TWI627405B - 缺陷檢查方法及其裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的，係在針對半導體晶圓或MEMS晶圓等之微細且包含多層構造之被檢查體之超音波檢查中，可將存在於內部之不良與正常圖案分離，且高感度地檢測。 本發明係拍攝形成有圖案之被檢查體而取得被檢查體之圖像，根據取得之被檢查體之圖像作成不含缺陷之基準圖像，且根據取得之被檢查體之圖像作成用於遮蔽非缺陷像素之多值遮罩，並對照被檢查體之圖像與基準圖像之亮度而算出缺陷精度，比較算出之缺陷精度與作成之多值遮罩而檢測出缺陷。

Description

缺陷檢查方法及其裝置
本發明係關於自使用超音波或X射線等取得之被檢查對象之圖像檢查缺陷之裝置，尤其關於適於具有多層構造之被檢查體之檢查的檢查方法及使用該檢查方法之非破壞檢查裝置。
作為自被檢查對象之圖像檢查缺陷之非破壞檢查方法，有使用對被檢查對象照射超音波且檢測其反射波而作成之超音波圖像的方法、或使用對被檢查對象照射X射線且檢測透射了試料之X射線而獲得之X射線圖像的方法。 一般而言，以超音波檢測存在於具有多層構造之被檢查體內之缺陷時，利用依據聲阻抗之差異之反射特性。超音波係於液體或固體物質中傳播，於聲阻抗不同之物質之邊界面或空隙處，產生反射波。此處，因來自缺陷之反射波與來自無缺陷處之反射波中，其強度產生差異，故藉由將被檢查體之各層之邊界面之反射強度圖像化，可獲得存在於被檢查體內之缺陷顯著化之圖像。 獲得之反射強度之圖像中有無缺陷之判定多由檢查員之目測進行，有因檢查員之經驗差異等而於評估結果產生偏差之可能性。又，主檢查對象即半導體、電子零件等係微細化取得進展，缺陷與正常圖案之藉由目測之識別變得困難。再者，為了對應安裝製品之多功能化、小型化，多層構造化取得進展，於製造現場以晶圓狀態進行處理直至封裝最終步驟之WLP(Wafer Level package：晶圓級封裝)法逐漸成為主流。因此，利用超音波檢查時，謀求以晶圓之狀態將微米級之內部缺陷與複雜圖案分離且高速、高感度地檢測。其相當於從數千萬像素之內部圖像檢測數像素之缺陷，由目測進行判定幾乎不可能。 作為自超音波檢查圖像自動進行缺陷檢測之先前技術，有日本專利特開2007-101320號公報(專利文獻1)記載之方法。其具有連續產生、顯示超音波檢查圖像之功能，且於各圖像中根據亮度分佈之擴散而抽出缺陷候補。且，根據缺陷候補之連續出現性之長短而識別缺陷與雜訊。再者，有日本專利特開2012-253193號公報(專利文獻2)所記載之方法。其係基於超音波掃描而推定3維積體化構造中之TSV(Through Silicon Via：矽貫通配線)中氣泡之存在。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2007-101320號公報 [專利文獻2]日本專利特開2012-253193號公報
[發明所欲解決之問題] 被檢查體為半導體、電子零件等具有複雜圖案與多層構造之情形，於專利文獻1所記載之方法中，可識別具有某程度之長度之缺陷與時間性隨機產生之雜訊，但無法分辨微小缺陷與正常圖案之區別。又，專利文獻2所記載之方法係為了將檢查對象圖案特化成TSV，且避免於TSV之上下方向使分解能降低之構造物(凸塊電極或配線層)之影響，而形成蝕刻停止層及僅有TSV之TEG(Test Element Group：測試元件組)區域，且檢查TEG區域有無氣泡，藉此推定Active(主動)TSV中有無氣泡的方法，無法進行多種圖案混雜之晶圓整面之檢查。 因此，本發明之目的在於提供一種在對於半導體晶圓或MEMS晶圓等之微細且包含多層構造之被檢查體之超音波檢查中，可將存在於內部之不良與正常圖案分離，且高感度地檢測之檢查方法及裝置。 [解決問題之技術手段] 為了解決上述問題，本發明係於缺陷檢查方法中，拍攝形成有圖案之被檢查體且取得被檢查體之圖像，根據取得之被檢查體之圖像而作成不含缺陷之基準圖像，且根據取得之被檢查體之圖像而作成用以遮蔽非缺陷像素之多值遮罩，並對照被檢查體之圖像與基準圖像之亮度而算出缺陷精度，比較算出之缺陷精度與作成之多值遮罩而檢測缺陷。 又，為了解決上述問題，於本發明中，採用如下構成，具備：圖像取得部，其拍攝形成有圖案之被檢查體且取得被檢查體之圖像；基準圖像產生部，其根據圖像取得部所取得之被檢查體之圖像而產生不含缺陷之基準圖像且根據上述取得之上述被檢查體之圖像而作成用以遮蔽非缺陷像素之多值遮罩；特徵量運算部，其對照圖像取得部所取得之被檢查體之圖像與基準圖像產生部所產生之基準圖像之亮度而算出缺陷精度；及缺陷檢測處理部，其比較特徵量運算部所算出之缺陷精度與基準圖像產生部所作成之多值遮罩而檢測缺陷。 再者又，為了解決上述問題，於本發明中，使超音波檢查裝置採用如下構成，具備：檢測部，其具備發出超音波之超音波探針與藉由自上述超音波探針發出之超音波而檢測自被檢查體產生之反射回聲之探傷器；A/D轉換部，其將自檢測部之檢測出反射回聲之探傷器輸出之信號進行A/D轉換；及圖像處理部，其處理以A/D轉換部轉換成數位信號之由探傷器檢測反射回聲並輸出之信號，且於被檢查體之內部產生平行於被檢查體之表面之面中的剖面圖像，處理該產生之內部剖面圖像，並檢查被檢查體之內部缺陷；且圖像處理部係採用如下構成，具備：剖面圖像產生部，其處理由探傷器檢測反射回聲並輸出之信號，且產生被檢查體之內部之剖面圖像；基準圖像產生部，其根據剖面圖像產生部所產生之被檢查體之內部之剖面圖像而產生不含缺陷之基準圖像且根據取得之被檢查體之內部之剖面圖像而作成用以遮蔽非缺陷像素之多值遮罩；特徵量運算部，其對照圖像取得部所取得之被檢查體之圖像與基準圖像產生部所產生之基準圖像之亮度而算出缺陷精度；缺陷檢測處理部，其比較該特徵量運算部所算出之缺陷精度與基準圖像產生部所作成之多值遮罩而檢測缺陷；及輸出部，其輸出由缺陷檢測處理部檢測出之內部缺陷。 [發明之效果] 根據本發明，可對非週期性且複雜圖案混雜之被檢查體之內部圖像，檢測、輸出正常圖案附近之微細缺陷。 又，根據本發明，藉由對使用超音波檢測之被檢查體內部之剖面圖像進行圖像處理，可檢測被檢查體內部之缺陷。
