JP2013231961A - 表示装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】観察に伴う疲労が低減され、観察者が豊かな奥行きを感じられる画像を表示できる表示装置を提供する。また、観察に伴う観察者の疲労が低減され、観察者が豊かな奥行きを感じられる映像を楽しめる電子機器を提供する。
【解決手段】観察者が観察する画像において、暗部をより詳細に表現することにより、豊かな奥行きを感じられる画像を表示する。ＮＴＳＣ比が８０％以上、且つ、コントラスト比が５００以上であり、且つ、スペクトルの半値幅が６０ｎｍ以下の光を１００μｓ以下の応答時間で発光可能な発光モジュールを含む画素が、８０ｐｐｉ以上の精細度で設けられた表示装置に、所定の階調を有する画像信号を、より低輝度側の画像を高階調表現可能な画像信号に変換する回路を付加すればよい。
【選択図】図５

Description

本発明は、表示装置に関する。本発明は、表示装置を備える電子機器に関する。

両眼視差を利用して立体画像を表示する表示装置が知られている。このような表示装置は、同一画面に左目の位置から見える画像（左目用の画像）と右目の位置から見える画像（右目用の画像）を表示し、観察者は左目で左目用の画像を、右目で右目用の画像を観察することにより立体画像を観察する。

例えば、メガネ方式を用いる表示装置は、左目用の画像と右目用の画像を、メガネに設けたシャッターと同期して、画面に交互に表示する。これにより、観察者は左目で左目用の画像を、右目で右目用の画像を、それぞれ観察することにより立体画像を観察する。

また、立体画像の裸眼での観察が可能な視差バリア方式を用いる表示装置は、画面が多数の領域（例えば短冊状の領域）に分割され、該領域は交互に右目用の領域と左目用の領域に割り当てられ、その境界に視差バリアが重ねて設けられている。分割された各領域において、右目用の領域には右目用の画像が、左目用の領域には左目用の画像が表示される。視差バリアは、右目用の画像が表示される領域を左目から隠し、左目用の画像が表示される領域を右目から隠す。その結果、左目は左目用の画像のみを、右目は右目用の画像のみを観察することにより、立体画像が観察できる。

なお、視差バリアを可変とし、平面画像の表示モードと立体画像の表示モードとを切り替え可能に備える表示装置が知られている（特許文献１）。

また、一対の電極の間に発光性の有機化合物を含む層を備える発光素子が知られている。この発光素子は、自発光型であるためコントラストが高く、入力信号に対する応答速度が速い。そして、この発光素子を応用した表示装置が知られている（特許文献２）

ＷＯ２００４／００３６３０パンフレット 特開２０１１−２３８９０８号公報

両眼視差を利用して立体画像を表示する表示装置の画面と、観察者の左目または右目の距離は、表示される映像とは無関係におよそ一定である。これにより、観察者から観察者の左目または右目がピントを合わせる画面までの距離と、観察者から当該画面に表示される映像に含まれる両眼視差を生じる被観察物までの距離と、が一致しない場合がある。その結果、この不一致が観察者を疲労させてしまうという問題があった。

本発明は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがって本発明の一態様は、観察に伴う疲労が低減され、観察者が豊かな奥行きを感じられる画像を表示できる表示装置を提供することを課題の一とする。または、観察に伴う観察者の疲労が低減され、観察者が豊かな奥行きを感じられる映像を楽しめる電子機器を提供することを課題の一とする。

上記課題を解決するため、本発明の一態様は単眼視による奥行き感に着眼して創作されたものである。そして、本明細書に例示される構成を備える表示装置に想到した。

また、観察者が観察する画像において、暗部をより詳細に表現することにより、より豊かな奥行きを感じられる画像とすることができることを見いだした。そして、本発明の一態様の表示装置に入力される画像信号（画像ソースともいう）に含まれる画像を、より奥行きが感じられる画像に変換する回路を付加することに想到した。

観察者がある現実の対象物を観察する際、その対象物の表面反射の明暗により、単眼視であっても当該対象物の表面の質感や立体感を捉えることができる。また、当該対象物によって遮光され、背景に投影された影部における輝度の勾配（グラデーションともいう）により、対象物と背景との位置関係を捉えることができる。したがって表示装置に表示する画像において、特に暗部をより緻密に表現することにより、観察者に豊かな奥行きを感じさせる画像とすることができる。

ここで、従来の表示装置では、画像信号が所定の階調を有し、表示装置が表示可能な輝度のダイナミックレンジに応じて、最も低輝度から最も高輝度にかけて線形的に階調表現を行う。しかしながら、暗部と明部の区別なく一定の輝度間隔で表現された従来の画像では、暗部の緻密な輝度の違いを詳細に再現することができず、このような画像は観察者に奥行きを感じさせることが難しく、平面的な画像として観察者に視認されてしまう。

したがって、所定の階調を有する画像信号を、より低輝度側の画像を高階調表現可能な画像信号に変換すればよい。

すなわち、本発明の一態様の表示装置は、表示部と、階調変換部と、を備え、表示部は、ＮＴＳＣ比が８０％以上、且つ、コントラスト比が５００以上であり、且つ、スペクトルの半値幅が６０ｎｍ以下の光を１００μｓ以下の応答時間で発光可能な発光モジュールを含む画素が、８０ｐｐｉ以上の精細度で設けられる。また階調変換部は、当該階調変換部に入力される第１の画像信号を第２の画像信号に変換して、当該第２の画像信号を表示部に送信する。さらに第１の画像信号は、ｐ値（ｐは自然数）の階調を有し、第２の画像信号は、第１の画像信号のうち、最も低輝度からｑ番目までのｑ値のそれぞれを、さらに２^ｒ値に分割する階調変換処理が施された信号である。ここで、ｑは１以上ｐ／２以下、且つ、ｒは１以上２０以下であることを満たす。

このような構成の表示装置の備える表示部は、映像の光と陰の分布が豊かになり、きめの細かい表示が可能になる。また、カメラワークに忠実な映像をなめらかな動きで表示できる。これにより、単眼視による奥行き感が高まり、同一の画面に両眼視差を含む画像を表示する必要がなくなる。また、裸眼で観察することができる。その結果、観察に伴う観察者の疲労が低減され、観察者が豊かな奥行きを感じられる映像を表示できる。

また画素が、スペクトルの半値幅が狭く色純度が高い発光モジュールを含むため、ＮＴＳＣ比が大きく、またコントラストが高くなる。これにより、豊かなグレースケールを表示できる。さらに、画素が、応答時間が短い発光素子を含むため、動きのある画像を滑らかに表示できる。これにより、奥の画像に重なりながら奥の画像より早く、手前の画像が滑らかに動く動画像を表現できる。そして、豊かなグレースケールと滑らかな動きが相互に作用して、観察者は奥行きを強く感じることになる。

さらに、階調変換部により低輝度領域における階調を増大させることで、暗部を緻密に表現することができる。したがって、上述の表示部と組み合わせることにより、映像の光と陰の分布が相乗的に豊かになるため、対象物の表面の質感や対象物のつくる影部の陰影をより忠実に再現することができ、観察者がより豊かな奥行きを感じられる映像を表示することができる。

また、本発明の他の一態様の表示装置は、表示部と、階調変換部と、を備え、表示部は、ＮＴＳＣ比が８０％以上、且つ、コントラスト比が５００以上であり、且つ、スペクトルの半値幅が６０ｎｍ以下の光を１００μｓ以下の応答時間で発光可能な発光モジュールを含む画素が、８０ｐｐｉ以上の精細度で設けられる。また発光モジュールは、反射膜および半透過・半反射膜と、反射膜と半透過・半反射膜との間に設けられ、一対の電極と、一対の電極の間に発光性の有機化合物を含む層を複数と、発光性の有機化合物を含む層の間に中間層を備える発光素子と、半透過・半反射膜を介して発光素子と重なるように設けられたカラーフィルタと、を備える。また階調変換部は、当該階調変換部に入力される第１の画像信号を第２の画像信号に変換して、当該第２の画像信号を表示部に送信し、第１の画像信号は、ｐ値（ｐは自然数）の階調を有し、第２の画像信号は、第１の画像信号のうち、最も低輝度からｑ番目までのｑ値のそれぞれを、さらに２^ｒ値に分割する階調変換処理が施された信号である。ここで、ｑは１以上ｐ／２以下、且つ、ｒは１以上２０以下であることを満たす。

このような構成とすることにより、反射膜と半透過・半反射膜の間で光が干渉し合い、４００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の波長を有する光のうち特定の光が強め合い、カラーフィルタが不要な光を吸収する。これにより、スペクトルの半値幅が狭い（具体的には６０ｎｍ以下）光を用いて彩度の高い映像を表示することができ、奥行き感が高まる。その結果、観察に伴う観察者の疲労が低減され、観察者が豊かな奥行きを感じられる映像を表示できる表示装置を提供できる。

また、本発明の他の一態様の表示装置は、上記いずれかの表示装置において、階調変換部は、第１の画像信号に含まれる画像を複数の領域に分割して、それぞれの領域における輝度分布を抽出し、輝度分布に応じて、当該領域に対して階調変換処理を行うか否かを判定し、階調変換処理を行うべき領域に対して、当該階調変換処理を施すことを特徴とする。

このような構成とすることにより、第１の画像信号に含まれる画像の全ての領域に対して階調変換処理を施すのではなく、必要な領域にのみ階調変換処理を施すことができる。したがって、階調変換部における処理速度を向上させることができる。さらに、階調変換部は、階調変換処理が不要と判定された領域では当該処理を行わなくて済むため、表示装置の駆動消費電力を低減することができる。

また、本発明の他の一態様の表示装置は、上記いずれかの表示装置において、画素の各々に設けられる発光モジュールは、赤色を呈する光を透過するカラーフィルタと、光学距離が６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満のｉ／２倍（ｉは自然数）に調整された反射膜と半透過・半反射膜を備える第１の発光モジュール、または緑色を呈する光を透過するカラーフィルタと、光学距離が５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満のｊ／２倍（ｊは自然数）に調整された反射膜と半透過・半反射膜を備える第２の発光モジュール、または青色を呈する光を透過するカラーフィルタと、光学距離が４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満のｋ／２倍（ｋは自然数）に調整された反射膜と半透過・半反射膜を備える第３の発光モジュールのうち、いずれか一であることを特徴とする。

