TWI619535B - 氣體淨化過濾器單元 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可高效率地去除臭氧中所含之氣體狀雜質與固體微粒子狀雜質兩者，而可供給不會污染半導體裝置之製造步驟之臭氧的氣體淨化過濾器單元。
本發明之氣體淨化過濾器單元10包含：去除由臭氧產生裝置產生之臭氧所含之雜質中之氣體成分之雜質的第一去除部11、及配置於該第一去除部11之後段且自經去除氣體成分之雜質中進而去除固體微粒子之雜質的第二去除部12。藉由自上述氣體淨化過濾器單元10之流入端10a流入包含雜質之臭氧，並使其透過第一去除部11及第二去除部12，而自流出端10b排出經去除雜質之臭氧。

Description

氣體淨化過濾器單元
本發明係關於一種氣體淨化過濾器單元，詳細而言，本發明係關於一種去除臭氧氣體中所含之氣體成分或固體微粒子等雜質之技術。
於半導體裝置之製造中，著眼於較高之氧化能力而使用臭氧(O3)。臭氧有於氣體狀態下使用之情形，亦有使之溶於水中而作為臭氧水使用之情形。作為使用氣體狀態之臭氧之情形，例如於一系列之光微影步驟中，用於蝕刻處理後之抗蝕劑去除。對於抗蝕劑去除，迄今為止一直採用使用氧電漿之處理方法，但於使用氧電漿之情形時，已知產生例如使半導體晶圓之閘極氧化膜之耐性劣化等各種損害之情況。
因此，作為不會產生上述損害之無損害之抗蝕劑去除方法，提出對抗蝕劑表面吹送臭氧而使抗蝕劑氧化分解之方法。進而，為了提高分解效率，亦提出於水分之存在下吹送臭氧之方法。例如於專利文獻1中提出如下技術：於利用單一裝置進行光微影步驟中之自抗蝕劑去除處理至清洗、乾燥之一系列處理時，藉由由水蒸氣供給機構供給之水蒸氣而於抗蝕劑表面形成較薄之純水之液膜，使由臭氧供給機構供給之臭氧溶解於上述液膜中，藉此將抗蝕劑分解成羧酸、二氧化碳、水等。
又，於專利文獻2中揭示有使用臭氧水清洗基盤之構成。關於該構成，提出利用僅使氣體通過且阻止液體透過之非多孔性臭氧氣體透過高分子膜，使由臭氧產生器產生之臭氧與使臭氧溶解之水隔開地鄰接，藉此不同於使臭氧直接與水接觸之情形，使臭氧於加壓狀態下透過非多孔性臭氧氣體透過高分子膜，而生成源自臭氧產生之金屬粉等不會溶解於水中之潔淨且高濃度之臭氧水。
然而，作為將臭氧應用於半導體裝置之製造步驟時之課題，存在由臭氧中所含之雜質引起污染、尤其是金屬污染之疑慮。成為污染源之金屬可列舉：藉由在電極間進行無聲放電而生成臭氧時所產生之源自電極之金屬、或用作臭氧之供給路之金屬配管與臭氧之反應產物、及與臭氧生成時附帶生成之氮氧化物之反應產物等。
上述金屬雜質對電性質、例如導電率、電阻、介電常數等器件(device)之性能造成較大之影響。一般而言，金屬雜質之導電性大於器件材料，因此即便為由低濃度之金屬雜質引起之污染，亦於費米能階中或作為各個電荷載子，對該等性質造成較深之影響。金屬濃度對大多數半導體材料之電性質造成之影響已於大量文獻中被知曉。
作為自半導體裝置之製造步驟等中所使用之臭氧中去除雜質之方法，已知自臭氧產生源介置過濾器單元而對半導體之製造步驟供給臭氧之方法。作為先前之過濾器單元，已知例如使用吸附雜質之氣體融合材而去除氣體狀雜質者。又，亦已知使用片狀濾材等濾除固體微粒子狀雜質者。另一方面，亦對臭氧產生器之用以進行無聲放電之電極構造或電極材料進行改善而產生金屬雜質較少之臭氧。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2001-176833號公報
[專利文獻2]日本專利特開2002-057136號公報
