TWI637349B - 顯示裝置以及電子裝置 - Google Patents

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平形吉晴
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Abstract

本發明的一個實施方式提供一種可以顯示減少觀察帶來的疲勞且使觀察者感覺到豐富的縱深感的影像的顯示裝置。此外，本發明的一個實施方式還提供一種可以欣賞到減少觀察帶來的觀察者的疲勞且使觀察者感覺到豐富的縱深感的影像的電子裝置。藉由在觀察者所觀察的影像中更詳細地表現黑暗部，顯示能夠感覺到豐富的縱深感的影像。對以80ppi以上的清晰度設置有包括NTSC比為80%以上，對比度為500以上，並能夠以100μs以下的回應時間發射光譜線的半寬度為60nm以下的光的發光模組的像素的顯示裝置附加將具有規定的灰階的影像信號轉換為能夠以高灰階表現更低亮度一側的影像的影像信號的電路，即可。

Description

顯示裝置以及電子裝置
本發明係關於一種顯示裝置。本發明係關於一種具備顯示裝置的電子裝置。
利用雙眼視差顯示立體影像的顯示裝置是已知的。這種顯示裝置在同一螢幕中顯示從左眼的位置看到的影像(左眼用的影像)和從右眼的位置看到的影像(右眼用的影像)，並且觀察者由左眼觀察左眼用的影像並由右眼觀察右眼用的影像來觀察立體影像。
例如，使用眼鏡方式的顯示裝置使左眼用的影像和右眼用的影像與設置在眼鏡的擋板同步而在螢幕交替顯示。由此，觀察者藉由分別由左眼觀察左眼用的影像，並由右眼觀察右眼用的影像來觀察立體影像。
此外，在能夠由裸眼觀察立體影像的使用視差屏障方式的顯示裝置中，螢幕被分割為多個區域(例如，長方形的區域)，該區域交替地分擔右眼用區域和左眼用區域，且在區域邊界重疊設置有視差屏障。在被分割的各區域 中，右眼用區域顯示右眼用影像，而左眼用區域顯示左眼用影像。視差屏障防止左眼看到顯示右眼用影像的區域並防止右眼看到顯示左眼用影像的區域。其結果是，左眼只觀察到左眼用影像，且右眼只觀察到右眼用影像，從而觀察者可以裸眼觀察到立體影像。
注意，還已知可以改變視差屏障並可以切換平面影像的顯示模式和立體影像的顯示模式的顯示裝置(專利文獻1)。
此外，還已知在一對電極之間設置包含發光有機化合物的層的發光元件。因這種發光元件是自發光型，所以其對比度高，且對輸入信號的回應速度快。而且，還已知應用這種發光元件的顯示裝置(專利文獻2)。
[專利文獻1]WO2004/003630小冊子
[專利文獻2]日本專利申請公開第2011-238908號公報
利用雙眼視差顯示立體影像的顯示裝置的螢幕和觀察者的左眼或右眼之間的距離與顯示的影像無關而大致固定。因此，有時從觀察者到觀察者的左眼或右眼對準焦距的螢幕的距離和從觀察者到顯示在該螢幕的影像所包括的產生雙眼視差的觀察目標的距離不一致。其結果是，產生由這種不一致導致的使觀察者疲勞的問題。
本發明是鑒於上述技術背景而提供的。因此，本發明的一個課題是提供一種能夠顯示減少觀察帶來的疲勞且使 觀察者感覺到豐富的縱深感的影像的顯示裝置。或者，本發明的另一個課題還提供一種能夠欣賞到減少觀察帶來的觀察者的疲勞且使觀察者感覺到豐富的縱深感的影像的電子裝置。
為了解決上述課題，本發明的一個實施方式是著眼於單眼觀察所產生的縱深感而創作出的。於是，構想出具備本說明書所例示的結構的顯示裝置。
此外，發現了藉由在觀察者所觀察的影像中更詳細地表現黑暗部，可以形成能夠感覺到更豐富的縱深感的影像。於是，構想出附加將輸入到本發明的一個實施方式的顯示裝置的影像信號(也稱為影像來源)所包括的影像轉換為能夠進一步感覺到縱深感的影像的電路。
當觀察者觀察某個現實的目標物時，即使用單眼看也可以根據該目標物的表面反射的明暗來識別該目標物的表面的質地以及立體感。此外，可以根據被該目標物遮光而投射到背景的陰影部的亮度的梯度(也稱為漸變(gradation))來察覺到目標物和背景之間的位置關係。因此，在顯示在顯示裝置的影像中，尤其是，藉由更緻密地表現黑暗部，可以得到讓觀察者感覺到豐富的縱深感的影像。
在習知的顯示裝置中，影像信號具有規定的灰階度，且根據顯示裝置能夠顯示的亮度的動態範圍從最低亮度到最高亮度線形地進行灰階度表現。然而，在不區別黑暗部和明亮部地以固定的亮度間隔表現的現有影像中，不能詳 細地再現黑暗部的緻密的亮度差異，這種影像難以使觀察者感覺到縱深感而被觀察者識別為平面影像。
由此，需要將具有規定的灰階度的影像信號轉換為能夠以高階的灰階度表現更低亮度一側的影像的影像信號。
因此，本發明的一個實施方式是一種顯示裝置，包括：顯示部；以及灰階轉換部，其中，在顯示部中，以80ppi以上的清晰度設置有包括NTSC比為80%以上，對比度為500以上，且能夠以100μs以下的回應時間發射光譜線的半寬度為60nm以下的光的發光模組的像素。此外，灰階轉換部將輸入到該灰階轉換部的第一影像信號轉換為第二影像信號並將該第二影像信號發送到顯示部。再者，第一影像信號具有p灰階(p是自然數)，第二影像信號是經過了灰階轉換處理的信號，其中將第一影像信號中的最低亮度的q灰階到第q的q灰階的每一個進一步分割為2r值。在此，q滿足1以上且p/2以下，且r滿足1以上且20以下。
在這種結構的顯示裝置所具備的顯示部中影像的光和陰影的分佈豐富，於是該顯示部能夠顯示細緻的影像。此外，可以以平滑的動態顯示忠實於攝影技巧的影像。由此，由單眼看到的縱深感增強，所以不需要在同一螢幕中顯示包括雙眼視差的影像。此外，可以由裸眼進行觀察。其結果是，可以顯示減少觀察帶來的觀察者的疲勞且使觀察者感覺到豐富的縱深感的影像。
此外，因為像素包括光譜線的半寬度窄且顏色純度高 的發光模組，所以NTSC比高且對比度高。由此，可以顯示豐富的灰階範圍。再者，像素還包括回應時間短的發光元件，所以可以平滑地顯示動態影像。由此，可以以如下方式表現動態影像，其中前面的影像一邊與後面的影像重疊一邊比後面的影像更快地平滑地進行動態表現。而且，豐富的灰階範圍和平滑的動態互相作用，使觀察者感覺到強烈的縱深感。
再者，藉由利用灰階轉換部增大低亮度區域中的灰階數，可以緻密地表現黑暗部。因此，藉由與上述顯示部組合，影像的光和陰影的分佈相乘地變得豐富，所以可以更忠實地再現目標物的表面的質地或目標物所產生的陰影部的陰影。由此，可以顯示觀察者能夠感覺到更豐富的縱深感的影像。
本發明的另一個實施方式是一種顯示裝置，包括：顯示部；以及灰階轉換部，其中，在顯示部中，以80ppi以上的清晰度設置有包括NTSC比為80%以上，對比度為500以上，且能夠以100μs以下的回應時間發射光譜線的半寬度為60nm以下的光的發光模組的像素。此外，發光模組包括：反射膜及半透射．半反射膜；設置在反射膜和半透射．半反射膜之間且具備一對電極、一對電極之間的包含發光有機化合物的多個層以及包含發光有機化合物的層之間的中間層的發光元件；以及隔著半透射．半反射膜與發光元件重疊地設置的濾光片。此外，灰階轉換部將輸入到該灰階轉換部的第一影像信號轉換為第二影像信號並 將該第二影像信號發送到顯示部，第一影像信號具有p灰階(p是自然數)，第二影像信號是經過了灰階轉換處理的信號，其中將從第一影像信號中的最低亮度的q灰階到第q的q灰階的每一個進一步分割為2r值。在此，q滿足1以上且p/2以下，且r滿足1以上且20以下。
藉由採用這種結構，光在反射膜和半透射．半反射膜之間互相干涉，具有400nm以上且小於800nm的波長的光中的特定的光互相加強，且濾色片吸收不需要的光。由此，可以使用光譜線的半寬度窄(明確而言，60nm以下)的光顯示彩度高的影像，且縱深感增強。其結果是，可以提供一種可以顯示減少觀察帶來的觀察者的疲勞且使觀察者感覺到豐富的縱深感的影像的顯示裝置。
本發明的另一個實施方式是在上述任一個顯示裝置中，灰階轉換部將第一影像信號所包括的影像分割為多個區域並抽出各區域中的亮度分佈，根據亮度分佈判定是否對該區域進行灰階轉換處理，並且對需要進行灰階轉換處理的區域進行該灰階轉換處理。
藉由採用這種結構，不對第一影像信號所包括的影像的所有區域進行灰階轉換處理，而可以只有對需要的區域進行灰階轉換處理。由此，可以提高灰階轉換部的處理速度。再者，因為灰階轉換部不需要在判定為不需要灰階轉換處理的區域中進行該處理，所以可以減少顯示裝置的驅動耗電量。
本發明的另一個實施方式是在上述任一個顯示裝置 中，設置在每個像素中的發光模組是包括透射呈現紅色的光的濾色片以及將光學距離調整為600nm以上且短於800nm的i/2倍(i是自然數)的反射膜及半透射．半反射膜的第一發光模組；包括透射呈現綠色的光的濾色片以及將光學距離調整為500nm以上且短於600nm的j/2倍(j是自然數)的反射膜及半透射．半反射膜的第二發光模組；以及包括透射呈現藍色的光的濾色片以及將光學距離調整為400nm以上且短於500nm的k/2倍(k是自然數)的反射膜及半透射．半反射膜的第三發光模組中的任一個。
此外，本發明的另一個實施方式是在上述任一個顯示裝置中，設置在每個像素中的發光模組是包括透射呈現紅色的光的濾色片以及將光學距離調整為600nm以上且短於800nm的i/2倍(i是自然數)的反射膜及半透射．半反射膜的第一發光模組；包括透射呈現綠色的光的濾色片以及將光學距離調整為500nm以上且短於600nm的j/2倍(j是自然數)的反射膜及半透射．半反射膜的第二發光模組；以及包括透射呈現藍色的光的濾色片以及將光學距離調整為400nm以上且短於500nm的k/2倍(k是自然數)的反射膜及半透射．半反射膜的第三發光模組中的任一個，並且第一發光模組、第二發光模組及第三發光模組包括包含相同的發光有機化合物的層。
此外，本發明的另一個實施方式是在上述任一個顯示裝置中，發光模組包括一對電極的一方兼作反射膜，且另 一方兼作半透射．半反射膜的發光元件。
藉由採用上述結構，可以提高各發光模組的發光的顏色純度。再者，可以在同一步驟中形成包含發光有機化合物的層。而且，可以採用一對電極兼作反射膜及半透射．半反射膜的結構。由此，可以使製程簡化。其結果是，可以提供容易製造且能夠顯示減少觀察帶來的觀察者的疲勞且使觀察者感覺到豐富的縱深感的影像的顯示裝置。
特別是，微腔的使光譜線的半寬度變窄的效果好，並且當解析度越高，像素不突顯的效果越好。在此，人腦容易識別動態影像，且容易識別從靜態影像變為動態影像的影像。由此，藉由提高顏色純度，且使像素變得不突顯，可以顯示更平滑的動態影像。其結果是，可以提供能夠顯示減少觀察帶來的疲勞且使觀察者感覺到豐富的縱深感的影像的顯示裝置。
本發明的另一個實施方式是在上述任一個顯示裝置中，設置在每個像素中的發光模組發射呈現光譜線的半寬度窄於50nm的紅色的光、呈現其半寬度窄於呈現紅色的光的光譜線的半寬度的綠色的光和呈現其半寬度窄於呈現綠色的光的光譜線的半寬度的藍色的光中的任一個。
在這種結構中，光亮度高的綠色光的半寬度窄於紅色光的半寬度，且藍色光的半寬度窄於綠色光的半寬度。由此，可以使用光譜線的半寬度窄(明確而言，50nm以下)的光顯示彩度高的影像，且縱深感也得到增強。
本發明的一個實施方式是包括上述任一個顯示裝置的 電子裝置。
根據上述本發明的一個實施方式，在電子裝置中顯示光和陰影的分佈豐富的影像。此外，在電子裝置中平滑地顯示忠實於攝影技巧的影像。由此，單眼看到的縱深感增強，於是不需要在同一螢幕上顯示包括雙眼視差的影像。此外，可以由裸眼進行觀察。其結果是，可以欣賞到減少觀察帶來的觀察者的疲勞且使觀察者感覺到豐富的縱深感的影像的電子裝置。
注意，在本說明書中，光學距離是指距離和折射率的乘積。因此，在折射率大於1的介質中，光學距離長於實質上的距離。另外，可以藉由測量光學干涉測量微諧振器(也稱為微腔)的諧振器內部的光學距離。明確而言，藉由使用分光光度計測量入射光與反射光之間的強度比並在波長上表示該強度比，可以求出諧振器內部的光學距離。
注意，在本說明書中，以下都包括在顯示裝置的範疇中：顯示面板安裝有連接器諸如FPC(軟性印刷電路)或TCP(帶式載體封裝)的模組；在TCP的端部設置有印刷線路板的模組；以及藉由COG(玻璃上的晶片)方式將IC(積體電路)直接安裝在形成有顯示部的基板上的模組。
根據本發明可以提供能夠顯示減少觀察帶來的疲勞且使觀察者感覺到豐富的縱深感的影像的顯示裝置。
100‧‧‧顯示裝置
101‧‧‧顯示部
103‧‧‧驅動電路部
104‧‧‧驅動電路部
105‧‧‧控制電路部
107‧‧‧影像處理裝置
109‧‧‧解碼電路部
111‧‧‧灰階轉換部
113‧‧‧記憶部
114‧‧‧雜訊去除部
115‧‧‧像素間補充部
