JP6247446B2 - 発光装置の駆動方法 - Google Patents

Description

本発明は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特に、本発明は、例えば、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法に関する。特に、発光装置または発光装置の駆動方法に関する。

有機ＥＬ素子は、一対の電極とその間に発光性の有機化合物を含む層を備える。発光性の有機化合物を含む層は発光層を備え、発光層は少なくとも一種類の発光性の有機化合物を含む。

また、発光性の有機化合物を含む層が、複数の発光層を備える構成も知られている。例えば、互いに異なる色を呈する光を発する複数の発光層を備える有機ＥＬ素子は、さまざまな波長の光を含む光を発する。具体的には、互いに補色の関係にある色を呈する光を発する２つの発光層を備える有機ＥＬ素子は、白色を呈する光を発する。

また、複数の発光層を備える有機ＥＬ素子が発する光の色味が、その駆動条件に応じて変化してしまう現象が知られている。そして、電荷発生層をその発光層の間に設け、色味の変化を抑制する発明が開示されている（特許文献１）。

また、白色の光を発する発光素子に赤色の光を透過するカラーフィルタを重ねた発光モジュールと、白色の光を発する発光素子に緑色の光を透過するカラーフィルタを重ねた発光モジュールと、白色の光を発する発光素子に青色の光を透過するカラーフィルタを重ねた発光モジュールとを、隣接して、マトリクス状に設けた発光パネルも知られている。このような発光パネルは、表示装置に用いることができる。

そして、２つの発光層の間に中間層を備える発光素子にカラーフィルタを重ねた発光モジュールを複数具備する発光パネルにおいて、クロストークが発生することが知られている。そして、クロストークを、勾配を有する濃度でアルカリ土類金属等を含む中間層を用いて抑制する発明が知られている（特許文献２）。

なお、本明細書において、発光パネルの一の発光モジュールを駆動することにより、他の発光モジュールが意図しない明るさで発光する現象をクロストークという。また、クロストークは一の発光モジュールが発する光が他の発光モジュールから漏れる現象も含む。

クロストークの大きさを、一の発光モジュールの輝度に対する、他の発光モジュールの意図しない輝度の比を用いて表すことができる。なお、他の発光モジュールの意図しない輝度は、一の発光モジュールの発光に伴って他の発光モジュールに生じる輝度の変化とすることができる。

例えば、一方の発光モジュールのみを駆動することにより、他方の発光モジュールが一方の発光モジュールと同じ輝度で発光してしまうとき、その輝度の比は１である。同様に一方の発光モジュールのみを駆動することにより、他方の発光モジュールが一方の発光モジュールの１／１０の輝度で発光してしまうとき、その輝度の比は０．１である。そして、一方の発光モジュールのみを１の輝度で駆動することにより他方の発光モジュールが１の輝度で発光するクロストークの大きさは、他方の発光モジュールが０．１の輝度で発光するクロストークの大きさに比べて、大きい（または、顕著）ということができる。

また、一方の発光モジュールのみを１の輝度で駆動することにより、他方の発光モジュールが当該一方の発光モジュールの０．２の輝度で発光するクロストークは、一方の発光モジュールのみを１０の輝度で駆動することにより、他方の発光モジュールが当該一方の発光モジュールの１の輝度で発光するクロストークより、顕著であるということができる。

特開２０１０−１２９３０１号公報 特開２０１２−０２８３１８号公報

本発明の一態様は、低輝度の場合であっても、正確な色を表示することができる発光装置の駆動方法などを提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、クロストークの影響の少ない発光装置の駆動方法などを提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、新規な発光装置などを提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、新規な発光装置の駆動方法などを提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

すなわち、本発明の一態様は、隣接する複数の発光素子を備える発光パネルと、発光素子を駆動する駆動回路と、を有し、発光素子の少なくとも一は、流れる電流が小さいほど顕著に、隣接する他の発光素子にクロストークを発生し、駆動回路は、定常電流を用いて発光素子を駆動する第１のモードと、変調された電流を用いて発光素子を駆動する第２のモードと、を備える発光装置である。

また、本発明の一態様は、隣接する複数の発光素子を備える発光パネルと、発光素子を駆動する駆動回路と、を有し、発光素子は、下部電極、上部電極並びにその間に２つの発光ユニットおよび発光ユニットに挟持される中間層を備え、発光素子の少なくとも一と発光素子に隣接する他の発光素子は、連続する中間層を備え、発光素子は、流れる電流が小さいほど顕著に、他の発光素子にクロストークを発生し、駆動回路は、定常電流を用いて発光素子を駆動する第１のモードと、変調された電流を用いて発光素子を駆動する第２のモードと、を備える発光装置である。

上記本発明の一態様の発光装置は、定常電流を用いて発光素子を駆動する第１のモードと、変調された電流を用いて発光素子を駆動する第２のモードを備える。これにより、発光素子が発光している期間において、発光素子に流れる電流を一の発光素子のみが光を発しているのと同じであると認知される大きさの電流に保つことができる。そして、隣接する他の発光素子に発生するクロストークの大きさを弁別できない程度に抑制できる。その結果、一の発光素子の発光が、他の発光素子を備える発光モジュールに滲むように見える現象が低減される新規な発光装置を提供できる。

また、本発明の一態様は、時間積分法またはパルス幅変調法により変調された電流を用いて、発光素子を駆動する第２のモードを備える、上記の発光装置である。

また、本発明の一態様は、一の発光素子が発する輝度の最大値の１／３０倍以上１倍以下で発光するように、一の発光素子を駆動する第１のモードと、一の発光素子が発する輝度の最大値の１／３０倍未満で発光するように、一の発光素子を駆動する第２のモードと、を備える上記の発光装置である。

上記本発明の一態様の発光装置は、定常電流を用いて発光素子を駆動する第１のモードと、第１のモードの最大値の１／３０未満の輝度で発光するように発光素子を駆動する第２のモードを備える。これにより、一の発光素子が発光している期間に当該発光素子を流れる電流を、一の発光素子のみが光を発しているのと同じであると認知される大きさの電流に保つことができる。そして、隣接する他の発光素子に発生するクロストークを弁別できない程度に抑制できる。その結果、一の発光素子の発光が、他の発光素子を備える発光モジュールに滲むように見える現象が低減される新規な発光装置を提供できる。

また、本発明の一態様は、一の色を呈する光を透過する層を一の発光素子が発する光を取り出す側に備え、他の色を呈する光を透過する層を他の発光素子が発する光を取り出す側に備える、上記の発光装置である。

上記本発明の一態様の発光装置は、異なる色を呈する光を透過する層を一の発光素子と他の発光素子の光を取り出す側のそれぞれに備える。これにより、一の発光素子を備える一の発光モジュールと他の発光素子を備える他の発光モジュールは、異なる色を呈する光を発することができ、且つ隣接する他の発光モジュールに発生するクロストークを弁別できない程度に抑制できる。その結果、一の発光素子の輝度の変化に伴う色度の変化を抑制し、所望の色を呈する光を得ることができる新規な発光装置を提供できる。

また、本発明の一態様は、複数の発光素子と、発光素子の発光を制御する画素回路と、画素回路を駆動する駆動回路と、を有する発光装置である。そして、発光素子は、下部電極、上部電極並びにその間に２つの発光ユニットおよび発光ユニットに挟持される中間層を備え、発光素子の少なくとも一と発光素子に隣接する他の発光素子は、連続する中間層を備え、発光素子は、流れる電流が小さいほど顕著に、他の発光素子にクロストークを発生する。

また、画素回路は、第１の電極が発光素子の下部電極に電気的に接続される第１のトランジスタと、第１の電極が第１のトランジスタの第２の電極に、第２の電極が駆動電源電位を供給することができる配線に、それぞれ電気的に接続される第２のトランジスタと、第１の電極が第１のトランジスタのゲート電極に、第２の電極が第２のトランジスタの第２の電極に、それぞれ電気的に接続される第１の容量素子と、第１の電極が第２のトランジスタのゲート電極に、第２の電極が第２のトランジスタの第２の電極に、それぞれ電気的に接続される第２の容量素子と、第１の電極が第１のトランジスタのゲート電極に、第２の電極が第１の信号線（Ａ信号線ともいう）に、ゲート電極が第１の選択信号線（Ａ選択線ともいう）に、それぞれ電気的に接続される第３のトランジスタと、第１の電極が第２のトランジスタのゲート電極に、第２の電極が第２の信号線（Ｄ信号線ともいう）に、ゲート電極が第２の選択信号線（Ｄ選択線ともいう）に、それぞれ電気的に接続される第４のトランジスタと、を備える。

また、駆動回路は、発光素子を駆動する定常電流の大きさを制御する第１の信号（Ａ信号ともいう）を第１の信号線に供給することができる第１の駆動回路（Ａ駆動回路ともいう）と、発光素子を駆動する電流を変調する第２の信号（Ｄ信号ともいう）を第２の信号線に供給することができる第２の駆動回路（Ｄ駆動回路ともいう）と、を備える。

また、本発明の一態様は、発光素子を３００ｐｐｉ（ｐｉｘｅｌ ｐｅｒ ｉｎｃｈ）以上の精細度で有する上記の発光装置である。

上記本発明の一態様の発光装置は、第１のトランジスタ、第２のトランジスタおよび発光素子が直列に接続された画素を複数備える発光パネルを有する。そして、第３のトランジスタが第１のトランジスタを、第４のトランジスタが第２のトランジスタを、それぞれ制御できるように設けられている。

また、発光素子を駆動する定常電流の大きさを制御するためのＡ信号を供給するＡ駆動回路と、発光素子を駆動する電流を変調するためのＤ信号を供給するＤ駆動回路と、を備える。

これにより、第１のトランジスタがクロストークを弁別できない電流を発光素子に供給し、第２のトランジスタが当該電流を変調する。その結果、一の発光素子の発光が、他の発光素子を備える発光モジュールに滲むように見える現象が低減される新規な発光装置を提供できる。

また、本発明の一態様は、階調情報を入力する第１のステップと、階調情報と所定の閾値を比較し、階調情報が閾値以上であるときは第３のステップに進み、階調情報が閾値未満であるときは、第６のステップに進む第２のステップと、定常電流の大きさを、階調情報に応じて決定する第３のステップと、電流を所定のデューティ比で発光素子に供給し、所定の期間（１アナログ・フレーム期間ともいう）の経過後に第５のステップに進む第４のステップと、電流の供給を終了する第５ステップと、階調情報に応じてデューティ比を決定する第６のステップと、所定の大きさ以上の電流を、デューティ比で変調して発光素子に供給し、所定の期間の経過後に第５のステップに進む第７のステップと、を有する、上記の発光装置の駆動方法である。

上記本発明の一態様の発光装置の駆動方法は、発光素子を駆動する電流の振幅を、クロストークを弁別できない大きさに保ちながら、発光素子を駆動するデューティ比を変える発光装置の駆動方法である。これにより、発光素子が発光している期間において、当該発光素子を流れる電流を、クロストークを弁別できない電流に保つことができ、隣接する他の発光素子に発生するクロストークを弁別できない程度に抑制できる。その結果、一の発光素子の発光が、他の発光素子を備える発光モジュールに滲むように見える現象が低減される新規な発光装置を提供できる。

なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられた層をいう。従って、電極間に挟まれた発光性の有機化合物を含む発光層はＥＬ層の一態様である。

また、本明細書において、物質Ａを他の物質Ｂからなるマトリクス中に分散する場合、マトリクスを構成する物質Ｂをホスト材料とよび、マトリクス中に分散される物質Ａをゲスト材料とよぶものとする。なお、物質Ａ並びに物質Ｂは、それぞれ単一の物質であっても良いし、２種類以上の物質の混合物であっても良いものとする。

また、本明細書において、発光モジュールは少なくとも発光素子を含み、光学素子を含む場合もある。光学素子としては、例えばカラーフィルタ、偏光板の他、微小共振器等を挙げることができる。

また、本明細書中において、発光装置とは画像表示装置もしくは光源（照明装置含む）を含む。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子が形成された基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。

また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。

本発明の一態様によれば、新規な発光装置を提供できる。または、新規な発光装置の駆動方法を提供できる。

本発明の一態様の発光装置の駆動方法を説明する図。 実施の形態に係る発光装置の構成を説明する図。 実施の形態に係る発光装置の構成を説明する図。 実施の形態に係る発光装置の構成を説明するブロック図。 実施の形態に係る発光パネルを説明する図。 実施の形態に係る発光装置の駆動方法を説明するフローチャート。 実施の形態に係る発光装置に適用可能な発光パネルの駆動方法を説明する図。 実施の形態に係る発光装置に適用可能な発光パネルの駆動方法を説明する図。 実施の形態に係る発光装置に適用可能な発光パネルの駆動方法を説明する図。 実施の形態に係る発光装置に適用可能なゲート側駆動回路を説明するブロック図およびタイミングチャート。 実施の形態に係る発光装置に適用可能なゲート側駆動回路のシフトレジスタを説明するブロック図およびタイミングチャート。 実施の形態に係る発光装置に適用可能なソース側駆動回路を説明するブロック図およびタイミングチャート。 実施の形態に係る発光装置が備える発光素子を説明する図。 実施の形態に係る電子機器を説明する図。 実施例に係る発光装置の構成を説明するブロック図。 実施例に係る発光装置が発する光のスペクトルを示す図。 実施例に係る発光装置が発する光のスペクトルを示す図。 比較例に係る発光装置が発する光のスペクトルを示す図。 実施例に係る発光パネルが備える発光素子の構成を説明する図。

＜本発明の一態様が解決することができる課題＞
下部電極、上部電極並びにその間に２つの発光ユニットおよび当該発光ユニットに挟持される中間層を備える発光素子が隣接して２つ設けられている発光パネルがある場合、当該２つの発光素子の中間層が連続していると、一の発光素子を備える発光モジュールと他の発光素子を備える発光モジュールの間に、クロストークが発生する場合がある。

発生するクロストークの大きさは、一の発光素子と他の発光素子の距離が近いほど大きくなる。

また、他の発光モジュールに発生するクロストークの大きさは、一の発光素子の輝度に依存して変化する場合がある。具体的には、一の発光素子を高い輝度で駆動する場合に比べて、一の発光素子を低い輝度で駆動する場合の方が大きい（顕著ともいう）場合がある。

クロストークの発生によりもたらされる不具合の例を以下に示す。

第１に、一の発光素子が発する光が他の発光素子を備える発光モジュールに滲むように見える不具合がある。特に、一の発光素子の輝度が低いときに顕著に発生する場合がある。

第２に、一の発光モジュールと他の発光モジュールとが異なる色の光を発するように発光パネルに設けられている場合において、クロストークの発生により一の発光モジュールの輝度と他の発光モジュールの輝度の比が変化して、当該発光パネルの発光色または表示色の制御が困難になる不具合がある。

本発明の一態様は、このような技術的背景のもとでなされたものである。従って、一の発光素子の発光が、他の発光素子を備える発光モジュールに滲むように見える現象が低減される新規な発光装置を提供することを一の課題とする。または、明るさの変化に伴う色度の変化を抑制し、所望の色の光を得ることができる新規な発光装置を提供することを一の課題とする。または、明るさの変化に伴う色度の変化を抑制し、所望の色の光を得ることができる発光装置の新規な駆動方法を提供することを課題の一とする。

なお、本明細書において両端から注入された電子と正孔が再結合する領域を１つ有する層または積層体を発光ユニットという。また、発光ユニットは発光物質を含む発光層を１つ以上含む。

