TWI619284B - 發光元件，發光模組，發光面板及發光裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供發光元件、發光模組、發光面板、或發光裝置，其中可降低由於電阻所導致的損失。本發明專注於包含金屬之電極的表面上及包含發光有機化合物的層之上。包含發光有機化合物的層係設置於包含第一金屬的一電極與另一電極之間，而該一電極的表面係設置有導電夾雜物。

Description

發光元件，發光模組，發光面板及發光裝置
本發明有關發光元件，包含該發光元件的發光模組，包含該發光模組的發光面板，以及包含該發光面板的發光裝置。特別地，本發明有關其中包含發光有機化合物的層係介於一對電極之間的發光元件、包含該發光元件的發光模組、包含該發光模組的發光面板、及包含該發光面板的發光裝置。
行動電話、個人電腦、智慧型手機、電子書閱讀器、及其類似物已被廣泛使用，且該等電子裝置已變成普及。而且，該等裝置係多功能的，且因此，使用於其中已習知地透過文具所作成之相對簡單的工作(特別地，其中已習知地透過記事本所作成之排程管理、地址列表、記錄、及其類似者)。當在日常生活中使用該等電子裝置的頻率增加時，則會期望該等電子裝置之功率消耗的降低，使得可長時間地連續使用該等電子裝置。
自能量問題的觀點而言，已對各式各樣電子裝置之功率消耗的降低盡力。例如，為了要降低照明裝置的功率消耗，已研究具有優異之能量轉換效率的發光元件。
其中具有膜形狀之包含發光有機化合物的層(亦稱為EL層)係介於一對電極之間的發光元件係已知。例如，該發光元件係稱為有機EL元件，且光發射可在當施加電 壓於該對電極之間時，自該發光有機化合物而獲得。包含有機EL元件之諸如照明裝置及顯示裝置的發光裝置係已知的。專利文獻1揭示包含有機EL元件之顯示裝置的實例。
進一步地，已提出其中光係自元件基板側之相反的側所提取之結構(亦即，頂部發射結構)。專利文獻2揭示其中電極的其中一者係使用包含鋁之合金的膜及包含金屬或金屬氧化物的膜之堆疊層而形成的發明。
〔參考文件〕
［專利文獻1〕日本公開專利申請案第2002-324673號
〔專利文獻2〕日本公開專利申請案第2010-153365號
在其中包含發光有機化合物的層係介於一對電極之間的發光元件中，對該電極的其中一者係較佳地使用具有低電阻之金屬而形成；在該情況中，可降低功率消耗。
然而，當高電阻的氧化物膜係形成於該等電極之其中一者的表面上時，則包含發光有機化合物的層會與其接觸，而其中發光元件之驅動電壓增加的問題會發生。
本發明之實施例係鑑於上述技術背景而做成。本發明之一實施例的目的在於提供其中可降低由於電極之電阻的損失(電壓的降低)之發光元件。本發明之一實施例的另一目的在於提供其中可降低由於電極之電阻的損失之發光模組。本發明之一實施例的又一目的在於提供其中可降低 由於電極之電阻的損失之發光面板。本發明之一實施例的再一目的在於提供其中可降低由於電極之電阻的損失之發光裝置。
為了要達成上述該等目的，本發明之一目的專注於包含金屬之電極的表面上及包含發光有機化合物的層之上。本發明人已做成其中包含發光有機化合物的層係設置於包含第一金屬的一電極與另一電極之間，而該一電極的表面係設置有導電夾雜物之結構。透過此結構，可達成上述該等目的。
換言之，本發明之一實施例係發光元件，包含：一電極，包含第一金屬，其表面係設置有導電夾雜物；另一電極，其具有透射可見光的性質，且與該一電極重疊；以及包含發光有機化合物的層，在該一電極與該另一電極之間。此外，該夾雜物包含第二金屬的氧化物，且載子注入層係設置於該第二金屬的該氧化物與包含該發光有機化合物的該層之間。
本發明之一實施例係發光元件，包含：一電極，包含第一金屬，其表面係設置有導電夾雜物；另一電極，其具有透射可見光的性質，且與該一電極重疊；以及包含發光有機化合物的層，在該一電極與該另一電極之間。此外，在該發光元件中，該夾雜物包含第二金屬的氧化物，且該第二金屬的該氧化物係與設置在包含發光有機化合物的該層中之載子注入層接觸。
依據本發明之一實施例，發光元件包括包含發光有機 化合物的層於包含第一金屬的一電極與另一電極之間，而該一電極的表面係設置有導電夾雜物。該一電極的電阻可藉由提供第一金屬於該一電極之中而予以降低，且其中高電阻的氧化物膜係形成於該一電極的表面上之現象可藉由導電夾雜物而予以防止。因而，可提供具有由於電阻之較少損失的發光元件。
依據本發明之一實施例，包含於發光元件中的導電夾雜物之中的第二金屬可係鈦、鉬、鎢、釩、錸、銦、鎳、鋅、及錫的其中任一者。
在依據本發明之一實施例的發光元件中，包含其中即使在被氧化的情況中亦具有優異導電性之金屬的夾雜物係設置於包含第一金屬之一電極的表面上。此可防止第一金屬的氧化。因而，即使在金屬上會形成高電阻的氧化物膜，亦可使用該金屬做為第一金屬。
依據本發明之一實施例，在發光元件中之導電夾雜物可係包含第二金屬之層與包含該第二金屬的氧化物之層的堆疊。
依據本發明之一實施例，在發光元件中之導電夾雜物可係包含第二金屬之粒狀體與其中均勻覆蓋該粒狀體且包含該第二金屬的氧化物之層的堆疊。
依據本發明之一實施例，在發光元件中之導電夾雜物可係包含第二金屬之粒狀體及包含該第二金屬的氧化物於該第二金屬之表面上的層。
依據本發明之一實施例，在發光元件中之載子注入層 可係氧化物導電膜或包含受體材料的有機材料層，且具有透射可見光之性質。
在依據本發明之一實施例的發光元件中，夾雜物包含第二金屬及該第二金屬的氧化物，該第二金屬係與第一金屬接觸而設置，該第二金屬的氧化物係提供於該第二金屬的表面上。此可降止第一金屬的氧化。因而，即使在金屬上會形成高電阻的氧化物膜，亦可使用該金屬做為第一金屬。
依據本發明之一實施例，在發光元件中之第一金屬可係鋁或包含鋁的合金，且可具有大於或等於100奈米(nm)及小於或等於300奈米(nm)的厚度。
依據本發明之一實施例，在發光元件中之第一金屬可係包含鋁、鎳、及鑭的合金。
依據本發明之一實施例的發光元件包括包含鋁的第一金屬於一電極的表面下。此可增加該一電極的反射比。因而，可提供其中可抑制由於受到電極的吸收所導致之光的損失且其中具有優異效率的發光元件。
依據本發明之一實施例，另一電極可具有大於或等於1%且小於100%之對可見光的反射比，及具有大於或等於1%且小於100%之對可見光的透射比。
在依據本發明之一實施例的發光元件中，微共振器(亦稱為微光腔)係形成該該一電極與該另一電極之間。因此，可有效率地提取具有特定波長的光。
本發明之一實施例係發光模組，其包含該等發光元件 之任一者及與該發光元件重疊的濾色片。在該發光元件中，係設置包含發光有機化合物的層，以便發射出包含具有大於或等於600奈米且小於800奈米的波長之光，具有大於或等於500奈米且小於600奈米的波長的光、及具有大於或等於400奈米且小於500奈米的波長之光的光。
依據本發明之一實施例的發光模組包含發光元件及與該發光元件重疊的濾色片，而該發光元件包括包含發射出白色光之發光有機化合物的層於一對電極之間。透過此結構，具有由該濾色片所指明之波長的光可自包含發射出白色光之發光有機化合物的層提取。因而，可提供發射出不同彩色之光的發光模組，而無需針對個別的發光元件來分別形成包含發光有機化合物的層。
本發明之一實施例包含複數個上述發光模組。第一發光模組包含第一濾色片，而發射出紅色光。在一對第一電極，亦即，一反射電極與另一半透射及半反射電極之間的光學路徑長度係使用第一載子注入層的厚度而予以調整，以致使具有大於或等於600奈米且小於800奈米之波長的光被發射出。
第二模組包含第二濾色片，而發射出綠色光。在一對第二電極，亦即，一反射電極與另一半透射及半反射電極之間的光學路徑長度係使用第二載子注入層的厚度而予以調整，以致使具有大於或等於500奈米且小於600奈米之波長的光被發射出。
第三模組包含第三濾色片，而發射出藍色光。在一對 第三電極，亦即，一反射電極與另一半透射及半反射電極之間的光學路徑長度係使用第三載子注入層的厚度而予以調整，以致使具有大於或等於400奈米且小於500奈米之波長的光被發射出。
本發明之一實施例係發光面板，其中複數個發光模組包括相同的層，其包含發光有機化合物，且該對第一電極、該對第二電極、及該對第三電極的該一電極係彼此互相獨立。
依據本發明之一實施例的發光面板包含發射出紅色光的發光模組，發射出綠色光的發光模組，及發射出藍色光的發光模組。該等發光模組包含發光元件，其中包括相同之包含發光有機化合物的層且可降低由於電阻之損失。此可彼此互相獨立地驅動發射出不同彩色的發光模組。因而，可提供其中可發射出各式各樣彩色的光之發光面板。
本發明之一實施例係包含發光面板的發光裝置。