116‧‧‧色調校正部
117‧‧‧補充圖框生成部
251‧‧‧電極
252‧‧‧電極
253‧‧‧層
400‧‧‧顯示面板
402‧‧‧像素
402B‧‧‧子像素
402G‧‧‧子像素
402R‧‧‧子像素
405‧‧‧密封材料
408‧‧‧配線
410‧‧‧基板
411‧‧‧電晶體
412‧‧‧電晶體
413‧‧‧n通道型電晶體
414‧‧‧p通道型電晶體
416‧‧‧絕緣層
418‧‧‧分隔壁
420B‧‧‧發光元件
420G‧‧‧發光元件
420R‧‧‧發光元件
421B‧‧‧電極
421G‧‧‧電極
421R‧‧‧電極
422‧‧‧電極
423‧‧‧層
423a‧‧‧層
423b‧‧‧層
424‧‧‧中間層
431‧‧‧空間
440‧‧‧基板
441B‧‧‧濾光片
441G‧‧‧濾光片
442‧‧‧膜
450B‧‧‧發光模組
450G‧‧‧發光模組
450R‧‧‧發光模組
1101‧‧‧陽極
1102‧‧‧陰極
1103‧‧‧發光單元
1103a‧‧‧發光單元
1103b‧‧‧發光單元
1104‧‧‧中間層
1104a‧‧‧電子注入緩衝層
1104b‧‧‧電子中繼層
1104c‧‧‧電荷產生區域
1113‧‧‧電洞注入層
1114‧‧‧電洞傳輸層
1115‧‧‧發光層
1116‧‧‧電子傳輸層
1117‧‧‧電子注入層
1503a‧‧‧EL層
1503b‧‧‧EL層
1504‧‧‧中間層
1504a‧‧‧電子注入緩衝層
1504b‧‧‧電子中繼層
1504c‧‧‧電荷產生區域
1511‧‧‧電洞注入層
1512‧‧‧電洞傳輸層
1513‧‧‧發光層
1514a‧‧‧電子傳輸層
1514b‧‧‧電子傳輸層
1522‧‧‧電洞傳輸層
1523a‧‧‧發光層
1523b‧‧‧發光層
1524a‧‧‧電子傳輸層
1524b‧‧‧電子傳輸層
1525‧‧‧電子注入層
7100‧‧‧電視機
7101‧‧‧外殼
7103‧‧‧顯示部
7105‧‧‧支架
7107‧‧‧顯示部
7109‧‧‧操作鍵
7110‧‧‧遙控器
7201‧‧‧主體
7202‧‧‧外殼
7203‧‧‧顯示部
7204‧‧‧鍵盤
7205‧‧‧外部連接埠
7206‧‧‧指向裝置
7301‧‧‧外殼
7302‧‧‧外殼
7303‧‧‧連接部
7304‧‧‧顯示部
7305‧‧‧顯示部
7306‧‧‧揚聲器部
7307‧‧‧儲存媒體插入部
7308‧‧‧LED燈
7309‧‧‧操作鍵
7310‧‧‧連接端子
7311‧‧‧感測器
7312‧‧‧麥克風
7400‧‧‧行動電話機
7401‧‧‧外殼
7402‧‧‧顯示部
7403‧‧‧操作鍵
7404‧‧‧外部連接埠
7405‧‧‧揚聲器
7406‧‧‧麥克風
7450‧‧‧電腦
7451L‧‧‧外殼
7451R‧‧‧外殼
7452L‧‧‧顯示部
7452R‧‧‧顯示部
7453‧‧‧操作按鈕
7454‧‧‧鉸鏈
7455L‧‧‧左側揚聲器
7455R‧‧‧右側揚聲器
7456‧‧‧外部連接埠
在圖式中：圖1是說明根據實施方式的顯示裝置的圖；圖2A至2C是說明根據實施方式的顯示裝置的顯示部的圖；圖3是說明根據實施方式的影像處理裝置的圖；圖4A至4C是說明根據實施方式的灰階轉換處理的圖；圖5A至5D是說明根據實施方式的灰階轉換處理的圖；圖6A至6D是說明根據實施方式的灰階轉換處理的圖；圖7A至7C是說明能夠應用於根據實施方式的顯示裝置的發光元件的圖；圖8A至8E是說明包括根據實施方式的顯示裝置的電子裝置的圖；圖9是示出根據實施例的發光模組的發光元件的結構的圖；圖10A至10C是示出根據實施例的發光模組的發光光譜的圖；圖11是表示根據實施例的發光模組的發光顏色的色度圖；圖12A和12B是示出根據實施例的發光模組的發光亮度的時間依賴性的圖。
參照圖式對實施方式進行詳細說明。但是，所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實，就是本發明可以以多個不同形式來實施，其方式和詳細內容可以在不脫離本發明的宗旨及其範圍的情況下被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在下面所示的實施方式所記載的內容中。注意，在以下說明的發明結構中，在不同的圖式之間共同使用同一元件符號來表示同一部分或具有同一功能的部分，而省略其重複說明。
注意，在本說明書所說明的各個圖式中，有時為了明確起見，誇大表示各結構的大小、層的厚度、區域。因此，本發明並不一定限定於該尺寸。
[實施方式1]
在本實施方式中，參照圖式說明本發明的一個實施方式的顯示裝置的結構例子。
圖1是示出本發明的一個實施方式的顯示裝置的結構例子的塊圖。
顯示裝置100包括顯示部101、驅動電路部103、驅動電路部104、控制電路部105、影像處理裝置107以及解碼電路部109。
對解碼電路部109輸入被壓縮或編碼的影像信號S0，解碼電路部109對該影像信號S0進行解碼並將其轉換為第一影像信號S1。在此被轉換的第一影像信號S1被 傳送到影像處理裝置107。
影像處理裝置107將被輸入的第一影像信號S1轉換為包括適合在顯示部101顯示的影像資料的第二影像信號S2。
影像處理裝置107至少包括灰階轉換部111。利用灰階轉換部111對具有p灰階的第一影像信號S1進行灰階轉換處理，而生成第二影像信號S2。在灰階轉換處理中，將第一影像信號S1中的最低亮度的q灰階到第q的q灰階的每一個進一步分割為2r值。在此，較佳的是：p是自然數，q是1以上且p/2以下，r是1以上且20以下。
注意，關於影像處理裝置107的詳細內容將在後面的實施方式中進行說明。
由影像處理裝置107轉換的第二影像信號S2被傳送到控制電路部105。
控制電路部105根據第二影像信號S2對驅動顯示部101的驅動電路部103及驅動電路部104分別發送驅動信號。
控制電路部105例如也可以包括DA轉換器、放大器電路、暫存器電路等。
驅動電路部103及驅動電路部104根據從控制電路部105輸入的驅動信號驅動顯示部101中的像素來將影像顯示在顯示部101。
顯示部101是可以顯示護眼且使觀察者感覺到豐富的 縱深感的影像的顯示部。
〈顯示部的結構例子〉
下面，詳細地說明顯示部101的結構例子。
在本實施例中例示而說明的顯示面板400在第一基板410上包括顯示部101，並且在顯示部101設置有多個像素402。此外，像素402設置有多個(例如，三個)子像素(圖2A)。此外，在第一基板410上與顯示部101一起設置有驅動該顯示部101的源極一側的驅動電路部104、閘極一側的驅動電路部103。注意，也可以將驅動電路部設置在外部，而不設置在第一基板410上。
顯示面板400包括外部輸入端子，由FPC(軟性印刷電路)409接收視頻信號、時脈信號、起始信號、重設信號等。注意，雖然在此只有圖示FPC，但是也可以在FPC上組裝有印刷線路板(PWB)。本說明書中的顯示面板不僅包括顯示面板主體，而且還包括組裝有FPC或PWB的顯示面板。
密封材料405接合第一基板410和第二基板440。此外，在基板之間形成的空間431密封有顯示部101(參照圖2B)。
[顯示面板的結構]
參照圖2B說明包括顯示面板400的剖面的結構。顯示面板400包括源極一側的驅動電路部104、像素402所 包括的子像素402G、引線配線408。另外，本實施方式所例示的顯示面板400的顯示部101向在圖式中示出的箭頭的方向發射光而顯示影像。
源極一側的驅動電路部104包括組合n通道型電晶體413和p通道型電晶體414的CMOS電路。注意，驅動電路不侷限於上述結構，而也可以由各種CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路構成。
引線配線408將從外部輸入端子輸入的信號傳送到源極一側的驅動電路部104及閘極一側的驅動電路部103。
子像素402G包括切換電晶體411、電流控制用電晶體412以及發光模組450G。此外，在電晶體411等上形成有絕緣層416及分隔壁418。發光模組450G包括反射膜、半透射．半反射膜、反射膜和半透射．半反射膜之間的發光元件420G，且在射出發光元件420G所發射的光的半反射膜一側設置有濾色片441G。本實施例所例示的發光模組450G具有發光元件420G的第一電極421G兼作反射膜，且發光元件420G的第二電極422兼作半透射．半反射膜的結構。注意，顯示部101顯示影像的方向決定於取出發光元件420G所發射的光的方向。
此外，圍繞濾色片441G地形成有具有遮光性的膜442。具有遮光性的膜442是防止顯示面板400反射外光的現象的膜，且有提高顯示部101所表示的影像的對比度的效果。另外，濾色片441G和具有遮光性的膜442形成在第二基板440上。
絕緣層416是用來使起因於電晶體441等的結構而產生的步階平坦化或抑制雜質擴散到電晶體411等的具有絕緣性的層。絕緣層416可以為單層或疊層。分隔壁418是具有開口部的絕緣層，並且發光元件420G形成在分隔壁418的開口部。
發光元件420G包括第一電極421G、第二電極422以及包含發光有機化合物的層423。
[電晶體的結構]
圖2A所例示的顯示面板400應用頂閘極型的電晶體。源極一側的驅動電路部104、閘極一側的驅動電路部103以及子像素可以應用各種結構的電晶體。注意，在形成這些電晶體的通道的區域中，可以使用各種半導體。明確而言，除了非晶矽、多晶矽、單晶矽之外，還可以使用氧化物半導體等。
當藉由將氧化物半導體用於形成電晶體的通道的區域時，與其中使用非晶矽的電晶體相比可以使電晶體微型化，所以可以在顯示部中造成較高解析度像素。
可以用於電晶體的半導體層的氧化物半導體膜例如可以處於非單晶狀態。非單晶狀態例如由CAAC(C Axis Aligned Crystal：c軸配向結晶)、多晶、微晶和非晶部中的至少任一個構成。非晶部的缺陷態密度高於微晶和CAAC的缺陷態密度。微晶的缺陷態密度高於CAAC的缺陷態密度。注意，將包括CAAC的氧化物半導體稱為 CAAC-OS(C Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor：c軸配向結晶氧化物半導體)。
例如，氧化物半導體膜可以包括CAAC-OS。在CAAC-OS中，例如c軸配向且a軸及/或b軸在微觀上不一致。
例如，氧化物半導體膜可以包括微晶。注意，將包括微晶的氧化物半導體稱為微晶氧化物半導體。微晶氧化物半導體膜例如包括大於或等於1nm且小於10nm的尺寸的微晶(也稱為奈米晶)。
例如，氧化物半導體膜可以包括非晶部。注意，將包括非晶部的氧化物半導體稱為非晶氧化物半導體。非晶氧化物半導體膜例如具有無秩序的原子排列且不具有結晶成分。或者，非晶氧化物半導體膜例如是完全的非晶，並且不具有結晶部。
注意，氧化物半導體膜可以是包括CAAC-OS、微晶氧化物半導體和非晶氧化物半導體中的任一個的混合膜。混合膜例如包括非晶氧化物半導體的區域、微晶氧化物半導體的區域和CAAC-OS的區域。此外，混合膜例如可以具有包括非晶氧化物半導體的區域、微晶氧化物半導體的區域和CAAC-OS的區域的疊層結構。
注意，氧化物半導體膜例如可以處於單晶狀態。
氧化物半導體膜較佳為包括多個結晶部。在每個結晶部中，c軸較佳為在平行於形成有氧化物半導體膜的表面的法線向量或氧化物半導體膜的表面的法線向量的方向上 一致。注意，在結晶部之間，一個結晶部的a軸和b軸的方向可以與另一個結晶部的a軸和b軸的方向不同。這種氧化物半導體膜的一個例子是CAAC-OS膜。
注意，在大多情況下，CAAC-OS膜中的結晶部的尺寸相當於一個邊長小於100nm的立方體。在利用透射電子顯微鏡(TEM：Transmission Electron Microscope)所得到的影像中，不能明確地觀察到CAAC-OS膜中的結晶部與結晶部之間的邊界。另外，利用TEM，不能明確地觀察到CAAC-OS膜中的晶界(grain boundary)。因此，在CAAC-OS膜中，起因於晶界的電子遷移率的降低得到抑制。
在包括在CAAC-OS膜中的每個結晶部中，例如c軸在平行於形成有CAAC-OS膜的表面的法線向量或CAAC-OS膜的表面的法線向量的方向上一致。並且，在每個結晶部中，當從垂直於ab面的方向看時金屬原子排列為三角形或六角形的結構，且當從垂直於c軸的方向看時，金屬原子排列為層狀或者金屬原子和氧原子排列為層狀。注意，在結晶部之間，一個結晶部的a軸和b軸的方向可以與另一個結晶部的a軸和b軸的方向不同。在本說明書中，“垂直”的用語包括從80°到100°的範圍，較佳為包括從85°到95°的範圍。並且，“平行”的用語包括從-10°到10°的範圍，較佳為包括從-5°到5°的範圍。
