圍之電力來達到希望的製程表現。例如，在本發明之一實施例中，電漿電源306可提供50到5000瓦範圍內的電力，而晶圓偏電壓電源316可提供20到2000伏特範圍內的偏電壓。此外，變壓耦合電漿線圈310及/或電極320可由二或更多副線圈或副電極組成，其可由單一電源供電或由多個電源供電。
如圖3所示，電漿處理系統300更包含氣體源/氣體供應機構330。氣體源/氣體供應機構330提供氣體到開關332，開關332以噴嘴的形式提供氣體到氣體進料器336。氣體進料器336具有內通道346及外通道348。在此實施例中，八個外通道348圍繞內通道346。在此實施例中，開關332係能夠以至少1Hz頻率提供氣體脈衝至內外通道346、348的快速開關。在此實施例中，開關332包含提供氣體至內通道346的內開關333以及提供氣體至外通道348的外開關335。在另一實施例中，並未使用副開關來控制氣體脈衝到內通道346及外通道348，使開關332自內通道346切換氣體流向外通道348以及流回。在此實施例中，外周氣體源334提供氣體至外周氣體進入口338。程序用的氣體及副產物經由壓力控制閥342及泵浦344自電漿處理腔室304移除，壓力控制閥342及泵浦344亦供作在電漿處理腔室304內部維持一特定壓力。氣體源/氣體供應機構330及外周氣體源334由控制器324控制。由Fremont,CA之Lam Research Corp.製造的改良式Kiyo可用於實現本發明之實施例。
圖4顯示適於實施本發明之實施例中所用之控制器324的電腦系統400之高階方塊圖。該電腦系統可以有多種物理形式，其範疇從積體電路、印刷電路板、小型手持裝置到大型超級電腦。電腦系統400包含一或多個處理器 402，更可包含電子顯示裝置404(用以顯示圖案、文字或其他資料)、主記憶體406(如隨機存取記憶體(RAM))、儲存裝置408(如硬碟機)、可抽換儲存裝置410(如光碟機)、使用者介面裝置412(如鍵盤、觸控螢幕、輔助鍵盤、滑鼠或其他指標裝置等)、以及通訊介面414(如無線網路介面)。通訊介面414使軟體和資料得以在電腦系統400和外部裝置之間經由一連結傳輸。該系統亦可包含共同通訊基礎結構416(例如通訊匯流排、交叉匯流條或網路)使上述之裝置/模組得以連接。
經由通訊介面414傳輸的資訊，可以是能經由一通訊連接由通訊介面414接收的訊號形式，例如電子、電磁、光或是其他訊號，該通訊連接能傳載訊號，且可使用導線或纜線、光纖、電話線、手機連結、射頻連結及/或其他通訊途徑加以實施。利用此通訊介面，可預見一或多個處理器402在運行上述方法的步驟時可自網路接收資訊或可輸出資訊至網路。再者，本發明之方法實施例可由處理器402獨立執行，或可透過例如網際網路之網路與分擔一部分處理的遠端處理器偕同執行。
用語「非暫態電腦可讀取媒體」一般意指如主記憶體、輔助記憶體、抽換式儲存裝置之媒體、及例如硬碟、快閃記憶體、磁盤儲存記憶體、光碟片及其他形式的持續性記憶體，且不應被理解為涵蓋如載波或訊號。電腦碼的示例包括例如經由編譯器產生的機器碼、和由電腦使用解譯器執行之含有較高階編碼的檔案。電腦可讀取媒體亦可為由電腦資料訊號傳遞的電腦碼，該電腦碼係體現於載波中並代表一串可由處理器執行之指令。