依據本發明之一實施例的發光裝置包含發光面板，而可調整各式各樣彩色的光。該發光面板包含發光元件，其中可降低由於電阻之損失。此可提供發光裝置及照明裝置。
注意的是，在此說明書中，“EL層”意指設置在發光元件中的一對電極之間的層。因此，介於電極間之包含有機化合物，亦即，發光物質的發光層係EL層的實施例。
在此說明書中，於其中物質A係分散於使用物質B所形成之母體中的情況中，形成該母體的物質B係稱為主材 料，且分散於該母體中的物質A係稱為客材料。注意的是，物質A及物質B可各自地係單一物質或二或更多種物質的混合物。
注意的是，在此說明書中之發光裝置意指影像顯示裝置、發光裝置、或光源(包含照明裝置)。此外，該發光裝置包含以下模組於其種類中：其中諸如撓性印刷電路(FPC)，卷帶自動接合(TAB)帶，或卷帶承載器封裝(TCP)之連接器係附著至發光裝置的模組；具有TAB帶或TCP，而該TAB帶或TCP係設置有印刷佈線板於其末端處的模組；以及具有直接安裝在基板上之積體電路(IC)，而發光元件係藉由晶片在玻璃上(COG)法而形成於其上的模組。
依據本發明之一實施例，可提供其中可降低由於電阻之損失的發光元件。可提供其中可降低由於電阻之損失的發光模組。可提供其中可降低由於電阻之損失的發光面板。可提供其中可降低由於電阻之損失的發光裝置。
將參照圖式來詳細敘述實施例。注意的是，本發明並未受限於以下之說明，且熟習於本項技藝之該等人士將易於瞭解的是，本發明之模式及細節可以以各式各樣的方式來加以修正，而不會背離本發明之精神及範疇。因此，本發明不應被解讀成受限於下文之該等實施例中的說明。注意的是，在下文所敘述之本發明的結構中，相同的部分或 具有相似功能之部分係藉由相同的參考符號而表示於不同的圖式中，且該等部分之說明並不予以重複。
〔實施例1〕
在此實施例中，將參照第1A至1E圖來敘述發光元件，其包括包含發光有機化合物的層於一電極與另一電極之間，該一電極包含第一金屬，且該一電極的表面係設置有導電夾雜物。特別地，將敘述發光元件，該發光元件包含：一電極，該一電極包含第一金屬，其表面係設置有導電夾雜物；另一電極，其具有透射可見光的性質，且與該一電極重疊；以及包含發光有機化合物的層，在該對電極之間。在該發光元件中，導電夾雜物包含第二金屬的氧化物，且載子注入層係設置於該第二金屬的氧化物與包含發光有機化合物的該層之間。
第1A至1E圖各自描繪依據本發明一實施例之發光元件的結構。在第1A至1E圖中所描繪的發光元件各自包含一電極101，另一電極102，及在其間之包含發光有機化合物的層103。該一電極101可包含第一金屬101b於其表面中，且該第一金屬101b可堆疊於導電材料101a之上。夾雜物111係與第一金屬101b接觸而設置，且係與載子注入層113接觸。
電子及電洞的其中一者之載子(藉由白色圓形所表示)係自該一電極101而注入至包含發光有機化合物的層103，以及電子及電洞的另一者之另一載子(藉由黑色圓 形所表示)係自另一電極102而注入至包含發光有機化合物的層103(請參閱第1A圖中之右側)。鏈狀線箭頭顯示由該發光有機化合物所發射出之光的一部分，該光係藉由電子與電洞的復合所產生之能量而激發出。
載子注入層113係與夾雜物111及包含發光有機化合物的層103接觸而設置(請參閱第1A圖)。注意的是，該載子注入層113可包含於包含發光有機化合物的層103之一部分中(請參閱第1B圖)。
接著，將敘述依據本發明的一實施例之發光元件的特徵。敘述成為此實施例中的實例之發光元件的特徵在於，其中一電極包含第一金屬且該一電極的表面係設置有導電夾雜物。
<該一電極的結構>
該一電極101係使用例如，諸如鋁、銀、金、鉑、銅、鉬、鈦、鉻、鉭、鎢、釹、或鈧之金屬材料或包含該等材料之任一者的合金材料之具有高導電率的材料，而形成為具有單層的結構或堆疊層的結構。
進一步地，該一電極101包含第一金屬101b於其表面中。該第一電極101b係較佳地使用具有高的可見光反射比之材料而形成。特別地，因為高的導電率、高的可見光反射比、高度可用性、及其類似者，所以鋁或包含鋁的合金材料係較佳的。
做為鋁之合金的實例，可給定鋁-鎳-鑭合金、鋁- 鈦合金、及鋁-釹合金。做為包含銀之合金的實例，可給定銀-釹合金、鎂-銀合金、及其類似者。
當使用該一電極做為反射電極時，則相對於具有大於或等於400奈米且小於800奈米之波長的光，該電極較佳地具有大於或等於1%，更佳地具有大於或等於30%，且小於100%的反射比；在該情況中，可有效率地反射由包含發光有機化合物的層103所發射的光。較佳地，該一電極的厚度係大於或等於100奈米且小於或等於300奈米。當使用該一電極做為半透射及半反射電極時，則相對於具有大於或等於400奈米且小於800奈米之波長的光，該電極較佳地具有大於或等於1%，更佳地具有大於或等於5%，且小於100%的反射比；且相對於此，該電極較佳地具有大於或等於1%，更佳地具有大於或等於10%，且小於100%的透射比。
<夾雜物的結構>
夾雜物111包含第二金屬的氧化物。做為該第二金屬之實例，可給定鈦、鉬、鎢、釩、錸、銦、鎳、鋅、及錫，且可選擇其中即使當氧化時亦具有導電率之金屬。
該夾雜物111可具有包含第二金屬的氧化物之單層的結構(請參閱第1A或1B圖)，或具有複數個層之堆疊層的結構(請參閱第1C圖)。該夾雜物111亦可具有其中一成分均勻覆蓋粒狀成分之結構(請參閱第1D圖)，或其中一成分係形成於粒狀成分的表面上之結構(請參閱第 1E圖)。
其次，將敘述該夾雜物111的形成方法。具有單層的結構之夾雜物111可予以如下地形成：具有例如大約數奈米之極小厚度的第二金屬係與第一金屬101b接觸而沈積，以及使該第二金屬接觸諸如暴露至空氣的氧化處理，而藉以形成由該第二金屬之氧化物所形成的膜。
將敘述其中形成包含複數個成分之夾雜物111的情況。特別地，具有第1C圖中所描繪之結構的夾雜物111可予以如下地形成：以層之形式的第二金屬111a係與第一金屬101b接觸而設置，以及以層之形式的該第二金屬之氧化物111b係堆疊於其上，而變成與以層之形式的第二金屬111a接觸。具有第1D圖中所描繪之結構的夾雜物111可予以如下地形成：以粒狀形式的第二金屬111a係與第一金屬101b接觸而設置，以及將該第二金屬之氧化物111b予以堆疊，該第二金屬之氧化物111b係與以粒狀形式的第二金屬111a接觸且均勻地覆蓋著以粒狀形式的該第二金屬111a。具有第1E圖中所描繪之結構的夾雜物111可予以如下地形成：以粒狀形式的第二金屬111a係與第一金屬101b接觸而設置，以及該第二金屬之氧化物111b係形成於以粒狀形式的該第二金屬111a之表面上且與該表面接觸。
<載子注入層的結構>
載子注入層113係其中可促進載子自一電極注入至包 含發光有機化合物的層103之內的層。該載子注入層113亦用作其中可調整該一電極與另一電極之間的光學路徑長度之層。具有透射可見光之性質的導電材料係較佳地使用做為可使用於該載子注入層113之材料。
特別地，可使用諸如銦錫氧化物(ITO)、包含矽或氧化矽的銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、或添加鋁或鎵的氧化鋅之具有透光性質的氧化物導電材料。
選擇性地，可使用諸如聚(3,4-乙撐二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)或聚苯胺/聚(苯乙烯磺酸)(PAni/PSS)之導電聚合物。
包含具有高的電洞傳輸性質之物質及受體物質而設置於包含發光有機化合物的層103之該一電極側的層，可使用做為載子注入層113。
做為具有高的電洞傳輸性質之物質，可使用諸如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烴、及高分子化合物(諸如寡聚物、聚枝狀聚合物、或聚合物)之各式各樣有機化合的任一者。特別地，具有10-6cm2/Vs或更高之電洞遷移率的物質係較佳的。做為受體物質的實例，可給定過渡金屬氧化物或屬於週期表之族4至8的任一者之金屬的氧化物。特別地，尤其氧化鉬較佳的。注意的是，氧化鉬具有低的吸濕性質。注意的是，較佳地，該受體物質係添加使得受體物質對具有高的電洞傳輸性質之物質旳質量比係0.1：1至4.0：1。
<包含發光有機化合物的層之結構>
包含發光有機化合物的層103至少包含一包含發光有機化合物的發光層。自該一電極及另一電極所注入之電子及電洞係在包含發光有機化合物的發光層中復合。該發光有機化合物係在當藉由電子及電洞的復合所產生之能量而被激發時，發射出光。注意的是，將在實施例2中詳細敘述包含發光有機化合物的層103之結構。
<另一電極的結構>
