KR20150016151A - 에칭을 위한 고속―가스 스위칭 - Google Patents
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Abstract
내측 주입 존 가스 피드 및 외측 주입 존 가스 피드를 갖는 플라즈마 챔버 내에서 층을 에칭하는 방법이 제공된다. 플라즈마 챔버 내에 층이 배치된다. 제 1 주파수로 펄싱된 에칭 가스가 내측 주입 존 가스 피드로부터 제공되며, 내측 주입 존 가스 피드로부터의 펄싱된 에칭 가스의 플로우는 제로로 하향 감소한다. 제 1 주파수로 그리고 내측 주입 존 가스 피드로부터의 펄싱된 에칭 가스와 동시적이면서 이위상으로, 외측 주입 존 가스 피드로부터 펄싱된 에칭 가스가 제공된다. 펄싱된 에칭 가스를 내측 주입 존 가스 피드로부터 제공하는 단계 및 외측 주입 존 가스 피드로부터 펄싱된 에칭 가스를 제공하는 단계와 동시에, 에칭 가스가 층을 에칭하기 위한 플라즈마로 형성된다.
Description
본 발명은 반도체 디바이스들의 형성에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 피처 에칭을 요구하는 반도체 디바이스 형성에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 프로세싱 동안에 그리고 에칭 동안에 상이한 플라즈마 프로세스들이 사용될 수 있다.
전술한 바를 달성하고 본 발명의 목적에 따라서, 내측 주입 존 가스 피드 (inner injection zone gas feed) 및 외측 주입 존 가스 피드를 갖는 플라즈마 챔버 내에서 층을 에칭하는 방법이 제공된다. 플라즈마 챔버 내에 층이 배치된다. 제 1 주파수로 펄싱된 에칭 가스 (pulsed etch gas) 가 내측 주입 존 가스 피드로부터 제공되며, 내측 주입 존 가스 피드로부터의 펄싱된 에칭 가스의 플로우는 내측 주입 존 가스 피드로부터 펄싱된 에칭 가스를 제공하는 동안에 제로 (zero) 로 하향 감소 (ramping) 한다. 제 1 주파수로 그리고 내측 주입 존 가스 피드로부터의 펄싱된 에칭 가스와 동시적이면서 이위상 (out of phase) 으로, 외측 주입 존 가스 피드로부터 펄싱된 에칭 가스가 제공되며, 외측 주입 존은 내측 주입 존을 둘러싸며, 외측 주입 존 가스 피드로부터의 펄싱된 에칭 가스의 플로우는 외측 주입 존 가스 피드로부터 제 1 주파수로 펄싱된 에칭 가스를 제공하는 동안에 제로로 하향 감소 (ramping) 한다. 펄싱된 에칭 가스를 내측 주입 존 가스 피드로부터 제공하는 단계 및 외측 주입 존 가스 피드로부터 펄싱된 에칭 가스를 제공하는 단계와 동시에, 에칭 가스가 층을 에칭하기 위한 플라즈마로 형성된다.
본 발명의 다른 양태에서, 내측 주입 존 가스 피드 및 외측 주입 존 가스 피드를 갖는 플라즈마 챔버 내에서 층을 에칭하는 방법이 제공된다. 플라즈마 챔버 내에 층이 배치된다. 제 1 주파수로 펄싱된 에칭 가스가 내측 주입 존 가스 피드로부터 제공된다. 제 1 주파수로 그리고 내측 주입 존 가스 피드로부터의 펄싱된 에칭 가스와 동시적이면서 이위상으로, 외측 주입 존 가스 피드로부터 펄싱된 에칭 가스가 제공된다. 펄싱된 에칭 가스를 내측 주입 존 가스 피드로부터 제공하는 단계 및 외측 주입 존 가스 피드로부터 펄싱된 에칭 가스를 제공하는 단계와 동시에, 에칭 가스가 층을 에칭하기 위한 플라즈마로 형성된다.
본 발명의 다른 양태에서, 웨이퍼 상의 에칭 층을 에칭하는 장치가 제공된다. 플라즈마 프로세싱 챔버는 플라즈마 프로세싱 챔버 인클로저 (enclosure) 를 형성하는 챔버 벽을 포함한다. 플라즈마 프로세싱 챔버 인클로저 내에서 웨이퍼를 기판 지지부가 지지한다. 플라즈마 프로세싱 챔버 인클로저 내의 압력을 압력 조정기가 조정한다. 플라즈마를 유지하기 위해서 플라즈마 프로세싱 챔버 인클로저에 전력을 적어도 하나의 전극이 제공한다. 플라즈마 프로세싱 챔버 인클로저 내로 가스를 내측 주입 존 가스 피드가 제공한다. 외측 주입 존 가스 피드가 내측 주입 존 가스 피드를 둘러싸며 플라즈마 프로세싱 챔버 인클로저 내로 가스를 제공한다. 플라즈마 프로세싱 챔버 인클로저로부터 가스를 가스 유출구가 배기한다. 적어도 하나의 RF 전력 소스가 적어도 하나의 전극에 전기적으로 접속된다. 가스 소스가 제공된다. 스위치는 적어도 1 Hz의 스위칭 속도를 가지며 가스 소스와 내측 주입 존 가스 피드 간에 그리고 가스 소스와 외측 주입 존 가스 피드 간에 유체적으로 연결되며, 스위치는 제 1 주파수로 펄싱된 가스를 내측 주입 존 가스 피드에 제공하고 제 1 주파수로 그리고 내측 주입 존 가스 피드로의 펄싱된 가스 제공과는 이위상으로 (out of phase) 펄싱된 가스를 외측 주입 존 가스 피드에 제공할 수 있다.
본 발명의 이러한 특징들 및 다른 특징들이 다음의 도면들과 함께 본 발명의 다음의 상세한 설명에서 이하에서 보다 상세하게 기술될 것이다.