然而，作為先前已知之自臭氧中去除雜質之過濾器單元，僅已知目的在於主要去除氣體狀雜質者、或目的在於去除固體微粒子狀雜質者，故而期望高效率地去除臭氧中所含之氣體狀雜質與固體微粒子狀雜質兩者之過濾器單元。
又，若僅改善臭氧產生器之電極構造或電極材料，則難以將所產生之臭氧中所含之金屬雜質之量降低至不會污染半導體裝置之製造步驟之程度。
本發明係鑒於上述先前之實際情況而成者，目的在於提供一種可高效率地去除臭氧中所含之氣體狀雜質與固體微粒子狀雜質兩者，而可供給不會污染半導體裝置之製造步驟之臭氧的氣體淨化過濾器單元。
為了解決上述課題，本發明之若干態樣提供如下之氣體淨化過濾器單元。
即，本發明之氣體淨化過濾器單元之特徵在於：其係去除臭氧氣體中所含之雜質者，且包含自上述雜質中去除氣體成分之第一去除部、及配置於該第一去除部之後段且自經去除上述氣體成分之雜質中去除固體微粒子之第二去除部。
本發明之氣體淨化過濾器單元之特徵在於：上述第一去除部包含吸附上述氣體成分之吸附材。
本發明之氣體淨化過濾器單元之特徵在於：上述吸附材為矽膠。
本發明之氣體淨化過濾器單元之特徵在於：上述矽膠具有多個 細孔，各個細孔之口徑為10nm以下。
本發明之氣體淨化過濾器單元之特徵在於：上述矽膠形成為直徑0.5mm以上且3mm以下之球狀。
本發明之氣體淨化過濾器單元之特徵在於：上述吸附材包含二氧化矽、及氧化鋁。
本發明之氣體淨化過濾器單元之特徵在於：上述吸附材包含二氧化矽相對於氧化鋁之比率為10以上之高矽沸石。
本發明之氣體淨化過濾器單元之特徵在於：上述第二去除部包含濾除上述固體微粒子之部位。
本發明之氣體淨化過濾器單元之特徵在於：上述第二去除部係包含耐臭氧腐蝕性之樹脂殼體、及收容於該樹脂殼體內之上述部位而成。
本發明之氣體淨化過濾器單元之特徵在於：上述部位係形成為片狀之濾材，且摺疊收容於上述樹脂殼體內。
本發明之氣體淨化過濾器單元之特徵在於：上述濾材其標稱孔徑為0.2μm以上且0.5μm以下之範圍。
本發明之氣體淨化過濾器單元之特徵在於：上述樹脂殼體、及上述濾材包含氟系樹脂。
本發明之氣體淨化過濾器單元之特徵在於：上述氟系樹脂包含四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、聚四氟乙烯、全氟烷氧基氟樹脂中之至少1種以上。
本發明之氣體淨化過濾器單元之特徵在於：上述第一去除部具備收容上述吸附材之外裝體、及形成於該外裝體之一部分且可裝卸地收容構成上述第二去除部之樹脂殼體的收容部。
本發明之氣體淨化過濾器單元之特徵在於：上述收容部具備包含不鏽鋼之網構件。
根據本發明之氣體淨化過濾器單元，由去除由臭氧產生裝置產生之臭氧所含之雜質中之氣體成分之雜質的第一去除部、及配置於該第一去除部之後段而自氣體成分經去除之雜質中進而去除固體微粒子之雜質的第二去除部構成氣體淨化過濾器單元，藉此可高效率地去除由臭氧產生器產生之臭氧中所含之氣體狀雜質與固體微粒子狀雜質兩者。
若將上述構成之氣體淨化過濾器單元作為線內過濾器而插入例如臭氧產生器與半導體裝置之製造步驟之間，則可對半導體裝置之製造中之臭氧處理步驟供給金屬雜質極少之高純度之臭氧，可減輕半導體裝置受到重金屬等污染之疑慮。
10‧‧‧氣體淨化過濾器單元
10a‧‧‧流入端
10b‧‧‧流出端
11‧‧‧第一去除部
12‧‧‧第二去除部
21‧‧‧外裝體
22‧‧‧連接部
23‧‧‧收容部
24‧‧‧網構件
25‧‧‧吸附材
31‧‧‧樹脂殼體
32‧‧‧濾材
40‧‧‧疏水性多孔質PTFE膜
40b‧‧‧邊緣部
51‧‧‧邊緣膜
52‧‧‧支持網
53‧‧‧支持網
61‧‧‧多孔
62‧‧‧多孔內側芯材
63‧‧‧多孔
64‧‧‧多孔外側套筒
65‧‧‧端蓋
66‧‧‧過濾元件(第二去除部)
圖1係表示本發明之實施形態之氣體淨化過濾器單元之剖面圖。