本發明係關於可對包含非週期圖案構造之被檢查體，分離正常圖案與缺陷之信號，且檢測微細缺陷之缺陷檢查方法與其裝置。即，於本發明中，採用即便自被檢查體獲得之圖像為包含非週期圖案者，亦對包含相同圖案群之每個區域分割圖像並分組，且於成為同組之部分圖像內進行缺陷之檢測之處理構成。本發明係對針對具有複雜圖案構造之被檢查體之外觀檢查、非破壞檢查等較為有效。 又，於本發明中，關於被檢查體之內部圖像，對以相同圖案群構成之每個區域分割圖像並分組，且於各組中，統合屬於組之分割內部圖像之特徵並檢測缺陷。關於分組，使用者於事前基於賦予至部分區域之標籤而進行，或基於各層之圖案形成時所使用之設計資料或曝光參數而進行。又，缺陷之檢測係統合屬於同組之分割內部圖像之特徵並產生基準分割內部圖像，比較基準分割內部圖像與各分割內部圖像之特徵而算出缺陷精度。再者，對於具有缺陷精度之各像素，根據分割內部圖像產生多值遮罩，且對具有缺陷精度之像素以多值遮罩進行遮蔽處理，並將剩餘之像素設為缺陷。藉由對各組進行該處理，而進行大範圍之檢查對象區域整面之非破壞檢查。 以下，使用圖說明本發明之實施例。 [實施例1] 以下，對將本發明之缺陷檢查方法應用於超音波檢查裝置之情形進行說明。對於本發明相關之檢查方法及裝置之實施形態，使用圖1至圖14進行說明。首先，對將作為被檢查對象物之半導體晶圓、MEMS(Micro Electro Mechanical System：微機電系統)晶圓等具有多層構造與複雜圖案之基板作為檢查對象之超音波檢查裝置之實施形態進行說明。 首先，作為超音波之特性，係於被檢查體內部傳播，且若存在使材料特性(聲阻抗)改變之邊界，則一部分反射。尤其，若存在空隙則大部分反射，因而可於接合成多層之晶圓之接合面，根據反射強度而高感度地檢測氣泡或剝離等缺陷。以下，將多層晶圓之接合面中之缺陷作為檢測對象。 圖2係顯示本發明之超音波檢查裝置之實施形態之概念圖。本發明之超音波檢查裝置具備檢測部1、A/D轉換器6、圖像處理部7及整體控制部8。 檢測部1係具備超音波探針2及探傷器3而構成。探傷器3係藉由對超音波探針2賦予脈衝信號，而驅動超音波探針2。由探傷器3驅動之超音波探針2係產生超音波且向被檢查對象物(試料5)出射。若出射之超音波入射至具有多層構造之試料5，則自試料5之表面、或晶圓之接合面產生反射回聲4，反射回聲4係被超音波探針2接收，且由探傷器3實施必要處理，轉換成反射強度信號。 其次，該反射強度信號由A/D轉換器6轉換成數位波形資料，輸入至圖像處理部7。圖像處理部7係適當具有圖像產生部7-1、缺陷檢測部7-2、資料輸出部7-3而構成。對於自A/D轉換器6輸入至圖像處理部7之波形資料，於圖像產生部7-1中，進行後述之信號轉換，且根據數位波形資料而產生試料5之特定之接合面之剖面圖像。缺陷檢測部7-2係根據圖像產生部7-1所產生之接合面之剖面圖像，進行後述之處理，檢測缺陷。於資料輸出部7-3中，產生作為由缺陷檢測部7-2檢測出之各個缺陷之資訊或剖面之觀察用圖像之類的檢查結果而輸出之資料，且輸出至整體控制部8。 其次，於圖3顯示實現圖2所示之構成之具體之超音波檢查裝置100之一構成例之模式圖。於圖3中，10表示X、Y、Z之正交3軸之座標系。 圖3之1相當於圖2說明之檢測部1。檢測部1所含之11係掃描台，12係設置於掃描台11上之水槽，13係於掃描台11上以跨及水槽12之方式設置之可沿X、Y、Z方向移動之掃描器。掃描台11係大致水平地設置之基台。於水槽12注入水14直至虛線所示之高度，且於水槽12之底部(水中)放置試料5。試料5如上所述，為包含多層構造等之半導體晶圓。水14係為了使自超音波探針2出射之超音波於試料5之內部有效地傳播所必需之媒體。16係機械控制器，沿X、Y、Z方向驅動掃描器13。 對於試料5，超音波探針2係自下端之超音波出射部送出超音波，且接收自試料5返回之反射回聲。超音波探針2安裝於固持件15，可藉由以機械控制器16驅動之掃描器13而沿X、Y、Z方向自由移動。藉此，超音波探針2可一面沿X、Y方向移動一面於試料5之事前設定之複數個測定點接收反射回聲，獲得測定範圍(XY平面)內之接合面之二維圖像，並檢查缺陷。超音波探針2係經由纜線22，與將反射回聲轉換成反射強度信號之探傷器3連接。 超音波檢查裝置100構成為進而具備：A/D轉換器6，其將自檢測部1之探傷器3輸出之反射強度信號轉換成數位波形；圖像處理部7，其處理由該A/D轉換器6進行A/D轉換後之圖像信號；整體控制部8，其控制檢測部1、A/D轉換器6、圖像處理部7；及機械控制器16。 圖像處理部7係處理由A/D轉換器6進行A/D轉換後之圖像信號且檢測試料5之內部缺陷者。圖像處理部7具備圖像產生部7-1、缺陷檢測部7-2、資料輸出部7-3、及參數設定部7-4。 圖像產生部7-1係根據將預先設定之試料5之測定範圍內自表面、及各接合面等返回且由超音波探針2接收之反射回聲以A/D轉換器6進行A/D轉換而獲得之數位資料與自機械控制器16獲得之超音波探針之位置資訊，產生圖像。缺陷檢測部7-2係處理圖像產生部7-1所產生之圖像，顯著化或檢測內部缺陷。資料輸出部7-3係輸出以缺陷檢測部7-2顯著化或檢測出內部缺陷之檢查結果。參數設定部7-4係受理自外部輸入之測定條件等之參數，且向缺陷檢測部7-2及資料輸出部7-3設置。且，於圖像處理部7中，例如參數設定部7-4係與記憶有資料庫之記憶裝置18連接。 整體控制部8具備進行各種控制之CPU(Central Processing Unit：中央處理單元)(內置於整體控制部8)，受理來自使用者之參數等，且適當連接具有顯示由圖像處理部7檢測出之缺陷之圖像、缺陷數、各個缺陷之座標或尺寸等資訊之顯示機構與輸入機構之使用者介面部(GUI(Graphical User Interface：圖形使用者介面)部)17及記憶由圖像處理部7檢測出之缺陷之特徵量或圖像等之記憶裝置18。機械控制器16係基於來自整體控制部8之控制指令而驅動掃描器13。另，圖像處理部7、探傷器3等亦藉由來自整體控制部8之指令而驅動。 於圖4顯示被檢查體400之構成作為試料5之一例。圖4之被檢查體400係模式性顯示作為主檢查對象之包含多層構造之晶圓之外觀之例。被檢查體400係積層異種之MEMS、CPU、記憶體、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互補金屬氧化物半導體)等之晶圓41～45，貼合並產生之積層晶圓。積層數未限於5片，而將1片以上之複數片作為對象。本實施例之超音波檢查裝置100係對被檢查體400中晶圓41～45之各積層面(接合面)，是否未產生氣泡或剝離等之耗盡區域地遍及整面正確貼合進行檢查者。 圖5A係模式性顯示圖4所示之具有多層構造之被檢查體400之縱構造之例。若對被檢查體400之表面401入射自超音波探針2出射之超音波50，則超音波50於被檢查體400之內部傳遞，於表面401、及晶圓間之接合面402、403、404、405等藉由聲阻抗之差異而反射，因而將該等作為1次反射回聲而由超音波探針2接收。 圖5B之圖表51係由超音波探針2接收之來自被檢查體400之反射回聲之一例，橫軸為時間，縱軸為反射強度。時間係表示被檢查體400之深度者。於該圖表51中，藉由對如包含來自欲觀察之接合面之反射回聲之時間區域施加影像化閘52(以下簡單記為閘52)，而切出期望之時間區域，並檢測出閘52內之峰值。 