본 발명은 예시적으로 비한정적으로 첨부 도면들의 도면들에서 예시되며, 첨부 도면들에서 유사한 참조 부호는 유사한 요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 실시예에서 사용될 수 있는 프로세스의 개념적 흐름도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 따라서 프로세싱된 스택의 개략적 단면도이다.
도 3은 본 발명을 실시하는데 사용될 수 있는 플라즈마 프로세싱 챔버의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에서 사용되는 제어기를 구현하기에 적합한 컴퓨터 시스템을 예시한다.
도 5a 및 도 5b는 에칭 가스 펄스들의 그래프들이다.
도 6은 웨이퍼 부산물 분포 그래프이다.
도 1은 본 발명의 실시예에서 사용될 수 있는 프로세스의 개념적 흐름도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 따라서 프로세싱된 스택의 개략적 단면도이다.
도 3은 본 발명을 실시하는데 사용될 수 있는 플라즈마 프로세싱 챔버의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에서 사용되는 제어기를 구현하기에 적합한 컴퓨터 시스템을 예시한다.
도 5a 및 도 5b는 에칭 가스 펄스들의 그래프들이다.
도 6은 웨이퍼 부산물 분포 그래프이다.
본 발명이 이제 첨부 도면들에서 예시된 바와 같은 본 발명의 몇몇 바람직한 실시예들을 참조하여서 상세하게 기술될 것이다. 다음의 설명에서, 다수의 특정 세부사항들이 본 발명의 철저한 이해를 제공하기 위해서 제시된다. 그러나, 본 발명은 이러한 특정 세부사항 전부 또는 일부 없이도 실시될 수 있음이 본 기술 분야의 당업자에게 자명하다. 다른 실례에서, 잘 알려진 프로세스 단계들 및/또는 구조물들은 본 발명을 불필요하게 모호하게 하지 않도록 하기 위해서 세부적으로는 기술되지 않았다.
이해를 용이하게 하기 위해서, 도 1은 피처들을 에칭하는 본 발명의 실시예에서 사용될 수 있는 프로세스의 개념적 흐름도이다. 에칭 층을 갖는 기판이 제공된다 (단계 104). 에칭 가스가 내측 주입 존 가스 피드 (inner injection zone gas feed) 로부터 제 1 주파수로 펄싱된다 (pulsed) (단계 108). 에칭 가스가 외측 주입 존 가스 피드 (outer injection zone gas feed) 로부터 제 1 주파수로 그리고 내측 주입 존 가스 피드로부터의 펄싱된 에칭 가스와는 이위상으로 (out of phase) 펄싱된다 (pulsed) (단계 112). 에칭 가스가 플라즈마로 형성된다 (단계 116).
실례
본 발명의 구현의 실례에서, 피처들을 갖는 마스크 아래의 에칭 층을 갖는 기판이 플라즈마 프로세싱 디바이스 내에 제공된다 (단계 104). 도 2a는 피처들 (216) 을 갖는 패터닝된 마스크 (212) 아래에 배치된 에칭 층 (208) 아래에 배치된 기판 (204) 을 갖는 스택 (200) 의 단면도이다. 본 실례에서, 에칭 층 (208) 은 실리콘이다. 에칭 층 (208) 은 기판 (204) 상에 증착된 폴리실리콘과 같은 실리콘 층이거나 기판 (204) 의 일부일 수 있다. 패터닝된 마스크 (212) 는 실리콘 산화물로 형성된다. 다양한 실시예들에서, 하나 이상의 층들이 다양한 층들 간에 배치될 수 있다. 예를 들어서, 에칭 정지 층과 같은 하나 이상의 층들이 에칭 층 (208) 과 기판 (204) 간에 있을 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라서 에칭 층 (208) 을 에칭하는 프로세스를 수행하는데 사용될 수 있는 플라즈마 프로세싱 시스템 (300) 의 실례를 개략적으로 예시한다. 플라즈마 프로세싱 시스템 (300) 은 그 내에 플라즈마 프로세싱 챔버 (304) 를 갖는 플라즈마 반응기 (302) 를 포함한다. 매칭 네트워크 (308) 에 의해서 튜닝되는 플라즈마 전원 (306) 은, 유도 결합형 전력을 제공함으로써 플라즈마 프로세싱 챔버 (304) 내에 플라즈마 (314) 를 생성하도록, 전력 윈도우 (312) 근처에 위치한 TCP 코일 (310) 에 전력을 공급한다. TCP 코일 (상부 전력 소스) (310) 은 플라즈마 프로세싱 챔버 (304) 내에서 균일한 확산 프로파일을 생성하도록 구성될 수 있다. 예를 들어서, TCP 코일 (310) 은 플라즈마 (314) 내의 토로이덜 (toroidal) 전력 분포를 생성하도록 구성될 수 있다. 전력 윈도우 (312) 는 에너지가 TCP 코일 (310) 로부터 플라즈마 프로세싱 챔버 (304) 로 이동하는 동안에 TCP 코일 (310) 을 플라즈마 프로세싱 챔버 (304) 로부터 분리하는데 제공된다. 매칭 네트워크 (318) 에 의해서 튜닝되는 웨이퍼 바이어스 전압 전원 (316) 은 전극 (320) 에 의해서 지지되는 기판 (204) 에 대한 바이어스 전압을 설정하도록 전력을 전극 (320) 에 제공한다. 제어기 (324) 는 플라즈마 전원 (306) 및 웨이퍼 바이어스 전압 전원 (316) 에 대한 설정점들을 설정한다.