蝕刻氣體自內部注射區氣體進料器以第一頻率產生脈衝(步驟108)。在本示例中，蝕刻氣體係每分鐘200標準毫升(standard cubic centimeter per minute,sccm)的Cl2(氯)。腔室壓力設定為20毫托(mT)。其他實施例中，腔室壓力 可以在次毫托~1托(0.1毫托~1托)的範圍內。在其他實施例中，蝕刻氣體包含一含有鹵素的成分或一含有氟碳化合物的成分。在此實施例中，內部注射區氣體進料器係內通道346的出口。圖5A係內部注射區氣體進料器的脈衝圖。在本示例中，內部注射區氣體進料器的脈衝504在1秒時開始並在氣流降至0%前持續3秒。氣流再次開始於8秒時並持續3秒。因此，內部注射區氣體進料器的脈衝504具有7秒的週期並有1/7Hz的頻率及3/7或約43%的工作週期(duty cycle)。
蝕刻氣體自外部注射區氣體進料器產生脈衝(步驟112)。較佳地，蝕刻氣體自外部注射區氣體進料器以第一頻率產生脈衝，且與來自內部注射區氣體進料器的脈衝蝕刻氣體不同相位。在本實施例中，外部注射區氣體進料器係外通道348的出口。圖5B係外部注射區氣體進料器的脈衝示意圖。在本示例中，外部注射區氣體進料器的脈衝508在3秒時以50%開始並在氣流降至0%前持續4秒。氣流在10秒時再次開始並持續4秒。因此，外部注射區氣體進料器的脈衝508具有7秒的週期並有1/7Hz的頻率以及4/7或約57%的工作週期。在本示例中，內部注射區氣體進料器的脈衝504及外部注射區氣體進料器的脈衝508重疊1秒。此外，在外部注射區氣體的脈衝508的結束和內部注射區氣體的脈衝504的起始間有1秒的間隔。圖5A及5B顯示來自外部注射區氣體進料器的脈衝蝕刻氣體以第一頻率與來自內部注射區氣體進料器的脈衝蝕刻氣體同步產生脈衝且不同相位。
蝕刻氣體形成為電漿(步驟116)。在本示例中，變壓耦合電漿功率設置在1瓦到4000瓦的範圍內。一偏電壓設置在0伏特到3000伏特範圍間。蝕刻氣體形成為電漿係與自內部注射區氣體進料器提供脈衝蝕刻氣體以及自外部注射區氣體進料器提供脈衝蝕刻氣體同步。圖2B係堆疊層200在特徵部216被完全 蝕刻後的剖面圖。
本實施例提供穩定不變、在內部注射區氣體進料器及外部注射區氣體進料器之間以不同相位產生脈衝的蝕刻氣體。容許獨立的工作週期同時以不同相位維持相同頻率允許額外的調整機構在整個基板表面上提供較均勻的蝕刻。較佳地，該脈衝使往內部注射區氣體進料器及外部注射區氣體進料器的氣流線性減至零。
圖6係在Kiyo腔室內的晶圓副產物分布圖，標繪穩態SiCl4質量比例與自基板中心起的距離(以公分為單位)之關係。若蝕刻氣體僅通過內通道346而只供應給內部注射區，則曲線604係所產生的晶圓副產物分布。SiCl4的質量比例在中心附近幾乎為1.0，並在離中心15.0cm處降至約0.6。此導致在基板的中心及邊緣間存在約40%的氯化矽質量比例差值。若蝕刻氣體僅經由外通道348而只供應給外部注射區，則曲線608係所產生的晶圓副產物分布。SiCl4的質量比例在中心附近約為0.3，並在離中心15.0cm處升至約0.8。此導致」在基板的中心及邊緣間存在超過100%的氯化矽質量比例差值。曲線612為曲線604及608的平均，係由對內部注射區及外部注射區以相等工作週期進行交替脈衝所產生。SiCl4的質量比例在中心附近約為0.6，並在距中心15.0cm處升至約0.7。此導致在基板的中心及邊緣間存在約17%的氯化矽質量比例差值。基板的中心及邊緣間較低的SiCl4質量比例百分比差值表示在晶圓的整體表面上較為均勻的蝕刻。在氣體脈衝過程中，副產物可以在啟動下一個反應序列之前的氣體流事件點之間被泵出。相反的，在連續氣體流方法中，即便是兩區均屬操作性的情況下，反應物和副產物仍總是在整個程序中交互作用，而這是不利的。