另一電極具有導電率及透射可見光的性質。做為另一電極的實例，可給定以下者：包含氧化鎢之氧化銦、包含氧化鎢之氧化銦鋅、包含氧化鈦之氧化銦、包含氧化鈦之氧化銦錫、氧化銦錫(下文中稱為ITO)、氧化銦鋅、及添加氧化矽之氧化銦錫。
而且，可使用其中厚度係設定使得光被透射的金屬薄膜(較佳地，厚度約略地大於或等於5奈米且小於或等於30奈米)。注意的是，該金屬薄膜作用成為半透射及半反射電極。
該半透射及半反射膜部分地反射且部分地透射具有大於或等於400奈米且小於800奈米之波長的光。因此，由包含發光有機化合物的層103所發射出的光可透過該半透射及半反射膜而予以提取。尤其，當反射比係大於或等於1%，較佳地大於或等於5%，且小於100%，以及透射比係大於或等於1%，較佳地大於或等於10%，且小於100%時 ，則微共振器可形成於一對半透射及半反射膜與反射膜之間。當微共振器係形成於該半透射及半反射膜與該反射膜之間時，則可透過該半透射及半反射膜而提取具有特定波長的光。
做為該半透射及半反射膜，可使用具備厚度且其中具有大於或等於400奈米且小於800奈米之波長的光係透過其而部分反射及部分透射的金屬。例如，該半透射及半反射膜可使用與反射膜之材料相似的材料，而形成為大於或等於0.1奈米且小於100奈米，較佳地大於或等於5奈米且小於或等於30奈米之厚度。
<修正實例：具有微共振器結構的發光元件>
接著，將參照第2圖來敘述其中一對電極形成微共振器(亦稱為微光腔)的發光元件，其係依據本發明之一實施例的發光元件。
在第2圖中所描繪的發光元件160包含一電極101及另一電極102，該一電極101可反射可見光，以及該另一電極102可半透射及半反射可見光。當調整具有此結構之該對電極間的光學路徑長度時，則可增強具有特定波長的光。
將參照第2圖來敘述行進於一反射電極101與另一半透射及半反射電極102之間，而其間之光學路徑長度被調整之光的行為。由包含發光有機化合物的層103所發射出的光係藉由該一反射電極101以及該另一半透射及半反射 電極102而被重複地反射。
在其中所重複反射的光之波長的二分之一的整數倍對應於其間形成微共振器之該對電極間的光學路徑長度130之情況中，可以以極少的損失而自另一電極102側提取光。此係因為重複反射於微共振器中的光之射線會彼此互相干涉，以便彼此互相增強之故。
對照地，在其中所重複反射的光之波長的二分之一的整數倍與該波長的四分之一的總和之值對應於該對電極間的光學路徑長度130之情況中，則不容易自另一電極102側提取光。此係因為重複反射於微共振器中的光之射線會彼此互相干涉，以致彼此互相抵消之故。
藉由此作用，其中可自發射自包含發光有機化合物的層103之光而有效率地提取至外部的光之波長(在第2圖中之λ0)可藉由該光學路徑長度130而予以控制。特別地，具有特定波長之光可藉由改變載子注入層113及包含發光物質的層103之厚度以調整該對電極間的光學路徑長度130，而予以有效率地提取。
其之，將參照第3A至3D圖來敘述依據本發明一實施例之發光元件的製造方法。描述成為此實施例中的實例之發光元件的製造方法係其中夾雜物被形成於設置在電極的其中一者之表面上的第一金屬之上，而不暴露該第一金屬至空氣之方法，當使用此方法時，則高電阻之氧化物膜並不會形成於第一金屬的表面上，以致使第一金屬與第二金屬可彼此互相電性連接。
<發光元件的製造方法>
該一電極101係形成於具有絕緣表面的基板100上。在此實施例中，係使用玻璃基板做為基板100。在該一電極101中，鈦係使用做為導電材料101a且做為第一金屬101b的鋁-鎳-鑭之合金係堆疊於導電材料101a之上。雖然該等導電膜均可藉由濺鍍法而形成，但特別地，在惰性氣體氛圍中連續形成該等導電膜則係較佳的。此係因為可防止其中具有高的電阻之氧化物膜會由於暴露第一金屬101b至空氣，而形成於第一金屬101b之表面上的現象。
第一金屬101b包含鋁做為其主要成分，且因此，具有相對於具備400奈米至800奈米之波長的可見光之高的反射比。
接著，用作夾雜物111之膜係連續地形成，而無需暴露該一電極101的第一金屬101b至空氣(請參閱第3A圖)。在此實施例中，係形成6奈米厚的鈦膜做為包含於夾雜物111中之第二金屬膜。包含於夾雜物111中之第二金屬膜係無需暴露第一金屬101b至空氣，而形成於該第一金屬101b的表面上；因此，高電阻之氧化物膜並不會形成於第一金屬101b與包含於夾雜物111中的第二金屬之間。
接著，將基板100自沈積設備(在此實施例中，係濺鍍設備)載送出至空氣，而在該基板100上，用作夾雜物111的膜係形成於該一電極101之上。此時，形成夾雜物 111。特別地，其係第二金屬之鈦會與空氣中的氧反應，以致使氧化鈦形成於該第二金屬的表面上。第3B圖示意地描繪此階段之狀態。在第3B圖中，於該夾雜物111之中，鈦係使用做為在第一金屬101b側的第二金屬111a，且氧化鈦層係形成於第二金屬111a之上，做為該第二金屬的氧化物111b。注意的是，氧化鈦(TiO x )層包含滿足0<x<2之氧原子x，且係導電金屬氧化物。
接著，形成載子注入層113於該夾雜物111之上。在此實施例中，做為載子注入層113，氧化銦錫膜係藉由濺鍍法所形成(請參閱第3C圖)。氧化銦錫膜包含氧，且係使用包含氧之濺鍍氣體而形成。因此，當氧化銦錫膜係與金屬接觸而形成時，則其間之介面將易於氧化。然而，在此實施例中，係形成已氧化之夾雜物111於該一電極101的表面之上；因此，即使當形成氧化銦錫膜時，亦不會形成高電阻之氧化物膜。
注意的是，此亦可應用至其中形成包含受體材料之有機材料層做為載子注入層113的情況；高電阻之氧化物膜並不會形成。
其次，包含發光有機化合物的層103係藉由真空蒸鍍法而形成。
接著，鎂及銀係藉由真空蒸鍍法而共蒸鍍於包含有機化合物的層103之上，而藉以形成半透射及半反射膜，做為另一電極102(請參閱第3D圖)。
<修正實例>
注意的是，在此實施例中，可連續形成載子注入層113，而無需暴露其上形成包含於夾雜物111中之第二金屬膜於該一電極101上的基板100至空氣。當使用此方法時，該載子注入層113係在使包含於夾雜物111中之第二金屬膜氧化之前形成。即使在此結構中，當形成能使第二金屬氧化的載子注入層113(例如，氧化物導電膜或包含受體材料之有機材料層)時，則會使包含於夾雜物111中之第二金屬的表面氧化，以致使導電氧化物包含於該夾雜物111中。因此，可獲得相似的功效。
依據本發明之一實施例的發光元件包括包含發光有機化合物的層於一電極與另一電極之間，該一電極包含第一金屬，且該一電極的表面係設置有導電夾雜物。該一電極的電阻可藉由提供第一金屬做為該一電極而予以降低，且其中高電阻之氧化物膜係形成於該一電極的表面上之現象可藉由導電夾雜物而予以防止。因而，可提供其中可降低由於電阻所導致之損失的發光元件。
在依據本發明之一實施例的發光元件中，其中包含即使當氧化時亦具有優異導電率之金屬的夾雜物係設置用於包含於該一電極之表面中的第一金屬。此可防止第一金屬的氧化。因此，甚至可使用其中形成有高電阻之氧化物膜於其上的金屬做為該第一金屬。
依據本發明之一實施例的發光元件包括包含第二金屬及在該第二金屬的表面上之該第二金屬的氧化物之夾雜物 ，而該第二金屬係與第一金屬接觸而設置。此可防止第一金屬的氧化。因此，甚至可使用其中形成有高電阻之氧化物膜於其上的金屬做為該第一金屬。
在依據本發明之一實施例的發光元件中，包含鋁之第一金屬係包含於該一電極的表面中。此可增加該一電極的反射比。因而，可提供其中可抑制由於電極的吸收所導致之光的損失以及其中效率係優異的發光元件。
在依據本發明之一實施例的發光元件中，微共振器(或微光腔)係形成於該一電極與另一電極之間。此可有效率地提取具有特定波長的光。
注意的是，此實施例可與此說明書中之任何其他的實施例適當地結合。
〔實施例2〕
在此實施例中，將參照第4A至4E圖來敘述介於一對電極間之包含發光有機化合物的層之結構的實例，而包含發光有機化合物的該層可使用於本發明之一實施例的發光元件中，該發光元件包含發光有機化合物的層於一電極與另一電極之間，該一電極包含第一金屬，且該一電極的表面係設置有導電夾雜物。
描述成為此實施例中之實例的發光元件包含第一電極、第二電極、以及介於該第一電極與該第二電極間之包含發光有機化合物的層(下文中稱為EL層)。該第一電極及該第二電極的其中一者用作陽極，且另一者用作陰極。 該EL層係設置於第一電極與第二電極之間，且該EL層的結構可依據第一電極及第二電極的材料而予以適當地選擇。該發光元件之結構的實例將被敘述於下文；不同多說地，該發光元件的結構並未受限於該等實例。
<發光元件的結構實例1>
發光元件之結構的實例係描繪於第4A圖之中。在第4A圖中所描繪的發光元件中，EL層係設置於陽極1101與陰極1102之間。