플라즈마 전원 (306) 및 웨이퍼 바이어스 전압 전원 (316) 은 예를 들어서, 13.56 MHz, 27 MHz, 2 MHz, 400 kHz 또는 이들의 조합과 같은 특정 무선 주파수들에서 동작하도록 구성될 수 있다. 플라즈마 전원 (306) 및 웨이퍼 바이어스 전압 전원 (316) 은 목표된 프로세스 성능을 달성하기 위한 전력 범위를 공급하도록 적절하게 크기가 조절될 수도 있다. 예를 들어서, 본 발명의 일 실시예에서, 플라즈마 전원 (306) 은 50 내지 5000 와트 범위의 전력을 공급할 수 있으며 웨이퍼 바이어스 전압 전원 (316) 은 20 내지 2000 V 범위의 바이어스 전압을 공급할 수 있다. 또한, TCP 코일 (310) 및/또는 전극 (320) 은 단일 전원에 의해서 전력을 공급받거나 다수의 전원들에 의해서 전력을 공급받을 수 있는 2 개 이상의 서브-코일들 또는 서브-전극들 (sub-electrodes) 로 구성될 수도 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 플라즈마 프로세싱 시스템 (300) 은 가스 소스/가스 공급 메카니즘 (330) 을 더 포함한다. 가스 소스/가스 공급 메카니즘 (330) 은 가스를 스위치 (332) 로 제공하며, 스위치는 노즐의 형태로 된 가스 피드 (336) 에 가스를 공급한다. 가스 피드 (336) 는 내측 통로 (inner passage) (346) 및 외측 통로 (348) 를 갖는다. 이 실시예에서, 8 개의 외측 가스 통로들 (348) 이 내측 통로 (346) 를 둘러싼다. 이 실시예에서, 스위치 (332) 는 적어도 1 Hz 주파수로 내측 통로 (346) 및 외측 통로들 (348) 로 가스의 펄스를 제공할 수 있는 고속 스위치이다. 이 실시예에서, 스위치 (332) 는 내측 통로 (346) 로 가스를 공급하는 내측 스위치 (333) 및 외측 통로들 (348) 로 가스를 공급하는 외측 스위치 (335) 를 포함한다. 다른 실시예에서, 스위치 (332) 가 내측 통로 (346) 로부터의 외측 통로들 (348) 로의 그리고 다시 역으로의 가스의 플로우 (flow) 를 스위칭하도록, 내측 통로 (346) 및 외측 통로들 (348) 로의 가스의 펄싱을 제어하는데 서브-스위치들이 사용되지 않는다. 이러한 실시예에서, 주변 가스 소스 (334) 가 가스를 주변 가스 유입구들 (338) 에 제공한다. 프로세스 가스들 및 부산물들은 압력 제어 밸브 (342) 및 펌프 (344) 를 통해서 플라즈마 프로세싱 챔버 (304) 로부터 제거되며, 이 밸브 및 펌프는 또한 플라즈마 프로세싱 챔버 (304) 내의 특정 압력을 유지하는 역할을 한다. 가스 소스/가스 공급 메카니즘 (330) 및 주변 가스 소스 (334) 는 제어기 (324) 에 의해서 제어된다. 미국 캘리포니아 프레몬트 소재의 Lam Research 사에 의한 개조된 Kiyo가 본 발명의 실시예를 실시하는데 사용될 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예들에서 사용되는 제어기 (324) 를 구현하는데 적합한 컴퓨터 시스템 (400) 을 나타내는 개념적 블록도이다. 컴퓨터 시스템 (400) 은 집적 회로, 인쇄 회로 보드, 및 소형 핸드헬드 디바이스로부터 거대 수퍼 컴퓨터에 이르는 수많은 물리적 형태를 가질 수 있다. 컴퓨터 시스템 (400) 은 하나 이상의 프로세서 (402) 를 포함하며, 전자 디스플레이 디바이스 (404) (그래픽, 텍스트 및 다른 데이터를 디스플레이하기 위함), 주 메모리 (406) (예를 들어서, RAM), 저장 디바이스 (408) (예를 들어서, 하드 디스크 드라이브), 이동식 저장 디바이스 (410) (예를 들어서, 광 디스크 드라이브), 사용자 인터페이스 디바이스들 (142) (예를 들어서, 키보드, 터치 스크린, 키패드, 마우스 또는 다른 포인팅 디바이스 등), 및 통신 인터페이스 (414) (예를 들어서, 무선 네트워크 인터페이스) 를 더 포함할 수 있다. 통신 인터페이스 (414) 는 링크를 통해서 컴퓨터 시스템 (400) 과 외부 디바이스들 간에서 소프트웨어 및 데이터가 전달될 수 있게 한다. 시스템은 또한 전술한 디바이스들/모듈들이 연결되는 통신 인프라스트럭처 (416) (예를 들어서, 통신 버스, 크로스-오버 바 또는 네트워크들) 를 포함할 수 있다.
통신 인터페이스 (414) 를 통해서 전달된 정보는 신호들을 반송하며 와이어 또는 케이블, 광섬유들, 전화 라인, 셀룰러 전화 링크, 무선 주파수 링크 및/또는 다른 통신 채널들을 사용하여서 구현될 수 있는 통신 링크를 통해서, 통신 인터페이스 (414) 에 의해서 수신될 수 있는 전자적 신호, 전자기적 신호, 광학적 신호 또는 다른 신호를 포함하는 신호 형태로 존재할 수 있다. 이러한 통신 인터페이스를 사용하여서, 하나 이상의 프로세서들 (402) 은 상술한 방법 단계들을 수행하는 과정에서 정보를 네트워크로부터 수신하거나 정보를 네트워크로 출력할 수 있다. 또한, 본 발명의 방법 실시예들은 오직 프로세서들 상에서 실행되거나 프로세싱의 일부를 공유하는 원격 프로세서들과 함께 인터넷과 같은 네트워크를 통해서 실행될 수 있다.
용어 "비일시적 컴퓨터 판독가능한 매체"는 일반적으로 하드 디스크, 플래시 메모리, 디스크 드라이브 메모리, CD-ROM, 및 다른 형태의 영구 메모리와 같은, 주 메모리 디바이스, 보조 메모리 디바이스, 이동식 저장 디바이스 및 저장 디바이스와 같은 매체를 지칭하는데 사용된다. 컴퓨터 코드의 실례들은 컴파일러에 의해서 생성되는 것과 같은 머신 코드 및 인터프레터를 사용하여서 컴퓨터에 의해서 실행되는 보다 높은 레벨의 코드를 포함하는 파일들을 포함할 수 있다. 컴퓨터 판독가능한 매체는 또한 반송파에서 구현되는 컴퓨터 데이터 신호에 의해서 전송되며 프로세서에 의해서 실행가능한 인스트럭션들의 시퀀스를 표현하는 컴퓨터 코드일 수 있다.