圖2A係表示自本發明之實施形態之氣體淨化過濾器單元中之第一去除部卸除第二去除部後之狀態之剖面圖。
圖2B係本發明之實施形態之氣體淨化過濾器單元中之第二去除部之概略剖面圖。
圖3係表示適宜用於第二去除部之濾材之構造的要部斷裂立體圖。
圖4係表示濾材之收容狀態之要部斷裂立體圖。
以下參照圖式對本發明之氣體淨化過濾器單元之一實施形態進行說明。再者，本實施形態係為了更佳地理解發明之主旨而具體地進行說明者，只要無特別指定則並不限定本發明。又，以下之說明中所使用之圖式存在為了使本發明之特徵易於理解，方便起見而放大顯示成為要部之部分的情況，各構成要素之尺寸比率等未必與實際相同。
圖1係表示本實施形態之氣體淨化過濾器單元之剖面圖。
氣體淨化過濾器單元10係例如淨化用於半導體裝置之製造步驟之臭氧(臭氧氣體)者，可作為被插入至在臭氧之產生裝置與半導體裝置之製造步驟之間供給臭氧之配管之中途的線內過濾器使用。
氣體淨化過濾器單元10包含：去除由臭氧產生裝置產生之臭氧所含之雜質中之氣體成分之雜質的第一去除部11、及配置於該第一去除部11之後段且自氣體成分經去除之雜質中進而去除固體微粒子之雜質的第二去除部12。藉由自上述氣體淨化過濾器單元10之流入端10a使包含雜質之臭氧流入，並使其透過第一去除部11及第二去除部12，而自流出端10b排出雜質經去除之臭氧(參照圖1中之虛線箭頭)。
第一去除部11具備外形為大致圓筒形之外裝體21。外裝體21係由對臭氧之氧化力具有耐久性且富有剛性之素材、例如不鏽鋼所形成。於外裝體21之一端側，為了連接與臭氧產生裝置相連之配管，形成有以成為特定之口徑之方式變細之連接部22。
於第一去除部11之另一端側，形成有可裝卸地收容第二去除部12之收容部23。於上述收容部23內，以可收納外形形狀呈大致圓筒形之第二去除部12之方式形成有圓筒狀空間。並且，該收容部23具備包含對臭氧具有耐久性之不鏽鋼而成之網構件24。網構件24可將透過第一去除部11之臭氧流入後段側之第二去除部12。
於構成第一去除部11之外裝體21之內部，填充有將由臭氧產生裝置產生之臭氧所含之雜質中之氣體成分之雜質進行物理吸附或化學吸附而去除的吸附材25。外裝體21之一端側較佳為可開閉之構造而可容易地更換上述吸附材25。
吸附材25係使用自臭氧氣體中去除金屬化合物之純化材料(purification material)。藉由使包含雜質之臭氧與吸附材25接觸，而將氣體成分之雜質減低至較低之水平。藉由包含雜質之臭氧透過第一 去除部11，而將臭氧中之氣體成分之總金屬污染減低至未達100體積ppt、較佳為未達10體積ppt、更佳為未達1體積ppt。
用作吸附材25之純化材料例如為不含具有臭氧分解觸媒作用之過渡金屬元素之高表面積無機氧化物。已知若干純化材料會引起本發明之方法之金屬去除。作為用作吸附材25之純化材料之一例，可列舉包含具有約4以上之Si/Al比之高矽沸石之高表面積無機化合物。較佳為SiO2/Al2O3比為10以上之高矽沸石。又，含有極少重金屬或不含重金屬亦重要。
用作吸附材25之純化材料較佳為具有超過約20m2/g、更佳為超過約100m2/g之表面積，但亦可容許更大之表面積。材料之表面積必須將內側及外側兩者之表面積納入考量。純化材料之表面積根據業界標準，通常可使用布厄特(BET，Brunauer-Emmett-Teller)法進行測定。
簡單而言，BET法係測定以吸附質之完全之單分子層被覆固體之外部表面及可接觸之內部細孔表面所需之吸附質或吸附氣體(例如氮氣、氪氣)之量。可使用BET式，由吸附等溫線計算該單分子層之容量，繼而可使用吸附質分子之尺寸，由單分子層之容量計算表面積。