在CAAC-OS膜中，結晶部的分佈不一定是均勻的。例如，在CAAC-OS膜的形成製程中，在從氧化物半導體 膜的表面一側產生結晶生長的情況下，有時氧化物半導體膜的表面附近的結晶部的比例高於形成有氧化物半導體膜的表面附近的結晶部的比例。另外，當將雜質添加到CAAC-OS膜時，有時添加有雜質的區域中的結晶部的結晶性降低。
因為包括在CAAC-OS膜中的結晶部的c軸在平行於形成有CAAC-OS膜的表面的法線向量或CAAC-OS膜的表面的法線向量的方向上一致，所以有時根據CAAC-OS膜的形狀(形成有CAAC-OS膜的表面的剖面形狀或CAAC-OS膜的表面的剖面形狀)c軸的方向可以彼此不同。注意，伴隨成膜會形成結晶部，或者在成膜之後藉由諸如加熱處理等晶化處理形成結晶部。因此，結晶部的c軸在平行於形成有CAAC-OS膜的表面的法線向量或CAAC-OS膜的表面的法線向量的方向上一致。
在使用CAAC-OS膜的電晶體中，起因於可見光或紫外光的照射的電特性的變動小。因此，該電晶體具有高可靠性。
當使用濺射法形成CAAC-OS膜時，成膜時的基板溫度較佳為高。例如，藉由將基板加熱溫度設定為100℃以上且600℃以下，較佳為200℃以上且500℃以下，更佳為150℃以上且450℃以下而形成氧化物膜，可以形成CAAC-OS膜。
作為用於濺射法的電源，較佳為使用直流(DC)電源。注意，也可以使用高頻(RF)電源、交流(AC)電 源。注意，RF電源難以應用於能夠在大面積的基板上進行成膜的濺射裝置。此外，從以下所示的觀點來看，DC電源比AC電源較佳。
當作為濺射用靶材使用In-Ga-Zn-O化合物靶材時，例如較佳為使用以2：2：1、8：4：3、3：1：1、1：1：1、4：2：3、3：1：2、3：1：4的莫耳數比混合InOx粉末、GaOy粉末及ZnOz粉末形成的In-Ga-Zn-O化合物靶材。x、y、z是任意的正數。注意，濺射用靶材也可以是多晶。
此外，也可以使用磁控管並由於磁場使濺射用靶材附近的電漿區域密度增加。因為在磁控管濺射裝置中，例如在濺射用靶材的前方形成磁場，所以在濺射靶材的後方配置有磁組裝體。該磁場當濺射用靶材的濺射時俘獲電離的電子或因濺射而產生的二次電子。藉由這樣俘獲的電子提高了與成膜室內的稀有氣體等的惰性氣體的碰撞概率，其結果是，電漿密度提高。由此，例如可以在不使形成有元件的層的溫度顯著增高的情況下提高沈積速度。
當藉由濺射法形成CAAC-OS膜時，例如較佳為減少在濺射裝置的成膜室中存在的雜質(氫、水、二氧化碳及氮等)。此外，較佳為減少成膜氣體中的雜質。例如，藉由作為氧氣體或氬氣體等的成膜氣體使用高度純化到露點為-40℃以下，較佳為-80℃以下，更較佳為-100℃以下的氣體，可以抑制雜質混入到CAAC-OS膜。
當藉由濺射法形成CAAC-OS膜時，較佳為增高成膜 氣體中的氧的比例並使電力最優化來抑制成膜時的電漿損傷。例如，將成膜氣體中的氧的比例設定為30vol.%以上，較佳為100vol.%。
當藉由濺射法形成CAAC-OS膜時，除了進行成膜時的基板加熱之外，還可以進行加熱處理。藉由加熱處理，例如可以減少氧化物膜中的雜質濃度。
例如，在350℃以上且低於基板的應變點的溫度進行上述加熱處理。再者，也可以在350℃以上且450℃以下進行上述加熱處理。注意，也可以將加熱處理進行多次。
作為用於上述加熱處理的加熱處理裝置，也可以使用GRTA(Gas Rapid Thermal Annealing：氣體快速熱退火)裝置或LRTA(Lamp Rapid Thermal Annealing：燈快速熱退火)裝置等的RTA(Rapid Thermal Annealing：快速熱退火)裝置。另外，不侷限於此而還可以使用電爐等的其他加熱處理裝置。
如上述製程所示，藉由當進行成膜時不使膜包含氫或水等，減少氧化物半導體膜所包含的雜質濃度。此外，也可以藉由在形成氧化物半導體膜之後進行加熱處理去除氧化物半導體膜所包含的氫、水等，減少雜質濃度。藉由之後對氧化物半導體膜供應氧填充氧缺陷，可以使氧化物半導體膜高度純化。此外，也可以對氧化物半導體膜添加氧。高度純化了的氧化物半導體膜是i型(本質半導體)或無限趨近於i型。實質的i型的氧化物半導體膜的載子密度低於1×1017/cm3，低於1×1015/cm3或低於1×1013/cm3。
當將單晶半導體用於形成電晶體的通道的區域時，可以使電晶體尺寸微型化，以在顯示部中造成較高解析度像素。
作為構成半導體層的單晶半導體，典型地，可以使用由第14族元素構成的單晶半導體基板諸如單晶矽基板、單晶鍺基板、單晶矽鍺基板等及化合物半導體基板(SiC基板、藍寶石基板、GaN基板等)等的半導體基板。較佳地可以使用在絕緣表面上設置有單晶半導體層的SOI(Silicon On Insulator：絕緣體上矽)基板。
作為SOI基板的製造方法，可以使用以下方法：藉由在向鏡面拋光晶片注入氧離子之後進行高溫加熱，在離表面有固定深度的區域中形成氧化層的同時消除產生在表面層中的缺陷而製造的方法；藉由利用由氫離子照射形成的微孔的生長(該生長藉由熱處理來實現)來劈開半導體基板的方法；或者藉由利用絕緣表面上的結晶生長形成單晶半導體層的方法等。
在本實施例中，從單晶半導體基板的一個面添加離子，以在離單晶半導體基板的一個面有固定深度處形成脆化層，在單晶半導體基板的一個面上和第一基板410上中的任一方形成絕緣層。接著，在單晶半導體基板和第一基板410夾著絕緣層重疊的狀態下進行熱處理，以使脆化層中產生裂縫，在脆化層中分離單晶半導體基板。由此，單晶半導體層，其從單晶半導體基板分離，形成在第一基板410上。注意，作為第一基板410可以使用玻璃基板。
另外，也可以在半導體基板上形成絕緣隔離區域，利用該絕緣隔離的半導體區域形成電晶體411、412。
當將單晶半導體用作通道形成區域時，可以減少因晶界中的鍵缺陷所產生的電晶體的電特性如臨界電壓等的不均勻性，所以在本發明的一個實施例的顯示面板中，即使在各像素中不配置用來補償臨界電壓的電路，也可以使發光元件正常地工作。由此，可以減少一個像素中的電路元件數，所以提高了佈局的彈性。因此，可以實現顯示面板的高清晰化。例如，可以採用每英寸包括300以上(水平解析度為300ppi(pixels per inch)以上)，更佳為包括400以上(水平解析度為400ppi以上)的配置為矩陣狀的多個像素的結構。
再者，將單晶半導體用作通道形成區域的電晶體可以在保持高電流驅動能力的狀態下實現微型化。因為藉由利用該微型的電晶體可以縮小無助於顯示的電路部的面積，所以在顯示部中顯示面積得到擴大而可以實現顯示面板的窄邊框化。
[像素的結構]
參照圖2C說明設置在顯示部101的像素402的結構。
本實施方式所例示的像素402包括子像素402G，子像素402G包括發光元件420G，該發光元件420G包括兼作反射膜的第一電極421G、兼作半透射．半反射膜的第二 電極422、包含發光有機化合物的層423a、包含發光有機化合物的層423b以及中間層424。此外，子像素402G包括與發光元件420G重疊地設置在第二電極422一側的濾色片441G以及能夠以100μs以下的回應時間發射光譜的半寬度為60nm以下且波長為400nm以上且低於800nm的光的發光模組450G。
以80ppi以上，較佳為以300ppi以上的清晰度將這種像素設置在顯示部101來製造NTSC比為80%以上，較佳為95%以上且對比度為500以上，較佳為2000以上的顯示裝置。其結果是，可以提供能夠顯示減少觀察帶來的觀察者的疲勞且使觀察者感覺到豐富的縱深感的影像的顯示裝置。再者，光在反射膜和半透射．半反射膜之間互相干涉，具有400nm以上且小於800nm的波長的光中的特定的光互相加強，且濾色片吸收不需要的光。由此，可以使用光譜線的半寬度窄(明確而言，60nm以下)的光顯示彩度高的影像，且縱深感增強。
此外，像素402包括發射呈現藍色的光B的子像素402B、發射呈現綠色的光G的子像素402G以及發射呈現紅色的光R的子像素402R。各種子像素分別包括驅動用電晶體和發光模組。發光模組分別包括反射膜、半透射．半反射膜以及反射膜和半透射．半反射膜之間的發光元件。
當重疊反射膜和半透射．半反射膜構成微諧振器，並在其間設置發光元件時，可以從半透射．半反射膜高效地 取出具有特定的波長的光。明確而言，藉由將微諧振器的光學距離設定為取出的光的波長的n/2倍(n是自然數)，可以提高取出光的效率。取出的光的波長依賴於反射膜和半透射．半反射膜之間的距離，並且可以在其間形成光學調整層調整該距離。
作為可以用於光學調整層的材料，除了對可見光具有透光性的導電膜之外，還可以應用包含發光有機化合物的層。例如，可以使用電荷產生區域調整其厚度。或者，藉由將包含電洞傳輸性高的物質和受體物質的區域用於光學調整層是較佳的，因為即使當光學調整層為厚時也可以抑制驅動電壓的上升。
作為發光元件的結構，在兼作反射膜的第一電極421G和兼作半透射．半反射膜的第二電極422之間具有包含發光有機化合物的層423a、包含發光有機化合物的層423b以及中間層424，作為發光元件420G。
注意，在實施方式3中詳細地說明發光元件的結構例子。
在此，因為將液晶元件應用於像素的顯示裝置藉由物理地使液晶的配向變化來驅動像素，所以不能充分地提高回應速度。另一方面，上述發光元件的回應速度與液晶元件相比極快。由此，應用這種發光元件的顯示裝置當顯示動態影像時不容易產生殘像，並實現平滑的動態影像顯示。因此，可以實現真實感以及立體感得到進一步提高而使觀察者感覺到豐富的縱深感的顯示裝置。
在本實施方式所例示的發光模組中，設置在每個發光模組中的發光元件的第二電極422兼作半透射．半反射膜。明確而言，發光元件420B、發光元件420G和發光元件420R共用的第二電極422兼作發光模組450B、發光模組450G和發光模組450R的半透射．半反射膜。
此外，以電獨立的方式設置在每個發光模組中的發光元件的第一電極兼作反射膜。明確而言，設置在發光元件420B中的第一電極421B兼作發光模組450B的反射膜，設置在發光元件420G中的第一電極421G兼作發光模組450G的反射膜，設置在發光元件420R中的第一電極421R兼作發光模組450R的反射膜。
兼作發光模組的反射膜的第一電極具有在反射膜上層疊有光學調整層的結構。光學調整層由對可見光具有透光性的導電膜形成，反射膜較佳是對可見光的反射率高且具有導電性的金屬膜。
根據從發光模組取出的光的波長的長度調整光學調整層的厚度。
例如，第一發光模組450B包括透射呈現藍色的光的濾色片441B、兼作將光學距離調整為400nm以上且低於500nm的k/2倍(k是自然數)的反射膜的第一電極421B以及兼作半透射．半反射膜的第二電極422。
此外，第二發光模組450G包括透射呈現綠色的光的濾色片441G以及將光學距離調整為500nm以上且低於600nm的j/2倍(j是自然數)的反射膜以及半透射．半反 射膜。
此外，第三發光模組450R包括透射呈現紅色的光的濾色片441R以及將光學距離調整為600nm以上且低於800nm的i/2倍(i是自然數)的反射膜以及半透射．半反射膜。
在採用這種結構的發光模組中，發光元件所發射的光在反射膜和半透射．半反射膜之間互相干涉，具有400nm以上且小於800nm的波長的光中的特定的光互相加強，且濾色片吸收不需要的光。由此，可以使用光譜線的半寬度窄(明確而言，60nm以下)的光顯示彩度高的影像，且縱深感增強。其結果是，可以提供一種能夠顯示減少觀察帶來的觀察者的疲勞且使觀察者感覺到豐富的縱深感的影像的顯示裝置。
特別是，第三發光模組450R發射呈現光譜線的半寬度窄於50nm的紅色的光，第二發光模組450G發射呈現其半寬度窄於第三發光模組450R所發射的光的光譜線的半寬度的綠色的光，並且第一發光模組450B發射呈現光譜線的半寬度窄於第二發光模組450G所發射的光的光譜線的半寬度的藍色的光。
在具有這種結構的發光模組中，光亮度高的綠色光的半寬度窄於紅色光的半寬度，且藍色光的半寬度窄於綠色光的半寬度。由此，可以使用光譜線的半寬度窄(明確而言，50nm以下)的光顯示彩度高的影像，且縱深感也增強。
另外，第一發光模組450B、第二發光模組450G以及第三發光模組450R都包括包含發光有機化合物的層423a、包含發光有機化合物的層423b以及中間層424。此外，發光元件的一對的所述電極的一方兼作反射膜，另一方兼作半透射．半反射膜。