＜本発明の一態様＞
本発明の一態様は、下部電極、上部電極並びにその間に２つの発光ユニットおよび当該発光ユニットに挟持される中間層を備える発光素子が隣接して複数設けられ、且つその２つの発光素子の中間層が連続している発光パネルにおいて、一の発光素子を十分に大きい電流で駆動すること、他の発光素子を備える発光モジュールに発生するクロストークが低減できる現象に着目して創作されたものである。

言い換えると、本発明の一態様は、大きい電流で駆動される一の発光素子を備える発光モジュールに隣接する、他の発光モジュールに発生するクロストークの大きさが、小さい電流で駆動される一の発光素子を備える発光モジュールに隣接する他の発光モジュールに発生するクロストークの大きさより小さくなる現象に着目して創作されたものである。

そして、本明細書に例示される構成を備える発光装置および発光装置の駆動方法に想到した。

なお、本明細書において、一の発光モジュールと他の発光モジュールが隣接して設けられた発光パネルの一の発光モジュールのみを定常電流で駆動したときに、一の発光モジュールのみが光を発しているのと同じであると使用者に認知される当該定常電流を、「クロストークを弁別できない定常電流」という。言い換えると、隣接する他の発光モジュールに弁別できない程度のクロストークを発生する定常電流を、「クロストークを弁別できない定常電流」という。

また、「クロストークを弁別できない定常電流」で駆動された一の発光モジュールの輝度を「クロストークを弁別できない輝度」という。言い換えると、弁別できない程度のクロストークが他方の発光モジュールに発生する一方の発光モジュールの輝度を「クロストークを弁別できない輝度」という。

本発明の一態様は、隣接する複数の発光素子を備える発光パネルと、発光素子を駆動する駆動回路と、を有し、発光素子は、下部電極、上部電極並びにその間に２つの発光ユニットおよび当該発光ユニットに挟持される中間層を備え、発光素子の少なくとも一は、隣接する他の発光素子の中間層と連続する中間層を備え、駆動回路は、定常電流を用いて発光素子を駆動する第１のモードと、変調された電流を用いて発光素子を駆動する第２のモードと、を備える発光装置である。

これにより、発光モジュールに流れる電流を、発光モジュールが発光している期間において、一の発光モジュールのみが光を発しているのと同じであると使用者に認知される大きさの電流（クロストークを弁別できない定常電流ともいえる）に保つことができる。そして、隣接する他の発光モジュールに発生するクロストークを弁別できない程度に抑制する。その結果、一の発光素子の発光が、他の発光素子を備える発光モジュールに滲むように見える現象が低減される新規な発光装置を提供できる。

また、本発明の一態様は、発光モジュールを駆動する電流の振幅を、クロストークを弁別できない大きさに保ち、且つ発光モジュールを駆動するデューティ比を変える発光装置の駆動方法である。

これにより、発光モジュールが発光している期間において、当該発光モジュールを流れる電流を、クロストークを弁別できない電流に保つことができ、隣接する他の発光モジュールに発生するクロストークを弁別できない程度に抑制できる。その結果、輝度の変化に伴う色度の変化が抑制された発光装置の駆動方法を提供できる。

本発明の一態様の発光装置の駆動方法を、図１を用いて具体的に説明する。図１（Ａ）乃至図１（Ｉ）は、横軸が時間を、縦軸が発光装置の輝度を表すグラフである。

例示する発光装置は、輝度を０から２５５までの２５６の段階で変化できる。

また、一の発光モジュールを６３の輝度で発光させたときに、他の発光モジュールに発生するクロストークが弁別できないとする。６３の輝度は、クロストークを弁別できない輝度ともいえる。

本発明の一態様の発光装置は、１フレーム期間に占める駆動時間の割合（デューティ比ともいう）を一定に保ちながら、電流の大きさ（振幅ともいう）を変えて発光モジュールを駆動することができる。この駆動方法により、発光装置を異なる明るさ、例えば２５５（図１（Ａ）参照）、１２７（図１（Ｂ）参照）または６３（図１（Ｃ）参照）の明るさで、駆動できる。

また、本発明の一態様の発光装置は、電流の振幅を一定に保ちながらデューティ比を変えて発光モジュールを駆動することができる。具体的には、デューティ比１において６３の明るさを得る電流の振幅を保ちながら、デューティ比を変えて発光モジュールを駆動することができる。この駆動方法により、発光装置を異なる明るさ、例えば３２（図１（Ｄ）参照）、１６（図１（Ｅ）参照）、８（図１（Ｆ）参照）、４（図１（Ｇ）参照）、２（図１（Ｈ）参照）、または１（図１（Ｉ）参照）の明るさで、駆動できる。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の構成について、図２を参照しながら説明する。

図２（Ａ）は本発明の一態様の発光装置４００の構成を説明する上面図である。

図２（Ｂ）は図２（Ａ）の切断線Ｅ−Ｆにおける発光パネル４９０の断面の構造を含む側面図と、それに接続される駆動回路４８０のブロック図である。

図２（Ｃ）は図２（Ｂ）に示す発光素子４２０Ｂおよび発光素子４２０Ｇの構造と発光素子４２０Ｇに発生するクロストークを説明する側面図である。

本実施の形態で説明する発光装置４００は、隣接する複数の発光素子を備える発光パネル４９０と、発光素子を駆動する駆動回路４８０と、を有する（図２（Ａ）参照）。

発光パネル４９０は、隣接する複数の発光素子（４２０Ｂ、４２０Ｇ、４２０Ｒ）を備える（図２（Ｂ）参照）。駆動回路４８０は発光素子（４２０Ｂ、４２０Ｇ、４２０Ｒ）を駆動する。

発光素子（４２０Ｂ、４２０Ｇ、４２０Ｒ）は、下部電極（４２１Ｂ、４２１Ｇ、４２１Ｒ）、上部電極４２２並びにその間に２つの発光ユニット（４２３ａ、４２３ｂ）および発光ユニット（４２３ａ、４２３ｂ）に挟持される中間層４２４を備える。

発光素子の少なくとも一（例えば発光素子４２０Ｂ）と当該発光素子に隣接する他の発光素子（例えば発光素子４２０Ｇ）は、連続する中間層４２４を備える（図２（Ｃ）参照）。当該発光素子（例えば発光素子４２０Ｂ）は、流れる電流が小さいほど顕著に、当該他の発光素子（例えば発光素子４２０Ｇ）にクロストークを発生する場合がある。

駆動回路４８０は、定常電流を用いて発光素子（４２０Ｂ、４２０Ｇまたは４２０Ｒ）を駆動する第１のモードと、変調された電流を用いて発光素子（４２０Ｂ、４２０Ｇまたは４２０Ｒ）を駆動する第２のモードと、を備える。

本実施の形態で説明する本発明の一態様の発光装置４００は、定常電流を用いて発光素子を駆動する第１のモードと、変調された電流を用いて発光素子を駆動する第２のモードを備える。これにより、発光素子に流れる電流を、発光素子が発光している期間において、一の発光素子のみが光を発しているのと同じであると使用者に認知される大きさの電流に保つことができる。そして、隣接する他の発光素子に発生するクロストークを弁別できない程度に抑制する。その結果、一の発光素子の発光が、他の発光素子を備える発光モジュールに滲むように見える現象が低減される新規な発光装置を提供できる。

以下に、本発明の一態様の発光装置を構成する個々の要素について説明する。

《発光パネルの詳細》
発光パネル４９０は基板４１０と封止基板４４０と、基板４１０と封止基板４４０を貼り合わせるシール材４０５を備える。また、発光パネル４９０は発光モジュール４５０Ｂ、発光モジュール４５０Ｇおよび発光モジュール４５０Ｒを備える。

発光モジュール４５０Ｂは発光素子４２０Ｂを、発光モジュール４５０Ｇは発光素子４２０Ｇを、発光モジュール４５０Ｒは発光素子４２０Ｒを備える。

発光素子（４２０Ｂ、４２０Ｇ、４２０Ｒ）は、可視光に対して反射性を有する下部電極（４２１Ｂ、４２１Ｇ、４２１Ｒ）と、透光性を有する上部電極４２２を備える。この構成により、発光パネル４９０は、封止基板４４０側に光を発する。しかし、これに限定されず、基板４１０側に光を発する構成とすることもできる。

発光素子は、いずれも下部電極（例えば、４２１Ｂ、４２１Ｇ、４２１Ｒ）および下部電極と重なる上部電極４２２並びに下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合物を含む層４２３を備える。

上部電極４２２は一の連続する電極であって、複数の下部電極に重なるように設けられている。なお、上部電極は複数に分割されていてもよく、分割された上部電極のそれぞれが、一のまたは複数の下部電極に重ねて設けられる構成であってもよい。

発光性の有機化合物を含む層４２３は、発光ユニット（４２３ａ、４２３ｂ）および発光ユニット（４２３ａ、４２３ｂ）に挟持される中間層４２４を備える。

複数の発光素子が発光パネル４９０に設けられている。隔壁４１８が隣接する発光素子の間に設けられている。隔壁４１８は絶縁性であり、下部電極に重なる位置に開口部を有し、下部電極の端部を覆う。

一の発光素子（例えば、発光素子４２０Ｂ）を、クロストークを弁別できない定常電流より小さい定常電流で駆動すると、隣接する他の発光素子（例えば、発光素子４２０Ｇ）に弁別できるクロストークが発生する場合がある。また、一の発光素子を、クロストークを弁別できない定常電流で駆動すれば、隣接する他の発光モジュールに発生するクロストークを弁別できない。

《発光素子の構成とクロストークの関係》
本実施の形態に適用可能な発光素子の構成は、実施の形態６において詳細に説明する。ここでは、一の発光素子の駆動に伴い隣接する他の発光素子を有する発光モジュールに発生するクロストークについて、図２（Ｃ）を参照しながら説明する。

図２（Ｃ）は、発光素子４２０Ｂの構造並びにその構造と発光モジュール４５０Ｇに発生するクロストークの関係を説明する側面図である。

発光素子４２０Ｂは、下部電極４２１Ｂと上部電極４２２を備え、その間に第１の発光ユニット４２３ａおよび第２の発光ユニット４２３ｂを備える。また、第１の発光ユニット４２３ａおよび第２の発光ユニット４２３ｂの間に中間層４２４を備える。

発光素子４２０Ｂのみを発光させる場合は、発光素子４２０Ｂが発光する電圧を下部電極４２１Ｂと上部電極４２２の間に加え、発光素子４２０Ｇが発光する電圧を隣接する発光素子４２０Ｇの下部電極４２１Ｇと上部電極４２２の間に加えない。例えば、下部電極４２１Ｇと上部電極４２２の電位を同じにする。

発光素子４２０Ｂの発光性の有機化合物を含む層４２３に加わる電界は、下部電極４２１Ｂと上部電極４２２が重なる領域において最も強く、下部電極４２１Ｂの端部からその外側に遠ざかるほど弱くなる。その結果、発光素子４２０Ｂが発する光は、下部電極４２１Ｂと上部電極４２２が重なる領域において最も強く、下部電極４２１Ｂの端部から外側に遠ざかるほど弱くなる。

ここで、発光性の有機化合物を含む層４２３が、第２の発光ユニット４２３ｂおよび当該第２の発光ユニット４２３ｂより導電性の高い層を含み、且つ当該導電性の高い層が第２の発光ユニット４２３ｂより下部電極４２１Ｂ側に設けられている場合、クロストークが発光素子４２０Ｇに発生し易くなる。

例えば、第２の発光ユニット４２３ｂより導電性の高い層が下部電極４２１Ｂに接して設けられる場合、当該導電性の高い層が下部電極４２１Ｂを絶縁性の隔壁４１８の開口部より外側に広げる効果を奏する。その結果、当該開口部より外側の領域において、発光が認められるようになる。

なお、第２の発光ユニット４２３ｂより導電性が高く、且つ下部電極４２１Ｂに接して設けられる層として、正孔注入層や電子注入層などのキャリア注入層をその例にあげることができる。

また、第２の発光ユニット４２３ｂより導電性の高い層が第２の発光ユニット４２３ｂより下部電極４２１Ｂ側に、下部電極４２１Ｂに接することなく設けられる場合にも、発光が、隔壁４１８の開口部より外側の領域において、認められるようになる。図２（Ｃ）に示す構成は、このような構成の一例である。

中間層４２４が、第２の発光ユニット４２３ｂより導電性が高く、第２の発光ユニット４２３ｂより下部電極４２１Ｂ側に設けられている場合、下部電極４２１Ｂと重なる中間層４２４の外側に、電位が緩やかに降下する領域が形成される。その結果、発光素子４２０Ｂの第２の発光ユニット４２３ｂの発光が、上部電極４２２および下部電極４２１Ｂに重なる隔壁４１８の開口部より外側の領域においても認められるようになる。言い換えると、発光素子４２０Ｂがこのような構成を有する場合、クロストークが隣接する発光素子４２０Ｇに発生しやすい。

なお、発光素子４２０Ｂの下部電極４２１Ｂから上部電極４２２に流れる電流と、中間層４２４を通って隔壁４１８の開口部の外側に広がる電流が、図２（Ｃ）に太い矢印で模式的に描かれている。

有機ＥＬ素子の輝度は、有機ＥＬ素子を流れる電流の大きさに比例する。しかし、発光ユニットを流れる電流は、一対の電極に加える電圧には比例せず、所定の閾値電圧を越える電圧が加わると、急激に増える挙動（ダイオード特性ともいう）を示す。

一方、印加する電圧の大きさの変化に対する中間層を流れる電流の大きさの変化は、上述のように顕著でなく、隠微である。

これにより、高い電圧を一の発光素子に印加したときに比べて低い電圧を印加したときにおいて、中間層を流れる電流は発光ユニットを流れる電流に比べ、流れ易くなる。

その結果、例えば電流は下部電極から第１の発光ユニット４２３ａを通って中間層４２４まで流れ、中間層４２４に沿って広がる。中間層４２４に広がる電流の一部は、隣接する他の発光素子の第２の発光ユニット４２３ｂを通って上部電極４２２に到達する場合がある。

一の発光素子に印加する電圧が小さいほど、他の発光素子の下部電極に重なる第２の発光ユニット４２３ｂを流れる電流の、一の発光素子の下部電極に重なる第２の発光ユニット４２３ｂを流れる電流の大きさに対する比が大きくなり、他の発光モジュールに発生するクロストークが顕著となる。また、一の発光素子に印加する電圧が大きいほど、一の発光素子の下部電極に重なる第２の発光ユニット４２３ｂを流れる電流の大きさが大きくなり、他の発光モジュールに発生するクロストークが隠微になる場合がある。

その結果、他方の発光モジュールに発生するクロストークは、一方の発光モジュールに流れる電流が小さいほど弁別し易くなり、大きいときほど弁別することが困難になる場合がある。

また、一の発光モジュールと一の発光モジュールに隣接する他の発光モジュールの距離が近いほど、クロストークは発生し易く弁別が容易になる。具体的には、その距離が３ｍｍ以下であると、弁別できるクロストークが発生し易い。

また、中間層４２４を中間層４２４に沿った方向に流れる電流は、中間層の厚さが厚いほど大きくなる。その結果、中間層４２４が厚いほどクロストークは弁別しやすくなる。具体的には、その厚さが５ｎｍ以上であると、弁別できるクロストークが発生し易い。

なお、定常電流を用いて信頼性を損なうことなく一の発光モジュールを駆動して得られる輝度を１としたとき、好ましくはその１／３０倍以上１倍以下の輝度で、一の発光モジュールを駆動すると、弁別できるクロストークが当該一の発光素子に隣接する他の発光素子を有する他の発光モジュールに発生し難くなる。