當施加高於發光元件之臨限電壓的電壓於陽極1101與陰極1102之間時，則電洞係自陽極1101側注入至EL層且電子係自陰極1102側注入至EL層。所注入之電子及電洞係在EL層中復合，以致使包含於EL層中的發光物質發射出光。
在此說明書中，包含其中使來自二末端所注入的電子及電洞復合之一區域的層或堆疊體係稱為發光單元。因此，可稱發光元件的結構實例1包含一發光單元。
發光單元1103至少可包括包含發光物質的發光層，且可具有其中堆疊該發光層及除了該發光層之外的層之結構。除了該發光層之外的層之實例包括包含具有高電洞注入性質之物質的層，包含具有高電洞傳輸性質之物質的層，包含具有弱電洞傳輸性質之物質(阻擋電洞之物質)的層，包含具有高電子傳輸性質之物質的層，包含具有高電子注入性質之物質的層，及包含具有雙極性性質之物質( 具有高電子傳輸性質及高電洞傳輸性質之物質)的層。
發光單元103之特定結構的實例係描繪於第4B圖中。在第4B圖中所描繪的發光單元1103中，電洞注入層1113、電洞傳輸層1114、發光層1115、電子傳輸層1116、及電子注入層1117係以此順序而自陽極1101側堆疊。
<發光元件的結構實例2>
發光元件之結構的另外實例係描繪於第4C圖之中。在第4C圖中所描繪的發光元件中，包含發光單元1103的EL層係設置於陽極1101與陰極1102之間。進一步地，中間層1104係設置於陰極1102與發光單元1103之間。注意的是，可將與上文所敘述之包含於發光元件的結構實例1中之發光單元的結構相似的結構施加至發光元件的結構實例2中之發光單元1103，且可將發光元件的結構實例1之說明引用於該等細節。
中間層1104可形成為至少包含電荷產生區，且可具有其中堆疊該電荷產生區及除了該電荷產生區之外的層之結構。例如，可使用其中第一電荷產生區1104c、電子中繼層1104b、及電子注入緩衝層1104a係以此順序而自陰極1102側堆疊的結構。
將敘述中間層1104中之電子及電洞的行為。當施加高於發光元件之臨限電壓的電壓於陽極1101與陰極1102之間時，則電洞及電子會產生於第一電荷產生區1104c之中，以及電洞移動至陰極1102之內，且電子移動至電子 中繼層1104b之內。該電子中繼層1104b具有高電子傳輸性質，且立即轉移第一電荷產生區1104c中所產生之電子至電子注入緩衝區1104a。該電子注入緩衝層1104a可降低抵擋電子注入至發光單元1103之內的障壁，以致可增進電子注入至發光單元1103之內的效率。因而，產生於第一電荷產生區1104c中之電子係透過電子中繼層1104b及電子注入緩衝層1104a而注入至發光單元1103的LUMO能階之內。
此外，電子中繼層1104b可防止其中包含於第一電荷產生區1104c中之物質與包含於電子注入緩衝層1104a中之物質彼此互相反應於其間之介面處的相互作用，而損害該電子注入緩衝層1104a及第一電荷產生區1104c之功能。
其中可使用於發光元件的結構實例2中之陰極的材料之選擇範圍係比其中可使用於發光元件的結構實例1中之陰極的材料之選擇範圍更寬廣。此係因為結構實例2中之陰極可使用具有相對高的功函數之材料而形成，只要該陰極可接受中間層中所產生之電洞即可。
<發光元件的結構實例3>
發光元件之結構的另外實例係描繪於第4D圖之中。在第4D圖中所描繪的發光元件中，包含兩個發光單元的EL層係設置於陽極1101與陰極1102之間。而且，中間層1104係設置於第一發光單元1103a與第二發光單元 1103b之間。
注意的是，設置在陽極與陰極間之發光單元的數目並未受限於二。在第4E圖中所描繪的發光元件具有其中堆疊複數個發光單元1103的結構，亦即，所謂串聯的結構。注意的是，在其中n個發光單元1103係設置在陽極與陰極之間的情況中(n係大於或等於2的自然數)，中間層1104係設置在第m個發光單元與第(m+1)個發光單元之間(m係大於或等於1且小於或等於n-1的自然數)。
注意的是，可將與發光元件的結構實例1中之結構相似的結構施加至發光元件的結構實例3中之發光單元1103；可將與發光元件的結構實例2中之結構相似的結構施加至發光元件的結構實例3中之中間層1104。因此，可將發光元件的結構實例1之說明或發光元件的結構實例2中之說明引用於該等細節。
將敘述設置在該等發光單元之間的中間層1104中之電子及電洞的行為。當施加高於發光元件之臨限電壓的電壓於陽極1101與陰極1102之間時，則電洞及電子會產生於中間層1104之中，以及電洞移動至設置在陰極1102側的發光單元之內，且電子移動至設置在陽極側的發光單元之內。注入至設置在陰極側的發光單元之內的電洞係與來自陰極側所注入的電子復合，以致使包含於該發光單元中之發光物質發射出光。注入至設置在陽極側的發光單元之內的電子係來自陽極側所注入的電洞復合，以致使包含於 該發光單元中之發光物質發射出光。因此，產生於中間層1104之中的電洞及電子係在個別的發光單元之中造成光發射。
注意的是，當發光單元允許如該中間層之相同的結構被形成於其間時，則該等發光單元可彼此互相接觸而設置。特別地，當發光單元的一表面係設置有電荷產生區時，則該電荷產生區可作用為中間層的第一電荷產生區；因而，發光單元可彼此互相接觸而設置。
發光單元的結構實例1至3可結合而實施。例如，可將中間層設置於發光單元的結構實例3中之陰極與發光單元間。
<用於發光元件的材料>
接著，將敘述可使用於具有上述結構之發光元件的特定材料；將以此順序來敘述用於陽極、陰極、及EL層的材料。
<用於陽極的材料>
陽極1101係較佳地使用具有高功函數(特別地，4.0eV或更高的功函數)之金屬、合金、導電化合物，該等材料的混合物，或其類似物而形成。特定的實例係氧化銦錫(ITO)，包含矽或氧化矽之氧化銦錫、氧化銦鋅，包含氧化鎢及氧化鋅之氧化銦，及其類似物。
該等導電材料氧化物的膜通常係藉由濺鍍法而形成， 但亦可藉由溶凝膠法或其類似方法的施加而予以形成。例如，氧化銦鋅膜可藉由使用其中氧化鋅係以大於或等於1且小於或等於20之重量百分比(wt%)而添加至氧化銦的靶極之濺鍍法所形成。包含氧化鎢及氧化鋅的膜可藉由使用其中氧化鎢及氧化鋅係分別以大於或等於0.5且小於或等於5之重量百分比及大於或等於0.1且小於或等於1之重量百分比而添加至氧化銦的靶極之濺鍍法所形成。
除此之外，做為用於陽極1101之材料的實例，可給定以下：金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鈦(Ti)，金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)，氧化鉬、氧化釩、氧化釕、氧化鎢、氧化錳、氧化鈦，及其類似物。而且，可使用諸如聚(3,4-乙撐二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)或聚苯胺/聚(苯乙烯磺酸)(PAni/PSS)之導電聚合物。
注意的是，在其中第二電荷產生區係與陽極1101接觸而設置的情況中，可使用各式各樣的導電材料以供陽極1101之用，而不管其功函數。特別地，除了具有高功函數的材料之外，亦可使用具有低功函數的材料。用以形成第二電荷產生區之材料將於稍後與用以形成第一電荷產生區的材料予以一併敘述。
<用於陰極的材料>
在其中第一電荷產生區1104c係設置於陰極1102與 發光單元1103之間而為與陰極1102接觸的情況中，可使用各式各樣的導電材料以供陰極1102之用，而不管其功函數。
注意的是，陰極1102及陽極1101的至少一者係使用透射可見光的導電膜而形成。用於可透射可見光的導電膜，例如，可給定包含氧化鎢的氧化銦、包含氧化鎢的氧化銦鋅、包含氧化鈦的氧化銦、包含氧化鈦的氧化銦錫、氧化銦錫(下文中稱為ITO)、氧化銦鋅、及添加氧化矽的氧化銦錫。進一步地，亦可使用其中厚度係設定使得光被透射的金屬薄膜(較佳地，約大於或等於5奈米且小於或等於30奈米的厚度)。
<用於EL層的材料>
將給定用於發光單元1103中所包含之層的材料之特定實例於下文。
電洞注入層係包含具有高電洞注入性質之物質的層。做為具有高電洞注入性質之物質，例如，可使用氧化鉬、氧化釩、氧化釕、氧化鎢、氧化錳、或其類似物。此外，可使用諸如酞菁染料(H2Pc)或銅酞菁染料(CuPc)之酞菁染料為主化合物、諸如聚(3,4-乙撐二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)之高分子，或其類似物，以形成電洞注入層。
注意的是，電洞注入層可使用第二電荷產生區而形成。當使用第二電荷產生區於電洞注入層時，則可如上述地 使用各式各樣的導電材料以供陽極1101之用，而不管其功函數。用以形成第二電荷產生區之材料將於稍後與用以形成第一電荷產生區的材料予以一併敘述。
<電洞傳輸層>
