TWI627699B - 晶圓對準裝置以及晶圓轉移裝置 - Google Patents

晶圓對準裝置以及晶圓轉移裝置 Download PDF

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Abstract

本發明揭露一種用以對準中心部與周邊部的厚度不同的晶圓的晶圓對準裝置及轉移裝置。本發明的一實施例的晶圓對準裝置可包含：殼體；晶圓夾盤，其配置至上述殼體的上部，支持中心部與周邊部的厚度不同的晶圓；及旋轉裝置，其使上述晶圓夾盤以一軸為中心而旋轉。

Description

晶圓對準裝置以及晶圓轉移裝置
本發明揭露一種晶圓對準裝置及用以將晶圓轉移至上述晶圓對準裝置的晶圓轉移裝置。
晶圓對準裝置是用以檢測晶圓的凹口而將凹口對準至起始位置，同時計算晶圓的圓周而檢測晶圓的中心的對準裝置。可於為了檢測晶圓的凹口來對準晶圓而使晶圓旋轉的旋轉單元裝設用以安裝晶圓的另外的轉移單元及另外的安裝部。轉移及安裝至晶圓對準裝置的晶圓易於碎裂或劃傷，因此為了防止晶圓受損，應慎重地進行操作。特別是，隨著最近使用的晶圓的尺寸變大，相反地晶圓的厚度變薄，於晶圓轉移至對準裝置的情形時、及於晶圓安裝至旋轉單元的情形時，存在晶圓受損的問題，並且於旋轉單元使晶圓旋轉時，發生晶圓的滑動(Slip)而於要求精確作業的半導體製程等中存在晶圓受損等致命的問題。
本發明的一方面提供一種可安全地轉移及安裝薄膜形態的晶圓的 晶圓對準裝置以及晶圓轉移裝置。
本發明的另一方面提供一種可防止於薄膜形態的晶圓由旋轉裝置支持而進行旋轉的情形時發生的滑動的晶圓對準裝置。
一實施例的晶圓對準裝置可包含：殼體；晶圓夾盤，其配置至上述殼體的上部，支持中心部與周邊部的厚度不同的晶圓；及旋轉裝置，其使上述晶圓夾盤以一軸為中心而旋轉；且可於上述晶圓夾盤的一面配置同心圓形狀的多個真空線。
上述多個真空線能夠以沿上述晶圓夾盤的直徑方向且隔著特定間隔而彼此隔開的方式配置。
上述多個真空線以面對上述晶圓的中心部的方式配置而可於上述晶圓夾盤支持上述晶圓。
上述多個真空線可分別對上述晶圓的中心部施加相同的真空壓力。
可更包含使上述晶圓夾盤沿一方向移動的移動裝置。
可更包含支持上述晶圓的周邊部的安裝部。
上述安裝部可包含以具備特定角度的方式沿上述晶圓夾盤的圓周方向延伸的第1支持部及第2支持部，且上述第1支持部及第2支持部按照以上述晶圓夾盤為中心隔著特定間隔而彼此隔開的方式配置。
上述第1支持部可具備高度彼此不同的第1-1支持面及第1-2支持面，上述第2支持部具備高度彼此不同的第2-1支持面及第2-2支持面。
可包含：曲面形狀的第1階差部，其配置至上述第1-1支 持面與第1-2支持面之間，且具備特定的曲率；及曲面形狀的第2階差部，其配置至上述第2-1支持面與第2-2支持面之間，且具備特定的曲率。
可更包含用以感測上述晶圓的對準狀態的檢測感測器。
一實施例的晶圓轉移裝置可包含：主體，其用以支持中心部與周邊部的厚度不同的晶圓；及真空孔，其形成至上述主體上，產生真空壓力而吸附上述晶圓的周邊部。
可更包含自上述主體延伸的第1分支、及自上述主體延伸的第2分支。
上述真空孔包含形成於上述主體上的第1真空孔、形成於上述第1分支上的第2真空孔、及形成於上述第2分支上的第3真空孔，上述主體、上述第1分支及上述第2分支呈Y字形狀，所述第1真空孔、所述第2真空孔及所述第3真空孔可配置成三角形形狀。
所述第1真空孔、所述第2真空孔及所述第3真空孔可分別以與鄰接於上述晶圓的周邊部的上述晶圓的中心部對應的方式配置。
一實施例的晶圓轉移裝置可更包含：板形狀的基底部，其用以支持中心部與周邊部的厚度不同的晶圓；第1導壁與第2導壁，其以與上述基底部具備階差的方式形成，且以彼此相隔的方式配置於上述基底部上；及接觸墊部，其支持上述晶圓的周邊部。
上述接觸墊部可包含形成於上述基底部上的第1接觸墊、第2接觸墊及第3接觸墊，第1接觸墊、第2接觸墊及第3接觸墊配置成三角形形狀。