また、本発明の他の一態様の表示装置は、上記いずれかの表示装置において、画素の各々に設けられる発光モジュールは、赤色を呈する光を透過するカラーフィルタと、光学距離が６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満のｉ／２倍（ｉは自然数）に調整された反射膜と半透過・半反射膜を備える第１の発光モジュール、または、緑色を呈する光を透過するカラーフィルタと、光学距離が５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満のｊ／２倍（ｊは自然数）に調整された反射膜と半透過・半反射膜を備える第２の発光モジュール、または、青色を呈する光を透過するカラーフィルタと、光学距離が４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満のｋ／２倍（ｋは自然数）に調整された反射膜と半透過・半反射膜を備える第３の発光モジュールのうち、いずれか一であり、第１の発光モジュール、第２の発光モジュールおよび第３の発光モジュールは、同じ発光性の有機化合物を含む層を含むことを特徴とする。

また、本発明の他の一態様の表示装置は、上記いずれかの表示装置において、発光モジュールは、一対の電極の一方が反射膜を兼ね、他方が半透過・半反射膜を兼ねる発光素子を備えることを特徴とする。

上記のような構成とすることにより、各発光モジュールからの発光の色純度を高めることができる。さらには、発光性の有機化合物を含む層を同一の工程で形成できる。さらには、反射膜および半透過・半反射膜を一対の電極が兼ねる構成にできる。これにより、作製工程を簡略にできる。その結果、作製が容易であって、観察に伴う観察者の疲労が低減され、観察者が豊かな奥行きを感じられる映像を表示できる表示装置を提供できる。

特にマイクロキャビティはスペクトルの半値幅を狭める効果が高く、また精細度が高いほど画素を認識しづらくする効果が高い。ここで、人間の脳は動きのある画像を認識しやすく、静止画像から動画像に変わる画像を認識しやすい。したがって、色純度が高められ、画素を認識しづらくすることにより、より滑らかな動画を表示することができ、その結果、観察に伴う観察者の疲労が低減され、観察者が豊かな奥行きを感じられる画像を表示できる表示装置を提供できる。

また、本発明の他の一態様の表示装置は、上記いずれかの表示装置において、画素の各々に設けられる発光モジュールは、スペクトルの半値幅が５０ｎｍより狭い赤色を呈する光、または、半値幅が赤色を呈する光のスペクトルの半値幅より狭い緑色を呈する光、または、半値幅が緑色を呈する光のスペクトルの半値幅より狭い青色を呈する光のうち、いずれか一の光を発することを特徴とする。

このような構成では、赤色よりも視感度の高い緑色を呈する光の半値幅が狭く、緑色よりも青色を呈する光の半値幅が狭い。これにより、スペクトルの半値幅が狭い（具体的には５０ｎｍ以下）光を用いて彩度の高い映像を表示することができ、奥行き感が高まる。

また、本発明の一態様は、上記いずれかの表示装置を備える電子機器である。

上記本発明の一態様によれば、光と陰の分布が豊かな映像が電子機器に表示される。また、カメラワークに忠実な映像が、なめらかな動きで電子機器に表示される。これにより、単眼視による奥行き感が高まり、同一の画面に両眼視差を含む画像を表示する必要がなくなる。また、裸眼で観察することができる。その結果、観察に伴う観察者の疲労が低減され、観察者が豊かな奥行きを感じられる映像を楽しめる電子機器を提供できる。

なお、本明細書において、光学距離とは距離と屈折率の積をいう。したがって、屈折率が１より大きい媒体においては、光学距離は実際の距離よりも長くなる。なお、微小共振器（マイクロキャビティともいう）の共振器内部の光学距離は、光学干渉を測定することにより測定できる。具体的には分光光度計を用いて、入射光に対する反射光の強度比を測定し、波長に対してプロットすることで共振器内部の光学距離を求めることができる。

なお、本明細書中において、表示パネルにコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または表示部が形成された基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。

本発明によれば、観察に伴う疲労が低減され、観察者が豊かな奥行きを感じられる画像を表示できる表示装置を提供できる。

実施の形態に係る表示装置を説明する図。 実施の形態に係る表示装置の表示部を説明する図。 実施の形態に係る画像処理装置を説明する図。 実施の形態に係る階調変換処理を説明する図。 実施の形態に係る階調変換処理を説明する図。 実施の形態に係る階調変換処理を説明する図。 実施の形態に係る表示装置に適用可能な発光素子を説明する図。 実施の形態に係る表示装置を備える電子機器を説明する図。 実施例にかかる発光モジュールの発光素子の構成を示す図。 実施例にかかる発光モジュールの発光スペクトルを示す図。 実施例にかかる発光モジュールの発光色をプロットした色度図。 実施例にかかる発光モジュールの発光輝度の時間依存を示す図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について、図面を参照して説明する。

図１は、本発明の一態様の表示装置の構成例を示すブロック図である。

表示装置１００は、表示部１０１、駆動回路部１０３、駆動回路部１０４、制御回路部１０５、画像処理装置１０７、及びデコーダ回路部１０９を備える。

デコーダ回路部１０９は、圧縮、または符号化された画像信号Ｓ０が入力され、当該画像信号Ｓ０をデコードして第１の画像信号Ｓ１に変換する。ここで変換された第１の画像信号Ｓ１は、画像処理装置１０７に送られる。

画像処理装置１０７は、入力された第１の画像信号Ｓ１を、表示部１０１で表示するのに適した画像データを含む第２の画像信号Ｓ２に変換する。

画像処理装置１０７は少なくとも階調変換部１１１を備える。階調変換部１１１により、ｐ値の階調を有する第１の画像信号Ｓ１に対して階調変換処理が施され、第２の画像信号Ｓ２が生成される。階調変換処理は、第１の画像信号Ｓ１における最も低輝度からｑ番目までのｑ値のそれぞれを、さらに２^ｒ値に分割する。ここで、ｐは自然数であり、ｑは１以上ｐ／２以下であり、ｒは１以上２０以下であることが好ましい。

なお、画像処理装置１０７の詳細については、後の実施の形態で説明する。

画像処理装置１０７で変換された第２の画像信号Ｓ２は、制御回路部１０５に送られる。

制御回路部１０５は、第２の画像信号Ｓ２に基づいて、表示部１０１を駆動する駆動回路部１０３及び駆動回路部１０４のそれぞれに駆動信号を送信する。

制御回路部１０５は、例えばＤＡコンバータ、増幅回路、レジスタ回路等を備えていてもよい。

駆動回路部１０３、及び駆動回路部１０４は、制御回路部１０５から入力された駆動信号に応じて表示部１０１内の画素を駆動し、表示部１０１に画像を表示させる。

表示部１０１は、観察に伴う疲労が低減され、観察者が豊かな奥行きを感じられる画像を表示できる表示部である。

＜表示部の構成例＞
以下では、表示部１０１の構成例について、詳細に説明する。

本実施の形態で例示して説明する表示パネル４００は、第１の基板４１０上に表示部１０１を有し、そこには画素４０２が複数設けられている。また、画素４０２には複数（例えば３つ）の副画素が設けられている（図２（Ａ））。また、第１の基板４１０上には表示部１０１と共に当該表示部１０１を駆動するソース側の駆動回路部１０４、ゲート側の駆動回路部１０３が設けられている。なお、駆動回路部を第１の基板４１０上ではなく外部に形成することもできる。

表示パネル４００は外部入力端子を備え、ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）４０９を介して、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、ＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていてもよい。本明細書における表示パネルには、表示パネル本体だけでなく、それにＦＰＣまたはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

シール材４０５は、第１の基板４１０と第２の基板４４０を貼り合わせる。またこれらの間に形成された空間４３１に表示部１０１が封止されている（図２（Ｂ）参照）。

［表示パネルの構成］
表示パネル４００の断面を含む構造について、図２（Ｂ）を参照して説明する。表示パネル４００は、ソース側の駆動回路部１０４と、画素４０２に含まれる副画素４０２Ｇと、引き回し配線４０８を備える。なお、本実施の形態で例示する表示パネル４００の表示部１０１は、図中に示す矢印の方向に光を射出して、画像を表示する。

ソース側の駆動回路部１０４はｎチャネル型トランジスタ４１３と、ｐチャネル型トランジスタ４１４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を含む。なお、駆動回路はこの構成に限定されず、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路またはＮＭＯＳ回路で構成してもよい。

引き回し配線４０８は外部入力端子から入力される信号をソース側の駆動回路部１０４およびゲート側の駆動回路部１０３に伝送する。

副画素４０２Ｇは、スイッチング用のトランジスタ４１１と電流制御用のトランジスタ４１２と発光モジュール４５０Ｇとを有する。なお、トランジスタ４１１等の上には、絶縁層４１６と隔壁４１８とが形成されている。発光モジュール４５０Ｇは、反射膜と半透過・半反射膜と、反射膜と半透過・半反射膜の間に発光素子４２０Ｇとを有し、発光素子４２０Ｇが発する光を射出する半反射膜の側にカラーフィルタ４４１Ｇが設けられている。本実施の形態で例示する発光モジュール４５０Ｇは、発光素子４２０Ｇの第１の電極４２１Ｇが反射膜を、第２の電極４２２が半透過・半反射膜を兼ねる構成となっている。なお、表示部１０１が画像を表示する方向は、発光素子４２０Ｇが発する光が取り出される方向により決定される。

また、カラーフィルタ４４１Ｇを囲むように遮光性の膜４４２が形成されている。遮光性の膜４４２は表示パネル４００が外光を反射する現象を防ぐ膜であり、表示部１０１が表示する画像のコントラストを高める効果を奏する。なお、カラーフィルタ４４１Ｇと遮光性の膜４４２は、第２の基板４４０に形成されている。

絶縁層４１６は、トランジスタ４１１等の構造に由来して生じる段差を平坦化、または、トランジスタ４１１等への不純物の拡散を抑制するための、絶縁性の層であり、単一の層であっても複数の層の積層体であってもよい。隔壁４１８は開口部を有する絶縁性の層であり、発光素子４２０Ｇは隔壁４１８の開口部に形成される。

発光素子４２０Ｇは第１の電極４２１Ｇと、第２の電極４２２と、発光性の有機化合物を含む層４２３とを含む。

［トランジスタの構成］
図２（Ａ）に例示する表示パネル４００には、トップゲート型のトランジスタが適用されている。ソース側の駆動回路部１０４、ゲート側の駆動回路部１０３並びに副画素にはさまざまな構造のトランジスタを適用できる。また、これらのトランジスタのチャネルが形成される領域には、さまざまな半導体を用いることができる。具体的には、アモルファスシリコン、ポリシリコン、単結晶シリコンの他、酸化物半導体などを用いることができる。

