JP5318336B2 - Pfcガスの濃縮方法 - Google Patents
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Description
PFCガス製造プロセス等から希薄濃度で排出されるPFC含有ガスである。
CH3OCF2CF3,C4F8,C5F8,SF6,SO2F2,NF3 等である。半導体・液晶製造装置からの排ガスには上記のPFC以外にも、C12 ,HC1,HOC1等の塩素化合物、HBr,Br2等の臭素化合物、及びHI,I2等のヨウ素化合物を含む。これらのガスは、N2 中、Air中、N2 とO2 気流中、Ar中などに含まれていて希釈されていることが多い。
(実施例)
以下、実施例にて本発明をさらに詳細に説明する。なお、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
PFC含有ガスに不純物が含まれない場合の例である。
Claims (8)
- PFCを含有する気体中のPFCを濃縮するPFCガスの濃縮方法であって、表面の少なくとも一部にフッ素を有する官能基が付してあるセラミックスの多孔体層で少なくとも二の流路に区切られた筒内の一方の流路にPFCを含有する気体を導入し、他方の流路よりPFCを含有しない気体を排出させることを特徴とするPFCガスの濃縮方法。
- 請求項1に記載されたPFCガスの濃縮方法であって、前記少なくとも二の流路に存在する気体間に圧力差を有し、前記PFCを含有する気体を導入する流路の圧力を高くすることを特徴とするPFCガスの濃縮方法。
- 請求項2に記載されたPFCガスの濃縮方法であって、ポンプを用いて低圧側の圧力を制御することを特徴とするPFCガスの濃縮方法。
- 請求項1ないし3のいずれかに記載されたPFCガスの濃縮方法であって、前記PFCを含有する気体は、CF4 ,CHF3,C2F6,C3F8及びC4F8のうち少なくともいずれかを含むことを特徴とするPFCガスの濃縮方法。
- 請求項1ないし4のいずれかに記載されたPFCガスの濃縮方法であって、前記多孔体は孔径2.7〜3.4Åの細孔を有することを特徴とするPFCガスの濃縮方法。
- 筐体と、前記筐体内に設けられ、表面の少なくとも一部にフッ素を有する官能基が付してあり少なくとも二の空間を形成するセラミックスの多孔体と、前記筐体に設けられ前記少なくとも二の空間のうちの少なくとも1つにPFCを含むガスを導入する導入孔およびPFCを含むガスを排出するPFC排出孔と、前記少なくとも二の空間のうちの他方にPFCを含まないガスを放出するガス排出口を有することを特徴とするPFCガスの濃縮装置。
- 請求項6に記載されたPFCガスの濃縮装置であって、前記ガス排出口は前記筐体内の圧力を負圧とするポンプを有することを特徴とするPFCガスの濃縮装置。
- PFC濃縮装置と、PFC分解装置とを有するPFC処理装置であって、前記PFC濃縮装置は請求項6または7に記載された濃縮装置であることを特徴とするPFC処理装置。
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