第1接觸墊、第2接觸墊及第3接觸墊可分別以與鄰接於 上述晶圓的周邊部的上述晶圓的中心部對應的方式配置。
根據本發明的上述解決課題的手段，可藉由晶圓對準裝置而不另外產生損傷地轉移及安裝薄膜形態的晶圓。
並且，於薄膜形態的晶圓藉由晶圓對準裝置而旋轉的情形時，以無另外的滑動現象的方式支持晶圓，因此可防止薄膜形態的晶圓受損。
1‧‧‧晶圓對準裝置
100‧‧‧殼體
210‧‧‧晶圓夾盤
211‧‧‧晶圓夾盤的一面
212‧‧‧晶圓夾盤的另一面
220‧‧‧驅動部
221‧‧‧第1驅動馬達
222‧‧‧第2驅動馬達
223‧‧‧移動桿
270‧‧‧真空線
271~274‧‧‧第1至第4真空線
300‧‧‧安裝部
311、312‧‧‧第1及第2支持部
320‧‧‧階差部
321‧‧‧第1階差部
322‧‧‧第2階差部
400‧‧‧檢測感測器
600‧‧‧控制部
800‧‧‧晶圓轉移裝置
810‧‧‧主體
820‧‧‧第1分支
830‧‧‧第2分支
841‧‧‧第1真空孔
842‧‧‧第2真空孔
843‧‧‧第3真空孔
850‧‧‧基底部
860‧‧‧第1導壁
870‧‧‧第2導壁
881~883‧‧‧第1接觸墊至第3接觸墊
3111‧‧‧第1-1支持面
3112‧‧‧第1-2支持面
3121‧‧‧第2-1支持面
3122‧‧‧第2-2支持面
A-A'、O-O'‧‧‧線
D1、D2、r‧‧‧寬度
O‧‧‧中心部
P‧‧‧周邊部
t1、t2‧‧‧厚度
W‧‧‧晶圓
Z1‧‧‧第1相隔距離
Z2‧‧‧第2相隔距離
Z3‧‧‧第3相隔距離
α‧‧‧角度
圖1a是表示本發明的一實施例的晶圓對準裝置的圖。
圖1b是概略性地表示本發明的一實施例的晶圓對準裝置的構成的概略圖。
圖2a是本發明的一實施例的晶圓的立體圖。
圖2b是沿O-O'線切割圖2a所示的晶圓所得的剖面圖。
圖3a是本發明的一實施例的安裝部的立體圖。
圖3b是沿A-A'線切割圖3a所示的安裝部所得的安裝部的剖面圖。
圖4a是本發明的一實施例的晶圓夾盤的立體圖。
圖4b是圖4a所示的晶圓夾盤的俯視圖。
圖5是本發明的一實施例的晶圓轉移裝置的立體圖。
圖6是本發明的一實施例的晶圓轉移裝置的俯視圖。
圖7是本發明的另一實施例的晶圓轉移裝置的立體圖。
圖8是本發明的另一實施例的晶圓轉移裝置的俯視圖。
對於本發明中所使用的用語，考慮本發明中的功能而儘可能地選擇目前廣泛使用的普通用語，但會根據從業於本技術領域的技術人員的意圖或判例、新技術的出現等而不同。並且，於指定情形時，亦存在申請人任意選定的用語，於該情形時，將於發明的相應的說明部分詳細記載其含義。因此，本發明中所使用的用語應基於該用語所具有的含義及本發明的整篇內容來定義，而並非簡單地以用語的名稱來定義。
於整篇說明書中，在記載為某個部分“包含”某個構成要素時，若無特別相反的記載，則指可更包含其他構成要素，而並非是指排除其他構成要素。並且，說明書中所記載的“...部”、“...模組”等用語是指對至少一個功能或動作進行處理的單元，其可由硬體或軟體實現，或者由硬體與軟體的結合而實現。
以下，參照隨附圖式，詳細地對本發明的實施例進行說明，以便在本發明所屬的技術領域內具有常識者可容易地實施。然而，本發明能夠以多種不同的形態實現，並不限定於此處所說明的實施例。
以下，參照圖式，詳細地對本發明的實施例進行說明。
圖1a是表示本發明的一實施例的晶圓對準裝置的立體圖。圖1b是概略性地表示本發明的一實施例的晶圓對準裝置的構成的概略圖。圖2a是本發明的一實施例的晶圓的立體圖。圖2b是沿O-O'線切割圖2a所示的晶圓所得的剖面圖。
參照圖式，本發明的一實施例的晶圓對準裝置1可包含： 晶圓夾盤210，其配置至殼體100的上部；驅動部220，其可使上述晶圓夾盤210沿第1方向X移動，且可使上述晶圓夾盤210以第1方向X為中心而旋轉；安裝部300，其沿晶圓夾盤210的周長部而配置；檢測感測器400，其配置至殼體100上表面的上端部的特定的高度；及控制部600。