圖像處理部7之圖像產生部7-1係根據一面以掃描器13掃描測定範圍(XY平面)內一面獲得之反射回聲，進行各掃描位置之上述峰值之檢測，並轉換成濃淡值(例如，產生256灰階之圖像之情形為0～255)，藉此根據各掃描位置之濃淡值之資訊產生接合面之剖面圖像(自晶圓之表面沿深度方向之剖面(平行於晶圓表面之面)之圖像)。 此處，檢查對象為如被檢查體400之具有多層構造體，且應檢查之接合面有複數(402～405等)之情形，可對於反射回聲，於與各接合面對應之時間區域設定同樣之閘52，且分別產生接合面之剖面圖像。 於圖6A及圖6B顯示產生之接合面之剖面圖像之一例。圖6A係模式性顯示被檢查體即積層晶圓60之俯視圖者。積層晶圓60係最終沿圖6A之各直線切斷且單片化而成為製品。以下，將單片化後之單位記載為晶片。圖6B之(a)之62係自積層晶圓60中包含被虛線包圍之三個晶片之區域61所獲得之接合面之剖面圖像之一例，圖6B之(b)之63、64、65係將圖6B之(a)之剖面圖像62分割成與各晶片對應之三區域之部分剖面圖像。圖6B之(b)之部分剖面圖像63與65係安裝於晶片內之器件相同，因而獲得之部分剖面圖像所含之圖案之構成(以下記述為圖案群)亦相同，但圖6B之(b)之部分剖面圖像64係左側以2個圖案構成，表示具有與部分剖面圖像63、65不同之圖案群。 於本實施例之發明中，對於如此包含圖案群不同之複數種晶片之被檢查體，將剖面圖像分組至具有相同圖案群之每個區域(例如，部分剖面圖像63與65設為組A，部分剖面圖像64設為組B)，且對每個組進行缺陷檢測處理。 圖1為其概念圖。101係作為被檢查體之一例，混載有多種器件之晶圓之外觀圖。於被檢查體(晶圓)101以格柵狀形成有晶片，各格柵之填充圖案之差異係表示構成晶片之器件之種類不同。即，自相同填充圖案之區域，獲得基本上以相同圖案群構成之檢查圖像。 於本實施例之缺陷檢查中，取得由檢測部1取得之被檢查體101之表面圖像、或內部剖面圖像(S11)，對於該取得之被檢查體101之表面圖像或內部剖面圖像，於圖像處理部7中，首先抽出以相同圖案群構成之部分圖像(S12)。自該抽出之部分圖像，抽出與被檢查體101之103、104所示之波紋之填充圖案區域對應之部分圖像，且如102般排列圖像(S13)。所謂圖像排列，係抽出之部分圖像103～108具有相同圖案群，因而相同圖案以於各圖像內存在於相同座標值之方式進行位置修正。 其次，於各圖像內之各像素算出特徵，於圖像間以109、110之方式進行統合(S14)。於部分圖像內之所有像素進行該處理，產生基準部分圖像111(S15)，及產生多值遮罩112(S16)。其次，對於部分圖像103～108之各者，藉由與產生之基準部分圖像111、及多值遮罩112之統合比較(S17)，而檢測缺陷113。最後，以晶圓位準合成檢測出之缺陷113(S18)，顯示其結果(S19)。對於以其他圖案群構成之部分圖像(晶圓101之與條紋、水珠、或格子旗之填充圖案對應之圖像)亦進行同樣處理。 此處，於S12中自被檢查體即被檢查體(晶圓)101抽出具有相同圖案群之部分圖像係藉由受理來自使用者之事前之設定而進行。圖7為其例。圖7(a)之700係形成於作為檢查對象之晶圓101之晶片之佈局。將其顯示於圖3所示之使用者介面部17中的畫面上，且以參數設定部7-4受理使用者於該畫面上賦予至各個晶片之標籤。於本處理中，基於該使用者賦予之標籤而將被檢查體101進行分組。 圖7(b)之701係其結果之一例，即，將被檢查體即晶圓101分割成晶片單位之部分圖像，且基於使用者賦予之標籤分組為A～D之4個類別者。又，即便無使用者之設定，亦可將曝光時之參數作為輸入而自動設定。所謂曝光參數係包含將電路圖案投影至基板之何處之類的曝光位置資訊、曝光順序等，可獲得形成於各位置之參數之資訊。 其次，對以圖像處理部7之缺陷檢測部7-2進行之處理之構成進行說明。於圖8顯示其一例。缺陷檢測處理係使用包含相同圖案群之部分圖像而進行。輸入係包含用於處理之各種參數值之檢查參數801、及晶圓整面之圖像802。缺陷檢測部7-2大致分為具備部分圖像群產生部81、基準圖像產生部82、缺陷檢測處理部83、及缺陷資訊輸出部84。首先，若對缺陷檢測部7-2輸入晶圓整面之圖像802，則於部分圖像群產生部81賦予了相同標籤之複數個部分圖像(例如，圖1之103～108等)被輸入至基準圖像產生部82。於基準圖像產生部82中，產生基準部分圖像804、及多值遮罩805。基準部分圖像804係與輸入之部分圖像包含相同圖案群之正常圖像。 於圖9A及圖9B顯示基準部分圖像產生方法之一例。圖9B之90a、91a、92a、…係自被檢查體101切出之同標籤之部分圖像。各部分圖像包含相同圖案群(此處，以3種填充圖案911～913圖示)。亦存在包含有缺陷921～923(以白色圖示)之可能性。又，存在因掃描器掃描時圖像之取得位置之微妙差異(採樣誤差)而亦產生圖案之位置偏移之可能性(以填充圖案911～913相對於黑色背景之位置差異予以圖示)。因此，以如圖9A所示之部分圖像之位置修正，即令填充圖案911～913相對於黑色背景之座標一致之方式，進行各部分圖像之位置修正，即圖像間位置修正(S901)。 S901中之部分圖像間之位置修正係以如下之方法等一般對照方法進行：特定1個部分圖像，於特定之圖像與作為修正對象之其以外之部分圖像之間，使修正對象之部分圖像偏移，且求得與特定圖像之間亮度差之平方和為最小之偏移量，或求得標準化相互相關係數為最大之偏移量，並將部分圖像移位求得之偏移量。圖9B之90b、91b、92b、…係位置修正後之部分圖像。 其次，算出位置修正後之部分圖像90b、91b、92b、…之各像素中之特徵(S902)。特徵只要為各像素之對比度(數1)(與周邊像素之亮度梯度)、包含附近像素之亮度平均(數2)、或亮度分散值(數3)、與附近像素之亮度增減或其梯度最大方向等顯示其像素特性者，即可為任一者。 [數1] 對比度F1(x，y)；[數2] 亮度平均F2(x，y)；[數3] 分散F3(x，y)；其中，f(x，y)為部分像素內座標(x，y)之亮度值 其次，如上所述，於部分圖像間統合各部分圖像中算出之各像素(x，y)之特徵(S903)，且產生基準部分圖像804。作為其處理方法之一例，收集部分圖像間之對應之座標(x，y)之特徵Fi(x，y)(i為部分圖像之編號)，且如(數4)，統計性地決定各像素之特徵之基準特徵值S(x，y)。且，將作為基準特徵值之部分圖像之亮度值作為基準部分圖像之亮度值。藉此，產生排除了缺陷影響之基準部分圖像804。 [數4]Median：輸出各部分圖像之特徵之中央值(中數)之函數 S(x，y)：基準特徵值 F* (x，y)：位置修正後之部分圖像90b、91b、92b、…、之特徵值 另，作為統計性處理，亦可如(數5)，算出圖像間之對應之座標之特徵之平均，且將取得最接近其平均之特徵之部分圖像之亮度值作為基準部分圖像之亮度值。 [數5]i：部分圖像之編號、N：部分圖像數 如圖8所示，於基準圖像產生部82中，除基準部分圖像外，亦產生用以去除(遮蔽)圖像間非缺陷像素之多值遮罩805(S904)。於圖10顯示其產生順序之一例。本實施例之多值遮罩係對圖像內之每個像素算出多值(0～255)之值且設定。對於圖9B所示之位置修正後之部分圖像90b、91b、92b、…，統合對應之像素之亮度值f(x，y)，作為特徵，如(數6)般算出亮度值之分散值。 於圖10中，圖表1001係顯示由部分圖像90b、91b、92b、…內之白色矩形1011所示之座標之亮度值之分佈之圖表，顯示有於圖像間統合亮度值且算出分散值σ1之情況。圖表1002係顯示由部分圖像90b、91b、92b、…內之黑色矩形1012所示之座標之亮度值之分佈之圖表，顯示有於圖像間統合亮度值且算出分散值σ2之情況。同樣，對於部分圖像內之所有像素，算出分散值σ。 又，由相同像素算出其他特徵。1003顯示以黑色矩形1012顯示之座標附近之圖案。存在有高亮度之縱圖案1004。圖表1020之曲線1021顯示圖案1003中之縱圖案1004上之以箭頭1005(→←)顯示之部位之亮度輪廓。曲線1022顯示圖案1003中之縱圖案1004朝右移位α時之亮度輪廓。藉此，圖表1020中之Δ表示藉由α量之位置偏移產生之亮度差。將該Δ作為以黑色矩形1012顯示之像素之第2特徵。同樣，對於部分圖像內之所有像素，算出亮度差Δ。且，根據由部分圖像內之所有像素算出之2個特徵σ與Δ之值，如(數7)般算出多值之遮罩值M。3維圖表1030中之態樣1031係根據Δ與σ算出之多值遮罩之值M。µ1、µ2係常態分布之平均。 [數6]i：部分圖像之編號、N：部分圖像數 [數7]σ、Δ係因對每個像素，根據各像素之特徵而算出，故多值遮罩M之值係根據σ、Δ，對每個像素分別算出。此係存在即便為相同之圖案群，亦因製造公差或圖像取得時之採樣誤差之影響，於部分圖像間產生圖案亮度值之差異之情形，而將之反映於遮罩者。 此處，α(記載於圖10)、k、m、n係事前設定之參數，藉由調整其等，可調整3維圖表1030中之態樣1031所示之多值遮罩M之分佈。又，多值遮罩M雖顯示了基於將部分圖像之各像素之特徵於部分圖像間統合且算出之σ、Δ而算出之例，但特徵只要為表示像素之特性者即可為任意，又，特徵之統合方法亦隨之改變。再者，統合之特徵並未限於2個，可根據1個以上之複數個統合特徵算出多值遮罩M。又，n之值雖以固定值顯示，但亦可為設定於部分圖像內之每個像素之值。 以上，雖已說明根據部分圖像產生排除了缺陷之基準部分圖像之例，但亦可自保證無缺陷之良品之試料切出包含相同圖案群之部分圖像，作為基準圖像。 其次，就於圖8中，使用基準部分圖像804、多值遮罩805，自各部分圖像103～108檢測缺陷之缺陷檢測處理部83進行說明。 圖11顯示缺陷檢測處理部83之處理之一例。輸入係自基準圖像產生部82輸出之基準部分圖像804、多值遮罩805、檢查對象之部分圖像群803(成為同組之部分圖像)，如圖9所說明，為進行圖像間位置修正後之圖像。 首先，對於作為檢查對象之部分圖像群之各個圖像，根據需要，進行基準部分圖像與亮度之對照(S1101)。試料可以多層膜實現之情形，各層厚度之差異或檢查體為晶圓之情形，存在由晶圓之翹曲引起，於以相同圖案群構成之部分圖像間亦產生亮度差異之可能性。因此，進行亮度之對照(以使圖像間之亮度一致之方式修正一者之亮度)。 作為該方法之一例，此處顯示藉由最小平方近似，而將部分圖像之亮度修正符合基準部分圖像804之例。關於部分圖像群803之各個圖像與基準部分圖像804之對應之像素f(x，y)、g(x，y)，係假定存在(數8)所示之線性關係，且以(數9)為最小之方式算出a、b，並將其等作為修正係數gain、offset者。且，對於作為亮度修正對象之部分圖像之所有像素值f(x，y)，如(數10)般進行亮度修正。 [數8][數9][數10]其次，對於部分圖像1110之各像素，算出缺陷精度(S1102)。作為缺陷精度之例，以正常時之能見度，即表示背離基準部分圖像804之亮度值程度之值定義，且如(數11)般算出。 [數11]且，關於各像素，對於(數11)所算出之缺陷精度，進行多值遮罩805之遮蔽處理，且將剩餘之像素作為缺陷檢測(S1103)。 遮蔽係如以下之(數12)，於缺陷精度超過遮罩值之情形時作為缺陷而檢測。 [數12]另，上述係顯示對較基準部分圖像804之亮度值更亮之像素進行遮蔽且檢測缺陷之例，對於較基準部分圖像804之亮度值更暗之像素亦同樣。先前亦已敘述，對於多值遮罩805，增加了部分圖像間之製造公差或圖像取得時之採樣誤差之影響。因此，可以多值遮罩805遮蔽對(數11)所算出之缺陷精度添加了製造公差或採樣誤差引起之雜訊之像素。 最後，關於缺陷像素，算出用以最終判斷有無缺陷之缺陷特徵(S1104)。缺陷特徵為一個以上之複數種，只要為表示該缺陷之特徵者即可為任意。作為其一實施例，有缺陷之面積、最大長度、亮度值、邊緣強度等。 對分組後包含相同圖案群之部分圖像進行以上說明之缺陷檢測處理部83之處理S1101～S1104，且按各組進行其等。 如以上所述，於每個組之處理檢測出之缺陷之資訊係接著於缺陷資訊輸出部84中，再構成為被檢查體之晶片排列。於圖12A及圖12B顯示其概念。 圖12A之晶圓120係將被檢查體分為包含相同圖案群之區域，且附設標籤者。基於此，按組A～D之各者進行缺陷檢測處理，且自組A之區域1202檢測出圖12B之1202a之缺陷，自組B之區域1201檢測出圖12B之1201a之缺陷，自組D之區域1203、1204分別檢測出圖12B之1203a、1204a之缺陷。 圖8之缺陷資訊輸出部84係接收該結果，且將來自經分割之部分圖像之輸出結果，基於被檢查體(晶圓)120之區域配置資訊而再構成。即，於圖12B，於區域1201～1204之位置，映射檢測結果1201a～1204a，且產生、輸出晶圓上之缺陷分佈圖121。藉此，將於各個處理檢測出之1202a與1203a之缺陷作為連續之1個缺陷而輸出。同時，表示部分圖像內之缺陷位置之座標係轉換成被檢查體101之座標系，亦統合分別算出之缺陷特徵(面積、最大長度等)。然後，將該等轉換、統合後之缺陷資訊向資料輸出部7-3輸出，且經由使用者介面部(GUI部)17，以顯示器等顯示機構顯示。同時，亦可基於缺陷特徵對每個晶片進行良、不良判定並顯示。例如，對於晶片內缺陷個數、最大缺陷面積、缺陷像素之比例等進行計數，將超過了作為檢查參數輸入之判定條件之晶片作為不良而輸出、顯示。 於圖12B之例中，已說明映射檢測結果且輸出如121之晶圓上之缺陷分佈圖之例，但亦可如圖12C所示，將晶圓上之存在缺陷之晶片與不存在缺陷之晶片分色顯示。 此處，於晶圓之檢查時，缺陷檢測處理除將如上所述之相對於基準部分圖像之亮度之差異作為缺陷精度以外，亦保有複數個檢測處理方法。