에칭 가스는 내측 주입 존 가스 피드로부터 제 1 주파수로 펄싱된다 (단계 108). 본 실례에서, 에칭 가스는 200 sccm Cl2 (클로린) 이다. 챔버 압력은 20 mT로 설정된다. 다른 구현예에서, 챔버 압력은 서브-밀리토르 (sub-milliTorr) 내지 1 Torr (0.1 mT to 1 Torr) 의 범위일 수 있다. 다른 실시예들에서, 에칭 가스는 할로겐 함유 성분 또는 플루오로카본 함유 성분을 포함한다. 이 실시예에서, 내측 주입 존 가스 피드는 내측 통로 (346) 의 유출구이다. 도 5a는 내측 주입 존 가스 피드의 펄싱의 그래프이다. 본 실례에서, 내측 주입 존 가스 피드에 대한 펄스 (504) 는 1 초에서 시작하며 플로우가 0 퍼센트로 줄어들기 전에 3 초 동안 지속된다. 이 플로우는 다시 8 초에서 시작하며 3 초 동안 지속된다. 따라서, 내측 주입 존 가스 피드에 대한 펄스 (504) 는 1/7 Hz 주파수를 갖는 7 초 주기 및 3/7 또는 약 43%의 듀티 사이클을 갖는다.
에칭 가스는 외측 주입 존 가스 피드로부터 펄싱된다 (단계 112). 바람직하게는, 에칭 가스는 외측 주입 존 가스 피드로부터 제 1 주파수로 그리고 내측 주입 존 가스 피드로부터의 펄싱된 에칭 가스와 이위상으로 펄싱된다. 이 실시예에서, 외측 주입 존 가스 피드는 외측 통로들 (348) 의 유출구이다. 도 5b는 외측 주입 존 가스 피드의 펄싱의 그래프이다. 본 실례에서, 외측 주입 존 가스 피드에 대한 펄스 (508) 는 3 초에서 50 퍼센트로 시작하며 플로우가 0 퍼센트로 줄어들기 전에 4 초 동안 지속된다. 이 플로우가 다시 10 초에서 시작하며 4 초 동안 지속된다. 따라서, 외측 주입 존 가스 피드에 대한 펄스 (508) 는 1/7 Hz 주파수를 갖는 7 초 주기 및 4/7 또는 약 57%의 듀티 사이클을 갖는다. 본 실례에서, 내측 주입 존 가스 피드에 대한 펄스 (504) 와 외측 주입 존 가스 피드에 대한 펄스 (508) 는 1초가 중첩된다. 또한, 외측 주입 존 가스 피드에 대한 펄스 (508) 의 종료와 내측 주입 존 가스 피드에 대한 펄스 (504) 의 시작 간에 1 초 기간이 존재한다. 도 5a 및 도 5b는 내측 주입 존 가스 피드로부터의 펄싱된 에칭 가스는 외측 주입 존 가스 피드로부터의 펄싱된 에칭 가스와 제 1 주파수로 동시에 그리고 이위상으로 펄싱됨을 나타낸다.
에칭 가스가 플라즈마로 형성된다 (단계 116). 본 실례에서, TCP 전력이 1 W 내지 4000 W 범위로 제공된다. 바이어스 전압은 0 V 내지 3000 V 범위로 제공된다. 에칭 가스를 플라즈마로 형성하는 것은 내측 주입 존 가스 피드로부터 펄싱된 에칭 가스를 제공하는 것과 외측 주입 존 가스 피드로부터 펄싱된 에칭 가스를 제공하는 것과 동시적이다. 도 2b는 피처들 (216) 이 완전하게 에칭된 후의 스택 (200) 의 단면도이다.
이 실시예는 내측 주입 존 가스 피드와 외측 주입 존 가스 피드 간에서 이위상으로 펄싱되는 지속적 및 일정한 에칭 가스를 제공한다. 상이한 위상을 사용하고 동일한 주파수를 유지하면서 독립적인 듀티 사이클을 실현하는 것은 추가 튜닝 노브 (tuning knob) 가 기판의 표면에 걸쳐서 보다 균일한 에칭을 제공할 수 있게 한다. 바람직하게는, 펄싱은 내측 주입 존 가스 피드 및 외측 주입 존 가스 피드로의 플로우가 제로로 하향 감소 (ramping) 하게 한다.
도 6은 기판의 중앙으로부터의 cm 거리 대 정상 상태 SiCl4 질량 분율 (mass fraction) 을 그래프하는 Kiyo 챔버 내에서의 웨이퍼 부산물 분포의 그래프이다. 커브 (604) 는, 에칭 가스가 오직 내측 통로 (346) 를 통해서 내측 주입 존으로만 공급되는 경우에, 결과적인 웨이퍼 부산물 분포이다. SiCl4 질량 분율은 중앙 근처에서 약 1.0이며 중앙으로부터 15.0 cm 거리에서 약 0.6 으로 떨어진다. 이로써, 기판의 중앙과 에지 간에서 SiCl4 질량 분율에서의 약 40 퍼센트 차가 발생한다. 커브 (608) 는, 에칭 가스가 오직 외측 통로들 (348) 을 통해서 외측 주입 존으로만 공급되는 경우에, 결과적인 웨이퍼 부산물 분포이다. SiCl4 질량 분율은 중앙 근처에서 약 0.3이며 중앙으로부터 15.0 cm 거리에서 약 0.8 으로 올라간다. 이로써, 기판의 중앙과 에지 간에서 SiCl4 질량 분율에서의 100보다 큰 퍼센트 차가 발생한다. 커브 (612) 는 커브 (604) 와 커브 (608) 의 평균이며, 이는 내측 주입 존 및 외측 주입 존으로의 펄스들을 동일한 듀티 사이클로 교번시킴으로써 제공될 것이다. SiCl4 질량 분율은 중앙 근처에서 약 0.6이며 중앙으로부터 15.0 cm 거리에서 약 0.7로 올라간다. 이로써, 기판의 중앙과 에지 간에서 SiCl4 질량 분율에서의 17 퍼센트 차가 발생한다. 이렇게 기판의 중앙과 에지 간에서 SiCl4 질량 분율 차가 낮은 것은 웨이퍼의 전체 표면에 걸쳐서 보다 균일한 에칭을 나타낸다. 가스-펄싱된 프로세스에서, 부산물들은 다음 반응 시퀀스를 개시하기 이전에 가스 플로우 이벤트들 간에서 펌핑 배출될 수 있다. 이와 반대로, 양 존들 (both zones) 이 동작성인 연속 가스 플로우 방법에서, 반응물과 부산물들은 전체 프로세스 동안에 언제나 상호반응하며 이는 바람직하지 않을 수 있다.