此實施例中，內部注射區氣體進料器在層體的中心上方並導引蝕 刻氣體直接朝向層體的中心，而外部注射區氣體進料器以相對該層體之銳角導引蝕刻氣體，如圖3所示。此外，在此實施例中，外部注射區氣體進料器導引蝕刻氣體離開層體的中心。
在本發明其他實施例中，外周氣體進入口338可做為外部注射區氣體進料器使用，而內通道346及/或外通道348形成內部注射區氣體進料器。在另一實施例中，外周氣體進入口338及外通道348兩者形成外部注射區氣體進料器，而內通道346形成內部注射區氣體進料器。在這些實施例中，外部注射區圍繞內部注射區。
在另一實施例中，內通道346形成內部注射區氣體進料器，外通道348形成外部注射區氣體進料器，而外周氣體進入口338提供一調節氣體。可使該調節氣體可產生脈衝。在一實施例中，調節氣體的脈衝頻率與蝕刻氣體的脈衝頻率不同。在另一實施例中，調節氣體的脈衝頻率與蝕刻氣體的脈衝頻率相同。在另一實施例中，外周氣體進入口338係未使用或不存在。
儘管較佳的實施例係使用感應耦合以供給電漿能量，但其餘實施例可使用例如電容耦合等其他方法供給電漿能量。其他實施例中，噴嘴可以用噴淋頭置換。在其他實施例中，脈衝並非方波脈衝。
儘管本發明已照數個較佳實施例描述，仍存在落入本發明之範疇的其他變更、置換和各種各樣的替代均等者。亦應注意存在許多其他實施本發明之方法和設備的替代方式。因此欲使下述的申請專利範圍解釋為包含落入本發明之精神及範疇的所有變更、置換和各種各樣的替代均等者。

Claims (22)

  1. 一種電漿腔室中的一層體之蝕刻方法，該電漿腔室具有一內部注射區氣體進料器以及一外部注射區氣體進料器，該蝕刻方法包括：放置該層體在該電漿腔室內；自該內部注射區氣體進料器以一第一頻率提供一脈衝蝕刻氣體，其中，在自該內部注射區氣體進料器提供該脈衝蝕刻氣體期間，來自該內部注射區氣體進料器的該脈衝蝕刻氣體之氣流線性降至零；自該外部注射區氣體進料器以該第一頻率供應該脈衝蝕刻氣體，並且與來自該內部注射區氣體進料器的該脈衝蝕刻氣體同步但不同相位，其中該外部注射區氣體進料器圍繞該內部注射區氣體進料器，其中，在自該外部注射區氣體進料器以該第一頻率提供該脈衝蝕刻氣體期間，來自該外部注射區氣體進料器的脈衝蝕刻氣體之氣流線性降至零；以及，在自該內部注射區氣體進料器提供該脈衝蝕刻氣體及自該外部注射區氣體進料器提供該脈衝蝕刻氣體的同時，將該脈衝蝕刻氣體形成為一電漿以蝕刻該層體，其中該內部注射區氣體進料器係位在該層體的一中心上方，其中該內部注射區氣體進料器引導該脈衝蝕刻氣體直接地朝向該層體的該中心，且其中該外部注射區氣體進料器以相對該層體之一銳角引導該脈衝蝕刻氣體。
  2. 一種電漿腔室中的一層體之蝕刻方法，該電漿腔室具有一內部注射區氣體進料器以及一外部注射區氣體進料器，該蝕刻方法包括：放置該層體在該電漿腔室內；自該內部注射區氣體進料器以一第一頻率提供一脈衝蝕刻氣體；自該外部注射區氣體進料器以該第一頻率供應該脈衝蝕刻氣體，並且與來自該內部注射區氣體進料器的該脈衝氣體同步但不同相位；以及，在自該內部注射區氣體進料器提供該脈衝蝕刻氣體及自該外部注射區氣體進料器提供該脈衝蝕刻氣體的同時，將該脈衝蝕刻氣體形成為一電漿以蝕刻該層體，其中該內部注射區氣體進料器係位在該層體的一中心上方，其中該內部注射區氣體進料器引導該脈衝蝕刻氣體直接地朝向該層體的該中心，且其中該外部注射區氣體進料器以相對該層體之一銳角引導該脈衝蝕刻氣體。