於圖13A及圖13B顯示其概念。圖13A係將晶圓130設為將檢查對象之晶圓分為包含相同圖案群之區域，且附設標籤者。此處，列舉組A為7區域，B為9區域，C為3區域，D為2區域之例。 本實施例之缺陷檢測處理亦可根據成為相同標籤之區域之數量，改變缺陷之檢測處理方法。例如，如上所述，去除缺陷影響之基準部分圖像係統合各部分圖像之特徵，且統計性產生。然而，若部分圖像數變少，則統計處理之可靠性變低。因此，於區域數在特定以下(例如3區域以下等)時，不進行統計處理，而進行實物彼此之比較、與模型之比較、與固定臨限值之比較等。如組C般部分圖像為3片之情形之處理之一例，係如以下所述。 圖13B之131、132、133係切出相當於檢查對象(晶圓)130之標籤C之部分之區域，且進行位置修正、及亮度對照後之部分圖像，於其中部分圖像(以下記為圖像)132、133包含缺陷1321、1331。對於該3片圖像，運算彼此之圖像間之差(差圖像：此處為絕對值)。差圖像131a係取得圖像131與圖像132之差，差圖像132a係取得圖像132與圖像133之差，差圖像133a係取得圖像133與圖像131之差。缺陷部分被顯著化。再者，藉由取得2片差之最小值而算出缺陷精度。即，差圖像131b係差圖像133a與差圖像131a之最小值，差圖像132b係差圖像131a與差圖像132a之最小值，差圖像133b係差圖像132a與差圖像133a之最小值，差圖像131b係圖像131之缺陷精度，差圖像132b係圖像132之缺陷精度，差圖像133b係圖像133之缺陷精度。藉由對其以固定值或多值遮罩遮蔽，而檢測出缺陷1321、1331。 作為其他處理例，如組D般部分圖像為2片以下之情形，亦可將自良品之樣本抽出之基準部分圖像作為輸入，實施與圖11同樣之處理而檢測缺陷。又，作為其他例，亦可使用如完全遮蔽非檢查區域之二值遮罩(事前預先設計)，將非遮罩區域之亮度值本身作為缺陷精度，以任意臨限值檢測缺陷。 如以上所述，本實施例之特徵在於將被檢查對象之所有區域，按以相同圖案群構成之每個區域進行分組，且對每個組進行缺陷判定。藉此，對於未以規則圖案群構成之晶圓，亦可進行高精度之缺陷檢測。再者，對於相同檢查對象為多層之貼合晶圓，尤其各層之晶圓具有不規則圖案群之情形亦有效。 圖14之141、142、143係模式性顯示作為檢查對象之3層之貼合晶圓之各層之圖案群之排列者。各層之晶圓係以具有不同之複數個圖案群之晶片構成(以填充圖案之差異予以圖示)。 再者，若沿深度方向觀察晶圓上相同位置之晶片，則其圖案群(組A146與組B147)之組合係不同。圖中之線144、145表示重疊於深度方向之晶片。於第一層之晶圓141中，線144上之晶片1441與線145上之晶片1451係形成有相同形狀之圖案，但第二層之晶圓142之線144上之圖案1442與線145上之圖案1452、第三層之晶圓143之線144上之圖案1443與線145上之圖案1453中，形成之圖案之形狀不同。此種情形，亦可根據作為檢查對象之接合面位於何處，而使用晶圓141～143之任一者之分組資訊，但亦可產生其等之組合之分組資訊，共通使用於所有接合面。 圖14之組A146、組B147係顯示線144、145上之位置之晶片重疊於深度方向時之各晶片之標籤資訊，根據標籤組合之差異而重新分組，將成為形成有與線144上之晶片之圖案相同之圖案之晶片之組合的區域設為標籤A，將成為形成有與線145上之晶片之圖案相同之圖案之晶片之組合的區域設為標籤B，且對於貼合晶圓，預先作為唯一決定之標籤資訊而保持。該標籤資訊係基於各層之晶圓之標籤資訊，根據深度方向之組合圖案而自動設定。 根據本實施例，即便自被檢查體獲得之圖像為包含非週期圖案者，亦對包含相同圖案群之每個區域分割圖像並分組，且於成為同組之部分圖像內進行缺陷之檢測，因而即便自被檢查體獲得之圖像為包含非週期圖案者，亦可對包含相同圖案群之每個區域分割圖像並分組，且於成為同組之部分圖像內進行缺陷之檢測。 [實施例2] 以上，作為本發明之檢查方法及裝置之實施形態，以被檢查對象物為半導體晶圓、MEMS(Micro Electro Mechanical System)晶圓等具有多層構造與複雜圖案之基板為例進行說明，但搭載於IC托盤等之IC封裝之檢查亦作為應用對象。 於圖15A及圖15B顯示其例。圖15A之150為IC托盤，150內之各凹槽內A、B、C、D之標籤表示所搭載之IC封裝之品種、型號之差異。於圖15B顯示本實施例中之處理之順序。於本發明之檢查方法、及裝置中，將品種、型號等IC封裝之托盤基質資訊152(搭載於托盤上之各凹槽之IC封裝之型號資訊等)與檢查參數151一同作為輸入而接收，且基於托盤基質資訊152，將托盤凹槽進行分組(S1500)，對獲得之托盤凹槽上之IC封裝之圖像153，收集成為同組之凹槽之圖像(S1501)，並於缺陷檢測部7-2中，進行實施例1中使用圖8說明之缺陷檢測處理。對每個組實施該處理。藉此，於1個IC托盤搭載有複數品種之IC封裝之情形時亦可進行高感度之檢查。 又，上述之處理對形成於帶狀基板上之IC封裝之檢查亦為有效。替代對IC托盤之各凹槽賦予標籤，若根據所安裝之器件之品種、或獲得之圖像之圖案群賦予標籤，則以下可應用相同處理。 以上，將本發明之實施例以形成於晶圓或IC托盤上之複數種器件混雜之情形之超音波檢查裝置中的缺陷檢查為例進行說明，但對IC封裝之單品之檢查亦為有效。該情形時，對每個品種，事前預先根據良品樣本產生基準圖像，且根據檢查對象品之品種，輸入對應之基準圖像，算出缺陷精度而進行判定。又，形成於晶圓上之構造物或搭載於IC托盤之IC封裝之品種為單一種，且獲得之被檢查體之圖像以規則圖案構成之情形時，藉由對全部區域賦予相同標籤，可應用本檢查方法。 又，圖像並未限於由超音波檢查裝置獲得者，亦可應用於由X射線式缺陷檢查裝置獲得之非破壞檢查圖像或外觀檢查圖像。 以上，雖已基於實施例具體地說明由本發明者完成之發明，但本發明並非限定於上述實施例，當然可於不脫離其主旨之範圍內進行各種變更。
1‧‧‧檢測部
2‧‧‧超音波探針
3‧‧‧探傷器
4‧‧‧反射回聲
5‧‧‧試料
6‧‧‧A/D轉換器
7‧‧‧圖像處理部
7-1‧‧‧圖像產生部
7-2‧‧‧缺陷檢測部
7-3‧‧‧資料輸出部
7-4‧‧‧參數設定部
8‧‧‧整體控制部
10‧‧‧座標系
11‧‧‧掃描台
12‧‧‧水槽
13‧‧‧掃描器
14‧‧‧水
15‧‧‧固持件
16‧‧‧機械控制器
17‧‧‧使用者介面部
18‧‧‧記憶裝置
22‧‧‧纜線
41～45‧‧‧晶圓
50‧‧‧超音波
51‧‧‧圖表
52‧‧‧閘
60‧‧‧積層晶圓
61‧‧‧區域
62‧‧‧剖面圖像
63‧‧‧部分剖面圖像
64‧‧‧部分剖面圖像
65‧‧‧部分剖面圖像
81‧‧‧部分圖像群產生部