なお、定常電流を用いて、信頼性を損なうことなく一の発光モジュールを駆動して得られる輝度の一例として、当該発光装置の通常の使用における最大輝度を挙げることができる。また、定常電流は実質的に定常電流である場合を含む。例えば、定常電流は、デューティ比が０．８以上１以下である場合を含む。

一の発光モジュールをこの条件を満たすように駆動すると、当該発光モジュールに隣接する他の発光モジュールに発生するクロストークを弁別することが困難になる。

《駆動回路》
駆動回路４８０は、定常電流を用いて発光素子を駆動する第１のモードと、変調された電流を用いて発光素子を駆動する第２のモードと、を備える。本実施の形態では、駆動回路４８０は、Ａ駆動回路４８０ａと、Ｄ駆動回路４８０ｄを備える。

駆動回路４８０は電源電位を供給される。電源４８５は、クロストークを弁別できない電流を供給する（図２（Ｂ）参照）。

なお、駆動回路４８０は主回路４８０ｍを備える。主回路４８０ｍは同期信号等を供給する機能を有する。なお、駆動回路４８０は、その一部が発光パネル４９０に設けられていてもよい。

Ａ駆動回路４８０ａは、定常電流の大きさを制御するＡ信号を供給する。これにより、定常電流を用いて発光モジュールの明るさを、クロストークを弁別できない輝度において変化できる。その結果、疑似輪郭と呼ばれる元の画像信号（当該発光装置に入力する画像信号）にない不連続な階調の変化が観察される不具合を防ぐことができる。

Ｄ駆動回路４８０ｄは電流を変調するためのＤ信号を供給する。クロストークを弁別できない電流を変調した電流を用いて発光素子を駆動すると、定常電流では発生を抑制できないクロストーク（特に低い輝度において顕著に発生するクロストーク）の発生を抑制できる。また、特に低い輝度において変調した電流を用いるため、疑似輪郭等の不具合の発生は識別し難い。

なお、例えばＤ駆動回路４８０ｄは時間積分法またはパルス幅変調法により電流を変調するための信号を供給する。言い換えると、Ｄ駆動回路４８０ｄは、１フレームに占める発光素子が点灯する期間の割合が大きいほど輝度が高く認知される、輝度についての眼の積分効果を利用して、発光素子の輝度を制御するための信号を供給する。本明細書では、１フレームに複数のサブ・フレーム期間を設け、各サブ・フレーム期間に発光素子を点灯するか消灯するかを割り当てる方法を時間積分法という。また、サブ・フレーム期間の長さを変える方法をパルス幅変調法という。これらは、組み合わせて用いることもできる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図３を参照しながら説明する。

図３（Ａ）は、駆動回路４８０および発光パネル４９０を含む本発明の一態様の発光装置４００の構成を説明する上面図である。

図３（Ｂ）は、図３（Ａ）の切断線Ａ−Ｂ、Ｃ−Ｄにおける発光パネル４９０の断面の構造を含む側面図である。

図３（Ｃ）は、図３（Ａ）の切断線Ｅ−Ｆにおける断面を含む発光パネル４９０の断面を含む側面図である。

本実施の形態で例示する発光装置４００が、特定の波長の光を他の波長の光より透過し易い層（例えば、カラーフィルタ４４１Ｇなど）を発光素子（例えば、発光素子４２０Ｇ）の光を取り出す側に備える発光モジュール（例えば、発光モジュール４５０Ｇ）を有する点が、実施の形態１に説明する発光モジュールと異なる。

本実施の形態で例示する発光装置４００は、一の発光素子（例えば発光素子４２０Ｂ）が発する光を取り出す側に一の色を呈する光を透過する層（カラーフィルタ４４１Ｂ）を備え、当該一の発光素子に隣接する他の発光素子（例えば発光素子４２０Ｇ）が発する光を取り出す側に他の色を呈する光を透過する層（カラーフィルタ４４１Ｇ）を備える。

本実施の形態で説明する本発明の一態様の発光装置４００は、定常電流を用いて発光素子を駆動する第１のモードと、変調された電流を用いて発光素子を駆動する第２のモードを備える。これにより、発光素子に流れる電流を、発光素子が発光している期間において、一の発光素子のみが光を発しているのと同じであると認知される大きさの電流に保つことができる。そして、隣接する他の発光素子に発生するクロストークを弁別できない程度に抑制する。また、一の発光素子（例えば、発光素子４２０Ｂ）と隣接する他の発光素子（例えば、発光素子４２０Ｇ）の光を取り出す側のそれぞれに、異なる色を呈する光を透過する層（例えば、４４１Ｂまたは４４１Ｇ）を備える。これにより、一の発光素子を備える一の発光モジュールと他の発光素子を備える他の発光モジュールは、異なる色を呈する光を発することができる。その結果、明るさの変化に伴う色度の変化を抑制し、所望の色の光を得ることができる新規な発光装置を提供できる。

以下に、本発明の一態様の発光装置を構成する個々の要素について説明する。具体的には、発光パネル４９０と駆動回路４８０について説明する。

＜１．発光パネルの詳細＞
発光パネル４９０は、基板４１０上に表示部４０１を有し、そこには画素４０２がマトリクス状に複数設けられている（図３（Ａ））。

画素４０２には複数（例えば３つ）の副画素が設けられている。なお、各副画素は発光モジュールを備える。また、発光モジュールは発光素子を備え、当該発光素子は画素回路に電気的に接続されている。

発光パネル４９０は引き回し配線４０８を備える。引き回し配線４０８は、外部入力端子から入力される信号を表示部４０１に供給する（図３（Ｂ））。

発光パネル４９０は外部入力端子を備える。画像信号、同期信号等が、ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）４０９を介して、供給される。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、ＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣまたはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

なお、表示部４０１が画像を表示する方向は、発光素子が発する光が取り出される方向により決定される。

例えば、光を基板４１０側に発して、画像を表示する構成にすることもできる。その場合は、可視光を透過する導電膜を発光素子の下部電極に用い、カラーフィルタを、発光素子より基板４１０側の発光素子に重なる位置に設ける構成とすればよい。

本実施の形態で例示する発光パネル４９０は、光を図中に示す矢印の方向（封止基板４４０側）に射出して、画像を表示する（図３（Ｂ））。

発光パネル４９０は駆動回路の一部を備える。具体的には、Ａ駆動回路の一部（ソース側Ａ駆動回路部４０３ａｓおよびゲート側Ａ駆動回路部４０３ａｇ）とＤ駆動回路の一部（ソース側Ｄ駆動回路部４０３ｄｓおよびゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇ）が、表示部４０１と共に基板４１０上に設けられている。

ソース側Ａ駆動回路部４０３ａｓを発光パネル４９０に設ける例を説明する。ソース側Ａ駆動回路部４０３ａｓはｎチャネル型トランジスタ４１３と、ｐチャネル型トランジスタ４１４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を含む。なお、駆動回路はこの構成に限定されず、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路またはＮＭＯＳ回路で構成しても良い。

駆動回路の詳細は後述する。

《１．１封止構造》
発光装置４００は、基板４１０、封止基板４４０およびシール材４０５で囲まれた空間４３１に、発光素子（例えば４２０Ｇ）を封止する構造を備える。シール材４０５は、基板４１０と封止基板４４０を貼り合わせる。

空間４３１は、不活性気体（窒素やアルゴン等）で充填される場合の他、樹脂で充填される場合もある。また、不純物（代表的には水および／または酸素）の吸着材（例えば、乾燥剤など）を設けても良い。

基板４１０、封止基板４４０およびシール材４０５は、大気中の不純物（代表的には水および／または酸素）をできるだけ透過しない材料であることが望ましい。シール材４０５にはエポキシ系樹脂や、ガラスフリット等を用いることができる。

封止基板４４０に用いることができる材料としては、ガラス基板や石英基板の他、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板や、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）等をその例に挙げることができる。

《１．２画素の構成》
表示部４０１に設けられる画素４０２の構成について、図３（Ｂ）および図３（Ｃ）を参照しながら説明する。なお、表示部４０１の構成（具体的には、副画素の配置、副画素に設けられた画素回路）は、実施の形態３において詳細に説明する。

画素４０２は、青色を呈する光Ｂを射出する副画素４０２Ｂ、緑色を呈する光Ｇを射出する副画素４０２Ｇ、赤色を呈する光Ｒを射出する副画素４０２Ｒを備える。

それぞれの副画素は、画素回路と発光モジュールを備える。

画素回路は、基板４１０上に形成されている。

副画素４０２Ｇは、スイッチングに用いることができるトランジスタ４１１と電流制御に用いることができるトランジスタ４１２と発光モジュール４５０Ｇとを有する。なお、トランジスタ４１１等の上には、絶縁層４１６と隔壁４１８とが形成されている。

画素回路にトップゲート型のトランジスタが適用された発光装置４００を図３（Ｂ）に例示する。画素回路には、さまざまな構造のトランジスタを適用できる。

なお、画素回路１０ｃ、ソース側Ａ駆動回路部４０３ａｓ、ゲート側Ａ駆動回路部４０３ａｇ、ソース側Ｄ駆動回路部４０３ｄｓおよびゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇを、同一の工程により同一の基板上に形成すると、作製工程を簡略にできる。

また、これらのトランジスタのチャネルが形成される領域には、さまざまな半導体を用いることができる。例えば、アモルファス半導体、多結晶半導体、単結晶半導体等を用いることができる。具体的には、アモルファスシリコン、ポリシリコン、単結晶シリコンの他、酸化物半導体などを用いることができる。

半導体層を構成する単結晶半導体としては、代表的には、単結晶シリコン基板、単結晶ゲルマニウム基板、単結晶シリコンゲルマニウム基板など、第１４族元素でなる単結晶半導体基板、化合物半導体基板（ＳｉＣ基板、ＧａＮ基板等）などの半導体基板を用いることができる。好適には、絶縁表面上に単結晶半導体層が設けられたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いることができる。

単結晶半導体をチャネル形成領域に用いるトランジスタは、高い電流駆動能力を維持したまま、微細化が可能である。該微細なトランジスタを用いることで表示に寄与しない回路部の面積を縮小することができるため、表示部においては表示面積が拡大し、かつ発光装置の狭額縁化が達成できる。

絶縁層４１６は絶縁性の層であり、単一の層であっても複数の層の積層体であってもよい。また、絶縁層４１６を用いて、トランジスタ４１１等の構造に由来して生じる段差を平坦化してもよく、トランジスタ４１１等への不純物の拡散を抑制してもよい。

《１．３発光モジュール》
発光パネル４９０は、発光モジュールを備える（図３（Ｂ））。

発光モジュールは、微小共振器（マイクロキャビティともいう）、発光素子、カラーフィルタ並びに遮光性の膜を有していても良い。

微小共振器を発光モジュールに設けることより、発光素子が発する光が干渉し合い、特定の光の強度を強めることができる。また、カラーフィルタを発光モジュールに設けることにより、不要な光を吸収させることができる。

《１．３．１微小共振器》
反射膜、半透過・半反射膜並びに反射膜と半透過・半反射膜の間に設けられた光学調整層は、微小共振器を構成する。

微小共振器の間に発光素子を設けると、半透過・半反射膜から特定の波長の光を効率良く取り出せる。取り出す光の波長は、反射膜と半透過・半反射膜の間の距離に依存する。

光学調整層は、反射膜と半透過・半反射膜の距離を調整するための層である。光学調整層の厚さを調整することにより、所望の色を呈する光を効率よく発光モジュールから取り出すことができる。

光学調整層に用いることができる材料としては、可視光に対して透光性を有する導電膜の他、発光性の有機化合物を含む層を適用できる。例えば、中間層を用いて、その厚さを調整してもよい。または、正孔輸送性の高い物質と当該正孔輸送性の高い物質に対してアクセプター性の物質を含む領域を光学調整層に用いると、光学調整層が厚い構成であっても駆動電圧の上昇を抑制できるため好ましい。

発光モジュール４５０Ｂ、発光モジュール４５０Ｇおよび発光モジュール４５０Ｒは、発光素子の一対の電極の一方が反射膜を、他方が半透過・半反射膜を兼ねる構成を有する。

具体的には、発光素子４２０Ｂに設けられた下部電極４２１Ｂが発光モジュール４５０Ｂの反射膜を、発光素子４２０Ｇに設けられた下部電極４２１Ｇが発光モジュール４５０Ｇの反射膜を、発光素子４２０Ｒに設けられた下部電極４２１Ｒが発光モジュール４５０Ｒの反射膜を兼ねる。なお、可視光に対する透光性を有する導電膜を反射膜に積層した積層体を下部電極に適用し、当該下部電極が反射膜および光学調整層を兼ねる構成としてもよい。

また、発光素子４２０Ｂ、発光素子４２０Ｇおよび発光素子４２０Ｒに共通に設けられた上部電極４２２が、発光モジュール４５０Ｂ、発光モジュール４５０Ｇおよび発光モジュール４５０Ｒの半透過・半反射膜を兼ねる。

《１．３．２発光素子》
発光素子４２０Ｂ、発光素子４２０Ｇおよび発光素子４２０Ｒは、いずれも下部電極４２１Ｇと上部電極４２２の間に、第１の発光ユニット４２３ａ、第２の発光ユニット４２３ｂ並びに第１の発光ユニット４２３ａと第２の発光ユニット４２３ｂの間に中間層４２４を含む。このような構成の発光素子は、発光性の有機化合物を含む層４２３を同一の工程で形成できるため好ましい。

隣接する発光素子の間には隔壁４１８が設けられている。隔壁４１８は絶縁性の層であり、下部電極４２１Ｂ、下部電極４２１Ｇおよび下部電極４２１Ｒの端部を覆い、これらの下部電極と重なる開口部を有する。

隔壁４１８の下端部には、曲率を有する曲面が形成されるようにする。隔壁４１８の材料としては、ポジ型やネガ型の感光性樹脂を用いることができる。

なお、隔壁に可視光を吸収する材料を適用すると、隣接する発光素子一方から他方へ光が漏れる現象（光学的なクロストーク現象ともいうことができる）を抑制する効果を奏する。

発光素子の構成は、実施の形態６において詳細に説明する。

《１．３．３カラーフィルタ》
カラーフィルタ（例えばカラーフィルタ４４１Ｇ）は、発光素子（例えば発光素子４２０Ｇ）が発する光を射出する側に設けられている。

遮光性の膜４４２は、カラーフィルタ（例えばカラーフィルタ４４１Ｇ）を囲むように形成されている。遮光性の膜４４２は発光パネル４９０が外光を反射する現象を防ぐ膜であり、表示部４０１に表示される画像のコントラストを高める効果を奏する。なお、カラーフィルタと遮光性の膜４４２は、封止基板４４０に形成されている。

なお、封止基板４４０にタッチセンサを形成してもよい。その場合、カラーフィルタと封止基板４４０の間に形成してもよいし、カラーフィルタの上に形成してもよい。このように、発光素子（例えば発光素子４２０Ｇ）に面する側にタッチセンサを設けることによって、カラーフィルタの形成とタッチセンサ用の透明導電膜や絶縁膜などを連続的に形成できるため、好適である。なお、タッチセンサ用の透明導電膜は、導電性粒子などを介して、基板４１０上に形成された配線と接続されることが好適である。ただし、本発明の一態様は、これに限定されず、封止基板４４０の、発光素子に面しない側にタッチセンサを設けることも可能である。その場合は、封止基板４４０に、導電性粒子を介して、ＦＰＣと接続させることが出来る。つまり、封止基板４４０上のタッチセンサを、基板４１０上に形成された配線を介さずに、ＦＰＣに接続させることが出来る。そのため、基板４１０上の配線と接続するためのＦＰＣと、封止基板４４０上のタッチセンサと接続するためのＦＰＣとが、重なるように配置することができ、ＦＰＣの接続部に余裕を持たせて配置することが出来る。ただし、本発明の一態様は、これらに限定されず、封止基板４４０および基板４１０以外の基板を用いて、タッチセンサを形成することも出来る。その基板として、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板や、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）等を用いることが出来る。ただし、本発明の一態様は、これらに限定されず、タッチセンサを、カバーガラスや保護ガラスに形成することも可能である。その場合、指などに直接接する面ではなく、発光装置が設けられている面にタッチセンサを設けることによって、タッチセンサ上の電極を保護することが出来る。