이 실시예에서, 도 3에 도시된 바와 같이, 내측 주입 존 가스 피드는 층의 중앙 위에 있으며 에칭 가스를 층의 중앙을 향해서 곧바로 향하게 하며 외측 주입 존 가스 피드는 에칭 가스를 층에 대해서 예각으로 경사지게 향하게 한다. 또한, 이 실시예에서, 외측 주입 존 가스 피드는 에칭 가스를 층의 중앙으로부터 멀어지게 향하게 한다.
본 발명의 다른 실시예에서, 주변 가스 유입구들 (338) 은 외측 주입 존 가스 피드로서 사용되며, 내측 통로 (346) 및/또는 외측 통로들 (348) 이 내측 주입 존 가스 피드를 형성할 수도 있다. 다른 실시예에서, 주변 가스 유입구들 (338) 및 외측 통로들 (348) 모두가 외측 주입 존 가스 피드를 형성하고 내측 통로 (346) 가 내측 주입 존 가스 피드를 형성한다. 이러한 실시예들에서, 외측 주입 존이 내측 주입 존을 둘러싼다.
다른 실시예에서, 내측 통로 (346) 가 내측 주입 존 가스 피드를 형성하고, 외측 통로 (348) 가 외측 주입 존 가스 피드를 형성하고, 주변 가스 유입구들 (338) 이 튜닝 가스를 제공할 수 있다. 튜닝 가스는 펄싱될 수 있다. 일 실시예에서, 튜닝 가스의 펄스의 주파수는 에칭 가스의 펄스의 주파수와 상이하다. 다른 실시예에서, 튜닝 가스의 펄스의 주파수는 에칭 가스의 펄스의 주파수와 동일하다. 다른 실시예에서, 주변 가스 유입구들 (338) 이 사용되지 않거나 존재하지 않는다.
바람직한 실시예들이 플라즈마를 에너자이징하기 위한 유도성 결합을 사용하였지만, 다른 실시예들은 예를 들어서 플라즈마를 에너자이징하기 위한 용량성 결합과 같은 다른 방법들을 사용할 수도 있다. 다른 실시예들에서, 노즐은 샤워헤드로 대체될 수도 있다. 다른 실시예들에서, 펄스들은 구형파 펄스들이 아니다.
본 발명이 몇 개의 바람직한 실시예들의 측면에서 기술되었지만, 본 발명의 범위 내에서 변경, 치완 및 다양한 대체 균등사항들이 가능하다. 또한, 본 발명의 방법들 및 장치들을 구현하는 수많은 다른 방식들이 존재한다. 따라서, 다음의 첨부된 청구항들은 본 발명의 진정한 범위 또는 사상 내에 속하는 모든 이러한 변경, 치완 및 다양한 대체 균등사항들을 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
Claims (17)
- 내측 주입 존 가스 피드 (inner injection zone gas feed) 및 외측 주입 존 가스 피드를 갖는 플라즈마 챔버 내에서 층을 에칭하는 방법으로서,
상기 플라즈마 챔버 내에 상기 층을 배치하는 단계;
제 1 주파수로 펄싱된 에칭 가스 (pulsed etch gas) 를 상기 내측 주입 존 가스 피드로부터 제공하는 단계로서, 상기 내측 주입 존 가스 피드로부터의 펄싱된 에칭 가스의 플로우는 상기 내측 주입 존 가스 피드로부터 상기 펄싱된 에칭 가스를 제공하는 동안에 제로 (zero) 로 하향 감소 (ramping) 하는, 상기 펄싱된 에칭 가스를 상기 내측 주입 존 가스 피드로부터 제공하는 단계;
상기 제 1 주파수로 그리고 상기 내측 주입 존 가스 피드로부터의 상기 펄싱된 에칭 가스와 동시적이면서 이위상 (out of phase) 으로, 상기 외측 주입 존 가스 피드로부터 펄싱된 에칭 가스를 제공하는 단계로서, 상기 외측 주입 존은 상기 내측 주입 존을 둘러싸며, 상기 외측 주입 존 가스 피드로부터의 펄싱된 에칭 가스의 플로우는 상기 외측 주입 존 가스 피드로부터 상기 제 1 주파수로 상기 펄싱된 에칭 가스를 제공하는 동안에 제로로 하향 감소 (ramping) 하는, 상기 외측 주입 존 가스 피드로부터 상기 펄싱된 에칭 가스를 제공하는 단계; 및
상기 펄싱된 에칭 가스를 상기 내측 주입 존 가스 피드로부터 제공하는 단계 및 상기 외측 주입 존 가스 피드로부터 상기 펄싱된 에칭 가스를 제공하는 단계와 동시에, 상기 에칭 가스를 상기 층을 에칭하기 위한 플라즈마로 형성하는 단계를 포함하는,
층 에칭 방법.