82‧‧‧基準圖像產生部
83‧‧‧缺陷檢測處理部
84‧‧‧缺陷資訊輸出部
90a‧‧‧部分圖像
90b‧‧‧部分圖像
91a‧‧‧部分圖像
91b‧‧‧部分圖像
92a‧‧‧部分圖像
92b‧‧‧部分圖像
100‧‧‧超音波檢查裝置
101‧‧‧被檢查體
102‧‧‧排列圖像
103～108‧‧‧部分圖像
109‧‧‧統合特徵
110‧‧‧統合特徵
111‧‧‧基準部分圖像
112‧‧‧多值遮罩
113‧‧‧缺陷
120‧‧‧晶圓
121‧‧‧缺陷分佈圖
130‧‧‧晶圓
131‧‧‧圖像
131a‧‧‧差圖像
131b‧‧‧差圖像
132‧‧‧圖像
132a‧‧‧差圖像
132b‧‧‧差圖像
133‧‧‧圖像
133a‧‧‧差圖像
133b‧‧‧差圖像
141～143‧‧‧晶圓
144‧‧‧線
145‧‧‧線
146‧‧‧組A
147‧‧‧組B
150‧‧‧IC托盤
151‧‧‧檢查參數
152‧‧‧托盤基質資訊
153‧‧‧圖像
400‧‧‧被檢查體
401‧‧‧表面
402～405‧‧‧接合面
700‧‧‧晶片佈局
701‧‧‧分組結果
801‧‧‧檢查參數
802‧‧‧圖像
803‧‧‧部分圖像群
804‧‧‧基準部分圖像
805‧‧‧多值遮罩
911～913‧‧‧填充圖案
921～923‧‧‧缺陷
1001‧‧‧圖表
1002‧‧‧圖表
1003‧‧‧圖案
1004‧‧‧縱圖案
1005‧‧‧箭頭
1011‧‧‧白色矩形
1012‧‧‧黑色矩形
1020‧‧‧圖表
1021‧‧‧曲線
1022‧‧‧曲線
1030‧‧‧3維圖表
1031‧‧‧態樣
1201～1204‧‧‧區域
1201a～1204a‧‧‧缺陷
1321‧‧‧缺陷
1331‧‧‧缺陷
1441‧‧‧晶片
1442‧‧‧圖案
1443‧‧‧圖案
1451‧‧‧晶片
1452‧‧‧圖案
1453‧‧‧圖案
M‧‧‧多值遮罩值
N‧‧‧部分圖像數
S11～S19‧‧‧處理
S901～S903‧‧‧處理
S1101～S1104‧‧‧處理
S1501‧‧‧處理
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
Z‧‧‧方向
α‧‧‧參數
Δ‧‧‧亮度差
σ‧‧‧分散值
σ1‧‧‧分散值
σ2‧‧‧分散值
圖1係顯示對本發明之實施例1中之多種器件混載晶圓之內部缺陷檢查方法之概念進行顯示之處理之流程的流程圖之例。 圖2係顯示本發明之實施例1之超音波檢查裝置之概念之方塊圖。 圖3係顯示本發明之實施例1之超音波檢查裝置之概略構成之方塊圖。 圖4係本發明之實施例1中作為檢查對象之具有多層構造體之晶圓之立體圖。 圖5A係顯示本發明之實施例1中作為檢查對象之多層晶圓與超音波探針之關係的多層晶圓之剖視圖。 圖5B係顯示來自本發明之實施例1中作為檢查對象之使用超音波探針檢測之多層晶圓之反射回聲信號的圖表。 圖6A係本發明之實施例1中作為檢查對象之多層晶圓之俯視圖。 圖6B(a)、(b)係本發明之實施例1中作為檢查對象之多層晶圓之圖像。 圖7(a)、(b)係對本發明之實施例1中作為檢查對象之多層晶圓之各晶片賦予標籤之晶圓之俯視圖。 圖8係顯示本發明之實施例1之超音波檢查裝置之缺陷檢測部之構成之方塊圖。 圖9A係顯示本發明之實施例1之超音波檢查裝置之缺陷檢測部之基準圖像產生部之構成之方塊圖。 圖9B係本發明之實施例之超音波檢查裝置之缺陷檢測部之基準圖像產生部之處理流程圖。 圖10係顯示本發明之實施例1之超音波檢查裝置之缺陷檢測部之多值遮罩產生順序之圖像與圖表。 圖11係顯示本發明之實施例1之超音波檢查裝置之缺陷檢測部中之缺陷檢測處理之流程之流程圖。 圖12A係顯示對本發明之實施例1之各圖案群附設標籤之狀態的晶圓之俯視圖。 圖12B係顯示本發明之實施例1之超音波檢查裝置之缺陷檢測部之缺陷資訊輸出部中，統合每組檢測出之缺陷之資訊並輸出之一例的晶片及晶圓之俯視圖。 圖12C係顯示本發明之實施例1之超音波檢查裝置之缺陷檢測部之缺陷資訊輸出部中，統合每組檢測出之缺陷之資訊並輸出之其他例的晶圓之俯視圖。 圖13A係顯示對本發明之實施例1之各圖案群附設標籤之狀態的晶圓之俯視圖。 圖13B係顯示本發明之實施例1之超音波檢查裝置之缺陷檢測部中與圖12B所說明者不同之處理之流程之流程圖。 圖14係顯示本發明之實施例1中作為檢查對象之多層晶圓之分組之一例的晶圓之立體圖與形成於各晶圓之晶片之圖像。 圖15A係本發明之實施例2中作為檢查對象之IC(Integrated Circuit：積體電路)托盤之俯視圖。 圖15B係顯示本發明之實施例中作為檢查對象之IC托盤之處理之流程之流程圖。

Claims (12)

  1. 一種缺陷檢查方法，其特徵在於：拍攝形成有圖案之被檢查體而取得上述被檢查體之圖像；根據上述取得之上述被檢查體之圖像作成不含缺陷之基準圖像；根據上述取得之上述被檢查體之圖像作成用於遮蔽非缺陷像素之多值遮罩；對照上述被檢查體之圖像與上述基準圖像之亮度而算出缺陷精度；且比較上述算出之缺陷精度與上述作成之多值遮罩而檢測出缺陷；於上述被檢查體形成有複數種圖案，上述基準圖像係使用形成有上述複數種圖案中之相同圖案之區域之複數個圖像而作成者。
  2. 如請求項1之缺陷檢查方法，其中上述被檢查體係積層形成有上述複數種圖案之複數個晶圓而形成之積層半導體晶圓，且取得上述被檢查體之圖像，係藉由如下方式進行：於平行於上述被檢查體之表面之面內使超音波探頭掃描並對上述被檢查體發送超音波，以上述超音波探頭接收自被發送上述超音波之上述被檢查體返回之反射回聲波，並根據該接收之反射回聲波於上述被檢查體之內部產生平行於上述表面之面之剖面圖像。
  3. 如請求項1之缺陷檢查方法，其中使用形成有上述複數種圖案中之相同圖案之區域之複數個圖像，係藉由來自使用者之輸入或基於設計資料而進行。
  4. 如請求項1之缺陷檢查方法，其中檢測上述缺陷，係將形成有上述複數種圖案中之相同圖案之區域之複數個圖像之特徵以上述複數個圖像之各像素統合而算出各像素之基準值，將上述複數個圖像與上述算出之基準值比較，並將背離上述基準值較大之像素作為缺陷候補而抽出，且對上述抽出之缺陷候補使用上述多值遮罩而分離成缺陷與非缺陷。
  5. 如請求項2之缺陷檢查方法，其中上述被檢查體係積層形成有圖案之複數個晶圓而形成之積層半導體晶圓，於平行於上述表面之上述積層半導體晶圓之內部之剖面圖像中，對形成於上述積層之複數個晶圓之圖案之組合相同之區域賦予相同標籤，且構成包含上述賦予之標籤相同之區域的部分剖面圖像群，於屬於上述各標籤之部分剖面圖像群中，統合部分剖面圖像之特徵而檢測出內部缺陷。