トランジスタのチャネルが形成される領域に酸化物半導体を用いると、例えばアモルファスシリコンを用いた場合と比較してトランジスタを微細化することが可能となるため、表示部において画素を高精細化することができる。

トランジスタの半導体層に用いることのできる酸化物半導体膜は、例えば非単結晶を有してもよい。非単結晶は、例えば、ＣＡＡＣ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、多結晶、微結晶、非晶質部を有する。非晶質部は、微結晶、ＣＡＡＣよりも欠陥準位密度が高い。また、微結晶は、ＣＡＡＣよりも欠陥準位密度が高い。なお、ＣＡＡＣを有する酸化物半導体を、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）と呼ぶ。

酸化物半導体膜は、例えばＣＡＡＣ−ＯＳを有してもよい。ＣＡＡＣ−ＯＳは、例えば、ｃ軸配向し、ａ軸または／およびｂ軸はマクロに揃っていない。

酸化物半導体膜は、例えば微結晶を有してもよい。なお、微結晶を有する酸化物半導体を、微結晶酸化物半導体と呼ぶ。微結晶酸化物半導体膜は、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ未満のサイズの微結晶（ナノ結晶ともいう。）を膜中に含む。

酸化物半導体膜は、例えば非晶質部を有してもよい。なお、非晶質部を有する酸化物半導体を、非晶質酸化物半導体と呼ぶ。非晶質酸化物半導体膜は、例えば、原子配列が無秩序であり、結晶成分を有さない。または、非晶質酸化物半導体膜は、例えば、完全な非晶質であり、結晶部を有さない。

なお、酸化物半導体膜が、ＣＡＡＣ−ＯＳ、微結晶酸化物半導体、非晶質酸化物半導体の混合膜であってもよい。混合膜は、例えば、非晶質酸化物半導体の領域と、微結晶酸化物半導体の領域と、ＣＡＡＣ−ＯＳの領域と、を有する。また、混合膜は、例えば、非晶質酸化物半導体の領域と、微結晶酸化物半導体の領域と、ＣＡＡＣ−ＯＳの領域と、の積層構造を有してもよい。

なお、酸化物半導体膜は、例えば、単結晶を有してもよい。

酸化物半導体膜は、複数の結晶部を有し、当該結晶部のｃ軸が被形成面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃っていることが好ましい。なお、異なる結晶部間で、それぞれａ軸およびｂ軸の向きが異なっていてもよい。そのような酸化物半導体膜の一例としては、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜がある。

ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる結晶部は、一辺が１００ｎｍ未満の立方体内に収まる大きさであることが多い。また、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）による観察像では、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる結晶部と結晶部との境界は明確ではない。また、ＴＥＭによってＣＡＡＣ−ＯＳ膜には明確な粒界（グレインバウンダリーともいう。）は確認できない。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、粒界に起因する電子移動度の低下が抑制される。

ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる結晶部は、例えば、ｃ軸がＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向になるように揃い、かつａｂ面に垂直な方向から見て金属原子が三角形状または六角形状に配列し、ｃ軸に垂直な方向から見て金属原子が層状または金属原子と酸素原子とが層状に配列している。なお、異なる結晶部間で、それぞれａ軸およびｂ軸の向きが異なっていてもよい。本明細書において、単に垂直と記載する場合、８０°以上１００°以下、好ましくは８５°以上９５°以下の範囲も含まれることとする。また、単に平行と記載する場合、−１０°以上１０°以下、好ましくは−５°以上５°以下の範囲も含まれることとする。

なお、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜において、結晶部の分布が一様でなくてもよい。例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の形成過程において、酸化物半導体膜の表面側から結晶成長させる場合、被形成面の近傍に対し表面の近傍では結晶部の占める割合が高くなることがある。また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜へ不純物を添加することにより、当該不純物添加領域において結晶部の結晶性が低下することもある。

ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる結晶部のｃ軸は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向になるように揃うため、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の形状（被形成面の断面形状または表面の断面形状）によっては互いに異なる方向を向くことがある。また、結晶部は、成膜したとき、または成膜後に加熱処理などの結晶化処理を行ったときに形成される。従って、結晶部のｃ軸は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜が形成されたときの被形成面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向になるように揃う。

ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を用いたトランジスタは、可視光や紫外光の照射による電気特性の変動が小さい。よって、当該トランジスタは、信頼性が高い。

スパッタリング法を用いてＣＡＡＣ−ＯＳ膜を成膜する場合、成膜時の基板温度を高くすることが好ましい。例えば、基板加熱温度を１００℃以上６００℃以下、好ましくは２００℃以上５００℃以下、さらに好ましくは１５０℃以上４５０℃以下として酸化物膜を成膜することによりＣＡＡＣ−ＯＳ膜を成膜することができる。

また、スパッタリング法に用いる電源として、直流（ＤＣ）電源を用いることが好ましい。なお、高周波（ＲＦ）電源、交流（ＡＣ）電源を用いることもできる。ただし、ＲＦ電源は、大面積の基板へ成膜可能なスパッタリング装置への適用が困難である。また、以下に示す観点からＡＣ電源よりもＤＣ電源が好ましいと考えられる。

スパッタリング用ターゲットとしてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ化合物ターゲットを用いる場合、例えばＩｎＯ_ｘ粉末、ＧａＯ_ｙ粉末、及びＺｎＯ_ｚ粉末を２：２：１、８：４：３、３：１：１、１：１：１、４：２：３、３：１：２、３：１：４のｍｏｌ数比で混合して形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ化合物ターゲットを用いることが好ましい。ｘ、ｙ、及びｚは任意の正の数である。なお、スパッタリング用ターゲットは、多結晶であってもよい。

また、マグネトロンを用い、磁場によりスパッタリング用ターゲットの近傍のプラズマ空間を高密度化してもよい。マグネトロンスパッタリング装置では、例えば、スパッタリング用ターゲットの前方に磁場を形成するため、スパッタリング用ターゲットの後方に磁石組立体が配置される。当該磁場は、スパッタリング用ターゲットのスパッタリング時において、電離した電子やスパッタリングにより生じた二次電子を捉える。このようにして補足された電子は成膜室内の希ガス等の不活性ガスとの衝突確率を高め、その結果プラズマ密度が高まる。これにより、例えば被素子形成層の温度を著しく上昇させることなく、成膜の速度を上げることができる。

スパッタリング法を用いてＣＡＡＣ−ＯＳ膜を形成する場合、例えば、スパッタリング装置の成膜室内に存在する不純物（水素、水、二酸化炭素、及び窒素など）を低減することが好ましい。また、成膜ガス中の不純物を低減することが好ましい。例えば、酸素ガスやアルゴンガスなどの成膜ガスとして、露点が−４０℃以下、好ましくは−８０℃以下、より好ましくは−１００℃以下にまで高純度化したガスを用いることにより、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対する不純物の混入を抑制することができる。

スパッタリング法を用いてＣＡＡＣ−ＯＳ膜を形成する場合、成膜ガス中の酸素割合を高くし、且つ、電力を最適化して成膜時のプラズマダメージを抑制させることが好ましい。例えば、成膜ガス中の酸素割合を、３０体積％以上、好ましくは１００体積％にすることが好ましい。

スパッタリング法を用いてＣＡＡＣ−ＯＳ膜を成膜する場合、成膜時の基板加熱に加え、加熱処理を行ってもよい。加熱処理により、例えば酸化物膜中の不純物濃度を低減させることができる。

上記加熱処理は、例えば３５０℃以上基板の歪み点未満の温度、さらには、３５０℃以上４５０℃以下で行ってもよい。なお、加熱処理を複数回行ってもよい。

上記加熱処理に用いられる加熱処理装置としては、ＧＲＴＡ（Ｇａｓ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）装置又はＬＲＴＡ（Ｌａｍｐ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）装置などのＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）装置を用いてもよい。なお、これに限定されず、電気炉など、別の加熱処理装置を用いてもよい。

上記工程に示すように、成膜中に、水素や水などを膜中に含ませないようにすることにより、酸化物半導体膜に含まれる不純物濃度を低減する。また、酸化物半導体膜の成膜後に、加熱処理を行うことにより、酸化物半導体膜に含まれる水素や水などを除去することによって、不純物濃度を低減してもよい。この後に、酸化物半導体膜に酸素を供給し、酸素欠損を補填することにより、酸化物半導体膜を高純度化することができる。また、酸化物半導体膜に酸素を添加してもよい。高純度化された酸化物半導体膜は、ｉ型（真性半導体）又はｉ型に限りなく近い。また、ｉ型に限りなく近い酸化物半導体膜のキャリア密度は、１×１０^１７／ｃｍ^３未満、１×１０^１５／ｃｍ^３未満、又は１×１０^１３／ｃｍ^３未満である。

また、トランジスタのチャネルが形成される領域に単結晶半導体を用いると、トランジスタサイズを微細化することが可能となるため、表示部において画素をさらに高精細化することができる。

半導体層を構成する単結晶半導体としては、代表的には、単結晶シリコン基板、単結晶ゲルマニウム基板、単結晶シリコンゲルマニウム基板など、第１４族元素でなる単結晶半導体基板、化合物半導体基板（ＳｉＣ基板、サファイア基板、ＧａＮ基板等）などの半導体基板を用いることができる。好適には、絶縁表面上に単結晶半導体層が設けられたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いることができる。

ＳＯＩ基板の作製方法としては、鏡面研磨ウェハーに酸素イオンを注入した後、高温加熱することにより、表面から一定の深さに酸化層を形成させるとともに、表面層に生じた欠陥を消滅させて作る方法、水素イオン照射により形成された微小ボイドの熱処理による成長を利用して半導体基板を劈開する方法や、絶縁表面上に結晶成長により単結晶半導体層を形成する方法等を用いることができる。

本実施の形態では、単結晶半導体基板の一つの面からイオンを添加して、単結晶半導体基板の一つの面から一定の深さに脆弱化層を形成し、単結晶半導体基板の一つの面上、または第１の基板４１０上のどちらか一方に絶縁層を形成する。単結晶半導体基板と第１の基板４１０を、絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、脆弱化層に亀裂を生じさせ、単結晶半導体基板を脆弱化層で分離する熱処理を行い、単結晶半導体基板より半導体層として単結晶半導体層を第１の基板４１０上に形成する。なお、第１の基板４１０としては、ガラス基板を用いることができる。