電洞傳輸層係包含具有高電洞傳輸性質之物質的層。該電洞傳輸層可具有二或更多個包含具有高電洞傳輸性質之物質的層之堆疊層，而無需受限於單一層。可使用具有電洞傳輸性質比電子傳輸性質更高的物質。尤其，較佳地，使用具有10-6cm2/Vs或更高之電洞遷移率的物質；在該情況中，可降低發光元件的驅動電壓。
<發光層>
發光層係包含發光物質的層。該發光層可具有二或更多個包含發光物質的層之堆疊，而無需受限於單一層。可使用螢光化合物或磷光化合物做為該發光物質。較佳地，使用磷光化合物做為發光物質；在該情況中，可增加發光元件的發射效率。
發光物質係較佳地分散於主材料中。主材料較佳地具有比該發光物質更高的激發能。
<電子傳輸層>
電子傳輸層係包含具有高電子傳輸性質之物質的層。該電子傳輸層可具有二或更多個包含具有高電子傳輸性質 之物質的層之堆疊層，而無需受限於單一層。可使用具有電子傳輸性質比電洞傳輸性質更高的物質。尤其，較佳地，使用具有10-6cm2/Vs或更高之電子遷移率的物質；在該情況中，可降低發光元件的驅動電壓。
<電子注入層>
電子注入層係包含具有高電子注入性質之物質的層。該電子注入層可具有二或更多個包含具有高電子注入性質之物質的層之堆疊層，而無需受限於單一層。該電子注入層係較佳地設置；在該情況中，可增加來自陰極1102之電子注入層的效率，以致可降低發光元件的驅動電壓。
<用於電荷產生區的材料>
第一電荷產生區1104c及第二電荷產生區係包含具有高電洞傳輸性質之物質及受體物質的區域。電荷產生區可包含具有高電洞傳輸性質之物質及受體物質於相同的膜之中，或可係包含具有高電洞傳輸性質之物質的層與包含受體物質的層之堆疊。注意的是，在其中第一電荷產生區係設置於陰極側之堆疊層結構的情況中，包含具有高電洞傳輸性質之物質的層係與陰極1102接觸，以及在其中第二電荷產生區係設置於陽極側之堆疊層結構的情況中，包含受體物質的層係與陽極1101接觸。
注意的是，較佳地，將受體物質添加至電荷產生區，使得受體物質對具有高電洞傳輸性質之物質的質量比係自 0.1：1至4.0：1。
做為使用於電荷產生區之受體物質，可給定過渡金屬氧化物及屬於週期表之族4至8的任一者之金屬的氧化物。特別地，尤其氧化鉬係較佳的。注意的是，氧化鉬具有低的吸濕性質。
做為使用於電荷產生區之具有高電洞傳輸性質的物質，可使用諸如芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳香烴、及高分子化合物(諸如寡聚物、樹枝狀聚合物、或聚合物)之各式各樣有機化合物的任一者。尤其，較佳地使用具有10-6cm2/Vs或更高之電洞遷移率的物質。注意的是，可使用任何其他的物質，只要其電洞傳輸性質高於電子傳輸性質即可。
<用於電子中繼層的材料>
電子中繼層1104b係可立即接收由第一電荷產生區1104c中的受體物質所提取之電子的層。因此，電子中繼層1104b係包含具有高電子傳輸性質之物質的層，且該電子中繼層1104b的LUMO能階係定位於第一電荷產生區1104c中之受體物質的受體能階與該電子中繼層所接觸之發光單元1103的LUMO能階之間。特別地，電子中繼層1104b的LUMO能階約略大於或等於-5.0eV且小於或等於-3.0eV，則係較佳的。
做為使用於電子中繼層1104b之物質的實例，可給定苝衍生物及含氮縮合芳族化合物。注意的是，含氮縮合芳 族化合物係因為其穩定性而較佳地使用於電子中繼層1104b。在含氮縮合芳族化合物中，較佳地使用具有諸如氰族或氟族之電子抽離群組的化合物；在該情況中，電子可在電子中繼層1104b之中被更容易地接收。
<用於電子注入緩衝層的材料>
電子注入緩衝層1104a係可促進電子自第一電荷產生區1104c進入至發光單元1103之內的層。藉由提供電子注入緩衝層1104a於第一電荷產生區1104c與發光單元1103之間，可降低其間的注入障壁。
對於電子注入緩衝層1104a，可用具有高電子注入性質之以下物質的任一者：鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬，上述金屬之化合物(例如，鹼金屬化合物(例如，諸如氧化鋰之氧化物、鹵化物，及諸如碳酸鋰或碳酸銫之碳酸鹽)、鹼土金屬化合物(例如，氧化物、鹵化物、及碳酸鹽)、稀土金屬化合物(例如，氧化物、鹵化物、及碳酸鹽)、及其類似物。
進一步地，在其中電子注入緩衝層1104a包含具有高電子傳輸性質之物質及施體物質的情況中，較佳地，將施體物質添加使得施體物質對具有高電子傳輸性質之物質的質量比係自0.001：1至0.1：1。注意的是，做為施體物質，可使用諸如四噻丁省(縮寫：TTN)、雙(環戊二烯)鎳、或雙(五甲基環戊二烯)鎳，以及鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬、上述金屬之化合物(例如，鹼金屬化合物 (例如，諸如氧化鋰之氧化物、鹵化物，及諸如碳酸鋰或碳酸銫之碳酸鹽)、鹼土金屬化合物(例如，氧化物、鹵化物，及碳酸鹽)、以及稀土金屬化合物(例如，氧化物、鹵化物、及碳酸鹽)、及其類似物。注意的是，做為具有高電子傳輸性質之物質，可使用與用於電子傳輸層之上述材料相似而可形成於發光單元1103的一部分之中的材料。
<發光元件的製造方法>
將敘述發光元件的製造方法。在第一電極上，上述該等層係適當結合以形成EL層。各式各樣方法之任一者(例如，乾處理或濕處理)可根據用於EL層的材料而使用於該EL層。例如，可選擇真空蒸鍍法、噴墨法、旋塗法、或其類似方法。注意的是，可使用不同方法以供每一層之用。第二電極係形成於EL層之上。以上述方式，可製造出發光元件。
在此實施例中所敘述之發光元件可藉由結合上述材料而予以製造出。來自上述發光物質的光發射可以以此發光元件而獲得，且發光色可藉由改變發光物質的類型而予以選擇。進一步地，當使用可發射出不同彩色的光之複數個發光物質時，則可擴展發射光譜的寬度，以致可獲得例如，白色光發射。
注意的是，為了要獲得白色光發射，例如，可使用其中至少設置兩個包含發光物質之層以致使互補色的光被發 射出之結構。互補色的特定實例係藍色及黃色的結合，藍綠色及紅色的結合，及其類似的結合。
進一步地，為了要獲得具有優異彩色渲染性質之白色光發射，發射光譜需散佈整個可見光區域。例如，可設置發射藍色、綠色、及紅色的光之層。
注意的是，此實施例可與此說明書中之任何其他的實施例適當地結合。
〔實施例3〕
在此實施例中，將參照第5A及5B圖來敘述各自包含本發明一實施例之發光元件的發光模組及發光面板，該發光元件包括包含發光有機化合物的層於一電極與另一電極之間，該一電極包含第一金屬，且該一電極的表面係設置有導電夾雜物。
特別地，將敘述發光模組，該發光模組包含發光元件及與該發光元件重疊的濾色片，該發光元件包括包含發光有機化合物的層，以致發射出包含具有大於或等於600奈米且小於800奈米的波長之光，具有大於或等於500奈米且小於600奈米的波長之光、及具有大於或等於400奈米且小於500奈米的波長之光的光。此外，將敘述包含複數個發光模組的發光面板。
第5A及5B圖描繪被敘述為此實施例中之實例的發光模組，及包含複數個發光模組的發光面板。發光面板490包含第一發光模組450R、第二發光模組450G、第三發光 模組450B、及第四發光模組450R2。
<發光模組的結構>
將使用第一發光模組450R來敘述發光模組的結構。第一發光模組450R包括包含發光有機化合物的層403於一對電極，亦即，包含第一金屬401b且其表面係設置有導電夾雜物411的一電極與另一電極402之間。此外，第二金屬的氧化物係包含於該夾雜物411之中，且載子注入層413係設置於該第二金屬的氧化物與包含發光有機化合物的層之間。在此，包含發光有機化合物的層403係介於基板400上之該一電極與該另一電極402之間，以致使發光元件形成。此外，設置用於基板500之濾色片540R係設置於該另一電極側，以便與發光元件重疊。注意的是，可使用實施例1中所敘述之任一發光元件於此實施例中所敘述做為實例的發光模組中。
載子注入層413亦用作光學調整層，而調整該對電極，亦即，該一電極與該另一電極402之間的光學路徑長度。在此實施例中，做為載子注入層413。係提供具有透射可見光之性質而與該夾雜物411接觸的導電膜。
注意的是，具有開口部分於載子注入層413之上的隔板440係設置以便覆蓋載子注入層413的末端部分。
包含發光有機化合物的層403係設置以便發射出包含具有大於或等於600奈米且小於800奈米的波長之光，具有大於或等於500奈米且小於600奈米的波長之光，及具 有大於或等於400奈米且小於500奈米的波長之光的白色光。注意的是，可引用實施例2中之說明以供包含發光有機化合物的該層403的細節之用。