用作吸附材25之純化材料中所使用之金屬氧化物之種類包含氧化矽、氧化鋁、鋁矽酸鹽氧化物(有時稱為沸石)、氧化鈦，但並不限定於該等。
作為較佳之實施形態，純化材料係配設於對由臭氧引起之化學性及物理性劣化具有耐久性之外裝體21之中。例如，具有0.2 ra等最小限度之表面粗糙度之316L不鏽鋼等高純度不鏽鋼為尤佳之外裝體21之容器。於使用腐蝕性、氧化性、或其他狀態之反應性氣體之某實施形態中，容器係自於操作條件下穩定之材料中加以選擇。
作為用作吸附材25之純化材料，除上述矽沸石以外，可較佳地 列舉矽膠。
矽膠(silica gel)係使由偏矽酸鈉(Na2SiO3)之水溶液所得之酸成分水解，並對藉此獲得之矽酸凝膠進行脫水、乾燥所得者。
作為第一去除部11之外裝體21中所填充之矽膠，例如可列舉形成為直徑0.5mm以上且3mm以下之球形者。又，就吸附力之方面而言，矽膠較佳為使用具有多個細孔且各個細孔之口徑為10nm以下者。
眾所周知，矽膠具有吸收水分之性質，若矽膠之含水量增加則存在金屬化合物之去除能力下降之疑慮。其原因在於：水分先被吸附至吸附金屬化合物之矽膠之細孔中。因此，用作吸附材25之矽膠較佳為預先加以控制以成為適當之水分量以下。
於使用矽膠作為吸附材25之情形時，可有效率地對高濃度臭氧進行金屬化合物之去除。於使用上述矽沸石之情形時亦存在如下可能性：於使數10g/m3以上之高濃度臭氧透過時，促進臭氧之分解，因由分解熱引起之發熱而導致將所吸附之金屬化合物再次釋出。然而，藉由使用矽膠作為吸附材25，可抑制臭氧之分解，可對數g/m3以下之低濃度臭氧至數10g/m3以上之高濃度臭氧確實地吸附金屬化合物。
使用Teflon(註冊商標)基底之或經裱裏之材料作為外裝體21之方法被較佳地用於若干實施形態中。通常作為外裝體21，各種普通之氣流之流動管線(flow line)係處理約1~300標準升之氣體/分鐘(slm)之範圍之氣流量及24個月之範圍之所期望之平均壽命。臭氧之溫度較佳為可符合-80℃至+100℃之範圍。流入端10a之向外裝體21之最大入口壓力通常為約0psig至3000psig(20700kPa)之範圍。例如較佳為具有約3~12英吋(6~25cm)之範圍之直徑與4~24英吋(8~60cm)之長度的圓筒(cylinder)狀外裝體21。為了將金屬污染物質去除至未達100ppt之水平，需使臭氧於吸附材25內擁有充分之滯留時間，因此外裝體21之 尺寸依賴於臭氧之流量及體積、淨化材料之活性、及應去除之雜質之量。
圖2(a)係表示自構成氣體淨化過濾器單元之第一去除部卸除第二去除部後之狀態之剖面圖，圖2(b)係表示圖2(a)中之A-A線處之第二去除部之剖面之概略圖。
裝卸自由地收容於第一去除部11之後段側即第一去除部11之收容部23的第二去除部12包含：具有耐臭氧腐蝕性之大致圓筒形之樹脂殼體31、及收容於該樹脂殼體31內而濾除臭氧中所含之雜質中之固體微粒子之濾材(部位)32。
濾材(部位)32只要為例如將片狀過濾器材料摺疊成菊型、褶裙狀，使露出表面積增大而收容於樹脂殼體31之內部者即可。又，樹脂殼體31係由富有對氧化力較強之臭氧之耐蝕性的材料、例如氟系樹脂所構成。作為氟系樹脂，尤佳為較佳地列舉：四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)、聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基氟樹脂(PFA)。
上述第二去除部12之一端側、即與形成於第一去除部11之收容部23之網構件24相對向的部分設為藉由第一去除部11去除氣體成分之雜質後之臭氧流入之流入側。又，另一端側構成使經第二去除部12濾除固體微粒子後之高純度之臭氧氣體向半導體裝置之製造步驟等流出的流出端10b。