また、半導体基板に絶縁分離領域を形成し、絶縁分離された半導体領域を用いてトランジスタ４１１、４１２を形成してもよい。

単結晶半導体をチャネル形成領域として用いることで、結晶粒界における結合の欠陥に起因する、トランジスタのしきい値電圧等の電気的特性のばらつきを軽減できるため、本発明の一態様の表示パネルは、各画素にしきい値電圧補償用の回路を配置しなくても正常に発光素子を動作させることができる。したがって、一画素における回路要素を削減することが可能となるため、レイアウトの自由度が向上する。よって、表示パネルの高精細化を図ることができる。例えば、マトリクス状に配置された複数の画素を一インチあたり３００以上含む（水平解像度が３００ｐｐｉ（ｐｉｘｅｌｓ ｐｅｒ ｉｎｃｈ）以上である）、さらに好ましくは４００以上含む（水平解像度が４００ｐｐｉ以上である）構成とすることが可能となる。

さらに、単結晶半導体をチャネル形成領域として用いたトランジスタは、高い電流駆動能力を維持したまま、微細化が可能である。該微細なトランジスタを用いることで表示に寄与しない回路部の面積を縮小することができるため、表示部においては表示面積が拡大し、かつ表示パネルの狭額縁化が達成できる。

［画素の構成］
表示部１０１に設けられた画素４０２の構成について、図２（Ｃ）参照して説明する。

本実施の形態で例示する画素４０２は副画素４０２Ｇを含み、副画素４０２Ｇは、反射膜を兼ねる第１の電極４２１Ｇ、半透過・半反射膜を兼ねる第２の電極４２２、発光性の有機化合物を含む層４２３ａ、発光性の有機化合物を含む層４２３ｂ並びに中間層４２４を備える発光素子４２０Ｇを備える。また、発光素子４２０Ｇと重なるように第２の電極４２２の側にカラーフィルタ４４１Ｇと、を具備して、スペクトルの半値幅が６０ｎｍ以下の波長が４００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の光を、１００μｓ以下の応答時間で発光可能な発光モジュール４５０Ｇを含む。

このような画素を、８０ｐｐｉ以上好ましくは３００ｐｐｉ以上の精細度で表示部１０１に設けて、ＮＴＳＣ比が８０％以上好ましくは９５％以上であって、且つコントラスト比が５００以上好ましくは２０００以上の表示装置とする。その結果、観察に伴う観察者の疲労が低減され、観察者が豊かな奥行きを感じられる画像を表示できる表示装置を提供できる。さらに、反射膜と半透過・半反射膜の間で光が干渉し合い、４００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の波長を有する光のうち特定の光が強め合い、カラーフィルタが不要な光を吸収する。これらにより、スペクトルの半値幅が狭い（具体的には６０ｎｍ以下）光を用いて彩度の高い画像を表示することができ、奥行き感が高まる。

また、画素４０２は、青色を呈する光Ｂを射出する副画素４０２Ｂ、緑色を呈する光Ｇを射出する副画素４０２Ｇ、赤色を呈する光Ｒを射出する副画素４０２Ｒを有する。それぞれの副画素は、駆動用トランジスタと発光モジュールとを備える。発光モジュールは、それぞれ反射膜と半透過・半反射膜と、反射膜と半透過・半反射膜の間に発光素子とを備える。

反射膜と半透過・半反射膜を重ねて微小共振器を構成し、その間に発光素子を設けると、半透過・半反射膜から特定の波長の光を効率良く取り出せる。具体的には、取り出す光の波長のｎ／２倍（ｎは自然数）になるように微小共振器の光学距離を設けると、光を取り出す効率を高められる。取り出す光の波長は、反射膜と半透過・半反射膜の間の距離に依存し、その距離は、その間に光学調整層を形成して調整できる。

光学調整層に用いることができる材料としては、可視光に対して透光性を有する導電膜の他、発光性の有機化合物を含む層を適用できる。例えば、電荷発生領域を用いて、その厚さを調整してもよい。または、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む領域を光学調整層に用いると、光学調整層が厚い構成であっても駆動電圧の上昇を抑制できるため好ましい。

発光素子の構成としては、反射膜を兼ねる第１の電極４２１Ｇと半透過・半反射膜を兼ねる第２の電極４２２の間に、発光性の有機化合物を含む層４２３ａ、発光性の有機化合物を含む層４２３ｂ並びに中間層４２４を備える発光素子４２０Ｇを備える。

なお、発光素子の構成例については、実施の形態３で詳細に説明する。

ここで、画素に液晶素子を適用した表示装置の場合、液晶の配向を物理的に変化させることにより画素を駆動させるため、その応答速度を十分に速めることができない。一方、上述した発光素子は液晶素子に比べて極めて応答速度が速い。したがってこのような発光素子を適用した表示装置は、動画を表示する際に残像が残りにくく、なめらかな動画表示を実現できる。そのため、より臨場感や立体感が高められ、観察者が豊かな奥行きを感じられる表示装置を実現できる。

本実施の形態で例示する発光モジュールは、それぞれの発光モジュールに設けられた発光素子の第２の電極４２２が、半透過・半反射膜を兼ねる構成となっている。具体的には、発光素子４２０Ｂと発光素子４２０Ｇと発光素子４２０Ｒとに共通して設けられた第２の電極４２２が、発光モジュール４５０Ｂと発光モジュール４５０Ｇと発光モジュール４５０Ｒの半透過・半反射膜を兼ねる。

また、それぞれの発光モジュールに電気的に独立して設けられた発光素子の第１の電極が反射膜を兼ねる構成となっている。具体的には、発光素子４２０Ｂに設けられた第１の電極４２１Ｂが発光モジュール４５０Ｂの反射膜を、発光素子４２０Ｇに設けられた第１の電極４２１Ｇが発光モジュール４５０Ｇの反射膜を、発光素子４２０Ｒに設けられた第１の電極４２１Ｒが発光モジュール４５０Ｒの反射膜を兼ねる。

発光モジュールの反射膜を兼ねる第１の電極は、反射膜上に光学調整層が積層された構成を有する。光学調整層は可視光に対する透光性を有する導電膜で形成され、反射膜は可視光に対する反射率が高く、導電性を有する金属膜が好ましい。

光学調整層の厚さは、発光モジュールから取り出す光の波長の長さに応じて調整する。

例えば、第１の発光モジュール４５０Ｂを、青色を呈する光を透過するカラーフィルタ４４１Ｂと、光学距離が４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満のｋ／２倍（ｋは自然数）に調整された反射膜を兼ねる第１の電極４２１Ｂと半透過・半反射膜を兼ねる第２の電極４２２を備える構成とする。

また、第２の発光モジュール４５０Ｇを、緑色を呈する光を透過するカラーフィルタ４４１Ｇと、光学距離が５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満のｊ／２倍（ｊは自然数）に調整された反射膜と半透過・半反射膜を備える構成とする。

また、第３の発光モジュール４５０Ｒを、赤色を呈する光を透過するカラーフィルタ４４１Ｒと、光学距離が６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満のｉ／２倍（ｉは自然数）に調整された反射膜と半透過・半反射膜を備える構成とする。

このような構成の発光モジュールは、反射膜と半透過・半反射膜の間で発光素子が発する光が干渉し合い、４００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の波長を有する光のうち特定の光が強め合い、さらにカラーフィルタが不要な光を吸収する。これにより、スペクトルの半値幅が狭い（具体的には６０ｎｍ以下）光を用いて彩度の高い画像を表示することができ、奥行き感が高まる。その結果、観察に伴う観察者の疲労が低減され、観察者が豊かな奥行きを感じられる画像を表示できる表示装置を提供できる。

特に、第３の発光モジュール４５０Ｒをスペクトルの半値幅が５０ｎｍより狭い赤色を呈する光を発する構成とし、且つ第２の発光モジュール４５０Ｇを半値幅が第３の発光モジュール４５０Ｒの発する光のスペクトルの半値幅より狭い緑色を呈する光を発する構成とし、且つ第１の発光モジュール４５０Ｂをスペクトルの半値幅が第２の発光モジュール４５０Ｇの発する光のスペクトルの半値幅より狭い青色を呈する光を発する構成とする。

このような構成の発光モジュールは、赤色よりも視感度の高い緑色を呈する光の半値幅が狭く、緑色よりも青色を呈する光の半値幅が狭い。これにより、スペクトルの半値幅が狭い（具体的には５０ｎｍ以下）光を用いて彩度の高い画像を表示することができ、奥行き感が高まる。

なお、第１の発光モジュール４５０Ｂ、第２の発光モジュール４５０Ｇおよび第３の発光モジュール４５０Ｒは、いずれも発光性の有機化合物を含む層４２３ａ、発光性の有機化合物を含む層４２３ｂ並びに中間層４２４を含む。また、発光素子の一対の前記電極の一方が反射膜を兼ね、他方が半透過・半反射膜を兼ねている。

このような構成の発光モジュールは、複数の発光モジュールのそれぞれの発光性の有機化合物を含む層を同一の工程で形成できる。また、反射膜および半透過・半反射膜を一対の電極が兼ねる。これにより、作製工程を簡略化できる。その結果、作製が容易であって、観察に伴う観察者の疲労が低減され、観察者が豊かな奥行きを感じられる画像を表示できる表示装置を提供できる。

また、画素がスペクトルの半値幅が狭く色純度が高い発光モジュールを含むため、ＮＴＳＣ比が大きく、またコントラストが高くなる。これにより、豊かなグレースケールを表示できる。さらに、画素が、応答時間が短い発光素子を含むため、動きのある画像を滑らかに表示できる。これにより、奥の画像に重なりながら奥の画像より早く、手前の画像が滑らかに動く動画像を表現できる。そして、豊かなグレースケールと滑らかな動きが相互に作用して、観察者は奥行きを強く感じることになる。

特にマイクロキャビティはスペクトルの半値幅を狭める効果が高く、また精細度が高いほど画素を認識しづらくする効果が高い。ここで、人間の脳は動きのある画像を認識しやすく、静止画像から動画像に変わる画像を認識しやすい。したがって、色純度が高められ、画素を認識しづらくすることにより、より滑らかな動画を表示することができ、その結果、観察に伴う観察者の疲労が低減され、観察者が豊かな奥行きを感じられる画像を表示できる表示装置を提供できる。