＜駆動回路の詳細＞
駆動回路４８０は、Ａ駆動回路４８０ａとＤ駆動回路４８０ｄを備え、発光パネル４９０を駆動する。

Ａ駆動回路４８０ａは、発光素子を駆動する定常電流の大きさを制御するＡ信号を供給することができる回路である。Ａ駆動回路４８０ａは、ソース側Ａ駆動回路部４０３ａｓおよびゲート側Ａ駆動回路部４０３ａｇを含む。

Ｄ駆動回路４８０ｄは、発光素子を駆動する電流を変調するＤ信号を供給することができる回路である。Ｄ駆動回路４８０ｄは、ソース側Ｄ駆動回路部４０３ｄｓおよびゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇを含む。なお、ソース側Ｄ駆動回路部４０３ｄｓおよびゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇを含む駆動回路４８０の構成は、実施の形態５において詳細に説明する。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の構成について、図４および図５を参照しながら説明する。

図４は、本発明の一態様の発光装置４００の構成を説明するブロック図である。

図５（Ａ）は、本発明の一態様の発光装置に適用可能な発光パネル４９０の構成を説明するブロック図である。

図５（Ｂ）は、本発明の一態様の発光装置の副画素１０に適用可能な画素回路１０ｃの構成を説明する回路図である。

本発明の一態様の発光装置４００は、駆動回路、画素回路並びに発光素子を有する。なお、駆動回路の一部と画素回路並びに発光素子は発光パネル４９０に設けられている。

＜１．駆動回路＞
本実施の形態の形態で例示する駆動回路は、Ａ駆動回路４８０ａ、Ｄ駆動回路４８０ｄ並びに主回路４８０ｍを含む（図４参照）。

《１．１主回路の構成》
主回路４８０ｍは、第１のフレームメモリＦＭ＿１、判定回路ＣＣ並びに同期信号生成回路を備える。主回路４８０ｍは、階調情報を含むデジタル画像信号ＤＡＴＡが供給される。

同期信号生成回路は、クロック信号ＣＬＴとスタートパルス信号ＳＰを例えばＡ駆動回路４８０ａに供給できる。また、同期信号生成回路は、クロック信号ＣＬＴ、スタートパルス信号ＳＰ、パルス幅制御信号ＰＷＣ、ラッチ制御信号ＬＡＴを例えばＤ駆動回路４８０ｄに供給できる。

第１のフレームメモリＦＭ＿１は、１フレーム分のデジタル画像信号ＤＡＴＡを格納し、デジタル画像信号ＤＡＴＡを供給することができる。

判定回路ＣＣは、発光素子を定常電流の大きさ変えて駆動するか、変調された電流を用いて駆動するか、を決定する機能を有する。

例えば、所定の閾値とデジタル画像信号ＤＡＴＡが判定回路ＣＣに供給される。判定回路ＣＣは、閾値と画像信号を画素毎に比較する。

判定回路ＣＣは、デジタル画像信号ＤＡＴＡが閾値以上であると判定した場合、当該デジタル画像信号ＤＡＴＡをＡ駆動回路４８０ａに供給する。また、デューティ比を所定の値に固定する信号を、Ｄ駆動回路４８０ｄに供給する機能を有する。例えば、デューティ比を１に固定する信号を供給できる。

判定回路ＣＣは、デジタル画像信号ＤＡＴＡが閾値未満であると判定した場合、デジタル画像信号ＤＡＴＡをＤ駆動回路４８０ｄに供給する。また、電流を所定の大きさ以上にする信号を、Ａ駆動回路４８０ａに供給する機能を有する。

なお、変調する電流の大きさ（振幅ということもできる）は、その電流で駆動された一の発光素子に隣接する他の発光素子に発生するクロストークが弁別できない程度であることが好ましい。例えば、クロストークを弁別できない定常電流のうち最小の電流を、当該変調される定常電流とすることができる。

《１．２Ａ駆動回路》

Ａ駆動回路４８０ａは、デジタル・アナログ変換回路ＤＡＣ並びにゲート側Ａ駆動回路部４０３ａｇおよびソース側Ａ駆動回路部４０３ａｓを備える。

なお、本実施の形態で説明するゲート側Ａ駆動回路部４０３ａｇおよびソース側Ａ駆動回路部４０３ａｓは、発光パネル４９０上に設けられている。

デジタル・アナログ変換回路ＤＡＣは、デジタル画像信号ＤＡＴＡを、定常電流の大きさを制御するＡ信号に変換し、Ａ信号を供給する機能を有する。

ゲート側Ａ駆動回路部４０３ａｇは、Ａ選択線から一を選択する機能を有する。

ソース側Ａ駆動回路部４０３ａｓは、供給されるＡ信号をゲート側Ａ駆動回路部４０３ａｇが選択するＡ選択線に接続された複数の副画素１０に供給できる。

《１．３Ｄ駆動回路》
Ｄ駆動回路４８０ｄは、第２のフレームメモリＦＭ＿２並びにゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇおよびソース側Ｄ駆動回路部４０３ｄｓを備える。

なお、本実施の形態で説明するゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇおよびソース側Ｄ駆動回路部４０３ｄｓは発光パネル４９０上に設けられている。

第２のフレームメモリＦＭ＿２は、デジタル画像信号ＤＡＴＡを格納し、電流を変調するためのＤ信号に変換し、Ｄ信号を供給する機能を有する。

ゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇは、Ｄ選択線から一を選択する機能を有する。

ソース側Ｄ駆動回路部４０３ｄｓは、供給されるＤ信号を、ゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇが選択するＤ選択線に接続された複数の副画素１０に供給できる。

＜２．発光パネル＞
発光パネル４９０は、表示部４０１と、Ａ駆動回路４８０ａの一部（ソース側Ａ駆動回路部４０３ａｓおよびゲート側Ａ駆動回路部４０３ａｇ）と、Ｄ駆動回路４８０ｄの一部（ソース側Ｄ駆動回路部４０３ｄｓおよびゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇ）と、を有する（図５（Ａ）参照）。

表示部４０１は、Ａ信号を供給できるＡ信号線ＡＳＬと第１の選択信号を供給できるＡ選択線ＡＧＬと、Ｄ信号を供給できるＤ信号線ＤＳＬと、第２の選択信号を供給できるＤ選択線ＤＧＬと、が配設されている。

表示部４０１は、複数の副画素１０を備え、副画素１０は１つまたは複数で画素を構成する。

副画素１０は、発光素子２３と、発光素子２３の発光を制御する画素回路１０ｃを備える（図５（Ｂ）参照）。

画素回路１０ｃは、一のＡ信号線ＡＳＬ、一のＡ選択線ＡＧＬ、一のＤ信号線ＤＳＬおよび一のＤ選択線ＤＧＬと電気的に接続される。また、画素回路１０ｃは駆動電源線ＰＷＲおよび共通電位線ＣＯＭと電気的に接続される（図５（Ｂ）参照）。

《２．１画素回路》
画素回路１０ｃは、第１の電極が発光素子の下部電極に電気的に接続される第１のトランジスタ２１を備える（図５（Ｂ）参照）。また、第１の電極が第１のトランジスタ２１の第２の電極に、第２の電極が駆動電源電位を供給することができる配線に、それぞれ電気的に接続される第２のトランジスタ２２を備える。また、第１の電極が第１のトランジスタ２１のゲート電極に、第２の電極が第２のトランジスタ２２の第２の電極に、それぞれ電気的に接続される第１の容量素子１３を備える。また、第１の電極が第２のトランジスタ２２のゲート電極に、第２の電極が第２のトランジスタの第２の電極に、それぞれ電気的に接続される第２の容量素子１４を備える。また、第１の電極が第１のトランジスタ２１のゲート電極に、第２の電極がＡ信号線ＡＳＬに、ゲート電極がＡ選択線ＡＧＬに、それぞれ電気的に接続される第３のトランジスタ１１を備える。また、第１の電極が第２のトランジスタ２２のゲート電極に、第２の電極がＤ信号線ＤＳＬに、ゲート電極がＤ選択線にそれぞれ電気的に接続される第４のトランジスタ１２を備える。

《２．２発光素子》
本実施の形態で例示する発光装置に適用可能な発光素子は、下部電極、上部電極並びにその間に２つの発光ユニットおよび発光ユニットに挟持される中間層を備える。当該発光素子の少なくとも一と発光素子に隣接する他の発光素子は、連続する中間層を備える。当該発光素子は、流れる電流が小さいほど顕著に、他の発光素子にクロストークを発生する。

なお、本実施の形態で例示する発光装置には、実施の形態１、実施の形態２または実施の形態６に説明する発光素子を適用できる。よって、発光素子の詳細な構成についての説明は、これらの実施の形態の記載を援用することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の駆動方法について説明する。具体的には、実施の形態１乃至実施の形態３に説明する発光装置４００の駆動方法について、図４乃至図８を参照しながら説明する。

図６は発光装置４００の駆動方法を説明するフローチャートである。

図７は表示部が備える段を、定常電流の大きさを制御して駆動する方法を説明する図である。

図８は表示部が備える段を、電流を変調して駆動する方法を説明する図である。

本実施の形態で説明する上記の発光装置の駆動方法は、以下のステップを有する（図６参照）。

第１のステップにおいて、階調情報を入力する（Ｓ−１）。
第２のステップにおいて、階調情報と所定の閾値を比較し、階調情報が閾値以上であるときは第３のステップに進み、階調情報が閾値未満であるときは、第６のステップに進む（Ｓ−２）。
第３のステップにおいて、定常電流の大きさを、階調情報に応じて決定する（Ｓ−３）。
第４のステップにおいて、電流を所定のデューティ比で発光素子に供給し、所定の期間の経過後に第５のステップに進む（Ｓ−４）。
第５ステップにおいて、電流の供給を終了する（Ｓ−５）。
第６のステップにおいて、デューティ比を階調情報に応じて決定する（Ｓ−６）。
第７のステップにおいて、所定の大きさ以上の電流を第６のステップで決定されたデューティ比で変調して発光素子に供給し、所定の期間の経過後に第５のステップに進む（Ｓ−７）。

本実施の形態で説明する本発明の一態様の駆動方法は、発光素子を駆動する電流の振幅を、クロストークを弁別できない大きさに保ちながら、デューティ比を変えて発光素子を駆動する発光装置の駆動方法である。これにより、発光素子が発光している期間において、当該発光素子を流れる電流を、クロストークを弁別できない電流に保つことができ、隣接する他の発光素子に発生するクロストークを弁別できない程度に抑制できる。その結果、一の発光素子の発光が、他の発光素子を備える発光モジュールに滲むように見える現象が低減される新規な発光装置を提供できる。

以下に、本発明の一態様の発光装置の駆動方法の詳細について説明する。具体的には、階調情報を含むデジタル画像信号ＤＡＴＡを、発光装置４００の発光パネル４９０の表示部４０１に表示する方法について説明する（図４参照）。

なお、本実施の形態では、本発明の一態様の理解を助けるために、デジタル画像信号ＤＡＴＡが階調０から階調２５５までの２５６の階調情報を含む場合を例に取り上げて説明する。また、階調６３を、駆動方法を決定するための所定の閾値とする。よって、本発明の一態様は、説明の便宜のために用いられるこれらの値に限定されるものではない。

《第１のステップ》
デジタル画像信号ＤＡＴＡを発光装置４００の駆動回路に供給し、第１のフレームメモリＦＭ＿１に格納する（図４および図６（Ｓ−１）参照）。

《第２のステップ》
判定回路ＣＣは、デジタル画像信号ＤＡＴＡと閾値を画素毎に比較する（図４および図６（Ｓ−２）参照）。判定回路ＣＣが供給されたデジタル画像信号ＤＡＴＡが閾値以上の階調情報を含むと判断する場合、第３のステップに進む。具体的には、デジタル画像信号ＤＡＴＡが階調６３以上階調２５５以下の階調情報を含む場合に、第３のステップに進む。

判定回路ＣＣが供給されたデジタル画像信号ＤＡＴＡが閾値未満であると判断する場合、第６のステップに進む。具体的には、デジタル画像信号ＤＡＴＡが階調０以上階調６２以下の階調情報を含む場合に、第６のステップに進む。

《第３のステップ》
デジタル画像信号ＤＡＴＡをデジタル・アナログ変換回路ＤＡＣに供給し、デジタル・アナログ変換回路ＤＡＣは当該信号をＡ信号に変換する。（図４および図６（Ｓ−３）参照）。

なお、Ａ信号は定常電流の大きさを制御する信号であり、クロストークを弁別できない定常電流に保つ信号が好ましい。

《第４のステップ》
Ａ信号とデューティ比を所定の値（例えば１）にするＤ信号を表示部４０１に供給する。これにより、決定された大きさの電流を所定のデューティ比で発光素子に供給する（図４および図６（Ｓ−４）参照）。

なお、所定のデューティ比は１以下であればよく、１に近いほど、疑似輪郭が認識され難くなるため好ましい。

所定の時間（例えば１フレーム期間）の経過後に、第５のステップに進む。

《第５のステップ》
電流の供給を終了し、デジタル画像情報ＤＡＴＡの表示を終了する（図４および図６（Ｓ−５）参照）。

《第６のステップ》
判定回路ＣＣが供給されたデジタル画像信号ＤＡＴＡが閾値未満であると判断する場合、デジタル画像信号ＤＡＴＡを第２のフレームメモリＦＭ＿２に供給する。第２のフレームメモリＦＭ＿２に格納された信号に基づいてＤ信号を決定し、Ｄ信号を供給する（図４および図６（Ｓ−６）参照）。なお、Ｄ信号はデューティ比を決定する信号であり、０以上１以下の値をとる。

閾値（例えば、階調６３）未満のそれぞれの階調について、デューティ比を決定する方法の一例を説明する。１フレーム期間を６種類の異なる長さの期間（１／６３、２／６３、４／６３、８／６３、１６／６３および３２／６３）に分け、１／６３を階調１に、２／６３を階調２に、４／６３階調４に、８／６３を階調８に、１６／６３を階調１６に、３２／６３を階調３２に割り当てる。分けられた６種類の期間を組み合わせた和を他の階調に割り当てる。例えば、階調６２には、５つの期間の和（２＋４＋８＋１６＋３２）／６３が割り当てられる。

《第７のステップ》
所定の大きさ以上の電流を、第６のステップで決定されたデューティ比で変調して発光素子に供給する。

所定の時間（例えば１フレーム期間）の経過後に、第５のステップに進む（図４および図６（Ｓ−７）参照）。

《１．閾値以上の階調情報を表示部に表示する方法》
第４のステップにおいて、閾値以上の階調情報を表示部に設けられた画素に表示する方法の詳細を、図７を用いて説明する。

図７は表示部が備える段を、Ａ信号を用いて大きさが制御された定常電流で駆動する方法を説明する図である。

表示部４０１は段３０を備える。段３０は、複数の画素が一列に配置された行を複数行（本実施の形態で例示する表示部は１つの段３０に６３行）備える。

なお、表示部４０１は段を複数有していてもよい。例えば、図７（Ａ）には、ｎ行目（ｎは１以上の自然数）を備える段３０と、その走査方向に隣接して、（ｎ＋６３）行目になるように他の段が設けられている。なお、（ｎ＋６３）行目はｎ行目と同じタイミングに選択される。