作為濾除雜質中之固體微粒子之濾材32，例如可列舉：織布、不織布、成形體、及網體。織布過濾器可紡織纖維體而形成，或者亦可撚合纖維體而製作撚紗，並紡織該撚紗而形成。進而，亦較佳為於撚紗中織入有吸附會對半導體裝置之製造步驟造成影響之重金屬之粒子者。
作為不織布過濾器，例如可藉由利用公知之方法將切割成數mm至數cm之長度之纖維體相互纏繞而形成。亦可使複數種纖維體相互 纏繞而形成。作為成形體過濾器，例如藉由利用公知之成形方法將切割成數mm至數cm之長度之纖維體成形為任意之形態而獲得。作為網狀過濾器，可藉由將纖維體編織成網狀而形成。再者，亦較佳為使吸附會對半導體裝置之製造步驟造成影響之重金屬之粒子附著於該等纖維體上。
用作該等濾材32之材料中之纖維之開孔部分之間之大小會對捕捉性能造成影響，所謂該性能之標稱孔徑較佳為例如0.2μm以上0.5μm以下之範圍。若濾材32之標稱孔徑未達0.2μm，則有於濾材32之流入側與流出側之間差壓變得過大，臭氧被分解的疑慮。另一方面，若濾材32之標稱孔徑大於0.5μm，則有對濾除會對半導體裝置之製造步驟造成影響之重金屬粒子的機率產生影響之虞。
以下揭示可較佳地用作濾材32之多孔質PTFE膜(過濾膜)之製造方法之一例。如圖3所示，利用加熱至200℃以上之熱輥等將熱塑性氟系樹脂製之無孔之邊緣膜51熱壓接於疏水性多孔質PTFE膜40之兩邊緣部40b後，使其夾於分別成為供給液及濾液之流體通路之包含熱塑性氟系樹脂之支持網52與53之間。支持網亦發揮支持非常柔軟且易於彎折之多孔質PTFE膜之作用。
再者，此處所謂熱塑性氟系樹脂，係選自藉由加熱而熔融之四氟乙烯-全氟烷基乙烯醚共聚物(PFA)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)、四氟乙烯-全氟烷基乙烯醚共聚物-六氟丙烯共聚物(EPE)中之熱塑性氟系樹脂等。於使用PTFE作為疏水性多孔質膜並與氟系樹脂構件熱熔接之情形時，需使用熱塑性氟系樹脂作為邊緣膜。於使用PTFE以外之膜作為疏水性多孔質樹脂膜之情形時，亦可不使用邊緣膜。藉由上述步驟而獲得可應用於第二去除部12之濾材32。
可將包含具有如圖3所示之構造之積層體的濾材32交替地向相反方向摺疊而形成褶裙狀，使兩側緣重疊並熱融合而形成環形，而用於 本實施形態。例如，如圖4所示般，將該濾材32插入具有多孔61之熱塑性氟系樹脂製之多孔內側芯材62及具有多孔63之多孔外側套筒64之間，利用熱塑性氟系樹脂製之端蓋(end cap)65密封邊緣膜及支持網之上下緣端部，而可獲得過濾元件(第二去除部)66。
如以上所詳細說明般，根據本實施形態之氣體淨化過濾器單元10，由去除由臭氧產生裝置產生之臭氧所含之雜質中之氣體成分之雜質的第一去除部11、及配置於該第一去除部11之後段而自氣體成分經去除之雜質中進而去除固體微粒子之雜質的第二去除部12構成氣體淨化過濾器單元10，藉此可高效率地去除由臭氧產生器產生之臭氧中所含之氣體狀雜質與固體微粒子狀雜質兩者。
若將上述構成之氣體淨化過濾器單元10作為線內過濾器而插入例如臭氧產生器與半導體裝置之製造步驟之間，則可對半導體裝置之製造中之臭氧處理步驟供給金屬雜質極少之高純度之臭氧，可減輕半導體裝置受到重金屬等污染之疑慮。
[實施例]
為了驗證本發明之效果，測定本發明之氣體淨化過濾器單元之金屬成分之吸附能力。
驗證時，製作如下裝置構成：於高濃度臭氧產生裝置上經由不鏽鋼之配管連接過濾器單元，測定自該過濾器單元流出之氣體中所含之金屬成分。