依據本發明之一實施例的發光模組包含發光元件及與該發光元件重疊的濾色片，該發光元件包括包含發光有機化合物而發射出白色光的層於該對電極之間。透過此結構，可自包含發光有機化合物而發射出白色光的層提取具有由濾色片所指明之波長的光。因而，可提供發射出不同彩色的光之發光模組，而無需分別形成包含發光有機化合物的層。
<發光面板的結構>
發光面板490包含第一發光模組450R、第二發光模組450G、第三發光模組450B、及第四發光模組450R2。
在第一發光模組450R中，係設置第一濾色片540R而透射紅色光，且在一對第一電極，亦即，一反射電極與另一半透射及半反射電極間之光學路徑長度係使用第一載子注入層的厚度而予以調整，以致使具有大於或等於600奈米且小於800奈米之波長的光被發射出。
在第二發光模組450G中，係設置第二濾色片540G而透射綠色光，且在一對第二電極，亦即，一反射電極與另一半透射及半反射電極間之光學路徑長度係使用第二載子注入層的厚度而予以調整，以致使具有大於或等於500奈米且小於600奈米之波長的光被發射出。
在第三發光模組450B中，係設置第三濾色片540B而透射藍色光，且在一對第三電極，亦即，一反射電極與另一半透射及半反射電極間之光學路徑長度係使用包含發光有機化合物的層403之厚度而予以調整，以致使具有大於或等於400奈米且小於500奈米之波長的光被發射出。
第四發光模組450R2具有與第一發光模組450R相同的結構，除了設置可透射紅色光的第四濾色片540R2之外。
注意的是，該等濾色片係藉由遮光膜510(亦稱為黑色矩陣)而予以分離。注意的是，在此實施例中，較佳地使用其中Ni-Al-La係使用做為該一電極的第一金屬，鈦層係使用做為與第一金屬接觸的第二金屬，以及氧化鈦(TiO x )(0<x<2)係形成於該鈦層的表面上做為夾雜物之結構。此係因為可防止具有高的電阻之氧化膜的形成，以及可獲得高的反射比之故。進一步地，在該等發光模組中之該等載子注入層係各自使用氧化銦錫(ITO)，而藉由光微影術所形成。此結構可以以集積之方式而製造出可發射出不同彩色的光之高清晰度的發光模組。
依據本發明之一實施例的發光面板包含發射出紅色光的發光模組，發射出綠色光的發光模組，及發射出藍色光的發光模組。該等發光模組包含發光元件，而該等發光元件包括包含發光有機化合物之相同的層，且在各發光元件中，可降低由於電阻所導致的損失。此可分離地驅動發射出不同彩色的光之該等發光模組。因而，可提供其中可調 整各式各樣彩色的光之發光面板。
注意的是，此實施例可與此說明書中之任何其他的實施例適當地結合。
〔實施例4〕
在此實施例中，將參照第6A及6B圖以及第7A及7B圖來敘述包括包含發光元件之發光面板的發光裝置，該發光元件包括包含發光有機化合物的層於一電極與另一電極之間，該一電極包含第一金屬，且該一電極的表面係設置有導電夾雜物。特別地，將敘述主動矩陣發光裝置及被動矩陣發光裝置。
<主動矩陣發光裝置>
其中依據本發明之一實施例的發光面板被施加至主動矩陣發光裝置的結構係描繪於第6A及6B圖之中。注意的是，第6A圖係該發光裝置的頂視圖，以及第6B圖係沿著第6A圖中之線A-B及C-D所取得的橫剖面視圖。
主動矩陣發光裝置1400包含驅動器電路部(源極側驅動器電路)1401、像素部1402、驅動器電路部(閘極側驅動器電路)1403、密封基板1404、及密封劑1405(請參閱第6A圖)。注意的是，由密封劑1405所包圍的部分係空間。
發光裝置1400接收來自FPC(撓性印刷電路)1409，亦即，外部輸入端子的視頻信號、時脈信號、啟動信號 、重設信號、及其類似信號。注意的是，雖然在此僅描繪FPC，但該FPC可設置有印刷佈線板(PWB)。在此說明書中之發光裝置不僅包含發光裝置本身，而且包含設置有FPC或PWB的發光裝置於其種類中。
接著，將參照第6B圖的橫剖面視圖來敘述發光裝置1400的結構。該發光裝置1400包含驅動器電路部及像素部1402，該驅動器電路部包含描繪在元件基板1410上之源極側驅動器電路1401，以及該像素部1402包含所描繪之像素。進一步地，該發光裝置1400包含引線1408，用以傳送將被輸入至源極側驅動器電路1401及閘極側驅動器電路1403的信號。
注意的是，雖然在此實施例中之源極側驅動器電路1401包含其中結合n通道電晶體1423及p通道電路1424之CMOS電路，但該驅動器電路並未受限於此結構，且可係諸如CMOS電路、PMOS電路、或NMOS電路之各式各樣電路的任何者。雖然其中驅動器電路係形成於基板上之驅動器集積類型被敘述於此實施例中，但本發明並未受限於此，且該驅動器電路可形成於基板的外部，而非在基板之上。
注意的是，可使用各式各樣半導體的任何者於其中形成電晶體之通道的區域。特別地，除了非晶矽或多晶矽之外，可使用氧化物半導體或其類似物。
<使用SOI基板的結構>
可將單晶半導體使用於其中形成電晶體之通道的區域中。當使用單晶半導體於通道形成區時，則可減少電晶體的尺寸，而產生更高解析度像素於顯示部之中。
做為使用以形成半導體層的單晶半導體，可使用半導體基板，其典型的實例包含諸如單晶矽基板、單晶鍺基板、或單晶鍺化矽基板之使用屬於族14之元素所形成的單晶半導體基板，以及化合物半導體基板(例如，SiC基板、藍寶石基板、及GaN基板)。較佳者係矽在絕緣體上(SOI)基板，其中單晶半導體層係設置於絕緣表面上。
做為SOI基板的形成方法，可使用以下方法之任一者：其中將氧離子佈植進入至鏡面研磨的晶圓內，且然後，執行高溫加熱，而藉以使氧化物層形成於距離晶圓表面的一定深度處，且使表面層中所造成之缺陷被消除的方法；其中半導體基板係藉由熱處理而使用由氫離子輻照所產生之微空隙的成長來加以分離的方法；其中單晶半導體層係藉由晶體成長而形成於絕緣表面上的方法；及其類似方法。
在此實施例中，離子係透過單晶半導體基板之一表面而予以添加，脆化層係形成於距離單晶半導體基板之該一表面的一定深度處，以及絕緣層係形成於單晶半導體基板之該一表面上或元件基板1410之上。熱處理係在其中單晶半導體基板與元件基板1410彼此互相接合而絕緣層介於其間的狀態中執行，以致使裂紋產生於脆化層之中且使單晶半導體基板沿著該脆化層而分離。因此，自單晶半導 體基板所分離出的單晶半導體層係形成為元件基板1410上的半導體層。注意的是，可使用玻璃基板做為元件基板1410。
可將彼此互相電性絕緣的區域形成於半導體基板，且電晶體1411及電晶體1412可使用彼此互相電性絕緣的該等區域而予以製造出。
當通道形成區係使用單晶半導體而形成時，則可降低由於晶粒邊界處之接合缺陷所導致的電晶體間之諸如臨限電壓之電性特徵的變化。因而，在依據本發明一實施例之顯示裝置中，發光元件可正常地操作，而無需設置用以補償臨限電壓的電路於每一個像素之中。因此，可降低每一像素中之電路組件的數目，而產生佈局中之撓性的增加。因而，可獲得高清晰度的顯示裝置。例如，可獲得特別地具有大於或等於每一英寸350個像素(亦即，水平解析度係大於或等於每一英寸350個像素(350ppi))，更佳地具有大於或等於每一英寸400個像素(亦即，水平解析度係大於或等於400ppi)之複數個像素之矩陣的顯示裝置。
此外，其中通道形成區係使用單晶半導體而形成之電晶體可減少尺寸，而電流驅動能力仍可保持高。當使用減少尺寸的電晶體時，則其中並不會促成顯示之電路部分的區域之減少將產生顯示部中之顯示面積的增加以及顯示裝置之框架尺寸的減少。
<像素的結構>
像素部1402係使用依據本發明之一實施例的發光面板而形成。該發光面板包含複數個像素。其各自包含開關電晶體1411、電流控制電晶體1412、及第一電極1413，該第一電極1413係電性連接至電流控制電晶體1412的汲極。做為設置於像素部1402中之發光面板的結構，例如，可使用描述為實施例3中之實例的結構。特別地，可使用其中開關電晶體係設置於描述為實施例3中之實例的發光面板中之每一個發光元件中的結構。注意的是，隔板1414係形成以便覆蓋第一電極1413的末端部分。在此，隔板1414係使用正型光敏聚醯乙胺膜而形成。
進一步地，隔板1414係設置使得該隔板1414的上方末端部分或下方末端部分具有具備曲率的彎曲表面。例如，在使用正型光敏丙烯酸做為用於隔板1414之材料的情況中，隔板1414係較佳地形成，以便僅具有具備曲率半徑(0.2微米至3微米)的彎曲表面於其上方末端部分處。該隔板1414可使用其中可藉由光輻照而變成不可溶於蝕刻劑中之負型光敏樹脂，或其中可藉由光輻照而變成可溶於蝕刻溶劑中之正型光敏樹脂所形成。注意的是，當覆蓋反射膜的隔板具有遮光性質時，則可抑制由於反射膜所導致之外部光的反射。當延伸於發光模組之外面的反射膜反射外部光時，則發光裝置的對比會減低；由於該理由的緣故，無法獲得明亮的光發射。遮光隔板可使用以黑色所著色之樹脂層而形成。