閾値以上の階調情報を画素に表示する方法は以下の通りである。なお、発光素子を流れる電流がクロストークを弁別できない電流になるように、閾値をあらかじめ設定する。このような閾値は、実験によって決定することができる。発光素子を流れる電流が、クロストークを弁別できない電流になるように、あらかじめ閾値を設定することにより、クロストークの発生を抑制できる。

デジタル・アナログ変換回路ＤＡＣはデジタル画像信号を画素毎にＡ信号に変換し、Ａ信号を供給する（図４参照）。

画素回路はＡ信号が供給され、発光素子に供給する電流の大きさを制御する。

ゲート側Ａ駆動回路部４０３ａｇは第１の選択信号を供給し、一のＡ選択線を順番に選択する。

なお、ゲート側Ａ駆動回路部４０３ａｇが、第１の選択信号を一のＡ選択線に供給する期間を１アナログ水平期間という。各画素は、Ａ信号を１アナログ水平期間中に供給される。

例えば、第１の選択信号をｎ行目に供給してｎ行目を選択し、次の１アナログ水平期間に、第１の選択信号を（ｎ＋１）行目に供給して（ｎ＋１）行目を選択する（図４および図７参照）。１段にある全ての行（本実施の形態では６３行）を一行ずつ選択したのち、再度ｎ行目を選択する。

なお、ゲート側Ａ駆動回路部４０３ａｇが、一のＡ選択線を選択した後、１段に設けられたＡ選択線をすべて選択し終えて、再度当該一のＡ選択線を選択するまでの期間を、１アナログフレーム期間という。本実施の形態では、６３水平期間が１アナログフレーム期間となる。

一行ずつ選択する方法としては、例えば、主回路４８０ｍがスタートパルスを供給し、ゲート側Ａ駆動回路部４０３ａｇが第１の選択信号を順番にＡ選択線に供給すればよい。

ゲート側Ａ駆動回路部４０３ａｇが選択する行が、時間の経過と共に推移する様子を、図７（Ａ）の右側と図７（Ｂ）に模式的に示す。

各画素は、書き込まれた階調情報を１アナログフレーム期間保持し、発光素子を駆動する。

また、ソース側Ｄ駆動回路部４０３ｄｓは、ゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇが選択するＤ選択線に電気的に接続された画素に、デューティ比を一定に保つＤ信号（例えばデューティ比が１になるＤ信号）を供給する。なお、Ｄ信号を書き込む方法の詳細は後述する。

《２．閾値未満の階調情報を表示部に表示する方法》
第７のステップにおいて、閾値未満の階調情報を画素に表示する方法の詳細を、図８を用いて説明する。

図８は表示部が備える段を、デューティ比を制御して駆動する方法を説明する図である。

なお、表示部４０１は段を複数有していてもよい。例えば、図８（Ａ）には、ｎ行目（ｎは１以上の自然数）を備える段３０と、その走査方向に隣接して他の段が（ｎ＋６３）行目になるように設けられている。なお、（ｎ＋６３）行目はｎ行目と同じタイミングに選択される。

閾値未満の階調情報を画素に表示する方法は以下の通りである。なお、発光素子が発光している期間に発光素子を流れる電流が、クロストークを弁別できない電流になるように、あらかじめ設定する。このような閾値は、実験によって決定することができる。発光素子を流れる電流が、クロストークを弁別できない電流になるように、あらかじめ閾値を設定することにより、クロストークの発生を抑制できる。

《２．１ 第１のアナログ水平期間》
ゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇは、ゲート側Ａ駆動回路部４０３ａｇが１つのＡ選択線を選択する期間（１アナログ水平期間）に、複数のＤ選択線を選択する。言い換えると、ゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇは、ゲート側Ａ駆動回路部４０３ａｇが一の第１の選択信号を供給する期間に、複数の第２の選択信号を供給する。

第１のアナログフレーム期間の開始と同時に、ゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇが選択を開始する一組のＤ選択線を「最初の一組の起点となる行」という。

本実施の形態では、１アナログ水平期間を一組の起点となる行の数で除した期間を１デジタル水平期間とする。具体的には、１デジタル水平期間は１アナログ水平期間を６等分した期間である。そして、ゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇは、第２の選択信号を６回供給し、６行一組の起点となる行を選択する。

本実施の形態で例示する一組の起点となる行は、均等でない間隔で段３０から選択される。具体的には、第１のデジタル水平期間にｎ行目を選択し、つづく第２のデジタル水平期間に（ｎ＋３１）行目を、第３のデジタル水平期間に（ｎ＋１５）行目を、第４のデジタル水平期間に（ｎ＋７）行目を、第５のデジタル水平期間に（ｎ＋３）行目を、第６のデジタル水平期間に（ｎ＋１）行目を順番に選択する（図８（Ａ）左側参照）。なお、段３０の走査方向に隣接する段に設けられた（ｎ＋６３）行目も、ｎ行目を選択するタイミングに選択される。

この選択方法によれば、第１のデジタル水平期間に選択される（ｎ＋６３）行目は第２のデジタル水平期間に選択される（ｎ＋３１）行目から３２行離れ、第２のデジタル水平期間に選択される（ｎ＋３１）行目は第３のデジタル水平期間に選択される（ｎ＋１５）行目から１６行離れる。また、第３のデジタル水平期間に選択される（ｎ＋１５）行目は第４のデジタル水平期間に選択される（ｎ＋７）行目から８行離れ、第４のデジタル水平期間に選択される（ｎ＋７）行目は第５のデジタル水平期間に選択される（ｎ＋３）行目から４行離れる。また、第５のデジタル水平期間に選択される（ｎ＋３）行目は第６のデジタル水平期間に選択される（ｎ＋１）行目から２行離れ、第６のデジタル水平期間に選択される（ｎ＋１）行目は第１のデジタル水平期間に選択されるｎ行目から１行離れる。

《２．２ 第２のアナログ水平期間》
第１のアナログ水平期間に続く第２のアナログ水平期間について説明する。ゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇは、第１のアナログ水平期間に選択した一組の起点となる行の走査方向に隣接する各行を、順番に選択する。なお、第２のアナログ水平期間に選択される一組の行を「次の一組の起点となる行」という。

具体的には、第２のアナログ水平期間は、第７乃至第１２のデジタル水平期間を含み、第７のデジタル水平期間に（ｎ＋１）行目を、第８のデジタル水平期間に（ｎ＋２）行目を、第９のデジタル水平期間に（ｎ＋４）行目を、第１０のデジタル水平期間に（ｎ＋８）行目を、第１１のデジタル水平期間に（ｎ＋１６）行目を、第１２のデジタル水平期間に（ｎ＋３２）行目を、この順に選択する。

なお、（ｎ＋６３）行目以上を選択するタイミングには、その行の数を（ｎ＋６２）で除して、その剰余から１を減じた数をｎに加えた数を求める。ゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇは、その数に該当する行を選択するものとする。

例えば（ｎ＋６３）行を選択しようとする場合、（ｎ＋６３）÷（ｎ＋６２）の剰余は１であり、剰余１から１を減じた数０をｎに加えた数に該当する行、すなわちｎ行目を選択する。

《２．３ １フレーム期間まで》
第２のアナログ水平期間から６３アナログ水平期間の終わりまで、ゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇは、アナログ水平期間毎に直前のアナログ水平期間に選択された「一組の起点となる行」の走査方向に隣接する各行を含む「次の一組の起点となる行」を繰り返し選択する。

本実施の形態で例示する発光パネルは１段に６３行備え、且つ６３アナログ水平期間が１フレームに相当する。よって、１フレーム期間が経過すると再び第１のアナログ水平期間と同じ「最初の一組の起点となる行」が選択されることになる（図８（Ｂ）参照）。

《２．４ サブ・フレーム》
ある行が一度選択されてから次に選択されるまでの期間（サブ・フレームという）は、最初の一組の起点となる行に設ける間隔に応じたものになる。ゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇを用いて一組の起点となる行を均等でない間隔で選択することによりサブ・フレームの期間を変調できる。

例えば、本実施の形態で例示するゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇは、第１のアナログ水平期間に「最初の一組の起点となる行」として（ｎ＋６３）行目、（ｎ＋３１）行目、（ｎ＋１５）行目、（ｎ＋７）行目、（ｎ＋３）行目、（ｎ＋１）行目およびｎ行目を選択する。

ここで、ｎ行目と同じタイミングで選択される（ｎ＋６３）行目に注目する。（ｎ＋６３）行目は、第１のフレーム期間において、第１のアナログ水平期間に選択された後、走査方向とは逆側に位置する（ｎ＋３１）行目を起点とする走査、（ｎ＋１５）行目を起点とする走査、（ｎ＋７）行目を起点とする走査、（ｎ＋３）行目を起点とする走査および（ｎ＋１）行目を起点とする走査が、（ｎ＋６３）行目に到達する際に選択される（図８（Ａ）右側参照）。

例えば、（ｎ＋３１）行目と（ｎ＋６３）行目の間には３２行の間隔があり、且つ選択行が一アナログ水平期間に１行分進む。従って、（ｎ＋３１）行目を起点とする走査は、第１のフレーム期間から３２アナログ水平期間の経過後に（ｎ＋６３）行目に到達する。

同様に、（ｎ＋１５）行目を起点とする走査は、（ｎ＋３１）行目を起点とする走査から１６アナログ水平期間の経過後に（ｎ＋６３）行目に到達し、（ｎ＋７）行目を起点とする走査は、（ｎ＋１５）行目を起点とする走査から８アナログ水平期間の経過後に（ｎ＋６３）行目に到達する。また、（ｎ＋３）行目を起点とする走査は、（ｎ＋７）行目を起点とする走査から４アナログ水平期間の経過後に（ｎ＋６３）行目に到達し、（ｎ＋１）行目を起点とする走査は、（ｎ＋３）行目を起点とする走査から２アナログ水平期間の経過後に（ｎ＋６３）行目に到達する。そして、ｎ行目を起点とする走査は、（ｎ＋１）行目を起点とする走査に連続して（ｎ＋６３）行目に到達する。

その結果、６つの長さの異なるサブ・フレームを１フレーム期間に設けることができる。

具体的には１フレーム期間（６３アナログ水平期間）に、３２アナログ水平期間、１６アナログ水平期間、８アナログ水平期間、４アナログ水平期間、２アナログ水平期間および１アナログ水平期間の長さが異なるサブ・フレーム期間を設けることができる（図８（Ｂ））。

《２．５ サブ・フレームを用いた変調》
１フレーム期間においてデューティ比を変化する方法について説明する。

具体的には、発光素子を点灯するか否かを選択できる６つの長さが異なるサブ・フレーム期間を１フレーム期間に設ける。そして、当該６つのサブ・フレーム期間から発光素子を点灯するサブ・フレームを適宜選択することにより、１フレーム期間に占める発光素子の点灯期間の割合、すなわちデューティ比を変えることができる。

具体的には、長さが３２アナログ水平期間のサブ・フレームのみを選択するＤ信号を供給することにより、クロストークを弁別できない大きさの電流の１フレーム期間におけるデューティ比を３２／６３に変調できる。

また、長さが１６アナログ水平期間のサブ・フレームのみを選択するＤ信号を供給することにより、クロストークを弁別できない大きさの電流の１フレーム期間におけるデューティ比を１６／６３に変調できる。

また、長さが８アナログ水平期間のサブ・フレームのみを選択するＤ信号を供給することにより、クロストークを弁別できない大きさの電流の１フレーム期間におけるデューティ比を８／６３に変調できる。

また、長さが４アナログ水平期間のサブ・フレームのみを選択するＤ信号を供給することにより、クロストークを弁別できない大きさの電流の１フレーム期間におけるデューティ比を４／６３に変調できる。

また、長さが８アナログ水平期間のサブ・フレームのみを選択するＤ信号を供給することにより、クロストークを弁別できない大きさの電流の１フレーム期間におけるデューティ比を２／６３に変調できる。

また、長さが８アナログ水平期間のサブ・フレームのみを選択するＤ信号を供給することにより、クロストークを弁別できない大きさの電流の１フレーム期間におけるデューティ比を１／６３に変調できる。

なお、以上のＤ信号を組み合わせて各サブ・フレームを選択することにより、デューティ比を０から６３まで変えることができる。

《複数の段が接続される表示パネル》
１段に６３行配設された段を縦に２段備える表示部の動作を図９に図示する。

図９（Ａ）は、選択される行が時間の経過と共に推移する様子を、ｎ行目のＤ選択線ＤＧＬ＿ｎに選択信号が入力される様子と共に模式的に示す図である。

図９（Ｂ）は、６行一組の起点となる行が、１アナログ水平期間中に１デジタル水平期間分ずれて選択される様子を模式的に示す図である。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置に適用可能な駆動回路の構成について、図１０乃至図１２を参照しながら説明する。具体的には、実施の形態４に例示するゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇの構成およびソース側Ｄ駆動回路部４０３ｄｓの構成について説明する。

図１０（Ａ）はゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇの構成を説明するブロック図である。図１０（Ｂ）および図１０（Ｃ）はゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇの動作を説明するタイミングチャートである。

図１１（Ａ）はゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇに設けるゲート側Ｄシフトレジスタの構成を説明するブロック図である。図１１（Ｂ）は当該ゲート側Ｄシフトレジスタの動作を説明するタイミングチャートである。

図１２（Ａ）はソース側Ｄ駆動回路部４０３ｄｓの構成を説明するブロック図である。図１２（Ｂ）はソース側Ｄ駆動回路部４０３ｄｓの動作を説明するタイミングチャートである。

＜ゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇ＞
ゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇは第２の選択信号を供給することができる。複数の第２の選択信号は、あらかじめ定められた間隔を有する一組の起点となる行を複数のＤ選択線から選択し、走査方向に隣接する各行を順番に選択する信号に用いることができる。

本実施の形態では、６３本のＤ選択線に第２の選択信号を供給する場合について、図１０を用いて説明する。

具体的には、１、２、４、８、１６および３２行の間隔を有する６行一組の起点となる行を、６３行から選択し、走査方向に隣接する各行を順番に選択する、６つの第２の選択信号を供給する場合を例に説明する。

《構成》
ゲート側Ｄ駆動回路部４０３ｄｇは、６つのゲート側Ｄシフトレジスタ（第１のゲート側ＤシフトレジスタＤＧＳＲ＿１乃至第６のゲート側ＤシフトレジスタＤＧＳＲ＿６）と、６３個のＯＲ回路（第１のＯＲ回路ＯＲ＿１乃至第６３のＯＲ回路ＯＲ＿６３）と、を有する（図１０（Ａ）参照）。

６つのゲート側Ｄシフトレジスタは、それぞれクロック信号入力端子、スタートパルス入力端子、パルス幅制御信号入力端子並びに第１の出力端子乃至第６３の出力端子を備える。

ＯＲ回路は、６個の入力端子と１つの出力端子を備える。

ＯＲ回路の入力端子は、第１のゲート側ＤシフトレジスタＤＧＳＲ＿１乃至第６のゲート側ＤシフトレジスタＤＧＳＲ＿６と、電気的に接続される。また、第ｋ（ｋは１以上６３以下の自然数）のＯＲ回路ＯＲ＿ｋの出力端子は、第ｋのＤ選択線ＤＧＬ＿ｋに接続される。

《動作》
６種類のスタートパルス信号と、第１のＤ選択線ＤＧＬ＿１に供給される選択信号のタイミングチャートを図１０（Ｂ）に示す。また、クロック信号ＣＬＫとの関係を表すタイミングチャートを図１０（Ｃ）に示す。