［隔壁の構成］
隔壁４１８は第１の電極４２１Ｂ、第１の電極４２１Ｇおよび第１の電極４２１Ｒの端部を覆って形成されている。

隔壁４１８の下端部には、曲率を有する曲面が形成されるようにする。隔壁４１８の材料としては、ポジ型やネガ型の感光性樹脂を用いることができる。

なお、隔壁に可視光を吸収する材料を適用すると、隣接する発光素子の一方から他方へ光が漏れる現象（クロストーク現象ともいう）を抑制する効果を奏する。

また、半透過・半反射膜を第１の基板４１０側に設けて、発光モジュールが発する光を第１の基板４１０側に取り出して、画像を表示する構成においては、隔壁に可視光を吸収する材料を適用すると、当該隔壁が、第１の基板４１０に設けた反射性の膜が反射する外光を吸収し、その反射を抑制できる。

［封止構造］
本実施の形態で例示する表示パネル４００は、第１の基板４１０、第２の基板４４０、およびシール材４０５で囲まれた空間に、発光素子を封止する構造を備える。

空間は、不活性気体（窒素やアルゴン等）で充填される場合の他、樹脂で充填される場合もある。また、不純物（代表的には水および／または酸素）の吸着材（例えば、乾燥剤など）を設けてもよい。

シール材４０５および第２の基板４４０は、大気中の不純物（代表的には水および／または酸素）をできるだけ透過しない材料であることが望ましい。シール材４０５にはエポキシ系樹脂や、ガラスフリット等を用いることができる。

第２の基板４４０に用いることができる材料としては、ガラス基板や石英基板の他、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板や、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）等をその例に挙げることができる。

以上が表示部１０１を含む表示パネル４００についての説明である。

＜画像処理装置の構成例＞
以下では、図１で例示した画像処理装置１０７の詳細について、図面を参照して説明する。

図３は、画像処理装置１０７のブロック図である。表示装置１００が備える画像処理装置１０７は、少なくとも階調変換部１１１を有している。

また図３に示すように、画像処理装置１０７には、記憶部１１３、ノイズ除去部１１４、画素間補完部１１５、色調補正部１１６、及び補完フレーム生成部１１７等を有していてもよい。

階調変換部１１１は、第１の画像信号Ｓ１に対して上述の階調変換処理を施す。階調変換処理の具体的な例は以下で説明する。

記憶部１１３は、入力される第１の画像信号Ｓ１に含まれる初期の画像データや、各部で変換処理が施された画像データを一時的に保持するために設けられる。記憶部１１３としては、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）やＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、またはレジスタ回路などの記憶装置を適用することができる。

ノイズ除去部１１４は、文字などの輪郭の周辺に生じるモスキートノイズ、高速の動画で生じるブロックノイズ、ちらつきを生じるランダムノイズ、解像度のアップコンバートにより生じるドットノイズなどのさまざまなノイズを除去する。

画素間補完部１１５は、解像度をアップコンバートした際に、本来存在しないデータを補完する。例えば、目的の画素の周囲の画素を参照し、それらの中間色を表示するようにデータを補完する。

色調補正部１１６は、画像の色調を補正することができる。例えば、表示装置が設けられる空間の照明の種類や輝度、または色純度などを検知し、それに応じて表示部１０１に表示する画像の色調を最適な色調に補正する。または、表示する画像と、あらかじめ保存してある画像リスト内の様々な場面の画像と、を照合し、最も近い場面の画像に適した色調に表示する画像を補正する機能を有していてもよい。

補完フレーム生成部１１７は、表示する画像のフレーム周波数を増大させる場合に、不足するフレームの画像を生成する。例えば、ある２枚の画像の差分から２枚の画像の間のフレームの画像を生成する。または２枚の画像の間に複数枚の画像を生成することもできる。例えば第１の画像信号Ｓ１のフレーム周波数が６０Ｈｚであったとき、複数枚の補完フレームを生成することで、第２の画像信号Ｓ２のフレーム周波数を、２倍の１２０Ｈｚ、または４倍の２４０Ｈｚ、または８倍の４８０Ｈｚなどに増大させることができる。

このように、階調変換部１１１による階調変換処理の他に様々な処理を施す機能を画像処理装置１０７に付加することで、より臨場感のある画像を含む第２の画像信号Ｓ２を生成することができる。

＜階調変換処理について＞
以下では、階調変換部１１１による階調変換処理について説明する。ここでは、階調変換部１１１に第１の画像信号Ｓ１が入力され、階調変換部１１１により階調変換処理を施した後の信号として、第２の画像信号Ｓ２が出力されるとして説明する。

図４（Ａ）には、階調変換部１１１に入力される第１の画像信号Ｓ１に含まれる階調の情報を模式的に示す。また図４（Ｂ）には、階調変換処理が施された第２の画像信号Ｓ２に含まれる階調の情報を模式的に示す。また、図４（Ｃ）には、図４（Ｂ）に示す階調レベルを拡大して示した階調の情報を示す。

第１の画像信号Ｓ１は、ｐ値の階調数を有する信号である。例えば８ビット階調の信号の場合には、２５６値の階調数を有する。ここで階調レベルが１のとき、表示装置１００の表示可能な輝度のダイナミックレンジ内の最も低輝度の表示を行うとする。一方、階調レベルがｐのときには、最も高輝度の表示を行うとする。

第１の画像信号Ｓ１は、階調レベルが１からｐまでの間で等間隔に分割されている。したがって、第１の画像信号Ｓ１がそのまま表示装置１００に入力された場合には、最も低輝度から最も高輝度にかけて線形的な階調表現によって画像が表示される。

図４（Ｂ）に示すように、階調変換処理では、第１の画像信号Ｓ１の低輝度側の１つの階調レベルをさらに分割する処理を行う。具体的には、階調レベルが１からｑまでのｑ値の階調レベルのそれぞれについて、分割する処理を施す。ここで、ｑは１以上１／４ｐ以下、好ましくは１以上１／２ｐ以下とする。より広範囲にかけて階調変換処理を施すことにより、より豊かに奥行きを感じられる画像とすることができる。

また、ひとつの階調レベルを分割する際、図４（Ｃ）に示すように分割数は２の階乗であることが好ましい。すなわち、１つの階調レベルを２^ｒ値に分割する。ここで、ｒは自然数であり、１以上８以下、好ましくは１以上２０以下とする。１つの階調レベルの分割数が多いほど、より豊かな奥行きが感じられる画像を生成することができる。

例えば、第１の画像信号Ｓ１が８ビットの階調の信号であるとし、ｑを１／４、ｒを８とすると、第１の画像信号Ｓ１における低輝度側の６４値のそれぞれを、２５６値に分割する。その場合、第２の画像信号Ｓ２の有する階調数は１６５１２階調となる。

ここで、表示部１０１の備える発光素子として、有機ＥＬ素子を用いると、低輝度領域におけるより細かな階調表現を実現できるため好ましい。さらに、発光モジュールとして、微小共振器（マイクロキャビティ）構造とカラーフィルタを組み合わせた発光モジュールを用い、各画素から色純度が高められた発光を得ることにより、さらに細かな階調表現を実現できる。例えば最大輝度の半分の輝度よりも低輝度の領域における階調数を１００００００階調以上の階調表現を行うこともできる。

続いて、１つの階調レベルを分割して得られた新たな階調レベルを用いて、各画素に新たな階調レベルを割り当てる。例えば、目的の画素の周囲の画素における、第１の画像信号により割れ当てられていた階調レベルを参照し、それらの中間の階調レベルに設定する。また、目的のフレームの前後複数の画像内の目的の画素、またはその周囲の画素の階調レベルを参照して、これらの中間の階調レベルになるように設定してもよい。

以上のような階調変換処理により、階調変換部１１１は入力される第１の画像信号Ｓ１から、極めて豊かな奥行きが感じられる画像を含む第２の画像信号Ｓ２を生成することができる。

ここで図５に、階調変換処理を施す前の画像と、階調変換処理を施した後の画像の例について示す。

図５（Ａ）は、階調変換処理を施す前における画像の一例であり、高層ビル群と高層ビル群よりも奥側に花火が打ち上げられた夜景像を示している。また図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に示す画像における、各階調レベル（ｇｒａｙ ｌｅｖｅｌ）に対する画素数（ｐｉｘｅｌｓ）のヒストグラム（輝度分布ともいう）である。なお、図５（Ｂ）のヒストグラムでは低輝度側と高輝度側の一部を抜き出して示している。

図５（Ａ）では、花火よりも手前側に配置される高層ビル群と背景の階調レベルが近いため、図５（Ｂ）に示すように同一の階調レベルで表示される領域が多い。その結果、背景と高層ビル群との前後関係が曖昧となり、極めて平面的な画像となっている。

図５（Ｃ）は、図５（Ａ）に対して階調変換処理を施した後の画像の一例である。また図５（Ｄ）は、図５（Ｃ）に示す画像における、各階調レベルに対する画素数のヒストグラムである。

図５（Ｄ）に示すように、階調変換処理によって低輝度領域の階調数が増大しているため、図５（Ｂ）では同一の階調レベルであった領域をより緻密に表現することができている。その結果、図５（Ｃ）に示す画像では、高層ビル群と背景、及び高層ビル群内の前後関係が明瞭となり、全体として極めて豊かな奥行きが感じられる画像となっている。

以上が階調変換処理についての説明である。

本発明の一態様の表示装置１００は、その表示部１０１により豊かな奥行きが感じられる画像を表示することができる。さらに、上述した階調変換処理を施すことのできる階調変換部１１１を備える画像処理装置１０７を表示装置１００に設けることにより、より豊かな奥行きが感じられる表示装置１００とすることができる。

本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、入力される画像信号に含まれる画像を複数の領域に分割し、必要な領域にのみ階調変換処理を施す方法について説明する。

階調変換部１１１に入力される第１の画像信号Ｓ１に含まれる画像を、複数の領域に分割し、各々の領域における輝度分布を抽出する。さらに、階調変換部１１１は、抽出した輝度分布に応じて、当該領域に対して階調変換処理を施すか否かを判定する。

階調変換部１１１は、階調変換処理を施すべきと判定された領域に対して、上述の階調変換処理を施す。一方、階調変換処理を施さない領域は、そのままの階調を用いる。

その後、階調変換部１１１は、階調変換処理を施した領域と、階調変換処理を施していない領域と、を１つの画像に統合して、第２の画像信号Ｓ２を生成し、出力する。

このように、第１の画像信号Ｓ１に含まれる画像の全ての領域に対して階調変換処理を施すのではなく、必要な領域にのみ階調変換処理を施すことにより、処理速度を向上させることができる。