  3. 如申請專利範圍第2項中的電漿腔室中的一層體之蝕刻方法，其中該外部注射區氣體進料器圍繞該內部注射區氣體進料器。
  4. 如申請專利範圍第3項中的電漿腔室中的一層體之蝕刻方法，其中來自該內部注射區氣體進料器的該脈衝蝕刻氣體之氣流在脈衝過程中線性降至零。
  5. 如申請專利範圍第4項中的電漿腔室中的一層體之蝕刻方法，其中來自該外部注射區氣體進料器的該脈衝蝕刻氣體之氣流在脈衝過程中線性降至零。
  6. 如申請專利範圍第5項中的電漿腔室中的一層體之蝕刻方法，更包含一調節氣體進料器，其中該調節氣體進料器提供一調節氣體。
  7. 如申請專利範圍第6項中的電漿腔室中的一層體之蝕刻方法，其中該調節氣體以一調節氣體頻率產生脈衝。
  8. 如申請專利範圍第7項中的電漿腔室中的一層體之蝕刻方法，其中該調節氣體頻率與該第一頻率不同。
  9. 如申請專利範圍第7項中的電漿腔室中的一層體之蝕刻方法，其中該調節氣體頻率與該第一頻率相同。
  10. 如申請專利範圍第2項中的電漿腔室中的一層體之蝕刻方法，其中該外部注射區氣體進料器引導該脈衝蝕刻氣體離開該層體的該中心。
  11. 如申請專利範圍第1項中的電漿腔室中的一層體之蝕刻方法，更包含一調節氣體進料器，其中該調節氣體進料器提供一調節氣體。
  12. 如申請專利範圍第11項中的電漿腔室中的一層體之蝕刻方法，其中該調節氣體係以一調節氣體頻率產生脈衝，其中該調節氣體頻率與該第一頻率不同。
  13. 如申請專利範圍第11項中的電漿腔室中的一層體之蝕刻方法，其中該調節氣體係以一調節氣體頻率產生脈衝，其中該調節氣體頻率與該第一頻率相同。
  14. 如申請專利範圍第1項中的電漿腔室中的一層體之蝕刻方法，其中該外部注射區氣體進料器引導該脈衝蝕刻氣體離開該層體的該中心。
  15. 如申請專利範圍第6項中的電漿腔室中的一層體之蝕刻方法，其中，該調節氣體進料器在垂直方向上係位於該內部注射區氣體進料器及該外部注射區氣體進料器的下方。
  16. 如申請專利範圍第11項中的電漿腔室中的一層體之蝕刻方法，其中，該調節氣體進料器在垂直方向上係位於該內部注射區氣體進料器及該外部注射區氣體進料器的下方。
  17. 一種用於蝕刻在晶圓上之蝕刻層的設備，包含：一電漿處理腔室，包含：一腔室壁，形成一電漿處理腔室外殼；一基板支撐件，用以在該電漿處理腔室外殼內部支撐一晶圓；一壓力調節器，用以控制該電漿處理腔室外殼內的壓力；至少一電極，用以提供電力給該電漿處理腔室外殼以維持一電漿；一內部注射區氣體進料器，用以提供氣體進入該電漿處理腔室外殼；一外部注射區氣體進料器，圍繞該內部注射區氣體進料器以提供氣體進入該電漿處理腔室外殼；以及一氣體出口，用以自該電漿處理腔室外殼排出氣體；至少一射頻電源，電性連接於該至少一電極；一氣體源；一開關，具有至少1Hz的切換速度，該開關流體連接在該氣體源及該內部注射區氣體進料器和該外部注射區氣體進料器之間，其中該開關能以一第一頻率提供一脈衝氣體至該內部注射區氣體進料器，並能夠以該第一頻率提供該脈衝氣體至該外部注射區氣體進料器，並與提供該脈衝氣體至該內部注射區氣體進料器不同相位，其中該內部注射區氣體進料器係位在該蝕刻層的一中心上方，其中該內部注射區氣體進料器引導該脈衝蝕刻氣體直接地朝向該蝕刻層的該中心，且其中該外部注射區氣體進料器以相對該蝕刻層之一銳角引導該脈衝蝕刻氣體。