  6. 一種缺陷檢查裝置，其特徵在於包含：圖像取得部，其拍攝形成有圖案之被檢查體而取得上述被檢查體之圖像；基準圖像產生部，其根據由上述圖像取得部取得之上述被檢查體之圖像，而產生不含缺陷之基準圖像，且根據上述取得之上述被檢查體之圖像而作成用於遮蔽非缺陷像素之多值遮罩；特徵量運算部，其對照上述圖像取得部所取得之上述被檢查體之圖像與上述基準圖像產生部所產生之上述基準圖像之亮度，而算出缺陷精度；及缺陷檢測處理部，其比較上述特徵量運算部所算出之缺陷精度與上述基準圖像產生部所作成之多值遮罩，而檢測出缺陷；於上述被檢查體形成有複數種圖案，由上述基準圖像產生部產生之上述基準圖像，係使用形成有上述複數種圖案中之相同圖案之區域之複數個圖像而作成者。
  7. 如請求項6之缺陷檢查裝置，其中上述被檢查體係積層形成有複數種圖案之複數個晶圓而形成之積層半導體晶圓，上述圖像取得部包含超音波探頭與超音波圖像產生部，且以上述圖像取得部取得上述被檢查體之圖像，係藉由如下方式進行：於平行於上述被檢查體之表面之面內使上述超音波探頭掃描並對上述被檢查體發送超音波，以上述超音波探頭接收自被發送上述超音波之上述被檢查體返回之反射回聲波，並根據該接收之反射回聲波由上述超音波圖像產生部於上述被檢查體之內部產生平行於上述表面之面之剖面圖像。
  8. 如請求項6之缺陷檢查裝置，其中進而包含輸入部，且以上述基準圖像產生部使用形成有上述複數種圖案中之相同圖案之區域之複數個圖像，係藉由上述輸入部中來自使用者之輸入或基於設計資料而進行。
  9. 如請求項6之缺陷檢查裝置，其中以上述缺陷檢測處理部檢測上述缺陷，係藉由如下方式進行：將形成有上述複數種圖案中之相同圖案之區域之複數個圖像之特徵，以上述複數個圖像之各像素統合並算出各像素之基準值，將上述複數個圖像與上述算出之基準值比較，並將背離上述基準值較大之像素作為缺陷候補抽出，且對上述抽出之缺陷候補使用上述多值遮罩而分離成缺陷與非缺陷。
  10. 如請求項8之缺陷檢查裝置，其中上述被檢查體係積層形成有圖案之複數個晶圓而形成之積層半導體晶圓，上述缺陷檢測處理部係於以上述圖像取得部取得之上述積層半導體晶圓之內部之剖面圖像中，對形成於上述積層之複數個晶圓之圖案之組合相同之區域賦予相同標籤，且構成包含上述賦予之標籤相同之區域的部分剖面圖像群，於屬於上述各標籤之部分剖面圖像群中，統合部分剖面圖像之特徵而檢測出內部缺陷。
  11. 一種超音波檢查裝置，其特徵在於包含：檢測部，其包含發出超音波之超音波探針與藉由自上述超音波探針發出之超音波而檢測自被檢查體產生之反射回聲之探傷器；A/D轉換部，其將自上述檢測部之檢測出上述反射回聲之探傷器輸出之信號，進行A/D轉換；及圖像處理部，其處理以上述A/D轉換部轉換成數位信號之由上述探傷器檢測出上述反射回聲並輸出之信號，且於上述被檢查體之內部產生平行於上述被檢查體之表面之面的剖面圖像，處理上述產生之內部剖面圖像，並檢查上述被檢查體之內部缺陷；且上述圖像處理部包含：剖面圖像產生部，其處理由上述探傷器檢測出上述反射回聲並輸出之信號，且產生上述被檢查體之內部之剖面圖像；基準圖像產生部，其根據上述剖面圖像產生部所產生之上述被檢查體之內部之剖面圖像，而產生不含缺陷之基準圖像，且根據上述產生之上述被檢查體之內部之剖面圖像，而作成用於遮蔽非缺陷像素之多值遮罩；特徵量運算部，其對照上述剖面圖像產生部所產生之上述被檢查體之內部之剖面圖像與上述基準圖像產生部所產生之上述基準圖像之亮度，而算出缺陷精度；缺陷檢測處理部，其比較上述特徵量運算部所算出之缺陷精度與上述基準圖像產生部所作成之多值遮罩，而檢測缺陷；及輸出部，其輸出由上述缺陷檢測處理部檢測出之內部缺陷。
  12. 如請求項11之超音波檢查裝置，其中上述圖像處理部進而包含：部分剖面圖像群產生部，其將上述剖面圖像產生部所產生之剖面圖像，按由相同圖案構成之每個區域分組成部分剖面圖像群；且上述基準圖像產生部係於由上述部分剖面圖像群產生部分組之各個部分剖面圖像群中，根據各部分剖面圖像而產生不含缺陷之基準圖像，且根據上述取得之上述被檢查體之內部之剖面圖像，而作成用於遮蔽非缺陷像素之多值遮罩。
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Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018159467A1 (ja) * 2017-02-28 2018-09-07 Ｎｅｃソリューションイノベータ株式会社 移動体検知装置、移動体検知方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
WO2018163572A1 (ja) * 2017-03-10 2018-09-13 富士フイルム株式会社 画像処理システム、画像処理装置、画像処理方法及び画像処理プログラム
JP6854186B2 (ja) * 2017-05-09 2021-04-07 株式会社日立パワーソリューションズ 超音波映像装置及び超音波映像生成方法
CN107505395A (zh) * 2017-08-31 2017-12-22 北京金风慧能技术有限公司 工件内部损伤检测方法及装置
US10607119B2 (en) * 2017-09-06 2020-03-31 Kla-Tencor Corp. Unified neural network for defect detection and classification
JP6874864B2 (ja) * 2018-01-29 2021-05-19 日本電気株式会社 画像処理装置、画像処理方法及びプログラム
JP7042149B2 (ja) * 2018-04-12 2022-03-25 株式会社日立パワーソリューションズ 超音波検査装置及び超音波検査方法
CN108760885A (zh) * 2018-06-14 2018-11-06 德淮半导体有限公司 超声波扫描方法和超声波扫描装置
CN109085237A (zh) * 2018-06-20 2018-12-25 德淮半导体有限公司 一种超声波扫描装置及扫描方法
KR101975816B1 (ko) * 2018-07-10 2019-08-28 주식회사 에이치비테크놀러지 오토 리페어 시스템의 불량 판별장치 및 방법
WO2020011648A1 (en) 2018-07-13 2020-01-16 Asml Netherlands B.V. Pattern grouping method based on machine learning
KR20200044252A (ko) * 2018-10-18 2020-04-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 검사 시스템, 표시 패널 검사 방법 및 이를 이용한 표시 패널.