作為本發明例，使用圖1所示之包含第一去除部11及第二去除部12之氣體淨化過濾器單元10，於第一去除部11內填充有矽膠作為吸附材25。矽膠係使用為直徑1~3mm之球形且細孔徑為1~10nm者，預先使之加熱乾燥。
另一方面，作為比較例，設為將上述氣體淨化過濾器單元10中之第一去除部11去除之僅剩第二去除部12之構成。
所導入之氣體為數10g/m3以上之高濃度臭氧氣體，使用不鏽鋼作為配管。上述不鏽鋼配管包含成為污染源之金屬成分之Fe、Cr、Mn。
金屬成分之濃度測定方法係使用原子吸光分析法。將本發明例及比較例之各流出氣體釋放於純水中而進行起泡，比較所獲得之試樣溶液，藉此分別測定本發明例及比較例之各流出氣體中所含之金屬成分(Fe、Cr、Mn)。
將上述驗證結果示於表1。再者，表中之氣體供給側之濃度表示由臭氧產生裝置所生成之臭氧氣體之供給側之金屬濃度、即通過不鏽鋼配管前之臭氧氣體中之金屬濃度。
根據上述驗證結果，經過第一去除部11係使用矽膠作為吸附材之氣體淨化過濾器單元的臭氧氣體中之金屬成分之濃度與不包含第一去除部11之僅有第二去除部12之比較例相比，Cr被去除99%以上，Mn被去除95%以上。經確認，若使用可高精度地去除Cr或Mn之本發明之氣體淨化過濾器單元，則即便於半導體裝置之製造步驟中應用臭氧，亦可確實地防止金屬污染。

Claims (13)

  1. 一種氣體淨化過濾器單元，其用於去除臭氧氣體中所含之雜質者，且包含：一第一去除部，其包含一矽膠之一容量，該矽膠形成為直徑0.5mm以上且3mm以下之球狀，並自該雜質中吸收及去除一氣體成分；及一第二去除部，其配置於該第一去除部之後段且自經去除該氣體成分之雜質中去除固體微粒子，該氣體淨化過濾器單元包含一收容部，其可裝卸地收容該第二去除部，該收容部係形成於該第一去除部之端側並包含一圓筒狀空間以可收納外形形狀呈大致圓筒形之該第二去除部。
  2. 如請求項1之氣體淨化過濾器單元，其中該矽膠具有多個細孔，各個細孔之口徑為10nm以下。
  3. 如請求項1之氣體淨化過濾器單元，其中該矽膠包含二氧化矽及氧化鋁。
  4. 如請求項3之氣體淨化過濾器單元，其中該矽膠包含二氧化矽相對於氧化鋁之比率為10以上之高矽沸石。
  5. 如請求項1之氣體淨化過濾器單元，其中該第二去除部包含濾除該固體微粒子之部位。
  6. 如請求項5之氣體淨化過濾器單元，其中該第二去除部係包含耐臭氧腐蝕性之樹脂殼體、及收容於該樹脂殼體內之該部位而成。
  7. 如請求項6之氣體淨化過濾器單元，其中該部位包含一濾材，該濾材具有一摺疊狀或一摺裙狀以增大該濾材之露出表面積，且該濾材係收容於該樹脂殼體內。
  8. 如請求項7之氣體淨化過濾器單元，其中該濾材其標稱孔徑為0.2μm以上且0.5μm以下之範圍。
  9. 如請求項6至8中任一項之氣體淨化過濾器單元，其中該樹脂殼體及該濾材包含氟系樹脂。
  10. 如請求項9之氣體淨化過濾器單元，其中該氟系樹脂包含四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、聚四氟乙烯、全氟烷氧基氟樹脂中之至少1種以上。
  11. 如請求項6至8中任一項之氣體淨化過濾器單元，其中該第一去除部具備收容該矽膠之外裝體、及形成於該外裝體之一部分且可裝卸地收容構成該第二去除部之樹脂殼體的收容部。
  12. 如請求項11之氣體淨化過濾器單元，其中該收容部具備包含不鏽鋼之一網構件，該網構件允許透過該第一去除部之臭氧流入該第二去除部。
  13. 如請求項1至8中任一項之氣體淨化過濾器單元，其中該第一去除部與該第二去除部形成為一整體，其中該等去除部係連續配置以相鄰。
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