- 내측 주입 존 가스 피드 및 외측 주입 존 가스 피드를 갖는 플라즈마 챔버 내에서 층을 에칭하는 방법으로서,
상기 플라즈마 챔버 내에 상기 층을 배치하는 단계;
제 1 주파수로 펄싱된 에칭 가스를 상기 내측 주입 존 가스 피드로부터 제공하는 단계;
상기 제 1 주파수로 그리고 상기 내측 주입 존 가스 피드로부터의 상기 펄싱된 에칭 가스와 동시적이면서 이위상으로, 상기 외측 주입 존 가스 피드로부터 펄싱된 에칭 가스를 제공하는 단계; 및
상기 펄싱된 에칭 가스를 상기 내측 주입 존 가스 피드로부터 제공하는 단계 및 상기 외측 주입 존 가스 피드로부터 상기 펄싱된 에칭 가스를 제공하는 단계와 동시에, 상기 에칭 가스를 상기 층을 에칭하기 위한 플라즈마로 형성하는 단계를 포함하는,
층 에칭 방법.
- 제 2 항에 있어서,
상기 외측 주입 존은 상기 내측 주입 존을 둘러싸는,
층 에칭 방법.
- 제 3 항에 있어서,
상기 내측 주입 존 가스 피드로부터의 펄싱된 에칭 가스의 플로우는 펄싱 동안에 제로로 하향 감소하는,
층 에칭 방법.
- 제 4 항에 있어서,
상기 외측 주입 존 가스 피드로부터의 펄싱된 에칭 가스의 플로우는 펄싱 동안에 제로로 하향 감소하는,
층 에칭 방법.
- 제 5 항에 있어서,
튜닝 가스 피드를 더 포함하며,
상기 튜닝 가스 피드는 튜닝 가스를 제공하는,
층 에칭 방법.
- 제 6 항에 있어서,
상기 튜닝 가스는 튜닝 가스 주파수로 펄싱되는,
층 에칭 방법.
- 제 7 항에 있어서,
상기 튜닝 가스 주파수는 상기 제 1 주파수와 상이한,
층 에칭 방법.
- 제 8 항에 있어서,
상기 튜닝 가스 주파수는 상기 제 1 주파수와 동일한,
층 에칭 방법.
- 제 5 항에 있어서,
상기 내측 주입 존 가스 피드는 상기 층의 중앙 위에 있으며 상기 에칭 가스를 상기 층의 중앙을 향해서 곧바로 (directly) 향하게 하며,
상기 외측 주입 존 가스 피드는 상기 에칭 가스를 상기 층에 대해서 예각으로 경사지게 향하게 하는,
층 에칭 방법.
- 제 10 항에 있어서,
상기 외측 주입 존 가스 피드는 상기 에칭 가스를 상기 층의 중앙으로부터 멀어지게 향하게 하는,
층 에칭 방법.
- 제 1 항에 있어서,
튜닝 가스 피드를 더 포함하며,
상기 튜닝 가스 피드는 튜닝 가스를 제공하는,
층 에칭 방법.
- 제 12 항에 있어서,
상기 튜닝 가스는 튜닝 가스 주파수로 펄싱되며,
상기 튜닝 가스 주파수는 상기 제 1 주파수와 상이한,
층 에칭 방법.
- 제 12 항에 있어서,
상기 튜닝 가스는 튜닝 가스 주파수로 펄싱되며,
상기 튜닝 가스 주파수는 상기 제 1 주파수와 동일한,
층 에칭 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 내측 주입 존 가스 피드는 상기 층의 중앙 위에 있으며 상기 에칭 가스를 상기 층의 중앙을 향해서 곧바로 (directly) 향하게 하며,
상기 외측 주입 존 가스 피드는 상기 에칭 가스를 상기 층에 대해서 예각으로 경사지게 향하게 하는,
층 에칭 방법.
- 제 15 항에 있어서,
상기 외측 주입 존 가스 피드는 상기 에칭 가스를 상기 층의 중앙으로부터 멀어지게 향하게 하는,
층 에칭 방법.
- 웨이퍼 상의 에칭 층을 에칭하는 장치로서,
플라즈마 프로세싱 챔버, 적어도 하나의 RF 전력 소스, 가스 소스 및 스위치를 포함하며,
상기 플라즈마 프로세싱 챔버는,
플라즈마 프로세싱 챔버 인클로저 (enclosure) 를 형성하는 챔버 벽;
상기 플라즈마 프로세싱 챔버 인클로저 내에서 웨이퍼를 지지하기 위한 기판 지지부;
상기 플라즈마 프로세싱 챔버 인클로저 내의 압력을 조정하기 위한 압력 조정기;
플라즈마를 유지하기 위해서 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 인클로저에 전력을 제공하기 위한 적어도 하나의 전극;
상기 플라즈마 프로세싱 챔버 인클로저 내로 가스를 제공하기 위한 내측 주입 존 가스 피드;
상기 내측 주입 존 가스 피드를 둘러싸며 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 인클로저 내로 가스를 제공하기 위한 외측 주입 존 가스 피드; 및
상기 플라즈마 프로세싱 챔버 인클로저로부터 가스를 배기하기 위한 가스 유출구를 포함하며,
상기 적어도 하나의 RF 전력 소스는 상기 적어도 하나의 전극에 전기적으로 접속되며,
상기 스위치는 적어도 1 Hz의 스위칭 속도를 가지며 상기 가스 소스와 상기 내측 주입 존 가스 피드 간에 그리고 상기 가스 소스와 상기 외측 주입 존 가스 피드 간에 유체적으로 연결되며,
상기 스위치는 제 1 주파수로 펄싱된 가스를 상기 내측 주입 존 가스 피드에 제공하고 상기 제 1 주파수로 그리고 상기 내측 주입 존 가스 피드로의 펄싱된 가스 제공과는 이위상으로 (out of phase) 펄싱된 가스를 상기 외측 주입 존 가스 피드에 제공할 수 있는,
에칭 장치.