這種結構的發光模組可以藉由同一製程形成多個發光模組中的每個包含發光有機化合物的層。此外，一對電極兼作反射膜及半透射．半反射膜。由此，可以簡化製程。其結果是，可以提供容易製造並可以顯示減少觀察帶來的觀察者的疲勞且使觀察者感覺到豐富的縱深感的影像的顯示裝置。
此外，因為像素包括光譜線的半寬度窄且顏色純度高的發光模組，增加NTSC比及對比度。由此，可以顯示豐富的灰階範圍。再者，像素還包括回應時間短的發光元件，所以可以顯示平滑的動態影像。由此，可以表現前面的影像以在與後面的影像重疊的同時比後面的影像快的方式平滑地運動的動態影像。而且，豐富的灰階範圍和平滑的動態互相作用，而使觀察者感覺到強烈的縱深感。
特別是，微腔的使光譜線的半寬度變窄的效果好，並且清晰度越高，難認識別像素的效果越好。在此，人腦容易識別動態影像，且容易識別從靜態影像變為動態影像的影像。由此，藉由提高顏色純度，且使像素變得不突顯，可以顯示更平滑的動態影像。其結果是，可以提供能夠顯示減少觀察帶來的疲勞且使觀察者感覺到豐富的縱深感的 影像的顯示裝置。
[分隔壁的結構]
分隔壁418覆蓋第一電極421B、第一電極421G以及第一電極421R的端部地形成。
在分隔壁418的下端部形成具有曲率的曲面。作為分隔壁418的材料，可以使用正型或負型的光敏樹脂。
注意，將吸收可見光的材料使用於分隔壁，產生抑制光從相鄰的發光元件的一方洩漏到另一方的現象(也稱為串擾)的效果。
此外，在將半透射．半反射膜設置在第一基板410一側並將發光模組所發射的光取出到第一基板410一側來顯示影像時，使用吸收可見光的材料形成分隔壁，該分隔壁可以吸收設置在第一基板410的反射膜所反射的外光並抑制反射。
[密封結構]
本實施方式所例示的顯示面板400具有在由第一基板410、第二基板440和密封材料405圍繞的空間密封發光元件的結構。
空間填充有惰性氣體(氮或氬等)或樹脂。也可以設置雜質(典型的是，水及/或氧)的吸附材料(例如，乾燥材料等)。
密封材料405及第二基板440較佳是儘量不傳播大氣 中的雜質(典型地是，水及/或氧)的材料。作為密封材料405可以使用環氧樹脂或玻璃粉等。
作為可以用於第二基板440的材料的例子，除了玻璃基板或石英基板之外還可以舉出由PVF(聚氟乙烯)、聚酯或丙烯酸樹脂等構成的塑膠基板或FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics；纖維增強塑膠)等。
以上是包括顯示部101的顯示面板400的說明。
〈影像處理裝置的結構例子〉
下面，參照圖式說明圖1所例示的影像處理裝置107的詳細內容。
圖3是影像處理裝置107的塊圖。顯示裝置100所包括的影像處理裝置107至少包括灰階轉換部111。
如圖3所示，影像處理裝置107包括記憶部113、雜訊去除部114、像素間補充部115、色調校正部116以及補充圖框生成部117等。
灰階轉換部111對第一影像信號S1進行上述灰階轉換處理。在下面說明灰階轉換處理的具體例子。
記憶部113用來暫時保持被輸入的第一影像信號S1所包括的初期的影像資料或在各部分經過轉換處理的影像資料。作為記憶部113，可以適當地應用DRAM(動態隨機存取記憶體)、SRAM(靜態隨機存取記憶體)或暫存器電路等記憶體裝置。
雜訊去除部114去除各種雜訊諸如產生在文字等的輪 廓附近的蚊狀雜訊、產生在高速的動態影像中的塊狀雜訊、產生閃爍的隨機雜訊、解析度的上變頻(up-conversion)所引起的點狀雜訊等。
像素間補充部115當使解析度上變頻時補充本來不存在的資料。例如，參照目標像素附近的像素藉由補充資料以顯示該像素的中間顏色。
色調校正部116可以校正影像的色調。例如，色調校正部116檢測設置有顯示裝置的空間的照明的種類、亮度或顏色純度等，根據這種檢測將顯示在顯示部101的影像的色調校正為最適合的色調。色調校正部116也可以具有對照所顯示的影像和預先儲存的影像一覽表中的各種情況的影像，而將顯示的影像校正為適合於最接近的場景的影像的色調的功能。
由於增大顯示的影像的圖框頻率，補充圖框生成部117生成不夠的圖框的影像。例如，補充圖框生成部117利用某兩個影像的差異生成兩個影像之間的圖框的影像。或者，也可以在兩個影像之間生成多個影像。例如，當第一影像信號S1的圖框頻率為60Hz時，藉由生成多個補充圖框，可以將第二影像信號S2的圖框頻率增大為兩倍的120Hz、四倍的240Hz或八倍的480Hz等。
像這樣，藉由將利用灰階轉換部111的灰階轉換處理之外的各種處理的功能附加到影像處理裝置107，可以生成包括真實感更強烈的影像的第二影像信號S2。
〈關於灰階轉換處理〉
下面，說明利用灰階轉換部111的灰階轉換處理。在此，假定為作為對灰階轉換部111輸入第一影像信號S1並利用灰階轉換部111進行灰階轉換處理之後的信號，輸出第二影像信號S2而進行說明。
圖4A示意性地示出輸入到灰階轉換部111的第一影像信號S1所包括的灰階的資訊。圖4B示意性地示出經過灰階轉換處理的第二影像信號S2所包括的灰階度的資訊。圖4C示出擴大圖4B所示的灰階的灰階度的資訊。
第一影像信號S1是具有p灰階的信號。例如，8位元灰階的信號具有256個灰階。在此，當灰階是1時，以顯示裝置100能夠顯示的亮度的動態範圍中的最低亮度進行顯示。另一方面，當灰階為p時，以最大亮度進行顯示。
在第一影像信號S1中，灰階在1和p之間被等分。因此，當第一影像信號S1直接輸入到顯示裝置100時，以從最低亮度到最高亮度線形地進行灰階表現的方式顯示影像。
如圖4B所示，在灰階轉換處理中，進一步分割第一影像信號S1的低亮度一側的一個灰階。明確而言，對灰階為1至q的q灰階的每一個分割成一些階數。在此，q是1以上且1/4p以下，較佳是1以上且1/2p以下。藉由對更廣範圍進行灰階轉換處理，可以得到能夠感覺到更豐富的縱深感的影像。
此外，當分割一個灰階時，如圖4C所示，分割數較佳為2的階乘。也就是說，將一個灰階分割為2r值。在此，r是自然數，並且r是1以上且8以下，較佳是1以上且20以下。一個灰階的分割數越多，可以生成能夠感覺到越豐富的縱深感的影像。
例如，當第一影像信號S1是8位元的灰階的信號，q是1/4，且r是8時，將第一影像信號S1的低亮度一側的64值的每一個分割為256值。在此情況下，第二影像信號S2所具有的灰階數為16512灰階。
在此，當作為顯示部101所包括的發光元件使用有機EL元件時，可以實現低亮度區域中的更細緻的灰階表現，所以是較佳的。再者，作為發光模組使用組合微諧振器(微腔)結構和濾光片的發光模組，藉由從各像素得到顏色純度提高了的發光，可以實現更細緻的灰階表現。例如，也可以進行比最大亮度的一半的亮度低的亮度區域中的灰階數為1000000灰階以上的灰階表現。
接著，使用分割一個灰階而得到的新的灰階，對各像素分配新的灰階。例如，參照目標像素附近的像素中的由第一影像信號分配的灰階來將目標像素設定為這些灰階的中間的灰階。此外，也可以參照目標圖框前後的多個影像中的目標像素或其附近的像素的灰階來將目標像素設定為這些灰階的中間的灰階。
藉由上述灰階轉換處理，灰階轉換部111將被輸入的第一影像信號S1生成為包括能夠感覺到極為豐富的縱深 感的影像的第二影像信號S2。
在此，圖5A至5D示出進行灰階轉換處理之前的影像和進行灰階轉換處理之後的影像的例子。
圖5A是進行灰階轉換處理之前的影像的一個例子，其表示高層建築物群和高層建築物群的後面的放焰火的夜景影像。此外，圖5B是圖5A所示的影像中的相對於各灰階(gray level)的像素數(pixels)的直方圖(也稱為亮度分佈)。另外，在圖5B的直方圖中，抽出低亮度一側和高亮度一側的一部分而表示。
因為在圖5A中，配置在煙火的前面的高層建築物群和背景的灰階接近，所以如圖5B所示，以相似的灰階顯示的區域多。其結果是，背景和高層建築物群的位置(前後位置)關係模糊而成為極平面的影像。
圖5C是對圖5A進行灰階轉換處理之後的影像的一個例子。此外，圖5D是示出圖5C所示的影像中的相對於各灰階的像素數的直方圖。
如圖5D所示，因灰階轉換處理而低亮度區域的灰階數增大，因此可以緻密地表現在圖5B中具有相似灰階的區域。其結果是，在圖5C所示的影像中，高層建築物群和背景以及高層建築物群中的位置(前後位置)關係明顯，所以成為在整體上能夠感覺到極為豐富的縱深感的影像。
以上是灰階轉換處理的說明。
本發明的一個實施方式的顯示裝置100可以由其顯示部101顯示能夠使觀察者感覺到更豐富的縱深感的影像。 再者，藉由將包括上述能夠進行灰階轉換處理的灰階轉換部111的影像處理裝置107設置在顯示裝置100，可以得到能夠感覺到更豐富的縱深感的顯示裝置100。
本實施方式可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
[實施方式2]
在本實施方式中說明將被輸入的影像信號所包括的影像分割為多個區域，只對需要的區域進行灰階轉換處理的方法。
將輸入到灰階轉換部111的第一影像信號S1所包括的影像分割為多個區域，並抽出各區域中的亮度分佈。再者，灰階轉換部111根據所抽出的亮度分佈判定是否對該區域進行灰階轉換處理。
灰階轉換部111對判定為需要進行灰階轉換處理的區域進行上述灰階轉換處理。另一方面，不進行灰階轉換處理的區域使用本有的灰階。
然後，灰階轉換部111將進行了灰階轉換處理的區域和沒有進行灰階轉換處理的區域合併為一個影像來生成並輸出第二影像信號S2。
像這樣，不對第一影像信號S1所包括的影像的所有區域進行灰階轉換處理，而只對需要的區域進行灰階轉換處理，可以提高處理速度。
下面，參照圖式說明更具體的例子。
圖6A示出輸入到灰階轉換部111的第一影像信號S1所包括的影像的例子。在圖6A所示的影像中灰階高(高亮度)的區域和灰階低(低亮度)的區域混在一起。
在此，如圖6A所示，說明一個影像分割為縱向3×橫向4的12個區域的例子。在此，將縱向的位址從上往下地稱為A、B、C，且將橫向的位址從左往右地稱為1、2、3、4。此外，使用這些位址將一個區域表示為區域[A-1]等。
圖6C示出圖6A中的區域[C-3]中的直方圖。區域[C-3]包括多個灰階低的顯示區域。
此外，圖6D示出圖6A中的區域[A-2]中的直方圖。區域[A-2]幾乎不包括灰階低的顯示區域。
像這樣，使用按區域抽出的直方圖判定是否對目標區域進行灰階轉換處理。
說明判定方法的一個例子。在此，當在成為目標的一個區域中存在灰階為1至q的範圍中像素數超過規定的像素數S的灰階時，對該區域進行灰階轉換處理。另一方面，在成為目標的區域中不存在這種灰階時，不對該區域進行灰階轉換處理。
在此，可以根據第一影像信號S1所具有的灰階數或包括在一個區域中的像素數適當地設定判定是否進行灰階轉換處理的指標的像素數s。
在圖6C所示的直方圖中，在灰階為1至q的範圍中存在超過預定的像素數s的灰階。因此，對區域[C-3]進行 灰階轉換處理。
另一方面，在圖6D所示的直方圖中，在灰階為1至q的範圍中不存在超過規定的像素數s的灰階。因此，不對區域[A-2]進行灰階轉換處理。
圖6B示出如上所述那樣判定是否對各區域進行灰階轉換處理的結果。在圖6B所示的各區域中，只對具有陰影圖案的部分(區域[B-2]、區域[B-3]、區域[B-4]、區域[C-1]、區域[C-2]、區域[C-3])進行灰階轉換處理。
在此，判定是否進行灰階轉換處理的方法不侷限於此。例如，藉由在成為目標的一個區域中，判定灰階在1至q的範圍內的像素的總數是否超過預定的像素數，判定是否對該區域進行灰階轉換處理。
根據這種方法，成為判定的指標的預定的像素數不取決於第一影像信號S1所具有的灰階數而基於包括在一個區域的像素數，所以容易使用具有不同的灰階數的第一影像信號S1。
雖然上面示出了將一個影像分割為十二個區域的例子，但是分割數不侷限於此。當藉由增大分割數而將一個影像分割為許多的區域時，可以更細緻地判定需要灰階轉換處理的區域，因此進一步提高處理速率。
由於根據本實施方式所例示的方法，可以只對需要處理的區域進行灰階轉換處理，因此可以提高灰階轉換部111的處理速度。
本實施方式可以與本說明書所記載的其他實施方式適 當地組合而實施。
[實施方式3]
在本實施方式中，對可以用於本發明的一個實施方式的發光模組的發光元件的結構進行說明。參照圖7A至7C進行說明。
本實施方式所例示的發光元件具備第一電極、第二電極以及第一電極和第二電極之間的包含發光性有機化合物的層(以下稱為EL層)。第一電極和第二電極的任一個用作陽極，而另一個用作陰極。EL層設置在第一電極和第二電極之間，該EL層的結構可以根據第一電極和第二電極的材料適當地選擇，即可。
〈發光元件的結構例子〉