本發明的一實施例的晶圓W可形成為薄膜形態。作為一例，晶圓W可形成為圓板形狀。此時，晶圓W可為中心部O與周邊部P的厚度不同的鼓狀晶圓(Taiko Wafer)。例如，於薄膜形態的晶圓W形成為鼓狀晶圓的情形時，中心部O的厚度t1可為50μm，周邊部P的厚度t2可為700μm。並且，於晶圓W的直徑為8英吋(in)的情形時，直徑方向上的周邊部P的寬度r可為1mm。然而，本發明並不限定於此，不僅可對薄膜形態的晶圓W使用本發明的一實施例的晶圓對準裝置以及晶圓轉移裝置，而且亦可對具有相對較厚的厚度的晶圓W使用。
晶圓夾盤210是可支持晶圓W的支持構件。作為一例，晶圓夾盤210可為外形尺寸與被支持的晶圓W相同地形成或較晶圓W小一尺寸地形成的圓板形狀。作為一例，晶圓W可如上所述般形成為薄膜形狀的圓板，晶圓夾盤210可較薄膜形狀的晶圓W小一尺寸地形成或相同地形成。然而，本發明並不限制於此，晶圓夾盤210的形狀、尺寸等亦可根據被支持的晶圓W的形狀、尺寸等而設定。以面對晶圓W的方式配置的晶圓夾盤210的一面211可為晶圓支持面，作為一例，於晶圓夾盤210形成為真空夾盤的情形時，可藉由自配置於晶圓夾盤210的一面211的真空線270抽吸空氣來產生抽吸力而固定晶圓W。
驅動部220是用以使晶圓夾盤210移動的移動裝置，可包含可沿第1方向X產生驅動力的第1驅動馬達221。並且，驅動部220是用以使晶圓夾盤210以第1方向X為中心而旋轉的旋轉裝置，可包含可產生以第1方向X為中心而旋轉的旋轉力的第2驅動馬達222。此時，晶圓夾盤210可包含沿第1方向X延伸且配置於晶圓夾盤210的另一面212的移動桿223。作為一例，於移動桿223自第1驅動馬達221接收動力而沿第1方向X移動的情形時，晶圓夾盤210亦可沿第1方向X而朝向晶圓W移動，藉此晶圓夾盤210可支持晶圓W。
並且，作為一例，於自第2驅動馬達222向移動桿223傳遞動力的情形時，上述晶圓夾盤210能夠以第1方向X為中心而旋轉，以固定方式配置於晶圓夾盤210的晶圓W亦能夠以第1方向X為中心而旋轉。此時，第2驅動馬達222可為可對晶圓夾盤210傳遞動力的直接驅動馬達(Direct Drive Motor)，但本發明並不限制於此。
如上所述，若為了檢測形成於晶圓W的凹口而晶圓夾盤210旋轉，則即便為要求非常精確的作業的半導體製程，晶圓W亦會因離心力等而滑動。以下，參照圖4a及圖4b，更具體地對為了防止晶圓W的滑動而利用晶圓夾盤210所具備的真空線270支持晶圓W的方法進行敍述。
安裝部300是可支持晶圓W的支持構件。作為一例，安裝部300能夠以如下方式配置：以沿晶圓夾盤210的圓周方向延伸的方式形成而支持晶圓W的周邊部P。並且，安裝部300可包含階差部320，上述階差部320於晶圓W錯誤地安裝於安裝部300的情形 時，可支持晶圓W的周邊部P。以下，利用3a及圖3b更具體地對與於轉移晶圓W時可防止晶圓W受損的階差部320相關的事項進行敍述。
檢測感測器400以面對晶圓夾盤210的一面211的方式配置，可檢測隨晶圓夾盤210的旋轉而旋轉的晶圓W的凹口及中心點。作為一例，檢測感測器400可為視覺相機，於檢測感測器400為視覺相機的情形時，檢測感測器400可拍攝晶圓W所具備的凹口及中心點而識別凹口及中心點的位置。
控制部600可根據藉由檢測感測器400感測到的晶圓W的對準狀態，對驅動部220施加控制信號而使晶圓W的對準一致。作為一例，於晶圓W以中心不一致的狀態、即非對準狀態固定至晶圓夾盤210，且晶圓夾盤210藉由驅動部220而旋轉驅動時，上述檢測感測器400可感測以偏心的狀態進行旋轉的晶圓W的平坦區(flatzone)或凹口(notch)等而將其傳輸至控制部600。此時，控制部600可藉由上述檢測感測器400而獲知晶圓W的中心與晶圓夾盤210的中心之間的實際差異，可藉由對旋轉裝置、例如第2驅動馬達222施加控制信號使晶圓夾盤210旋轉而對準晶圓W的中心。