US10902620B1 (en) * 2019-04-18 2021-01-26 Applied Materials Israel Ltd. Registration between an image of an object and a description
US11030738B2 (en) 2019-07-05 2021-06-08 International Business Machines Corporation Image defect identification
US11379969B2 (en) * 2019-08-01 2022-07-05 Kla Corporation Method for process monitoring with optical inspections
JP7257290B2 (ja) * 2019-08-27 2023-04-13 株式会社日立パワーソリューションズ 超音波検査装置および超音波検査方法
US20220341884A1 (en) * 2019-09-19 2022-10-27 Jfe Steel Corporation Moving inspection device, moving inspection method, and method for manufacturing steel material
JP7448331B2 (ja) * 2019-10-09 2024-03-12 株式会社京都製作所 判定装置、封緘システム、推定モデル、生成装置、判定方法、封緘方法、及び生成方法
US11295439B2 (en) 2019-10-16 2022-04-05 International Business Machines Corporation Image recovery
CN110988146A (zh) * 2019-11-01 2020-04-10 航天科工防御技术研究试验中心 一种封装芯片检测方法
CN112816557B (zh) * 2019-11-18 2022-02-18 中国商用飞机有限责任公司 一种缺陷检测方法、装置、设备和存储介质
CN111077223A (zh) * 2019-12-19 2020-04-28 西安增材制造国家研究院有限公司 一种具有三维显示、在线检测及修复功能的增材制造方法
JP7317747B2 (ja) * 2020-02-28 2023-07-31 株式会社Ｉｈｉエアロスペース 検査装置および検査方法
US11686707B2 (en) * 2020-03-30 2023-06-27 Verifi Technologies, Llc System and method for real-time visualization of defects in a material
US11754529B2 (en) 2020-03-30 2023-09-12 Verifi Technologies, Llc System and method for evaluating defects in a material
US11860131B2 (en) 2020-03-30 2024-01-02 Verifi Technologies, Llc System and method for portable ultrasonic testing
US11726065B2 (en) 2020-03-30 2023-08-15 Verifi Technologies, Llc System and method for real-time visualization of defects in a material
US11650183B2 (en) 2020-03-30 2023-05-16 Verifi Technologies, Llc System and method for real-time degree of cure evaluation in a material
JP7428616B2 (ja) * 2020-08-27 2024-02-06 株式会社日立パワーソリューションズ 超音波検査装置及び超音波検査方法
JP7476057B2 (ja) * 2020-09-11 2024-04-30 キオクシア株式会社 欠陥検査装置
JP7490533B2 (ja) 2020-10-30 2024-05-27 株式会社東芝 超音波画像処理装置および超音波画像処理方法
CN112348803B (zh) * 2020-11-19 2024-03-29 西安维控自动化科技有限公司 一种超声波边缘检测方法及系统
CN112345556B (zh) * 2020-11-23 2023-07-21 兰州大学 一种集成电路的故障诊断系统及方法
TWI746320B (zh) * 2020-12-18 2021-11-11 財團法人工業技術研究院 產生及更新定位分布圖的方法及其系統
CN112581463B (zh) * 2020-12-25 2024-02-27 北京百度网讯科技有限公司 图像缺陷的检测方法、装置、电子设备、存储介质及产品
CN112862832B (zh) * 2020-12-31 2022-07-12 盛泰光电科技股份有限公司 一种基于同心圆分割定位的脏污检测方法
JP2022121859A (ja) * 2021-02-09 2022-08-22 株式会社日立パワーソリューションズ 超音波検査装置、超音波検査方法及びプログラム
CN113670828A (zh) * 2021-08-11 2021-11-19 中国电子科技集团公司第十四研究所 一种多层印制板的层压质量检测方法
JP7290780B1 (ja) 2022-09-01 2023-06-13 株式会社エクサウィザーズ 情報処理方法、コンピュータプログラム及び情報処理装置
CN115479949B (zh) * 2022-09-14 2023-04-07 交铁检验认证实验室(成都)有限公司 一种基于大数据的桥梁安全监测预警方法及系统
CN116091505B (zh) * 2023-04-11 2023-06-30 青岛芯康半导体科技有限公司 一种蓝宝石衬底自动缺陷检测分类的方法和系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200527321A (en) * 2003-10-17 2005-08-16 Toshiba Corp Defect inspection method
TWI336778B (en) * 2005-11-25 2011-02-01 Tokyo Seimitsu Co Ltd Image defect inspection apparatus, image defect inspection system, and image defect inspection method
CN102053093A (zh) * 2010-11-08 2011-05-11 北京大学深圳研究生院 一种晶圆表面切割芯片的表面缺陷检测方法
US20120141012A1 (en) * 2009-08-26 2012-06-07 Kaoru Sakai Apparatus and method for inspecting defect

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58122456A (ja) * 1982-01-14 1983-07-21 Hitachi Ltd 超音波顕微鏡
JPH0763691A (ja) * 1993-08-24 1995-03-10 Toshiba Corp パターン欠陥検査方法及びその装置
JP2999679B2 (ja) * 1994-11-30 2000-01-17 大日本スクリーン製造株式会社 パターン欠陥検査装置
JPH0933599A (ja) * 1995-05-15 1997-02-07 Hitachi Ltd パターン検査方法および検査装置
JPH10104168A (ja) * 1996-09-26 1998-04-24 Toshiba Corp 設計データに基づく図形データ展開装置
US6606909B2 (en) * 2001-08-16 2003-08-19 Lockheed Martin Corporation Method and apparatus to conduct ultrasonic flaw detection for multi-layered structure
US6900888B2 (en) * 2001-09-13 2005-05-31 Hitachi High-Technologies Corporation Method and apparatus for inspecting a pattern formed on a substrate
JP3647416B2 (ja) * 2002-01-18 2005-05-11 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 パターン検査装置及びその方法
JP4275345B2 (ja) * 2002-01-30 2009-06-10 株式会社日立製作所 パターン検査方法及びパターン検査装置
JP2005158780A (ja) 2003-11-20 2005-06-16 Hitachi Ltd パターン欠陥検査方法及びその装置
JP2005189655A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Nec Electronics Corp マスク検査方法
JPWO2006109358A1 (ja) * 2005-04-11 2008-10-02 株式会社アドバンテスト 電子部品ハンドリング装置
JP4728762B2 (ja) * 2005-10-03 2011-07-20 株式会社東芝 超音波探傷画像処理装置
US8103087B2 (en) * 2006-01-20 2012-01-24 Hitachi High-Technologies Corporation Fault inspection method
CN101140619A (zh) * 2006-09-05 2008-03-12 大日本网目版制造株式会社 图像处理装置、数据处理装置及参数调整方法
JP4862031B2 (ja) * 2008-10-20 2012-01-25 株式会社ニューフレアテクノロジー マスク欠陥レビュー方法及びマスク欠陥レビュー装置
JP5275017B2 (ja) * 2008-12-25 2013-08-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及びその装置
JP5075850B2 (ja) 2009-01-30 2012-11-21 株式会社日立エンジニアリング・アンド・サービス 超音波検査装置および超音波検査方法
US8787663B2 (en) 2010-03-01 2014-07-22 Primesense Ltd. Tracking body parts by combined color image and depth processing
JP4970569B2 (ja) 2010-06-17 2012-07-11 株式会社東芝 パターン検査装置およびパターン検査方法
JP5710385B2 (ja) 2011-06-02 2015-04-30 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 超音波スキャンに基づくシリコン貫通配線（ｔｓｖ）におけるボイドの存在の推定
DE102011079382B4 (de) * 2011-07-19 2020-11-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Analysieren und zum Beseitigen eines Defekts einer EUV Maske
US8502146B2 (en) * 2011-10-03 2013-08-06 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus for classification of defects using surface height attributes
JP5640027B2 (ja) * 2012-02-17 2014-12-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ オーバーレイ計測方法、計測装置、走査型電子顕微鏡およびｇｕｉ
JP2013213681A (ja) * 2012-03-30 2013-10-17 Asahi Glass Co Ltd 集合基板の検査装置、検査方法及び生産方法
JP6241120B2 (ja) * 2012-09-14 2017-12-06 株式会社リコー 画像検査装置、画像検査方法及び画像検査装置の制御プログラム
TW201419853A (zh) * 2012-11-09 2014-05-16 Ind Tech Res Inst 影像處理器及其影像壞點偵測方法
KR20140066584A (ko) 2012-11-23 2014-06-02 삼성메디슨 주식회사 니들의 가이드 라인을 제공하는 초음파 시스템
JP6049101B2 (ja) 2013-01-17 2016-12-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置
JP6361140B2 (ja) * 2013-03-15 2018-07-25 株式会社リコー 画像検査装置、画像検査システム及び画像検査方法
JP6368081B2 (ja) 2013-11-06 2018-08-01 株式会社ニューフレアテクノロジー 計測装置
JP6512965B2 (ja) * 2015-07-01 2019-05-15 キヤノン株式会社 画像処理装置および画像処理方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200527321A (en) * 2003-10-17 2005-08-16 Toshiba Corp Defect inspection method
TWI336778B (en) * 2005-11-25 2011-02-01 Tokyo Seimitsu Co Ltd Image defect inspection apparatus, image defect inspection system, and image defect inspection method
US20120141012A1 (en) * 2009-08-26 2012-06-07 Kaoru Sakai Apparatus and method for inspecting defect
CN102053093A (zh) * 2010-11-08 2011-05-11 北京大学深圳研究生院 一种晶圆表面切割芯片的表面缺陷检测方法

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