第ｈ（ｈは１以上６以下の自然数）のゲート側ＤシフトレジスタＤＧＳＲ＿ｈは第ｈのスタートパルス信号ＳＰ＿ｈおよび第ｈのパルス幅制御信号ＰＷＣ＿ｈを供給される。また、クロック信号ＣＬＫを供給される。

クロック信号ＣＬＫ、６種類のスタートパルス信号（第１のスタートパルス信号ＳＰ＿１乃至第６のスタートパルス信号ＳＰ＿６）および６種類のパルス幅制御信号（第１のパルス幅制御信号ＰＷＣ＿１乃至第６のパルス幅制御信号ＰＷＣ＿６）を、Ｄ駆動回路４８０ｄの主回路４８０ｍは供給することができる。

なお、クロック信号ＣＬＫは、２アナログ水平期間毎の信号を用いることができる。

《ＳＰ信号》
６種類のスタートパルス信号は、いずれも間隔が１フレーム期間（６３アナログ水平期間）の信号である。しかし、６種類のスタートパルス信号は、互いにずれて供給される。

具体的には、第２のスタートパルス信号ＳＰ＿２は第１のスタートパルス信号ＳＰ＿１から３２アナログ水平期間遅れて供給される信号である。第３のスタートパルス信号ＳＰ＿３は第２のスタートパルス信号ＳＰ＿２から１６アナログ水平期間遅れて供給される信号である。第４のスタートパルス信号ＳＰ＿４は第３のスタートパルス信号ＳＰ＿３から８アナログ水平期間遅れて供給される信号である。第５のスタートパルス信号ＳＰ＿５は第４のスタートパルス信号ＳＰ＿４から４アナログ水平期間遅れて供給される信号である。第６のスタートパルス信号ＳＰ＿６は第５のスタートパルス信号ＳＰ＿５から２アナログ水平期間遅れて供給される信号である。第１のスタートパルス信号ＳＰ＿１は第６のスタートパルス信号ＳＰ＿６から１アナログ水平期間遅れて供給される信号である。

《ＰＷＣ信号》
６種類のパルス幅制御信号の間隔は、いずれも１アナログ水平期間である。しかし、６種類のパルス幅制御信号は、互いにずれて供給される。

具体的には、第２のパルス幅制御信号ＰＷＣ＿２は第１のパルス幅制御信号ＰＷＣ＿１から１／６アナログ水平期間遅れて供給される。第３のパルス幅制御信号ＰＷＣ＿３は第２のパルス幅制御信号ＰＷＣ＿２から１／６アナログ水平期間遅れて供給される。第４のパルス幅制御信号ＰＷＣ＿４は第３のパルス幅制御信号ＰＷＣ＿３から１／６アナログ水平期間遅れて供給される。第５のパルス幅制御信号ＰＷＣ＿５は第４のパルス幅制御信号ＰＷＣ＿４から１／６アナログ水平期間遅れて供給される。第６のパルス幅制御信号ＰＷＣ＿６は第５のパルス幅制御信号ＰＷＣ＿５から１／６アナログ水平期間遅れて供給される信号である。

なお、１／６アナログ水平期間は１デジタル水平期間に相当し、１デジタル水平期間に一行のＤ選択線が選択される期間である。

《ゲート側Ｄシフトレジスタ》
ゲート側Ｄシフトレジスタは、複数の第２の選択信号を出力するための信号をパルス幅制御信号ＰＷＣ＿２から生成し、１アナログ水平期間中に供給できる。例えば、第２のゲート側ＤシフトレジスタＤＧＳＲ＿２は、第２の選択信号を出力するための信号をパルス幅制御信号ＰＷＣ＿２から生成し、第１のＯＲ回路ＯＲ＿１乃至第６３のＯＲ回路ＯＲ＿６３に順番に供給できる。

《構成》
ゲート側Ｄシフトレジスタの構成の一例を、図１１（Ａ）を用いて説明する。図１１（Ａ）は、第２のゲート側ＤシフトレジスタＤＧＳＲ＿２の構成を表すブロック図である。

ゲート側ＤシフトレジスタＤＧＳＲ＿２は、６３個の組み合わせ回路（第１の組み合わせ回路ＳＲ＿１乃至第６３の組み合わせ回路ＳＲ＿６３）と、６３個のＡＮＤ回路（第１のＡＮＤ回路ＡＮＤ＿１乃至第６３のＡＮＤ回路ＡＮＤ＿６３）と、を有する。

組み合わせ回路は入力端子、出力端子およびＣＬＫ端子を有する。

第１の組み合わせ回路ＳＲ＿１の入力端子は、第２のスタートパルス信号ＳＰ＿２を供給することができる配線に電気的に接続される。第ｊ（ｊは２以上６３以下）の組み合わせ回路ＳＲ＿ｊの入力端子は第（ｊ−１）の組み合わせ回路ＳＲ＿（ｊ−１）の出力端子に電気的に接続される。また、組み合わせ回路のＣＬＫ端子はいずれもクロック信号ＣＬＫを供給することができる配線に電気的に接続される。

第ｋ（ｋは１以上６３以下）のＡＮＤ回路ＡＮＤ＿ｋは第１の入力端子、第２の入力端子および第３の入力端子と１つの出力端子を備える。ＡＮＤ回路ＡＮＤ＿ｋの第１の入力端子は、第ｋの組み合わせ回路ＳＲ＿ｋの入力端子と電気的に接続され、ＡＮＤ回路ＡＮＤ＿ｋの第３の入力端子は、第ｋの組み合わせ回路ＳＲ＿ｋの出力端子と電気的に接続される。ＡＮＤ回路ＡＮＦ＿Ｋの第２の入力端子は第２のパルス幅制御信号ＰＷＣ＿２を供給することができる配線に電気的に接続される。

第ｋのＡＮＤ回路ＡＮＤ＿ｋの出力端子は、第ｋのＯＲ回路に信号を供給することができる配線と接続される。

《組み合わせ回路の動作》
第ｋの組み合わせ回路ＳＲ＿ｋは、入力端子に入力される信号をクロック信号ＣＬＫに同期して読み込む。また、読み込んだ信号を、クロック信号ＣＬＫの反転に同期して出力端子に出力する。このような動作をする組み合わせ回路は種々の論理回路を組み合わせて構成することができる。

《ゲート側Ｄシフトレジスタの動作》
第２のゲート側ＤシフトレジスタＤＧＳＲ＿２の動作を、図１１（Ｂ）を用いて説明する。図１１（Ｂ）は、第２のゲート側ＤシフトレジスタＤＧＳＲ＿２に係る信号のタイミングチャートである。

なお、図１１（Ｂ）中、ＣＬＫはクロック信号ＣＬＫを、ＳＰ＿２は第２のスタートパルス信号ＳＰ＿２を、ＳＲ＿１は第１の組み合わせ回路ＳＲ＿１が供給する信号を、ＳＲ＿２は第２の組み合わせ回路ＳＲ＿２が供給する信号を、ＳＲ＿３は第３の組み合わせ回路ＳＲ＿３が供給する信号を表す。また、ＯＲ＿１は第１のＡＮＤ回路ＡＮＤ＿１が供給する信号を、ＯＲ＿２は第２のＡＮＤ回路ＡＮＤ＿２が供給する信号を、ＯＲ＿３は第３のＡＮＤ回路ＡＮＤ＿３が供給する信号を表す。

なお、クロック信号ＣＬＫは、アナログ水平期間の二倍の間隔で供給される。

第２のスタートパルス信号ＳＰ＿２は、誤動作をしない範囲でクロック信号ＣＬＫが反転するタイミングよりも早くロウの状態からハイの状態に変わる。

第１の組み合わせ回路ＳＲ＿１は、第２のスタートパルス信号ＳＰ＿２をクロック信号ＣＬＫに同期して読み込み、クロック信号ＣＬＫの反転に同期して出力する。言い換えると、第１の組み合わせ回路ＳＲ＿１は、供給された信号をクロック信号ＣＬＫの周期の１／２（１アナログ水平期間に相当する）だけ遅延して出力する。これにより、第２のスタートパルス信号ＳＰ＿２が供給された後の１アナログ水平期間、第１の組み合わせ回路ＳＲ＿１の入力と出力がいずれもハイの状態となる。

同様に、第ｊの組み合わせ回路ＳＲ＿ｊは、第（ｊ−１）の組み合わせ回路ＳＲ＿（ｊ−１）から供給される信号をクロック信号ＣＬＫに同期して読み込み、供給された信号をクロック信号ＣＬＫの周期の１／２だけ遅延して出力する。これにより、第２のスタートパルス信号ＳＰ＿２は、第（ｊ−１）の組み合わせ回路ＳＲ＿（ｊ−１）から第ｊの組み合わせ回路ＳＲ＿ｊにシフトしながら供給される。

また、第ｋの組み合わせ回路ＳＲ＿ｋの入力信号と出力信号は、第ｋのＡＮＤ回路ＡＮＤ＿ｋに供給される。

一方、第ｋのＡＮＤ回路ＡＮＤ＿ｋは、第２のパルス幅制御信号ＰＷＣ＿２も供給され、ＳＲ＿ｋの入力信号および出力信号並びに第２のパルス幅制御信号ＰＷＣ＿２がいずれもハイの状態において、第２の選択信号を出力するための信号を生成し、第ｋのＯＲ回路ＯＲ＿ｋに供給できる。

言い換えると、第ｋのＡＮＤ回路ＡＮＤ＿ｋは順番にシフトしながら、第２のスタートパルス信号ＳＰ＿２から第２の選択信号を出力するための信号を生成し、第ｋのＯＲ回路ＯＲ＿ｋに供給する。

＜ソース側Ｄ駆動回路部４０３ｄｓ＞
ソース側Ｄ駆動回路部４０３ｄｓは、供給されるシリアルのＤ信号をパラレルのＤ信号に変換し、各画素に供給する機能を有する回路部である。

シリアルのＤ信号は、第２のフレームメモリＦＭ＿２が供給する信号であり、各画素を駆動するためのＤ信号が順番に繋げられた信号を含む。ソース側Ｄ駆動回路部４０３ｄｓはパラレルに変換されたＤ信号を、第２の選択信号に選択されたＤ選択線に接続された複数の画素に供給できる。

なお、第２の選択信号は、一組の起点となる行に接続されたＤ選択線を順番に選択する信号である。

《構成》
ソース側Ｄ駆動回路部４０３ｄｓの構成を、図１２に示す。

本実施の形態に例示するソース側Ｄ駆動回路部４０３ｄｓは、Ｑ（Ｑは２以上の自然数）本のＤ信号線ＤＳＬ（ＤＳＬ＿１乃至ＤＳＬ＿Ｑ）と電気的に接続される（図１２（Ａ）参照）。

第１の組み合わせ回路ＳＲ＿１の入力端子は、スタートパルス信号ＳＰを供給することができる配線と電気的に接続され、第ｐ（ｐは２以上Ｑ以下の整数）の組み合わせ回路ＳＲ＿ｐの出力端子は、第（ｐ−１）の組み合わせ回路ＳＲ＿（ｐ−１）の入力端子と電気的に接続される。また、いずれの組み合わせ回路も、クロック信号ＣＬＫ＿Ｄを供給することができる信号線と電気的に接続される。

第ｐのＡＮＤ回路ＡＮＤ＿ｐは２つの入力端子を備え、一方の入力端子は第ｐの組み合わせ回路ＳＲ＿ｐの入力信号を供給することができる配線と電気的に接続され、他方の入力端子は第ｐの組み合わせ回路ＳＲ＿ｐの出力信号を供給することができる配線と電気的に接続される。

第ｐの前段ラッチ回路ＬＡＴ１＿ｐは２つの入力端子を備え、一方の入力端子は第ｐのＡＮＤ回路ＡＮＤ＿ｐの出力信号を供給することができる配線と電気的に接続され、他方の入力端子はシリアルのＤ信号を供給することができる配線と電気的に接続される。

第ｐの後段ラッチ回路ＬＡＴ２＿ｐは２つの入力端子を備え、一方の入力端子は第ｐの前段ラッチ回路の出力信号を供給することができる配線と電気的に接続され、他方の入力端子はラッチ制御信号ＬＡＴを供給することができる配線と電気的に接続される。

《動作》
ソース側Ｄ駆動回路部４０３ｄｓに係る信号のタイミングチャートを図１２（Ｂ）に示し、ソース側Ｄ駆動回路部４０３ｄｓの動作を説明する。

図１２（Ｂ）は、６デジタル水平期間または１アナログ水平期間のタイミングチャートである。言い換えると、６行一組の起点となる行に電気的に接続された画素に、Ｄ信号を供給する期間のタイミングチャートである。

スタートパルスＳＰは１デジタル水平期間毎の信号である。また、第１のＤ信号線ＤＳＬ＿１に接続される画素を制御するためのＤ信号がスタートパルスＳＰに同期して供給される。

第１のＡＮＤ回路ＡＮＤ＿１乃至第ＱのＡＮＤ回路ＡＮＤ＿Ｑは、クロック信号に同期して、前段ラッチ回路を選択する信号を順番に供給する。

シリアルのＤ信号は、クロック信号ＣＬＫ＿Ｄに同期して、画素毎のＤ信号を供給する信号である。

前段ラッチ回路は、前段ラッチ回路を選択する信号が供給されている期間中にＤ信号を格納し、当該Ｄ信号を次に選択する信号が供給されるときまで出力端子に出力する。

第１の前段ラッチ回路ＬＡＴ１＿１が、第１のＤ信号線ＤＳＬ＿１に接続される画素を制御するためのＤ信号を格納してから、第Ｑの前段ラッチ回路ＬＡＴ１＿Ｑが第ＱのＤ信号線ＤＳＬ＿Ｑに接続される画素を制御するためのＤ信号を格納するまで、上述の動作を繰り返す。言い換えると、ソース側Ｄ駆動回路部４０３ｄｓが、各Ｄ選択線に接続される画素の制御に必要なＤ信号を格納するまで、上述の動作を繰り返す。

ラッチ制御信号ＬＡＴはデジタル水平期間毎の信号である。

後段ラッチ回路は、ＬＡＴ信号がロウである期間中に前段ラッチ回路が供給するＤ信号を格納し、ＬＡＴ信号がハイである期間中に出力端子に出力する。

以上のように、ソース側Ｄ駆動回路部４０３ｄｓは、デジタル水平期間毎に供給されるＬＡＴ信号に同期して、Ｑ個の画素を制御するためのパラレルのＤ信号を出力する。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光モジュールに用いることができる発光素子の構成について説明する。図１３を参照しながら説明する。

本実施の形態で例示する発光素子は、第１の電極、第２の電極及び第１の電極と第２の電極の間に発光性の有機化合物を含む層（以下ＥＬ層という）を備える。第１の電極または第２の電極のいずれか一方は陽極、他方は陰極として機能する。ＥＬ層は第１の電極と第２の電極の間に設けられ、該ＥＬ層の構成は第１の電極と第２の電極の材質に合わせて適宜選択すればよい。

＜発光素子の構成例＞
発光素子の構成の一例を図１３（Ａ）に示す。図１３（Ａ）に例示する発光素子は、陽極１１０１と陰極１１０２の間に第１の発光ユニット１１０３ａと第２の発光ユニット１１０３ｂを含むＥＬ層が設けられている。さらに、第１の発光ユニット１１０３ａと、第２の発光ユニット１１０３ｂとの間には中間層１１０４が設けられている。

陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層に陽極１１０１の側から正孔が注入され、陰極１１０２の側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する。