在發光裝置1400中，第二電極1417係設置於第一電 極1413之上，且包含發光有機化合物的層1416係設置於該第一電極1413與第二電極1417之間，而使發光元件1418藉以形成。做為發光元件1418的結構，例如，可使用描述為實施例3中之實例的發光面板中所包含之發光元件的結構。
描述為此實施例中之實例的發光裝置1400具有其中包含於依據本發明一實施例的發光面板中之發光元件1418係密封於藉由元件基板1410，密封基板1404，及密封劑1405所包圍的空間1407中。注意的是，該空間1407係充填以填料，且可充填以惰性氣體(例如，氮或氬)或密封劑1405。可設置諸如乾燥劑之用以吸附雜質的材料。
所欲地，密封劑1405及密封基板1404應盡量使用不會傳送空氣中之雜質(例如，水分或氧)的材料而形成。做為密封基板1404的實例，除了玻璃基板及石英基板之外，可給定使用纖維玻璃強化塑膠(FRP)、聚氟乙烯(PVF)、聚酯、丙烯酸、及其類似物所形成的塑膠基板。做為密封劑1405，典型地使用環氧為主樹脂係較佳的。
注意的是，濾色片1434係設置用於密封基板1404，以便與發光元件1418重疊，以及遮光膜1435(亦稱為黑色矩陣)係設置以便與兩個鄰接的發光元件間之部分重疊。
在依據本發明一實施例之上述主動矩陣發光裝置中，係使用包含發光元件的發光面板，該發光元件包含包含發光有機化合物的層於一電極與另一電極之間，該一電極包 含第一金屬，且該一電極的表面係設置有導電夾雜物。因而，可提供其中可降低由於電阻所導致之損失的發光裝置。
<被動矩陣發光裝置>
接著，其中依據本發明之一實施例的發光面板被施加至被動矩陣發光裝置的結構係描繪於第7A及7B圖中。注意的是，第7A圖係包含於該發光裝置中之發光面板的透視圖，以及第7B圖係沿著第7A圖中之線X-Y所取得之發光裝置的橫剖面視圖。
被動矩陣發光裝置2500包含第一電極2502於基板2501之上。進一步地，絕緣層2505係設置以便覆蓋第一電極2502的末端部分，且隔板層2506係設置於絕緣層2505之上。
進一步地，透射紅色光的濾色片2140R、透射綠色光的濾色片2140G、及透射藍色光的濾色片2140B係設置於其各自的發光元件之上。
發光裝置2500係使用依據本發明一實施例的發光面板而予以製造。做為發光面板的結構，例如，可使用描述為實施例3中之實例的結構。第二電極2503係設置於第一電極2502之上，且包含發光有機化合物的層2504係設置於第一電極2502與第二電極2503之間，以致使發光元件形成。做為發光元件的結構，例如，可使用描述為實施例3中之實例的發光面板中之發光元件的結構。注意的是 ，包含於此實施例之發光面板中的發光模組包含發光元件及與該發光元件重疊的濾色片，該發光元件包括包含發射出白色光之發光有機化合物的層於該對電極之間。
隔板層2506的側壁傾斜，以致使一側壁與另一側壁之間的距離朝向基板的表面而逐漸減少。換言之，沿著隔板層2506的短邊之方向所取得橫剖面係梯形的，且基底(與絕緣層2505的平面方向相同方向且與該絕緣層2505接觸之側)係比上方側(與絕緣層2505的平面方向相同方向且不與該絕緣層2505接觸之側)更短。具備如上述所設置之隔板層2506，可防止由於電性串音或其類似者所導致之發光元件的缺陷。
在依據本發明一實施例之上述被動矩陣發光裝置中，係使用包含發光元件的發光面板，該發光元件包括包含發光有機化合物的層於一電極與另一電極之間，該一電極包含第一金屬，且該一電極的表面係設置有導電夾雜物。因而，可提供其中可降低由於電阻所導致之損失的發光裝置。
注意的是，此實施例可與任何其他的實施例適當地結合。
〔實施例5〕
在此實施例中，將參照第8A至8F圖來敘述包含依據本發明一實施例之發光面板的發光裝置，該發光面板包含發光元件，該發光元件包括包含發光有機化合物的層於一 電極與另一電極之間，該一電極包含第一金屬，且該一電極的表面係設置有導電夾雜物。
施加該發光裝置之電子裝置的實例係電視裝置(亦稱為TV或電視接收器)，用於電腦及其類似物之監視器，諸如數位相機及數位攝影機之相機、數位相框、行動電話(亦稱為可攜帶式電話裝置)、可攜帶式遊戲機、可攜帶式資訊終端機、聲頻重放裝置，諸如柏青哥機之大型遊戲機、及其類似物。該等電子裝置的特定實例係描繪於第8A至8E圖之中。
第8A圖描繪電視裝置的實例。在電視裝置7100中，顯示部7103係結合於外殼7101中。顯示部7103能顯示影像，且發光裝置可使用於顯示部7103。此外，在此，外殼7101係藉由座台7105所支撐。
電視裝置7100可藉由外殼7101的操作開關或分離的遙控器7110而操作。透過遙控器7110的操作鍵7109，可控制頻道及音量且可控制顯示在顯示部7103上之影像。而且，遙控器7110可設置有顯示部7107，用以顯示由該遙控器7110所輸出之資料。
注意的是，電視裝置7100係設置有接收器，調變解調器，及其類似物。透過該接收器，可接收一般電視廣播。再者，當電視裝置7100係藉由經調變解調器之有線或無線連接而連接至通訊網路時，則可執行單向(自發射器至接收器)或雙向(在發射器與接收器之間，在接收器之間，或在其類似者之間)資料通訊。
第8B圖描繪電腦，其包含主體7201、外殼7202、顯示部7203、鍵盤7204、外部連接埠7205、指引裝置7206、及其類似物。注意的是，此電腦係使用發光裝置於顯示部7203而加以製造。
第8C圖描繪可攜帶式遊戲機，其包含兩個外殼，外殼7301及外殼7302，該等外殼係以接合部7303而連接，以致使該可攜帶式遊戲機可被開啟或摺疊。顯示部7304係結合於外殼7301中，以及顯示部7305係結合於外殼7302中。此外，第8C圖中所描繪的可攜帶式遊戲機包含揚聲器部7306、記錄媒體插入部7307、LED燈7308、輸入裝置(操作鍵7309、連接端子7310、感測器7311(具有測量力、位移、位置、速度、加速度、角速率、旋轉頻率、距離、光、液體、磁力、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射、流動率、濕度、陡度、振動、氣味、或紅外線之功能的感測器)、或微音器7312)、及其類似物。不用多說地，可攜帶式遊戲機的結構並未受限於上文，只要至少可將發光裝置使用於顯示部7304或顯示部7304、或二者，且可適當地包含其他附件即可。在第8C圖中所描繪之可攜帶式遊戲機具有讀出儲存於儲存媒體中的程式或資料以顯示其於顯示部上之功能，以及藉由無線通訊而與另一可攜帶式遊戲機共享資訊之功能。在第8C圖中之可攜帶式遊戲機可具有各式各樣的功能，而無需受限於上述該等功能。
第8D圖描繪行動電話的實例。行動電話7400係設置 有結合於外殼7401中之顯示部7402、操作鈕7403、外部連接埠7404、揚聲器7405、微音器7406、及其類似物。注意的是，行動電話7400係使用發光裝置於顯示部7402而加以製造。
當第8D圖中所描繪之行動電話7400的顯示部7402係以手指或其類似物而觸控時，則可將資料輸入至行動電話7400之內。進一步地，諸如打電話及製作電子郵件之操作可在顯示部7402上藉由手指或其類似物的觸控而予以執行。
主要地，顯示部7402具有三個螢幕模式。第一模式係顯示模式，主要用以顯示影像。第二模式係輸入模式，主要用以輸入諸如正文之資料。第三模式係顯示及輸入模式，其中係結合顯示模式及輸入模式之二模式。
例如，在打電話或製作電子郵件的情況中，主要用以輸入正文之正文輸入模式係選擇用於顯示部7402，以致可輸入顯示在螢幕上的正文。在此情況中，較佳地顯示鍵盤或數字鈕於顯示部7402之幾乎全部的螢幕上。
當設置包含諸如陀螺儀之用以偵測傾斜的感測器或加速度感測器的偵測裝置於行動電話7400之內部時，則在顯示部7402之螢幕上的顯示可藉由決定行動電話7400之取向而自動地改變(行動電話是否水平或垂直地放置，以適用於取景模式或人像模式)。
該等螢幕模式係藉由觸控顯示部7402或操作外殼7401的操作鈕7403而予以切換。該等螢幕模式亦可根據 顯示在顯示部7402上之影像的種類而被切換。例如，當顯示在顯示部上之影像的信號係移動影像資料之信號時，則螢幕模式被切換至顯示模式。當該信號係正文資料之信號時，則螢幕模式被切換至輸入模式。
此外，在輸入模式中，當藉由觸控顯示部7402之輸入並未在當藉由顯示部7402中之光學感測器所偵測的信號被偵測出時之特定週期內被執行時，則可控制螢幕模式以便自輸入模式切換至顯示模式。
顯示部7402可作用成為影像感測器。例如，掌紋、指紋、或其類似者的影像係藉由顯示部7402上之透過手掌或手指的觸控而取得，因而個人認證可藉以執行。進一步地，藉由提供發射出近紅外光之背光或感測光源於顯示部中，可取得手指靜脈、手掌靜脈、或其類似者的影像。