圖7A示出發光元件的結構的一個例子。圖7A所例示的發光元件在陽極1101和陰極1102之間包括由第一發光單元1103a和第二發光單元1103b形成的EL層。再者，第一發光單元1103a和第二發光單元1103b之間設置有中間層1104。
當對陽極1101和陰極1102之間施加高於發光元件的臨界電壓的電壓時，來自陽極1101一側的電洞以及來自陰極1102一側的電子注入到EL層。被注入的電子和電洞在EL層中再結合，於是，包含在EL層的發光物質發光。
注意，在本說明書中，將具有一個使從兩端注入的電子和電洞再結合的區域的層或層疊體稱為發光單元。
另外，設置在陽極1101和陰極1102之間的發光單元的數量不侷限於兩個。圖7C所例示的發光元件具有層疊有多個發光單元1103的所謂串聯型發光元件的結構。注意，當在陽極和陰極之間設置n(n是2以上的自然數)層的發光單元1103時，在第m(m是自然數，1以上且(n-1)以下)發光單元和第(m+1)發光單元之間分別設置中間層1104。
發光單元1103具有至少一個以上的包含發光物質的發光層。發光單元1103也可以具有將發光層與發光層以外的層疊層的結構。作為發光層以外的層之例子可以舉出包含高電洞注入性物質、高電洞傳輸性物質、低電洞傳輸性(阻擋)物質、高電子傳輸性物質、高電子注入性物質以及雙極性(電子及電洞的傳輸性高)的物質等的層。
圖7B示出發光單元1103的具體結構的一個例子。圖7B所示的發光單元1103從陽極1101一側按順序層疊電洞注入層1113、電洞傳輸層1114、發光層1115、電子傳輸層1116以及電子注入層1117。
圖7A示出中間層1104的具體結構的一個例子。中間層1104只要至少包括電荷產生區域而形成，也可以是層疊電荷產生區域與電荷產生區域以外的層的結構。例如，可以採用如下結構：從陰極1102一側按順序層疊第一電荷產生區域1104c、電子中繼層1104b及電子注入緩衝層 1104a。
對中間層1104中的電子和電洞的行為進行說明。當對陽極1101和陰極1102之間施加高於發光元件的臨界電壓的電壓時，在第一電荷產生區域1104c中產生電洞和電子，電洞移動到設置在陰極1102一側的發光單元1103b，電子移動到電子中繼層1104b。
電子中繼層1104b的電子傳輸性高，因此可將在第一電荷產生區域1104c中產生的電子及時傳送到電子注入緩衝層1104a。電子注入緩衝層1104a降低了對抗電子注入到發光單元1103的位障，而改善對發光單元1103的電子注入效率。從而，在第一電荷產生區域1104c中產生的電子經過電子中繼層1104b和電子注入緩衝層1104a注入到發光單元1103的LUMO能階。
另外，電子中繼層1104b可以防止包括在第一電荷產生區域1104c的物質和包括在電子注入緩衝層1104a的物質在其介面起反應而損壞第一電荷產生區域1104c及電子注入緩衝層1104a之功能等的相互作用。
注入到設置在陰極一側的發光單元1103b的電洞與從陰極1102注入的電子再結合，由此包含在該發光單元中的發光物質發光。注入到設置在陽極一側的發光單元的電子與從陽極一側注入的電洞再結合，而包含在該發光單元中的發光物質發光。因此，在中間層1104中產生的電洞和電子造成在分別的發光單元中發光。
注意，當這些發光單元允許在兩者之間形成與中間層 同樣的結構時，可以將發光單元設置為彼此接觸。明確而言，當在發光單元的一個面形成有電荷產生區域時，該電荷產生區域用作中間層的第一電荷產生區域，所以可以將發光單元設置為彼此接觸。
注意，也可以在陰極和第n發光單元之間設置中間層。
〈可以用於發光元件的材料〉
接著，關於可以用於具備上述結構的發光元件的具體材料，依次說明陽極、陰極、EL層、電荷產生區域、電子中繼層以及電子注入緩衝層。
〈可以用於陽極的材料〉
陽極1101較佳為使用功函數大(明確而言，較佳為4.0eV以上)的金屬、合金、導電化合物以及它們的混合物等。明確而言，例如可以舉出銦錫氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)、含有矽或氧化矽的銦錫氧化物、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide)、含有氧化鎢及氧化鋅的氧化銦等。
此外，可以舉出下述物質：金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鈦(Ti)、金屬材料的氮化物(例如氮化鈦等)、鉬氧化物、釩氧化物、釕氧化物、鎢氧化物、錳氧化物、鈦氧化物等。
注意，當以與陽極1101接觸的方式設置第二電荷產生區域時，可以不考慮功函數地將各種導電材料用於陽極1101。明確而言，不僅可以使用功函數大的材料，還可以使用功函數小的材料用於陽極1101。在後面描述構成第一電荷產生區域的材料及構成第二電荷產生區域的材料。
〈可以用於陰極的材料〉
雖然陰極1102較佳為使用功函數小(具體地低於4.0eV)的材料，但是藉由將第一電荷產生區域與陰極1102接觸地設置在陰極1102和發光單元1103之間，陰極1102可以與功函數的大小無關地使用各種導電材料。
注意，使用使可見光透過的導電膜形成陰極1102和陽極1101中的至少一者。作為使可見光透過的導電膜，例如可以舉出含有氧化鎢的銦氧化物、含有氧化鎢的銦鋅氧化物、含有氧化鈦的銦氧化物、含有氧化鈦的銦錫氧化物、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、添加有氧化矽的銦錫氧化物等。此外，也可以使用足夠的透光厚度(較佳為5nm以上且30nm以下左右)的金屬薄膜。
〈可以用於EL層的材料〉
以下示出可以用於包括在上述發光單元1103的各層的材料的具體例子。
[電洞注入層]
電洞注入層是包含具有高電洞注入性物質的層。作為高電洞注入性物質，例如可以使用鉬氧化物、釩氧化物、釕氧化物、鎢氧化物、錳氧化物等。此外，可以使用酞菁類化合物如酞菁(縮寫：H2Pc)或酞菁銅(縮寫：CuPc)、高分子如聚(3,4-亞乙基二氧基噻吩)/聚(苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT/PSS)等形成電洞注入層。
注意，可以使用第二電荷產生區域而代替電洞注入層。當使用第二電荷產生區域時，如上所述，可以不考慮功函數地使用各種導電材料作為陽極1101。在後面描述構成第一電荷產生區域的材料及構成第二電荷產生區域的材料。
[電洞傳輸層]
電洞傳輸層是包含電洞傳輸性高的物質的層。電洞傳輸層不限於單層，可以層疊兩層以上的包含高電洞傳輸性物質的層。電洞傳輸層包含任何具有電洞傳輸性高於電子傳輸性的物質。因為可以降低發光元件的驅動電壓，所以尤其較佳為使用具有10-6cm2/Vs以上的電洞遷移率的物質。
[發光層]
發光層是包含發光物質的層。發光層不限於單層也可以為層疊有兩層以上的包含發光物質的層。作為發光物質，可以使用螢光化合物或磷光化合物。當將磷光化合物 用於發光物質時，可以提高發光元件的發光效率，因此是較佳的。
較佳為將發光物質分散在主體材料中而使用。主體材料較佳為具有激發能量大於發光物質的激發能量的材料。
[電子傳輸層]
電子傳輸層是包含電子傳輸性高的物質的層。電子傳輸層不侷限於單層結構，而可以是層疊兩層以上的包含電子傳輸性高的物質的層的結構。電子傳輸層包含任何具有電子傳輸性高於電洞傳輸性的物質。因為可以降低發光元件的驅動電壓，所以特別佳為使用具有10-6cm2/Vs以上的電子遷移率的物質。
[電子注入層]
電子注入層是包含電子注入性高的物質的層。電子注入層不限於單層，也可以是層疊兩層以上的包含電子注入性高的物質的層。因為採用設置電子注入層的結構，可以提高來自陰極1102的電子注入效率，而降低發光元件的驅動電壓，因此是較佳的。
作為電子注入性高的物質，例如可以舉出鋰(Li)、銫(Cs)、鈣(Ca)、氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF2)等鹼金屬、鹼土金屬或它們的化合物。另外，還可以使用其中含有鹼金屬、鹼土金屬、鎂(Mg)或它們的化合物的具有電子傳輸性的物質，例如，其中含 有鎂(Mg)的Alq等。
〈可以用於電荷產生區域的材料〉
第一電荷產生區域1104c及第二電荷產生區域是包含電洞傳輸性高的物質和受體物質的區域。注意，電荷產生區域並不限於此結構，在其中一個膜中含有電洞傳輸性高的物質和受體物質，並且有包含電洞傳輸性高的物質的層和包含受體物質的層其中的一個層疊的層。注意，在與陰極接觸地設置的第一電荷產生區域具有疊層結構的情況下，含有電子傳輸性高的物質的層與陰極1102接觸。在與陽極接觸地設置的第二電荷產生區域具有疊層結構的情況下，含有受體物質的層與陽極1101接觸。
注意，較佳的是，以電洞傳輸性高的物質與受體物質的質量比為自0.1：1至4.0：1的比率添加受體物質到電荷產生區域中。
作為用於電荷產生區域的受體物質，較佳為使用過渡金屬氧化物，尤其是屬於元素週期表中的第四族至第八族的金屬的氧化物。明確地說，氧化鉬是特別佳的。注意，氧化鉬具有吸濕性低的特徵。
作為用於電荷產生區域具有高電洞傳輸性物質，可以使用各種有機化合物諸如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烴、高分子化合物(包括低聚物、樹狀聚合物、聚合體)等。明確地說，較佳為使用具有10-6cm2/Vs以上的電洞遷移率的物質。但是，只要是電洞傳輸性高於電子傳輸 性的物質，就可以使用上述以外的物質。
〈可以用於電子中繼層的材料〉
電子中繼層1104b是能夠及時接收由受體物質在第一電荷產生區域1104c中抽出的電子的層。因此，電子中繼層1104b是包含高電子傳輸性物質的層，並且其LUMO能階位於第一電荷產生區域1104c中的受體物質的受體能階與發光單元1103的LUMO能階之間。明確地說，設定為約-5.0eV至-3.0eV是較佳的。
作為用於電子中繼層1104b的物質，例如，可以舉出苝衍生物和含氮稠合芳香化合物。注意，因為含氮稠環芳香化合物是穩定的化合物，所以作為用於電子中繼層1104b的物質是較佳的。因為使用含氮稠環芳香化合物中的具有氰基或氟基等電子吸引基的化合物，能夠使電子中繼層1104b中的電子接受變得更容易，所以是較佳的。
〈可以用於電子注入緩衝層的材料〉
電子注入緩衝層1104a是使電子更容易從第一電荷產生區域1104c注入發光單元1103的層。藉由在第一電荷產生區域1104c和發光單元1103之間設置電子注入緩衝層1104a，可以降低兩者的注入位障。
電子注入緩衝層1104a可以使用鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬以及它們的化合物(鹼金屬化合物(包括氧化鋰等氧化物、鹵化物、碳酸鋰或碳酸銫等碳酸鹽)、鹼土金 屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽)或稀土金屬的化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽))等高電子注入性物質。
另外，在電子注入緩衝層1104a包含具有高電子傳輸性物質和相對於具有高電子傳輸性物質的施體物質而形成的情況下，較佳為以高電子傳輸性物質與施體物質的質量比為自0.001：1至0.1：1的比率添加施體物質。注意，作為施體物質，除了鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬和它們的化合物(鹼金屬化合物(包括氧化鋰等氧化物、鹵化物、碳酸鋰或碳酸銫等碳酸鹽)、鹼土金屬化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽)或稀土金屬的化合物(包括氧化物、鹵化物、碳酸鹽))以外，還可以使用四硫稠四苯(tetrathianaphthacene)(縮寫：TTN)、二茂鎳、十甲基二茂鎳等有機化合物。注意，作為高電子傳輸性物質，可以使用與以上說明的可以形成在發光單元1103中的一部分的電子傳輸層的材料同樣的材料而形成。
〈發光元件的製造方法〉
對發光元件的製造方法的一個方式進行說明。藉由在第一電極上適當地組合上述層而形成EL層。取決於用於EL層的材料可以採用各種方法(例如乾處理或濕處理等)。例如，可以選擇使用真空蒸鍍法、噴墨法、旋塗法等。此外，也可以分別採用不同的方法而形成每個層。在EL層上形成第二電極，來製造發光元件。