  18. 一種用於蝕刻基板上之層體的方法，該基板係受支撐於具有內部注射區氣體進料器及外部注射區氣體進料器之電漿腔室中的基板支撐件上，其中該內部注射區氣體進料器係在該基板支撐件上方、且其中該外部注射區氣體進料器圍繞該內部注射區氣體進料器、且其中該外部注射區氣體進料器的至少一部分係在該基板支撐件之一外邊緣外側，該方法包含：自該內部注射區氣體進料器以一第一頻率提供一脈衝蝕刻氣體，其中，在自該內部注射區氣體進料器提供該脈衝蝕刻氣體期間，來自該內部注射區氣體進料器之脈衝蝕刻氣體的氣流線性降至零，且其中來自該內部注射區氣體進料器的該脈衝蝕刻氣體係導引至受支撐於該基板支撐件之該基板上的該層體；自該外部注射區氣體進料器以該第一頻率提供該脈衝蝕刻氣體，且該脈衝蝕刻氣體係與來自該內部注射區氣體進料器之脈衝蝕刻氣體同步但不同相位，其中該外部注射區氣體進料器圍繞該內部注射區氣體進料器，其中在自該外部注射區氣體進料器以該第一頻率提供該脈衝蝕刻氣體期間，來自該外部注射區氣體進料器之脈衝蝕刻氣體的氣流線性降至零；以及在自該內部注射區氣體進料器提供該脈衝蝕刻氣體及自該外部注射區氣體進料器提供該脈衝蝕刻氣體的同時，使該脈衝蝕刻氣體形成為一電漿，以蝕刻該層體，其中該內部注射區氣體進料器係位在該層體的一中心上方，其中該內部注射區氣體進料器引導該脈衝蝕刻氣體直接地朝向該層體的該中心，且其中該外部注射區氣體進料器以相對該層體之一銳角引導該脈衝蝕刻氣體。
  19. 一種用於蝕刻基板上之層體的方法，該基板係受支撐於具有內部注射區氣體進料器及外部注射區氣體進料器之電漿腔室中的基板支撐件上，該方法包含：自該內部注射區氣體進料器以一第一頻率提供一脈衝蝕刻氣體；自該外部注射區氣體進料器以該第一頻率提供一脈衝外周氣體，且該脈衝外周氣體係與來自該內部注射區氣體進料器之該脈衝蝕刻氣體同步但不同相位；以及在自該內部注射區氣體進料器提供該脈衝蝕刻氣體及自該外部注射區氣體進料器提供該脈衝外周氣體的同時，使該脈衝蝕刻氣體形成為一電漿，以蝕刻該層體，其中該內部注射區氣體進料器係在該基板支撐件上方、且其中該外部注射區氣體進料器圍繞該內部注射區氣體進料器、且其中該外部注射區氣體進料器的至少一部分係在該基板支撐件之一外邊緣外側，其中該內部注射區氣體進料器係位在該層體的一中心上方，其中該內部注射區氣體進料器引導該脈衝蝕刻氣體直接地朝向該層體的該中心，且其中該外部注射區氣體進料器以相對該層體之一銳角引導該脈衝蝕刻氣體。
  20. 如申請專利範圍第19項中的用於蝕刻基板上之層體的方法，其中，在脈衝期間，來自該內部注射區氣體進料器之脈衝蝕刻氣體的氣流線性降至零。
  21. 如申請專利範圍第20項中的用於蝕刻基板上之層體的方法，其中，在脈衝期間，來自該外部注射區氣體進料器之脈衝外周氣體的氣流線性降至零。
  22. 如申請專利範圍第19項中的用於蝕刻基板上之層體的方法，其中該外部注射區氣體進料器在垂直方向上係位於該內部注射區氣體進料器的下方。
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