なお、本明細書においては、両側から注入された電子と正孔が再結合する領域を１つ有する層または積層体を発光ユニットという。

陽極１１０１と陰極１１０２の間に設ける発光ユニットの数は２つに限定されない。図１３（Ｃ）に例示する発光素子は、発光ユニット１１０３が複数積層された構造、所謂、タンデム型の発光素子の構成を備える。但し、例えば陽極と陰極の間にｎ（ｎは２以上の自然数）層の発光ユニット１１０３を設ける場合には、ｍ（ｍは自然数、１以上（ｎ−１）以下）番目の発光ユニットと、（ｍ＋１）番目の発光ユニットとの間に、それぞれ中間層１１０４を設ける構成とする。

発光ユニット１１０３は、少なくとも発光物質を含む発光層を１つ以上備えていればよく、発光層以外の層と積層された構造であっても良い。発光層以外の層としては、例えば正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔輸送性に乏しい（ブロッキングする）物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、並びにバイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い）の物質等を含む層が挙げられる。

発光ユニット１１０３の構成の一例を図１３（Ｂ）に示す。図１３（Ｂ）に示す発光ユニット１１０３は、正孔注入層１１１３、正孔輸送層１１１４、発光層１１１５、電子輸送層１１１６、並びに電子注入層１１１７が陽極１１０１側からこの順に積層されている。

中間層１１０４の構成の一例を図１３（Ａ）に示す。中間層１１０４は少なくとも電荷発生領域を含んで形成されていればよく、電荷発生領域以外の層と積層された構成であってもよい。例えば、第１の電荷発生領域１１０４ｃ、電子リレー層１１０４ｂ、及び電子注入バッファ層１１０４ａが陰極１１０２側から順次積層された構造を適用することができる。

中間層１１０４における電子と正孔の挙動について説明する。陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおいて、正孔と電子が発生し、正孔は陰極１１０２側に設けられた発光ユニット１１０３ｂへ移動し、電子は電子リレー層１１０４ｂへ移動する。

電子リレー層１１０４ｂは電子輸送性が高く、第１の電荷発生領域１１０４ｃで生じた電子を電子注入バッファ層１１０４ａに速やかに受け渡す。電子注入バッファ層１１０４ａは発光ユニット１１０３に電子を注入する障壁を緩和し、発光ユニット１１０３への電子注入効率を高める。従って、第１の電荷発生領域１１０４ｃで発生した電子は、電子リレー層１１０４ｂと電子注入バッファ層１１０４ａを経て、発光ユニット１１０３の最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位ともいう）に注入される。

また、電子リレー層１１０４ｂは、第１の電荷発生領域１１０４ｃを構成する物質と電子注入バッファ層１１０４ａを構成する物質が界面で反応し、互いの機能が損なわれてしまう等の相互作用を防ぐことができる。

陰極側に設けられた発光ユニット１１０３ｂに注入された正孔は、陰極１１０２から注入された電子と再結合し、当該発光ユニットに含まれる発光物質が発光する。また、陽極側に設けられた発光ユニットに注入された電子は、陽極側から注入された正孔と再結合し、当該発光ユニットに含まれる発光物質が発光する。よって、中間層１１０４において発生した正孔と電子は、それぞれ異なる発光ユニットにおいて発光に至る。

なお、発光ユニット同士を接して設けることで、両者の間に中間層と同じ構成が形成される場合は、発光ユニット同士を接して設けることができる。具体的には、発光ユニットの一方の面に電荷発生領域が形成されていると、当該電荷発生領域は中間層の第１の電荷発生領域として機能するため、発光ユニット同士を接して設けることができる。

なお、陰極とｎ番目の発光ユニットの間に中間層を設けることもできる。

＜発光素子に用いることができる材料＞
次に、上述した構成を備える発光素子に用いることができる具体的な材料について、陽極、陰極、ＥＬ層、電荷発生領域、電子リレー層並びに電子注入バッファ層の順に説明する。

＜陽極に用いることができる材料＞
陽極１１０１は、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上が好ましい）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有したインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。

この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン等）、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、チタン酸化物等が挙げられる。

但し、陽極１１０１と接して第２の電荷発生領域を設ける場合には、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を陽極１１０１に用いることができる。具体的には、仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料を用いることもできる。第２の電荷発生領域を構成する材料については、第１の電荷発生領域と共に後述する。

＜陰極に用いることができる材料＞
陰極１１０２は、仕事関数の小さい（具体的には４．０ｅＶ未満）材料が好ましいが、陰極１１０２に接して第１の電荷発生領域を、発光ユニット１１０３との間に設ける場合、陰極１１０２は仕事関数の大小に関わらず様々な導電性材料を用いることができる。

なお、陰極１１０２および陽極１１０１のうち少なくとも一方を、可視光を透過する導電膜を用いて形成する。可視光を透過する導電膜としては、例えば酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などを挙げることができる。また、光を透過する程度（好ましくは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下程度）の金属薄膜を用いることもできる。

＜ＥＬ層に用いることができる材料＞
上述した発光ユニット１１０３を構成する各層に用いることができる材料について、以下に具体例を示す。

＜正孔注入層＞
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。

なお、正孔注入層の代わりに第２の電荷発生領域を用いてもよい。第２の電荷発生領域を用いると、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を陽極１１０１に用いることができるのは前述の通りである。第２の電荷発生領域を構成する材料については第１の電荷発生領域と共に後述する。

＜正孔輸送層＞
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層は、単層に限られず正孔輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子よりも正孔の輸送性の高い物質であればよく、特に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。

＜発光層＞
発光層は、発光物質を含む層である。発光層は、単層に限られず発光物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。発光物質は蛍光性化合物や、燐光性化合物を用いることができる。発光物質に燐光性化合物を用いると、発光素子の発光効率を高められるため好ましい。

発光物質は、ホスト材料に分散させて用いるのが好ましい。ホスト材料としては、その励起エネルギーが、発光物質の励起エネルギーよりも大きなものが好ましい。

＜電子輸送層＞
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層は、単層に限られず電子輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。正孔よりも電子の輸送性の高い物質であればよく、特に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。

＜電子注入層＞
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層は、単層に限られず電子注入性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子注入層を設ける構成とすることで陰極１１０２からの電子の注入効率が高まり、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。

電子注入性の高い物質としては、例えばリチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）等のアルカリ金属、アルカリ土類金属またはこれらの化合物が挙げられる。また電子輸送性を有する物質中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属、マグネシウム（Ｍｇ）又はそれらの化合物を含有させたもの、例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いることもできる。

＜電荷発生領域に用いることができる材料＞
第１の電荷発生領域１１０４ｃ、及び第２の電荷発生領域は、正孔輸送性の高い物質と正孔輸送性の物質に対してアクセプター性物質を含む領域である。なお、電荷発生領域は、同一膜中に正孔輸送性の高い物質と正孔輸送性の物質に対してアクセプター性物質を含有する場合だけでなく、正孔輸送性の高い物質を含む層と正孔輸送性の物質に対してアクセプター性物質を含む層とが積層されていても良い。但し、陰極に接して設けられる第１の電荷発生領域が積層構造の場合には、正孔輸送性の高い物質を含む層が陰極１１０２と接する構造となる。陽極に接して設けられる第２の電荷発生領域が積層構造の場合には、正孔輸送性の物質に対してアクセプター性物質を含む層が陽極１１０１と接する構造となる。

なお、電荷発生領域において、正孔輸送性の高い物質に対して質量比で、０．１以上４．０以下の比率で正孔輸送性の物質に対してアクセプター性物質を添加することが好ましい。

電荷発生領域に用いる正孔輸送性の物質に対してアクセプター性物質としては、遷移金属酸化物、特に元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物が好ましい。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。なお、酸化モリブデンは、吸湿性が低いという特徴を有している。

また、電荷発生領域に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマーを含む）など、種々の有機化合物を用いることができる。具体的には、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。

＜電子リレー層に用いることができる材料＞
電子リレー層１１０４ｂは、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおいて正孔輸送性の物質に対してアクセプター性物質がひき抜いた電子を速やかに受け取ることができる層である。従って、電子リレー層１１０４ｂは、電子輸送性の高い物質を含む層であり、またそのＬＵＭＯ準位は、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおける正孔輸送性の物質に対してアクセプター性物質のアクセプター準位と、発光ユニット１１０３のＬＵＭＯ準位との間に位置する。具体的には、およそ−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするのが好ましい。

電子リレー層１１０４ｂに用いる物質としては、例えば、ペリレン誘導体や、含窒素縮合芳香族化合物が挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定な化合物であるため電子リレー層１１０４ｂに用いる物質として好ましい。さらに、含窒素縮合芳香族化合物のうち、シアノ基やフッ素などの電子吸引基を有する化合物を用いることにより、電子リレー層１１０４ｂにおける電子の受け取りがさらに容易になるため、好ましい。

＜電子注入バッファ層に用いることができる材料＞
電子注入バッファ層１１０４ａは、第１の電荷発生領域１１０４ｃから発光ユニット１１０３ａへの電子の注入を容易にする層である。電子注入バッファ層１１０４ａを第１の電荷発生領域１１０４ｃと発光ユニット１１０３ａの間に設けることにより、両者の注入障壁を緩和することができる。

電子注入バッファ層１１０４ａには、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。

また、電子注入バッファ層１１０４ａが、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、０．００１以上０．１以下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した発光ユニット１１０３の一部に形成することができる電子輸送層の材料と同様の材料を用いて形成することができる。

＜発光素子の作製方法＞
発光素子の作製方法の一態様について説明する。第１の電極上にこれらの層を適宜組み合わせてＥＬ層を形成する。ＥＬ層は、それに用いる材料に応じて種々の方法（例えば、乾式法や湿式法等）を用いることができ、例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコート法などを選んで用いればよい。また、各層で異なる方法を用いて形成してもよい。ＥＬ層上に第２の電極を形成し、発光素子を作製する。

以上のような材料を組み合わせることにより、本実施の形態に示す発光素子を作製することができる。この発光素子からは、上述した発光物質からの発光が得られ、その発光色は発光物質の種類を変えることにより選択できる。

また、発光色の異なる複数の発光物質を用いることにより、発光スペクトルの幅を拡げて、例えば白色発光を得ることもできる。白色発光を得る場合には、例えば、発光物質を含む層を少なくとも２つ備える構成とし、それぞれの層を互いに補色の関係にある色を呈する光を発するように構成すればよい。具体的な補色の関係としては、例えば青色と黄色、あるいは青緑色と赤色等が挙げられる。

さらに、演色性の良い白色発光を得る場合には、発光スペクトルが可視光全域に拡がるものが好ましく、例えば、一つの発光素子が青色を呈する光を発する層、緑色を呈する光を発する層、赤色を呈する光を発する層を備える構成とすればよい。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について説明する。具体的には、本発明の一態様の発光装置を搭載した電子機器について図１４を用いて説明する。

発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図１４に示す。

図１４（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示することが可能であり、発光装置を表示部７１０３に用いることができる。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。

テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。

なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図１４（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部７２０３に用いることにより作製される。

図１４（Ｃ）は携帯型遊技機であり、筐体７３０１と筐体７３０２の２つの筐体で構成されており、連結部７３０３により、開閉可能に連結されている。筐体７３０１には表示部７３０４が組み込まれ、筐体７３０２には表示部７３０５が組み込まれている。また、図１４（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部７３０６、記録媒体挿入部７３０７、ＬＥＤランプ７３０８、入力手段（操作キー７３０９、接続端子７３１０、センサ７３１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７３１２）等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部７３０４および表示部７３０５の両方、または一方に発光装置を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図１４（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図１４（Ｃ）に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。

図１４（Ｄ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、発光装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。

図１４（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。

表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。

例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好ましい。

また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。

また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、または筐体７４０１の操作ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。

また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。

表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。

図１４（Ｅ）は、折りたたみ式のコンピュータの一例を示している。折りたたみ式のコンピュータ７４５０は、ヒンジ７４５４で接続された筐体７４５１Ｌと筐体７４５１Ｒを備えている。また、操作ボタン７４５３、左側スピーカ７４５５Ｌおよび右側スピーカ７４５５Ｒの他、コンピュータ７４５０の側面には図示されていない外部接続ポート７４５６を備える。なお、筐体７４５１Ｌに設けられた表示部７４５２Ｌと、筐体７４５１Ｒに設けられた表示部７４５２Ｒが互いに対峙するようにヒンジ７４５４を折り畳むと、表示部を筐体で保護することができる。

表示部７４５２Ｌと表示部７４５２Ｒは、画像を表示する他、指などで触れると情報を入力できる。例えば、インストール済みのプログラムを示すアイコンを指でふれて選択し、プログラムを起動できる。または、表示された画像の二箇所に触れた指の間隔を変えて、画像を拡大または縮小できる。または、表示された画像の一箇所に触れた指を移動して画像を移動できる。また、キーボードの画像を表示して、表示された文字や記号を指で触れて選択し、情報を入力することもできる。

また、コンピュータ７４５０に、ジャイロ、加速度センサ、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）受信機、指紋センサ、ビデオカメラを搭載することもできる。例えば、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、コンピュータ７４５０の向き（縦か横か）を判断して、表示する画面の向きを自動的に切り替えるようにすることができる。

また、コンピュータ７４５０はネットワークに接続できる。コンピュータ７４５０はインターネット上の情報を表示できる他、ネットワークに接続された他の電子機器を遠隔から操作する端末として用いることができる。

図１４（Ｆ）は、照明装置の一例を示している。照明装置７５００は、筐体７５０１に光源として本発明の一態様の発光装置７５０３ａ、発光装置７５０３ｂ、発光装置７５０３ｃ、発光装置７５０３ｄが組み込まれている。照明装置７５００は、天井や壁等に取り付けることが可能である。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

本実施例では、本発明の一態様の駆動方法を用いて本発明の一態様の発光装置を駆動した結果について図１５乃至図１７を参照しながら説明する。

図１５は、本発明の一態様の発光装置の構成を説明するブロック図である。

図１６および図１７は、本発明の一態様の発光装置が発する光のスペクトルを示す図である。

＜発光装置の構成＞
発光装置１４００は、発光パネル１４９０と駆動回路１４８０を有する（図１５（Ａ）参照）。

本実施例では、発光パネル１４９０をデューティ比１で駆動する場合、多出力直流安定化電源（株式会社ケンウッド製、ＰＷ１８−１．８ＡＱ）を駆動回路１４８０に用いた。

発光パネル１４９０をデューティ比１未満で駆動する場合、任意波形生成器（アジレント・テクノロジー株式会社製、３３２５０Ａ）を駆動回路１４８０に用いた。

＜発光パネルの構成＞
発光パネル１４９０は対角の長さが１．７７インチの領域に、３２６ｐｐｉの精細度で複数の画素を有する。各画素は緑色を呈する光を発する副画素、青色を呈する光を発する副画素および赤色を呈する光を発する副画素を有する。

発光パネル１４９０が備える副画素の配置を図１５（Ｂ）に示す。副画素は、行方向に２６μｍの間隔で、列方向に７８μｍの間隔で、行列状に繰り返し配置されている。いずれの副画素も略長方形の発光素子を備える。隣接する発光素子の間には隔壁が設けられている。隔壁の行方向および列方向の幅は、いずれも７μｍにした。副画素の開口率は６５．７％にした。