藉由組合上述材料，能夠製造本實施方式所示的發光元件。以該發光元件能夠獲得來自上述發光物質的發光，並且藉由改變發光物質的種類，可以得到各種發光顏色。
另外，可以藉由使用發光顏色不同的多個發光物質，例如藉由擴大發光光譜的寬度，能夠得到白色發光。為了得到白色發光，例如採用具備至少兩個包含發光物質的層的結構，使得發射呈現互補色的關係的顏色的光。具體的互補色例如可以舉出「藍色與黃色」、「藍綠色與紅色」等。
再者，在要得到演色性良好的白色發光的情況下，較佳為使用發光光譜擴大到可見光全區域的結構，例如，一個發光元件包括發射呈現藍色的光的層、發射呈現綠色的光的層及發射呈現紅色的光的層。
本實施方式可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
[實施方式4]
在本實施方式中，說明本發明的一個實施方式的電子裝置。明確地說，參照圖8A至8E對各包括有上述實施方式所例示的顯示裝置的電子裝置進行說明。
作為應用本發明的一個實施方式的顯示裝置的電子裝置，例如可以舉出電視機(也稱為電視機或電視接收機)、用於電腦等的顯示器、數位相機、數位攝影機、數位相框、行動電話機(也稱為行動電話、行動電話裝 置)、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音頻再生裝置、彈珠機等大型遊戲機等。圖8A至8E示出這些電子裝置的具體例子。
圖8A示出電視機的一個例子。在電視機7100中，外殼7101組裝有顯示部7103。可以利用顯示部7103顯示影像。此外，在此示出利用支架7105支撐外殼7101的結構。
可以藉由利用外殼7101所具備的操作開關或分離的遙控器7110進行電視機7100的操作。藉由利用遙控器7110所具備的操作鍵7109，可以進行頻道及音量的操作，並且可以對在顯示部7103上顯示的影像進行操作。此外，在遙控器7110中設置有用於顯示從該遙控器7110輸出的資訊的顯示部7107的結構。
注意，電視機7100設置以具備接收機、數據機等。可以藉由接收機接收一般的電視廣播。再者，當顯示裝置藉由數據機連接到有線或無線方式的通信網路時，能夠進行單向(從發送者到接收者)或雙向(發送者和接收者之間或接收者之間等)的資訊通信。
圖8B示出電腦，該電腦包括主體7201、外殼7202、顯示部7203、鍵盤7204、外部連接埠7205、定點裝置7206等。注意，該電腦是藉由將本發明的一個實施方式的顯示裝置應用於其顯示部7203來製造的。
圖8C示出可攜式遊戲機的一個例子。該可攜式遊戲機包括外殼7301和外殼7302的兩個外殼，並且與連接部 7303連接使得可攜式遊戲機可以開或合。外殼7301組裝有顯示部7304，而外殼7302組裝有顯示部7305。圖8C所示的可攜式遊戲機還包括揚聲器部7306、儲存媒體插入部7307、LED燈7308、輸入機構(操作鍵7309、連接端子7310、感測器7311(包括測量如下因素的功能：力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉動數、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、斜率、振動、氣味或紅外線)、麥克風7312)等。當然，可攜式遊戲機的結構不侷限於上述結構，只要在顯示部7304和顯示部7305中的兩者或至少一個中使用本發明的一個實施方式的顯示裝置即可，而可以隨意的包括有其他附屬設備。圖8C所示的可攜式遊戲機具有如下功能：讀出儲存在儲存媒體中的程式或資料並將其顯示在顯示部上；以及藉由與其他可攜式遊戲機進行無線通信而實現資訊共用。另外，圖8C所示的可攜式遊戲機所具有的功能不侷限於此，而可以具有各種各樣的功能。
圖8D示出行動電話機的一個例子。行動電話機7400設置有顯示部7402之外還具備外殼7401、操作按鈕7403、外部連接埠7404、揚聲器7405、麥克風7406等。注意，將本發明的一個實施方式的顯示裝置應用於顯示部7402來製造行動電話機7400。
當圖8D所示的行動電話機7400用手指等觸摸顯示部7402時，行動電話機7400能輸入資訊。另外，可以用手 指等觸摸顯示部7402來進行打電話或製作電子郵件等的操作。
顯示部7402主要有三種螢幕模式。第一模式是主要用於顯示影像的顯示模式。第二模式是主要用於輸入文本等的資訊的輸入模式。第三模式是混合顯示模式和輸入模式這兩種模式的顯示和輸入模式。
例如，在打電話或製作電子郵件的情況下，將顯示部7402設定為以文字輸入為主的文字輸入模式，使得在螢幕上顯示的文字能輸入。在此情況下，較佳的是，在顯示部7402的螢幕的大多部分中顯示鍵盤或號碼按鈕。
當在行動電話機7400內部設置像是陀螺儀和加速度感測器等用於檢測出傾斜度的感測器的檢測裝置時，判斷行動電話機7400的方向(無論行動電話機針對縱向模式或橫向模式水平或垂直的放置)，而可以對顯示部7402的螢幕顯示進行自動切換。
藉由觸摸顯示部7402或對外殼7401的操作按鈕7403進行操作，切換螢幕模式。此外，也可以取決於顯示在顯示部7402上的影像的種類而切換螢幕模式。例如，當顯示在顯示部上的影像信號為動態影像的資料時，將螢幕模式切換成顯示模式，而當顯示在顯示部上的影像信號為文字資料時，將螢幕模式切換成輸入模式。
另外，當在輸入模式下藉由檢測出顯示部7402的光感測器所檢測出的信號得知在一定期間內沒有顯示部7402的觸摸操作輸入時，也可以控制為將螢幕模式從輸 入模式切換成顯示模式。
還可以將顯示部7402用作影像感測器。例如，藉由用手掌或手指觸摸顯示部7402，來拍攝掌紋、指紋等，而可以進行身份識別。另外，藉由將發射近紅外光的背光或發射近紅外光的傳感用光源用於顯示部，還可以拍攝手指靜脈、手掌靜脈等。
圖8E示出折疊式電腦的一個例子。折疊式電腦7450具備由鉸鏈7454連接的外殼7451L和外殼7451R。另外，除了操作按鈕7453、左側揚聲器7455L及右側揚聲器7455R之外，在電腦7450的側面還具備未圖示的外部連接埠7456。當設置在外殼7451L上的顯示部7452L和設置在外殼7451R上的顯示部7452R彼此相對的方式折疊鉸鏈7454時，可以由外殼保護顯示部。在折疊式電腦7450中，至少顯示部7452L和顯示部7452R的兩者或一方應用本發明的一個實施方式的顯示裝置。
顯示部7452L和顯示部7452R係為不但可以顯示影像而且可以藉由用手指等觸摸它們來輸入資訊的組件。例如，可以藉由用手指觸摸而選擇表示安裝結束的程式的圖示來啟動程式。此外，可以藉由改變接觸於所顯示的影像的兩個部分的手指的間隔來放大或縮小影像。拖動接觸於所顯示的影像的一個部分的手指來啟動拖拽影像。也可以藉由顯示鍵盤的影像且用手指觸摸而選擇所顯示的文字或記號啟動輸入資訊。
另外，也可以將陀螺儀、加速度感測器、GPS (Global Positioning System：全球定位系統)接收器、指紋感測器、攝影機安裝在電腦7450中。例如，藉由設置具有陀螺儀、加速度感測器等檢測出傾斜度的感測器的檢測裝置，判斷電腦7450的方向(無論行動電話機針對縱向模式或橫向模式水平或垂直的放置)，而可以自動切換所顯示的影像的方向。
另外，電腦7450可以與網路連接。電腦7450不但可以顯示網際網路上的資訊，而且可以用作與網路連接的其他電子裝置的遙控終端。
因為本發明的一個實施方式的顯示裝置的顯示面板是薄膜狀，所以當將顯示裝置貼在具有曲面的基體上時，可以實現具有曲面的顯示裝置。此外，當將該顯示裝置配置在具有曲面的外殼中時，可以實現具有曲面的電子裝置。
本實施方式可以與本說明書所記載的其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
[實施例]
製造可以應用於本發明的一個實施方式的顯示裝置的發射呈現藍色的光的發光模組、發射呈現綠色的光的發光模組、發射呈現紅色的光的發光模組，並且在下面示出測量上述發光模組的特性的結果。
〈所製造的發光元件的結構〉
圖9示出用於所製造的發光模組的發光元件的結構。 在所製造的發光模組中，第一電極251兼作反射膜，第二電極252兼作半透射．半反射膜，且在第一電極和第二電極之間具備包含發光有機化合物的層253。
[第一電極的結構]
每個發光模組都使用200nm厚的鋁-鈦合金膜和其上的6nm厚的鈦膜的疊層作為兼作反射膜的第一電極251。此外，作為設置在反射膜上的光學調整層使用包含氧化矽的銦錫氧化物(縮寫：ITSO)膜。根據發光顏色使光學調整層的厚度最優化。
明確而言，在發射呈現綠色的光的發光模組中設置40nm厚的ITSO膜作為光學調整層，且在發射呈現紅色的光的發光模組中設置80nm厚的ITSO膜作為光學調整層。注意，在發射呈現藍色的光的發光模組中與上述6nm厚的鈦膜接觸地設置包含發光有機化合物的層。
[第二電極的結構]
第二電極252使用在15nm的銀．鎂合金膜上層疊70nm厚的銦錫氧化物(縮寫：ITO)的導電膜。以重量比10：1(=Ag：Mg)進行共蒸鍍來形成銀．鎂合金膜。
[包含發光有機化合物的層的結構]
如圖9所示，包含發光有機化合物的層253具有夾著中間層1504設置有兩個EL層(第一EL層1503a及第二 EL層1503b)的結構(也稱為串聯結構)。
第一EL層1503a在第一電極251上依次包括電洞注入層1511、第一電洞傳輸層1512、第一發光層1513、第一電子傳輸層1514a以及第二電子傳輸層1514b。
中間層1504在電子傳輸層1514b上依次包括電子注入緩衝層1504a、電子中繼層1504b以及電荷產生區域1504c。
第二EL層1503b在中間層1504上依次包括第二電洞傳輸層1522、第二發光層1523a、第三發光層1523b、第三電子傳輸層1524a、第四電子傳輸層1524b以及電子注入層1525。
表1示出構成上述包含發光有機化合物的層的材料的詳細內容。
此外，下面示出在本實施例中使用的一部分有機化合物的的結構式。
〈評價結果〉
下面示出測量所製造的發光模組的特性的結果。
[發光光譜]
圖10A至10C示出測量所製造的發光模組所發射的 光的光譜的結果。
圖10A是發射呈現紅色的光的發光模組的發光光譜，且其半寬度為41nm。
圖10B是發射呈現綠色的光的發光模組的發光光譜，且其半寬度為31nm。
圖10C是發射呈現藍色的光的發光模組的發光光譜，且其半寬度為23nm。
上述發光模組所發射的光的光譜的半寬度都窄於50nm，且該光都呈現鮮明的顏色。
[顏色再現性]
圖11是表示上述三個發光模組所發射的光的顏色的色度圖。以四角點為頂點的由虛線表示的三角示出可以使用該發光模組表示的顏色的範圍。其面積為以NTSC(National Television System Committiee：國家電視標準委員會)所規定的規格為頂點的實線所表示的三角的面積的95.4%。
[回應時間]
圖12A示出使發光模組發光時的從開始發光的相對於時間的發光亮度。此外，圖12B是將圖12A的橫軸擴大的圖。注意，作為縱軸的發光亮度，使用將發光模組的發光亮度穩定時的發光亮度設定為100%而規格化的亮度。
在圖12A、12B所示的兩種曲線中，樣本1表示呈現 藍色的發光的發光模組的測量結果，樣本2表示呈現綠色的發光的發光模組的測量結果。
從開始發光到發光亮度到達90%的時間為回應時間。樣本1的回應時間大約為7μs。樣本2的回應時間大約為24μs。因此，可以確認到發光模組的回應時間都極短。
本實施例可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。

Claims (10)

  1. 一種顯示裝置，包括：灰階轉換部；以及顯示部，其中該灰階轉換部組態以將輸入到該灰階轉換部的第一影像信號轉換為第二影像信號並將該第二影像信號發送到該顯示部，其中該第一影像信號具有p灰階(p是自然數並是偶數)，其中藉由將該第一影像信號中從最低灰階到第q灰階的q灰階中的每個分割為2r灰階，該第一影像信號被轉換成該第二影像信號，並且其中q是1以上且p/2以下，且r是1以上且20以下。
  2. 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該灰階轉換部組態以將包括在該第一影像信號中的影像分割為多個區域，用以在該多個區域的每一個中抽出亮度分佈，用以根據該亮度分佈決定是否在該多個區域的每一個中進行該灰階轉換處理，並用以對需要該灰階轉換處理的區域進行該灰階轉換處理。