以下，更詳細地對在為了對準晶圓W而使晶圓W旋轉前，向晶圓對準裝置1轉移薄膜形狀的晶圓W而安裝及支持晶圓W的晶圓夾盤210及安裝部300進行敍述。
圖3a是本發明的一實施例的安裝部的立體圖。圖3b是沿A-A'線切割圖3a所示的安裝部所得的安裝部的剖面圖。
參照圖3a及圖3b，本發明的一實施例的安裝部300可包含以沿晶圓夾盤210的圓周方向包圍晶圓夾盤210的一部分的方式形 成的第1支持部及第2支持部311、312。根據一實施例，第1支持部及第2支持部311、312能夠以具備特定角度α的方式沿晶圓夾盤210的圓周方向延伸。此時，第1支持部及第2支持部311、312能夠以沿晶圓夾盤210的圓周方向隔著特定間隔而彼此隔開的方式配置，並且第1支持部及第2支持部311、312能夠以介隔晶圓夾盤210而彼此面對的方式配置。
第1支持部及第2支持部311、312可包含：第1-1支持面及第2-1支持面3111、3121，其支持晶圓W、更具體而言晶圓W的周邊部P；及第1-2支持面及第2-2支持面3112、3122，其以與第1-1支持面及第2-1支持面3111、3121具備特定的階差的方式配置。可分別於第1-1支持面3111與第1-2支持面3112之間、及第2-1支持面3121與第2-2支持面3122之間配置第1階差部及第2階差部321、322。第1-1支持面及第2-1支持面3111、3121可沿晶圓夾盤210的直徑方向延伸，以便可支持晶圓W的一面、更具體而言晶圓W的周邊部P。作為一例，於晶圓W轉移至晶圓對準裝置1的情形時，晶圓W可由第1-1支持面及第2-1支持面3111、3121支持，此時第1-1支持面及第2-1支持面3111、3121的晶圓夾盤210的直徑方向上的寬度D1可為1mm以下。然而，本發明並不限制於此，第1-1支持面及第2-1支持面3111、3121的寬度D1可根據晶圓W的周邊部P的直徑方向上的寬度而不同地設定。
第1-2支持面及第2-2支持面3112、3122以與第1-1支持面及第2-1支持面3111、3121構成階差的方式配置，且能夠以如下方式配置：較第1-1支持面及第2-1支持面3111、3121更靠內側、即較第1-1支持面及第2-1支持面3111、3121更鄰接於晶圓夾盤 210。第1-2支持面及第2-2支持面3112、3122是用以應對在將晶圓W轉移安裝至晶圓對準裝置1的過程中，晶圓W未能準確地安裝至第1-1支持面及第2-1支持面3111、3121的情形的支持構件。作為一例，第1-2支持面及第2-2支持面3112、3122的晶圓夾盤210的直徑方向上的寬度D2亦可為1mm以下。然而，本發明並不限制於此，第1-2支持面及第2-2支持面3112、3122的寬度D2亦可根據晶圓W的周邊部P的直徑方向上的寬度而不同地設定。
第1階差部及第2階差部321、322是如下的導引構件：配置至第1-1支持面3111與第1-2支持面3112之間、及第2-1支持面3121與第2-2支持面3122之間，從而於晶圓W自第1-1支持面3111或第2-1支持面3121掉落至第1-2支持面3112或第2-2支持面3122的情形時，可導引晶圓W的移動路徑。作為一例，第1階差部321可形成為於第1-1支持面3111與第1-2支持面3112之間具備特定的曲率的曲面形狀。藉此，於晶圓W自第1-1支持面3111掉落至第1-2支持面3112的情形時，晶圓W的側部亦可沿第1階差部321所具備的曲面部而移動，因此可將於自第1-1支持面3111掉落至第1-2支持面3112的情形時會施加至晶圓W的衝擊最小化。形成於第2-1支持面3121與第2-2支持面3122之間的第2階差部322亦具備與第1階差部321實質上相同的技術特徵，因此方便起見，於此處省略說明。
圖4a是本發明的一實施例的晶圓夾盤的立體圖。圖4b是圖4a所示的晶圓夾盤的俯視圖。