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Families Citing this family (13)
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|---|---|---|---|---|
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| JP6545053B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2019-07-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法、ならびにガスクラスター発生装置および発生方法 |
| WO2016158054A1 (ja) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法、ならびにガスクラスター発生装置および発生方法 |
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| US11670490B2 (en) * | 2017-09-29 | 2023-06-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Integrated circuit fabrication system with adjustable gas injector |
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| CN112216702B (zh) * | 2020-10-09 | 2022-03-29 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种刻蚀工艺及3d nand的制作工艺 |
| CN112590438B (zh) * | 2021-01-07 | 2021-11-26 | 济南蓝象数控机械有限公司 | 一种快速切换的手持式气动雕刻机 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060096713A (ko) * | 2005-03-02 | 2006-09-13 | 삼성전자주식회사 | 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치 |
| US20070204907A1 (en) * | 2001-06-29 | 2007-09-06 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method of gas injection sequencing |
| JP2007243138A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-09-20 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US20110126762A1 (en) * | 2007-03-29 | 2011-06-02 | Tokyo Electron Limited | Vapor deposition system |
Family Cites Families (74)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165311A (en) * | 1991-06-27 | 2000-12-26 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
| US5266153A (en) * | 1992-06-16 | 1993-11-30 | National Semiconductor Corp. | Gas distribution head for plasma deposition and etch systems |
| JP2972477B2 (ja) * | 1993-01-27 | 1999-11-08 | 日本電気株式会社 | Ｒｆ・ｅｃｒプラズマエッチング装置 |
| EP0733130A4 (en) * | 1993-12-17 | 1997-04-02 | Brooks Automation Inc | APPARATUS FOR HEATING OR COOLING TABLETS |
| JP3360265B2 (ja) * | 1996-04-26 | 2002-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| US6013155A (en) * | 1996-06-28 | 2000-01-11 | Lam Research Corporation | Gas injection system for plasma processing |
| US6185839B1 (en) * | 1998-05-28 | 2001-02-13 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor process chamber having improved gas distributor |
| US6230651B1 (en) * | 1998-12-30 | 2001-05-15 | Lam Research Corporation | Gas injection system for plasma processing |
| JP2000306884A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP4487338B2 (ja) * | 1999-08-31 | 2010-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜処理装置及び成膜処理方法 |
| JP3795724B2 (ja) * | 2000-03-13 | 2006-07-12 | 株式会社デンソー | 燃料噴射装置及びその噴射特性調整方法 |
| US20040224504A1 (en) * | 2000-06-23 | 2004-11-11 | Gadgil Prasad N. | Apparatus and method for plasma enhanced monolayer processing |
| WO2002009147A2 (en) * | 2000-07-26 | 2002-01-31 | Tokyo Electron Limited | High pressure processing chamber for semiconductor substrate |
| US6784108B1 (en) * | 2000-08-31 | 2004-08-31 | Micron Technology, Inc. | Gas pulsing for etch profile control |
| US8877000B2 (en) * | 2001-03-02 | 2014-11-04 | Tokyo Electron Limited | Shower head gas injection apparatus with secondary high pressure pulsed gas injection |
| CN100462475C (zh) * | 2001-08-29 | 2009-02-18 | 东京电子株式会社 | 用于等离子处理的装置和方法 |
| US20030070620A1 (en) * | 2001-10-15 | 2003-04-17 | Cooperberg David J. | Tunable multi-zone gas injection system |
| AU2003238853A1 (en) * | 2002-01-25 | 2003-09-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cyclical deposition of thin films |
| US6911391B2 (en) * | 2002-01-26 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integration of titanium and titanium nitride layers |
| US7169231B2 (en) | 2002-12-13 | 2007-01-30 | Lam Research Corporation | Gas distribution system with tuning gas |
| US6829056B1 (en) * | 2003-08-21 | 2004-12-07 | Michael Barnes | Monitoring dimensions of features at different locations in the processing of substrates |
| US7371436B2 (en) * | 2003-08-21 | 2008-05-13 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for depositing materials with tunable optical properties and etching characteristics |
| US7135410B2 (en) * | 2003-09-26 | 2006-11-14 | Lam Research Corporation | Etch with ramping |
| US7708859B2 (en) * | 2004-04-30 | 2010-05-04 | Lam Research Corporation | Gas distribution system having fast gas switching capabilities |
| US7740704B2 (en) * | 2004-06-25 | 2010-06-22 | Tokyo Electron Limited | High rate atomic layer deposition apparatus and method of using |
| JP4550507B2 (ja) * | 2004-07-26 | 2010-09-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| KR100782369B1 (ko) * | 2004-11-11 | 2007-12-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조장치 |
| JP4615290B2 (ja) * | 2004-11-16 | 2011-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
| US7722719B2 (en) * | 2005-03-07 | 2010-05-25 | Applied Materials, Inc. | Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber |
| US7674393B2 (en) * | 2005-03-25 | 2010-03-09 | Tokyo Electron Limited | Etching method and apparatus |
| US20070045239A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for processing a microfeature workpiece using a plasma |
| US20070151668A1 (en) * | 2006-01-04 | 2007-07-05 | Tokyo Electron Limited | Gas supply system, substrate processing apparatus, and gas supply method |
| US8088248B2 (en) | 2006-01-11 | 2012-01-03 | Lam Research Corporation | Gas switching section including valves having different flow coefficients for gas distribution system |
| US7896967B2 (en) * | 2006-02-06 | 2011-03-01 | Tokyo Electron Limited | Gas supply system, substrate processing apparatus and gas supply method |
| US20070187363A1 (en) * | 2006-02-13 | 2007-08-16 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US8008596B2 (en) * | 2006-03-16 | 2011-08-30 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and electrode used therein |
| US8187415B2 (en) * | 2006-04-21 | 2012-05-29 | Applied Materials, Inc. | Plasma etch reactor with distribution of etch gases across a wafer surface and a polymer oxidizing gas in an independently fed center gas zone |