  3. 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該顯示部包括像素，該像素包括第一發光模組、第二發光模組和第三發光模組中的一個，其中該第一發光模組包括： 第一反射膜；該第一反射膜上的第一發光層；該第一發光層上的中間層；該中間層上的第二發光層；該第二發光層上的半透射．半反射膜；以及該半透射．半反射膜上的用於透射呈現紅色的光的第一濾色片，其中該第二發光模組包括：第二反射膜；該第二反射膜上的該第一發光層；該第一發光層上的該中間層；該中間層上的該第二發光層；該第二發光層上的該半透射．半反射膜；以及該半透射．半反射膜上的用於透射呈現綠色的光的第二濾色片，以及其中該第三發光模組包括：第三反射膜；該第三反射膜上的該第一發光層；該第一發光層上的該中間層；該中間層上的該第二發光層；該第二發光層上的該半透射．半反射膜；以及該半透射．半反射膜上的用於透射呈現藍色的光的第三濾色片。
  4. 根據申請專利範圍第3項之顯示裝置， 其中將該第一反射膜和該半透射．半反射膜之間的第一光學距離調整為600nm以上且短於800nm的長度的i/2倍(i是自然數)，其中將該第二反射膜和該半透射．半反射膜之間的第二光學距離調整為500nm以上且短於600nm的長度的j/2倍(j是自然數)，以及其中將該第三反射膜和該半透射．半反射膜之間的第三光學距離調整為400nm以上且短於500nm的長度的k/2倍(k是自然數)。
  5. 根據申請專利範圍第3項之顯示裝置，更包括：在該第一反射膜和該第一發光層之間的第一電極；在該第二反射膜和該第一發光層之間的第二電極；以及在該第三反射膜和該第一發光層之間的第三電極。
  6. 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該顯示部包括包含發光模組的像素，並且其中該發光模組包括：反射膜；該反射膜上的第一發光層；該第一發光層上的中間層；該中間層上的第二發光層；該第二發光層上的半透射．半反射膜；以及該半透射．半反射膜上的用於透射呈現紅色的光的濾色片， 其中該發光模組組態以發射呈現紅色並具有其中峰值的半寬度窄於50nm的峰值的光譜線的光。
  7. 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該顯示部包括多個像素，其中該多個像素中的一個包括能夠以100μs以下的回應時間內發射具有其中峰值的半寬度為60nm以下的峰值的光譜線的光的發光模組，其中該顯示部具有80%以上的NTSC比和500以上的對比度，以及其中以80ppi以上的解析度設置該多個像素。
  8. 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該顯示部包括多個像素，其中多個像素中的一個包括能夠以100μs以下的回應時間內發射具有其中峰值的半寬度為60nm以下的峰值的光譜線的光的第一發光模組、第二發光模組和第三發光模組，其中該顯示部具有80%以上的NTSC比和500以上的對比度，以及其中以80ppi以上的解析度設置該多個像素。
  9. 根據申請專利範圍第8項之顯示裝置，其中該第一發光模組組態以發射呈現紅色並具有第一峰值的第一光譜線的光，其中該第一峰值的第一半寬度窄於50nm，該第二發光模組組態以發射呈現綠色並具有第二峰值 的第二光譜線的光，其中該第二峰值的第二半寬度比該第一半寬度窄，並且該第三發光模組組態以發射呈現藍色並具有第三峰值的第三光譜線的光，其中該第三峰值的第三半寬度比該第二半寬度窄。
  10. 一種包括根據申請專利範圍第1至9項中任一項之顯示裝置的電子裝置。
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9793444B2 (en) * 2012-04-06 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
TWI650580B (zh) 2012-05-09 2019-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
TWI588540B (zh) 2012-05-09 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置和電子裝置
KR101981527B1 (ko) * 2012-11-08 2019-05-23 엘지디스플레이 주식회사 무안경 입체 영상 표시장치와 그 구동 방법
JP6099420B2 (ja) 2013-02-08 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR102126533B1 (ko) * 2013-10-04 2020-06-24 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자 및 이를 포함한 유기발광표시장치
KR20220058668A (ko) 2014-02-11 2022-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
WO2015132693A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
JP2015187982A (ja) 2014-03-13 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
KR102320578B1 (ko) 2014-04-25 2021-11-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US9874775B2 (en) 2014-05-28 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
JP6612236B2 (ja) * 2014-09-04 2019-11-27 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
JP2016072250A (ja) 2014-09-30 2016-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器、及び照明装置
JP2016085968A (ja) 2014-10-24 2016-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
US9660220B2 (en) 2014-10-24 2017-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Multiple light-emitting element device
KR101749229B1 (ko) 2014-12-22 2017-06-20 엘지디스플레이 주식회사 화상 표시 방법 및 화상 표시 장치
JP6418935B2 (ja) * 2014-12-22 2018-11-07 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 画像表示方法及び画像表示装置
CN105047165A (zh) * 2015-08-28 2015-11-11 深圳市华星光电技术有限公司 基于rgbw的驱动电路以及平面显示器
US10797113B2 (en) 2016-01-25 2020-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device with layered electrode structures
WO2017199142A1 (en) 2016-05-20 2017-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
TWI746394B (zh) 2016-08-17 2021-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置、電子裝置以及攜帶資訊終端
WO2018083974A1 (ja) * 2016-11-04 2018-05-11 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、発光装置
KR20230145548A (ko) 2016-11-30 2023-10-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
US10726233B2 (en) * 2017-08-09 2020-07-28 Fingerprint Cards Ab Providing test patterns for sensor calibration
TWI637350B (zh) * 2018-01-09 2018-10-01 緯創資通股份有限公司 產生視差圖的方法及其影像處理裝置與系統
CN108665796B (zh) * 2018-02-10 2022-07-29 洪贵顺 平移式波长转换头、像素单元、显示器及电子设备
CN112424969A (zh) 2018-05-18 2021-02-26 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置
CN108920007B (zh) * 2018-07-20 2021-03-12 京东方科技集团股份有限公司 触控报点阈值设置方法和系统
US11414782B2 (en) * 2019-01-13 2022-08-16 Bing Hu Method of separating a film from a main body of a crystalline object

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060138945A1 (en) * 2004-12-28 2006-06-29 Wolk Martin B Electroluminescent devices and methods of making electroluminescent devices including an optical spacer
US20110157209A1 (en) * 2009-12-28 2011-06-30 Canon Kabushiki Kaisha Image processing apparatus and image processing method
US20110242420A1 (en) * 2006-12-12 2011-10-06 Mitsubishi Digital Electronics America, Inc. Smart grey level magnifier for digital display
US20120044216A1 (en) * 2010-08-17 2012-02-23 Renesas Electronics Corporation Display system and display device driver

Family Cites Families (132)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP2826589B2 (ja) 1995-03-30 1998-11-18 住友シチックス株式会社 単結晶シリコン育成方法
WO1997006554A2 (en) 1995-08-03 1997-02-20 Philips Electronics N.V. Semiconductor device provided with transparent switching element
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
AUPO525897A0 (en) * 1997-02-24 1997-03-20 Redflex Traffic Systems Pty Ltd Digital image processing
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP4484276B2 (ja) 1999-09-17 2010-06-16 日立プラズマディスプレイ株式会社 プラズマディスプレイ装置およびその表示方法