以下では、より具体的な例について図面を参照して説明する。

図６（Ａ）は、階調変換部１１１に入力される第１の画像信号Ｓ１に含まれる画像の例を示している。図６（Ａ）に示す画像内には、階調レベルの高い（高輝度の）領域と、階調レベルの低い（低輝度の）領域が混在している。

ここでは、図６（Ａ）に示すように、１つの画像を縦３×横４の１２の領域に分割する例について説明する。ここでは縦方向のアドレスを図面上からＡ、Ｂ、Ｃとし、横方向のアドレスを図面左から１、２、３、４とする。また１つの領域を、これらアドレスを用いて領域［Ａ−１］のように表記する。

図６（Ｃ）には、図６（Ａ）内の領域［Ｃ−３］におけるヒストグラムを示す。領域［Ｃ−３］は、階調レベルの低い表示領域が多く含まれている領域である。

また、図６（Ｄ）には、図６（Ａ）内の領域［Ａ−２］におけるヒストグラムを示す。領域［Ａ−２］は、階調レベルの低い表示領域はほとんど含まれていない領域である。

このように領域ごとに抽出したヒストグラムを用いて、対象となる領域に対して階調変換処理を施すか否かを判定する。

判定する手法の１つの例について説明する。ここで対象となる１つの領域内に、階調レベルが１以上ｑ以下の範囲で、画素数が所定の画素数ｓを越える階調レベルが存在する場合に、当該領域に対して階調変換処理を施す。一方、対象となる領域内にこのような階調レベルが存在しない場合には、当該領域に対しては階調変換処理を施さない。

ここで階調変換処理を施すか否かを判定する指標となる画素数ｓは、第１の画像信号Ｓ１の有する階調数や、１つの領域を構成する画素数に応じて適宜設定すればよい。

図６（Ｃ）に示すヒストグラムでは、階調レベルが１以上ｑ以下の範囲に、所定の画素数ｓを越える階調レベルが存在する。したがって、領域［Ｃ−３］に対しては階調変換処理を施す。

一方、図６（Ｄ）に示すヒストグラムでは、階調レベルが１以上ｑ以下の範囲に、所定の画素数ｓを越える階調レベルが存在しない。したがって、領域［Ａ−２］については階調変換処理を施さない。

このようにして各領域について階調変換処理を施すか否かを判定した結果を、図６（Ｂ）に示す。図６（Ｂ）に示す各領域において、ハッチングを付した領域（領域［Ｂ−２］、領域［Ｂ−３］、領域［Ｂ−４］、領域［Ｃ−１］、領域［Ｃ−２］、領域［Ｃ−３］）にのみ、階調変換処理を施す。

ここで、階調変換処理を施すか否かの判定する手法は、上記に限られない。例えば、対象となる１つの領域内に、階調レベルが１以上ｑ以下の範囲に含まれる画素の総数が、所定の画素数を超えるか否かを判定することにより、当該領域に対して階調変換処理を施すか否かを判定する。

このような方法によれば、判定の指標となる所定の画素数が第１の画像信号Ｓ１の有する階調数に依存せず、１つの領域を構成する画素数に応じて決定すればよいため、異なる階調数を有する第１の画像信号Ｓ１を容易に用いることができる。

また、上記では１つの画像を１２の領域に分割する例について示したが、分割数はこれに限られない。分割数を大きくし１つの画像を細かい領域に分割することで、階調変換処理が必要な領域をより細かく設定することができるため、処理速度をさらに向上させることができる。

本実施の形態で例示した方法によれば、必要な領域にのみ階調変換処理を施すことができるため、階調変換部１１１の処理速度を向上させることができる。

本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光モジュールに用いることができる発光素子の構成について説明する。図７を参照して説明する。

本実施の形態で例示する発光素子は、第１の電極、第２の電極及び第１の電極と第２の電極の間に発光性の有機化合物を含む層（以下ＥＬ層という）を備える。第１の電極または第２の電極のいずれか一方は陽極、他方は陰極として機能する。ＥＬ層は第１の電極と第２の電極の間に設けられ、該ＥＬ層の構成は第１の電極と第２の電極の材質に合わせて適宜選択すればよい。

＜発光素子の構成例＞
発光素子の構成の一例を図７（Ａ）に示す。図７（Ａ）に例示する発光素子は、陽極１１０１と陰極１１０２の間に第１の発光ユニット１１０３ａと第２の発光ユニット１１０３ｂを含むＥＬ層が設けられている。さらに、第１の発光ユニット１１０３ａと、第２の発光ユニット１１０３ｂとの間には中間層１１０４が設けられている。

陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層に陽極１１０１の側から正孔が注入され、陰極１１０２の側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する。

なお、本明細書においては、両端から注入された電子と正孔が再結合する領域を１つ有する層または積層体を発光ユニットという。

なお、陽極１１０１と陰極１１０２の間に設ける発光ユニットの数は２つに限定されない。図７（Ｃ）に例示する発光素子は、発光ユニット１１０３が複数積層された構造、所謂、タンデム型の発光素子の構成を備える。但し、例えば陽極と陰極の間にｎ（ｎは２以上の自然数）層の発光ユニット１１０３を設ける場合には、ｍ（ｍは自然数、１以上（ｎ−１）以下）番目の発光ユニットと、（ｍ＋１）番目の発光ユニットとの間に、それぞれ中間層１１０４を設ける構成とする。

発光ユニット１１０３は、少なくとも発光物質を含む発光層を１つ以上備えていればよく、発光層以外の層と積層された構造であってもよい。発光層以外の層としては、例えば正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔輸送性に乏しい（ブロッキングする）物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、並びにバイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い）の物質等を含む層が挙げられる。

発光ユニット１１０３の具体的な構成の一例を図７（Ｂ）に示す。図７（Ｂ）に示す発光ユニット１１０３は、正孔注入層１１１３、正孔輸送層１１１４、発光層１１１５、電子輸送層１１１６、並びに電子注入層１１１７が陽極１１０１側からこの順に積層されている。

中間層１１０４の具体的な構成の一例図７（Ａ）に示す。中間層１１０４は少なくとも電荷発生領域を含んで形成されていればよく、電荷発生領域以外の層と積層された構成であってもよい。例えば、第１の電荷発生領域１１０４ｃ、電子リレー層１１０４ｂ、及び電子注入バッファ層１１０４ａが陰極１１０２側から順次積層された構造を適用することができる。

中間層１１０４における電子と正孔の挙動について説明する。陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおいて、正孔と電子が発生し、正孔は陰極１１０２側に設けられた発光ユニット１１０３ｂへ移動し、電子は電子リレー層１１０４ｂへ移動する。

電子リレー層１１０４ｂは電子輸送性が高く、第１の電荷発生領域１１０４ｃで生じた電子を電子注入バッファ層１１０４ａに速やかに受け渡す。電子注入バッファ層１１０４ａは発光ユニット１１０３に電子を注入する障壁を緩和し、発光ユニット１１０３への電子注入効率を高める。従って、第１の電荷発生領域１１０４ｃで発生した電子は、電子リレー層１１０４ｂと電子注入バッファ層１１０４ａを経て、発光ユニット１１０３のＬＵＭＯ準位に注入される。

また、電子リレー層１１０４ｂは、第１の電荷発生領域１１０４ｃを構成する物質と電子注入バッファ層１１０４ａを構成する物質が界面で反応し、互いの機能が損なわれてしまう等の相互作用を防ぐことができる。

陰極側に設けられた発光ユニット１１０３ｂに注入された正孔は、陰極１１０２から注入された電子と再結合し、当該発光ユニットに含まれる発光物質が発光する。また、陽極側に設けられた発光ユニットに注入された電子は、陽極側から注入された正孔と再結合し、当該発光ユニットに含まれる発光物質が発光する。よって、中間層１１０４において発生した正孔と電子は、それぞれ異なる発光ユニットにおいて発光に至る。

なお、発光ユニット同士を接して設けることで、両者の間に中間層と同じ構成が形成される場合は、発光ユニット同士を接して設けることができる。具体的には、発光ユニットの一方の面に電荷発生領域が形成されていると、当該電荷発生領域は中間層の第１の電荷発生領域として機能するため、発光ユニット同士を接して設けることができる。

なお、陰極とｎ番目の発光ユニットの間に中間層を設けることもできる。

＜発光素子に用いることができる材料＞
次に、上述した構成を備える発光素子に用いることができる具体的な材料について、陽極、陰極、ＥＬ層、電荷発生領域、電子リレー層並びに電子注入バッファ層の順に説明する。

＜陽極に用いることができる材料＞
陽極１１０１は、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上が好ましい）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有したインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。

この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン等）、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、チタン酸化物等が挙げられる。

但し、陽極１１０１と接して第２の電荷発生領域を設ける場合には、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を陽極１１０１に用いることができる。具体的には、仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料を用いることもできる。第２の電荷発生領域を構成する材料については、第１の電荷発生領域と共に後述する。

＜陰極に用いることができる材料＞
陰極１１０２は、仕事関数の小さい（具体的には４．０ｅＶ未満）材料が好ましいが、陰極１１０２に接して第１の電荷発生領域を、発光ユニット１１０３との間に設ける場合、陰極１１０２は仕事関数の大小に関わらず様々な導電性材料を用いることができる。

なお、陰極１１０２および陽極１１０１のうち少なくとも一方を、可視光を透過する導電膜を用いて形成する。可視光を透過する導電膜としては、例えば酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などを挙げることができる。また、光を透過する程度（好ましくは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下程度）の金属薄膜を用いることもできる。

＜ＥＬ層に用いることができる材料＞
上述した発光ユニット１１０３を構成する各層に用いることができる材料について、以下に具体例を示す。

［正孔注入層］
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。

なお、正孔注入層の代わりに第２の電荷発生領域を用いてもよい。第２の電荷発生領域を用いると、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を陽極１１０１に用いることができるのは前述の通りである。第２の電荷発生領域を構成する材料については第１の電荷発生領域と共に後述する。

［正孔輸送層］
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層は、単層に限られず正孔輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子よりも正孔の輸送性の高い物質であればよく、特に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。

［発光層］
発光層は、発光物質を含む層である。発光層は、単層に限られず発光物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。発光物質は蛍光性化合物や、燐光性化合物を用いることができる。発光物質に燐光性化合物を用いると、発光素子の発光効率を高められるため好ましい。