參照圖4a及圖4b，可於晶圓夾盤210的一面211支持晶圓W，可於上述晶圓夾盤210的一面211配置多個真空線270。作為 一例，可於晶圓夾盤210的一面211配置以晶圓夾盤210的中心為基準而呈同心圓形狀的第1真空線至第4真空線271~274。此時，第1真空線至第4真空線271~274能夠以等間隔、例如沿晶圓夾盤210的直徑方向而彼此相隔相同的間隔的方式配置，可相同地保持第1真空線至第4真空線271~274各自的空氣壓力。
作為一例，於在晶圓夾盤210的一面211支持晶圓W的情形時，可吸入存在於第1真空線至第4真空線271~274的氣體，藉此第1真空線至第4真空線271~274可成為真空狀態。藉此，晶圓夾盤210的一面211與晶圓W之間的空間亦可成為真空狀態，可於晶圓夾盤210的一面211吸附固定晶圓W。作為一例，於在可吸附固定晶圓W的晶圓夾盤210的一面211僅配置一個真空線270的情形時，會為了吸附固定晶圓W而對晶圓W的一面施加非常大的真空壓力。然而，本發明並不限制於此，真空線270的個數、相隔間隔及自真空線270施加至晶圓W的真空壓力可根據晶圓W的類型而發生變化。
如上所述，於晶圓W形成為薄膜形態的情形時，藉由對晶圓W的中心部O的較窄的面積施加相對較大的真空壓力而會發生晶圓W的彎曲(翹曲：Warpage)。相反地，根據本發明的一實施例，於晶圓夾盤210配置多個真空線270、例如第1真空線至第4真空線271~274，藉此可由4個真空線劃分自一個真空線施加至晶圓W的真空壓力而施加至晶圓W，藉此亦可不使形成為薄膜形態的晶圓W彎曲(翹曲：warpage)而將薄膜形態的晶圓W真空壓接至晶圓夾盤210的一面211。
圖5是本發明的一實施例的晶圓轉移裝置的立體圖。圖6 是本發明的一實施例的晶圓轉移裝置的俯視圖。
參照圖5及圖6，本發明的一實施例的晶圓轉移裝置800可呈包含主體810、自主體810延伸的第1分支820、及自主體810延伸的第2分支830的Y字形狀。
主體810、第1分支820及第2分支830可包含防止於晶圓W產生靜電的材質。作為一例，主體810、第1分支820及第2分支830可包含絕緣電阻相對較低的金屬氧化物。例如，可包含絕緣電阻接近1歐姆的二氧化鈦(titanium dioxide)。並且，作為其他例，能夠以二氧化鈦(titanium dioxide)塗敷主體810、第1分支820及第2分支830的表面。並且，作為其他例，主體810、第1分支820及第2分支830可包含含有鋁(aluminum)的陶瓷(ceramic)材質。
晶圓轉移裝置800可包含第1真空孔至第3真空孔841~843。第1真空孔至第3真空孔841~843產生真空壓力，藉此可於轉移期間真空吸附晶圓W。第1真空孔至第3真空孔841~843可為了轉移晶圓W而配置至適當的位置。例如，第1真空孔841可配置至主體810上，第2真空孔842配置至第1分支820上，第3真空孔843配置至第2分支830上。因此，上述第1真空孔至第3真空孔841~843可配置成三角形而以上述三角形的中心與上述晶圓W的中心一致的方式使上述晶圓W位於晶圓轉移裝置800上。
如上所述，於晶圓W形成為薄膜形態且以中心部O與周邊部P的厚度不同的方式、例如較中心部O的厚度更厚地形成周邊部P的厚度的情形時，第1真空孔至第3真空孔841~843能夠以與鄰接於周邊部P的上述晶圓的中心部O接觸而真空吸附晶圓W的方 式配置。作為一例，於具備晶圓W的直徑方向上的周邊部P的寬度r的情形時，第1真空孔841能夠以沿晶圓W的直徑方向遠離晶圓W的最外圍部特定的第1相隔距離Z1的方式配置至主體810上。並且，第2真空孔842能夠以沿晶圓W的直徑方向遠離晶圓W的最外圍部特定的第2相隔距離Z2的方式配置至第1分支820上。並且，第3真空孔843能夠以沿晶圓W的直徑方向遠離晶圓W的最外圍部特定的第3相隔距離Z3的方式配置至第2分支830上。例如，周邊部P的晶圓W的直徑方向上的寬度r可為2mm，第1相隔距離至第3相隔距離Z1~Z3可為3mm，但本發明並不限制於此。