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
US7061014B2 (en) 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
SG176316A1 (en) 2001-12-05 2011-12-29 Semiconductor Energy Lab Organic semiconductor element
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
JP4071652B2 (ja) * 2002-03-04 2008-04-02 株式会社 日立ディスプレイズ 有機ｅｌ発光表示装置
US7049190B2 (en) 2002-03-15 2006-05-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
GB2390172A (en) 2002-06-28 2003-12-31 Sharp Kk Polarising optical element and display
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
CN102867855B (zh) 2004-03-12 2015-07-15 独立行政法人科学技术振兴机构 薄膜晶体管及其制造方法
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
JP2006115389A (ja) 2004-10-18 2006-04-27 Eastman Kodak Co デジタル映像信号データ処理装置
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
CA2585071A1 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor employing an amorphous oxide
WO2006051994A2 (en) 2004-11-10 2006-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
CN102945857B (zh) 2004-11-10 2015-06-03 佳能株式会社 无定形氧化物和场效应晶体管
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US8319714B2 (en) 2004-12-22 2012-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, and method of operation thereof
JP4939809B2 (ja) 2005-01-21 2012-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI412138B (zh) 2005-01-28 2013-10-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI390735B (zh) 2005-01-28 2013-03-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
US7544967B2 (en) 2005-03-28 2009-06-09 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007041126A (ja) 2005-08-01 2007-02-15 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
EP3614442A3 (en) 2005-09-29 2020-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
WO2007058329A1 (en) 2005-11-15 2007-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
JP2007256496A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Fujifilm Corp 液晶表示装置
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
JP4721460B2 (ja) * 2007-02-02 2011-07-13 キヤノン株式会社 表示装置及びその製造方法
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US8222061B2 (en) * 2007-03-30 2012-07-17 The Penn State Research Foundation Mist fabrication of quantum dot devices
JP2008277264A (ja) 2007-04-03 2008-11-13 Canon Inc カラー画像表示パネル及びその製造方法、並びにカラー画像表示装置
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
WO2008133345A1 (en) 2007-04-25 2008-11-06 Canon Kabushiki Kaisha Oxynitride semiconductor
JP5117762B2 (ja) 2007-05-18 2013-01-16 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US9279079B2 (en) 2007-05-30 2016-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing phosphor, light-emitting device, and image display apparatus
JP4424386B2 (ja) 2007-08-09 2010-03-03 三菱電機株式会社 画像表示装置、画像処理装置および画像処理方法
JP5215158B2 (ja) 2007-12-17 2013-06-19 富士フイルム株式会社 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
JP2009158140A (ja) 2007-12-25 2009-07-16 Sony Corp エレクトロルミネッセンス素子及びこれを用いた表示装置並びに照明装置
JP5185697B2 (ja) 2008-05-28 2013-04-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 表示装置、表示パネルドライバ、表示パネルの駆動方法、及び表示パネルドライバへの画像データ供給方法
JP2010015785A (ja) 2008-07-02 2010-01-21 Fujifilm Corp 発光素子、多色表示装置及び発光素子の製造方法
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
JP5724157B2 (ja) * 2009-04-13 2015-05-27 日立金属株式会社 酸化物半導体ターゲット及びそれを用いた酸化物半導体装置の製造方法
JP2011018554A (ja) 2009-07-09 2011-01-27 Casio Computer Co Ltd 表示装置
JP5609058B2 (ja) 2009-10-22 2014-10-22 ソニー株式会社 表示装置
CN102668028B (zh) * 2009-11-28 2015-09-02 株式会社半导体能源研究所 层叠的氧化物材料、半导体器件、以及用于制造该半导体器件的方法
JP5618574B2 (ja) 2010-03-03 2014-11-05 Eizo株式会社 調整方法及び表示装置
JP5839819B2 (ja) 2010-04-16 2016-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、表示モジュール及び電子機器
WO2011148676A1 (ja) 2010-05-28 2011-12-01 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP5715351B2 (ja) * 2010-06-30 2015-05-07 キヤノン株式会社 半導体装置およびその製造方法、ならびに固体撮像装置
JP5877992B2 (ja) 2010-10-25 2016-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2012199231A (ja) 2011-03-04 2012-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
TWI562424B (en) * 2011-03-25 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting panel, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting panel
KR101917752B1 (ko) * 2011-05-11 2018-11-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 모듈, 발광 패널, 발광 장치
US9793444B2 (en) 2012-04-06 2017-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060138945A1 (en) * 2004-12-28 2006-06-29 Wolk Martin B Electroluminescent devices and methods of making electroluminescent devices including an optical spacer
US20110242420A1 (en) * 2006-12-12 2011-10-06 Mitsubishi Digital Electronics America, Inc. Smart grey level magnifier for digital display
US20110157209A1 (en) * 2009-12-28 2011-06-30 Canon Kabushiki Kaisha Image processing apparatus and image processing method
US20120044216A1 (en) * 2010-08-17 2012-02-23 Renesas Electronics Corporation Display system and display device driver

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140143168A (ko) 2014-12-15
US20130265320A1 (en) 2013-10-10
TW201401227A (zh) 2014-01-01
US9711110B2 (en) 2017-07-18
CN104205199B (zh) 2017-04-12
JP2013231961A (ja) 2013-11-14
WO2013150928A1 (en) 2013-10-10
US20170309249A1 (en) 2017-10-26
CN104205199A (zh) 2014-12-10

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