発光物質は、ホスト材料に分散させて用いるのが好ましい。ホスト材料としては、その励起エネルギーが、発光物質の励起エネルギーよりも大きなものが好ましい。

［電子輸送層］
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層は、単層に限られず電子輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。正孔よりも電子の輸送性の高い物質であればよく、特に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。

［電子注入層］
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層は、単層に限られず電子注入性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子注入層を設ける構成とすることで陰極１１０２からの電子の注入効率が高まり、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。

電子注入性の高い物質としては、例えばリチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）等のアルカリ金属、アルカリ土類金属またはこれらの化合物が挙げられる。また電子輸送性を有する物質中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属、マグネシウム（Ｍｇ）又はそれらの化合物を含有させたもの、例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いることもできる。

＜電荷発生領域に用いることができる材料＞
第１の電荷発生領域１１０４ｃ、及び第２の電荷発生領域は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む領域である。なお、電荷発生領域は、同一膜中に正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含有する場合だけでなく、正孔輸送性の高い物質を含む層とアクセプター性物質を含む層とが積層されていてもよい。但し、陰極に接して設けられる第１の電荷発生領域が積層構造の場合には、正孔輸送性の高い物質を含む層が陰極１１０２と接する構造となる。陽極に接して設けられる第２の電荷発生領域が積層構造の場合には、アクセプター性物質を含む層が陽極１１０１と接する構造となる。

なお、電荷発生領域において、正孔輸送性の高い物質に対して質量比で、０．１以上４．０以下の比率でアクセプター性物質を添加することが好ましい。

電荷発生領域に用いるアクセプター性物質としては、遷移金属酸化物、特に元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物が好ましい。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。なお、酸化モリブデンは、吸湿性が低いという特徴を有している。

また、電荷発生領域に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマーを含む）など、種々の有機化合物を用いることができる。具体的には、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。

＜電子リレー層に用いることができる材料＞
電子リレー層１１０４ｂは、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおいてアクセプター性物質がひき抜いた電子を速やかに受け取ることができる層である。従って、電子リレー層１１０４ｂは、電子輸送性の高い物質を含む層であり、またそのＬＵＭＯ準位は、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおけるアクセプター性物質のアクセプター準位と、発光ユニット１１０３のＬＵＭＯ準位との間に位置する。具体的には、およそ−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするのが好ましい。

電子リレー層１１０４ｂに用いる物質としては、例えば、ペリレン誘導体や、含窒素縮合芳香族化合物が挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定な化合物であるため電子リレー層１１０４ｂに用いる物質として好ましい。さらに、含窒素縮合芳香族化合物のうち、シアノ基やフッ素などの電子吸引基を有する化合物を用いることにより、電子リレー層１１０４ｂにおける電子の受け取りがさらに容易になるため、好ましい。

＜電子注入バッファ層に用いることができる材料＞
電子注入バッファ層１１０４ａは、第１の電荷発生領域１１０４ｃから発光ユニット１１０３への電子の注入を容易にする層である。電子注入バッファ層１１０４ａを第１の電荷発生領域１１０４ｃと発光ユニット１１０３の間に設けることにより、両者の注入障壁を緩和することができる。

電子注入バッファ層１１０４ａには、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。

また、電子注入バッファ層１１０４ａが、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、０．００１以上０．１以下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した発光ユニット１１０３の一部に形成することができる電子輸送層の材料と同様の材料を用いて形成することができる。

＜発光素子の作製方法＞
発光素子の作製方法の一態様について説明する。第１の電極上にこれらの層を適宜組み合わせてＥＬ層を形成する。ＥＬ層は、それに用いる材料に応じて種々の方法（例えば、乾式法や湿式法等）を用いることができ。例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコート法などを選んで用いればよい。また、各層で異なる方法を用いて形成してもよい。ＥＬ層上に第２の電極を形成し、発光素子を作製する。

以上のような材料を組み合わせることにより、本実施の形態に示す発光素子を作製することができる。この発光素子からは、上述した発光物質からの発光が得られ、その発光色は発光物質の種類を変えることにより選択できる。

また、発光色の異なる複数の発光物質を用いることにより、発光スペクトルの半値幅を拡げて、例えば白色発光を得ることもできる。白色発光を得る場合には、例えば、発光物質を含む層を少なくとも２つ備える構成とし、それぞれの層を互いに補色の関係にある色を呈する光を発するように構成すればよい。具体的な補色の関係としては、例えば青色と黄色、あるいは青緑色と赤色等が挙げられる。

さらに、演色性のよい白色発光を得る場合には、発光スペクトルが可視光全域に拡がるものが好ましく、例えば、一つの発光素子が青色を呈する光を発する層、緑色を呈する光を発する層、赤色を呈する光を発する層を備える構成とすればよい。

本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について説明する。具体的には、上記実施の形態で例示した表示装置を搭載した電子機器について図８を用いて説明する。

本発明の一態様の表示装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図８に示す。

図８（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。

テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。

なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図８（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。なお、コンピュータは、本発明の一態様の表示装置をその表示部７２０３に適用されている。

図８（Ｃ）は携帯型遊技機であり、筐体７３０１と筐体７３０２の２つの筐体で構成されており、連結部７３０３により、開閉可能に連結されている。筐体７３０１には表示部７３０４が組み込まれ、筐体７３０２には表示部７３０５が組み込まれている。また、図８（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部７３０６、記録媒体挿入部７３０７、ＬＥＤランプ７３０８、入力手段（操作キー７３０９、接続端子７３１０、センサ７３１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７３１２）等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部７３０４および表示部７３０５の両方、または一方に本発明の一態様の表示装置を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図８（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図８（Ｃ）に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。

図８（Ｄ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、本発明の一態様の表示装置が表示部７４０２に適用されている。

図８（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。

表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。

例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好ましい。

また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。

また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、または筐体７４０１の操作ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。

また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。

表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。

図８（Ｅ）は、折りたたみ式のコンピュータの一例を示している。折りたたみ式のコンピュータ７４５０は、ヒンジ７４５４で接続された筐体７４５１Ｌと筐体７４５１Ｒを備えている。また、操作ボタン７４５３、左側スピーカ７４５５Ｌおよび右側スピーカ７４５５Ｒの他、コンピュータ７４５０の側面には図示されていない外部接続ポート７４５６を備える。なお、筐体７４５１Ｌに設けられた表示部７４５２Ｌと、筐体７４５１Ｒに設けられた表示部７４５２Ｒが互いに対峙するようにヒンジ７４５４を折り畳むと、表示部を筐体で保護することができる。折りたたみ式のコンピュータ７４５０は、少なくとも表示部７４５２Ｌおよび表示部７４５２Ｒの両方、または一方に本発明の一態様の表示装置が適用される。

表示部７４５２Ｌと表示部７４５２Ｒは、画像を表示する他、指などで触れると情報を入力できる。例えば、インストール済みのプログラムを示すアイコンを指でふれて選択し、プログラムを起動できる。または、表示された画像の二箇所に触れた指の間隔を変えて、画像を拡大または縮小できる。または、表示された画像の一箇所に触れた指を移動して画像を移動できる。また、キーボードの画像を表示して、表示された文字や記号を指で触れて選択し、情報を入力することもできる。

また、コンピュータ７４５０に、ジャイロ、加速度センサ、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）受信機、指紋センサ、ビデオカメラを搭載することもできる。例えば、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、コンピュータ７４５０の向き（縦か横か）を判断して、表示する画面の向きを自動的に切り替えるようにすることができる。

また、コンピュータ７４５０はネットワークに接続できる。コンピュータ７４５０はインターネット上の情報を表示できる他、ネットワークに接続された他の電子機器を遠隔から操作する端末として用いることができる。

また、本発明の一態様の表示装置は、表示パネルが薄膜状であるため、曲面を有する基体に貼り付けることで、曲面を有する表示装置とすることができる。また、その表示装置を、曲面を有する筐体に配置することで、曲面を有する電子機器を実現することができる。

本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

本発明の一態様の表示装置に適用可能な青色を呈する光を発する発光モジュールと、緑色を呈する光を発する発光モジュールと、赤色を呈する光を発する発光モジュールを作製し、それぞれの特性を測定した結果を以下に示す。

＜作製した発光素子の構成＞
作製した発光モジュールに用いた発光素子の構成を図９に示す。作製した発光モジュールは、いずれも第１の電極２５１が反射膜を兼ね、第２の電極２５２が半透過・半反射膜を兼ね、第１の電極と第２の電極の間に発光性の有機化合物を含む層２５３を備える。

［第１の電極の構成］
いずれの発光モジュールも、反射膜を兼ねる第１の電極２５１に２００ｎｍのアルミニウム−チタン合金膜と、その上に厚さ６ｎｍのチタン膜を積層して用いた。また、反射膜上に設けられる光学調整層として酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（略称：ＩＴＳＯ）膜を用いた。なお、発光色ごとに光学調整層の厚さを最適化した。

具体的には、緑色を呈する光を発する発光モジュールに厚さ４０ｎｍのＩＴＳＯ膜を光学調整層として設け、赤色を呈する光を発する発光モジュールに厚さ８０ｎｍのＩＴＳＯ膜を光学調整層として設けた。なお、青色を呈する光を発する発光モジュールには、上述の６ｎｍのチタン膜に接して発光性の有機化合物を含む層を設けた。

［第２の電極の構成］
第２の電極２５２は、１５ｎｍの銀・マグネシウム合金膜上に７０ｎｍのインジウム錫酸化物（略称：ＩＴＯ）を積層した導電膜を用いた。銀・マグネシウム合金膜は重量比１０：１（＝Ａｇ：Ｍｇ）で共蒸着して形成した。

［発光性の有機化合物を含む層の構成］
図９に示すように、発光性の有機化合物を含む層２５３は、中間層１５０４を挟んで２つのＥＬ層（第１のＥＬ層１５０３ａと第２のＥＬ層１５０３ｂ）が設けられた構造（タンデム構造ともいう）を備える。

第１のＥＬ層１５０３ａは、第１の電極２５１上に正孔注入層１５１１、第１の正孔輸送層１５１２、第１の発光層１５１３、第１の電子輸送層１５１４ａ、および第２の電子輸送層１５１４ｂをこの順に備える。