如上所述，於晶圓W形成為薄膜形態且中心部O與周邊部P的厚度不同的情形時，藉由在晶圓W的中心部O配置第1真空孔至第3真空孔841~843而會對厚度相對較薄的中心部O施加相對較大的真空壓力，因此晶圓W會受損。相反地，根據本發明的一實施例，第1真空孔至第3真空孔841~843以與鄰接於晶圓W的周邊部P的上述晶圓的中心部O對應的方式配置，且以由上述第1真空孔至第3真空孔841~843形成的三角形的中心與上述晶圓W的中心一致的方式配置，藉此第1真空孔至第3真空孔841~843能夠以彼此間具備非常大的間隔的方式配置。藉此，藉由第1真空孔至第3真空孔841~843施加至晶圓的壓力可跨及晶圓的更廣的面積而分佈，於利用第1真空孔至第3真空孔841~843施加相對相同的真空壓力的情形時，可防止晶圓W損傷而轉移晶圓W。
圖7是本發明的另一實施例的晶圓轉移裝置的立體圖。圖8是本發明的另一實施例的晶圓轉移裝置的俯視圖。
參照圖7及圖8，本發明的一實施例的晶圓轉移裝置800 可包含基底部850、第1導壁860及第2導壁870。第1導壁860及第2導壁870以高於板形狀的基底部850的高度形成，可防止晶圓W脫落。基底部850可包含防止產生靜電的材質。作為一例，基底部850可包含絕緣電阻相對較低的金屬氧化物。例如，可包含二氧化鈦(titanium dioxide)。或者，能夠以二氧化鈦(titanium dioxide)塗敷基底部850的表面。或者，基底部850可包含含有鋁(aluminum)的陶瓷(ceramic)材質。
本發明的一實施例的晶圓轉移裝置800可更包含配置於基底部850上的多個接觸墊。作為一例，第1接觸墊至第3接觸墊881~883可配置至基底部850上，第1接觸墊至第3接觸墊881~883可配置成三角形形狀。例如，第1接觸墊至第3接觸墊881~883具有小於第1導壁860及第2導壁870的高度的特定的厚度，藉此晶圓W可遠離基底部850。
作為一例，第1接觸墊至第3接觸墊881~883與晶圓W接觸，因此為了不對晶圓W的一面造成損傷而可包含具有彈性的材質。第1接觸墊至第3接觸墊881~883可包含聚醯亞胺系塑膠。
如上所述，於晶圓W形成為薄膜形態且以中心部O與周邊部P的厚度不同的方式、例如較中心部O的厚度更厚地形成周邊部P的厚度的情形時，第1接觸墊至第3接觸墊881~883能夠以與周邊部P接觸而真空吸附晶圓W的方式配置。第1接觸墊至第3接觸墊881~883的位置與周邊部P的關係與上述實施例中所敍述的內容實質上相同，因此方便起見，此處省略敍述。
如上所述，以與鄰接於晶圓W的周邊部P的晶圓的中心部O對應的方式將第1接觸墊至第3接觸墊881~883配置至本發明 的一實施例的晶圓轉移裝置800，藉此於利用第1接觸墊至第3接觸墊881~883施加相對相同的壓力的情形時，亦可防止晶圓W損傷而轉移晶圓W。
本發明的上述說明為示例，於本發明所屬的技術領域內具有常識者應可理解可不變更本發明的技術思想或必要特徵而容易地變形為其他具體的形態。因此，以上所述的實施例僅應理解為於所有方面均為示例，並不具有限定性。例如，說明為單一形態的各構成要素可分散實施，相同地，說明為分散形態的構成要素亦能夠以結合的形態來實施。
相比上述詳細說明而由下文將述的申請專利範圍界定本發明的範圍，應解釋為根據申請專利範圍的含義、範圍及其等同的概念導出的所有變更或變形的形態包含於本發明的範圍內。

Claims (16)