第8E圖描繪照明裝置的實例。在照明裝置7500中，本發明之一實施例的發光裝置7503a至7503d係結合於外殼7501中，做為光源。該照明裝置7500可被附著至天花板、牆壁、或其類似物。
依據本發明之一實施例的發光裝置包含以薄膜之形式的發光面板。因此，當發光裝置係附著至具有彎曲表面之基底時，則可獲得具有彎曲表面的發光裝置。此外，當發光裝置係設置於具有彎曲表面的外殼之中時，則可獲得具有彎曲表面的電子裝置或照明裝置。
依據本發明一實施例之上述發光裝置包含依據本發明一實施例的發光面板，該發光面板包含發光元件，該發光 元件包括包含發光有機化合物的層於一電極與另一電極之間，該一電極包含第一金屬，且該一電極的表面係設置有導電夾雜物。因而，可提供其中可降低由於電阻所導致之損失的發光裝置。
注意的是，此實施例可與此說明書中之任何其他的實施例適當地結合。
此申請案係根據2011年5月11日在日本專利局所申請之日本專利申請案序號2011-106409，該申請案的全部內容係結合於本文以供參考。
101‧‧‧一電極
102、402‧‧‧另一電極
103、403、1416、2504‧‧‧包含發光有機化合物的層
101a‧‧‧導電材料
101b、401b‧‧‧第一金屬
111、411‧‧‧夾雜物
113、413‧‧‧載子注入層
111a‧‧‧第二金屬
111b‧‧‧第二金屬之氧化物
160、1418‧‧‧發光元件
130‧‧‧光學路徑長度
100、400、500、2501‧‧‧基板
1101‧‧‧陽極
1102‧‧‧陰極
1103‧‧‧發光單元
1113‧‧‧電洞注入層
1114‧‧‧電洞傳輸層
1115‧‧‧發光層
1116‧‧‧電子傳輸層
1117‧‧‧電子注入層
1104‧‧‧中間層
1104a‧‧‧電子注入緩衝層
1104b‧‧‧電子中繼層
1104c‧‧‧第一電荷產生區
1103a‧‧‧第一發光單元
1103b‧‧‧第二發光單元
490‧‧‧發光面板
450R‧‧‧第一發光模組
450G‧‧‧第二發光模組
450B‧‧‧第三發光模組
450R2‧‧‧第四發光模組
540R、540G、540B、540R2‧‧‧濾色片
510、1435‧‧‧遮光膜
1400‧‧‧主動矩陣發光裝置
1401‧‧‧驅動器電路部(源極側驅動器電路)
1402‧‧‧像素部
1403‧‧‧驅動器電路部(閘極側驅動器電路)
1404‧‧‧密封基板
1405‧‧‧密封劑
1410‧‧‧元件基板
1409‧‧‧FPC(撓性印刷電路)
1423‧‧‧n通道電晶體
1424‧‧‧p通道電晶體
1411、1412‧‧‧電晶體
1413、2502‧‧‧第一電極
1414‧‧‧隔板
1417、2503‧‧‧第二電極
2500‧‧‧被動矩陣發光裝置
2505‧‧‧絕緣層
2506‧‧‧隔板層
7100‧‧‧電視裝置
7101、7202、7301、7302、7401、7501‧‧‧外殼
7103、7107、7203、7304、7305、7402‧‧‧顯示部
7105‧‧‧座台
7109、7309‧‧‧操作鍵
7110‧‧‧遙控器
7201‧‧‧主體
7204‧‧‧鍵盤
7205、7404‧‧‧外部連接埠
7206‧‧‧指引裝置
7306‧‧‧揚聲器部
7307‧‧‧記錄媒體插入部
7308‧‧‧LED燈
7310‧‧‧連接端子
7311‧‧‧感測器
7312、7406‧‧‧微音器
7400‧‧‧行動電話
7403‧‧‧操作鈕
7405‧‧‧揚聲器
7500‧‧‧照明裝置
7503a~7503d‧‧‧發光裝置
第1A至1E圖各自描繪依據一實施例之發光元件的結構；第2圖描繪依據一實施例之具有微共振器結構之發光元件的結構；第3A至3D圖描繪依據一實施例之發光元件的製造方法；第4A至4E圖各自描繪依據一實施例之發光元件的結構；第5A及5B圖描繪依據一實施例之發光面板；第6A及6B圖描繪依據一實施例之發光裝置；第7A及7B圖描繪依據一實施例之發光裝置；以及第8A至8E圖描繪依據一實施例之發光裝置。
101‧‧‧一電極
102‧‧‧另一電極
103‧‧‧包含發光有機化合物的層
101a‧‧‧導電材料
101b‧‧‧第一金屬
111‧‧‧夾雜物
113‧‧‧載子注入層

Claims (11)

  1. 一種發光元件，包含：一電極，包含第一金屬；另一電極，具有透射可見光的性質，且與該一電極重疊；包含發光有機化合物的層，在該一電極與該另一電極之間；以及導電夾雜物，在該一電極與包含該發光有機化合物的該層之間，其中該導電夾雜物包含第二金屬的氧化物，其中包含於該導電夾雜物中之該第二金屬係選自由鈦、鎢、及錸所組成的群組，且其中載子注入層係設置於該第二金屬的該氧化物與包含該發光有機化合物的該層之間。
  2. 一種發光元件，包含：一電極，包含第一金屬；另一電極，具有透射可見光的性質，且與該一電極重疊；包含發光有機化合物的層，在該一電極與該另一電極之間；以及導電夾雜物，在該一電極與包含該發光有機化合物的該層之間，其中該導電夾雜物包含第二金屬的氧化物，其中包含於該導電夾雜物中之該第二金屬係選自由 鈦、鎢、及錸所組成的群組，且其中該第二金屬的該氧化物係與設置在包含該發光有機化合物的該層中之載子注入層接觸。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之發光元件，其中該導電夾雜物係包含該第二金屬之層與包含該第二金屬的該氧化物之層的堆疊。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之發光元件，其中該導電夾雜物係包括包含該第二金屬之粒狀體與均勻覆蓋該粒狀體且包含該第二金屬的該氧化物之層的堆疊。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之發光元件，其中該導電夾雜物係包含該第二金屬之粒狀體及包含該第二金屬的該氧化物於該第二金屬之表面上的層。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之發光元件，其中該載子注入層係氧化物導電膜或包含受體材料之有機材料層，且具有透射可見光的性質。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之發光元件，其中該第一金屬係鋁或包含鋁的合金，且其中該第一金屬的厚度係大於或等於100奈米(nm)且小於或等於300奈米(nm)。
  8. 如申請專利範圍第7項之發光元件，其中該第一金屬係包含鋁、鎳、及鑭之合金。
  9. 一種發光模組，包含如申請專利範圍第1或2項之發光元件，其中該發光模組包含：濾色片，與該發光元件重疊， 其中該發光元件包括該包含發光有機化合物的層，以便發射出包含具有大於或等於600奈米(nm)且小於800奈米(nm)的波長之光、具有大於或等於500奈米(nm)且小於600奈米(nm)的波長之光、及具有大於或等於400奈米(nm)且小於500奈米(nm)的波長之光的光。
  10. 一種發光面板，包含複數個如申請專利範圍第9項之發光模組，其中該發光面板包含：第一發光模組；第二發光模組；以及第三發光模組，其中該第一發光模組包含第一濾色片，該第一濾色片透射紅色光，其中，在其中一電極具有反射性質且另一電極具有半透射及半反射性質之成對的第一電極間之光學路徑長度係使用第一載子注入層的厚度而予以調整，以致使具有大於或等於600奈米(nm)且小於800奈米(nm)之波長的光被發射，其中該第二發光模組包含第二濾色片，該第二濾色片透射綠色光，其中，在其中一電極具有反射性質且另一電極具有半透射及半反射性質之成對的第二電極間之光學路徑長度係使用第二載子注入層的厚度而予以調整，以致使具有大於或等於500奈米(nm)且小於600奈米(nm)之波長 的光被發射，其中該第三發光模組包含第三濾色片，該第三濾色片透射藍色光，其中，在其中一電極具有反射性質且另一電極具有半透射及半反射性質之成對的第三電極間之光學路徑長度係使用第三載子注入層的厚度而予以調整，以致使具有大於或等於400奈米(nm)且小於500奈米(nm)之波長的光被發射，其中該第一、第二、及第三發光模組包括相同的層，其包含該發光有機化合物，且其中該成對的第一電極之該一電極、該成對的第二電極之該一電極、及該成對的第三電極之該一電極係彼此互相獨立。
  11. 如申請專利範圍第10項之發光面板，其中該成對的第一電極之該另一電極、該成對的第二電極之該另一電極、及該成對的第三電極之該另一電極係彼此互相接觸。
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