中間層１５０４は、電子輸送層１５１４ｂ上に、電子注入バッファ層１５０４ａ、電子リレー層１５０４ｂ、および電荷発生領域１５０４ｃをこの順に備える。

第２のＥＬ層１５０３ｂは、中間層１５０４上に、第２の正孔輸送層１５２２、第２の発光層１５２３ａ、第３の発光層１５２３ｂ、第３の電子輸送層１５２４ａ、第４の電子輸送層１５２４ｂ、および電子注入層１５２５をこの順に備える。

上記の発光性の有機化合物を含む層を構成する材料の詳細を表１に示す。

また、本実施例で用いる一部の有機化合物の構造式を以下に示す。

＜評価結果＞
作製した発光モジュールの特性を測定した結果を以下に示す。

［発光スペクトル］
作製した発光モジュールが発する光のスペクトルを測定した結果を図１０に示す。

図１０（Ａ）は赤色を呈する光を発する発光モジュールの発光スペクトルであり、その半値幅は４１ｎｍであった。

図１０（Ｂ）は緑色を呈する光を発する発光モジュールの発光スペクトルであり、その半値幅は３１ｎｍであった。

図１０（Ｃ）は青色を呈する光を発する発光モジュールの発光スペクトルであり、その半値幅は２３ｎｍであった。

いずれの発光モジュールが発する光も、そのスペクトルの半値幅が５０ｎｍより狭く、鮮やかな色であった。

［色再現特性］
図１１は、上記の３つの発光モジュールが発する光の色をプロットした色度図である。各プロットを頂点とする破線の三角は、当該発光モジュールを用いて表示できる色の範囲を示すものである。その面積は、ＮＴＳＣ（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ）が定めた規格を頂点とする実線の三角の面積の９５．４％であった。

［応答時間］
図１２（Ａ）には発光モジュールを発光させた際の、発光開始からの時間に対する発光輝度を示している。また図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）の横軸を拡大したものである。なお、縦軸の発光輝度は、発光モジュールの発光輝度が安定したときの発光輝度を１００％として規格化したものを用いている。

図１２（Ａ）、（Ｂ）中に示す２種類の曲線のうち、サンプル１は青色の発光を呈する発光モジュールについての測定結果を、サンプル２は緑色の発光を呈する発光モジュールについての測定結果を、それぞれ示している。

発光開始から、発光輝度が９０％に到達するまでの時間を応答時間とする。サンプル１では応答時間は約７μｓであり、サンプル２では応答時間は約２４μｓであった。したがって、いずれの発光モジュールも極めて応答時間が短いことが確認できた。

本実施例は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

１００ 表示装置
１０１ 表示部
１０３ 駆動回路部
１０４ 駆動回路部
１０５ 制御回路部
１０７ 画像処理装置
１０９ デコーダ回路部
１１１ 階調変換部
１１３ 記憶部
１１４ ノイズ除去部
１１５ 画素間補完部
１１６ 色調補正部
１１７ 補完フレーム生成部
２５１ 電極
２５２ 電極
２５３ 層
４００ 表示パネル
４０２ 画素
４０２Ｂ 副画素
４０２Ｇ 副画素
４０２Ｒ 副画素
４０５ シール材
４０８ 配線
４１０ 基板
４１１ トランジスタ
４１２ トランジスタ
４１３ ｎチャネル型トランジスタ
４１４ ｐチャネル型トランジスタ
４１６ 絶縁層
４１８ 隔壁
４２０Ｂ 発光素子
４２０Ｇ 発光素子
４２０Ｒ 発光素子
４２１Ｂ 電極
４２１Ｇ 電極
４２１Ｒ 電極
４２２ 電極
４２３ 層
４２３ａ 層
４２３ｂ 層
４２４ 中間層
４３１ 空間
４４０ 基板
４４１Ｂ カラーフィルタ
４４１Ｇ カラーフィルタ
４４２ 膜
４５０Ｂ 発光モジュール
４５０Ｇ 発光モジュール
４５０Ｒ 発光モジュール
１１０１ 陽極
１１０２ 陰極
１１０３ 発光ユニット
１１０３ａ 発光ユニット
１１０３ｂ 発光ユニット
１１０４ 中間層
１１０４ａ 電子注入バッファ層
１１０４ｂ 電子リレー層
１１０４ｃ 電荷発生領域
１１１３ 正孔注入層
１１１４ 正孔輸送層
１１１５ 発光層
１１１６ 電子輸送層
１１１７ 電子注入層
１５０３ａ ＥＬ層
１５０３ｂ ＥＬ層
１５０４ 中間層
１５０４ａ 電子注入バッファ層
１５０４ｂ 電子リレー層
１５０４ｃ 電荷発生領域
１５１１ 正孔注入層
１５１２ 正孔輸送層
１５１３ 発光層
１５１４ａ 電子輸送層
１５１４ｂ 電子輸送層
１５２２ 正孔輸送層
１５２３ａ 発光層
１５２３ｂ 発光層
１５２４ａ 電子輸送層
１５２４ｂ 電子輸送層
１５２５ 電子注入層
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモコン操作機
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７３０１ 筐体
７３０２ 筐体
７３０３ 連結部
７３０４ 表示部
７３０５ 表示部
７３０６ スピーカ部
７３０７ 記録媒体挿入部
７３０８ ＬＥＤランプ
７３０９ 操作キー
７３１０ 接続端子
７３１１ センサ
７３１２ マイクロフォン
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
７４５０ コンピュータ
７４５１Ｌ 筐体
７４５１Ｒ 筐体
７４５２Ｌ 表示部
７４５２Ｒ 表示部
７４５３ 操作ボタン
７４５４ ヒンジ
７４５５Ｌ 左側スピーカ
７４５５Ｒ 右側スピーカ
７４５６ 外部接続ポート

Claims (8)

1. 表示部と、階調変換部と、を備え、
   前記表示部は、ＮＴＳＣ比が８０％以上、且つ、コントラスト比が５００以上であり、且つ、スペクトルの半値幅が６０ｎｍ以下の光を１００μｓ以下の応答時間で発光可能な発光モジュールを含む画素が、８０ｐｐｉ以上の精細度で設けられ、
   前記階調変換部は、当該階調変換部に入力される第１の画像信号を第２の画像信号に変換して、当該第２の画像信号を前記表示部に送信し、
   前記第１の画像信号は、ｐ値（ｐは自然数）の階調を有し、
   前記第２の画像信号は、前記第１の画像信号のうち、最も低輝度からｑ番目までのｑ値のそれぞれを、さらに２^ｒ値に分割する階調変換処理が施された信号であり、
   ｑは１以上ｐ／２以下、且つ、ｒは１以上２０以下であることを満たす、
   表示装置。
2. 表示部と、階調変換部と、を備え、
   前記表示部は、ＮＴＳＣ比が８０％以上、且つ、コントラスト比が５００以上であり、且つ、スペクトルの半値幅が６０ｎｍ以下の光を１００μｓ以下の応答時間で発光可能な発光モジュールを含む画素が、８０ｐｐｉ以上の精細度で設けられ、
   前記発光モジュールは、
   反射膜および半透過・半反射膜と、
   前記反射膜と前記半透過・半反射膜との間に設けられ、一対の電極と、前記一対の電極の間に発光性の有機化合物を含む層を複数と、前記発光性の有機化合物の間に中間層を備える発光素子と、
   前記半透過・半反射膜を介して前記発光素子と重なるように設けられたカラーフィルタと、を備え、
   前記階調変換部は、当該階調変換部に入力される第１の画像信号を第２の画像信号に変換して、当該第２の画像信号を前記表示部に送信し、
   前記第１の画像信号は、ｐ値（ｐは自然数）の階調を有し、
   前記第２の画像信号は、前記第１の画像信号のうち、最も低輝度からｑ番目までのｑ値のそれぞれを、さらに２^ｒ値に分割する階調変換処理が施された信号であり、
   ｑは１以上ｐ／２以下、且つ、ｒは１以上２０以下であることを満たす、
   表示装置。
3. 前記階調変換部は、前記第１の画像信号に含まれる画像を複数の領域に分割して、それぞれの領域における輝度分布を抽出し、
   前記輝度分布に応じて、当該領域に対して前記階調変換処理を行うか否かを判定し、
   前記階調変換処理を行うべき領域に対して、当該階調変換処理を施す、
   請求項１または請求項２に記載の、表示装置。
4. 前記画素の各々に設けられる前記発光モジュールは、
   赤色を呈する光を透過するカラーフィルタと、光学距離が６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満のｉ／２倍（ｉは自然数）に調整された前記反射膜と前記半透過・半反射膜を備える第１の発光モジュール、または
   緑色を呈する光を透過するカラーフィルタと、光学距離が５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満のｊ／２倍（ｊは自然数）に調整された前記反射膜と前記半透過・半反射膜を備える第２の発光モジュール、または
   青色を呈する光を透過するカラーフィルタと、光学距離が４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満のｋ／２倍（ｋは自然数）に調整された前記反射膜と前記半透過・半反射膜を備える第３の発光モジュールのうち、いずれか一である、
   請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の、表示装置。
5. 前記画素の各々に設けられる前記発光モジュールは、
   赤色を呈する光を透過するカラーフィルタと、光学距離が６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満のｉ／２倍（ｉは自然数）に調整された前記反射膜と前記半透過・半反射膜を備える第１の発光モジュール、または、
   緑色を呈する光を透過するカラーフィルタと、光学距離が５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満のｊ／２倍（ｊは自然数）に調整された前記反射膜と前記半透過・半反射膜を備える第２の発光モジュール、または、
   青色を呈する光を透過するカラーフィルタと、光学距離が４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満のｋ／２倍（ｋは自然数）に調整された前記反射膜と前記半透過・半反射膜を備える第３の発光モジュールのうち、いずれか一であり、
   前記第１の発光モジュール、前記第２の発光モジュールおよび前記第３の発光モジュールは、同じ発光性の有機化合物を含む層を含む、
   請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の、表示装置。
6. 前記発光モジュールは、
   一対の前記電極の一方が反射膜を兼ね、他方が半透過・半反射膜を兼ねる発光素子を備える、
   請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の、表示装置。
7. 前記画素の各々に設けられる前記発光モジュールは、
   スペクトルの半値幅が５０ｎｍより小さい赤色を呈する光、
   または、半値幅が前記赤色を呈する光のスペクトルの半値幅より小さい緑色を呈する光、
   または、半値幅が前記緑色を呈する光のスペクトルの半値幅より小さい青色を呈する光のうち、いずれか一の光を発する、
   請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の、表示装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の表示装置を備える、電子機器。