  1. 一種晶圓對準裝置，其包含：殼體；晶圓夾盤，其配置至所述殼體的上部，支持中心部與周邊部的厚度不同的晶圓；及旋轉裝置，其使所述晶圓夾盤以一軸為中心而旋轉；且於所述晶圓夾盤的一面配置同心圓形狀的多個真空線，其中所述多個真空線以沿所述晶圓夾盤的直徑方向隔著特定間隔而彼此隔開的方式配置。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓對準裝置，其中所述多個真空線以面對所述晶圓的中心部的方式配置而於所述晶圓夾盤支持所述晶圓。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的晶圓對準裝置，其中所述多個真空線分別對所述晶圓的中心部施加相同的真空壓力。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓對準裝置，其更包含使所述晶圓夾盤沿一方向移動的移動裝置。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓對準裝置，其包含支持所述晶圓的周邊部的安裝部。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的晶圓對準裝置，其中所述安裝部包含以具備特定角度的方式沿所述晶圓夾盤的圓周方向延伸的第1支持部及第2支持部，且所述第1支持部及第2支持部按照以所述晶圓夾盤為中心隔著特定間隔而彼此隔開的方式配置。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的晶圓對準裝置，其中所述第1支持部具備高度彼此不同的第1-1支持面及第1-2支持面，所述第2 支持部具備高度彼此不同的第2-1支持面及第2-2支持面。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的晶圓對準裝置，其包含：曲面形狀的第1階差部，其配置至所述第1-1支持面與第1-2支持面之間，且具備特定的曲率；及曲面形狀的第2階差部，其配置至所述第2-1支持面與第2-2支持面之間，且具備特定的曲率。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的晶圓對準裝置，其更包含用以感測所述晶圓的對準狀態的檢測感測器。
  10. 一種晶圓轉移裝置，其包含：主體，其用以支持中心部與周邊部的厚度不同的晶圓；及真空孔，其形成至所述主體上，產生真空壓力而吸附所述晶圓的周邊部。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的晶圓轉移裝置，其更包含自所述主體延伸的第1分支、及自所述主體延伸的第2分支。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的晶圓轉移裝置，其中所述真空孔包含形成於所述主體上的第1真空孔、形成於所述第1分支上的第2真空孔、及形成於所述第2分支上的第3真空孔，所述主體、所述第1分支及所述第2分支構成Y字形狀，所述第1真空孔、所述第2真空孔及所述第3真空孔配置成三角形形狀。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的晶圓轉移裝置，其中所述第1真空孔、所述第2真空孔及所述第3真空孔分別以與鄰接於所述晶圓的周邊部的所述晶圓的中心部對應的方式配置。
  14. 一種晶圓轉移裝置，其更包含：板形狀的基底部，其用以支持中心部與周邊部的厚度不同的晶圓； 第1導壁及第2導壁，其以與所述基底部具備階差的方式形成，且以彼此相隔的方式配置於所述基底部上；及接觸墊部，其支持所述晶圓的周邊部。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的晶圓轉移裝置，其中所述接觸墊部包含形成於所述基底部上的第1接觸墊、第2接觸墊及第3接觸墊，所述第1接觸墊、第2接觸墊及第3接觸墊配置成三角形形狀。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的晶圓轉移裝置，其中所述第1接觸墊、第2接觸墊及第3接觸墊分別以與鄰接於所述晶圓的周邊部的所述晶圓的中心部對應的方式配置。
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