| US7431859B2 (en) * | 2006-04-28 | 2008-10-07 | Applied Materials, Inc. | Plasma etch process using polymerizing etch gases with different etch and polymer-deposition rates in different radial gas injection zones with time modulation |
| US8231799B2 (en) * | 2006-04-28 | 2012-07-31 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor apparatus with multiple gas injection zones having time-changing separate configurable gas compositions for each zone |
| US7540971B2 (en) * | 2006-04-28 | 2009-06-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma etch process using polymerizing etch gases across a wafer surface and additional polymer managing or controlling gases in independently fed gas zones with time and spatial modulation of gas content |
| US7932181B2 (en) * | 2006-06-20 | 2011-04-26 | Lam Research Corporation | Edge gas injection for critical dimension uniformity improvement |
| US20080121177A1 (en) * | 2006-11-28 | 2008-05-29 | Applied Materials, Inc. | Dual top gas feed through distributor for high density plasma chamber |
| US20080156264A1 (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-03 | Novellus Systems, Inc. | Plasma Generator Apparatus |
| US20080245478A1 (en) * | 2007-02-09 | 2008-10-09 | Tokyo Institute Of Technology | Surface treatment apparatus |
| US7674394B2 (en) * | 2007-02-26 | 2010-03-09 | Applied Materials, Inc. | Plasma process for inductively coupling power through a gas distribution plate while adjusting plasma distribution |
| US20080236490A1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Alexander Paterson | Plasma reactor with an overhead inductive antenna and an overhead gas distribution showerhead |
| US8235001B2 (en) * | 2007-04-02 | 2012-08-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
| US7846846B2 (en) * | 2007-09-25 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Method of preventing etch profile bending and bowing in high aspect ratio openings by treating a polymer formed on the opening sidewalls |
| JP5192214B2 (ja) * | 2007-11-02 | 2013-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置、基板処理装置および基板処理方法 |
| US8137463B2 (en) * | 2007-12-19 | 2012-03-20 | Applied Materials, Inc. | Dual zone gas injection nozzle |
| US8110068B2 (en) * | 2008-03-20 | 2012-02-07 | Novellus Systems, Inc. | Gas flow distribution receptacles, plasma generator systems, and methods for performing plasma stripping processes |
| US8721836B2 (en) * | 2008-04-22 | 2014-05-13 | Micron Technology, Inc. | Plasma processing with preionized and predissociated tuning gases and associated systems and methods |
| KR101603176B1 (ko) * | 2010-02-12 | 2016-03-14 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 프로세스 챔버 가스 유동 개선들 |
| KR20120000612A (ko) * | 2010-06-28 | 2012-01-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| US20120021136A1 (en) * | 2010-07-20 | 2012-01-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and method for controlling plasma deposition uniformity |
| JP5689294B2 (ja) * | 2010-11-25 | 2015-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP5902896B2 (ja) * | 2011-07-08 | 2016-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| KR101297264B1 (ko) * | 2011-08-31 | 2013-08-16 | (주)젠 | 이중 유도 결합 플라즈마 소스를 갖는 플라즈마 반응기 |
| US8808561B2 (en) * | 2011-11-15 | 2014-08-19 | Lam Research Coporation | Inert-dominant pulsing in plasma processing systems |
| US8883028B2 (en) * | 2011-12-28 | 2014-11-11 | Lam Research Corporation | Mixed mode pulsing etching in plasma processing systems |
| US8703619B2 (en) * | 2012-01-19 | 2014-04-22 | Headway Technologies, Inc. | Taper-etching method and method of manufacturing near-field light generator |
| JP5848140B2 (ja) * | 2012-01-20 | 2016-01-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US20130228513A1 (en) * | 2012-03-02 | 2013-09-05 | Waters Technologies Corporation | Gradient separation method transfer for liquid chromatography systems |
| JP6063264B2 (ja) * | 2012-09-13 | 2017-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理基体を処理する方法、及びプラズマ処理装置 |
| JP2014056987A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP6140412B2 (ja) * | 2012-09-21 | 2017-05-31 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給方法及びプラズマ処理装置 |
| JP2014075234A (ja) * | 2012-10-03 | 2014-04-24 | Tokyo Electron Ltd | アンテナ及びプラズマ処理装置 |
| JP6034655B2 (ja) * | 2012-10-25 | 2016-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP6027490B2 (ja) * | 2013-05-13 | 2016-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | ガスを供給する方法、及びプラズマ処理装置 |
| JP6336719B2 (ja) * | 2013-07-16 | 2018-06-06 | 株式会社ディスコ | プラズマエッチング装置 |
| US9275869B2 (en) * | 2013-08-02 | 2016-03-01 | Lam Research Corporation | Fast-gas switching for etching |
| JP5917477B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2016-05-18 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| JP2016036018A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びガス供給部材 |
| SG11201703129YA (en) * | 2014-10-17 | 2017-05-30 | Lam Res Corp | Gas supply delivery arrangement including a gas splitter for tunable gas flow control |
-
2013
- 2013-08-02 US US13/958,239 patent/US9275869B2/en active Active
-
2014
- 2014-08-01 TW TW103126467A patent/TWI638404B/zh active
- 2014-08-01 TW TW107123407A patent/TWI671817B/zh active
- 2014-08-01 KR KR1020140099007A patent/KR102331627B1/ko active IP Right Grant
- 2014-08-01 CN CN201710584085.6A patent/CN107293470B/zh active Active
- 2014-08-01 CN CN201410377267.2A patent/CN104347341B/zh active Active
-
2016
- 2016-01-22 US US15/004,703 patent/US10262867B2/en active Active
- 2016-02-19 US US15/048,721 patent/US9640408B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070204907A1 (en) * | 2001-06-29 | 2007-09-06 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method of gas injection sequencing |
| KR20060096713A (ko) * | 2005-03-02 | 2006-09-13 | 삼성전자주식회사 | 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장치 |
| JP2007243138A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-09-20 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US20110126762A1 (en) * | 2007-03-29 | 2011-06-02 | Tokyo Electron Limited | Vapor deposition system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201836013A (zh) | 2018-10-01 |
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