緑色を呈する光を発する副画素は、緑色の光を透過するカラーフィルタ１４４１Ｇと発光素子１４２０Ｇを備える。

青色を呈する光を発する副画素は、青色の光を透過するカラーフィルタ１４４１Ｂと発光素子１４２０Ｂを備える。

赤色を呈する光を発する副画素は、赤色の光を透過するカラーフィルタ１４４１Ｒと発光素子１４２０Ｒを備える。

発光素子１４２０Ｇ、発光素子１４２０Ｂおよび発光素子１４２０Ｒは、いずれも白色を呈する光を発する。

＜発光素子の構成＞
発光素子は、下部電極、上部電極並びにその間に２つの発光ユニットおよび当該発光ユニットに挟持される中間層を備え、発光素子の少なくとも一は、隣接する他の発光素子の中間層と連続する中間層を備える。

発光素子の構成を図１９に示す。発光素子は、基板２００上に設けられ、いずれも下部電極２５１が反射膜を兼ね、上部電極２５２が半透過・半反射膜を兼ね、下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合物を含む層を備える。

《下部電極の構成》
いずれの発光モジュールも、反射膜を兼ねる下部電極２５１に２００ｎｍのアルミニウム−チタン合金膜と、その上に厚さ６ｎｍのチタン膜を積層して用いた。また、光学調整層として酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（略称：ＩＴＳＯ）膜を用いた。なお、発光色ごとに光学調整層の厚さを最適化した。

具体的には、緑色を呈する光を発する発光モジュールに厚さ４０ｎｍのＩＴＳＯ膜を光学調整層として設け、赤色を呈する光を発する発光モジュールに厚さ８０ｎｍのＩＴＳＯ膜を光学調整層として設けた。なお、青色を呈する光を発する発光モジュールには、上述の６ｎｍのチタン膜に接して発光性の有機化合物を含む層を設けた。

《上部電極の構成》
上部電極２５２は、１５ｎｍの銀・マグネシウム合金膜上に７０ｎｍのインジウム錫酸化物（略称：ＩＴＯ）を積層した導電膜を用いた。銀・マグネシウム合金膜は重量比１０：１（＝Ａｇ：Ｍｇ）で共蒸着して形成した。

《発光性の有機化合物を含む層の構成》
発光性の有機化合物を含む層２５３は、中間層１５０４を挟んで２つのＥＬ層（第１のＥＬ層１５０３ａと第２のＥＬ層１５０３ｂ）が設けられた構造（タンデム構造ともいう）を備える。

第１のＥＬ層１５０３ａは、下部電極２５１上に正孔注入層１５１１、第１の正孔輸送層１５１２、第１の発光層１５１３、第１の電子輸送層１５１４ａ、および第２の電子輸送層１５１４ｂをこの順に備える。

中間層１５０４は、電子輸送層１５１４ｂ上に、電子注入バッファ層１５０４ａ、電子リレー層１５０４ｂ、および電荷発生領域１５０４ｃをこの順に備える。

第２のＥＬ層１５０３ｂは、中間層１５０４上に、第２の正孔輸送層１５２２、第２の発光層１５２３ａ、第３の発光層１５２３ｂ、第３の電子輸送層１５２４ａ、第４の電子輸送層１５２４ｂ、および電子注入層１５２５をこの順に備える。

上記の発光性の有機化合物を含む層を構成する材料の詳細を表１に示す。

また、本実施例で用いる一部の有機化合物の構造式を以下に示す。

＜駆動方法１．＞
１フレーム期間を６０Ｈｚとして、青色の副画素のみをデューティ比を変えて駆動した。具体的には、０．１ｃｄ／ｍ^２以上１０ｃｄ／ｍ^２以下の輝度を得るように駆動した。発光パネル１４９０を駆動した条件を表２に示す。

発光パネル１４９０が発する光のスペクトルを、光の波長を横軸に、青色を呈する波長４６０ｎｍの光の強度を１とする規格化強度を縦軸にして図１６に示す。

なお、青色を呈する光の強度に対する、緑色および赤色を呈する光の強度の比を明瞭に示すために、縦軸を拡大して図１６（Ｂ）に示す。

＜駆動方法２．＞
デューティ比１で青色の副画素のみを電流の大きさを変えて駆動した。具体的には、２５ｃｄ／ｍ^２以上１００ｃｄ／ｍ^２以下の輝度を得るように駆動した。発光パネル１４９０を駆動した条件を表１に示す。なお、比率は重量比を表す。

発光パネル１４９０が発する光のスペクトルを、光の波長を横軸に、青色を呈する波長４６０ｎｍの光の強度を１とする規格化強度を縦軸にして図１７に示す。

なお、青色を呈する光の強度に対する、緑色および赤色を呈する光の強度の比を明瞭に示すために、縦軸を拡大して図１７（Ｂ）に示す。

＜結果＞
クロストークの大きさを、青色を呈する光の強度に対する他の色を呈する光の強度の比を指標に用いて評価した。具体的には、青色の副画素のみを０．１ｃｄ／ｍ^２から１００ｃｄ／ｍ^２の範囲の輝度で駆動した場合に、４６０ｎｍの光（青色を呈する光）の強度に対する、５３６ｎｍの光（緑色を呈する光）の強度の比および６２５ｎｍの光（赤色を呈する光）の強度の比を指標に用いた。

本実施例の発光装置を用いて、クロストークが０．０５以下に抑制された状態で、青色の副画素のみを駆動できた。

具体的には、青色の副画素のみを０．１ｃｄ／ｍ^２から２５ｃｄ／ｍ^２の範囲の輝度で駆動方法１（具体的には、点灯時に印加する電圧を一定とし、デューティ比を変化する方法）を用いて駆動することにより、青色を呈する光に対する強度の比を０．０５以下に抑制できた。なお、輝度を２５ｃｄ／ｍ^２から０．１ｃｄ／ｍ^２まで低下させるほどクロストークが隠微になり、青色を呈する光の強度に対する、緑色および赤色を呈する光の強度の比が低くなった（図１６参照）。

また、青色の副画素のみを輝度２５ｃｄ／ｍ^２から１００ｃｄ／ｍ^２までの範囲で駆動方法２（デューティ比を１に固定して、電流を変化する方法）を用いて駆動することにより、青色を呈する光に対する強度の比を０．０５以下に抑制できた。なお、輝度を１００ｃｄ／ｍ^２、５０ｃｄ／ｍ^２、２５ｃｄ／ｍ^２と低下させるほどクロストークが顕著になり、青色を呈する光の強度に対する、緑色および赤色を呈する光の強度の比が高くなった（図１７参照）。

発光素子に流れる電流を、発光素子が発光している期間において、一の発光素子のみが光を発しているのと同じであると認知される大きさの電流に保つことができた。そして、隣接する他の発光素子に発生するクロストークを弁別できない程度に抑制できた。その結果、明るさの変化に伴う色度の変化を抑制し、所望の色の光を得ることができる新規な発光装置を提供できた。

有機ＥＬ素子を用いる表示装置の精細度を高めると、隣接する副画素の距離が近づくため、当該副画素間の電気抵抗が低下する。これにより、クロストークが発生し易くなる。なお、隣接する副画素を電気的に絶縁すれば、クロストークは発生しなくなる。しかし、電気的に絶縁された状態の発光性の有機化合物を含む層を、隣接する画素間に形成することは、精細度が高いほど（例えば、精細度が３００ｐｐｉ以上）困難である。その結果、生産性が著しく低下してしまう場合がある。

本実施例で例示した発光装置は、連続する発光性の有機化合物を含む層が隣接する副画素に設けられている。また、クロストークの発生が抑制されている。すなわち、本実施例は、生産の効率が高く且つクロストークの発生が抑制された発光装置を提供できることを示すものである。

比較例

本比較例では、定常電流を用いて発光パネルを駆動した結果について図１８を参照しながら説明する。なお、本比較例に用いた発光パネルは、前述の実施例に記載した発光パネル１４９０と同じ構成を備える。

図１８は、発光パネルが発する光のスペクトルを示す図である。

＜発光装置の構成＞
本比較例では、多出力直流安定化電源（株式会社ケンウッド製、ＰＷ１８−１．８ＡＱ）を駆動回路１４８０に用いて、発光パネル１４９０を駆動した。

＜駆動方法＞
デューティ比１で青色の副画素のみを電流の大きさを変えて駆動した。具体的には、０．１ｃｄ／ｍ^２以上１００ｃｄ／ｍ^２以下の輝度を得るように駆動した。発光パネル１４９０を駆動した条件を表３に示す。

発光パネル１４９０が発する光のスペクトルを、光の波長を横軸に、青色を呈する波長４６０ｎｍの光の強度を１とする規格化強度を縦軸にして図１８に示す。

なお、青色を呈する光の強度に対する、緑色および赤色を呈する光の強度の比を明瞭に示すために、縦軸を拡大して図１８（Ｂ）に示す。

＜結果＞
クロストークの大きさを、青色を呈する光の強度に対する他の色を呈する光の強度の比を指標に用いて、実施例と同様に評価した。

本比較例の発光装置を用いて、クロストークが０．０５以下に抑制された状態で、青色の副画素のみを駆動することができなかった。

具体的には、青色の副画素のみを輝度０．１ｃｄ／ｍ^２から２５ｃｄ／ｍ^２の範囲で、デューティ比を１に固定して電流を変化する方法で駆動することにより、青色を呈する光に対する強度の比を０．０５以下に抑制できなかった。なお、輝度を１００ｃｄ／ｍ^２から０．１ｃｄ／ｍ^２まで低下させるほどクロストークが顕著になり、青色を呈する光の強度に対する緑色および赤色を呈する光の強度の比が高くなった（図１８参照）。また、青色を呈する光の強度に対して他の色を呈する光の強度の比が高くなり、青色を呈する光の色純度が低下した。

なお、青色の副画素のみを輝度２５ｃｄ／ｍ^２から１００ｃｄ／ｍ^２までの範囲で、同様の方法を用いて駆動することにより、青色を呈する光の強度に対する他の色の光の強度の比を０．０５以下に抑制できた。

これにより、一の発光素子の発光が、他の発光素子を備える発光モジュールに滲むように見える現象が発生することを確認できた。または、明るさの変化に伴う色度の変化が顕著であることが確認できた。

また、本比較例を実施例と比較することにより、固定された電圧でデューティ比を変化して輝度を制御方法が、固定されたデューティ比で電圧を変化して輝度を制御する方法に比べて、クロストークの抑制に効果があることを明示することができた。

１０ 副画素
１０ｃ 画素回路
１１ トランジスタ
１２ トランジスタ
１３ 容量素子
１４ 容量素子
２１ トランジスタ
２２ トランジスタ
２３ 発光素子
２５ｃｄ 輝度
３０ 段
２００ 基板
２５１ 下部電極
２５２ 上部電極
２５３ 発光性の有機化合物を含む層
４００ 発光装置
４０１ 表示部
４０２ 画素
４０２Ｂ 副画素
４０２Ｇ 副画素
４０２Ｒ 副画素
４０３ａｇ ゲート側Ａ駆動回路部
４０３ａｓ ソース側Ａ駆動回路部
４０３ｄｇ ゲート側Ｄ駆動回路部
４０３ｄｓ ソース側Ｄ駆動回路部
４０５ シール材
４０８ 配線
４１０ 基板
４１１ トランジスタ
４１２ トランジスタ
４１３ ｎチャネル型トランジスタ
４１４ ｐチャネル型トランジスタ
４１６ 絶縁層
４１８ 隔壁
４２０Ｂ 発光素子
４２０Ｇ 発光素子
４２０Ｒ 発光素子
４２１Ｂ 下部電極
４２１Ｇ 下部電極
４２１Ｒ 下部電極
４２２ 上部電極
４２３ 発光性の有機化合物を含む層
４２３ａ 発光ユニット
４２３ｂ 発光ユニット
４２４ 中間層
４３１ 空間
４４０ 封止基板
４４１Ｂ カラーフィルタ
４４１Ｇ カラーフィルタ
４４２ 膜
４５０Ｂ 発光モジュール
４５０Ｇ 発光モジュール
４５０Ｒ 発光モジュール
４８０ 駆動回路
４８０ａ Ａ駆動回路
４８０ｄ Ｄ駆動回路
４８０ｍ 主回路
４８５ 電源
４９０ 発光パネル
１１０１ 陽極
１１０２ 陰極
１１０３ 発光ユニット
１１０３ａ 発光ユニット
１１０３ｂ 発光ユニット
１１０４ 中間層
１１０４ａ 電子注入バッファ層
１１０４ｂ 電子リレー層
１１０４ｃ 電荷発生領域
１１１３ 正孔注入層
１１１４ 正孔輸送層
１１１５ 発光層
１１１６ 電子輸送層
１１１７ 電子注入層
１４００ 発光装置
１４２０Ｂ 発光素子
１４２０Ｇ 発光素子
１４２０Ｒ 発光素子
１４４１Ｂ カラーフィルタ
１４４１Ｇ カラーフィルタ
１４４１Ｒ カラーフィルタ
１４８０ 駆動回路
１４９０ 発光パネル
１５０３ａ ＥＬ層
１５０３ｂ ＥＬ層
１５０４ 中間層
１５０４ａ 電子注入バッファ層
１５０４ｂ 電子リレー層
１５０４ｃ 電荷発生領域
１５１１ 正孔注入層
１５１２ 正孔輸送層
１５１３ 発光層
１５１４ａ 電子輸送層
１５１４ｂ 電子輸送層
１５２２ 正孔輸送層
１５２３ａ 発光層
１５２３ｂ 発光層
１５２４ａ 電子輸送層
１５２４ｂ 電子輸送層
１５２５ 電子注入層
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモコン操作機
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７３０１ 筐体
７３０２ 筐体
７３０３ 連結部
７３０４ 表示部
７３０５ 表示部
７３０６ スピーカ部
７３０７ 記録媒体挿入部
７３０８ ＬＥＤランプ
７３０９ 操作キー
７３１０ 接続端子
７３１１ センサ
７３１２ マイクロフォン
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
７４５０ コンピュータ
７４５１Ｌ 筐体
７４５１Ｒ 筐体
７４５２Ｌ 表示部
７４５２Ｒ 表示部
７４５３ 操作ボタン
７４５４ ヒンジ
７４５５Ｌ 左側スピーカ
７４５５Ｒ 右側スピーカ
７４５６ 外部接続ポート
７５００ 照明装置
７５０１ 筐体
７５０３ａ 発光装置
７５０３ｂ 発光装置
７５０３ｃ 発光装置
７５０３ｄ 発光装置

Claims (1)

1. 複数の発光素子を有し、
   複数の前記発光素子は、第１の電極、第２の電極、第１の発光ユニット、第２の発光ユニット、及び、中間層を有し、
   前記第１の発光ユニット、前記第２の発光ユニット、及び前記中間層は、前記第１の電極と前記第２の電極に挟まれ、
   前記中間層は、前記第１の発光ユニットと前記第２の発光ユニットに挟まれ、
   複数の前記発光素子のうち隣接する発光素子において、前記中間層は一続きに設けられる発光装置の駆動方法であって、
   前記発光素子は、第１の状態、第２の状態、又は、第３の状態に制御され、
   前記第１の状態は、第１の階調で前記発光素子を発光させる場合に対応し、前記発光素子に第１のデューティ比で前記第１の階調に応じた大きさの第１の電流を供給し、
   前記第２の状態は、前記第１の階調より大きい第２の階調で前記発光素子を発光させる場合に対応し、前記発光素子に前記第１のデューティ比で前記第２の階調に応じた大きさの、前記第１の電流よりも大きい第２の電流を供給し、
   前記第３の状態は、前記第１の階調より小さい第３の階調で前記発光素子を発光させる場合に対応し、前記発光素子に前記第１のデューティ比よりも小さい第２のデューティ比で前記第１の電流を供給し、
   前記第１の電流は、前記隣接する発光素子の間のクロストークを弁別できない定常電流であることを特徴とする発光装置の駆動方法。